CN112658972A - 研磨装置 - Google Patents

Abstract

提供一种能够不在晶片等基板产生划痕等缺陷地对研磨垫的表面温度进行调节的研磨装置。研磨装置(PA)具备非接触型的垫温度调节装置(5)及垫温度测定器(10)。在研磨台(2)的旋转方向上，垫温度测定器(10)相邻配置在垫温度调节装置(5)的下游侧。

Description

研磨装置

技术领域

本发明涉及一种研磨装置。

背景技术

存在一种研磨装置，将晶片保持在顶环并使晶片旋转，进一步将晶片按压在旋转的研磨台上的研磨垫，从而对晶片的表面进行研磨。在研磨过程中，向研磨垫供给研磨液(浆料)，通过研磨液的化学作用与包含在研磨液中的磨粒的机械作用使晶片的表面平坦化。

晶片的研磨率不仅依存于晶片对研磨垫的研磨负荷，还依存于研磨垫的表面温度。这是因为研磨液对晶片的化学作用依存于温度。因此，在半导体器件的制造中，为了提高晶片的研磨率并进一步保持恒定，将晶片研磨中的研磨垫的表面温度保持为最佳值是重要的。因此，存在对研磨垫的表面温度进行调节的垫温度调节装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-56987号公报

发明所要解决的技术问题

然而，由于在垫温度调节装置中，使作为其构成要素之一的加热物体与研磨垫接触，因此加热物体必然与研磨垫上的研磨液接触。因此，在这种构成的情况下，有因加热物体与研磨垫的接触而晶体受到污染的担忧。并且，如果研磨液附着(固结)于加热物体，则有如下担忧：附着的研磨液作为异物从加热物体上掉落，并与晶片接触。其结果是，会在晶片产生划痕等缺陷。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够不在晶片等基板产生划痕等缺陷地对研磨垫的表面温度进行调节的研磨装置。

用于解决技术问题的技术手段

在一方式中，提供一种研磨装置，具备：研磨台，该研磨台对研磨垫进行支承；研磨头，该研磨头将基板按压向所述研磨垫；非接触型的垫温度调节装置，该温度调节装置配置在所述研磨垫的上方；垫温度测定器，该垫温度测定器对所述研磨垫的表面温度进行测定；以及控制装置，该控制装置基于由所述垫温度测定器测定出的所述研磨垫的表面温度而对所述垫温度调节装置进行控制，在所述研磨台的旋转方向上，所述垫温度测定器相邻配置在所述垫温度调节装置的下游侧。

在一方式中，所述垫温度调节装置具备红外线加热器，该红外线加热器向所述研磨垫的表面放射红外线。

在一方式中，所述垫温度调节装置具备反射板，该反射板将从所述红外线加热器放射出的红外线朝向所述研磨垫进行反射。

在一方式中，所述垫温度调节装置具备吸引管嘴，该吸引管嘴通过吸引所述研磨垫的表面附近的热空气来降低气氛温度。

在一方式中，所述垫温度调节装置具备风扇，该风扇形成朝向所述研磨垫的表面的空气流。

在一方式中，所述垫温度调节装置具备在所述研磨垫的半径方向上排列的多个红外线加热器，所述控制装置单独地控制所述多个红外线加热器中的每一个，从而使所述研磨垫的表面温度局部地变化。

在一方式中，所述研磨装置具备膜厚测定器，该膜厚测定器对所述基板的膜厚进行测定，所述控制装置基于由所述膜厚测定器测定出的所述基板的膜厚来决定所述研磨垫的目标温度，并且基于所决定的所述目标温度来控制所述垫温度调节装置。

在一方式中，所述垫温度调节装置具备加热流体喷嘴，该加热流体喷嘴向所述研磨垫的表面吹附加热流体。

在一方式中，所述垫温度调节装置具备吸引管嘴，该吸引管嘴对所述研磨垫的表面的热量进行吸引，所述加热流体喷嘴具备多个供给口，该多个供给口配置在所述吸引管嘴的吸引口的周围，以使加热流体朝向所述吸引管嘴的吸引口流动。

在一方式中，所述多个供给口以规定的角度朝向所述吸引管嘴的吸引口倾斜，以使得通过加热流体形成朝向所述吸引管嘴的吸引口的回旋流。

在一方式中，所述控制装置对所述垫温度调节装置进行控制，以使被所述吸引管嘴吸引的流体的流量成为从所述加热流体喷嘴供给的加热流体的流量以上。

在一方式中，所述垫温度调节装置具备冷却装置，该冷却装置对所述研磨垫的表面进行冷却。

发明的效果

垫温度调节装置配置在研磨垫的上方。因此，垫温度调节装置能够不在晶片产生缺陷地对研磨垫的表面温度进行调节。

附图说明

图1是表示研磨装置的俯视图。

图2是表示在研磨垫的上方配置的垫温度调节装置的图

图3是表示研磨装置的其他实施方式的图。

图4是表示在研磨垫的半径方向上排列的多个红外线加热器的图。

图5是表示具备反射板的垫温度调节装置的图。

图6是表示具备吸引管嘴的垫温度调节装置的图。

图7是表示具备吸引管嘴的垫温度调节装置的图。

图8是表示垫温度调节装置的另一实施方式的图。

图9是表示垫温度调节装置的另一实施方式的图。

图10是表示垫温度调节装置的另一实施方式的图。

图11是表示图10所示的实施方式所涉及的加热流体喷嘴的变形例的图。

图12是表示垫温度调节装置的另一实施方式的图。

符号说明

PA 研磨装置

1 研磨头

2 研磨台

3 研磨垫

3a 研磨面

4 研磨液供给喷嘴

5 垫温度调节装置

6 喷雾器

7 隔壁

8 研磨室

10 垫温度测定器

11 控制装置

11a 存储装置

11b 处理装置

15 红外线加热器(加热装置)

15A、15B、15C 红外线加热器

16 反射板

17 冷却装置

20 膜厚测定器

24 吸引线路

25 吸引管嘴

25a 吸引口

25b 连接端

26 吸引装置

27 温度传感器

28 控制阀

29 风扇

30 加热流体喷嘴

30a 供给口

30b 连接端

31 供给线路

32 加热流体供给源

33 控制阀

35 隔热罩

40 吸引机构

50 加热机构

具体实施方式

图1是表示研磨装置PA的俯视图。如图1所示，研磨装置PA具备：研磨头1，该研磨头1对作为基板的一例的晶片W进行保持并使晶片W旋转；研磨台2，该研磨台2对研磨垫3进行支承；研磨液供给喷嘴4，该研磨液供给喷嘴4向研磨垫3的表面(即，研磨面3a)供给研磨液(例如，浆料)；垫温度调节装置5，该垫温度调节装置5对研磨垫3的表面温度进行调节；以及喷雾器6，该喷雾器6向研磨垫3的研磨面3a以雾状喷射清洗流体而对研磨面3a进行清洗。研磨装置PA配置于通过隔壁7而形成的研磨室8的内部。

研磨头1能够在铅锤方向上移动，并且能够以研磨头1的轴心作为中心而在箭头所示的方向上进行旋转。晶片W通过真空吸附等而被保持在研磨头1的下表面。在研磨台2连结有电机(未图示)，并且能够在箭头所示的方向上进行旋转。如图1所示，研磨头1及研磨台2在相同的方向上旋转。研磨垫3粘贴在研磨台2的上表面。

研磨装置PA也可以进一步具备对研磨台2上的研磨垫3进行修整的修整器(未图示)。修整器构成为在研磨垫3的研磨面3a上在研磨垫3的半径方向上摆动。

晶片W的研磨如以下方式进行。被研磨的晶片W通过研磨头1而被保持，并且进一步通过研磨头1进行旋转。另一方面，研磨垫3与研磨台2一同旋转。在该状态下，从研磨液供给喷嘴4向研磨垫3的研磨面3a供给研磨液，并且晶片W的表面通过研磨头1而被按压至研磨垫3的研磨面3a。晶片W的表面通过与在研磨液的存在下的研磨垫3滑动接触而被研磨。晶片W的表面通过研磨液的化学性作用和包含在研磨液中的磨粒的机械性作用而被平坦化。

如图1所示，研磨装置PA具备：垫温度测定器10，该垫温度测定器10对研磨垫3的表面温度(即，研磨面3a的温度)进行测定；控制装置11，该控制装置11基于由垫温度测定器10测定出的研磨垫3的表面温度来控制垫温度调节装置5。在图1中，控制装置11配置在隔壁7的外部，但是控制装置11也可以配置在隔壁7的内部。

图2是表示在研磨垫3的上方配置的垫温度调节装置5的图。如图2所示，垫温度调节装置5是配置在研磨垫3的研磨面3a的上方的非接触型的垫温度调节装置。垫温度调节装置5具备与研磨垫3的研磨面3a平行地延伸的红外线加热器(加热装置)15。

红外线加热器15向研磨垫3的研磨面3a放射红外线(辐射热)。在本实施方式中，红外线加热器15具有与研磨垫3平行(即，水平方向)地配置的圆盘形状，但是红外线加热器15的形状并不限定于本实施方式。在一实施方式中，红外线加热器15也可以具有在研磨垫3的半径方向上延伸的长方形状。在一实施方式中，红外线加热器15也可以构成为能够沿着研磨垫3的半径方向摆动。

如图2所示，红外线加热器15配置在研磨垫3的上方。更具体而言，红外线加热器15配置在不附着于供给至研磨垫3的研磨面3a上的研磨液且可以对研磨面3a进行加热的高度。通过这样的配置，垫温度调节装置5能够防止因红外线加热器15与研磨垫3的接触而产生的晶片W的污染，并且，能够防止研磨液附着于红外线加热器15。因此，不会在晶片W产生划痕等缺陷。

如图1所示，垫温度测定器10在研磨台2的旋转方向上相邻配置在垫温度调节装置5的下游侧。在一实施方式中，垫温度测定器10也可以配置为在沿着研磨垫3的半径方向的多个点，对研磨垫3的表面温度进行测定。在将垫温度调节装置5作为基准的情况下，垫温度调节装置5和研磨头1之间的区域是垫温度调节装置5的上游侧区域，垫温度调节装置5和喷雾器6之间的区域是垫温度调节装置5的下游侧区域。

通过将垫温度测定器10配置在垫温度调节装置5的下游侧，研磨装置PA能够实现如下的效果。当保持在研磨头1的晶片W被研磨时，由于研磨热与向晶片W的吸热，在研磨台2的旋转方向上的研磨头1的上游侧区域和下游侧区域之间产生研磨面3a的温度差。假设将垫温度测定器10配置在研磨头1的下游侧和垫温度调节装置5之间的区域，并对该区域的温度进行控制的情况下，上述温度差成为干扰因素，不仅会在温度控制产生延迟，温度控制也有较大可能变得不稳定。在本实施方式中，垫温度测定器10配置在垫温度调节装置5的下游侧。因此，控制装置11不受到上述干扰因素的影响而能够基于垫温度调节装置5的下游侧处的研磨面3a的温度，对研磨面3a的温度进行控制。其结果是，能够使温度控制的延迟变小，并且能够进行更稳定的温度控制。

在一实施方式中，研磨装置PA除了具备在垫温度调节装置5的下游侧配置的垫温度测定器10以外，还可以具有在垫温度调节装置5和研磨头1之间的区域(即，垫温度调节装置5的上游侧)配置的垫温度测定器(未图示)。该垫温度测定器可以具有与垫温度测定器10(参照图1)相同的结构，或者也可以具有不同的结构。

垫温度测定器10以接触或非接触的方式对研磨垫3的表面温度进行测定，并且将表面温度的测定值发送至控制装置11。垫温度测定器10也可以每隔规定时间对研磨垫3的表面温度进行测定。控制装置11基于测定出的表面温度来对垫温度调节装置5(更具体而言，红外线加热器15)进行控制，以使研磨垫3的表面温度维持在预先设定的目标温度。例如，控制装置11基于通过垫温度测定器10测定的表面温度来对垫温度调节装置5进行反馈控制(更具体而言，PID控制)。

控制装置11具备储存程序的存储装置11a和根据程序执行运算的处理装置11b。由计算机构成的控制装置11根据电储存在存储装置11a的程序进行动作。程序至少包含使垫温度调节装置5动作的指令。

