CN113075857A - 光掩膜图案的处理方法、处理装置和光掩膜版 - Google Patents

Abstract

本公开是关于一种光掩膜图案的处理方法、处理装置和光掩膜版，所述光掩膜图案的处理方法包括：设置包含第一标记和第二标记的图案层；设置辅助层，所述辅助层包括与所述第一标记对应的第一区域和与所述第二标记对应的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域的遮透光设定不同；合并所述图案层和所述辅助层，所述第一区域覆盖所述第一标记，所述第二区域覆盖所述第二标记。本公开可以在互锁图案形成的过程中，防止异常曝光现象的发生。

Description

光掩膜图案的处理方法、处理装置和光掩膜版

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种光掩膜图案的处理方法、处理装置和光掩膜版。

背景技术

光刻工艺是集成电路制造中十分重要的一环，其图案转移的正确性对产品成品率的影响甚大，所以写入到光掩膜版上的光掩膜图案的设置必须正确，以确保光掩膜版上的图案能够正确地转移到晶圆上。

通常，在芯片的制造过程中，会在晶圆的曝光范围内重复排布多个芯片，并且使用光掩膜对芯片进行曝光形成。为了便于曝光过程中对芯片位置进行定位，相邻芯片之间的切割道区需要通过套刻标记进行对准。

现有的套刻标记由两个互锁图案组成，两个互锁图案在重叠曝光的过程中，常常存在曝光异常的现象。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种光掩膜图案的处理方法、处理装置和光掩膜版，以在互锁图案形成的过程中，防止异常曝光现象的发生。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种光掩膜图案的处理方法，包括：

设置包含第一标记和第二标记的图案层；

设置辅助层，所述辅助层包括与所述第一标记对应的第一区域和与所述第二标记对应的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域的遮透光设定不同；

合并所述图案层和所述辅助层，所述第一区域覆盖所述第一标记，所述第二区域覆盖所述第二标记。

可选的，所述第一标记和所述第二标记为互锁标记图案。

可选的，所述第一标记包括第一子标记和第二子标记；

所述第二标记包括第三子标记和第四子标记；

所述第一区域包括与所述第一子标记和所述第二子标记分别对应的第一子区域和第二子区域；

所述第二区域包括与所述第三子标记和所述第四子标记分别对应的第三子区域和第四子区域。

可选的，所述方法还包括：

设定所述第一子标记、所述第二子标记、所述第三子标记和所述第四子标记为透光标记；

设定所述第一子区域和所述第四子区域为遮光区且所述第二子区域和所述第三子区域为部分透光区，或设定所述第一子区域和所述第四子区域为部分透光区且所述第二子区域和所述第三子区域为遮光区。

可选的，所述第一子标记和所述第四子标记的类型均为套刻标记的内框标记；

所述第二子标记和所述第三子标记的类型为套刻标记的外框标记；

所述第一子标记和所述第二子标记并排的位于芯片区域一侧的切割道内；

所述第三子标记和所述第四子标记并排的位于所述芯片区域另一侧的所述切割道内。

可选的，所述第一子区域包括第一次级区域和第二次级区域，所述第一次级区域和所述第二次级区域的遮透光设定不同；

所述第二子区域包括第三次级区域和第四次级区域，所述第三次级区域和所述第四次级区域的遮透光设定不同；

所述第三子区域包括第五次级区域和第六次级区域，所述第五次级区域和所述第六次级区域的遮透光设定不同；

所述第四子区域包括第七次级区域和第八次级区域，所述第七次级区域和所述第八次级区域的遮透光设定不同。

可选的，所述第一次级区域、所述第四次级区域、所述第六次级区域和所述第七次级区域的遮透光设定相同；

所述第二次级区域、所述第三次级区域、所述第五次级区域和所述第八次级区域的遮透光设定相同。

可选的，所述第一子标记、所述第二子标记、所述第三子标记和所述第四子标记设定为透光标记；

所述第一次级区域、所述第四次级区域、所述第六次级区域和所述第七次级区域设定为透光区域；

所述第二次级区域、所述第三次级区域、所述第五次级区域和所述第八次级区域设定为部分透光区域。

可选的，所述部分透光区的透光率范围为1％～20％。

可选的，合并后的所述图案层和所述辅助层中，

所述第二次级区域覆盖所述第一子标记；

所述第三次级区域覆盖所述第二子标记；

所述第五次级区域覆盖所述第三子标记；

所述第八次级区域覆盖所述第四子标记。

可选的，合并后的所述图案层和所述辅助层中，

所述第一次级区域对应的覆盖所述第三子标记；

所述第六次级区域对应的覆盖所述第一子标记；

所述第四次级区域对应的覆盖所述第四子标记；

所述第七次级区域对应的覆盖所述第二子标记。

可选的，合并后的所述图案层和所述辅助层中，

所述第二次级区域和所述第五次级区域至少部分对应重合；

所述第三次级区域和所述第八次级区域至少部分对应重合。

可选的，还包括：

对合并后的所述图案层和所述辅助层进行反置。

根据本公开的第二方面，提供一种光掩膜版，所述光掩膜版基于上述的光掩膜图案的处理方法形成。

根据本公开的第三方面，提供一种光掩膜图案的处理装置，包括：

图案层设置模块，用于设置包含第一标记和第二标记的图案层；

辅助层设置模块，用于设置辅助层，所述辅助层包括与所述第一标记对应的第一区域和与所述第二标记对应的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域的遮透光设定不同；

合并模块，用于合并所述图案层和所述辅助层，所述第一区域覆盖所述第一标记，所述第二区域覆盖所述第二标记。

本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本公开的示例性实施例中的一种光掩膜图案的处理方法、处理装置和光掩膜版，一方面，通过在图案层设置包含第一标记和第二标记，以达到利用光掩膜版曝光后在晶圆上的相邻曝光单元之间形成检测标记的目的；另一方面，通过设置包含分别与第一标记和第二标记对应的第一区域和第二区域的辅助层，且第一区域和第二区域的遮透光设定不同，通过合并图案层和辅助层设置的光掩膜图案，能够保证写入到光掩膜版上的图案正确，防止在相邻的曝光单元之间的重叠区域发生重复曝光的问题，从而可以减少异常曝光现象的发生。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种光掩膜版的结构示意图；

图2示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种利用光掩膜图案曝光形成的相邻曝光单元的示意图；

图3示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种光掩膜图案的处理方法的流程图；

图4示意性示出了根据本公开的示例性实施例提供的光掩膜图案的处理方法中一种图案层和辅助层的设置方式示意图；

图5示意性示出了图4中的图案层和辅助层合并后的结构示意图；

图6示意性示出了图5中的图案层和辅助层合并后在曝光重叠区域的结构示意图；

图7示意性示出了根据本公开的示例性实施例提供的光掩膜图案的处理方法中另一种图案层和辅助层的设置方式示意图；

图8示意性示出了图7中的图案层和辅助层合并后的结构示意图；

图9示意性示出了根据本公开的示例性实施例的光掩膜图案的处理装置的方框图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。

附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个软件硬化的模块中实现这些功能实体或功能实体的一部分，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。

在半导体集成电路制造技术中，光刻工艺是其中必不可少的步骤。光刻工艺是利用光化学反应原理把事先制备在光掩膜版上的图形转移到晶圆上的过程，并且通常需要经过多次的光刻工序。其中，光刻过程中图案转移的正确性对产品成品率的影响甚大，所以光掩膜版上的光掩膜图案的设置必须正确，以确保光掩膜版上的光掩膜图案能够正确地转移到晶圆上。

监控光刻工艺的方法一般包括在光掩膜版上设置各种检测标记，并在进行光刻工艺后量测晶圆上检测标记的位置或尺寸以推知该光刻工艺的结果是否符合要求。如不符合，即可立即进行调整，以使后续晶圆的图案转移品质符合要求。

上述检测标记一般包括用以检查上下两图案层之间或同一图案层上不同曝光单元是否对准的重叠标记(Overlay Mark)及用以检查曝光量(Exposure Dose)及聚焦位置(Focus)的尺寸标记。常见的重叠标记包括BiB(box-in-box)重叠标记，其一般包括排成正方形的4条沟槽或线条，以及该正方形内的4条沟槽或线条排成的小正方形，两个正方形互锁形成套刻标记。所述小正方形为所述套刻标记的内框标记；所述小正方形外围的正方形为所述套刻标记的外框标记。另外，在光刻工艺中，常见的用以检查曝光量及聚焦位置的检测标记包括排成一列的多个长条矩形图形及排成一列的多个沟槽图形。只要检查光致抗蚀剂层上的检测标记的尺寸，即可得知曝光工艺地曝光量及聚焦位置是否适当。

