CN112904246A - 磁传感器 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 235
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 109
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 51
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 32
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 8
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019233 CoFeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017028 MnSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0011—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables comprising means, e.g. flux concentrators, flux guides, for guiding or concentrating the magnetic flux, e.g. to the magnetic sensor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/007—Environmental aspects, e.g. temperature variations, radiation, stray fields
- G01R33/0076—Protection, e.g. with housings against stray fields
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/098—Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
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- G01R15/205—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using magneto-resistance devices, e.g. field plates
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
一种磁传感器，其包括：包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及将磁传感器芯片一体地密封的密封部，磁阻效应元件包含磁化方向能够根据外部磁场改变的自由层、以及磁化方向固定的钉扎层。密封部具有第1面以及与该第1面相对的第2面，在从第1面侧的俯视图中的密封部的形状是大致四边形，该大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与第1边和第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，在从密封部的第1面侧的俯视图中，在未对磁阻效应元件施加外部磁场的状态下的钉扎层的磁化方向相对于通过使用在第1边上任意设置的多个点的最小二乘法获得的近似直线倾斜。
Description
技术领域
本发明涉及磁传感器。
背景技术
巨磁阻效应元件(GMR元件)、隧道磁阻效应元件(TMR元件)、各向异性磁阻效应元件(AMR元件)等的磁阻效应元件(MR元件)被应用于磁传感器领域。例如，GMR元件或TMR元件包括磁化方向被固定的钉扎层和磁化方向根据外部磁场变化的自由层。向磁阻效应元件施加的外部磁场的强度发生变化时，自由层的磁化方向发生变化，由钉扎层的磁化方向和自由层的磁化方向形成的角度发生变化。通过该角度的变化，磁阻效应元件的电阻值发生变化，并且可以根据其电阻值的变化来检测外部磁场强度的变化。
这种利用磁阻效应元件的磁传感器，例如至少具有具备磁阻效应元件的磁传感器芯片和用于密封以保护该磁传感器芯片的密封部，例如，可用作电流传感器、角度传感器等。
现有技术文献：
专利文献1：特开2009-162499号公报
发明内容
本发明想要解决的技术问题
在具有磁传感器芯片被密封部密封的结构的磁传感器中，在该磁传感器的制造中或制造后，有时从磁传感器的外部对磁传感器芯片施加应力。当外部磁场未施加于磁阻效应元件时，自由层的磁化因偏置磁体沿一定的方向取向，但如果受到应力时，由于反磁致伸缩效应，自由层的磁化方向会发生变化。如果未施加外部磁场时的自由层的磁化方向从规定的方向改变，则有可能影响在施加外部磁场时磁阻效应元件的电阻值的变化，即，施加外部磁场时的磁传感器的输出。例如，在使用具有磁阻效应元件的磁传感器的电流传感器中，向磁传感器芯片施加应力的状态下检测到的电流值包含误差，这样的电流传感器存在不能用于要求高精度稳定地检测作为检测对象的电流值等的用途的问题。
此外，TMR型磁阻效应元件比GMR型或AMR型磁阻效应元件MR比更高，并具有显著优异的输出特性，由于对施加于磁传感器芯片上的外部应力也很敏感，因此磁传感器的输出有可能会受到很大影响。
向磁传感器芯片施加的外部应力难以预测，即使可以预测，也很难控制外部应力。因此，为了确保磁传感器的检测精度，期望磁传感器具有不易因外部应力而使输出显著变化的结构。
本发明是鉴于上述的实际情况而被提出，其目的是提供一种能够抑制由于从外部施加的应力而引起的输出的变动的磁传感器。
解决技术问题的手段
为了实现上述目的，本发明提供一种磁传感器，其包括：包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及将所述磁传感器芯片一体地密封的密封部，所述磁阻效应元件包含磁化方向能够根据外部磁场改变的自由层、以及磁化方向固定的钉扎层，所述密封部具有第1面以及与该第1面相对的第2面，在从所述第1面侧的俯视图中的所述密封部的形状是大致四边形，所述大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、与所述第1边和所述第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，从所述密封部的所述第1面侧的俯视图中，在未对所述磁阻效应元件施加所述外部磁场的状态下的所述钉扎层的所述磁化方向相对于通过使用在所述第1边上任意设置的多个点的最小二乘法获得的近似直线倾斜。
在未对上述磁阻效应元件施加上述外部磁场的状态下的上述钉扎层的上述磁化方向可以相对于上述近似直线以10～80°的角度倾斜。
上述磁传感器芯片的俯视图图中的形状是大致四边形，其具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与上述第1边和上述第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，上述磁传感器芯片的上述第1边和上述近似直线大致平行，从上述密封部的上述第1面侧看上述磁传感器芯片时，在未向上述磁阻效应元件施加上述外部磁场的状态下的上述钉扎层的上述磁化方向可以相对于上述磁传感器芯片的上述第1边倾斜。
