CN112601753A

CN112601753A - 氟取代多环芳香族化合物

Info

Publication number: CN112601753A
Application number: CN201980012785.5A
Authority: CN
Inventors: 畠山琢次; 枝连一志; 田中裕之; 王国防; 马场大辅; 笹田康幸
Original assignee: Kansai College; JNC Corp
Current assignee: Kwansei Gakuin Educational Foundation; SK Materials JNC Co Ltd
Priority date: 2018-04-12
Filing date: 2019-04-09
Publication date: 2021-04-02
Anticipated expiration: 2039-04-09
Also published as: CN112601753B; TW201943720A; JP7398711B2; JPWO2019198698A1; WO2019198698A1; JP2024037733A; KR20200141983A

Abstract

通过向利用硼原子与氧原子等将多个芳香族环连结而成的新颖的多环芳香族化合物中导入氟原子，而增加有机EL元件用材料等有机器件用材料的选择项。另外，通过将所述新颖的氟取代多环芳香族化合物用作有机EL元件用材料，而提供例如发光效率或元件寿命优异的有机EL元件。

Description

氟取代多环芳香族化合物

技术领域

本发明涉及一种氟取代多环芳香族化合物与使用其的有机电致发光元件、有机场效晶体管及有机薄膜太阳电池、以及显示装置及照明装置。再者，本说明书中有时将“有机电致发光元件”表述为“有机EL(electroluminescence)元件”或仅表述为“元件”。

背景技术

以往，使用了进行电致发光的发光元件的显示装置因可实现小电力化或薄型化而得到各种研究，进而，包含有机材料的有机电致发光元件因容易轻量化或大型化而得到积极研究。尤其，关于具有作为光的三原色之一的蓝色等的发光特性的有机材料的开发，以及关于具备空穴、电子等的电荷传输能力(具有成为半导体或超导体的可能性)的有机材料的开发，迄今为止，不论高分子化合物、低分子化合物均得到积极研究。

有机EL元件具有如下结构，所述结构包括：包含阳极及阴极的一对电极，以及配置于所述一对电极间、且包含有机化合物的一层或多层。在包含有机化合物的层中，有发光层，或者传输或注入空穴、电子等电荷的电荷传输/注入层等，开发有对于这些层而言适当的各种有机材料。

作为发光层用材料，例如开发有苯并芴系化合物等(国际公开第2004/061047号公报)。另外，作为空穴传输材料，例如开发有三苯基胺系化合物等(日本专利特开2001-172232号公报)。另外，作为电子传输材料，例如开发有蒽系化合物等(日本专利特开2005-170911号公报)。

另外，近年来，作为用于有机EL元件或有机薄膜太阳电池的材料，也报告有对三苯基胺衍生物进行改良而成的材料(国际公开第2012/118164号公报)。所述材料为如下的材料，其特征在于：参考已实用化的N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(三苯基二胺(triphenyl diamine，TPD))，使构成三苯基胺的芳香环彼此连结，由此提高其平面性。所述文献中，例如对NO连结系化合物(63页的化合物1)的电荷传输特性进行了评价，但关于NO连结系化合物以外的材料的制造方法并未进行记载，另外，若连结的元素不同则化合物整体的电子状态不同，因此，自NO连结系化合物以外的材料所获得的特性也仍未知。此种化合物的例子在别处也可看到(国际公开第2011/107186号公报)。例如，具有三重态激子的能量(T1)大的共轭结构的化合物可发出波长更短的磷光，因此作为蓝色的发光层用材料有益。另外，作为夹持发光层的电子传输材料或空穴传输材料，也需要具有T1大的新颖共轭结构的化合物。

有机EL元件的主体(host)材料通常为利用单键或磷原子或硅原子将多个苯或咔唑等现有的芳香环连结而成的分子。其原因在于：通过将多个共轭系比较小的芳香环加以连结，主体材料所需的大的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)-最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)间隙(薄膜的带隙Eg)得到担保。进而，在使用磷光材料或热活性型延迟荧光材料的有机EL元件的主体材料中，也需要高的三重态激发能量(E_T)，但通过将施体性或受体性的芳香环或取代基连结于分子上，而使三重态激发状态(T1)的单占分子轨道(Singly Occupied MolecularOrbital，SOMO)1及SOMO2局部存在化，并减小两轨道间的交换相互作用，由此能够提升三重态激发能量(E_T)。但是，共轭系小的芳香环的氧化还原稳定性并不充分，将连结有现有的芳香环的分子用作主体材料的元件的寿命并不充分。另一方面，具有扩张π共轭系的多环芳香族化合物通常氧化还原稳定性优异，但HOMO-LUMO间隙(薄膜的带隙Eg)或三重态激发能量(E_T)低，因此被认为不适合主体材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2004/061047号公报

专利文献2：日本专利特开2001-172232号公报

专利文献3：日本专利特开2005-170911号公报

专利文献4：国际公开第2012/118164号公报

专利文献5：国际公开第2011/107186号公报

专利文献6：国际公开第2015/102118号公报

发明内容

发明所要解决的问题

如上所述，作为用于有机EL元件的材料，开发有各种材料，为了增加有机EL元件用材料的选择项，期望开发包含与现有不同的化合物的材料。尤其，自专利文献1～专利文献4中所报告的NO连结系化合物以外的材料所获得的有机EL特性或其制造方法仍然未知。

另外，专利文献6中报告有一种含有硼的多环芳香族化合物与使用其的有机EL元件，但为了进一步提升元件特性，谋求一种可提升发光效率或元件寿命的发光层用材料、特别是掺杂剂(dopant)材料。

解决问题的技术手段

本发明人等人为了解决所述课题而进行了努力研究，结果发现通过将如下的层配置于一对电极间来构成例如有机EL元件，可获得优异的有机EL元件，从而完成了本发明，所述层含有导入有氟原子的多环芳香族化合物。即，本发明提供如下的氟取代多环芳香族化合物或其多聚体，进而提供含有如下的氟取代多环芳香族化合物或其多聚体的有机EL元件用材料等有机器件用材料。

再者，本说明书中有时以碳数来表示化学结构或取代基，但在化学结构上取代有取代基的情况下、或者在取代基上进而取代有取代基的情况等的碳数是指化学结构或取代基各自的碳数，并非指化学结构与取代基的合计碳数、或取代基与取代基的合计碳数。例如，所谓“经碳数X的取代基A取代的碳数Y的取代基B”，是指“碳数X的取代基A”在“碳数Y的取代基B”上进行取代，碳数Y并非取代基A与取代基B的合计碳数。另外，例如所谓“经取代基A取代的碳数Y的取代基B”，是指“(不限定碳数的)取代基A”在“碳数Y的取代基B”上进行取代，碳数Y并非取代基A与取代基B的合计碳数。

项1.

一种多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其中，所述多环芳香族化合物由下述通式(1)表示，所述多环芳香族化合物的多聚体具有多个由下述通式(1)所表示的结构。

[化5]

(所述式(1)中，

A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环，这些环中的至少一个氢可被取代，

Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为芳基、烷基或环烷基，

X¹及X²分别独立地为O、N-R、S或Se，所述N-R的R为可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、可被取代的烷基或可被取代的环烷基，另外，所述N-R的R可通过连结基或单键而与所述A环、B环和/或C环键结，

式(1)所表示的化合物或结构中的至少一个氢可由氰基、氯、溴、碘或氘取代，而且，

式(1)所表示的化合物或结构中的至少一个氢是由氟取代)

项2.

根据项1所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中

A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环，这些环中的至少一个氢可由经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基、经取代或未经取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、或者经取代或未经取代的芳氧基取代，另外，这些环具有与包含Y¹、X¹及X²的所述式中央的缩合二环结构共有键结的5元环或6元环，

X¹及X²分别独立地为O、N-R、S或Se，所述N-R的R为可由烷基或环烷基取代的芳基、可由烷基或环烷基取代的杂芳基、烷基或环烷基，另外，所述N-R的R可通过-O-、-S-、-C(-R)₂-或单键而与所述A环、B环和/或C环键结，所述-C(-R)₂-的R为氢、烷基或环烷基，

式(1)所表示的化合物或结构中的至少一个氢可由氰基、氯、溴、碘或氘取代，

在多聚体的情况下，为具有2个或3个通式(1)所表示的结构的二聚体或三聚体，而且，

式(1)所表示的化合物或结构中的至少一个氢是由氟取代。

项3.

根据项1所述的多环芳香族化合物或其多聚体，由下述通式(2)表示。

[化6]

(所述式(2)中，

R¹～R¹¹分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，另外，R¹～R¹¹中的邻接的基团彼此可键结并与a环、b环或c环一同形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，

Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为碳数6～12的芳基、碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，

X¹及X²分别独立地为O、N-R、S或Se，所述N-R的R为碳数6～12的芳基、碳数2～15的杂芳基、碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，另外，所述N-R的R可通过-O-、-S-、-C(-R)₂-或单键而与所述a环、b环和/或c环键结，所述-C(-R)₂-的R为碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基，

式(2)所表示的化合物中的至少一个氢可由氰基、氯、溴、碘或氘取代，而且，

式(2)所表示的化合物中的至少一个氢是由氟取代)

项4.

根据项3所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中

R¹～R¹¹分别独立地为氢、碳数6～30的芳基、碳数2～30的杂芳基、二芳基氨基(其中，芳基为碳数6～12的芳基)、二芳基硼基(其中，芳基为碳数6～12的芳基，且两个芳基可经由单键或连结基而键结)、碳数1～24的烷基或碳数3～24的环烷基，另外，R¹～R¹¹中的邻接的基团彼此可键结并与a环、b环或c环一同形成碳数9～16的芳基环或碳数6～15的杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由碳数6～10的芳基、碳数1～12的烷基或碳数3～16的环烷基取代，

Y¹为B、P、P＝O、P＝S或Si-R，所述Si-R的R为碳数6～10的芳基、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，

X¹及X²分别独立地为O、N-R或S，所述N-R的R为碳数6～10的芳基、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，

式(2)所表示的化合物中的至少一个氢是由氟取代。

项5.

根据项3所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中

R¹～R¹¹分别独立地为氢、碳数6～16的芳基、碳数2～20的杂芳基、二芳基氨基(其中，芳基为碳数6～10的芳基)、二芳基硼基(其中，芳基为碳数6～10的芳基，且两个芳基可经由单键或连结基而键结)、碳数1～12的烷基或碳数3～16的环烷基，

Y¹为B、P、P＝O或P＝S，

X¹及X²分别独立地为O或N-R，所述N-R的R为碳数6～10的芳基、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，而且，

式(2)所表示的化合物中的至少一个氢是由氟取代。

项6.

根据项3所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中

R¹～R¹¹分别独立地为氢、碳数6～16的芳基、二芳基氨基(其中，芳基为碳数6～10的芳基)、二芳基硼基(其中，芳基为碳数6～10的芳基，且两个芳基可经由单键或连结基而键结)、碳数1～12的烷基或碳数3～16的环烷基，

Y¹为B，

X¹及X²均为N-R，或者X¹为N-R且X²为O，所述N-R的R为碳数6～10的芳基、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，而且，

式(2)所表示的化合物中的至少一个氢是由氟取代。

项7.

根据项1至项6中任一项所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中所述N-R的R为经氟取代的芳基或杂芳基。

项8.

根据项7所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中所述N-R的R为经氟取代的苯基。

项9.

根据项1至项8中任一项所述的多环芳香族化合物或其多聚体，由经氟取代的烷基或环烷基、经氟取代的烷氧基、经氟取代的二芳基氨基、经氟取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、经氟取代的咔唑基或经氟取代的苯并咔唑基取代。

项10.

根据项9所述的多环芳香族化合物或其多聚体，由经氟取代的二芳基氨基取代。

项11.

根据项10所述的多环芳香族化合物或其多聚体，由经氟取代的二苯基氨基取代。

项12.

根据项1所述的多环芳香族化合物，由下述任一结构式表示。

[化7]

(所述各结构式中的“tBu”表示叔丁基)

项13.

根据项1所述的多环芳香族化合物，由下述任一结构式表示。

[化8]

(所述各结构式中的“Me”表示甲基)

项14.

一种有机器件用材料，含有根据项1至项13中任一项所述的多环芳香族化合物或其多聚体。

项15.

根据项14所述的有机器件用材料，其中所述有机器件用材料为有机电致发光元件用材料、有机场效晶体管用材料或有机薄膜太阳电池用材料。

项16.

根据项15所述的有机电致发光元件用材料，为发光层用材料。

项17.

一种有机电致发光元件，具有：一对电极，包含阳极及阴极；以及发光层，配置于所述一对电极间，且含有根据项16所述的发光层用材料。

项18.

根据项17所述的有机电致发光元件，其中所述发光层包括：主体；以及作为掺杂剂的所述发光层用材料。

项19.

根据项18所述的有机电致发光元件，其中所述主体为蒽系化合物、芴系化合物或二苯并

系化合物。

项20.

根据项17至项19中任一项所述的有机电致发光元件，具有配置于所述阴极与所述发光层之间的电子传输层和/或电子注入层，且所述电子传输层及电子注入层的至少一者含有选自由硼烷衍生物、吡啶衍生物、荧蒽衍生物、BO系衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、氧化膦衍生物、嘧啶衍生物、咔唑衍生物、三嗪衍生物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物及羟基喹啉(quinolinol)系金属络合物所组成的群组中的至少一者。

项21.

根据项20所述的有机电致发光元件，其中所述电子传输层和/或电子注入层进而含有选自由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土金属的有机络合物及稀土金属的有机络合物所组成的群组中的至少一者。

项22.

一种显示装置或照明装置，包括根据项17至项21中任一项所述的有机电致发光元件。

发明的效果

根据本发明的优选的形态，可提供例如可用作有机EL元件用材料等有机器件用材料的新颖的氟取代多环芳香族化合物，通过使用所述氟取代多环芳香族化合物，而可提供优异的有机EL元件等有机器件。

具体而言，本发明人等人发现利用硼、磷、氧、氮、硫等异质元素将芳香环连结而成的多环芳香族化合物(基本骨架部分)具有大的HOMO-LUMO间隙(薄膜的带隙Eg)与高的三重态激发能量(E_T)。认为其原因在于：含有异质元素的6元环的芳香族性低，因此伴随共轭系的扩张的HOMO-LUMO间隙的减少得到抑制，且因异质元素的电子扰动而使三重态激发状态(T1)的SOMO1及SOMO2局部存在化。另外，本发明的含有异质元素的多环芳香族化合物(基本骨架部分)通过三重态激发状态(T1)下的SOMO1及SOMO2的局部存在化，而两轨道间的交换相互作用变小，因此三重态激发状态(T1)与单重态激发状态(S1)的能量差小，显示出热活性型延迟荧光，故作为有机EL元件的荧光材料也有用。另外，具有高的三重态激发能量(E_T)的材料作为磷光有机EL元件或利用了热活性型延迟荧光的有机EL元件的电子传输层或空穴传输层也有用。进而，这些多环芳香族化合物(基本骨架部分)通过取代基的导入，而可任意地变动HOMO与LUMO的能量，因此可对应于周边材料而使电离电位(ionizationpotential)或电子亲和力最佳化。

除了此种基本骨架部分的特性以外，本发明的化合物通过导入氟原子，也可期待通过分子极性的下降所引起的升华温度的降低。所述情况是指，在作为要求高纯度的有机EL元件等有机器件用的材料的精制法而几乎不可缺少的升华精制中，可在比较低的温度下进行精制，因此可避免材料的热分解等。另外，所述情况对于作为制作有机EL元件等有机器件时有力的手段的真空蒸镀工艺而言也相同，可在比较低的温度下实施工艺，因此可避免材料的热分解，结果可获得高性能的有机器件用。

作为卤素，除氟以外，有氯、溴及碘，但氯、溴及碘进行取代时的碳键具有活性，因此在化学上或电化学上稍微不稳定，当用作有机器件材料时，存在引起驱动劣化的情况。另一方面，碳-氟键为惰性，在化学上且在电化学上均稳定，因此适合作为有机器件材料。

另外，关于多环芳香族化合物的多聚体，由于分子量或平面性之高等而升华温度高的化合物多，因此通过导入氟原子而引起的升华温度的降低变得更有效。

此外，通过导入电子接受性的氟原子，可使发光波长进行短波长化。所述情况在要求高色纯度的蓝色发光的显示器用途中尤其重要。

附图说明

图1是表示本实施方式的有机EL元件的概略剖面图。

具体实施方式

1.经氟取代的多环芳香族化合物及其多聚体

本申请发明为由下述通式(1)表示的多环芳香族化合物、或具有多个由下述通式(1)表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体，优选为由下述通式(2)表示的多环芳香族化合物、或具有多个由下述通式(2)表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体，这些化合物或结构中的至少一个氢是由氟取代。再者，式(1)中，“A”及“C”以及环内的“B”为分别表示环所表示的环结构的符号，其他符号与所述定义相同。

[化9]

通式(1)中的A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环，这些环中的至少一个氢也可由取代基取代。所述取代基优选为经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的二芳基氨基、经取代或未经取代的二杂芳基氨基、经取代或未经取代的芳基杂芳基氨基(具有芳基与杂芳基的氨基)、经取代或未经取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基或者经取代或未经取代的芳氧基。作为这些基团具有取代基时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基。另外，所述芳基环或杂芳基环优选为具有与包含Y¹、X¹及X²的通式(1)中央的缩合二环结构共有键结的5元环或6元环。

此处，所谓“缩合二环结构”，是指通式(1)的中央所示的包含Y¹、X¹及X²而构成的2个饱和烃环缩合而成的结构。另外，所谓“与缩合二环结构共有键结的6元环”，例如如所述通式(2)中所示那样，是指在所述缩合二环结构中缩合的a环(苯环(6元环))。另外，所谓“(A环)芳基环或杂芳基环具有所述6元环”，是指仅由所述6元环形成A环、或者以包含所述6元环的方式在所述6元环中进而缩合其他环等来形成A环。换言之，此处所谓的“具有6元环的(A环)芳基环或杂芳基环”，是指构成A环的全部或一部分的6元环在所述缩合二环结构中缩合。关于“B环(b环)”、“C环(c环)”及“5元环”，相同的说明也适用。

通式(1)中的A环(或B环、C环)对应于通式(2)中的a环与其取代基R¹～R³(或b环与其取代基R⁸～R¹¹、c环与其取代基R⁴～R⁷)。即，通式(2)对应于选择“具有6元环的A环～C环”作为通式(1)的A环～C环的结构。以所述含义，由小写字母的a～c表示通式(2)的各环。

通式(2)中，a环、b环及c环的取代基R¹～R¹¹中的邻接的基团彼此可键结并与a环、b环或c环一同形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢也可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代。因此，通式(2)所表示的多环芳香族化合物根据a环、b环及c环中的取代基的相互的键结形态，如下述式(2-1)及式(2-2)所示，构成化合物的环结构发生变化。各式中的A'环、B'环及C'环分别对应于通式(1)中的A环、B环及C环。另外，各式中的R¹～R¹¹、a、b、c、Y¹、X¹及X²的定义与通式(2)中的定义相同。

[化10]

若以通式(2)进行说明，则所述式(2-1)及式(2-2)中的A'环、B'环及C'环表示取代基R¹～R¹¹中的邻接的基团彼此键结并分别与a环、b环及c环一同形成的芳基环或杂芳基环(也可称为其他环结构在a环、b环或c环中缩合而成的缩合环)。再者，虽然式中未表示，但也存在a环、b环及c环全部变化成A'环、B'环及C'环的化合物。另外，如根据所述式(2-1)及式(2-2)而可知那样，例如b环的R⁸与c环的R⁷、b环的R¹¹与a环的R¹、c环的R⁴与a环的R³等并不符合“邻接的基团彼此”，这些不会进行键结。即，所谓“邻接的基团”，是指在同一环上邻接的基团。

所述式(2-1)或式(2-2)所表示的化合物例如为具有苯环、吲哚环、吡咯环、苯并呋喃环或苯并噻吩环对于作为a环(或b环或c环)的苯环进行缩合而形成的A'环(或B'环或C'环)的化合物，所形成的缩合环A'(或缩合环B'或缩合环C')分别为萘环、咔唑环、吲哚环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环。

通式(1)中的Y¹为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为芳基、烷基或环烷基。在P＝O、P＝S、Si-R或Ge-R的情况下，与A环、B环或C环进行键结的原子为P、Si或Ge。Y¹优选为B、P、P＝O、P＝S或Si-R，特别优选为B。所述说明也同样适用于通式(2)中的Y¹。

通式(1)中的X¹及X²分别独立地为O、N-R、S或Se，所述N-R的R为可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、可被取代的烷基或可被取代的环烷基，所述N-R的R可通过连结基或单键而与所述B环和/或C环键结，作为连结基，优选为-O-、-S-或-C(-R)₂-。再者，所述“-C(-R)₂-”的R为氢、烷基或环烷基。所述说明也同样适用于通式(2)中的X¹及X²。

此处，通式(1)中的“所述N-R的R通过连结基或单键而与所述A环、B环和/或C环键结”的规定对应于通式(2)中“所述N-R的R通过-O-、-S-、-C(-R)₂-或单键而与所述a环、b环和/或c环键结”的规定。

所述规定可由如下的化合物来表现，所述化合物由下述式(2-3-1)表示、且具有X¹或X²被导入至缩合环B'及缩合环C'中的环结构。即，例如为具有其他环以导入X¹(或X²)的方式对于作为通式(2)中的b环(或c环)的苯环进行缩合而形成的B'环(或C'环)的化合物。所形成的缩合环B'(或缩合环C')例如为吩噁嗪环、吩噻嗪环或吖啶环。

