CN113363029A - 电子组件封装结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子组件封装结构及其制作方法，该制作方法包括提供具有至少二电极的电子组件本体，该些电极覆盖部分的该电子组件本体的外表面，且胶材覆盖该些电极的外表面；形成含磷酸盐的第一保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上；以及形成含玻璃的第二保护层于至少该第一保护层的曝露外表面上。本发明能避免对电子组件本体及/或电极的制程损害及在电极上形成高阻抗层。

Description

电子组件封装结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及电子组件封装的领域，尤其涉及关于电子组件封装结构及其制作方法。
背景技术
在先前技术的电子组件封装的实行中，由于电极两端面没有端胶，且浸泡磷酸盐与电子组件本体反应形成磷酸锌，其造成内、外连接不连续，也因磷酸锌堆积方式，形成表面编织网多孔性，容易造成电镀液渗镀，从而造成电子组件不良率提高等缺失。
有鉴于此，本发明提出一种电子组件封装结构及其制作方法以避免以上种种制程损害及在电极上形成高阻抗层等问题。
发明内容
本发明提供一种电子组件封装结构的制作方法，其包括：提供具有至少二电极的电子组件本体，该些电极覆盖部分的该电子组件本体的外表面，且胶材覆盖该些电极的外表面；形成含磷酸盐的第一保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上；以及形成含玻璃的第二保护层于至少该第一保护层的曝露外表面上。
本发明的电子组件封装结构的制作方法，还包括在形成含磷酸盐的第一保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上之后移除该胶材。
本发明的电子组件封装结构的制作方法，还包括在形成含玻璃的第二保护层于至少该第一保护层的曝露外表面上之后于该些电极的曝露外表面进行电镀。
本发明的电子组件封装结构的制作方法，其中，该第一保护层的预形成层以含磷酸盐的溶液浸泡、喷涂、涂布或其组合形成。
本发明的电子组件封装结构的制作方法，其中，在以含磷酸盐的溶液浸泡、喷涂、涂布、旋涂或其组合形成该第一保护层的预形成层之后，以700℃至800℃处理该第一保护层的预形成层，以形成该第一保护层且移除该胶材。
本发明的电子组件封装结构的制作方法，其中，该第二保护层的预形成层以含玻璃的溶液浸泡、喷涂、涂布、旋涂或其组合形成。
本发明的电子组件封装结构的制作方法，其中，该磷酸盐包括磷酸、磷酸锌、磷酸铁及磷酸锰的至少一者。
本发明另提供一种电子组件封装结构的制作方法，包括提供具有至少二电极的电子组件本体，该些电极覆盖部分的该电子组件本体的外表面，且胶材覆盖该些电极的外表面；以及形成含玻璃的保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上。
本发明的电子组件封装结构的制作方法，还包括在形成含玻璃的保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上之后移除该胶材。
本发明的电子组件封装结构的制作方法，其中，在以含玻璃的溶液浸泡、喷涂、涂布、旋涂或其组合形成该保护层的预形成层之后，以600℃至800℃处理该保护层的预形成层，以形成该保护层且移除该胶材。
本发明的电子组件封装结构的制作方法，其中，该玻璃包括硅酸盐玻璃、硅铝酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、铅酸盐玻璃的至少一者。
本发明提供一种电子组件封装结构，包括电子组件本体、含磷酸盐的第一保护层及含玻璃的第二保护层。该电子组件本体具有覆盖部分的该电子组件本体的外表面的至少二电极，该含磷酸盐的第一保护层形成于该些电极未覆盖的该电子组件本体的至少部分表面上，该含玻璃的第二保护层形成于该第一保护层上。另外，至少一该电极上形成有表电极结构。
