CN112562586A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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- CN112562586A CN112562586A CN202011457395.XA CN202011457395A CN112562586A CN 112562586 A CN112562586 A CN 112562586A CN 202011457395 A CN202011457395 A CN 202011457395A CN 112562586 A CN112562586 A CN 112562586A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 292
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 130
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 82
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 39
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 569
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 111
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 58
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 38
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 26
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000013461 design Methods 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 12
- 102100036790 Tubulin beta-3 chain Human genes 0.000 description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti].[Ti] HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical class C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000713575 Homo sapiens Tubulin beta-3 chain Proteins 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical class [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- NCVMEMNITPYOQJ-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[AlH3].[Ti] NCVMEMNITPYOQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and the like Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical class [S-2].[Cd+2] FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical class [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 150000002290 germanium Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical class [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical class [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- GTLQJUQHDTWYJC-UHFFFAOYSA-N zinc;selenium(2-) Chemical class [Zn+2].[Se-2] GTLQJUQHDTWYJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
一种显示面板及显示装置。该显示面板包括衬底基板、透光区、显示区、显示区与透光区之间的周边区、多个像素驱动电路单元、n条第一信号线、触控层以及发光元件。n条第一信号线中相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部之间的距离,第一连接部与n条第一信号线的第一延伸部在衬底基板上的正投影交叠面积为S1,第一连接部与n条第一信号线的第一弯折部在衬底基板上的正投影交叠面积为S2,其中,S1≥S2,S1大于零,n为大于1的整数。至少一条第一信号线的第一延伸部长度为L1,在垂直衬底基板的方向上,至少一条第一信号线的第一延伸部与第二电极的距离为H1,距离满足公式:H1≥(S1/n)/L1。
Description
