CN112786710A - 制造光传感器的方法 - Google Patents

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金洸炫
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Abstract

制造光传感器的方法包括：在基板上形成第一导电层，第一导电层包括金属层和形成在金属层上的透明导电氧化物层；在第一导电层上形成光电导层；在光电导层上形成第二导电层；在第二导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层以形成第二电极；使第一光致抗蚀剂图案变形以形成第二光致抗蚀剂图案；以及使用第二光致抗蚀剂图案分别蚀刻光电导层和第一导电层，以形成光电导图案和第一电极。

Description

制造光传感器的方法
技术领域
本发明涉及光传感器。更具体地，本发明涉及制造在显示装置中使用的光传感器的方法。
背景技术
显示装置可向用户提供视觉信息。最近，包括显示装置的移动装置(比如智能手机或平板计算机等)被广泛使用。例如，可通过移动装置实施电子商务。在电子商务中，安全性很重要。
生物测定技术(比如指纹识别技术、虹膜识别技术、面部识别技术等)用于用户验证、安全性等。例如，使用指纹识别技术的指纹识别传感器广泛用于移动装置，比如智能电话、平板计算机等。指纹识别传感器可包括电容式指纹识别传感器、光学指纹识别传感器、超声指纹识别传感器等。
发明内容
示例性实施方式提供用于减少光刻工艺的数量的制造光传感器的方法。
根据本发明的示例性实施方式，制造光传感器的方法包括：在基板上形成第一导电层，第一导电层包括金属层和形成在金属层上的透明导电氧化物层；在第一导电层上形成光电导层；在光电导层上形成第二导电层；在第二导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层以形成第二电极；使第一光致抗蚀剂图案变形以形成第二光致抗蚀剂图案；以及使用第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模分别蚀刻光电导层和第一导电层，以形成光电导图案和第一电极。
根据本发明的示例性实施方式，制造光传感器的方法包括：在基板上形成第一导电层；在第一导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻第一导电层以形成第一电极；在第一电极上形成光电导层；在光电导层上形成第二导电层；在第二导电层上形成第二光致抗蚀剂图案；使用第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层以形成第二电极；使第二光致抗蚀剂图案变形以形成第三光致抗蚀剂图案；以及使用第三光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻光电导层以形成光电导图案。
在根据实施方式的制造光传感器的方法中，可使用单次光刻来蚀刻第二导电层、光电导层和第一导电层，或可使用单次光刻来蚀刻第二导电层和光电导层，从而用于形成光电二极管的光刻可进行一次或两次。因此，可减少用于制造光传感器的时间和成本。
附图说明
说明性、非限制性实施方式将从结合附图的下述详细描述中更清楚地理解。
图1为示出根据本发明的示例性实施方式的光传感器的横截面图。
图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12为示出根据本发明的示例性实施方式的制造图1中的光传感器的方法的横截面图。
图13为示出根据本发明的示例性实施方式的光传感器的横截面图。
图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21和图22为示出根据本发明的示例性实施方式的制造图13中的光传感器的方法的横截面图。
具体实施方式
下文，将参考附图详细地解释根据实施方式的光传感器和制造光传感器的方法。
下文，将参考图1描述根据本发明的示例性实施方式的光传感器。
图1为示出根据本发明的示例性实施方式的光传感器的横截面图。
参考图1，根据本发明的实施方式的光传感器可包括设置在基板100上的光电二极管PD、电容器CAP、第一晶体管TR1和第二晶体管TR2。光电二极管PD可包括第一电极160a、光电导图案170a和第二电极180a。电容器CAP可包括第一电容器电极142和第二电容器电极160b。第一晶体管TR1可包括第一有源层121、第一栅电极141、第一源电极160c和第一漏电极201。第二晶体管TR2可包括第二有源层122、第二栅电极143、第二源电极203和第二漏电极204。