本发明另提供一种电子组件封装结构，包括具有覆盖其部分的外表面的至少二电极的电子组件本体及形成于该些电极未覆盖的该电子组件本体的至少部分表面上的含玻璃的保护层。另外，至少一该电极上形成有表电极结构。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
相较于公知技术，本发明通过形成在含磷酸盐的保护层上的含玻璃的保护层或附着于电子组件本体上的含玻璃的保护层而能更佳保护该电子组件本体及/或该些电极，而胶材也可于形成各保护层时提供对该些电极的保护及避免其上形成高阻抗材，且能于热处理时轻易移除。从而避免先前技术的种种对电子组件本体及/或电极的制程损害。
附图说明
图1为本发明的电子组件封装结构的制作方法的流程图；
图2为本发明的电子组件封装结构的制作方法的另一态样流程图；
图3为本发明的电子组件封装结构的示意图；
图4为本发明的电子组件封装结构的另一态样示意图。
符号说明：
1 电子组件封装结构
10 电子组件本体
10a 外表面
11 电极
12 表电极结构
20 含磷酸盐的第一保护层
30 含玻璃的第二保护层
40 含玻璃的保护层
S10、S12、S14、S20、S22 步骤
具体实施方式
为充分了解本发明的目的、特征及功效，通过下述具体的实施例，并配合所附的图式，对本发明做一详细说明，说明如后：
请参考图1，其为本发明的电子组件封装结构的制作方法的流程图。该电子组件封装结构的制作方法可包括步骤S10至步骤S14。
于步骤S10，可提供具有至少二电极的电子组件本体，该些电极覆盖部分的该电子组件本体的外表面，且胶材覆盖该些电极的外表面。
特定而言，该电子组件本体可为电阻、电容等，且该电子组件本体可具有交错配置于介电材料内的第一内电极组及第二内电极组，该第一内电极组可与一该电极连接，该第二内电极组可与另一该电极连接，惟若该电子组件本体具有更多电极，则内电极组的数目及连接方式等可予变更。而该介电材料可由氧化锌为主的金属氧化物或是氧化铝所组成，其中该介电材料可以由公知陶瓷烧结成型技术等制程再加入其他金属氧化物为添加物，并经过公知的陶瓷材料高温烧结成型技术成型。该第一内电极组及/或第二内电极组可都为银层(Ag)或可都为包含银(Ag)及钯(Pd)的合金层，然本发明不以此为限。也即，在其他实施态样中，该第一内电极组及第二内电极组也可为铜(Cu)、金(Au)、或铂(Pt)...等，也可含适量的玻璃质。再者，该金属氧化物可由金属有机盐或金属无机盐替代。
该胶材可例如为压克力酸聚合物、聚酯聚合物，环氧树酯聚合物、光阻或其它可作为保护层的有机聚合物，以及含有其它不溶性粉体及适量添加物的组成。
于步骤S12，可形成含磷酸盐的第一保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上。由于该些电极受该胶材覆盖，故于形成第一保护层时，该些电极不被含磷酸盐的物质侵蚀或该些电极上不形成高阻抗的含磷酸盐的物质。
特定而言，该磷酸盐可为磷酸、磷酸锌、磷酸铁及磷酸锰的至少一者，且该第一保护层的预形成层可以含磷酸盐的溶液浸泡、喷涂、涂布或其组合形成。举例而言，可调配磷酸盐浓度比例＝纯水:磷酸盐＝100:1～20％不等的含磷酸盐溶液，之后使该电子组件本体浸泡于含磷酸盐溶液中，而含磷酸盐溶液可例如与电子组件本体反应产生磷酸锌，从而形成高阻抗层，而该胶材不会与磷酸盐反应。以磷酸盐锌保护层为例，可先通过过渡元素离子的添加(例如铁离子)，以取代部分磷酸锌中的锌离子而形成保护层。更特定而言，含磷酸盐的第一保护层形成于电子组件本体上的方式，可先将磷酸盐溶液保持于高温度下以形成一过饱和溶液，使得磷酸盐沉淀物可以被析出，之后再将磷酸盐沉淀物沉积于电子组件本体上。
另外，在步骤S12之后可移除该胶材，例如以机械方式、化学方式、物理方式移除该胶材。特定而言，可以700℃至800℃处理该第一保护层的预形成层并移除该胶材。详细并特定而言，可以含磷酸盐的溶液浸泡、喷涂、涂布、旋涂或其组合形成该第一保护层的预形成层之后，以700℃至800℃处理该第一保护层的预形成层，以形成该第一保护层且移除该胶材。从而使例如磷酸锌经过高温表面而更加稳固、坚硬，然而磷酸盐会产生孔洞，故后续处理仍有可能对该电子组件本体及/或该些电极造成损害(例如电镀液等)。
