CN113284929A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置可以包括基板。第一发光元件设置在所述基板上。第二发光元件设置在所述基板上,并且定位为与所述第一发光元件相邻。第一封装层设置在所述第一发光元件和所述第二发光元件上。光路控制层设置在所述第一封装层上。所述光路控制层包括与所述第一发光元件重叠并具有第一折射率的第一图案以及与所述第二发光元件重叠并具有大于所述第一折射率的第二折射率的第二图案。
Description
技术领域
本发明构思涉及显示装置。更具体地,本发明构思涉及包括封装发光元件的封装层的显示装置。
背景技术
随着信息技术领域的发展,用于向用户提供信息的显示装置的市场已经增长。因此,诸如液晶显示装置、有机发光显示装置和等离子体显示装置的平板显示装置的使用一直在增长。
随着显示装置的尺寸增大,多个用户将从各种角度观看由显示装置显示的图像的可能性增加。因此,以宽视角显示图像的显示装置是所期望的,使得用户可以从不同的角度观看显示装置。
然而,由于显示装置在公共场所频繁使用,因此出于个人隐私保护的目的,还存在以窄视角显示图像的需求。
发明内容
示例性实施例提供了一种显示装置,所述显示装置提供了选择性的视角控制。
根据本发明构思的示例性实施例的显示装置可以包括基板。第一发光元件设置在所述基板上。第二发光元件设置在所述基板上,并且定位为与所述第一发光元件相邻。第一封装层设置在所述第一发光元件和所述第二发光元件上。光路控制层设置在所述第一封装层上。所述光路控制层包括与所述第一发光元件重叠并具有第一折射率的第一图案以及与所述第二发光元件重叠并具有大于所述第一折射率的第二折射率的第二图案。
在示例性实施例中,所述第一封装层可以包括无机绝缘材料。
在示例性实施例中,所述第二图案可以包括有机绝缘材料。
在示例性实施例中,所述第一图案可以为空气间隙。
在示例性实施例中,所述第二图案的截面可以具有其中所述第二图案的下侧的宽度小于所述第二图案的上侧的宽度的形状。
在示例性实施例中,所述光路控制层还可以包括设置在所述第二图案上的覆盖层。
在示例性实施例中,所述覆盖层可以包括聚酰亚胺(PI)。
在示例性实施例中,所述覆盖层可以包括氟化锂(LiF)。
在示例性实施例中,所述覆盖层可以接触所述第二图案的上表面。
在示例性实施例中,所述覆盖层可以接触所述第一封装层的上表面、所述第二图案的侧壁和所述第二图案的上表面。
在示例性实施例中,所述第二封装层可以包括有机绝缘材料。
在示例性实施例中,所述显示装置还可以包括设置在所述第二封装层上的第三封装层,所述第三封装层包括无机绝缘材料。
在示例性实施例中,从所述第二发光元件发射的光的颜色可以与从所述第一发光元件发射的光的颜色相同。
在示例性实施例中,所述第二发光元件的发射区域可以大于所述第一发光元件的发射区域。
在示例性实施例中,所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每一个可以在第一模式下发光,并且在第二模式下,所述第一发光元件可以发光,并且所述第二发光元件可以不发光。
根据示例性实施例的显示装置可以包括基板。发射单元设置在所述基板上。封装单元覆盖所述发射单元。所述封装单元包括设置在所述发射单元上的第一封装层。光路控制层设置在所述第一封装层上。所述光路控制层包括具有第一折射率的多个第一图案以及具有大于所述第一折射率的第二折射率的多个第二图案。第二封装层设置在所述光路控制层上。
在示例性实施例中,所述发射单元可以包括分别与所述第一图案重叠的多个第一发光元件以及分别与所述第二图案重叠的多个第二发光元件。
在示例性实施例中,所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每一个可以在第一模式下发光,并且在第二模式下,每个所述第一发光元件可以发光,并且每个所述第二发光元件可以不发光。
在示例性实施例中,每个所述第二图案的截面可以具有其中所述第二图案的下侧的宽度小于所述第二图案的上侧的宽度的形状。
在示例性实施例中,所述光路控制层还可以包括设置在所述第二图案上的覆盖层。
根据本发明构思的示例性实施例的显示装置可以包括光路控制层,所述光路控制层设置在所述第一封装层和所述第二封装层之间并且包括具有彼此不同的折射率的第一图案和第二图案,所述第一图案可以与所述第一发光元件重叠,并且所述第二图案可以与所述第二发光元件重叠。因此,从所述第一发光元件发射的光的路径和从所述第二发光元件发射的光的路径可以彼此不同。因此,所述显示装置可以通过控制所述第一发光元件和所述第二发光元件的发射来选择性地以宽视角或窄视角显示图像。