光电二极管PD可接收从其上面入射的光，并且可产生对应于该光的检测信号。在示例性实施方式中，光电二极管PD可为基于光电效应将光转换成电信号的正-本征-负(PIN)二极管。电容器CAP可与光电二极管PD并联连接。第一晶体管TR1可响应于栅信号，将从光电二极管PD传递的检测信号传递至信号处理器。第二晶体管TR2可将栅信号传递至第一晶体管TR1。
光传感器可在显示装置等中使用。例如，光传感器可设置在显示装置下方或显示装置上方，并且可用作用于识别显示装置等的用户的指纹识别传感器。
下文，将参考图1至图12描述根据本发明的示例性实施方式的制造光传感器的方法。
图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12为示出制造图1中的光传感器的方法的横截面图。
参考图2，第一有源层121和第二有源层122可形成在基板100上方。
首先，缓冲层110可形成在基板100上。例如，无机绝缘材料(比如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等)可沉积在基板100上以形成缓冲层110。然后，第一有源层121和第二有源层122可形成在缓冲层110上。例如，非晶硅可沉积在缓冲层110上以形成非晶硅层，并且可通过使用例如准分子激光器等的热处理使非晶硅层结晶，以形成多晶硅层。进一步地，可蚀刻多晶硅层以形成第一有源层121和第二有源层122。
参考图3，第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143可形成在基板100上方。
首先，覆盖第一有源层121和第二有源层122的第一绝缘层130可形成在缓冲层110上。例如，无机绝缘材料(比如氧化硅(SiOx)等)可沉积在缓冲层110上以覆盖第一有源层121和第二有源层122，从而形成第一绝缘层130。
然后，第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143可形成在第一绝缘层130上。例如，导电材料(比如钼(Mo)、铜(Cu)等)可沉积在第一绝缘层130上以形成导电层，并且可蚀刻导电层以形成第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143。第一栅电极141和第二栅电极143可分别与第一有源层121和第二有源层122重叠。第一电容器电极142可设置在第一栅电极141和第二栅电极143之间。第一电容器电极142、第一栅电极141和第二栅电极143可设置在第一绝缘层130的同一层上。在示例性实施方式中，第一电容器电极142可包括位置比第一栅电极141和第二栅电极143中的每一个的上表面低的上表面。
可在形成第一栅电极141和第二栅电极143之后使用第一栅电极141和第二栅电极143作为离子-注入掩模，将P-型(正)杂质或N-型(负)杂质注入到第一有源层121和第二有源层122中。因此，第一源区和第一漏区可形成在第一有源层121的相对侧处，并且第二源区和第二漏区可形成在第二有源层122的相对侧处。
参考图4，第二绝缘层150可形成在第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143上。
首先，覆盖第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143的第二绝缘层150可形成在第一绝缘层130上。例如，无机绝缘材料(比如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiOxNy)等)可沉积在第一绝缘层130上以覆盖第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143从而形成第二绝缘层150。然后，第一源区接触孔CH1可形成在第二绝缘层150和第一绝缘层130中。第一源区接触孔CH1可暴露第一有源层121的第一源区。例如，第一源区接触孔CH1可穿透第二绝缘层150和第一绝缘层130以暴露第一有源层121的第一源区。
参考图5，第一导电层160、光电导层170和第二导电层180可形成在第二绝缘层150上。
首先，填充第一源区接触孔CH1的第一导电层160可形成在第二绝缘层150上。第一导电层160可包括金属层161和形成在金属层161上的透明导电氧化物层162。例如，金属层161可包括填充第一源区接触孔CH1的第一部分和设置在透明导电氧化物层162和第二绝缘层150之间的第二部分。在示例性实施方式中，可沉积导电材料(比如钼(Mo)、铜(Cu)等)以填充第一源区接触孔CH1，从而形成金属层161，并且透明导电氧化物(比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等)可沉积在金属层161上以形成透明导电氧化物层162。第一导电层160可通过第一源区接触孔CH1接触第一有源层121的第一源区。
在示例性实施方式中，透明导电氧化物层162的电阻率可大于金属层161的电阻率。例如，金属层161的电阻率可小于透明导电氧化物层162的电阻率。进一步地，透明导电氧化物层162可通过溅射工艺形成。与溅射工艺不同，当透明导电氧化物层162可使用化学气相沉积(CVD)工艺形成在具有相对低的电阻率的金属层161上时，可发生电弧或弧放电。在示例性实施方式中，CVD工艺可包括等离子体增强CVD(PECVD)工艺。因而，光传感器和/或沉积设备可被损坏。为了防止电弧或弧放电，溅射工艺可用于在具有相对低的电阻率的金属层161上形成具有相对高的电阻率的透明导电氧化物层162。
在示例性实施方式中，透明导电氧化物层162的厚度162T可小于金属层161的厚度161T。因为透明导电氧化物层162的电阻率相对高，所以透明导电氧化物层162的厚度162T可为小的，以防止第一导电层160的电阻的量增加。
然后，光电导层170可形成在第一导电层160上。光电导层170可包括N-型(负)半导体层171、形成在N-型半导体层171上的I-型(本征)半导体层172以及形成在I-型半导体层172上的P-型(正)半导体层173。
在示例性实施方式中，光电导层170可使用化学气相沉积(CVD)工艺形成。光电导层170可形成在具有相对高的电阻率的透明导电氧化物层162上，从而可防止在CVD工艺中发生电弧或弧放电。与透明导电氧化物层162的形成不同，CVD工艺可用于形成光电导层170。
然后，第二导电层180可形成在光电导层170上。在示例性实施方式中，第二导电层180可包括透明导电氧化物。例如，透明导电氧化物(比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等)可沉积在光电导层170上以形成第二导电层180。
参考图6，光致抗蚀剂图案300可形成在第二导电层180上。
例如，可将光致抗蚀剂涂覆在第二导电层180上以形成光致抗蚀剂层，并且可在光刻工艺中曝光并显影光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案300。光致抗蚀剂图案300可与第一有源层121的至少一部分和第一电容器电极142的至少一部分重叠。
参考图7，可使用光致抗蚀剂图案300作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层180。
可使用光致抗蚀剂图案300作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层180以形成第二电极180a。在实施方式中，可通过使用各向同性的蚀刻工艺(比如湿法蚀刻)蚀刻第二导电层180。在示例性实施方式中，可在各向同性的蚀刻工艺(比如湿法蚀刻)中形成光致抗蚀剂图案300下方的底切区UC。
可使用光致抗蚀剂图案300作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层180以形成第二电极180a。在蚀刻工艺中，第二导电层180的在光致抗蚀剂图案300下方的部分可被蚀刻以形成底切区UC。在示例性实施方式中，底切区UC可具有限定在光致抗蚀剂图案300的边缘和第二电极180a的侧壁之间的预定的宽度W1。例如，可在蚀刻第二导电层180的工艺中形成相对大的蚀刻偏斜(etch skew)。为了形成相对大的蚀刻偏斜，可增加将第二导电层180暴露于蚀刻剂的时间。可蚀刻第二导电层180使得第二电极180a的侧壁可从光致抗蚀剂图案300的边缘凹进预定的宽度W1。第二电极180a的宽度W2可小于光致抗蚀剂图案300的宽度。
可使光致抗蚀剂图案300变形，以形成光致抗蚀剂图案301。具体地，参考图8，在示例性实施方式中，可使光致抗蚀剂图案300回流。例如，可通过在约130度或更高的温度下热处理来使光致抗蚀剂图案300回流，以形成回流后的光致抗蚀剂图案301。在这样的实施方式中，回流后的光致抗蚀剂图案301可覆盖第二电极180a的侧部分180S，并且底切区UC可填充有回流后的光致抗蚀剂图案301。然而，本发明不限于此。在示例性实施方式中，可不使光致抗蚀剂图案300回流。
参考图9，可使用光致抗蚀剂图案301蚀刻光电导层170和第一导电层160。
可使用光致抗蚀剂图案301作为蚀刻掩模蚀刻光电导层170和第一导电层160，从而可形成光电导图案170a和第一电极160a。光电导图案170a可包括N-型半导体图案171a、形成在N-型半导体图案171a上的I-型半导体图案172a以及形成在I-型半导体图案172a上的P-型半导体图案173a。第一电极160a可包括金属图案161a和形成在金属图案161a上的透明导电氧化物图案162a。在实施方式中，可通过使用干法蚀刻的各向异性的蚀刻工艺蚀刻光电导层170和第一导电层160。
光电导层170和第一导电层160中的每一个可被蚀刻至光致抗蚀剂图案301的边缘。例如，在俯视图中，光致抗蚀剂图案301的形状可传递至光电导层170和第一导电层160中的每一个，以形成彼此堆叠的光电导图案170a和第一电极160a。因为光电导层170和第一导电层160中的每一个被蚀刻至光致抗蚀剂图案301的边缘，所以光电导图案170a的宽度W3和第一电极160a的宽度W3可大于第二电极180a的宽度W2。
第一电极160a、光电导图案170a和第二电极180a可形成光电二极管PD。第一电容器电极142和第二电容器电极160b可形成电容器CAP。在该情况下，第二电容器电极160b和第一电极160a可一体地形成。例如，金属层161可被图案化以形成第一电极160a的金属图案161a和第二电容器电极160b。图案化的金属层的一部分可用作金属图案161a，并且图案化的金属层的另一部分可用作第二电容器电极160b。
参考图10，在实施方式中，第一电极160a可被热处理。
首先，可剥离光致抗蚀剂图案301。然后，可将热供应至第一电极160a以热处理第一电极160a。例如，可使用烘箱等将热供应至第一电极160a。如上所述，通过蚀刻透明导电氧化物层162形成的透明导电氧化物图案162a可具有相对高的电阻率，并且第一电极160a可被热处理以降低透明导电氧化物图案162a的电阻率。因此，热处理之后的透明导电氧化物图案162a的电阻率可小于热处理之前的透明导电氧化物图案162a的电阻率。
在实施方式中，可在蚀刻光电导层170和第一导电层160之后热处理第一电极160a。如果在蚀刻第一导电层160之前热处理第一导电层160，则当蚀刻第一导电层160时可产生过量的残留物。
参考图11，第三绝缘层190可形成在第二电极180a上。
首先，覆盖第二电极180a的第三绝缘层190可形成在第二绝缘层150上。例如，无机绝缘材料(比如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiOxNy)等)可沉积在第二绝缘层150上以覆盖第二电极180a，从而形成第三绝缘层190。
然后，第一漏区接触孔CH21、第二电极接触孔CH22、第一电容器电极接触孔CH23、第二源区接触孔CH24和第二漏区接触孔CH25可形成在第三绝缘层190中。第一漏区接触孔CH21、第二电极接触孔CH22、第一电容器电极接触孔CH23、第二源区接触孔CH24和第二漏区接触孔CH25可分别暴露第一有源层121的第一漏区、第二电极180a、第一电容器电极142、第二有源层122的第二源区和第二有源层122的第二漏区。
参考图12，第一漏电极201、连接电极202、第二源电极203和第二漏电极204可形成在第三绝缘层190上。例如，可沉积导电材料(比如铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)等)以填充第一漏区接触孔CH21、第二电极接触孔CH22、第一电容器电极接触孔CH23、第二源区接触孔CH24和第二漏区接触孔CH25从而形成导电层，并且导电层可被蚀刻以形成第一漏电极201、连接电极202、第二源电极203和第二漏电极204。第一漏电极201可通过第一漏区接触孔CH21接触第一有源层121的漏区，并且连接电极202可分别通过第二电极接触孔CH22和第一电容器电极接触孔CH23接触第二电极180a和第一电容器电极142。第二源电极203可通过第二源区接触孔CH24接触第二有源层122的第二源区，并且第二漏电极204可通过第二漏区接触孔CH25接触第二有源层122的第二漏区。
第一有源层121、第一栅电极141、第一源电极160c和第一漏电极201可形成第一晶体管TR1。第一源电极160c和第一电极160a可一体地形成。例如，图5的金属层161可被图案化，使得图案化的金属层的一部分可用作金属图案161a，并且填充第一源区接触孔CH1的图案化的金属层的另一部分可用作第一源电极160c。第二有源层122、第二栅电极143、第二源电极203和第二漏电极204可形成第二晶体管TR2。连接电极202可将光电二极管PD的第二电极180a电连接至电容器CAP的第一电容器电极142。
参考图1，保护层220可形成在第二源电极203和第二漏电极204上方。
首先，覆盖第一漏电极201、连接电极202、第二源电极203和第二漏电极204的第四绝缘层210可形成在第三绝缘层190上。例如，有机绝缘材料(比如聚酰亚胺(PI)等)可沉积在第三绝缘层190上以覆盖第一漏电极201、连接电极202、第二源电极203和第二漏电极204，从而形成第四绝缘层210。第四绝缘层210可具有平坦化的上表面。
然后，初始保护层可形成在第四绝缘层210上。例如，导电材料(比如铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)等)可沉积在第四绝缘层210上以形成初始保护层，并且初始保护层可被蚀刻以形成保护层220。保护层220可与第二晶体管TR2重叠。
在根据本发明的实施方式的制造光传感器的方法中，第二导电层180、光电导层170和第一导电层160可通过单次光刻而被蚀刻，从而用于形成光电二极管PD的光刻可进行一次。因此，可减少用于制造光传感器的时间和成本。
下文，将参考图13描述根据本发明的实施方式的光传感器。
图13为示出根据本发明的实施方式的光传感器的横截面图。
参考图13，根据本发明的实施方式的光传感器可包括设置在基板100上的光电二极管PD、电容器CAP、第一晶体管TR1和第二晶体管TR2。光电二极管PD可包括第一电极1160a、光电导图案170a和第二电极180a。电容器CAP可包括第一电容器电极142和第二电容器电极1160b。第一晶体管TR1可包括第一有源层121、第一栅电极141、第一源电极1160c、第一漏连接电极1161和第一漏电极1201。第二晶体管TR2可包括第二有源层122、第二栅电极143、第二源连接电极1163、第二源电极1203、第二漏连接电极1164和第二漏电极1204。
下文，将参考图13至图22描述根据本发明的实施方式的制造光传感器的方法。将不重复与参考图1至图12描述的根据本发明的实施方式的制造光传感器的方法的对元件的描述基本上相同或相似的参考图13至图22描述的根据本发明的实施方式的制造光传感器的方法的对元件的描述。
图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21和图22为示出制造图13中的光传感器的方法的横截面图。
参考图14，第二绝缘层150可形成在第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143上。
首先，覆盖第一栅电极141、第一电容器电极142和第二栅电极143的第二绝缘层150可形成在第一绝缘层130上。然后，第一源区接触孔CH11、第一漏区接触孔CH12、第一电容器电极接触孔CH13、第二源区接触孔CH14和第二漏区接触孔CH15可形成在第二绝缘层150中。第一源区接触孔CH11和第一漏区接触孔CH12可分别暴露第一有源层121的第一源区和第一漏区。第一电容器电极接触孔CH13可暴露第一电容器电极142。第二源区接触孔CH14和第二漏区接触孔CH15可分别暴露第二有源层122的第二源区和第二漏区。
参考图15，第一导电层1160可形成在第二绝缘层150上。
填充第一源区接触孔CH11、第一漏区接触孔CH12、第一电容器电极接触孔CH13、第二源区接触孔CH14和第二漏区接触孔CH15的第一导电层1160可形成在第二绝缘层150上。第一导电层1160可包括金属。例如，可沉积导电材料(比如钼(Mo)、铜(Cu)等)以填充第一源区接触孔CH11、第一漏区接触孔CH12、第一电容器电极接触孔CH13、第二源区接触孔CH14和第二漏区接触孔CH15，从而形成第一导电层1160。第一导电层1160可分别通过第一源区接触孔CH11和第一漏区接触孔CH12接触第一有源层121的第一源区和第一漏区。第一导电层1160可通过第一电容器电极接触孔CH13接触第一电容器电极142。第一导电层1160可分别通过第二源区接触孔CH14和第二漏区接触孔CH15接触第二有源层122的第二源区和第二漏区。
参考图16，第一光致抗蚀剂图案310可形成在第一导电层1160上。
例如，可将光致抗蚀剂涂覆在第一导电层1160上以形成光致抗蚀剂层，并且可使用光刻工艺曝光并显影光致抗蚀剂层，以形成第一光致抗蚀剂图案310。第一光致抗蚀剂图案310可与第一有源层121的至少一部分、第一电容器电极142的至少一部分、第一漏区接触孔CH12、第一电容器电极接触孔CH13、第二源区接触孔CH14和第二漏区接触孔CH15重叠。
参考图17，可使用第一光致抗蚀剂图案310蚀刻第一导电层1160。
可使用第一光致抗蚀剂图案310作为蚀刻掩模蚀刻第一导电层1160以形成第一电极1160a、第一漏连接电极1161、第一连接电极1162、第二源连接电极1163和第二漏连接电极1164。第一电容器电极142和第二电容器电极1160b可形成电容器CAP。在该情况下，第二电容器电极1160b和第一电极1160a可一体地形成。例如，图15的第一导电层1160可被图案化，使得图案化的第一导电层的一部分可用作第一电极1160a，并且图案化的第一导电层的另一部分可用作第二电容器电极1160b。
参考图18，光电导层170和第二导电层180可顺序形成在第一电极1160a、第一漏连接电极1161、第一连接电极1162、第二源连接电极1163和第二漏连接电极1164上。
首先，可剥离第一光致抗蚀剂图案310。然后，覆盖第一电极1160a、第一漏连接电极1161、第一连接电极1162、第二源连接电极1163和第二漏连接电极1164的光电导层170可形成在第二绝缘层150上。然后，第二导电层180可形成在光电导层170上。
参考图19，第二光致抗蚀剂图案320可形成在第二导电层180上。
例如，可将光致抗蚀剂涂覆在第二导电层180上以形成光致抗蚀剂层，并且可使用光刻工艺曝光并显影光致抗蚀剂层以形成第二光致抗蚀剂图案320。第二光致抗蚀剂图案320可与第一有源层121的至少一部分和第一电容器电极142的至少一部分重叠。
参考图20，可使用第二光致抗蚀剂图案320蚀刻第二导电层180。
可使用第二光致抗蚀剂图案320作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层180以形成第二电极180a。在实施方式中，可通过各向同性的蚀刻(比如湿法蚀刻)蚀刻第二导电层180。在示例性实施方式中，可在各向同性的蚀刻工艺(比如湿法蚀刻)中形成第二光致抗蚀剂图案320下方的底切区UC。
可使用第二光致抗蚀剂图案320作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层180以形成第二电极180a。在蚀刻工艺中，第二导电层180的在第二光致抗蚀剂图案320下方的部分可被蚀刻，以在第二光致抗蚀剂图案320的边缘和被底切区UC暴露的第二电极180a的侧壁之间形成具有预定的宽度的底切区UC。第二导电层180可被蚀刻，使得第二电极180a的侧壁可从第二光致抗蚀剂图案320的边缘凹进预定的宽度。第二电极180a的宽度可小于第二光致抗蚀剂图案320的宽度。
可使第二光致抗蚀剂图案320变形，以形成第三光致抗蚀剂图案321。具体地，参考图21，在实施方式中，可使第二光致抗蚀剂图案320回流，以形成回流后的第三光致抗蚀剂图案321。例如，回流后的第三光致抗蚀剂图案321可覆盖第二电极180a的侧部分180S，并且底切区UC可填充有回流后的第三光致抗蚀剂图案321。然而，本发明不限于此。在示例性实施方式中，可不使第二光致抗蚀剂图案320回流。
参考图22，可使用第三光致抗蚀剂图案321蚀刻光电导层170。
可使用第三光致抗蚀剂图案321作为蚀刻掩模蚀刻光电导层170，从而可形成光电导图案170a。在实施方式中，可通过各向异性的蚀刻工艺(比如干法蚀刻)蚀刻光电导层170。
光电导层170可被蚀刻至第三光致抗蚀剂图案321的边缘。例如，在俯视图中，第三光致抗蚀剂图案321的形状可传递至光电导层170以形成光电导图案170a。因为光电导层170被蚀刻至第三光致抗蚀剂图案321的边缘，所以光电导图案170a的宽度可大于第二电极180a的宽度。第一电极1160a、光电导图案170a和第二电极180a可形成光电二极管PD。
参考图13，第三绝缘层190可形成在第二电极180a上，并且第一漏电极1201、第二连接电极1202、第二源电极1203和第二漏电极1204可形成在第三绝缘层190上。第一漏电极1201、第二连接电极1202、第二源电极1203和第二漏电极1204可分别通过形成在第三绝缘层190中的接触孔而接触第一漏连接电极1161、第一连接电极1162、第二源连接电极1163和第二漏连接电极1164。
