CN101971235A - 显示装置用基板、其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够实现配线的微细加工、连接不良的抑制、显示装置可靠性的提高的显示装置用基板、其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板。本发明是在绝缘基板(21)上具备设有用于连接其它外部连接部件(70)的连接端子(26)的端子部和设有外围电路(29)的外围电路区域中的至少一方的显示装置用基板，上述显示装置用基板是具有在有机绝缘膜(51a)的正上方层叠有无机绝缘膜(41a)的有机/无机膜层叠体的显示装置用基板。

Description

显示装置用基板、其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板
技术领域
本发明涉及一种显示装置用基板、其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板。更详细地说，涉及优选用于具备设有用于进行FPC连接等的连接端子的端子部，并且具有多层配线构造，即在边框区域的端子部的下层侧、外围电路、像素区域内的电路等中引绕多层构造的配线由此来提高集成度，并且能够实现面板的窄边框化、像素存储器等的液晶显示面板、有机EL面板的显示装置用基板、其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板。
背景技术
近年来，在安装液晶显示装置、有机电致发光显示装置(有机EL显示器)等的便携式电话、PDA等便携式电子设备中，要求更进一步的小型化和轻量化。与此相伴，存在逐渐实现显示区域外围的小型化、即窄边框化的倾向，正在积极地进行着开发。另外，因为实现了薄型化、成本削减等，所以具备在基板上制作驱动器电路等驱动所需的外围电路的全单片型的显示装置用基板的显示装置有增加的倾向。
图7是以往的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示外围电路区域。如图7的(a)所示，以往的液晶显示装置600具有在端子部中通过ACF 180连接作为显示装置用基板的TFT基板111和FPC基板170的构造。
如图7的(a)所示，TFT基板111具有如下构造：在端子部中，在绝缘基板121上从绝缘基板121侧按照顺序层叠有底涂膜122、栅极绝缘膜124、栅极电极125、发挥层间绝缘膜的功能的无机绝缘膜141、由第一配线层161构成的连接端子(外部连接端子)126、发挥保护膜的功能的有机绝缘膜151a。另外，在连接端子126的端部设有焊盘部127。
另外，如图7的(b)所示，TFT基板111具有如下构造：在外围电路区域中，在绝缘基板121上从绝缘基板121侧按照顺序层叠有底涂膜122、半导体层123、栅极绝缘膜124、栅极电极125、发挥层间绝缘膜的功能的无机绝缘膜141、由第一配线层161构成的源极/漏极电极128和引绕配线130a、发挥层间绝缘膜的功能的有机绝缘膜151a、由第二配线层162构成的引绕配线130b、发挥保护膜的功能的有机绝缘膜151。
这样，提出如下技术：通过将平坦性优良的有机绝缘膜151a用作平坦化膜，减轻下层侧的第一配线层161、TFT 129的台阶，使得即使引绕上层侧的第二配线层162，第二配线层162也不会发生短路。
此外，关于以往的显示装置公开了如下方式(例如参照专利文献1。)：将用于面板内部、即像素区域(显示区域)的配线的铝膜，在面板内部连接到位于比铝膜更下层侧的金属膜，使用该金属膜向面板外部延伸。
另外，在半导体装置领域中，作为用于抑制层间绝缘膜的贯通孔开口部的侧面在O2等离子体处理时受损伤而吸湿性增大、另外去掉下层的第一配线和上层的第二配线之间的接触不良、并且去掉由台阶引起的第二配线的电迁移的技术，公开了包括如下工序的多层配线的形成方法(例如参照专利文献2。)：在绝缘膜上形成贯通孔之后，在剥离抗蚀剂之前，用有机膜填埋贯通孔部，进行O2等离子体处理，接着用抗蚀剂剥离液进行处理，与抗蚀剂一起除去填埋的有机膜。
专利文献1：日本特开平3-58019号公报
专利文献2：日本特开平3-183756号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，如图7的(b)所示，作为在有机绝缘膜151a中形成接触孔(通路孔)131c的方法，当不采用利用无需抗蚀剂掩模的感光性蚀刻的方法而是采用利用微细加工精度高的干蚀刻等的抗蚀剂掩模的方法时，抗蚀剂掩模和有机绝缘膜151a两者都是有机膜，两者的选择比是相同程度的，因此在抗蚀剂掩模的灰化(剥离)工序中，不获取抗蚀剂掩模和有机绝缘膜151a的选择比就不能成功进行蚀刻。具体地说，当抗蚀剂掩模的灰化时，存在到有机绝缘膜151a为止都被灰化除去的情况。另外，例如即使能够仅灰化抗蚀剂掩模，有机绝缘膜151a也将受到由灰化引起的损坏，形成在有机绝缘膜151a上的第二配线层162的堆积变得不充分，存在第一配线层161与第二配线层162之间产生连接不良的情况。因此在以往，有机绝缘膜151a是使用感光性树脂来形成的，并且不使用抗蚀剂掩模来形成接触孔131c，另外有机绝缘膜151a正上方的第二配线层162是使用湿工艺来形成图案的。这样，在以往的技术中，能够进行配线的微细加工、并且抑制上层与下层的配线之间产生连接不良，这点还有改善的余地。另外，在代替有机绝缘膜151a而使用无机系的平坦化膜的情况下，也存在同样的问题。
另外，在液晶显示面板等具备外部连接端子的面板中，作为显示装置特有的问题，如图7的(a)所示，当最上层为有机绝缘膜151a时，在连接面板和FPC基板170的工序中产生需要进行返工的情况下，有机绝缘膜151a等有机膜的剥离强度、硬度等机械强度比无机膜低(易于受到外部压力导致的损伤)，因此由于有机绝缘膜151a的脱落或损伤，位于有机绝缘膜151a下层的配线将暴露，其结果，有时会产生由于水分等引起的腐蚀、由于脱落的有机绝缘膜151a的残渣引起的FPC基板170的连接不良，在可靠性方面存在改善的余地。此外，还研究了仅在端子部除去有机绝缘膜151a，将第一配线层161配置在最上层的情况，但是在这种情况下也仍然担心：由于来自外部的水分的影响，第一配线层161的可靠性会恶化。
本发明是鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供一种能够实现配线的微细加工、抑制连接不良、提高显示装置可靠性的显示装置用基板、其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板。
用于解决问题的方案
本发明的发明人对能够实现配线的微细加工、抑制连接不良、提高显示装置可靠性的显示装置用基板、其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板进行了种种研究，着眼于用作层间绝缘膜和平坦化膜的有机绝缘膜。并且，发现单独的有机绝缘膜的加工性能、机械强度比无机绝缘膜的差，并且还发现通过将有机绝缘膜与无机绝缘膜组合使用、更具体地说通过使用在有机绝缘膜的正上方层叠有无机绝缘膜的有机/无机膜层叠体，能够活用有机绝缘膜的平坦性、且提高加工性能和机械强度，由此想到能够很好地解决上述问题而完成了本发明。
即，本发明是一种显示装置用基板，其在绝缘基板上具备设有用于连接其它外部连接部件的连接端子的端子部和设有外围电路的外围电路区域中的至少一方，上述显示装置用基板具有在有机绝缘膜的正上方层叠有无机绝缘膜的有机/无机膜层叠体。
由此，能够利用机械强度优良的无机绝缘膜来保护有机绝缘膜。因此，通过将有机/无机膜层叠体配置在端子部，即使在连接显示装置用基板和其它电路基板、元件、例如FPC基板的工序中产生需要进行返工的情况下，也能够抑制有机绝缘膜的脱落、损伤。因此，位于有机绝缘膜的下层的配线层变暴露，能够抑制该配线层由于水分等而腐蚀。另外，还能够抑制由于脱落的有机绝缘膜的残渣而导致的端子与FPC等外部连接部件之间的连接不良。即，根据本发明的显示装置用基板，能够实现具有优良可靠性的液晶显示装置。
另外，能够将无机绝缘膜作为对抗蚀剂掩模的灰化的停止材料利用，因此作为在有机/无机膜层叠体中形成接触孔的方法，能够使用包括灰化工序的方法、即微细加工精度高的干蚀刻等利用抗蚀剂掩模的方法，能够微细且高精度地形成位于有机/无机膜层叠体的下层的配线、其中包括设在要求微细加工的外周电路区域的引绕配线等的配线。
并且，能够使有机绝缘膜难以受到由灰化引起的损坏，因此能够抑制在分别配置在有机/无机膜层叠体的上层与下层的配线之间产生连接不良。
此外，在本说明书中，上是指离绝缘基板远的方向，另一方面，下是指离绝缘基板近的方向。即，上层是指离绝缘基板远的层，另一方面，下层是指离绝缘基板近的层。
作为本发明的显示装置用基板的结构，在必须包括这种结构要素而形成的结构的范围内，也可以包括或者不包括其它结构要素，没有被特别地限定。下面详细说明本发明的显示装置用基板中的优选方式。此外，也可以适当组合下面所示的各种方式。
优选上述显示装置用基板具备上述端子部和上述外围电路区域。即，优选上述显示装置用基板在绝缘基板上具备设有用于连接其它外部连接部件的连接端子的端子部和设有外围电路的外围电路区域。由此，能够实现配线的微细加工和显示装置可靠性的提高。
此外，作为上述外部连接部件，只要是能够连接到使用上述显示装置用基板而构成的显示面板的电路基板、元件即可，没有特别限定，可举出FPC(Flexible Printed Circuits：挠性印刷电路)基板、TCP(Tape Carrier Package：带载封装)、COG(Chip on Glass：玻璃衬底芯片)、电阻元件、电容元件等，但是其中优选FPC基板。
优选上述显示装置用基板在上述端子部具有上述有机/无机膜层叠体。由此，能够如上所述地提高显示装置可靠性。
优选上述显示装置用基板在上述外围电路区域具有上述有机/无机膜层叠体。由此，能够如上所述地形成具备被微细加工了的配线的外围电路。
优选上述显示装置用基板具有多个上述有机/无机膜层叠体。由此，能够实现配线的多层化。
上述显示装置用基板也可以在上述端子部具有上述多个有机/无机膜层叠体，此时，上述显示装置用基板具有设在上述多个有机/无机膜层叠体的层间的多个配线层，优选上述连接端子包含除了上述多个配线层中位于最靠近绝缘基板侧(下层侧)的配线层之外的配线层而构成。由此，能够确保显示装置的可靠性且在连接端子的下面形成配线。
上述显示装置用基板具有设在上述多个有机/无机膜层叠体的层间的多个配线层，优选上述连接端子包含上述多个配线层中位于最上层侧的配线层而构成。由此，能够确保显示装置的可靠性且在连接端子的下面形成更多的配线。
另一方面，上述显示装置用基板也可以在上述端子部中具有在上述连接端子的正上方层叠有上述无机绝缘膜的区域，也可以在上述端子部中不设置上述有机绝缘膜。由此，能够特别地提高显示装置的机械可靠性。
此外，更具体地说，优选上述端子部是配置了用于连接本发明的显示装置用基板和其它外部连接部件(优选是电路基板)的导电材料(优选是ACF(anisotropic conductive film：各向异性导电膜)等各向异性导电材料)的区域。这样，优选上述无机绝缘膜覆盖有机绝缘膜使得有机绝缘膜至少不与上述导电材料接触。
优选上述显示装置用基板在上述外围电路区域具有上述多个有机/无机膜层叠体。由此，能够形成具备微细、且被多层化的配线的外围电路。另外，优选上述无机绝缘膜被设成在上述外围电路区域中覆盖上述有机绝缘膜中至少上层侧的面。并且，上述无机绝缘膜也可以在上述外围电路区域中被设成覆盖除了上述有机绝缘膜的开口部的壁面中至少下层侧的一部分之外的全部上述有机绝缘膜，也可以在上述外围电路区域中被设成覆盖包含上述有机绝缘膜的开口部的壁面的全部上述有机绝缘膜。
优选上述有机绝缘膜的开口部被比上述无机绝缘膜更上层的配线覆盖。由此，有机绝缘膜的开口部能够被上层的配线覆盖，并且有机绝缘膜的未被上层的配线覆盖的区域能够被无机绝缘膜覆盖，因此能够使有机绝缘膜免受由灰化、干蚀刻引起的损伤。其结果，能够抑制在分别配置在有机/无机膜层叠体的上层与下层的配线之间产生连接不良。
优选上述有机绝缘膜包含感光性树脂。由此，能够更有效地抑制配线产生连接不良。