上述磁传感器芯片的俯视图中的形状是大致四边形，其具有相互大致平行的第1边和第2边以及与上述第1边和上述第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，从上述密封部的上述第1面侧观察上述磁传感器芯片时，在未对上述磁阻效应元件施加上述外部磁场的状态下的上述钉扎层的上述磁化方向相对于上述磁传感器芯片的上述第1边大致平行或大致正交，上述磁传感器芯片的上述第1边可以相对于上述近似直线倾斜。
上述磁传感器芯片包括多个上述磁阻效应元件，在未对上述多个磁阻效应元件施加上述外部磁场的状态下的上述各磁阻效应元件的上述自由层的上述磁化方向可以相互一致，上述磁阻效应元件可以是GMR元件或TMR元件，上述密封部可以由树脂制成。
发明效果
根据本发明，可以提供一种能够抑制由于来自外部施加的应力而引起的输出变动的磁传感器。
附图说明
图1是表示根据本发明的一个实施方式的磁传感器的侧视图中的大致结构的端面图。
图2是表示从图1所示的磁传感器的密封部的第1面侧的俯视图中的内部结构的大致结构的端面图。
图3A是表示根据本发明的一个实施方式的磁传感器的大致结构的电路图。
图3B是表示图3A所示的磁传感器的输出的测量结果的图表。
图3C是表示向图3A所示的磁传感器施加45°方向的应力的状态下的大致结构的电路图。
图3D是表示图3C所示的磁传感器的输出的测量结果的图表。
图4A是表示根据本发明的一个实施方式的磁传感器的磁阻效应元件的大致结构的立体图。
图4B是从自由层侧观察图4A所示的磁阻效应元件时的俯视图。
图5A是示意性地示出在未施加外部磁场的状态下的自由层的磁化的示意图。
图5B是示意性地示出在未施加外部磁场的状态下的钉扎层的磁化的示意图。
图6是表示根据本发明的一个实施方式的磁传感器的钉扎层的磁化方向和密封部以及磁传感器芯片之间的位置关系的俯视图。
图7是表示根据本发明的另一实施方式的磁传感器的钉扎层的磁化方向和密封部以及磁传感器芯片之间的位置关系的俯视图。
图8A是表示磁传感器的钉扎层分别倾斜0°、10°、20°、30°和45°时的输出电压V1下的外部应力的施加角度和电压偏移之间的关系的图表。
图8B是表示磁传感器的钉扎层分别倾斜0°、10°、20°、30°和45°时的输出电压V2下的外部应力的施加角度和电压偏移之间的关系的图表。
图8C是表示磁传感器的钉扎层分别倾斜0°、10°、20°、30°和45°时的输出电压(V1-V2)下的外部应力的施加角度和电压偏移之间的关系的图表。
图9A是表示磁传感器的钉扎层分别倾斜90°、80°、70°、60°和45°时的输出电压V1下的外部应力的施加角度和电压偏移之间的关系的图表。
图9B是表示磁传感器的钉扎层分别倾斜90°、80°、70°、60°和45°时的输出电压V2下的外部应力的施加角度和电压偏移之间的关系的图表。
图9C是表示磁传感器的钉扎层分别倾斜90°、80°、70°、60°和45°时的输出电压(V1-V2)下的外部应力的施加角度和电压偏移之间的关系的图表。
图10A是表示具备本发明的磁传感器的电流传感器的大致结构的端面图。
图10B是沿图10A所示的电流传感器的A-A线的截面图。
图11是表示根据本发明的另一实施方式的磁传感器的磁阻效应元件的大致结构的立体图。
图12A是将磁传感器固定在基板上的侧视图。
图12B是将板相对于基板的背面侧按压时的侧视图。
图12C是将板相对于近似直线以45°的角度按压在基板上的俯视图。
图13A是表示当以0°的角度施加外部应力时实施例1中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图13B是表示当以45°的角度施加外部应力时实施例1中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图13C是表示当以90°的角度施加外部应力时实施例1中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图14A是表示当以0°的角度施加外部应力时实施例2中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图14B是表示当以45°的角度施加外部应力时实施例2中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图14C是表示当以90°的角度施加外部应力时实施例2中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图15A是从比较例1的磁传感器的第1面侧的俯视图中的端面图。
图15B是从比较例2的磁传感器的第1面侧的俯视图中的端面图。
图16A是表示当以0°的角度施加外部应力时比较例1中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图16B是表示当以45°的角度施加外部应力时比较例1中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图16C是表示当以90°的角度施加外部应力时比较例1中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图17A是表示当以0°的角度施加外部应力时比较例2中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图17B是表示当以45°的角度施加外部应力时比较例2中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
图17C是表示当以90°的角度施加外部应力时比较例3中的位移与电压偏移之间的关系的图表。
符号说明
1……磁传感器
2……磁传感器芯片
21……第1边
3……密封部
31……第1边
7……近似直线
11～14……第1～第4的磁阻效应元件
41……反铁磁层
42……钉扎层
43……间隔层
46……自由层
47……偏置磁铁
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的磁传感器的实施方式。
在描述根据本实施方式的磁传感器时，根据需要在一些附图中规定了“X方向、Y方向和Z方向”。在此，X方向与磁阻效应元件的钉扎层的磁化方向一致。Y方向是与X方向正交的方向，与在未施加外部磁场的状态下的自由层的磁化方向一致。Z方向是与X方向和Y方向正交的方向，与磁阻效应元件的多层膜的层叠方向一致。另外，各附图中表示X、Y、Z方向的箭头的方向为+X方向、+Y方向、+Z方向，与箭头的方向相反的方向为-X方向、-Y方向、-Z方向。
图1是表示根据本实施方式的磁传感器的侧视图中的大致结构的端面图，图2是表示从图1所示的磁传感器的密封部的第1面侧的俯视图中的内部结构的大致结构的端面图。
