CN112750710A - 一种基于单基岛sot23引线框架的封装工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,所述封装工艺如下:步骤一:引线框架基岛芯片安装区点上粘接胶;步骤二:将芯片置于基岛芯片安装区的粘接胶上,使用高温烘箱烘烤使粘接胶固化,将芯片与基岛牢固粘合;步骤三:进行等离子清洗,清洗后使用全自动引线键合机将芯片与内引脚、基岛用焊线键合起来;本发明的有益效果是:塑封使用塑封模具,塑封模具的温度控制在160‑180℃,确保塑封料处于熔融状态,以保证塑封料达到理想流动性,提高注模质量;控制引线框架质量时,选择粘接性良好的塑封料,在引线框架的引脚或背面设计三角形凹槽、圆形凹槽、方形凸台、方形凹凸组合图案,确定引线框架线弧的长度和弧度,利于芯片与引脚粘结。

Description

一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺
技术领域
本发明属于引线框架封装技术领域,具体涉及一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺。
背景技术
在集成电路封装中,材料和工艺是成本控制的重点,材料主要包括引线框架、塑封料、焊丝、粘片胶、电镀材料等。其中,引线框架、塑封料为主材,占材料成本的三分之二左右,引线框架成本的高低取决于金属材质,而塑封料的成本取决于不同品牌。引线框架成本几乎没有成本控制空间,塑封料却有着较大的成本控制空间。所以,在集成电路封装成本控制中要将塑封料成本控制作为重点。为在保证集成电路封装质量的前提下有效降低成本,应研究不同品牌的具体价格,结合各个品牌塑封料的性能,选用低成本、高质量的塑封料。
小外形晶体管封装(SOT23,Small Outline Transistor)是目前常用的一种小型贴片式芯片封装。
引线框架是芯片的载体,为了增强引线框架的粘结强度,利于芯片与引脚粘结,为此我们提出一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,所述封装工艺如下:
步骤一:引线框架基岛芯片安装区点上粘接胶;
步骤二:将芯片置于基岛芯片安装区的粘接胶上,使用高温烘箱烘烤使粘接胶固化,将芯片与基岛牢固粘合;
步骤三:进行等离子清洗,清洗后使用全自动引线键合机将芯片与内引脚、基岛用焊线键合起来;
步骤四:键合后使用全自动塑封机,对产品进行塑封;
步骤五:在封装体外部引脚的表面电镀一层导电性金属层,通过切筋工序将引脚与引脚之间的连筋切除;
步骤六:在封装体上进行印字;
步骤七:对芯片封装体进行测试;
步骤八:测试合格后进行包装。
作为本发明的一种优选的技术方案,等离子清洗后,对清洗效果进行滴水试验,保证水滴侵湿角在20-40°。
作为本发明的一种优选的技术方案,控制引线框架质量时,选择粘接性良好的塑封料,在引线框架的引脚或背面设计三角形凹槽、圆形凹槽、方形凸台、方形凹凸组合图案,确定引线框架线弧的长度和弧度。
作为本发明的一种优选的技术方案,塑封使用塑封模具,塑封模具的温度控制在160-180℃,确保塑封料处于熔融状态。
作为本发明的一种优选的技术方案,所述测试包括环境测试、电性测试、老化性测试。
作为本发明的一种优选的技术方案,塑封料存放于25℃的干燥室内。
作为本发明的一种优选的技术方案,所述印字采用墨印法或激光印字法。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
(1)塑封使用塑封模具,塑封模具的温度控制在160-180℃,确保塑封料处于熔融状态,以保证塑封料达到理想流动性,提高注模质量;
(2)控制引线框架质量时,选择粘接性良好的塑封料,在引线框架的引脚或背面设计三角形凹槽、圆形凹槽、方形凸台、方形凹凸组合图案,确定引线框架线弧的长度和弧度,利于芯片与引脚粘结。
附图说明
图1为本发明的封装工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,包括如下步骤:
步骤一:引线框架基岛芯片安装区点上粘接胶;
步骤二:将芯片置于基岛芯片安装区的粘接胶上,使用高温烘箱烘烤使粘接胶固化,将芯片与基岛牢固粘合;
步骤三:进行等离子清洗,清洗后使用全自动引线键合机将芯片与内引脚、基岛用焊线键合起来;等离子清洗后,对清洗效果进行滴水试验,保证水滴侵湿角在20°;
步骤四:键合后使用全自动塑封机,对产品进行塑封;塑封使用塑封模具,塑封模具的温度控制在160℃,确保塑封料处于熔融状态,以保证塑封料达到理想流动性,提高注模质量,若温度小于160℃,则会降低模塑料的流动性,影响模具填充质量,导致塑封层机械强度难以达到标准要求;
步骤五:在封装体外部引脚的表面电镀一层导电性金属层,通过切筋工序将引脚与引脚之间的连筋切除;
步骤六:在封装体上采用墨印法进行印字;封装体加工完毕后,必须对其加注重要的识别信息,封装体上典型的信息码有产品类别、器件规格、生产日期、生产批号和产地,墨印法的优点是适用于所有的封装材料且粘着性好,墨的成分的选取是视其最终操作环境并能永久使用为原则,墨印字的工艺是先用平版印字机印字然后将字烘干,字的烘干用烤干炉,常温下风干或紫外线烘干来完成;
步骤七:对芯片封装体进行测试;测试包括环境测试、电性测试、老化性测试;
步骤八:测试合格后进行包装。
本实施例中,优选的,控制引线框架质量时,选择粘接性良好的塑封料,在引线框架的引脚或背面设计三角形凹槽、圆形凹槽、方形凸台、方形凹凸组合图案,确定引线框架线弧的长度和弧度,利于芯片与引脚粘结。
本实施例中,优选的,塑封料存放于25℃的干燥室内。
实施例2
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,包括如下步骤:
步骤一:引线框架基岛芯片安装区点上粘接胶;
步骤二:将芯片置于基岛芯片安装区的粘接胶上,使用高温烘箱烘烤使粘接胶固化,将芯片与基岛牢固粘合;
步骤三:进行等离子清洗,清洗后使用全自动引线键合机将芯片与内引脚、基岛用焊线键合起来;等离子清洗后,对清洗效果进行滴水试验,保证水滴侵湿角在30°;
步骤四:键合后使用全自动塑封机,对产品进行塑封;塑封使用塑封模具,塑封模具的温度控制在170℃,确保塑封料处于熔融状态,以保证塑封料达到理想流动性,提高注模质量;
步骤五:在封装体外部引脚的表面电镀一层导电性金属层,通过切筋工序将引脚与引脚之间的连筋切除;
步骤六:在封装体上采用激光印字法进行印字;封装体加工完毕后,必须对其加注重要的识别信息,封装体上典型的信息码有产品类别、器件规格、生产日期、生产批号和产地,激光印字是特别适用于塑料封装体的印字方法,信息被永久地刻入到封装体的表面,对于深色材料的封装体又能提供较好的对比度,另外,激光印字速度快且无污染,因为封装体表面不需要外来材料加工也不需要烘干工序,
步骤七:对芯片封装体进行测试;测试包括环境测试、电性测试、老化性测试;
步骤八:测试合格后进行包装。
本实施例中,优选的,控制引线框架质量时,选择粘接性良好的塑封料,在引线框架的引脚或背面设计三角形凹槽、圆形凹槽、方形凸台、方形凹凸组合图案,确定引线框架线弧的长度和弧度,利于芯片与引脚粘结。
本实施例中,优选的,塑封料存放于25℃的干燥室内。
实施例3
请参阅图1,本发明提供一种技术方案:一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,包括如下步骤:
步骤一:引线框架基岛芯片安装区点上粘接胶;
步骤二:将芯片置于基岛芯片安装区的粘接胶上,使用高温烘箱烘烤使粘接胶固化,将芯片与基岛牢固粘合;
步骤三:进行等离子清洗,清洗后使用全自动引线键合机将芯片与内引脚、基岛用焊线键合起来;等离子清洗后,对清洗效果进行滴水试验,保证水滴侵湿角在40°;
步骤四:键合后使用全自动塑封机,对产品进行塑封;塑封使用塑封模具,塑封模具的温度控制在180℃,确保塑封料处于熔融状态,以保证塑封料达到理想流动性,提高注模质量,若温度大于180℃,则会加快塑封料的固化速度,降低框架与塑封层之间的粘结力;
步骤五:在封装体外部引脚的表面电镀一层导电性金属层,通过切筋工序将引脚与引脚之间的连筋切除;
步骤六:在封装体上采用墨印法或激光印字法进行印字;封装体加工完毕后,必须对其加注重要的识别信息,封装体上典型的信息码有产品类别、器件规格、生产日期、生产批号和产地,主要的印字手段有墨印法和激光印字法,墨印法的优点是适用于所有的封装材料且粘着性好,墨的成分的选取是视其最终操作环境并能永久使用为原则,墨印字的工艺是先用平版印字机印字然后将字烘干,字的烘干用烤干炉,常温下风干或紫外线烘干来完成;激光印字是特别适用于塑料封装体的印字方法,信息被永久地刻入到封装体的表面,对于深色材料的封装体又能提供较好的对比度,另外,激光印字速度快且无污染,因为封装体表面不需要外来材料加工也不需要烘干工序,
步骤七:对芯片封装体进行测试;测试包括环境测试、电性测试、老化性测试;
步骤八:测试合格后进行包装。
本实施例中,优选的,控制引线框架质量时,选择粘接性良好的塑封料,在引线框架的引脚或背面设计三角形凹槽、圆形凹槽、方形凸台、方形凹凸组合图案,确定引线框架线弧的长度和弧度,利于芯片与引脚粘结。
本实施例中,优选的,塑封料存放于25℃的干燥室内。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,其特征在于:所述封装工艺如下:
步骤一:引线框架基岛芯片安装区点上粘接胶;
步骤二:将芯片置于基岛芯片安装区的粘接胶上,使用高温烘箱烘烤使粘接胶固化,将芯片与基岛牢固粘合;
步骤三:进行等离子清洗,清洗后使用全自动引线键合机将芯片与内引脚、基岛用焊线键合起来;
步骤四:键合后使用全自动塑封机,对产品进行塑封;
步骤五:在封装体外部引脚的表面电镀一层导电性金属层,通过切筋工序将引脚与引脚之间的连筋切除;
步骤六:在封装体上进行印字;
步骤七:对芯片封装体进行测试;
步骤八:测试合格后进行包装。
2.根据权利要求1所述的一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,其特征在于:等离子清洗后,对清洗效果进行滴水试验,保证水滴侵湿角在20-40°。
3.根据权利要求1所述的一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,其特征在于:控制引线框架质量时,选择粘接性良好的塑封料,在引线框架的引脚或背面设计三角形凹槽、圆形凹槽、方形凸台、方形凹凸组合图案,确定引线框架线弧的长度和弧度。
4.根据权利要求1所述的一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,其特征在于:塑封使用塑封模具,塑封模具的温度控制在160-180℃,确保塑封料处于熔融状态。
5.根据权利要求1所述的一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,其特征在于:所述测试包括环境测试、电性测试、老化性测试。
6.根据权利要求1所述的一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,其特征在于:塑封料存放于25℃的干燥室内。
7.根据权利要求1所述的一种基于单基岛SOT23引线框架的封装工艺,其特征在于:所述印字采用墨印法或激光印字法。
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