第一有源层121、第一栅电极141、第一源电极1160c、第一漏连接电极1161和第一漏电极1201可形成第一晶体管TR1。在该情况下，第一源电极1160c和第一电极1160a可一体地形成。第二有源层122、第二栅电极143、第二源连接电极1163、第二源电极1203、第二漏连接电极1164和第二漏电极1204可形成第二晶体管TR2。第一连接电极1162和第二连接电极1202可将光电二极管PD的第二电极180a电连接至电容器CAP的第一电容器电极142。
在根据本发明的实施方式的制造光传感器的方法中，第一导电层1160可通过第一光刻工艺蚀刻，并且第二导电层180和光电导层170可通过第二光刻工艺蚀刻，从而光电二极管PD可通过进行两次光刻工艺形成。因此，可减少用于制造光传感器的时间和成本。
根据实施方式的光传感器可应用于计算机、笔记本、移动电话、智能电话、智能平板、PMP、PDA、MP3播放器等中包括的显示装置的指纹识别传感器。
尽管已经参考图描述了根据实施方式的光传感器和制造光传感器的方法，但所示出的实施方式是示例，并且在不背离所附权利要求中描述的技术精神的情况下，可由具有相关技术领域的普通知识的人员修改和改变。

Claims (10)

1.一种制造光传感器的方法，所述方法包括：
在基板上形成第一导电层，所述第一导电层包括金属层和形成在所述金属层上的透明导电氧化物层；
在所述第一导电层上形成光电导层；
在所述光电导层上形成第二导电层；
在所述第二导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；
使用各向同性的蚀刻工艺，使用所述第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第二导电层以形成第二电极；
使所述第一光致抗蚀剂图案变形，以形成第二光致抗蚀剂图案；以及
使用所述第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模分别蚀刻所述光电导层和所述第一导电层，以形成光电导图案和第一电极。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中所述透明导电氧化物层的电阻率大于所述金属层的电阻率。
3.根据权利要求1所述的方法，
其中所述透明导电氧化物层的厚度小于所述金属层的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，
其中所述光电导层包括：
N-型半导体层；
形成在所述N-型半导体层上的I-型半导体层；以及
形成在所述I-型半导体层上的P-型半导体层。
5.根据权利要求1所述的方法，
其中所述第二导电层包括透明导电氧化物。
6.根据权利要求1所述的方法，
其中所述蚀刻所述第二导电层以形成所述第二电极包括：在所述第一光致抗蚀剂图案下方形成底切区，并且
其中所述第二电极的侧壁从所述第一光致抗蚀剂图案的边缘凹进预定的宽度。
7.根据权利要求6所述的方法，
其中所述使所述第一光致抗蚀剂图案变形包括：
在所述第一光致抗蚀剂图案上进行热处理以使所述第一光致抗蚀剂图案回流，从而形成所述第二光致抗蚀剂图案，
其中所述第二光致抗蚀剂图案填充所述底切区。
8.一种制造光传感器的方法，所述方法包括：
在基板上形成第一导电层；
在所述第一导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；
使用所述第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一导电层以形成第一电极；
在所述第一电极上形成光电导层；
在所述光电导层上形成第二导电层；
在所述第二导电层上形成第二光致抗蚀剂图案；
使用所述第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第二导电层以形成第二电极；
使所述第二光致抗蚀剂图案变形以形成第三光致抗蚀剂图案；以及
使用所述第三光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻所述光电导层以形成光电导图案。
9.根据权利要求8所述的方法，
其中所述蚀刻所述第二导电层以形成所述第二电极包括：在所述第二光致抗蚀剂图案下方形成底切区，并且
其中所述第二电极的侧壁从所述第二光致抗蚀剂图案的边缘凹进预定的宽度。
10.根据权利要求9所述的方法，
其中所述使所述第二光致抗蚀剂图案变形以形成所述第三光致抗蚀剂图案包括：在所述第二光致抗蚀剂图案上进行热处理以使所述第二光致抗蚀剂图案回流，从而形成所述第三光致抗蚀剂图案，
其中所述第三光致抗蚀剂图案填充所述底切区。
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