上述程序被存储于计算机可读取的存储媒介并经由存储媒介而被提供至控制装置11，该存储媒介是非暂时性的有形物。另外，程序也可以经由因特网或局域网等通信网络从通信装置(未图示)输入至控制装置11。

图3是表示研磨装置PA的其他实施方式的图。由于并未特意说明的本实施方式的结构及动作与上述的实施方式相同，因此省略其重复的说明。控制装置11也可以是基于伴随着研磨的进行而变化的晶片W的膜厚来决定研磨垫3的目标温度。如图3所示，研磨装置PA的研磨台2也可以具备对晶片W的膜厚进行测定的膜厚测定器20。膜厚测定器20与控制装置11电连接。控制装置11也可以基于由膜厚测定器20测定出的晶片W的膜厚来决定研磨垫3的目标温度。控制装置11基于所决定的目标温度来控制垫温度调节装置5，以使研磨垫3的表面温度维持在目标温度。

在一实施方式中，为了高精度地决定晶片W的研磨终点，控制装置11也可以是，随着晶片W的膜厚接近目标的厚度，使研磨垫3的目标温度逐渐下降。如上所述，晶片W的研磨率依存于研磨垫3的表面温度。因此，随着研磨垫3的目标温度的降低，通过使研磨垫3的表面温度降低，晶片W的研磨率逐渐降低。这样，控制装置11能够高精度地决定晶片W的研磨终点。

在其他实施方式中，也可以是，控制装置11在晶片W的膜厚达到规定的厚度为止，使研磨垫3的目标温度上升，在晶片W的膜厚达到规定的厚度之后，使研磨垫3的目标温度下降。

能够列举涡电流传感器或光学传感器作为膜厚测定器20的一例。涡电流传感器是对由晶片W的涡电流形成的交链磁通进行检测，并且基于检测出的交链磁通来对晶片W的厚度进行检测的传感器。光学传感器是对晶片W照射光，并且通过对从晶片W反射的干涉波进行测定而对晶片W的厚度进行检测的传感器。

在一实施方式中，垫温度调节装置5也可以具备对研磨垫3的研磨面3a进行冷却的冷却装置17(参照图1)。能够列举向研磨面3a喷射气体来进行冷却的冷却装置作为冷却装置17的一例。如图1所示，冷却装置17与控制装置11电连接，控制装置11能够独立于红外线加热器15地对冷却装置17进行控制。通过这样的结构，控制装置11能够高精度地对研磨面3a的温度进行调节。以下，参照附图对垫温度调节装置5的结构进行说明。

图4是表示在研磨垫3的半径方向上排列的多个红外线加热器15A、15B、15C的图。垫温度调节装置5具备在研磨垫3的半径方向上串联地排列的多个(在本实施方式中，为三个)红外线加热器15A、15B、15C。此外，红外线加热器的数量并不限定于本实施方式。可以设置两个红外线加热器，或者也可以设置四个以上的红外线加热器。

多个红外线加热器15A、15B、15C分别与控制装置11电连接。控制装置11能够单独地控制各红外线加热器15A、15B、15C，从而能够使研磨垫3的表面温度局部地变化。在一实施方式中，各红外线加热器15A、15B、15C也可以构成为能够沿着研磨垫3的半径方向进行摆动。

图5是表示具备反射板16的垫温度调节装置5的图。如图5所示，垫温度调节装置5也可以具备反射板16，该反射板16将从红外线加热器15放射出的红外线朝向研磨垫3进行反射。反射板16以覆盖红外线加热器15的方式配置在红外线加热器15的上方。反射板16能够通过其反射而将从红外线加热器15被放射出的红外线高效地向研磨垫3的研磨面3a反射。在一实施方式中，也可以是，反射板16不仅配置在红外线加热器15的上方，还配置在红外线加热器15的侧方。

图6及图7是表示具备吸引管嘴25的垫温度调节装置5的图。如图6及图7所示，垫温度调节装置5也可以具备吸引管嘴25，该吸引管嘴25通过对被红外线加热器15加热的研磨垫3的研磨面3a附近的热空气进行吸引来使气氛温度下降。吸引管嘴25通过吸入与研磨面3a相邻的研磨面3a的上方的空气来使研磨室8内的空气的温度下降。

