TWI781745B - 轉移系統和轉移方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種轉移系統和轉移方法。轉移系統用於轉移晶片，包括臨時基板和轉移設備，臨時基板具有相對的第一表面和第二表面，第二表面與第一表面之間具有第一夾角，第一夾角大於0°且小於90°；轉移設備具有轉移基板和設置在轉移基板上的多個轉移頭，轉移基板具有相對的第三表面和第四表面，且第四表面與第三表面之間具有第二夾角，第二夾角大於0°且小於90°，多個轉移頭間隔地位於第四表面，轉移頭背離轉移基板的一側表面與第四表面平行。

Description

轉移系統和轉移方法
本發明要求於2020年09月21日提交中國國家知識產權局、申請號為202010997976.6、發明名稱“轉移系統和轉移方法”的中國專利申請的優先權，其全部內容通過引用結合在本發明中。
本發明關於顯示領域，尤其關於轉移系統和轉移方法。
MICRO-LED顯示面板上包括了若干像素區域，每個像素區域包括紅光LED、藍光LED、綠光LED晶片。在顯示器的製作過程中，需要將紅綠藍這三種LED晶片從各自的生長基板轉移到顯示背板上。
相關技術中的巨量轉移方法包括以下步驟： 先將晶片轉移至第一臨時基板的第一膠層上； 通過轉移基板將LED晶片轉移到顯示背板等結構上，具體實施方式為轉移基板通過其表面的第二膠層黏附LED晶片，然後通過雷射選擇性照射第一臨時基板上的第一膠層進行解膠，使其碳化或氣化，LED晶片從而與第一臨時基板脫離被黏附到轉移基板上。但是，解膠製程複雜，對於巨量轉移的穩定實施存在困難，不利於MICRO-LED顯示器的量產化。
因此，如何降低晶片脫離臨時基板的難度是亟需解決的問題。
鑒於上述相關技術的不足，本發明提供一種轉移系統和轉移方法，能夠解決相關技術中的晶片較難脫離臨時基板的問題。
一種轉移系統，所述轉移系統用於轉移晶片，所述轉移系統包括臨時基板和轉移設備，所述臨時基板具有相對的第一表面和第二表面，所述第二表面與所述第一表面之間具有第一夾角，所述第一夾角大於0°且小於90°；所述轉移設備具有轉移基板和設置在所述轉移基板上的多個轉移頭，所述轉移基板具有相對的第三表面和第四表面，且所述第四表面與所述第三表面之間具有第二夾角，所述第二夾角大於0°且小於90°，多個所述轉移頭間隔地位於所述第四表面上，所述轉移頭背離所述轉移基板的一側表面與所述第四表面平行。
上述的轉移系統中，包括臨時基板和轉移設備，其中，臨時基板的第一表面和第二表面具有夾角，即第二表面相對第一表面來說是一個傾斜的表面，第一表面相對於第二表面來說也是一個傾斜的表面，這樣當晶片設置在該臨時基板的第一表面或者第二表面時，由於其所在的表面為傾斜的表面，相對於相關技術中的非傾斜的表面來說，晶片更容易脫離該傾斜的表面，該臨時基板可以降低晶片脫離臨時基板的難度。並且，上述轉移基板上上述第三表面與上述第四表面之間也有夾角，多個上述轉移頭間隔地位於上述第四表面上，且所述轉移頭背離所述轉移基板的一側表面與所述第四表面平行，這樣使得轉移設備和臨時基板更好地配合以進一步簡化轉移過程。
可選地，所述第一夾角等於所述第二夾角。這樣可以使得轉移設備和臨時基板的匹配度更高，從而使得二者在轉移過程中更好地配合，以簡化晶片的轉移過程。
基於同樣的發明構思，本發明還提供一種晶片的轉移方法，所述晶片的轉移方法應用於所述轉移系統，所述轉移方法包括：在所述臨時基板的所述第二表面上形成第一膠層，利用所述第一膠層將生長基板上的晶片黏附至所述臨時基板上；將黏附有所述晶片的所述第一膠層製作成多個弱化結構；在所述轉移頭上塗布第二膠層，通過所述第二膠層黏附住所述臨時基板上的所述晶片；在所述轉移設備的預定端施加第一預定作用力，以使得所述弱化結構斷裂，使與所述臨時基板分離後的所述晶片轉移到所述轉移設備上；將位於所述轉移設備上的所述晶片轉移至預定結構上。
