CN116960255B - Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法 - Google Patents
Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116960255B CN116960255B CN202311199786.XA CN202311199786A CN116960255B CN 116960255 B CN116960255 B CN 116960255B CN 202311199786 A CN202311199786 A CN 202311199786A CN 116960255 B CN116960255 B CN 116960255B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro led
- led chips
- row
- substrate
- transfer substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 108
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 11
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 101100134058 Caenorhabditis elegans nth-1 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法，涉及半导体显示技术领域。在本申请的Micro LED芯片的间距调节方法中，将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后，利用调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块，上述调距方法可以使得第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的间距变大，进而在后续Micro LED芯片列转移至所述第一转移基板的过程中，由于各金属凸块的存在，可以确保预先转移的相邻Micro LED芯片列之间的间距固定不变。
Description
技术领域
本发明涉及半导体显示技术领域，具体涉及一种Micro LED芯片的间距调节方法及一种Micro LED芯片的转移方法。
背景技术
显示面板通常包括有机显示面板和无机显示面板，有机显示面板主要是通过电场驱动，有机半导体材料和发光材料通过载流子注入和复合后实现发光。有机显示面板存在大尺寸化困难、寿命短、制程复杂等缺陷。无机显示面板则主要是微型发光单元显示面板，其显示原理是将无机发光二极管结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，然后将微型发光单元批量式转移至驱动电路基板上，然后再利用物理气相沉积和/或化学气相沉积工艺完成保护层与上电极的制备，最后进行上基板的封装，以得到微型发光单元显示面板。
在微型发光芯片制作完成后，需要通过巨量转移技术将微型发光芯片转移到驱动电路背板上。目前微型发光芯片的巨量转移技术主要有拾取释放法、激光转移技术、流体自组装技术和滚轮转印技术。巨量转移技术面临的共性问题就是精度，如何精确控制待转移微型发光单元的间距，进而可以确保在转移的过程中，微型发光单元与驱动基板的像素电极精确对位，进而保证微型发光二极管显示面板的出光均匀、无色差，这是业界广泛关注的问题。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种Micro LED芯片的间距调节方法及一种Micro LED芯片的转移方法。
为实现上述目的，本发明提出的一种Micro LED芯片的间距调节方法，包括：
1）提供一发光晶圆，对所述发光晶圆进行切割处理，以形成N列Micro LED芯片，其中N≥10，且每一列Micro LED芯片包括多个分离设置的Micro LED芯片。
2）提供第一转移基板，所述第一转移基板在加热状态下能够塑性形变，将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距为D1。
3）提供一调距模块，所述调距模块包括一列调距凸块，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块。
4）将第三列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第二列Micro LED芯片和第三列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第二列Micro LED芯片和第三列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第二凹槽，并在所述第二凹槽中形成第二金属凸块。
5）多次重复步骤4）的转移方式，直至将第N列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第N-1列Micro LED芯片和第N列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第N-1列Micro LED芯片和第N列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第N-1凹槽，并在所述第N-1凹槽中形成第N-1金属凸块。
作为优选的技术方案，所述Micro LED芯片包括衬底以及位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极，第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接。
作为优选的技术方案，在所述步骤2）中，所述将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后，在所述第一转移基板上沉积保护材料以形成保护层，所述保护层覆盖所述Micro LED芯片。
作为优选的技术方案，所述调距凸块包括圆柱型基部以及位于所述圆柱型基部上的圆锥型端部。
作为优选的技术方案，利用掩膜在所述第一凹槽中形成第一金属凸块。
本发明还提出一种Micro LED芯片的转移方法，包括：
提供利用上述Micro LED芯片的间距调节方法形成的具有N列Micro LED芯片的第一转移基板；
提供一目标基板，将所述第一转移基板上的N列Micro LED芯片转移至所述目标基板，使得所述Micro LED芯片与所述目标基板电连接；
去除所述第一转移基板，在所述目标基板上形成一封装层，所述封装层包裹所述Micro LED芯片。
本发明的有益效果在于：
在现有的Micro LED芯片的转移过程中，通过是将切割完成的Micro LED芯片直接转移到柔性胶膜上，然后拉伸柔性胶膜，上述工序容易造成各芯片之间的间距不均一，进而在后续的转移工序中，容易造成Micro LED芯片与目标基板的电连接失效。而在本申请的Micro LED芯片的间距调节方法中，将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后，利用调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块，上述调距方法可以使得第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的间距变大，进而在后续Micro LED芯片列转移至所述第一转移基板的过程中，由于各金属凸块的存在，可以确保预先转移的相邻Micro LED芯片列之间的间距固定不变。
进一步的，通过一列一列的转移Micro LED芯片，在确保Micro LED芯片列之间具有合适间距的同时，还可以提高转移效率。在后续将其转移至目标基板的过程中，可以提高Micro LED芯片与目标基板的像素电极精确对位，进而可以提高转移良率。
附图说明
图1显示为本发明实施例中的对所述发光晶圆进行切割处理的结构示意图。
图2显示为本发明实施例中将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板的结构示意图。
图3显示为本发明实施例中利用调距模块调节第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距的结构示意图。
图4显示为本发明实施例中转移第三列Micro LED芯片并调节其与第二列MicroLED芯片之间的净距的结构示意图。
图5显示为本发明实施例中转移第N列Micro LED芯片并调节其与第N-1列MicroLED芯片之间的净距的结构示意图。
图6显示为本发明实施例中将N列Micro LED芯片转移至目标基板的结构示意图。
实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
如图1～图5所示，本实施例提供一种Micro LED芯片的间距调节方法，包括：
如图1所示，在步骤1）中，提供一发光晶圆100，对所述发光晶圆进行切割处理，以形成N列Micro LED芯片101，其中N≥10，且每一列Micro LED芯片101包括多个分离设置的Micro LED芯片。
在具体的实施例中，所述Micro LED芯片包括衬底以及位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极，第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接。
在具体的实施例中，在具体的实施例中，所述发光晶圆100的制备工艺具体可以为：在蓝宝石衬底上生长未掺杂的氮化镓作为缓冲层，然后在未掺杂的氮化镓上生长N型掺杂的氮化镓层作为电子注入层，进而在N型氮化镓层上生长氮化镓/氮化铟镓超晶格结构作为有源发光层，其中，氮化镓作为势垒层，氮化铟镓作为势阱层，接着在所述有源发光层上生长P型掺杂的氮化镓层作为空穴注入层，然后通过物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺沉积金属材料，例如铜、铝、金、银、钯等合适的金属，以形成第一电极和第二电极，其中，第一电极与N型掺杂的氮化镓层电连接，所述第二电极与P型掺杂的氮化镓层电连接。
在具体的实施例中，通过机械切割处理或激光切割处理后形成多个分立的微型发光单元101。
如图2所示，在步骤2）中，提供第一转移基板200，所述第一转移基板200在加热状态下能够塑性形变，将第一列Micro LED芯片101和第二列Micro LED芯片101转移至所述第一转移基板，第一列Micro LED芯片101和第二列Micro LED芯片101之间的净距为D1。
在具体的实施例中，所述第一转移基板200的材质是塑性树脂材料。
在具体的实施例中，可以将切割后的第一列Micro LED芯片101和第二列MicroLED芯片101直接转移至第一转移基板200，即切割后的第一列Micro LED芯片101和第二列Micro LED芯片101之间的净距就为D1。
在具体的实施例中，所述将第一列Micro LED芯片101和第二列Micro LED芯片101转移至所述第一转移基板200之后，在所述第一转移基板200上沉积保护材料以形成保护层（未图示），所述保护层覆盖所述Micro LED芯片，所述保护层可以是氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或氧化铝层。所述保护层的存在可以有效保护Micro LED芯片，进而在后续调整间距的工序中避免Micro LED芯片损伤。
如图3所示，在步骤3）中，提供一调距模块300，所述调距模块包括一列调距凸块301，在对所述第一转移基板200加热状态下，利用所述调距模块300将第一列Micro LED芯片101和第二列Micro LED芯片101之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板200上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块。
在具体的实施例中，所述调距凸块301包括圆柱型基部以及位于所述圆柱型基部上的圆锥型端部，通过上述结构的设置可以方便调节间距。
在具体的实施例中，在利用掩膜在所述第一凹槽中形成第一金属凸块401，更具体的，通过蒸镀铜形成所述第一金属凸块。
如图4所示，在步骤4）中，将第三列Micro LED芯片101转移至所述第一转移基板200，第二列Micro LED芯片101和第三列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块300将第二列Micro LED芯片101和第三列Micro LED芯片101之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板200上形成第二凹槽，并在所述第二凹槽中形成第二金属凸块。
在具体的实施例中，在利用掩膜在所述第二凹槽中形成第二金属凸块，更具体的，通过蒸镀铜形成所述第二金属凸块。
如图5所示，在步骤5）中，多次重复步骤4）的转移方式，直至将第N列Micro LED芯片101转移至所述第一转移基板200，第N-1列Micro LED芯片101和第N列Micro LED芯片101之间的净距为D1，在对所述第一转移基板200加热状态下，利用所述调距模块将第N-1列Micro LED芯片101和第N列Micro LED芯片101之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第N-1凹槽，并在所述第N-1凹槽中形成第N-1金属凸块。
在具体的实施例中，依次转移第四列、第五列…第N-1列、第N列Micro LED芯片，进而在所述第一转移基板上设置N列Micro LED芯片101，相邻Micro LED芯片列之间的间距相同，且均为D2，通过上述转移方式，一方面可以使得在切割发光晶圆100的过程中，可以使得切割道的宽度仅为D1，进而可以使得一个发光晶圆切割出更多的Micro LED芯片，另一方面则是可以有效调整各Micro LED芯片列之间的间距均为D2，进而可以提高Micro LED芯片与目标基板的像素电极精确对位，进而可以提高转移良率。
如图6所示，本发明还提出一种Micro LED芯片的转移方法，包括：
提供利用上述Micro LED芯片的间距调节方法形成的具有N列Micro LED芯片101的第一转移基板200；
提供一目标基板400，将所述第一转移基板200上的N列Micro LED芯片转移101至所述目标基板400，使得所述Micro LED芯片与所述目标基板400电连接；
去除所述第一转移基板200，在所述目标基板400上形成一封装层500，所述封装层500包裹所述Micro LED芯片。
在其他优选的技术方案中，本发明提出的一种Micro LED芯片的间距调节方法，包括：
1）提供一发光晶圆，对所述发光晶圆进行切割处理，以形成N列Micro LED芯片，其中N≥10，且每一列Micro LED芯片包括多个分离设置的Micro LED芯片。
2）提供第一转移基板，所述第一转移基板在加热状态下能够塑性形变，将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距为D1。
3）提供一调距模块，所述调距模块包括一列调距凸块，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块。
4）将第三列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第二列Micro LED芯片和第三列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第二列Micro LED芯片和第三列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第二凹槽，并在所述第二凹槽中形成第二金属凸块。
5）多次重复步骤4）的转移方式，直至将第N列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第N-1列Micro LED芯片和第N列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第N-1列Micro LED芯片和第N列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第N-1凹槽，并在所述第N-1凹槽中形成第N-1金属凸块。
在更优的技术方案中，所述Micro LED芯片包括衬底以及位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极，第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接。
在更优的技术方案中，在所述步骤2）中，所述将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后，在所述第一转移基板上沉积保护材料以形成保护层，所述保护层覆盖所述Micro LED芯片。
在更优的技术方案中，所述调距凸块包括圆柱型基部以及位于所述圆柱型基部上的圆锥型端部。
在更优的技术方案中，利用掩膜在所述第一凹槽中形成第一金属凸块。
本发明还提出一种Micro LED芯片的转移方法，包括：
提供利用上述Micro LED芯片的间距调节方法形成的具有N列Micro LED芯片的第一转移基板；
提供一目标基板，将所述第一转移基板上的N列Micro LED芯片转移至所述目标基板，使得所述Micro LED芯片与所述目标基板电连接；
去除所述第一转移基板，在所述目标基板上形成一封装层，所述封装层包裹所述Micro LED芯片。
在现有的Micro LED芯片的转移过程中，通过是将切割完成的Micro LED芯片直接转移到柔性胶膜上，然后拉伸柔性胶膜，上述工序容易造成各芯片之间的间距不均一，进而在后续的转移工序中，容易造成Micro LED芯片与目标基板的电连接失效。而在本申请的Micro LED芯片的间距调节方法中，将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后，利用调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块，上述调距方法可以使得第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的间距变大，进而在后续Micro LED芯片列转移至所述第一转移基板的过程中，由于各金属凸块的存在，可以确保预先转移的相邻Micro LED芯片列之间的间距固定不变。
进一步的，通过一列一列的转移Micro LED芯片，在确保Micro LED芯片列之间具有合适间距的同时，还可以提高转移效率。在后续将其转移至目标基板的过程中，可以提高Micro LED芯片与目标基板的像素电极精确对位，进而可以提高转移良率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (6)
1.一种Micro LED芯片的间距调节方法，其特征在于：包括：
1）提供一发光晶圆，对所述发光晶圆进行切割处理，以形成N列Micro LED芯片，其中N≥10，且每一列Micro LED芯片包括多个分离设置的Micro LED芯片；
2）提供第一转移基板，所述第一转移基板在加热状态下能够塑性形变，将第一列MicroLED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距为D1；
3）提供一调距模块，所述调距模块包括一列调距凸块，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第一凹槽，并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块；
4）将第三列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第二列Micro LED芯片和第三列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第二列Micro LED芯片和第三列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第二凹槽，并在所述第二凹槽中形成第二金属凸块；
5）多次重复步骤4）的转移方式，直至将第N列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板，第N-1列Micro LED芯片和第N列Micro LED芯片之间的净距为D1，在对所述第一转移基板加热状态下，利用所述调距模块将第N-1列Micro LED芯片和第N列Micro LED芯片之间的净距调节为D2，D2大于D1，并在所述第一转移基板上形成第N-1凹槽，并在所述第N-1凹槽中形成第N-1金属凸块。
2. 根据权利要求1所述的Micro LED芯片的间距调节方法，其特征在于：所述MicroLED芯片包括衬底以及位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极，第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接。
3. 根据权利要求1所述的Micro LED芯片的间距调节方法，其特征在于：在所述步骤2）中，所述将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后，在所述第一转移基板上沉积保护材料以形成保护层，所述保护层覆盖所述Micro LED芯片。
4. 根据权利要求1所述的Micro LED芯片的间距调节方法，其特征在于：所述调距凸块包括圆柱型基部以及位于所述圆柱型基部上的圆锥型端部。
5. 根据权利要求1所述的Micro LED芯片的间距调节方法，其特征在于：利用掩膜在所述第一凹槽中形成第一金属凸块。
6.一种Micro LED芯片的转移方法，其特征在于：包括：
提供利用权利要求1-5任一项所述的Micro LED芯片的间距调节方法形成的具有N列Micro LED芯片的第一转移基板；
提供一目标基板，将所述第一转移基板上的N列Micro LED芯片转移至所述目标基板，使得所述Micro LED芯片与所述目标基板电连接；
去除所述第一转移基板，在所述目标基板上形成一封装层，所述封装层包裹所述MicroLED芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311199786.XA CN116960255B (zh) | 2023-09-18 | 2023-09-18 | Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311199786.XA CN116960255B (zh) | 2023-09-18 | 2023-09-18 | Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116960255A CN116960255A (zh) | 2023-10-27 |
| CN116960255B true CN116960255B (zh) | 2023-12-26 |
Family
ID=88442729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311199786.XA Active CN116960255B (zh) | 2023-09-18 | 2023-09-18 | Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116960255B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180006785A (ko) * | 2016-07-11 | 2018-01-19 | 한국전자통신연구원 | 소자 제작 방법 |
| KR20190143085A (ko) * | 2018-06-20 | 2019-12-30 | 주식회사 루멘스 | 마이크로 엘이디 모듈 제조방법 |
| CN110998822A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种微器件转移装置及方法 |
| JP2020068239A (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | 国立大学法人東北大学 | 延伸装置、及び延伸方法 |
| CN112992757A (zh) * | 2020-07-03 | 2021-06-18 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 微发光二极管芯片巨量转移方法 |
| CN115223888A (zh) * | 2021-04-20 | 2022-10-21 | 广东工业大学 | 一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200135069A (ko) * | 2019-05-24 | 2020-12-02 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 led 디스플레이 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이 |
-
2023
- 2023-09-18 CN CN202311199786.XA patent/CN116960255B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180006785A (ko) * | 2016-07-11 | 2018-01-19 | 한국전자통신연구원 | 소자 제작 방법 |
| KR20190143085A (ko) * | 2018-06-20 | 2019-12-30 | 주식회사 루멘스 | 마이크로 엘이디 모듈 제조방법 |
| JP2020068239A (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | 国立大学法人東北大学 | 延伸装置、及び延伸方法 |
| CN110998822A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种微器件转移装置及方法 |
| CN112992757A (zh) * | 2020-07-03 | 2021-06-18 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 微发光二极管芯片巨量转移方法 |
| CN115223888A (zh) * | 2021-04-20 | 2022-10-21 | 广东工业大学 | 一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116960255A (zh) | 2023-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10756070B2 (en) | LED module and method for fabricating the same | |
| CN108878620B (zh) | 制造基于led的发射型显示装置的方法 | |
| US9349911B2 (en) | Method for manufacturing a monolithic LED micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology | |
| CN110310907B (zh) | 一种Micro-LED芯片转移方法及显示装置 | |
| EP3096363B1 (en) | Micro-light-emitting diode | |
| US20170062650A1 (en) | Method manufacturing light emitting diode having supporting lay7er attached to temporary adhesive | |
| KR102579645B1 (ko) | 반도체 소자 이송방법, 반도체 소자 이송장치 및 표시패널 제조방법 | |
| CN111048497B (zh) | 一种有源矩阵彩色显示器件的制造方法 | |
| US20230043559A1 (en) | Apparatus and method for self-assembly of semiconductor light-emitting element | |
| KR20180105803A (ko) | 엘이디 모듈 제조방법 | |
| EP3509094B1 (en) | Micro device transfer equipment and related method | |
| CN116960255B (zh) | Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法 | |
| US7416919B2 (en) | Method for wafer level stack die placement | |
| CN113451352A (zh) | 芯片弱化结构及其制作方法、巨量转移方法、显示面板 | |
| TW202201773A (zh) | 製造微發光二極體顯示器的系統與方法 | |
| KR20190117968A (ko) | 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 | |
| TWI754283B (zh) | 顯示面板的製備方法 | |
| CN116914062B (zh) | 一种微型发光单元的转移方法 | |
| CN117038804B (zh) | 一种微型发光二极管芯片的转移方法 | |
| CN117080323B (zh) | 一种Micro LED芯片的巨量转移方法 | |
| CN116936714B (zh) | 一种微型发光单元显示面板及其制造方法 | |
| US20240071287A1 (en) | Light emitting diode display device | |
| KR102628302B1 (ko) | 신축/유연 마이크로 발광다이오드 제조 방법 | |
| KR20180105782A (ko) | 엘이디 모듈 제조용 칩 온 캐리어 및 그 제작방법 | |
| CN113471339B (zh) | 一种Micro-LED芯片的巨量转移方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |