TW202129820A - 基板處理裝置及基板搬送方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種基板處理裝置及基板搬送方法。第1處理區塊具備配置於上下方向之顯影處理層及傳遞層。因此，傳遞層能夠連結於傳載區塊。又，傳載區塊之基板搬送機構將基板從基板緩衝器之位於特定高度位置之緩衝部，朝基板緩衝器之位於其他高度位置之緩衝部搬送。因此，傳遞層只要對與傳遞層之高度對應之緩衝部進出即可。因此，能夠使傳遞層精簡化。又，由於傳遞層配置於顯影處理層之上下方向，故能夠減小佔據面積。

Description

基板處理裝置及基板搬送方法
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置及該基板處理裝置之基板搬送方法。基板例如可列舉半導體基板、FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。FPD例如可列舉液晶顯示裝置、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等。
先前之基板處理裝置依次具備傳載區塊、塗佈區塊、顯影區塊及傳遞區塊(例如，參照日本專利特開2014-187273號公報)。再者，傳載區塊於下文中適當地稱作「ID(indexer)區塊」，傳遞區塊於下文中適當地稱作「IF(interface)區塊」。
ID區塊具備載體載置台及基板搬送機構。基板搬送機構從載置於載體載置台上之載體取出基板，並將該基板傳送至塗佈區塊。塗佈區塊對基板形成例如光阻膜。形成有光阻膜之基板經過顯影區塊被傳送至IF區塊。IF區塊相對於曝光裝置搬入及搬出基板。
曝光後之基板從IF區塊被傳送至顯影區塊。顯影區塊對曝光後之基板進行顯影處理。進行顯影處理後之基板經過塗佈區塊被傳送至ID區塊。ID區塊之基板搬送機構將進行顯影處理後之基板送回至載置台上之載體。再者，塗佈區塊及顯影區塊分別具備2個處理層。
又，於日本專利特開平09-045613號公報中揭示有一種基板處理裝置，該基板處理裝置依次具備塗佈處理區塊、匣盒台(相當於ID區塊)及顯影處理區塊。匣盒台構成為能夠供配置4個匣盒，該匣盒收容未處理基板及已處理基板中之任一種基板。又，於塗佈處理區塊與匣盒台之邊界部分，設置有用於基板對位之第1基板載置部，並且於匣盒台與顯影處理區塊之邊界部分，設置有用於基板對位之第2基板載置部。再者，各區塊於上下方向以單一處理層而非複數個處理層構成。
[發明所欲解決之問題]
然而，先前裝置存在如下問題。先前裝置具備IF區塊，IF區塊具備將基板實際搬送至曝光裝置之第1基板搬送機構、以及2台第2基板搬送機構。第2基板搬送機構設置於和IF區塊相鄰之顯影區塊與第1基板搬送機構之間。第2基板搬送機構例如將基板經由基板載置部搬送至第1基板搬送機構。又，第2基板搬送機構在配置於顯影區塊之上下方向之2個處理層之間升降，從2個處理層接收基板W，而且將基板分配至上述2個處理層。即，IF區塊除了具備第1基板搬送機構以外，進而具備2台第2基板搬送機構，該等2台第2基板搬送機構具有於2個處理層之間升降之功能。因此，IF區塊大型化。
本發明係鑒於上述情況而完成者，目的在於提供一種能夠使傳遞構成精簡化之基板處理裝置及基板搬送方法。 [解決問題之技術手段]
本發明採取如下構成，以達成上述目的。即，本發明之基板處理裝置具備傳載區塊、第1處理區塊及第2處理區塊。上述傳載區塊設置有載體載置台，用以載置可收納基板之載體。又，上述傳載區塊具備基板緩衝器及傳載機構。上述基板緩衝器具有載置基板之複數個緩衝部。上述傳載機構搬送基板。上述第1處理區塊具備傳遞層及第1處理層。上述傳遞層相對於外部裝置搬入及搬出基板。上述第1處理層配置於上述傳遞層之上側或下側。上述第2處理區塊具有配置於上下方向之複數個第2處理層。上述第1處理區塊、上述傳載區塊及上述第2處理區塊依次於水平方向連結。上述傳載機構於載置在上述載體載置台上之上述載體與上述基板緩衝器之間搬送基板。上述傳載機構將基板從上述基板緩衝器之位於特定高度位置之緩衝部，朝上述基板緩衝器之位於其他高度位置之緩衝部搬送。上述複數個第2處理層各自相對於上述基板緩衝器中之位於與上述複數個第2處理層各者對應之高度位置之緩衝部，進行基板接收及交遞。上述傳遞層相對於上述基板緩衝器中之位於與上述傳遞層對應之高度位置之緩衝部，至少進行基板接收。上述第1處理層相對於上述基板緩衝器中之位於與上述第1處理層對應之高度位置之緩衝部，至少進行基板交遞。
根據本發明之基板處理裝置，第1處理區塊具有配置於上下方向之第1處理層及傳遞層。因此，傳遞層能夠連結於傳載區塊。又，傳載區塊之傳載機構將基板從基板緩衝器之位於特定高度位置之緩衝部，朝基板緩衝器之位於其他高度位置之緩衝部搬送。因此，傳遞層只要對與傳遞層之高度對應之緩衝部進出即可。因此，能夠使傳遞層精簡化。又，由於傳遞層配置於第1處理層之上側或下側，故而能夠減小佔據面積。
又，上述基板處理裝置之一例中，上述第1處理層為顯影處理層，上述第2處理層為塗佈處理層，上述外部裝置為曝光裝置。該等情形時，能夠使傳遞層精簡化。又，能夠減小佔據面積。
又，上述基板處理裝置較佳為以如下方式構成。上述傳遞層具備連結於上述傳載區塊之處理區域、及與上述處理區域連結之傳遞區域。上述處理區域具備：曝光關聯處理單元，其對塗佈處理後且顯影處理前之基板進行特定處理；及搬送機構，其於與上述傳載區塊之上述基板緩衝器、上述曝光關聯處理單元及上述傳遞區域之間搬送基板。上述傳遞區域具備於上述曝光裝置與上述處理區域之間搬送基板之曝光裝置用搬送機構。
曝光關聯處理單元設置於傳遞層。因此，能夠抑制其他處理層中所具備之曝光關聯處理單元之個數。因此，其他處理層能夠具備曝光關聯處理單元以外之處理單元。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為，上述傳遞區域以上述傳遞區域之上述曝光裝置側之端突出於上述第1處理層外側之方式配置。藉此，能夠於曝光裝置與基板處理裝置之間形成空氣層。因此，於基板處理裝置之熱影響有可能波及到曝光裝置之情形時，能夠藉由空氣層來阻斷熱影響。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為，上述傳遞區域以上述傳遞區域之上述曝光裝置側之端收於上述第1處理層內側之方式配置。藉此，能夠減小基板處理裝置之佔據面積。
又，上述基板處理裝置較佳為以如下方式構成。上述傳遞區域具備載置基板之基板載置部。上述第1處理區塊具備從上述傳遞層之上述處理區域穿過上述第1處理層於上下方向延伸之搬送空間、以及配置於上述搬送空間之層間搬送機構。上述第1處理層具備與上述搬送空間相鄰配置之相鄰處理單元。上述層間搬送機構從上述傳遞區域之上述基板載置部接收基板，且將該基板直接搬送至上述第1處理層之上述相鄰處理單元。
於將基板從傳遞層搬送至傳載區塊，然後再將基板從傳載區塊搬送至第1處理層之情形時，有可能需要大量時間。又，有可能對傳遞層之搬送機構造成較大負擔。本發明中，能夠將基板不經由傳載區塊而直接搬送至第1處理層之相鄰處理單元。因此，能夠較快地將基板搬送至第1處理層，並且能夠減輕傳遞層之搬送機構之負擔。又，供配置層間搬送機構之搬送空間不僅設置於傳遞層，還設置於第1處理層之區域內。因此，傳遞層之精簡化得以維持。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為，上述處理區域具備相鄰處理單元，上述相鄰處理單元為上述曝光關聯處理單元，且與上述傳遞區域相鄰配置，上述曝光裝置用搬送機構將經曝光處理後之基板直接搬送至上述處理區域之上述相鄰處理單元。於傳遞層中，例如在將基板經由緩衝部從傳遞區域搬送至處理區域之情形時，處理區域之搬送機構必須將基板從該緩衝部搬送至相鄰處理單元。本發明中，曝光裝置用搬送機構能夠將進行曝光處理後之基板於不經由該緩衝部的情況下搬送至相鄰處理單元。因此，能夠減輕處理區域之搬送機構搬送基板之負載。