本公开示例性实施方式以互锁的套刻标记为例对光掩膜图案的处理方法进行详细说明。参照图1，示出了一种光掩膜版的结构示意图。如图1所示，在芯片的制造过程中，通常会在晶圆上重复排布多个芯片，并且使用光掩膜版100对晶圆进行曝光形成。为了确保曝光质量，光掩膜版100的芯片区域101的两侧区域上设置有检测标记103、104。

参照图2所示，对光掩膜版100进行两次曝光可以得到相邻的两个曝光单元(其中一个如图中实线所示的部分201，另一个如图中虚线所示的部分202)，需要说明的是，两个曝光单元201和202的结构完全相同。两个曝光单元201、202的部分区域相互重叠，以使得曝光单元201右侧区域的检测标记与曝光单元202左侧区域的检测标记重叠互锁而形成套刻标记203。相邻曝光单元的重叠区域可以为切割道区域，套刻标记203可以形成在切割道区域内。

在实际应用中，可以根据需要设置套刻标记203的数量，为了提高套刻标记的对准精度，可以在光掩膜版的两侧分别设置多个检测标记使得在相邻的曝光单元之间形成多个套刻标记203。本公开示例性实施方式针对形成一个套刻标记的光掩膜图案的处理方法进行说明。

参照图3，示出了根据本公开的示例性实施例的一种光掩膜图案的处理方法的流程图。参照图3，该光掩膜图案的处理方法具体可以包括以下步骤：

步骤S310，设置包含第一标记和第二标记的图案层；

步骤S320，设置辅助层，辅助层包括与第一标记对应的第一区域和与第二标记对应的第二区域，其中，第一区域和第二区域的遮透光设定不同；

步骤S330，合并图案层和辅助层，第一区域覆盖第一标记，第二区域覆盖第二标记。

根据本公开示例性实施例中的光掩膜图案的处理方法，一方面，通过在图案层设置包含第一标记和第二标记，以达到利用光掩膜版曝光后在晶圆上的相邻曝光单元之间形成检测标记的目的。另一方面，通过设置包含分别与第一标记和第二标记对应的第一区域和第二区域的辅助层，且第一区域和第二区域的遮透光设定不同，通过合并图案层和辅助层设置的光掩膜图案，能够保证写入到光掩膜版上的图案正确，防止在重叠区域发生重复曝光的问题。

下面，将对本示例性实施例中的光掩膜图案的处理方法进行进一步的说明。

在步骤S310中，设置包含第一标记和第二标记的图案层。

本公开示例性实施方式中，第一标记和第二标记分别设置在光掩膜芯片区域的两侧。例如，参照图1，第一标记为位于芯片区域101左侧的检测标记103，第二标记为位于芯片区域101右侧的检测标记104，并且，第一标记和第二标记为互锁标记图案，以在相邻两个曝光单元之间形成检测标记，如套刻标记，从而确保光刻工艺质量。

参照图4，本公开示例性实施方式中，为了提高标记的准确性，图案层中，第一标记包含第一子标记401和第二子标记402，第二标记包含第三子标记403和第四子标记404，其中，第一子标记401和第三子标记403为互锁标记图案；第二子标记402和第四子标记404为互锁标记图案。

在实际应用中，互锁标记图案可以为由内框标记和外框标记嵌套的套刻标记。第一子标记401和第四子标记404的类型均为套刻标记的内框标记；第二子标记402和第三子标记403的类型为套刻标记的外框标记；第一子标记401和第二子标记402并排地放置在芯片区域101一侧的切割道内，例如，位于芯片区域101左侧的切割道内；第三子标记403和第四子标记404并排的位于芯片区域101另一侧的切割道内，例如，位于芯片区域101右侧的切割道内。需要说明的是，图4为了对比方便，将第一子标记401、第二子标记402、第三子标记403和第四子标记404截取出来并列放置，并不代表实际的位置关系。