附图说明
根据以下结合附图对示例性实施例的详细描述,将更清楚地理解说明性的、非限制性的示例性实施例。
图1是示出了根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的一部分的平面图。
图2是示出了根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的截面图。
图3是沿着图2的区域A截取的放大截面图,示出了根据本发明构思的示例性实施例的发射单元和封装单元。
图4是发射单元和封装单元的沿着图2的区域A截取的放大截面图,示出了根据本发明构思的示例性实施例的在第一模式下发射的光的路径。
图5是发射单元和封装单元的沿着图2的区域A截取的放大截面图,示出了根据本发明构思的示例性实施例的在第二模式下发射的光的路径。
图6是根据本发明构思的另一示例性实施例的发射单元和封装单元的沿着图2的区域A截取的放大截面图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图详细地说明根据本发明构思的示例性实施例的显示装置。
图1是示出了根据本发明构思的示例性实施例的显示装置10的一部分的平面图。
参考图1的示例性实施例,显示装置10可以包括在平面图中以大致矩阵形式布置的多个像素。如本文所使用的,“像素”是指通过在平面图中划分显示区域以显示彩色图像所形成的区域。多个像素中的每个像素可以呈现预定的原色。例如,在示例性实施例中,一个像素可以是显示装置的可以呈现独立于其他像素的颜色的最小单位。
如在图1的示例性实施例中所示,显示装置10可以包括多个第一像素PX1和多个第二像素PX2。每个第一像素PX1可以显示第一颜色、第二颜色或第三颜色。此外,与第一像素PX1类似,每个第二像素PX2可以显示第一颜色、第二颜色或第三颜色。例如,在示例性实施例中,第一颜色、第二颜色和第三颜色可以分别为红色、绿色和蓝色。然而,本发明构思的示例性实施例不限于此。例如,在一些示例性实施例中,由多个第一像素PX1和多个第二像素PX2显示的颜色的数量以及颜色可以改变。
在示例性实施例中,在行方向上顺序布置的第一像素PX1和第二像素PX2可以形成基本单元,并且该基本单元可以在行方向上重复。此外,第一像素PX1和第二像素PX2中的每一个可以在列方向上布置。
在示例性实施例中,在同一列中彼此相邻的第一像素PX1和第二像素PX2可以显示相同的颜色。例如,如在图1的示例性实施例中所示,第(3N-2)列中的第一像素PX1和第二像素PX2可以显示第一颜色,第(3N-1)列中的第一像素PX1和第二像素PX2可以显示第二颜色,并且第3N列中的第一像素PX1和第二像素PX2可以显示第三颜色。这里,N可以为自然数。
显示装置10可以选择性地在第一模式和第二模式下被驱动。第一模式是正常模式,并且第一像素PX1和第二像素PX2两者可以在第一模式下显示颜色。显示装置10可以在第一模式下以相对宽的视角提供图像,使得用户可以在第一模式下从显示装置10的各种角度(包括从显示装置10的横向侧以及从显示装置10的前方)观察到图像。
第二模式是私密模式,并且在第二模式下,第一像素PX1可以显示颜色,并且第二像素PX2可以不显示颜色。显示装置10可以在第二模式下以相对窄的视角提供图像。例如,在示例性实施例中,用户会在第二模式下仅从显示装置10的前方观察到显示装置10显示的图像,而在第二模式下不会从显示装置10的横向侧观察到图像。
如在图1的示例性实施例中所示,第二像素PX2的尺寸可以大于第一像素PX1的尺寸。例如,第二像素PX2的面积可以大于第一像素PX1的面积。在该示例性实施例中,第二像素PX2显示的颜色的亮度可以大于第一像素PX1显示的颜色的亮度。因此,显示装置10可以在其中第一像素PX1和第二像素PX2两者显示颜色的第一模式下显示具有相对高的亮度的图像。此外,显示装置10可以在其中仅第一像素PX1显示颜色且第二像素PX2不显示颜色的第二模式下显示具有相对低的亮度的图像。然而,在其他示例性实施例中,第二像素PX2的面积可以与第一像素PX1的面积相同或小于第一像素PX1的面积。
图2是示出了根据本发明构思的示例性实施例的显示装置10的截面图。
参考图2的示例性实施例,显示装置10可以包括基板100、电路单元200、发射单元300和封装单元400。
基板100可以支撑电路单元200和发射单元300。在示例性实施例中,基板100可以是透明绝缘基板。基板100可以是刚性基板或柔性基板。例如,基板100可以由从玻璃、石英、塑料和金属氧化物等中选择的至少一种形成。然而,本发明构思的示例性实施例不限于此。
电路单元200可以设置在基板100上。例如,如在图2的示例性实施例中所示,电路单元200的下表面可以直接接触基板100的上表面。电路单元200可以向发射单元300提供信号或电压等。电路单元200可以包括多个晶体管和多个电容器。在示例性实施例中,电路单元200可以包括至少一个半导体层、多个导电层以及设置在至少一个半导体层与多个导电层之间的绝缘层。
发射单元300可以设置在电路单元200上。例如,如在图2的示例性实施例中所示,发射单元300的下表面可以直接接触电路单元200的上表面。发射单元300可以基于从电路单元200提供的信号或电压等发光。在示例性实施例中,发射单元300可以包括多个第一发光元件和多个第二发光元件。然而,在其他示例性实施例中,多个发光元件的数量可以为三个或更多个。发射单元300可以包括多个导电层和设置在多个导电层之间的发射层。
封装单元400可以设置在发射单元300上。封装单元400可以覆盖发射单元300,并且封装单元400的端部可以接触电路单元200的端部。例如,封装单元400的横向侧表面可以接触发射单元300的横向端。封装单元400可以封装发射单元300,从而防止外部气体或湿气等流入发射单元300中。
如在图2的示例性实施例中所示,封装单元400可以包括第一封装层410、第二封装层420、第三封装层430和光路控制层440。然而,本发明构思的示例性实施例不限于此,并且在其他示例性实施例中,封装单元400的封装层的数量可以改变。
第一封装层410可以设置在发射单元300上。例如,如在图2的示例性实施例中所示,第一封装层410可以直接接触发射单元300的上表面和横向边缘。第一封装层410可以覆盖发射单元300,并且第一封装层410的横向端部的下表面可以接触电路单元200的横向端部的上表面。第一封装层410可以防止外部气体或湿气等流入发射单元300中。在示例性实施例中,第一封装层410可以包括无机绝缘材料。
第二封装层420可以设置在第一封装层410上。第二封装层420可以在第二封装层420上提供平坦化的表面。在示例性实施例中,第二封装层420可以包括有机绝缘材料。
第三封装层430可以设置在第二封装层420上。例如,如在图2的示例性实施例中所示,第三封装层430可以直接接触第二封装层420的上表面和横向端。第三封装层430可以覆盖第二封装层420,并且第三封装层430的横向端部可以接触第一封装层410的横向端部。例如,第三封装层430的横向端部的下表面可以接触第一封装层410的横向端部的上表面。第三封装层430可以防止从第二封装层420发出的湿气等流到封装单元400的外部。在示例性实施例中,第三封装层430可以包括无机绝缘材料。
如在图2的示例性实施例中所示,光路控制层440可以(例如,在基板100的厚度方向上)设置在第一封装层410和第二封装层420之间。光路控制层440可以包括具有彼此不同的折射率的多个第一图案441和多个第二图案442。第一图案441可以(例如,在基板100的厚度方向上)分别与第一发光元件重叠,并且第二图案442可以(例如,在基板100的厚度方向上)分别与第二发光元件重叠。光路控制层440可以通过第一图案441控制从发射单元300的第一发光元件发射的光的路径。
图3是示出了根据本发明构思的示例性实施例的发射单元300和封装单元400的放大截面图。图3可以示出根据本发明构思的示例性实施例的图2中的区域A。
参考图2和图3的示例性实施例,发射单元300可以包括第一发光元件310和第二发光元件320。第一发光元件310和第二发光元件320可以彼此相邻,并且可以(例如,在与基板100的上表面平行的方向上)彼此间隔开。第一发光元件310和第二发光元件320可以分别被包括在图1的示例性实施例中示出的彼此相邻的第一像素PX1和第二像素PX2中。在该示例性实施例中,从第二发光元件320发射的光的颜色可以与从第一发光元件310发射的光的颜色相同。
第一发光元件310和第二发光元件320中的每一个可以包括第一电极、第二电极和发射层。例如,如在示例性实施例中所示,第一发光元件310可以包括第一电极311、第二电极312和发射层313,并且第二发光元件320可以包括第一电极321、第二电极322和发射层323。第一发光元件310的第一电极311、第二电极312和发射层313可以分别与第二发光元件320的第一电极321、第二电极322和发射层323基本上相同或类似。因此,为了便于说明,下面将主要描述第一发光元件310的第一电极311、第二电极312和发射层313。
在示例性实施例中,第一电极311可以是反射电极。在示例性实施例中,第一电极311可以包括透明导电氧化物层和金属层。例如,第一电极311可以包括银(Ag)或氧化铟锡(ITO)等。第一电极311可以独立地形成在每个像素中。例如,如在图3的示例性实施例中所示,第一发光元件310的第一电极311和第二发光元件320的第一电极321可以不彼此连接。
第二电极312可以设置在第一电极311上。第二电极312可以是透射电极。在示例性实施例中,第二电极312可以包括具有相对小的厚度的金属层。例如,第二电极312可以包括从铝(Al)、铂(Pt)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铬(Cr)、钨(W)和钛(Ti)等中选择的至少一种。然而,本发明构思的示例性实施例不限于此。如在图3的示例性实施例中所示,第二电极312可以共同地形成在像素中。例如,第二电极312可以从第一发光元件310延伸到第二电极322。
发射层313可以(例如,在基板100的厚度方向上)设置在第一电极311和第二电极312之间。发射层313可以基于形成在第一电极311和第二电极312之间的电场发光。从发射层313产生的光可以在朝向第二电极312的方向上发射,或者可以在朝向第一电极311的方向上发射且随后可以被第一电极311朝向第二电极312反射。
在示例性实施例中,发射层313可以包括有机发光材料和量子点中的至少一种。
在示例性实施例中,有机发光材料可以包括低分子有机化合物或高分子有机化合物。例如,低分子有机化合物可以包括从铜酞菁、二苯基联苯胺(N,N'-二苯基联苯胺)和三羟基喹啉铝(三(8-羟基喹啉)铝)等中选择的至少一种化合物。高分子有机化合物可以包括从聚乙撑二氧噻吩(聚(3,4-乙撑二氧噻吩))、聚苯胺、聚苯撑乙烯撑(polyphenylenevinylene)和聚芴等中选择的至少一种化合物。
在示例性实施例中,量子点可以包括核,该核包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和它们的组合。在示例性实施例中,量子点可以具有包括核和围绕核的壳的核-壳结构。壳可以防止核的化学变性,从而用作用于保持半导体特性的保护层和用于向量子点赋予电泳特性的荷电层。
在第一发光元件310和第二发光元件320之间可以设置像素限定层330。如在图3的示例性实施例中所示,像素限定层330可以覆盖第一电极311的外围部分(例如,第一电极311的横向端),并且可以包括暴露第一电极311的中心部分的开口。发射层313可以在像素限定层330的开口中设置在第一电极311上,并且第二电极312可以设置在发射层313和像素限定层330上。
像素限定层330可以限定第一发光元件310和第二发光元件320中的每一者的发射区域。例如,如在图3的示例性实施例中所示,第一发光元件310的第一发射区域EA1和第二发光元件320的第二发射区域EA2可以由像素限定层330限定。此外,像素限定层330可以增加第一电极311的外围部分与第二电极312之间的距离,从而防止在第一电极311的外围部分与第二电极312之间发生电弧等。
如在图3的示例性实施例中所示,第二发射区域EA2的尺寸可以大于第一发射区域EA1的尺寸。在该示例性实施例中,从第二发射区域EA2发射的光的亮度可以大于从第一发射区域EA1发射的光的亮度。
第一封装层410可以设置在第一发光元件310和第二发光元件320上。第一封装层410可以设置在第二电极312和322上。第一封装层410可以包括无机绝缘材料。例如,第一封装层410可以包括从氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅等中选择的至少一种化合物。在示例性实施例中,第一封装层410可以通过沉积工艺来形成。
第二封装层420可以设置在第一封装层410上。第二封装层420可以包括有机绝缘材料。例如,第二封装层420可以包括从丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素基树脂和苝基树脂等中选择的至少一种化合物。在示例性实施例中,第二封装层420可以通过诸如旋涂、狭缝涂覆或喷墨工艺等液态工艺来形成。然而,本发明构思的示例性实施例不限于此。
第三封装层430可以设置在第二封装层420上。第三封装层430可以包括无机绝缘材料。例如,第三封装层430可以包括从氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅等中选择的至少一种化合物。在示例性实施例中,第三封装层430可以包括与第一封装层410的材料基本上相同的材料。然而,本发明构思的示例性实施例不限于此,并且在另一示例性实施例中,第三封装层430可以包括与第一封装层410的材料不同的材料。在示例性实施例中,第三封装层430可以通过沉积工艺来形成。
光路控制层440可以(例如,在基板100的厚度方向上)设置在第一封装层410和第二封装层420之间。如在图3的示例性实施例中所示,光路控制层440可以包括多个第一图案441、多个第二图案442和覆盖层443。
如在图3的示例性实施例中所示,第一图案441和第二图案442可以交替地设置在第一封装层410上。每个第一图案441可以设置在相邻的第二图案442之间。然而,本发明构思的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中,每个第一图案441可以为空气间隙。例如,每个第一图案441可以为空的空间。
在示例性实施例中,第二图案442可以包括有机绝缘材料。例如,在示例性实施例中,第二图案442可以包括聚酰亚胺基树脂。在示例性实施例中,可以在第一封装层410上通过诸如旋涂、狭缝涂覆或喷墨工艺等液态工艺形成有机绝缘层。随后,可以通过诸如干法蚀刻等蚀刻工艺将有机绝缘层图案化,以形成第二图案442和各自为空气间隙的第一图案441。
在示例性实施例中,第二图案442的截面可以具有其中第二图案442的下侧的宽度(例如,在与基板100的上表面平行的方向上的长度)小于第二图案的上侧的宽度的形状。例如,第二图案442可以具有倒锥形结构。如在图3的示例性实施例中所示,第二图案442的下表面442L可以直接接触第一封装层410,并且第二图案442的上表面442U可以直接接触覆盖层443。因为第二图案442具有倒锥形结构,所以相邻的第二图案442的上表面442U之间的间隙(例如,在与基板100的上表面平行的方向上的长度)可以小于相邻的第二图案442的下表面442L之间的间隙。
覆盖层443可以设置在第一图案441和第二图案442上。例如,覆盖层443可以直接接触第一图案441的上表面和第二图案442的上表面442U。覆盖层443可以覆盖第二图案442,并且可以防止作为空气间隙的第一图案441通过相邻的第二图案442的上表面442U之间的间隙被暴露。因此,覆盖层443可以在将第二封装层420形成在光路控制层440上的工艺中防止用于形成第二封装层420的有机绝缘材料通过相邻的第二图案442的上表面442U之间的间隙流入作为空气间隙的第一图案441中。在示例性实施例中,覆盖层443可以包括聚酰亚胺(PI)。
第一图案441可以(例如,在基板100的厚度方向上)与第一发光元件310重叠,并且第二图案442可以(例如,在基板100的厚度方向上)与第二发光元件320重叠。例如,第一图案441可以设置为与第一发射区域EA1重叠,并且第二图案442可以设置为与第二发射区域EA2重叠。然而,如在图3的示例性实施例中所示,第二图案442的具有增加的宽度的上表面442U的横向端可以延伸为还与第一发射区域EA1的一部分重叠。相邻的第二图案442的上表面442U之间的间隙可以在第一发射区域EA1的中心部分上方延伸。因此,参考图4,从第一发光元件310的发射层313朝向第一发射区域EA1的围绕第一发射区域EA1的中心部分的横向侧发射的光可以穿过第一图案441、第二图案442、覆盖层443、第二封装层420和第三封装层430。从第一发光元件310的发射层313朝向第一发射区域EA1的中心部分发射的光可以穿过第一图案441、覆盖层443、第二封装层420和第三封装层430。此外,从第二发光元件320的发射层323发射的光可以穿过第二图案442、覆盖层443、第二封装层420和第三封装层430。
第一图案441的第一折射率可以小于定位在第一图案441上方的层(例如,第二图案442、覆盖层443、第二封装层420和第三封装层430)的折射率。例如,覆盖层443可以直接定位在第一图案441的被设置在第一发射区域EA1的中心部分中的部分上方,而第二图案442可以直接定位在第一图案441的被设置在第一发射区域EA1的横向侧的部分上方。例如,在示例性实施例中,第一图案441的第一折射率可以为大约1.0,并且定位在第一图案441上方的层的折射率可以大于大约1.0。因为第一图案441的第一折射率小于定位在第一图案441上方的层的折射率,所以在第一图案441与直接定位在第一图案441上方的层(例如,第二图案442或覆盖层443)之间的界面处折射的光的折射角可以小于入射到第一图案441与定位在第一图案441上方的层之间的界面的光的入射角。因此,从第一发光元件310的发射层313朝向显示装置10的侧面发射的光可以在第一图案441与定位在第一图案441上方的层之间的界面处朝向显示装置10的前方向DF折射,并且随后可以朝向显示装置10的前方发射。
第二图案442的第二折射率可以大于第一图案441的第一折射率。因为第二图案442的第二折射率大于第一图案441的第一折射率,所以在第二图案442与定位在第二图案442上方的层之间的界面处折射的光的折射角可以大于在第一图案441与定位在第一图案441上方的层之间的界面处折射的光的折射角。
在示例性实施例中,第二图案442的第二折射率可以大于或等于定位在第二图案442上方的层的折射率。例如,第二图案442的第二折射率可以大于或等于设置在第二图案442上方的覆盖层443、第二封装层420和第三封装层430的折射率。在示例性实施例中,第二图案442的第二折射率可以为大约1.89,并且定位在第二图案442上方的层的折射率可以小于或等于大约1.89。因为第二图案442的第二折射率大于或等于直接定位在第二图案442上方的覆盖层443的折射率,所以在第二图案442与直接定位在第二图案442上方的覆盖层443之间的界面处折射的光的折射角可以大于或等于入射到第二图案442与直接定位在第二图案442上方的覆盖层443之间的界面的光的入射角。因此,从第二发光元件320的发射层323朝向显示装置10的侧面发射的光可以在第二图案442与覆盖层443之间的界面处基本上不折射,或者可以朝向显示装置10的侧方向DS折射,并且随后可以朝向显示装置10的侧面发射。
图4是示出了根据本发明构思的示例性实施例的在第一模式下发射的光的路径的图。
参考图3和图4的示例性实施例,第一发光元件310和第二发光元件320可以均在第一模式下发光。如上所述,第一模式可以是以相对宽的视角提供图像的正常模式。因为从第一发光元件310发射的光L1在第一图案441与定位在第一图案441上方的层(例如,第二图案442或覆盖层443)之间的界面处朝向显示装置10的前方向DF折射,所以可以以相对窄的视角提供由包括第一发光元件310的第一像素PX1所显示的图像。此外,因为从第二发光元件320发射的光L2在第二图案442与定位在第二图案442上方的覆盖层443之间的界面处基本上不折射,或者朝向显示装置10的侧方向DS折射,所以可以以相对宽的视角提供由包括第二发光元件320的第二像素PX2显示的图像。因为第一发光元件310和第二发光元件320两者在第一模式下发光,所以显示装置10可以以相对宽的视角提供图像。因此,定位在显示装置10的横向侧的用户以及定位在显示装置10的前方的用户可以在第一模式下观察到图像。
图5是示出了根据本发明构思的示例性实施例的在第二模式下发射的光的路径的图。
参考图3和图5的示例性实施例,在第二模式下,第一发光元件310可以发光,并且第二发光元件320可以不发光。如上所述,第二模式可以是以相对窄的视角提供图像的私密模式。因为在第二模式下,第一发光元件310发光并且第二发光元件320不发光,所以显示装置10可以以相对窄的视角提供图像。因此,在第二模式下,仅定位在显示装置10的前方的用户会观察到图像,并且定位在显示装置10的侧面的用户不会观察到图像。尽管图3至图5的示例性实施例针对第一发光元件310和第二发光元件320示出了第一模式和第二模式,但是在其中显示装置包括三个或更多个发光元件的其他示例性实施例中,显示装置的第一模式和第二模式可以各种各样地布置,使得与第一模式相比,更少的发光元件在第二模式下显示光,以便与在第一模式下相比提供相对更窄的视角。
图6是示出了根据本发明构思的另一示例性实施例的发射单元300和封装单元400的放大截面图。例如,图6可以示出图2中的区域A的另一示例。
除了光路控制层1440之外,参照图6的示例性实施例描述的发射单元300和封装单元400可以与参照图3的示例性实施例描述的发射单元300和封装单元400基本上相同或类似。因此,为了便于说明,将不再重复对与参照图3描述的发射单元300和封装单元400的元件基本上相同或类似的参照图6描述的发射单元300和封装单元400的元件的描述。
参考图2和图6的示例性实施例,光路控制层1440可以设置在第一封装层410和第二封装层420之间。光路控制层1440可以包括多个第一图案1441、多个第二图案1442和覆盖层1443。
第一图案1441和第二图案1442可以交替地设置在第一封装层410上。每个第一图案1441可以设置在相邻的第二图案1442之间。
覆盖层1443可以设置在第二图案1442上。覆盖层1443可以直接接触第一封装层410的上表面410U、每个第二图案1442的侧壁1442S和每个第二图案1442的上表面1442U。在该示例性实施例中,覆盖层1443可以围绕第一图案1441。覆盖层1443可以与第一封装层410一起防止外部气体或湿气等流入发射单元300中。此外,覆盖层1443可以覆盖第二图案1442,以防止作为空气间隙的第一图案1441通过相邻的第二图案1442的上表面1442U之间的间隙被暴露。在示例性实施例中,覆盖层1443可以包括氟化锂(LiF)。覆盖层1443可以通过沉积工艺等形成。
根据本发明构思的示例性实施例的显示装置可以应用于被包括在计算机、笔记本式计算机、移动电话、智能电话、智能平板电脑、PMP、PDA或MP3播放器等中的显示装置。然而,本发明构思的示例性实施例不限于此,并且显示装置可以被包括在各种其他大型、中型和小型电子装置中。
尽管已经参考附图描述了根据本发明构思的示例性实施例的显示装置,但是所示出的实施例是示例,并且可以在不脱离在本公开中描述的技术精神的情况下由相关技术领域的普通技术人员进行修改和改变。
Claims (10)
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
基板;
第一发光元件,所述第一发光元件设置在所述基板上;
第二发光元件,所述第二发光元件设置在所述基板上,并且定位为与所述第一发光元件相邻;
第一封装层,所述第一封装层设置在所述第一发光元件和所述第二发光元件上;以及
光路控制层,所述光路控制层设置在所述第一封装层上,所述光路控制层包括与所述第一发光元件重叠并具有第一折射率的第一图案以及与所述第二发光元件重叠并具有大于所述第一折射率的第二折射率的第二图案。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一封装层包括无机绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二图案包括有机绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一图案为空气间隙。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二图案的截面具有其中所述第二图案的下侧的宽度小于所述第二图案的上侧的宽度的形状。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述光路控制层还包括设置在所述第一图案和所述第二图案上的覆盖层。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述覆盖层直接接触所述第二图案的上表面。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:
第二封装层,所述第二封装层设置在所述光路控制层上,其中,所述第二封装层包括有机绝缘材料。
9.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
基板;
发射单元,所述发射单元设置在所述基板上;以及
封装单元,所述封装单元覆盖所述发射单元,
其中,所述封装单元包括:
第一封装层,所述第一封装层设置在所述发射单元上;
光路控制层,所述光路控制层设置在所述第一封装层上,所述光路控制层包括具有第一折射率的多个第一图案以及具有大于所述第一折射率的第二折射率的多个第二图案;以及
第二封装层,所述第二封装层设置在所述光路控制层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述发射单元包括:
多个第一发光元件,所述多个第一发光元件分别与所述第一图案重叠;以及
多个第二发光元件,所述多个第二发光元件分别与所述第二图案重叠。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
US20220149126A1 (en) * | 2020-11-09 | 2022-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
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Family Cites Families (17)
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---|---|---|---|---|
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JP2001338755A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-12-07 | Seiko Epson Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
TW519853B (en) * | 2001-10-17 | 2003-02-01 | Chi Mei Electronic Corp | Organic electro-luminescent display and its packaging method |
JP2005150519A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
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JP2008141026A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Sony Corp | 電子機器及びその製造方法、並びに、発光ダイオード表示装置及びその製造方法 |
KR100958642B1 (ko) * | 2008-09-04 | 2010-05-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101200770B1 (ko) | 2011-01-11 | 2012-11-13 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 액정 디스플레이 장치용 컬러시프트 저감 광학필름 및 이를 구비하는 액정 디스플레이 장치 |
KR102150011B1 (ko) * | 2013-06-10 | 2020-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2014203794A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 東レ株式会社 | 積層樹脂ブラックマトリクス基板の製造方法 |
JP6457879B2 (ja) * | 2015-04-22 | 2019-01-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
CN107275360B (zh) * | 2016-04-01 | 2020-10-16 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
JP2018181492A (ja) * | 2017-04-06 | 2018-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
JP7428144B2 (ja) * | 2019-02-08 | 2024-02-06 | ソニーグループ株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220149126A1 (en) * | 2020-11-09 | 2022-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
US11985863B2 (en) * | 2020-11-09 | 2024-05-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
Also Published As
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