另外，所述规定也可由如下的化合物来表现，所述化合物由下述式(2-3-2)或式(2-3-3)表示、且具有X¹和/或X²被导入至缩合环A'中的环结构。即，例如为具有其他环以导入X¹(和/或X²)的方式对于作为通式(2)中的a环的苯环进行缩合而形成的A'环的化合物。所形成的缩合环A'例如为吩噁嗪环、吩噻嗪环或吖啶环。

[化11]

作为通式(1)的A环、B环及C环的“芳基环”例如可列举碳数6～30的芳基环，优选为碳数6～16的芳基环，更优选为碳数6～12的芳基环，特别优选为碳数6～10的芳基环。再者，所述“芳基环”对应于通式(2)中所规定的“R¹～R¹¹中的邻接的基团彼此键结并与a环、b环或c环一同形成的芳基环”，另外，a环(或b环、c环)已包含碳数6的苯环，因此，5元环在其中进行缩合而成的缩合环的合计碳数9成为下限碳数。

作为具体的“芳基环”，可列举：作为单环系的苯环，作为二环系的联苯环，作为缩合二环系的萘环，作为三环系的三联苯环(间三联苯基、邻三联苯基、对三联苯基)，作为缩合三环系的苊环、芴环、非那烯环、菲环，作为缩合四环系的三亚苯环、芘环、并四苯(naphthacene)环，作为缩合五环系的苝环、并五苯(pentacene)环等。

作为通式(1)的A环、B环及C环的“杂芳基环”例如可列举碳数2～30的杂芳基环，优选为碳数2～25的杂芳基环，更优选为碳数2～20的杂芳基环，进而优选为碳数2～15的杂芳基环，特别优选为碳数2～10的杂芳基环。另外，作为“杂芳基环”，例如可列举除碳以外含有1个～5个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。再者，所述“杂芳基环”对应于通式(2)中所规定的“R¹～R¹¹中的邻接的基团彼此键结并与a环、b环或c环一同形成的杂芳基环”，另外，a环(或b环、c环)已包含碳数6的苯环，因此，5元环在其中进行缩合而成的缩合环的合计碳数6成为下限碳数。

作为具体的“杂芳基环”，例如可列举：吡咯环、噁唑环、异噁唑环、噻唑环、异噻唑环、咪唑环、噁二唑环、噻二唑环、三唑环、四唑环、吡唑环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环、吲哚环、异吲哚环、1H-吲唑环、苯并咪唑环、苯并噁唑环、苯并噻唑环、1H-苯并三唑环、喹啉环、异喹啉环、噌啉(cinnoline)环、喹唑啉环、喹喔啉环、酞嗪环、萘啶环、嘌呤环、蝶啶环、咔唑环、吖啶环、吩噁噻环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吩嗪环、吲嗪环、呋喃环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、呋咱(furazan)环、噁二唑环、噻蒽环等。

所述“芳基环”或“杂芳基环”中的至少一个氢可由作为第一取代基的经取代或未经取代的“芳基”、经取代或未经取代的“杂芳基”、经取代或未经取代的“二芳基氨基”、经取代或未经取代的“二杂芳基氨基”、经取代或未经取代的“芳基杂芳基氨基”、经取代或未经取代的“二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)”、经取代或未经取代的“烷基”、经取代或未经取代的“环烷基”、经取代或未经取代的“烷氧基”、或者经取代或未经取代的“芳氧基”取代，作为所述第一取代基的“芳基”或“杂芳基”、“二芳基氨基”的芳基、“二杂芳基氨基”的杂芳基、“芳基杂芳基氨基”的芳基与杂芳基、“二芳基硼基”的芳基、及“芳氧基”的芳基可列举所述“芳基环”或“杂芳基环”的一价基。

另外，作为第一取代基的“烷基”可为直链及分支链的任一种，例如可列举碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的分支链烷基。优选为碳数1～18的烷基(碳数3～18的分支链烷基)，更优选为碳数1～12的烷基(碳数3～12的分支链烷基)，进而优选为碳数1～6的烷基(碳数3～6的分支链烷基)，特别优选为碳数1～4的烷基(碳数3～4的分支链烷基)。

作为具体的烷基，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一基、1-甲基癸基、正十二基、正十三基、1-己基庚基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正二十基等。

另外，作为第一取代基的“环烷基”可列举：碳数3～24的环烷基、碳数3～20的环烷基、碳数3～16的环烷基、碳数3～14的环烷基、碳数5～10的环烷基、碳数5～8的环烷基、碳数5～6的环烷基、碳数5的环烷基等。

作为具体的环烷基，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、以及这些基团的碳数1～4的烷基(尤其是甲基)取代体、或降冰片烯基、双环[1.0.1]丁基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.1.2]庚基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、二金刚烷基、十氢萘基(decahydronaphthalenyl)、十氢薁基(decahydroazulenyl)等。

另外，作为第一取代基的“烷氧基”例如可列举：碳数1～24的直链的烷氧基或碳数3～24的分支链的烷氧基。优选为碳数1～18的烷氧基(碳数3～18的分支链的烷氧基)，更优选为碳数1～12的烷氧基(碳数3～12的分支链的烷氧基)，进而优选为碳数1～6的烷氧基(碳数3～6的分支链的烷氧基)，特别优选为碳数1～4的烷氧基(碳数3～4的分支链的烷氧基)。

作为具体的烷氧基，可列举：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基等。

另外，作为第一取代基的“二芳基硼基”中的“芳基”，可引用所述芳基的说明。另外，所述两个芳基可经由单键或连结基(例如>C(-R)₂、>O、>S或>N-R)而键结。此处，>C(-R)₂及>N-R的R为芳基、杂芳基、二芳基氨基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基(以上为第一取代基)，在所述第一取代基上也可进而取代有芳基、杂芳基、烷基或环烷基(以上为第二取代基)，作为这些基团的具体例，可引用作为所述第一取代基的芳基、杂芳基、二芳基氨基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基的说明。

具体而言，可通过第一取代基的结构的立体阻碍性、供电子性及拉电子性来调整发光波长，优选为以下的结构式(S-1)～结构式(S-94)中的任一者所表示的基团，更优选为式(S-1)、式(S-2)、式(S-5)、式(S-9)～式(S-19)、式(S-24)～式(S-50)及式(S-51)～式(S-94)中的任一者所表示的基团，进而优选为式(S-1)、式(S-2)、式(S-5)、式(S-9)、式(S-10)、式(S-15)、式(S-16)、式(S-24)、式(S-30)、式(S-46)、式(S-48)、式(S-50)、式(S-51)、式(S-56)～式(S-58)、式(S-70)、式(S-71)、式(S-73)、式(S-74)、式(S-76)、式(S-79)、式(S-80)、式(S-83)及式(S-84)中的任一者所表示的基团。

在下述结构式中，“Me”表示甲基，“tBu”表示叔丁基。

[化12]

-Me -tBu

(S-1) (S-2)

[化13]

[化14]

[化15]

[化16]

作为第一取代基的经取代或未经取代的“芳基”、经取代或未经取代的“杂芳基”、经取代或未经取代的“二芳基氨基”、经取代或未经取代的“二杂芳基氨基”、经取代或未经取代的“芳基杂芳基氨基”、经取代或未经取代的“二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)”、经取代或未经取代的“烷基”、经取代或未经取代的“环烷基”、经取代或未经取代的“烷氧基”、或者经取代或未经取代的“芳氧基”如说明为经取代或未经取代那样，这些中的至少一个氢可由第二取代基取代。作为所述第二取代基，例如可列举芳基、杂芳基、烷基或环烷基，这些的具体取代基可参照所述“芳基环”或“杂芳基环”的一价基及作为第一取代基的“烷基”或“环烷基”的说明。另外，在作为第二取代基的芳基或杂芳基中，这些中的至少一个氢经苯基等芳基(具体例为以上所述的基团)、甲基等烷基(具体例为以上所述的基团)或环己基等环烷基(具体例为以上所述的基团)取代的基团也包含于作为第二取代基的芳基或杂芳基中。作为其一例，在第二取代基为咔唑基的情况下，9位上的至少一个氢经苯基等芳基、甲基等烷基或环己基等环烷基取代的咔唑基也包含于作为第二取代基的杂芳基中。

作为通式(2)的R¹～R¹¹中的芳基、杂芳基、二芳基氨基的芳基，二杂芳基氨基的杂芳基，芳基杂芳基氨基的芳基与杂芳基，二芳基硼基的芳基，或芳氧基的芳基，可列举通式(1)中所说明的“芳基环”或“杂芳基环”的一价基。另外，作为R¹～R¹¹中的烷基、环烷基或烷氧基，可参照所述通式(1)的说明中的作为第一取代基的“烷基”、“环烷基”或“烷氧基”的说明。进而，作为针对这些基团的取代基的芳基、杂芳基、烷基或环烷基也相同。另外，作为R¹～R¹¹中的邻接的基团彼此键结并与a环、b环或c环一同形成芳基环或杂芳基环时的针对这些环的取代基的杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基，以及作为进一步的取代基的芳基、杂芳基、烷基或环烷基也相同。

通式(1)的Y¹中的Si-R及Ge-R的R为芳基、烷基或环烷基，作为所述芳基、烷基或环烷基，可列举以上所述的基团。特别优选为碳数6～10的芳基(例如苯基、萘基等)、碳数1～4的烷基(例如甲基、乙基等)或碳数5～10的环烷基(优选为环己基或金刚烷基)。所述说明也同样适用于通式(2)中的Y¹。

通式(1)的X¹及X²中的N-R的R为可由所述第二取代基取代的芳基、杂芳基、烷基或环烷基，芳基或杂芳基中的至少一个氢例如可由烷基或环烷基取代。作为所述芳基、杂芳基、烷基及环烷基，可列举以上所述的基团。特别优选为碳数6～10的芳基(例如苯基、萘基等)、碳数2～15的杂芳基(例如咔唑基等)、碳数1～4的烷基(例如甲基、乙基等)或碳数5～10的环烷基(优选为环己基或金刚烷基)。所述说明也同样适用于通式(2)中的X¹及X²。

作为通式(1)中的连结基的“-C(-R)₂-”的R为氢、烷基或环烷基，作为所述烷基及环烷基，可列举以上所述的基团。特别优选为碳数1～4的烷基(例如甲基、乙基等)或碳数5～10的环烷基(优选为环己基或金刚烷基)。所述说明也同样适用于作为通式(2)中的连结基的“-C(-R)₂-”。

另外，本申请发明为具有多个由通式(1)所表示的单元结构的多环芳香族化合物的多聚体，优选为具有多个由通式(2)所表示的单元结构的多环芳香族化合物的多聚体。多聚体优选为二聚体～六聚体，更优选为二聚体～三聚体，特别优选为二聚体。多聚体只要是在一个化合物中具有多个所述单元结构的形态即可，例如除利用单键、碳数1～3的亚烷基、亚苯基、亚萘基等连结基使多个所述单元结构键结而成的形态(连结型多聚体)以外，也可为以由多个单元结构共有所述单元结构中所含有的任意的环(A环、B环或C环，a环、b环或c环)的方式进行键结的形态(环共有型多聚体)，另外，也可为以所述单元结构中所含有的任意的环(A环、B环或C环，a环、b环或c环)彼此进行缩合的方式进行键结的形态(环缩合型多聚体)，但优选为环共有型多聚体及环缩合型多聚体，更优选为环共有型多聚体。

作为此种多聚体，例如可列举由下述式(2-4)、式(2-4-1)、式(2-4-2)、式(2-5-1)～式(2-5-4)或式(2-6)所表示的多聚体化合物。若以通式(2)进行说明，则下述式(2-4)所表示的多聚体化合物为以共有作为a环的苯环的方式，在一个化合物中具有多个通式(2)所表示的单元结构的多聚体化合物(环共有型多聚体)。另外，若以通式(2)进行说明，则下述式(2-4-1)所表示的多聚体化合物为以共有作为a环的苯环的方式，在一个化合物中具有两个通式(2)所表示的单元结构的多聚体化合物(环共有型多聚体)。另外，若以通式(2)进行说明，则下述式(2-4-2)所表示的多聚体化合物为以共有作为a环的苯环的方式，在一个化合物中具有三个通式(2)所表示的单元结构的多聚体化合物(环共有型多聚体)。另外，若以通式(2)进行说明，则下述式(2-5-1)～式(2-5-4)所表示的多聚体化合物为以共有作为b环(或c环)的苯环的方式，在一个化合物中具有多个通式(2)所表示的单元结构的多聚体化合物(环共有型多聚体)。另外，若以通式(2)进行说明，则下述式(2-6)所表示的多聚体化合物为以例如作为某一单元结构的b环(或a环、c环)的苯环与作为某一单元结构的b环(或a环、c环)的苯环进行缩合的方式，在一个化合物中具有多个通式(2)所表示的单元结构的多聚体化合物(环缩合型多聚体)。

[化17]

多聚体化合物可为将式(2-4)、式(2-4-1)或式(2-4-2)所表现的多聚化形态与式(2-5-1)～式(2-5-4)的任一者或式(2-6)所表现的多聚化形态组合而成的多聚体，也可为将式(2-5-1)～式(2-5-4)的任一者所表现的多聚化形态与式(2-6)所表现的多聚化形态组合而成的多聚体，也可为将式(2-4)、式(2-4-1)或式(2-4-2)所表现的多聚化形态与式(2-5-1)～式(2-5-4)的任一者所表现的多聚化形态，及式(2-6)所表现的多聚化形态组合而成的多聚体。

另外，通式(1)或通式(2)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体的化学结构中的氢的全部或一部分也可为氰基、氯、溴、碘或氘。例如，在式(1)中，A环、B环、C环(A环～C环为芳基环或杂芳基环)、针对A环～C环的取代基、Y¹为Si-R或Ge-R时的R(＝烷基、环烷基、芳基)、以及X¹及X²为N-R时的R(＝烷基、环烷基、芳基)中的氢可由氰基、氯、溴、碘或氘取代，这些中，可列举芳基或杂芳基中的全部或一部分的氢由氰基、氯、溴、碘或氘取代的形态。在氯、溴或碘中，优选为氯或溴，更优选为氯。

另外，本发明的多环芳香族化合物及其多聚体可用作有机器件用材料。作为有机器件，例如可列举：有机电致发光元件、有机场效晶体管或有机薄膜太阳电池等。尤其，在有机电致发光元件中，作为发光层的掺杂剂材料，优选为Y¹为B、X¹及X²为N-R的化合物，Y¹为B、X¹为O、X²为N-R的化合物，Y¹为B、X¹及X²为O的化合物，作为发光层的主体材料，优选为Y¹为B、X¹为O、X²为N-R的化合物，Y¹为B、X¹及X²为O的化合物，作为电子传输材料，可优选地使用Y¹为B、X¹及X²为O的化合物，Y¹为P＝O、X¹及X²为O的化合物。

另外，通式(1)或通式(2)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体的化学结构中的至少一个氢已被氟取代，全部的氢或一部分氢可为氟。

作为氟取代的形态，除了氟直接在式(1)的A环～C环上进行取代的形态、或作为式(2)的R¹～R¹¹而选择的氢经氟取代的形态以外，也可为作为所述第一取代基的芳基、杂芳基(尤其是咔唑基或苯并咔唑基)、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基的氢的至少一个、作为所述第二取代基的芳基、杂芳基、烷基或环烷基的氢的至少一个经氟取代的形态。另外，也可为作为N-R的R的芳基、杂芳基、烷基或环烷基(以上为第一取代基)、或者针对这些基团的取代基(第二取代基)中的氢的至少一个经氟取代的形态。此外，也可列举五氟巯基(-SF₅)等。

作为氟取代的其他形态，可列举：通式(1)或通式(2)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体例如由被氟取代的芳基、被氟取代的烷基或环烷基、被氟取代的烷氧基、被氟取代的二芳基氨基、被氟取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、被氟取代的咔唑基或被氟取代的苯并咔唑基取代的例子。关于“芳基”、“烷基”、“环烷基”、“烷氧基”、“二芳基氨基”及“二芳基硼基”，可列举作为所述“第一取代基”而说明的基团。作为针对二芳基氨基、二芳基硼基、咔唑基及苯并咔唑基的氟的取代形态，可列举：这些基团的芳基环或苯环的一部分或全部的氢由氟取代的例子。优选为通式(1)或通式(2)中的X¹及X²为N-R，且所述R为被氟取代的芳基(尤其是被氟取代的苯基)，另外，优选为作为第一取代基或第二取代基的二芳基氨基的芳基为被氟取代的芳基(尤其是被氟取代的苯基)，更优选为X¹及X²为N-R，且所述R为被氟取代的芳基(尤其是被氟取代的苯基)。

作为氟进行了取代的“芳基”，可列举所述芳基的氢的至少一个经氟取代的基团，具体而言，可列举以下的结构式(S-100)～结构式(S-110)中的任一者所表示的基团等。这些中，优选为式(S-100)～式(S-107)中的任一者所表示的基团，更优选为式(S-100)、式(S-103)、式(S-104)及式(S-105)中的任一者所表示的基团。氟在“二芳基氨基”、“芳基杂芳基氨基”、“二芳基硼基”或“芳氧基”的芳基部位进行取代的情况也适用所述说明。

[化18]

作为氟进行了取代的“烷基”，可列举所述烷基的氢的至少一个经氟取代的基团，具体而言，可列举三氟甲基、二氟甲基、单氟甲基或五氟乙基等，优选为三氟甲基。氟在“烷氧基(烷基氧基)”的烷基部位进行取代的情况也适用所述说明。另外，作为氟进行了取代的“环烷基”，可列举所述环烷基的氢的至少一个经氟取代的基团。

另外，作为更具体的例子，可列举：通式(2)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体的R²为被氟取代的二芳基氨基、被氟取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)或被氟取代的咔唑基的例子。

作为其一例，可列举：下述通式(2-A)所表示的多环芳香族化合物、或具有多个下述通式(2-A)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。结构式中的各符号的定义与通式(2)中的各符号的定义相同。

[化19]

另外，作为本发明的经氟取代的多环芳香族化合物及其多聚体的具体例，可列举化合物中的1个或多个芳香环中的至少一个氢由1个或多个氟取代的化合物，例如可列举由1个～2个氟取代的化合物。

具体而言，可列举由以下的结构式所表示的化合物。下述结构式中的n分别独立地0～2，优选为1。再者，下述结构式中的“F”表示氟，“OPh”表示苯氧基，“Me”表示甲基。

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作为本发明的经氟取代的多环芳香族化合物的更具体的例子，可列举以下结构式所表示的化合物。再者，下述结构式中的“F”表示氟，“D”表示氘，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“tBu”表示叔丁基。

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[化196]

[化197]

[化198]

[化199]

[化200]

[化201]

[化202]

[化203]

[化204]

[化205]

[化206]

[化207]

[化208]

[化209]

[化210]

[化211]

[化212]

[化213]

[化214]

[化215]

[化216]

2.经氟取代的多环芳香族化合物及其多聚体的制造方法

关于通式(1)或通式(2)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体，基本而言首先利用键结基(包含X¹或X²的基团)使A环(a环)与B环(b环)及C环(c环)键结，由此制造中间物(第一反应)，其后，利用键结基(包含Y¹的基团)使A环(a环)、B环(b环)及C环(c环)键结，由此可制造最终产物(第二反应)。第一反应中，例如若为醚化反应，则可利用亲核取代反应、乌尔曼反应(Ullmann Reaction)等通常的反应，若为氨基化反应，则可利用布赫瓦尔德-哈特维希反应(Buchwald-Hartwig Reaction)等通常的反应。另外，第二反应中，可利用串联式杂夫里德耳-夸夫特反应(Tandem Hetero-Friedel-Crafts Reaction)(连续的芳香族亲电子取代反应，以下相同)。另外，在这些反应步骤中的某处，使用经氟化的原料、或者追加氟化或含氟取代基导入的步骤，由此，可制造所期望的位置经氟化的本发明的化合物。

如下述流程(1)或流程(2)所示，第二反应为将键结A环(a环)、B环(b环)及C环(c环)的Y¹导入的反应，作为例子，以下表示Y¹为硼原子、X¹及X²为氧原子的情况。首先，利用正丁基锂、仲丁基锂或叔丁基锂等对X¹与X²之间的氢原子进行邻位金属化。继而，加入三氯化硼或三溴化硼等，进行锂-硼的金属交换后，加入N,N-二异丙基乙胺等布忍斯特碱(Bronsted base)，由此进行串联式硼杂夫里德耳-夸夫特反应(Tandem Bora-Friedel-Crafts Reaction)，从而可获得目标物。在第二反应中，为了促进反应，也可加入三氯化铝等路易斯酸(Lewis acid)。再者，下述流程(1)及流程(2)中、进而其后的流程(3)～流程(28)中的各结构式的符号的定义与所述定义相同。

[化217]

流程(1)

[化218]

流程(2)

再者，所述流程(1)或流程(2)主要表示通式(1)或通式(2)所表示的多环芳香族化合物的制造方法，但关于其多聚体，可通过使用具有多个A环(a环)、B环(b环)及C环(c环)的中间物来制造。详细而言，通过下述流程(3)～流程(5)进行说明。所述情况下，通过将所使用的丁基锂等试剂的量设为2倍量、3倍量，可获得目标物。

[化219]

流程(3)

[化220]

流程(4)

[化221]

流程(5)

在所述流程中，通过邻位金属化而朝所期望的位置上导入锂，但可如下述流程(6)及流程(7)那样在欲导入锂的位置上导入溴原子等，并也通过卤素-金属交换而朝所期望的位置上导入锂。

[化222]

流程(6)

[化223]

流程(7)

