CN113122263A - 半导体纳米材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种半导体纳米材料的制备方法。本发明提供的制备方法，包括：将ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物溶解于水溶液中，获得前驱体溶液；ⅡB族前驱体的ⅡB族原子和胺类化合物的摩尔比为10:(10‑30)；将前驱体溶液在巯基化合物的分解温度以下进行第一加热反应，然后升温至巯基化合物的分解温度以上并继续进行第二加热反应，获得一维核壳半导体纳米材料；一维核壳半导体纳米材料包括：一维半导体纳米晶核和包覆设置于一维半导体纳米晶核表面的壳层，一维半导体纳米晶核为ⅡB‑ⅥA族半导体纳米晶，壳层的材料为ⅡB族原子的硫化物。操作简便，且由此可获得尺寸分布小、大颗粒杂质少、成膜性好的半导体纳米材料。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种半导体纳米材料的制备方法。
背景技术
由于具有激发光谱宽、发射光谱窄、发光波长可调、发光效率高等光学特性，ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶有望取代传统的稀土掺杂氧化物发光材料，制备新型的发光二极管，并逐步应用在电视机、笔记本电脑、移动通讯设备等其他显示设备领域，成为信息时代的关键显示材料。
由于一维半导体纳米晶材料能为电子运输提供自然通道，电子在一维半导体纳米晶中传输阻力小，迁移速率快，可优化光电器件的性能。同时，一维纳米晶在成膜制备光电器件过程中，容易发生相互交叉，这使得材料的成膜性能更好，光电器件性能也得以优化。近年来，一维半导体纳米晶光电材料了受到广泛的关注。当前，研究人员尝试了多种方法制备一维半导体纳米晶，例如模板法、溶剂热法、电沉积法等，但是，现有的制备方法比较繁琐，且得到的一维半导体纳米晶尺寸分布宽，大颗粒杂质多，纯度低。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种半导体纳米材料的制备方法、半导体纳米材料、发光薄膜和显示器件。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
一种半导体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：
将ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物溶解于水溶液中，获得前驱体溶液；
将所述前驱体溶液在所述巯基化合物的分解温度以下进行第一加热反应，然后升温至所述巯基化合物的分解温度以上并继续进行第二加热反应，得到所述半导体纳米材料。
本发明提供的半导体纳米材料的制备方法，通过将溶解有ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物的前驱体溶液依次进行第一加热反应和第二加热反应，并调整控制反应温度，以及调整胺类化合物的用量配比，合成了具有核壳结构的一维半导体纳米材料，工艺优化，操作简便，而且，由此得到的半导体纳米材料尺寸分布小，大颗粒杂质少，纯度高，形貌规整，成膜性好。
相应的，一种半导体纳米材料，由上述制备方法制得的，包括：ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶和包覆设置于所述ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶表面的ⅡB族原子的硫化物壳层。
本发明提供的由上述制备方法制得的半导体纳米材料尺寸分布小，大颗粒杂质少，纯度高，形貌规整，成膜性好。
相应的，一种发光薄膜，所述发光薄膜的材料包括：前述制备方法制得的半导体纳米材料或上述半导体纳米材料。
本发明提供的发光薄膜，其材料为上述制备方法制得的半导体纳米材料，发射光谱窄，电子迁移速率高，发光效率高。
相应的，一种显示器件，包括：发光层，所述发光层为上述发光薄膜。
本发明提供的显示器件，其发光层上述发光薄膜，可从整体上提高显示器件的发光性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种半导体纳米材料的制备方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的一种显示器件的结构简图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种半导体纳米材料的制备方法，如图1所示，包括以下步骤：
