CN112864048A - 衬底处理装置及衬底搬送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种衬底处理装置及衬底搬送方法。第1处理区块具备配置在上下方向上的显影处理层及传递层。因此，传递层能够连结于传载区块。另外，传载区块的衬底搬送机构将衬底从衬底缓冲器的位于特定高度位置的缓冲部朝衬底缓冲器的位于其它高度位置的缓冲部搬送。因此，传递层只要进出于与传递层的高度对应的缓冲部即可。因此，能够使传递层精简化。另外，由于传递层配置在显影处理层的上下方向，所以能够减小占据面积。

Description

衬底处理装置及衬底搬送方法
技术领域
本发明涉及一种处理衬底的衬底处理装置及该衬底处理装置的衬底搬送方法。衬底例如可列举半导体衬底、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用衬底、光罩用玻璃衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、陶瓷衬底、太阳电池用衬底等。FPD例如可列举液晶显示装置、有机EL(electroluminescence，电致发光)显示装置等。
背景技术
以往的衬底处理装置依次具备传载区块、涂布区块、显影区块及传递区块(例如，参照日本专利特开2014-187273号公报)。此外，传载区块在下文中适当地称作“ID(indexer)区块”，传递区块在下文中适当地称作“IF(interface)区块”。
ID区块具备载体载置台及衬底搬送机构。衬底搬送机构从载置在载体载置台上的载体取出衬底，并将该衬底传送到涂布区块。涂布区块对衬底形成例如光阻膜。形成有光阻膜的衬底经过显影区块被传送到IF区块。IF区块相对于曝光装置搬入及搬出衬底。
曝光后的衬底从IF区块被传送到显影区块。显影区块对曝光后的衬底进行显影处理。进行显影处理后的衬底经过涂布区块被传送到ID区块。ID区块的衬底搬送机构将进行显影处理后的衬底送回到载置台上的载体。此外，涂布区块及显影区块分别具备2个处理层。
另外，在日本专利特开平09-045613号公报中公开了一种衬底处理装置，该衬底处理装置依次具备涂布处理区块、匣盒台(相当于ID区块)及显影处理区块。匣盒台构成为能够供配置4个匣盒，所述匣盒收容未处理衬底及已处理衬底中的任一种衬底。另外，在涂布处理区块与匣盒台的边界部分，设置有用于衬底对位的第1衬底载置部，并且在匣盒台与显影处理区块的边界部分，设置有用于衬底对位的第2衬底载置部。此外，各区块在上下方向以单一处理层而非多个处理层构成。
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而，以往装置存在如下问题。以往装置具备IF区块，IF区块具备将衬底实际搬送到曝光装置的第1衬底搬送机构、以及2台第2衬底搬送机构。第2衬底搬送机构设置在和IF区块相邻的显影区块与第1衬底搬送机构之间。第2衬底搬送机构例如将衬底经由衬底载置部搬送到第1衬底搬送机构。另外，第2衬底搬送机构在配置在显影区块的上下方向上的2个处理层之间升降，从2个处理层接收衬底W，而且将衬底分配给所述2个处理层。即，IF区块除了具备第1衬底搬送机构以外，还具备2台第2衬底搬送机构，这2台第2衬底搬送机构具有在2个处理层之间升降的功能。因此，IF区块大型化。
本发明是鉴于所述情况而完成的，目的在于提供一种能够使传递构成精简化的衬底处理装置及衬底搬送方法。
[解决问题的技术手段]
本发明采取如下构成，以达成所述目的。即，本发明的衬底处理装置具备传载区块、第1处理区块及第2处理区块。所述传载区块设置有载体载置台，所述载体载置台用来载置能够收纳衬底的载体。另外，所述传载区块具备衬底缓冲器及传载机构。所述衬底缓冲器具有载置衬底的多个缓冲部。所述传载机构搬送衬底。所述第1处理区块具备传递层及第1处理层。所述传递层相对于外部装置搬入及搬出衬底。所述第1处理层配置在所述传递层的上侧或下侧。所述第2处理区块具有配置在上下方向上的多个第2处理层。所述第1处理区块、所述传载区块及所述第2处理区块依次在水平方向上连结。所述传载机构在载置于所述载体载置台上的所述载体与所述衬底缓冲器之间搬送衬底。所述传载机构将衬底从所述衬底缓冲器的位于特定高度位置的缓冲部朝所述衬底缓冲器的位于其它高度位置的缓冲部搬送。所述多个第2处理层分别相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述多个第2处理层分别对应的高度位置的缓冲部接收及交递衬底。所述传递层相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述传递层对应的高度位置的缓冲部至少接收衬底。所述第1处理层相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述第1处理层对应的高度位置的缓冲部至少交递衬底。
根据本发明的衬底处理装置，第1处理区块具有配置在上下方向上的第1处理层及传递层。因此，传递层能够连结于传载区块。另外，传载区块的传载机构将衬底从衬底缓冲器的位于特定高度位置的缓冲部朝衬底缓冲器的位于其它高度位置的缓冲部搬送。因此，传递层只要进出于与传递层的高度对应的缓冲部即可。因此，能够使传递层精简化。另外，由于传递层配置在第1处理层的上侧或下侧，所以能够减小占据面积。
另外，所述衬底处理装置的一例中，所述第1处理层为显影处理层，所述第2处理层为涂布处理层，所述外部装置为曝光装置。所述情况下，能够使传递层精简化。另外，能够减小占据面积。
另外，所述衬底处理装置优选以如下方式构成。所述传递层具备连结于所述传载区块的处理区域、以及与所述处理区域连结的传递区域。所述处理区域具备：曝光关联处理单元，对涂布处理后且显影处理前的衬底进行特定处理；以及搬送机构，在与所述传载区块的所述衬底缓冲器、所述曝光关联处理单元及所述传递区域之间搬送衬底。所述传递区域具备在所述曝光装置与所述处理区域之间搬送衬底的曝光装置用搬送机构。
曝光关联处理单元设置于传递层。因此，能够抑制其它处理层中所具备的曝光关联处理单元的个数。因此，其它处理层能够具备曝光关联处理单元以外的处理单元。
另外，在所述衬底处理装置中，优选为，所述传递区域以所述传递区域的所述曝光装置侧的端突出到所述第1处理层外侧的方式配置。由此，能够在曝光装置与衬底处理装置之间形成空气层。因此，在衬底处理装置的热影响有可能波及到曝光装置的情况下，能够通过空气层来阻断热影响。
另外，在所述衬底处理装置中，优选为，所述传递区域以所述传递区域的所述曝光装置侧的端收在所述第1处理层内侧的方式配置。由此，能够减小衬底处理装置的占据面积。
另外，所述衬底处理装置优选以如下方式构成。所述传递区域具备载置衬底的衬底载置部。所述第1处理区块具备从所述传递层的所述处理区域穿过所述第1处理层在上下方向上延伸的搬送空间、以及配置在所述搬送空间的层间搬送机构。所述第1处理层具备与所述搬送空间相邻配置的相邻处理单元。所述层间搬送机构从所述传递区域的所述衬底载置部接收衬底，并将该衬底直接搬送到所述第1处理层的所述相邻处理单元。
在将衬底从传递层搬送到传载区块，然后再将衬底从传载区块搬送到第1处理层的情况下，有可能需要大量时间。另外，有可能对传递层的搬送机构造成较大负担。本发明中，能够将衬底不经由传载区块而直接搬送到第1处理层的相邻处理单元。因此，能够较快地将衬底搬送到第1处理层，并且能够减轻传递层的搬送机构的负担。另外，供配置层间搬送机构的搬送空间不仅设置在传递层，还设置在第1处理层的区域内。因此，传递层的精简化得以维持。
另外，在所述衬底处理装置中，优选为，所述处理区域具备相邻处理单元，所述相邻处理单元为所述曝光关联处理单元，且与所述传递区域相邻配置，所述曝光装置用搬送机构将经曝光处理后的衬底直接搬送到所述处理区域的所述相邻处理单元。在传递层中，例如在将衬底经由缓冲部从传递区域搬送到处理区域的情况下，处理区域的搬送机构必须将衬底从该缓冲部搬送到相邻处理单元。本发明中，曝光装置用搬送机构能够将进行曝光处理后的衬底在不经由该缓冲部的情况下搬送到相邻处理单元。因此，能够减轻处理区域的搬送机构搬送衬底的负载。
另外，在所述衬底处理装置中，优选为还具备：载体保管架，保管所述载体；以及载体搬送机构，在所述载体载置台与所述载体保管架之间搬送所述载体；所述第2处理区块的高度比所述第1处理区块的高度低，所述载体保管架及所述载体搬送机构搭载在所述第2处理区块上。由此，能够抑制衬底处理装置的高度。
另外，本发明的衬底搬送方法是衬底处理装置的衬底搬送方法。衬底处理装置具备传载区块、第1处理区块及第2处理区块。所述传载区块设置有载体载置台，所述载体载置台用来载置能够收纳衬底的载体。另外，所述传载区块具备衬底缓冲器及传载机构。所述衬底缓冲器具有载置衬底的多个缓冲部。所述传载机构搬送衬底。所述第1处理区块具有第1处理层。所述第2处理区块具有配置在上下方向上的多个第2处理层。所述第1处理区块、所述传载区块及所述第2处理区块依次在水平方向上连结。该衬底处理装置的衬底搬送方法具备如下工序：通过所述传载机构，在载置于所述载体载置台上的所述载体与所述衬底缓冲器之间搬送衬底；通过所述传载机构，将衬底从所述衬底缓冲器的位于特定高度位置的缓冲部朝所述衬底缓冲器的位于其它高度位置的缓冲部搬送；通过所述多个第2处理层的每一个处理层，相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述多个第2处理层分别对应的高度位置的缓冲部接收及交递衬底；通过配置在所述第1处理层上侧或下侧的传递层，相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述传递层对应的高度位置的缓冲部至少接收衬底；通过所述第1处理层，相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述第1处理层对应的高度位置的缓冲部至少交递衬底；以及通过所述传递层，相对于外部装置搬入及搬出衬底。
根据本发明的衬底搬送方法，第1处理区块具备配置在上下方向上的第1处理层及传递层。因此，传递层能够连结于传载区块。另外，传载区块的传载机构将衬底从衬底缓冲器的位于特定高度位置的缓冲部朝衬底缓冲器的位于其它高度位置的缓冲部搬送。因此，传递层只要进出于与传递层的高度对应的缓冲部即可。因此，能够使传递层精简化。另外，由于传递层配置在第1处理层的上侧或下侧，所以能够减小占据面积。
[发明的效果]
根据本发明的衬底处理装置及衬底搬送方法，能够使传递构成精简化。
附图说明
图示了目前认为恰当的几个形态来对发明进行说明，但希望理解的是，发明并不限定于所图示的构成及对策。
图1是表示实施例1的衬底处理装置的纵剖视图。
图2是以横剖视图表示上层及中间层的显影处理层的衬底处理装置的俯视图。
图3是表示传载区块的衬底搬送机构的图。
图4是2个手形部及进退驱动部的俯视图。
图5是表示下层的传递层、以及中层及下层的涂布处理层的横剖视图。
图6是从右侧观察衬底处理装置所得的侧视图。
图7是从左侧观察衬底处理装置所得的侧视图。
图8A、图8B是用来说明具有2个衬底搬入口的热处理单元的构成的图。
图9是表示实施例1的衬底处理装置的处理工序的一例的流程图。
图10是表示实施例2的衬底处理装置的处理工序的一例的流程图。
图11是表示实施例3的衬底处理装置的纵剖视图。
图12A、图12B是表示实施例3的传递层的构成及动作的横剖视图。
图13是表示实施例4的传递层的横剖视图。
图14是表示实施例4的上层及中间层的显影处理层的横剖视图。
图15是从实施例4的衬底处理装置的左侧观察所得的侧视图。
图16A、图16B是用来说明实施例4的效果的图。
图17是从变化例的衬底处理装置的左侧观察所得的侧视图。
图18是从变化例的衬底处理装置的左侧观察所得的侧视图。
具体实施方式
[实施例1]
以下，参照附图对本发明的实施例1进行说明。图1是表示实施例1的衬底处理装置1的纵剖视图。
(1)衬底处理装置1的构成
参照图1。衬底处理装置1具备ID区块2、第1处理区块3、第2处理区块5及载体缓冲器装置8。第1处理区块3、ID区块2、第2处理区块5依次在水平方向上呈直线状连接。
另外，衬底处理装置1具备控制部9及操作部10。控制部9例如具备中央运算处理装置(CPU)。控制部9控制衬底处理装置1的各构成。操作部10具备显示部(例如液晶监控器)、存储部及输入部。存储部例如具备ROM(Read-Only Memory，只读存储器)、RAM(Random-Access Memory，随机存取存储器)及硬盘中的至少一种。输入部具备键盘、鼠标、触摸面板及各种按钮中的至少一种。存储部中存储有衬底处理的各种条件以及控制衬底处理装置1所需的动作程序等。
(1-1)ID区块2的构成
ID区块2具备4个开启器11～14(参照图1、图2)、2个衬底搬送机构(机器人)MHU1、MHU2、以及衬底缓冲器BF。2个衬底搬送机构MHU1、MHU2及衬底缓冲器BF配置在ID区块2的内部。此外，2个衬底搬送机构MHU1、MHU2分别相当于本发明的传载机构。
(1-1-1)4个开启器11～14的构成
4个开启器11～14设置在ID区块2的外壁。2个开启器11、12配置在上下方向上。同样地，2个开启器13、14配置在上下方向上。如图1所示，4个开启器11～14分别具备载置台16、开口部18、挡板部件(未图示)及挡板部件驱动机构(未图示)。载置台16用来载置载体C。载置台16相当于本发明的载体载置台。此外，图1的圆圈内的上下方向上2段×水平方向上2列的开启器11～14表示沿着箭头AR1的方向观察到的样子。
载体C能够收纳多片(例如25片)衬底W。载体C例如使用晶圆搬送盒(FOUP：FrontOpen Unified Pod，前开式晶圆盒)、SMIF(Standard Mechanical Inter Face，标准机械接口)盒。载体C例如使用具备载体主体及盖部的载体，所述载体主体设置有用来供衬底W出入的开口部，且收纳衬底W，所述盖部用来堵塞载体主体的开口部。
开口部18用来供衬底W通过。挡板部件将开口部18开闭，并且使盖部相对于载体C的载体主体装卸。挡板部件驱动机构具备电动马达，驱动挡板部件。挡板部件在从载体主体拆卸盖部之后，例如沿着开口部18朝水平方向(Y方向)或下方向(Z方向)移动。
载置台16配置在第2处理区块5的上方。即，4个开启器11～14的各载置台16配置为比第2处理区块5更靠上。另外，下侧的2个载置台16也可以设置在第2处理区块5的上表面或者屋顶上。
(1-1-2)衬底搬送机构MHU1、MHU2的构成
如图2所示，2个衬底搬送机构MHU1、MHU2以隔着衬底缓冲器BF的方式配置。另外，2个衬底搬送机构MHU1、MHU2配置在与第1处理区块3和第2处理区块5并排配置的方向(X方向)正交的方向(Y方向)上。
第1衬底搬送机构MHU1能够在载置于2个开启器11、12各自的载置台16的载体C与衬底缓冲器BF之间搬送衬底W。第2衬底搬送机构MHU2能够在载置于2个开启器13、14各自的载置台16的载体C与衬底缓冲器BF之间搬送衬底W。
参照图3、图4。2个衬底搬送机构MHU1、MHU2分别具备2个手形部21、进退驱动部23以及升降旋转驱动部25。2个手形部21分别保持衬底W。2个手形部21各自能够在水平方向上进退。因此，能够从载体C取出1片衬底W，或同时取出2片衬底W。
如图4所示，手形部21具有1个基础部分21A、以及从该基础部分21A分出的2个前端部分21B、21C，从而构成为Y字状、U字状或分叉状。在基础部分21A以及2个前端部分21B、21C设置有吸附部27A、27B、27C，所述吸附部27A、27B、27C通过吸附衬底W而保持衬底W。3个吸附部27A～27C构成为例如通过经由配管连接的泵被赋予吸附力。此外，2个衬底搬送机构MHU1、MHU2分别具备2个手形部21，但也可以具备3个以上的手形部21。
进退驱动部23将各手形部21可移动地支撑，并且使各手形部21进退移动。进退驱动部23例如具备电动马达、通过电动马达而绕轴旋转的直线状螺旋轴、具有与螺旋轴啮合的孔部的活动部件、以及引导活动部件的引导部，以此驱动1个手形部21。
升降旋转驱动部25通过使进退驱动部23升降及旋转而使2个手形部21升降及旋转。如图3所示，升降旋转驱动部25具备支柱部25A及旋转部25B。支柱部25A以在上下方向上延伸的方式设置。支柱部25A固定在ID区块2的地板部。因此，支柱部25A即升降旋转驱动部25的水平方向(XY方向)的位置被固定而不移动。旋转部25B使进退驱动部23绕铅直轴AX1旋转。通过电动马达来驱动基于升降旋转驱动部25的升降及旋转。
(1-1-3)衬底缓冲器BF的构成
参照图1、图2、图5。衬底缓冲器BF载置多个衬底W。如图5所示，衬底缓冲器BF配置在第1处理区块3与第2处理区块5的中间(中央)。由此，不仅2个衬底搬送机构MHU1、MHU2能够使衬底W出入于衬底缓冲器BF，第1处理区块3的衬底搬送机构MHU3及第2处理区块5的衬底搬送机构MHU4也能够使衬底W出入于衬底缓冲器BF。即，载置在衬底缓冲器BF的衬底W能够通过4台衬底搬送机构MHU1～MHU4从4个方向轮番取出。
如图1所示，衬底缓冲器BF具备3个缓冲部BU1～BU3。3个缓冲部BU1～BU3在上下方向上配置成1列。3个缓冲部BU1～BU3分别具备配置在上下方向上的多个(例如15个)衬底载置部(未图示)，用来载置衬底W。
第1缓冲部BU1设置在与第1处理区块3的传递层3A及第2处理区块5的涂布处理层5A相同的阶层(即下层或第1层)。第2缓冲部BU2设置在与第1处理区块3的处理层3B及第2处理区块5的处理层5B相同的阶层(即中层或第2层)。第3缓冲部BU3设置在与第1处理区块3的处理层3C及载体缓冲器装置8相同的阶层(即上层或第3层)。例如，传递层3A配置在与中层的涂布处理层5B不同的阶层。
(1-2)处理区块3、5的构成
参照图1。第1处理区块3具备3个处理层3A、3B、3C。所述3个处理层3A～3C之中，处理层3A是作为本发明的特征部分的传递层。其它处理层3B、3C为显影处理层。另一方面，第2处理区块5具备2个涂布处理层5A、5B。此外，传递层3A在下文中适当地称作“IF层3A”。IF层3A的详情在下文中进行说明。
第1处理区块3的3个处理层3A～3C以堆积的方式配置在上下方向上。第2处理区块5的2个处理层5A、5B也以堆积的方式配置在上下方向上。2个涂布处理层5A、5B对衬底W进行涂布处理。2个显影处理层3B、3C对衬底W进行显影处理。IF层3A相对于作为外部装置的曝光装置EXP搬入及搬出衬底W。
2个显影处理层3B、3C分别具备第3衬底搬送机构MHU3、多个液体处理单元36、多个热处理单元37以及搬送空间39(参照图2)。2个涂布处理层5A、5B分别具备第4衬底搬送机构MHU4、多个液体处理单元36、多个热处理单元37以及搬送空间39(参照图5)。搬送空间39为俯视下在X方向上较长的长方形空间。搬送空间39中配置有衬底搬送机构MHU3或衬底搬送机构MHU4。液体处理单元36与热处理单元37以隔着搬送空间39的方式配置。进而，液体处理单元36与热处理单元37分别沿着搬送空间39的长边方向(X方向)配置。
(1-2-1)衬底搬送机构MHU3、MHU4的构成
衬底搬送机构MHU3、MHU4分别搬送衬底W。如图1所示，衬底搬送机构MHU3、MHU4分别具备2个手形部41、进退驱动部43、旋转驱动部45、第1移动机构47以及第2移动机构48。2个手形部41、进退驱动部43及旋转驱动部45分别以例如与第1衬底搬送机构MHU1的2个手形部21、进退驱动部23、旋转部25B相同的方式构成(参照图3、图4)。
2个手形部41分别能够移动地安装于进退驱动部43。进退驱动部43使2个手形部41各自进退。旋转驱动部45使进退驱动部43绕铅直轴AX3旋转。由此，能够改变2个手形部41的朝向。第1移动机构47能够使旋转驱动部45在图1的前后方向(X方向)上移动。第2移动机构48能够使第1移动机构47在图1的上下方向(Z方向)上移动。通过2个移动机构47、48，能够使2个手形部41及进退驱动部43在XZ方向上移动。
进退驱动部43、旋转驱动部45、第1移动机构47以及第2移动机构48分别具备电动马达。
(1-2-2)液体处理单元36的构成
图6是从右侧观察衬底处理装置1所得的侧视图。5个处理层3A～3C、5A、5B分别具备6个液体处理单元36。6个液体处理单元36能够以上下方向2段×水平方向3列的方式配置。图6中，2个涂布处理层5A、5B分别具备3个涂布单元BARC及3个涂布单元PR。2个显影处理层3B、3C分别具备6个显影单元DEV。此外，液体处理单元36(也包含IF层3A的液体处理单元36)的个数及种类可视需要变更。
参照图2、图5。液体处理单元36(涂布单元BARC、PR及显影单元DEV)分别具备保持旋转部51、喷嘴52及喷嘴移动机构53。保持旋转部51例如通过真空吸附来保持衬底W的下表面，并使所保持的衬底W绕铅直轴(Z方向)旋转。喷嘴52对衬底W喷出处理液(例如用于形成抗反射膜的液体、光阻液或显影液)。喷嘴52经由配管连接于处理液供给源，配管上设置有泵及开闭阀。喷嘴移动机构53使喷嘴52移动到任意位置。保持旋转部51及喷嘴移动机构53例如分别具备电动马达。
(1-2-3)热处理单元37(及其它处理单元)的构成
图7是从左侧观察衬底处理装置1所得的侧视图。5个处理层3A～3C、5A、5B可分别具备16个热处理单元37。16个热处理单元37以4段×4列的方式配置。热处理单元37具备载置衬底W的平板55(参照图2、图5)，对衬底W进行热处理。热处理单元37在对平板55进行加热时具备例如电热器等加热器。另外，热处理单元37在将平板55冷却时具备例如水冷式循环机构或珀尔帖元件。热处理单元37的个数、种类及位置可适当变更。
图7中，2个涂布处理层5A、5B例如分别具备4个冷却部CP以及8个加热处理部PAB。冷却部CP将衬底W冷却。加热处理部PAB对涂布后的衬底W进行烘烤处理。此外，2个涂布处理层5A、5B也可以分别具备密接强化处理部AHP。密接强化处理部AHP将六甲基二矽氮烷(HMDS)等密接强化剂涂布到衬底W并进行加热。
另外，2个显影处理层3B、3C例如分别具备4个曝光后烘烤处理部PEB、4个冷却部CP、6个后烘烤部PB以及1个检查部LSCM2。曝光后烘烤处理部PEB对曝光后的衬底W进行烘烤处理。后烘烤部PB对显影处理后的衬底W进行烘烤处理。检查部LSCM2及后述的检查部LSCM1分别具备CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)相机或影像传感器。检查部LSCM2对显影后的衬底W进行检查。此外，加热处理部PAB、曝光后烘烤处理部PEB、后烘烤部PB以及密接强化处理部AHP分别具有冷却功能。
(1-2-4)IF层(传递层)3A的构成
IF层3A配置在2个显影处理层3B、3C的下侧。如图5所示，IF层3A具备处理区域57、传递区域58、缓冲部BU4(传递用缓冲部)。处理区域57连结于ID区块2。
处理区域57与2个显影处理层3B、3C同样地构成。即，处理区域57具备衬底搬送机构MHU3、多个液体处理单元36、多个热处理单元37以及搬送空间39。设置在处理区域57的液体处理单元36及热处理单元37为曝光关联处理单元。曝光关联处理单元是对涂布处理后且显影处理前的衬底W进行特定处理的单元。此外，IF层3A的衬底搬送机构MHU3相当于本发明的搬送机构。
处理区域57例如具备3个背面清洗单元BSS及3个曝光后清洗单元SOAK作为液体处理单元36(参照图5、图6)。清洗单元BSS、SOAK例如具备保持衬底W的保持旋转部、以及对衬底W喷出清洗液的喷嘴。另外，背面清洗单元BSS是用刷子对衬底W的背面进行清洗。衬底W的背面例如是与形成有电路图案的一面为相反侧的面。
另外，处理区域57例如具备2个边缘曝光部EEW、1个检查部LSCM1以及4个曝光后烘烤处理部PEB作为热处理单元37及其它处理单元(符号37所示)(参照图5、图7)。边缘曝光部EEW对衬底W的周边部进行曝光处理。也可以代替边缘曝光部EEW，为进行整片曝光(OWE：overall wafer exposure)的处理单元。检查部LSCM1对涂布膜(例如光阻膜)进行检查。
缓冲部BU4具备衬底载置部PS1及载置兼冷却部P-CP(参照图1)。衬底载置部PS1及载置兼冷却部P-CP配置在上下方向上。衬底载置部PS1及载置兼冷却部P-CP分别载置1片或多片衬底W。图5中，缓冲部BU4(衬底载置部PS1及载置兼冷却部P-CP)设置在处理区域57的搬送空间39，以减小占据面积。关于这点，缓冲部BU4也可以设置在传递区域58。即，缓冲部BU4设置在处理区域57与传递区域58之间。处理区域57的衬底搬送机构MHU3能够在缓冲部BU1、液体处理单元36、热处理单元37、其它处理单元(例如边缘曝光部EEW)、衬底载置部PS1以及载置兼冷却部P-CP之间搬送衬底W。
传递区域58与处理区域57连结。传递区域58具备衬底搬送机构MHU5。衬底搬送机构MHU5在曝光装置EXP、衬底载置部PS1以及载置兼冷却部P-CP之间搬送衬底W。此外，衬底搬送机构MHU5还能够将衬底W直接搬送到与传递区域58相邻的4个热处理单元37(曝光后烘烤处理部PEB，参照图5)的平板55A上。衬底搬送机构MHU5具备2个手形部21等，与衬底搬送机构MHU1、MHU2大致同样地构成。衬底搬送机构MHU5与衬底搬送机构MHU1、MHU2不同，构成为使升降旋转驱动部25在与供配置2个处理区块3、5的X方向正交的水平Y方向上移动。此外，衬底搬送机构MHU5相当于本发明的曝光装置用搬送机构。
另外，如图1、图6、图7所示，传递区域58以传递区域58的曝光装置EXP侧的端突出到2个显影处理层3B、3C外侧的方式配置。由此，能够在曝光装置EXP与衬底处理装置1之间形成空气层。因此，在衬底处理装置的热影响有可能波及到曝光装置的情况下，能够通过空气层来阻断热影响。
(1-2-5)相邻处理单元AD1、AD2的构成
参照图7。2个显影处理层3B、3C分别具备与ID区块2相邻配置的4个曝光后烘烤处理部PEB(相邻处理单元AD1)。如图8A所示，所述4个曝光后烘烤处理部PEB例如具备2个衬底搬入口60A、60B，以供衬底W从2个方向出入。即，曝光后烘烤处理部PEB分别具备朝搬送空间39侧开口的衬底搬入口60A、以及朝ID区块2的衬底搬送机构MHU1侧开口的衬底搬入口60B。
例如，在显影处理层3C，衬底搬送机构MHU3能够将衬底W经由衬底搬入口60A交递至曝光后烘烤处理部PEB的平板55A上。另外，ID区块2的衬底搬送机构MHU1能够将衬底W经由衬底搬入口60B交递至曝光后烘烤处理部PEB的平板55A上。
另外，图7中，IF层3A的处理区域57具备与传递区域58相邻配置的4个曝光后烘烤处理部PEB(相邻处理单元AD2)。如图8B所示，所述4个曝光后烘烤处理部PEB例如具备2个衬底搬入口60A、60C，以供衬底W从2个方向出入。即，曝光后烘烤处理部PEB分别具备朝搬送空间39侧开口的衬底搬入口60A、以及朝衬底搬送机构MHU5侧开口的衬底搬入口60C。
在IF层3A，衬底搬送机构MHU3能够将衬底W经由衬底搬入口60A交递至曝光后烘烤处理部PEB的平板55A上。另外，传递区域58的衬底搬送机构MHU5能够将衬底W经由衬底搬入口60C交递至曝光后烘烤处理部PEB的平板55A上。此外，相邻处理单元AD1、AD2及后述的相邻处理单元AD3也是曝光关联单元。
(1-3)载体缓冲器装置8的构成
参照图1、图2。显影处理层5C配置在与载体缓冲器装置8及缓冲部BU3相同的阶层(第3层)。即，第2处理区块5的高度比第1处理区块3的高度低。载体缓冲器装置8(载体搬送机构61及载体保管架63)搭载在第2处理区块5上。由此，能够抑制衬底处理装置1的高度。
载体缓冲器装置8具备载体搬送机构61及载体保管架63。载体搬送机构61在4个开启器11～14各自的载置台16与载体保管架63之间搬送载体C。载体保管架63保管载体C。
参照图2。载体搬送机构61具备2个多关节臂65、66。在第1多关节臂65的一端设置有抓持部67，在第2多关节臂66的一端设置有抓持部68。第1多关节臂65的另一端以能够在上下方向(Z方向)上移动的方式支撑于支柱状的升降驱动部69，第2多关节臂66的另一端以能够在上下方向上移动的方式支撑于升降驱动部69。
2个抓持部67、68分别以例如抓持设置在载体C上表面的突起部的方式构成。升降驱动部69以能够使2个多关节臂65、66个别升降的方式构成。2个抓持部67、68、2个多关节臂65、66以及升降驱动部69分别具备电动马达。
前后驱动部70具备支撑升降驱动部69的支撑部70A、在前后方向(X方向)上较长地延伸的长边部70B、以及电动马达。例如，长边部70B可以是轨道(导轨)，支撑部70A可以是台车。在此情况下，可以构成为，通过电动马达使台车(支撑部70A)沿着轨道(长边部70B)移动。
另外，可以为，例如电动马达、多个滑轮、传送带及导轨内置在长边部70B中，支撑部70A固定在传送带上。在此情况下，可以通过利用电动马达使滑轮旋转，使架设于多个滑轮的传送带移动，从而使支撑部70A沿着导轨移动。另外，也可以为，例如电动马达、螺旋轴及导轨内置在长边部70B中，与螺旋轴啮合的螺母部设置在支撑部70A。在此情况下，可以通过利用电动马达使螺旋轴旋转，而使支撑部70A沿着导轨移动。
在载体保管架63的一部分上方，设置有外部搬送机构OHT(Overhead HoistTransport)的轨道77。外部搬送机构OHT是在工厂内搬送载体C的机构。外部搬送机构OHT将收纳有未处理衬底W的载体C搬送到载体保管架63。另外，外部搬送机构OHT从载体保管架63接收收纳有处理后的衬底W的载体C。未处理衬底W是指尚未由本实施例中的衬底处理装置1进行衬底处理的衬底W，处理后的衬底W是指已由本实施例中的衬底处理装置1进行了衬底处理的衬底W。载体搬送机构61能够使载体C在载置台16及各个架63之间自由移动。
(2)衬底处理装置1的动作
接下来，对衬底处理装置1的动作进行说明。图9是表示衬底处理装置1的处理工序的一例的流程图。
图2所示的载体搬送机构61将由外部搬送机构OHT搬送的收纳有未处理衬底W的载体C搬送到开启器11、12的其中一个开启器。这里是对载体C被搬送到开启器11的情况进行说明。挡板部件及挡板部件驱动机构(均未图示)一边将载置在开启器11的载置台16上的载体C的盖部拆下，一边将开口部18打开。
〔步骤S01〕从载体C搬送衬底W
ID区块2的衬底搬送机构MHU1从开启器11的载置台16上的载体C取出衬底W，并将该衬底W搬送到2个缓冲部BU1、BU2的其中一个缓冲部。
在已从载体C取出所有衬底W的情况下，载体搬送机构61将变空的载体C搬送到2个开启器13、14的其中一个开启器。在无法将空载体C搬送到2个开启器13、14的任一个开启器的情况下，载体搬送机构61将空载体C搬送到载体保管架63。另外，载体搬送机构61代替空载体C而将收纳有未处理衬底W的载体C搬送到开启器11。
另外，在从开启器11的载置台16上的载体C取出所有衬底W之后，衬底搬送机构MHU1从开启器12的载置台16上的载体C取出衬底W。在从开启器12的载体C取出所有衬底W之后，衬底搬送机构MHU1开始从新载置于开启器11的载体C再次取出衬底W。即，衬底搬送机构MHU1对2个开启器11、12的载体C交替地取出衬底W。
〔步骤S02〕利用涂布处理层5A(5B)形成抗反射膜
例如涂布处理层5A是对衬底W形成抗反射膜及光阻膜。具体地进行说明。涂布处理层5A的衬底搬送机构MHU4从缓冲部BU1取出衬底W，并将该衬底W依次搬送到冷却部CP、涂布单元BARC、加热处理部PAB。涂布单元BARC是在衬底W上形成抗反射膜。
然后，涂布处理层5A的衬底搬送机构MHU4将形成有抗反射膜的衬底W依次搬送到冷却部CP、涂布单元PR、加热处理部PAB、缓冲部BU1。涂布单元PR是在衬底W上(即抗反射膜上)形成光阻膜。
此外，涂布处理层5B也进行与涂布处理层5A相同的处理。在由涂布处理层5B进行涂布处理时，通过涂布处理层5B的衬底搬送机构MHU4将进行涂布处理后的衬底W搬送到缓冲部BU2。在此情况下，ID区块2的2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的其中一个衬底搬送机构将衬底W从缓冲部BU2搬送到缓冲部BU1。
〔步骤S03〕利用传递层3A进行的处理
IF层3A将由涂布处理层5A(5B)进行涂布处理后的衬底W搬出到曝光装置EXP。另外，IF层3A将由曝光装置EXP进行曝光处理后的衬底W搬入到IF层3A。具体地进行说明。
IF层3A的处理区域57的衬底搬送机构MHU3(参照图5)从缓冲部BU1取出衬底W，并将该衬底W依次搬送到检查部LSCM1、边缘曝光部EEW、背面清洗单元BSS、载置兼冷却部P-CP(缓冲部BU4)。检查部LSCM1对光阻膜(涂布膜)进行检查及测定。传递区域58的衬底搬送机构MHU5从载置兼冷却部P-CP取出衬底W，并将该衬底W搬出到曝光装置EXP。曝光装置EXP对所搬出的衬底W进行曝光处理。
衬底搬送机构MHU5将由曝光装置EXP进行处理后的衬底W搬入到传递区域58，并将该衬底W搬送到衬底载置部PS1(缓冲部BU4，参照图1)。处理区域57的衬底搬送机构MHU3从衬底载置部PS1接收衬底W，并将该衬底W依次搬送到曝光后清洗单元SOAK、缓冲部BU1。
此外，在曝光装置EXP并非采用液浸曝光技术进行曝光处理的情况下，也可以如图9的虚线所示，不进行曝光后清洗单元SOAK的清洗处理。在此情况下，处理区域57的衬底搬送机构MHU3从衬底载置部PS1接收衬底W，并将该衬底W直接搬送到缓冲部BU1。
ID区块2的衬底搬送机构MHU1从缓冲部BU1接收衬底W。然后，如图7、图8A所示，衬底搬送机构MHU1将该衬底W直接搬送到例如显影处理层3B的4个曝光后烘烤处理部PEB的其中任一个处理部。所述4个曝光后烘烤处理部PEB为相邻处理单元AD1。因此，如图8A所示，衬底搬送机构MHU1不将衬底W搬送到缓冲部BU2，而是将衬底W通过衬底搬入口60B直接搬送到特定的曝光后烘烤处理部PEB的平板55A上。由此，能够省略显影处理层3B的衬底搬送机构MHU3从缓冲部BU2取出衬底W并将所取出的衬底W通过衬底搬入口60A搬送到曝光后烘烤处理部PEB的平板55A的动作。因此，能够减轻显影处理层5B的衬底搬送机构MHU3的衬底搬送的负载。
此外，在将衬底W搬送到显影处理层3C的作为相邻处理单元AD1的4个曝光后烘烤处理部PEB的其中任一个处理部的情况下，也是进行与所述相同的处理。另外，将进行曝光处理后的衬底W从IF层3A交替搬送到2个显影处理层3B、3C。
〔步骤S04〕利用显影处理层3B(3C)进行的显影处理
显影处理层3B、3C分别对衬底W进行显影处理。具体地进行说明。通过曝光后烘烤处理部PEB对由衬底搬送机构MHU1直接搬送的衬底W进行热处理。显影处理层3B的衬底搬送机构MHU3从曝光后烘烤处理部PEB接收衬底W，并将该衬底W依次搬送到冷却部CP、显影单元DEV、后烘烤部PB、检查部LSCM2、缓冲部BU2。显影单元DEV对由曝光装置EXP进行曝光处理后的衬底W进行显影处理。检查部LSCM2对显影后的衬底W进行检查。
此外，显影处理层3C进行与显影处理层3B相同的处理。显影处理层3C将显影后的衬底W最终搬送到缓冲部BU3。
〔步骤S05〕向载体C搬送衬底
ID区块2的衬底搬送机构MHU2从2个缓冲部BU2、BU3的其中一个缓冲部取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到载置于2个开启器13、14的其中一个开启器(例如开启器13)的载置台16上的载体C。此外，衬底搬送机构MHU2从2个缓冲部BU2、BU3交替地取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到载置于载置台16上的载体C。当所有衬底W被搬回到载体C后，挡板部件及挡板驱动机构对载体C装上盖，并且将开口部18堵塞。然后，载体搬送机构61从开启器13搬送收纳有处理后的衬底W的载体C，以将其交递给外部搬送机构OHT。
根据本实施例，第1处理区块3具备配置在上下方向上的显影处理层3B、3C以及IF层3A。因此，IF层3A能够连结于ID区块2。另外，ID区块2的衬底搬送机构MHU1、MHU2将衬底W从衬底缓冲器BF的位于特定高度位置的缓冲部(例如BU2)朝衬底缓冲器BF的位于其它高度位置的缓冲部(例如BU1)搬送。因此，IF层3A只要进出于与IF层3A的高度对应的缓冲部BU1即可。因此，能够使IF层3A精简化。另外，由于IF层3A配置在显影处理层3B、3C的上下方向，所以能够减小衬底处理装置1的占据面积。
另外，IF层3A具备连结于ID区块2的处理区域57、用来载置衬底W的缓冲部BU4、以及经由缓冲部BU4而与处理区域57连结的传递区域58。处理区域57具备曝光关联处理单元(例如背面清洗单元BSS、曝光后清洗单元SOAK、边缘曝光部EEW、检查部LSCM1及曝光后烘烤处理部PEB)、以及衬底搬送机构MHU3。此外，衬底搬送机构MHU3在与ID区块2的衬底缓冲器BF、曝光后烘烤处理部PEB及缓冲部BU4之间搬送衬底W。传递区域58不具备曝光关联处理单元(例如曝光后烘烤处理部PEB)，而具备在曝光装置EXP与缓冲部BU4之间搬送衬底W的衬底搬送机构MHU5(曝光装置用搬送机构)。
由于曝光关联处理单元设置在IF层3A，因此，能够抑制其它处理层中所具备的曝光关联处理单元的个数。由此，其它处理层能够具备曝光关联处理单元以外的处理单元。
[实施例2]
接下来，参照附图对本发明的实施例2进行说明。此外，省略与实施例1重复的说明。图10是表示实施例2的衬底处理装置1的处理工序的一例的流程图。
实施例1中，针对进行曝光处理后的衬底W，通过曝光后清洗单元SOAK对衬底W进行了清洗。关于这点，在曝光装置EXP并非采用液浸曝光技术进行曝光处理的情况下，也可以不进行曝光后清洗单元SOAK的清洗处理。实施例2中，对这种情况下的衬底处理装置1的动作进行说明。尤其对与实施例1不同的部分进行说明。
〔步骤S03A〕利用IF层3A进行的处理
IF层3A将由涂布处理层5A(5B)进行涂布处理后的衬底W搬出到曝光装置EXP。曝光装置EXP对所搬出的衬底W进行曝光处理。到此为止的动作与实施例1相同，因此，省略具体的说明。然后，IF层3A将由曝光装置EXP进行曝光处理后的衬底W搬入到IF层3A。具体地进行说明。
衬底搬送机构MHU5将由曝光装置EXP进行处理后的衬底W搬入到传递区域58，并且不将该衬底W搬送到衬底载置部PS1(缓冲部BU4)，而将该衬底W搬送到4个曝光后烘烤处理部PEB的其中任一个处理部(参照图7)。4个曝光后烘烤处理部PEB是与传递区域58相邻的相邻处理单元AD2。在此情况下，如图8B所示，4个曝光后烘烤处理部PEB分别具备2个衬底搬入口60A、60C，以使衬底W从2个方向出入。因此，传递区域58的衬底搬送机构MHU5不经由衬底载置部PS1(缓冲部BU4)而使手形部21进入衬底搬入口60C，将衬底W直接搬送到特定的曝光后烘烤处理部PEB。
由此，能够省略IF层3A的处理区域57的衬底搬送机构MHU3从衬底载置部PS1(缓冲部BU4)取出衬底W并将所取出的衬底W通过衬底搬入口60A搬送到曝光后烘烤处理部PEB的平板55A的动作。因此，能够减轻处理区域57的衬底搬送机构MHU3的衬底搬送的负载。另外，通过缩短曝光结束后到开始曝光后烘烤处理的时间，使得显影后的光阻图案的尺寸均一性稳定。
然后，IF层3A的处理区域57的衬底搬送机构MHU3通过衬底搬入口60A从曝光后烘烤处理部PEB接收衬底W。接着，衬底搬送机构MHU3将该衬底W搬送到缓冲部BU1。然后，2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的其中一个衬底搬送机构从缓冲部BU1接收衬底W，并将该衬底W搬送到缓冲部BU2、BU3的其中一个缓冲部。
根据本实施例，处理区域57具备与传递区域58相邻配置的4个曝光后烘烤处理部PEB(相邻处理单元AD2)。传递区域58的第5衬底搬送机构MHU5将经曝光处理后的衬底W直接搬送到处理区域57的曝光后烘烤处理部PEB(相邻处理单元AD2)。IF层3A中，在例如将衬底W经由缓冲部BU4从传递区域58搬送到处理区域57的情况下，处理区域57的衬底搬送机构MHU3必须将衬底W从缓冲部BU4搬送到4个曝光后烘烤处理部PEB中的任一个处理部(相邻处理单元)。根据本实施例，衬底搬送机构MHU5能够将进行曝光处理后的衬底W不经由该缓冲部BU4而搬送到曝光后烘烤处理部PEB。因此，能够减轻处理区域57的衬底搬送机构MHU3的衬底搬送的负载。另外，通过缩短曝光结束后到开始曝光后烘烤处理为止的时间，使得显影后的光阻图案的尺寸均一性稳定。
[实施例3]
接下来，参照附图对本发明的实施例3进行说明。此外，省略与实施例1、2重复的说明。
实施例1中，如图1所示，IF层3A以IF层3A的显影处理层3B、3C的曝光装置EXP侧的端突出到显影处理层3B、3C外侧的方式配置。关于这点，在实施例3中，IF层3A也能以IF层3A的曝光装置EXP侧的端收在显影处理层3B、3C内侧的方式配置。
图11是实施例3的衬底处理装置1的纵剖视图。图11中，传递区域58的曝光装置EXP侧的端与显影处理层3B、3C的曝光装置EXP侧的端一致。即，传递区域58的曝光装置EXP侧的侧面SF1与显影处理层3B、3C的曝光装置EXP侧的侧面SF2对齐，无阶差。
另外，图12A是表示实施例3的IF层3A的构成及动作的横剖视图。由于传递区域58进入显影处理层3B、3C的内侧，因此，处理区域57的设置面积减少。因此，背面清洗单元BSS及曝光后清洗单元SOAK配置在2段×2列的空间内。另外，曝光后烘烤处理部PEB、边缘曝光部EEW以及检查部LSCM1配置在3段×4列的空间内。
衬底处理装置1的动作按照实施例1、2的步骤S03、S03A所示那样进行。例如，如图9的步骤S03所示，IF层3A的处理区域57的衬底搬送机构MHU3从缓冲部BU1取出衬底W，并将该衬底W依次搬送到检查部LSCM1、边缘曝光部EEW、背面清洗单元BSS、载置兼冷却部P-CP(缓冲部BU4)。然后，传递区域58的衬底搬送机构MHU5从载置兼冷却部P-CP取出衬底W，并将该衬底W搬出到曝光装置EXP。
然后，衬底搬送机构MHU5将由曝光装置EXP进行处理后的衬底W搬入到传递区域58，并将该衬底W搬送到衬底载置部PS1(缓冲部BU4)。处理区域57的衬底搬送机构MHU3从衬底载置部PS1取出衬底W，并将该衬底W依次搬送到曝光后清洗单元SOAK、缓冲部BU1。
根据本实施例，传递区域58以传递区域58的曝光装置EXP侧的端收在2个显影处理层3B、3C内侧的方式配置。由此，能够减小衬底处理装置1的占据面积。
此外，如图12B所示，处理区域57具备配置在上下方向上的边缘曝光部EEW及检查部LSCM1。所述边缘曝光部EEW及检查部LSCM1与传递区域58相邻。边缘曝光部EEW为相邻处理单元AD3。边缘曝光部EEW(相邻处理单元AD3)与曝光后烘烤处理部PEB(相邻处理单元AD2)以隔着搬送空间39的方式配置。作为相邻处理单元AD3的边缘曝光部EEW与相邻处理单元AD1、AD2同样地具备2个衬底搬入口60A、60D，以使衬底W从2个方向出入。衬底搬入口60D朝传递区域58侧开口。
例如，在无需背面清洗单元BSS及曝光后清洗单元SOAK的处理的情况下，衬底处理装置1以如下方式动作。图12B中，IF层3A的处理区域57的衬底搬送机构MHU3从缓冲部BU1取出衬底W，并将该衬底W依次搬送到检查部LSCM1、边缘曝光部EEW。这时，处理区域57的衬底搬送机构MHU3将衬底W通过衬底搬入口60A搬送到边缘曝光部EEW。在利用边缘曝光部EEW进行处理之后，传递区域58的衬底搬送机构MHU5通过衬底搬入口60D从边缘曝光部EEW接收衬底W，并将该衬底W搬出到曝光装置EXP。由此，能够省略处理区域57的衬底搬送机构MHU3从边缘曝光部EEW接收衬底W并搬送到缓冲部BU4的工序。因此，能够减轻处理区域57的衬底搬送机构MHU3的衬底搬送的负担。
然后，衬底搬送机构MHU5从曝光装置EXP将经曝光处理后的衬底W搬入到传递区域58，不将该衬底W搬送到衬底载置部PS1(缓冲部BU4)，而将该衬底W直接搬送到4个曝光后烘烤处理部PEB中的任一个处理部。通过衬底搬入口60C进行所述搬送。此外，4个曝光后烘烤处理部PEB为相邻处理单元AD2(参照图7)。在利用曝光后烘烤处理部PEB进行处理之后，处理区域57的衬底搬送机构MHU3通过衬底搬入口60A从曝光后烘烤处理部PEB接收衬底W，并将该衬底W搬送到缓冲部BU1。由此，能够省略处理区域57的衬底搬送机构MHU3从缓冲部BU4取出衬底W并将该衬底W搬送到曝光后烘烤处理部PEB的工序。因此，能够减轻处理区域57的衬底搬送机构MHU3的衬底搬送的负担。
另外，如图12B所示，处理区域57具备与传递区域58相邻且配置在边缘曝光部EEW上侧或下侧的检查部LSCM1。该检查部LSCM1也可以是相邻处理单元AD3。在此情况下，处理区域57的衬底搬送机构MHU3可以将衬底W通过衬底搬入口60A搬送到检查部LSCM1，传递区域58的衬底搬送机构MHU5可以通过衬底搬入口60D从检查部LSCM1接收衬底W。另外，在无需背面清洗单元BSS及曝光后清洗单元SOAK的处理的情况下，也可以不具备背面清洗单元BSS及曝光后清洗单元SOAK。另外，在无需缓冲部BU4的情况下，也可以不具备缓冲部BU4。
[实施例4]
接下来，参照附图对本发明的实施例4进行说明。此外，省略与实施例1～3重复的说明。
在实施例1的IF层3A中，衬底W从缓冲部BU1被搬送到曝光装置EXP，在曝光处理之后，从曝光装置EXP被搬回到缓冲部BU1。关于这点，也可以为，在曝光处理后不搬回到缓冲部BU1，并且在不使用ID区块2的2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的情况下将衬底W搬送到2个显影处理层3B、3C。
图13是表示实施例4的IF层3A的横剖视图。IF层3A具备搬送空间81、第6衬底搬送机构MHU6、以及衬底载置部PS2。搬送空间81是供配置处理区域57的热处理单元37的区域，以与传递区域58相邻的方式设置。衬底搬送机构MHU6配置在搬送空间81。衬底搬送机构MHU6与衬底搬送机构MHU1、MHU2同样地构成。衬底载置部PS2以能够供2个衬底搬送机构MHU5、MHU6交接衬底W的方式配置在传递区域58，或者配置在传递区域58与搬送空间81之间。衬底载置部PS2载置1片或多片衬底W。
背面清洗单元BSS配置在2段×2列的空间内。另外，边缘曝光部EEW及检查部LSCM1配置在4段×2列的空间内。第6衬底搬送机构MHU6相当于本发明的层间搬送机构。
图14是表示实施例4的2个显影处理层3B、3C的横剖视图。2个显影处理层3B、3C分别具备搬送空间81。搬送空间81设置在供配置热处理单元37及其它处理单元37的区域。图14中，搬送空间81隔于多个曝光后烘烤处理部PEB之间。多个曝光后烘烤处理部PEB分别具备2个衬底搬入口60A、60E，以使衬底从2个方向进入。衬底搬送机构MHU6将从衬底载置部PS2取出的衬底W通过衬底搬入口60E搬入到显影处理层3B、3C的曝光后烘烤处理部PEB。显影处理层3B、3C的衬底搬送机构MHU3通过衬底搬入口60A将衬底W交递至曝光后烘烤处理部PEB的平板55上。此外，显影单元DEV配置在2段×3列的空间内。
参照图15。图15是从实施例4的衬底处理装置1的左侧观察所得的侧视图。搬送空间81是从IF层3A的处理区域57穿过2个显影处理层3B、3C在上下方向上延伸的空间。第6衬底搬送机构MHU6能够使它的2个手形部21从下层的IF层3A移动到上层的显影处理层3C。
2个显影处理层3B、3C分别具备8个曝光后烘烤处理部PEB作为相邻处理单元AD4、AD5。如图15所示，8个曝光后烘烤处理部PEB与搬送空间81相邻，且以由搬送空间81将各4段的曝光后烘烤处理部PEB隔开的方式配置。配置在搬送空间81的第6衬底搬送机构MHU6将衬底W通过各曝光后烘烤处理部PEB的衬底搬入口60E(参照图14)搬送到各曝光后烘烤处理部PEB。另外，2个显影处理层3B、3C分别具备4个后烘烤部PB。
此外，热处理单元37及其它处理单元的个数及种类可视需要变更。例如，可以将8个曝光后烘烤处理部PEB及4个后烘烤部PB的一部分替换成冷却部CP。另外，如图14所示，ID区块2也可以具备检查部LSCM2。在此情况下，能以由衬底搬送机构MHU1将检查部LSCM2与缓冲部BU2、BU3(衬底缓冲器BF)隔开的方式设置检查部LSCM2。另外，也能以由衬底搬送机构MHU2将检查部LSCM2与缓冲部BU2、BU3隔开的方式设置检查部LSCM2。检查部LSCM2设置在2个显影处理层3B、3C各自的阶层。
接下来，参照图10对衬底处理装置1的动作进行说明。衬底W通过2个涂布处理层5A、5B的其中一个涂布处理层进行涂布处理，并被搬送到缓冲部BU1。
〔步骤S03A〕利用IF层3A进行的处理
IF层3A将由涂布处理层5A(5B)进行涂布处理后的衬底W搬出到曝光装置EXP。曝光装置EXP对所搬出的衬底W进行曝光处理。到此为止的动作与实施例1相同，因此，省略具体的说明。然后，IF层3A将由曝光装置EXP进行曝光处理后的衬底W搬入到IF层3A。具体地进行说明。
衬底搬送机构MHU5将由曝光装置EXP进行处理后的衬底W搬入到传递区域58，并将该衬底W搬送到衬底载置部PS2。衬底搬送机构MHU6从衬底载置部PS2取出衬底W。然后，如图15所示，衬底搬送机构MHU6将该衬底W搬送到2个显影处理层3B、3C的其中一个显影处理层的8个曝光后烘烤处理部PEB中的任一个处理部。通过衬底搬入口60E(参照图14)将衬底W朝曝光后烘烤处理部PEB搬送。
〔步骤S04，S05〕利用显影处理层3B(3C)进行的显影处理等
例如，在显影处理层3B中，衬底搬送机构MHU3通过衬底搬入口60A从曝光后烘烤处理部PEB接收进行热处理后的衬底W。然后，衬底搬送机构MHU3将该衬底W依次搬送到显影单元DEV、后烘烤部PB、缓冲部BU2。此外，在显影处理层3B具备冷却部CP的情况下，衬底搬送机构MHU3将由曝光后烘烤处理部PEB进行热处理后的衬底W依次搬送到冷却部CP、显影单元DEV、后烘烤部PB、缓冲部BU2。另外，也可以省略向后烘烤部PB的搬送。然后，ID区块2的2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的一个衬底搬送机构从缓冲部BU2接收衬底W，并将该衬底W搬送到检查部LSCM2。然后，在利用第1衬底搬送机构MHU1侧的检查部LSCM2对衬底W进行了检查的情况下，衬底搬送机构MHU1将衬底W搬送到2个缓冲部BU2、BU3的其中一个缓冲部。然后，第2衬底搬送机构MHU2从第2衬底搬送机构MHU2侧的检查部LSCM2、缓冲部BU2、缓冲部BU3中的任一处接收衬底W，并将该衬底W搬送到2个开启器13、14中的一个开启器的载置台16上的载体C。
根据本实施例，传递区域58具备载置衬底W的衬底载置部PS2。第1处理区块3具备从IF层3A的处理区域57穿过2个显影处理层3B、3C在上下方向上延伸的搬送空间81、以及配置在搬送空间81的第6衬底搬送机构MHU6。2个显影处理层3B、3C具备与搬送空间81相邻配置的曝光后烘烤处理部PEB(相邻处理单元AD4、AD5)。衬底搬送机构MHU6从传递区域58的衬底载置部PS2接收衬底W，并将该衬底W直接搬送到2个显影处理层3B、3C的曝光后烘烤处理部PEB。
在将衬底W从IF层3A搬送到ID区块2，然后再将衬底W从ID区块2搬送到2个显影处理层3B、3C的情况下，有可能需要大量时间。另外，有可能对IF层3A的搬送机构造成较大的负担。根据本实施例，能够将衬底W不经由ID区块2而直接搬送到2个显影处理层3B、3C的曝光后烘烤处理部PEB。因此，能够较快地将衬底W搬送到2个显影处理层3B、3C，并且能够减轻IF层3A的衬底搬送机构MHU3的负担。另外，供配置衬底搬送机构MHU6的搬送空间81不仅设置在IF层3A，还设置在显影处理层3B、3C的区域内。因此，IF层3A的精简化得以维持。
此外，补充说明效果。如图16A所示，如果使衬底W在曝光装置EXP与ID区块2之间往返移动，那么有可能对IF层3A的衬底搬送机构MHU3的衬底搬送造成较大的负担。另外，也会对ID区块2的2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的衬底搬送造成负担。如图16B所示，通过设置在第1处理区块3内的衬底搬送机构MHU6，不仅省略了从曝光装置EXP向ID区块2搬送衬底的返路，还减轻了ID区块2的衬底搬送的负担。
另外，如图17所示，也可以变更处理单元。具体地进行说明。图15中，2个显影处理层3B、3C分别具备4个曝光后烘烤处理部PEB作为相邻处理单元AD5。关于这点，在图17中，2个显影处理层3B、3C也可以分别具备2个曝光后清洗单元SOAK以代替4个曝光后烘烤处理部PEB。在此情况下，也可以进行以下动作。第6衬底搬送机构MHU6从传递区域58的衬底载置部PS2取出衬底W，并将该衬底W直接搬送到2个显影处理层3B、3C的一个显影处理层的2个曝光后清洗单元SOAK中的一个单元。然后，2个显影处理层3B、3C各自的衬底搬送机构MHU3或衬底搬送机构MHU6从曝光后清洗单元SOAK接收衬底W，并将该衬底W搬送到曝光后烘烤处理部PEB。
本发明并不限定于所述实施方式，能够以如下方式变化实施。
(1)在所述实施例4中，传递区域58以传递区域58的曝光装置EXP侧的端收在2个显影处理层3B、3C内侧的方式配置。关于这点，传递区域58也可以如实施例1那样，以传递区域58的曝光装置EXP侧的端突出到2个显影处理层3B、3C外侧的方式配置。该变化例的构成也能够获得与实施例4的效果相同的效果。
参照图18。第1处理区块3具备从IF层3A的处理区域57穿过2个显影处理层3B、3C在上下方向上延伸的搬送空间81、以及配置在搬送空间81的第6衬底搬送机构MHU6。如图18所示，2个显影处理层3B、3C分别具备与搬送空间81相邻配置的4个曝光后烘烤处理部PEB(相邻处理单元AD4)。衬底搬送机构MHU6从衬底载置部PS2取出衬底W，并将该衬底W直接搬送到2个显影处理层3B、3C的其中一个显影处理层的4个曝光后烘烤处理部PEB中的任一个处理部。
(2)在所述各实施例1、2中，第1处理区块3具备IF层3A及2个显影处理层3B、3C，第2处理区块5具备2个涂布处理层5A、5B。关于这点，2个显影处理层3B、3C与2个涂布处理层5A、5B的配置也可以颠倒。即，也可以为，第1处理区块3具备IF层3A及2个涂布处理层5A、5B，第2处理区块5具备2个显影处理层3B、3C。
(3)在所述各实施例及各变化例中，第1处理区块3具备2个显影处理层3B、3C。关于这点，第1处理区块3也可以具备1个或3个以上的显影处理层。另外，第2处理区块5也可以具备3个以上的涂布处理层。为了将载体缓冲器装置8搭载在第2处理区块5，涂布处理层的个数优选为显影处理层的个数以下。为使并行处理保持良好的平衡性，涂布处理层的个数更优选为与显影处理层的个数相同。
本发明能够在不脱离其思想或本质的情况下以其它具体的形式加以实施，因此，并不由以上说明来表示发明范围，而应参照所附加的权利要求书来表示发明范围。
[符号的说明]
1 衬底处理装置
2 传载区块(ID区块)
3 第1处理区块
3A 传递层(IF层)
3B、3C 显影处理层
5 第2处理区块
5A、5B 涂布处理层
8 载体缓冲器装置
16 载置台
21、41 手形部
BF 衬底缓冲器
BU1～BU4 缓冲部
36 液体处理单元
37 热处理单元
EXP 曝光装置
57 处理区域
58 传递区域
60A 衬底搬入口
60B 衬底搬入口
81 搬送空间
BSS 背面清洗单元
SOAK 曝光后清洗单元
PEB 曝光后烘烤处理部
PS1 衬底载置部
PS2 衬底载置部
MHU1～MHU6 衬底搬送机构。

Claims (9)

1.一种衬底处理装置，其特征在于具备：
传载区块，设置有用来载置能够收纳衬底的载体的载体载置台，且具有衬底缓冲器及传载机构，所述衬底缓冲器具有载置衬底的多个缓冲部，所述传载机构搬送衬底；
第1处理区块，具有相对于外部装置搬入及搬出衬底的传递层、及配置在所述传递层上侧或下侧的第1处理层；以及
第2处理区块，具有配置在上下方向上的多个第2处理层；且
所述第1处理区块、所述传载区块及所述第2处理区块依次在水平方向上连结，
所述传载机构在载置于所述载体载置台上的所述载体与所述衬底缓冲器之间搬送衬底，
所述传载机构将衬底从所述衬底缓冲器的位于特定高度位置的缓冲部朝所述衬底缓冲器的位于其它高度位置的缓冲部搬送，
所述多个第2处理层分别相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述多个第2处理层分别对应的高度位置的缓冲部接收及交递衬底，
所述传递层相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述传递层对应的高度位置的缓冲部至少接收衬底，
所述第1处理层相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述第1处理层对应的高度位置的缓冲部至少交递衬底。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于：
所述第1处理层为显影处理层，
所述第2处理层为涂布处理层，
所述外部装置为曝光装置。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，
所述传递层具备：连结于所述传载区块的处理区域、及
与所述处理区域连结的传递区域，
所述处理区域具备：曝光关联处理单元，对涂布处理后且显影处理前的衬底进行特定处理；以及搬送机构，在与所述传载区块的所述衬底缓冲器、所述曝光关联处理单元及所述传递区域之间搬送衬底；
所述传递区域具备在所述曝光装置与所述处理区域之间搬送衬底的曝光装置用搬送机构。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于：
所述传递区域以所述传递区域的所述曝光装置侧的端突出到所述第1处理层外侧的方式配置。
5.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于：
所述传递区域以所述传递区域的所述曝光装置侧的端收在所述第1处理层内侧的方式配置。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的衬底处理装置，其特征在于：
所述传递区域具备载置衬底的衬底载置部，
所述第1处理区块具备从所述传递层的所述处理区域穿过所述第1处理层在上下方向上延伸的搬送空间、以及配置在所述搬送空间的层间搬送机构，
所述第1处理层具备与所述搬送空间相邻配置的相邻处理单元，
所述层间搬送机构从所述传递区域的所述衬底载置部接收衬底，并将该衬底直接搬送到所述第1处理层的所述相邻处理单元。
7.根据权利要求3至5中任一项所述的衬底处理装置，其特征在于：
所述处理区域具备相邻处理单元，所述相邻处理单元为所述曝光关联处理单元，且与所述传递区域相邻配置，
所述曝光装置用搬送机构将经曝光处理后的衬底直接搬送到所述处理区域的所述相邻处理单元。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于还具备：
载体保管架，保管所述载体；以及
载体搬送机构，在所述载体载置台与所述载体保管架之间搬送所述载体；
所述第2处理区块的高度比所述第1处理区块的高度低，
所述载体保管架及所述载体搬送机构搭载在所述第2处理区块上。
9.一种衬底搬送方法，是衬底处理装置的衬底搬送方法，所述衬底处理装置具备：
传载区块，设置有用来载置能够收纳衬底的载体的载体载置台，且具有衬底缓冲器及传载机构，所述衬底缓冲器具有载置衬底的多个缓冲部，所述传载机构搬送衬底；
第1处理区块，具有第1处理层；以及
第2处理区块，具有配置在上下方向上的多个第2处理层；
所述第1处理区块、所述传载区块及所述第2处理区块依次在水平方向上连结；所述衬底搬送方法的特征在于具备如下工序：
通过所述传载机构，在载置于所述载体载置台上的所述载体与所述衬底缓冲器之间搬送衬底；
通过所述传载机构，将衬底从所述衬底缓冲器的位于特定高度位置的缓冲部朝所述衬底缓冲器的位于其它高度位置的缓冲部搬送；
通过所述多个第2处理层的每一个处理层，相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述多个第2处理层分别对应的高度位置的缓冲部接收及交递衬底；
通过配置在所述第1处理层上侧或下侧的传递层，相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述传递层对应的高度位置的缓冲部至少接收衬底；
通过所述第1处理层，相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述第1处理层对应的高度位置的缓冲部至少交递衬底；以及
通过所述传递层，相对于外部装置搬入及搬出衬底。
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