CN112992757B - 微发光二极管芯片巨量转移方法 - Google Patents

微发光二极管芯片巨量转移方法 Download PDF

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Abstract

一种微发光二极管芯片巨量转移方法，包括：在DMD芯片的多个微型振镜上形成第一胶层；将第一基板上形成的多个微发光二极管芯片粘接在第一胶层上，并使多个微发光二极管芯片与多个微型振镜一一对应；剥离第一基板；溶解第一胶层，以使第一胶层之位于相邻的两个微发光二极管芯片之间的部分被除去，第一胶层之连接微发光二极管芯片和微型振镜的部分被保留而形成弱化结构；在第三基板上形成第二胶层，并将第二胶层与多个微发光二极管芯片粘接；调节多个微型振镜中的部分微型振镜旋转，以使弱化结构断裂，使微发光二极管芯片与对应的微型振镜分离；将第三基板携带的多个微发光二极管芯片与显示背板键合，转移工艺简单，易于实施。

Description

微发光二极管芯片巨量转移方法
技术领域
本发明涉及微发光二极管芯片转移技术领域，尤其涉及一种微发光二极管芯片巨量转移方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro-LED)显示面板是一种具有几十上百万的巨量微发光二极管芯片的显示器件，微发光二极管芯片显示面板具有诸多优势而具有良好的发展前景。
在微发光二极管芯片显示面板制造过程中，将基板上形成的巨量微发光二极管芯片转移到显示背板是关键技术。目前的巨量转移技术主要包括溶液法、激光选择性解胶法等，都存在工艺复杂，实施困难的问题。
因此，如何提供一种工艺简单，容易实施的巨量转移方法是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种微发光二极管芯片巨量转移方法，旨在解决巨量转移方法工艺复杂，实施困难的问题。
一种微发光二极管芯片巨量转移方法，包括：在DMD芯片的多个微型振镜上形成第一胶层；将第一基板上形成的多个微发光二极管芯片粘接在所述第一胶层上，并使多个所述微发光二极管芯片与多个所述微型振镜一一对应；剥离所述第一基板；溶解所述第一胶层，以使所述第一胶层之位于相邻的两个所述微发光二极管芯片之间的部分被除去，所述第一胶层之连接所述微发光二极管芯片和所述微型振镜的部分被保留而形成弱化结构；在第三基板上形成第二胶层，并将所述第二胶层与多个所述微发光二极管芯片粘接；调节多个所述微型振镜中的部分所述微型振镜旋转，以使所述弱化结构断裂，使所述微发光二极管芯片与对应的所述微型振镜分离；将所述第三基板携带的多个所述微发光二极管芯片与显示背板键合。
本发明利用DMD芯片的多个微型振镜具有各自独立旋转的特性，并通过溶解第一胶层并形成弱化结构，通过控制微型振镜的旋转使弱化结构断裂的方法，实现微发光二极管芯片的巨量转移，DMD芯片是一种易于取得，且易于控制的成熟器件，整个转移过程中，转移工艺简单，易于实施。
可选的，在DMD芯片的多个微型振镜上形成第一胶层，包括：提供所述DMD芯片，所述DMD芯片包括第二基板和设置在所述第二基板上的多个所述微型振镜；每个所述微型振镜相对所述第二基板包括第一状态和第二状态，在所述第一状态时，所述微型振镜的镜面相对所述第二基板的板面平行，在所述第二状态时，所述微型振镜的镜面相对所述第二基板的板面倾斜；在形成所述第一胶层时，设置多个所述微型振镜均处于所述第一状态。处于第一状态时，微型振镜的镜面与第二基板的板面平行，此时多个微型振镜的镜面形成平齐的平面，便于与第一胶层粘接，且可使得每个微型振镜的镜面与第一胶层具有良好的连接，避免某些微型振镜由于处于第二状态而只有部分镜面和第一胶层连接，进而导致连接失效。
可选的，调节多个所述微型振镜中的部分所述微型振镜旋转时，旋转的部分所述微型振镜从所述第一状态转变为所述第二状态。微型振镜从第一状态转变为第二状态，使得与之连接的弱化结构受到扭转和拉扯作用，容易折断。