本发明还是本发明的显示装置用基板的制造方法(下面也称作“本发明的第一显示装置用基板的制造方法”。)，上述制造方法包括：有机绝缘膜蚀刻工序，蚀刻包含上述感光性树脂的上述有机绝缘膜；无机绝缘膜成膜工序，在上述有机绝缘膜蚀刻工序之后，形成上述无机绝缘膜；以及无机绝缘膜蚀刻工序，在上述无机绝缘膜成膜工序之后，蚀刻上述无机绝缘膜。由此，能够抑制配线产生连接不良、且实现配线的微细加工。
本发明的第一显示装置用基板的制造方法在具有上述工序的范围内，不受其它工序的特别限定。下面详细说明本发明的第一显示装置用基板的制造方法中的优选方式。此外，也可以适当组合下面所示的各种方式。
优选在上述无机绝缘膜蚀刻工序中隔着第一抗蚀剂来干蚀刻上述无机绝缘膜。由此，能够更可靠地进行配线的微细加工。
优选上述无机绝缘膜蚀刻工序蚀刻除去与包含上述感光性树脂的上述有机绝缘膜的被蚀刻除去的区域相重叠的区域的上述无机绝缘膜。由此，能够形成微细的接触孔。
优选上述显示装置用基板的制造方法包括有机绝缘膜感光工序，在上述有机绝缘膜感光工序中，在上述有机绝缘膜蚀刻工序之前，隔着第一光掩模使上述有机绝缘膜感光。由此，能够更可靠地抑制配线产生连接不良的情况。这样，优选上述有机绝缘膜被感光和蚀刻(显像)、即感光蚀刻。
另外，在上述显示装置用基板的制造方法包括在上述有机绝缘膜蚀刻工序之前隔着第一光掩模来使上述有机绝缘膜感光的有机绝缘膜感光工序的情况下，优选上述显示装置用基板的制造方法包括：抗蚀剂成膜工序，在上述无机绝缘膜成膜工序之后，在上述无机绝缘膜上使第二抗蚀剂成膜；和抗蚀剂感光工序，在上述抗蚀剂成膜工序之后，隔着上述第一光掩模使该第二抗蚀剂感光。由此，在有机绝缘膜感光工序和抗蚀剂感光工序中能够使用共用的第一光掩模，因此能够削减一张制造工序中所需的光掩模，能够削减制造成本。另外，在使用不同的光掩模的情况下，由于不同的光掩模之间的已存在的错位，有机绝缘膜和无机绝缘膜各自的开口部的位置有时会产生错位，但是根据上述方式，能够抑制该有机绝缘膜以及无机绝缘膜各自的开口部产生位置错位。
本发明还是本发明的显示装置用基板的制造方法(下面也称作“本发明的第二显示装置用基板的制造方法”。)，上述制造方法包括：无机绝缘膜蚀刻工序，将抗蚀剂作为掩模，通过湿蚀刻来蚀刻上述无机绝缘膜；抗蚀剂除去工序，在上述无机绝缘膜蚀刻工序之后，除去上述抗蚀剂；以及有机绝缘膜蚀刻工序，在上述抗蚀剂除去工序之后，将上述无机绝缘膜作为掩模来蚀刻上述有机绝缘膜。这样，通过湿蚀刻来蚀刻无机绝缘膜，因此能够不利用灰化处理而是利用剥离液来剥离抗蚀剂。因此，不会对暴露在接触孔内的有机绝缘膜的壁面部造成由灰化引起的损伤。其结果，能够抑制配线产生连接不良的情况。
本发明的第二显示装置用基板的制造方法在具有上述工序的范围内，不受其它工序的特别限定。
本发明还是本发明的显示装置用基板的制造方法(下面也称作“本发明的第三显示装置用基板的制造方法”。)，上述制造方法包括：无机绝缘膜蚀刻工序，将抗蚀剂作为掩模，通过干蚀刻来蚀刻上述无机绝缘膜；和在上述无机绝缘膜蚀刻工序之后，通过干蚀刻来灰化除去上述抗蚀剂，并且将上述无机绝缘膜作为掩模来蚀刻上述有机绝缘膜的工序。由此，同时进行抗蚀剂的除去(灰化)和有机绝缘膜的蚀刻(开口)，因此能够减轻由于干蚀刻而给有机绝缘膜造成的总体损伤。其结果，能够抑制配线产生连接不良的情况。
本发明的第三显示装置用基板的制造方法在具有上述工序的范围之内，不受其它工序的特别限定。
本发明还是具备本发明的显示装置用基板的显示装置。并且，本发明还是具备通过本发明的显示装置用基板的制造方法制作出的显示装置用基板的显示装置。根据这些，能够实现窄边框化、高功能化、可靠性的提高。
本发明还是多层配线的形成方法(下面也称作“本发明的第一多层配线的形成方法”)，上述多层配线具有在包含感光性树脂的有机绝缘膜的正上方层叠有无机绝缘膜的有机/无机膜层叠体，上述形成方法包括：有机绝缘膜蚀刻工序，蚀刻上述有机绝缘膜；无机绝缘膜成膜工序，在上述有机绝缘膜蚀刻工序之后，形成上述无机绝缘膜；以及无机绝缘膜蚀刻工序，在上述无机绝缘膜成膜工序之后，蚀刻上述无机绝缘膜。由此，能够抑制配线产生连接不良且实现配线的微细加工。
本发明的第一多层配线的形成方法在具有上述工序的范围内，不受其它工序的特别限定。下面详细说明本发明的第一多层配线的形成方法中的优选方式。此外，也可以适当组合下面所示的各种方式。
优选上述无机绝缘膜蚀刻工序隔着第一抗蚀剂来干蚀刻上述无机绝缘膜。由此，能够可靠地进行配线的微细加工。
优选上述无机绝缘膜蚀刻工序蚀刻除去与包含上述感光性树脂的上述有机绝缘膜的被蚀刻除去的区域相重叠的区域的上述无机绝缘膜。由此，能够形成微细的接触孔。
优选上述多层配线的形成方法包括有机绝缘膜感光工序，上述有机绝缘膜感光工序在上述有机绝缘膜蚀刻工序之前，隔着第一光掩模使上述有机绝缘膜感光。由此，能够更可靠地抑制配线产生连接不良。这样，优选上述有机绝缘膜被感光以及蚀刻(感光蚀刻)。
另外，在上述多层配线的形成方法包括在上述有机绝缘膜蚀刻工序之前隔着第一光掩模使上述有机绝缘膜感光的有机绝缘膜感光工序的情况下，上述多层配线的形成方法更优选包括：抗蚀剂成膜工序，在上述无机绝缘膜成膜工序之后，在上述无机绝缘膜上使第二抗蚀剂成膜；和抗蚀剂感光工序，在上述抗蚀剂成膜工序之后，隔着上述第一光掩模使上述第二抗蚀剂感光。由此，在有机绝缘膜感光工序和抗蚀剂感光工序中能够使用共用的第一光掩模，因此能够削减一张制造工序中所需的光掩模，能够削减制造成本。另外，在使用不同的光掩模的情况下，由于不同的光掩模之间的已存在的错位，有机绝缘膜和无机绝缘膜各自的开口部的位置有时会产生错位，但是根据上述方式，能够抑制该有机绝缘膜和无机绝缘膜各自的开口部产生位置错位。
并且，本发明还是在有机绝缘膜的正上方层叠有无机绝缘膜的有机/无机膜层叠体的多层配线的形成方法(下面也称作“本发明的第二多层配线的形成方法”。)，上述形成方法包括：无机绝缘膜蚀刻工序，将抗蚀剂作为掩模，通过湿蚀刻来蚀刻上述无机绝缘膜；抗蚀剂除去工序，在上述无机绝缘膜蚀刻工序之后，除去上述抗蚀剂；以及有机绝缘膜蚀刻工序，在上述抗蚀剂除去工序之后，将上述无机绝缘膜作为掩模来蚀刻上述有机绝缘膜。这样，通过湿蚀刻来蚀刻无机绝缘膜，因此能够不利用灰化处理而利用剥离液来剥离抗蚀剂。因此，不会对暴露在接触孔内的有机绝缘膜的壁面部造成由灰化引起的损伤。其结果，能够抑制配线产生连接不良的情况。
本发明的第二多层配线的形成方法在具有上述工序的范围内，不受其它工序的特别限定。
并且，本发明还是在有机绝缘膜的正上方层叠有无机绝缘膜的有机/无机膜层叠体的多层配线的形成方法(下面也称作“本发明的第三多层配线的形成方法”。)，上述形成方法包括：无机绝缘膜蚀刻工序，将抗蚀剂作为掩模，通过干蚀刻来蚀刻上述无机绝缘膜；和在上述无机绝缘膜蚀刻工序之后，通过干蚀刻来灰化除去上述抗蚀剂，并且将上述无机绝缘膜作为掩模来蚀刻上述有机绝缘膜的工序。由此，同时进行抗蚀剂的除去(灰化)和有机绝缘膜的蚀刻(开口)，因此能够减轻由于干蚀刻而给有机绝缘膜造成的总体损伤。其结果，能够抑制配线产生连接不良的情况。
本发明的第三多层配线的形成方法在具有上述工序的范围内，不受其它工序的特别限定。
另外，本发明的发明人发现：不仅是有机绝缘膜，单独的由无机绝缘膜构成的平坦化膜也会受到由抗蚀剂掩模的灰化、干蚀刻引起的损伤，并且还发现：通过将平坦化膜和无机绝缘膜组合使用，并且用无机绝缘膜覆盖平坦化膜的开口部的壁面中至少上层侧的一部分，能够抑制产生连接不良。
即，本发明之一还是一种多层配线基板，其在绝缘基板上具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜/无机膜层叠体，上述平坦化膜的开口部的壁面中至少上层侧的一部分被上述无机绝缘膜覆盖。由此，使用湿蚀刻来形成无机绝缘膜的图案，能够使平坦化膜不会受到由灰化、干蚀刻引起的损伤。其结果，能够抑制在分别配置在平坦化膜/无机绝缘膜的上层与下层的配线之间产生连接不良。
此外，本说明书中，平坦化膜是指具有使台阶平坦化(减小)的平坦化作用的膜。优选上述平坦化膜的表面实质上是平坦的，但是也可以具有高度在500nm(优选200nm)程度以下的台阶。在上述平坦化膜在表面具有台阶部的情况下，优选台阶部的曲率半径比台阶的高度大，由此，当进行用于形成上层的配线层的蚀刻时，能够有效地抑制产生蚀刻残渣。另外，上述平坦化膜也可以是被称作(SOG：Spin on Glass：旋涂玻璃)膜的膜。
作为本发明的多层配线基板的结构，在必须包括这种结构要素而形成的结构的范围之内，也可以包括或者不包括其它结构要素，没有被特别地限定。下面详细说明本发明的多层配线基板中的优选方式。此外，也可以适当组合下面所示的各种方式。
上述无机绝缘膜也可以被设成覆盖除了上述平坦化膜的开口部的壁面中至少下层侧的一部分之外全部的上述平坦化膜，但是优选是被设成覆盖包含上述平坦化膜的开口部的壁面的全部上述平坦化膜。这样，更为优选上述平坦化膜的开口部的壁面的全部被上述无机绝缘膜覆盖。由此，利用微细加工精度高的干蚀刻等抗蚀剂掩模的方法，由此能够蚀刻无机绝缘膜，因此抑制在分别配置在平坦化膜/无机绝缘膜层叠体的上层与下层的配线之间产生连接不良、且能够实现位于平坦化膜/无机绝缘膜层叠体的下层的配线的微细加工。
作为上述平坦化膜，适用有机绝缘膜以及无机绝缘膜，更优选上述有机绝缘膜包含感光性树脂。由此，能够容易地实现本发明的多层配线基板。
优选上述平坦化膜的开口部被比上述无机绝缘膜更上层的配线覆盖。由此，能够利用上层的配线来覆盖平坦化膜的开口部，并且利用无机绝缘膜来覆盖平坦化膜的未被上层的配线覆盖的区域，因此能够使平坦化膜不易受到由灰化、干蚀刻引起的损伤。其结果，能够抑制在分别配置在平坦化膜/无机膜层叠体的上层与下层的配线之间产生连接不良。
优选上述多层配线基板是显示装置用基板。由此，能够提高显示装置用基板、即显示装置的可靠性。
此外，通过本发明的第一多层配线～第三多层配线的形成方法所形成的多层配线和本发明的多层配线基板，分别夹持有机/无机膜层叠体或者平坦化膜/无机膜层叠体而至少包含两个配线层(上层和下层的配线)即可，通过本发明的第一多层配线～第三多层配线的形成方法所形成的多层配线和本发明的多层配线基板中的配线层的层数没有被特别限定。
发明效果
根据本发明的显示装置用基板及其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板，能够实现配线的微细加工、连接不良的抑制、显示装置可靠性的提高。
具体实施方式
下面参照附图通过揭示实施方式来进一步详细说明本发明，但是本发明并非仅限定于这些实施方式。
(实施方式1)
图1是实施方式1的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示外围电路区域。图13是实施方式3的液晶显示装置的像素区域的截面示意图。如图1的(a)所示，本实施方式的液晶显示装置100具有在端子部中通过ACF 80连接作为显示装置用基板的TFT基板11和作为其它电路基板的FPC基板70的构造。
此外，液晶显示装置100在绝缘基板上从绝缘基板侧按照顺序形成：由遮光部件构成的黑矩阵、红、绿以及蓝的滤色器、覆盖层、由透明导电膜构成的公共电极、取向膜，并且具有与TFT基板11对置而配置的CF基板(未图示)，并且在TFT基板11与CF基板之间填充有液晶材料。
如图1的(a)所示，TFT基板11具有如下构造：在端子部中，在绝缘基板21上从绝缘基板21侧按照顺序层叠有底涂膜22、栅极绝缘膜24、栅极电极25、发挥层间绝缘膜的功能的无机绝缘膜41、由第一配线层61构成的连接端子(外部连接端子)26以及发挥保护膜的功能的有机绝缘膜51a与无机绝缘膜41a的层叠体。另外，连接端子26的端部上的有机绝缘膜51a以及无机绝缘膜41a被除去，并且在连接端子26的端部上设有焊盘部(与ACF 80中的导电性微粒子81抵接的部分)27。该焊盘部27和FPC基板70的连接端子71与在ACF80中的导电性微粒子81接触，由此TFT基板11和FPC基板70被连接和固定。由第一配线层61构成的连接端子(外部连接端子)26，通过设在无机绝缘膜41中的接触孔31a连接到栅极电极(栅极配线)25。