上述的轉移方法中，通過在轉移設備的預定端施加第一預定作用力將晶片和弱化結構分離，從而使得晶片轉移到轉移設備上，並且，由於晶片位於臨時基板的傾斜表面上，且第一預定作用力施加在轉移設備的預定端，這樣使得弱化結構單點受力，更容易與晶片分離。該方法中通過形成弱化結構以及施加較小的第一預定作用力，將晶片從臨時基板轉移至轉移設備上，該方法中避免了相關技術中的解膠製程的使用，該方法通過簡單的製程使得晶片轉移至轉移設備上，即降低了晶片脫離臨時基板的難度，有利於顯示器的產量化。
可選地，將黏附有晶片的所述第一膠層製作成多個弱化結構，包括：去除部分的所述第一膠層，使得剩餘的所述第一膠層形成多個所述弱化結構。
可選地，所述去除部分的所述第一膠層，使得剩餘的所述第一膠層形成多個弱化結構，包括：在所述晶片的遠離所述臨時基板的表面上設置遮擋件，所述遮擋件包括間隔設置的多個開孔，且所述多個開孔在所述臨時基板上的投影一一對應地位於多個中間區域內，所述多個中間區域為相鄰的每兩個所述晶片之間的所述臨時基板的表面區域；將溶劑從上所述開孔注入至相鄰的每兩個所述晶片之間，使得所述溶劑溶解部分所述第一膠層，以形成多個所述弱化結構。該種方法更容易實施，且可以同時進一步保證形成預定尺寸以及預定形狀的弱化結構。
可選地，所述開孔在垂直於所述第二表面的方向上的截面積逐漸增大。這樣使得弱化結構與對應晶片分離所需要的作用力逐漸減小，從而進一步保證施加較小的第一預定作用力可以將所有的弱化結構和對應的晶片都能較好地分離。
可選地，在所述轉移頭上塗布第二膠層，通過所述第二膠層黏附住所述臨時基板上的所述晶片，包括：將所述轉移頭上的所述第二膠層與所述晶片對準，使得所述第三表面與所述第一表面平行，且所述第四表面與所述第二表面平行；向所述轉移設備施加第二預定作用力，使得所述第二膠層黏附住所述臨時基板上的所述晶片。該方法中，轉移基板的形狀與臨時基板的形狀匹配度較高，且轉移頭設置在轉移基板的傾斜的表面上，在向轉移設備的轉移基板施加第二預定作用力時，就直接向第三表面施加向下的第二作用力即可，所以該方案更加方便第二預定作用力的施加，進一步簡化了轉移方法。
可選地，在所述轉移設備的預定端施加第一預定作用力，以使得所述弱化結構斷裂，使與所述臨時基板分離後的所述晶片轉移到所述轉移設備上，包括：在所述轉移基板上的第一端施加所述第一預定作用力，使得所述轉移基板繞預定軸開始旋轉，使得所述弱化結構按照與所述轉移基板的第一端的距離由小及大的順序依次斷裂，所述臨時基板的第一端的厚度小於所述臨時基板的第二端的厚度，所述預定軸在所述第三表面所在的平面上且垂直於所述轉移基板的側壁。該種方式中，轉移基板的第一端為與臨時基板的第一端對應的一端，在轉移基板的第一端施加第一預定作用力，使得位於臨時基板的厚度較小處的弱化結構先與對應的晶片分離，這樣可以採用更小的預定作用力就可以將弱化結構與對應的晶片分離。
可選地，利用所述第一膠層將生長基板上的晶片黏附至所述臨時基板上，包括：將晶片源結構與所述第一膠層貼合，使得所述晶片源結構中的所述晶片黏附在所述第一膠層的表面上，其中，所述晶片源結構包括所述生長基板和設置在所述生長基板上的多個所述晶片；去除所述生長基板。
可選地，將位於所述轉移設備上的所述晶片轉移至預定結構上，包括：將設置有所述晶片的所述轉移設備與所述預定結構鍵合，且使得所述晶片和所述預定結構接觸設置；去除所述轉移設備。
為了便於理解本發明，下面將參照相關隨附圖式對本發明進行更全面的描述。附圖中給出了本發明的較佳實施方式。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，並不限於本文所描述的實施方式。相反地，提供這些實施方式的目的是使對本發明的公開內容理解的更加透徹全面。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在於限制本發明。