另外，关于流程(3)中说明的多聚体的制造方法，也可如所述流程(6)及流程(7)那样在欲导入锂的位置上导入溴原子或氯原子等卤素，并也通过卤素-金属交换而朝所期望的位置上导入锂(下述流程(8)、流程(9)及流程(10))。

[化224]

流程(8)

[化225]

流程(9)

[化226]

流程(10)

根据所述方法，即便在因取代基的影响而无法进行邻位金属化的情况下也可合成目标物，从而有用。

通过适当选择所述合成法，且也适当选择所使用的原料，可合成所期望的位置经氟化、在所期望的位置上具有取代基、且Y¹为硼原子、X¹及X²为氧原子的多环芳香族化合物及其多聚体。

继而，将Y¹为硼原子、X¹及X²为氮原子的情况作为例子而示于下述流程(11)及流程(12)中。与X¹及X²为氧原子的情况同样地，首先，利用正丁基锂等对X¹与X²之间的氢原子进行邻位金属化。继而，加入三溴化硼等，进行锂-硼的金属交换后，加入N,N-二异丙基乙胺等布忍斯特碱，由此进行串联式硼杂夫里德耳-夸夫特反应，从而可获得目标物。此处，为了促进反应，也可加入三氯化铝等路易斯酸。进而，如下述流程(12')那样，若在200℃左右的高温下进行反应，则仅利用三溴化硼也可获得目标物。另外，在这些反应步骤中的某处，使用经氟化的原料、或者追加氟化或含氟取代基导入的步骤，由此，可制造所期望的位置经氟化的本发明的化合物。

[化227]

流程(11)

[化228]

流程(12)

[化229]

流程(12′)

另外，关于Y¹为硼原子、X¹及X²为氮原子时的多聚体，也可如所述流程(6)及流程(7)那样在欲导入锂的位置上导入溴原子或氯原子等卤素，并也通过卤素-金属交换而朝所期望的位置上导入锂(下述流程(13)、流程(14)及流程(15))。进而，如下述流程(13′)那样，使用三碘化硼与三苯基硼烷，即便不利用卤素-金属交换，也可合成Y¹为硼原子、X¹及X²为氮原子时的多聚体。

[化230]

流程(13)

[化231]

流程(14)

[化232]

流程(15)

[化233]

流程(13′)

继而，将Y¹为硫化磷、氧化磷或磷原子，X¹及X²为氧原子的情况作为例子而示于下述流程(16)～流程(19)中。与迄今为止同样地，首先利用正丁基锂等对X¹与X²之间的氢原子进行邻位金属化。继而，依次添加三氯化磷、硫，最后加入三氯化铝等路易斯酸及N,N-二异丙基乙胺等布忍斯特碱，由此进行串联式磷杂夫里德耳-夸夫特反应(Tandem Phospha-Friedel-Crafts Reaction)，从而可获得Y¹为硫化磷的化合物。另外，通过利用间氯过苯甲酸(m-chloroperbenzoic acid，m-CPBA)对所获得的硫化磷化合物进行处理而可获得Y¹为氧化磷的化合物，通过利用三乙基膦进行处理而可获得Y¹为磷原子的化合物。另外，在这些反应步骤中的某处，使用经氟化的原料、或者追加氟化或含氟取代基导入的步骤，由此，可制造所期望的位置经氟化的本发明的化合物。

[化234]

流程(16)

[化235]

流程(17)

[化236]

流程(18)

[化237]

流程(19)

另外，关于Y¹为硫化磷、X¹及X²为氧原子时的多聚体，也可如所述流程(6)及流程(7)那样在欲导入锂的位置上导入溴原子或氯原子等卤素，并也通过卤素-金属交换而朝所期望的位置上导入锂(下述流程(20)、流程(21)及流程(22))。另外，以所述方式形成的Y¹为硫化磷、X¹及X²为氧原子时的多聚体也如所述流程(18)及流程(19)那样，通过利用间氯过苯甲酸(m-CPBA)进行处理而可获得Y¹为氧化磷的化合物，通过利用三乙基膦进行处理而可获得Y¹为磷原子的化合物。

[化238]

流程(20)

[化239]

流程(21)

[化240]

流程(22)

此处，记载了Y¹为B、P、P＝O或P＝S，X¹及X²为O或NR的例子，但通过适当变更原料，也可合成Y¹为Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，或者X¹及X²为S的化合物。

在所述流程中，作为用以制造目标物的步骤的例子，列举了利用卤素-金属交换或偶合反应的例子。卤素中虽也包括氟原子，但通常碳-氟键极为惰性，因此在使用氟作为卤素的情况下，通常不会发生卤素-金属交换或偶合反应。因此，在大多数情况下，即便氟原子共存，反应也在氯、溴或碘的位置上选择性进行，因此，即便使用包含氟原子的原料，也不会阻碍所述反应的进行，可制造所期望的位置经氟化的本发明的化合物。

另外，使用不仅进行氟原子取代、而且也取代有氟取代的烷基、氟取代的芳基、氟取代的杂芳基、氟取代的芳氧基或五氟巯基(-SF₅)等的原料、或者追加将这些官能基导入的步骤，由此，可制造所期望的位置经氟化的本发明的化合物。

以上的反应中所使用的溶媒的具体例为叔丁基苯或二甲苯等。

另外，通式(2)中，a环、b环及c环的取代基R¹～R¹¹中的邻接的基团彼此可键结并与a环、b环或c环一同形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基或杂芳基取代。因此，通式(2)所表示的多环芳香族化合物根据a环、b环及c环中的取代基的相互的键结形态，如下述流程(23)及流程(24)的式(2-1)及式(2-2)所示，构成化合物的环结构发生变化。这些化合物可通过将所述流程(1)～流程(19)中示出的合成法应用于下述流程(23)及流程(24)中所示的中间物来合成。另外，在这些反应步骤中的某处，使用经氟化的原料、或者追加氟化或含氟取代基导入的步骤，由此，可制造所期望的位置经氟化的本发明的化合物。

[化241]

流程(23)

[化242]

流程(24)

所述式(2-1)及式(2-2)中的A'环、B'环及C'环表示取代基R¹～R¹¹中的邻接的基团彼此键结并分别与a环、b环及c环一同形成的芳基环或杂芳基环(也可称为其他环结构在a环、b环或c环中缩合而成的缩合环)。再者，虽然式中未表示，但也存在a环、b环及c环全部变化成A'环、B'环及C'环的化合物。

另外，通式(2)中的“N-R的R通过-O-、-S-、-C(-R)₂-或单键而与所述a环、b环和/或c环键结”的规定可由如下的化合物来表现，所述化合物是由下述流程(25)的式(2-3-1)表示、且具有X¹或X²被导入至缩合环B'及缩合环C'的环结构，或由式(2-3-2)或式(2-3-3)表示、且具有X¹或X²被导入至缩合环A'的环结构。这些化合物可通过将所述流程(1)～流程(19)中示出的合成法应用于下述流程(25)中示出的中间物来合成。另外，在这些反应步骤中的某处，使用经氟化的原料、或者追加氟化或含氟取代基导入的步骤，由此，可制造所期望的位置经氟化的本发明的化合物。

[化243]

流程(25)

另外，在所述流程(1)～流程(17)及流程(20)～流程(25)的合成法中，表示在加入三氯化硼或三溴化硼等之前，利用丁基锂等对X¹与X²之间的氢原子(或卤素原子)进行邻位金属化，由此进行串联式杂夫里德耳-夸夫特反应的例子，但也可不进行利用丁基锂等的邻位金属化，而通过添加三氯化硼或三溴化硼等来进行反应。

另外，在Y¹为磷系的情况下，如下述流程(26)或流程(27)所示，利用正丁基锂、仲丁基锂或叔丁基锂等对X¹与X²(下述式中为O)之间的氢原子进行邻位金属化，继而加入双二乙基氨基氯膦，进行锂-磷的金属交换后，加入三氯化铝等路易斯酸，由此进行串联式磷杂夫里德耳-夸夫特反应，从而可获得目标物。所述反应方法在国际公开第2010/104047号公报(例如27页)中也有记载。另外，在这些反应步骤中的某处，使用经氟化的原料、或者追加氟化或含氟取代基导入的步骤，由此，可制造所期望的位置经氟化的本发明的化合物。

[化244]

流程(26)

[化245]

流程(27)

再者，在所述流程(26)或流程(27)中，相对于中间物1的摩尔量，使用2倍、3倍的摩尔量的丁基锂等邻位金属化试剂，由此也可合成多聚体化合物。另外，在欲导入锂等金属的位置上事先导入溴原子或氯原子等卤素，并进行卤素-金属交换，由此可朝所期望的位置上导入金属。

此外，关于通式(2-A)所表示的多环芳香族化合物，如下述流程(28)那样，合成经氟化的中间物，并使其环化，由此可合成利用氟原子对所期望的位置进行了取代的多环芳香族化合物。流程(28)中，X表示卤素或氢，其他符号的定义与通式(2)中的符号的定义相同。

[化246]

流程(28)

流程(28)

流程(28)中的环化前的中间物也可利用流程(1)等所示的方法来合成。即，可通过将布赫瓦尔德-哈特维希反应或铃木偶合反应、或者利用亲核取代反应或乌尔曼反应等的醚化反应等适当组合来合成具有所期望的取代基的中间物。在这些反应中，成为经氟化的前体的原料也可利用市售品。

具有经氟化的二苯基氨基的通式(2-A)的化合物例如也可利用如下方法来合成。即，对市售的溴五氟苯基苯与三卤化苯胺通过如布赫瓦尔德-哈特维希反应那样的氨基化反应导入经氟化的二苯基氨基后，在X¹、X²为N-R的情况下，利用如布赫瓦尔德-哈特维希反应那样的氨基化反应而衍生为中间物(M-3)，在X¹、X²为O的情况下，通过使用苯酚的醚化而衍生为中间物(M-3)，其后，例如通过使丁基锂那样的金属化试剂发挥作用并进行反式金属化、之后使三溴化硼那样的卤化硼发挥作用、之后使二乙基异丙基胺那样的布忍斯特碱发挥作用的串联式硼杂夫里德耳-夸夫特反应，而可合成通式(2-A)的化合物。这些反应也可应用于其他经氟化的化合物。

再者，作为所述流程(1)～流程(28)中所使用的邻位金属化试剂，可列举：甲基锂、正丁基锂、仲丁基锂、叔丁基锂等烷基锂，二异丙基酰胺锂、四甲基哌啶化锂、六甲基二硅胺化锂、六甲基二硅胺化钾等有机碱性化合物。

再者，作为所述流程(1)～流程(28)中所使用的金属-Y¹的金属交换试剂，可列举：Y¹的三氟化物、Y¹的三氯化物、Y¹的三溴化物、Y¹的三碘化物等Y¹的卤化物，CIPN(NEt₂)₂等Y¹的氨基化卤化物，Y¹的烷氧基化物，Y¹的芳氧基化物等。

再者，作为所述流程(1)～流程(28)中所使用的布忍斯特碱，可列举：N,N-二异丙基乙胺、三乙胺、2,2,6,6-四甲基哌啶、1,2,2,6,6-五甲基哌啶、N,N-二甲基苯胺、N,N-二甲基甲苯胺、2,6-二甲吡啶、四苯基硼酸钠、四苯基硼酸钾、三苯基硼烷、四苯基硅烷、Ar₄BNa、Ar₄BK、Ar₃B、Ar₄Si(再者，Ar为苯基等芳基)等。

作为所述流程(1)～流程(28)中所使用的路易斯酸，可列举：AlCl₃、AlBr₃、AlF₃、BF₃·OEt₂、BCl₃、BBr₃、GaCl₃、GaBr₃、InCl₃、InBr₃、In(OTf)₃、SnCl₄、SnBr₄、AgOTf、ScCl₃、Sc(OTf)₃、ZnCl₂、ZnBr₂、Zn(OTf)₂、MgCl₂、MgBr₂、Mg(OTf)₂、LiOTf、NaOTf、KOTf、Me₃SiOTf、Cu(OTf)₂、CuCl₂、YCl₃、Y(OTf)₃、TiCl₄、TiBr₄、ZrCl₄、ZrBr₄、FeCl₃、FeBr₃、CoCl₃、CoBr₃等。

在所述流程(1)～流程(28)中，为了促进串联式杂夫里德耳-夸夫特反应，也可使用布忍斯特碱或路易斯酸。其中，在使用Y¹的三氟化物、Y¹的三氯化物、Y¹的三溴化物、Y¹的三碘化物等Y¹的卤化物的情况下，随着芳香族亲电子取代反应的进行，而生成氟化氢、氯化氢、溴化氢、碘化氢等酸，因此使用捕捉酸的布忍斯特碱是有效的。另一方面，在使用Y¹的氨基化卤化物、Y¹的烷氧基化物的情况下，随着芳香族亲电子取代反应的进行，而生成胺、醇，因此在多数情况下，无需使用布忍斯特碱，但因氨基或烷氧基的脱离能力低，因此使用促进其脱离的路易斯酸是有效的。

另外，本发明的多环芳香族化合物或其多聚体中也包含至少一部分的氢原子由氰基取代的结构或者由氯、溴及碘等卤素取代的结构或者由氘取代的结构，此种化合物等可通过使用所期望的位置被氰化、氯化、溴化、碘化或氘化的原料而与所述同样地合成。

3.有机器件

本发明的经氟取代的多环芳香族化合物可用作有机器件用材料。作为有机器件，例如可列举：有机电致发光元件、有机场效晶体管或有机薄膜太阳电池等。

3-1.有机电致发光元件

以下，基于附图对本实施方式的有机EL元件进行详细说明。图1是表示本实施方式的有机EL元件的概略剖面图。

＜有机电致发光元件的结构＞

图1所示的有机EL元件100包括：基板101、设置于基板101上的阳极102、设置于阳极102上的空穴注入层103、设置于空穴注入层103上的空穴传输层104、设置于空穴传输层104上的发光层105、设置于发光层105上的电子传输层106、设置于电子传输层106上的电子注入层107、以及设置于电子注入层107上的阴极108。

再者，有机EL元件100也可使制作顺序相反而形成例如以下的构成，所述构成包括：基板101、设置于基板101上的阴极108、设置于阴极108上的电子注入层107、设置于电子注入层107上的电子传输层106、设置于电子传输层106上的发光层105、设置于发光层105上的空穴传输层104、设置于空穴传输层104上的空穴注入层103、以及设置于空穴注入层103上的阳极102。

并非需要所述各层的全部，将最小构成单元设为包括阳极102、发光层105及阴极108的构成，空穴注入层103、空穴传输层104、电子传输层106、电子注入层107是任意设置的层。另外，所述各层可分别包含单一层，也可包含多层。

作为构成有机EL元件的层的形态，除所述“基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”的构成形态以外，也可为“基板/阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/发光层/电子注入层/阴极”的构成形态。

＜有机电致发光元件中的基板＞

基板101为有机EL元件100的支撑体，通常使用石英、玻璃、金属、塑料等。基板101根据目的而形成为板状、膜状或片状，例如可使用玻璃板、金属板、金属箔、塑料膜、塑料片等。其中，优选为玻璃板及聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚砜等的透明的合成树脂制的板。若为玻璃基板，则可使用钠钙玻璃或无碱玻璃等，另外，厚度也只要有足以保持机械强度的厚度即可，因此例如只要有0.2mm以上即可。厚度的上限值例如为2mm以下，优选为1mm以下。关于玻璃的材质，因来自玻璃的溶出离子越少越好，故优选为无碱玻璃，由于施加了SiO₂等的隔离涂层的钠钙玻璃也有市售，因此可使用所述钠钙玻璃。另外，为了提高阻气性，也可在基板101的至少一面上设置细密的氧化硅膜等阻气膜，尤其在将阻气性低的合成树脂制的板、膜或片用作基板101的情况下，优选为设置阻气膜。

＜有机电致发光元件中的阳极＞

阳极102发挥朝发光层105中注入空穴的作用。再者，于在阳极102与发光层105之间设置有空穴注入层103和/或空穴传输层104的情况下，经由这些层朝发光层105中注入空穴。

作为形成阳极102的材料，可列举无机化合物及有机化合物。作为无机化合物，例如可列举：金属(铝、金、银、镍、钯、铬等)、金属氧化物(铟的氧化物、锡的氧化物、铟-锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟-锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)等)、卤化金属(碘化铜等)、硫化铜、碳黑、ITO玻璃或奈塞(NESA)玻璃等。作为有机化合物，例如可列举：聚(3-甲基噻吩)等聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等导电性聚合物等。此外，可自用作有机EL元件的阳极的物质中适当选择来使用。

透明电极的电阻只要可供给对于发光元件的发光而言充分的电流即可，因此并无限定，但就发光元件的消耗电力的观点而言，理想的是低电阻。例如，若为300Ω/□以下的ITO基板，则作为元件电极发挥功能，但现在也能够供给10Ω/□左右的基板，因此特别理想的是使用例如100Ω/□～5Ω/□，优选为50Ω/□～5Ω/□的低电阻品。ITO的厚度可配合电阻值而任意地选择，但通常在50nm～300nm之间使用的情况多。

＜有机电致发光元件中的空穴注入层、空穴传输层＞

空穴注入层103发挥将自阳极102迁移而来的空穴效率良好地注入至发光层105内或空穴传输层104内的作用。空穴传输层104发挥将自阳极102所注入的空穴或自阳极102经由空穴注入层103所注入的空穴效率良好地传输至发光层105的作用。空穴注入层103及空穴传输层104分别将空穴注入/传输材料的一种或两种以上加以层叠、混合而形成，或者由空穴注入/传输材料与高分子粘结剂的混合物形成。另外，也可向空穴注入/传输材料中添加如氯化铁(III)那样的无机盐来形成层。

作为空穴注入/传输性物质，需要在施加有电场的电极间效率良好地注入/传输来自正极的空穴，理想的是空穴注入效率高且效率良好地传输所注入的空穴。因此，优选为电离电位小、且空穴迁移率大、进而稳定性优异、在制造时及使用时不易产生成为陷阱(trap)的杂质的物质。

作为形成空穴注入层103及空穴传输层104的材料，可自在光导电材料中作为空穴的电荷传输材料一直以来所惯用的化合物，用于p型半导体、有机EL元件的空穴注入层及空穴传输层的公知的化合物中选择任意的化合物来使用。这些材料的具体例为咔唑衍生物(N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑等)、双(N-芳基咔唑)或双(N-烷基咔唑)等双咔唑衍生物、三芳基胺衍生物(主链或侧链上具有芳香族三级氨基的聚合物、1,1-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二氨基联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二萘基-4,4'-二氨基联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二苯基-1,1'-二胺、N,N'-二萘基-N,N'-二苯基-4,4'-二苯基-1,1'-二胺、N⁴,N⁴'-二苯基-N⁴,N⁴'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺、N⁴,N⁴,N⁴',N⁴'-四[1,1'-联苯]-4-基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺、4,4',4”-三(3-甲基苯基(苯基)氨基)三苯基胺等三苯基胺衍生物、星爆状胺衍生物等)、二苯乙烯衍生物、酞菁衍生物(无金属、铜酞菁等)、吡唑啉衍生物、腙系化合物、苯并呋喃衍生物或噻吩衍生物、噁二唑衍生物、喹喔啉衍生物(例如1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯-2,3,6,7,10,11-六碳腈等)、卟啉衍生物等杂环化合物、聚硅烷等。聚合物系中，优选为侧链上具有所述单体的聚碳酸酯或苯乙烯衍生物、聚乙烯咔唑及聚硅烷等，但只要是形成发光元件的制作所需的薄膜，可自阳极注入空穴，进而可传输空穴的化合物，则并无特别限定。

另外，有机半导体的导电性因其掺杂而受到强烈影响这一点也为人所知。此种有机半导体基质物质包含供电子性良好的化合物、或电子接受性良好的化合物。为了掺杂供电子物质，已知有四氰基醌二甲烷(Tetracyanoquinodimethane，TCNQ)或2,3,5,6-四氟四氰基-1,4-苯醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinodimethane，F4TCNQ)等强电子接受体(例如，参照文献“M.法伊弗,A.拜尔,T.弗里茨,K.利奥(M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo),应用物理学快报(Appl.Phys.Lett.),73(22),3202-3204(1998)”及文献“J.布洛赫维茨,M.法伊弗,T.弗里茨,K.利奥(J.Blochwitz,M.Pheiffer,T.Fritz,K.Leo),应用物理学快报(Appl.Phys.Lett.),73(6),729-731(1998)”)。这些通过供电子型基础物质(空穴传输物质)的电子迁移过程而生成所谓的空穴。基础物质的传导性根据空穴的数量及迁移率而产生相当大的变化。作为具有空穴传输特性的基质物质，已知有例如联苯胺衍生物(TPD等)或星爆状胺衍生物(4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(4,4',4”-tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine，TDATA)等)、或者特定的金属酞菁(尤其是锌酞菁(ZnPc)等)(日本专利特开2005-167175号公报)。

＜有机电致发光元件中的发光层＞

发光层105是通过在施加有电场的电极间，使自阳极102所注入的空穴与自阴极108所注入的电子再结合而发光的层。形成发光层105的材料只要为通过空穴与电子的再结合而得到激发来发光的化合物(发光性化合物)即可，优选为可形成稳定的薄膜形状、且在固体状态下显示强的发光(荧光)效率的化合物。在本发明中，作为发光层用的材料，可使用主体材料、与例如作为掺杂剂材料的由所述通式(1)所表示的多环芳香族化合物。

发光层可为单一层，也可包含多层，任一者均可，且分别由发光层用材料(主体材料、掺杂剂材料)形成。主体材料与掺杂剂材料分别可为一种，也可为多种的组合，任一者均可。掺杂剂材料可包含于主体材料整体内，也可包含于部分主体材料内，任一者均可。作为掺杂方法，可通过与主体材料的共蒸镀法来形成，也可事先与主体材料混合后同时蒸镀。

主体材料的使用量根据主体材料的种类而不同，只要配合所述主体材料的特性来决定即可。主体材料的使用量的基准优选为发光层用材料整体的50重量％～99.999重量％，更优选为80重量％～99.95重量％，进而优选为90重量％～99.9重量％。

掺杂剂材料的使用量根据掺杂剂材料的种类而不同，只要配合所述掺杂剂材料的特性来决定即可。掺杂剂的使用量的基准优选为整个发光层用材料的0.001重量％～50重量％，更优选为0.05重量％～20重量％，进而优选为0.1重量％～10重量％。若为所述范围，则例如就可防止浓度淬灭现象的方面而言优选。

主体材料可列举自以前作为发光体已知的蒽、芘、二苯并

或芴等缩合环衍生物、双苯乙烯基蒽衍生物或二苯乙烯基苯衍生物等双苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍生物、环戊二烯衍生物等。特别优选为蒽系化合物、芴系化合物或二苯并

系化合物。

＜蒽系化合物＞

作为主体的蒽系化合物例如为下述通式(3)所表示的化合物。

[化247]

通式(3)中，X分别独立地为所述式(3-X1)、式(3-X2)或式(3-X3)所表示的基团，式(3-X1)、式(3-X2)或式(3-X3)所表示的基团在*处与式(3)的蒽环键结。优选为两个X不会同时成为式(3-X3)所表示的基团。更优选为两个X也不会同时成为式(3-X2)所表示的基团。

另外，也可将式(3)所表示的结构作为单元结构来形成多聚体(优选为二聚体)。所述情况下，例如可列举式(3)所表示的单元结构彼此经由X而键结的形态，所述X可列举：单键、亚芳基(亚苯基、亚联苯基及亚萘基等)及亚杂芳基(吡啶环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、咔唑环、苯并咔唑环及苯基取代咔唑环等具有二价的原子价的基团)等。

式(3-X1)及式(3-X2)中的亚萘基部位可由一个苯环缩合。以所述方式缩合而成的结构如下所示。

[化248]

Ar¹及Ar²分别独立地为氢、苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、芴基、苯并芴基、

基、三亚苯基、芘基、或所述式(A)所表示的基团(也包含咔唑基、苯并咔唑基及苯基取代咔唑基)。再者，在Ar¹或Ar²为式(A)所表示的基团的情况下，式(A)所表示的基团在其*处与式(3-X1)或式(3-X2)中的萘环键结。

Ar³为苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、芴基、苯并芴基、

基、三亚苯基、芘基、或所述式(A)所表示的基团(也包含咔唑基、苯并咔唑基及苯基取代咔唑基)。再者，在Ar³为式(A)所表示的基团的情况下，式(A)所表示的基团在其*处与式(3-X3)中的直线所表示的单键键结。即，式(3)的蒽环与式(A)所表示的基团直接键结。

另外，Ar³也可具有取代基，Ar³中的至少一个氢进而可由碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、芴基、

基、三亚苯基、芘基、或所述式(A)所表示的基团(也包含咔唑基及苯基取代咔唑基)取代。再者，在Ar³所具有的取代基为式(A)所表示的基团的情况下，式(A)所表示的基团在其*处与式(3-X3)中的Ar³键结。

Ar⁴分别独立地为氢、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、或由碳数1～4的烷基(甲基、乙基、叔丁基等)和/或碳数5～10的环烷基取代的硅烷基。

在硅烷基中进行取代的碳数1～4的烷基可列举甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基等，硅烷基中的三个氢分别独立地由这些烷基取代。

作为具体的“由碳数1～4的烷基取代的硅烷基”，可列举：三甲基硅烷基、三乙基硅烷基、三丙基硅烷基、三异丙基硅烷基、三丁基硅烷基、三-仲丁基硅烷基、三-叔丁基硅烷基、乙基二甲基硅烷基、丙基二甲基硅烷基、异丙基二甲基硅烷基、丁基二甲基硅烷基、仲丁基二甲基硅烷基、叔丁基二甲基硅烷基、甲基二乙基硅烷基、丙基二乙基硅烷基、异丙基二乙基硅烷基、丁基二乙基硅烷基、仲丁基二乙基硅烷基、叔丁基二乙基硅烷基、甲基二丙基硅烷基、乙基二丙基硅烷基、丁基二丙基硅烷基、仲丁基二丙基硅烷基、叔丁基二丙基硅烷基、甲基二异丙基硅烷基、乙基二异丙基硅烷基、丁基二异丙基硅烷基、仲丁基二异丙基硅烷基、叔丁基二异丙基硅烷基等。

在硅烷基中进行取代的碳数5～10的环烷基可列举：环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、降冰片烯基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.1.2]庚基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、十氢萘基、十氢薁基等，硅烷基中的三个氢分别独立地由这些环烷基取代。

作为具体的“由碳数5～10的环烷基取代的硅烷基”，可列举：三环戊基硅烷基、三环己基硅烷基等。

作为经取代的硅烷基，也有2个烷基与1个环烷基取代而成的二烷基环烷基硅烷基、及1个烷基与2个环烷基取代而成的烷基二环烷基硅烷基，作为进行取代的烷基及环烷基的具体例，可列举所述基团。

另外，通式(3)所表示的蒽系化合物的化学结构中的氢也可由所述式(A)所表示的基团取代。在由式(A)所表示的基团取代的情况下，式(A)所表示的基团在其*处与式(3)所表示的化合物中的至少一个氢进行取代。

式(A)所表示的基团为式(3)所表示的蒽系化合物可具有的取代基的一个。

[化249]

所述式(A)中，Y为-O-、-S-或＞N-R²⁹，R²¹～R²⁸分别独立地为氢、可被取代的烷基、可被取代的环烷基、可被取代的芳基、可被取代的杂芳基、可被取代的烷氧基、可被取代的芳氧基、可被取代的芳硫基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基、烷基二环烷基硅烷基、可被取代的氨基、卤素、羟基或氰基，R²¹～R²⁸中的邻接的基团可彼此键结而形成烃环、芳基环或杂芳基环，R²⁹为氢或可被取代的芳基。

作为R²¹～R²⁸中的“可被取代的烷基”的“烷基”，可为直链及分支链的任一种，例如可列举碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的分支链烷基。优选为碳数1～18的烷基(碳数3～18的分支链烷基)，更优选为碳数1～12的烷基(碳数3～12的分支链烷基)，进而优选为碳数1～6的烷基(碳数3～6的分支链烷基)，特别优选为碳数1～4的烷基(碳数3～4的分支链烷基)。

作为具体的“烷基”，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一基、1-甲基癸基、正十二基、正十三基、1-己基庚基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正二十基等。

作为R²¹～R²⁸中的“可被取代的环烷基”的“环烷基”，可列举：碳数3～24的环烷基、碳数3～20的环烷基、碳数3～16的环烷基、碳数3～14的环烷基、碳数5～10的环烷基、碳数5～8的环烷基、碳数5～6的环烷基、碳数5的环烷基等。

作为具体的“环烷基”，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、以及这些基团的碳数1～4的烷基(尤其是甲基)取代体、或降冰片烯基、双环[1.0.1]丁基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.1.2]庚基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、二金刚烷基、十氢萘基、十氢薁基等。

作为R²¹～R²⁸中的“可被取代的芳基”的“芳基”，例如可列举碳数6～30的芳基，优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。

作为具体的“芳基”，可列举：作为单环系的苯基；作为二环系的联苯基；作为缩合二环系的萘基；作为三环系的三联苯基(间三联苯基、邻三联苯基、对三联苯基)；作为缩合三环系的苊基、芴基、非那烯基、菲基；作为缩合四环系的三亚苯基、芘基、并四苯基；作为缩合五环系的苝基、并五苯基等。

作为R²¹～R²⁸中的“可被取代的杂芳基”的“杂芳基”，例如可列举碳数2～30的杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基。另外，作为杂芳基，例如可列举除碳以外含有1个～5个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。

作为具体的“杂芳基”，例如可列举：吡咯基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基、噁二唑基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、萘啶基、嘌呤基、蝶啶基、咔唑基、吖啶基、吩噁噻基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩嗪基、吲嗪基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并[b]噻吩基、二苯并噻吩基、呋咱基、噁二唑基、噻蒽基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基等。

作为R²¹～R²⁸中的“可被取代的烷氧基”的“烷氧基”，例如可列举碳数1～24的直链的烷氧基或碳数3～24的分支链的烷氧基。优选为碳数1～18的烷氧基(碳数3～18的分支链的烷氧基)，更优选为碳数1～12的烷氧基(碳数3～12的分支链的烷氧基)，进而优选为碳数1～6的烷氧基(碳数3～6的分支链的烷氧基)，特别优选为碳数1～4的烷氧基(碳数3～4的分支链的烷氧基)。

作为具体的“烷氧基”，可列举：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基等。

作为R²¹～R²⁸中的“可被取代的芳氧基”的“芳氧基”，为-OH基的氢由芳基取代的基团，所述芳基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“芳基”而说明的基团。

作为R²¹～R²⁸中的“可被取代的芳硫基”的“芳硫基”，为-SH基的氢由芳基取代的基团，所述芳基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“芳基”而说明的基团。

作为R²¹～R²⁸中的“三烷基硅烷基”，可列举硅烷基中的三个氢分别独立地由烷基取代的基团，所述烷基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“烷基”而说明的基团。对于进行取代而言优选的烷基为碳数1～4的烷基，具体而言可列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基等。

作为具体的“三烷基硅烷基”，可列举：三甲基硅烷基、三乙基硅烷基、三丙基硅烷基、三异丙基硅烷基、三丁基硅烷基、三-仲丁基硅烷基、三-叔丁基硅烷基、乙基二甲基硅烷基、丙基二甲基硅烷基、异丙基二甲基硅烷基、丁基二甲基硅烷基、仲丁基二甲基硅烷基、叔丁基二甲基硅烷基、甲基二乙基硅烷基、丙基二乙基硅烷基、异丙基二乙基硅烷基、丁基二乙基硅烷基、仲丁基二乙基硅烷基、叔丁基二乙基硅烷基、甲基二丙基硅烷基、乙基二丙基硅烷基、丁基二丙基硅烷基、仲丁基二丙基硅烷基、叔丁基二丙基硅烷基、甲基二异丙基硅烷基、乙基二异丙基硅烷基、丁基二异丙基硅烷基、仲丁基二异丙基硅烷基、叔丁基二异丙基硅烷基等。

作为R²¹～R²⁸中的“三环烷基硅烷基”，可列举硅烷基中的三个氢分别独立地由环烷基取代的基团，所述环烷基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“环烷基”而说明的基团。对于进行取代而言优选的环烷基为碳数5～10的环烷基，具体而言可列举：环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.0.1]戊基、双环[1.2.1]己基、双环[3.0.1]己基、双环[2.1.2]庚基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、十氢萘基、十氢薁基等。

作为具体的“三环烷基硅烷基”，可列举：三环戊基硅烷基、三环己基硅烷基等。

作为2个烷基与1个环烷基取代而成的二烷基环烷基硅烷基、及1个烷基与2个环烷基取代而成的烷基二环烷基硅烷基的具体例，可列举：选自所述具体的烷基及环烷基中的基团进行取代而成的硅烷基。

作为R²¹～R²⁸中的“可被取代的氨基”的“被取代的氨基”，例如可列举两个氢由芳基或杂芳基取代的氨基。两个氢由芳基取代的氨基为二芳基取代氨基，两个氢由杂芳基取代的氨基为二杂芳基取代氨基，两个氢由芳基与杂芳基取代的氨基为芳基杂芳基取代氨基。所述芳基或杂芳基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“芳基”或“杂芳基”而说明的基团。

作为具体的“被取代的氨基”，可列举：二苯基氨基、二萘基氨基、苯基萘基氨基、二吡啶基氨基、苯基吡啶基氨基、萘基吡啶基氨基等。

作为R²¹～R²⁸中的“卤素”，可列举：氟、氯、溴、碘。

作为R²¹～R²⁸而说明的基团中，若干基团也可如所述那样被取代，作为所述情况下的取代基，可列举：烷基、环烷基、芳基或杂芳基。所述烷基、环烷基、芳基或杂芳基可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“烷基”、“环烷基”、“芳基”或“杂芳基”而说明的基团。

作为Y的“＞N-R²⁹”中的R²⁹为氢或可被取代的芳基，作为所述芳基，可引用作为所述R²¹～R²⁸中的“芳基”而说明的基团，另外，作为所述取代基，可引用作为针对R²¹～R²⁸的取代基而说明的基团。

R²¹～R²⁸中的邻接的基团可彼此键结而形成烃环、芳基环或杂芳基环。未形成环的情况为下述式(A-1)所表示的基团，作为形成环的情况，例如可列举下述式(A-2)～式(A-14)所表示的基团。再者，式(A-1)～式(A-14)的任一者所表示的基团中的至少一个氢可由烷基、环烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基、芳硫基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基、烷基二环烷基硅烷基、二芳基取代氨基、二杂芳基取代氨基、芳基杂芳基取代氨基、卤素、羟基或氰基取代。

[化250]

作为邻接的基团彼此键结而成的环，若为烃环，则例如可列举环己烷环，作为芳基环或杂芳基环，可列举所述R²¹～R²⁸中的“芳基”或“杂芳基”中所说明的环结构，这些环以与所述式(A-1)中的一个或两个苯环进行缩合的方式形成。

作为式(A)所表示的基团，例如可列举所述式(A-1)～式(A-14)的任一者所表示的基团，优选为所述式(A-1)～式(A-5)及式(A-12)～式(A-14)的任一者所表示的基团，更优选为所述式(A-1)～式(A-4)的任一者所表示的基团，进而优选为所述式(A-1)、式(A-3)及式(A-4)的任一者所表示的基团，特别优选为所述式(A-1)所表示的基团。

式(A)所表示的基团在式(A)中的*处与式(3-X1)或式(3-X2)中的萘环、式(3-X3)中的单键、式(3-X3)中的Ar³键结，另外，与式(3)所表示的化合物中的至少一个氢进行取代的情况如上所述，但这些键结形态中，优选为与式(3-X1)或式(3-X2)中的萘环、式(3-X3)中的单键和/或式(3-X3)中的Ar³键结的形态。

另外，关于式(A)所表示的基团的结构中，式(3-X1)或式(3-X2)中的萘环、式(3-X3)中的单键、式(3-X3)中的Ar³进行键结的位置，及式(A)所表示的基团的结构中，与式(3)所表示的化合物中的至少一个氢进行取代的位置，可为式(A)的结构中的任意位置，例如可在式(A)的结构中的两个苯环的任一个、或式(A)的结构中的R²¹～R²⁸中的邻接的基团彼此键结而形成的任一环、或式(A)的结构中的作为Y的“＞N-R²⁹”的R²⁹中的任一位置进行键结。

作为式(A)所表示的基团，例如可列举以下的基团。式中的Y及*与所述为相同定义。

[化251]

另外，通式(3)所表示的蒽系化合物的化学结构中的氢的全部或一部分可为氘。

作为蒽系化合物的具体例，例如可列举下述式(3-1)～式(3-72)所表示的化合物。再者，下述结构式中的“Me”表示甲基，“D”表示氘，“tBu”表示叔丁基。

[化252]

[化253]

[化254]

[化255]

式(3)所表示的蒽系化合物可将在蒽骨架的所期望的位置上具有反应性基的化合物、以及在X、Ar⁴及式(A)的结构等部分结构上具有反应性基的化合物作为起始原料，并应用铃木偶合、根岸偶合、其他公知的偶合反应来制造。作为这些反应性化合物的反应性基，可列举卤素或硼酸等。作为具体的制造方法，例如可参考：国际公开第2014/141725号公报的段落[0089]～[0175]的合成法。

＜芴系化合物＞

通式(4)所表示的化合物基本上作为主体发挥功能。

[化256]

所述式(4)中，

R¹至R¹⁰分别独立地为氢、芳基、杂芳基(所述杂芳基可经由连结基而与所述式(4)中的芴骨架键结)、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基或芳氧基，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，

另外，R¹与R²、R²与R³、R³与R⁴、R⁵与R⁶、R⁶与R⁷、R⁷与R⁸或R⁹与R¹⁰可分别独立地键结而形成缩合环或螺环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基(所述杂芳基可经由连结基而与所述所形成的环键结)、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，而且，

式(4)所表示的化合物中的至少一个氢可由卤素、氰基或氘取代。

所述式(4)的定义的各基团的详细情况可引用以上所述的式(1)的多环芳香族化合物的说明。

作为R¹至R¹⁰中的烯基，例如可列举碳数2～30的烯基，优选为碳数2～20的烯基，更优选为碳数2～10的烯基，进而优选为碳数2～6的烯基，特别优选为碳数2～4的烯基。优选的烯基为乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基或5-己烯基。

再者，作为杂芳基的具体例，也可列举自下述式(4-Ar1)、式(4-Ar2)、式(4-Ar3)、式(4-Ar4)或式(4-Ar5)的化合物中去除任意一个氢原子而表示的一价基。

[化257]

式(4-Ar1)至式(4-Ar5)中，Y¹分别独立地为O、S或N-R，R为苯基、联苯基、萘基、蒽基或氢，

所述式(4-Ar1)至式(4-Ar5)的结构中的至少一个氢可由苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、甲基、乙基、丙基或丁基取代。

这些杂芳基可经由连结基而与所述式(4)中的芴骨架键结。即，式(4)中的芴骨架与所述杂芳基不仅可直接键结，而且也可在它们之间经由连结基而键结。作为所述连结基，可列举：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚甲基、亚乙基、-OCH₂CH₂-、-CH₂CH₂O-或-OCH₂CH₂O-等。

另外，式(4)中的R¹与R²、R²与R³、R³与R⁴、R⁵与R⁶、R⁶与R⁷或R⁷与R⁸可分别独立地键结而形成缩合环，R⁹与R¹⁰可键结而形成螺环。由R¹至R⁸所形成的缩合环为与式(4)中的苯环缩合的环且为脂肪族环或芳香族环。优选为芳香族环，作为包含式(4)中的苯环的结构，可列举萘环或菲环等。由R⁹与R¹⁰所形成的螺环为与式(4)中的5元环螺键结的环且为脂肪族环或芳香族环。优选为芳香族环，可列举芴环等。

通式(4)所表示的化合物优选为下述式(4-1)、式(4-2)或式(4-3)所表示的化合物，且分别为在通式(4)中R¹与R²键结而形成的苯环缩合而成的化合物、在通式(4)中R³与R⁴键结而形成的苯环缩合而成的化合物、在通式(4)中R¹至R⁸的任一者均未键结的化合物。

[化258]

式(4-1)、式(4-2)及式(4-3)中的R¹至R¹⁰的定义与在式(4)中所对应的R¹至R¹⁰相同，且式(4-1)及式(4-2)中的R¹¹至R¹⁴的定义也与式(4)中的R¹至R¹⁰相同。

通式(4)所表示的化合物进而优选为下述式(4-1A)、式(4-2A)或式(4-3A)所表示的化合物，且分别为在式(4-1)、式(4-1)或式(4-3)中R⁹与R¹⁰键结而形成螺-芴环的化合物。

[化259]

式(4-1A)、式(4-2A)及式(4-3A)中的R²至R⁷的定义与在式(4-1)、式(4-2)及式(4-3)中所对应的R²至R⁷相同，且式(4-1A)及式(4-2A)中的R¹¹至R¹⁴的定义也与式(4-1)及式(4-2)中的R¹¹至R¹⁴相同。

另外，式(4)所表示的化合物中的氢的全部或一部分可由卤素、氰基或氘取代。

＜二苯并

系化合物＞

作为主体的二苯并

系化合物例如为下述通式(5)所表示的化合物。

[化260]

所述式(5)中，

R¹至R¹⁶分别独立地为氢、芳基、杂芳基(所述杂芳基可经由连结基而与所述式(5)中的二苯并

骨架键结)、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基或芳氧基，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，

另外，R¹至R¹⁶中的邻接的基团彼此可键结而形成缩合环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基(所述杂芳基可经由连结基而与所述所形成的环键结)、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烯基、烷氧基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代，而且，

式(5)所表示的化合物中的至少一个氢可由卤素、氰基或氘取代。

所述式(5)的定义的各基团的详细情况可引用以上所述的式(1)的多环芳香族化合物的说明。

作为所述式(5)的定义的烯基，例如可列举碳数2～30的烯基，优选为碳数2～20的烯基，更优选为碳数2～10的烯基，进而优选为碳数2～6的烯基，特别优选为碳数2～4的烯基。优选的烯基为乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基或5-己烯基。

再者，作为杂芳基的具体例，也可列举自下述式(5-Ar1)、式(5-Ar2)、式(5-Ar3)、式(5-Ar4)或式(5-Ar5)的化合物中去除任意一个氢原子而表示的一价基。

[化261]

式(5-Ar1)至式(5-Ar5)中，Y¹分别独立地为O、S或N-R，R为苯基、联苯基、萘基、蒽基或氢，

所述式(5-Ar1)至式(5-Ar5)的结构中的至少一个氢可由苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、甲基、乙基、丙基或丁基取代。

这些杂芳基可经由连结基而与所述式(5)中的二苯并

骨架键结。即，式(5)中的二苯并

骨架与所述杂芳基不仅可直接键结，而且也可在它们之间经由连结基而键结。作为所述连结基，可列举：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚甲基、亚乙基、-OCH₂CH₂-、-CH₂CH₂O-或-OCH₂CH₂O-等。

通式(5)所表示的化合物优选为R¹、R⁴、R⁵、R⁸、R⁹、R¹²、R¹³及R¹⁶为氢。所述情况下，式(5)中的R²、R³、R⁶、R⁷、R¹⁰、R¹¹、R¹⁴及R¹⁵优选为分别独立地为氢、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、具有所述式(5-Ar1)、式(5-Ar2)、式(5-Ar3)、式(5-Ar4)或式(5-Ar5)的结构的一价基(具有所述结构的一价基可经由亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚甲基、亚乙基、-OCH₂CH₂-、-CH₂CH₂O-或-OCH₂CH₂O-而与所述式(5)中的二苯并

骨架键结)、甲基、乙基、丙基或丁基。

通式(5)所表示的化合物更优选为R¹、R²、R⁴、R⁵、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹²、R¹³、R¹⁵及R¹⁶为氢。所述情况下，式(5)中的R³、R⁶、R¹¹及R¹⁴的至少一个(优选为一个或两个，更优选为一个)为具有经由单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚甲基、亚乙基、-OCH₂CH₂-、-CH₂CH₂O-或-OCH₂CH₂O-的所述式(5-Ar1)、式(5-Ar2)、式(5-Ar3)、式(5-Ar4)或式(5-Ar5)的结构的一价基，

所述至少一个以外(即，具有所述结构的一价基所取代的位置以外)为氢、苯基、联苯基、萘基、蒽基、甲基、乙基、丙基或丁基，这些中的至少一个氢可由苯基、联苯基、萘基、蒽基、甲基、乙基、丙基或丁基取代。

另外，在选择具有所述式(5-Ar1)至式(5-Ar5)所表示的结构的一价基作为式(5)中的R²、R³、R⁶、R⁷、R¹⁰、R¹¹、R¹⁴及R¹⁵的情况下，所述结构中的至少一个氢可与式(5)中的R¹至R¹⁶的任一者键结而形成单键。

＜有机电致发光元件中的电子注入层、电子传输层＞

电子注入层107发挥将自阴极108迁移而来的电子效率良好地注入至发光层105内或电子传输层106内的作用。电子传输层106发挥将自阴极108所注入的电子或自阴极108经由电子注入层107所注入的电子效率良好地传输至发光层105的作用。电子传输层106及电子注入层107分别将电子传输/注入材料的一种或两种以上加以层叠、混合而形成，或者由电子传输/注入材料与高分子粘结剂的混合物形成。

所谓电子注入/传输层，为担负自阴极注入电子、进而传输电子的层，理想的是电子注入效率高且效率良好地传输所注入的电子。因此，优选为电子亲和力大、且电子迁移率大、进而稳定性优异、在制造时及使用时不易产生成为陷阱的杂质的物质。但是，在考虑了空穴与电子的传输平衡的情况下，在主要发挥可效率良好地阻止来自阳极的空穴未再结合而流向阴极侧的作用的情况下，即便电子传输能力并不那么高，也与电子传输能力高的材料同等地具有提高发光效率的效果。因此，本实施方式中的电子注入/传输层也可包含能够效率良好地阻止空穴迁移的层的功能。

作为形成电子传输层106或电子注入层107的材料(电子传输材料)，可自在光导电材料中作为电子传递化合物一直以来所惯用的化合物、用于有机EL元件的电子注入层及电子传输层的公知的化合物中任意地选择来使用。

作为电子传输层或电子注入层中所使用的材料，优选为含有选自如下化合物中的至少一种：含有包含选自碳、氢、氧、硫、硅及磷中的一种以上的原子的芳香族环或杂芳香族环的化合物、吡咯衍生物及其缩合环衍生物以及具有电子接受性氮的金属络合物。具体而言，可列举：萘、蒽等缩合环系芳香族环衍生物，以4,4'-双(二苯基乙烯基)联苯为代表的苯乙烯基系芳香族环衍生物，紫环酮衍生物，香豆素衍生物，萘二甲酰亚胺衍生物，蒽醌或联苯醌等醌衍生物，氧化磷衍生物，咔唑衍生物及吲哚衍生物等。作为具有电子接受性氮的金属络合物，例如可列举：羟基苯基噁唑络合物等羟基唑络合物、甲亚胺络合物、环庚三烯酚酮金属络合物、黄酮醇金属络合物及苯并喹啉金属络合物等。这些材料可单独使用，也可与不同的材料混合使用。

另外，作为其他电子传递化合物的具体例，可列举：吡啶衍生物、萘衍生物、蒽衍生物、菲咯啉衍生物、紫环酮衍生物、香豆素衍生物、萘二甲酰亚胺衍生物、蒽醌衍生物、联苯醌衍生物、二苯基醌衍生物、苝衍生物、噁二唑衍生物(1,3-双[(4-叔丁基苯基)1,3,4-噁二唑基]亚苯基等)、噻吩衍生物、三唑衍生物(N-萘基-2,5-二苯基-1,3,4-三唑等)、噻二唑衍生物、8-羟基喹啉(oxine)衍生物的金属络合物、羟基喹啉系金属络合物、喹喔啉衍生物、喹喔啉衍生物的聚合物、吲哚(benzazole)类化合物、镓络合物、吡唑衍生物、全氟化亚苯基衍生物、三嗪衍生物、吡嗪衍生物、苯并喹啉衍生物(2,2'-双(苯并[h]喹啉-2-基)-9,9'-螺二芴等)、咪唑并吡啶衍生物、硼烷衍生物、苯并咪唑衍生物(三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯等)、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、喹啉衍生物、三联吡啶等寡聚吡啶衍生物、联吡啶衍生物、三联吡啶衍生物(1,3-双(4'-(2,2':6'2”-三联吡啶基))苯等)、萘啶衍生物(双(1-萘基)-4-(1,8-萘啶-2-基)苯基氧化膦等)、醛连氮衍生物、咔唑衍生物、吲哚衍生物、氧化磷衍生物、双苯乙烯基衍生物等。

另外，也可使用具有电子接受性氮的金属络合物，例如可列举：羟基喹啉系金属络合物或羟基苯基噁唑络合物等羟基唑络合物、甲亚胺络合物、环庚三烯酚酮金属络合物、黄酮醇金属络合物及苯并喹啉金属络合物等。

所述材料可单独使用，也可与不同的材料混合使用。

所述材料中，优选为硼烷衍生物、吡啶衍生物、荧蒽衍生物、BO系衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、氧化膦衍生物、嘧啶衍生物、咔唑衍生物、三嗪衍生物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物、及羟基喹啉系金属络合物。

＜硼烷衍生物＞

硼烷衍生物例如为下述通式(ETM-1)所表示的化合物，详细而言在日本专利特开2007-27587号公报中有公开。

[化262]

所述式(ETM-1)中，R¹¹及R¹²分别独立地为氢、烷基、环烷基、可被取代的芳基、经取代的硅烷基、可被取代的含氮杂环或氰基的至少一者，R¹³～R¹⁶分别独立地为可被取代的烷基、可被取代的环烷基或可被取代的芳基，X为可被取代的亚芳基，Y为可被取代的碳数16以下的芳基、经取代的硼基或可被取代的咔唑基，而且，n分别独立地为0～3的整数。另外，作为“可被取代”或“经取代”的情况下的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。

所述通式(ETM-1)所表示的化合物中，优选为下述通式(ETM-1-1)所表示的化合物或下述通式(ETM-1-2)所表示的化合物。

[化263]

式(ETM-1-1)中，R¹¹及R¹²分别独立地为氢、烷基、环烷基、可被取代的芳基、经取代的硅烷基、可被取代的含氮杂环或氰基的至少一者，R¹³～R¹⁶分别独立地为可被取代的烷基、可被取代的环烷基、或可被取代的芳基，R²¹及R²²分别独立地为氢、烷基、环烷基、可被取代的芳基、经取代的硅烷基、可被取代的含氮杂环、或氰基的至少一者，X¹为可被取代的碳数20以下的亚芳基，n分别独立地为0～3的整数，而且，m分别独立地为0～4的整数。另外，作为“可被取代”或“经取代”的情况下的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。

[化264]

式(ETM-1-2)中，R¹¹及R¹²分别独立地为氢、烷基、环烷基、可被取代的芳基、经取代的硅烷基、可被取代的含氮杂环或氰基的至少一者，R¹³～R¹⁶分别独立地为可被取代的烷基、可被取代的环烷基或可被取代的芳基，X¹为可被取代的碳数20以下的亚芳基，而且，n分别独立地为0～3的整数。另外，作为“可被取代”或“经取代”的情况下的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。

作为X¹的具体例，可列举下述式(X-1)～式(X-9)的任一者所表示的二价基。

[化265]

(各式中，R^a分别独立地为烷基、环烷基或可被取代的苯基)

作为所述硼烷衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

[化266]

所述硼烷衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜吡啶衍生物＞

吡啶衍生物例如为下述式(ETM-2)所表示的化合物，优选为式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)所表示的化合物。

[化267]

φ-(吡啶系取代基)n (ETM-2)

φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数。

所述式(ETM-2-1)中，R¹¹～R¹⁸分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)。

在所述式(ETM-2-2)中，R¹¹及R¹²分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)，R¹¹及R¹²可键结而形成环。

在各式中，“吡啶系取代基”为下述式(Py-1)～式(Py-15)的任一者，吡啶系取代基可分别独立地由碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基取代。另外，吡啶系取代基可经由亚苯基或亚萘基而与各式中的φ、蒽环或芴环键结。

[化268]

吡啶系取代基为所述式(Py-1)～式(Py-15)的任一者，这些中优选为下述式(Py-21)～式(Py-44)的任一者。

[化269]

各吡啶衍生物中的至少一个氢可由氘取代，另外，所述式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)中的两个“吡啶系取代基”中的一者可由芳基取代。

作为R¹¹～R¹⁸中的“烷基”，可为直链及分支链的任一种，例如可列举碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的分支链烷基。优选的“烷基”为碳数1～18的烷基(碳数3～18的分支链烷基)。更优选的“烷基”为碳数1～12的烷基(碳数3～12的分支链烷基)。进而优选的“烷基”为碳数1～6的烷基(碳数3～6的分支链烷基)。特别优选的“烷基”为碳数1～4的烷基(碳数3～4的分支链烷基)。

作为在吡啶系取代基中进行取代的碳数1～4的烷基，可引用所述烷基的说明。

作为R¹¹～R¹⁸中的“环烷基”，例如可列举碳数3～12的环烷基。优选的“环烷基”为碳数3～10的环烷基。更优选的“环烷基”为碳数3～8的环烷基。进而优选的“环烷基”为碳数3～6的环烷基。

作为具体的“环烷基”，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、甲基环戊基、环庚基、甲基环己基、环辛基或二甲基环己基等。

作为在吡啶系取代基中进行取代的碳数5～10的环烷基，可引用所述环烷基的说明。

作为R¹¹～R¹⁸中的“芳基”，优选的芳基为碳数6～30的芳基，更优选的芳基为碳数6～18的芳基，进而优选为碳数6～14的芳基，特别优选为碳数6～12的芳基。

作为具体的“碳数6～30的芳基”，可列举：作为单环系芳基的苯基、作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基、作为缩合三环系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基、作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基、作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、并五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

优选的“碳数6～30的芳基”可列举苯基、萘基、菲基、

基或三亚苯基等，进而优选为可列举苯基、1-萘基、2-萘基或菲基，特别优选为可列举苯基、1-萘基或2-萘基。

所述式(ETM-2-2)中的R¹¹及R¹²可键结而形成环，其结果为，可在芴骨架的5元环上螺键结环丁烷、环戊烷、环戊烯、环戊二烯、环己烷、芴或茚等。

作为所述吡啶衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

[化270]

所述吡啶衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜荧蒽衍生物＞

荧蒽衍生物例如为下述通式(ETM-3)所表示的化合物，详细而言在国际公开第2010/134352号公报中有公开。

[化271]

所述式(ETM-3)中，X¹²～X²¹表示氢、卤素、直链、分支或环状的烷基、直链、分支或环状的烷氧基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。此处，作为经取代的情况下的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。

作为所述荧蒽衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

[化272]

＜BO系衍生物＞

BO系衍生物例如为下述式(ETM-4)所表示的多环芳香族化合物、或具有多个下述式(ETM-4)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。

[化273]

R¹～R¹¹分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代。

另外，R¹～R¹¹中的邻接的基团彼此可键结并与a环、b环或c环一同形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢可由芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代。

另外，式(ETM-4)所表示的化合物或结构中的至少一个氢可由卤素或氘取代。

关于式(ETM-4)中的取代基或环形成的形态、以及式(ETM-4)的结构组合多个而形成的多聚体的说明，可引用所述通式(1)或式(2)所表示的多环芳香族化合物或其多聚体的说明。

作为所述BO系衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

[化274]

所述BO系衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜蒽衍生物＞

蒽衍生物之一例如为下述式(ETM-5-1)所表示的化合物。

[化275]

Ar分别独立地为二价的苯或萘，R¹～R⁴分别独立地为氢、碳数1～6的烷基、碳数3～6的环烷基或碳数6～20的芳基。

Ar可分别独立地自二价的苯或萘中适当选择，两个Ar可不同也可相同，就蒽衍生物的合成容易性的观点而言，优选为相同。Ar与吡啶键结而形成“包含Ar及吡啶的部位”，所述部位例如作为下述式(Py-1)～式(Py-12)的任一者所表示的基团而与蒽键结。

[化276]

这些基团中，优选为所述式(Py-1)～式(Py-9)的任一者所表示的基团，更优选为所述式(Py-1)～式(Py-6)的任一者所表示的基团。键结于蒽的两个“包含Ar及吡啶的部位”的结构可相同也可不同，就蒽衍生物的合成容易性的观点而言，优选为相同结构。其中，就元件特性的观点而言，无论两个“包含Ar及吡啶的部位”的结构相同还是不同均优选。

关于R¹～R⁴中的碳数1～6的烷基，可为直链及分支链的任一种。即，为碳数1～6的直链烷基或碳数3～6的分支链烷基。更优选为碳数1～4的烷基(碳数3～4的分支链烷基)。作为具体例，可列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基或2-乙基丁基等，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基，更优选为甲基、乙基或叔丁基。

作为R¹～R⁴中的碳数3～6的环烷基的具体例，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、甲基环戊基、环庚基、甲基环己基、环辛基或二甲基环己基等。

关于R¹～R⁴中的碳数6～20的芳基，优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。

作为“碳数6～20的芳基”的具体例，可列举：作为单环系芳基的苯基、(邻、间、对)甲苯基、(2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-、3,5-)二甲苯基、均三甲苯基(2,4,6-三甲基苯基)、(邻、间、对)枯烯基、作为二环系芳基的(2-、3-、4-)联苯基、作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基、作为三环系芳基的三联苯基(间三联苯-2'-基、间三联苯-4'-基、间三联苯-5'-基、邻三联苯-3'-基、邻三联苯-4'-基、对三联苯-2'-基、间三联苯-2-基、间三联苯-3-基、间三联苯-4-基、邻三联苯-2-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-4-基、对三联苯-2-基、对三联苯-3-基、对三联苯-4-基)、作为缩合三环系芳基的蒽-(1-、2-、9-)基、苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基、作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基、作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基等。

优选的“碳数6～20的芳基”为苯基、联苯基、三联苯基或萘基，更优选为苯基、联苯基、1-萘基、2-萘基或间三联苯-5'-基，进而优选为苯基、联苯基、1-萘基或2-萘基，最优选为苯基。

蒽衍生物之一例如为下述式(ETM-5-2)所表示的化合物。

[化277]

Ar¹分别独立地为单键、二价的苯、萘、蒽、芴、或非那烯。

Ar²分别独立地为碳数6～20的芳基，可引用与所述式(ETM-5-1)中的“碳数6～20的芳基”相同的说明。优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。作为具体例，可列举：苯基、联苯基、萘基、三联苯基、蒽基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、三亚苯基、芘基、并四苯基(tetracenyl)、苝基等。

R¹～R⁴分别独立地为氢、碳数1～6的烷基、碳数3至6的环烷基或碳数6～20的芳基，可引用所述式(ETM-5-1)中的说明。

作为这些蒽衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

[化278]

这些蒽衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜苯并芴衍生物＞

苯并芴衍生物例如为下述式(ETM-6)所表示的化合物。

[化279]

Ar¹分别独立地为碳数6～20的芳基，可引用与所述式(ETM-5-1)中的“碳数6～20的芳基”相同的说明。优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。作为具体例，可列举：苯基、联苯基、萘基、三联苯基、蒽基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、三亚苯基、芘基、并四苯基(tetracenyl)、苝基等。

Ar²分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)，两个Ar²可键结而形成环。

作为Ar²中的“烷基”，可为直链及分支链的任一种，例如可列举碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的分支链烷基。优选的“烷基”为碳数1～18的烷基(碳数3～18的分支链烷基)。更优选的“烷基”为碳数1～12的烷基(碳数3～12的分支链烷基)。进而优选的“烷基”为碳数1～6的烷基(碳数3～6的分支链烷基)。特别优选的“烷基”为碳数1～4的烷基(碳数3～4的分支链烷基)。作为具体的“烷基”，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基等。

作为Ar²中的“环烷基”，例如可列举碳数3～12的环烷基。优选的“环烷基”为碳数3～10的环烷基。更优选的“环烷基”为碳数3～8的环烷基。进而优选的“环烷基”为碳数3～6的环烷基。作为具体的“环烷基”，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、甲基环戊基、环庚基、甲基环己基、环辛基或二甲基环己基等。

作为Ar²中的“芳基”，优选的芳基为碳数6～30的芳基，更优选的芳基为碳数6～18的芳基，进而优选为碳数6～14的芳基，特别优选为碳数6～12的芳基。

作为具体的“碳数6～30的芳基”，可列举：苯基、萘基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、三亚苯基、芘基、并四苯基、苝基、并五苯基等。

两个Ar²可键结而形成环，其结果为，可在芴骨架的5元环上螺键结环丁烷、环戊烷、环戊烯、环戊二烯、环己烷、芴或茚等。

作为所述苯并芴衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

[化280]

所述苯并芴衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜氧化膦衍生物＞

氧化膦衍生物例如为下述式(ETM-7-1)所表示的化合物。详细情况在国际公开第2013/079217号公报中也有记载。

[化281]

R⁵为经取代或未经取代的碳数1～20的烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的芳基或碳数5～20的杂芳基，

R⁶为CN、经取代或未经取代的、碳数1～20的烷基、碳数3～20的环烷基、碳数1～20的杂烷基、碳数6～20的芳基、碳数5～20的杂芳基、碳数1～20的烷氧基或碳数6～20的芳氧基，

R⁷及R⁸分别独立地为经取代或未经取代的碳数6～20的芳基或碳数5～20的杂芳基，

R⁹为氧或硫，

j为0或1，k为0或1，r为0～4的整数，q为1～3的整数。

此处，作为经取代的情况下的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。

氧化膦衍生物例如可为下述式(ETM-7-2)所表示的化合物。

[化282]

R¹～R³可相同也可不同，选自在与氢、烷基、环烷基、芳烷基、烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、环烷硫基、芳基醚基、芳硫基醚基、芳基、杂环基、卤素、氰基、醛基、羰基、羧基、氨基、硝基、硅烷基及邻接取代基之间所形成的缩合环中。

Ar¹可相同也可不同，为亚芳基或亚杂芳基。Ar²可相同也可不同，为芳基或杂芳基。其中，Ar¹及Ar²中的至少一者具有取代基，或在与邻接取代基之间形成缩合环。n为0～3的整数，n为0时，并不存在不饱和结构部分，n为3时，并不存在R¹。

这些取代基中，所谓烷基，例如表示甲基、乙基、丙基、丁基等饱和脂肪族烃基，其可未经取代也可经取代。经取代的情况下的取代基并无特别限制，例如可列举烷基、芳基、杂环基等，所述方面在以下的记载中也共通。另外，烷基的碳数并无特别限定，就获取的容易性或成本的方面而言，通常为1～20的范围。

另外，所谓环烷基，例如表示环丙基、环己基、降冰片基、金刚烷基等饱和脂环式烃基，其可未经取代也可经取代。烷基部分的碳数并无特别限定，通常为3～20的范围。

另外，所谓芳烷基，例如表示苄基、苯基乙基等经由脂肪族烃的芳香族烃基，脂肪族烃与芳香族烃均可未经取代也可经取代。脂肪族部分的碳数并无特别限定，通常为1～20的范围。

另外，所谓烯基，例如表示乙烯基、烯丙基、丁二烯基等包含双键的不饱和脂肪族烃基，其可未经取代也可经取代。烯基的碳数并无特别限定，通常为2～20的范围。

另外，所谓环烯基，例如表示环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基等包含双键的不饱和脂环式烃基，其可未经取代也可经取代。

另外，所谓炔基，例如表示乙炔基等包含三键的不饱和脂肪族烃基，其可未经取代也可经取代。炔基的碳数并无特别限定，通常为2～20的范围。

另外，所谓烷氧基，例如表示甲氧基等经由醚键的脂肪族烃基，脂肪族烃基可未经取代也可经取代。烷氧基的碳数并无特别限定，通常为1～20的范围。

另外，所谓烷硫基，为烷氧基的醚键的氧原子被取代为硫原子的基团。

另外，所谓环烷硫基，为环烷氧基的醚键的氧原子被取代为硫原子的基团。

另外，所谓芳基醚基，例如表示苯氧基等经由醚键的芳香族烃基，芳香族烃基可未经取代也可经取代。芳基醚基的碳数并无特别限定，通常为6～40的范围。

另外，所谓芳硫基醚基，为芳基醚基的醚键的氧原子被取代为硫原子的基团。

另外，所谓芳基，例如表示苯基、萘基、联苯基、菲基、三联苯基、芘基等芳香族烃基。芳基可未经取代也可经取代。芳基的碳数并无特别限定，通常为6～40的范围。

另外，所谓杂环基，例如表示呋喃基、噻吩基、噁唑基、吡啶基、喹啉基、咔唑基等具有碳以外的原子的环状结构基，其可未经取代也可经取代。杂环基的碳数并无特别限定，通常为2～30的范围。

所谓卤素，表示氟、氯、溴、碘。

醛基、羰基、氨基中也可包含由脂肪族烃、脂环式烃、芳香族烃、杂环等取代而成的基团。

另外，脂肪族烃、脂环式烃、芳香族烃、杂环可未经取代也可经取代。

所谓硅烷基，例如表示三甲基硅烷基等硅化合物基，其可未经取代也可经取代。硅烷基的碳数并无特别限定，通常为3～20的范围。另外，硅数通常为1～6。

所谓在与邻接取代基之间所形成的缩合环，例如为在Ar¹与R²、Ar¹与R³、Ar²与R²、Ar²与R³、R²与R³、Ar¹与Ar²等之间形成的共轭或非共轭的缩合环。此处，在n为1的情况下，两个R¹彼此可形成共轭或非共轭的缩合环。这些缩合环可在环内结构中包含氮原子、氧原子、硫原子，进而也可与其他环缩合。

作为所述氧化膦衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

[化283]

所述氧化膦衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜嘧啶衍生物＞

嘧啶衍生物例如为下述式(ETM-8)所表示的化合物，优选为下述式(ETM-8-1)所表示的化合物。详细情况在国际公开第2011/021689号公报中也有记载。

[化284]

Ar分别独立地为可被取代的芳基、或可被取代的杂芳基。n为1～4的整数，优选为1～3的整数，更优选为2或3。

作为“可被取代的芳基”的“芳基”，例如可列举碳数6～30的芳基，优选为碳数6～24的芳基，更优选为碳数6～20的芳基，进而优选为碳数6～12的芳基。

作为具体的“芳基”，可列举：作为单环系芳基的苯基、作为二环系芳基的(2-、3-、4-)联苯基、作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基、作为三环系芳基的三联苯基(间三联苯-2'-基、间三联苯-4'-基、间三联苯-5'-基、邻三联苯-3'-基、邻三联苯-4'-基、对三联苯-2'-基、间三联苯-2-基、间三联苯-3-基、间三联苯-4-基、邻三联苯-2-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-4-基、对三联苯-2-基、对三联苯-3-基、对三联苯-4-基)、作为缩合三环系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基、作为四环系芳基的四联苯基(5'-苯基-间三联苯-2-基、5'-苯基-间三联苯-3-基、5'-苯基-间三联苯-4-基、间四联苯基)、作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基、作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、并五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

作为“可被取代的杂芳基”的“杂芳基”，例如可列举碳数2～30的杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基。另外，作为杂芳基，例如可列举除碳以外含有1个～5个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。

作为具体的杂芳基，例如可列举：呋喃基、噻吩基、吡咯基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基、吡唑基、噁二唑基、呋咱基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并[b]噻吩基、吲哚基、异吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、萘啶环、嘌呤基、蝶啶基、咔唑基、吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩嗪基、吩噁噻基、噻蒽基、吲嗪基等。

另外，所述芳基及杂芳基可被取代，可分别例如由所述芳基或杂芳基取代。

作为所述嘧啶衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

[化285]

所述嘧啶衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜咔唑衍生物＞

咔唑衍生物例如为下述式(ETM-9)所表示的化合物或通过单键等将其键结多个而成的多聚体。详细情况在美国公开公报2014/0197386号公报中有记载。

[化286]

Ar分别独立地为可被取代的芳基、或可被取代的杂芳基。n为0～4的整数，优选为0～3的整数，更优选为0或1。

咔唑衍生物可为通过单键等将所述式(ETM-9)所表示的化合物键结多个而成的多聚体。所述情况下，除单键以外，也可通过芳基环(优选为多价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)键结。

作为所述咔唑衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

[化287]

所述咔唑衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜三嗪衍生物＞

三嗪衍生物例如为下述式(ETM-10)所表示的化合物，优选为下述式(ETM-10-1)所表示的化合物。详细情况在美国公开公报2011/0156013号公报中有记载。

[化288]

Ar分别独立地为可被取代的芳基、或可被取代的杂芳基。n为1～3的整数，优选为2或3。

作为所述三嗪衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。

[化289]

所述三嗪衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜苯并咪唑衍生物＞

苯并咪唑衍生物例如为下述式(ETM-11)所表示的化合物。

[化290]

φ-(苯并咪唑系取代基)n (ETM-11)

φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数，“苯并咪唑系取代基”为将所述式(ETM-2)、式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)的“吡啶系取代基”中的吡啶基取代为苯并咪唑基的取代基，苯并咪唑衍生物中的至少一个氢可由氘取代。

[化291]

所述苯并咪唑基中的R¹¹为氢、碳数1～24的烷基、碳数3～12的环烷基或碳数6～30的芳基，可引用所述式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)中的R¹¹的说明。

φ进而优选为蒽环或芴环，所述情况下的结构可引用所述式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明，各式中的R¹¹～R¹⁸可引用所述式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明。另外，所述式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中以键结有两个吡啶系取代基的形态进行了说明，但将这些取代为苯并咪唑系取代基时，可由苯并咪唑系取代基取代两个吡啶系取代基(即n＝2)，也可由苯并咪唑系取代基取代任一个吡啶系取代基而由R¹¹～R¹⁸取代另一个吡啶系取代基(即n＝1)。进而，例如可由苯并咪唑系取代基取代所述式(ETM-2-1)中的R¹¹～R¹⁸的至少一个而由R¹¹～R¹⁸取代“吡啶系取代基”。

作为所述苯并咪唑衍生物的具体例，例如可列举：1-苯基-2-(4-(10-苯基蒽-9-基)苯基)-1H-苯并[d]咪唑、2-(4-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、2-(3-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、5-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)-1,2-二苯基-1H-苯并[d]咪唑、1-(4-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-2-苯基-1H-苯并[d]咪唑、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、1-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-2-苯基-1H-苯并[d]咪唑、5-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)-1,2-二苯基-1H-苯并[d]咪唑等。

[化292]

所述苯并咪唑衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜菲咯啉衍生物＞

菲咯啉衍生物例如为下述式(ETM-12)或式(ETM-12-1)所表示的化合物。详细情况在国际公开2006/021982号公报中有记载。

[化293]

各式的R¹¹～R¹⁸分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳素3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)。另外，在所述式(ETM-12-1)中，R¹¹～R¹⁸的任一者与作为芳基环的φ键结。

各菲咯啉衍生物中的至少一个氢可由氘取代。

作为R¹¹～R¹⁸中的烷基、环烷基及芳基，可引用所述式(ETM-2)中的R¹¹～R¹⁸的说明。另外，关于φ，除所述例子以外，例如可列举以下结构式。再者，下述结构式中的R分别独立地为氢、甲基、乙基、异丙基、环己基、苯基、1-萘基、2-萘基、联苯基或三联苯基。

[化294]

作为所述菲咯啉衍生物的具体例，例如可列举：4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、9,10-二(1,10-菲咯啉-2-基)蒽、2,6-二(1,10-菲咯啉-5-基)吡啶、1,3,5-三(1,10-菲咯啉-5-基)苯、9,9'-二氟-双(1,10-菲咯啉-5-基)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(bathocuproine)、1,3-双(2-苯基-1,10-菲咯啉-9-基)苯或下述结构式所表示的化合物等。

[化295]

所述菲咯啉衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

＜羟基喹啉系金属络合物＞

羟基喹啉系金属络合物例如为下述通式(ETM-13)所表示的化合物。

[化296]

式中，R¹～R⁶分别独立地为氢、氟、烷基、环烷基、芳烷基、烯基、氰基、烷氧基或芳基，M为Li、Al、Ga、Be或Zn，n为1～3的整数。

作为羟基喹啉系金属络合物的具体例，可列举：8-羟基喹啉锂、三(8-羟基喹啉)铝、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(3，4-二甲基-8-羟基喹啉)铝、三(4，5-二甲基-8-羟基喹啉)铝、三(4，6-二甲基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2-甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3-甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2-苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3-苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2，3-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2，6-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3，4-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3，5-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3，5-二-叔丁基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2，6-二苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2，4，6-三苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2，4，6-三甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2，4，5，6-四甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2-萘酚)铝、双(2，4-二甲基-8-羟基喹啉)(2-苯基苯酚)铝、双(2，4-二甲基-8-羟基喹啉)(3-苯基苯酚)铝、双(2，4-二甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝、双(2，4-二甲基-8-羟基喹啉)(3，5-二甲基苯酚)铝、双(2，4-二甲基-8-羟基喹啉)(3，5-二-叔丁基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、双(2，4-二甲基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2，4-二甲基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-4-乙基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-4-乙基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-4-甲氧基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-4-甲氧基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-5-氰基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-5-氰基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-5-三氟甲基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-5-三氟甲基-8-羟基喹啉)铝、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍等。

所述羟基喹啉系金属络合物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

<噻唑衍生物及苯并噻唑衍生物>

噻唑衍生物例如为下述式(ETM-14-1)所表示的化合物。

[化297]

φ-(噻唑系取代基)n (ETM-14-1)

苯并噻唑衍生物例如为下述式(ETM-14-2)所表示的化合物。

[化298]

φ-(苯并噻唑系取代基)n (ETM-14-2)

各式的φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数，“噻唑系取代基”或“苯并噻唑系取代基”为将所述式(ETM-2)、式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)的“吡啶系取代基”中的吡啶基取代为下述噻唑基或苯并噻唑基的取代基，噻唑衍生物及苯并噻唑衍生物中的至少一个氢可由氘取代。

[化299]

φ进而优选为蒽环或芴环，所述情况下的结构可引用所述式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明，各式中的R¹¹～R¹⁸可引用所述式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明。另外，所述式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中以键结有两个吡啶系取代基的形态进行了说明，但将这些取代为噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)时，可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)取代两个吡啶系取代基(即n＝2)，也可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)取代任一个吡啶系取代基而由R¹¹～R¹⁸取代另一个吡啶系取代基(即n＝1)。进而，例如可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)取代所述式(ETM-2-1)中的R¹¹～R¹⁸的至少一个而由R¹¹～R¹⁸取代“吡啶系取代基”。

这些噻唑衍生物或苯并噻唑衍生物可使用公知的原料与公知的合成方法来制造。

在电子传输层或电子注入层中，进而可包含能够将形成电子传输层或电子注入层的材料还原的物质。所述还原性物质只要是具有一定的还原性的物质，则可使用各种物质，例如可适当地使用选自由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土金属的有机络合物及稀土金属的有机络合物所组成的群组中的至少一者。

作为优选的还原性物质，可列举：Na(功函数为2.36eV)、K(功函数为2.28eV)、Rb(功函数为2.16eV)或Cs(功函数为1.95eV)等碱金属、或Ca(功函数为2.9eV)、Sr(功函数为2.0eV～2.5eV)、或者Ba(功函数为2.52eV)等碱土金属，特别优选为功函数为2.9eV以下的物质。这些还原性物质中，更优选的还原性物质是K、Rb或Cs的碱金属，进而优选为Rb或Cs，最优选为Cs。这些碱金属的还原能力特别高，通过向形成电子传输层或电子注入层的材料中添加比较少量的这些碱金属，可谋求有机EL元件中的发光亮度的提高或长寿命化。另外，作为功函数为2.9eV以下的还原性物质，两种以上的所述碱金属的组合也优选，特别优选为包含Cs的组合，例如Cs与Na、Cs与K、Cs与Rb、或Cs与Na及K的组合。通过包含Cs，可有效率地发挥还原能力，通过添加至形成电子传输层或电子注入层的材料中，可谋求有机EL元件中的发光亮度的提高或长寿命化。

＜有机电致发光元件中的阴极＞

阴极108发挥经由电子注入层107及电子传输层106而将电子注入至发光层105的作用。

作为形成阴极108的材料，若为可将电子效率良好地注入至有机层的物质，则并无特别限定，可使用与形成阳极102的材料相同的材料。其中，优选为锡、铟、钙、铝、银、铜、镍、铬、金、铂、铁、锌、锂、钠、钾、铯及镁等金属或这些的合金(镁-银合金、镁-铟合金、氟化锂/铝等的铝-锂合金等)等。为了提高电子注入效率来提高元件特性，有效的是锂、钠、钾、铯、钙、镁或包含这些低功函数金属的合金。但是，这些低功函数金属通常在大气中不稳定的情况多。为了改善这一点，已知有例如向有机层中掺杂微量的锂、铯或镁，并使用稳定性高的电极的方法。作为其他掺杂剂，也可使用氟化锂、氟化铯、氧化锂及氧化铯之类的无机盐。其中，并不限定于这些。

进而，可列举如下的优选例：为了保护电极而将铂、金、银、铜、铁、锡、铝及铟等金属，或使用这些金属的合金，及二氧化硅、二氧化钛及氮化硅等无机物，聚乙烯醇，氯乙烯，烃系高分子化合物等进行层叠。这些电极的制作方法只要为电阻加热、电子束蒸镀、溅镀、离子镀及涂布等可取得导通的方法，则也无特别限制。

＜可用于各层的粘结剂＞

用于以上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层的材料可单独地形成各层，也可分散于作为高分子粘结剂的聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚(N-乙烯咔唑)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚砜、聚苯醚(polyphenyleneoxide)、聚丁二烯、烃树脂、酮树脂、苯氧基树脂、聚酰胺、乙基纤维素、乙酸乙烯酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS)树脂、聚氨基甲酸酯树脂等溶剂可溶性树脂，或者酚树脂、二甲苯树脂、石油树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂等硬化性树脂等中来使用。

＜有机电致发光元件的制作方法＞

构成有机EL元件的各层可通过利用蒸镀法、电阻加热蒸镀、电子束蒸镀、溅镀、分子层叠法、印刷法、旋涂法或浇铸法、涂布法等方法将应构成各层的材料制成薄膜来形成。以所述方式形成的各层的膜厚并无特别限定，可对应于材料的性质而适当设定，但通常为2nm～5000nm的范围。膜厚通常可利用晶体振荡式膜厚测定装置等来测定。在使用蒸镀法进行薄膜化的情况下，其蒸镀条件根据材料的种类、膜的目标结晶结构及缔合结构等而不同。蒸镀条件通常优选为在舟皿加热温度+50℃～+400℃、真空度10^-6Pa～10^-3Pa、蒸镀速度0.01nm/sec～50nm/sec、基板温度-150℃～+300℃、膜厚2nm～5μm的范围内适当设定。

继而，作为制作有机EL元件的方法的一例，对包括阳极/空穴注入层/空穴传输层/包含主体材料与掺杂剂材料的发光层/电子传输层/电子注入层/阴极的有机EL元件的制作方法进行说明。在适当的基板上，利用蒸镀法等形成阳极材料的薄膜来制作阳极后，在所述阳极上形成空穴注入层及空穴传输层的薄膜。在其上对主体材料与掺杂剂材料进行共蒸镀而形成薄膜来作为发光层，在所述发光层上形成电子传输层、电子注入层，进而利用蒸镀法等形成包含阴极用物质的薄膜来作为阴极，由此获得目标有机EL元件。再者，在所述有机EL元件的制作中，也能够使制作顺序相反，而以阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极的顺序制作。

在对以所述方式获得的有机EL元件施加直流电压的情况下，只要将阳极作为+的极性，将阴极作为-的极性来施加即可，若施加2V～40V左右的电压，则可自透明或半透明的电极侧(阳极或阴极、及两者)观测到发光。另外，所述有机EL元件在施加有脉冲电流或交流电流的情况下也发光。再者，施加的交流的波形可为任意。

＜有机电致发光元件的应用例＞

另外，本发明也可应用于具备有机EL元件的显示装置或具备有机EL元件的照明装置等。

具备有机EL元件的显示装置或照明装置可通过将本实施方式的有机EL元件与公知的驱动装置连接等公知的方法来制造，且可适当使用直流驱动、脉冲驱动、交流驱动等公知的驱动方法来进行驱动。

作为显示装置，例如可列举：彩色平板显示器等面板显示器、挠性彩色有机电致发光(EL)显示器等挠性显示器等(例如，参照日本专利特开平10-335066号公报、日本专利特开2003-321546号公报、日本专利特开2004-281086号公报等)。另外，作为显示器的显示方式，例如可列举矩阵和/或分段方式等。再者，矩阵显示与分段显示可在相同的面板中共存。

矩阵是将用于显示的像素二维地配置成格子状或马赛克状等，且通过像素的集合来显示文字或图像。像素的形状或尺寸是根据用途来决定。例如在个人计算机、监视器、电视机的图像及文字显示中，通常使用一边为300μm以下的四边形的像素，另外，在显示面板之类的大型显示器的情况下，使用一边为mm级的像素。在单色显示的情况下，只要排列相同颜色的像素即可，在彩色显示的情况下，使红、绿、蓝的像素并列来进行显示。在此情况下，典型的有三角型与条纹型。而且，作为所述矩阵的驱动方法，可为线序(line-sequential)驱动方法或有源矩阵的任一者。线序驱动有结构简单这一优点，但在考虑了运行特性的情况下，有时有源矩阵更优异，因此驱动方法也需要根据用途而区分使用。

在分段方式(类型)中，以显示事先所决定的信息的方式形成图案，并使所决定的区域发光。例如可列举：数字时钟或温度计中的时刻或温度显示、声频设备或电磁炉等的运行状态显示及汽车的面板显示等。

作为照明装置，例如可列举：室内照明等的照明装置、液晶显示装置的背光源等(例如，参照日本专利特开2003-257621号公报、日本专利特开2003-277741号公报、日本专利特开2004-119211号公报等)。背光源主要为了提高不进行自发光的显示装置的视认性而使用，其用于液晶显示装置、时钟、声频装置、汽车面板、显示板及标识等。尤其，作为液晶显示装置中薄型化正成为课题的个人计算机用途的背光源，若考虑到现有方式因包含荧光灯或导光板而难以薄型化，则使用了本实施方式的发光元件的背光源具有薄型、轻量的特征。

3-2.其他有机器件

除所述有机电致发光元件以外，本发明的多环芳香族化合物可用于有机场效晶体管或有机薄膜太阳电池等的制作。

有机场效晶体管是利用通过电压输入所产生的电场来控制电流的晶体管，除源电极与漏电极以外，设置有栅电极。为若对栅电极施加电压，则产生电场，可任意地阻断在源电极与漏电极间流动的电子(或空穴)的流动来控制电流的晶体管。与单一晶体管(双极晶体管)相比，场效晶体管容易小型化，而常用作构成集成电路等的元件。

有机场效晶体管的结构通常只要使源电极及漏电极接触使用本发明的多环芳香族化合物所形成的有机半导体活性层来设置，进而隔着接触有机半导体活性层的绝缘层(介电体层)来设置栅电极即可。作为其元件结构，例如可列举以下的结构。

(1)基板/栅电极/绝缘体层/源电极及漏电极/有机半导体活性层

(2)基板/栅电极/绝缘体层/有机半导体活性层/源电极及漏电极

(3)基板/有机半导体活性层/源电极及漏电极/绝缘体层/栅电极

(4)基板/源电极及漏电极/有机半导体活性层/绝缘体层/栅电极

如此构成的有机场效晶体管可用作有源矩阵驱动方式的液晶显示器、或有机电致发光显示器的像素驱动开关元件等。

有机薄膜太阳电池具有在玻璃等透明基板上层叠有ITO等的阳极、空穴传输层、光电转换层、电子传输层、阴极的结构。光电转换层在阳极侧具有p型半导体层，在阴极侧具有n型半导体层。本发明的多环芳香族化合物根据其物性，可用作空穴传输层、p型半导体层、n型半导体层、电子传输层的材料。在有机薄膜太阳电池中，本发明的多环芳香族化合物可作为空穴传输材料或电子传输材料而发挥功能。有机薄膜太阳电池除所述以外，也可适当具备空穴阻挡层、电子阻挡层、电子注入层、空穴注入层、平滑化层等。在有机薄膜太阳电池中，可适当选择用于有机薄膜太阳电池的已知的材料来组合使用。

实施例

以下，通过实施例对本发明进一步进行具体说明，但本发明并不限定于这些实施例。首先，关于多环芳香族化合物的合成例，在以下进行说明。

合成例(1)

化合物(1-1)的合成

[化300]

在氮气环境下，将放入有1,2,3-三氯-5-三氟甲基苯(10.0g)、双(4-(叔丁基)苯基)胺(24.8g)、双(二亚苄基丙酮)钯(0)(Pd(dba)₂、0.46g)、2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(SPhos、0.82g)、叔丁醇钠(NaOtBu、9.6g)及二甲苯(130ml)的烧瓶在110℃下加热搅拌1小时。将反应液冷却至室温后，加入水及乙酸乙酯并进行分液。对有机层进行水洗之后，将溶媒减压馏去。其后，利用硅胶短管柱(洗脱液：甲苯)进行精制，并利用庚烷使其再沉淀，由此获得中间物A(17.1g)。

[化301]

在氮气环境下，一面利用冰浴进行冷却，一面向放入有中间物A(17.0g)及叔丁基苯(120ml)的烧瓶中加入叔丁基锂/戊烷溶液(1.62M、28.4ml)。滴加结束后，升温至60℃并搅拌1小时，将沸点低于叔丁基苯的成分减压馏去。冷却至-50℃并加入三溴化硼(11.5g)，升温至室温并搅拌0.5小时。其后，再次利用冰浴进行冷却，并加入N,N-二异丙基乙胺(5.9g)。在室温下搅拌至发热结束后，升温至100℃并加热搅拌1小时。将反应液冷却至室温，并依次加入利用冰浴进行了冷却的乙酸钠水溶液、乙酸乙酯来进行分液，然后，将溶媒减压馏去，并利用庚烷进行清洗。继而，利用硅胶短管柱(洗脱液：甲苯)进行精制，进而利用庚烷使其再沉淀，最后进行升华精制，由此获得式(1-1)的化合物(3.2g)。

[化302]

通过核磁共振(nuclear magnetic resonance，NMR)测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(400MHz,CDCl₃)：δ＝1.5(s,18H),1.5(s,18H),6.4(s,2H),7.8(d,2H),7.3(m,4H),7.6(dd,2H),7.7(m,4H),9.0(d,2H).

合成例(2)

化合物(1-82)的合成

[化303]

在氮气环境下，将放入有1,3,5-三溴苯(1.57g)、4,4'-二氟二苯基胺(3.28g)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(Pd₂(dba)₃、0.229g)、三-叔丁基膦(0.101g)、叔丁醇钙(KOtBu、2.24g)及甲苯(40ml)的烧瓶在100℃下加热搅拌20小时。将反应液冷却至室温后，利用硅酸镁(Florisil)(注册商标)垫进行过滤，进而使二氯甲烷流动。将滤液浓缩后，利用甲醇对经浓缩所得的粗产物进行清洗，由此获得中间物B(2.84g)。

[化304]

在氮气环境下，且在室温下向中间物B(0.137g、0.20mmol)、2,4-二氯苯(2.0ml)中加入三溴化硼(19.0μl、0.20mmol)，在200℃下搅拌20小时。其后，冷却至室温并加入N,N-二异丙基乙胺(0.10ml、0.6mmol)后，将溶媒减压馏去。利用乙腈对粗产物进行清洗，由此获得黄色固体形式的式(1-82)的化合物(0.128g、产率92％)。

[化305]

通过NMR测定及质量分析来确认所获得的化合物的结构。

¹H NMR(CDCl₃的δppm(δppm in CDCl₃))：5.44(s,2H),6.67(dd,2H),6.82-6.93(m,8H),7.12(ddd,2H),7.16-7.23(m,8H),8.42(dd,2H).

¹³C NMR(CDCl₃的δppm)：96.9(2C),116.0(4C),118.0(4C),118.4-118.8(7C),125.2(2C),127.7(4C),132.0(4C),138.0(2C),142.2(2C),144.2(2C),148.2(2C),151.9(1C),157.2(2C),159.7(2C),162.3(2C).

高分辨质谱(high resolution mass spectrum，HRMS)(实时直接分析(directanalysis in real time，DART))m/z[M+H]⁺计算值(calcd for)C₄₂H₂₄BF₆N₃ 696.2046,观测值(observed)696.2097.

合成例(3)

化合物(1-701)的合成

[化306]

在氮气环境下，且在室温下向中间物B(0.138g、0.20mmol)、1,2-二氯苯(5ml)中加入三碘化硼(0.391g、0.10mmol)及三苯基硼烷(96.7mg、0.40mmol)，在200℃下搅拌20小时。其后，冷却至室温并加入N,N-二异丙基乙胺(0.52ml、3mmol)后，将溶媒减压馏去。利用乙腈对粗产物进行清洗，由此获得黄色固体形式的式(1-701)的化合物(81.9mg、产率58％)。

[化307]

通过NMR测定及质量分析来确认所获得的化合物的结构。

¹H NMR(500MHz,(CDCl₂)₂)δ＝5.10(s,1H,a),6.87(dd,J＝4.5,9.0Hz,2H),7.14-7.35(m,12H),8.23(dd,J＝4.5,9.5Hz,2H),8.38(dd,J＝3.0,9.0Hz,2H),8.46(dd,J＝3.0,9.0Hz,2H).

¹³C NMR(101MHz,(CDCl₂)₂)δ＝92.6(2C),93.2(1C),93.7(2C),99.5(1C),110.4(2C),116.3-119.2(m,6C),124.6(2C),125.7(dd,J_C-F＝7.2,20.4Hz,2C),131.2(2C),131.7(2C),132.1(2C),137.4(2C),142.9(2C),143.7(2C),146.8(2C),149.9(4C),157.5(d,J_C-F＝242.3Hz,2C),158.9(d,J_C-F＝245.9Hz,2C),162.4(d,J_C-F＝254.3Hz,2C).

¹¹B NMR(128MHz,(CDCl₂)₂)δ＝37.2.

¹⁹F NMR(376MHz,(CDCl₂)₂)δ＝-123.0,-119.0,-112.3.

HRMS(DART)m/z[M+H]⁺计算值C₄₂H₂₁B₂F₆N₃ 704.1888；观测值704.1918.

合成例(4)

化合物(1-883)：5,9-双(2,6-二氟苯基)-2,7,12-三(2,6-二甲基苯基)-5,9-二氢-5,9-二氮杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽的合成

[化308]

在氮气环境下，将放入有1-溴-4-碘苯(14.2g、50.0mmol)、2,6-二甲基苯基硼酸(7.50g、50.0mmol)、四(三苯基膦)钯(Pd(PPh₃)₄、1.16g、1.00mmol)、碳酸钾(20.7g、150mmol)、甲苯(175ml)、及甲醇(75.0ml)的烧瓶加热为80℃，并搅拌36小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，并利用硅胶管柱(洗脱液：己烷)对残渣进行精制，由此获得白色固体形式的4'-溴-2,6-二甲基-1,1'-联苯(9.71g、产率74％)。

[化309]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝2.02(s,6H),7.00-7.04(m,2H),7.10(d,J＝7.5Hz,2H),7.17(t,J＝8.0Hz,1H),7.53-7.56(m,2H).

在氮气环境下，将放入有4'-溴-2,6-二甲基-1,1'-联苯(9.14g、35.0mmol)、2,6-二氟苯胺(5.31ml、52.5mmol)、Pd₂(dba)₃(0.481g、0.525mmol)、2,2'-双(二苯基膦基)-1,1'-联萘(BINAP、0.654g、1.05mmol)、NaOtBu(5.05g、52.5mmol)、及甲苯(175ml)的烧瓶加热为110℃，并搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，并利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，并利用硅胶短程管柱(洗脱液：己烷/甲苯＝3/1(容量比))对残渣进行精制，进而利用己烷进行清洗，由此获得白色固体形式的N-(2,6-二氟苯基)-2',6'-二甲基-[1,1'-联苯基]-4-胺(9.93g、产率92％)。

[化310]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝2.06(s,6H),5.53(s,1H),6.87(d,J＝8.6Hz,2H),6.94-7.06(m,5H),7.07-7.17(m,3H).

在氮气环境下，将放入有1-溴-3,5-二氯苯(11.3g、50.0mmol)、2,6-二甲基苯基硼酸(9.00g、60.0mmol)、Pd(PPh₃)₄(1.16g、1.00mmol)、碳酸钾(20.7g、150mmol)、甲苯(175ml)、及甲醇(75.0ml)的烧瓶加热为65℃，并搅拌16小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，并利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，并利用硅胶管柱(洗脱液：己烷)对残渣进行精制，由此获得无色液体形式的3',5'-二氯-2,6-二甲基-1,1'-联苯(11.8g、产率94％)。

[化311]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝2.03(s,6H),7.05(d,J＝1.7Hz,2H),7.09(d,J＝7.5Hz,2H),7.17(t,J＝7.5Hz,1H),7.35(t,J＝1.7Hz,1H).

在氮气环境下，将放入有3',5'-二氯-2,6-二甲基-1,1'-联苯(3.01g、12.0mmol)、N-(2,6-二氟苯基)-2',6'-二甲基-[1,1'-联苯基]-4-胺(8.17g、26.4mmol)、Pd₂(dba)₃(0.275g、0.300mmol)、SPhos(0.246g、0.600mmol)、NaOtBu(2.54g、26.4mmol)、及甲苯(60.0ml)的烧瓶加热为110℃，并搅拌16小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，并利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，并利用硅胶短程管柱(洗脱液：己烷/甲苯＝3/1(容量比))对残渣进行精制，进而依次利用甲醇及己烷进行清洗，由此获得白色固体形式的N³,N⁵-双(2,6-二氟苯基)-N³,N⁵-双(2',6'-二甲基-[1,1'-联苯]-4-基)-2',6'-二甲基-[1,1'-联苯基]-3,5-二胺(8.08g、产率85％)。

[化312]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝2.01(s,12H),2.10(s,6H),6.46(d,J＝2.0Hz,2H),6.83(t,J＝2.4Hz,1H),6.89-6.98(m,8H),7.03-7.17(m,15H).

在氮气环境下，将放入有N³,N⁵-双(2,6-二氟苯基)-N³,N⁵-双(2',6'-二甲基-[1,1'-联苯]-4-基)-2',6'-二甲基-[1,1'-联苯基]-3,5-二胺(1.59g、2.00mmol)、三碘化硼(6.26g、16.0mmol)、及1,2,4-三氯苯(20.0ml)的烧瓶加热为150℃，并搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温后，在减压下将反应液中的碘化氢馏去。加入二氯甲烷(150ml)而将反应溶液稀释后，在0℃下加入磷酸缓冲溶液(pH＝7,200ml)，利用二氯甲烷来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，将所获得的固体溶于甲苯(35.0ml)中，加入乙酸(7.00ml、122mmol)，在80℃下加热搅拌12小时。将反应溶液冷却至室温，并在室温下加入碳酸氢钠的饱和水溶液(100ml)，利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，利用硅胶管柱(洗脱液：己烷/二氯甲烷＝2/1(容量比))对残渣进行精制，使用乙腈在80℃下加热清洗，由此获得黄色固体形式的式(1-883)的化合物(1.09g、产率68％)。

[化313]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝1.99(s,6H),2.11(s,12H),6.18(s,2H),6.83(d,J＝8.6Hz,2H),7.04(d,J＝7.5Hz,2H),7.09-7.18(m,7H),7.18-7.31(m,6H),7.50-7.58(m,2H),8.60(d,J＝1.4Hz,2H).

¹³C-NMR(126MHz,CDCl₃)：20.8(2C),21.3(4C),105.6(2C),113.5(d,J_C-F＝22.8Hz,4C),115.2(2C),116.3(1C),118.6(t,J_C-F＝18.0Hz,2C),124.4(2C),127.0(2C),127.2(1C),127.4(2C),127.6(4C),130.9(t,J_C-F＝9.6Hz,2C),133.2(2C),133.5(2C),135.8(2C),136.3(2C),136.7(4C),141.6(2C),142.5(1C),145.3(2C),145.9(2C),146.1(1C),160.6(dd,J_C-F＝3.7,250.7Hz,4C).

合成例(5)

化合物(1-1674)：N⁷,N¹³,5,15-四(2,6-二氟苯基)-N⁷,N¹³,9,11-四苯基-5,9,11,15-四氢-5,9,11,15-四氮杂-19b,20b-二硼杂二萘并[3,2,1-de:1',2',3'-jk]并五苯-7,13-二胺的合成

[化314]

在氮气环境下，将放入有溴苯(5.25ml、50.0mmol)、2,6-二氟苯胺(7.59ml、75.0mmol)、Pd₂(dba)₃(0.687mg、0.750mmol)、BINAP(0.934g、1.50mmol)、NaOtBu(7.21g、75.0mmol)、及甲苯(150ml)的烧瓶加热为110℃，并搅拌4小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，利用硅胶短程管柱(洗脱液：己烷/甲苯＝5/1(容量比))对残渣进行精制，由此获得无色液体形式的2,6-二氟-N-苯基苯胺(10.1g、产率98％)。

[化315]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝5.48(s,1H),6.81(dd,J＝1.2,7.5Hz,2H),6.89-7.06(m,4H),7.21-7.27(m,2H).

在氮气环境下，将放入有1,3-二溴-5-氯苯(4.87g、18.0mmol)、2,6-二氟-N-苯基苯胺(7.39g、36.0mmol)、Pd₂(dba)₃(0.330g、0.360mmol)、SPhos(0.296g、0.720mmol)、NaOtBu(5.19g、54.0mmol)、及甲苯(90.0ml)的烧瓶加热为100℃，并搅拌3小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，利用硅胶管柱(洗脱液：己烷/甲苯＝3/1(容量比))对残渣进行精制，进而利用甲醇进行清洗，由此获得白色固体形式的5-氯-N¹,N³-双(2,6-二氟苯基)-N¹,N³-二苯基苯-1,3-二胺(7.17g、产率77％)。

[化316]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝6.40(t,J＝1.7Hz,1H),6.45(d,J＝1.7Hz,2H),6.89-6.96(m,4H),6.98-7.07(m,6H),7.14-7.25(m,6H).

在氮气环境下，将放入有依据国际公开第2018/212169号公报中记载的手法所合成的N¹,N³-二苯基苯-1,3-二胺(0.521g、2.00mmol)、5-氯-N¹,N³-双(2,6-二氟苯基)-N¹,N³-二苯基苯-1,3-二胺(2.28g、4.40mmol)、Pd₂(dba)₃(0.0916g、0.100mmol)、SPhos(0.0821g、0.200mmol)、NaOtBu(0.577g、6.00mmol)、及甲苯(10.0ml)的烧瓶加热为110℃，并搅拌8小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，利用硅胶管柱(洗脱液：己烷/乙酸乙酯＝3/1(容量比))对残渣进行精制，进而利用己烷进行清洗，由此获得白色固体形式的N¹,N¹'-(1,3-亚苯基)双(N³,N⁵-双(2,6-二氟苯基)-N¹,N³,N⁵-三苯基苯-1,3,5-三胺)(1.96g、产率80％)。

[化317]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝6.28-6.31(m,6H),6.60(dd,J＝2.3,8.0Hz,2H),6.74(t,J＝2.2Hz,1H),6.79-6.98(m,27H),7.02-7.14(m,16H).

在氮气环境下，且在室温下向放入有N¹,N¹'-(1,3-亚苯基)双(N³,N⁵-双(2,6-二氟苯基)-N¹,N³,N⁵-三苯基苯-1,3,5-三胺)(1.59g、1.30mmol)及1,2,4-三氯苯(19.5ml)的烧瓶中加入三溴化硼(0.990ml、10.4mmol)，在180℃下搅拌20小时。将反应溶液冷却至室温后，在减压下将残留的三溴化硼及反应液中的溴化氢馏去。加入二氯甲烷(150ml)而将反应溶液稀释后，在0℃下加入磷酸缓冲溶液(pH＝7,300ml)，利用二氯甲烷来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，在80℃下通过乙腈对所获得的固体进行加热清洗，由此获得黄色固体形式的式(1-1674)的化合物(0.886g、产率55％)。

[化318]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝5.49(d,J＝2.3Hz,2H),5.59(s,2H),5.73(s,1H),6.70-6.82(m,6H),6.91-7.00(m,6H),7.00-7.14(m,16H),7.14-7.19(m,4H),7.32-7.40(m,4H),7.46-7.51(m,2H),9.22(dd,J＝1.7,7.5Hz,2H),10.5(s,1H).

¹³C-NMR(126MHz,CDCl₃)：93.7(2C),96.6(2C),103.4(1C),112.1(d,J_C-F＝24.0Hz,4C),112.4(2C),112.9(d,J_C-F＝22.8Hz,4C),115.1(2C),118.4(2C),118.7(t,J_C-F＝17.3Hz,2C),120.9(2C),122.1(t,J_C-F＝14.5Hz,2C),124.0(2C),124.1(4C),125.1(2C),127.3(t,J＝11.1Hz,2C),127.5(2C),128.8(4C),129.8(4C),130.1(4C+2C),131.1(2C),135.7(2C),141.8(2C),143.7(1C),144.6(2C),146.6(2C),146.8(2C),148.5(2C),150.0(2C),150.4(2C),160.4(dd,J_C-F＝4.2,254.7Hz,4C),160.5(dd,J_C-F＝4.2,253.6Hz,4C).

合成例(6)

化合物(1-1668)：9,11-双(2,4-二氟苯基)-N⁷,N⁷,N¹³,N¹³,5,15-六苯基-5,9,11,15-四氢-5,9,11,15-四氮杂-19b,20b-二硼杂二萘并[3,2,1-de:1',2',3'-jk]并五苯-7,13-二胺的合成

[化319]

在氮气环境下，将放入有1,3-二溴苯(1.22ml、10.0mmol)、2,4-二氟苯胺(2.54ml、25.0mmol)、Pd₂(dba)₃(0.183g、0.200mmol)、SPhos(0.164g、0.400mmol)、NaOtBu(2.88g、30.0mmol)、及甲苯(100ml)的烧瓶加热为40℃，并搅拌6小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，利用硅胶短程管柱(洗脱液：甲苯)对残渣进行精制，进而利用己烷进行清洗，由此获得白色固体形式的N¹,N³-双(2,4-二氟苯基)苯-1,3-二胺(1.94g、产率58％)。

[化320]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝5.54(s,2H),6.55-6.62(m,3H),6.76-6.83(m,2H),6.86(ddd,J＝2.9,8.6,10.9Hz,2H),7.15(t,J＝8.0Hz,1H),7.26(ddd,J＝5.7,9.2,9.2Hz).

在氮气环境下，将放入有N¹,N³-双(2,4-二氟苯基)苯-1,3-二胺(0.997mg、3.00mmol)、依据国际公开第2018/212169号公报中记载的手法所合成的5-氯-N¹,N¹,N³,N³-四苯基苯-1,3-二胺(2.95g、6.60mmol)、Pd₂(dba)₃(0.137g、0.150mmol)、SPhos(0.123g、0.300mmol)、NaOtBu(0.865g、9.00mmol)、及甲苯(15.0ml)的烧瓶加热为110℃，并搅拌24小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，利用硅胶管柱(洗脱液：己烷/二氯甲烷＝3/2(容量比))对残渣进行精制，进而利用乙酸乙酯进行清洗，由此获得白色固体形式的N¹,N¹'-(1,3-亚苯基)双(N¹-(2,4-二氟苯基)-N³,N³,N⁵,N⁵-四苯基苯-1,3,5-三胺)(2.76g、产率80％)。

[化321]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝6.25(d,J＝2.3Hz,4H),6.38(t,J＝2.3Hz,2H),6.41-6.46(m,3H),6.65-6.74(m,4H),6.85-7.02(m,27H),7.09-7.16(m,16H).

在氮气环境下，且在室温下向放入有N¹,N¹'-(1,3-亚苯基)双(N¹-(2,4-二氟苯基)-N³,N³,N⁵,N⁵-四苯基苯-1,3,5-三胺)(0.173g、0.150mmol)及1,2,4-三氯苯(3.00ml)的烧瓶中加入三溴化硼(0.114ml、1.20mmol)，并在180℃下搅拌20小时。将反应溶液冷却至室温后，在减压下将残留的三溴化硼及反应液中的溴化氢馏去。加入二氯甲烷(30.0ml)而将反应溶液稀释后，在0℃下加入磷酸缓冲溶液(pH＝7,100ml)，利用二氯甲烷来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，在80℃下通过乙腈对所获得的固体进行加热清洗。继而，在110℃下通过甲苯进行加热清洗，由此获得黄色固体形式的式(1-1668)的化合物(0.121g、产率69％)。

[化322]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,(CDCl₂)₂)：δ＝5.61(d,J＝5.7Hz,1H),5.66(s,2H),5.66(d,J＝1.7Hz,2H),6.71-6.83(m,6H),6.90-6.99(m,12H),7.02-7.13(m,10H),7.21-7.26(m,4H),7.29-7.38(m,4H),7.38-7.49(m,6H),9.20(dd,J＝1.7,8.0Hz,2H),10.5(s,1H).

合成例(7)

化合物(1-1666)：9,11-双(2,6-二氟苯基)-N⁷,N⁷,N¹³,N¹³,5,15-六苯基-5,9,11,15-四氢-5,9,11,15-四氮杂-19b,20b-二硼杂二萘并[3,2,1-de:1',2',3'-jk]并五苯-7,13-二胺的合成

[化323]

在氮气环境下，将放入有1,3-二溴苯(1.22ml、10.0mmol)、2,6-二氟苯胺(3.04ml、30.0mmol)、Pd₂(dba)₃(0.183g、0.200mmol)、SPhos(0.164g、0.400mmol)、NaOtBu(2.88g、30.0mmol)、及甲苯(50.0ml)的烧瓶加热为60℃，并搅拌2小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，并利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，利用硅胶短程管柱(洗脱液：甲苯)对残渣进行精制，进而利用己烷进行清洗，由此获得白色固体形式的N¹,N³-双(2,6-二氟苯基)苯-1,3-二胺(3.20g、产率96％)。

[化324]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝5.43(s,2H),6.26(s,1H),6.36(d,J＝8.0Hz,2H),6.90-6.98(m,4H),6.98-7.05(m,2H),7.09(t,J＝8.0Hz,1H).

