CN113101878A - 一种原位生长制备放射状二氧化钛纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种原位生长制备放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核‑壳结构微球的方法,是先在活化硅胶表面制备TiO2晶种层,再将附着有晶种层的硅胶加入到钛酸四丁酯的甲苯溶液中,在冰水浴条件下边搅拌边滴加入TiCl4水溶液,滴加完毕后将混合溶液放入高压釜中进行溶剂热反应,在SiO2表面原位生长放射状TiO2壳层;产物经乙醇洗涤、干燥,得到放射状TiO2纳米棒包裹SiO2核‑壳结构微球。该材料壳层具有孔道呈直线性、孔径均一、传质阻力小、反压低、比表面积大等优点,一定程度上可弥补传统颗粒堆积壳层的核‑壳结构微球不足,在吸附萃取、色谱固定相填料领域具有很好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的制备方法,尤其涉及一种通过原位生长在硅胶微球表面制备放射状TiO2纳米棒硅胶核-壳结构微球的方法,属于纳米复合材料领域。
背景技术
核-壳结构由于其独特的结构特征,整合了内外两种材料的性质,并互相补充了各自的不足,使得材料的综合性能得到有力的提升。但是传统核-壳结构材料的壳层是由纳米级颗粒层层堆积而成,形成的孔道曲折,孔径较小且不均一,在这种情况下,如果壳层厚度太厚,传质阻力相对较大;但如果壳层太薄,核-壳结构微球比表面积相对较小,使其应用受限。
发明内容
本发明的目的是针对现有核-壳结构的壳层由纳米级颗粒层层堆积存在的问题,提供一种在硅胶微球表面原位生长制备放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法。
本发明原位生长制备放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法,由以下步骤完成。
(1)活化硅胶
将多孔硅胶用浓盐酸浸泡进行活化处理,然后用去离子水洗涤至中性,在110℃~120℃干燥10~12 h,得到活化硅胶。所述多孔硅胶的粒径为3~5 μm,浓盐酸浸泡时间为36~48 h。
(2)制备TiO2晶种层
将上述活化硅胶加入到晶种溶液中,经超声、搅拌,使TiO2晶种溶液均匀附着在硅胶表面,离心、干燥后重复附着过程3~4次;然后将附着TiO2晶种的硅胶放入马弗炉中进行退火处理,得到表面附着TiO2晶种层的硅胶。
所述晶种溶液为将3~4 mL钛酸四丁酯在搅拌下加入到50~60 mL无水乙醇中形成的溶液。
上述超声条件为100w超声20~30 min,搅拌条件为500转/分搅拌1~2 h,重复附着过程3~4次;退火条件为400~500℃煅烧4~6 h。
(3)溶剂热原位生长
将附着TiO2晶种层的硅胶加入到钛酸四丁酯的甲苯溶液中,在冰水浴条件下边搅拌边滴加入TiCl4水溶液,滴加完毕后将混合溶液放入高压釜中进行溶剂热反应,在SiO2表面原位生长放射状TiO2壳层;产物经乙醇洗涤、干燥,得到放射状TiO2纳米棒包裹SiO2核-壳结构微球。
TiCl4水溶液浓度为20~30 wt%,钛酸四丁酯与TiCl4的体积比为1: 1~1: 1.1。溶剂热反应条件为180~200℃反应20~24 h。
图1为放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的扫描电镜图。可以看出,本发明利用放射状TiO2的结构和性质优势,在硅胶微球表面原位生长制备放射状TiO2纳米棒包裹的硅胶核-壳结构微球,其放射状TiO2壳层具有呈直线性、孔径均一的孔道,使得核-壳结构微球具有传质阻力小、反压低、比表面积大等优点,一定程度上可弥补传统颗粒堆积壳层的核-壳结构微球不足,在吸附萃取、色谱固定相填料领域具有很好的应用前景。另外,本发明采用“活化硅胶——制备晶种层——溶剂热原位生长”三步法制备了放射状TiO2包裹硅胶核-壳结构微球,工艺简单,操作方便。
附图说明
图1为放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核~壳结构微球的扫描电镜图。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的制备做进一步说明。
实施例1
①活化硅胶:将0.8 g多孔硅胶(粒径为4 μm)用浓盐酸浸泡进行活化处理36 h,然后用去离子水洗涤至中性,120℃干燥11 h后得到活化硅胶;
②制备晶种层:将3 mL的钛酸四丁酯在不断搅拌下逐滴加入到50 mL的无水乙醇中,得到晶种溶液;向其中加入上述活化的多孔硅胶,100 w超声20 min、500转/分搅拌1 h,让晶种溶液均匀附着在硅胶表面,离心、80℃干燥10 h后,重复附着过程3次;最后将硅胶放入马弗炉中400℃退火4 h,退火后的硅胶表面就附着了一层TiO2晶种层;