吸引管嘴25与吸引装置26连接。更具体而言，吸引管嘴25的吸引口25a配置在研磨面3a的上方，吸引管嘴25的连接端25b经由吸引线路24与吸引装置26连接。在吸引线路24连接有控制阀28。这些吸引管嘴25、吸引线路24、控制阀28以及吸引装置26构成吸引机构40。垫温度调节装置5具备吸引机构40。

吸引管嘴25的吸引口25a配置在不对供给至研磨垫3的研磨面3a上的研磨液进行吸引，且能够对研磨面3a的热量进行吸引的高度。在图7所示的实施方式中，吸引管嘴25的吸引口25a配置在红外线加热器15的中央。然而，吸引口25a的配置位置并不限定于图7所示的实施方式。

如上述那样，研磨装置PA配置在由隔壁7形成的研磨室8内(参照图1)。因此，当红外线加热器15被驱动时，研磨垫3的研磨面3a的温度上升，并且研磨室8的温度有上升至必要以上的担忧。上升至必要以上的研磨室8的温度会对晶片W的品质产生不良影响。通过吸引管嘴25对研磨垫3的研磨面3a的热量进行吸引而能够将研磨室8的温度维持在规定的温度。

在一实施方式中，研磨装置PA也可以具备在研磨室8配置的温度传感器27(参照图7)。温度传感器27与控制装置11电连接，并且将由温度传感器27测定出的研磨室8的温度发送至控制装置11。控制装置11也可以是基于由温度传感器27测定出的研磨室8的温度来对控制阀28进行操作，以使研磨室8的温度维持在规定的温度或者不超过规定的温度。

图8是表示垫温度调节装置5的另一实施方式的图。由于并未特别说明的本实施方式的结构及动作与上述的实施方式相同，因此省略其重复的说明。如图8所示，垫温度调节装置5也可以具备与红外线加热器15相邻配置的风扇29，该风扇29形成朝向研磨垫3的研磨面3a的空气流(参照图8的箭头)。

在图8所示的实施方式中，风扇29配置在红外线加热器15的上方，并且经由红外线加热器15与研磨垫3的研磨面3a相对配置。在一实施方式中，风扇29也可以配置在红外线加热器15的下方。

风扇29与控制装置11电连接，控制装置11能够对风扇29进行驱动。当在红外线加热器15被驱动的状态下风扇29被驱动时，风扇29的周围的空气作为热风被送至研磨垫3的研磨面3a。控制装置11将由风扇29送出的空气的流速(即，风速)控制为研磨垫3上的研磨液不会飞散的程度的流速。在图8所示的实施方式中，设置有单个的风扇29，但是风扇29的数量并不限定于本实施方式。也可以设置有多个风扇29。

控制装置11能够彼此独立地控制红外线加热器15和风扇29。因此，在一实施方式中，控制装置11也可以基于由垫温度测定器10测定的研磨垫3的表面温度，不驱动红外线加热器15而仅驱动风扇29。其结果是，研磨垫3的研磨面3a通过由风扇29的旋转被送出的空气而被冷却。

在上述的实施方式中，垫温度调节装置5具备各种结构。这些各种结构也能够在可能的限度内根据需要进行组合。尤其是，垫温度调节装置5也可以具备从图5、图6以及图8所示的实施方式选择的至少一个的组合。

图9及图10是表示垫温度调节装置5的另一实施方式的图。由于并未特别说明的本实施方式的结构和动作与上述的实施方式相同，因此省略其重复的说明。

在图9及图10所示的实施方式中，垫温度调节装置5代替红外线加热器15而具备将加热流体吹附于研磨垫3的研磨面3a的加热流体喷嘴30。

垫温度调节装置5也可以具备吸引管嘴25，该吸引管嘴25对从加热流体喷嘴30供给的加热流体进行吸引。吸引管嘴25具有与图6所示的实施方式所涉及的吸引管嘴25相同的结构。因此，省略对吸引管嘴25的结构的说明。

如图9及图10所示，加热流体喷嘴30具备以使加热流体朝向吸引管嘴25的吸引口25a流动的方式配置在吸引管嘴25的吸引口25a的周围的多个供给口30a。

如图10所示，加热流体喷嘴30与加热流体供给源32连接。更具体而言，加热流体喷嘴30的供给口30a配置在研磨面3a的上方，加热流体喷嘴30的连接端30b经由供给线路31而与加热流体供给源32连接。在供给线路31连接有控制阀33。加热流体喷嘴30、供给线路31、加热流体供给源32以及控制阀33构成加热机构50。垫温度调节装置5具备加热机构50。

控制装置11与控制阀33电连接。当控制装置11打开控制阀33时，加热流体通过供给线路31而从加热流体喷嘴30的供给口30a被朝向研磨垫3的研磨面3a供给。能够列举高温空气(即，热风)、加热蒸汽、过热蒸汽作为加热流体的一例。此外，过热蒸汽意味着进一步加热饱和蒸汽的高温蒸汽。

在如图10所示的实施方式中，三个供给口30a以包围吸引管嘴25的吸引口25a的方式等间隔地配置，但是供给口30a的数量并不限定于本实施方式。供给口30a的数量可以是两个，或者也可以是四个以上。多个供给口30a也可以是以包围吸引口25a的方式不等间隔地配置。

如图9及图10所示，垫温度调节装置5也可以具备隔热罩35，该隔热罩35覆盖吸引管嘴25的吸引口25a及加热流体喷嘴30的供给口30a。

图11是表示图10所示的实施方式所涉及的加热流体喷嘴30的变形例的图。各供给口30a也可以是以加热流体不在研磨室8扩散并且研磨垫3上的研磨液不飞散的角度倾斜。如图11所示，在一实施方式中，多个(在本实施方式中，为三个)供给口30a以规定的角度朝向吸引管嘴25的吸引口25a倾斜，以使得通过加热流体形成朝向吸引管嘴25的吸引口25a的回旋流(参照图11的圆弧状的箭头)。在图11所示的实施方式中，各供给口30a沿着隔热罩35的圆周方向延伸，并且以规定的角度朝向吸引口25a倾斜。

在构成研磨室8的研磨单元中，由于使用研磨液而对晶片W进行研磨，因此研磨单元是最脏的区域。因此，在研磨单元的内部(即，研磨室8)形成负压，该压力相比其他单元(例如，清洗单元)维持得较低。当垫温度调节装置5通过加热流体喷嘴30持续供给加热流体时，有研磨室8的压力上升至超过规定的压力的担忧。因此，控制装置11也可以是通过在研磨室8配置的压力传感器(未图示)等方法来对研磨室8的压力进行监视，从而对控制阀33(以及/或者控制阀28)的开闭工作进行控制，以使研磨室8的压力维持在适当的压力。

在一实施方式中，控制阀11对垫温度调节装置5(更具体而言，控制阀28和控制阀33)进行控制，以使被吸引管嘴25吸引的流体的流量成为从加热流体喷嘴30供给的加热流体的流量以上。通过这样的控制，垫温度调节装置5能够将研磨室8的压力维持在适当的压力，以及/或者能够抑制研磨室8的温度的上升。

图12是表示垫温度调节装置5的另一实施方式的图。如图12所示，也可以是，对图5所示的实施方式和图9所示的实施方式进行组合。在图12所示的实施方式中，在隔热罩35的内表面粘贴有反射板16。此外，也可以是，对图2所示的实施方式(即，未设置反射板16的实施方式)和图9所示的实施方式进行组合。

基于上述的实施方式所说明的结构，研磨垫3的表面温度能够变更。例如，控制装置11能够通过采取如下的方法中的至少一种方法来对研磨垫3的表面温度进行变更：对供给至红外线加热器15的电流的大小进行变更的方法、对反射板16的角度进行变更的方法、对红外线加热器15与研磨垫3的研磨面3a之间的距离进行变更的方法、对风扇29的旋转速度进行变更的方法以及对加热流体与研磨垫3的研磨面3a碰撞的角度进行变更的方法。

在对反射板16的角度进行变更的情况下，控制装置11也可以对能够对反射板16的角度进行变更的电机(未图示)的动作进行控制。在对红外线加热器15与研磨垫3的研磨面3a之间的距离进行变更的情况下，控制装置11也可以对能够对红外线加热器15的高度进行调节的电机(未图示)的动作进行控制。在对加热流体与研磨面3a碰撞的角度进行变更的情况下，控制装置11也可以对能够对加热流体喷嘴30的角度进行变更的电机(未图示)的动作进行控制。

在图4所示的实施方式中，对使研磨垫3的表面温度局部地变化的一例进行了说明，但是也可以是通过以下说明的方法来使研磨垫3的表面温度局部地变化。控制装置11能够例如通过如下的方法中的至少一个方法来使研磨垫3的表面温度局部地变化：对反射板16的角度进行变更的方法、对红外线加热器15的定向角进行变更的方法以及对碰撞加热流体的角度进行变更的方法。

上述实施方式的目的是为了使具有本发明所属技术领域中的通常的常识的人能够实施本发明而记载的。上述实施方式的各种变形例，只要是本领域技术人员都理所当然能够做到，并且本发明的技术思想也能够适用于其他实施方式。因此，本发明并不限定于所记载的实施方式，而是基于本发明所要求保护的范围，对按照所定义的技术思想最宽泛的范围进行解释。

Claims (12)

1.一种研磨装置，其特征在于，具备：

研磨台，该研磨台对研磨垫进行支承；

研磨头，该研磨头将基板按压向所述研磨垫；

非接触型的垫温度调节装置，该垫温度调节装置配置在所述研磨垫的上方；

垫温度测定器，该垫温度测定器对所述研磨垫的表面温度进行测定；以及

控制装置，该控制装置基于由所述垫温度测定器测定出的所述研磨垫的表面温度而对所述垫温度调节装置进行控制，

在所述研磨台的旋转方向上，所述垫温度测定器相邻配置在所述垫温度调节装置的下游侧。

2.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，

所述垫温度调节装置具备红外线加热器，该红外线加热器向所述研磨垫的表面放射红外线。

3.根据权利要求2所述的研磨装置，其特征在于，

所述垫温度调节装置具备反射板，该反射板将从所述红外线加热器放射出的红外线朝向所述研磨垫进行反射。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的研磨装置，其特征在于，

所述垫温度调节装置具备吸引管嘴，该吸引管嘴通过吸引所述研磨垫的表面附近的热空气来降低气氛温度。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的研磨装置，其特征在于，

所述垫温度调节装置具备风扇，该风扇形成朝向所述研磨垫的表面的空气流。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的研磨装置，其特征在于，

所述垫温度调节装置具备在所述研磨垫的半径方向上排列的多个红外线加热器，

所述控制装置单独地控制所述多个红外线加热器中的每一个，从而使所述研磨垫的表面温度局部地变化。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的研磨装置，其特征在于，

所述研磨装置具备膜厚测定器，该膜厚测定器对所述基板的膜厚进行测定，

所述控制装置基于由所述膜厚测定器测定出的所述基板的膜厚来决定所述研磨垫的目标温度，并且基于所决定的所述目标温度来控制所述垫温度调节装置。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的研磨装置，其特征在于，

所述垫温度调节装置具备加热流体喷嘴，该加热流体喷嘴向所述研磨垫的表面吹附加热流体。

9.根据权利要求8所述的研磨装置，其特征在于，

所述垫温度调节装置具备吸引管嘴，该吸引管嘴对所述研磨垫的表面的热量进行吸引，

所述加热流体喷嘴具备多个供给口，该多个供给口配置在所述吸引管嘴的吸引口的周围，以使加热流体朝向所述吸引管嘴的吸引口流动。

10.根据权利要求9所述的研磨装置，其特征在于，

所述多个供给口以规定的角度朝向所述吸引管嘴的吸引口倾斜，以使得通过加热流体形成朝向所述吸引管嘴的吸引口的回旋流。

11.根据权利要求9或10所述的研磨装置，其特征在于，

所述控制装置对所述垫温度调节装置进行控制，以使被所述吸引管嘴吸引的流体的流量成为从所述加热流体喷嘴供给的加热流体的流量以上。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的研磨装置，其特征在于，

所述垫温度调节装置具备冷却装置，该冷却装置对所述研磨垫的表面进行冷却。

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