在步骤S320中，设置辅助层，辅助层包括与第一标记对应的第一区域和与第二标记对应的第二区域，其中，第一区域和第二区域的遮透光设定不同。

与图案层相应的，辅助层包括与第一标记对应的第一区域和与第二标记对应的第二区域，其中，第一区域包括与第一子标记401对应的第一子区域405、和与第二子区域402对应的第二子区域406；第二区域包括与第三子标记403对应的第三子区域407、和与第四子标记404对应的第四子区域408。

在本公开示例性实施方式中，为了减小异常曝光问题，可以为第一子区域405、第二子区域406、第三子区域407和第四子区域408设定不同的遮透光。

参照图4所示，第一子标记401、第二子标记402、第三子标记403和所述第四子标记404设定为透光标记，透光标记的透光率可以理解为100％；第一子区域405和第四子区域408设定为遮光区，第二子区域406和第三子区域407设定为部分透光区。遮光区可以理解为不透过光，即透光率为0。在实际应用中，部分透光区的透光率可以根据实际情况设定，例如，部分透光区的透光率范围可以为1％～20％，例如，可以设置为6％、8％或12％等。需要注意的是，通过所述部分透光区的光与通过所述透光标记的光具有180°的相位差，通过相位差的设置可以制作相移光掩膜版，以提高曝光图形的对比度。

通过上述相邻子区域不同的遮透光设置，可以防止在曝光时相邻的曝光单元的重叠区域中发生重复曝光的问题。例如，若第一子区域405、第二区域406、第三子区域407和第四子区域408均设置为部分透光区，则在曝光时，相邻的曝光单元的重叠区域中的部分透光区会曝光两次；若第一子区域405、第二区域406、第三子区域407和第四子区域408均设置为遮光区，则无法实现180°的相位差，不能提高曝光图形的对比度。

在其他示例中，也可以设定第一子区域405和第四子区域408为部分透光区，第二子区域406和第三子区域407为遮光区。

在步骤S330中，合并图案层和辅助层，第一区域覆盖第一标记，第二区域覆盖第二标记。具体的，如图5所示，图案层和辅助层合并后，第一子标记401位于第一子区域405中，第二子标记402位于第二子区域406中，第三子标记403位于第三子区域407中，第四子标记404位于第四子区域408中。示例的，第一子标记401、第二子标记402、第三子标记403和所述第四子标记404设定为透光标记，即透光率为100％；第一子区域405和第四子区域408设定为部分透光区，例如，透光率为8％；第二子区域406和第三子区域407设定为遮光区，即透光率为0。利用上述设置的合并后的图案层和辅助层制作光掩膜版，利用所述光掩膜版曝光可以得到如图6所示的相邻的曝光单元之间的重叠区域的套刻标记。具体的，第一子标记401和第三子标记403分别形成互锁的第一套刻标记的内框标记和外框标记，第二子标记402和第四子标记404分别形成互锁的第二套刻标记的外框标记和内框标记。第一子标记401、第二子标记402、第三子标记403和所述第四子标记404均为透光标记，即在曝光单元中是100％透光率曝光的；所述第一套刻标记所在的第一子区域405是8％透光率曝光的，所述第二套刻标记所在的第二子区域406也是8％透光率曝光的。

可选的，第一子区域405和第三子区域407的位置对应、大小相同，第二子区域406和第四子区域408的位置对应、大小相同。以保证相邻的曝光单元之间的重叠区域中非标记位置的各部分的曝光量相同。

在另一实施例中，参照图7所示，第一子标记401、第二子标记402、第三子标记403和第四子标记404均设定为透光标记，各个子区域内部设定不同的遮透光。

具体的，第一子区域405可以包括第一次级区域4051和第二次级区域4052，第一次级区域4051和第二次级区域4052的遮透光设定不同。

第二子区域406包括第三次级区域4061和第四次级区域4062，第三次级区域4061和第四次级区域4062的遮透光设定不同。

第三子区域407包括第五次级区域4071和第六次级区域4072，第五次级区域4071和第六次级区域4072的遮透光设定不同。

第四子区域408包括第七次级区域4081和第八次级区域4082，第七次级区域4081和第八次级区域4082的遮透光设定不同。

参照图8所示，合并后的图案层和辅助层中，第一次级区域4051对应的覆盖第三子标记403，第二次级区域4052覆盖第一子标记401；第三次级区域4061覆盖第二子标记402；第四次级区域4062对应的覆盖第四子标记404，第五次级区域4071覆盖第三子标记403；第六次级区域4072对应的覆盖第一子标记401；第七次级区域4081对应的覆盖第二子标记402；第八次级区域4082覆盖第四子标记404。

需要说明的是，此处的对应的覆盖是指利用合并后的图层制作光掩膜版后，在相邻曝光单元的重叠区域，如图2所示的切割道区内的形成的互锁图案203中，需要上述的部分次级区域对应的覆盖部分子标记，以实现嵌套。

在本示例性实施方式中，第一次级区域4051、第四次级区域4062、第六次级区域4072和第七次级区域4081的遮透光设定相同，第二次级区域4052、第三次级区域4061、第五次级区域4071和第八次级区域4082的遮透光设定相同。

具体的，第一次级区域4051、第四次级区域4062、第六次级区域4072和第七次级区域4081设定为透光区域；第二次级区域4052、第三次级区域4061、第五次级区域4071和第八次级区域4082设定为部分透光区域。其中，部分透光区的透光率范围为1％～20％，例如为6％、8％或12％等。

在本公开示例性实施方式中，为了确保曝光单元之间的重叠区域能够正常曝光，合并后的图案层和辅助层中，第二次级区域4052和第五次级区域4071至少部分对应重合；第三次级区域4061和第八次级区域4082至少部分对应重合。

在实际应用中，对于图案层和辅助层的合并可以根据现有的EDA(ElectronicsDesign Automation，电子设计自动化)软件来实现得到合并层，将合并层的数据发送给光掩膜版制造厂即可制作相应的光掩膜版。

可选的，对于图8所示的图案层和辅助层合并后，需要对合并后的图案层和辅助层进行反置，以获得满足实际需要的光掩膜的互锁图案。具体的，所述反置的方法包括：将透光的标记设置为遮光的标记，将部分透光的区域设置为遮光区，将透光区域设置成部分透光区域。例如，将透光率为100％的标记设置为透光率为0的标记，将透光率为8％的区域设置为透光率为0，将透光率为100％的区域设置成透光率为8％的区域。利用上述反置后的图案层制作光掩膜版，利用所述光掩膜版曝光可以得到相邻曝光单元之间的重叠区域上的凸起标记。

本公开示例性实施方式提供的光掩膜图案的处理方法，通过对与图案层对应的辅助层设定不同的遮透光区域，提高曝光图形的对比度，并且避免产生重复曝光问题。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本发明中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

此外，在本示例实施例中，还提供了一种光掩膜版，该光掩膜版基于上述的光掩膜图案的处理方法形成，具体的，可以利用上述实施例中合并后的图案层和辅助层进行光掩膜版的制作。其中，光掩膜图案的处理方法已经在上述实施例中进行了详细描述，此处不再赘述。

此外，在本示例实施例中，还提供了一种光掩膜图案的处理装置。参考图9，该光掩膜图案的处理装置900可以包括：图案层设置模块910、辅助层设置模块920和合并模块930，其中：

图案层设置模块910，用于设置包含第一标记和第二标记的图案层；

辅助层设置模块920，用于设置辅助层，所述辅助层包括与所述第一标记对应的第一区域和与所述第二标记对应的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域的遮透光设定不同；

合并模块930，用于合并所述图案层和所述辅助层，所述第一区域覆盖所述第一标记，所述第二区域覆盖所述第二标记。

上述中各光掩膜图案的处理装置的虚拟模块的具体细节已经在对应的光掩膜图案的处理方法中进行了详细的描述，因此此处不再赘述。

应当注意，尽管在上文详细描述中提及了光掩膜图案的处理装置的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。

Claims (15)

1.一种光掩膜图案的处理方法，其特征在于，包括：

设置包含第一标记和第二标记的图案层；

设置辅助层，所述辅助层包括与所述第一标记对应的第一区域和与所述第二标记对应的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域的遮透光设定不同；

合并所述图案层和所述辅助层，所述第一区域覆盖所述第一标记，所述第二区域覆盖所述第二标记。

2.根据权利要求1所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，

所述第一标记和所述第二标记为互锁标记图案。

3.根据权利要求1或2所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，

所述第一标记包括第一子标记和第二子标记；

所述第二标记包括第三子标记和第四子标记；

所述第一区域包括与所述第一子标记和所述第二子标记分别对应的第一子区域和第二子区域；

所述第二区域包括与所述第三子标记和所述第四子标记分别对应的第三子区域和第四子区域。

4.根据权利要求3所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，所述方法还包括：

设定所述第一子标记、所述第二子标记、所述第三子标记和所述第四子标记为透光标记；

设定所述第一子区域和所述第四子区域为遮光区且所述第二子区域和所述第三子区域为部分透光区，或设定所述第一子区域和所述第四子区域为部分透光区且所述第二子区域和所述第三子区域为遮光区。

5.根据权利要求3所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，

所述第一子标记和所述第四子标记的类型均为套刻标记的内框标记；

所述第二子标记和所述第三子标记的类型为套刻标记的外框标记；

所述第一子标记和所述第二子标记并排的位于芯片区域一侧的切割道内；

所述第三子标记和所述第四子标记并排的位于所述芯片区域另一侧的所述切割道内。

6.根据权利要求3所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，

所述第一子区域包括第一次级区域和第二次级区域，所述第一次级区域和所述第二次级区域的遮透光设定不同；

所述第二子区域包括第三次级区域和第四次级区域，所述第三次级区域和所述第四次级区域的遮透光设定不同；

所述第三子区域包括第五次级区域和第六次级区域，所述第五次级区域和所述第六次级区域的遮透光设定不同；

所述第四子区域包括第七次级区域和第八次级区域，所述第七次级区域和所述第八次级区域的遮透光设定不同。

7.根据权利要求6所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，

所述第一次级区域、所述第四次级区域、所述第六次级区域和所述第七次级区域的遮透光设定相同；

所述第二次级区域、所述第三次级区域、所述第五次级区域和所述第八次级区域的遮透光设定相同。

8.根据权利要求7所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，

所述第一子标记、所述第二子标记、所述第三子标记和所述第四子标记设定为透光标记；

所述第一次级区域、所述第四次级区域、所述第六次级区域和所述第七次级区域设定为透光区域；

所述第二次级区域、所述第三次级区域、所述第五次级区域和所述第八次级区域设定为部分透光区域。

9.根据权利要求4或8所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，所述部分透光区的透光率范围为1％～20％。

10.根据权利要求8所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，合并后的所述图案层和所述辅助层中，

所述第二次级区域覆盖所述第一子标记；

所述第三次级区域覆盖所述第二子标记；

所述第五次级区域覆盖所述第三子标记；

所述第八次级区域覆盖所述第四子标记。

11.根据权利要求10所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，合并后的所述图案层和所述辅助层中，

所述第一次级区域对应的覆盖所述第三子标记；

所述第六次级区域对应的覆盖所述第一子标记；

所述第四次级区域对应的覆盖所述第四子标记；

所述第七次级区域对应的覆盖所述第二子标记。

12.根据权利要求11所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，合并后的所述图案层和所述辅助层中，

所述第二次级区域和所述第五次级区域至少部分对应重合；

所述第三次级区域和所述第八次级区域至少部分对应重合。

13.根据权利要求12所述的光掩膜图案的处理方法，其特征在于，还包括：

对合并后的所述图案层和所述辅助层进行反置。

14.一种光掩膜版，所述光掩膜版基于权利要求1-13中任一项所述的光掩膜图案的处理方法形成。

15.一种光掩膜图案的处理装置，其特征在于，包括：

图案层设置模块，用于设置包含第一标记和第二标记的图案层；

辅助层设置模块，用于设置辅助层，所述辅助层包括与所述第一标记对应的第一区域和与所述第二标记对应的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域的遮透光设定不同；

合并模块，用于合并所述图案层和所述辅助层，所述第一区域覆盖所述第一标记，所述第二区域覆盖所述第二标记。

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