CN112820740A - 显示面板、阵列基板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板、阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板、薄膜晶体管层、绝缘纳米颗粒层以及有机聚合物层。薄膜晶体管层设于基板上；绝缘纳米颗粒层设于基板上且覆盖薄膜晶体管层；有机聚合物层层叠设置于绝缘纳米颗粒层远离薄膜晶体管层的一侧，且覆盖绝缘纳米颗粒层。本申请通过在所述薄膜晶体管层上形成层叠设置的绝缘纳米颗粒层和有机聚合物层，有利于提升整个阵列基板的致密性能，有效阻隔外界的水氧入侵，并有利于提高显示面板的使用寿命。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、阵列基板及其制备方法。
背景技术
通常，电子用品(例如监视器、TV、膝上型计算机和数码相机)包括用于实现图像的显示面板。例如，显示面板可以包括液晶显示面板和/或有机发光显示面板。
一般来说，显示面板包括阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板。所述阵列基板包括基板以及设于所述基板上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层具有多个薄膜晶体管。为了提升薄膜晶体管的器件性能，会在所述薄膜晶体管层外部设置封装结构，该封装结构通常为无机层(如SiO2)，对所述薄膜晶体管进行简单的保护。然而，由于该封装结构过于简单，一旦受到机械冲击或者反复的水氧侵蚀很容易就会破坏，进而损坏所述薄膜晶体管，影响所述阵列基板的良率。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种显示面板、阵列基板及其制备方法，以解决现有薄膜晶体管层阻隔水氧能力较差的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括：基板；薄膜晶体管层，设于所述基板上；绝缘纳米颗粒层，设于所述基板上且覆盖所述薄膜晶体管层；以及有机聚合物层，层叠设置于所述绝缘纳米颗粒层远离所述薄膜晶体管层的一侧，且覆盖所述绝缘纳米颗粒层。
进一步地，所述绝缘纳米颗粒层与所述有机聚合物层之间形成有化学键。
进一步地，所述有机聚合物层所用材料为聚苯乙烯衍生物，所述聚苯乙烯衍生物包括聚苯乙烯主链结构以及连接于所述聚苯乙烯主链结构的一羧基结构，所述绝缘纳米颗粒层为氧化物纳米颗粒，所述羧基结构与所述氧化物纳米颗粒之间形成氢键。
进一步地，所述阵列基板还包括：一无机层，设于所述薄膜晶体管层的一侧。
进一步地，所述绝缘纳米颗粒层与所述无机层所用材料相同。
进一步地，所述绝缘纳米颗粒层和所述无机层所用材料均为SiO2，所述绝缘纳米颗粒层中的SiO2纳米颗粒与所述无机层中的SiO2形成硅氧键。
进一步地，所述绝缘纳米颗粒层与所述无机层所用材料均为氧化硅或者沸石；和/或所述绝缘纳米颗粒层的纳米颗粒尺寸为20nm-80nm。
为实现上述目的，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：提供一基板；形成一薄膜晶体管层于所述基板上；提供一混合溶液，获取以下组分：绝缘纳米颗粒、有机聚合物以及溶剂；涂布所述混合溶液于所述基板和所述薄膜晶体管层上，形成未固化的混合膜层；对所述未固化的混合膜层进行加热退火处理，形成固化的绝缘纳米颗粒层以及有机聚合物层，所述绝缘纳米颗粒层设于所述基板上且覆盖所述薄膜晶体管层，所述有机聚合物层层叠设置于所述绝缘纳米颗粒层远离所述薄膜晶体管层的一侧，且覆盖所述绝缘纳米颗粒层。
进一步地，对所述未固化的混合膜层进行加热退火处理的步骤包括：加热所述未固化的混合膜层至熔融状态，并冷却所述熔融状态的混合膜层以形成层状相分离保护层，所述层状相分离保护层包括绝缘纳米颗粒层以及有机聚合物层。
进一步地，所述有机聚合物层所用材料为聚苯乙烯衍生物，所述聚苯乙烯衍生物包括聚苯乙烯主链结构以及连接于所述聚苯乙烯主链结构的一羧基结构，所述绝缘纳米颗粒层为氧化物纳米颗粒；所述冷却所述熔融状态的混合膜层以形成层状相分离保护层的步骤包括：在所述羧基结构与所述氧化物纳米颗粒之间形成氢键。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板，包括：前文所述的阵列基板；以及彩膜基板，与所述阵列基板相对设置。
本发明的技术效果在于，提供一种显示面板、阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板、薄膜晶体管层、绝缘纳米颗粒层以及有机聚合物层。薄膜晶体管层设于基板上；绝缘纳米颗粒层设于基板上且覆盖薄膜晶体管层；有机聚合物层层叠设置于绝缘纳米颗粒层远离薄膜晶体管层的一侧，且覆盖绝缘纳米颗粒层。本申请通过在所述薄膜晶体管层上形成层叠设置的绝缘纳米颗粒层和有机聚合物层，有利于提升整个阵列基板的致密性能，有效阻隔外界的水氧入侵，并有利于提高显示面板的使用寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图；
图3为本申请实施例提供的层状相分离保护层形成的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
附图部件标识如下：
100阵列基板； 10基板；
20薄膜晶体管层； 30层状相分离保护层；
301绝缘纳米颗粒层； 302有机聚合物层；
40无机层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
如图1所示，图1为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
本实施例提供一种阵列基板100，包括基板10、薄膜晶体管层20、无机层40以及层状相分离保护层30。
所述基板10可以为玻璃基板、PI基板或者陶瓷基板等。
所述薄膜晶体管层20设于所述基板10上。所述薄膜晶体管层20包括有源层、栅极绝缘层、栅极层、钝化层以及源漏极层。其中，所述栅极层设于所述基板上；所述栅极绝缘层设于所述栅极层和所述基板上，且包覆所述栅极层；所述有源层设于所述栅极绝缘层上且正对于所述栅极层；所述钝化层设于所述有源层和所述栅极绝缘层上且包覆所述栅极绝缘层；所述源漏极层贯穿所述钝化层和所述栅极绝缘层连接至所述有源层的上表面。
一无机层40设于所述薄膜晶体管层20上，且包覆所述薄膜晶体管层20。具体的，所述无机层40设于所述源漏极层和所述钝化层上，用于保护薄膜晶体管，避免薄膜晶体管被水氧侵蚀，其可以作为保护所述薄膜晶体管层20的第二钝化层、平坦层，只要该膜层采用无机材料即可，在此不做特别的限定。
所述层状相分离保护层30设于所述薄膜晶体管层20上。其中，所述层状相分离保护层30包括层叠设置的绝缘纳米颗粒层301和有机聚合物层302。
具体的，所述绝缘纳米颗粒层301设于所述基板10上且覆盖所述薄膜晶体管层20，换句话来说，所述绝缘纳米颗粒层301紧密地贴附并包裹设于所述薄膜晶体管层20外侧的无机层40，使得该无机层40与所述绝缘纳米颗粒层301紧密贴合。
在本实施例中，所述绝缘纳米颗粒层301与所述无机层40所用材料相同，所述绝缘纳米颗粒层301与所述无机层40所用材料均为氧化硅(例如SiO2等)或者沸石,所述绝缘纳米颗粒层301的纳米颗粒尺寸为20nm-80nm。
当所述绝缘纳米颗粒层和所述无机层40所用材料均为SiO2时，所述绝缘纳米颗粒层中的SiO2纳米颗粒与所述无机层40中的SiO2形成硅氧键，有利于提升膜层间的致密性。
或者，在其他实施例中，当所述绝缘纳米颗粒层和所述无机层所用材料为其他种类的原料时，还可以在所述绝缘纳米颗粒层和所述无机层之间形成其他种类的化学键，以提升膜层间的致密性。
所述有机聚合物层302层叠设置于所述绝缘纳米颗粒层301远离所述薄膜晶体管层20的一侧，且覆盖所述绝缘纳米颗粒层301。所述绝缘纳米颗粒层301与所述有机聚合物层302之间形成有化学键，可以提升所述绝缘纳米颗粒层301和所述有机聚合物层302之间的致密性，进而有利于提升所述阵列基板100的阻隔水氧的性能。
在本实施例中，所述有机聚合物层302所用材料为聚苯乙烯衍生物，所述聚苯乙烯衍生物包括聚苯乙烯主链结构以及连接于所述聚苯乙烯主链结构的一羧基结构，所述绝缘纳米颗粒层为氧化物纳米颗粒(如SiO2等含氧化合物)，如此，可以在所述羧基结构与所述氧化物纳米颗粒之间形成氢键。
可选地，所述聚苯乙烯衍生物的分子量控制在10000以上，并且其至少一末端接有一个羧基结构，可以用以增强所述绝缘纳米颗粒层301和所述有机聚合物层302之间的相互作用强度。
或者，在其他可选地实施例中，有机聚合物层302还可以采用其他种类的聚合物，绝缘纳米颗粒层301同样也可以采用其他种类的化合物，只要能够在有机聚合物层302和绝缘纳米颗粒层301之间形成化学键即可，本申请对化学键的种类不做具体限定。
需要强调的是，所述层状相分离保护层30是在热力学控制下利用相分离方法获得的致密的双功能层状相，即叠层设置的绝缘纳米颗粒层301和有机聚合物层302，由于其相分离是热力学控制的结果，并且通过辅助的化学修饰手段的加入，可以在所述薄膜晶体管层20外形成具有更加稳定的封装结构。由于形成的所述层状相分离保护层30结构最终处于热力学的稳定状态下，因此所述薄膜晶体管层20非常稳定且不易被破坏，保证了薄膜晶体管器件的稳定性，提升了所述阵列基板的100的隔绝水氧的性能。
本实施例提供一种阵列基板100，其包括所述薄膜晶体管层20和所述层状相分离保护层30，所述层状相分离保护层30包括所述绝缘纳米颗粒层301和所述有机聚合物层302，所述绝缘纳米颗粒层301与所述薄膜晶体管层20外侧的无机层40形成硅氧键，使得所述绝缘纳米颗粒层301与所述无机层40紧密地贴合在一起，所述绝缘纳米颗粒层301还与所述有机聚合物层302形成氢键，使得所述绝缘纳米颗粒层301与所述有机聚合物层302紧密地贴合在一起，进而使得所述薄膜晶体管层20和所述层状相分离保护层30层层紧密接触，有利于提升整个所述阵列基板100封装结构的致密性能，有效阻隔外界的水氧入侵。
如图2所示，图2为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图。
本实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤S1)-S5)。
S1)提供一基板。
如图1所示，所述基板10可以为玻璃基板、PI基板或者陶瓷基板等
S2)形成一薄膜晶体管层于所述基板上。
具体的，如图1所示，所述薄膜晶体管层20包括有源层、栅极绝缘层、栅极层、钝化层以及源漏极层。其中，所述栅极层设于所述基板上；所述栅极绝缘层设于所述栅极层和所述基板上，且包覆所述栅极层；所述有源层设于所述栅极绝缘层上且正对于所述栅极层；所述钝化层设于所述有源层和所述栅极绝缘层上且包覆所述栅极绝缘层；所述源漏极层贯穿所述钝化层和所述栅极绝缘层连接至所述有源层的上表面。
一无机层40设于所述薄膜晶体管层20上。具体的，所述无机层40设于所述源漏极层和所述钝化层上，用于保护薄膜晶体管，避免薄膜晶体管被水氧侵蚀，其可以作为保护所述薄膜晶体管层20的第二钝化层、平坦层，只要该膜层采用无机材料即可，在此不做特别的限定。
S3)提供一混合溶液，获取以下组分：绝缘纳米颗粒、有机聚合物以及溶剂。
具体的，按照体积比为(0.9-1.1):(0.9-1.1):(0.7-1.2)获取以下组分绝缘纳米颗粒、有机聚合物以及溶剂。优选地，绝缘纳米颗粒：有机聚合物：溶剂的体积比为1:1:1。其中，所述绝缘纳米颗粒为氧化物纳米颗粒，其包括氧化硅(例如SiO2)或者沸石，所述绝缘纳米颗粒的尺寸为20nm-80nm，所述有机聚合物为聚苯乙烯衍生物，所述溶剂包括正己烷和/或二氯甲烷。
S4)涂布所述混合溶液于所述基板和所述薄膜晶体管层上，形成未固化的混合膜层。
S5)对所述未固化的混合膜层进行加热退火处理，形成固化的绝缘纳米颗粒层以及有机聚合物层，所述绝缘纳米颗粒层设于所述基板上且覆盖所述薄膜晶体管层，所述有机聚合物层层叠设置于所述绝缘纳米颗粒层远离所述薄膜晶体管层的一侧，且覆盖所述绝缘纳米颗粒层。
具体的，所述有机聚合物层所用材料为聚苯乙烯衍生物，所述聚苯乙烯衍生物包括聚苯乙烯主链结构以及连接于所述聚苯乙烯主链结构的一羧基结构，所述绝缘纳米颗粒层为氧化物纳米颗粒；加热所述未固化的混合膜层至熔融状态，并冷却所述熔融状态的混合膜层以在所述羧基结构与所述氧化物纳米颗粒之间形成氢键。
在加热退火处理的过程中，所述聚苯乙烯衍生物包括聚苯乙烯主链结构以及连接于所述聚苯乙烯主链结构上(例如所述聚苯乙烯主链结构末端)的羧基结构，当将所述聚苯乙烯衍生物加热至98℃-110℃时，所述羧基结构与所述绝缘纳米颗粒层之间形成氢键。当加热退火的温度大于或等于180℃时，所述溶剂挥发，所述层状相分离保护层形成两层层叠设置的绝缘纳米颗粒层和有机聚合物层。
需要说明的是，上述提到的“加热退火处理”过程，其实是将一个无序的未固化的混合膜层(包含绝缘纳米颗粒和有机聚合物)中的每一组分动起来，即所述绝缘纳米颗粒层中的SiO2颗粒和所述有机聚合物层的所述聚苯乙烯衍生物的高分子链动起来，从而进行重组，组分中的SiO2颗粒可能不好动，但是可以让所述聚苯乙烯衍生物的高分子链动起来进一步诱导形成层状相，而让所述聚苯乙烯衍生物的高分子链动起来只需要加热到熔融温度(melting temperature)以上即可。
在本实施例中，所述聚苯乙烯衍生物的熔融温度为100℃。因此，当所述聚苯乙烯衍生物的熔融温度为100℃以上时，可以使所述聚苯乙烯衍生物的高分子链发生重组。所述聚苯乙烯衍生物的分子量控制在10000以上，并且其末端接有一个羧基，用以增强所述绝缘纳米颗粒与所述聚苯乙烯衍生物之间的相互作用强度。
如图3所示，图3为本申请实施例提供的层状相分离保护层形成的结构示意图。
在加热退火之后，结合图1所示，所述聚苯乙烯衍生物形成致密性的所述有机聚合物层302，所述有机聚合物层302形成了非常好的疏水保护层，起到了良好的阻隔水氧的效果。由于所述聚苯乙烯衍生物末端的羧基(-COOH)会和所述绝缘纳米颗粒层301中氧化纳米颗粒(如SiO2)中的氧之间形成氢键，增加了所述有机聚合物层302和所述绝缘纳米颗粒层301的结合强度。所述绝缘纳米颗粒层301自身形成有丰富的硅氧键(Si-O)会相互紧密的排列在一起，在经过加热退火后会紧密的排列成规整的一层，并与所述薄膜晶体管层20最外层的无机层40紧密接触，形成的硅氧键(Si-O)，进一步紧密的附着在所述薄膜晶体管层20最外层的无机层40上，使得所述薄膜晶体管层20的封装结构层层紧密相连，具有良好的致密性能，进而提升所述阵列基板100的阻隔水氧的性能。
具体的，如图1所示，所述绝缘纳米颗粒层301设于所述基板10上且覆盖所述薄膜晶体管层20，换句话来说，所述绝缘纳米颗粒层301紧密地贴附并包裹所述薄膜晶体管层20最外层的无机层40，使得该无机层40与所述绝缘纳米颗粒层301紧密贴合。
在本实施例中，所述绝缘纳米颗粒层301与所述无机层40所用材料相同，所述绝缘纳米颗粒层301与所述无机层40所用材料均为氧化硅(例如SiO2)或者沸石。当所述绝缘纳米颗粒层和所述无机层40所用材料均为SiO2时，所述绝缘纳米颗粒层中的SiO2纳米颗粒与所述无机层40中的SiO2形成硅氧键，有利于提升膜层间的致密性。
在本实施例中，所述有机聚合物层302所用材料为聚苯乙烯衍生物，当所述聚苯乙烯衍生物达到熔融温度时，所述聚苯乙烯衍生物的高分子链诱导形成层状相，所述绝缘纳米颗粒层301中的所述氧化物纳米颗粒(如SiO2)与所述聚苯乙烯衍生物中的羧基形成氢键，使得所述绝缘纳米颗粒层与所述有机聚合物层紧密地贴合在一起。所述聚苯乙烯衍生物的分子量控制在10000以上，并且其至少一末端接有一个羧基结构，可以用以增强所述绝缘纳米颗粒层301和所述有机聚合物层302之间的相互作用强度。
需要强调的是，所述层状相分离保护层30是在热力学控制下利用相分离方法获得的致密的双功能层状相，即叠层设置的绝缘纳米颗粒层301和有机聚合物层302，由于其相分离是热力学控制的结果，并且通过辅助的化学修饰手段的加入，可以使得所述薄膜晶体管层20具有更加稳定的结构。由于形成的所述层状相分离保护层30结构最终处于热力学的稳定状态下，因此所述薄膜晶体管层20非常稳定且不易被破坏，保证了薄膜晶体管器件的稳定性，提升了所述阵列基板的100的隔绝水氧的性能。
总的来说，在制备层状相分离保护层30的过程中，引入的氧化物纳米颗粒(如SiO2)，一方面是为了进一步补偿所述薄膜晶体管层20外侧的无机层40(如SiO2等)引起器件阻隔水氧差的技术问题，当所述氧化物纳米颗粒与有机聚合物经过了共混、加热退火形成所述层状相分离保护层30时，增加了所述氧化物纳米颗粒与有机聚合物之间的结合强度，提高膜层间的致密性；另一方面，所述氧化物纳米颗粒自身形成有丰富的硅氧键(Si-O)会相互紧密的排列在一起，在经过加热退火后会紧密的排列成规整的一层，并与所述薄膜晶体管层20外侧的无机层40紧密接触，形成的硅氧键(Si-O)，进一步地附着在所述薄膜晶体管层20上，进而使得所述薄膜晶体管层20和所述层状相分离保护层30层层紧密接触，有利于提升整个所述阵列基板100封装结构的致密性能，进而有效阻隔外界的水氧入侵。
如图4所示，图4为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
本实施例还提供一种显示面板1000，包括前文所述的阵列基板100以及彩膜基板200，所述阵列基板100与所述彩膜基板200相对设置。
本发明的技术效果在于，提供一种显示面板、阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板、薄膜晶体管层、绝缘纳米颗粒层以及有机聚合物层。薄膜晶体管层设于基板上；绝缘纳米颗粒层设于基板上且覆盖薄膜晶体管层；有机聚合物层层叠设置于绝缘纳米颗粒层远离薄膜晶体管层的一侧，且覆盖绝缘纳米颗粒层。本申请通过在所述薄膜晶体管层上形成层叠设置的绝缘纳米颗粒层和有机聚合物层，有利于提升整个阵列基板的致密性能，有效阻隔外界的水氧入侵，并有利于提高显示面板的使用寿命。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、阵列基板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (11)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管层，设于所述基板上；
绝缘纳米颗粒层，设于所述基板上且覆盖所述薄膜晶体管层；以及
有机聚合物层，层叠设置于所述绝缘纳米颗粒层远离所述薄膜晶体管层的一侧，且覆盖所述绝缘纳米颗粒层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述绝缘纳米颗粒层与所述有机聚合物层之间形成有化学键。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述有机聚合物层所用材料为聚苯乙烯衍生物，所述聚苯乙烯衍生物包括聚苯乙烯主链结构以及连接于所述聚苯乙烯主链结构的一羧基结构，所述绝缘纳米颗粒层为氧化物纳米颗粒，所述羧基结构与所述氧化物纳米颗粒之间形成氢键。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
一无机层，设于所述薄膜晶体管层背离所述绝缘纳米颗粒层的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述绝缘纳米颗粒层与所述无机层所用材料相同。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
所述绝缘纳米颗粒层和所述无机层所用材料均为SiO2，所述绝缘纳米颗粒层中的SiO2纳米颗粒与所述无机层中的SiO2形成硅氧键。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，
所述绝缘纳米颗粒层与所述无机层所用材料均为氧化硅或者沸石；和/或
所述绝缘纳米颗粒层的纳米颗粒尺寸为20nm-80nm。
8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一基板；
形成一薄膜晶体管层于所述基板上；
提供一混合溶液，获取以下组分：绝缘纳米颗粒、有机聚合物以及溶剂；
涂布所述混合溶液于所述基板和所述薄膜晶体管层上，形成未固化的混合膜层；
对所述未固化的混合膜层进行加热退火处理，形成固化的绝缘纳米颗粒层以及有机聚合物层，所述绝缘纳米颗粒层设于所述基板上且覆盖所述薄膜晶体管层，所述有机聚合物层层叠设置于所述绝缘纳米颗粒层远离所述薄膜晶体管层的一侧，且覆盖所述绝缘纳米颗粒层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述未固化的混合膜层进行加热退火处理的步骤包括：加热所述未固化的混合膜层至熔融状态，并冷却所述熔融状态的混合膜层以形成层状相分离保护层，所述层状相分离保护层包括绝缘纳米颗粒层以及有机聚合物层。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有机聚合物层所用材料为聚苯乙烯衍生物，所述聚苯乙烯衍生物包括聚苯乙烯主链结构以及连接于所述聚苯乙烯主链结构的一羧基结构，所述绝缘纳米颗粒层为氧化物纳米颗粒；
所述冷却所述熔融状态的混合膜层以形成层状相分离保护层的步骤包括：在所述羧基结构与所述氧化物纳米颗粒之间形成氢键。
11.一种显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求1-7中任一项所述的阵列基板；以及
彩膜基板，与所述阵列基板相对设置。
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