又，於上述基板處理裝置中，較佳為進而具備：載體保管架，其保管上述載體；及載體搬送機構，其於上述載體載置台與上述載體保管架之間搬送上述載體；上述第2處理區塊之高度較上述第1處理區塊之高度低，上述載體保管架及上述載體搬送機構搭載於上述第2處理區塊上。藉此，能夠抑制基板處理裝置之高度。
又，本發明之基板搬送方法係基板處理裝置之基板搬送方法。基板處理裝置具備傳載區塊、第1處理區塊及第2處理區塊。上述傳載區塊設置有載體載置台，用以載置可收納基板之載體。又，上述傳載區塊具備基板緩衝器及傳載機構。上述基板緩衝器具有載置基板之複數個緩衝部。上述傳載機構搬送基板。上述第1處理區塊具有第1處理層。上述第2處理區塊具有配置於上下方向之複數個第2處理層。上述第1處理區塊、上述傳載區塊及上述第2處理區塊依次於水平方向連結。該基板處理裝置之基板搬送方法具備如下工序：藉由上述傳載機構，在載置於上述載體載置台上之上述載體與上述基板緩衝器之間搬送基板；藉由上述傳載機構，將基板從上述基板緩衝器之位於特定高度位置之緩衝部，朝上述基板緩衝器之位於其他高度位置之緩衝部搬送；藉由上述複數個第2處理層之各者，相對於上述基板緩衝器中之位於與上述複數個第2處理層各者對應之高度位置之緩衝部，進行基板接收及交遞；藉由配置於上述第1處理層上側或下側之傳遞層，相對於上述基板緩衝器中之位於與上述傳遞層對應之高度位置之緩衝部，至少進行基板接收；藉由上述第1處理層，相對於上述基板緩衝器中之位於與上述第1處理層對應之高度位置之緩衝部，至少進行基板交遞；及藉由上述傳遞層，相對於外部裝置進行基板搬入及搬出。
根據本發明之基板搬送方法，第1處理區塊具備配置於上下方向之第1處理層及傳遞層。因此，傳遞層能夠連結於傳載區塊。又，傳載區塊之傳載機構將基板從基板緩衝器之位於特定高度位置之緩衝部，朝基板緩衝器之位於其他高度位置之緩衝部搬送。因此，傳遞層只要對與傳遞層之高度對應之緩衝部進出即可。因此，能夠使傳遞層精簡化。又，由於傳遞層配置於第1處理層之上側或下側，故能夠減小佔據面積。 [發明之效果]
根據本發明之基板處理裝置及基板搬送方法，能夠使傳遞構成精簡化。
[實施例1]
以下，參照附圖對本發明之實施例1進行說明。圖1是表示實施例1之基板處理裝置1之縱剖視圖。
(1)基板處理裝置1之構成 參照圖1。基板處理裝置1具備ID區塊2、第1處理區塊3、第2處理區塊5及載體緩衝器裝置8。第1處理區塊3、ID區塊2、第2處理區塊5依次於水平方向上呈直線狀連接。
又，基板處理裝置1具備控制部9及操作部10。控制部9例如具備中央運算處理裝置(CPU)。控制部9控制基板處理裝置1之各構成。操作部10具備顯示部(例如液晶監控器)、記憶部及輸入部。記憶部例如具備ROM(Read-Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random-Access Memory，隨機存取記憶體)及硬碟中之至少一種。輸入部具備鍵盤、滑鼠、觸控面板及各種按鈕中之至少一種。記憶部中記憶儲有基板處理之各種條件以及控制基板處理裝置1所需之動作程序等。
(1-1)ID區塊2之構成 ID區塊2具備4個開啟器11～14(參照圖1、圖2)、2個基板搬送機構(機器人)MHU1、MHU2、以及基板緩衝器BF。2個基板搬送機構MHU1、MHU2及基板緩衝器BF配置於ID區塊2之內部。再者，2個基板搬送機構MHU1、MHU2分別相當於本發明之傳載機構。
(1-1-1)4個開啟器11～14之構成 4個開啟器11～14設置於ID區塊2之外壁。2個開啟器11、12配置於上下方向上。同樣地，2個開啟器13、14配置於上下方向上。如圖1所示，4個開啟器11～14分別具備載置台16、開口部18、擋板構件(未圖示)及擋板構件驅動機構(未圖示)。載置台16用以載置載體C。載置台16相當於本發明之載體載置台。再者，圖1之圓圈內之上下方向上2段×水平方向上2行之開啟器11～14表示沿著箭頭AR1之方向觀察到之情形。
載體C能夠收納複數片(例如25片)基板W。載體C例如使用晶圓搬送盒(FOUP：Front Open Unified Pod，前開式晶圓盒)、SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械介面)盒。載體C例如使用具備載體本體及蓋部之載體，該載體本體設置有用以供基板W出入之開口部，且收納基板W，該蓋部用以堵塞載體本體之開口部。
開口部18用以供基板W通過。擋板構件將開口部18開閉，並且使蓋部相對於載體C之載體本體裝卸。擋板構件驅動機構具備電動馬達，驅動擋板構件。擋板構件於從載體本體拆卸蓋部之後，例如沿著開口部18朝水平方向(Y方向)或下方向(Z方向)移動。
載置台16配置於第2處理區塊5之上方。即，4個開啟器11～14之各載置台16配置為較第2處理區塊5更靠上。又，下側之2個載置台16亦可設置於第2處理區塊5之上表面或者屋頂上。
(1-1-2)基板搬送機構MHU1、MHU2之構成 如圖2所示，2個基板搬送機構MHU1、MHU2以隔著基板緩衝器BF之方式配置。又，2個基板搬送機構MHU1、MHU2配置於與第1處理區塊3和第2處理區塊5並排配置之方向(X方向)正交之方向(Y方向)上。
第1基板搬送機構MHU1能夠在載置於2個開啟器11、12各自之載置台16之載體C與基板緩衝器BF之間搬送基板W。第2基板搬送機構MHU2能夠在載置於2個開啟器13、14各自之載置台16之載體C與基板緩衝器BF之間搬送基板W。
參照圖3、圖4。2個基板搬送機構MHU1、MHU2分別具備2個機械手21、進退驅動部23及升降旋轉驅動部25。2個機械手21分別保持基板W。2個機械手21各自能夠於水平方向上進退。因此，能夠從載體C取出1片基板W，或同時取出2片基板W。
如圖4所示，機械手21具有1個基礎部分21A、以及從該基礎部分21A分出之2個前端部分21B、21C，從而構成為Y字狀、U字狀或分叉狀。於基礎部分21A及2個前端部分21B、21C設置有吸附部27A、27B、27C，該吸附部27A、27B、27C藉由吸附基板W而保持基板W。3個吸附部27A～27C構成為例如藉由經由配管連接之泵被賦予吸附力。再者，2個基板搬送機構MHU1、MHU2分別具備2個機械手21，但亦可具備3個以上之機械手21。
進退驅動部23將各機械手21可移動地支持，並且使各機械手21進退移動。進退驅動部23例如具備電動馬達、藉由電動馬達而繞軸旋轉之直線狀螺旋軸、具有與螺旋軸嚙合之孔部之可動構件、及引導可動構件之引導部，以此驅動1個機械手21。
升降旋轉驅動部25藉由使進退驅動部23升降及旋轉而使2個機械手21升降及旋轉。如圖3所示，升降旋轉驅動部25具備支柱部25A及旋轉部25B。支柱部25A以於上下方向上延伸之方式設置。支柱部25A固定於ID區塊2之地板部。因此，支柱部25A即升降旋轉驅動部25之水平方向(XY方向)之位置被固定而不移動。旋轉部25B使進退驅動部23繞鉛直軸AX1旋轉。藉由電動馬達來驅動基於升降旋轉驅動部25之升降及旋轉。
(1-1-3)基板緩衝器BF之構成 參照圖1、圖2、圖5。基板緩衝器BF載置複數個基板W。如圖5所示，基板緩衝器BF配置於第1處理區塊3與第2處理區塊5之中間(中央)。藉此，不僅2個基板搬送機構MHU1、MHU2能夠使基板W出入於基板緩衝器BF，第1處理區塊3之基板搬送機構MHU3及第2處理區塊5之基板搬送機構MHU4亦能夠使基板W出入於基板緩衝器BF。即，載置於基板緩衝器BF之基板W能夠藉由4台基板搬送機構MHU1～MHU4從4個方向輪番取出。