可选的，调节多个所述微型振镜中的部分所述微型振镜旋转时，设置相邻的两个处于所述第二状态的所述微型振镜之间至少包含一个处于所述第一状态的所述微型振镜。设置相邻的两个处于第二状态的微型振镜之间至少包含一个处于第一状态的微型振镜，能转移相同发光颜色的微发光二极管芯片，能具有更高的转移效率。
可选的，调节处于所述第二状态的多个所述微型振镜时，设置处于所述第二状态的任意相邻的两个所述微型振镜的间隔距离相等。设置处于第二状态的任意相邻的两个微型振镜的间隔距离相等，可适用于矩形阵列排布的多个微发光二极管芯片的转移，转移效率更高。
可选的，溶解所述第一胶层时，包括：使用溶剂从所述第一胶层之背向所述DMD芯片的表面对所述第一胶层进行溶解，使得所述第一胶层从背向所述DMD芯片的表面向朝向所述DMD芯片的表面的溶解程度逐渐减少，从而使得所述弱化结构形成从所述微发光二极管芯片一侧向所述DMD芯片的一侧呈尺寸逐渐增大的结构。设置溶解第一胶层的方向，将第一胶层的部分溶解，部分保留而形成从微发光二极管芯片一侧向微型振镜的一侧呈尺寸逐渐增大弱化结构，弱化结构能起到更好的支撑作用，防止微发光二极管芯片偏移，避免影响后续工艺的进行。
可选的，调节所述溶剂的用量和反应时间，以使所述弱化结构的截面的形状呈等腰三角形或等腰梯形，结构规则，对微发光二极管芯片的支撑效果好，且也便于后续工艺的进行。
可选的，将第一基板上形成的多个微发光二极管芯片粘接在所述第一胶层上，包括：在所述第一基板上形成多个所述微发光二极管芯片，所述微发光二极管芯片包括磊晶以及形成在所述磊晶上的P电极和N电极，所述P电极和所述N电极位于背向所述第一基板的一侧，且所述P电极和所述N电极之间具有间隔距离；将所述第一胶层嵌入所述P电极和所述N电极之间的间隔中。一方面使得第一胶层和微发光二极管芯片之间的连接更牢固，另一方面，也便于后续的溶解第一胶层工序中保持微发光二极管芯片和微型振镜之间的连接，避免连接失效。
可选的，溶解所述第一胶层时，使所述P电极和所述N电极的外侧的所述第一胶层除去，使所述P电极和所述N电极之间的所述第一胶层保留而形成所述弱化结构，能提升支撑稳定性。
可选的，将所述第三基板携带的多个所述微发光二极管芯片与显示背板键合后，剥离所述第三基板和所述第二胶层，形成显示面板。
附图说明
图1为一种实施例的微发光二极管芯片巨量转移方法的流程图；
图2为图1的其中一个流程中的结构示意图；
图3为图1的其中一个流程中的结构示意图；
图4为图1的其中一个流程中的结构示意图；
图5为图1的其中一个流程中的结构示意图；
图6为图1的其中一个流程中的结构示意图；
图7为图1的其中一个流程中的结构示意图；
图8为图1的其中一个流程中的结构示意图；
图9为图1的其中一个流程中的结构示意图；
图10为图1的其中一个流程中的结构示意图；
图11为图1的其中一个流程中的结构示意图。
附图标记说明：
10-第一基板；
20-微发光二极管芯片，21-磊晶，22-P电极，23-N电极；
30-DMD芯片，31-第二基板，32-微型振镜；
40-第一胶层，41-弱化结构，41’-断裂的弱化结构；
50-第三基板；
60-第二胶层；
70-显示背板。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
目前的微发光二极管芯片巨量转移技术存在工艺复杂，实施困难的问题，以激光选择性解胶法为例，其工艺通常包括：在生长基板上形成多个微发光二极管芯片，使用临时基板上的粘合层1将微发光二极管芯片粘合到临时基板上，剥离生长基板，使用转移基板上的粘合层2粘合微发光二极管芯片，使用激光选择性照射临时基板上的粘合层1进行解胶，使粘合层1碳化或气化，使得微发光二极管芯片从临时基板脱离而被粘附在转移基板上，最后将转移基板的微发光二极管芯片转移到显示背板并剥离转移基板。其中的关键步骤是激光选择性照射粘合层1进行解胶，其工艺复杂，实施困难，会造成良品率低。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
请参考图1，本申请实施例提供一种微发光二极管芯片巨量转移方法，包括S1-S7，以下进行详细介绍：
该转移方法的S1：在DMD芯片的多个微型振镜上形成第一胶层。
请参考图2，在S1进行的同时或之前或之后，还包括：在第一基板10上形成多个微发光二极管芯片20。微发光二极管芯片20包括磊晶21以及形成在磊晶21上的P电极22和N电极23。P电极22和N电极23位于磊晶21之背向第一基板10的一侧，且P电极22和N电极23之间具有间隔距离。
在形成多个微发光二极管芯片20时，根据发光的类型不同，多个微发光二极管芯片20可包括红光二极管、绿光二极管和蓝光二极管，分别发出红光、绿光和蓝光。红光二极管、绿光二极管和蓝光二极管在第一基板10上可呈规律性的排布。进行转移时可按发光类型分别进行转移，即先将全部的红光二极管转移，再转移绿光二极管，再转移蓝光二极管。也可不按发光类型进行转移，如同时转移红光二极管、绿光二极管和蓝光二极管中的任意两者或三者。
请参考图3和图4，S1中，还包括：提供DMD芯片30，DMD芯片30包括第二基板31和设置在第二基板31上的多个微型振镜32。
请参考图3和图4，每个微型振镜32相对第二基板31包括第一状态和第二状态。请参考图4中的左图，在第一状态时，微型振镜32的镜面相对第二基板31的板面平行。请参考图4中的右图，在第二状态时，微型振镜32的镜面相对第二基板31的板面倾斜。
其中，DMD芯片30是德州仪器公司发明，其英文全称为Digital MicromirrorDevice，中文名称是数字微镜器件。DMD芯片30的基本结构为第二基板31上及形成在第二基板31上的数量巨大的微型振镜32，每个微型振镜32均可以独立的控制以进行旋转，即每个微型振镜32均可以具有第一状态和第二状态。
请参考图3至图5，在DMD芯片30的微型振镜32上形成第一胶层40时，设置多个微型振镜32均处于第一状态。处于第一状态时，微型振镜32的镜面与第二基板32的板面平行，此时多个微型振镜32的镜面形成平齐的平面，便于与第一胶层40粘接，且可使得每个微型振镜32的镜面与第一胶层40具有良好的连接，避免某些微型振镜32由于处于第二状态而只有部分镜面和第一胶层40连接，进而导致连接失效。
请参考图1和图5，该转移方法的S2：将第一基板10上形成的多个微发光二极管芯片20粘接在第一胶层40上，并使多个微发光二极管芯片20与多个微型振镜32一一对应。
具体的，在第一基板10上形成多个微发光二极管芯片20，以及在DMD芯片30的多个微型振镜32上形成第一胶层40后，可将两个结构的其中一个翻转。例如图5示出了将DMD芯片30翻转使得第一胶层40与多个微发光二极管芯片20粘接。
在将第一胶层40和多个微发光二极管芯片20粘接时，将第一胶层40嵌入P电极22和N电极23之间的间隔中。如此，一方面使得第一胶层40和微发光二极管芯片20之间的连接更牢固，另一方面，也便于后续的溶解第一胶层40工序中保持微发光二极管芯片20和微型振镜32之间的连接，避免连接失效。
其中，第一胶层40可以为聚酰亚胺(Polyimide，PI)或主链含有PI的聚合物。
请参考图1、图5和图6，该转移方法的S3：剥离第一基板10。剥离完成后，可将第二基板31翻转，使得微发光二极管芯片20朝向上方。剥离的工艺可采用激光剥离法。
请参考图1、图6和图7，该转移方法的S4：溶解第一胶层40，以使第一胶层40之位于相邻的两个微发光二极管芯片20之间的部分被除去，第一胶层40之连接微发光二极管芯片20和微型振镜32的部分被保留而形成弱化结构41。
具体的，溶解第一胶层40时，包括：使用溶剂从第一胶层40之背向DMD芯片30的表面对第一胶层40进行溶解，使得第一胶层40从背向DMD芯片30的表面向朝向DMD芯片30的表面的溶解程度逐渐减少，从而使得弱化结构41形成从微发光二极管芯片20一侧向DMD芯片的一侧呈尺寸逐渐增大的结构。
其中，溶剂可选用有机溶剂，如NMP(N-甲基吡咯烷酮)。溶剂进行溶解时，从第一胶层40之背向DMD芯片30的表面对第一胶层40开始溶解，随着溶解的进行，溶剂逐渐将第一胶层40之背向DMD芯片30的表面溶解并贯穿朝向DMD芯片30的表面。由于微发光二极管芯片20和第一胶层40连接，溶剂不能从微发光二极管芯片20一侧对连接微发光二极管芯片20和微型振镜32的第一胶层40溶解，而只能从侧面进行溶解，通过控制溶解的程度，可使得第一胶层40之连接微发光二极管芯片20和微型振镜32的部分被保留而形成弱化结构41，并且，第一胶层40之连接微发光二极管芯片20和微型振镜32的部分中，靠近微发光二极管芯片20一侧的部分被溶解的更多，靠近微型振镜32一侧的部分被溶解的更少些，从而使得弱化结构41形成从微发光二极管芯片20一侧向微型振镜32的一侧呈尺寸逐渐增大的结构。
当第一胶层40的部分被溶解而保留弱化结构41后，弱化结构41起到支撑微发光二极管芯片20的作用，弱化结构41形成从微发光二极管芯片20一侧向微型振镜32的一侧呈尺寸逐渐增大的结构，可以使得弱化结构41的支撑更稳定，微发光二极管芯片20不易偏移。
因此，设置溶解第一胶层40的方向，将第一胶层40的部分溶解，部分保留而形成从微发光二极管芯片20一侧向微型振镜32的一侧呈尺寸逐渐增大弱化结构41，弱化结构41能起到更好的支撑作用，防止微发光二极管芯片20偏移，避免影响后续工艺的进行。
其中，可通过调节溶剂的用量和反应时间，调整第一胶层40被溶解的程度，以使弱化结构41的截面的形状呈等腰三角形或等腰梯形。弱化结构41的截面的形状呈等腰三角形或等腰梯形，结构规则，对微发光二极管芯片20的支撑效果好，且也便于后续工艺的进行。
可选的，溶解第一胶层40时，使P电极22和N电极23的外侧的第一胶层40除去，使P电极22和N电极23之间的第一胶层40保留而形成弱化结构41。
换而言之，弱化结构41与微发光二极管芯片20的P电极22和N电极23之相对的侧面均接触，弱化结构41从P电极22和N电极23之间的间隔穿过并与磊晶21连接，如此，弱化结构41对微发光二极管芯片20的支撑点具有3个，即P电极22与N电极23相对的表面的1个、N电极23与P电极22相对的表面的1个，以及磊晶21之朝向微型振镜32的表面的1个，从而能提升支撑稳定性。
请参考图1、图7和图8，该转移方法的S5：在第三基板50上形成第二胶层60，并将第二胶层60与多个微发光二极管芯片20粘接。
请参考图1、图8至图10，该转移方法的S6：调节多个微型振镜32中的部分微型振镜32旋转，以使弱化结构41断裂(断裂后的弱化结构如图9中标号41’所示)，使微发光二极管芯片20与对应的微型振镜32分离。
前文已述，DMD芯片30的多个微型振镜32可各自独立的控制旋转，因此，可控制所需转移的微发光二极管芯片20对应的微型振镜32进行旋转，从而使弱化结构41断裂，断裂后的弱化结构41不再对微发光二极管芯片20具有支撑作用。此外，由于弱化结构41是由第一胶层40溶解而形成，弱化结构41对微发光二极管芯片20和微型振镜32具有粘合力，当旋转微型振镜32时，由于第二胶层60又粘接微发光二极管芯片20，使得微型振镜32对弱化结构41具有转动及拉扯作用，从而可使弱化结构41断裂，使微发光二极管芯片20与对应的微型振镜32分离。
具体的，请参考图4和图9，调节多个微型振镜32中的部分微型振镜32旋转时，旋转的部分微型振镜32从第一状态转变为第二状态。微型振镜32从第一状态转变为第二状态，使得与之连接的弱化结构41受到扭转和拉扯作用，容易折断。
可选的，调节多个微型振镜32中的部分微型振镜32旋转时，设置相邻的两个处于第二状态的微型振镜32之间至少包含一个处于第一状态的微型振镜32。
结合图2、图4和图9，前文已述，微发光二极管芯片20包括红光二极管、绿光二极管和蓝光二极管，且在第一基板10上，三者通常为规律分布。对于显示面板而言，一个像素包括1个红光二极管、1个绿光二极管和1个蓝光二极管。在第一基板10形成多个微发光二极管芯片20时，通常是依次形成红光二极管、绿光二极管和蓝光二极管，即红光二极管、绿光二极管和蓝光二极管在第一基板10上呈周期性的规律排布。在红光二极管、绿光二极管和蓝光二极管的周期排布的方向上，相邻两个微发光二极管芯片20必然不具有同一发光颜色。
将第一基板10上的多个微发光二极管芯片20转移到多个微型振镜32上后，微发光二极管芯片20的排布规律不会改变，依然为周期性的规律排布。
在将多个微型振镜32上的微发光二极管芯片20转移到第三基板50上时，依次转移同样的发光颜色的微发光二极管芯片20。例如，先转移多个红光二极管，再转移多个绿光二极管，最后再转移多个蓝光二极管，如此，可使得转移效率更高。进一步的，转移微发光二极管芯片20时，需使弱化结构41断裂，即需要使与之对应的微型振镜32从第一状态转变为第二状态。由于红光二极管、绿光二极管和蓝光二极管是周期性规律排布，故转移时需要调整的多个微型振镜32也呈规律排布，即相邻两个处于第二状态的微型振镜32之间至少包括一个处于第一状态的微型振镜32。
因此，设置相邻的两个处于第二状态的微型振镜32之间至少包含一个处于第一状态的微型振镜32，能转移相同发光颜色的微发光二极管芯片20，能具有更高的转移效率。
如图9所示的，红光二极管、绿光二极管和蓝光二极管是沿一直线依次排布时，设置相邻的两个处于第二状态的微型振镜32之间包含两个处于第一状态的微型振镜32，如此便可将一种发光颜色(如红光)的微发光二极管芯片20转移，后续再依次转移其他两种发光颜色(如绿光和蓝光)的微发光二极管芯片20，完成全部微发光二极管芯片20的转移。
可选的，调节处于第二状态的多个微型振镜32时，设置处于第二状态的任意相邻的两个微型振镜32的间隔距离相等。
结合图2、图4和图9，多个微发光二极管芯片20在第一基板10上呈矩形阵列排布时，其中一个微发光二极管芯片20与任意相邻的两个微发光二极管芯片20的距离相等。将多个微发光二极管芯片20从第一基板10转移到DMD芯片30上时，不改变多个微发光二极管芯片20的排布规律。因此，设置处于第二状态的任意相邻的两个微型振镜32的间隔距离相等，可适用于矩形阵列排布的多个微发光二极管芯片20的转移，转移效率更高。
请参考图9和图10，完成相同发光颜色的微发光二极管芯片20的筛选(即使相同发光颜色的微发光二极管芯片20对应的弱化结构41断裂)后，将第三基板50移走，带走断裂的弱化结构41对应的微发光二极管芯片20。由于未断裂的弱化结构41对微发光二极管芯片20还具有粘合力作用，使得第三基板50不能带走未断裂的弱化结构41对应的微发光二极管芯片20。完成一种发光颜色的微发光二极管芯片20的转移后，后续再进行另外两种发光颜色的微发光二极管芯片20的转移。
请参考图1、图10和图11，该转移方法的S7：将第三基板50携带的多个微发光二极管芯片20与显示背板70键合。
进一步的，将第三基板50携带的多个微发光二极管芯片20与显示背板70键合后，剥离第三基板50和第二胶层60，形成显示面板。
本发明利用DMD芯片30的多个微型振镜32具有各自独立旋转的特性，并通过溶解第一胶层40并形成弱化结构41，通过控制微型振镜32的旋转使弱化结构41断裂的方法，实现微发光二极管芯片20的巨量转移，DMD芯片30是一种易于取得，且易于控制的成熟器件，整个转移过程中，转移工艺简单，易于实施。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种微发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，包括：
在DMD芯片的多个微型振镜上形成第一胶层；
将第一基板上形成的多个微发光二极管芯片粘接在所述第一胶层上，并使多个所述微发光二极管芯片与多个所述微型振镜一一对应；
剥离所述第一基板；
溶解所述第一胶层，以使所述第一胶层之位于相邻的两个所述微发光二极管芯片之间的部分被除去，所述第一胶层之连接所述微发光二极管芯片和所述微型振镜的部分被保留而形成弱化结构；
在第三基板上形成第二胶层，并将所述第二胶层与多个所述微发光二极管芯片粘接；
调节多个所述微型振镜中的部分所述微型振镜旋转，以使所述弱化结构断裂，使所述微发光二极管芯片与对应的所述微型振镜分离；
将所述第三基板携带的多个所述微发光二极管芯片与显示背板键合。
2.如权利要求1所述的微发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，在DMD芯片的多个微型振镜上形成第一胶层，包括：
提供所述DMD芯片，所述DMD芯片包括第二基板和设置在所述第二基板上的多个所述微型振镜；每个所述微型振镜相对所述第二基板包括第一状态和第二状态，在所述第一状态时，所述微型振镜的镜面相对所述第二基板的板面平行，在所述第二状态时，所述微型振镜的镜面相对所述第二基板的板面倾斜；
在形成所述第一胶层时，设置多个所述微型振镜均处于所述第一状态。
3.如权利要求2所述的微发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，调节多个所述微型振镜中的部分所述微型振镜旋转时，旋转的部分所述微型振镜从所述第一状态转变为所述第二状态。
4.如权利要求3所述的微发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，调节多个所述微型振镜中的部分所述微型振镜旋转时，设置相邻的两个处于所述第二状态的所述微型振镜之间至少包含一个处于所述第一状态的所述微型振镜。
5.如权利要求4所述的微发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，调节处于所述第二状态的多个所述微型振镜时，设置处于所述第二状态的任意相邻的两个所述微型振镜的间隔距离相等。
6.如权利要求1至5任一项所述的微发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，溶解所述第一胶层时，包括：
使用溶剂从所述第一胶层之背向所述DMD芯片的表面对所述第一胶层进行溶解，使得所述第一胶层从背向所述DMD芯片的表面向朝向所述DMD芯片的表面的溶解程度逐渐减少，从而使得所述弱化结构形成从所述微发光二极管芯片一侧向所述DMD芯片的一侧呈尺寸逐渐增大的结构。
7.如权利要求6所述的微发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，调节所述溶剂的用量和反应时间，以使所述弱化结构的截面的形状呈等腰三角形或等腰梯形。
8.如权利要求1至5任一项所述的微发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，将第一基板上形成的多个微发光二极管芯片粘接在所述第一胶层上，包括：
在所述第一基板上形成多个所述微发光二极管芯片，所述微发光二极管芯片包括磊晶以及形成在所述磊晶上的P电极和N电极，所述P电极和所述N电极位于背向所述第一基板的一侧，且所述P电极和所述N电极之间具有间隔距离；
将所述第一胶层嵌入所述P电极和所述N电极之间的间隔中。
9.如权利要求8所述的微发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，溶解所述第一胶层时，使所述P电极和所述N电极的外侧的所述第一胶层除去，使所述P电极和所述N电极之间的所述第一胶层保留而形成所述弱化结构。
10.如权利要求1至5任一项所述的微发光二极管芯片巨量转移方法，其特征在于，将所述第三基板携带的多个所述微发光二极管芯片与显示背板键合后，剥离所述第三基板和所述第二胶层。
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