如图1和图2所示，磁传感器1具有磁传感器芯片2、将该磁传感器芯片2一体地密封的密封部3。密封部3具有第1面3a和与该第1面3a相对的第2面3b，从第1面3a侧观察的俯视图中的密封部3的形状为大致四边形，该大致四边形具有相互大致平行的第1边31和第2边32、以及与第1边31和第2边32交叉且相互大致平行的第3边33和第4边34，优选密封部3具有第1面3a以及与该第1面3a相对的第2面3b，从第1面3a侧观察的俯视图中的密封部3的形状是大致方形，其具有相互大致平行的第1边31和第2边32、以及与第1边31和第2边32大致正交且相互大致平行的第3边33和第4边34。
磁传感器芯片2在俯视图中是大致四边形，其具有相互大致平行的第1边21和第2边22、以及与第1边21和第2边22交叉且相互大致平行的第3边23和第4边24，优选磁传感器芯片2在俯视图中是大致方形，其具有相互大致平行的第1边21和第2边22、以及与第1边21和第2边22大致正交且相互大致平行的第3边23和第4边24。此外，磁传感器芯片2具有磁阻效应元件。作为磁阻效应元件，例如可以使用巨磁阻效应(GMR)型的磁阻效应元件或隧道磁阻效应(TMR)型的磁阻效应元件。
另外，在本实施方式中，大致平行和大致正交、以及大致四边形和大致方形是包含在制造磁传感器芯片2、密封部3等时的制造误差等的概念。大致平行是指由密封部3的第1边31延伸的延长线和由第2边32延伸的延长线的两条延长线可以以形成的角度为3°以下的方式可以交叉，大致正交是指由第1边31和第3边33形成的角度，或由第1边31延伸的延长线和第3边33延伸的延长线形成的角度可以在89～91°的范围内。此外，大致四边形和大致方形是指，从第1面3a侧观察的俯视图中，密封部3的第1面3a可以是角被弄圆了的四边形、角被弄圆了的正方形、角被弄圆了的长方形、在角部实施了C倒角处理的四边形、在角部实施了C倒角处理的正方形、在角部实施了C倒角处理的长方形等。进一步地，大致平行是指由磁传感器芯片2的第1边21延伸的延长线和由第2边32延伸的延长线两条延长线可以以形成的角度为3°以下的方式交叉，大致正交是指由第1边21和第3边23形成的角度，或由第1边21延伸的延长线和第3边23延伸的延长线形成的角度可以在89～91°的范围内。进一步地，大致四边形和大致方形是指俯视图中磁传感器芯片2可以是角被弄圆了的四边形、角被弄圆了的正方形、角被弄圆了的长方形、或在角部实施了C倒角处理的四边形、在角部实施了C倒角处理的正方形、在角部实施了C倒角处理的长方形等。
磁传感器1具有的密封部3只要是能够一体地密封并保护磁传感器芯片2的部件即可，例如可以由树脂构成。向磁传感器1施加来自外部的应力时，密封部3对该应力表现出缓冲作用，从而可以降低对磁传感器芯片2施加的应力的影响。能够构成该密封部3的树脂的弹性率例如可以为0.1～50GPa左右。作为能够构成密封部3的树脂，例如可以举出环氧树脂、苯乙烯树脂、ABS树脂等。密封部3的尺寸只要能够将磁传感器芯片2一体地密封即可，没有特别限定，可以根据用途等适当设定。
根据本实施方式的磁传感器1可以具备：具有安装磁传感器芯片2的安装面的冲模垫(die pad)4、布置在冲模垫4周围的多条引线5、将磁传感器芯片2的端子以及引线5电连接的配线部6。冲模垫4可以由铜等的导电材料制成。磁传感器芯片2可以经由导电膏体、绝缘性膏体、芯片贴装薄膜(DAF，die attach film)等的粘合剂(省略图示)固定至冲模垫4的安装面。配线部6可以由金线等的接合线构成。
图3A是表示根据本实施方式的磁传感器的大致结构的电路图。磁传感器1具有第1磁阻效应元件11、第2磁阻效应元件12、第3磁阻效应元件13和第4磁阻效应元件14，第1～第4磁阻效应元件11～14通过电桥电路(惠斯通电桥)相互连接。第1～第4磁阻效应元件11～14被分割为第1磁阻效应元件11和第2磁阻效应元件12的组、以及第3磁阻效应元件13和第4磁阻效应元件14的组的2个组，每个组中的磁阻效应元件彼此之间串联连接。第1磁阻效应元件11和第4磁阻效应元件14连接于电源电压Vcc，第2磁阻效应元件12和第3磁阻效应元件接地(GND)。第1磁阻效应元件11和第2磁阻效应元件12之间的输出电压作为中点电压V1被取出，第3磁阻效应元件13和第4磁阻效应元件14之间的输出电压作为中点电压V2被取出。因此，将第1～第4磁阻效应元件11～14的电阻分别设为R1～R4时，中点电压V1和V2可以分别通过下式(1)、(2)获得。
在本实施方式中，举例说明第1～第4的磁阻效应元件11～14的每个由单个的磁阻效应元件构成的方式，但第1～第4的磁阻效应元件11～14中的每个可以由多个磁阻效应元件构成、第1～第4的磁阻效应元件11～14中的每个也可以由多个磁阻效应元件串联连接构成。
由于第1～第4磁阻效应元件11～14具有相同的结构，因此将以第1磁阻效应元件11为例进行说明。图4A是表示根据本实施方式的磁传感器的磁阻效应元件(第1磁阻效应元件11)的大致结构的立体图。第1磁阻效应元件11具有：在俯视图中为大致长方形形状的多层膜40、和位于该多层膜40的长边方向的两端并且夹着多层膜40的一对偏置磁体47。多层膜40具有通常的旋转阀型的膜结构。多层膜40包括反铁磁层41、钉扎层42、间隔层45和自由层46，这些层以该顺序层叠。多层膜40在其层叠方向上被夹在一对电极层(未图示)之间，被配置成使得层叠方向的感测电流从电极层向多层膜40流过。在本实施方式中，多层膜40的俯视图中的形状为大致长方形形状，但也可以为大致正方形形状。另外，大致长方形形状、大致正方形形状中除长方形、正方形之外、包括角被弄圆了的长方形、角被弄圆了的正方形等。此外，在本实施方式中，第1～第4磁阻效应元件11～14具有夹着多层膜40的一对偏置磁体47，但是本发明不限于此，例如，在多层膜40为利用磁性形状各向异性的包含椭圆的长圆形状或长方形状的情况下，也可以不具有偏置磁体47。
自由层46是其磁化方向根据外部磁场而改变的磁性层，可以由例如NiFe、CoFe、CoFeB、CoFeNi、Co2MnSi、Co2MnGe、FeOX(Fe氧化物)等构成。钉扎层42是通过与反铁磁层41交换耦合磁化方向相对于外部磁场固定的铁磁性层，可以由与自由层46相同的磁性材料构成。反铁磁层41可以由包含例如选自Pt、Ru、Rh、Pd、Ni、Cu、Ir、Cr和Fe中的至少1种元素和Mn的反铁磁性材料构成。反铁磁性材料中的Mn含量例如可以为35～95原子％左右。间隔层45位于自由层46和钉扎层42之间，是起到磁阻效应的非磁性层。间隔层45是由Cu等的非磁性金属构成的非磁性导电层，或者是由Al2O3等的非磁性绝缘体构成的隧道势垒层。当间隔层45是非磁性导电层的情况下，第1磁阻效应元件11作为巨磁阻效应(GMR)元件发挥功能，当间隔层45是隧道势垒层的情况下，第1磁阻效应元件11作为隧道磁阻效应(TMR)元件发挥功能。从磁阻效应率大并且可以增加桥电路的输出电压的点出发，第1磁阻效应元件11更优选为TMR元件。
图4B是表示当从自由层46侧观察图4A中所示的磁阻效应元件(第1磁阻效应元件11)时的大致结构的俯视图。图5A是示意性地示出未施加外部磁场的状态下的自由层46的磁化的示意图。图5B是示意性地示出在未施加外部磁场的状态下钉扎层42的磁化的示意图。图5A和5B中的箭头示意性地示出了磁化方向。
自由层46通过偏置磁体47的偏置磁场而在大致平行于俯视图中长边方向的初始磁化方向D1上被磁化。自由层46的初始磁化方向D1大致平行于偏置磁体47的磁化方向D2。钉扎层42在大致平行于短边方向的磁化方向D3上被磁化。当在作为自由层46的磁敏方向的短边方向上施加外部磁场时，自由层46的磁化根据外部磁场的强度而在图4B中顺时针或逆时针旋转。由此，钉扎层42的磁化方向D3和自由层46的磁化方向之间的相对角度发生变化，且相对于感应电流的电阻发生变化。
如图3A所示，第1～第4磁阻效应元件11～14的自由层46的初始磁化方向D1为自由层46的长边方向。第1磁阻效应元件11和第3磁阻效应元件13的钉扎层42的磁化方向D3是钉扎层42的短边方向，第2磁阻效应元件12和第4磁阻元件14的钉扎层42的磁化方向D3相对于第1磁阻效应元件11和第3磁阻效应元件13的钉扎层42的磁化方向D3反平行。因此，当施加第1磁阻效应元件11和第3磁阻效应元件13的钉扎层42的磁化方向D3的外部磁场时，第1磁阻效应元件11和第3磁阻效应元件效应元件13的电阻减小，第2磁阻效应元件12和第4磁阻效应元件14的电阻增大。由此，如图3B所示，中点电压V1增加，中点电压V2减少。另一方面，当施加第2磁阻效应元件12和第4磁阻效应元件14的钉扎层42的磁化方向D3的外部磁场时，中点电压V1减少，中点电压V2增加。通过检测中点电压V1和中点电压V2之间的差值(V1-V2)，可以获得与检测中点电压V1和中点电压V2的情况相比2倍的灵敏度。此外，如图3B所示，即使中点电压V1和中点电压V2沿同一方向(例如，图3B的图表的上侧)偏移(offset)，也能够通过检测中点电压V1和中点电压V2的差值(V1-V2)消除偏移的影响。
当向第1～第4磁阻效应元件11～14施加预定方向的应力时，自由层46的初始磁化方向D1由于逆磁致伸缩效应而旋转。图3C是表示相对于第1～第4磁阻效应元件11～14的自由层46的长边方向以45°的角度施加拉伸应力S的状态的示意图。逆磁致伸缩效应根据磁致伸缩常数是正还是负以及应力是拉伸应力S还是压缩应力而在不同的方向上作用。在施加拉伸应力的自由层46的磁致伸缩常数为正的情况下，以及施加压缩应力的自由层46的磁致伸缩常数为负的情况下，自由层46的初始磁化方向D1沿与应力平行的方向旋转。在施加拉伸应力S的自由层46的磁致伸缩常数为负的情况下，以及施加压缩应力的自由层46的磁致伸缩常数为正的情况下，自由层46的初始磁化方向D1沿与应力正交的方向旋转。如图3C所示，当以45°角施加拉伸应力S时，自由层46的磁致伸缩常数为负，第1磁阻效应元件11和第3磁阻效应元件13的自由层46的初始磁化方向D1沿钉扎层42的磁化方向D3的方向旋转，因此第1磁阻效应元件11和第3磁阻效应元件13的电阻减小。由于第2磁阻效应元件12和第4磁阻效应元件14的自由层44的初始磁化方向D1沿与钉扎层42的磁化方向D3相反的方向旋转，因此第2磁阻效应元件以及第4磁阻效应元件14的电阻增加。结果，如图3D所示，中点电压V1增加并且中点电压V2降低，中点电压V1和中点电压V2之间的差值(V1-V2)增加。也就是说，由于外部应力，作为不施加外部磁场时的磁传感器1的输出的上述差值(V1-V2)从零偏移(offset)。输出(上述差值V1-V2)的偏移(offset)可能会影响磁传感器1的检测精度。
外部应力例如当用树脂封入磁传感器芯片2时可以由从密封用的树脂等受到的力产生。在将磁传感器芯片2被密封于密封部3中所得到的磁传感器1安装于基板等上并模块化的工序(例如，焊接工序)中也可能产生应力。在将该模块装入到产品时的工序(例如拧紧螺丝工序)中也有可能产生应力，在作为产品的使用中，例如也有可能因温度变化而产生热应力。这些应力很难预测和测量，也很难控制。因此，本质上希望磁传感器1的输出(上述差值V1-V2)不易受到外部应力的影响。
图6是表示根据本实施方式的磁传感器的钉扎层42的磁化方向与密封部3以及磁传感器芯片2之间的位置关系的俯视图。如图6所示，在根据本实施方式的磁传感器1中，钉扎层42的磁化方向相对于使用在密封部3的第1边31上任意设置的多个点通过最小二乘法求得的近似直线7倾斜。由此，可以降低磁传感器1的应力灵敏度，并且可以起到改善偏移特性的效果。另外，在本实施方式中，为求得近似直线7而设定第1边31上的任意的多个点，但是本发明不限于此，可以在第1边31、第2边32、第3边33和第4边34中的一个边上任意地设定多个点来求得近似直线7。
在根据本实施方式的磁传感器1中，也可以使第1～第4磁阻效应元件11～14的钉扎层42的长边方向相对于磁传感器芯片2的第1边21倾斜，通过将磁传感器芯片2的第1边21与使用任意地设定在密封部3的第1边31上的多个点通过最小二乘法求得的上述近似直线7大致平行，从而使钉扎层42的磁化方向相对于上述近似直线7倾斜(参考图6)。本实施方式不限于图6所示的方式，也可以通过使第1～第4磁阻效应元件11～14的钉扎层42的长边方向或短边方向与磁传感器芯片2的第1边21大致平行，并使将磁传感器芯片2的第1边21相对于使用任意设置在密封部3的第1边31上的点通过最小二乘法求得的上述近似直线7倾斜，从而使钉扎层42的磁化方向相对于上述近似直线7倾斜(参考图7)。
图8A～C是表示使钉扎层42的磁化方向相对于图6所示的磁传感器1的近似直线7分别以0°、10°、20°、30°和45°方向倾斜时对外部应力的输出电压V1和V2、以及输出的差值(V1-V2)的变化的图表。当钉扎层42相对于近似直线7为0°方向，即大致平行于近似直线7的状态下的磁传感器1中，施加45°方向的外部应力时，输出V1的电压偏移沿负方向增加(参照图8A)，输出V2的电压偏移沿正方向增加(参照图8B)。因此，由于输出的差值(V1-V2)的电压偏移在负方向上增加(参照图8C)，因此受外部应力的影响较大。当钉扎层42的磁化方向相对于近似直线7分别以10°、20°、30°倾斜时，磁传感器1中，随着钉扎层42的磁化方向的角度增大，可以减少输出的差值(V1-V2)在负方向上的增加量(参照图8C)。进一步，在钉扎层42的磁化方向相对于近似直线7以45°的角度倾斜的磁传感器1中，输出V1在正方向上增加(参照图8A)，V2在负方向上增加(参照图8B)，几乎完全抑制了输出的差值(V1-V2)的电压偏移。
图9A～C是表示使钉扎层42的磁化方向相对于图6所示的磁传感器1的近似直线7分别以90°、80°、70°、60°、45°方向倾斜时，输出电压V1和V2、以及输出的差值(V1-V2)相对外部应力的变化的图表。当钉扎层42相对于近似直线7为90°方向，即大致正交的状态下的磁传感器1中，施加45°方向的外部应力时，输出V1的电压偏移沿正方向增加(参照图9A)，输出V2的电压偏移沿负方向增加(参照图9B)。因此，由于输出的差值(V1-V2)的电压偏移在正方向上增加(参照图9C)，因此受外部应力的影响较大。当钉扎层42的磁化方向相对于近似直线7分别倾斜80°、70°、60°时，磁传感器1中，随着钉扎层42的磁化方向的角度增大，可以降低输出的差值(V1-V2)在正方向上的增加量(参照图9C)。进一步，钉扎层42的磁化方向相对于近似直线7以45°的角度倾斜的磁传感器1中，几乎完全抑制了输出的差值(V1-V2)的电压偏移。
如图8A～C和图9A～C所示，在没有对磁阻效应元件施加外部磁场的状态下，通过使钉扎层42的磁化方向相对于近似直线7倾斜，从而可以降低应力敏感性，可以减小电压偏移的变动。钉扎层42的倾斜角度没有特别限制，只要其在可以减小电压偏移的变动的范围内即可，优选为相对于近似直线7在10～80°的范围内倾斜。