如圖1所示，基板緩衝器BF具備3個緩衝部BU1～BU3。3個緩衝部BU1～BU3於上下方向上配置成1行。3個緩衝部BU1～BU3分別具備配置於上下方向上之複數個(例如15個)基板載置部(未圖示)，用以載置基板W。
第1緩衝部BU1設置於與第1處理區塊3之傳遞層3A及第2處理區塊5之塗佈處理層5A相同之階層(即下層或第1層)。第2緩衝部BU2設置於與第1處理區塊3之處理層3B及第2處理區塊5之處理層5B相同之階層(即中層或第2層)。第3緩衝部BU3設置於與第1處理區塊3之處理層3C及載體緩衝器裝置8相同之階層(即上層或第3層)。例如，傳遞層3A配置於與中層之塗佈處理層5B不同之階層。
(1-2)處理區塊3、5之構成 參照圖1。第1處理區塊3具備3個處理層3A、3B、3C。上述3個處理層3A～3C之中，處理層3A係作為本發明之特徵部分之傳遞層。其他處理層3B、3C為顯影處理層。另一方面，第2處理區塊5具備2個塗佈處理層5A、5B。再者，傳遞層3A於下文中適當地稱作「IF層3A」。IF層3A之詳情於下文中進行說明。
第1處理區塊3之3個處理層3A～3C以堆積之方式配置於上下方向上。第2處理區塊5之2個處理層5A、5B亦以堆積之方式配置於上下方向上。2個塗佈處理層5A、5B對基板W進行塗佈處理。2個顯影處理層3B、3C對基板W進行顯影處理。IF層3A相對於作為外部裝置之曝光裝置EXP搬入及搬出基板W。
2個顯影處理層3B、3C分別具備第3基板搬送機構MHU3、複數個液體處理單元36、複數個熱處理單元37及搬送空間39(參照圖2)。2個塗佈處理層5A、5B分別具備第4基板搬送機構MHU4、複數個液體處理單元36、複數個熱處理單元37及搬送空間39(參照圖5)。搬送空間39為俯視下於X方向上較長之長方形空間。搬送空間39中配置有基板搬送機構MHU3或基板搬送機構MHU4。液體處理單元36與熱處理單元37以隔著搬送空間39之方式配置。進而，液體處理單元36與熱處理單元37分別沿著搬送空間39之長邊方向(X方向)配置。
(1-2-1)基板搬送機構MHU3、MHU4之構成 基板搬送機構MHU3、MHU4分別搬送基板W。如圖1所示，基板搬送機構MHU3、MHU4分別具備2個機械手41、進退驅動部43、旋轉驅動部45、第1移動機構47及第2移動機構48。2個機械手41、進退驅動部43及旋轉驅動部45分別以例如與第1基板搬送機構MHU1之2個機械手21、進退驅動部23、旋轉部25B相同之方式構成(參照圖3、圖4)。
2個機械手41分別能夠移動地安裝於進退驅動部43。進退驅動部43使2個機械手41各自進退。旋轉驅動部45使進退驅動部43繞鉛直軸AX3旋轉。藉此，能夠改變2個機械手41之朝向。第1移動機構47能夠使旋轉驅動部45於圖1之前後方向(X方向)上移動。第2移動機構48能夠使第1移動機構47於圖1之上下方向(Z方向)上移動。藉由2個移動機構47、48，能夠使2個機械手41及進退驅動部43於XZ方向上移動。
進退驅動部43、旋轉驅動部45、第1移動機構47及第2移動機構48分別具備電動馬達。
(1-2-2)液體處理單元36之構成 圖6係從右側觀察基板處理裝置1所得之側視圖。5個處理層3A～3C、5A、5B分別具備6個液體處理單元36。6個液體處理單元36能夠以上下方向2段×水平方向3行之方式配置。圖6中，2個塗佈處理層5A、5B分別具備3個塗佈單元BARC及3個塗佈單元PR。2個顯影處理層3B、3C分別具備6個顯影單元DEV。再者，液體處理單元36(亦包含IF層3A之液體處理單元36)之個數及種類可視需要變更。
參照圖2、圖5。液體處理單元36(塗佈單元BARC、PR及顯影單元DEV)分別具備保持旋轉部51、噴嘴52及噴嘴移動機構53。保持旋轉部51例如藉由真空吸附來保持基板W之下表面，並使所保持之基板W繞鉛直軸(Z方向)旋轉。噴嘴52對基板W噴出處理液(例如用於形成抗反射膜之液體、光阻液或顯影液)。噴嘴52經由配管連接於處理液供給源，配管上設置有泵及開閉閥。噴嘴移動機構53使噴嘴52移動至任意位置。保持旋轉部51及噴嘴移動機構53例如分別具備電動馬達。
(1-2-3)熱處理單元37(及其他處理單元)之構成 圖7係從左側觀察基板處理裝置1所得之側視圖。5個處理層3A～3C、5A、5B可分別具備16個熱處理單元37。16個熱處理單元37以4段×4行之方式配置。熱處理單元37具備載置基板W之平板55(參照圖2、圖5)，對基板W進行熱處理。熱處理單元37於對平板55進行加熱時具備例如電熱器等加熱器。又，熱處理單元37於將平板55冷卻時具備例如水冷式循環機構或珀爾帖元件。熱處理單元37之個數、種類及位置可適當變更。
圖7中，2個塗佈處理層5A、5B例如分別具備4個冷卻部CP以及8個加熱處理部PAB。冷卻部CP將基板W冷卻。加熱處理部PAB對塗佈後之基板W進行烘烤處理。再者，2個塗佈處理層5A、5B亦可分別具備密接強化處理部AHP。密接強化處理部AHP將六甲基二矽氮烷(HMDS)等密接強化劑塗佈於基板W並進行加熱。
又，2個顯影處理層3B、3C例如分別具備4個曝光後烘烤處理部PEB、4個冷卻部CP、6個後烘烤部PB及1個檢查部LSCM2。曝光後烘烤處理部PEB對曝光後之基板W進行烘烤處理。後烘烤部PB對顯影處理後之基板W進行烘烤處理。檢查部LSCM2及後述之檢查部LSCM1分別具備CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)相機或影像感測器。檢查部LSCM2對顯影後之基板W進行檢查。再者，加熱處理部PAB、曝光後烘烤處理部PEB、後烘烤部PB及密接強化處理部AHP分別具有冷卻功能。
(1-2-4)IF層(傳遞層)3A之構成 IF層3A配置於2個顯影處理層3B、3C之下側。如圖5所示，IF層3A具備處理區域57、傳遞區域58、緩衝部BU4(傳遞用緩衝部)。處理區域57連結於ID區塊2。
處理區域57與2個顯影處理層3B、3C同樣地構成。即，處理區域57具備基板搬送機構MHU3、複數個液體處理單元36、複數個熱處理單元37及搬送空間39。設置於處理區域57之液體處理單元36及熱處理單元37為曝光關聯處理單元。曝光關聯處理單元係對塗佈處理後且顯影處理前之基板W進行特定處理之單元。再者，IF層3A之基板搬送機構MHU3相當於本發明之搬送機構。
處理區域57例如具備3個背面清洗單元BSS及3個曝光後清洗單元SOAK作為液體處理單元36(參照圖5、圖6)。清洗單元BSS、SOAK例如具備保持基板W之保持旋轉部、及對基板W噴出清洗液之噴嘴。又，背面清洗單元BSS使用刷子對基板W之背面進行清洗。基板W之背面例如係與形成有電路圖案之面為相反側之面。
又，處理區域57例如具備2個邊緣曝光部EEW、1個檢查部LSCM1及4個曝光後烘烤處理部PEB，作為熱處理單元37及其他處理單元(符號37所示)(參照圖5、圖7)。邊緣曝光部EEW對基板W之周邊部進行曝光處理。亦可取代邊緣曝光部EEW，而為進行整面曝光(OWE：overall wafer exposure)之處理單元。檢查部LSCM1對塗佈膜(例如光阻膜)進行檢查。
緩衝部BU4具備基板載置部PS1及載置兼冷卻部P-CP(參照圖1)。基板載置部PS1及載置兼冷卻部P-CP於上下方向配置。基板載置部PS1及載置兼冷卻部P-CP各自載置1片或複數片基板W。圖5中，基於減小佔據面積之目的，將緩衝部BU4(基板載置部PS1及載置兼冷卻部P-CP)設置於處理區域57之搬送空間39。就此點，緩衝部BU4亦可設置於傳遞區域58。即，緩衝部BU4設置於處理區域57與傳遞區域58之間。處理區域57之基板搬送機構MHU3能夠於緩衝部BU1、液體處理單元36、熱處理單元37、其他處理單元(例如邊緣曝光部EEW)、基板載置部PS1及載置兼冷卻部P-CP之間搬送基板W。