另外，如图1的(b)所示，TFT基板11具有如下构造：在外围电路区域中，在绝缘基板21上从绝缘基板21侧按照顺序层叠有底涂膜22；半导体层23；栅极绝缘膜24；栅极电极25；发挥层间绝缘膜的功能的无机绝缘膜41；由第一配线层61构成的源极/漏极电极28和引绕配线30a；发挥层间绝缘膜和平坦化膜的功能的有机绝缘膜51a与无机绝缘膜41a的层叠体；由第二配线层62构成的引绕配线30b；以及发挥保护膜的功能的有机绝缘膜51。这样，在构成TFT基板11的绝缘基板21上，直接制作成包含半导体层23、栅极绝缘膜24以及栅极电极25、且构成驱动器电路等外围电路的TFT 29。由第一配线层61构成的源极/漏极电极28，通过设在无机绝缘膜41和栅极绝缘膜24中的接触孔31b连接到半导体层23的源极/漏极电极。另外，由第二配线层62构成的引绕配线30b，通过设在有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a中的接触孔(通路孔)31c与由第一配线层61构成的源极/漏极电极28和引绕配线30a连接。此外，作为外围电路没有被特别限定，除了包含传输门、锁存电路、定时信号发生器、电源电路等的变换器等电路的驱动器电路之外，也可以是缓冲器电路、数字-模拟变换电路(DAC电路)、移位寄存器、采样存储器等电路等。
如图13所示，TFT基板11具有如下构造：在像素区域(排列有多个像素的显示区域)中，在绝缘基板21上从绝缘基板21侧按照顺序层叠有底涂膜22；半导体层23；栅极绝缘膜24；发挥栅极电极25和像素辅助电容68a的上电极的功能的辅助电容上电极66a；发挥层间绝缘膜的功能的无机绝缘膜41；由第一配线层61构成的源极电极34和漏极电极35；发挥层间绝缘膜和平坦化膜的有机绝缘膜51a与作为气体阻止绝缘膜的功能的无机绝缘膜41a的层叠体；由第二配线层62构成的漏极配线65；发挥保护膜的功能的有机绝缘膜51；设在每个像素中的像素电极36；以及被设成覆盖像素区域的取向膜(未图示)。这样，在构成TFT基板11的绝缘基板21上，在每个像素中直接制作包含半导体层23、栅极绝缘膜24以及栅极电极25、且发挥像素开光元件的功能的TFT 29。另外，在每个像素中直接制作包含还发挥辅助电容下电极的功能的半导体层23、栅极绝缘膜24以及辅助电容下电极66a的像素辅助电容68a。由第一配线层61构成的源极电极34和漏极电极35，通过设在无机绝缘膜41和栅极绝缘膜24中的接触孔31f连接到半导体层23的源极/漏极区域。另外，漏极配线65通过设在有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a中的接触孔(通路孔)31g与由第一配线层61构成的漏极电极35连接。并且，像素电极36通过设在有机绝缘膜51中的接触孔(通路孔)31j与由第二配线层62构成的漏极配线65连接。
构成有机绝缘膜51a等的有机膜由于柔软，容易发生脱落或受损，但是平坦性优良。另一方面，构成无机绝缘膜41a等的无机绝缘膜的平坦性差，但是由于坚固，难以脱落并且难以受损。
根据液晶显示装置100，作为层间绝缘层和/或平坦化层，具有在有机绝缘膜51a的正上方层叠有无机绝缘膜41a的有机/无机层叠体。这样，在端子部中，通过用无机绝缘膜41a覆盖有机绝缘膜51a(有机绝缘膜51a中至少上层侧的面)，能够用无机绝缘膜41a来保护有机绝缘膜51a。因此，即使在连接面板和FPC基板70、更具体地说连接TFT基板11和FPC基板70的工序中发生需要返工的情况下，能够抑制有机绝缘膜51a脱落或者受损。因此，位于有机绝缘膜51a的下层的第一配线层61(连接端子26)会暴露，能够抑制第一配线层61由于水分等而腐蚀。另外，还能够抑制由于脱落的有机绝缘膜51a的残渣引起的FPC基板70的连接不良。即，根据液晶显示装置100能够提高可靠性。
另外，能够将无机绝缘膜41a作为对抗蚀剂掩模的灰化的停止材料而利用，因此作为在有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a中形成接触孔31c、31g的方法，能够使用包括灰化工序的方法、即微细加工精度高的干蚀刻等利用抗蚀剂掩模的方法，能够微细且高精度地形成位于有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的层叠体的下层的配线、其中包括设在要求进行微细加工的外周电路区域的引绕配线30a等的配线。
并且，通过将平坦性优良的有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51用作平坦化膜，能够减轻下层侧的第一配线层61、TFT 29的台阶，有效地抑制发生短路、且在上层侧引绕第二配线层62。
下面说明实施方式1的液晶显示装置的制造方法。
首先，作为预处理，对绝缘基板21进行清洗和预退火。作为绝缘基板21没有被特别限定，但是从成本等观点出发，优选是玻璃基板、树脂基板等。接着，进行下面(1)～(17)的工序。
(1)底涂膜的形成工序
在绝缘基板21上通过等离子化学气相成长(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition：PECVD法)法按照顺序形成膜厚为50nm的SiON膜和膜厚为100nm的SiOX膜，从而形成底涂膜22。作为用于形成SiON膜的原料气体，可举出硅烷(SiH4)、氧化亚氮(N2O)以及氨气(NH3)的混合气体等。此外，优选使用正硅酸乙酯(TetraEthyl Ortho Silicate：TEOS)气体作为原料气体来形成SiOX膜。另外，底涂膜22也可以包括使用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)的混合气体等作为原料气体来形成的氮化硅(SiNX)膜。
(2)半导体层的形成工序
通过PECVD法形成膜厚为50nm的非晶硅(a-Si)膜。作为用于形成a-Si膜的原料气体，例如可举出SiH4、乙硅烷(Si2H6)等。在通过PECVD法形成的a-Si膜中包含氢，因此在约500℃下进行降低a-Si膜中的氢浓度的处理(脱氢处理)。接着，进行激光退火，通过使a-Si膜熔融、冷却以及晶化来形成p-Si膜。在激光退火中使用例如准分子激光。在p-Si膜的形成中，作为激光退火的预处理，(为了实现连续晶界结晶硅(CG-硅)化)，也可以不进行脱氢处理而涂抹镍等金属催化剂，进行利用热处理的固相成长。另外，作为a-Si膜的晶化，也可以只进行利用热处理的固相成长。接着，进行利用四氟化碳(CF4)和氧气(O2)的混合气体的干蚀刻，形成p-Si膜的图案，形成半导体层23。
(3)栅极绝缘膜的形成工序
接着，使用TEOS气体作为原料材料形成由膜厚为45nm的氧化硅构成的栅极绝缘膜24。作为栅极绝缘膜24的材质没有特别限定，也可以使用SiNX膜、SiON膜等。作为用于形成SiNX膜、SiON膜的原料气体，可举出与底涂膜形成工序中叙述相同的原料气体。另外，栅极绝缘膜24也可以是由上述多个材料构成的层叠体。
(4)离子掺杂工序
为了控制TFT 29的阈值，通过离子掺杂法、离子注入法等对半导体层23掺杂硼等杂质。更具体地说，对成为N沟道型TFT以及P沟道型TFT的半导体层掺杂硼等杂质之后(第一掺杂工序)，在通过抗蚀剂对成为P沟道型TFT的半导体层进行掩模的状态下，对成为N沟道型的半导体层进一步掺杂硼等杂质(第二掺杂工序)。此外，在不需要P沟道型TFT的阈值控制的情况下，也可以不进行第一掺杂工序。
(5)栅极电极和辅助电容上电极的形成工序
接着，使用溅射法按照顺序使膜厚为30nm的氮化钽(TaN)膜和膜厚为370nm的钨(W)膜，接着，通过光刻法将抗蚀剂图案化所期望的形状来形成抗蚀剂掩模之后，使用调整了氩气(Ar)、六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)、氧气(O2)、氯气(Cl2)等的混合气体含量的蚀刻气体来进行干蚀刻，形成栅极电极25和辅助电容上电极66a。作为栅极电极25和辅助电容上电极66a的材料，可举出钽(Ta)、钼(Mo)、钼钨(MoW)等表面平坦、特性稳定的高熔点金属、铝(Al)等低电阻金属。另外，栅极电极25和辅助电容上电极66a也可以是由上述多个材料构成的层叠体。
(6)源极/漏极区域的形成工序
接着，为了形成TFT 29的源极/漏极区域，以栅极电极25为掩模，对半导体层23通过离子掺杂法、离子注入法等高浓度地掺杂杂质，在N沟道型TFT中掺杂磷等杂质，在P沟道型TFT中掺杂硼等杂质。此时，根据需要也可以形成LDD(Lightly Doped Drain：轻掺杂漏极)区域。接着，为了使在半导体层23中存在的杂质离子活化，进行约700℃、6小时的热活化处理。由此，能够提高源极/漏极区域的电传导性。此外，作为活化方法，还能够举出照射准分子激光的方法等。
(7)无机绝缘膜的形成工序
接着，在绝缘基板21的整个面上通过PECVD法使膜厚为100～400nm(优选是200～300nm)的SiNX膜和膜厚为500～1000nm(优选是600～800nm)的TEOS膜成膜，形成无机绝缘膜41。作为无机绝缘膜41，也可以使用SiON膜等。另外，抑制TFT特性由于瞬态劣化等而下降，并且使TFT 29的电气特性稳定，因此也可以在无机绝缘膜41的下层形成50nm左右的薄的帽膜(例如TEOS膜等)。
(8)接触孔的形成工序
接着，通过光刻法将抗蚀剂膜图案化所期望的形状来形成抗蚀剂掩模之后，使用氟酸系蚀刻溶液来进行栅极绝缘膜24和无机绝缘膜41的湿蚀刻，形成接触孔31a、31b、31f。此外，蚀刻中也可以使用干蚀刻。
(9)氢化工序
接着，通过从无机绝缘膜41的SiNX膜提供的氢气来进行结晶Si的缺陷修正，因此在约400℃下进行1小时的热处理。
(10)第一配线层的形成工序
接着，通过溅射法等按照顺序使膜厚为100nm的钛(Ti)膜、膜厚为500nm的铝(Al)膜以及膜厚为100nm的Ti膜成膜。接着，通过光刻法将抗蚀剂膜图案化成所期望的形状来形成抗蚀剂掩模之后，通过干蚀刻来使Ti/Al/Ti的金属层叠膜图案化，形成第一配线层61。由此，形成连接端子(外部连接端子)26、源极/漏极电极28、引绕配线30a、源极电极34以及漏极电极35。此外，作为构成第一配线层61的金属，也可以代替Al而使用Al-Si合金等。此外，在此，为了使配线低电阻化而使用Al，但是在需要高耐热性、且允许电阻值增加某种程度的情况下(例如设为短的配线构造的情况下)，作为构成第一配线层61的金属，也可以使用上述的栅极电极材料(Ta、Mo、MoW、W、TaN等)。
(11)有机/无机层叠体的形成工序
接着，在绝缘基板21的整个面上通过旋涂法使膜厚为1～5μm(优选是2～3μm)的感光性丙烯酸树脂膜等的感光性树脂成膜(涂抹)，形成有机绝缘膜51a。作为有机绝缘膜51a的材料，也可以使用非感光性丙烯酸树脂等的非感光性树脂、感光性或者非感光性的聚烷基硅氧烷系、聚硅氮烷系、聚酰亚胺系甘油三戊酸酯系树脂等。另外，作为有机绝缘膜51a的材料，还可以举出含有甲基的聚硅氧烷(MSQ)系材料、多孔质MSQ材料。通过使用感光性树脂作为有机绝缘膜51a的材料，还能够在形成无机绝缘膜41a之前，进行感光性树脂膜的感光(曝光)和蚀刻(显像处理)，图案形成有机绝缘膜51a。接着，在绝缘基板21的整个面上通过溅射法、PECVD法使膜厚为10～200(优选是20～100nm)的SiNX膜、或者以TEOS气体为原料气体使膜厚为10～200nm(优选是20～100nm)的SiO2膜成膜，形成无机绝缘膜41a。作为无机绝缘膜41a也可以使用SiON膜等。除此之外，作为无机绝缘膜41a也可以使通过能够以低温形成高品质的膜的溅射法、CAT-CVD法、ICP等离子CVD法(例如使用セルバツク社制的ICP-CVD装置的方法)、臭氧氧化法(例如使用明電舎社制的明電纯臭氧发生器的方法)等形成的SiO2膜、SiN膜成膜。由此，形成在有机绝缘膜51a上层叠有无机绝缘膜41a的有机/无机层叠体。此外，有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a也可以分别层叠由不同材料构成的多个膜。另外，无机绝缘膜41a只要形成为至少覆盖端子部、外围电路区域以及像素区域中的有机绝缘膜51a，没有必要必须形成在绝缘基板21的整个面上。
(12)接触孔的形成工序
接着，通过利用光刻法将抗蚀剂膜图案化成所期望的形状来形成抗蚀剂掩模之后，使用四氟化碳(CF4)和氧气(O2)的混合气体，并且边调整两气体的流量边进行干蚀刻，从而形成接触孔31c、31g，并且除去设有焊盘部27的区域的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a。并且，以无机绝缘膜41a为停止材料，进行抗蚀剂掩模的灰化(剥离)。由此，能够实现接触孔31c、31g的微细加工，因此能够实现处于下层的第一配线层61的微细化。
其中，在这种情况下，进行抗蚀剂掩模的O2灰化时，暴露在接触孔31c、31g内的有机绝缘膜51a的开口部的壁面部也同时被灰化，有机绝缘膜51a的开口部的壁面部相对后退于上层的无机绝缘膜41a的开口部的壁面部，接触孔31c、31g变成悬垂状，会担心上层的第二配线层62和下层的第一配线层61隔着接触孔31c、31g而断线。
(13)第二配线层的形成工序
接着，通过溅射法等按照顺序使膜厚为100nm的钛(Ti)膜、膜厚为500nm的铝(Al)膜以及膜厚为100nm的Ti膜成膜。接着，通过利用光刻法将抗蚀剂膜图案化成所期望的形状来形成抗蚀剂掩模之后，通过干蚀刻来形成Ti/Al/Ti的金属层叠膜的图案，形成第二配线层62。由此，形成引绕配线30b和漏极配线65。此外，作为构成第二配线层62的金属，也可以代替Al而使用Al-Si合金等。此外，在此，为了使配线低电阻化而使用Al，但是在需要高耐热性、且允许电阻值增加某种程度的情况下(例如设为短的配线构造的情况下)，作为构成第二配线层62的金属，也可以使用上述的栅极电极材料(Ta、Mo、MoW、W、TaN等)。
此时，也作为平坦化膜的有机绝缘膜51a的开口部被作为比无机绝缘膜41a更上层的配线的第二配线层62覆盖。由此，有机绝缘膜51a的开口部被第二配线层62覆盖，并且能够由无机绝缘膜41a覆盖有机绝缘膜51a中没有被第二配线层62覆盖的区域，因此能够使有机绝缘膜51a不受灰化、干蚀刻引起的损伤。其结果，能够抑制在分别配置在有机/无机膜层叠体的上层与下层的配线之间产生连接不良的情况。
(14)有机绝缘膜的形成工序
接着，通过旋涂法使膜厚为1～3μm(优选是2～3μm)的感光性丙烯酸树脂膜成膜，形成有机绝缘膜51。更详细地说，在基板21的整个面上通过旋涂法等来涂抹膜厚为1～5μm(优选是2～3μm)的感光性丙烯酸树脂、例如重氮萘醌系紫外线固化型树脂来形成有机绝缘膜51。接着，通过形成所期望的形状的遮光图案的光掩模来使有机绝缘膜51感光(曝光)之后，通过进行蚀刻(显像处理)来除去成为接触孔31j的区域的有机绝缘膜51。接着，进行有机绝缘膜51的烘烤工序(例如200℃、30分钟)。由此，有机绝缘膜51的开口部(孔部)的形状变得平缓，能够降低接触孔31j的长宽比。另外，当最初除去有机绝缘膜51的接触部(成为接触孔31j的部分)时，将不需要灰化(剥离)工序。作为有机绝缘膜51，也可以使用非感光性丙烯酸树脂等的非感光性树脂、感光性或者非感光性的聚烷基硅氧烷系、聚硅氮烷系、聚酰亚胺系甘油三戊酸酯系树脂等。另外，作为有机绝缘膜51的材料，还可以举出含有甲基的聚硅氧烷(MSQ)系材料、多孔质MSQ材料。
(15)焊盘部和像素部的形成工序
接着，通过溅射法等形成膜厚为50～200nm(优选是100～150nm)的ITO膜、IZO膜之后，通过光刻法图案化成所期望的形状，形成焊盘部27和像素部。由此，在显示区域的有机绝缘膜51上与各像素对应而形成像素电极36。其后，在显示区域上涂抹取向膜(未图示)，并且进行取向膜的取向处理，从而完成TFT基板11。
(16)面板组装工序
接着，与以往的公知方法相同地，通过进行TFT基板11和CF基板的贴合工序、液晶材料的注入工序和偏光板的贴附工序来制作液晶显示面板。此外，作为液晶显示面板的液晶模式没有被特别限定，例如可举出TN(Twisted Nematic：扭转向列)模式、ISP(In PlaneSwitching：平面开关)模式、VATN(Vertical Alignment TwistedNematic：垂直取向扭转向列)模式、PSA模式等。另外，液晶显示面板也可以被取向分割。并且，液晶显示面板可是透过型，也可以是反射型，还可以是半透过型(反射透过两用型)。并且，液晶显示面板的驱动方式也可以是单纯矩阵型。
在采用PSA模式的情况下，进行下面的工序作为面板贴合和液晶注入工序。即，首先在TFT基板11的像素区域的外周涂抹密封材料之后，使用分注器等来将向具有负的介电常数的液晶分子添加聚合性成分的液晶材料向密封材料的内侧滴下。能够作为聚合性成分而使用的材料没有被特别限定，例如能够使用光聚合单体、光聚合低聚体。接着，在滴下液晶材料的TFT基板11上贴合CF基板。到此为止的工序是在真空中进行。接着，当将贴合的两个基板返回到大气中时，液晶材料由于大气压而在被贴合的两个基板之间扩散。接着，沿着密封材料的涂抹区域边移动UV光源边向密封材料照射UV光，使密封材料固化。由此，扩散的液晶材料被密封在两个基板之间从而形成液晶层。
此外，作为注入液晶材料的方法，也可以是如下方法：在两基板的侧方设置液晶注入口，从中注入液晶材料，之后用紫外线固化树脂等来密封液晶注入口。
接着，进行聚合性成分的光照射工序。首先，在将TFT 29导通的电压施加到栅极电极25的状态下，在源极电极34与CF基板的公共电极之间施加交流电压，边使液晶分子倾斜边向液晶层从TFT基板11侧照射UV光。由此，添加液晶材料的光聚合性单体被聚合，在取向膜的液晶层侧的表面形成决定液晶分子预倾角的聚合体。
(17)FCP基板的贴附工序
接着，通过在树脂粘接剂(例如热固化性环氧系树脂等热固化性树脂)中分散有导电性微粒子81的ACF(各向异性导电膜)80，对TFT基板11和FPC基板70进行热压接。由此，TFT基板11和FPC基板70被连接和固定。此时，即使需要返工的时，由于有机绝缘膜51a被无机绝缘膜41a保护，不会直接接触到ACF 80，因此能够抑制有机绝缘膜51a脱落或受损。因此，能够抑制位于有机绝缘膜51a的下层的第一配线层61脱落，第一配线层61由于水分等而被腐蚀。另外，还能够抑制由于脱落的有机绝缘膜51a的残渣而造成的FPC基板70的接触不良。
其后，在TFT基板11和CF基板的外侧分别贴附偏光板，并且组合液晶显示面板和背光单元，由此能够完成本实施方式的液晶显示装置100。
以上，根据本实施方式的液晶显示装置100，能够实现可靠性的提高、配线的微细加工。
另外，在有机绝缘膜51a与像素电极36之间设有发挥气体阻止绝缘膜的功能的无机绝缘膜41a，因此能够抑制PSA模式中由于气体、气泡而产生的不良。即，由感光性树脂形成有机绝缘膜51a等，在聚合性成分的光照射工序中对有机绝缘膜51a等照射UV光，即使从像素电极36的下层中产生气体，也能够通过无机绝缘膜41a防止从比有机绝缘膜51a更下层中产生的气体侵入液晶层的情况。因此，能够抑制在液晶层中产生气泡的情况。
此外，在本实施方式中，有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51也可以是由无机绝缘膜构成的平坦化膜(无机平坦化膜)，在该情况下，使用由含有Si-H的聚硅氧烷(MSQ)系材料构成的膜、多孔质硅膜即可。这样，本实施方式的液晶显示装置100，也可以具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜/无机膜层叠体。
下面说明本实施方式的进一步的变形例。
图14是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的外围电路区域的截面示意图。图15是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
在本变形例中，如图14、15所示，有机绝缘膜51a是使用感光性树脂通过感光蚀刻而形成的。更具体地说，在形成无机绝缘膜41a之前，进行感光性树脂膜的感光(曝光)和蚀刻(显像处理)，形成有机绝缘膜51a的图案。接着，进行有机绝缘膜51a的烘烤工序(例如200℃、30分钟)。由此，有机绝缘膜51a的开口部(孔部)的形状变得平缓，能够降低接触孔31c、31g的长宽比。另外，当最初除去有机绝缘膜51a的接触部(成为接触孔31c、31g的部分)时，将不需要灰化(剥离)工序。其后，使无机绝缘膜41a成膜，通过使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻，除去成为接触孔31c、31g的区域的无机绝缘膜41a使得与有机绝缘膜51a被除去的区域重叠。通过利用干蚀刻形成无机绝缘膜41a的图案，能够实现接触孔31c、31g的微细加工，并且能够实现位于下层的第一配线层61的微细化。其后，将无机绝缘膜41a作为阻止物材料，通过O2等离子体来灰化除去抗蚀剂掩模。由此，形成贯通有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的接触孔31c、31g。
这样，通过在由感光性树脂构成的有机绝缘膜51a上形成无机绝缘膜(钝化膜)，能够抑制由于干工艺引起的损伤。更具体地说，当通过干蚀刻来蚀刻无机绝缘膜41a时，有机绝缘膜51a的液晶层侧的整个面被无机绝缘膜41a覆盖。即，有机绝缘膜51a的液晶层侧的上面和侧面(例如开口部的壁面)被无机绝缘膜41a覆盖。因此，能够抑制在有机绝缘膜51a中产生由干蚀刻引起的损伤。另外，当接触孔31c、31g的形成工序中的抗蚀剂灰化时，能够使有机绝缘膜51a免受由氧等离子体引起的损伤。从这种观点出发，优选有机绝缘膜51a的开口部的壁面的全部被无机绝缘膜41a覆盖。
另外，此时也可以对无机绝缘膜41a进行湿蚀刻。在该情况下，利用剥离液来剥离抗蚀剂掩模即可。因此，能够使有机绝缘膜51a免受灰化、干蚀刻的损伤。
图16是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。图17是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
如图16的(b)、17所示，在本变形例中，在有机绝缘膜51上，与无机绝缘膜41a相同，形成发挥气体阻止绝缘膜的功能的无机绝缘膜41c。即，与有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的层叠体相同，形成有机绝缘膜51和无机绝缘膜41c的层叠体。
这样，在比像素电极36更下层中设有发挥气体阻止绝缘膜的功能的无机绝缘膜41a、41c，因此能够进一步抑制PSA模式中由于气体、气泡而产生不良。即，由感光性树脂形成有机绝缘膜51a、51，在聚合性成分的光照射工序中对有机绝缘膜51a、51照射UV光，即使从像素电极36的下层中产生气体，也能够通过无机绝缘膜41a、41c大体完全地防止从比像素电极36更下层中产生的气体侵入液晶层的情况。因此，能够进一步抑制在液晶层中产生气泡。
另外，如图16的(a)所示，在端子部中没有设置有机绝缘膜51，因此在端子部中，在无机绝缘膜41a上直接层叠无机绝缘膜41c。这样，通过在端子部中设置无机绝缘膜41a、41c的层叠体，与只有无机绝缘膜41a单层的情况相比，能够提高膜的机械强度。因此，能够更有效地抑制由FPC基板70的热压接时的返工所引起的种种不良。
并且，在由与像素电极36同一层的最上层配线层(ITO膜、IZO膜等透明导电膜)所形成的焊盘部27的下面配置有最上层配线层的正下方的配线层(最接近下层配线层69，在本实施方式中是第二配线层62)。由此，能够降低焊盘部27的端子电阻。在只由最上层配线层来形成焊盘部27的情况下，最上层配线层通常是ITO膜等透明导电膜，方块电阻值变高，但是通过采用与下层的低电阻配线层(第一配线层61、第二配线层62)的层叠构造，能够期待降低焊盘部27的方块电阻值。然而为此，在由干蚀刻等来除去最接近下层配线层69的情况下，最接近下层配线层69之下的配线层(在本实施方式中是第一配线层61)的表面受到蚀刻损伤，因此最接近下层配线层69之下的配线层(第一配线层61)和最上层配线层(透明导电膜)之间的接触电阻增大，其结果，端子电阻增加。因此，优选在焊盘部27的最上层配线层之下保留最接近下层配线层69。
图18是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。图19是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
如图18的(b)、19所示，在本变形例中，代替未形成无机绝缘膜41a，在有机绝缘膜51上与无机绝缘膜41a相同形成发挥气体阻止绝缘膜的功能的无机绝缘膜41c。
这样，在比像素电极36更下层中设有发挥气体阻止绝缘膜的功能的无机绝缘膜41c，因此能够抑制PSA模式中由于气泡而产生不良。即，由感光性树脂形成有机绝缘膜51a、51，在聚合性成分的光照射工序中对有机绝缘膜51a、51照射UV光，即使从像素电极36的下层中产生气体，也能够通过无机绝缘膜41c大体完全地防止从比像素电极36更下层中产生的气体侵入液晶层。因此，能够进一步抑制在液晶层中产生气泡。另外，通过削减无机绝缘膜41a的形成工序，因此能够实现制造工序的简化。
另外，如图18的(a)所示，在端子部中，在有机绝缘膜51a上层叠有无机绝缘膜41c，设有有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41c的层叠体。由此，与使用无机绝缘膜41a的情况相同，能够抑制由FPC基板70的热压接时的返工所引起的种种不良。另外，在焊盘部27的最上层配线层之下设有最接近下层配线层69。并且，如图18、19所示，有机绝缘膜51a是使用感光性树脂通过感光蚀刻来形成的。
图20是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
如图20所示，本变形例除了使用感光性树脂通过感光蚀刻来形成有机绝缘膜51之外，具有与图19中所示的例子相同的结构。即，在形成无机绝缘膜41c之前，进行感光性树脂膜的感光(曝光)和蚀刻(显像处理)，形成有机绝缘膜51的图案。接着，进行有机绝缘膜51的烘烤工序(例如200℃、30分钟)。由此，有机绝缘膜51的开口部(孔部)的形状变得平缓，能够降低接触孔31j的长宽比。另外，当最初除去有机绝缘膜51的接触部(成为接触孔31j的部分)时，将不需要灰化(剥离)工序。其后，使无机绝缘膜41c成膜，通过使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻，除去成为接触孔31j的区域的无机绝缘膜41c使得与有机绝缘膜51被除去的区域重叠。通过利用干蚀刻形成无机绝缘膜41c的图案，能够实现接触孔31j的微细加工，并且能够实现位于下层的第二配线层62的微细化。其后，将无机绝缘膜41c作为阻止物材料，通过O2等离子体来灰化除去抗蚀剂掩模。由此，形成贯通有机绝缘膜51和无机绝缘膜41的接触孔31j。
这样，通过在由感光性树脂构成的有机绝缘膜51上形成无机绝缘膜41c(钝化膜)，能够抑制由于干蚀刻工序引起的损伤。更具体地说，当通过干蚀刻来蚀刻无机绝缘膜41c时，有机绝缘膜51的液晶层侧的整个面被无机绝缘膜41c覆盖。即，有机绝缘膜51的液晶层侧的上面和侧面(例如开口部的壁面)被无机绝缘膜41c覆盖。因此，能够抑制在有机绝缘膜51中产生由干蚀刻引起的损伤。另外，当接触孔31j的形成工序中的抗蚀剂灰化时，能够使有机绝缘膜51免受由氧气等离子引起的损伤。从这种观点出发，优选有机绝缘膜51的开口部的壁面的全部被无机绝缘膜41c覆盖。
另外，此时也可以对无机绝缘膜41c进行湿蚀刻。在这种情况下，通过剥离液来剥离抗蚀剂掩模即可。因此，能够使有机绝缘膜51免受灰化、干蚀刻的损伤。
图21是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。图22是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
在本变形例中，如图21、22所示，有机绝缘膜51a被回蚀刻。更具体地说，使有机绝缘膜51a成膜之后，通过干蚀刻来回蚀刻有机绝缘膜51a到第一配线层61暴露为止。接着，使无机绝缘膜41a成膜，通过使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻，除去成为接触孔31c、31g的区域的无机绝缘膜41a。在本变形例中，焊盘部27和焊盘部27以外的区域中的台阶降低了与有机绝缘膜51a的厚度相当的量，因此焊盘部27和焊盘部27以外的区域中的ACF 80中的导电性微粒子81的变形量得到缓和，能够进一步提高ACF的接触性。
另外，如图21的(a)所示，在端子部中，在焊盘部27的最上层配线层之下设有最接近下层配线层69。
图23是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。图24是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
如图24所示，在本变形例中，在与辅助电容上电极66a重叠的区域中设有由第一配线层61形成的第二辅助电容下电极67和由第二配线层62形成的第二辅助电容上电极66b。并且，辅助电容下电极67和辅助电容上电极66b重叠的区域的有机绝缘膜51a被除去，辅助电容下电极67和辅助电容上电极66b隔着无机绝缘膜41a被对置而配置。这样，在各像素中不仅设有包含半导体层23、栅极绝缘膜24以及辅助电容上电极66a的像素辅助电容68a，还设有包含辅助电容下电极67、无机绝缘膜41a以及辅助电容上电极66b的第二像素辅助电容68b。由此，与在一个像素内仅形成一个像素辅助电容68a的情况相比，能够减小像素辅助电容68a和像素辅助电容68b的大小(面积)，因此能够提高像素开口率。
另外，如图23、24所示，使用感光性树脂通过感光蚀刻来形成有机绝缘膜51a、51，其后，无机绝缘膜41a、41c通过成膜和蚀刻来形成图案。另外，如图23的(a)所示，在端子部中，在有机绝缘膜51a上层叠有无机绝缘膜41a、41c。并且，在焊盘部27的最上层配线层之下设有最接近下层配线层69。
(实施方式2)
图2是实施方式2的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示外围电路区域。此外，省略关于本实施方式和实施方式1中重复的内容的说明。
本实施方式的液晶显示装置200，具有在实施方式1的液晶显示装置中的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41的层叠体上进一步形成有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的层叠体的构造。
更详细地说，如图2的(a)所示，本实施方式的TFT基板12具有如下构造：在发挥层间绝缘膜和平坦化膜的功能的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的层叠体上从绝缘基板21侧按照顺序进一步层叠有由第二配线层62构成的引绕配线30c和发挥保护膜的功能的有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的层叠体。由第二配线层62构成的引绕配线30c通过设在有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a中的接触孔(通路孔)31d与由第一配线层61构成的连接端子(外部连接端子)26连接。
另外，如图2的(b)所示，TFT基板12具有如下构造：在外围电路区域中，在第二配线层62上从绝缘基板21侧按照顺序进一步层叠有发挥层间绝缘膜和平坦化膜的功能的有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的层叠体；和由第三配线层63构成的引绕配线30d。由第三配线层63构成的引绕配线30d，通过设在有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b中的接触孔(通路孔)31e与由第二配线层62构成引绕配线30b连接。
这样，根据本实施方式的液晶显示装置200，能够实现微细加工且能够实现配线的进一步的多层化。
此外，添加的配线层、有机绝缘膜与无机绝缘膜的层叠体的数量没有被特别限定，结合所期望的布设适当设定即可。
另外，本实施方式的液晶显示装置200能够通过将实施方式1的(11)有机/无机层叠体的形成工序、(12)接触孔的形成工序以及(13)配线层(第二配线层)的形成工序适当重复必要次数来制作。此外，有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的膜厚分别是膜厚为1～4μm(优选是2～3μm)和膜厚为10～200nm(优选是20～100nm)即可。另外，有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b分别与有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a相同，也可以层叠由不同材料构成的多个膜。并且，有机绝缘膜51a和有机绝缘膜51b、无机绝缘膜41a和无机绝缘膜41b，也可以分别由不同的材料形成。
而且，在本实施方式中，有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51b、有机绝缘膜51也可以是由无机绝缘膜构成的平坦化膜(无机平坦化膜)，在该情况下，使用由含有Si-H的聚硅氧烷(MSQ)系材料构成的膜、多孔质硅膜即可。这样，本实施方式的液晶显示装置200也可以具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜/无机膜层叠体。
图25是表示实施方式2的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。在本变形例中，如图25所示，有机绝缘膜51a、51b使用感光性树脂通过感光蚀刻而形成，其后通过使无机绝缘膜41a、41b成膜以及蚀刻来形成图案。另外，如图25的(a)所示，在端子部中，在通过最上层配线层所形成的焊盘部27之下设有最接近下层配线层69。
(实施方式3)
图3是实施方式3的液晶显示装置的端子部的截面示意图。此外，省略关于本实施方式与实施方式1和实施方式2中重复的内容的说明。
本实施方式的液晶显示装置300，除了连接端子(外部连接端子)26不是由第一配线层61而是由更上层的第二配线层62形成之外，具有与实施方式2的液晶显示装置200相同的方式。
更具体地说，如图3所示，本实施方式的TFT基板13具有如下构造：在端子部中，在无机绝缘膜41上从绝缘基板21侧按照顺序层叠有由第一配线层61构成的引绕配线30e；发挥层间绝缘膜和平坦化膜的功能的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的层叠体；由第二配线层62构成的连接端子(外部连接端子)26；以及发挥保护膜的功能的有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的层叠体。由第二配线层62构成的连接端子(外部连接端子)26通过设在有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a中的接触孔(通路孔)31d与由第一配线层61构成的引绕配线30e连接。
在实施方式2的液晶显示装置200中，越是增加有机绝缘膜和无机绝缘膜的层叠体、与配线层的层叠构造，焊盘部27和焊盘部27以外的区域中的ACF 80中的导电性微粒子81的变形量之差增大，因此产生应力的不均匀化，其结果，担心导致TFT基板12与FPC基板70之间的连接不良。
与此相对，如本实施方式的液晶显示装置300那样，在端子部中，由尽可能上层、优选是最上层的无机绝缘膜和有机绝缘膜的层叠体的正下方的配线层(在本实施方式中是第二配线层62)形成连接端子26，由此焊盘部27的沟变小，焊盘部27和焊盘部27以外的区域中的ACF 80中的导电性微粒子81的变形量之差得到缓和，因此能够抑制由于应力的不均匀化而导致的连接不良的产生。
此外，在本实施方式中，有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51b也可以是由无机绝缘膜构成的平坦化膜(无机平坦化膜)，在该情况下，使用由含有Si-H的聚硅氧烷(MSQ)系材料构成的膜、多孔质硅膜即可。这样，本实施方式的液晶显示装置300也可以具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜/无机膜层叠体。
图26是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，表示边框区域中的端子部。
在本变形例中，如图26所示，有机绝缘膜51a、51b是使用感光性树脂通过感光蚀刻而形成的，其后通过使无机绝缘膜41a、41b成膜以及蚀刻来形成图案。
图27是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。图28是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
如图27的(a)所示，有机绝缘膜51b在端子部中被除去，在连接端子26之上直接形成无机绝缘膜41b。在本变形例中，焊盘部27和焊盘部27以外的区域中的台阶降低了与有机绝缘膜51b的厚度相当的量，因此焊盘部27和焊盘部27以外的区域中的ACF 80中的导电性微粒子81的变形量进一步得到缓和，能够进一步提高ACF的接触性。
另外，在焊盘部27的最上层配线层的下面设有最接近下层配线层69。并且，如图27的(b)、28所示，有机绝缘膜51a、51b是使用感光性树脂通过感光蚀刻而形成的，其后通过使无机绝缘膜41a、41b成膜以及蚀刻来形成图案。
(实施方式4)
图4是实施方式4的液晶显示装置的端子部的截面示意图。此外，省略关于本实施方式与实施方式1～3中重复的内容的说明。
本实施方式的液晶显示装置400，除了在端子部中有机绝缘膜被全部除去之外，具有与实施方式1的液晶显示装置100相同的方式。
更具体地说，如图4所示，TFT基板14具有如下构造：在端子部中，在由第一配线层61构成的连接端子(外部连接端子)26之上直接层叠有发挥保护膜的功能的无机绝缘膜41a。
如实施方式1～3的液晶显示装置100、200、300那样，只要在端子部中存在有机绝缘膜，完全解决由于FPC基板70的返工而导致可靠性的下降比较困难。另外，实施方式3的液晶显示元件300能够抑制由于应力的不均匀化而导致的连接不良的产生，但是在焊盘部27和焊盘部27以外的区域中仍然存在与有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的厚度相当的台阶，因此焊盘部27和焊盘部27以外的区域中的ACF 80中的导电性微粒子81的变形量不会变得完全相同，ACF的接触性方面还有改善的余地。
与此相对，本实施方式的液晶显示装置400是在端子部中完全不存在由于返工而成为问题的有机绝缘膜的构造，因此能够完全改善由于上述返工而导致的可靠性的下降。另外，焊盘部27和焊盘部27以外的区域中的台阶降低了与有机绝缘膜的厚度相当的量，因此焊盘部27和焊盘部27以外的区域中的ACF 80中的导电性微粒子81的变形量进一步得到缓和，能够进一步提高ACF的接触性。
此外，除了在端子部中没有设置有机绝缘膜之外，能够与实施方式1的液晶显示装置100同样地制作本实施方式的液晶显示装置400。
另外，在本实施方式中，优选有机绝缘膜至少未形成在设有ACF 80等各向异性导电材料的区域中。
图29是表示实施方式4的液晶显示装置的变形例的截面示意图，表示边框区域中的端子部。
如图29所示，本变形例在焊盘部27的最上层配线层的下面设有最接近下层配线层69。
图5是实施方式4的液晶显示装置的变形例的端子部的截面示意图。如图5所示，TFT基板14也可以具有使由与栅极电极(栅极配线)25同一层构成的连接端子(外部连接端子)26延伸到端子部为止，并且由第一配线层61、ITO膜等透明导电膜构成的焊盘部27。由此，不将无机绝缘膜41a设在端子部中也能够使无机绝缘膜41发挥保护膜的功能，因此能够起到与图4所示的情况相同的效果。
另一方面，本实施方式的液晶显示装置400除了在端子部中除去有机绝缘膜51b之外，也可以具有与图3所示的实施方式3的液晶显示装置300相同的方式。即，本实施方式的TFT基板14也可以具有如下构造：在端子部中，在无机绝缘膜41上从绝缘基板21侧按照顺序层叠有由第一配线层61构成的引绕配线30e；发挥层间绝缘膜和平坦化膜的功能的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a；由第二配线层62构成的连接端子(外部连接端子)26；以及发挥保护膜的功能的无机绝缘膜41b。由此，与图4所示的情况相同，能够进一步提高ACF的接触性。此外，在该方式中，有机绝缘膜51a也可以是由无机绝缘膜构成的平坦化膜(无机平坦化膜)，在该情况下，使用由含有Si-H的聚硅氧烷(MSQ)系材料构成的膜、多孔质硅膜即可。这样，本实施方式的液晶显示装置400也可以具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜/无机膜层叠体。
下面，说明在上述实施方式1～4中形成无机绝缘膜之前蚀刻有机绝缘膜的实施方式。此外，在下面虽然以外围电路区域为例进行说明，但是下面的实施方式没有特别限定在外围电路区域中，也可以应用于端子部，也可以应用于像素区域。
图6是关于实施方式1～4的液晶显示装置的外围电路区域的截面示意图。另外，图8-1的(a)～(d)以及图8-2的(e)～(g)是制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的外围电路区域的截面示意图。此外，省略关于下面的实施方式与实施方式1～4中重复的内容的说明。
如实施方式1中所示的制造方法那样，层叠了有机绝缘膜和无机绝缘膜之后，通过对有机绝缘膜以及无机绝缘膜的层叠体一起进行干蚀刻来形成接触孔的情况下，有机绝缘膜的膜厚例如为2μm以上，形成在有机绝缘膜和无机绝缘膜的层叠体中的接触孔的长宽比变高，有时难以实现上下配线层之间的接触。另外，在该接触孔的内壁中，当干蚀刻和抗蚀剂灰化时暴露有机绝缘膜，因此如上述那样，存在有机绝缘膜受到由蚀刻以及抗蚀剂灰化引起的损伤的情况。
与此相对，本实施方式的液晶显示装置500将感光性树脂膜用作有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51的材料，并且通过下面所示的方法制作。
首先，进行到实施方式1的(10)第一配线层的形成工序为止。接着，如图8-1的(a)所示，与实施方式1的方法相同，通过在绝缘基板的整个面上通过旋涂法等使感光性丙烯酸树脂膜等的感光性树脂成膜(涂抹)，形成有机绝缘膜51a。由此，第一配线层61被有机绝缘膜51a覆盖，并且TFT基板的表面被平坦化。
接着，进行有机绝缘膜51a的感光蚀刻。即，如图8-1的(b)所示，通过形成所期望形状的遮光图案的光掩模32a来使有机绝缘膜51a感光(曝光)之后，通过进行蚀刻(显像处理)来除去成为接触孔31c的区域的有机绝缘膜51a。
接着，进行有机绝缘膜51a(感光性树脂膜)的烘烤工序(大致200℃、30分钟)。由此，如图8-1的(c)所示，有机绝缘膜51a的开口部(孔部)的形状变得平缓，能够降低接触孔31c的长宽比。
接着，如图8-1的(d)所示，与实施方式1的方法相同，在绝缘基板的整个面上通过溅射法、PECVD法等形成无机绝缘膜41a(SiNX膜、SiO2膜)。此外，当考虑腔内的污染的影响等时，优选无机绝缘膜41a是通过能够在将基板温度设为低温的状态下实现成膜的溅射法来形成的。由此，能够提高无机绝缘膜41a的膜质。这是因为，在高温处理中有机成分飞散，有可能产生膜性能的劣化、装置的腔的污染。
接着，通过光刻法形成抗蚀剂的图案。具体地说，如图8-2的(e)所示，用不同于光掩模32a的光掩模32b来使抗蚀剂33a感光之后，通过显像处理来除去成为抗蚀剂33a的接触孔31c的区域。
接着，如图8-2的(f)所示，以抗蚀剂33a为掩模通过使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻、或者使用氟酸(HF)等的湿蚀刻，蚀刻无机绝缘膜41a使得有机绝缘膜51a的开口部的壁面被无机绝缘膜41a完全覆盖、且无机绝缘膜41a的开口部与除去有机绝缘膜51a的区域重叠，从而形成接触孔31c。
接着，如图8-2的(g)所示，以无机绝缘膜41a为停止材料，在使用干蚀刻的情况下，通过O2等离子体来灰化抗蚀剂33a，另一方面，在使用湿蚀刻的情况下，通过剥离液来剥离抗蚀剂33a。
其后，与实施方式1相同，进行上述(13)第二配线层的形成工序之后的工序，如图6所示，完成本实施方式的液晶显示装置500。
这样，将感光性树脂用作有机绝缘膜51a的材料，因此在最初除去有机绝缘膜51a的接触部(成为接触孔31c的部分)时，不需要灰化(剥离)工序。因此，如图6所示，通过该感光蚀刻形成的有机绝缘膜51a的接触部(开口部)与通过干工艺形成的情况相比，能够加工成平缓的形状。因此，能够降低接触孔31c的长宽比，能够有效地抑制层叠在其上层的第二配线层62中发生断线不良。
另外，包括接触部的内壁部分(壁面部)的全部的有机绝缘膜51a在接着的无机绝缘膜的形成工序中被无机绝缘膜41a覆盖。因此，其后在蚀刻无机绝缘膜41a时，能够使有机绝缘膜51a免受蚀刻引起的损伤。
并且，在有机绝缘膜51a的感光蚀刻之后所层叠的无机绝缘膜41a，能够利用能够比感光性蚀刻更微细化的干蚀刻等。因此，通过该方法能够实现接触孔31c的微细加工，并且能够实现处于下层的第一配线层61的微细化。
并且，将感光性树脂用作有机绝缘膜51a的材料，因此在将本实施方式应用在实施方式4中的情况下，在层叠无机绝缘膜41a之前，能够容易地除去不需要高的微细加工的端子部的有机绝缘膜。
图12是图8-2的(g)中所示的外围电路区域的其它方式的截面示意图。在对无机绝缘膜41a湿蚀刻的情况下，通过增大无机绝缘膜41a的开口部使其比有机绝缘膜51a的开口部大，如图12所示，也可以暴露有机绝缘膜51a的开口部的壁面的下层侧的一部分。由此，能够使有机绝缘膜51a免受灰化、干蚀刻的损伤。
此外，在该情况下，通过上述的方法进行有机绝缘膜51a的成膜、有机绝缘膜51a的感光蚀刻、有机绝缘膜51a的烘烤以及无机绝缘膜41a的成膜之后(图8-1的(a)～(d))，用不同于光掩模32a的光掩模来形成抗蚀剂的图案，接着，以抗蚀剂为掩模通过使用氟酸(HF)等的湿蚀刻，通过蚀刻无机绝缘膜41a使得有机绝缘膜51a的开口部的壁面的下层侧的一部分暴露，从而形成接触孔，最后通过剥离液来剥离抗蚀剂即可。
下面说明本实施方式的变形例。图9-1的(a)～(d)和图9-1的(e)～(h)是关于制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的变形例的外围电路区域的截面示意图。
在本变形例中，首先进行实施方式1的(10)第一配线层的图案形成为止的工序。接着，如图9-1的(a)所示，与实施方式1的方法相同，通过在绝缘基板的整个面上通过旋涂法等使感光性丙烯酸树脂膜等的感光性树脂成膜(涂抹)来形成有机绝缘膜51a。由此，第一配线层61被有机绝缘膜51a覆盖，并且TFT基板的表面被平坦化。
接着，进行有机绝缘膜51a的感光蚀刻。即，如图9-1的(b)所示，通过形成所期望形状的遮光图案的光掩模32c来使有机绝缘膜51a感光之后，通过进行显像处理来除去成为接触孔31c的区域的有机绝缘膜51a。此时，使有机绝缘膜51a过度曝光使得有机绝缘膜51a的开口部(接触部)比后述的无机绝缘膜41a的开口部(接触部)大。
接着，进行有机绝缘膜51a(感光性树脂膜)的烘烤工序(大致200℃、30分钟)。由此，如图9-1的(c)所示，有机绝缘膜51a的开口部的形状变得平缓，能够降低接触孔31c的长宽比。
接着，如图9-1的(d)所示，与实施方式1的方法相同，在绝缘基板的整个面上通过溅射法、PECVD法等形成无机绝缘膜41a(SiNX膜、SiO2膜)。此外，当考虑腔内的污染的影响等时，优选无机绝缘膜41a是通过能够在将基板温度设为低温的状态下实现成膜的溅射法来形成的。由此，能够提高无机绝缘膜41a的膜质。这是因为，在高温处理中有机成分飞散，有可能产生膜性能的劣化、装置的腔的污染。
接着，通过光刻法形成抗蚀剂的图案。具体地说，如图9-2的
(e)所示，以用于有机绝缘膜51a的曝光的光掩模32c来使抗蚀剂33b感光之后，通过显像处理来除去成为抗蚀剂33b的接触孔31c的区域。此时，以通常的曝光量使抗蚀剂33b曝光使得无机绝缘膜41a的开口部比有机绝缘膜51a的开口部小。
接着，如图9-2的(f)所示，以抗蚀剂33b为掩模通过使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻、或者使用氟酸(HF)等的湿蚀刻，蚀刻无机绝缘膜41a使得与除去有机绝缘膜51a的区域重叠，从而形成接触孔31c。此时，如作为被图9-2的(f)的虚线包围的区域附近的放大图的图9-2的(g)所示，有机绝缘膜51a被无机绝缘膜41a覆盖，因此能在上述蚀刻时和后述的灰化时免受损伤。另外，能够在无机绝缘膜41a的蚀刻中利用能够比感光性蚀刻更微细化的干蚀刻等。因此，通过该方法也能够实现接触孔31c的微细加工，并且能够实现处于下层的第一配线层61的微细化。
接着，如图9-2的(h)所示，以无机绝缘膜41a为停止材料，在使用干蚀刻的情况下，通过O2等离子体来灰化抗蚀剂33b，另一方面，在使用湿蚀刻的情况下，通过剥离液来剥离抗蚀剂33b。
这样，根据本变形例，在有机绝缘膜51a和抗蚀剂33b的曝光中使用同一个光掩模32c，因此能够削减一张所需的光掩模，能够削减制造成本。另外，能够抑制有可能由于不同的光掩模之间的已存在的错位而导致的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a各自的开口部的位置错位的发生。
图10-1的(a)～(c)和图10-2的(d)～(f)是制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的变形例的外围电路区域的截面示意图。
在本变形例中，首先进行实施方式1的(10)第一配线层的图案形成为止的工序。接着，如图10-1的(a)所示，与实施方式1的方法相同，通过在绝缘基板的整个面上通过旋涂法等使感光性丙烯酸树脂膜等的感光性树脂成膜(涂抹)来形成有机绝缘膜51a。由此，第一配线层61被有机绝缘膜51a覆盖，并且TFT基板的表面被平坦化。
接着，根据需要进行有机绝缘膜51a的感光之后，进行烘烤工序(大致200℃、30分钟)。这样，在本变形例中，有机绝缘膜51a可以是感光性树脂，也可以是非感光性树脂。
接着，如图10-1的(b)所示，与实施方式1的方法相同，在绝缘基板的整个面上通过溅射法、PECVD法等形成无机绝缘膜41a(SiNX膜、SiO2膜)。此外，当考虑腔内的污染的影响等时，优选无机绝缘膜41a是通过能够在将基板温度设为低温的状态下实现成膜的溅射法来形成的。由此，能够提高无机绝缘膜41a的膜质。这是因为，在高温处理中有机成分飞散，有可能产生膜性能的劣化、装置的腔的污染。
接着，通过光刻法形成抗蚀剂的图案。具体地说，如图10-1的(c)所示，用光掩模32d来使抗蚀剂33c感光之后，通过显像处理来除去成为抗蚀剂33c的接触孔31c的区域。
接着，如图10-2的(d)所示，以抗蚀剂33c为掩模通过使用氟酸(HF)等的湿蚀刻来除去无机绝缘膜41a中成为接触孔31c的区域。
接着，如图10-2的(e)所示，以无机绝缘膜41a为停止材料通过剥离液来剥离抗蚀剂33c。
接着，如图10-2的(f)所示，以无机绝缘膜41a为掩模通过使用O2等离子体等的湿蚀刻来蚀刻有机绝缘膜51a，从而形成接触孔31c。
这样，根据本变形例，通过湿蚀刻来蚀刻无机绝缘膜41a，因此能够不通过灰化处理而是通过剥离液来剥离抗蚀剂33c。因此，不会对暴露在接触孔31c内的有机绝缘膜51a的开口部的壁面部带来灰化的损伤。
图11的(a)和(b)是制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的变形例的外围电路区域的截面示意图。
在本变形例中，如图10-1的(c)所示，首先与上述的变形例相同，进行到抗蚀剂33c的图案形成为止的工序。
接着，如图11的(a)所示，以抗蚀剂33c为掩模通过使用了四氟化碳(CF4)等的干蚀刻，除去无机绝缘膜41a中成为接触孔31c的区域。这样，通过使用干蚀刻，能够实现接触孔31c的微细加工。
接着，如图11的(b)所示，以无机绝缘膜41a为停止材料通过使用O2等离子体等的干蚀刻，进行抗蚀剂33b的灰化和有机绝缘膜51a的蚀刻，从而形成接触孔31c。
这样，根据本变形例，同时进行抗蚀剂33b的除去(灰化)和有机绝缘膜51a的蚀刻(开口)，因此能够减轻通过干蚀刻带给有机绝缘膜51a的总体损伤。
此外，在本实施方式中，有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51也可以是由无机绝缘膜构成的平坦化膜(无机平坦化膜)，在该情况下，使用由含有Si-H的聚硅氧烷(MSQ)系材料构成的膜、多孔质硅膜即可。这样，本实施方式的液晶显示装置500也可以具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜/无机膜层叠体。
以上，使用实施方式1～4以及其它实施方式说明了本发明，但是也可以在不超出本发明精神的范围内适当组合各实施方式。例如，本发明的显示装置用基板也可以是不具有外围电路区域、而仅在端子部中设有有机/无机膜层叠体的方式，也可以是在端子部中未设有有机绝缘膜、而仅在外围电路区域中设有有机/无机膜层叠体的方式。
另外，在上述实施方式中以液晶显示装置为例说明了本发明，但是本发明还能够应用于液晶显示装置以外的显示装置、例如有机EL显示器等中。
并且，本发明的多层配线的形成方法、多层配线基板除了显示装置以外，还能够应用于例如用于半导体集成电路等的半导体基板、FPC基板等的配线基板等中。
此外，本申请以2008年3月4日申请的日本专利申请2008-53779号为基础，主张基于巴黎公约和进入国家的法律的优先权。该申请的内容其整体作为参照被引用到本申请中。
附图说明
图1是实施方式1的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示外围电路区域。
图2是实施方式2的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示外围电路区域。
图3是实施方式3的液晶显示装置的端子部的截面示意图。
图4是实施方式4的液晶显示装置的端子部的截面示意图。
图5是实施方式4的液晶显示装置的变形例的端子部的截面示意图。
图6是实施方式1～4的液晶显示装置的外围电路区域的截面示意图。
图7是以往的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示外围电路区域。
图8-1的(a)～(d)是制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的外围电路区域的截面示意图。
图8-2的(e)～(g)是制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的外围电路区域的截面示意图。
图9-1的(a)～(d)是制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的变形例的外围电路区域的截面示意图。
图9-2的(e)～(h)是制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的变形例的外围电路区域的截面示意图。
图10-1的(a)～(c)是制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的变形例的外围电路区域的截面示意图。
图10-2的(d)～(f)是制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的变形例的外围电路区域的截面示意图。
图11的(a)和(b)是制造工序中的实施方式1～4的液晶显示装置的变形例的外围电路区域的截面示意图。
图12是图8-2的(g)中所示的外围电路区域的其它方式的截面示意图。
图13是实施方式1的液晶显示装置的像素区域的截面示意图。
图14是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的外围电路区域的截面示意图。
图15是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图16是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。
图17是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图18是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。
图19是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图20是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图21是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。
图22是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图23是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。
图24是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图25是表示实施方式2的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。
图26是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，表示边框区域中的端子部。
图27是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域中的端子部，(b)表示边框区域中的外围电路部。
图28是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图29是表示实施方式4的液晶显示装置的变形例的截面示意图，表示边框区域中的端子部。
附图标记说明：
11、12、13、14：TFT基板；21：绝缘基板；22：底涂膜；23：半导体层；24：栅极绝缘膜；25：栅极电极(栅极配线)；26：连接端子(外部连接端子)；27：焊盘部；28：源极/漏极电极；29：TFT；30a、30b、30c、30d、30e：引绕配线；31a、31b、31c、31d、31e、31f、31g、31j：接触孔；32a、32b、32c、32d：光掩模；33a、33b、33c：抗蚀剂；34：源极电极；35：漏极电极；36：像素电极；41、41a、41b、41c：无机绝缘膜；51、51a、51b：有机绝缘膜；61：第一配线层；62：第二配线层；63：第三配线层；65：漏极配线；66a、66b：辅助电容上电极；67：辅助电容下电极；68a、68b：像素辅助电容；69：最接近下层配线层；70：FPC基板；71：连接端子；80：ACF；81：导电性微粒子；100、200、300、400、500：液晶显示装置。

Claims (36)

1.一种显示装置用基板，其在绝缘基板上具备端子部和设有外围电路的外围电路区域中的至少一方，所述端子部设有用于连接其它外部连接部件的连接端子，上述显示装置用基板的特征在于：
该显示装置用基板具有在有机绝缘膜的正上方层叠有无机绝缘膜的有机/无机膜层叠体。
2.根据权利要求1所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述显示装置用基板具备上述端子部和上述外围电路区域。
3.根据权利要求1或者2所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述显示装置用基板在上述端子部中具有上述有机/无机膜层叠体。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述显示装置用基板在上述外围电路区域中具有上述有机/无机膜层叠体。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述显示装置用基板具有多个上述有机/无机膜层叠体。
6.根据权利要求5所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述显示装置用基板在上述端子部中具有上述多个有机/无机膜层叠体。
7.根据权利要求5或者6所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述显示装置用基板具有设在上述多个有机/无机膜层叠体的层间的多个配线层，
上述连接端子包含该多个配线层中的、除了位于最靠近绝缘基板侧的配线层之外的配线层而构成。
8.根据权利要求5～7中的任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述显示装置用基板具有设在上述多个有机/无机膜层叠体的层间的多个配线层，
上述连接端子包含该多个配线层中的、位于最靠近上层侧的配线层而构成。
9.根据权利要求5所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述显示装置用基板在上述外围电路区域中具有上述多个有机/无机膜层叠体。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述显示装置用基板在上述端子部中具有在上述连接端子的正上方层叠有上述无机绝缘膜的区域。
11.根据权利要求1或者2所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述显示装置用基板在上述端子部中未设置上述有机绝缘膜。
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述有机绝缘膜的开口部被比上述无机绝缘膜更上层的配线覆盖。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
上述有机绝缘膜包含感光性树脂。
14.一种显示装置用基板的制造方法，是权利要求13所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
该制造方法包括：
有机绝缘膜蚀刻工序，蚀刻包含上述感光性树脂的上述有机绝缘膜；
无机绝缘膜成膜工序，在该有机绝缘膜蚀刻工序之后，形成上述无机绝缘膜；以及
无机绝缘膜蚀刻工序，在该无机绝缘膜成膜工序之后，蚀刻上述无机绝缘膜。
15.根据权利要求14所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
上述无机绝缘膜蚀刻工序隔着第一抗蚀剂来干蚀刻上述无机绝缘膜。
16.根据权利要求14或者15所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
上述无机绝缘膜蚀刻工序蚀刻除去与包含上述感光性树脂的上述有机绝缘膜的被蚀刻除去的区域相重叠的区域的上述无机绝缘膜。
17.根据权利要求14～16中的任一项所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
上述显示装置用基板的制造方法包括如下有机绝缘膜感光工序：在上述有机绝缘膜蚀刻工序之前，隔着第一光掩模使上述有机绝缘膜感光。
18.根据权利要求17所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
上述显示装置用基板的制造方法包括：
抗蚀剂成膜工序，在上述无机绝缘膜成膜工序之后，在上述无机绝缘膜上使第二抗蚀剂成膜；和
抗蚀剂感光工序，在该抗蚀剂成膜工序之后，隔着上述第一光掩模使该第二抗蚀剂感光。
19.一种显示装置用基板的制造方法，是权利要求1～13中的任一项所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
该制造方法包括：
无机绝缘膜蚀刻工序，将抗蚀剂作为掩模，通过湿蚀刻来蚀刻上述无机绝缘膜；
抗蚀剂除去工序，在该无机绝缘膜蚀刻工序之后，除去该抗蚀剂；以及
有机绝缘膜蚀刻工序，在该抗蚀剂除去工序之后，将上述无机绝缘膜作为掩模来蚀刻上述有机绝缘膜。
20.一种显示装置用基板的制造方法，是权利要求1～13中的任一项所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
该制造方法包括：
无机绝缘膜蚀刻工序，将抗蚀剂作为掩模，通过干蚀刻来蚀刻上述无机绝缘膜；和
在该无机绝缘膜蚀刻工序之后，通过干蚀刻来灰化除去该抗蚀剂，并且将上述无机绝缘膜作为掩模来蚀刻上述有机绝缘膜的工序。
21.一种显示装置，其特征在于：
具备权利要求1～13中的任一项所述的显示装置用基板。
22.一种显示装置，其特征在于：
具备通过权利要求14～20中的任一项所述的显示装置用基板的制造方法制作出的显示装置用基板。
23.一种多层配线的形成方法，该多层配线具有在包含感光性树脂的有机绝缘膜的正上方层叠有无机绝缘膜的有机/无机膜层叠体，上述多层配线的形成方法的特征在于：
该形成方法包括：
有机绝缘膜蚀刻工序，蚀刻该有机绝缘膜；
无机绝缘膜成膜工序，在该有机绝缘膜蚀刻工序之后，形成该无机绝缘膜；以及
无机绝缘膜蚀刻工序，在该无机绝缘膜成膜工序之后，蚀刻该无机绝缘膜。
24.根据权利要求23所述的多层配线的形成方法，其特征在于：
在上述无机绝缘膜蚀刻工序中，隔着第一抗蚀剂来干蚀刻上述无机绝缘膜。
25.根据权利要求23或者24所述的多层配线的形成方法，其特征在于：
在上述无机绝缘膜蚀刻工序中，蚀刻除去与包含上述感光性树脂的上述有机绝缘膜的被蚀刻除去的区域相重叠的区域的上述无机绝缘膜。
26.根据权利要求23～25中的任一项所述的多层配线的形成方法，其特征在于：
上述多层配线的形成方法包括如下有机绝缘膜感光工序：在上述有机绝缘膜蚀刻工序之前，隔着第一光掩模使上述有机绝缘膜感光。
27.根据权利要求26所述的多层配线的形成方法，其特征在于：
上述多层配线的形成方法包括：
抗蚀剂成膜工序，在上述无机绝缘膜成膜工序之后，在上述无机绝缘膜上使第二抗蚀剂成膜；和
抗蚀剂感光工序，在该抗蚀剂成膜工序之后，隔着上述第一光掩模使该第二抗蚀剂感光。
28.一种多层配线的形成方法，该多层配线具有在有机绝缘膜的正上方层叠有无机绝缘膜的有机/无机膜层叠体，上述多层配线的形成方法的特征在于：
该形成方法包括：
无机绝缘膜蚀刻工序，将抗蚀剂作为掩模，通过湿蚀刻来蚀刻该无机绝缘膜；
抗蚀剂除去工序，在该无机绝缘膜蚀刻工序之后，除去该抗蚀剂；以及
有机绝缘膜蚀刻工序，在该抗蚀剂除去工序之后，将该无机绝缘膜作为掩模来蚀刻该有机绝缘膜。
29.一种多层配线的形成方法，该多层配线具有在有机绝缘膜的正上方层叠有无机绝缘膜的有机/无机膜层叠体，上述多层配线的形成方法的特征在于：
该形成方法包括：
无机绝缘膜蚀刻工序，将抗蚀剂作为掩模，通过干蚀刻来蚀刻该无机绝缘膜；和
在该无机绝缘膜蚀刻工序之后，通过干蚀刻来灰化除去该抗蚀剂，并且将该无机绝缘膜作为掩模来蚀刻该有机绝缘膜的工序。
30.一种多层配线基板，在绝缘基板上具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜、无机膜层叠体，上述多层配线基板的特征在于：
该平坦化膜的开口部的壁面中的至少上层侧的一部分被该无机绝缘膜覆盖。
31.根据权利要求30所述的多层配线基板，其特征在于：
上述平坦化膜的开口部的壁面的全部被上述无机绝缘膜覆盖。
32.根据权利要求30或者31所述的多层配线基板，其特征在于：
上述平坦化膜是有机绝缘膜。
33.根据权利要求32所述的多层配线基板，其特征在于：
上述有机绝缘膜包含感光性树脂。
34.根据权利要求30或者31所述的多层配线基板，其特征在于：
上述平坦化膜是无机绝缘膜。
35.根据权利要求30～34中的任一项所述的多层配线基板，其特征在于：
上述平坦化膜的开口部被比上述无机绝缘膜更上层的配线覆盖。
36.根据权利要求30～35中的任一项所述的多层配线基板，其特征在于：
上述多层配线基板是显示装置用基板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104903949A (zh) * 2013-01-11 2015-09-09 夏普株式会社 显示面板
CN110707100A (zh) * 2019-10-16 2020-01-17 友达光电（昆山）有限公司 显示面板
WO2021109249A1 (zh) * 2019-12-06 2021-06-10 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5501024B2 (ja) * 2010-02-22 2014-05-21 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル
US8765595B2 (en) 2012-01-06 2014-07-01 International Business Machines Corporation Thick on-chip high-performance wiring structures
KR20210011529A (ko) * 2019-07-22 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2846351B2 (ja) 1989-07-27 1999-01-13 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH03183756A (ja) 1989-12-13 1991-08-09 Sumitomo Chem Co Ltd 多層配線形成方法
JP2003114646A (ja) * 2001-08-03 2003-04-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその駆動方法。
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
US20050109533A1 (en) * 2002-08-27 2005-05-26 Fujitsu Limited Circuit board and manufacturing method thereof that can easily provide insulating film between projecting electrodes
JP2004119016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
EP1581010A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-28 Sony Deutschland GmbH Image generation unit
WO2007046290A1 (en) 2005-10-18 2007-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4952425B2 (ja) * 2006-08-21 2012-06-13 ソニー株式会社 液晶装置および電子機器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104903949A (zh) * 2013-01-11 2015-09-09 夏普株式会社 显示面板
CN110707100A (zh) * 2019-10-16 2020-01-17 友达光电（昆山）有限公司 显示面板
WO2021072781A1 (zh) * 2019-10-16 2021-04-22 友达光电（昆山）有限公司 显示面板
WO2021109249A1 (zh) * 2019-12-06 2021-06-10 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法

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