CN113276504A - 层叠基板、层叠体制造方法、层叠体、带有电子器件用构件的层叠体、电子器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及层叠基板、层叠体制造方法、层叠体、带有电子器件用构件的层叠体、电子器件制造方法。本发明涉及一种层叠基板，其中，所述层叠基板具有玻璃制的支撑基材和配置在支撑基材上的吸附层，在支撑基材的吸附层侧的表面上具有未配置吸附层的周缘区域，吸附层具有支撑基材侧的第一主面、与第一主面相反侧的第二主面、以及与第一主面和第二主面连接的端面，端面是随着从第二主面朝向第一主面而突出的倾斜面，并且倾斜面与第一主面所成的角度小于10°。在本发明的层叠基板的表面上涂布聚酰亚胺清漆而形成聚酰亚胺膜时，所形成的聚酰亚胺膜不易发生剥离。

Description

层叠基板、层叠体制造方法、层叠体、带有电子器件用构件的 层叠体、电子器件制造方法
技术领域
本发明涉及层叠基板、层叠体制造方法、层叠体、带有电子器件用构件的层叠体、以及电子器件制造方法。
背景技术
正在进行太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机电致发光面板(OLED)、检测电磁波、X射线、紫外线、可见光、红外线等的接收传感器面板等电子器件的薄型化、轻量化。与此相伴，正在进行电子器件中使用的聚酰亚胺树脂基板等基板的薄板化。当由于薄板化而导致基板的强度不足时，基板的可操作性降低，有时在向基板上形成电子器件用构件的工序(构件形成工序)等中产生问题。
于是，最近，为了使基板的可操作性良好，提出了使用在支撑基材上配置了聚酰亚胺树脂基板的层叠体的技术(专利文献1)。更具体而言，在专利文献1中公开了在热固性树脂组合物固化物层上涂布聚酰亚胺清漆，形成树脂清漆固化膜(相当于聚酰亚胺膜)，从而能够在树脂清漆固化膜上配置精密元件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1；日本特开2018-193544号公报
发明内容
发明所要解决的问题
另一方面，本发明人在实施专利文献1中记载的通过涂布聚酰亚胺清漆而制作聚酰亚胺膜的工艺时发现，在通过涂布聚酰亚胺清漆而形成聚酰亚胺膜时，容易发生聚酰亚胺膜的剥离。特别是，发现在聚酰亚胺膜的端部容易发生剥离。
本发明的目的在于提供层叠基板，在所述层叠基板的表面上涂布聚酰亚胺清漆而形成聚酰亚胺膜时，所形成的聚酰亚胺膜不易发生剥离。
本发明的目的还在于提供层叠体的制造方法、层叠体、带有电子器件用构件的层叠体、以及电子器件的制造方法。
用于解决问题的手段
本发明人等进行了深入研究，结果发现通过以下的方案能够解决上述问题。
(1)一种层叠基板，其中，所述层叠基板具有玻璃制的支撑基材和配置在支撑基材上的吸附层，
在支撑基材的吸附层侧的表面上具有未配置吸附层的周缘区域，
吸附层具有支撑基材侧的第一主面、与第一主面相反侧的第二主面、以及与第一主面和第二主面连接的端面，
端面是随着从第二主面朝向第一主面而突出的倾斜面，并且
倾斜面与第一主面所成的角度小于10°。
(2)如(1)所述的层叠基板，其中，吸附层的在第一主面与第二主面之间的厚度为50μm以下。
(3)如(1)所述的层叠基板，其中，吸附层的在第一主面与第二主面之间的厚度为12μm以下。
(4)如(1)所述的层叠基板，其中，吸附层的在第一主面与第二主面之间的厚度为6μm以上。
(5)如(1)所述的层叠基板，其中，倾斜面与第一主面所成的角度为5°以下。
(6)如(1)～(5)中任一项所述的层叠基板，其中，周缘区域的宽度为1mm～30mm。
(7)如(1)～(6)中任一项所述的层叠基板，其中，吸附层为有机硅树脂层。
(8)如(1)～(7)中任一项所述的层叠基板，其中，层叠基板还具有配置在吸附层上的保护膜。
(9)如(1)～(8)中任一项所述的层叠基板的制造方法，其中，所述层叠基板的制造方法具有：支撑基材与转印膜的贴合工序，其中，在所述支撑基材与转印膜的贴合工序中，将具有将要成为吸附层的前体膜的所述转印膜贴合在支撑基材上，此时以在支撑基材上具有未配置前体膜的周缘区域的方式进行配置；和前体膜加热工序，所述前体膜加热工序用于从前体膜得到吸附层。
(10)一种层叠体的制造方法，其中，将包含聚酰亚胺或其前体以及溶剂的聚酰亚胺清漆涂布在(1)～(7)中任一项的层叠基板的吸附层侧，在周缘区域上和吸附层上形成聚酰亚胺膜，从而形成依次具有支撑基材、吸附层和聚酰亚胺膜的层叠体。
(11)一种层叠体，其中，所述层叠体具有：(1)～(7)中任一项所述的层叠基板；和配置在层叠基板中的周缘区域上和吸附层上的聚酰亚胺膜。
(12)一种带有电子器件用构件的层叠体，其中，所述带有电子器件用构件的层叠体具有：(11)所述的层叠体；和配置在层叠体中的聚酰亚胺膜上的电子器件用构件。
(13)一种电子器件的制造方法，其中，所述电子器件的制造方法具有：构件形成工序，其中，在(11)所述的层叠体的聚酰亚胺膜上形成电子器件用构件，从而得到带有电子器件用构件的层叠体；和分离工序，其中，从带有电子器件用构件的层叠体得到具有聚酰亚胺膜和电子器件用构件的电子器件。
发明效果
根据本发明，能够提供一种层叠基板，在所述层叠基板的表面上涂布聚酰亚胺清漆而形成聚酰亚胺膜时，所形成的聚酰亚胺膜不易发生剥离。
根据本发明，能够提供一种层叠体的制造方法、层叠体、带有电子器件用构件的层叠体、以及电子器件的制造方法。
附图说明
图1为示意性地示出本发明的层叠基板的一个实施方式的截面图。
图2为在图1中示出的层叠基板的俯视图。
图3为示意性地示出本发明的层叠体的一个实施方式的截面图。
图4为用于说明构件形成工序的图。