在氮气环境下，将放入有N¹,N³-双(2,6-二氟苯基)苯-1,3-二胺(1.16g、3.50mmol)、依据国际公开第2018/212169号公报中记载的手法所合成的5-氯-N¹,N¹,N³,N³-四苯基苯-1,3-二胺(3.44g、7.70mmol)、Pd₂(dba)₃(0.160g、0.180mmol)、SPhos(0.144g、0.350mmol)、NaOtBu(1.01g、10.5mmol)、及甲苯(17.5ml)的烧瓶加热为110℃，并搅拌40小时。将反应溶液冷却至室温后，注入至水中，利用甲苯来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，利用硅胶管柱(洗脱液：己烷/乙酸乙酯＝5/1(容量比))对残渣进行精制，进而利用乙酸乙酯进行清洗，由此获得白色固体形式的N¹,N¹'-(1,3-亚苯基)双(N¹-(2,6-二氟苯基)-N³,N³,N⁵,N⁵-四苯基苯-1,3,5-三胺)(3.03g、产率75％)。

[化325]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃)：δ＝6.29(d,J＝1.7Hz,4H),6.38(t,J＝2.3Hz,2H),6.41(t,J＝2.3Hz,1H),6.51(dd,J＝2.3,8.0Hz,2H),6.73-6.80(m,4H),6.85-6.91(m,9H),6.96-7.03(m,18H),7.09-7.16(m,16H).

在氮气环境下，且在室温下向放入有N¹,N¹'-(1,3-亚苯基)双(N¹-(2,6-二氟苯基)-N³,N³,N⁵,N⁵-四苯基苯-1,3,5-三胺)(2.65g、2.30mmol)及1,2,4-三氯苯(50.0ml)的烧瓶中加入三溴化硼(1.75ml、18.4mmol)，并在200℃下搅拌20小时。将反应溶液冷却至室温后，在减压下将残留的三溴化硼及反应液中的溴化氢馏去。加入二氯甲烷(500ml)而将反应溶液稀释后，在0℃下加入磷酸缓冲溶液(pH＝7,400ml)，利用二氯甲烷来提取水层。利用水对所获得的有机层进行清洗，并利用无水硫酸镁进行干燥。在减压下将所述溶液浓缩，在80℃下通过乙腈对所获得的固体进行加热清洗。继而，在110℃下通过甲苯进行加热清洗，然后利用硅胶短程管柱(洗脱液：甲苯)进行精制，进而在110℃下通过甲苯进行加热清洗，由此获得黄色固体形式的式(1-1666)的化合物(1.617g、产率60％)。

[化326]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(500MHz,(CDCl₂)₂)：δ＝5.80(s,4H),5.91(s,1H),6.81-6.88(m,6H),6.99(t,J＝7.5Hz,4H),7.03(d,J＝8.0Hz,8H),7.15(t,J＝8.0Hz,8H),7.18-7.26(m,2H),7.33(d,J＝8.0Hz,4H),7.37-7.45(m,4H),7.45-7.50(m,2H),7.53(t,J＝8.0Hz,4H),9.30(d,J＝7.5Hz,2H),10.5(s,1H).

比较合成例(1)

化合物(C-1)：N,N,5,9-四苯基-5,9-二氢-5,9-二氮杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽-7-胺的合成

[化327]

在氮气环境下，且在室温下向N¹,N¹,N³,N³,N⁵,N⁵-六苯基-1,3,5-苯三胺(11.6g、20mmol)及邻二氯苯(ODCB、120ml)中加入三溴化硼(3.78ml、40mmol)后，在170℃下加热搅拌48小时。其后，在60℃下且在减压下将反应溶液馏去。利用硅酸镁短程管柱(Florisilshort path column)进行过滤，将溶媒减压馏去，从而获得粗产物。利用己烷对粗产物进行清洗，由此获得黄色固体形式的式(C-1)的化合物(11.0g、产率94％)。

[化328]

通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(400MHz,CDCl₃)：δ＝5.62(brs,2H),6.71(d,2H),6.90-6.93(m,6H),7.05-7.09(m,4H),7.20-7.27(m,6H),7.33-7.38(m,4H),7.44-7.48(m,4H),8.90(dd,2H).

¹³C-NMR(101MHz,CDCl₃)：δ＝98.4(2C),116.8(2C),119.7(2C),123.5(2C),125.6(4C),128.1(2C),128.8(4C),130.2(4C),130.4(2C),130.7(4C),134.8(2C),142.1(2C),146.6(2C),147.7(2C),147.8(2C),151.1(4H).

比较合成例(2)

化合物(C-2)：N⁷,N⁷,N¹³,N¹³,5,9,11,15-八苯基-5,9,11,15-四氢-5,9,11,15-四氮杂-19b,20b-二硼杂二萘并[3,2,1-de:1',2',3'-jk]并五苯-7,13-二胺的合成

[化329]

在氮气环境下，将放入有1,3-二溴苯(25.0g、106mmol)、苯胺(20.3ml、223mmol)、Pd₂(dba)₃(971mg、1.06mmol)、BINAP(1.98g、3.18mmol)、NaOtBu(25.5g、265mmol)及甲苯(400ml)的烧瓶加热为110℃，并搅拌18小时。将反应液冷却至室温，使用硅胶进行过滤(洗脱液：甲苯)，将溶媒减压馏去，从而获得粗产物。使所获得的粗产物溶解于甲苯后，减压馏去适量，加入己烷并使其再沉淀，由此获得白色固体形式的N¹,N³-二苯基苯-1,3-二胺(16.5g、产率60％)。

[化330]

通过NMR光谱来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(400MHz,CDCl₃)：δ＝5.63(s,2H),6.60(dd,2H),6.74(t,1H),6.90(t,2H),7.06(d,4H),7.12(t,1H),7.24(dt,4H).

在氮气环境下，将放入有1,3-二溴-5-氯苯(8.11g、30mmol)、二苯基胺(10.1g、60mmol)、Pd₂(dba)₃(550mg、0.6mmol)、SPhos(0.493g、1.2mmol)、NaOtBu(8.60g、90mmol)及甲苯(300ml)的烧瓶加热为80℃，并搅拌15小时。将反应液冷却至室温，并利用硅胶进行过滤(洗脱液：甲苯)，将溶媒减压留去，从而获得粗产物。使所获得的粗产物溶解于甲苯后将其减压馏去，由此制备饱和溶液，加入己烷以使其再沉淀，由此获得白色固体形式的5-氯-N¹,N¹,N³,N³-四苯基苯-1,3-二胺(5.66g、产率43％)。

[化331]

通过NMR光谱来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(400MHz,CDCl₃)：δ＝6.56(d,2H),6.64(t,1H),7.00(t,4H),7.05(d,8H),7.21(dd,8H).

在氮气环境下，将放入有N¹,N³-二苯基苯-1,3-二胺(1.34g、5.1mmol)、5-氯-N¹,N¹,N³,N³-四苯基苯-1,3-二胺(4.80g、11mmol)、Pd₂(dba)₃(0.140g、0.15mmol)、三-叔丁基膦(60.7mg、0.30mmol)、NaOtBu(1.47g、15mmol)及甲苯(200ml)的烧瓶加热为110℃，并搅拌8小时。将反应液冷却至室温，使用硅胶进行过滤(洗脱液：甲苯)，将溶媒减压馏去，从而获得粗产物。依次利用己烷、甲醇对所获得的粗产物进行清洗，由此获得白色固体形式的N¹,N¹'-(1,3-亚苯基)双(N¹,N³,N³,N⁵,N⁵-五苯基苯-1,3,5-三胺)(4.80g、产率87％)。

[化332]

通过NMR光谱来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(400MHz,CDCl₃)：δ＝6.38(d,4H),6.41(t,2H),6.58(dd,2H),6.70(t,1H),6.88-6.90(m,14H),6.85(t,1H),6.99(d,16H),7.08-7.15(m,20H).

在氮气环境下，且在室温下，向放入有N¹,N¹'-(1,3-亚苯基)双(N¹,N³,N³,N⁵,N⁵-五苯基苯-1,3,5-三胺)(3.24g、3.0mmol)及邻二氯苯(400ml)的烧瓶中加入三溴化硼(1.13ml、12mmol)。滴加结束后，升温至180℃并搅拌20小时。其后，再次冷却至室温，加入N-二异丙基乙胺(7.70ml、45mmol)，搅拌至发热结束为止。其后，在60℃下且在减压下将反应溶液馏去，从而获得粗产物。依次利用乙腈、甲醇、甲苯对所获得的粗产物进行清洗，利用硅胶管柱(洗脱液：甲苯)进行精制后，利用邻二氯苯对粗体进行两次再结晶，其后，在1×10^- ⁴mmHg的减压下，在440℃下进行升华精制，由此获得式(C-2)的化合物(1.17g)。

[化333]

通过NMR光谱来确认所获得的化合物的结构。

¹H-NMR(400MHz,CDCl₃)：δ＝5.72(s,2H),5.74(s,2H),5.86(s,1H),6.83(d,2H),6.88-6.93(m,12H),7.05(t,8H),7.12-7.19(m,6H),7.24-7.26(m,4H),7.05(d,4H),7.12(dd,8H),7.12-7.19(m,6H),7.32(d,4H),7.38(dd,2H),7.42(t,2H),7.46(dd,2H),7.47(dd,4H),9.30(d,2H),10.5(s,1H).

¹³C-NMR(101MHz,CDCl₃)：99.5(2C+2C),103.4(1C),116.8(2C),120.0(2C),123.1(4C),125.3(8C),127.1(2C),127.6(2C),128.5(8C),129.6(4C),129.8(4C),130.2(4C+2C),130.3(4C),135.0(2C),142.1(2C),142.5(2C),143.3(1C),146.8(4C),147.9(2C+2C),148.0(2C),150.1(2C),151.1(2C).

通过适当变更原料的化合物，可利用依据所述合成例的方法来合成本发明的其他多环芳香族化合物。

继而，为了更详细地说明本发明而示出使用了本发明的化合物的有机EL元件的实施例，但本发明并不限定于这些实施例。

＜有机EL元件的评价＞

制作实施例1的有机EL元件，测定作为1000cd/m²发光时的特性的电压(V)、发光波长(nm)、外部量子效率(％)，继而测定以下时间：以10mA/cm²的电流密度进行恒定电流驱动时保持初期亮度的98％以上的亮度的时间。

发光元件的量子效率有内部量子效率与外部量子效率，内部量子效率表示作为电子(或空穴)注入至发光元件的发光层的外部能量纯粹地转换为光子的比例。另一方面，外部量子效率是基于所述光子释放至发光元件的外部的量而算出，发光层中所产生的光子的一部分由发光元件的内部吸收或者持续反射而不释放至发光元件的外部，因此外部量子效率低于内部量子效率。

外部量子效率的测定方法如下。使用爱德万测试(Advantest)公司制造的电压/电流产生器R6144，施加元件的亮度达到1000cd/m²的电压而使元件发光。使用拓普康(TOPCON)公司制造的分光放射亮度计SR-3AR，对发光面自垂直方向测定可见光区域的分光放射亮度。假定发光面为完全扩散面，将所测定的各波长成分的分光放射亮度的值除以波长能量并乘以π所获得的数值为各波长下的光子数。继而，在所观测的全波长区域累计光子数，并设为自元件释放的总光子数。将施加电流值除以元电荷(elementary charge)所获得的数值设为注入至元件的载流子(carrier)数，并且将自元件释放的总光子数除以注入至元件的载流子数所获得的数值为外部量子效率。

将所制作的实施例1的有机EL元件的各层的材料构成、及EL特性数据示于下述表1A及表1B中。

[表1A]

[表1B]

在表1A中，“HI”为N⁴,N^4'-二苯基-N⁴,N^4'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺，“HAT-CN”为1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯六碳腈，“HT-1”为N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，“HT-2”为N,N-双(4-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-[1,1'：4',1”-三联苯基]-4-胺，“BH-1”为2-(10-苯基蒽-9-基)萘并[2,3-b]苯并呋喃，“ET-1”为4,6,8,10-四苯基[1,4]苯并氧杂硼杂环己烯并[2,3,4-k1]苯氧硼杂环己烯，“ET-2”为3,3'-((2-苯基蒽-9,10-二基)双(4,1-亚苯基))双(4-甲基吡啶)。以下与“Liq”一同示出化学结构。

[化334]

＜实施例1＞

以将通过溅镀来制膜为180nm厚度的ITO研磨至150nm的26mm×28mm×0.7mm的玻璃基板(光科学(Opto Science)(股)制造)作为透明支撑基板。将所述透明支撑基板固定于市售的蒸镀装置(昭和真空(股)制造)的基板固定器上，并安装分别加入有HI、HAT-CN、HT-1、HT-2、BH-1、化合物(1-1)、ET-1及ET-2的钼制蒸镀用舟皿、分别加入有Liq、LiF及铝的氮化铝制蒸镀用舟皿。

在透明支撑基板的ITO膜上依次形成下述各层。将真空槽减压至5×10^-4Pa为止，首先，对HI进行加热且以使膜厚成为40nm的方式进行蒸镀，继而，对HAT-CN进行加热且以使膜厚成为5nm的方式进行蒸镀，继而，对HT-1进行加热且以使膜厚成为45nm的方式进行蒸镀，继而，对HT-2进行加热且以使膜厚成为10nm的方式进行蒸镀，从而形成包含四层的空穴层。继而，对BH-1与化合物(1-1)同时进行加热且以使膜厚成为25nm的方式进行蒸镀来形成发光层。以使BH-1与化合物(1-1)的重量比大致成为98对2的方式调节蒸镀速度。继而，对ET-1进行加热且以使膜厚成为5nm的方式进行蒸镀，继而，对ET-2与Liq同时进行加热且以使膜厚成为25nm的方式进行蒸镀，从而形成包含两层的电子层。以使ET-2与Liq的重量比大致成为50对50的方式调节蒸镀速度。各层的蒸镀速度为0.01nm/sec～1nm/sec。其后，对LiF进行加热且以使膜厚成为1nm的方式以0.01nm/sec～0.1nm/sec的蒸镀速度进行蒸镀，继而，对铝进行加热且以使膜厚成为100nm的方式进行蒸镀来形成阴极，从而获得有机EL元件。

将ITO电极作为阳极、LiF/铝电极作为阴极来施加直流电压，测定1000cd/m²发光时的特性，结果获得波长458nm的蓝色发光，驱动电压为3.90V，外部量子效率为7.89％。

将所制作的实施例2～实施例8及比较例1～比较例2的有机EL元件的各层的材料构成、及EL特性数据示于下述表2A及表2B中。

[表2A]

[表2B]

表2A中，“BH-2”为2-(10-苯基蒽-9-基)二苯并[b,d]呋喃。以下与化合物(C-1)及化合物(C-2)一并示出化学结构。

[化335]

＜实施例2＞

以将通过溅镀来制膜为180nm厚度的ITO研磨至150nm的26mm×28mm×0.7mm的玻璃基板(光科学(Opto Science)(股)制造)作为透明支撑基板。将所述透明支撑基板固定于市售的蒸镀装置(昭和真空(股)制造)的基板固定器上，并安装分别加入有HI、HAT-CN、HT-1、HT-2、BH-2、化合物(1-1)、ET-1及ET-2的钼制蒸镀用舟皿、分别加入有Liq、LiF及铝的氮化铝制蒸镀用舟皿。

在透明支撑基板的ITO膜上依次形成下述各层。将真空槽减压至5×10^-4Pa为止，首先，对HI进行加热且以使膜厚成为40nm的方式进行蒸镀，继而，对HAT-CN进行加热且以使膜厚成为5nm的方式进行蒸镀，继而，对HT-1进行加热且以使膜厚成为45nm的方式进行蒸镀，继而，对HT-2进行加热且以使膜厚成为10nm的方式进行蒸镀，从而形成包含四层的空穴层。继而，对BH-2与化合物(1-1)同时进行加热且以使膜厚成为25nm的方式进行蒸镀来形成发光层。以使BH-2与化合物(1-1)的重量比大致成为98对2的方式调节蒸镀速度。继而，对ET-1进行加热且以使膜厚成为5nm的方式进行蒸镀，继而，对ET-2与Liq同时进行加热且以使膜厚成为25nm的方式进行蒸镀，从而形成包含两层的电子层。以使ET-2与Liq的重量比大致成为50对50的方式调节蒸镀速度。各层的蒸镀速度为0.01nm/sec～1nm/sec。其后，对LiF进行加热且以使膜厚成为1nm的方式以0.01nm/sec～0.1nm/sec的蒸镀速度进行蒸镀，继而，对铝进行加热且以使膜厚成为100nm的方式进行蒸镀来形成阴极，从而获得有机EL元件。

将ITO电极作为阳极、LiF/铝电极作为阴极来施加直流电压，测定1000cd/m²发光时的特性，结果，驱动电压为3.80V，外部量子效率为7.50％。另外，测定以下时间：以10mA/cm²的电流密度进行恒定电流驱动时保持初期亮度的98％以上的亮度的时间，结果为53小时。

＜实施例3～实施例8及比较例1～比较例2＞

利用依据实施例2的方法来制作有机EL元件(表2A)，并测定EL特性(表2B)。

＜实施例9＞

继而，在式(1)所表示的化合物中，对于通过导入电子接受性的氟原子而带来的发光波长的短波长化效果，测定荧光光谱来进行验证。

关于荧光光谱的测定，使式(1-1666)、式(1-1674)或式(1-1668)的化合物以2×10^-5M的浓度溶解于甲苯而准备测定溶液，然后将其放入至石英制的光学槽(cell)中，以激发波长380nm进行激发并测定荧光光谱。将结果示于下述表3A中。

[表3A]

发明化合物	荧光光谱的峰值波长(nm)
		化合物(1-1666)	456
化合物(1-1674)	456
		化合物(1-1668)	462

另外，使作为比较化合物的式(C-2)的化合物以2×10^-5M的浓度溶解在甲苯而准备测定溶液，然后将其放入至石英制的光学槽中，以激发波长380nm进行激发并测定荧光光谱。将结果示于下述表3B中。

[表3B]

比较化合物	荧光光谱的峰值波长(nm)
		化合物(C-2)	468

根据以上结果，可确认到通过导入氟原子而带来的荧光光谱的短波长化效果。所述结果显示出，通过导入氟原子而获得波长更短的蓝色发光。

产业上的可利用性

本发明中，通过提供新颖的氟取代多环芳香族化合物，而可增加例如有机EL元件用材料等有机器件用材料的选择项。另外，通过将新颖的氟取代多环芳香族化合物用作有机EL元件用材料，而可提供例如发光效率或元件寿命优异的有机EL元件、具备其的显示装置及具备其的照明装置等。

符号的说明

100：有机电致发光元件

101：基板

102：阳极

103：空穴注入层

104：空穴传输层

105：发光层

106：电子传输层

107：电子注入层

108：阴极

Claims

1.一种多环芳香族化合物或多环芳香族化合物的多聚体，其中，所述多环芳香族化合物由下述通式(1)表示，所述多环芳香族化合物的多聚体具有多个由下述通式(1)所表示的结构，

[化1]

(所述式(1)中，

式(1)所表示的化合物或结构中的至少一个氢是由氟取代)。

2.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中

式(1)所表示的化合物或结构中的至少一个氢是由氟取代。

3.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物或其多聚体，由下述通式(2)表示，

[化2]

(所述式(2)中，

式(2)所表示的化合物中的至少一个氢是由氟取代)。

4.根据权利要求3所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中

式(2)所表示的化合物中的至少一个氢是由氟取代。

5.根据权利要求3所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中

Y¹为B、P、P＝O或P＝S，

式(2)所表示的化合物中的至少一个氢是由氟取代。

6.根据权利要求3所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中

Y¹为B，

式(2)所表示的化合物中的至少一个氢是由氟取代。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中所述N-R的R为经氟取代的芳基或杂芳基。

8.根据权利要求7所述的多环芳香族化合物或其多聚体，其中所述N-R的R为经氟取代的苯基。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的多环芳香族化合物或其多聚体，由经氟取代的烷基或环烷基、经氟取代的烷氧基、经氟取代的二芳基氨基、经氟取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基而键结)、经氟取代的咔唑基或经氟取代的苯并咔唑基取代。

10.根据权利要求9所述的多环芳香族化合物或其多聚体，由经氟取代的二芳基氨基取代。

11.根据权利要求10所述的多环芳香族化合物或其多聚体，由经氟取代的二苯基氨基取代。

12.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物，由下述任一结构式表示，

[化3]

(所述各结构式中的“tBu”表示叔丁基)。

13.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物，由下述任一结构式表示，

[化4]

(所述各结构式中的“Me”表示甲基)。

14.一种有机器件用材料，含有如权利要求1至13中任一项所述的多环芳香族化合物或其多聚体。

15.根据权利要求14所述的有机器件用材料，其中所述有机器件用材料为有机电致发光元件用材料、有机场效晶体管用材料或有机薄膜太阳电池用材料。

16.根据权利要求15所述的有机电致发光元件用材料，为发光层用材料。

17.一种有机电致发光元件，具有：一对电极，包含阳极及阴极；以及发光层，配置于所述一对电极间，且含有如权利要求16所述的发光层用材料。

18.根据权利要求17所述的有机电致发光元件，其中所述发光层包括：主体；以及作为掺杂剂的所述发光层用材料。

19.根据权利要求18所述的有机电致发光元件，其中所述主体为蒽系化合物、芴系化合物或二苯并

系化合物。

20.根据权利要求17至19中任一项所述的有机电致发光元件，具有配置于所述阴极与所述发光层之间的电子传输层和/或电子注入层，且所述电子传输层及电子注入层的至少一者含有选自由硼烷衍生物、吡啶衍生物、荧蒽衍生物、BO系衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、氧化膦衍生物、嘧啶衍生物、咔唑衍生物、三嗪衍生物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物及羟基喹啉系金属络合物所组成的群组中的至少一者。

21.根据权利要求20所述的有机电致发光元件，其中所述电子传输层和/或电子注入层进而含有选自由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土金属的有机络合物及稀土金属的有机络合物所组成的群组中的至少一者。

22.一种显示装置或照明装置，包括如权利要求17至21中任一项所述的有机电致发光元件。