S01、将ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物溶解于水溶液中，获得前驱体溶液；
S02、将所述前驱体溶液在所述巯基化合物的分解温度以下进行第一加热反应，然后升温至所述巯基化合物的分解温度以上并继续进行第二加热反应，得到所述半导体纳米材料。
本发明实施例提供的半导体纳米材料的制备方法，通过将溶解有ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物的前驱体溶液依次进行第一加热反应和第二加热反应，并调整控制反应温度，以及调整胺类化合物的用量配比，合成了具有核壳结构的一维半导体纳米材料，工艺优化，操作简便，而且，由此得到的半导体纳米材料尺寸分布小，大颗粒杂质少，纯度高，形貌规整，成膜性好。
具体的，在步骤S01中，将ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物溶解于水溶液中，以制备获得前驱体溶液。将ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物溶解于水溶液的步骤可参考本领域常规操作，例如机械搅拌和/或超声，以促进ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物充分溶解在水溶液中。
在本发明实施例中，所述ⅡB族前驱体用于为后续反应提供ⅡB族原子。作为优选，所述ⅡB族前驱体包括锌前驱体和/或镉前驱体，用于为后续反应提供锌原子和/或镉原子。在一些实施方式中，所述ⅡB族前驱体为锌前驱体；在另一些实施方式中，所述ⅡB族前驱体为镉前驱体；在又一些实施方式中，所述ⅡB族前驱体为锌前驱体和镉前驱体的混合物，在一实施例中，所述ⅡB族前驱体为锌前驱体和镉前驱体按照锌原子和镉原子的摩尔比为7:3的比例进行混合得到的混合物。作为优选，所述镉前驱体为含有镉离子的可溶性盐，包括但不限于氯化镉、溴化镉、碘化镉、硝酸镉和硫酸镉等。作为优选，所述锌前驱体为含有锌离子的可溶性盐，包括但不限于溴化锌、碘化锌、硝酸锌、硫酸锌和乙酸锌等。
在本发明实施例中，所述ⅥA族前驱体用于为后续反应提供ⅥA族原子。在本发明实施例中，所述ⅥA族前驱体的ⅥA族原子和所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比小于8:10。当ⅥA族原子与ⅡB族原子的摩尔比大于8:10时，ⅥA族原子过多地富集在晶体表面，导致晶体表面能够与所述胺类化合物配位的活性位点减少，进而影响一维半导体纳米晶的形成。作为一种实施方式，所述ⅥA族前驱体的ⅥA族原子和所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比为(5-8):10。当ⅥA族原子的用量在该摩尔比范围内，可保证反应速率，并确保得产物颗粒均匀，光纯度高。在具体实施方式中，所述ⅥA族前驱体的ⅥA族原子和所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比为8:10、7:10、6:10、5:10等。
作为一种实施方式，所述ⅥA族前驱体为硒氢化钠，用于为后续反应提供硒原子。相对于其他例如硒化钠等含硒化合物，硒氢化钠的活性较低，使得硒离子与ⅡB族阳离子的结合更加可控，确保生成一维半导体纳米材料，且其尺寸大小均一。进一步的，将ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物溶解于水溶液的步骤之后，调节所述前驱体溶液的pH大于7，使得所述前驱体溶液呈碱性。硒氢化钠在水溶液中容易分解形成硒化氢，通过调节所述前驱体溶液的pH大于7，优选为pH8-10，以抑制硒氢化钠提前分解，避免硒氢化钠在与ⅡB族前驱体混合后即发生反应，确保得到的一维半导体纳米材料尺寸分布均匀，大颗粒杂质少，纯度高。在一些实施例中，采用浓度为1M的氢氧化钠水溶液来调节pH。更进一步的，所述硒氢化钠作为硒前驱体，所述硒氢化钠现配现用，以避免硒氢化钠过早分解，从而影响产物质量。在一些实施例中，所述硒氢化钠通过硒粉与硼氢化钠在水溶液中反应获得，所述硒粉、硼氢化钠摩尔比范围为1:(2-3)，且硒粉的反应浓度为0.01-0.2mmol/mL。
在本发明实施例中，所述胺类化合物作为诱导合成一维半导体纳米材料的结构诱导剂。在一维半导体纳米材料的合成过程中，所述胺类化合物倾向与位于晶体外周方向的ⅡB族阳离子的空轨道配位，一定程度上抑制了晶体外周方向的ⅡB族阳离子与硒阴离子结合，使得晶体轴向方向上的ⅡB族阳离子与硒阴离子的结合速率大于晶体外周方向上的，进而形成以纳米棒或纳米线形式存在的半导体纳米材料。作为一种实施方式，所述胺类化合物包括乙二胺、乙二胺二乙酸和乙二胺二乙酸盐中的至少一种，这类胺类化合物可以与Cd、Zn原子线性配位，促进材料生长成棒状形貌。在本发明实施例中，所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子和所述胺类化合物的摩尔比为10:(10-30)，以确保生成一维半导体纳米材料。当所述胺类化合物与所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比小于1:1时，所述胺类化合物无法有效引导生成具有棒状或线状的一维半导体纳米材料；当所述胺类化合物与所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比大于3:1时，所述胺类化合物与晶核不同晶面配位的选择性下降，也无法有效引导生成具有棒状或线状的一维半导体纳米材料。
在本发明实施例中，所述巯基化合物作为壳层原料，当反应温度在150℃以上时，所述巯基化合物分解出硫离子，可通过与晶核表面的ⅡB族阳离子结合以生成ⅡB族原子的硫化物。在本发明实施例中，所述巯基化合物的巯基和所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比小于10:10，以避免所述巯基化合物过多时，与所述胺类化合物竞争性结合ⅡB族阳离子，以确保生成一维半导体纳米材料。作为优选，所述巯基化合物的巯基和所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比为(3-10):10。在具体实施方式中，所述巯基化合物的巯基和所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比为10:10、9:10、8:10、7:10、6:10、5:10、4:10、3:10等。
在本发明实施例中，所述水溶液用于溶解ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物，且作为后续加热反应的溶剂。在本发明实施例中，所述水溶液指的是水或以水为溶剂的溶液。
作为优选，所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子与所述水溶液的摩尔比为10:(200-600)，当所述水溶液的用量小于该比例范围，反应物浓度过高，反应较迅速，反应可控性下降；当所述水溶液的用量大于该比例范围，生产效率过低，不利于工业化生产。
作为一种实施方式，所述前驱体溶液中，所述巯基化合物的巯基和所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比为(3-10):10，所述ⅥA族前驱体的ⅥA族原子和所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比为(5-8):10，所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子与所述水溶液的摩尔比为10:(200-600)。
在步骤S02中，将所述前驱体溶液在所述巯基化合物的分解温度以下进行第一加热反应，使得ⅡB族阳离子与ⅥA族阴离子结合形成一维半导体纳米晶核。在一些实施方式中，所述ⅡB族前驱体包括锌前驱体和/或镉前驱体，当所述ⅥA族前驱体为硒氢化钠时，所述一维半导体纳米晶核为ZnSe、CdSe或CdZnSe。
在进行第一加热反应的过程中，所述ⅥA族前驱体分解出ⅥA族阴离子，该ⅥA族阴离子与ⅡB族阳离子结合形成纳米晶核，与此同时，由于胺类化合物对纳米晶核各晶面的不同选择性，ⅥA族阴离子与晶体轴向方向上的ⅡB族阳离子的结合速率大于晶体外周方向上的ⅡB族阳离子，使得纳米晶核主要沿其长度方向生长，从而获得一维半导体纳米晶核。另外，反应体系中的巯基化合物在进行第一加热反应的过程中未发生分解，该巯基化合物可作为表面活性剂，促进反应生成的纳米晶核均匀稳定地分散在水溶液中，避免纳米晶核发生团聚，确保反应可持续地形成形貌规整、尺寸大小均一的一维半导体纳米晶核。作为优选，所述第一加热反应的反应温度为100-120℃，反应时间为10-30分钟。如此，在确保反应生成一维半导体纳米晶核及反应原料反应完全的同时，缩短生产周期，有效提高了生产效率，降低了生产成本。
升温至所述巯基化合物的分解温度以上并继续进行第二加热反应，使得反应体系中的巯基化合物被分解形成硫离子，促进在晶核表面生长ⅡB族原子的硫化物壳层，可一定程度上限制一维半导体纳米晶核的持续生长，减少了大颗粒杂质的生成，使得所述一维半导体纳米材料具有较小的尺寸分布。
在进行第二加热反应的过程中，第一加热反应过程中生成的一维半导体纳米晶核持续生长长大，与此同时，若干所述硫离子与晶核表面的ⅡB族阳离子结合形成壳层，包覆设置于所述一维半导体纳米晶核表面，以确保生成高质量的一维半导体纳米材料。作为优选，所述第二加热反应的反应温度为150-180℃，反应时间为10-30分钟。如此，使得反应体系中的巯基化合物能够被完全分解，且缩短合成周期，提高生产效率，降低生产成本。
作为一种优选的实施方式，在进行第二加热反应之后对反应液进行冷却，使得反应液的温度降低至室温。在一些实施方式中，所述冷却采用在冰水混合液中冷却的方法，以在短时间内将反应液冷却至室温，从而获得高质量的一维半导体纳米材料。
作为另一种实施方式，在进行第二加热反应之后对反应液进行固液分离处理，使得反应液中的所述一维半导体纳米材料与溶液分离。在一些实施方式中，所述固液分离处理包括离心处理；在另一些实施例中，所述固液分离处理采用加入沉淀剂结合离心的方式，例如在冷却的反应液中加入乙醇，混合均匀后8000rpm离心处理5min；在又一些实施方式中，将首次离心分离获得的一维半导体纳米材料进行纯化，例如：将一维半导体纳米材料重新分散于去离子水中，加入乙醇，静置1h得到浑浊的混合液，并8000rpm离心处理5min，然后分散如去离子水中，干燥，获得具有核壳结构的一维半导体纳米材料。
在本发明实施例中，所述一维半导体纳米材料包括：一维半导体纳米晶核和包覆设置于所述一维半导体纳米晶核表面的壳层，所述一维半导体纳米晶核的材料为所述ⅡB族原子的硒化物，所述壳层的材料为所述ⅡB族原子的硫化物。通过本发明实施例的技术制得的一维半导体纳米材料具有核壳结构，使得本发明实施例的一维半导体纳米材料具有较小的尺寸分布宽度，并在一定程度上减小了所述一维半导体纳米材料的表面缺陷，整体上提高了材料的发光性能。
作为优选的实施方式，所述ⅡB族前驱体包括锌前驱体和/或镉前驱体，所述一维半导体纳米晶核的材料为ZnSe、CdSe或CdZnSe，所述一维半导体纳米的壳层的材料为ZnS或CdS。进一步的，通过本发明实施例的方法制得的所述一维半导体纳米材料为棒状纳米晶。更进一步的，所述半导体纳米材料的粒径主要分布在8-15nm。该尺寸范围的半导体纳米材料具有显著的量子尺寸效应，其能级特征导致样品在可见光范围内发光，光电性能好，成膜效果好，利于后续应用。
在一些应用实施例中，将本发明实施例制备得到的一维半导体纳米材料制备为功能膜层，例如发光薄膜。在旋涂时，该一维半导体纳米材料相互交织，拥有良好的成膜性；同时，棒状结构可为电子传输提供了自然通道，电子在膜中传输阻力小，迁移速率快，这可以优化光电器件的性能。
综上，在本发明实施例提供的上述多个优化的工艺条件的综合作用下，可使得通过本发明实施例提供的制备方法得到的一维半导体纳米材料的综合性能最优，尺寸分布小，大颗粒杂质少，纯度高，形貌规整，成膜性好。
基于上述技术方案，本发明实施例还提供了一种半导体纳米材料、发光薄膜和显示器件。
相应的，一种半导体纳米材料，由上述制备方法制得，包括：ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶和包覆设置于所述ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶表面的ⅡB族原子的硫化物壳层。
本发明实施例提供的由上述制备方法制得的半导体纳米材料尺寸分布小，大颗粒杂质少，纯度高，形貌规整，成膜性好。
作为一种实施方式，所述ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶为ZnSe、CdSe或CdZnSe。
作为一种实施方式，所述ⅡB族原子的硫化物为ZnS或CdS。
作为一种实施方式，所述半导体纳米材料为纳米棒或纳米线。
作为优选的实施方式，所述一维半导体纳米的尺寸大小主要分布在8-15nm。
相应的，一种发光薄膜，所述发光薄膜的材料包括：前述制备方法制得的半导体纳米材料或上述半导体纳米材料。
本发明实施例提供的发光薄膜，其材料为上述制备方法制得的半导体纳米材料，发射光谱窄，电子迁移速率高，发光效率高。
相应的，一种显示器件，包括：发光层，所述发光层为上述发光薄膜。
本发明实施例提供的显示器件，其发光层包括：上述发光薄膜，可从整体上提高显示器件的发光性能。
作为一种实施方式，如图2所示，所述显示器件包括：相对设置的阳极L01和阴极L03，以及设置在所述阳极L01和所述阴极L03之间的发光层L02。
为使本发明上述实施细节和操作能清楚地被本领域技术人员理解，以及本发明实施例一维半导体纳米晶的制备方法的进步性能显著地体现，以下通过实施例对本发明的实施进行举例说明。
实施例1
本实施例提供了一种半导体纳米材料，其制备具体包括以下步骤：
(1)将10mmol氯化锌、3mmol巯基乙酸、20mmol乙二胺四乙酸、500mmol去离子水加入50mL三颈烧瓶中，在Ar气氛保护和室温下1000rpm搅拌至溶解，得到第一混合液。
将5mmol硒、10mmol硼氢化钠、200mmol去离子水依次加入50mL三颈烧瓶中，在氩气氛下和室温下搅拌溶解，得到均一的第二混合液。
将第二混合液注入第一混合液中，搅拌均匀，加入1M的NaOH溶液来调节溶液pH至9，得到均一的前驱体溶液。
(2)将上述前驱体溶液混合物转移到50mL的高压反应釜中，并将反应釜转移至115℃的鼓风干燥箱中，恒温反应20min；接着，将鼓风干燥箱温度迅速上升至160℃，恒温反应15min；反应结束后，将高压反应釜转移出鼓风干燥箱，并置于冰水混合液中，迅速降至室温，并得到反应液。
(3)将上述得到的反应液转移至离心管中，加入乙醇，并8000rpm离心处理5min；接着，将离心得到的沉淀重新分散于去离子水中，加入乙醇并混合均匀，静置1h后得到浑浊的混合液，8000rpm离心处理5min，收集沉淀；最后，再次将沉淀分散于去离子水中，得到均匀的反应液，干燥后得到棒状的一维ZnSe/ZnS纳米材料。
实施例2
本实施例提供了一种半导体纳米材料，其制备具体包括以下步骤：
(1)将10mmol镉化锌、3mmol巯基乙酸、20mmol乙二胺四乙酸、500mmol去离子水加入50mL三颈烧瓶中，在Ar气氛保护和室温下1000rpm搅拌至溶解，并得到第一混合溶液。
将5mmol硒、10mmol硼氢化钠、200mmol去离子水依次加入50mL三颈烧瓶中，在氩气氛下和室温搅拌溶解，得到均一的第二混合溶液。
将第二混合溶液注入第一混合溶液中，搅拌均匀，接着，加入1M的NaOH溶液，调节溶液pH至9，并得到均一的前驱体溶液混合物。
(2)将上述前驱体溶液混合物转移到50mL的高压反应釜中，并将反应釜转移至115℃的鼓风干燥箱中，恒温反应20min；接着，将鼓风干燥箱温度迅速上升至160℃，恒温反应15min；反应结束后，将高压反应釜转移出鼓风干燥箱，置于冰水混合液中，迅速降至室温，得到反应液。
(3)将上述得到的反应液转移至离心管中，加入乙醇，并8000rpm离心处理5min；接着，将离心得到的沉淀重新分散于去离子水中，加入乙醇并混合均匀，静置1h后得到浑浊的混合液，8000rpm离心处理5min，收集沉淀；最后，再次将沉淀分散于去离子水中，得到均匀的量子溶液，干燥后得到棒状的一维CdSe/CdS纳米材料。
实施例3
本实施例提供了一种半导体纳米材料，其制备具体包括以下步骤：
(1)将7mmol氯化锌、3mmol氯化镉、3mmol巯基乙酸、20mmol乙二胺四乙酸、500mmol去离子水加入50mL三颈烧瓶中，在Ar气氛保护和室温下1000rpm搅拌并溶解，并得到第一混合溶液。
将5mmol硒、10mmol硼氢化钠、200mmol去离子水依次加入50mL三颈烧瓶中，在氩气氛下和室温搅拌溶解，得到均一的第二混合溶液。
将第二混合溶液注入第一混合溶液中，搅拌均匀，接着，加入1M的NaOH溶液，调节溶液pH至9，并得到均一的前驱体溶液混合物。
(2)将上述前驱体溶液混合物转移到50mL的高压反应釜中，并将反应釜转移至115℃的鼓风干燥箱中，恒温反应20min；接着，将鼓风干燥箱温度迅速上升至160℃，恒温反应15min；反应结束后，将高压反应釜转移出鼓风干燥箱，并置于冰水混合液中，迅速降至室温，并得到反应液。
(3)将上述得到的反应液转移至离心管中，加入乙醇，并8000rpm离心处理5min；接着，将离心得到的沉淀重新分散于去离子水中，加入乙醇并混合均匀，静置1h后得到浑浊的混合液，8000rpm离心处理5min，收集沉淀；最后，再次将沉淀分散于去离子水中，得到均匀的反应液，干燥后得到棒状的一维CdZnSe/ZnS纳米材料。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (14)
1.一种半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，包括：
将ⅡB族前驱体、ⅥA族前驱体、胺类化合物和巯基化合物溶解于水溶液中，获得前驱体溶液；
将所述前驱体溶液在所述巯基化合物的分解温度以下进行第一加热反应，然后升温至所述巯基化合物的分解温度以上并继续进行第二加热反应，得到所述半导体纳米材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热反应的反应温度为100-120℃，反应时间为10-30分钟。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二加热反应的反应温度为150-180℃，反应时间为10-30分钟。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述巯基化合物的巯基和所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比为(3-10):10；和/或
所述ⅥA族前驱体的ⅥA族原子和所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子的摩尔比为(5-8):10；和/或
所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子和所述胺类化合物的摩尔比为10:(10-30)；和/或
所述ⅡB族前驱体的ⅡB族原子与所述水溶液的摩尔比为10:(200-600)。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ⅥA族前驱体为硒氢化钠。
6.根据权利要求1至5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述ⅡB族前驱体包括锌前驱体和/或镉前驱体。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述镉前驱体为含有镉离子的可溶性盐；和/或
所述锌前驱体为含有锌离子的可溶性盐。
8.根据权利要求1至5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述巯基化合物包括巯基乙酸、巯基乙胺、巯基丙酸、半胱氨酸和谷胱甘肽中的至少一种。
9.根据权利要求1至5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述胺类化合物包括乙二胺、乙二胺二乙酸和乙二胺二乙酸盐中的至少一种。
10.一种半导体纳米材料，其特征在于，包括：ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶和包覆设置于所述ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶表面的ⅡB族原子的硫化物壳层。
11.根据权利要求10所述的半导体纳米材料，其特征在于，所述ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶为ZnSe、CdSe或CdZnSe；和/或
所述ⅡB族原子的硫化物为ZnS或CdS。
12.根据权利要求10所述的半导体纳米材料，其特征在于，所述半导体纳米材料为纳米棒或纳米线。
13.一种发光薄膜，其特征在于，所述发光薄膜的材料包括：权利要求1至9任一项所述的制备方法制得的半导体纳米材料或权利要求10至12任一项所述的半导体纳米材料。
14.一种显示器件，其特征在于，包括：发光层，所述发光层为权利要求13所述的发光薄膜。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210716 |
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