图5为用于说明分离工序的图。
标号说明
10 层叠基板
12 支撑基材
14 有机硅树脂层
16 层叠体
18 聚酰亚胺膜
20 电子器件用构件
22 带有电子器件用构件的层叠体
24 电子器件
26 带有吸附层的支撑基材
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明的以下的实施方式是用于说明本发明的例示，本发明不限于以下所示的实施方式。需要说明的是，能够在不脱离本发明的范围的情况下对以下的实施方式施加各种变形和置换。
使用“～”表示的数值范围表示包含在“～”前后记载的数值作为下限值和上限值的范围。
作为本发明的层叠基板的特征之处，可以列举使吸附层的端面为倾斜面这一点、将倾斜面的倾斜角调节至规定的范围这一点、以及在支撑基材的表面上设置未配置吸附层的周缘区域这一点。
本发明人发现，通过采用如上所述的构成能够得到期望的效果。虽然不清楚得到期望的效果的详细原因，但是认为：首先，在支撑基材的表面上设置周缘区域，并以该周缘区域与聚酰亚胺膜相接的方式将聚酰亚胺膜配置在层叠基板上，由此基于聚酰亚胺膜与玻璃制的支撑基材的相互作用，抑制聚酰亚胺膜与端部的剥离。另外认为：通过在端部设置具有规定的倾斜角度的倾斜面，抑制在聚酰亚胺膜与吸附层以及支撑基材之间产生空隙等，结果抑制了聚酰亚胺膜的剥离。
＜层叠基板＞
图1是示意性地表示本发明的层叠基板的一个实施方式的截面图。图2是在图1中示出的层叠基板的俯视图。
层叠基板10具有玻璃制的支撑基材12和配置在支撑基材12上的吸附层14。
如图1和图2所示，吸附层14具有：支撑基材12侧的第一主面14a、与第一主面14a相反侧的第二主面14b、以及与第一主面14a和第二主面14b连接的端面14c。
吸附层14的端面14c是随着从第二主面14b朝向第一主面14a而突出的倾斜面。需要说明的是，吸附层14的形状(主面的形状)为矩形，4个端面14c全部为倾斜面。
另外，如图1和图2所示，在支撑基材12的吸附层14侧的表面上具有未配置吸附层14的周缘区域12a。换言之，吸附层14以在支撑基材12上留下不与吸附层14接触的框状的区域(周缘区域12a)的方式配置在支撑基材12上。
在如上所述的方式中，吸附层14的配置区域的面积比支撑基材12的表面(主面)的面积窄，上述周缘区域12a相当于位于比支撑基材12的外周缘更靠内侧的位置的区域。
需要说明的是，在图1和图2中，支撑基材12的形状(主面的形状)和吸附层14的形状(主面的形状)均为矩形，以构成支撑基材12的外周缘的一边与构成吸附层14的外周缘的一边平行的方式将吸附层14配置在支撑基材12上。
将聚酰亚胺清漆涂布在层叠基板10的支撑基材12的周缘区域上以及吸附层14的第二主面14b上，然后形成聚酰亚胺膜，关于这方面的详细内容将在后面说明。在该聚酰亚胺膜上形成电子器件用构件，然后将形成了电子器件用构件的聚酰亚胺膜(即，电子器件)分离。由此制造电子器件。
以下，对构成层叠基板10的各层(支撑基材12、吸附层14)进行详细说明，然后对层叠基板10的制造方法进行详细说明。
(支撑基材)
支撑基材12是支撑并加强聚酰亚胺膜的构件，例如是玻璃板。
作为玻璃的种类，优选无碱硼硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、高硅氧玻璃、其它以氧化硅为主要成分的氧化物类玻璃。作为氧化物类玻璃，优选以氧化物换算的氧化硅的含量为40质量％～90质量％的玻璃。
作为玻璃板，更具体而言，可以列举包含无碱硼硅酸盐玻璃的玻璃板(AGC株式会社制造的商品名“AN100”、“AN Wizus”)等。
关于玻璃板的制造方法，通常通过将玻璃原料熔融并将熔融玻璃成形为板状而得到玻璃板。这样的成形方法可以是通常的成形方法，例如可以列举浮法、熔合法、流孔下引法。
支撑基材12的形状(主面的形状)没有特别限制，优选为矩形。
如上所述，在支撑基材12表面的周缘区域12a上未配置吸附层14。即，支撑基材12的周缘区域12a的表面露出。
周缘区域12a的宽度W没有特别限制，优选为1mm～30mm，更优选为3mm～10mm。如图2所示，周缘区域12a的宽度W相当于从支撑基材12的外周缘起到吸附层14的外周缘为止的距离。
如果周缘区域12a的宽度为30mm以下，则形成后述的电子器件时的有效面积变得更宽，电子器件的制作效率提高。另外，通过周缘区域的12a的宽度为1mm以上，更不易发生聚酰亚胺膜的剥离。
支撑基材12优选可挠性低。因此，支撑基材12的厚度优选为0.3mm以上，更优选为0.5mm以上。
另一方面，支撑基材12的厚度优选为1.0mm以下。
(吸附层)
吸附层14是用于防止配置在其上的聚酰亚胺膜的剥离的膜。
吸附层14以在支撑基材12上留下不与吸附层14接触的周缘区域12a的方式配置在支撑基材12上。
如上所述，吸附层14的端面14c是随着从第二主面14b朝向第一主面14a而突出的倾斜面。优选多个端面14c的全部为倾斜面。
在吸附层14中，倾斜面与第一主面14a所成的角度θ小于10°。其中，从进一步抑制涂布聚酰亚胺清漆而形成聚酰亚胺膜时的聚酰亚胺膜的剥离的观点考虑，角度θ优选为8°以下，更优选为5°以下。下限没有特别限制，但优选为1°以上。
吸附层14中的倾斜面与第一主面14a所成的角度θ使用三鹰光器株式会社制造的非接触表面性状测定装置“PF-60”由吸附层14的截面形状求出。更详细而言，如图1所示，由吸附层14的截面图测定线段AB的长度和线段AC的长度，由下式计算出角度θ。
θ＝arctan(AC/AB)
吸附层14可以是有机层，也可以是无机层。
作为有机层的材质，例如可以列举：丙烯酸类树脂、聚烯烃树脂、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、有机硅树脂、聚酰亚胺有机硅树脂、含氟树脂。另外，可以混合几种树脂来构成吸附层14。
作为无机层的材质，例如可以列举：氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、碳氮化物、硅化物、氟化物。作为氧化物(优选金属氧化物)、氮化物(优选金属氮化物)、氮氧化物(优选金属氮氧化物)，例如可以列举选自Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr、Sn、In和Ba中的一种以上元素的氧化物、氮化物、氮氧化物。
作为碳化物(优选金属碳化物)、碳氮化物(优选金属碳氮化物)，例如可以列举选自Ti、W、Si、Zr、和Nb中的一种以上元素的碳化物、碳氮化物、碳氧化物。
作为硅化物(优选金属硅化物)，例如可以列举选自Mo、W和Cr中的一种以上元素的硅化物。
作为氟化物(优选金属氟化物)，例如可以列举选自Mg、Y、La和Ba中的一种以上元素的氟化物。
吸附层14可以为等离子体聚合膜。
在吸附层14为等离子体聚合膜的情况下，作为形成等离子体聚合膜的材料，可以列举：CF4、CHF3、C2H6、C3H6、C2H2、CH3F、C4H8等碳氟化合物单体、甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、乙炔、苯、甲苯等碳氢化合物单体、氢气、SF6等。
其中，从耐热性、剥离性的观点考虑，作为吸附层14的材质，优选为有机硅树脂、聚酰亚胺有机硅树脂，更优选为有机硅树脂，更优选为由缩合反应型有机硅形成的有机硅树脂。
以下，对吸附层为有机硅树脂层的方式进行详细说明。
有机硅树脂是指包含规定的有机硅氧烷单元的树脂，通常通过使固化性有机硅固化而得到。固化性有机硅根据其固化机理而被分类为加成反应型有机硅、缩合反应型有机硅、紫外线固化型有机硅以及电子射线固化型有机硅，任意一种均可以使用。其中，优选缩合反应型有机硅。
作为缩合反应型有机硅，可以适当使用作为单体的可水解有机硅烷化合物或其混合物(单体混合物)、或者通过使单体或单体混合物进行部分水解缩合反应而得到的部分水解缩合物(有机聚硅氧烷)。
通过使用该缩合反应型有机硅进行水解/缩合反应(溶胶凝胶反应)，能够形成有机硅树脂。
吸附层14优选使用包含固化性有机硅的固化性组合物形成。
除了固化性有机硅以外，固化性组合物还可以含有溶剂、铂催化剂(在使用加成反应型有机硅作为固化性有机硅的情况下)、流平剂、金属化合物等。作为在金属化合物中所含有的金属元素，例如可以列举3d过渡金属、4d过渡金属、镧系金属、铋(Bi)、铝(Al)、锡(Sn)。金属化合物的含量没有特别限制，可以适当调节。
吸附层14优选具有羟基。有可能构成吸附层14的有机硅树脂的Si-O-Si键的一部分断裂而出现羟基。另外，在使用缩合反应型有机硅的情况下，该羟基有可能成为吸附层14的羟基。
吸附层14的第一主面14a与第二主面14b之间的厚度优选为50μm以下，更优选为30μm以下，进一步优选为12μm以下。另一方面，吸附层14的厚度优选大于1μm，从异物埋入性更优异的观点考虑，更优选为6μm以上。上述厚度是使用接触式膜厚测定装置测定5个点以上的任意位置处的吸附层14的厚度并将它们算术平均而得到的厚度。
需要说明的是，异物埋入性优异意味着即使在支撑基材12与吸附层14之间存在异物，异物也会被吸附层14埋入。当异物的埋入性优异时，在吸附层上不易产生由异物产生的凸部，当在聚酰亚胺膜上形成电子器件用构件时，抑制由凸部引起的电子器件用构件中的断线等风险。需要说明的是，由于在产生上述凸部时所形成的空隙以气泡的形式被观察到，因此可以根据有无产生气泡来评价异物埋入性。
当在玻璃制的支撑基材12上形成聚酰亚胺膜并对其进行高温热处理时，聚酰亚胺膜发生黄变，因此难以应用于透明的电子器件。但是，虽然机理不明确，但通过在玻璃上形成吸附层14并且在吸附层14上形成聚酰亚胺膜，能够抑制由高温热处理造成的聚酰亚胺膜的黄变。
(保护膜)
层叠基板10可以具有以覆盖吸附层14的方式配置的保护膜。
保护膜是在将后述的聚酰亚胺清漆涂布在吸附层14上之前保护吸附层14的表面的膜。
作为构成保护膜的材料，例如可以列举：聚酰亚胺树脂、聚酯树脂(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚烯烃树脂(例如，聚乙烯、聚丙烯)、聚氨酯树脂。其中，优选聚酯树脂，更优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。
为了降低从外部受到的力的影响，保护膜的厚度优选为20μm以上，更优选为30μm以上，进一步优选为50μm以上。作为保护膜的厚度的上限值，优选为500μm以下，更优选为300μm以下，进一步优选为100μm以下。
保护膜可以在吸附层14侧的表面上还具有粘附层。
作为粘附层，可以使用公知的粘合层。作为构成粘合层的粘合剂，例如可以列举(甲基)丙烯酸类粘合剂、有机硅类粘合剂、氨基甲酸酯类粘合剂。
另外，粘附层可以由树脂构成，作为树脂，例如可以列举：乙酸乙烯酯树脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、(甲基)丙烯酸类树脂、缩丁醛树脂、聚氨酯树脂、聚苯乙烯弹性体。
为了降低剥离保护膜时的剥离力，保护膜的表面粗糙度(Ra)优选为50nm以下，更优选为30nm以下，进一步优选为15nm以下。另外，为了能够保持保护膜与吸附层粘附的状态，Ra优选为0.1nm以上，更优选为0.5nm以上。表面粗糙度(Ra)使用Ryoka Systems公司制造的非接触表面/层截面形状测定系统“Vertscan R3300-lite”进行测定。
＜层叠基板的制造方法＞
层叠基板的制造方法没有特别限制，可以列举公知的方法。
其中，从生产率更优异的观点考虑，可以列举如下方法：准备转印膜，所述转印膜具有临时支撑体和配置在临时支撑体上的加热处理后成为吸附层的前体膜；将转印膜中的前体膜贴合在玻璃制的支撑基材上的规定的位置上；并对所得到的具有玻璃制的支撑基材、前体膜和临时支撑体的层叠体实施加热处理。通过实施加热处理，前体膜的端部流动化，从而形成具有上述规定的倾斜面的吸附层。需要说明的是，在将前体膜贴合在支撑基材上时，以形成上述周缘区域的方式将前体膜贴合在支撑基材上。
另外，除了上述以外，通过涂布而将在加热处理后成为吸附层的前体膜配置在玻璃制的支撑基材的规定的位置上并实施加热处理，由此形成具有上述规定的倾斜面的吸附层。
作为上述前体膜，例如可以列举通过涂布包含固化性有机硅的固化性组合物并对所形成的涂膜实施加热处理而形成的膜。作为涂膜的加热处理的加热温度，优选为50℃～200℃，作为加热时间，优选为5分钟～20分钟。
如上所述，通过对前体膜实施加热处理，能够使吸附层的端面的形状成为倾斜面。需要说明的是，在加热处理时，优选在施加压力的同时实施所述加热处理。具体而言，优选使用高压釜来实施加热处理和加压处理。
作为加热处理时的加热温度，优选为50℃～350℃，更优选为55℃～300℃，进一步优选为60℃～250℃。作为加热时间，优选为10分钟～60分钟，更优选为20分钟～40分钟。
作为加压处理时的压力，优选为0.5MPa～1.5MPa，更优选为0.8MPa～1.0MPa。
另外，加热处理可以进行多次。在实施多次加热处理的情况下，可以改变各自的加热条件。
例如，在实施多次加热处理的情况下，可以改变加热温度。例如，在实施2次加热处理的情况下，可以在小于100℃的温度条件下实施第一次加热处理，并且在100℃以上的温度条件下实施第二次加热处理。
另外，在实施多次加热处理的情况下，可以改变加压处理的有无。例如，在实施2次加热处理的情况下，可以是在第一次加热处理中一并实施加压处理并且在第二次加热处理中不实施加压处理的形式。
需要说明的是，在使用转印膜制造层叠基板时，可以在剥离临时支撑体后实施上述加热处理，也可以在将临时支撑体配置在吸附层上的状态下直接实施加热处理。另外，在实施多次加热处理的情况下，可以在各加热处理的间隔剥离临时支撑体。例如，可以在实施第一次加热处理后剥离临时支撑体而实施第二次加热处理。
可以对层叠基板的吸附层的表面实施表面处理。
作为表面处理，例如可以列举电晕处理、等离子体处理、紫外线臭氧处理，优选电晕处理。
如后所述，在吸附层上形成聚酰亚胺膜的情况下，为了降低聚酰亚胺膜的表面粗糙度，吸附层的表面粗糙度(Ra)优选为50nm以下，更优选为30nm以下，进一步优选为15nm以下。另外，为了能够保持聚酰亚胺膜与吸附层粘附的状态，Ra优选为0.1nm以上，更优选为0.5nm以上。
使用上述层叠基板10能够制造依次具有支撑基材12、吸附层14和被支撑材料的结构体。作为被支撑材料，还可以层叠除了聚酰亚胺膜18以外的材料。作为被支撑材料，例如可以列举：聚酰亚胺树脂膜、环氧树脂膜、光敏抗蚀剂、聚酯树脂膜(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚烯烃树脂膜(例如，聚乙烯、聚丙烯)、聚氨酯树脂膜、金属箔(例如，铜箔、铝箔)、溅射膜(例如，铜、钛、铝、钨、氮化硅、氧化硅、非晶硅)、TGV基板、薄板玻璃基板、带有牺牲层的薄板玻璃基板、ABF、蓝宝石基板、硅基板、TSV基板、LED芯片、显示面板(例如，LCD、OLED、μ-LED)、人造金刚石、夹纸等。
＜层叠体及其制造方法＞
使用上述的层叠基板10能够制造图3所示的具有支撑基材12、吸附层14和聚酰亚胺膜18的层叠体16。
具体而言，作为层叠体16的制造方法，可以列举如下方法：在层叠基板10的吸附层14侧涂布包含聚酰亚胺和溶剂的聚酰亚胺清漆，在周缘区域12a上和吸附层14上形成聚酰亚胺膜18，从而形成依次具有支撑基材12、吸附层14和聚酰亚胺膜18的层叠体。
以下，对上述制造方法进行详细说明，然后，对聚酰亚胺膜18的构成进行详细说明。
(聚酰亚胺清漆)
聚酰亚胺清漆包含聚酰亚胺或其前体以及溶剂。
聚酰亚胺通常通过将四元羧酸二酐与二元胺缩聚并进行酰亚胺化而得到。作为聚酰亚胺，优选具有溶剂可溶性。
作为所使用的四元羧酸二酐，可以列举芳香族四元羧酸二酐、脂肪族四元羧酸二酐。作为所使用的二元胺，可以列举芳香族二元胺、脂肪族二元胺。
作为芳香族四元羧酸二酐，例如可以列举：均苯四甲酸酐(1,2,4,5-苯四甲酸二酐)、3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、3,3’,4,4’-联苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐。
作为脂肪族四元羧酸二酐，有环式脂肪族四元羧酸二酐或非环式脂肪族四元羧酸二酐，作为环式脂肪族四元羧酸二酐，可以列举：1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐、1,2,4,5-环己烷四甲酸二酐、1,2,4,5-环戊烷四甲酸二酐等，作为非环式脂肪族四元羧酸二酐，可以列举1,2,3,4-丁烷四甲酸二酐、1,2,3,4-戊烷四甲酸二酐等。
作为芳香族二元胺，例如可以列举：4,4’-氧基二氨基苯(4,4’-二氨基二苯醚)、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、4,4’-双(3-氨基苯氧基)联苯、1,4-二氨基苯、1,3-二氨基苯。
作为脂肪族二元胺，可以列举：乙二胺、六亚甲基二胺、聚乙二醇双(3-氨基丙基)醚、聚丙二醇双(3-氨基丙基)醚等非环式脂肪族二元胺、1,3-双(氨基甲基)环己烷、1,4-双(氨基甲基)环己烷、异佛尔酮二胺、降冰片烷二胺等环式脂肪族二元胺。
聚酰亚胺的前体是指处于酰亚胺化前的状态的聚酰胺酸(所谓的聚酰胺酸和/或聚酰胺酸酯)。
溶剂只要是溶解聚酰亚胺或其前体的溶剂即可，例如可以列举：酚类溶剂(例如，间甲酚)、酰胺类溶剂(例如，N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺)、内酯类溶剂(例如，γ-丁内酯、δ-戊内酯、ε-己内酯、γ-巴豆酸内酯、γ-己内酯、α-甲基-γ-丁内酯、γ-戊内酯、α-乙酰基-γ-丁内酯、δ-己内酯)、亚砜类溶剂(例如，N,N-二甲基亚砜)、酮类溶剂(例如，丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮)、酯类溶剂(例如，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、碳酸二甲酯)。
(操作步骤(手順))
在层叠基板10的吸附层14侧涂布聚酰亚胺清漆的方法没有特别限制，可以列举公知的方法。例如可以列举：喷涂法、口模式涂布法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、刮棒涂布法、丝网印刷法、凹版涂布法。
在涂布后，根据需要可以实施加热处理。
作为加热处理的条件，温度条件优选为50℃～500℃，更优选为50℃～450℃。加热时间优选为10分钟～300分钟，更优选为20分钟～200分钟。
另外，加热处理可以进行多次。在实施多次加热处理的情况下，可以改变各自的加热条件。
(层叠体)
如图3所示，层叠体16具有支撑基材12、吸附层14和聚酰亚胺膜18。
支撑基材12和吸附层14的构成如上所述。
聚酰亚胺膜18配置在支撑基材12的周缘区域上和吸附层14上(在吸附层14的第二主面14b上和端面14c上)。
聚酰亚胺膜18的厚度优选为1μm以上，更优选为5μm以上。从柔软性的观点考虑，优选为1mm以下，更优选为0.2mm以下。
为了在聚酰亚胺膜18上形成电子器件的高精细的布线等，优选聚酰亚胺膜18的表面是平滑的。具体而言，聚酰亚胺膜18的表面粗糙度Ra优选为50nm以下，更优选为30nm以下，进一步优选为10nm以下。
聚酰亚胺膜18的热膨胀系数与支撑基材12的热膨胀系数差小时，能够抑制加热后或冷却后的层叠体16的翘曲，因此是优选的。具体而言，聚酰亚胺膜18与支撑基材12的热膨胀系数之差优选为0～90×10-6/℃，更优选为0～30×10-6/℃。
聚酰亚胺膜18的面积没有特别限制，但是从电子器件的生产率的观点考虑，优选为300cm2以上。
聚酰亚胺膜18可以是有色的，也可以是无色透明的。
层叠体16能够用于各种用途，例如可以列举制造后述的显示装置用面板、PV、薄膜二次电池、在表面上形成电路的半导体晶片、接收传感器面板等电子部件的用途。在这些用途中，层叠体有时在大气气氛下暴露在高温条件(例如，450℃以上)下(例如，20分钟以上)。
显示装置用面板包含LCD、OLED、电子纸、等离子体显示面板、场致发射面板、量子点LED面板、微型LED显示面板、微机电系统光闸面板等。
接收传感器面板包含电磁波接收传感器面板、X射线接收传感器面板、紫外线接收传感器面板、可见光接收传感器面板、红外线接收传感器面板等。用于接收传感器面板的基板也可以通过树脂等加强片等进行加强。
＜电子器件的制造方法＞
使用层叠体制造包含聚酰亚胺膜和后述的电子器件用构件的电子器件。
电子器件的制造方法例如如图4和5所示为具有如下工序的方法：构件形成工序，其中，在层叠体16的聚酰亚胺膜18上(在聚酰亚胺膜18的与吸附层14侧相反侧的表面上)形成电子器件用构件20，从而得到带有电子器件用构件的层叠体22；和分离工序，其中，从带有电子器件用构件的层叠体22得到具有聚酰亚胺膜18和电子器件用构件20的电子器件24。
以下，将形成电子器件用构件20的工序称为“构件形成工序”，将分离为电子器件24和带有吸附层的支撑基材26的工序称为“分离工序”。
以下，对在各工序中使用的材料和操作步骤进行详细说明。
(构件形成工序)
构件形成工序是在层叠体16的聚酰亚胺膜18上形成电子器件用构件的工序。更具体而言，如图4所示，在聚酰亚胺膜18上(在聚酰亚胺膜18的与吸附层14侧相反侧的表面上)形成电子器件用构件20，得到带有电子器件用构件的层叠体22。
需要说明的是，为了提高电子器件的可靠性，可以在聚酰亚胺膜18上形成阻隔层。阻隔层的材料没有特别限制，可以使用公知的材料。作为构成阻隔层的材料，例如可以列举氮化硅、氧化硅。另外，阻隔层可以是1层，可以是2层以上，也可以组合多个材料。成膜方法没有特别限制，可以列举公知的方法。例如，可以列举等离子体化学气相沉积、溅射等方法。
首先，对在本工序中使用的电子器件用构件20进行详细说明，并对之后工序的操作步骤进行详细说明。
(电子器件用构件)
电子器件用构件20是构成形成在层叠体16的聚酰亚胺膜18上的电子器件的至少一部分的构件。更具体而言，作为电子器件用构件20，可以列举显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池或在表面上形成电路的半导体晶片等电子部件、接收传感器面板等中使用的构件(例如，LTPS等显示装置用构件、太阳能电池用构件、薄膜二次电池用构件、电子部件用电路、接收传感器用构件)、例如在美国专利申请公开第2018/0178492号说明书的第[0192]段中记载的太阳能电池用构件、在同一说明书的第[0193]段中记载的薄膜二次电池用构件、在同一说明书的第[0194]段中记载的电子部件用电路。
(工序的操作步骤)
上述带有电子器件用构件的层叠体22的制造方法没有特别限制，根据电子器件用构件的构成构件的种类，通过现有公知的方法在层叠体16的聚酰亚胺膜18上形成电子器件用构件20。
电子器件用构件20可以不是最终形成在聚酰亚胺膜18上的构件的全部(以下，称为“全部构件”)，而是全部构件的一部分(以下，称为“部分构件”)。可以使从吸附层14剥离的带有部分构件的基板在之后的工序中成为带有全部构件的基板(相当于后述的电子器件)。
对于从吸附层14剥离的带有全部构件的基板，可以在其剥离面上形成其它的电子器件用构件。此外，可以将2张带有电子器件用构件的层叠体22的电子器件用构件20彼此相对，将两者贴合而组装带有全部构件的层叠体，然后从带有全部构件的层叠体剥离2张带有吸附层的支撑基材，从而制造电子器件。
例如，以制造OLED的情况为例，为了在层叠体16的聚酰亚胺膜18的与吸附层14侧相反侧的表面上形成有机EL结构体，进行如下各种层形成、处理：形成透明电极；进一步在形成了透明电极的面上蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等；形成背面电极；使用密封板进行密封等。作为这些层形成、处理，具体而言，例如可以列举成膜处理、蒸镀处理、密封板的胶粘处理等。
(分离工序)
如图5所示，分离工序为如下工序：以吸附层14与聚酰亚胺膜18的界面作为剥离面，从在上述构件形成工序中得到的带有电子器件用构件的层叠体22分离为层叠了电子器件用构件20的聚酰亚胺膜18和带有吸附层的支撑基材26，从而得到包含电子器件用构件20和聚酰亚胺膜18的电子器件24。
在所剥离的聚酰亚胺膜18上的电子器件用构件20是形成必需的全部构成构件的一部分的情况下，可以在分离后在聚酰亚胺膜18上形成剩余的构成构件。
将聚酰亚胺膜18与吸附层14剥离的方法没有特别限制。例如，可以在聚酰亚胺膜18与支撑基材12的界面处插入锋利的刀具状的物体，形成剥离的起点，然后通过喷吹水与压缩空气的混合流体等而进行剥离。
优选的是：以支撑基材12为上侧且电子器件用构件20侧为下侧的方式将带有电子器件用构件的层叠体22设置在平台上，将电子器件用构件20侧真空吸附在平台上，在该状态下，首先使刀具状的物体进入聚酰亚胺膜18与支撑基材12的界面。然后，利用多个真空吸附垫吸附支撑基材12侧，从插入了刀具状的物体的部位附近起依次使真空吸附垫升高。由此能够容易地剥离带有吸附层的支撑基材26。
在从带有电子器件用构件的层叠体22中分离电子器件24时，通过利用离子发生器的喷吹、控制湿度，能够进一步抑制吸附层14的碎片静电吸附在电子器件24上。
上述电子器件的制造方法例如适合于在美国专利申请公开第2018/0178492号说明书的第[0210]段中记载的显示装置的制造，作为电子器件24，例如可以列举在同一说明书的第[0211]段中记载的电子器件。
另外，可以在实施上述分离工序之前将层叠体的未配置电子器件用构件的区域切割并除去。
[实施例]
以下，通过实施例等具体地说明本发明，但是本发明不限于这些例子。
以下，作为支撑基材，使用包含无碱硼硅酸盐玻璃的玻璃板(线性膨胀系数为38×10-7/℃，AGC株式会社制造，商品名“AN100”)。
以下，例1～例5为实施例，例6～例7为比较例。
＜外观评价＞
目视观察在后段的操作步骤中得到的依次具有玻璃板、有机硅树脂层和聚酰亚胺膜的层叠体中的聚酰亚胺膜，根据以下的基准进行评价。
A：未发生聚酰亚胺膜的剥离。
B：聚酰亚胺膜的一部分发生剥离，但是处于实用上没有问题的范围内。
C：由于聚酰亚胺膜的大部分或整个面上发生剥离，因此处于实用上有问题的范围内。
＜周缘区域的宽度评价＞
根据以下基准评价支撑基材的周缘区域的宽度。
A：宽度为1mm以上且10mm以下
B：宽度大于10mm且小于等于30mm
C：宽度大于30mm、宽度小于1mm
＜异物埋入性＞
目视观察在后段的操作步骤中得到的依次配置玻璃板、有机硅树脂层和PET膜的层叠体，根据以下基准进行评价。
A：玻璃板/有机硅树脂层界面的由异物导致的界面气泡为5个以下。
B：玻璃板/有机硅树脂层界面的由异物导致的界面气泡大于5个且小于等于10个。
C：玻璃板/有机硅树脂层界面的由异物导致的界面气泡大于10个。
＜例1＞
(固化性有机硅的制备)
在1L的烧瓶中加入甲基三乙氧基硅烷(179g)、甲苯(300g)、乙酸(5g)，在25℃下将混合物搅拌20分钟，然后进一步加热至60℃，使其反应12小时。将所得到的反应粗液冷却至25℃，然后使用水(300g)将反应粗液清洗3次。在清洗后的反应粗液中加入三甲基氯硅烷(70g)，在25℃下将混合物搅拌20分钟，然后进一步加热至50℃，使其反应12小时。将所得到的反应粗液冷却至25℃，然后使用水(300g)将反应粗液清洗3次。从清洗后的反应粗液中将甲苯减压蒸馏除去，制成浆料状态，然后利用真空干燥机干燥过夜，由此得到了作为白色的有机聚硅氧烷化合物的固化性有机硅1。固化性有机硅1的T单元的个数：M单元的个数＝87：13(摩尔比)。需要说明的是，M单元表示由(R)3SiO1/2表示的单官能有机甲硅烷氧基单元。T单元表示由RSiO3/2(R表示氢原子或有机基团)表示的三官能有机甲硅烷氧基单元。
(固化性组合物的制备)
将固化性有机硅1与庚烷进行混合，进一步添加有机锆类化合物(辛酸锆化合物)和有机铋类化合物(2-乙基己酸铋)。以固体成分浓度为50质量％的方式调节溶剂量。另外，以相对于树脂100质量份，金属元素为0.1质量份的方式调节金属化合物的添加量。使用孔径为0.45μm的过滤器对所得到的混合液进行过滤，由此得到了固化性组合物。
将固化性有机硅1与庚烷进行混合，进一步添加有机锆类化合物(辛酸锆化合物)和有机铈类化合物(2-乙基己酸铈)。以固体成分浓度为50质量％的方式调节溶剂量。另外，以相对于树脂100质量份，金属元素为0.1质量份的方式调节金属化合物的添加量。使用孔径为0.45μm的过滤器对所得到的混合液进行过滤，由此得到了固化性组合物。
(层叠基板的制作)
将所制备的固化性组合物涂布在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)(东洋纺株式会社制造，Cosmoshine A4100)的表面上，使用热板在140℃下加热10分钟，由此形成了有机硅树脂层。有机硅树脂层的厚度为8μm。
接着，将利用水基玻璃清洗剂(日本帕卡株式会社制造的“PK-LCG213”)进行清洗后利用纯水进行了清洗的200mm×200mm、厚度为0.5mm的玻璃板“AN100”(支撑基材)与形成了有机硅树脂层的PET膜贴合，从而制作了依次配置玻璃板、有机硅树脂层和PET膜的层叠体。需要说明的是，在进行上述贴合时，以在玻璃板的表面的周缘区域中留下未配置有机硅树脂层的区域的方式进行贴合(参照图2)。周缘区域的宽度W为5mm。
接着，将所得到的层叠体配置在高压釜内，在60℃、1MPa的条件下加热30分钟。然后，剥离PET膜，在250℃下对包含玻璃板和有机硅树脂层的层叠基板实施30分钟的退火处理，然后对有机硅树脂层实施电晕处理。所得到的有机硅树脂层具有玻璃板侧的第一主面、与第一主面相反侧的第二主面、以及与第一主面和第二主面连接的端面，上述端面是随着从第二主面朝向第一主面而突出的倾斜面。上述倾斜面与第一主面所成的角度为3°。有机硅树脂层的第一主面与第二主面之间的厚度为8μm。
(层叠体的制作)
在上述中得到的层叠基板的有机硅树脂层侧的表面上涂布聚酰亚胺清漆(宇部兴产株式会社制造，UPIA-ST-1003)，在60℃下加热30分钟，然后进一步在120℃下加热30分钟，然后在450℃下加热10分钟，从而得到了依次具有玻璃板、有机硅树脂层和聚酰亚胺膜(厚度：7μm)的层叠体。聚酰亚胺膜配置在玻璃板的周缘区域上和有机硅树脂层上(参照图3)。
＜例2～例14＞
除了如后述的表1和表2所示调节有机硅树脂层的第一主面与第二主面之间的厚度、周缘区域的宽度以及角度以外，按照与例1同样的操作步骤得到了层叠体。表1为使用了含铋的固化性组合物的情况，表2为使用了含铈的固化性组合物的情况。
需要说明的是，关于例6和例7以及例13和例14，在玻璃板的整个面上涂布固化性组合物，在250℃下将涂膜加热30分钟而使其固化，在玻璃板整个面上制作有机硅树脂层，然后对所得到的带有有机硅树脂层的玻璃板的周缘部进行切割，得到具有玻璃板和有机硅树脂层并且具有平滑的侧面的层叠体(以下，也称为“层叠体C”)，然后使用层叠体C实施上述操作(层叠体的制作)。即，在例6和例7以及例13和例14中使用的层叠体C具有有机硅树脂层的玻璃板侧的主面的面积和与玻璃板侧相反侧的主面的面积相同、并且θ相当于90°的有机硅树脂层。
在表1和表2中，“吸附层厚度(μm)”栏表示有机硅树脂层的第一主面与第二主面之间的厚度。
在表1和表2中，“周缘区域宽度(mm)”栏表示周缘区域的宽度(图2的W)。
在表1和表2中，“角度(°)”栏表示有机硅树脂层的第一主面与倾斜面所成的角度。角度的测定方法如上所述。
表1
Figure BDA0002924087250000261
表2
Figure BDA0002924087250000262
如表1和表2所示，本发明的层叠基板显示出所期望的效果。
特别是，在使用了含铋的固化性组合物的情况下，通过例1～3和例5与例4的比较，确认在吸附层的厚度为6μm以上的情况下，异物埋入性更优异。
另外，通过例1与例3的比较，确认在吸附层的厚度为12μm以下的情况下，外观特性更优异。
在使用了含铈的固化性组合物的情况下也是同样，通过例8～10和例12与例11的比较，确认在吸附层的厚度为6μm以上的情况下，异物埋入性更优异。
另外，通过例8与例10的比较，确认在吸附层的厚度为12μm以下的情况下，外观特性更优异。
＜有机EL显示装置(相当于电子器件)的制造＞
使用在例1～5、8～12中得到的层叠体，按照以下的操作步骤制造有机EL显示装置。
首先，通过等离子体化学气相沉积法在层叠基板的聚酰亚胺膜的与玻璃板侧相反侧的表面上依次形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。接着，利用离子掺杂装置将低浓度的硼注入非晶硅层中，进行加热处理而进行脱氢处理。接着，利用激光退火装置进行非晶硅层的结晶化处理。接着，利用使用了光刻法的蚀刻和离子掺杂装置将低浓度的磷注入非晶硅层中，从而形成了N型和P型的TFT区域。
接着，通过等离子体化学气相沉积法在聚酰亚胺膜的与玻璃板侧相反侧形成氧化硅膜而形成栅极绝缘膜，然后通过溅射法将钼成膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成了栅极电极。接着，通过光刻法和离子掺杂装置将高浓度的硼和磷注入N型、P型各自期望的区域中，从而形成了源极区域和漏极区域。
接着，通过等离子体化学气相沉积法在聚酰亚胺膜的与玻璃板侧相反侧的氧化硅的成膜而形成层间绝缘膜，通过溅射法的铝的成膜和通过使用了光刻法的蚀刻形成了TFT电极。接着，在氢气气氛下进行加热处理而进行氢化处理，然后通过利用等离子体化学气相沉积法的氮硅的成膜，从而形成了钝化层。
接着，在聚酰亚胺膜的与玻璃板侧相反侧涂布紫外线固化性树脂，通过光刻法形成平坦化层和接触孔。接着，通过溅射法将氧化铟锡成膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成像素电极。接着，通过蒸镀法在聚酰亚胺膜的与玻璃板侧相反侧依次形成：作为空穴注入层的4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺膜、作为空穴传输层的双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺膜、作为发光层的在8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)中混合了40体积％的2,6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)的混合物的膜、作为电子传输层的Alq3膜。接着，通过溅射法将铝成膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成了对电极。
接着，在聚酰亚胺膜的与玻璃板侧相反侧隔着紫外线固化型的胶粘层贴合另一片玻璃板并进行密封。通过上述操作步骤，在聚酰亚胺膜上形成了有机EL结构体。在聚酰亚胺膜上具有有机EL结构体的结构物(以下，称为面板A)为带有电子器件用构件的层叠体。
接着，将面板A的密封体侧真空吸附在平台上，然后在面板A的角部的聚酰亚胺膜与玻璃板的界面处插入厚度为0.1mm的不锈钢制刀具，在聚酰亚胺膜与玻璃板的界面形成剥离的起点。然后，利用真空吸附垫吸附面板A的支撑基材表面，然后使吸附垫升高。在此，在从离子发生器(基恩士公司制造)向该界面喷吹除电性流体的同时进行刀具的插入。接着，从离子发生器向所形成的空隙继续喷吹除电性流体的同时，并且在将水浸至剥离前沿的同时提拉真空吸附垫。其结果，能够在平台上仅残留形成了有机EL结构体的聚酰亚胺膜，并且剥离带有有机硅树脂层的支撑基材。
接着，使用激光切割机或划线-断开法切割分离后的聚酰亚胺膜，并分割成多个单元，然后将形成了有机EL结构体的聚酰亚胺膜与对向基板组装，实施模块形成工序，从而制作了有机EL显示装置。
虽然详细并且参照特定的实施方式对本发明进行了说明，但是可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下施加各种变更、修正，这对于本领域技术人员而言是显而易见的。
本申请基于在2020年1月31日申请的日本专利申请2020-015418、在2020年4月17日申请的日本专利申请2020-074048、在2020年6月8日申请的日本专利申请2020-099427，以引用的形式将其内容并入本申请中。

Claims (13)

1.一种层叠基板，其中，所述层叠基板具有玻璃制的支撑基材和配置在所述支撑基材上的吸附层，
在所述支撑基材的所述吸附层侧的表面上具有未配置所述吸附层的周缘区域，
所述吸附层具有所述支撑基材侧的第一主面、与所述第一主面相反侧的第二主面、以及与所述第一主面和所述第二主面连接的端面，
所述端面是随着从所述第二主面朝向所述第一主面而突出的倾斜面，并且
所述倾斜面与所述第一主面所成的角度小于10°。
2.如权利要求1所述的层叠基板，其中，所述吸附层的在所述第一主面与所述第二主面之间的厚度为50μm以下。
3.如权利要求1所述的层叠基板，其中，所述吸附层的在所述第一主面与所述第二主面之间的厚度为12μm以下。
4.如权利要求1所述的层叠基板，其中，所述吸附层的在所述第一主面与所述第二主面之间的厚度为6μm以上。
5.如权利要求1所述的层叠基板，其中，所述倾斜面与所述第一主面所成的角度为5°以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的层叠基板，其中，所述周缘区域的宽度为1mm～30mm。
7.如权利要求1～6中任一项所述的层叠基板，其中，所述吸附层为有机硅树脂层。
8.如权利要求1～7中任一项所述的层叠基板，其中，所述层叠基板还具有配置在所述吸附层上的保护膜。
9.如权利要求1～8中任一项所述的层叠基板的制造方法，其中，所述层叠基板的制造方法具有：
所述支撑基材与转印膜的贴合工序，其中，在所述支撑基材与转印膜的贴合工序中，把具有将要成为吸附层的前体膜的所述转印膜贴合在所述支撑基材上，此时以在所述支撑基材上具有未配置所述前体膜的周缘区域的方式进行配置；和
前体膜加热工序，所述前体膜加热工序用于从所述前体膜得到吸附层。
10.一种层叠体的制造方法，其中，将包含聚酰亚胺或其前体以及溶剂的聚酰亚胺清漆涂布在权利要求1～7中任一项所述的层叠基板的所述吸附层侧，在所述周缘区域上和所述吸附层上形成聚酰亚胺膜，从而形成依次具有所述支撑基材、所述吸附层和所述聚酰亚胺膜的层叠体。
11.一种层叠体，其中，所述层叠体具有：
权利要求1～7中任一项所述的层叠基板；和
配置在所述层叠基板中的所述周缘区域上和所述吸附层上的聚酰亚胺膜。
12.一种带有电子器件用构件的层叠体，其中，所述带有电子器件用构件的层叠体具有：
权利要求11所述的层叠体；和
配置在所述层叠体中的所述聚酰亚胺膜上的电子器件用构件。
13.一种电子器件的制造方法，其中，所述电子器件的制造方法具有：
构件形成工序，其中，在权利要求11所述的层叠体的所述聚酰亚胺膜上形成电子器件用构件，从而得到带有电子器件用构件的层叠体；和
分离工序，其中，从所述带有电子器件用构件的层叠体得到具有所述聚酰亚胺膜和所述电子器件用构件的电子器件。
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