于步骤S14，可形成含玻璃的第二保护层于至少该第一保护层的曝露外表面上。特定而言，该玻璃可为硅酸盐玻璃、硅铝酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、铅酸盐玻璃、其它无机酸盐玻璃的至少一者或。而在步骤S30之前可在外露的该些电极上形成遮盖材。特定而言，该第二保护层的预形成层可以含玻璃的溶液浸泡、喷涂、涂布、旋涂或其组合形成。详细并特定而言，可将电子组件本体芯片浸泡于无机物玻璃溶液中，烘干后再浸泡反复多次，使无机物玻璃层有足够的厚度，可以承受电镀物的侵蚀，或者可先将无机物玻璃调成水溶液状态，内含物可含有无机物玻璃粉、黏着剂、有机溶剂等，惟本发明不限于此，再利用喷涂方式将无机物玻璃水溶液喷涂于该电子组件本体上，且可例如将该电子组件本体慢慢滚动而一层一层喷涂上去。之后再以600℃至800℃处理该第二保护层的预形成层，以形成该第二保护层且移除该遮盖材。因此，可以该第二保护层填补磷酸盐层的孔洞，从而更佳保护该电子组件本体及/或该些电极。
又或者在形成该第一保护层之后直接再形成该第二保护层，而后可以600℃至800℃处理该第一保护层的预形成层及第二保护层的预形成层，以形成该第一保护层及第二保护层且移除该胶材。
再者，可在步骤S14之后于该些电极的曝露外表面进行电镀，从而形成于至少一该电极上的表电极结构。而表电极结构可由内至外依序为至少一底镀层及至少一焊锡层。或者该表电极结构可例如由内而外为银(Ag)层的第一导电层、镍(Ni)层的第二导电层及锡(Sn)层的第三导电层，然本发明不以此为限。具体而言，可先在该些电极上通过电镀方式形成一银层，而为了增加银层及锡层之间的结合力，可于形成一包覆银层的镍层之后，形成一包覆镍层的锡层。另外，第一导电层可为经过酸洗处理的表面粗化的银层。而表电极结构的底镀层及焊锡层可由无电镀、刷镀或滚镀法制成。
本发明可提供另一种电子组件封装结构的制作方法，其包括如图2的步骤S20至步骤S22。于步骤S20，可提供具有至少二电极的电子组件本体，该些电极覆盖部分的该电子组件本体的外表面，且胶材覆盖该些电极的外表面。而在步骤S22，可形成含玻璃的保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上。而在步骤S22之后可移除该胶材，特定而言，可在以含玻璃的溶液浸泡、喷涂、涂布、旋涂或其组合形成该保护层的预形成层之后，以600℃至800℃处理该保护层的预形成层，以形成该保护层且移除该胶材。因此，本发明可经过高温600～800℃烧附，而使无机物玻璃紧密附着于该电子组件本体的表面，另外高温烧附的同时也将该胶材烧除，使该些电极脱开而令内电极外露。
同样，在步骤S22之后可于该些电极的曝露外表面进行电镀，从而形成于至少一该电极上的表电极结构。此另一种电子组件封装结构的制作方法的其它细节已于上文叙述，不再赘述。
本发明可提供一种电子组件封装结构1，如图3所示，其包括电子组件本体10、含磷酸盐的第一保护层20及含玻璃的第二保护层30。如上所述的电子组件本体10可具有覆盖部分的电子组件本体10的外表面10a的至少二电极11，含磷酸盐的第一保护层20可形成于该些电极11未覆盖的电子组件本体10的至少部分表面上，含玻璃的第二保护层30可形成于第一保护层20上。另外，至少一电极11上可形成表电极结构12。
本发明可提供另一种电子组件封装结构1，如图4所示，包括具有覆盖其部分的外表面的至少二电极11的电子组件本体10及形成于该些电极11未覆盖的电子组件本体10的至少部分表面上的含玻璃的保护层40。另外，至少一电极11上可形成表电极结构12。
上述二电子组件封装结构1的材料及处理细节已于上文叙述，不再赘述。
综上所述，本发明通过形成在含磷酸盐的保护层上的含玻璃的保护层而能填补磷酸盐层的孔洞，从而更佳保护该电子组件本体及/或该些电极，而附着于电子组件本体上的含玻璃的保护层也能提供电子组件本体及/或该些电极较佳的保护。另外，胶材也可于形成各保护层时提供对该些电极的保护及避免其上形成高阻抗材，且能于热处理时轻易移除。
本发明在上文中已以较佳实施例揭露，然熟习本项技术者应理解的是，该实施例仅用于描绘本发明，而不应解读为限制本发明的范围。应注意的是，举凡与该实施例等效的变化与置换，均应设为涵盖于本发明的范畴内。因此，本发明的保护范围当以权利要求书所界定者为准。