③水热/溶剂热原位生长:将3 mL钛酸四丁酯加入到60 mL无水甲苯中得到钛酸四丁酯的甲苯溶液,将步骤②所得附着有晶种层的硅胶加入到该溶液中,在冰水浴条件下边搅拌边滴加入3 mL四氯化钛溶液(20 wt%),最后将混合溶液放入高压釜中180℃反应20 h,在硅胶表面原位生长-放射状TiO2壳层;产物经乙醇洗涤、80℃干燥10 h后得到放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球(图1a)。
实施例2
①活化硅胶:将1.0 g多孔硅胶(粒径为3 μm)用浓盐酸浸泡进行活化处理42 h,然后用去离子水洗涤至中性,110℃干燥12 h后得到活化硅胶;
②制备晶种层:将3 mL的钛酸四丁酯在不断搅拌下逐滴加入到50 mL的无水乙醇中,得到晶种溶液,向其中加入上述活化的多孔硅胶,100 w超声25 min、500转/分搅拌1.5h,让晶种溶液均匀附着在硅胶表面,离心、80℃干燥10 h后,重复附着过程3次;最后将硅胶放入马弗炉中450℃退火5 h,退火后的硅胶表面就附着了一层TiO2晶种层;
③水热/溶剂热原位生长:将4 mL钛酸四丁酯加入到80 mL无水甲苯中得到钛酸四丁酯的甲苯溶液,将步骤②所得附着有晶种层的硅胶加入到该溶液中,在冰水浴条件下边搅拌边滴加入4 mL四氯化钛溶液(25 wt%),最后将混合溶液放入高压釜中190℃反应22h,在硅胶表面原位生长~放射状TiO2壳层。产物经乙醇洗涤、80℃干燥10 h后得到放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球(图1b)。
实施例3
①活化硅胶:将1.3 g多孔硅胶(粒径为5 μm)用浓盐酸浸泡进行活化处理48 h,然后用去离子水洗涤至中性,120℃干燥10 h后得到活化硅胶;
②制备晶种层:将4 mL的钛酸四丁酯在不断搅拌下逐滴加入到60 mL的无水乙醇中,得到晶种溶液,向其中加入上述活化的多孔硅胶,100 w超声30 min、500转/分搅拌2 h,让晶种溶液均匀附着在硅胶表面,离心、80℃干燥10 h后,重复附着过程4次;最后将硅胶放入马弗炉中500℃退火6 h,退火后的硅胶表面就附着了一层TiO2晶种层;
③水热/溶剂热原位生长:将5 mL钛酸四丁酯加入到100 mL无水甲苯中得到钛酸四丁酯的甲苯溶液,将步骤②所得附着有晶种层的硅胶加入到该溶液中,在冰水浴条件下边搅拌边滴加入5.5 mL四氯化钛溶液(30 wt%),最后将混合溶液放入高压釜中200℃反应24 h,在硅胶表面原位生长~放射状TiO2壳层。产物经乙醇洗涤、80℃干燥10 h后得到放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球(图1c)。
Claims (6)
1.一种原位生长制备放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法,包括以下步骤:
(1)活化硅胶:将多孔硅胶用浓盐酸浸泡进行活化处理后用去离子水洗涤至中性,在110℃~120℃干燥10~12h,得到活化硅胶;
(2)制备晶种层:将活化硅胶加入到晶种溶液中超声、搅拌,使晶种溶液均匀附着在硅胶表面,离心、干燥后重复附着过程3~4次;然后将附着晶种的硅胶放入马弗炉中进行退火处理,得到表面附着TiO2晶种层的硅胶;所述晶种溶液为将3~4 mL钛酸四丁酯在搅拌下加入到50~60 mL无水乙醇中形成的溶液;
(3)溶剂热原位生长:将附着晶种层的硅胶加入到钛酸四丁酯的甲苯溶液中,在冰水浴条件下边搅拌边滴加入TiCl4水溶液,滴加完毕后将混合溶液放入高压釜中进行溶剂热反应,在SiO2表面原位生长放射状TiO2壳层;产物经乙醇洗涤、干燥,得到放射状TiO2纳米棒包裹SiO2核-壳结构微球。
2.如权利要求1所述一种原位生长放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法,其特征在于:步骤(1)中,多孔硅胶的粒径为3~5 μm,浓盐酸浸泡时间为36~48 h。
3.如权利要求1所述一种原位生长放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法,其特征在于:步骤(2)中,超声条件为100w超声20~30 min,搅拌条件为500转/分搅拌1~2 h。
4.如权利要求1所述一种原位生长放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法,其特征在于:步骤(2)中,退火条件为400~500℃煅烧4~6 h。
5.如权利要求1所述一种原位生长放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法,其特征在于:步骤(3)中,TiCl4水溶液浓度为20~30 wt%,钛酸四丁酯与TiCl4的摩尔比为1:1~1:1.1。
6.如权利要求1所述一种原位生长放射状TiO2纳米棒包裹硅胶核-壳结构微球的方法,其特征在于:步骤(3)中,溶剂热反应是在180~200℃下反应20~24h。
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