正如背景技術中所說的，相關技術中的轉移晶片的過程中，需要實施解膠製程，該製程比較複雜，導致晶片的轉移過程較為複雜。
基於此，本發明希望提供一種能夠解決上述技術問題的方案，其詳細內容將在後續實施例中得以闡述。
本發明的一種典型的實施方式中，提供了一種轉移系統，上述轉移系統用於轉移晶片42，該轉移系統包括臨時基板10和轉移設備20，如圖1所示，臨時基板10具有相對的第一表面11和第二表面12，上述第二表面12與上述第一表面11之間具有第一夾角，上述第一夾角大於0°且小於90°；轉移設備20，如圖2所示，該轉移設備20具有轉移基板21和設置在上述轉移基板21上的多個轉移頭22，上述轉移設備20具有相對的第三表面201和第四表面202，且上述第四表面202與上述第三表面201之間具有第二夾角，上述第二夾角大於0°且小於90°，多個上述轉移頭22間隔地位於上述第四表面202上，上述轉移頭22背離上述轉移基板21的一側表面與上述第四表面202平行。
上述的轉移系統中，包括臨時基板10和轉移設備20，其中，臨時基板10的第一表面11和第二表面12具有夾角，即第二表面12相對第一表面11來說是一個傾斜的表面，第一表面11相對於第二表面12來說也是一個傾斜的表面，這樣當晶片42設置在該臨時基板10的第一表面11或者第二表面12時，由於其所在的表面為傾斜的表面，相對於相關技術中的非傾斜的表面來說，晶片42更容易脫離該傾斜的表面，該臨時基板10可以降低晶片42脫離臨時基板10的難度。並且，上述轉移基板21上上述第三表面201與上述第四表面202之間也有夾角，多個上述轉移頭22間隔地位於上述第四表面202上，且上述轉移頭22背離上述轉移基板21的一側表面與上述第四表面202平行，這樣使得轉移設備20和臨時基板10更好地配合以進一步簡化轉移過程。
本發明的另一種實施例中，上述第一夾角等於上述第二夾角。這樣可以使得轉移設備20和臨時基板10的匹配度更高，從而使得二者在轉移過程中更好地配合，以簡化晶片42的轉移過程。
本發明的另一種典型的實施方式中，提供了一種晶片42的轉移方法，該轉移方法包括： 第一步驟，在上述臨時基板10的上述第二表面12上形成第一膠層30，利用上述第一膠層30將生長基板41上的晶片42黏附至上述臨時基板10上，如圖3和圖4所示； 第二步驟，將黏附有上述晶片42的上述第一膠層30製作成多個弱化結構31，如圖5所示； 第三步驟，在上述轉移頭22上塗布第二膠層，通過上述第二膠層黏附住上述臨時基板10上的上述晶片42，如圖6所示，； 第四步驟，在上述轉移設備20的預定端施加第一預定作用力F，以使得上述弱化結構31斷裂，使與上述臨時基板10分離後的上述晶片42轉移到上述轉移設備20上，如圖7所示； 第五步驟，將位於上述轉移設備20上的上述晶片42轉移至預定結構50上，如圖8和圖9所示。
上述的轉移方法中，通過在轉移設備20的預定端施加第一預定作用力將晶片42和弱化結構31分離，從而使得晶片42轉移到轉移設備20上，並且，由於晶片42位於臨時基板10的傾斜表面上，且第一預定作用力施加在轉移設備20的預定端，這樣使得弱化結構31單點受力，更容易與晶片42分離。該方法中通過形成弱化結構31以及施加較小的第一預定作用力，將晶片42從臨時基板10轉移至轉移設備20上，該方法中避免了相關技術中的解膠製程的使用，通過簡單的製程使得晶片42轉移至轉移設備20上，即降低了晶片42脫離臨時基板10的難度，有利於顯示器的產量化。
本發明的一種具體的實施例中，上述將黏附有晶片42的第一膠層30製作成多個弱化結構31，包括：去除部分的上述第一膠層30，使得剩餘的上述第一膠層30形成多個上述弱化結構31。
在實際的應用過程中，可以通過任何可行的方式去除部分的第一膠層30，從而形成多個弱化結構31。本領域技術人員可以根據實際情況選擇合適的方法形成多個弱化結構31。
本發明的一種具體的實施例中，去除部分的上述第一膠層30，使得剩餘的上述第一膠層30形成多個弱化結構31，包括：在上述晶片42的遠離上述臨時基板10的表面上設置遮擋件，上述遮擋件包括間隔設置的多個開孔，且上述多個開孔在上述臨時基板10上的投影一一對應地位於多個中間區域內，上述多個中間區域為相鄰的每兩個上述晶片42之間的上述臨時基板10的表面區域；將溶劑從上上述多個開孔注入至相鄰的兩個上述晶片42之間，使得上述溶劑溶解部分上述第一膠層30，以形成多個上述弱化結構31。該種方法更容易實施，且可以同時進一步保證形成預定尺寸以及預定形狀的弱化結構31。
需要說明的是，本發明中的溶劑和對應的第一膠層30的材料匹配，即溶劑為能夠去除第一膠層30的材料。一種具體的實施例中，上述第一膠層30的材料為包括聚醯亞胺（Polyimide，簡稱PI）主鏈類的膠材，對應地，溶劑為N-甲基吡咯烷酮（NMP）等有機溶劑。具體的應用過程中，可以根據對應的第一膠層30的材料來確定對應的溶劑。
上述方案中的開孔與中間區域一一對應，實際上就是開孔的設置方式或者排列方式與臨時基板10上的晶片42的設置方式或者排列方式對應，如果臨時基板10上的晶片42為矩陣式分布，那麽對應地遮擋件上的開孔也呈現矩陣式分布，如果臨時基板10上的晶片42僅有一行（晶片42大於三個），那麽對應地，遮擋件上的開孔也僅有一行。
本發明的弱化結構31的形狀並不限於圖5中所示的截面為梯形的形狀，其還可以為其他的形狀，比如長方體、三稜柱、三稜錐或圓柱體等，具體的形狀可以通過控制去除第一膠層30的時間等製作參數決定。另外，還可以通過控制第一膠層30的去除時間等參數來控制弱化結構31的尺寸。
在實際的操作過程中，靠近第一預定作用力F施加的一端（圖7中的左端，左右是面對螢幕時判斷得出的）的弱化結構31和晶片42之間的拉扯力較大，沿遠離第一預定作用力F實際的一端的方向上，弱化結構31和晶片42之間的拉扯力逐漸減小，在另一端（圖7中的右端）的弱化結構31和晶片42之間的拉扯力比最小。為了進一步保證施加較小的第一預定作用力可以保證所有的弱化結構31和對應的晶片42都能較容易地分離，本發明的一種實施例中，在第一預定方向上，上述開孔在垂直於第二表面12上的截面積逐漸增大，上述第一預定方向為從上述轉移基板21的施加上述第一預定作用力的一端至上述轉移基板21的另一端的方向，這樣，形成的弱化結構31的尺寸沿第一預定方向逐漸減小，使得在第一預定方向上，弱化結構31與對應晶片42分離所需要的作用力逐漸減小，從而進一步保證施加較小的第一預定作用力可以將所有的弱化結構31和對應的晶片42都能較好地分離。
本發明的另一種實施例中，在上述轉移頭22上塗布第二膠層，通過上述第二膠層黏附住上述臨時基板10上的上述晶片42，包括：將上述轉移頭22上的上述第二膠層與上述晶片42對準，使得上述第三表面201與上述第一表面11平行，且上述第四表面202與上述第二表面12平行；向上述轉移設備20施加第二預定作用力，使得上述第二膠層黏附住上述臨時基板10上的上述晶片42，如圖8所示（圖中未示出第二膠層）。該方法中，能夠進一步保證轉移設備20通過第二膠層準確地黏附預定的晶片42，從而進一步保證了後續轉移過程的準確性。
本發明的再一種實施例中，在上述轉移設備20的預定端施加第一預定作用力，以使得上述弱化結構31斷裂，使與上述臨時基板10分離後的上述晶片42移到上述轉移設備20上，包括：在上述轉移基板21上的第一端施加上述第一預定作用力，使得上述轉移基板21繞預定軸開始旋轉，使得上述弱化結構31按照與上述轉移基板21的第一端的距離由小及大的順序依次斷裂，上述臨時基板10的第一端的厚度小於上述臨時基板10的第二端的厚度，上述預定軸在上述第三表面201所在的平面上且垂直於上述轉移基板21的側壁。該種方式中，轉移基板21的第一端為與臨時基板10的第一端對應的一端，在轉移基板21的第一端施加第一預定作用力F，使得位於臨時基板10的厚度較小處的弱化結構31先與對應的晶片42分離，如圖7所示，這樣可以採用更小的預定作用力就可以將弱化結構31與對應的晶片42分離。
另外，在實際的應用過程中，上述的轉移基板21的形狀可以與臨時基板10的形狀完全匹配，如圖2所示，即上述轉移基板21具有相對的第三表面201和第四表面202，且上述第四表面202與上述第三表面201之間具有第二夾角，上述第二夾角大於0°且小於90°，多個上述轉移頭22間隔地位於上述第四表面202上，上述第一夾角等於上述第二夾角。
在實際的應用過程中，利用上述第一膠層30將生長基板41上的晶片42黏附至上述臨時基板10上，包括：將晶片源結構40與上述第一膠層30貼合，使得上述晶片源結構40中的上述晶片42黏結在上述第一膠層30的表面上，如圖3所示，其中，上述晶片源結構40包括上述生長基板41和設置在上述生長基板41上的多個上述晶片42；去除上述生長基板41，得到如圖4所示的結構。
上述的生長基板41可以為相關技術中任何可行的生長基板，比如，藍寶石生長基板、GaN生長基板等，本領域技術人員可以根據實際情況選擇合適的轉移基板21。
本發明的去除上述生長基板41的方法可以根據實際情況來選擇，比如根據具體的生長基板41的材料來確定。本發明的一種具體的實施例中，上述生長基板41為藍寶石生長基板，去除上述生長基板41，包括：採用雷射照射上述生長基板41，去除對應的Ga；剝離雷射照射後的上述生長基板41。
本發明的又一種實施例中，將位於上述轉移設備20上的上述晶片42轉移至預定結構50上，包括：將設置有上述晶片42的上述轉移設備20與上述預定結構50鍵合，且使得上述晶片42和上述預定結構50接觸設置，如圖8所示；去除上述轉移設備20，形成如圖9所示的結構。
需要說明的是，本發明中的晶片42可以為相關技術中的任何需要轉移的晶片，本領域技術人員可以根據實際情況將本發明的轉移方法和轉移系統應用在合適的晶片的轉移過程中。
本發明的另一種實施例中，上述晶片42包括LED晶片、Micro LED晶片與Mini LED晶片中的至少一種。即上述的轉移方法和轉移系統應用在這些晶片的轉移過程中。
本發明的一種具體的實施例中，上述預定結構50包括顯示背板。還需要說明的是，本發明中的預定結構50並不限於上述的顯示背板，具體可以根據實際情況確定對應的預定結構。
應當理解的是，本發明的應用不限於上述的舉例，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應屬於本發明所附申請專利範圍的保護範圍。
10：臨時基板 11：第一表面 12：第二表面 20：轉移設備 21：轉移基板 22：轉移頭 201：第三表面 202：第四表面 30：第一膠層 31：弱化結構 40：晶片源結構 41：生長基板 42：晶片 50：預定結構 F：第一預定作用力
圖1為本發明的一種實施例提供的轉移系統中的臨時基板10的結構示意圖； 圖2為本發明的一種實施例提供的轉移系統中的轉移設備20的結構示意圖； 圖3為晶片源結構40和第一膠層30黏合後的結構示意圖； 圖4為去除圖3中的生長基板41後的結構示意圖； 圖5為去除圖4中的部分第一膠層30後形成弱化結構31後的結構示意圖； 圖6為將第一待貼合結構和第二待貼合結構貼合後形成貼合結構的示意圖； 圖7為對圖6施加第一預定作用力後的結構示意圖； 圖8為將晶片42轉移至預定結構50上的示意圖；以及 圖9為去除圖8中的轉移設備20後的結構示意圖。
10：臨時基板 21：轉移基板 22：轉移頭 31：弱化結構 F：第一預定作用力

Claims (10)

  1. 一種轉移系統，所述轉移系統用於轉移晶片，所述轉移系統包括： 臨時基板，具有相對的第一表面和第二表面，所述第二表面與所述第一表面之間具有第一夾角，所述第一夾角大於0°且小於90°；及 轉移設備，具有轉移基板和設置在所述轉移基板上的多個轉移頭，所述轉移基板具有相對的第三表面和第四表面，且所述第四表面與所述第三表面之間具有第二夾角，所述第二夾角大於0°且小於90°，多個所述轉移頭間隔地位於所述第四表面上，所述轉移頭背離所述轉移基板的一側表面與所述第四表面平行。
  2. 如請求項1所述之轉移系統，其中，所述第一夾角等於所述第二夾角。
  3. 一種晶片之轉移方法，所述晶片之轉移方法應用於如請求項1或2所述之轉移系統，所述轉移方法包括以下步驟： 在所述臨時基板的所述第二表面上形成第一膠層，利用所述第一膠層將生長基板上的晶片黏附至所述臨時基板上； 將黏附有所述晶片的所述第一膠層製作成多個弱化結構； 在所述轉移頭上塗布第二膠層，通過所述第二膠層黏附住所述臨時基板上的所述晶片； 在所述轉移設備的預定端施加第一預定作用力，以使得所述弱化結構斷裂，使與所述臨時基板分離後的所述晶片轉移到所述轉移設備上；及 將位於所述轉移設備上的所述晶片轉移至預定結構上。
  4. 如請求項3所述之轉移方法，其中，將黏附有所述晶片的所述第一膠層製作成多個弱化結構的所述步驟包括以下步驟： 去除部分的所述第一膠層，使得剩餘的所述第一膠層形成多個所述弱化結構。
  5. 如請求項4所述之轉移方法，其中，所述去除部分的所述第一膠層，使得剩餘的所述第一膠層形成多個弱化結構的所述步驟包括以下步驟： 在所述晶片的遠離所述臨時基板的表面上設置遮擋件，所述遮擋件包括間隔設置的多個開孔，且多個所述開孔在所述臨時基板上的投影一一對應地位於多個中間區域內，多個所述中間區域為相鄰的每兩個所述晶片之間的所述臨時基板的表面區域； 將溶劑從所述開孔注入至相鄰的每兩個所述晶片之間，使得所述溶劑溶解部分所述第一膠層，以形成多個所述弱化結構。
  6. 如請求項5所述之轉移方法，其中，所述開孔在垂直於所述第二表面的方向上的截面積逐漸增大。
  7. 如請求項3所述之轉移方法，其中，在所述轉移頭上塗布第二膠層，通過所述第二膠層黏附住所述臨時基板上的所述晶片的所述步驟包括以下步驟： 將所述轉移頭上的所述第二膠層與所述晶片對準，使得所述第三表面與所述第一表面平行，且所述第四表面與所述第二表面平行； 向所述轉移設備施加第二預定作用力，使得所述第二膠層黏附住所述臨時基板上的所述晶片。
  8. 如請求項3至7中任一項所述之轉移方法，其中，在所述轉移設備的預定端施加第一預定作用力，以使得所述弱化結構斷裂，使與所述臨時基板分離後的所述晶片轉移到所述轉移設備上的所述步驟包括以下步驟： 在所述轉移基板上的第一端施加所述第一預定作用力，使得所述轉移基板繞預定軸開始旋轉，使得所述弱化結構按照與所述轉移基板的所述第一端的距離由小及大的順序依次斷裂，所述臨時基板的第一端的厚度小於所述臨時基板的第二端的厚度，所述預定軸在所述第三表面所在的平面上且垂直於所述轉移基板的側壁。
  9. 如請求項3至7中任一項所述之轉移方法，其中，利用所述第一膠層將生長基板上的晶片黏附至所述臨時基板上的所述步驟包括以下步驟： 將晶片源結構與所述第一膠層貼合，使得所述晶片源結構中的所述晶片黏附在所述第一膠層的表面上，其中，所述晶片源結構包括所述生長基板和設置在所述生長基板上的多個所述晶片； 去除所述生長基板。
  10. 如請求項3至7中任一項所述之轉移方法，其中，將位於所述轉移設備上的所述晶片轉移至預定結構上的所述步驟包括以下步驟： 將設置有所述晶片的所述轉移設備與所述預定結構鍵合，且使得所述晶片和所述預定結構接觸設置； 去除所述轉移設備。
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