傳遞區域58與處理區域57連結。傳遞區域58具備基板搬送機構MHU5。基板搬送機構MHU5於曝光裝置EXP、基板載置部PS1及載置兼冷卻部P-CP之間搬送基板W。再者，基板搬送機構MHU5亦能夠將基板W直接搬送至與傳遞區域58相鄰之4個熱處理單元37(曝光後烘烤處理部PEB，參照圖5)之平板55A上。基板搬送機構MHU5具備2個機械手21等，與基板搬送機構MHU1、MHU2大致同樣地構成。基板搬送機構MHU5與基板搬送機構MHU1、MHU2不同，構成為使升降旋轉驅動部25於與供配置2個處理區塊3、5之X方向正交之水平Y方向上移動。再者，基板搬送機構MHU5相當於本發明之曝光裝置用搬送機構。
又，如圖1、圖6、圖7所示，傳遞區域58以傳遞區域58之曝光裝置EXP側之端突出於2個顯影處理層3B、3C外側之方式配置。藉此，能夠於曝光裝置EXP與基板處理裝置1之間形成空氣層。因此，於基板處理裝置之熱影響有可能波及到曝光裝置之情形時，能夠藉由空氣層而阻斷熱影響。
(1-2-5)相鄰處理單元AD1、AD2之構成 參照圖7。2個顯影處理層3B、3C分別具備與ID區塊2相鄰配置之4個曝光後烘烤處理部PEB(相鄰處理單元AD1)。如圖8A所示，上述4個曝光後烘烤處理部PEB例如具備2個基板搬入口60A、60B，以供基板W從2個方向出入。即，曝光後烘烤處理部PEB分別具備朝搬送空間39側開口之基板搬入口60A、以及朝ID區塊2之基板搬送機構MHU1側開口之基板搬入口60B。
例如，於顯影處理層3C，基板搬送機構MHU3能夠將基板W經由基板搬入口60A交遞至曝光後烘烤處理部PEB之平板55A上。又，ID區塊2之基板搬送機構MHU1能夠將基板W經由基板搬入口60B交遞至曝光後烘烤處理部PEB之平板55A上。
又，圖7中，IF層3A之處理區域57具備與傳遞區域58相鄰配置之4個曝光後烘烤處理部PEB(相鄰處理單元AD2)。如圖8B所示，上述4個曝光後烘烤處理部PEB例如具備2個基板搬入口60A、60C，以供基板W從2個方向出入。即，曝光後烘烤處理部PEB分別具備朝搬送空間39側開口之基板搬入口60A、以及朝基板搬送機構MHU5側開口之基板搬入口60C。
於IF層3A，基板搬送機構MHU3能夠將基板W經由基板搬入口60A交遞至曝光後烘烤處理部PEB之平板55A上。又，傳遞區域58之基板搬送機構MHU5能夠將基板W經由基板搬入口60C交遞至曝光後烘烤處理部PEB之平板55A上。再者，相鄰處理單元AD1、AD2及後述之相鄰處理單元AD3亦為曝光關聯單元。
(1-3)載體緩衝器裝置8之構成 參照圖1、圖2。顯影處理層5C配置於與載體緩衝器裝置8及緩衝部BU3相同之階層(第3層)。即，第2處理區塊5之高度較第1處理區塊3之高度低。載體緩衝器裝置8(載體搬送機構61及載體保管架63)搭載於第2處理區塊5上。藉此，能夠抑制基板處理裝置1之高度。
載體緩衝器裝置8具備載體搬送機構61及載體保管架63。載體搬送機構61於4個開啟器11～14各自之載置台16與載體保管架63之間搬送載體C。載體保管架63保管載體C。
參照圖2。載體搬送機構61具備2個多關節臂65、66。於第1多關節臂65之一端設置有抓持部67，於第2多關節臂66之一端設置有抓持部68。第1多關節臂65之另一端以能夠於上下方向(Z方向)上移動之方式支持於支柱狀之升降驅動部69，第2多關節臂66之另一端以能夠於上下方向上移動之方式支持於升降驅動部69。
2個抓持部67、68分別以例如抓持設置於載體C上表面之突起部之方式構成。升降驅動部69以能夠使2個多關節臂65、66個別升降之方式構成。2個抓持部67、68、2個多關節臂65、66以及升降驅動部69分別具備電動馬達。
前後驅動部70具備支持升降驅動部69之支持部70A、於前後方向(X方向)上較長地延伸之長邊部70B、及電動馬達。例如，長邊部70B可為軌道(導軌)，支持部70A可為台車。於此情形時，可構成為，藉由電動馬達使台車(支持部70A)沿著軌道(長邊部70B)移動。
又，可為例如電動馬達、複數個滑輪、傳送帶及導軌內置於長邊部70B中，支持部70A固定於傳送帶上。於此情形時，可藉由利用電動馬達使滑輪旋轉，使架設於複數個滑輪之傳送帶移動，從而使支持部70A沿著導軌移動。又，亦可為，例如電動馬達、螺旋軸及導軌內置於長邊部70B中，與螺旋軸嚙合之螺母部設置於支持部70A。於此情形時，可藉由利用電動馬達使螺旋軸旋轉，而使支持部70A沿著導軌移動。
於載體保管架63之一部分上方，設置有外部搬送機構OHT(Overhead Hoist Transport)之軌道77。外部搬送機構OHT係於工廠內搬送載體C之機構。外部搬送機構OHT將收納有未處理基板W之載體C搬送至載體保管架63。又，外部搬送機構OHT從載體保管架63接收收納有處理後之基板W之載體C。未處理基板W係指尚未由本實施例中之基板處理裝置1進行基板處理之基板W，處理後之基板W係指已由本實施例中之基板處理裝置1進行了基板處理之基板W。載體搬送機構61能夠使載體C於載置台16及各個架63之間自由移動。
(2)基板處理裝置1之動作 繼而，對基板處理裝置1之動作進行說明。圖9是表示基板處理裝置1之處理工序之一例的流程圖。
圖2所示之載體搬送機構61將由外部搬送機構OHT搬送之收納有未處理基板W之載體C搬送至開啟器11、12之一者。此處係對載體C被搬送至開啟器11之情況進行說明。擋板構件及擋板構件驅動機構(均未圖示)一面將載置於開啟器11之載置台16上之載體C之蓋部拆下，一面將開口部18打開。
〔步驟S01〕從載體C搬送基板W ID區塊2之基板搬送機構MHU1從開啟器11之載置台16上之載體C取出基板W，並將該基板W搬送至2個緩衝部BU1、BU2之一者。
於已從載體C取出所有基板W之情形時，載體搬送機構61將變空之載體C搬送至2個開啟器13、14之一者。於無法將空載體C搬送至2個開啟器13、14之任一者之情形時，載體搬送機構61將空載體C搬送至載體保管架63。又，載體搬送機構61代替空載體C而將收納有未處理基板W之載體C搬送至開啟器11。
又，於從開啟器11之載置台16上之載體C取出所有基板W之後，基板搬送機構MHU1從開啟器12之載置台16上之載體C取出基板W。於從開啟器12之載體C取出所有基板W之後，基板搬送機構MHU1開始從新載置於開啟器11之載體C再次取出基板W。即，基板搬送機構MHU1對2個開啟器11、12之載體C交替地取出基板W。
〔步驟S02〕利用塗佈處理層5A(5B)形成抗反射膜 例如塗佈處理層5A係對基板W形成抗反射膜及光阻膜。具體地進行說明。塗佈處理層5A之基板搬送機構MHU4從緩衝部BU1取出基板W，並將該基板W依次搬送至冷卻部CP、塗佈單元BARC、加熱處理部PAB。塗佈單元BARC係於基板W上形成抗反射膜。
然後，塗佈處理層5A之基板搬送機構MHU4將形成有抗反射膜之基板W依次搬送至冷卻部CP、塗佈單元PR、加熱處理部PAB、緩衝部BU1。塗佈單元PR係於基板W上(即抗反射膜上)形成光阻膜。
再者，塗佈處理層5B亦進行與塗佈處理層5A相同之處理。於由塗佈處理層5B進行塗佈處理時，藉由塗佈處理層5B之基板搬送機構MHU4將進行塗佈處理後之基板W搬送至緩衝部BU2。於此情形時，ID區塊2之2個基板搬送機構MHU1、MHU2之一者將基板W從緩衝部BU2搬送至緩衝部BU1。
〔步驟S03〕利用傳遞層3A進行之處理 IF層3A將由塗佈處理層5A(5B)進行塗佈處理後之基板W搬出至曝光裝置EXP。又，IF層3A將由曝光裝置EXP進行曝光處理後之基板W搬入至IF層3A。具體地進行說明。
IF層3A之處理區域57之基板搬送機構MHU3(參照圖5)從緩衝部BU1取出基板W，並將該基板W依次搬送至檢查部LSCM1、邊緣曝光部EEW、背面清洗單元BSS、載置兼冷卻部P-CP(緩衝部BU4)。檢查部LSCM1對光阻膜(塗佈膜)進行檢查及測定。傳遞區域58之基板搬送機構MHU5從載置兼冷卻部P-CP取出基板W，並將該基板W搬出至曝光裝置EXP。曝光裝置EXP對所搬出之基板W進行曝光處理。
基板搬送機構MHU5將由曝光裝置EXP進行處理後之基板W搬入至傳遞區域58，並將該基板W搬送至基板載置部PS1(緩衝部BU4，參照圖1)。處理區域57之基板搬送機構MHU3從基板載置部PS1接收基板W，並將該基板W依次搬送至曝光後清洗單元SOAK、緩衝部BU1。
再者，於曝光裝置EXP並非採用液浸曝光技術進行曝光處理之情形時，亦可如圖9之虛線所示，不進行曝光後清洗單元SOAK之清洗處理。於此情形時，處理區域57之基板搬送機構MHU3從基板載置部PS1接收基板W，並將該基板W直接搬送至緩衝部BU1。
ID區塊2之基板搬送機構MHU1從緩衝部BU1接收基板W。然後，如圖7、圖8A所示，基板搬送機構MHU1將該基板W直接搬送至例如顯影處理層3B之4個曝光後烘烤處理部PEB之一者。上述4個曝光後烘烤處理部PEB為相鄰處理單元AD1。因此，如圖8A所示，基板搬送機構MHU1不將基板W搬送至緩衝部BU2，而是將基板W藉由基板搬入口60B直接搬送至特定之曝光後烘烤處理部PEB之平板55A上。藉此，能夠省略顯影處理層3B之基板搬送機構MHU3從緩衝部BU2取出基板W並將所取出之基板W藉由基板搬入口60A搬送至曝光後烘烤處理部PEB之平板55A的動作。因此，能夠減輕顯影處理層5B之基板搬送機構MHU3之基板搬送之負載。
再者，於將基板W搬送至顯影處理層3C之作為相鄰處理單元AD1之4個曝光後烘烤處理部PEB之任一者之情形時，亦進行與上述相同之處理。又，將進行曝光處理後之基板W從IF層3A交替搬送至2個顯影處理層3B、3C。
〔步驟S04〕利用顯影處理層3B(3C)進行之顯影處理 顯影處理層3B、3C分別對基板W進行顯影處理。具體地進行說明。藉由曝光後烘烤處理部PEB對由基板搬送機構MHU1直接搬送之基板W進行熱處理。顯影處理層3B之基板搬送機構MHU3從曝光後烘烤處理部PEB接收基板W，並將該基板W依次搬送至冷卻部CP、顯影單元DEV、後烘烤部PB、檢查部LSCM2、緩衝部BU2。顯影單元DEV對由曝光裝置EXP進行曝光處理後之基板W進行顯影處理。檢查部LSCM2對顯影後之基板W進行檢查。
再者，顯影處理層3C進行與顯影處理層3B相同之處理。顯影處理層3C將顯影後之基板W最終搬送至緩衝部BU3。
〔步驟S05〕向載體C搬送基板 ID區塊2之基板搬送機構MHU2從2個緩衝部BU2、BU3之一者取出基板W，並將所取出之基板W搬送至載置於2個開啟器13、14之一者(例如開啟器13)之載置台16上之載體C。再者，基板搬送機構MHU2從2個緩衝部BU2、BU3交替地取出基板W，並將所取出之基板W搬送至載置於載置台16上之載體C。當所有基板W被搬回至載體C後，擋板構件及擋板驅動機構對載體C裝上蓋，並且將開口部18堵塞。然後，載體搬送機構61從開啟器13搬送收納有處理後之基板W之載體C，以將其交遞給外部搬送機構OHT。
根據本實施例，第1處理區塊3具備配置於上下方向上之顯影處理層3B、3C以及IF層3A。因此，IF層3A能夠連結於ID區塊2。又，ID區塊2之基板搬送機構MHU1、MHU2將基板W從基板緩衝器BF之位於特定高度位置之緩衝部(例如BU2)朝基板緩衝器BF之位於其他高度位置之緩衝部(例如BU1)搬送。因此，IF層3A只要進出於與IF層3A之高度對應之緩衝部BU1即可。因此，能夠使IF層3A精簡化。又，由於IF層3A配置於顯影處理層3B、3C之上下方向，故能夠減小基板處理裝置1之佔據面積。
又，IF層3A具備連結於ID區塊2之處理區域57、用以載置基板W之緩衝部BU4、以及經由緩衝部BU4而與處理區域57連結之傳遞區域58。處理區域57具備曝光關聯處理單元(例如背面清洗單元BSS、曝光後清洗單元SOAK、邊緣曝光部EEW、檢查部LSCM1及曝光後烘烤處理部PEB)、以及基板搬送機構MHU3。再者，基板搬送機構MHU3於與ID區塊2之基板緩衝器BF、曝光後烘烤處理部PEB及緩衝部BU4之間搬送基板W。傳遞區域58不具備曝光關聯處理單元(例如曝光後烘烤處理部PEB)，而具備於曝光裝置EXP與緩衝部BU4之間搬送基板W之基板搬送機構MHU5(曝光裝置用搬送機構)。
由於曝光關聯處理單元設置於IF層3A，因此，能夠抑制其他處理層中所具備之曝光關聯處理單元之個數。藉此，其他處理層能夠具備曝光關聯處理單元以外之處理單元。 [實施例2]
繼而，參照圖式對本發明之實施例2進行說明。再者，省略與實施例1重複之說明。圖10係表示實施例2之基板處理裝置1之處理工序之一例的流程圖。
實施例1中，針對進行曝光處理後之基板W，藉由曝光後清洗單元SOAK對基板W進行了清洗。關於此點，於曝光裝置EXP並非採用液浸曝光技術進行曝光處理之情形時，亦可不進行曝光後清洗單元SOAK之清洗處理。實施例2中，對此種情形時之基板處理裝置1之動作進行說明。尤其對與實施例1不同之部分進行說明。
〔步驟S03A〕利用IF層3A進行之處理 IF層3A將由塗佈處理層5A(5B)進行塗佈處理後之基板W搬出至曝光裝置EXP。曝光裝置EXP對所搬出之基板W進行曝光處理。至此為止之動作與實施例1相同，因此，省略具體之說明。然後，IF層3A將由曝光裝置EXP進行曝光處理後之基板W搬入至IF層3A。具體地進行說明。
基板搬送機構MHU5將由曝光裝置EXP進行處理後之基板W搬入至傳遞區域58，並且不將該基板W搬送至基板載置部PS1(緩衝部BU4)，而將該基板W搬送至4個曝光後烘烤處理部PEB之任一者(參照圖7)。4個曝光後烘烤處理部PEB係與傳遞區域58相鄰之相鄰處理單元AD2。於此情形時，如圖8B所示，4個曝光後烘烤處理部PEB分別具備2個基板搬入口60A、60C，以使基板W從2個方向出入。因此，傳遞區域58之基板搬送機構MHU5不經由基板載置部PS1(緩衝部BU4)而使機械手21進入基板搬入口60C，將基板W直接搬送至特定之曝光後烘烤處理部PEB。
由此，能夠省略IF層3A之處理區域57之基板搬送機構MHU3從基板載置部PS1(緩衝部BU4)取出基板W並將所取出之基板W藉由基板搬入口60A搬送至曝光後烘烤處理部PEB之平板55A的動作。因此，能夠減輕處理區域57之基板搬送機構MHU3之基板搬送之負載。又，藉由縮短曝光結束後至開始曝光後烘烤處理之時間，使得顯影後之光阻圖案之尺寸均一性穩定。
然後，IF層3A之處理區域57之基板搬送機構MHU3藉由基板搬入口60A從曝光後烘烤處理部PEB接收基板W。繼而，基板搬送機構MHU3將該基板W搬送至緩衝部BU1。然後，2個基板搬送機構MHU1、MHU2之一者從緩衝部BU1接收基板W，並將該基板W搬送至緩衝部BU2、BU3之一者。
根據本實施例，處理區域57具備與傳遞區域58相鄰配置之4個曝光後烘烤處理部PEB(相鄰處理單元AD2)。傳遞區域58之第5基板搬送機構MHU5將經曝光處理後之基板W直接搬送至處理區域57之曝光後烘烤處理部PEB(相鄰處理單元AD2)。IF層3A中，於例如將基板W經由緩衝部BU4從傳遞區域58搬送至處理區域57之情形時，處理區域57之基板搬送機構MHU3必須將基板W從緩衝部BU4搬送至4個曝光後烘烤處理部PEB中之任一者(相鄰處理單元)。根據本實施例，基板搬送機構MHU5能夠將進行曝光處理後之基板W不經由該緩衝部BU4而搬送至曝光後烘烤處理部PEB。因此，能夠減輕處理區域57之基板搬送機構MHU3之基板搬送之負載。又，藉由縮短曝光結束後至開始曝光後烘烤處理為止之時間，使得顯影後之光阻圖案之尺寸均一性穩定。 [實施例3]
繼而，參照圖式對本發明之實施例3進行說明。再者，省略與實施例1、2重複之說明。
實施例1中，如圖1所示，IF層3A以IF層3A之顯影處理層3B、3C之曝光裝置EXP側之端突出於顯影處理層3B、3C外側之方式配置。關於此點，於實施例3中，IF層3A亦能以IF層3A之曝光裝置EXP側之端收於顯影處理層3B、3C內側之方式配置。
圖11係實施例3之基板處理裝置1之縱剖視圖。圖11中，傳遞區域58之曝光裝置EXP側之端與顯影處理層3B、3C之曝光裝置EXP側之端一致。即，傳遞區域58之曝光裝置EXP側之側面SF1與顯影處理層3B、3C之曝光裝置EXP側之側面SF2對齊，無階差。
又，圖12A是表示實施例3之IF層3A之構成及動作之橫剖視圖。由於傳遞區域58進入顯影處理層3B、3C之內側，因此，處理區域57之設置面積減少。因此，背面清洗單元BSS及曝光後清洗單元SOAK配置於2段×2行之空間內。又，曝光後烘烤處理部PEB、邊緣曝光部EEW及檢查部LSCM1配置於3段×4行之空間內。
基板處理裝置1之動作按照實施例1、2之步驟S03、S03A所示進行。例如，如圖9之步驟S03所示，IF層3A之處理區域57之基板搬送機構MHU3從緩衝部BU1取出基板W，並將該基板W依次搬送至檢查部LSCM1、邊緣曝光部EEW、背面清洗單元BSS、載置兼冷卻部P-CP(緩衝部BU4)。然後，傳遞區域58之基板搬送機構MHU5從載置兼冷卻部P-CP取出基板W，並將該基板W搬出至曝光裝置EXP。
然後，基板搬送機構MHU5將由曝光裝置EXP進行處理後之基板W搬入至傳遞區域58，並將該基板W搬送至基板載置部PS1(緩衝部BU4)。處理區域57之基板搬送機構MHU3從基板載置部PS1取出基板W，並將該基板W依次搬送至曝光後清洗單元SOAK、緩衝部BU1。
根據本實施例，傳遞區域58以傳遞區域58之曝光裝置EXP側之端收於2個顯影處理層3B、3C內側之方式配置。藉此，能夠減小基板處理裝置1之佔據面積。
再者，如圖12B所示，處理區域57具備配置於上下方向上之邊緣曝光部EEW及檢查部LSCM1。上述邊緣曝光部EEW及檢查部LSCM1與傳遞區域58相鄰。邊緣曝光部EEW為相鄰處理單元AD3。邊緣曝光部EEW(相鄰處理單元AD3)與曝光後烘烤處理部PEB(相鄰處理單元AD2)以隔著搬送空間39之方式配置。作為相鄰處理單元AD3之邊緣曝光部EEW與相鄰處理單元AD1、AD2同樣地具備2個基板搬入口60A、60D，以使基板W從2個方向出入。基板搬入口60D朝傳遞區域58側開口。
例如，於無需背面清洗單元BSS及曝光後清洗單元SOAK之處理之情形時，基板處理裝置1以如下方式動作。圖12B中，IF層3A之處理區域57之基板搬送機構MHU3從緩衝部BU1取出基板W，並將該基板W依次搬送至檢查部LSCM1、邊緣曝光部EEW。此時，處理區域57之基板搬送機構MHU3將基板W藉由基板搬入口60A搬送至邊緣曝光部EEW。於利用邊緣曝光部EEW進行處理之後，傳遞區域58之基板搬送機構MHU5藉由基板搬入口60D從邊緣曝光部EEW接收基板W，並將該基板W搬出到曝光裝置EXP。藉此，能夠省略處理區域57之基板搬送機構MHU3從邊緣曝光部EEW接收基板W並搬送至緩衝部BU4的工序。因此，能夠減輕處理區域57之基板搬送機構MHU3之基板搬送之負擔。
然後，基板搬送機構MHU5從曝光裝置EXP將經曝光處理後之基板W搬入至傳遞區域58，不將該基板W搬送至基板載置部PS1(緩衝部BU4)，而將該基板W直接搬送至4個曝光後烘烤處理部PEB中之任一者。藉由基板搬入口60C進行上述搬送。再者，4個曝光後烘烤處理部PEB為相鄰處理單元AD2(參照圖7)。於利用曝光後烘烤處理部PEB進行處理之後，處理區域57之基板搬送機構MHU3藉由基板搬入口60A從曝光後烘烤處理部PEB接收基板W，並將該基板W搬送至緩衝部BU1。藉此，能夠省略處理區域57之基板搬送機構MHU3從緩衝部BU4取出基板W並將該基板W搬送至曝光後烘烤處理部PEB的工序。因此，能夠減輕處理區域57之基板搬送機構MHU3之基板搬送之負擔。
又，如圖12B所示，處理區域57具備與傳遞區域58相鄰且配置於邊緣曝光部EEW上側或下側之檢查部LSCM1。該檢查部LSCM1亦可為相鄰處理單元AD3。於此情形時，處理區域57之基板搬送機構MHU3可將基板W藉由基板搬入口60A搬送至檢查部LSCM1，傳遞區域58之基板搬送機構MHU5可藉由基板搬入口60D從檢查部LSCM1接收基板W。又，於無需背面清洗單元BSS及曝光後清洗單元SOAK之處理之情形時，亦可不具備背面清洗單元BSS及曝光後清洗單元SOAK。又，於無需緩衝部BU4之情形時，亦可不具備緩衝部BU4。 [實施例4]
繼而，參照圖式對本發明之實施例4進行說明。再者，省略與實施例1～3重複之說明。
於實施例1之IF層3A中，基板W從緩衝部BU1被搬送至曝光裝置EXP，於曝光處理之後，從曝光裝置EXP被搬回至緩衝部BU1。關於此點，亦可為，於曝光處理後不搬回至緩衝部BU1，並且於不使用ID區塊2之2個基板搬送機構MHU1、MHU2之情形時將基板W搬送至2個顯影處理層3B、3C。
圖13係表示實施例4之IF層3A之橫剖視圖。IF層3A具備搬送空間81、第6基板搬送機構MHU6、及基板載置部PS2。搬送空間81係供配置處理區域57之熱處理單元37之區域，以與傳遞區域58相鄰之方式設置。基板搬送機構MHU6配置於搬送空間81。基板搬送機構MHU6與基板搬送機構MHU1、MHU2同樣地構成。基板載置部PS2以能夠供2個基板搬送機構MHU5、MHU6交接基板W之方式配置於傳遞區域58，或者配置於傳遞區域58與搬送空間81之間。基板載置部PS2載置1片或複數片基板W。
背面清洗單元BSS配置於2段×2行之空間內。又，邊緣曝光部EEW及檢查部LSCM1配置於4段×2行之空間內。第6基板搬送機構MHU6相當於本發明之層間搬送機構。
圖14係表示實施例4之2個顯影處理層3B、3C之橫剖視圖。2個顯影處理層3B、3C分別具備搬送空間81。搬送空間81設置於供配置熱處理單元37及其他處理單元37之區域。圖14中，搬送空間81隔於複數個曝光後烘烤處理部PEB之間。複數個曝光後烘烤處理部PEB分別具備2個基板搬入口60A、60E，以使基板從2個方向進入。基板搬送機構MHU6將從基板載置部PS2取出之基板W藉由基板搬入口60E搬入至顯影處理層3B、3C之曝光後烘烤處理部PEB。顯影處理層3B、3C之基板搬送機構MHU3藉由基板搬入口60A將基板W交遞至曝光後烘烤處理部PEB之平板55上。再者，顯影單元DEV配置於2段×3行之空間內。
參照圖15。圖15係從實施例4之基板處理裝置1之左側觀察所得之側視圖。搬送空間81係從IF層3A之處理區域57穿過2個顯影處理層3B、3C於上下方向上延伸之空間。第6基板搬送機構MHU6能夠使其2個機械手21從下層之IF層3A移動至上層之顯影處理層3C。
2個顯影處理層3B、3C分別具備8個曝光後烘烤處理部PEB作為相鄰處理單元AD4、AD5。如圖15所示，8個曝光後烘烤處理部PEB與搬送空間81相鄰，且以由搬送空間81將各4段之曝光後烘烤處理部PEB隔開之方式配置。配置於搬送空間81之第6基板搬送機構MHU6將基板W藉由各曝光後烘烤處理部PEB之基板搬入口60E(參照圖14)搬送至各曝光後烘烤處理部PEB。又，2個顯影處理層3B、3C分別具備4個後烘烤部PB。
再者，熱處理單元37及其他處理單元之個數及種類可視需要變更。例如，可將8個曝光後烘烤處理部PEB及4個後烘烤部PB之一部分替換成冷卻部CP。又，如圖14所示，ID區塊2亦可具備檢查部LSCM2。於此情形時，能以由基板搬送機構MHU1將檢查部LSCM2與緩衝部BU2、BU3(基板緩衝器BF)隔開之方式設置檢查部LSCM2。又，亦能以由基板搬送機構MHU2將檢查部LSCM2與緩衝部BU2、BU3隔開之方式設置檢查部LSCM2。檢查部LSCM2設置於2個顯影處理層3B、3C各自之階層。
繼而，參照圖10對基板處理裝置1之動作進行說明。基板W藉由2個塗佈處理層5A、5B之一者進行塗佈處理，並被搬送至緩衝部BU1。
〔步驟S03A〕利用IF層3A進行之處理 IF層3A將由塗佈處理層5A(5B)進行塗佈處理後之基板W搬出至曝光裝置EXP。曝光裝置EXP對所搬出之基板W進行曝光處理。至此為止之動作與實施例1相同，因此，省略具體之說明。然後，IF層3A將由曝光裝置EXP進行曝光處理後之基板W搬入至IF層3A。具體地進行說明。
基板搬送機構MHU5將由曝光裝置EXP予以處理後之基板W搬入至傳遞區域58，且將該基板W搬送至基板載置部PS2。基板搬送機構MHU6從基板載置部PS2取出基板W。然後，如圖15所示，基板搬送機構MHU6將該基板W搬送至2個顯影處理層3B、3C之一者之8個曝光後烘烤處理部PEB中之任一者。朝曝光後烘烤處理部PEB搬送基板W，係通過基板搬入口60E(參照圖14)而進行。
〔步驟S04、S05〕利用顯影處理層3B(3C)進行之顯影處理等 例如，於顯影處理層3B中，基板搬送機構MHU3通過基板搬入口60A從曝光後烘烤處理部PEB接收進行熱處理後之基板W。然後，基板搬送機構MHU3將該基板W依次搬送至顯影單元DEV、後烘烤部PB、緩衝部BU2。再者，於顯影處理層3B具備冷卻部CP之情形時，基板搬送機構MHU3將由曝光後烘烤處理部PEB進行熱處理後之基板W依次搬送至冷卻部CP、顯影單元DEV、後烘烤部PB、緩衝部BU2。又，亦可省略向後烘烤部PB之搬送。然後，ID區塊2之2個基板搬送機構MHU1、MHU2之一者從緩衝部BU2接收基板W，且將該基板W搬送至檢查部LSCM2。然後，若已由第1基板搬送機構MHU1側之檢查部LSCM2對基板W進行檢查，基板搬送機構MHU1將基板W搬送至2個緩衝部BU2、BU3之一者。然後，第2基板搬送機構MHU2從第2基板搬送機構MHU2側之檢查部LSCM2、緩衝部BU2、緩衝部BU3中之任一者接收基板W，且將該基板W搬送至2個開啟器13、14中之一者之載置台16上之載體C。
根據本實施例，傳遞區域58具備載置基板W之基板載置部PS2。第1處理區塊3具備從IF層3A之處理區域57穿過2個顯影處理層3B、3C於上下方向延伸之搬送空間81、以及配置於搬送空間81之第6基板搬送機構MHU6。2個顯影處理層3B、3C具備與搬送空間81相鄰配置之曝光後烘烤處理部PEB(相鄰處理單元AD4、AD5)。基板搬送機構MHU6從傳遞區域58之基板載置部PS2接收基板W，且將該基板W直接搬送至2個顯影處理層3B、3C之曝光後烘烤處理部PEB。
於將基板W從IF層3A搬送至ID區塊2，進而將基板W從ID區塊2搬送至2個顯影處理層3B、3C之情形時，有可能需要大量時間。又，有可能對IF層3A之搬送機構造成較大之負擔。根據本實施例，能夠將基板W不經由ID區塊2而直接搬送至2個顯影處理層3B、3C之曝光後烘烤處理部PEB。因此，能夠較快地將基板W搬送至2個顯影處理層3B、3C，並且能夠減輕IF層3A之基板搬送機構MHU3之負擔。又，供配置基板搬送機構MHU6之搬送空間81不僅設置於IF層3A，且亦設置於顯影處理層3B、3C之區域內，因此維持IF層3A之精簡化。
再者，補充說明效果。如圖16A所示，若使基板W於曝光裝置EXP與ID區塊2之間往返移動，則有可能對IF層3A之基板搬送機構MHU3之基板搬送造成較大之負擔。再者，亦會對ID區塊2之2個基板搬送機構MHU1、MHU2之基板搬送造成負擔。如圖16B所示，藉由設置於第1處理區塊3內之基板搬送機構MHU6，不僅省略了從曝光裝置EXP向ID區塊2搬送基板之返路，亦減輕了ID區塊2之基板搬送之負擔。
又，如圖17所示，亦可變更處理單元。具體地進行說明。圖15中，2個顯影處理層3B、3C分別具備4個曝光後烘烤處理部PEB作為相鄰處理單元AD5。關於此點，於圖17中，2個顯影處理層3B、3C亦可分別具備2個曝光後清洗單元SOAK以代替4個曝光後烘烤處理部PEB。於此情形時，亦可進行以下動作。第6基板搬送機構MHU6從傳遞區域58之基板載置部PS2取出基板W，並將該基板W直接搬送至2個顯影處理層3B、3C之一者之2個曝光後清洗單元SOAK中之一者。然後，2個顯影處理層3B、3C各自之基板搬送機構MHU3或基板搬送機構MHU6從曝光後清洗單元SOAK接收基板W，並將該基板W搬送至曝光後烘烤處理部PEB。
本發明並不限定於上述實施方式，能夠以如下方式變化實施。
(1)於上述實施例4中，傳遞區域58以傳遞區域58之曝光裝置EXP側之端收於2個顯影處理層3B、3C內側之方式配置。關於此點，傳遞區域58亦可如實施例1般，以傳遞區域58之曝光裝置EXP側之端突出於2個顯影處理層3B、3C外側之方式配置。該變化例之構成亦能夠獲得與實施例4之效果相同之效果。
參照圖18。第1處理區塊3具備從IF層3A之處理區域57穿過2個顯影處理層3B、3C於上下方向上延伸之搬送空間81、以及配置於搬送空間81之第6基板搬送機構MHU6。如圖18所示，2個顯影處理層3B、3C分別具備與搬送空間81相鄰配置之4個曝光後烘烤處理部PEB(相鄰處理單元AD4)。基板搬送機構MHU6從基板載置部PS2取出基板W，並將該基板W直接搬送至2個顯影處理層3B、3C之一者之4個曝光後烘烤處理部PEB中之任一者。
(2)於上述各實施例1、2中，第1處理區塊3具備IF層3A及2個顯影處理層3B、3C，第2處理區塊5具備2個塗佈處理層5A、5B。關於此點，2個顯影處理層3B、3C與2個塗佈處理層5A、5B之配置亦可顛倒。即，亦可為，第1處理區塊3具備IF層3A及2個塗佈處理層5A、5B，第2處理區塊5具備2個顯影處理層3B、3C。
(3)於上述各實施例及各變化例中，第1處理區塊3具備2個顯影處理層3B、3C。關於此點，第1處理區塊3亦可具備1個或3個以上之顯影處理層。又，第2處理區塊5亦可具備3個以上之塗佈處理層。為了將載體緩衝器裝置8搭載於第2處理區塊5，塗佈處理層之個數較佳為顯影處理層之個數以下。為使並行處理保持良好之平衡性，塗佈處理層之個數更佳為與顯影處理層之個數相同。
本發明可於不脫離其思想或本質之情況下以其他具體之形式加以實施，因此，並不由以上說明來表示發明範圍，而應參照所附加之申請專利範圍來表示發明範圍。
1:基板處理裝置 2:傳載區塊(ID區塊) 3:第1處理區塊 3A:傳遞層(IF層) 3B, 3C:顯影處理層 5:第2處理區塊 5A, 5B:塗佈處理層 8:載體緩衝器裝置 9:控制部 10:操作部 11:開啟器 12:開啟器 13:開啟器 14:開啟器 16:載置台 18:開口部 21, 41:機械手 21A:基礎部分 21B:前端部分 21C:前端部分 23:進退驅動部 25:升降旋轉驅動部 25A:支柱部 25B:旋轉部 27A:吸附部 27B:吸附部 27C:吸附部 36:液體處理單元 37:熱處理單元 39:搬送空間 41:機械手 43:進退驅動部 45:旋轉驅動部 47:第1移動機構 48:第2移動機構 51:保持旋轉部 52:噴嘴 53:噴嘴移動機構 55:平板 55A:平板 57:處理區域 58:傳遞區域 60A:基板搬入口 60B:基板搬入口 60C:基板搬入口 60D:基板搬入口 60E:基板搬入口 61:載體搬送機構 63:載體保管架 65:多關節臂 66:多關節臂 67:抓持部 68:抓持部 69:升降驅動部 70A:支持部 70B:長邊部 77:軌道 81:搬送空間 AD1:相鄰處理單元 AD2:相鄰處理單元 AD3:相鄰處理單元 AD4:相鄰處理單元 AD5:相鄰處理單元 AR1:箭頭 AX1:鉛直軸 AX3:鉛直軸 BF:基板緩衝器 BU1~BU4:緩衝部 BSS:背面清洗單元 C:載體 CP:冷卻部 EEW:邊緣曝光部 EXP:曝光裝置 LSCM1:檢查部 LSCM2:檢查部 MHU1~MHU6:基板搬送機構 PAB:加熱處理部 PB:後烘烤部 P-CP:載置兼冷卻部 PEB:曝光後烘烤處理部 PS1:基板載置部 PS2:基板載置部 SOAK:曝光後清洗單元 W:基板
圖示了目前認為恰當之幾個形態來對發明進行說明，但希望理解的是，發明並不限定於所圖示之構成及對策。 圖1係表示實施例1之基板處理裝置之縱剖視圖。 圖2係以橫剖視圖表示上層及中間層之顯影處理層之基板處理裝置之俯視圖。 圖3係表示傳載區塊之基板搬送機構之圖。 圖4係2個機械手及進退驅動部之俯視圖。 圖5係表示下層之傳遞層、以及中層及下層之塗佈處理層之橫剖視圖。 圖6係從右側觀察基板處理裝置所得之側視圖。 圖7係從左側觀察基板處理裝置所得之側視圖。 圖8A、圖8B係用以說明具有2個基板搬入口之熱處理單元之構成的圖。 圖9係表示實施例1之基板處理裝置之處理工序之一例的流程圖。 圖10係表示實施例2之基板處理裝置之處理工序之一例的流程圖。 圖11係表示實施例3之基板處理裝置之縱剖視圖。 圖12A、圖12B係表示實施例3之傳遞層之構成及動作之橫剖視圖。 圖13係表示實施例4之傳遞層之橫剖視圖。 圖14係表示實施例4之上層及中間層之顯影處理層之橫剖視圖。 圖15係從實施例4之基板處理裝置之左側觀察所得之側視圖。 圖16A、圖16B係用以說明實施例4之效果之圖。 圖17係從變化例之基板處理裝置之左側觀察所得之側視圖。 圖18係從變化例之基板處理裝置之左側觀察所得之側視圖。
1:基板處理裝置
2:傳載區塊(ID區塊)
3:第1處理區塊
3A:傳遞層(IF層)
3B,3C:顯影處理層
5:第2處理區塊
5A,5B:塗佈處理層
8:載體緩衝器裝置
9:控制部
10:操作部
11:開啟器
12:開啟器
13:開啟器
14:開啟器
16:載置台
18:開口部
21:機械手
23:進退驅動部
25:升降旋轉驅動部
41:機械手
43:進退驅動部
45:旋轉驅動部
47:第1移動機構
48:第2移動機構
57:處理區域
58:傳遞區域
61:載體搬送機構
69:升降驅動部
70A:支持部
70B:長邊部
AR1:箭頭
AX1:鉛直軸
AX3:鉛直軸
BF:基板緩衝器
BU1~BU4:緩衝部
C:載體
EXP:曝光裝置
MHU1~MHU5:基板搬送機構
P-CP:載置兼冷卻部
PS1:基板載置部
W:基板

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備： 傳載區塊，其設置有載體載置台，用以載置可收納基板之載體，且該傳載區塊具有基板緩衝器及傳載機構，該基板緩衝器具有載置基板之複數個緩衝部，該傳載機構搬送基板； 第1處理區塊，其具有相對於外部裝置搬入及搬出基板之傳遞層、及配置於上述傳遞層上側或下側之第1處理層；以及 第2處理區塊，其具有配置於上下方向之複數個第2處理層；且 上述第1處理區塊、上述傳載區塊及上述第2處理區塊依次於水平方向連結， 上述傳載機構於載置在上述載體載置台上之上述載體與上述基板緩衝器之間搬送基板， 上述傳載機構將基板從上述基板緩衝器之位於特定高度位置之緩衝部朝上述基板緩衝器之位於其他高度位置之緩衝部搬送， 上述複數個第2處理層各自相對於上述基板緩衝器中之位於與上述複數個第2處理層各者對應之高度位置之緩衝部，進行基板接收及交遞， 上述傳遞層相對於上述基板緩衝器中之位於與上述傳遞層對應之高度位置之緩衝部，至少進行基板接收， 上述第1處理層相對於上述基板緩衝器中之位於與上述第1處理層對應之高度位置之緩衝部，至少進行基板交遞。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第1處理層為顯影處理層， 上述第2處理層為塗佈處理層， 上述外部裝置為曝光裝置。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中 上述傳遞層具備：連結於上述傳載區塊之處理區域、及 與上述處理區域連結之傳遞區域， 上述處理區域具備：曝光關聯處理單元，其對塗佈處理後且顯影處理前之基板進行特定處理；及搬送機構，其於與上述傳載區塊之上述基板緩衝器、上述曝光關聯處理單元及上述傳遞區域之間搬送基板； 上述傳遞區域具備於上述曝光裝置與上述處理區域之間搬送基板之曝光裝置用搬送機構。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中 上述傳遞區域以上述傳遞區域之上述曝光裝置側之端突出於上述第1處理層外側之方式配置。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中 上述傳遞區域以上述傳遞區域之上述曝光裝置側之端收於上述第1處理層內側之方式配置。
  6. 如請求項3至5中任一項之基板處理裝置，其中 上述傳遞區域具備載置基板之基板載置部， 上述第1處理區塊具備從上述傳遞層之上述處理區域穿過上述第1處理層於上下方向延伸之搬送空間、以及配置於上述搬送空間之層間搬送機構， 上述第1處理層具備與上述搬送空間相鄰配置之相鄰處理單元， 上述層間搬送機構從上述傳遞區域之上述基板載置部接收基板，且將該基板直接搬送至上述第1處理層之上述相鄰處理單元。
  7. 如請求項3至5中任一項之基板處理裝置，其中 上述處理區域具備相鄰處理單元，該相鄰處理單元為上述曝光關聯處理單元，且與上述傳遞區域相鄰配置， 上述曝光裝置用搬送機構將經曝光處理後之基板直接搬送至上述處理區域之上述相鄰處理單元。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其進而具備： 載體保管架，其保管上述載體；及 載體搬送機構，其於上述載體載置台與上述載體保管架之間搬送上述載體； 上述第2處理區塊之高度較上述第1處理區塊之高度低， 上述載體保管架及上述載體搬送機構搭載於上述第2處理區塊上。
  9. 一種基板搬送方法，其係基板處理裝置之基板搬送方法，該基板處理裝置具備： 傳載區塊，其設置有載體載置台，用以載置可收納基板之載體，且該傳載區塊具有基板緩衝器及傳載機構，該基板緩衝器具有載置基板之複數個緩衝部，該傳載機構搬送基板； 第1處理區塊，其具有第1處理層；及 第2處理區塊，其具有配置於上下方向之複數個第2處理層； 上述第1處理區塊、上述傳載區塊及上述第2處理區塊依次於水平方向連結；該基板搬送方法之特徵在於具備如下工序： 藉由上述傳載機構，於載置在上述載體載置台上之上述載體與上述基板緩衝器之間搬送基板； 藉由上述傳載機構，將基板從上述基板緩衝器之位於特定高度位置之緩衝部，朝上述基板緩衝器之位於其他高度位置之緩衝部搬送； 藉由上述複數個第2處理層之各者，相對於上述基板緩衝器中之位於與上述複數個第2處理層各者對應之高度位置之緩衝部，進行基板接收及交遞； 藉由配置於上述第1處理層上側或下側之傳遞層，相對於上述基板緩衝器中之位於與上述傳遞層對應之高度位置之緩衝部，至少進行基板接收； 藉由上述第1處理層，相對於上述基板緩衝器中之位於與上述第1處理層對應之高度位置之緩衝部，至少進行基板交遞；及 藉由上述傳遞層，相對於外部裝置進行基板搬入及搬出。
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