CN112941491A - 一种埃米级不同材料的三维打印方法 - Google Patents

一种埃米级不同材料的三维打印方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112941491A
CN112941491A CN201911263196.2A CN201911263196A CN112941491A CN 112941491 A CN112941491 A CN 112941491A CN 201911263196 A CN201911263196 A CN 201911263196A CN 112941491 A CN112941491 A CN 112941491A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
probe
atomic layer
printing
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911263196.2A
Other languages
English (en)
Inventor
王玉漫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201911263196.2A priority Critical patent/CN112941491A/zh
Publication of CN112941491A publication Critical patent/CN112941491A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45555Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33YADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00Processes of additive manufacturing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/403Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/407Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45529Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making a layer stack of alternating different compositions or gradient compositions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

本发明公开了一种埃米级不同材料的三维打印方法,属于三维打印领域,目前的三维打印技术,在纳米级尺度很难实现打印,双光子打印技术打印的材料有限进行金属材料的打印等还存在很大的技术瓶颈。本发明通过前驱体气体借助类似原子层沉积的方式吸附或反应到基板上,再通过探针上的原子层反应液体反应进行每个原子层的绘图工作,最后在绘图完成后通过原子层沉积技术生长一个原子层的材料,循环往复上述步骤,打印出埃米级不同材料的三维物体。这种埃米级不同材料的三维打印方法,可以打印出埃米尺度的三维结构;可以使不同材料掺杂进行埃米级三维打印实现其功能性。

Description

一种埃米级不同材料的三维打印方法
技术领域
本发明属于三维打印领域,涉及一种埃米级不同材料的三维打印方法。
背景技术
光固化三维打印技术(Stereo lithography Apparatus简称SLA)工作原理是使用特定波长与强度的激光来聚合(分子融合)或固化液态光刻胶,也就是我们常说的光敏材料,通过控制激光的运动,使之由点到线,由线到面顺序凝固,完成一个层面的绘图作业,然后升降台在垂直方向移动一个层片的高度,再固化另一个层面.这样层层叠加构成一个三维实体。
原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition简称ALD)是一种前驱体气体和反应气体速率可控的交替进入基底,在其表面发生物理和化学吸附或表面饱和反应,将物质以单原子膜的形式一层一层沉积在基底表面的技术。
目前的三维打印技术,在纳米级尺度很难实现打印,双光子打印技术打印的材料有限进行金属材料的打印等还存在很大的技术瓶颈。
发明内容
本发明针对埃米尺度不同材料进行三维打印,提出了一种埃米级不同材料的三维打印方法。
本发明的技术方案如下:
一种埃米级不同材料的三维打印的方法,包括以下步骤:
1.首先进行准备工作。将不同的材料源瓶和惰性气体瓶分别连接不同的气流管道通往打印室的进气孔,打印室的出气孔接另一段气流管道,气流管道后接过滤器,而后接干泵,和冷水机,空气压缩机。
2.打开干泵,冷水机,空气压缩机,使打印室抽真空,加热保温打印室的温度为材料生长所需的温度。
3.打开装有前驱体气体的源瓶,使前驱体气体沿着气流管道进入打印室,和基板发生物理吸附或化学吸附或表面饱和反应,关闭源瓶。
4.打开惰性气体瓶,惰性气体沿着气流管道进入打印室,吹扫前驱体气体,干泵将未和基板吸附或反应的前驱体气体和惰性气体吸往出气口,通过气流通道到过滤器,前驱体气体被吸附到过滤器上,惰性气体经干泵,空气压缩机排除。
5.将探针的温度恒定在反应气体液化相变的温度点附近以下,探针放入到反应气体室中,探针上会吸附上原子层的反应液体。
6.这时通过控制探针的运动,使在基板上吸附或反应的前驱体气体和探针上的反应液体反应生成目标材料分子,使之由点到线,由线到面顺序,完成第一个原子层片的绘图作业,这幅绘图的线称为地基原子线。
7.将探针移动到反应气体室
8.重复步骤3,4,5
9.通过控制探针的运动,按照第一个原子层的绘图进行作业,从得到突出于第一个原子层片的绘图作业,这幅绘图的线称为突出原子线。
10.将探针移动到不同的反应气体室,将探针的温度恒定在这种反应气体液化相变的温度点附近以下,探针放入到反应气体室中,探针上会吸附上原子层的这种反应液体。
11.打开装有不同的前驱体气体的源瓶,使前驱体气体沿着气流管道进入打印室,和基板发生物理吸附或化学吸附或表面饱和反应,关闭源瓶。
12.打开惰性气体瓶,惰性气体沿着气流管道进入打印室,吹扫前驱体气体,干泵将未和基板吸附或反应的前驱体气体和惰性气体吸往出气口,通过气流通道到过滤器,前驱体气体被吸附到过滤器上,惰性气体经干泵,空气压缩机排除。
13.在突出原子线两侧及上方吸附其他不同的前驱体气体,根据要打印的三维图形决定反应的方向通过控制探针的运动进行反应。
14.不断重复步骤7,8,9,10,11,12,13直到打印截至。
进一步地,步骤1中所述的打印室有进气孔和出气孔,室内放置基板;
进一步地,步骤5中所述的反应气体室与打印室隔离,绝不可泄露反应气体进入打印室。
本发明的优点和积极效果如下:
a)可以在埃米尺度上实现设计结构。
b)可以在生长结构的过程中掺杂不同的材料。
附图说明
图1为本发明的方法流程图;
具体实施方式
下面结合附图和具体实例对本发明进行详细说明。
本发明的流程如图1所示:
1)首先选择三甲基铝(TMA)和二乙基锌(DEZ)作为前驱体气体,水蒸气作为反应气体。(三甲基铝遇到水反应生成氧化铝,二乙基锌遇到水反应生成氧化锌)
2)将不同的材料源瓶和惰性气体瓶分别连接不同的气流管道通往打印室的进气孔,打印室的出气孔接另一段气流管道,气流管道后接过滤器,而后接干泵,和冷水机,空气压缩机。
3)用软件将所需要的打印的图形画好。
4)将图形导入到打印软件中去,打印软件开始指挥仪器进行打印工作。
5)打开干泵,冷水机,空气压缩机,使打印室抽真空,加热保温打印室的温度为90℃。
6)打开TMA前驱体气体的源瓶,使前驱体气体沿着气流管道进入打印室,和基板发生物理吸附或化学吸附或表面饱和反应,关闭源瓶。
7)打开惰性气体瓶,惰性气体沿着气流管道进入打印室,吹扫前驱体气体,干泵将未和基板吸附的TMA气体和惰性气体吸往出气口,通过气流通道到过滤器,TMA气体被吸附到过滤器上,惰性气体经干泵,空气压缩机排除。
8)将探针的温度恒定在99℃,探针放入到蒸汽室中,探针上会吸附上原子层的水分子。
9)这时通过控制探针的运动,使在基板上吸附的TMA气体和探针上的水分子反应生成氧化铝,使之由点到线,由线到面顺序,完成第一个原子层的绘图作业,这幅绘图的线称为地基氧化铝原子线。
10)将探针移动到蒸汽室。
11)重复步骤6),7),8)
12)通过控制探针的运动,按照第一个原子层的绘图进行作业,从得到突出的第一层的绘图作业,这幅绘图的线称为突出氧化铝原子线。
13)将探针移动到蒸汽室,将探针的温度恒定在99℃,探针上会吸附上原子层的水分子。
14)打开DEZ前驱体气体的源瓶,使前驱体气体沿着气流管道进入打印室,和基板发生物理吸附或化学吸附或表面饱和反应,关闭源瓶。
15)打开惰性气体瓶,惰性气体沿着气流管道进入打印室,吹扫前驱体气体,干泵将未和基板吸附的DEZ气体和惰性气体吸往出气口,通过气流通道到过滤器,DEZ气体被吸附到过滤器上,惰性气体经干泵,空气压缩机排除。
16)在突出氧化铝原子线两侧及上方吸附DEZ气体,根据要打印的三维图形决定反应的方向通过控制探针的运动进行反应。
17)不断重复10),11),12),13),14),15),16)直到打印结束,就得到氧化铝氧化性1∶1的埃米级三维结构体。
本发明实施例并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (4)

1.一种埃米级不同材料的三维打印方法,其步骤包括:
1)用类似原子层沉积的方式在基板上吸附或反应一个原子层前驱体气体。
2)在探针上吸附一个原子层的反应液体。
3)借助前驱体气体和反应液体反应生成原子分子的特点,通过探针在基板上的运动进行第一个原子层片上的绘制工作,绘制的线被称为地基原子线。
4)在探针上吸附一个原子层的反应液体。
5)类似原子层沉积的方式,地基原子线上可以吸附或反应前驱体气体。
6)通过吸附原子层反应液体的探针的运动形成突出第一个原子层片的原子线。
7)在探针上吸附一个原子层的反应液体。
8)类似原子层沉积的方式,在突出的原子线两侧及上方又可以进行吸附或反应前驱体气体,根据打印的需求确定接下来探针的运动方向进行反应。
9)不断重复步骤,7),8),直到打印结束。
2.如权利要求1所述的探针上吸附一个原子层的反应液体,其特征在于将探针的温度恒定在反应气体液化相变的温度点附近以下,探针放入到反应气体室中,探针上会吸附上原子层的反应液体。
3.如权利要求1所述的类似原子层沉积的方式,其特征在于将不同的材料源瓶和惰性气体瓶分别连接不同的气流管道通往打印室的进气孔,打印室的出气孔接另一段气流管道,气流管道后接过滤器,而后接干泵,和冷水机,空气压缩机。打开干泵,冷水机,空气压缩机,使打印室抽真空,加热保温打印室的温度为材料生长所需的温度。打开装有前驱体气体的源瓶,使前驱体气体沿着气流管道进入打印室,和基板发生物理吸附或化学吸附或表面饱和反应,关闭源瓶。打开惰性气体瓶,惰性气体沿着气流管道进入打印室,吹扫前驱体气体,干泵将未和基板吸附或反应的前驱体气体和惰性气体吸往出气口,通过气流通道到过滤器,前驱体气体被吸附到过滤器上,惰性气体经干泵,空气压缩机排除。
4.如权利要求1所述的前驱体气体和反应液体,其特征在于这两物质可以进行化学反应,可以应用不同的前驱体气体和反应液体进行打印,实现掺杂材料的三维打印。
CN201911263196.2A 2019-12-11 2019-12-11 一种埃米级不同材料的三维打印方法 Pending CN112941491A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911263196.2A CN112941491A (zh) 2019-12-11 2019-12-11 一种埃米级不同材料的三维打印方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911263196.2A CN112941491A (zh) 2019-12-11 2019-12-11 一种埃米级不同材料的三维打印方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112941491A true CN112941491A (zh) 2021-06-11

Family

ID=76225968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911263196.2A Pending CN112941491A (zh) 2019-12-11 2019-12-11 一种埃米级不同材料的三维打印方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112941491A (zh)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080038170A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Georgia Tech Research Corporation Methods of fabricating nanoscale-to-microscale structures
CN102153132A (zh) * 2011-03-02 2011-08-17 复旦大学 一种高密度氧化锌纳米颗粒的制备方法
US20120269968A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-25 Kurt J. Lesker Company Atomic Layer Deposition Apparatus and Process
US20150086716A1 (en) * 2013-09-26 2015-03-26 Veeco Ald Inc. Printing of colored pattern using atomic layer deposition
US20160240419A1 (en) * 2015-02-13 2016-08-18 Eastman Kodak Company Atomic-layer deposition substrate
US20170182558A1 (en) * 2015-12-28 2017-06-29 Matheson Tri-Gas, Inc. Use of reactive fluids in additive manufacturing and the products made therefrom
CN107815666A (zh) * 2017-10-31 2018-03-20 华中科技大学 一种基于等离子体增强原子层沉积的薄膜掺杂改性方法
CN107868944A (zh) * 2017-10-31 2018-04-03 北京北方华创微电子装备有限公司 一种氮化钛原子层沉积装置及其沉积方法
CN107988586A (zh) * 2017-11-29 2018-05-04 华南理工大学 原子层沉积制备氧化锌纳米管的方法
CN108893725A (zh) * 2018-08-06 2018-11-27 吉林大学 一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法
CN109457234A (zh) * 2018-10-29 2019-03-12 吉林大学 一种高能光子辅助的原子层沉积方法
CN109811329A (zh) * 2019-03-19 2019-05-28 合肥安德科铭半导体科技有限公司 一种氧化物薄膜的低温原子层沉积方法
CN110029324A (zh) * 2019-05-30 2019-07-19 邱越 一种贵金属纳米复合材料的制备方法
CN110527980A (zh) * 2018-08-02 2019-12-03 北京北方华创微电子装备有限公司 一种原子层沉积设备及方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080038170A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Georgia Tech Research Corporation Methods of fabricating nanoscale-to-microscale structures
CN102153132A (zh) * 2011-03-02 2011-08-17 复旦大学 一种高密度氧化锌纳米颗粒的制备方法
US20120269968A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-25 Kurt J. Lesker Company Atomic Layer Deposition Apparatus and Process
US20150086716A1 (en) * 2013-09-26 2015-03-26 Veeco Ald Inc. Printing of colored pattern using atomic layer deposition
US20160240419A1 (en) * 2015-02-13 2016-08-18 Eastman Kodak Company Atomic-layer deposition substrate
US20170182558A1 (en) * 2015-12-28 2017-06-29 Matheson Tri-Gas, Inc. Use of reactive fluids in additive manufacturing and the products made therefrom
CN107815666A (zh) * 2017-10-31 2018-03-20 华中科技大学 一种基于等离子体增强原子层沉积的薄膜掺杂改性方法
CN107868944A (zh) * 2017-10-31 2018-04-03 北京北方华创微电子装备有限公司 一种氮化钛原子层沉积装置及其沉积方法
CN107988586A (zh) * 2017-11-29 2018-05-04 华南理工大学 原子层沉积制备氧化锌纳米管的方法
CN110527980A (zh) * 2018-08-02 2019-12-03 北京北方华创微电子装备有限公司 一种原子层沉积设备及方法
CN108893725A (zh) * 2018-08-06 2018-11-27 吉林大学 一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法
CN109457234A (zh) * 2018-10-29 2019-03-12 吉林大学 一种高能光子辅助的原子层沉积方法
CN109811329A (zh) * 2019-03-19 2019-05-28 合肥安德科铭半导体科技有限公司 一种氧化物薄膜的低温原子层沉积方法
CN110029324A (zh) * 2019-05-30 2019-07-19 邱越 一种贵金属纳米复合材料的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI654336B (zh) 具有脈衝式電漿曝露之電漿輔助式原子層沉積
TW201833992A (zh) 以原子層沉積間隙填充間隔件遮罩進行的自對準多重圖案化製程流程
CN103459660B (zh) 具有等离子体源的沉积反应器
TW201834008A (zh) 用於高模數原子層沉積二氧化矽間隔件的方法
US6926775B2 (en) Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
KR101161020B1 (ko) 원자층 성장 장치
CN105483648A (zh) 可变传导性气体分布装置和方法
CN110858554A (zh) 衬底处理设备和方法
CN105088197A (zh) 在多站式衬底沉积系统中单个ald循环厚度的控制
EP3181722B1 (en) Planetary rotation fluidized apparatus for nanoparticle atomic layer deposition
US8728337B2 (en) Positive displacement pumping chamber
US11951515B2 (en) Techniques for depowdering additively fabricated parts via gas flow and related systems and methods
CN101676432A (zh) 成膜装置及成膜方法
US11033930B2 (en) Methods and apparatus for cryogenic gas stream assisted SAM-based selective deposition
JP6263450B2 (ja) 有機単分子膜形成方法
CN109689930A (zh) 用于原子层沉积的设备和方法
KR20210012008A (ko) 원자층 성장법을 사용해서 기판 상에 박막을 성막하는 방법, 또는 장치
CN102168255A (zh) 形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法和装置
CN105779968A (zh) 一种量子点薄膜制备方法
JP2014236148A (ja) 有機分子膜の形成装置および形成方法
KR101246921B1 (ko) 원료공급장치
CN112941491A (zh) 一种埃米级不同材料的三维打印方法
US11401606B2 (en) Coating nozzle, coating device and corresponding coating method
US20070193637A1 (en) Systems and methods for controlling fluid flow
KR101535354B1 (ko) 분산을 이용한 원자층 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20210611

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication