CN112867812A - 蚀刻液组合物和蚀刻方法 - Google Patents

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Abstract

提供能够以更快的速度蚀刻含银材料、且能够形成腹部的窄化宽度少的细线的含银材料用蚀刻液组合物、以及使用其的蚀刻方法。一种用于蚀刻含银材料的蚀刻液组合物、以及具有使用该蚀刻液组合物对含银材料进行蚀刻的工序的蚀刻方法。蚀刻液组合物含有(A)过氧化氢0.1～30质量％、(B)有机羧酸盐0.05～60质量％和水，pH为2.5以上。

Description

蚀刻液组合物和蚀刻方法
技术领域
本发明涉及用于蚀刻含银材料的蚀刻液组合物和使用其的蚀刻方法。更详细而言，涉及能够良好地对微细图案的电路布线进行蚀刻而无形状不良的含银材料用蚀刻液组合物、以及使用其的蚀刻方法。
背景技术
在表面形成有电路的印刷电路板(或薄膜)被广泛用于安装电子部件、半导体元件等。这些印刷电路板等所用的布线大多使用铜，但针对使用银的布线也积极地进行着研究。并且，随着近年来电子设备的小型化、高功能化的要求，对于印刷电路板等期望薄型化、电路布线的高密度化。作为通过湿蚀刻来形成高密度电路布线的方法，有被称为减成法、半加成法的方法。
为了形成微细图案的电路布线，理想的是：不存在蚀刻部分的残膜、从上部观察的电路布线的侧面成为直线、电路布线的截面成为矩形、显示高的蚀刻因子、蚀刻速度快、为期望宽度的布线和不对基体、周围的部件造成损伤。
针对用于蚀刻银的蚀刻液，截止至今已有多个报告。例如，专利文献1公开了一种用于蚀刻以银为主成分的金属薄膜且配混有磷酸、硝酸、乙酸和水的蚀刻液组合物。此外，专利文献2公开了一种使水性介质中含有碘和碘化物的银系薄膜用蚀刻液。进而，专利文献3公开了一种由含有硫酸铁作为有效成分的酸性水溶液形成的银薄膜用蚀刻液。
此外，专利文献4公开了一种含有乙酸等羧酸化合物和过氧化氢的镀银层溶解液。需要说明的是，专利文献4公开了优选使过氧化氢的含量比乙酸更多、以及过氧化氢的含量为900mL/L以上且990mL/L以下等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-176115号公报
专利文献2：日本特开2003-213460号公报
专利文献3：日本特开平10-060671号公报
专利文献4：日本特开2012-194024号公报
发明内容
发明要解决的问题
使用以往的含银材料用的蚀刻液组合物时，课题在于蚀刻速度均慢、在细线的腹部产生明显窄化的情况居多。此外，专利文献4中公开的溶解液因高浓度的过氧化氢有可能爆炸性地分解而需要注意操作。进而，专利文献4中公开的溶解液因细线的窄化宽度容易变大而存在难以形成微细图案且细线容易自基体剥离的课题。
因此，本发明是为了解决上述问题而进行的，其课题在于，提供能够以更快的速度蚀刻含银材料且能够形成腹部的窄化宽度少的细线的含银材料用的蚀刻液组合物。此外，本发明的课题在于，提供使用了上述蚀刻液组合物的蚀刻方法。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述问题而反复深入研究的结果发现：以特定浓度含有特定成分且使pH设为规定范围的蚀刻液组合物能够解决上述课题，从而完成了本发明。
即，根据本发明，提供一种蚀刻液组合物，其是用于蚀刻含银材料的蚀刻液组合物，其含有：(A)过氧化氢0.1～30质量％、(B)有机羧酸盐0.05～60质量％和水，所述蚀刻液组合物的pH为2.5以上。
此外，根据本发明，提供一种蚀刻方法，其具有：使用上述蚀刻液组合物对含银材料进行蚀刻的工序。
发明的效果
根据本发明，可提供能够以更快的速度蚀刻含银材料且能够形成腹部的窄化宽度少的细线的含银材料用蚀刻液组合物。此外，根据本发明，可提供使用上述蚀刻液组合物的蚀刻方法。
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式具体进行说明。本说明书中的“蚀刻”是指利用了化学药品等的腐蚀作用的塑形或表面加工的技术。作为本发明的含银材料用蚀刻液组合物的具体用途，可列举出例如去除剂、表面平滑剂、表面粗化剂、图案形成用化学试剂、微量附着于基体的成分的清洗液等。本发明的含银材料用蚀刻液因含银层的去除速度快而可适宜地用作去除剂。此外，若用于形成具有三维结构的微细形状的图案，则能够获得矩形等期望形状的图案，因此，也可适宜地用作图案形成用化学试剂。进而，本说明书中的“含银材料”只要含有银即可，可列举出例如金属银(银单质)；银-铜合金、银-锡合金等银合金；银纳米线、银纳米颗粒、包含导电性聚合物和银的材料、氯化银、氧化银等。其中，含银材料优选为含有1质量％以上银的材料，进一步优选为含有5质量％以上银的材料。
作为上述导电性聚合物，可列举出例如含有碳纳米管的聚合物、聚吡咯、聚[2-甲氧基-5-(3’,7’-二甲基辛基氧基)1,4-亚苯基亚乙烯](MDMO-PPV)、1-(3-甲氧基羰基)-丙基-1-苯基[6,6]C61(PCBM)、聚(3-己基-噻吩)聚合物、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PeDOT)、聚(苯乙烯磺酸盐)(PSS)和这些聚合物的组合等。
作为本发明的一个实施方式的蚀刻液组合物是用于蚀刻含银材料的液状的组合物，其含有(A)过氧化氢0.1～30质量％、(B)有机羧酸盐0.05～60质量％和水，且pH为2.5以上。
蚀刻液组合物中的(A)过氧化氢(以下也记作“(A)成分”)的浓度为0.1～30质量％。若(A)成分的浓度小于0.1质量％，则蚀刻速度显著变慢。另一方面，若(A)成分的浓度超过30质量％，则蚀刻速度变得过快，变得难以控制蚀刻速度。若(A)成分的浓度为0.5～15质量％，则蚀刻速度在可控的范围内较快，故而优选。
蚀刻液组合物中含有的(B)有机羧酸盐(以下也记作“(B)成分”)只要是公知一般的有机羧酸盐即可。作为(B)成分，可列举出例如：乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、十七烷酸、硬脂酸、油酸、亚油酸、亚麻酸、花生四烯酸、二十二碳六烯酸、二十碳五烯酸等脂肪族单羧酸；草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、富马酸、马来酸等脂肪族多元羧酸；乳酸、苹果酸、柠檬酸、乙醇酸、酒石酸、葡糖酸等羟基酸；苯甲酸、水杨酸、没食子酸、肉桂酸等芳香族单羧酸；邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、偏苯三甲酸、均苯四甲酸、苯六羧酸、联苯二羧酸、联苯四羧酸、萘二甲酸等芳香族多元羧酸；丙酮酸等氧代羧酸的盐。
作为构成有机羧酸盐的抗衡阳离子，可列举出铵离子、金属离子，可优选使用铵离子、碱金属和/或碱土金属的离子。其中，优选为铵离子。
有机羧酸盐之中，若使用柠檬酸一钠、柠檬酸二钠、柠檬酸三钠、乙酸钠等有机羧酸钠盐和它们的水合物、乙酸铵、柠檬酸三铵、柠檬酸氢二铵、柠檬酸二铵等有机羧酸铵盐和它们的水合物，则能够进一步缩小细线的窄化宽度，故而优选。其中，特别优选为乙酸铵、柠檬酸三铵、柠檬酸氢二铵、柠檬酸二铵和它们的水合物。
蚀刻液组合物中的(B)成分的浓度为0.05～60质量％。若(B)成分的浓度小于0.05质量％，则蚀刻速度显著变慢。另一方面，若(B)成分的浓度超过60质量％，则有时盐难以溶解。若(B)成分的浓度为0.05～50质量％，则蚀刻速度在可控的范围内较快，故而优选，特别优选为0.1～30质量％。
蚀刻液组合物是含有(A)成分、(B)成分和水的水溶液，pH为2.5以上。若蚀刻液组合物的pH为3.5～10，则抑制蚀刻后的细线剥离的效果更高，故而优选，特别优选pH为4～9。若蚀刻液组合物的pH小于2.5，则有时细线会自基体剥离。
蚀刻液组合物优选还含有(C)有机羧酸(以下也记作“(C)成分”)。(C)成分具有减缓蚀刻速度的效果。因此，通过含有(C)成分，能够调整蚀刻速度，能够形成非常精密的细线。
作为有机羧酸，可例示出与构成前述(B)成分((B)有机羧酸盐)的有机羧酸的具体例相同的羧酸。(C)成分可以与构成(B)成分的有机羧酸相同，也可以不同。蚀刻液组合物中的(C)成分的浓度优选为0.1～30质量％。若(C)成分的浓度小于0.1质量％，则有时得不到减缓蚀刻速度的效果。另一方面，即便(C)成分的浓度超过30质量％，通过配混(C)成分而得到的效果也不会提高。
蚀刻液组合物含有水。在蚀刻液组合物中，可以使用水作为溶剂，可以将蚀刻液组合物制成水溶液的形态。蚀刻液组合物中的水的含量优选根据前述(A)～(C)成分的浓度而设为其余量。使用后述添加剂时的蚀刻液组合物中的水含量优选根据(A)～(C)成分和添加剂的浓度而设为其余量。
蚀刻液组合物中，可以在含有前述的各成分和水的基础上，在不损害本发明效果的范围内进一步含有公知的添加剂。作为添加剂，可列举出还原剂、表面活性剂、蚀刻液组合物的稳定剂、各成分的增溶剂、消泡剂、比重调节剂、粘度调节剂、润湿性改善剂、氧化剂、聚亚烷基二醇化合物、唑类化合物、嘧啶类化合物、硫脲类化合物、烷基吡咯烷酮类化合物、聚丙烯酰胺类化合物和过硫酸盐。这些添加剂的浓度通常分别为0.001～50质量％的范围。
作为聚亚烷基二醇化合物，可列举出例如：聚乙二醇；聚乙二醇二甲醚；使乙二醇、丙二醇、1,3-丁醇和1,4-丁醇等二醇嵌段加成或无规加成环氧乙烷和环氧丙烷而得到的聚亚烷基二醇。
作为表面活性剂，可列举出例如：氟烷基甜菜碱和氟烷基聚氧乙烯醚等氟系两性表面活性剂；除上述聚亚烷基二醇化合物之外的非离子系表面活性剂。
作为唑类化合物，可列举出例如：咪唑、2-甲基咪唑、2-十一烷基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑和2-甲基苯并咪唑等烷基咪唑类；苯并咪唑、2-甲基苯并咪唑、2-十一烷基苯并咪唑、2-苯基苯并咪唑和2-巯基苯并咪唑等苯并咪唑类；1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、5-苯基-1,2,4-三唑、5-氨基-1,2,4-三唑、1,2,3-苯并三唑、1-氨基苯并三唑、4-氨基苯并三唑、1-双氨基甲基苯并三唑、1-甲基-苯并三唑、甲苯基三唑、1-羟基苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑和5-氯苯并三唑等三唑类；1H-四唑、5-氨基-1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5-巯基-1H-四唑、1-苯基-5-巯基-1H-四唑、1-环己基-5-巯基-1H-四唑、和5,5’-双-1H-四唑等四唑类；以及苯并噻唑、2-巯基苯并噻唑、2-苯基噻唑、2-氨基苯并噻唑、2-氨基-6-硝基苯并噻唑、2-氨基-6-甲氧基苯并噻唑和2-氨基-6-氯苯并噻唑等噻唑类等。
作为嘧啶类化合物，可列举出例如二氨基嘧啶、三氨基嘧啶、四氨基嘧啶和巯基嘧啶等。
作为硫脲类化合物，可列举出例如硫脲、乙烯硫脲、硫二甘醇、硫醇等。
作为烷基吡咯烷酮类化合物，可列举出例如N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-丙基-2-吡咯烷酮、N-丁基-2-吡咯烷酮、N-戊基-2-吡咯烷酮、N-己基-2-吡咯烷酮、N-庚基-2-吡咯烷酮和N-辛基-2-吡咯烷酮等。
作为聚丙烯酰胺类化合物，可列举出例如聚丙烯酰胺和叔丁基丙烯酰胺磺酸等。
作为过硫酸盐，可列举出过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸钾。
作为本发明的一个实施方式的蚀刻方法具有：使用上述蚀刻液组合物对含银材料进行蚀刻的工序。对含银材料进行蚀刻的方法没有特别限定，只要采用一般的蚀刻方法即可。可列举出例如基于浸渍式、喷雾式、旋转式等的蚀刻方法。作为属于被蚀刻材料的含银材料，可列举出例如银-铜合金等银合金、银。其中优选为银。此外，针对蚀刻方法、条件也没有特别限定，可以采用间歇式、流动式、基于蚀刻剂(etchant)的氧化还原电位、比重、酸浓度的自动控制式等公知一般的各种方式。
作为蚀刻对象的含银材料通常在基体上以覆膜的状态形成。作为基体，可以使用由在该技术领域中通常使用的材料形成的基体。作为基体的材质，可列举出玻璃、硅、PP、PE、PET等。
通过使用蚀刻液组合物对在基体上利用含银材料形成的覆膜进行蚀刻，能够形成由各种细线构成的布线图案。尤其是，作为本发明的一个实施方式的蚀刻液组合物在蚀刻层叠覆膜时能够实现一并蚀刻。因此，不需要进行对构成层叠覆膜的每个层变更蚀刻液组合物的种类来进行蚀刻的选择蚀刻，能够简化蚀刻处理的工序。
通过在覆膜上形成与布线图案对应的抗蚀图案，并在蚀刻后剥离抗蚀图案，从而能够形成布线图案。抗蚀剂的种类没有特别限定，可以使用干膜抗蚀剂等光致抗蚀剂。
浸渍式的蚀刻方法中的蚀刻条件没有特别限定，只要根据基体(被蚀刻体)的形状、膜厚等来任意设定即可。例如，蚀刻温度优选设为10～40℃、进一步优选设为20～40℃。蚀刻液组合物的温度有时因反应热而上升。因此，可根据需要以将蚀刻液组合物的温度维持在上述范围内的方式通过公知手段来进行温度控制。此外，蚀刻时间只要设为对于结束蚀刻而言充分的时间即可，没有特别限定。例如，如果膜厚为1nm～100μm左右，则只要以上述温度范围蚀刻10秒～1小时左右即可。
通过喷雾式的蚀刻方法，对在玻璃环氧基体上成膜有银的基体进行蚀刻时，通过利用适当的条件将蚀刻液组合物喷雾至基体，能够对玻璃环氧基体上的银进行蚀刻。
喷雾式蚀刻方法中的蚀刻条件没有特别限定，只要根据被蚀刻体的形状、膜厚等来任意设定即可。例如，喷雾条件可以选自0.01～1.0MPa的范围，优选为0.02～0.1MPa的范围、进一步优选为0.03～0.08MPa的范围。使用本发明的蚀刻液组合物并通过喷雾法来形成细线时，若将喷射压力设为0.03～0.08MPa的范围，则能够使形成的细线的上部宽度与下部宽度之差非常小，故而特别优选。此外，蚀刻温度优选设为10～60℃，进一步优选设为20～40℃。蚀刻液组合物的温度有时因反应热而上升。因此，可根据需要以将蚀刻液组合物的温度维持在上述范围内的方式通过公知手段来进行温度控制。此外，蚀刻时间只要设为对于结束蚀刻而言充分的时间即可，没有特别限定。例如，如果膜厚为1nm～100μm左右，则只要以上述温度范围蚀刻10秒～1小时左右即可。
作为本发明的一个实施方式的蚀刻方法中，为了恢复由反复蚀刻导致的蚀刻液组合物的劣化，优选还具有向蚀刻液组合物中添加补给液的工序。尤其是，在前述自动控制式蚀刻的情况下，如果预先向蚀刻装置中放置补给液，则能够向蚀刻液组合物中适当添加补给液。作为补给液，可以使用例如：含有(A)成分、(B)成分和水的水溶液；含有(B)成分和水的水溶液等。各成分的浓度只要设为蚀刻液组合物中的各成分的浓度的3～20倍左右即可。可根据需要向该补给液中添加在蚀刻液组合物中作为必须成分或任选成分而含有的前述各成分。
根据上述蚀刻液组合物和蚀刻方法，能够形成微细图案的精密的电路布线。因此，上述蚀刻液组合物和蚀刻方法除了可适合地用于触摸传感器用的电极形成等印刷布线基板之外，还可适合地用于要求细间距的封装体用基板、COF和TAB用途的减成法、半加成法。
实施例
以下，使用实施例和比较例，更详细地说明本发明。然而，本发明完全不限定于以下的实施例等。
<蚀刻液组合物(1)>
(实施例1～13)
以成为表1所示配方的方式混合各成分，得到蚀刻液组合物(实施例组合物No.1～13)。表1中，除(A)成分和(B)成分之外的成分是以蚀刻液组合物合计为100质量％的方式配混的水。
表1
Figure BDA0003022395630000091
B-1：柠檬酸三钠二水合物
B-2：柠檬酸三铵
B-3：乙酸铵
(比较例1～6)
以成为表2所示配方的方式混合各成分，得到蚀刻液组合物(比较例组合物1～6)。表2中，除(A)成分和(B)成分之外的成分是以蚀刻液组合物合计为100质量％的方式配混的水。
表2
Figure BDA0003022395630000101
B-2：柠檬酸三铵
b-1：柠檬酸
b-1：乙酸
<蚀刻方法(1)>
(实施例14～26)
在于玻璃基板上形成有金属银、银纳米线和银合金层的层叠膜(厚度80～100nm)的基体上，使用正型干膜抗蚀剂形成宽度60μm、开口部60μm的抗蚀图案。将形成有抗蚀图案的基体切成50mm×50mm而得到试验片。针对所得试验片，使用实施例组合物No.1～13，以通过目视确认不到布线间的残渣为止的时间，在35℃、搅拌下通过浸渍式来进行蚀刻处理，由此形成评价用图案No.1～13。
(比较例7～12)
除了分别使用比较例组合物1～6来代替实施例组合物No.1～13之外，与前述实施例14～26同样操作，形成比较用图案1～6。
<评价>
(评价1)
使用激光显微镜，评价细线的剥离、以及抗蚀图案的宽度与细线的宽度的差异。针对细线的剥离，将确认到细线发生剥离的情况评价为“-”，将未确认到细线发生剥离的情况评价为“+”。此外，针对抗蚀图案的宽度与细线的宽度的差异，根据下述式(A)算出蚀刻处理前的抗蚀图案的宽度和所形成的细线上部的宽度之差的绝对值“L1”并进行评价。“L1”的值为“0”时，表示蚀刻处理前的抗蚀图案的宽度与所形成的细线的宽度相同，形成了期望宽度的细线。另一方面，“L1”的值越大，则表示蚀刻处理前的抗蚀图案的宽度与所形成的细线的宽度之差越大，未形成期望宽度的细线。将评价结果示于表3。
L1＝
|(蚀刻处理前的抗蚀图案的宽度)-(所形成的细线上部的宽度)|
···(A)
表3
Figure BDA0003022395630000121
※1完全未被蚀刻。
由表3所示的结果可知：评价例1-1～1-13中确认不到剥离且L1均显示小的数值。另一方面，比较评价例1-1中无法蚀刻。此外，比较评价例1-2～1-6中，可确认到发生了剥离的部位。进而，比较评价例1-2～1-6中，未发生剥离的细线的L1也显示较大的值。
(评价2)
针对评价1的结果为良好的评价用图案No.3、4和8、以及虽然确认到剥离但L1的值较小的比较用图案4，评价了蚀刻所需的时间S(至通过目视确认不到布线间的残渣为止的时间(秒))。至通过目视确认不到布线间的残渣为止的时间越短，则越可判断为能够生产率良好地形成细线。将评价结果示于表4。
表4
S(秒)
评价例2-1 实施例组合物No.3 15
评价例2-2 实施例组合物No.4 15
评价例2-3 实施例组合物No.8 30
比较评价例2-1 比较例组合物4 240
由表4所示的结果可知：评价例2-1～2-3中，与比较评价例2-1相比以非常短的时间完成了蚀刻。其中可知：将柠檬酸三铵用作(B)成分的评价例2-1和2-2中，能够以特别优异的生产率形成细线。
<蚀刻液组合物(2)>
(实施例27～31)
以成为表5所示配方的方式混合各成分，得到蚀刻液组合物(实施例组合物No.14～18)。表5中，除(A)成分、(B)成分和(C)成分之外的成分是以蚀刻液组合物合计为100质量％的方式配混的水。
表5
Figure BDA0003022395630000141
B-1：柠檬酸三钠二水合物
B-2：柠檬酸三铵
B-4：乙酸钠
<蚀刻方法(2)>
(实施例32～36)
除了使用实施例组合物No.14～18的蚀刻液组合物来代替实施例组合物No.1～13之外，与前述实施例14～26同样操作，形成评价用图案No.14～18。
<评价>
(评价3)
针对评价用图案No.14～18，进行与前述评价1和评价2相同的评价。将结果示于表6。
表6
Figure BDA0003022395630000142
由表6所示的结果可知：评价用图案No.14～18中确认不到剥离且L1均显示小的数值。其中可知：评价用图案No.15～17的L1为非常小的值。若将评价例2-1～2-3的“S(秒)”(表4)与评价例3-1～3-5的“S(秒)”(表6)进行对比，则评价例3-1～3-5的“S(秒)”更大。即可知：评价例3-1～3-5与评价例2-1～2-3相比能够缓慢地蚀刻。
<蚀刻方法(3)>
(实施例37～49)
准备在玻璃基板上层叠向属于由聚(3,4-乙烯二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸形成的复合物的导电性聚合物中配混有金属银和银纳米线的材料而成的基体。在所准备的基体上，使用正型干膜抗蚀剂，形成宽度60μm、开口部60μm的抗蚀图案。将形成有抗蚀图案的基体切成50mm×50mm而得到试验片。针对所得试验片，使用实施例组合物No.1～13，以通过目视确认不到布线间的残渣为止的时间，在35℃、搅拌下通过浸渍式来进行蚀刻处理，由此形成评价用图案No.19～31。
<评价>
(评价4)
针对评价用图案No.19～31，与前述评价1同样操作，算出蚀刻处理前的抗蚀图案的宽度与所形成的细线上部的宽度之差的绝对值“L1”，并进行评价。将评价结果示于表7。
表7
蚀刻液组合物 评价用图案 L<sup>1</sup>(μm)
评价例4-1 实施例组合物No.1 评价用图案No.19 1.7
评价例4-2 实施例组合物No.2 评价用图案No.20 0.6
评价例4-3 实施例组合物No.3 评价用图案No.21 0.6
评价例4-4 实施例组合物No.4 评价用图案No.22 0.6
评价例4-5 实施例组合物No.5 评价用图案No.23 1.5
评价例4-6 实施例组合物No.6 评价用图案No.24 0.9
评价例4-7 实施例组合物No.7 评价用图案No.25 1.1
评价例4-8 实施例组合物No.8 评价用图案No.26 1.6
评价例4-9 实施例组合物No.9 评价用图案No.27 2.0
评价例4-10 实施例组合物No.10 评价用图案No.28 1.9
评价例4-11 实施例组合物No.11 评价用图案No.29 0.8
评价例4-12 实施例组合物No.12 评价用图案No.30 1.6
评价例4-13 实施例组合物No.13 评价用图案No.31 1.6
根据表7所示的结果可确认：对于在导电性聚合物中配混有银材料的材料也能够形成腹部的窄化宽度少的细线。

Claims (3)

1.一种蚀刻液组合物，其是用于蚀刻含银材料的蚀刻液组合物，其含有：
(A)过氧化氢0.1～30质量％；
(B)有机羧酸盐0.05～60质量％；以及
水，
所述蚀刻液组合物的pH为2.5以上。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其还含有(C)有机羧酸0.1～30质量％。
3.一种蚀刻方法，其具有：使用权利要求1或2所述的蚀刻液组合物对含银材料进行蚀刻的工序。
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