以上说明的磁传感器1例如可以用作电流传感器。图10A是包括磁传感器1的电流传感器的示意性端面图，图10B是沿图10A的线A-A线的截面图。磁传感器1设置在电流线102的附近，根据施加的信号磁场Bs的变化而产生磁阻变化。电流传感器101具有用于调节磁场强度的第1软磁性体103和第2软磁性体104、以及设置在磁传感器1附近的螺线管型(solenoid)的反馈线圈105。
反馈线圈105产生抵消信号磁场Bs的磁场Bc。反馈线圈105螺旋地卷绕在磁传感器1和第2软磁体104周围。在图10A中从纸张正面到背面，在图10B中从左到右，电流i流过电流线102。通过该电流i在图10A中感应出顺时针方向的外部磁场Bo。外部磁场Bo被第1软磁性体103衰减、被第2软磁性体104放大，作为信号磁场Bs向左施加到磁传感器1。磁传感器1输出与信号磁场Bs相当的电压信号，电压信号被输入到反馈线圈105。反馈电流Fi流过反馈线圈105，且反馈电流Fi产生抵消信号磁场Bs的抵消磁场Bc。因为信号磁场Bs和抵消磁场Bc绝对值相同且方向相反，所以信号磁场Bs被抵消磁场Bc抵消，向磁传感器1施加的磁场实质上变为零。反馈电流Fi通过电阻器(图未示出)而转换为电压并作为电压值输出。由于电压值与反馈电流Fi和抵消磁场Bc、以及信号磁场Bs成比例，因此可以从电压值得到流过电流线102的电流。
以上说明的实施方式是为了便于理解本发明而被描述的，而不是为了限制本发明。因此，上述实施方式中公开的各要素旨在包括属于本发明的技术范围内的所有设计变更或等效物。
在上述实施方式中，通过列举构成磁阻效应元件的多层膜40包括反铁磁层41、钉扎层42、间隔层45和自由层46的实施方式为例进行了说明，但本发明不限于该方式，例如，可以是在钉扎层42和间隔层45之间包含非磁性中间层43和参考层44的实施方式(参照图11)。参考层44是夹在钉扎层42和间隔层45之间的铁磁性层，经由Ru、Rh等的非磁性中间层43与钉扎层42磁性结合，更具体而言，与钉扎层42反铁磁性耦合。因此，参考层44和钉扎层42的磁化方向都相对于外部磁场固定，其磁化方向成为相互反平行的方向。由此，参考层44的磁化方向稳定化，并且从参考层44发射的磁场被从钉扎层42发射的磁场抵消，并且可以抑制泄露到外部的磁场。在这种情况下，参考层44的磁化方向可以相对于近似直线7倾斜。
实施例
以下，将参考实施例更详细地说明本发明，但是本发明不限于以下实施例。
[实施例1]
准备具有图6所示的构造的磁传感器1，其中钉扎层42的磁化方向相对于近似直线7为45°，并测定了向该磁传感器1施加了拉伸应力S(参照图3C)的状态下磁传感器1的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)的变化。向磁传感器1施加拉伸应力S的状态通过以下说明的模拟荷重负荷方法实现。
图12A～12C是说明向磁传感器的模拟荷重施加方法的图。首先，通过引线5的焊接，将磁传感器1固定到基板51上(参照图12A)。接着，将板52沿+Z方向压在基板51的背面(与磁传感器1被固定的面相反的面)(参照图12B)。由于基板51的表面(磁传感器1被固定的面)侧弯曲成凸出的，引线5变形为向外扩展。由此，可以通过引线5向磁传感器1施加拉伸应力S。图12C是从图12B的+Z方向侧的俯视图中的将板52相对于近似直线7以45°的角度压在基板51上时的俯视图，由此实现了图3C所示的拉伸应力S(相对于近似直线7成45°的角度的拉伸应力S)的施加。
在第1实施例中，计测了当将板52相对于近似直线7以0°、45°和90°的角度压在基板51上且改变了基板51的+Z方向位移量D时的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)的变化。将结果显示于图13A～13C中。在图13A～13C所示的图表中，横轴表示位移量D(mm)，纵轴表示电压偏移(mV/V)。电压偏移作为未施加拉伸应力S的状态下的磁传感器1的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)与施加了拉伸应力S的状态下的磁传感器1的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)之间的差值获得。
[实施例2]
使用与实施例1同样的荷重施加方法(参照图12A～12C)，对于具有图7所示的构造的、其磁传感器芯片2的第1边21相对于近似直线7的倾斜角为45°的磁传感器1，以0°、45°和90°的角度将板52压在基板51上以施加拉伸应力S，计测了基板51在+Z方向位移量D变化时的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)的变化。将结果显示在图14A～14C中。在图14A～14C所示的图表中，横轴表示位移量D(mm)，纵轴表示电压偏移(mV/V)。电压偏移作为未施加拉伸应力S的状态下的磁传感器1的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)与施加了拉伸应力S的状态下的磁传感器1的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)之间的差值获得。
[比较例1]
准备了具有图15A所示的构造的磁传感器1'。图15A是比较例1的磁传感器1'的俯视图。在图15A所示的磁传感器1'中，在从密封部3'的第1面3a'侧的俯视图中，钉扎层42'的磁化方向相对于使用在密封部3'具有的第1边31'上任意地设置的多个点通过最小二乘法求得的近似直线7'大致正交。
使用与实施例1同样的荷重施加方法(参照图12A～12C)，相对于具有图15A所示的构造的磁传感器1'以0°、45°和90°的角度将板52压在基板51上以施加拉伸应力S，计测基板51在+Z方向位移量D变化时的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)的变化。将结果显示于图16A～16C中。在图16A～16C所示的图表中，横轴表示位移量D(mm)，纵轴表示电压偏移(mV/V)。电压偏移作为未施加拉伸应力S的状态下的磁传感器1'的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)与施加拉伸应力S的状态下的磁传感器1'的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)之间的差值获得。
[比较例2]
准备具有图15B所示的构造的磁传感器1'。图15B是比较例2的磁传感器1'的俯视图。在图15B所示的磁传感器1'中，从密封部3'的第1面3a'侧观察磁传感器芯片2'时，在未向磁阻效应元件施加外部磁场的状态下的钉扎层42'的磁化方向相对于磁传感器芯片2'的第1边21'大致平行。
使用与实施例1同样的荷重施加方法(参照图12A～12C)，计测了对于具有图15B所示的构造的磁传感器1'以0°、45°和90°的角度将板52压在基板51上以施加拉伸应力S，并改变了基板51在+Z方向位移量D时的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)的变化。将结果显示在图17A～17C中。在图17A～17C所示的图表中，横轴表示位移量D(mm)，纵轴表示电压偏移(mV/V)。电压偏移作为未施加拉伸应力S的状态下的磁传感器1'的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)与施加了拉伸应力S的状态下的磁传感器1'的输出V1、V2以及输出的差值(V1-V2)之间的差值来求得。
在比较例1和比较例2的磁传感器中，可以确认，当以0°和90°的角度施加拉伸应力S时的电压偏移的变化较小(参照图16A、图16C、图17A、图17C)，但当以45°的角度施加拉伸应力S时，电压偏移随着位移量D的增加而增大(参照图16B和17B)。另一方面，在实施例1的磁传感器中，可以确认，当以0°和90°的角度施加拉伸应力S时，电压偏移的变化与比较例1和比较例2中的同样小(参照图13A、图13C)，但当以45°角施加拉伸应力S时，与比较例1以及比较例2(参照图13B)相比，电压偏移的变化被抑制。
此外，在实施例2的磁传感器中，可以确认以0°和45°的角度施加拉伸应力S时，与比较例1以及比较例2相比，电压偏移的变化被抑制了(参照图14A、14B)。另一方面，可以确认，当以90°的角度施加拉伸应力S时，随着位移量D的增加，电压偏移变大(参照图14C)。据此，当根据磁传感器的应用等施加外部应力的方向(角度)为已知的情况下，可以相应地优化磁传感器芯片2在磁传感器1内的配置。另外，可以推测，当以90°的角度施加拉伸应力S时的电压偏移增大，是因为通过磁传感器芯片2所具有的第1边21、第2边22、第3边23以及第4边24相对于所施加的拉伸应力S以45°的角度倾斜，由此向磁传感器芯片2施加的拉伸应力S的影响增大，并且电压偏移增大。
Claims (7)
1.一种磁传感器，其特征在于，
具备：
包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及
将所述磁传感器芯片一体地密封的密封部，
所述磁阻效应元件包含：
磁化方向能够根据外部磁场变化的自由层、和
磁化方向固定的钉扎层，
所述密封部具有第1面以及与该第1面相对的第2面，
在从所述第1面侧的俯视图中的所述密封部的形状是大致四边形，
所述大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与所述第1边和所述第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，
在从所述密封部的所述第1面侧的俯视图中，在未对所述磁阻效应元件施加所述外部磁场的状态下的所述钉扎层的磁化方向相对于通过使用在所述第1边上任意设置的多个点的最小二乘法获得的近似直线倾斜。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
在未向所述磁阻效应元件施加所述外部磁场的状态下的所述钉扎层的所述磁化方向相对于所述近似直线以10～80°的角度倾斜。
3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁传感器芯片的俯视图中的形状是大致四边形，所述大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与所述第1边和所述第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，
所述磁传感器芯片的所述第1边和所述近似直线大致平行，
从所述密封部的所述第1面侧观察所述磁传感器芯片时，在未向所述磁阻效应元件施加所述外部磁场的状态下的所述钉扎层的所述磁化方向相对于所述磁传感器芯片的所述第1边倾斜。
4.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁传感器芯片的俯视图中的形状是大致四边形，所述大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边，以及与所述第1边和所述第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，
从所述密封部的所述第1面侧观察所述磁传感器芯片时，在未向所述磁阻效应元件施加所述外部磁场的状态下的所述钉扎层的所述磁化方向相对于所述磁传感器芯片的所述第1边大致平行或大致相交，所述磁传感器芯片的所述第1边相对于所述近似直线倾斜。
5.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁传感器芯片包括多个所述磁阻效应元件，
在未向所述多个磁阻效应元件施加所述外部磁场的状态下的所述各磁阻效应元件的所述自由层的所述磁化方向相互一致。
6.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁阻效应元件是GMR元件或TMR元件。
7.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
所述密封部由树脂制成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019208486A JP7070532B2 (ja) | 2019-11-19 | 2019-11-19 | 磁気センサ |
| JP2019-208486 | 2019-11-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112904246A true CN112904246A (zh) | 2021-06-04 |
| CN112904246B CN112904246B (zh) | 2024-03-19 |
Family
ID=75683514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010972764.2A Active CN112904246B (zh) | 2019-11-19 | 2020-09-16 | 磁传感器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US20210149000A1 (zh) |
| JP (1) | JP7070532B2 (zh) |
| CN (1) | CN112904246B (zh) |
| DE (1) | DE102020130164A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7070532B2 (ja) * | 2019-11-19 | 2022-05-18 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| US11761793B2 (en) * | 2020-05-26 | 2023-09-19 | Analog Devices International Unlimited Company | Magnetic sensor package |
| US11630168B2 (en) | 2021-02-03 | 2023-04-18 | Allegro Microsystems, Llc | Linear sensor with dual spin valve element having reference layers with magnetization directions different from an external magnetic field direction |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1367481A (zh) * | 2001-01-24 | 2002-09-04 | 雅马哈株式会社 | 磁传感器及其制造方法 |
| US20030094944A1 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-22 | Toshihisa Suzuki | Magnetic sensor |
| JP2003318466A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Tohoku Ricoh Co Ltd | 磁気センサ、この磁気センサを用いた方位検知システム及び携帯通信端末 |
| CN1503001A (zh) * | 2002-10-23 | 2004-06-09 | ������������ʽ���� | 磁传感器及其制造方法、适合该制造方法的磁铁阵列 |
| JP2005337866A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Asahi Kasei Corp | 磁性体検出器及び半導体パッケージ |
| JP2006267118A (ja) * | 2001-10-29 | 2006-10-05 | Yamaha Corp | 磁気センサ |
| JP2007281505A (ja) * | 2002-10-18 | 2007-10-25 | Yamaha Corp | 磁気センサ |
| JP2009229296A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサパッケージ |
| CN102201243A (zh) * | 2010-03-23 | 2011-09-28 | 新科实业有限公司 | 磁阻传感器、磁头、磁头折片组合及硬盘驱动器 |
| US20120105058A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Iakov Veniaminovitch Kopelevitch | Magnetic field sensing |
| WO2013129276A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | Tdk株式会社 | 磁気センサ素子 |
| JP2013178226A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-09-09 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサ及びその磁気検出方法 |
| CN103299202A (zh) * | 2011-01-13 | 2013-09-11 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 磁传感器 |
| JP2017122645A (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
| CN107015171A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-08-04 | 江苏多维科技有限公司 | 一种具有磁滞线圈的磁传感器封装结构 |
| CN108627781A (zh) * | 2017-03-24 | 2018-10-09 | Tdk株式会社 | 磁传感器 |
| CN109752677A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-05-14 | 东南大学 | 一种双电桥式薄膜磁阻传感器 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004349476A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP4424093B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-03-03 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサ |
| JP2006128399A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Denso Corp | 縦型ホール素子 |
| DE102005047414B4 (de) | 2005-02-21 | 2012-01-05 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistives Sensormodul und Verfahren zum Herstellen desselben |
| KR100950615B1 (ko) | 2005-03-17 | 2010-04-01 | 야마하 가부시키가이샤 | 3축 자기 센서 및 그 제조 방법 |
| JP5298404B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2013-09-25 | ヤマハ株式会社 | 三軸磁気センサおよびその製造方法 |
| DE102005054007A1 (de) | 2005-11-10 | 2007-05-24 | Hl-Planar Technik Gmbh | Herstellungsverfahren für magnetoresistive Bauelemente |
| JP2009162499A (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサ |
| JP5170679B2 (ja) | 2008-01-29 | 2013-03-27 | 日立金属株式会社 | 磁気センサおよび回転角度検出装置 |
| CN102297652B (zh) * | 2011-03-03 | 2012-12-05 | 江苏多维科技有限公司 | 一种独立封装的磁电阻角度传感器 |
| US20120250189A1 (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Tdk Corporation | Magnetic head including side shield layers on both sides of a mr element |
| JP5866956B2 (ja) * | 2011-10-17 | 2016-02-24 | 株式会社デンソー | 磁気センサ |
| CN103530930A (zh) * | 2012-07-06 | 2014-01-22 | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 | 金融鉴伪磁传感器及其制作方法、金融鉴伪机 |
| CN103927811B (zh) * | 2014-03-25 | 2016-09-14 | 江苏多维科技有限公司 | 一种磁电阻磁性图像识别传感器 |
| JP2018132439A (ja) | 2017-02-16 | 2018-08-23 | Tdk株式会社 | 磁気センサ装置 |
| JP6597820B2 (ja) | 2018-03-12 | 2019-10-30 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気センサおよび位置検出装置 |
| JP6886222B2 (ja) | 2019-03-19 | 2021-06-16 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| JP7070532B2 (ja) * | 2019-11-19 | 2022-05-18 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
-
2019
- 2019-11-19 JP JP2019208486A patent/JP7070532B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-16 CN CN202010972764.2A patent/CN112904246B/zh active Active
- 2020-11-10 US US17/094,171 patent/US20210149000A1/en not_active Abandoned
- 2020-11-16 DE DE102020130164.2A patent/DE102020130164A1/de active Pending
-
2022
- 2022-06-27 US US17/850,391 patent/US11656301B2/en active Active
-
2023
- 2023-04-12 US US18/299,475 patent/US11965941B2/en active Active
-
2024
- 2024-03-20 US US18/610,999 patent/US20240230798A1/en active Pending
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1367481A (zh) * | 2001-01-24 | 2002-09-04 | 雅马哈株式会社 | 磁传感器及其制造方法 |
| US20030094944A1 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-22 | Toshihisa Suzuki | Magnetic sensor |
| JP2006267118A (ja) * | 2001-10-29 | 2006-10-05 | Yamaha Corp | 磁気センサ |
| JP2003318466A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Tohoku Ricoh Co Ltd | 磁気センサ、この磁気センサを用いた方位検知システム及び携帯通信端末 |
| JP2007281505A (ja) * | 2002-10-18 | 2007-10-25 | Yamaha Corp | 磁気センサ |
| CN1503001A (zh) * | 2002-10-23 | 2004-06-09 | ������������ʽ���� | 磁传感器及其制造方法、适合该制造方法的磁铁阵列 |
| JP2005337866A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Asahi Kasei Corp | 磁性体検出器及び半導体パッケージ |
| JP2009229296A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサパッケージ |
| CN102201243A (zh) * | 2010-03-23 | 2011-09-28 | 新科实业有限公司 | 磁阻传感器、磁头、磁头折片组合及硬盘驱动器 |
| US20120105058A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Iakov Veniaminovitch Kopelevitch | Magnetic field sensing |
| CN103299202A (zh) * | 2011-01-13 | 2013-09-11 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 磁传感器 |
| JP2013178226A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-09-09 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサ及びその磁気検出方法 |
| WO2013129276A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | Tdk株式会社 | 磁気センサ素子 |
| JP2017122645A (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
| CN107015171A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-08-04 | 江苏多维科技有限公司 | 一种具有磁滞线圈的磁传感器封装结构 |
| CN108627781A (zh) * | 2017-03-24 | 2018-10-09 | Tdk株式会社 | 磁传感器 |
| CN109752677A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-05-14 | 东南大学 | 一种双电桥式薄膜磁阻传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11656301B2 (en) | 2023-05-23 |
| JP7070532B2 (ja) | 2022-05-18 |
| CN112904246B (zh) | 2024-03-19 |
| US20230243899A1 (en) | 2023-08-03 |
| JP2021081293A (ja) | 2021-05-27 |
| US11965941B2 (en) | 2024-04-23 |
| US20240230798A1 (en) | 2024-07-11 |
| DE102020130164A1 (de) | 2021-05-20 |
| US20210149000A1 (en) | 2021-05-20 |
| US20220326320A1 (en) | 2022-10-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |