CN113228207B - 表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或稀土磁体成型体、以及它们的制造方法 - Google Patents

表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或稀土磁体成型体、以及它们的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或表面具有粗面化结构的稀土磁体成型体、以及它们的制造方法，所述稀土磁体前体或稀土磁体成型体在具有粗面化结构的面形成有满足下述(a)～(c)中至少一项的凹凸。(a)Sa(算术平均高度)(ISO 25178)为5～300μm，(b)Sz(最大高度)(ISO 25178)为50～1500μm，(c)Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)为0.3～12。

Description

表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或稀土磁体成型体、以 及它们的制造方法
技术领域
本发明在一些方面涉及表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或稀土磁体成型体、以及这样的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的制造方法。另外，本发明在其它一些方面涉及包含这样的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的复合成型体、以及复合成型体的制造方法。
背景技术
永磁体已在各种技术领域中得到了使用。在日本特公平6-93411号公报中记载了如下发明：在将永磁体用于位置传感器时，形成由具有高矫顽力的铁基合金制成的永磁体，通过高能量射束使其表面层迅速熔融，然后进行冷却，由此破坏其矫顽力，形成低矫顽力且高磁导率的薄的表面层。作为高能量射束，在对厚度8mm的磁体进行处理时，使用基于CO2激光的1.26×104W/cm2的射束输出密度。
WO2004/068673A1中记载了通过在永磁体与转子轭之间夹入金属膜并进行射束焊接，从而将永磁体接合于转子轭表面而成的永磁体电动机用转子的发明。作为射束焊接，使用了激光束焊接(实施例1等)。
日本专利第6079887号公报中记载了一种用于将永磁体切断来制造构成旋转电机中使用的场磁极用磁体的磁体片的割断方法的发明，作为形成割断用的脆弱部的方法，其中记载了使用激光束照射。
发明内容
发明要解决的课题
本发明在其一些方面以提供表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或表面具有粗面化结构的稀土磁体成型体为课题。另外，本发明在其另外的一些方面以提供这样的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的制造方法为课题。
解决课题的方法
本发明在一例中提供一种稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其在表面具有粗面化结构，其中，
在具有粗面化结构的面形成有满足下述要件(a)～(c)中至少一项的凹凸。
(a)Sa(算术平均高度)(ISO 25178)为5～300μm
(b)Sz(最大高度)(ISO 25178)为50～1500μm
(c)Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)为0.3～12
另外，本发明在另一例中提供一种稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其在表面具有粗面化结构，其中，
具有粗面化结构的面具有由凹部包围而成的多个独立的凸部、或者具有多个独立的凹部及其周围的凸部，且形成有满足下述要件(a’)～(c’)中至少一项的凹凸。
(a’)Sa(算术平均高度)(ISO 25178)为5～150μm
(b’)Sz(最大高度)(ISO 25178)为50～700μm
(c’)Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)为0.3～6
发明的效果
本发明的一些例子中的稀土磁体前体或稀土磁体成型体在表面具有粗面化结构，可以作为用于制造与其它材料的复合成型体的制造中间体而使用。因此，本发明在其它的一些方面还提供包含这样的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的复合成型体、以及复合成型体的制造方法。
根据本发明的一些例子的制造方法，可以在不发生开裂等变形的情况下将稀土磁体前体或稀土磁体成型体的表面粗面化。
附图说明
图1是示出本发明的一个例子中实施第2连续波激光的使用方法时的一个实施方式的激光的照射状态的图。
图2是示出本发明的一个例子中实施第2连续波激光的使用方法时的激光的照射图案的图，(a)为同向的照射图案，(b)为双向的照射图案。
图3(a)是实施例1中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片，(b)是(a)的厚度方向截面的SEM照片，(c)是用于对(b)中的非粗面化结构面与粗面化结构面的关系进行说明的SEM照片。
图4(a)是实施例2中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片，(b)是(a)的厚度方向截面的SEM照片，(c)是用于对(b)中的非粗面化结构面与粗面化结构面的关系进行说明的SEM照片。
图5是实施例3中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的SEM照片。
图6是实施例4中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的SEM照片。
图7(a)是实施例5中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片，(b)是(a)的厚度方向截面的SEM照片，(c)是用于对(b)中的非粗面化结构面与粗面化结构面的关系进行说明的SEM照片。
图8是实施例6中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的SEM照片。
图9是实施例7中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的SEM照片。
图10是实施例8中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的SEM照片。
图11是实施例9中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的SEM照片。
图12是图4的SEM照片、和用于对上述SEM照片的粗面化结构中的3个不同的截面结构进行说明的(a)～(c)的剖面示意图。
图13是示出比较例1中激光照射后的稀土磁体成型体的照片。
图14是示出比较例2中得到的激光照射后的稀土磁体成型体的照片。
图15是表示出实施例2、5中制造的稀土磁体成型体的示例性立体图、以及用于对使用了本发明的一个例子的稀土磁体成型体与树脂成型体的复合成型体的接合强度的试验进行说明的立体图。
图16(a)是实施例10中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片。(b)是与(a)的线状凸部和线状凹部的形成方向正交的厚度方向的截面的SEM照片，(c)是对(b)中的非粗面化结构面与粗面化结构面的关系进行说明的SEM照片。
图17(a)是实施例11中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片，(b)是与(a)的线状凸部和线状凹部的形成方向正交的厚度方向的截面的SEM照片，(c)是用于对(b)中的非粗面化结构面和粗面化结构面的关系进行说明的SEM照片。
图18(a)是实施例12中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片，(b)是与(a)的线状凸部和线状凹部的形成方向正交的厚度方向的截面的SEM照片，(c)是用于对(b)中的非粗面化结构面与粗面化结构面的关系进行说明的SEM照片。
图19是实施例13中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片。
图20(a)是比较例4中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片，(b)是与(a)的线状凸部和线状凹部的形成方向正交的厚度方向的截面的SEM照片，(c)是用于对(b)中的非粗面化结构面与粗面化结构面的关系进行说明的SEM照片。
图21(a)是示出以点状照射了脉冲波激光的形态的示意性平面图，(b)是示出以形成圆的方式照射了脉冲波激光的形态的示意性平面图。
图22是实施例14中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片。
图23是实施例15中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片。
图24(a)是实施例16中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片，(b)是(a)的厚度方向剖面图。
图25是实施例17中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片。
图26(a)是实施例18中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片，(b)是(a)的厚度方向剖面图。
图27(a)是实施例19中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的表面的SEM照片，(b)是(a)的厚度方向剖面图。
具体实施方式
＜表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或稀土磁体成型体＞
在本发明的一些例子中，稀土磁体前体可以是在表面具有粗面化结构的未经磁化的稀土磁体。即，在本发明中使用时，稀土磁体前体可以是指未经磁化的稀土磁体材料。这里，未经磁化是指未磁化成磁体，也可以包括暂时磁化后消磁了的情况。另外，在本发明中使用时，稀土磁体可以是指经过了磁化的稀土磁体材料。在本发明的一个例子中，稀土磁体成型体可以是在表面具有粗面化结构且经过了磁化的稀土磁体材料。
在本发明的一些例子中，表面具有粗面化结构的稀土磁体成型体除了包含具有粗面化结构的稀土磁体前体被磁化而成的物质以外，还可以包含在经磁化后的稀土磁体成型体的原料成型体形成粗面化结构而成的物质。
在本发明的一些例子中，稀土磁体前体或稀土磁体成型体的形状、大小没有特别限制，可以根据用途而适当调整。例如，作为稀土磁体前体或稀土磁体成型体，除了平板、圆棒、方棒(截面为多边形的棒)、管、杯形状的成型体、立方体、长方体、球或部分球体(半球等)、椭圆球或部分椭圆球体(半椭圆球等)、不规则形状等的成型体以外，也可以使用现有的稀土磁体成型体(经磁化后的稀土磁体成型体)的产品。
上述现有的稀土磁体成型体的产品除了仅由稀土磁体成型体构成的产品以外，还可以包含预先制成的稀土磁体成型体与其它材料(金属、树脂、橡胶、玻璃、木材等)的复合体。
在本发明的一些例子中，对于稀土磁体前体或稀土磁体成型体而言，为了防止形成粗面化结构时的开裂，在本发明的一个优选方式中，形成粗面化结构之前的原料成型体的抗弯强度为80MPa以上，在本发明的另外的一个优选方式中为100MPa以上。
在本发明的一些例子中，对于稀土磁体前体的原料成型体或稀土磁体成型体的原料成型体而言，为了防止形成粗面化结构时的开裂，在本发明的一个优选方式中，待形成粗面化结构的部分的厚度为0.5mm以上，在本发明的另一个优选方式中为1mm以上。
在本发明的一些例子中，稀土磁体前体或稀土磁体成型体在本发明的一个优选方式中为选自钐钴、钕、镨、铝镍钴合金、锶-铁氧体中的材料。
在本发明的一些例子中，稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第1实施方式及第2实施方式中的“长度方向”与上述稀土磁体前体和上述稀土磁体成型体的平面形状无关，可以是从上述稀土磁体前体的表面上或上述稀土磁体成型体的表面上的一点连接与上述一点隔开间隔的其它点的方向。
在本发明的一些例子中，稀土磁体前体或稀土磁体成型体的粗面化结构部分的凹凸的形状(平面形状和厚度方向的截面形状)没有特别限制，可以根据用于形成粗面化结构的加工方法而不同。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第1实施方式可以是稀土磁体前体或稀土磁体成型体的形成有上述粗面化结构的面具有凹凸、且满足下述要件(a)～(c)中的至少一项的方式。本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第1实施方式在本发明的一个优选方式中可以是满足下述要件中的两个要件、即要件(a)和要件(b)、要件(b)和要件(c)、或要件(a)和要件(c)的方式，在本发明的另一个优选方式中可以是满足全部要件(a)、(b)、(c)的方式。
要件(a)：粗面化结构部分的面的凹凸的Sa(算术平均高度)(ISO 25178)可以为5～300μm，在本发明的一个优选方式中可以为5～200μm，在本发明的另一个优选方式中可以为10～150μm。
要件(b)：粗面化结构部分的面的凹凸的凸部与凹部的高低差、即Sz(最大高度)(ISO 25178)可以为50～1500μm，在本发明的一个优选方式中可以为150～1300μm，在本发明的另一个优选方式中可以为200～1200μm。
要件(c)：Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)可以为0.3～12，在本发明的一个优选方式中可以为0.3～10，在本发明的另一个优选方式中可以为0.3～8。
在本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第1实施方式中，除要件(a)～(c)以外，还可以进一步限定Sdq(均方根斜率)(ISO 25178)在给定值范围作为要件(d)。
要件(d)：Sdq(均方根斜率)在本发明的一个优选方式中可以为0.3～8，在本发明的另一个优选方式中可以为0.5～5，在本发明的另一个优选方式中可以为0.7～3。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第1实施方式在本发明的一个优选方式中可以是满足上述的要件(a)～(c)中的至少一项、且具有如下所述的粗面化结构(第1a实施方式的粗面化结构)的方式。
第1a实施方式的粗面化结构具有沿着长度方向形成的线状凸部、和沿着长度方向形成的线状凹部，上述线状凸部和上述线状凹部在与上述长度方向正交的方向上交替地形成(图3、图7、图9)。线状凸部和线状凹部除了可以均设为直线状或曲线状以外，还可以设为一部分包含曲线部分的直线状、一部分包含直线部分的曲线状。上述线状凸部也可以是在表面具有大量细孔、大量小的凸部的部分。
第1a实施方式的粗面化结构可以包含具有在与长度方向正交的方向上相邻的线状凸部彼此的一者或两者以相互接近的方式变形成钩状的部分(但并未相互接触)(图12(b))、包含在与长度方向正交的方向相邻的线状凸部彼此相互桥连而成的外侧桥部的部分的结构(图12(c))。
在第1a实施方式的粗面化结构中，相邻的线状凹部彼此(或相邻的线状凸部彼此)的间距p1(相邻的线状凹部[或相邻的线状凸部]各自的宽度方向中间位置之间的距离)和线状凹部(或线状凸部)的宽度w1在本发明的一个优选方式中可以满足w1≤p1×(0.1～0.9)的关系，在本发明的另一个优选方式中可以满足w1≤p1×(0.3～0.7)的关系。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第1实施方式在本发明的一个优选方式中可以是满足上述的要件(a)～(c)中至少一项、且具有如下所述的粗面化结构(第1b实施方式的粗面化结构)的方式。
第1b实施方式的粗面化结构是多个凹部区域和多个凸部区域在长度方向上混合存在而形成的结构，在长度方向上混合存在而形成的多个凹部区域和多个凸部区域的列在与长度方向正交的方向上形成为多列(图4、图8)。非凹部区域的部分为凸部区域。
第1b实施方式的粗面化结构可以包含具有在与长度方向正交的方向上相邻的凸部区域的凸部彼此的一者或两者以相互接近的方式变形成钩状的部分(但并未相互接触)(图12(b))、包含在与长度方向正交的方向上相邻的凸部区域的凸部彼此相互桥连而成的外侧桥部的部分的结构(图12(c))。另外，也可以包含通过使沿着长度方向形成的凸部彼此熔粘、或沿着长度方向形成的凹部彼此熔粘而使大的凸部、大的凹部混合存在的实施方式(图5、图6)。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第1实施方式在本发明的一个优选方式中可以是满足上述的要件(a)～(c)中至少一项、并进一步根据情况而满足要件(d)、且具有如下所述的粗面化结构(第1c实施方式的粗面化结构)(参照图25)的方式。
第1c实施方式的粗面化结构具有多个圆形凹部、和在上述多个圆形凹部的周围形成的环状凸部，进一步具有由相邻的多个环状凸部包围而成的凹部。对于上述由相邻的多个环状凸部包围而成的凹部而言，例如是4个环状凸部接触在一起时由它们包围而成的部分成为凹部的形态(参照图24(a))。图24(a)是4个环状凸部相连的形态，但也包括3个环状凸部相连的形态、5各以上的环状凸部相连的形态。相邻的环状凸部彼此可以成为一体，环状凸部的全部或部分可以具有向内侧的圆形凹部突出的钩状的突出部。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第1实施方式在本发明的一个优选方式中可以是满足上述的要件(a)～(c)中至少一项、并进一步根据情况满足要件(d)、且具有以下的粗面化结构(第1d实施方式的粗面化结构)(参照图25)的方式。
第1d实施方式的粗面化结构具有多个圆形凹部、和在上述多个圆形凹部的周围形成的环状凸部，进一步具有由相邻的多个环状凸部包围而成的凹部。对于上述由相邻的多个环状凸部包围而成的凹部而言，例如是4个环状凸部接触在一起时由它们包围的部分形成了凹部的形态(参照图25)。图25是4个环状凸部相连的形态，但也包括3个环状凸部相连的形态、5个以上的环状凸部相连的形态。相邻的环状凸部彼此也可以是独立的，但也包括：具有从外周壁部向外侧突出的多个突起，相邻的环状凸部的突起彼此相互接触在一起的方式，相邻的环状凸部的突起彼此连接在一起的方式。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第1a～第1d实施方式在本发明的一个优选方式中可以是具有如下所述的粗面化结构(第1e实施方式的粗面化结构)的方式。
就第1e实施方式的粗面化结构而言，在将未形成上述粗面化结构的面作为基准面时，厚度方向的截面形状是比上述基准面隆起的部分和形成了比上述基准面更深的槽部的部分混合存在的截面形状。上述隆起部分的最高的顶端部至上述槽部的最深的底面部的距离(图3(c)的H1)与上述基准面至上述隆起部分的最高的顶端部的高度(图3(c)的H2)之比(H2/H1)在本发明的一个优选方式中可以为0.1～0.7的范围，在本发明的另一个优选方式中可以为0.2～0.6的范围。
另外，第1e实施方式的粗面化结构在本发明的一个优选方式中可以是上述隆起部分的至少一部分具有顶端部的一部分变形成钩形状的部分和顶端部的一部分变形成环形状的部分中的至少一者的方式。进一步，第1e实施方式的粗面化结构在本发明的一个优选方式中可以是上述槽部的至少一部分具有槽部中相对的内壁面彼此连接而成的内侧桥部的方式。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第1a～第1d实施方式在本发明的一个优选方式中可以是具有如下所述的粗面化结构(第1f实施方式的粗面化结构)的方式。
就第1f实施方式的粗面化结构而言，在将未形成上述粗面化结构的面作为基准面时，厚度方向的截面形状是比上述基准面隆起的部分和形成了比上述基准面更深的槽部的部分混合存在的截面形状。上述隆起部分的最高的顶端部至上述槽部的最深的底面部的距离(图3(c)的H1)与上述基准面至上述隆起部分的最高的顶端部的高度(图3(c)的H2)之比(H2/H1)在本发明的一个优选方式中可以为0.1～0.7的范围，在本发明的另一个优选方式中可以为0.2～0.6的范围。
进一步，第1f实施方式的粗面化结构在本发明的一个优选方式中可以是上述隆起部分的至少一部分具有顶端部的一部分变形成钩形状的部分的方式。进一步，第1f实施方式的粗面化结构在本发明的一个优选方式中可以是上述槽部的底面的截面形状具有曲面的方式。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第2实施方式是如下方式：形成有上述粗面化结构的面具有由凹部包围而成的多个独立的凸部、或者具有多个独立的凹部及其周围的凸部，且满足下述的要件(a’)～(c’)中的至少一项。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第2实施方式在本发明的一个优选方式中可以满足下述要件中的两个要件、即要件(a’)和要件(b’)、要件(b’)和要件(c’)、或要件(a’)和要件(c’)，在本发明的另一个优选方式中可以满足全部要件(a’)、(b’)、(c’)。
要件(a’)：粗面化结构部分的面的凹凸的Sa(算术平均高度)(ISO 25178)可以为5～150μm，在本发明的一个优选方式中可以为5～100μm，在本发明的另一个优选方式中可以为10～50μm。
要件(b’)：粗面化结构部分的面的凹凸的凸部与凹部的高低差、即Sz(最大高度)(ISO 25178)可以为50～700μm，在本发明的一个优选方式中可以为100～600μm，在本发明的另一个优选方式中可以为120～500μm。
要件(c’)：Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)可以为0.3～6，在本发明的一个优选方式中可以为0.3～5，在本发明的一个优选方式中可以为0.3～4，在本发明的另一个优选方式中可以为0.35～3。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第2实施方式可以是除了要件(a’)～(c’)以外、还进一步限定Sdq(均方根斜率)在给定值范围作为要件(d)的实施方式。
要件(d)：Sdq(均方根斜率)在本发明的一个优选方式中可以为0.3～8，在本发明的另一个优选方式中可以为0.5～5，在本发明的另一个优选方式中可以为0.7～3。
本发明的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的第2实施方式在本发明的一个优选方式中可以是满足上述的要件(a’)～(c’)中的至少一项、并根据情况满足要件(d)、且具有如下所述的粗面化结构的方式。
第2实施方式的粗面化结构可以是形成有上述粗面化结构的面具有由凹部包围而成的多个独立的凸部的结构(第2a实施方式)，或者是具有多个独立的凹部及其周围的凸部的结构(第2b实施方式)。
第2a实施方式的粗面化结构可以具有由在相互正交的方向上形成的槽(线状槽)、在相互斜交的方向上形成的槽(线状槽)、或在随机方向上形成的槽(线状槽)包围而成的大量的岛部，进一步，也可以包括具有相邻的岛部彼此通过从岛部突出的突起部桥连在一起的部分的结构(参照图10、图11)。
第2b实施方式是大量独立的凹部分散存在、且这些独立的凹部的周围形成了凸部的方式(图24(a))。需要说明的是，第2a实施方式也可以包括如下的方式：在任一方向的槽深度浅时没有形成明确的岛部、包含在任一方向上延伸的、部分不连续的线状凹部和部分不连续的线状凸部混合存在的结构的方式(图27(a))。
根据本发明的一些例子，本发明的稀土磁体前体可以在通过公知的方法进行了磁化后，直接作为最终产品、或者与其它构件组合而作为最终产品，此外，也可以作为中间产品。本发明的稀土磁体成型体可以仅一部分经过了磁化，可以直接作为最终产品、或者与其它构件组合而作为最终产品。
＜表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的制造方法＞
根据本发明的一些例子，表面具有粗面化结构的稀土磁体前体的制造方法可以包括在成为稀土磁体的原料的成型体(以下，简称为“原料成型体”)的表面形成粗面化结构的工序。这里，“原料成型体”是指未形成粗面化结构也未经磁化的成型体。
另外，根据本发明的一些例子，表面具有粗面化结构的经过了磁化的稀土磁体成型体的制造方法可以包括在原料成型体的表面形成粗面化结构的工序和磁化工序。需要说明的是，也可以使用表面未形成粗面化结构但经过了磁化的“原料磁体成型体”来代替上述原料成型体。“原料磁体成型体”是指“原料成型体”经磁化而成的成型体。
以下，对本发明的一些例子的表面具有粗面化结构的稀土磁体前体的制造方法进行说明。需要说明的是，在以下的粗面化结构的形成方法中，在使用了上述“原料磁体成型体”来代替上述“原料成型体”的情况下，也可以同样地形成粗面化结构。
作为对原料成型体的表面形成粗面化结构的方法，可以实施选自喷射加工、砂纸、锉、砂光机等金属抛光机中的加工方法。原料成型体是通过进行磁化会成为稀土磁体的成型体。通过喷射加工而形成粗面化结构的方法可以实施选自喷砂(sand blast)、喷丸、喷粒(grit blast)、喷珠中的加工方法。
作为在原料成型体的表面形成粗面化结构的其它方法，包括使用连续波激光的方法(第1连续波激光的使用方法)。使用连续波激光的方法可以对原料成型体的表面以能量密度1MW/cm2以上、照射速度2000mm/sec以上进行连续照射而形成粗面化结构。
在对原料成型体的表面连续照射连续波激光时，可以实施以下所示的各实施方式的照射方法。
(I)是在对原料成型体的表面连续照射连续波激光时，以沿着相同方向(第1实施方式的粗面化结构)或不同方向(第2实施方式的粗面化结构)形成包含直线、曲线及它们的组合的多条线的方式连续照射激光的实施方式。
(II)是在对原料成型体的表面连续照射连续波激光时，以沿着相同方向(第1实施方式的粗面化结构)或不同方向(第2实施方式的粗面化结构)形成包含直线、曲线及它们的组合的多条线的方式连续照射激光，并多次连续照射激光而形成1条直线或1条曲线的实施方式。
(III)是在对原料成型体的表面连续照射连续波激光时，以沿着相同方向(第1实施方式的粗面化结构)或不同方向(第2实施方式的粗面化结构)形成包含直线、曲线及它们的组合的多条线的方式连续照射激光，以使多条直线或多条曲线等间隔地或隔开不同间隔地形成的方式连续照射激光的实施方式。
形成第1实施方式(第1a实施方式～第1d实施方式)的粗面化结构时，可以实施双向照射、单向照射或它们的组合。形成第2实施方式的粗面化结构时，可以实施向着正交的方向的交叉照射、向着斜交的方向的交叉照射、或向着随机方向的交叉照射。
为了将原料成型体粗面化，激光的照射速度可以为2000mm/sec以上，在本发明的一个优选方式中可以为2800mm/sec以上，在本发明的一个优选方式中可以为2800～15,000mm/sec，在本发明的另一个优选方式中可以为3000～12,000mm/sec。
激光的输出在本发明的一个优选方式中可以为50～1500W，在本发明的另一个优选方式中可以为50～1200W，在本发明的另一个优选方式中可以为100～1000W。
激光的照射速度和输出可以根据原料成型体的种类进行调整。例如，在使用包含钕的材料作为原料成型体时，照射速度在本发明的一个优选方式中可以为2800～15,000mm/sec、在本发明的另一个优选方式中可以为3000～12,000mm/sec、在本发明的另一个优选方式中可以为4000～11,000mm/sec，输出在本发明的一个优选方式中可以为50～800W、在本发明的另一个优选方式中可以为100～700W、在本发明的另一个优选方式中可以为150～600W。
例如，在使用包含钐钴的材料作为原料成型体时，照射速度在本发明的一个优选方式中可以为2800～15,000mm/sec、在本发明的另一个优选方式中可以为3000～12,000mm/sec、在本发明的另一个优选方式中可以为4000～11,000mm/sec，输出在本发明的一个优选方式中可以为50～800W、在本发明的另一个优选方式中可以为70～700W、在本发明的另一个优选方式中可以为80～600W。
激光的光斑直径在本发明的一个优选方式中可以为10～100μm，在本发明的另一个优选方式中可以为10～75μm。
激光照射时的能量密度可以为1MW/cm2以上，在本发明的一个优选方式中可以为20～500MW/cm2，在本发明的另一个优选方式中可以为30～300MW/cm2。激光照射时的能量密度可以根据激光的输出(W)和激光(光斑面积(cm2)(π·[光斑直径/2]2)、通过下式而求出：激光的输出/光斑面积。
激光照射时的重复次数(通过次数)在本发明的一个优选方式中可以为1～30次，在本发明的另一个优选方式中可以为3～20次，在本发明的另一个优选方式中可以为3～15次。激光照射时的重复次数是在以线状照射激光时为了形成1条线(槽)而照射激光的总次数。
对1条线重复照射时可以选择双向照射和单向照射。双向照射是对金属成型体20的表面如图2(b)所示地，在形成1条线(槽)时，从线(槽)的第1端部至第2端部照射连续波激光后，从第2端部至第1端部照射连续波激光，然后，从第1端部至第2端部、从第2端部至第1端部这样地重复照射连续波激光的方法。单向照射是对金属成型体20的表面如图2(a)所示地在1条线上重复进行从第1端部至第2端部的单向连续波激光照射的方法。
在以直线状照射激光时，相邻的照射线(相邻的通过照射而形成的槽)各自的宽度的中间位置之间的间隔(线间隔或间距间隔)在本发明的一个优选方式中可以为0.03～1.0mm，在本发明的另一个优选方式中可以为0.03～0.2mm。对于全部照射线，线间隔可以相同，也可以不同。
在照射激光时，可以在隔开上述的线间隔进行双向照射或单向照射而形成多个槽之后，进一步实施从与上述多个槽正交或斜交的方向隔开上述的线间隔而进行双向照射或单向照射的交叉照射。
激光的波长在本发明的一个优选方式中可以为300～1200nm，在本发明的另一个优选方式中可以为500～1200nm。照射激光时的离焦距离在本发明的一个优选方式中可以为-5～+5mm，在本发明的另一个优选方式中可以为-1～+1mm，在本发明的另一个优选方式中可以为-0.5～+0.1mm。对于离焦距离而言，可以将设定值设为恒定进行激光照射，也可以一边改变离焦距离一边进行激光照射。例如，在激光照射时，可以使离焦距离逐渐缩小、或周期性地增大或缩小。
连续波激光器可以使用公知的激光器，可以使用例如YVO4激光器、光纤激光器(优选为单模光纤激光器)、准分子激光器、二氧化碳激光器、紫外线激光器、YAG激光器、半导体激光器、玻璃激光器、红宝石激光器、He-Ne激光器、氮激光器、螯合物激光器、色素激光器。其中，从提高能量密度的观点考虑，在本发明的一个优选方式中可以为光纤激光器，在本发明的另一个优选方式中可以为单模光纤激光器。
根据本发明的一些例子，作为对原料成型体的表面形成粗面化结构的其它方法，包括在使用连续波激光器对原料成型体的表面以能量密度1MW/cm2以上、照射速度2000mm/sec以上进行连续照射时，以使激光的照射部分和非照射部分交替产生的方式进行照射的方法(第2连续波激光的使用方法)。对于第2连续波激光的使用方法、上述的第1连续波激光的使用方法而言，除了激光的照射方式不同以外，为相同的方法。
在第2连续波激光的使用方法中，在以成为直线、曲线或直线与曲线的组合的方式照射激光时，以使激光的照射部分和非照射部分交替产生的方式进行照射。以使激光的照射部分和非照射部分交替产生的方式进行照射包括如图1所示地进行照射的实施方式。
图1中示出了以使在长度L1的激光的照射部分11和相邻的长度L1的激光的照射部分11之间交替产生一定长度L2的激光的非照射部分12、且整体上形成为虚线状的方式进行照射的状态。上述虚线也可以包含单点划线、双点划线等点划线。
根据本发明的一些例子，在进行多次照射时，可以使激光的照射部分相同，也可以使激光的照射部分不同(使激光的照射部分错开)，由此可以使稀土磁体成型体整体被粗面化。
在使激光的照射部分相同地进行多次照射时，以虚线状进行照射，但在使激光的照射部分错开，即，在重复进行以使激光的照射部分与最初为激光的非照射部分的部分重合的方式错开地进行照射时，即使是以虚线状进行照射的情况下，最终也会照射成为实线状态。重复次数可以设为1～20次。
在对稀土磁体成型体连续地照射激光时，在厚度小的成型体的情况下还存在产生开裂等变形的隐患。但是，在如图1所示地以虚线状进行激光照射时，会交替产生激光的照射部分11和激光的非照射部分12，因此，在继续进行激光照射时，即使是厚度小的成型体也不容易产生开裂等变形。此时，在如上所述地使激光的照射部分不同(使激光的照射部分错开)的情况下也可以获得同样的效果。
激光的照射方法可以使用对金属成型体20的表面如图2(a)所示地沿单向照射多条的线的方法、或者如图2(b)所示的虚线那样从双向照射多条的线的方法。此外，还可以是以使激光的虚线照射部分交叉的方式进行照射的方法。照射后的各虚线的间隔b1可以根据金属成型体的照射对象面积等而进行调整，可以设为与第1制造方法的线间隔相同的范围。
图1所示的激光的照射部分11的长度(L1)和激光的非照射部分12的长度(L2)可以调整为L1/L2＝1/9～9/1的范围。对于激光的照射部分11的长度(L1)而言，为了粗面化成复杂的多孔结构，在本发明的一个优选方式中可以为0.05mm以上，在本发明的另一个优选方式中可以为0.1～10mm，在本发明的另一个优选方式中可以为0.3～7mm。
根据本发明的一些例子，第2连续波激光的使用方法在本发明的一个优选方式中，上述的激光的照射工序中使用将对激光的驱动电流进行直接转换的直接调制方式的调制装置与激光电源连接而成的光纤激光装置、调整占空比(duty ratio)而进行激光照射。
激光的激发有脉冲激发和连续激发这2种，基于脉冲激发的脉冲波激光通常被称为普通脉冲。
在连续激发下也能够产生脉冲波激光，可以通过以下方法产生脉冲波激光：比普通脉冲进一步缩短脉冲宽度(脉冲ON时间)、并使这部分所对应的峰值功率高的激光产生振荡的Q开关脉冲振荡方法；通过利用AOM、LN光强度调制器按时间切断光来产生脉冲波激光的外部调制方式；进行机械性斩波而进行脉冲化的方法；操作振镜(galvano mirror)而进行脉冲化的方法；直接调制激光的驱动电流而产生脉冲波激光的直接调制方式等。
操作振镜进行脉冲化的方法是通过振镜和振镜控制器(galvano controller)的组合，经由振镜而照射由激光振荡器振荡出的激光的方法，具体例如可以如下所述地实施。
从振镜控制器周期性地ON/OFF输出Gate信号，根据该ON/OFF信号使由激光振荡器振荡出的激光为ON/OFF，由此能够在不使激光的能量密度发生变化的情况下进行脉冲化。由此，可以如图1所示地以交替地产生位于激光的照射部分11与相邻的激光的照射部分11之间的激光的非照射部分12、并在整体上形成为虚线状的方式照射激光。操作振镜进行脉冲化的方法可以在不改变激光的振荡状态本身的情况下调整占空比，因此操作简单。
在这些方法中，下述方法由于是能够在不改变连续波激光的能量密度的情况下容易地进行脉冲化(以使照射部分和非照射部分交替产生的方式进行照射)的方法，因此是本发明的优选方式：进行机械性斩波而进行脉冲化的方法、操作振镜而进行脉冲化的方法、直接调制激光的驱动电流来产生脉冲波激光的直接调制方式。
在上述的本发明的优选方式中，通过使用将对激光的驱动电流进行直接转换的直接调制方式的调制装置与激光电源连接而成的光纤激光装置，可以连续激发激光而产生脉冲波激光。
占空比是根据激光输出的ON时间和OFF时间并通过下式求出的比值。
占空比(％)＝ON时间/(ON时间+OFF时间)×100
占空比与图1中示出的L1和L2(即，L1/[L1+L2])相对应，因此也可以从10～90％的范围选择。通过调整占空比来照射激光，可以照射成图1所示的虚线状。
为了粗面化成复杂的多孔结构，激光的照射部分11的长度(L1)在本发明的一个优选方式中可以为0.05mm以上，在本发明的另一个优选方式中可以为0.1～10mm，在本发明的另一个优选方式中可以为0.3～7mm。
根据本发明的一些例子，作为在原料成型体的表面形成粗面化结构的其它方法，包括使用脉冲波激光的方法。在照射脉冲波激光时，可以通过调整下述的(i)～(V)而在原料成型体的表面形成粗面化结构。
照射脉冲波激光的方法除了通常的照射脉冲波激光的方法以外，可以与日本特许第5848104号公报、日本特许第5788836号公报、日本特许第5798534号公报、日本特许第5798535号公报、日本特开2016-203643号公报、日本特许第5889775号公报、日本特许第5932700号、日本特许第6055529号公报中记载的脉冲波激光的照射方法同样地实施。
即使是第1a实施方式～第1d实施方式的粗面化结构也可以通过以满足下述要件(i)～(v)的方式照射脉冲波激光而形成。在形成第1实施方式(第1e实施方式)的粗面化结构时，可以满足下述要件(i)～(v)、且如图21(b)那样照射脉冲波激光来形成多个圆形凹部和环状凸部(参照图24(a))。在形成第1实施方式(第1f实施方式)的粗面化结构时，可以满足下述要件(i)～(v)、且如图21(a)那样照射脉冲波激光来形成多个圆形凹部和环状凸部(参照图25)。
＜要件(i)对原料成型体照射脉冲波激光时的照射角度＞
上述照射角度在本发明的一个优选方式中可以为15度～90度，在本发明的另一个优选方式中可以为45～90度。
＜要件(ii)对原料成型体照射脉冲波激光时的照射速度＞
上述照射速度在本发明的一个优选方式中可以为10～1000mm/sec，在本发明的另一个优选方式中可以为10～500mm/sec，在本发明的另一个优选方式中可以为10～300mm/sec，在本发明的另一个优选方式中可以为10～80mm/sec。
＜(iii)对原料成型体照射脉冲波激光时的能量密度＞
上述能量密度可根据激光的1个脉冲的能量输出(W)和激光(光斑面积(cm2)(π·[光斑直径/2]2)、利用下式而求出：激光的输出/光斑面积。
上述能量密度在本发明的一个优选方式中可以为0.1～50GW/cm2，在本发明的另一个优选方式中可以为0.1～20GW/cm2，在本发明的另一个优选方式中可以为0.5～10GW/cm2，在本发明的另一个优选方式中可以为0.5～5GW/cm2。能量密度越大，孔越深且大。
脉冲波激光的1个脉冲的能量输出(W)可根据下式求出。
脉冲波激光的1个脉冲的能量输出(W)＝(激光的平均输出/频率)/脉冲宽度
平均输出在本发明的一个优选方式中可以为4～400W，在本发明的另一个优选方式中可以为5～100W，在本发明的另一个优选方式中可以为10～100W。其它的激光照射条件相同时，输出越大，则孔越深且大，输出越小，则孔越浅且小。
频率(KHz)在本发明的一个优选方式中可以为0.001～1000kHz，在本发明的另一个优选方式中可以为0.01～500kHz，在本发明的另一个优选方式中可以为0.1～100kHz。
脉冲宽度(nsec)在本发明的一个优选方式中可以为1～10,000nsec，在本发明的另一个优选方式中可以为1～1,000nsec，在本发明的另一个优选方式中可以为1～100nsec。
激光的光斑直径(μm)在本发明的一个优选方式中可以为1～300μm，在本发明的另一个优选方式中可以为10～300μm，在本发明的另一个优选方式中可以为20～150μm，在本发明的另一个优选方式中可以为20～80μm。
＜(iv)对原料成型体照射脉冲波激光时的重复次数＞
重复次数是用于形成一个点(孔)的合计的脉冲波激光的照射次数，在本发明的一个优选方式中可以为1～80次，在本发明的另一个优选方式中可以为3～50次，在本发明的另一个优选方式中可以为5～30次。在相同的激光照射条件下，重复次数越多，则孔(凹部)越深且大，重复次数越少，则孔(凹部)越浅且小。
其中，根据一些例子，重复次数是适用于以形成线(直线、曲线或直线与曲线的组合)的方式照射脉冲波激光的实施方式(例如，实施例14、15、18及19)的次数，而不适用于以形成形成点的方式照射脉冲波激光的实施方式(图21(a)；例如实施例17)、以形成圆的方式照射脉冲波激光的实施方式(图21(b)；例如实施例16)、或者与它们类似的实施方式(以形成多边形、椭圆等的方式进行照射的实施方式)。
＜(v)对原料成型体照射脉冲波激光时的间距间隔＞
对原料成型体以线状照射激光时，可以通过使相邻的线状凹部(线)彼此的间隔(间距)扩大、或狭窄，从而调整孔(凹部)的大小、孔(凹部)的形状、孔(凹部)的深度。
间距间隔在本发明的一个优选方式中可以为0.01～1mm，在本发明的另一个优选方式中可以为0.01～0.8mm，在本发明的另一个优选方式中可以为0.03～0.5mm，在本发明的另一个优选方式中可以为0.05～0.5mm。
间距窄时，对相邻的线状凹部(线)也会造成热影响，因此存在孔增大、孔的形状变得复杂、孔的深度变深的倾向，但热影响过大时，有时难以形成复杂且深的形状的孔。间距宽时，存在孔变小、孔的形状不会变得复杂、孔不会太深的倾向，但可以提高处理速度。
接下来，对磁化工序进行说明。磁化工序可以实施第1磁化方法(即，将稀土磁体前体进行磁化的方法)和第2磁化方法中的任意方法，所述第1磁化方法在对原料成型体形成粗面化结构而制造稀土磁体前体之后实施磁化工序，所述第2磁化方法在对原料磁体成型体(形成粗面化结构之前已进行了磁化)形成粗面化结构之后再次实施磁化工序。
在形成粗面化结构的工序中，存在热影响的情况下，有时会损害磁特性，因此，本发明的一个优选方式为第1磁化方法。因此，在对原料磁体成型体形成了粗面化结构时，即使在不实施第2磁化方法的情况下，也可以作为具有粗面化结构的稀土磁体成型体而使用，但有时磁特性会降低。
对于第1磁化方法而言，可以在形成粗面化结构的工序(形成粗面化结构而制造稀土磁体前体的工序)之后，实施一次或多次磁化。对于第2磁化方法而言，在对稀土磁体成型体形成了粗面化结构之后，可以实施一次或多次磁化。在第1磁化方法和第2磁化方法中实施多次磁化工序时，也可以在各个磁化工序的处理中对待赋予的磁力赋予强弱。
根据本发明的一些例子，对于将具有粗面化结构的稀土磁体前体进行磁化处理而得到的磁体的磁力(mT)而言，在将未形成粗面化结构而经过了磁化的稀土磁体成型体的磁力(mT)(基准磁力)设为100时，在本发明的一个优选方式中可以为上述基准磁力的70％以上，在本发明的另一个优选方式中可以为80％以上，在本发明的另一个优选方式中可以为90％以上。磁化工序可以是公知的磁化方法，例如，可以实施使用了磁化线圈的磁化方法、使用了磁轭的磁化方法。
对本发明的将稀土磁体成型体作为用于制造与包含其它材料的成型体的复合成型体的制造中间体使用时的复合成型体的制造方法进行说明。
(1)稀土磁体前体或稀土磁体成型体与树脂成型体的复合成型体的制造方法
根据本发明的一些例子，在第1工序中，通过上述的制造方法来制造表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或表面具有粗面化结构的稀土磁体成型体。
根据本发明的一些例子，在第2工序中，将第1工序中得到的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的包含粗面化结构的部分配置在模具内，将成为上述树脂成型体的树脂进行注塑成型，或者，在第2工序中，将第1工序中得到的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的包含粗面化结构的部分配置在模具内，在至少使上述包含粗面化结构的部分与成为上述树脂成型体的树脂接触的状态下进行压缩成型。
在使用稀土磁体成型体作为复合成型体的起始原料成型体时，可以通过第1工序和第2工序来制造成为产品的复合成型体，但在使用了稀土磁体前体作为复合成型体的起始原料成型体时，除了可以在第2工序后直接以中间产品的形式出品以外，还可以在进行了磁化工序的处理后以产品的形式出品。
需要说明的是，根据一些例子，在复合成型体的制造方法中实施磁化工序时，可以实施以下方法中的任意包括磁化工序的制造方法：
(i)依次实施原料成型体的第1次磁化处理、粗面化结构的形成、复合成型体的制造、第2次磁化处理的方法、
(ii)依次实施在原料成型体形成粗面化结构、第1次磁化处理、复合成型体的制造、第2次磁化处理的方法、
(iii)依次实施原料成型体的第1次磁化处理、粗面化结构的形成、第2次磁化处理、复合成型体的制造、第3次磁化处理的方法。
在像这样地实施多次磁化工序时，可以在全部磁化处理中赋予相同水平的磁力，也可以在各个磁化处理中赋予不同水平的磁力。在赋予不同水平的磁力时，在方法(i)、(ii)中，可以按照第1次磁化处理、第2次磁化处理的顺序增强进行磁化的磁力，在方法(iii)中，可以按照第1次、第2次、第3次磁化处理的顺序增强进行磁化的磁力。
例如，在复合成型体的制造工序中使用模具时，如果磁力过强，则会发生形成有粗面化结构的稀土磁体前体(或稀土磁体)因强力而附着于模具无法分离的不良情况，如果是很弱的磁力，则对模具的安装和拆卸这两者变得容易。另外，磁力会因形成粗面化结构时的热而衰减，但通过如上所述地实施多次磁化工序，可以提高衰减了的磁力的恢复水平。
作为第2工序中使用的树脂，除了热塑性树脂、热固性树脂以外，还包含热塑性弹性体。热塑性树脂可以根据用途而从公知的热塑性树脂中适当选择。可以列举例如：聚酰胺类树脂(PA6、PA66等脂肪族聚酰胺、芳香族聚酰胺)、聚苯乙烯、ABS树脂、AS树脂等包含苯乙烯单元的共聚物、聚乙烯、包含乙烯单元的共聚物、聚丙烯、包含丙烯单元的共聚物、其它聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚碳酸酯类树脂、丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚酯类树脂、聚缩醛类树脂、聚苯硫醚类树脂等。
热固性树脂可以根据用途而从公知的热固性树脂中适当选择。可以列举例如：脲醛树脂、三聚氰胺树脂、酚醛树脂、间苯二酚树脂、环氧树脂、聚氨酯、乙烯基氨基甲酸酯。在使用热固性树脂时，可以使用预聚物形态的树脂，在后工序中进行加热固化处理。
热塑性弹性体可以根据用途而从公知的热塑性弹性体中适当选择。可以列举例如：苯乙烯类弹性体、氯乙烯类弹性体、烯烃类弹性体、氨基甲酸酯类弹性体、聚酯类弹性体、腈类弹性体、聚酰胺类弹性体等。
在这些热塑性树脂、热固性树脂、热塑性弹性体中可以配合公知的纤维状填充材料。作为公知的纤维状填充材料，可以列举：碳纤维、无机纤维、金属纤维、有机纤维等。碳纤维是公知的，可以使用PAN类、沥青类、人造丝类、木质素类等的碳纤维。作为无机纤维，可以列举：玻璃纤维、玄武岩纤维、二氧化硅纤维、二氧化硅-氧化铝纤维、氧化锆纤维、氮化硼纤维、氮化硅纤维等。作为金属纤维，可以举出由不锈钢、铝、铜等制成的纤维。作为有机纤维，可以使用聚酰胺纤维(全芳香族聚酰胺纤维、二胺和二羧酸中的任一者为芳香族化合物的半芳香族聚酰胺纤维、脂肪族聚酰胺纤维)、聚乙烯醇纤维、丙烯酸纤维、聚烯烃纤维、聚氧亚甲基纤维、聚四氟乙烯纤维、聚酯纤维(包含全芳香族聚酯纤维)、聚苯硫醚纤维、聚酰亚胺纤维、液晶聚酯纤维等合成纤维、天然纤维(纤维素类纤维等)、再生纤维素(人造丝)纤维等。
这些纤维状填充材料可以使用纤维直径为3～60μm范围的材料，其中，本发明的一个优选方式是使用纤维直径小于金属成型体的接合面被粗面化而形成的开口孔等的开口直径的材料。纤维直径在本发明的一个优选方式中可以为5～30μm，在本发明的另一个优选方式中可以为7～20μm。
相对于热塑性树脂、热固性树脂、热塑性弹性体100质量份，纤维状填充材料的配合量在本发明的一个优选方式中可以为5～250质量份，在本发明的另一个优选方式中可以为25～200质量份，在本发明的另一个优选方式中可以为45～150质量份。
(2-1)具有粗面化结构的稀土磁体前体或稀土磁体成型体与橡胶成型体的复合成型体的制造方法
根据本发明的一些例子，在第1工序中，通过上述的制造方法来制造表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或表面具有粗面化结构的稀土磁体成型体。
根据本发明的一些例子，在第2工序中，对第1工序中得到的稀土磁体前体或稀土磁体成型体和橡胶成型体采用压制成型、传递成型等公知的成型方法而使其一体化。在采用压制成型法时，例如，将稀土磁体前体或稀土磁体成型体的包含粗面化结构的部分配置在模具内，对于包含上述粗面化结构的部分，在加热及加压的状态下对成为上述橡胶成型体的未固化橡胶进行压制，然后在冷却后取出。在采用传递成型法时，例如，将稀土磁体前体或稀土磁体成型体的包含粗面化结构的部分配置在模具内，将未固化橡胶向模具内进行注塑成型，然后进行加热及加压，使稀土磁体前体或稀土磁体成型体的包含粗面化结构的部分与橡胶成型体一体化，在冷却后取出。
需要说明的是，根据所使用的橡胶的种类，为了主要去除残留单体，可以在从模具中取出后增加在烘箱等中进一步进行二次加热(二次固化)的工序。
在使用了稀土磁体成型体作为复合成型体的起始原料成型体时，可以通过第1工序和第2工序来制造成为产品的复合成型体，但在使用了稀土磁体前体作为复合成型体的起始原料成型体时，除了可以在第2工序后直接以中间产品的形式出品以外，还可以在进行了磁化工序的处理后以产品的形式出品。
根据本发明的一些例子，该工序中使用的橡胶成型体的橡胶没有特别限制，可以使用公知的橡胶，但不包括热塑性弹性体。作为公知的橡胶，可以使用乙烯-丙烯共聚物(EPM)、乙烯-丙烯-二烯三元共聚物(EPDM)、乙烯-辛烯共聚物(EOM)、乙烯-丁烯共聚物(EBM)、乙烯-辛烯三元共聚物(EODM)、乙烯-丁烯三元共聚物(EBDM)等乙烯-α-烯烃橡胶；乙烯/丙烯酸橡胶(EAM)、氯丁橡胶(CR)、丁腈橡胶(NBR)、氢化NBR(HNBR)、丁苯橡胶(SBR)、烷基化氯磺化聚乙烯(ACSM)、环氧氯丙烷(ECO)、聚丁二烯橡胶(BR)、天然橡胶(包含合成聚异戊二烯)(NR)、氯化聚乙烯(CPE)、溴化聚甲基苯乙烯-丁烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯及苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段聚合物、丙烯酸橡胶(ACM)、乙烯-乙酸乙烯酯弹性体(EVM)、以及有机硅橡胶等。
橡胶中可以根据需要而含有与橡胶的种类相应的固化剂，此外，还可以配合公知的各种橡胶用添加剂。作为橡胶用添加剂，可以使用固化促进剂、防老化剂、硅烷偶联剂、增强剂、阻燃剂、臭氧劣化防止剂、填充剂、操作油、增塑剂、增粘剂、加工助剂等。
(2-2)具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体与橡胶成型体的复合成型体(包含粘接剂层)的制造方法
根据本发明的一些例子，在稀土磁体前体或稀土磁体成型体与橡胶成型体的复合成型体的制造方法中，可以在稀土磁体前体或稀土磁体成型体与橡胶成型体的接合面夹入粘接剂层。
根据本发明的一些例子，在第1工序中，通过上述的制造方法来制造表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或表面具有粗面化结构的稀土磁体成型体。
根据本发明的一些例子，在第2工序中，在稀土磁体前体或稀土磁体成型体的粗面化结构面涂布粘接剂(粘接剂溶液)来形成粘接剂层。此时，可以将粘接剂压入粗面化结构面。通过涂布粘接剂，使粘接剂存在于稀土磁体前体或稀土磁体成型体的粗面化结构面和内部的孔中。
粘接剂没有特别限制，可以使用公知的热塑性粘接剂、热固性粘接剂、橡胶类粘接剂、湿气固化型粘接剂等。作为热塑性粘接剂，可以列举：聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯醇缩丁醛、丙烯酸类粘接剂、聚乙烯、氯化聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物、氯化聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、塑料溶胶、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯基醚、聚乙烯基吡咯烷酮、聚酰胺、尼龙、饱和无定形聚酯、纤维素衍生物。作为热固性粘接剂，可以列举：脲醛树脂、三聚氰胺树脂、酚醛树脂、间苯二酚树脂、环氧树脂、聚氨酯、乙烯基氨基甲酸酯。作为橡胶类粘接剂，可以列举：天然橡胶、合成聚异戊二烯、聚氯丁二烯、丁腈橡胶、丁苯橡胶、苯乙烯-丁二烯-乙烯基吡啶三元共聚物、聚异丁烯-丁基橡胶、聚硫橡胶、有机硅RTV、氯化橡胶、溴化橡胶、接枝橡胶、嵌段共聚物、液体橡胶。作为湿气固化型粘接剂，可以举出氰基丙烯酸酯类的瞬间粘接剂。
根据本发明的一些例子，在第3工序中实施以下的工序：相对于在前工序中形成了粘接剂层的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的面粘接另行成型的橡胶成型体的工序；或者，将包含在前工序中形成了粘接剂层的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的面的部分配置在模具内、并在使稀土磁体前体或稀土磁体成型体的面与成为橡胶成型体的未固化橡胶接触的状态下进行加热及加压而使其一体化的工序。在该工序的情况下，为了主要去除残留单体，可以在从模具中取出后增加在烘箱等中进一步进行二次加热(二次固化)的工序。
在使用了稀土磁体成型体作为复合成型体的起始原料成型体时，可以通过第1工序和第2工序来制造成为产品的复合成型体，但在使用了稀土磁体前体作为复合成型体的起始原料成型体时，除了可以在第2工序后直接以中间产品的形式出品以外，还可以在进行了磁化工序的处理后以产品的形式出品。
(3-1)具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体与金属成型体的复合成型体的制造方法
根据本发明的一些例子，在第1工序中，通过上述的制造方法来制造具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体。
根据本发明的一些例子，在第2工序中，以使包含粗面化结构部的面朝上的方式将粗面化后的稀土磁体前体或稀土磁体成型体配置在模具内。然后，采用例如公知的压铸法将熔融状态的金属注入模具内后，进行冷却。
所使用的金属只要是熔点比构成稀土磁体前体或稀土磁体成型体的稀土磁体的熔点低的金属即可，没有限制。例如，可以选择铁、铝、铝合金、金、银、铂、铜、镁、钛或它们的合金、不锈钢等与复合成型体的用途相对应的金属。
在使用了稀土磁体成型体作为复合成型体的起始原料成型体时，可以通过第1工序和第2工序来制造成为产品的复合成型体，但在使用了稀土磁体前体作为复合成型体的起始原料成型体时，除了在第2工序后直接以中间产品的形式出品以外，还可以在进行了磁化工序的处理后以产品的形式出品。
(3-2)与具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体的复合成型体(具有粘接剂层)的制造方法
根据本发明的一些例子，第1工序和第2工序与上述的“(2-2)具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体与橡胶成型体的复合成型体(包含粘接剂层)的制造方法”的第1工序和第2工序同样地实施，制造具有粘接剂层的稀土磁体成型体。
根据本发明的一些例子，在第3工序中，将金属成型体按压至具有粘接剂层的具有粗面化结构的稀土磁体前体或稀土磁体成型体的粘接剂层，并进行粘接/一体化。在粘接剂层包含热塑性树脂类粘接剂时，可以在根据需要进行加热而使粘接剂层变软的状态下与非金属成型体的粘接面进行粘接。另外，在粘接剂层包含热固性树脂类粘接剂的预聚物时，在粘接后于加热气体氛围中放置而使预聚物加热固化。
在使用了稀土磁体成型体作为复合成型体的起始原料成型体时，可以通过第1工序和第2工序来制造成为产品的复合成型体，但在使用了稀土磁体前体作为复合成型体的起始原料成型体时，除了在第2工序后直接以中间产品的形式出品以外，还可以在进行了磁化工序的处理后以产品的形式出品。
(4)具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体与UV固化性树脂成型体的复合成型体的制造方法
根据本发明的一些例子，在第1工序中，通过上述的制造方法制造表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体。
根据本发明的一些例子，在接下来的工序中，使形成UV固化性树脂层的单体、低聚物或它们的混合物与稀土磁体前体或稀土磁体成型体的包含粗面化结构部分的部分接触(单体、低聚物或它们的混合物的接触工序)。
单体、低聚物或它们的混合物的接触工序可以实施将单体、低聚物或它们的混合物涂布于稀土磁体前体或稀土磁体成型体的包含粗面化结构部分的部分的工序。涂布单体、低聚物或它们的混合物的工序可以单独使用或组合使用刷涂、使用了刮板的涂布、辊涂、流延、浇灌等。
单体、低聚物或它们的混合物的接触工序可以实施用模框包围稀土磁体前体或稀土磁体成型体的包含粗面化结构部分的部分、并将单体、低聚物或它们的混合物注入上述模框内的工序。另外，单体、低聚物或它们的混合物的接触工序可以实施在以稀土磁体前体或稀土磁体成型体的粗面化部分朝上的状态放入模具内部后，将单体、低聚物或它们的混合物注入上述模具内部的工序。
根据该单体、低聚物或它们的混合物的接触工序，使单体、低聚物或它们的混合物进入稀土磁体前体或稀土磁体成型体的粗面化部分的多孔。对于单体、低聚物或它们的混合物进入多孔的形式而言，例如，在本发明的一个优选方式中单体、低聚物或它们的混合物进入孔总体的50％以上，在本发明的另一个优选方式中单体、低聚物或它们的混合物进入70％以上的孔，在本发明的另一个优选方式中单体、低聚物或它们的混合物进入80％以上的孔，在本发明的另一个优选方式中单体、低聚物或它们的混合物进入90％以上的孔，除了这些方式以外，还包括单体、低聚物或它们的混合物进入孔的底部的形式、单体、低聚物或它们的混合物进入孔深度的中间的深度的形式、单体、低聚物或它们的混合物仅进入孔的入口附近的形式混合存在的形式。
根据本发明的一些例子，对于单体、低聚物或它们的混合物而言，常温下为液体的那些(也包含低粘度的凝胶)、溶解于溶剂而成的溶液形式的那些可以直接涂布或注入，固体(粉末)的那些可以在加热熔融或溶解于溶剂之后进行涂布或注入。
根据本发明的一些例子，单体、低聚物或它们的混合物的接触工序中使用的单体、低聚物或它们的混合物可以选自自由基聚合性单体及自由基聚合性单体的低聚物，或者可以选自阳离子聚合性单体及上述单体的阳离子聚合性单体低聚物、或选自它们中的两种以上的混合物。
(自由基聚合性单体)
作为自由基聚合性化合物，可以列举在一个分子内具有1个以上的(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰氧基、(甲)丙烯酰氨基、乙烯基醚基、乙烯基芳基、乙烯基氧羰基等自由基聚合性基团的化合物等。
作为在一个分子内具有1个以上(甲基)丙烯酰基的化合物，可以列举：1-丁烯-3-酮、1-戊烯-3-酮、1-己烯-3-酮、4-苯基-1-丁烯-3-酮、5-苯基-1-戊烯-3-酮等、以及它们的衍生物等。
作为在一个分子内具有1个以上(甲基)丙烯酰氧基的化合物，可以列举：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸正月桂酯、(甲基)丙烯酸正硬脂酯、(甲基)丙烯酸正丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基二乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基三乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、琥珀酸2-(甲基)丙烯酰氧基乙酯、六氢邻苯二甲酸2-(甲基)丙烯酰氧基乙酯、邻苯二甲酸2-(甲基)丙烯酰氧基乙基-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、酸式磷酸2-(甲基)丙烯酰氧基乙酯、二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸二乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸三乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,9-壬二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,10-癸二醇酯、癸烷二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(甲基)丙烯酰氧基丙酯、二羟甲基三环癸烷二(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸全氟辛基乙酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸异肉豆蔻酯、γ-(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、1,1-双(丙烯酰氧基)乙基异氰酸酯、2-(2-(甲基)丙烯酰氧基乙氧基)乙基异氰酸酯、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷等、以及它们的衍生物等。
作为在一个分子内具有1个以上(甲基)丙烯酰氨基的化合物，可以列举：4-(甲基)丙烯酰基吗啉、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯酰胺、N-甲基(甲基)丙烯酰胺、N-乙基(甲基)丙烯酰胺、N-丙基(甲基)丙烯酰胺、N-异丙基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-正丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺、N-己基(甲基)丙烯酰胺、N-辛基(甲基)丙烯酰胺等、以及它们的衍生物等。
作为在一个分子内具有1个以上乙烯基醚基的化合物，可以列举例如：3,3-双(乙烯基氧基甲基)氧杂环丁烷、2-羟基乙基乙烯基醚、3-羟基丙基乙烯基醚、2-羟基丙基乙烯基醚、2-羟基异丙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、3-羟基丁基乙烯基醚、2-羟基丁基乙烯基醚、3-羟基异丁基乙烯基醚、2-羟基异丁基乙烯基醚、1-甲基-3-羟基丙基乙烯基醚、1-甲基-2-羟基丙基乙烯基醚、1-羟基甲基丙基乙烯基醚、4-羟基环己基乙烯基醚、1,6-己二醇单乙烯基醚、1,4-环己烷二甲醇单乙烯基醚、1,3-环己烷二甲醇单乙烯基醚、1,2-环己烷二甲醇单乙烯基醚、对苯二甲醇单乙烯基醚、间苯二甲醇单乙烯基醚、邻苯二甲醇单乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚、三乙二醇单乙烯基醚、四乙二醇单乙烯基醚、五乙二醇单乙烯基醚、低聚乙二醇单乙烯基醚、聚乙二醇单乙烯基醚、二丙二醇单乙烯基醚、三丙二醇单乙烯基醚、四丙二醇单乙烯基醚、五丙二醇单乙烯基醚、低聚丙二醇单乙烯基醚、聚丙二醇单乙烯基醚等、以及它们的衍生物等。
作为在一个分子内具有1个以上乙烯基芳基的化合物，可以列举：苯乙烯、二乙烯基苯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、羟基苯乙烯、乙烯基萘、乙烯基蒽、乙酸4-乙烯基苯酯、(4-乙烯基苯基)二羟基硼烷、N-(4-乙烯基苯基)马来酰亚胺等、以及它们的衍生物等。
作为在一个分子内具有1个以上乙烯基氧羰基的化合物，可以列举：甲酸异丙烯酯、乙酸异丙烯酯、丙酸异丙烯酯、丁酸异丙烯酯、异丁酸异丙烯酯、己酸异丙烯酯、戊酸异丙烯酯、异戊酸异丙烯酯、乳酸异丙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、辛酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、肉豆蔻酸乙烯酯、棕榈酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、环己烷甲酸乙烯酯、新戊酸乙烯酯、辛酸乙烯酯、单氯乙酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯、丙烯酸乙烯酯、甲基丙烯酸乙烯酯、巴豆酸乙烯酯、山梨酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、肉桂酸乙烯酯等、以及它们的衍生物等。
(阳离子聚合性单体)
作为阳离子聚合性单体，可以列举在一个分子内具有1个以上的环氧环(环氧乙烷基)、乙烯基醚基、乙烯基芳基等氧杂环丁基等以外的阳离子聚合性基团的化合物等。
作为在一个分子内具有1个以上环氧环的化合物，可以列举：缩水甘油基甲基醚、双酚A二缩水甘油醚、双酚F二缩水甘油醚、双酚S二缩水甘油醚、溴化双酚A二缩水甘油醚、溴化双酚F二缩水甘油醚、溴化双酚S二缩水甘油醚、环氧酚醛清漆树脂、氢化双酚A二缩水甘油醚、氢化双酚F二缩水甘油醚、氢化双酚S二缩水甘油醚、3,4-环氧环己烷甲酸3,4-环氧环己基甲酯、2-(3,4-环氧环己基-5,5-螺-3,4-环氧)环己烷间二氧杂环己烷、己二酸双(3,4-环氧环己基甲基)酯、己二酸双(3,4-环氧-6-甲基环己基甲基)酯、3,4-环氧-6-甲基环己基-3’,4’-环氧-6’-甲基环己烷甲酸酯、亚甲基双(3,4-环氧环己烷)、双环戊二烯二环氧化物、乙二醇的二(3,4-环氧环己基甲基)醚、亚乙基双(3,4-环氧环己烷羧酸酯)、环氧六氢邻苯二甲酸二辛酯、环氧六氢邻苯二甲酸二2-乙基己酯、1,4-丁二醇二缩水甘油醚、1,6-己二醇二缩水甘油醚、丙三醇三缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚类；通过向乙二醇、丙二醇、甘油等脂肪族多元醇加成1种或2种以上的环氧烷而得到的聚醚多元醇的聚缩水甘油醚类；脂肪族长链二元酸的二缩水甘油酯类；脂肪族高级醇的单缩水甘油醚类；苯酚、甲酚、丁基苯酚或通过向它们加成环氧烷而得到的聚醚醇的单缩水甘油醚类；高级脂肪酸的缩水甘油酯类等。
作为在一个分子内具有1个以上乙烯基醚基的化合物、在一个分子内具有1个以上乙烯基芳基的化合物，可以举出与作为自由基聚合性化合物而示例出的化合物相同的化合物。
作为在一个分子内具有1个以上氧杂环丁基的化合物，可以列举：氧杂环丁烷、3,3-双(乙烯基氧基甲基)氧杂环丁烷、3-乙基-3-羟甲基氧杂环丁烷、3-乙基-3-(2-乙基己基氧基甲基)氧杂环丁烷、3-乙基-3-(羟甲基)氧杂环丁烷、3-乙基-3-[(苯氧基)甲基]氧杂环丁烷、3-乙基-3-(己基氧基甲基)氧杂环丁烷、3-乙基-3-(氯甲基)氧杂环丁烷、3,3-双(氯甲基)氧杂环丁烷、1,4-双[(3-乙基-3-氧杂环丁基甲氧基)甲基]苯、双{[1-乙基(3-氧杂环丁基)]甲基}醚、4,4’-双[(3-乙基-3-氧杂环丁基)甲氧基甲基]双环己烷、1,4-双[(3-乙基-3-氧杂环丁基)甲氧基甲基]环己烷、3-乙基-3{[(3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲氧基]甲基}氧杂环丁烷等。
作为自由基聚合性单体和阳离子聚合性单体的低聚物，可以举出单官能或多官能(甲基)丙烯酸类低聚物。可以组合使用1种或2种以上。作为单官能或多官能(甲基)丙烯酸类低聚物，可以列举：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、环氧(甲基)丙烯酸酯低聚物、聚醚(甲基)丙烯酸酯低聚物、聚酯(甲基)丙烯酸酯低聚物等。
作为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物，可以列举：聚碳酸酯类氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯类氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚类氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、己内酯类氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物可以通过异氰酸酯化合物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯单体的反应而得到，所述异氰酸酯化合物可通过使多元醇与二异氰酸酯反应而得到。作为上述多元醇，可以列举：聚碳酸酯二醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇、聚己内酯多元醇。
环氧(甲基)丙烯酸酯低聚物例如可以通过低分子量的双酚型环氧树脂或酚醛清漆环氧树脂的环氧乙烷环与丙烯酸经酯化反应而得到。聚醚(甲基)丙烯酸酯低聚物可以通过以下方式得到：通过多元醇的脱水缩合反应得到两末端具有羟基的聚醚低聚物，接着，用丙烯酸将其两末端的羟基酯化。聚酯(甲基)丙烯酸酯低聚物例如可以通过以下方式得到：通过聚羧酸与多元醇的缩合而得到两末端具有羟基的聚酯低聚物，接着，用丙烯酸将其两末端的羟基酯化。
根据本发明的一些例子，单官能或多官能(甲基)丙烯酸类低聚物的重均分子量在本发明的一个优选方式中可以为100,000以下，在本发明的另一个优选方式中可以为500～50,000。
根据本发明的一些例子，在使用上述的单体、低聚物或它们的混合物时，相对于上述单体、低聚物或它们的混合物100质量份，在本发明的一个优选方式中，可以使用0.01～10质量份的光聚合引发剂。
在下一工序中，对与稀土磁体前体或稀土磁体成型体的包含粗面化结构部分的部分接触的单体、低聚物或它们的混合物照射UV使其固化，得到具有UV固化性树脂层的复合成型体。
(5)具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体彼此的复合成型体、或者具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体与不同种类的稀土磁体成型体的复合成型体的制造方法
具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体彼此的复合成型体例如可以通过使用多个形状不同的具有粗面化结构的稀土磁体前体或具有粗面化结构的稀土磁体成型体、并经由形成于它们的接合面的粘接剂层进行接合一体化来制造。上述粘接剂层例如可以与上述同样地将粘接剂涂布于稀土磁体前体或稀土磁体成型体的粗面化结构部分等来形成。作为粘接剂，可以使用与上述的其它复合成型体的制造中使用的粘接剂相同的粘接剂。
进一步，包含与稀土磁体前体或稀土磁体成型体不同种类的稀土磁体成型体的复合成型体也可以同样地制造。根据本发明的一些例子，在该实施方式中，除了在稀土磁体前体或稀土磁体成型体的粗面化结构部分例如与上述同样地形成粘接剂层并与不同种类的稀土磁体成型体接合一体化的方法以外，还可以将不同种类的稀土磁体成型体的表面也形成为粗面化结构，并在例如与上述同样地形成了粘接剂层之后，使稀土磁体前体或稀土磁体成型体的具有粘接剂层的面与不同种类的稀土磁体成型体的具有粘接剂层的面接合一体化，从而制造复合成型体。
作为将不同种类的稀土磁体成型体的表面进行粗面化的方法，例如，可以采用与本申请发明同样地照射连续波激光的方法、照射脉冲波激光的方法、用喷射加工、蚀刻加工等进行粗面化的方法。
各实施方式中的各方案及它们的组合等均为例子，可以在不脱离本发明的主旨的范围内适当进行方案的追加、省略、置换及其它变更。本发明并不受实施方式的限定，仅受权利要求书的限定。
实施例
以下的实施例及比较例中测定的一些数值如以下所述地进行测定。
抗弯强度(MPa)：通过弯曲试验得到的断裂时的应力值。
Sa(算术平均高度)(ISO 25178)：通过One-Shot 3D形状测定仪(KEYENCE公司制)以高倍相机模式(80倍)测定了稀土磁体前体的粗面化结构部分的面的3.8×2.8mm范围的Sa。
Sz(最大高度)(ISO 25178)：通过One-Shot 3D形状测定仪(KEYENCE公司制)以高倍相机模式(80倍)测定了稀土磁体前体的粗面化结构部分的面的3.8×2.8mm范围的Sz。
Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)：通过One-Shot 3D形状测定仪(KEYENCE公司制)以高倍相机模式(80倍)测定了稀土磁体前体的粗面化结构部分的面的3.8×2.8mm范围的Sdr。
Sdq(均方根斜率)(ISO 25178)：是根据定义区域的全部点的斜率的均方根而计算出的参数，完全平坦的面的Sdq为0。在表面存在倾斜时，Sdq增大，例如，在由45°倾斜成分构成的平面中，Sdq为1。通过One-Shot 3D形状测定仪(KEYENCE公司制)以高倍相机模式(80倍)进行了测定。
(H1、H2)
从实施例及比较例中得到的稀土磁体前体的粗面化结构部分(2mm×10mm＝20mm2)的范围随机选择10个部位，拍摄各部位的截面(各自的长度为500μm以上的截面)的SEM照片，从得到的SEM照片中选择最高的部分和最低的部分，结合基准面求出了H1(从相对于基准面隆起的最高的部分到相对于基准面变深了的槽部的最深的底面部的距离)、H2(从基准面到隆起部分的最高的顶端部的高度)。H2/H1以10个部位的平均值表示。
实施例1～9、比较例1～3
对于表1所示的种类的原料稀土磁体成型体及铁氧体磁体成型体(10×50×厚4mm的平板)的表面，使用下述的连续波激光装置在表1所示的条件下连续照射激光，进行了粗面化。
振荡器：IPG-Yb光纤；YLR-300-SM或YLR-1000-SM
振镜：SQUIREEL或RHINO(ARGES公司制)
聚光系统：fc＝80或110mm/fθ＝163mm
需要说明的是，双向照射、单向照射及交叉照射等如下所述地实施。
双向照射：以沿一个方向形成1个槽的方式以直线状照射连续波激光后，隔开0.08mm或0.12mm的间隔沿相反方向同样地以直线状照射连续波激光，重复进行以上操作。双向照射的间隔(表1中的间距)为相邻的槽的各自宽度的中间位置之间的距离。
单向照射：以沿一个方向形成1个槽的方式以直线状照射连续波激光后，隔开0.08mm或0.10mm的间隔沿相同方向同样地以直线状照射连续波激光，重复进行以上操作。单向照射的间隔(表1中的间距)为相邻的槽的各自宽度的中间位置之间的距离。
交叉照射：以隔开0.08mm的间隔形成10个槽(第1组槽)的方式照射连续波激光后，以沿着与第1组槽正交的方向隔开0.08mm的间隔形成10个槽(第2组槽)的方式进行了连续照射。
点照射：如图21(a)所示地照射脉冲波激光，形成了大量的点(孔)。
圆照射：如图21(b)所示地照射脉冲波激光，形成了大量的圆(环)。
将实施例1～9、比较例1～3的稀土磁体前体及铁氧体磁体成型体的具有粗面化结构的部分的Sa、Sz、Sdr的测定结果示于表1，将实施例1～9的表面的SEM照片示于图3～图12，将实施例2的厚度方向截面的SEM照片示于图4(a)、(b)，将实施例5的厚度方向截面的SEM照片示于图7(a)、(b)，将比较例1、2的通常的照片示于图13、图14。
进一步，使用实施例2及5中得到的具有粗面化结构的稀土磁体成型体制造了与树脂成型体(含有30质量％玻璃纤维的聚酰胺6的成型体)的复合成型体(图15)。该复合成型体是在将具有粗面化结构的稀土磁体成型体放入模具中的状态下以下述条件将含有30质量％玻璃纤维的聚酰胺6进行注塑成型而制造的。
注塑成型机：ROBOSHOT S2000i100B
成型温度：280℃
模具温度：100℃
使用得到的各复合成型体测定了稀土磁体成型体和树脂成型体的接合强度。
[拉伸试验]
使用图15所示的复合成型体进行拉伸试验，评价了剪切接合强度(S1)。将结果示于表1。拉伸试验依据ISO19095，在将稀土磁体成型体30侧的端部固定的状态下，以下述条件测定了将稀土磁体成型体30和树脂成型体31沿图15所示的X方向拉伸至发生断裂时直到接合面被破坏为止的最大负载。将结果示于表1。
＜拉伸试验条件＞
试验机：株式会社岛津制作所制造的AUTOGRAPH AG-X plus(50kN)
拉伸速度：10mm/min
夹具间距离：50mm
根据图3～图9的基于双方或单向照射的粗面化结构的SEM照片可知，在实施例1～7的稀土磁体前体形成了满足要件(a)～(c)的粗面化结构。
实施例1(图3(a)～(c))的粗面化结构包含以下的截面结构。即，在将未形成粗面化结构的面作为基准面时，厚度方向的截面形状是比上述基准面隆起的部分和形成了槽的部分混合存在的形状。H1/H2为0.2。
隆起部分的至少一部分具有顶端部的一部分变形成了钩形状的部分，顶端部的一部分变形成了环形状的部分是不完全的环。另外，槽部的至少一部分具有槽部中相对的内壁面彼此连接而成的内侧桥部(图3(b)中用圆圈出的部分)。
实施例2(图4(a)～(c))的粗面化结构包含以下的截面结构。即，在将未形成粗面化结构的面作为基准面时，厚度方向的截面形状是比上述基准面隆起的部分和形成了槽的部分混合存在的形状。H1/H2为0.3。
隆起部分的至少一部分具有顶端部的一部分变形成了钩形状的部分和顶端部的一部分变形成了环形状的部分。另外，槽部的至少一部分具有槽部中相对的内壁面彼此连接而成的内侧桥部(相当于图3(b)中用圆圈出的部分)。
实施例5(图7(a)～(c))的粗面化结构包含以下的截面结构。即，在将未形成粗面化结构的面作为基准面时，厚度方向的截面形状是比上述基准面隆起的部分和形成了槽的部分混合存在的形状。H1/H2为0.6。
隆起部分的至少一部分具有顶端部的一部分变形成了钩形状的部分和顶端部的一部分变形成了环形状的部分。另外，槽部的底面的截面形状具有曲面。
根据图10、图11的基于交叉照射的粗面化结构的SEM照片可知，实施例8、9的稀土磁体成型体形成了满足要件(a’)～(c’)的粗面化结构。即，实施例8(图10)、实施例9(图11)的交叉照射激光而形成的粗面化结构的凹凸包含格子状的槽部和被上述格子状的槽部包围的多个岛部。
实施例8(图10)中，形成了在一部分岛部之间桥连而成的桥部。实施例9(图11)中，形成了在一部分岛部之间桥连而成的桥部，桥部的比例(每单位面积的比例)比实施例8(图10)多。
另外，根据表1可知，实施例2、5的形成了粗面化结构的稀土磁体前体和树脂成型体可以形成为高接合强度的复合成型体。
如根据图13、图14也可以确认的那样，比较例1～3在照射连续波激光时试验片的一部分发生了折断(表1中的有破坏)。
实施例10～13、比较例4
对于表2所示的种类的原料稀土磁体成型体(10×50×厚4mm的平板)的表面，使用与实施例1相同的连续波激光装置，在表2所示的条件下连续照射激光而进行了粗面化。
对于实施例13中得到的具有粗面化结构的稀土磁体前体，以下述所示的方法及条件进行了磁化处理。确认了在磁化处理后，所有铁构件均带有了磁力。
然后，测定了经磁化处理后的具有粗面化结构的稀土磁体成型体的磁力。另外，也一并测定了未进行粗面化处理的情况下的稀土磁体成型体的磁力，并根据下式求出了磁力保持率(％)。
磁力保持率(％)＝具有粗面化结构的稀土磁体成型体的磁力(mT2)/未形成粗面化结构的稀土磁体成型体的磁力(mT1)×100
(磁化处理方法)
实施了公知的使用磁化线圈的磁化方法。
使用将充电至电容器中的电荷瞬时放电的电容器式磁化电源装置(脉冲式电源)，在将磁化对象放置在磁化线圈内的状态下，对磁化线圈通电大电流而进行了磁化。
(磁力测定方法)
在装有检测磁力的霍尔器件的板上放置样品，使用高斯计(HGM-8300系列；ADS公司制造)和个人电脑求出了磁力(mT)。
[表2]
实施例10(图16(a)～(c))的粗面化结构包含以下的截面结构。即，在将未形成粗面化结构的面作为基准面时，厚度方向的截面形状是比上述基准面隆起的部分和形成了槽的部分混合存在的形状。H1/H2为0.2。
隆起部分的至少一部分具有顶端部的一部分变形成了环形状的部分。另外，槽部的至少一部分具有槽部中相对的内壁面彼此连接而成的内侧桥部(相当于图3(b)中用圆圈出的部分)。
实施例11(图17(a)～(c))的粗面化结构包含以下的截面结构。即，在将未形成粗面化结构的面作为基准面时，厚度方向的截面形状是比上述基准面隆起的部分和形成了槽的部分混合存在的形状。H1/H2为0.2。
隆起部分的至少一部分具有顶端部的一部分变形成了环形状的部分。另外，槽部的至少一部分具有槽部中相对的内壁面彼此连接而成的内侧桥部(相当于图3(b)中用圆圈出的部分)。
实施例12(图18(a)～(c))的粗面化结构包含以下的截面结构。即，在将未形成粗面化结构的面作为基准面时，厚度方向的截面形状是比上述基准面隆起的部分和形成了槽的部分混合存在的形状。H1/H2为0.3。
隆起部分的至少一部分具有顶端部的一部分变形成了钩形状的部分和顶端部的一部分变形成了环形状的部分。另外，槽部的至少一部分具有槽部中相对的内壁面彼此连接而成的内侧桥部(相当于图3(b)中用圆圈出的部分)。
与实施例11～13的粗面化结构相比，比较例4(图20(a)～(c))的粗面化结构是严重被破坏的结构，试验片的一部分也发生了折断(表2中的有破坏)。
实施例14～19
对于表3所示的种类的原料稀土磁体成型体及铁氧体磁体成型体(10×50×厚4mm的平板)的表面，使用下述的激光装置，在表3所示的条件下照射脉冲波激光而进行了粗面化。
振荡器：IPG-Yb-Fiber Laser；YLP-1-50-30-30-RA
振镜：XD30+SCANLAB公司HurrySCAN10
聚光系统：扩束器2倍/fθ＝100mm
然后，与实施例1同样地制造了具有粗面化结构的稀土磁体成型体与树脂成型体(含有30质量％玻璃纤维的聚酰胺6的成型体)的复合成型体(图16)。使用得到的各复合成型体，与实施例1同样地测定了稀土磁体成型体与树脂成型体的接合强度。
[表3]
在实施例14(图22)中，虽然交替地形成了线状凹部和线状凸部，但线状凹部的一部分与相邻的凸部成为一体，形成盖(外侧桥部)，包含了变得不连续的部分。
在实施例15(图23)中，槽(线状槽)成为不连续的，存在大量独立的凹部，上述凹部的周围成为了凸部。
在实施例16(图24)中，形成了圆形凹部和环状凸部，从环状凸部的内侧向圆形凹部内形成了钩状的突出部。另外，具有由相邻的4个环状凸部包围而成的凹部。
在实施例17(图25)中，相邻的环状凸部彼此是独立的，但具有从外周壁部向外侧突出的大量突起。也存在相邻的环状凸部的突起彼此相互接触的部分，还存在相邻的环状凸部的突起彼此连接在一起的部分。
实施例18(图26)是与实施例14相似的粗面化结构。
在实施例19(图27)中，重复次数少至一次，一个方向的槽深度变浅，因此没有形成明确的岛部。其结果是包含了一部分不连续的线状凹部和一部分不连续的线状凸部混合存在的结构。
工业实用性
对于本发明的表面具有粗面化结构的稀土磁体前体或稀土磁体成型体而言，经过了磁化后的产品其本身可以用作永磁体，除此以外，也可以作为上述稀土磁体成型体与树脂、橡胶、弹性体、金属等的复合成型体的制造中间体而使用。

Claims (45)

1.一种稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其在表面具有粗面化结构，其中，
所述具有粗面化结构的面具有沿着长度方向形成的线状凸部、和沿着与所述长度方向相同的方向形成的线状凹部，所述线状凸部和所述线状凹部在与所述长度方向正交的方向上等间隔地或隔开不同间隔地交替形成有多个，
所述多个线状凸部彼此的宽度方向中间位置的间隔或所述多个线状凹部彼此的宽度方向中间位置的间隔为0.03～1.0mm的范围，
在具有粗面化结构的面形成有满足下述要件(a)～(c)中至少一项的凹凸，
(a)Sa(算术平均高度)(ISO 25178)为5～300μm，
(b)Sz(最大高度)(ISO 25178)为50～1500μm，
(c)Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)为0.3～12。
2.一种稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其在表面具有粗面化结构，其中，
所述具有粗面化结构的面具有沿着长度方向形成的线状凸部、和沿着与所述长度方向相同的方向形成的线状凹部，
所述线状凸部和所述线状凹部在与所述长度方向正交的方向上等间隔地或隔开不同间隔地交替形成有多个，
所述多个线状凸部彼此的宽度方向中间位置的间隔或所述多个线状凹部彼此的宽度方向中间位置的间隔为0.03～1.0mm的范围，
所述线状凸部和所述线状凹部具有在与长度方向正交的方向上相邻的线状凸部彼此以相互接近的方式变形成钩状的部分、以及在与长度方向正交的方向上相邻的线状凸部彼此相互桥连而成的外侧桥部中的至少一者，
在具有粗面化结构的面形成有满足下述要件(a)～(c)中至少一项的凹凸，
(a)Sa(算术平均高度)(ISO 25178)为5～300μm，
(b)Sz(最大高度)(ISO 25178)为50～1500μm，
(c)Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)为0.3～12。
3.一种稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其在表面具有粗面化结构，其中，
所述具有粗面化结构的面是多个凹部区域和多个凸部区域在长度方向上混合存在而形成的，在所述长度方向上混合存在而形成的多个凹部区域和多个凸部区域的列在与长度方向正交的方向上形成为多列，
所述多个凹部区域彼此的宽度方向中间位置的间隔或所述多个凸部区域彼此的宽度方向中间位置的间隔为0.03～1.0mm的范围，
在具有粗面化结构的面形成有满足下述要件(a)～(c)中至少一项的凹凸，
(a)Sa(算术平均高度)(ISO 25178)为5～300μm，
(b)Sz(最大高度)(ISO 25178)为50～1500μm，
(c)Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)为0.3～12。
4.一种稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其在表面具有粗面化结构，其中，
所述具有粗面化结构的面是多个凹部区域和多个凸部区域在长度方向上混合存在而形成的，在长度方向上混合存在而形成的多个凹部区域和所述多个凸部区域的列在与长度方向正交的方向上形成为多列，
且具有在与长度方向正交的方向上相邻的凸部区域的凸部彼此以相互接近的方式变形成钩状的部分、以及在与长度方向正交的方向上相邻的凸部区域的凸部彼此相互桥连而成的外侧桥部中的至少一者，
所述多个凹部区域彼此的宽度方向中间位置的间隔或所述多个凸部区域彼此的宽度方向中间位置的间隔为0.03～1.0mm的范围，
在具有粗面化结构的面形成有满足下述要件(a)～(c)中至少一项的凹凸，
(a)Sa(算术平均高度)(ISO 25178)为5～300μm，
(b)Sz(最大高度)(ISO 25178)为50～1500μm，
(c)Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)为0.3～12。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其中，
所述间隔为0.03～0.2mm的范围。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其中，
在将未形成粗面化结构的面作为基准面时，所述具有粗面化结构的面在厚度方向的截面形状中混合存在有比所述基准面隆起的部分和形成了比所述基准面更深的槽部的部分，
从所述隆起部分的最高的顶端部至所述槽部的最深的底面部的距离(H1)、与从所述基准面至所述隆起部分的最高的顶端部的高度(H2)之比(H2/H1)为0.1～0.7的范围。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其中，
在将未形成粗面化结构的面作为基准面时，所述具有粗面化结构的面在厚度方向的截面形状中混合存在有比所述基准面隆起的部分和形成了比所述基准面更深的槽部的部分，
从所述隆起部分的最高的顶端部至所述槽部的最深的底面部的距离(H1)、与从所述基准面至所述隆起部分的最高的顶端部的高度(H2)之比(H2/H1)为0.1～0.7的范围，
所述隆起部分的至少一部分具有顶端部的一部分变形成钩形状的部分和顶端部的一部分变形成环状的部分中的至少一者，所述槽部的至少一部分具有槽部中相对的内壁面彼此连接而成的内侧桥部，且底面的截面形状具有曲面。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其中，
要件(a)的Sa(算术平均高度)为5～200μm，
要件(b)的Sz(最大高度)为150～1300μm，
要件(c)的Sdr(界面扩展面积比)为0.3～10。
9.根据权利要求1～4中任一项所述的稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其中，
要件(a)的Sa(算术平均高度)为10～150μm，
要件(b)的Sz(最大高度)为200～1200μm，
要件(c)的Sdr(界面扩展面积比)为0.3～8。
10.一种稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其在表面具有粗面化结构，其中，
具有粗面化结构的面具有由凹部包围而成的多个独立的凸部、或者具有多个独立的凹部及其周围的凸部，
所述多个独立的凸部或所述多个独立的凹部中，沿着长度方向形成的线状凸部、和沿着与所述长度方向相同的方向形成的线状凹部由沿着与所述长度方向正交的方向等间隔地或隔开不同间隔地交替形成有多个的第1组线状凸部及线状凹部、和沿着与所述第1组线状凸部及线状凹部交叉的方向形成的等间隔地或隔开不同间隔地交替形成有多个的第2组线状凸部及线状凹部形成，
所述第1组线状凸部彼此的宽度方向中间位置的间隔及所述第1组线状凹部彼此的宽度方向中间位置的间隔、以及所述第2组线状凸部彼此的宽度方向中间位置的间隔及所述第2组线状凹部彼此的宽度方向中间位置的间隔为0.03～1.0mm的范围，
在具有粗面化结构的面形成有满足下述要件(a’)～(c’)中至少一项的凹凸，(a’)Sa(算术平均高度)(ISO 25178)为5～150μm，
(b’)Sz(最大高度)(ISO 25178)为50～700μm，
(c’)Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)为0.3～6。
11.根据权利要求10所述的稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其中，
所述间隔为0.03～0.2mm的范围。
12.根据权利要求10或11所述的稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其中，
要件(a’)的Sa(算术平均高度)为5～100μm，
要件(b’)的Sz(最大高度)为100～600μm，
要件(c’)的Sdr(界面扩展面积比)为0.3～5。
13.根据权利要求10或11所述的稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其中，
要件(a’)的Sa(算术平均高度)为10～50μm，
要件(b’)的Sz(最大高度)为120～500μm，
要件(c’)的Sdr(界面扩展面积比)为0.35～4。
14.根据权利要求1～4及10中任一项所述的稀土磁体前体或稀土磁体成型体，其中，
所述稀土磁体前体或所述稀土磁体成型体在表面形成粗面化结构之前的抗弯强度为80MPa以上、待形成粗面化结构的部分的厚度为0.5mm以上。
15.一种稀土磁体前体的制造方法，所述稀土磁体前体在表面具有粗面化结构，其中，
所述在表面具有粗面化结构的稀土磁体前体在具有粗面化结构的面形成有满足下述要件(a)～(c)中至少一项的凹凸，
(a)Sa(算术平均高度)(ISO 25178)为5～300μm，
(b)Sz(最大高度)(ISO 25178)为50～1500μm，
(c)Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)为0.3～12，
该方法包括：
以满足下述的要件(i)～(v)的方式对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射脉冲波激光而形成粗面化结构的工序，
(i)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的照射角度为15度～90度，
(ii)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的照射速度为10～1000mm/sec，
(iii)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的能量密度为0.1～50GW/cm2，
(iv)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的重复次数为1～80次，
(v)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的间距间隔为0.03～1.0mm。
16.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述在表面具有粗面化结构的稀土磁体前体的具有粗面化结构的面具有沿着长度方向形成的线状凸部、和沿着与长度方向相同的方向形成的线状凹部，
所述线状凸部和所述线状凹部在与长度方向正交的方向上交替地形成。
17.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述在表面具有粗面化结构的稀土磁体前体的具有粗面化结构的面具有沿着长度方向形成的线状凸部、和沿着与长度方向相同的方向形成的线状凹部，
所述线状凸部和所述线状凹部在与长度方向正交的方向上交替地形成，且具有在与长度方向正交的方向上相邻的线状凸部彼此以相互接近的方式变形成钩状的部分、以及在与长度方向正交的方向上相邻的线状凸部彼此相互桥连而成的外侧桥部中的至少一者。
18.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述在表面具有粗面化结构的稀土磁体前体的具有粗面化结构的面是多个凹部区域和多个凸部区域在长度方向上混合存在而形成的，在所述长度方向上混合存在而形成的多个凹部区域和多个凸部区域的列在与长度方向正交的方向上形成为多列。
19.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述在表面具有粗面化结构的稀土磁体前体的具有粗面化结构的面是多个凹部区域和多个凸部区域在长度方向上混合存在而形成的，在所述长度方向上混合存在而形成的多个凹部区域和所述多个凸部区域的列在与长度方向正交的方向上形成为多列，
且具有在与长度方向正交的方向上相邻的凸部区域的凸部彼此以相互接近的方式变形成钩状的部分、以及在与长度方向正交的方向上相邻的凸部区域的凸部彼此相互桥连而成的外侧桥部中的至少一者。
20.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述在表面具有粗面化结构的稀土磁体前体的具有粗面化结构的面具有多个圆形凹部、和在所述多个圆形凹部的周围形成的多个环状凸部，具有由相邻的所述多个环状凸部包围而成的凹部，所述环状凸部的全部或部分具有向内侧的圆形凹部突出的钩状的突出部。
21.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述在表面具有粗面化结构的稀土磁体前体的具有粗面化结构的面具有多个圆形凹部、和在所述多个圆形凹部的周围形成的多个环状凸部，具有由相邻的所述多个环状凸部包围而成的凹部，所述多个环状凸部具有从外周壁部向外侧突出的多个突起。
22.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
在将未形成粗面化结构的面作为基准面时，所述在表面具有粗面化结构的稀土磁体前体的具有粗面化结构的面在厚度方向的截面形状中混合存在有比所述基准面隆起的部分和形成了比所述基准面更深的槽部的部分，
从所述隆起部分的最高的顶端部至所述槽部的最深的底面部的距离(H1)、与从所述基准面至所述隆起部分的最高的顶端部的高度(H2)之比(H2/H1)为0.1～0.7的范围。
23.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
在将未形成粗面化结构的面作为基准面时，所述在表面具有粗面化结构的稀土磁体前体的具有粗面化结构的面在厚度方向的截面形状中混合存在有比所述基准面隆起的部分和形成了比所述基准面更深的槽部的部分，
从所述隆起部分的最高的顶端部至所述槽部的最深的底面部的距离(H1)、与从所述基准面至所述隆起部分的最高的顶端部的高度(H2)之比(H2/H1)为0.1～0.7的范围，
所述隆起部分的至少一部分具有顶端部的一部分变形成钩形状的部分和顶端部的一部分变形成环状的部分中的至少一者，所述槽部的至少一部分具有槽部中相对的内壁面彼此连接而成的内侧桥部，且底面的截面形状具有曲面。
24.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
要件(a)的Sa(算术平均高度)为5～200μm，
要件(b)的Sz(最大高度)为150～1300μm，
要件(c)的Sdr(界面扩展面积比)为0.3～10。
25.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
要件(a)的Sa(算术平均高度)为10～150μm，
要件(b)的Sz(最大高度)为200～1200μm，
要件(c)的Sdr(界面扩展面积比)为0.3～8。
26.根据权利要求15所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述稀土磁体前体在表面形成粗面化结构之前的抗弯强度为80MPa以上、待形成粗面化结构的部分的厚度为0.5mm以上。
27.一种稀土磁体前体的制造方法，所述稀土磁体前体在表面具有粗面化结构，其中，
所述在表面具有粗面化结构的稀土磁体前体在具有粗面化结构的面具有由凹部包围而成的多个独立的凸部、或者具有多个独立的凹部及其周围的凸部，
且在具有粗面化结构的面形成有满足下述要件(a’)～(c’)中至少一项的凹凸，
(a’)Sa(算术平均高度)(ISO 25178)为5～150μm，
(b’)Sz(最大高度)(ISO 25178)为50～700μm，
(c’)Sdr(界面扩展面积比)(ISO 25178)为0.3～6，
该方法包括：
以满足下述的要件(i)～(v)的方式对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射脉冲波激光而形成粗面化结构的工序，
(i)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的照射角度为15度～90度，
(ii)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的照射速度为10～1000mm/sec，
(iii)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的能量密度为0.1～50GW/cm2，
(iv)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的重复次数为1～80次，
(v)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的间距间隔为0.03～1.0mm。
28.根据权利要求27所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
要件(a’)的Sa(算术平均高度)为5～100μm，
要件(b’)的Sz(最大高度)为100～600μm，
要件(c’)的Sdr(界面扩展面积比)为0.3～5。
29.根据权利要求27所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
要件(a’)的Sa(算术平均高度)为10～50μm，
要件(b’)的Sz(最大高度)为120～500μm，
要件(c’)的Sdr(界面扩展面积比)为0.35～4。
30.根据权利要求27所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述稀土磁体前体在表面形成粗面化结构之前的抗弯强度为80MPa以上、待形成粗面化结构的部分的厚度为0.5mm以上。
31.根据权利要求15～30中任一项所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述要件(i)～(v)为下述的数值范围，
(i)15度～90度，
(ii)10～500mm/sec，
(iii)0.1～50GW/cm2，
(iv)3～50次，
(v)0.03～0.8mm。
32.根据权利要求15～30中任一项所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述要件(i)～(v)为下述的数值范围，
(i)15度～90度，
(ii)10～300mm/sec，
(iii)0.1～20GW/cm2，
(iv)5～30次，
(v)0.03～0.5mm。
33.根据权利要求15～30中任一项所述的稀土磁体前体的制造方法，其中，
所述要件(i)～(v)为下述的数值范围，
(i)45度～90度，
(ii)10～80mm/sec，
(iii)0.5～5GW/cm2，
(iv)5～30次，
(v)0.05～0.5mm。
34.一种稀土磁体成型体的制造方法，该方法包括：
通过权利要求15～33中任一项所述的稀土磁体前体的制造方法制造稀土磁体前体的工序；和
得到所述稀土磁体前体被磁化而成的稀土磁体成型体的工序，
其中，磁化工序具有对所述稀土磁体前体进行磁化的工序和对所述稀土磁体成型体进行磁化的工序的多次磁化工序，
所述多次磁化工序是以使最初的磁化处理的进行磁化的磁力最小、最后的磁化处理的进行磁化的磁力最大的方式依次增强进行磁化的磁力的工序。
35.一种复合成型体，其是权利要求1～14中任一项所述的稀土磁体前体或稀土磁体成型体与下述其它成型体的复合成型体，所述其它成型体选自热塑性树脂、热塑性弹性体、橡胶、热固性树脂、紫外线固化性树脂、金属、与所述稀土磁体前体种类不同的稀土磁体前体、与所述稀土磁体成型体种类不同的稀土磁体成型体，
所述复合成型体是通过使所述其它成型体的一部分直接进入所述稀土磁体前体或所述稀土磁体成型体的粗面化结构的凹凸内部而经过了接合一体化的复合成型体，或者是使粘接剂进入所述稀土磁体前体或所述稀土磁体成型体的粗面化结构的凹凸内部、并经由所述粘接剂使所述稀土磁体前体或所述稀土磁体成型体与所述其它成型体经过了接合一体化的复合成型体。
36.一种复合成型体的制造方法，其是制造权利要求35所述的复合成型体的方法，
所述复合成型体的制造方法是选自下述方法中的任意方法：
(i)依次实施对所述稀土磁体成型体的原料成型体进行磁化处理的第1次磁化工序、形成粗面化结构的工序、复合成型体的制造工序、对构成所述复合成型体的稀土磁体成型体进行磁化处理的第2次磁化工序的方法；
(ii)依次实施在所述稀土磁体成型体的原料成型体形成粗面化结构的工序、进行磁化处理的第1次磁化工序、复合成型体的制造工序、对构成所述复合成型体的稀土磁体成型体进行磁化处理的第2次磁化工序的方法；
(iii)依次实施对所述稀土磁体成型体的原料成型体进行磁化处理的第1次磁化工序、形成粗面化结构的工序、第2次磁化工序、复合成型体的制造工序、对构成所述复合成型体的稀土磁体成型体进行磁化处理的第3次磁化工序的方法，
所述复合成型体的制造工序是使所述稀土磁体成型体或作为未经磁化的稀土磁体成型体的稀土磁体前体、与其它成型体接合一体化的工序，所述其它成型体选自热塑性树脂、热塑性弹性体、橡胶、热固性树脂、紫外线固化性树脂、金属、与所述稀土磁体前体种类不同的稀土磁体前体、与所述稀土磁体成型体种类不同的稀土磁体成型体。
37.根据权利要求36所述的复合成型体的制造方法，其中，
多次磁化工序是以使最初的磁化处理的进行磁化的磁力最小、最后的磁化处理的进行磁化的磁力最大的方式依次增强进行磁化的磁力的工序。
38.根据权利要求36所述的复合成型体的制造方法，其中，
在所述复合成型体的制造工序中的接合一体化方法是使用模具的方法时，使在所述复合成型体的制造工序之前实施的磁化工序中的磁化力最小。
39.根据权利要求36～38中任一项所述的复合成型体的制造方法，其中，
所述形成粗面化结构的工序是实施选自喷射加工、砂纸、锉、金属抛光机中的加工方法而形成粗面化结构的工序。
40.根据权利要求36～38中任一项所述的复合成型体的制造方法，其中，所述形成粗面化结构的工序是使用连续波激光以能量密度1MW/cm2以上、照射速度2800mm/sec以上进行连续照射而形成粗面化结构的工序。
41.根据权利要求36～38中任一项所述的复合成型体的制造方法，其中，
所述形成粗面化结构的工序具有使用连续波激光以能量密度1MW/cm2以上、照射速度2800mm/sec以上连续照射激光而形成粗面化结构的工序，
所述激光的照射工序是选自下述四种工序中的任意一种工序：
在对成为粗面化对象的稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时，
使用光纤激光装置，调整占空比，以使激光的照射部分和非照射部分交替产生的方式进行照射的工序，所述光纤激光装置是将对激光的驱动电流进行直接转换的直接调制方式的调制装置与激光电源连接而成的装置，所述占空比是根据激光的输出的ON时间和OFF时间并利用下式而求出的；
使用振镜和振镜控制器的组合，将由激光振荡器连续地振荡出的激光利用振镜控制器进行脉冲化，由此调整占空比，经由振镜以使激光的照射部分和非照射部分交替产生的方式进行照射的工序，所述占空比是根据激光的输出的ON时间和OFF时间并利用下式而求出的；
通过机械性地斩波而进行脉冲化的方法调整利用下式求出的占空比，以使激光的照射部分和非照射部分交替产生的方式进行照射的工序；以及
使用Q开关脉冲振荡方法调整占空比，以使激光的照射部分和非照射部分交替产生的方式进行照射的工序，所述占空比是根据激光的输出的ON时间和OFF时间并利用下式而求出的，
占空比(％)＝ON时间/(ON时间+OFF时间)×100。
42.根据权利要求36～38中任一项所述的复合成型体的制造方法，其中，
所述形成粗面化结构的工序具有以满足下述要件(i)～(v)的方式照射脉冲波激光而形成粗面化结构的工序，
(i)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的照射角度为15度～90度，
(ii)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的照射速度为10～1000mm/sec，
(iii)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的能量密度为0.1～50GW/cm2，
(iv)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的重复次数为1～80次，
(v)对所述稀土磁体前体的原料成型体的表面照射激光时的间距间隔为0.03～1.0mm。
43.根据权利要求36～38中任一项所述的复合成型体的制造方法，其中，
所述要件(i)～(v)为下述的数值范围，
(i)15度～90度，
(ii)10～500mm/sec，
(iii)0.1～50GW/cm2，
(iv)3～50次，
(v)0.03～0.8mm。
44.根据权利要求36～38中任一项所述的复合成型体的制造方法，其中，
所述要件(i)～(v)为下述的数值范围，
(i)15度～90度，
(ii)10～300mm/sec，
(iii)0.1～20GW/cm2，
(iv)5～30次，
(v)0.03～0.5mm。
45.根据权利要求36～38中任一项所述的复合成型体的制造方法，其中，
所述要件(i)～(v)为下述的数值范围，
(i)45度～90度，
(ii)10～80mm/sec，
(iii)0.5～5GW/cm2，
(iv)5～30次，
(v)0.05～0.5mm。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023186313A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Zf Cv Systems Europe Bv A brake valve with a magnet holder for a position sensor

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103875046A (zh) * 2011-10-13 2014-06-18 Tdk株式会社 R-t-b系合金薄片、r-t-b系烧结磁体及其制造方法
WO2017171013A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 新日鐵住金株式会社 方向性電磁鋼板

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5074929A (en) 1989-08-28 1991-12-24 General Motors Corporation Method of making a permanent magnet sensor element with a soft magnetic layer
JPH08186016A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd めっき被膜を有するボンド磁石とその製造方法
JP2856131B2 (ja) * 1995-12-19 1999-02-10 三菱化学株式会社 磁気記録媒体の突起形成方法及び磁気記録媒体
JP3709292B2 (ja) * 1998-10-16 2005-10-26 ミネベア株式会社 樹脂結合型希土類磁石
JP3781095B2 (ja) * 2000-02-15 2006-05-31 信越化学工業株式会社 耐食性希土類磁石の製造方法
JP2002124414A (ja) * 2000-08-11 2002-04-26 Sumitomo Special Metals Co Ltd 希土類磁石の着磁方法および回転機の製造方法
US7378772B2 (en) 2003-01-28 2008-05-27 Honda Motor Co., Ltd. Rotor for permanent magnet motor
JP2005152960A (ja) 2003-11-26 2005-06-16 Aisin Seiki Co Ltd 磁性体の加工方法及び磁性体加工装置
JP4840225B2 (ja) * 2007-03-29 2011-12-21 Ｔｄｋ株式会社 磁石の製造方法及び成形体
WO2011048652A1 (ja) * 2009-10-19 2011-04-28 三菱電機株式会社 着磁装置、永久磁石式電動機の製造方法
JP6055529B2 (ja) 2010-12-28 2016-12-27 株式会社ダイセル 複合成形体の製造方法
JP5848104B2 (ja) 2011-11-21 2016-01-27 株式会社ダイセル 複合成形体の製造方法
JP5788836B2 (ja) 2012-07-13 2015-10-07 ダイセルポリマー株式会社 複合成形体とその製造方法
JP5889775B2 (ja) 2012-09-04 2016-03-22 ダイセルポリマー株式会社 複合成形体とその製造方法
JP5798535B2 (ja) 2012-09-07 2015-10-21 ダイセルポリマー株式会社 複合成形体の製造方法
JP5798534B2 (ja) 2012-09-07 2015-10-21 ダイセルポリマー株式会社 複合成形体の製造方法
JP6111679B2 (ja) * 2013-01-17 2017-04-12 日産自動車株式会社 界磁極用磁石体とその製造方法
EP2962839B1 (en) 2013-02-27 2017-04-12 Bridgestone Corporation Method for manufacturing conveyor belt with ends, method for splicing conveyor belts with ends, method for manufacturing endless conveyor belt and conveyor belt device
JP5932700B2 (ja) 2013-03-29 2016-06-08 ダイセルポリマー株式会社 複合成形体の製造方法
US9754719B2 (en) 2013-08-29 2017-09-05 Nissan Motor Co., Ltd. Cutting method and cutting device of manufacturing magnet piece forming magnet body for field pole to be arranged in rotating electric machine
JP2015220974A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 睦月電機株式会社 永久磁石形回転電機のロータコア用永久磁石
JP6489908B2 (ja) 2014-12-03 2019-03-27 ダイセルポリマー株式会社 複合成形体とその製造方法
US9775974B2 (en) * 2015-01-22 2017-10-03 Medtronic Xomed, Inc. Corrosion-resistant magnetic article
JP6706487B2 (ja) * 2015-11-19 2020-06-10 日東電工株式会社 希土類永久磁石をもった回転子を備える回転電機
JP6465459B2 (ja) * 2015-12-24 2019-02-06 株式会社オートネットワーク技術研究所 複合材料成形体、リアクトル、及び複合材料成形体の製造方法
JP6329598B2 (ja) 2016-08-26 2018-05-23 ダイセルポリマー株式会社 複合成形体の製造方法
TWI719259B (zh) 2016-09-23 2021-02-21 日商日東電工股份有限公司 稀土類燒結磁石形成用燒結體及其製造方法
JP7058078B2 (ja) * 2017-03-10 2022-04-21 株式会社ダイセル 複合成形体とその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103875046A (zh) * 2011-10-13 2014-06-18 Tdk株式会社 R-t-b系合金薄片、r-t-b系烧结磁体及其制造方法
WO2017171013A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 新日鐵住金株式会社 方向性電磁鋼板

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