Claims (14)

1.一种电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供具有至少二电极的电子组件本体，该些电极覆盖部分的该电子组件本体的外表面，且胶材覆盖该些电极的外表面；
形成含磷酸盐的第一保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上；以及
形成含玻璃的第二保护层于至少该第一保护层的曝露外表面上。
2.如权利要求1所述的电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，还包括在形成含磷酸盐的第一保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上之后移除该胶材。
3.如权利要求2所述的电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，还包括在形成含玻璃的第二保护层于至少该第一保护层的曝露外表面上之后于该些电极的曝露外表面进行电镀。
4.如权利要求1所述的电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，其中，该第一保护层的预形成层以含磷酸盐的溶液浸泡、喷涂、涂布或其组合形成。
5.如权利要求1所述的电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，其中，在以含磷酸盐的溶液浸泡、喷涂、涂布、旋涂或其组合形成该第一保护层的预形成层之后，以700℃至800℃处理该第一保护层的预形成层，以形成该第一保护层且移除该胶材。
6.如权利要求1所述的电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，其中，该第二保护层的预形成层以含玻璃的溶液浸泡、喷涂、涂布、旋涂或其组合形成。
7.如权利要求1所述的电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，其中，该磷酸盐包括磷酸、磷酸锌、磷酸铁及磷酸锰的至少一者。
8.一种电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供具有至少二电极的电子组件本体，该些电极覆盖部分的该电子组件本体的外表面，且胶材覆盖该些电极的外表面；以及
形成含玻璃的保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上。
9.如权利要求8所述的电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，还包括在形成含玻璃的保护层于至少该电子组件本体的曝露外表面上之后移除该胶材。
10.如权利要求9所述的电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，其中，在以含玻璃的溶液浸泡、喷涂、涂布、旋涂或其组合形成该保护层的预形成层之后，以600℃至800℃处理该保护层的预形成层，以形成该保护层且移除该胶材。
11.如权利要求1或8所述的电子组件封装结构的制作方法，其特征在于，其中，该玻璃包括硅酸盐玻璃、硅铝酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、铅酸盐玻璃的至少一者。
12.一种电子组件封装结构，其特征在于，包括：
电子组件本体，具有覆盖部分的该电子组件本体的外表面至少二电极；
含磷酸盐的第一保护层，形成于该些电极未覆盖的该电子组件本体的至少部分表面上；以及
含玻璃的第二保护层，形成于该第一保护层上。
13.一种电子组件封装结构，其特征在于，包括：
电子组件本体，具有覆盖部分的该电子组件本体的外表面至少二电极；以及
含玻璃的保护层，形成于该些电极未覆盖的该电子组件本体的至少部分表面上。
14.如权利要求12或13所述的电子组件封装结构，其特征在于，还包括表电极结构，形成于至少一该电极上。
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