本申请是申请日为2020年8月28日、申请号为202010882447.1、发明名称为“显示面板及显示装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
近年来移动显示技术发展迅猛,以柔性显示为代表的新一代显示技术正在得到越来越广泛的应用。同时市场对于高屏占比的显示面板的需求也越来越迫切,现有的“刘海屏”“水滴屏”等显示面板的设计逐渐不能满足用户的需求。在此背景下,屏上打孔技术作为一种新的设计应运而生。柔性显示一般使用有机发光二极管技术,其发光材料是对周围环境非常敏感的有机发光材料。该有机发光材料不能暴露在有水氧的环境中,否则很容易发生腐蚀,导致有机发光材料失效,显示异常。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示面板,该显示面板包括:衬底基板、透光区、至少部分围绕所述透光区的显示区、所述显示区与所述透光区之间的周边区、多个像素驱动电路单元、n条第一信号线、触控层以及发光元件。所述多个像素驱动电路单元的至少部分位于所述显示区;n条第一信号线,配置为给所述多个像素驱动电路单元提供第一信号;至少一条所述第一信号线包括位于所述显示区的第一主体部,位于所述周边区的第一延伸部以及第一弯折部,所述第一延伸部与所述第一主体部电连接,所述第一弯折部至少部分围绕所述透光区,且较所述第一延伸部远离所述第一主体部;触控层,包括位于所述显示区的第一触控信号线以及位于所述周边区的第一连接部,所述第一连接部与所述第一触控信号线电连接,其中,所述n条第一信号线中,相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部之间的距离,所述第一连接部与所述n条第一信号线的第一延伸部在所述衬底基板上的正投影交叠面积为S1,所述第一连接部与所述n条第一信号线的第一弯折部在所述衬底基板上的正投影交叠面积为S2,其中,S1≥S2,S1大于零,n为大于1的整数;发光元件包括第一电极、发光层以及第二电极,所述第一电极位于所述n条第一信号线远离所述衬底基板的一侧,且与至少一个像素驱动电路单元电连接,所述第二电极位于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧,所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间;其中,在所述n条第一信号线中,至少一条所述第一信号线的第一延伸部长度为L1,在垂直所述衬底基板的方向上,至少一条所述第一信号线的第一延伸部与所述第二电极的距离为H1,所述距离满足公式:H1≥(S1/n)/L1。
本公开至少一实施例中,所述L1、所述H1、所述S1满足公式:L1*H1=k*(S1/n),k为1~20之间的自然数。
本公开至少一实施例中,在垂直所述衬底基板的方向上,所述第一连接部与所述第二电极的距离为H2,所述n条第一信号线中的一条的第一延伸部的面积为A1,所述第一连接部的面积为A2,其中,H2≥(1/k1)*(A2/nA1)*H1,k1为5至180范围内的自然数。
本公开至少一实施例中,显示面板还包括:沿远离所述衬底基板方向上设置的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第四绝缘层,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部位于所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间。
本公开至少一实施例中,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部位于所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述第一延伸部通过过孔与对应于所述第一延伸部的第一主体部电连接。
本公开至少一实施例中,所述多个像素驱动电路单元分别包括第一晶体管,所述第一晶体与所述发光元件电连接,所述发光元件位于所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧;所述第二电极包括位于周边区的第一子部分和第二子部分,所述第一子部分在所述衬底基板上的正投影与所述第四绝缘层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述第二子部分在所述衬底基板上的正投影与所述第四绝缘层在所述衬底基板上的正投影不交叠;所述第一子部分与所述n条第一信号线的第一延伸部在所述衬底基板上的正投影交叠面积为S3;所述第二子部分与所述n条第一信号线的第一弯折部在所述衬底基板上的正投影交叠面积为S4,其中,S3>S4。
本公开至少一实施例中,显示面板还包括多条第二信号线,所述多条第二信号线配置为给所述多个像素驱动电路单元提供第二信号;所述n条第一信号线的中的一个第一延伸部包括与所述多条第二信号线在所述衬底基板上的正投影交叠的多个第一延伸交叠部;与所述第一延伸部连接的第一弯折部包括与所述多条第二信号线中至少一条在所述衬底基板上的正投影交叠的第一弯折交叠部;同一条所述第一信号线上的所述多个第一延伸交叠部中的至少一个至所述第二子部分的距离大于所述第一弯折交叠部至所述第二子部分的距离。
本公开至少一实施例中,所述第一信号线的第一延伸部为直线段,所述第一信号线的第一弯折部为弧线段。
本公开至少一实施例中,所述n条第一信号线的中的一个第一延伸部包括与所述显示区电连接的加宽部;同一条所述第一信号线上的所述加宽部至所述第二子部分的距离大于所述第一延伸交叠部或者第一弯折交叠部至所述第二子部分的距离。
本公开至少一实施例中,显示面板还包括像素限定层,所述像素限定层位于所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧并包括多个像素开口,所述发光元件的发光层的至少部分位于所述多个像素开口中;所述第四绝缘层包括位于所述周边区,且与所述第一信号线在所述衬底基板上的正投影不交叠的减薄部,所述减薄部在垂直于所述衬底基板方向上的厚度小于所述第四绝缘层在所述显示区中垂直于所述衬底基板方向上的厚度。
本公开至少一实施例中,所述第一连接部包括第一连接子部;所述第一连接部包括第一连接子部;所述第一连接子部在所述衬底基板上的正投影与所述n条第一信号线的第一弯折部在所述衬底基板上的正投影不交叠;所述第一连接子部在所述衬底基板上的正投影位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影范围内,且在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第一连接子部与所述第二电极的距离H3大于所述第一信号线的第一主体部与所述第二电极的距离H4。
本公开至少一实施例中,至少一条所述第一信号线用于接收第一电压范围的电位,所述第一子部分用于接收第二电压范围的电位,所述第一电压范围的绝对值的最大值大于所述第二电压范围的绝对值的最大值。
本公开至少一实施例中,所述第一电压范围为0V至+8V;所述第二电压范围为-2V至-5V。
本公开至少一实施例中,显示面板还包括第二信号线,所述第二信号线配置为给所述多个像素驱动电路单元提供第二信号;所述第一连接部与m条所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影交叠,所述第一连接部与m条所述第二信号线的交叠面积为S5,其中,S5>S2。
本公开至少一实施例中,在所述n条第一信号线中,相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离为b1;在所述m条第二信号线中,相邻两条第二信号线在与所述第一连接部交叠区域之间的间距为b2;至少一条所述m条第二信号线与第二电极之间的距离为H5,其中,b1>(H5/H1)*b2。
本公开至少一实施例中,所述m条第二信号线与所述第一连接部在所述衬底基板上交叠区域的面积为A3,所述第一连接部的面积为A2,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第一连接部与所述第二电极的距离为H2,其中H2≥(1/k2)*(A2/A3)*H5,k2为1至15范围内的自然数。
本公开至少一实施例中,所述m条第二信号线中的至少一条的电阻率为ρ3,所述第一连接部Rx1的电阻率为ρ2,其中,H2≥(1/k2)*(A2*ρ3/A3*ρ2)*H5。
本公开至少一实施例中,至少一条所述第二信号线用于接收第三电压范围的电位,所述第一连接部用于接收第四电压范围的电位,所述第三电压范围的绝对值的最大值大于所述第四电压范围的绝对值的最大值。
本公开一些实施例中,所述第三电压范围为-8V至+8V,所述第四电压范围为1V至5V。
本公开至少一实施例中,所述第二电极包括位于所述减薄部上的第三子部分,所述第三子部分所在平面与所述衬底基板所在平面的夹角包括第一坡度角a1,所述第一连接部所在平面与所述衬底基板所在平面的夹角包括第二坡度角a2,其中,所述第一坡度角a1大于等于所述第二坡度角a2。
本公开至少一实施例中,所述阻挡结构的厚度为H6,所述第二电极还包括隔断部,所述隔断部至所述阻挡结构的距离为L2,所述第一坡度角a1小于acrtan(H6/(L2/10))。
本公开至少一实施例中,所述第二坡度角a2的取值范围为0°至10°。
本公开至少一实施例中,所述第一连接部的宽度大于10μm;至少一条所述第一信号线的线宽的取值范围为1μm-5μm。
本公开至少一实施例中,显示面板还包括位于所述发光元件与所述触控层之间的封装层以及位于所述周边区的第五绝缘层;所述封装层至少包括第一有机封装层,所述第五绝缘层位于所述第一有机封装层远离所述衬底基板的一侧;所述触控层包括第一虚设块,所述第一虚设块包括至少部分设置在所述第五绝缘层之上的第一子虚设块;所述第一连接部与所述衬底基板之间的距离小于所述第一子虚设块与所述衬底基板之间的距离。
本公开至少一实施例中,所述第五绝缘层包括第一侧面,所述第一虚设块设置在所述第一侧面上,所述第一虚设块与所述衬底基板所在平面的夹角包括第三坡度角a3,其中,且a3≥5*a1≥a2。
本公开至少一实施例中,所述第三坡度角a3的取值范围为30°至60°。
本公开至少一实施例中,显示面板还包括位于所述显示区和所述透光区之间的阻挡结构;位于所述发光元件与所述触控层之间的封装层以及位于所述周边区的第五绝缘层,其中,所述封装层至少包括第一有机封装层,所述第五绝缘层位于所述第一有机封装层远离所述衬底基板的一侧;以及第一凹槽,所述第一凹槽位于所述阻挡结构远离所述显示区的一侧,所述第五绝缘层位于所述第一凹槽中的厚度为H8,其中,H8≤H2。
本公开至少一实施例中,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第一连接部与所述第二电极的距离为H2,所述显示面板还包括:位于所述显示区和所述透光区之间的阻挡结构以及第二凹槽,所述第二凹槽位于所述阻挡结构远离所述显示区的一侧;以及第二虚设块,所述第二虚设块至少部分位于所述第二凹槽中,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第二虚设块与所述第一虚设块的距离为H7,所述H7与所述第一连接部距所述第二电极的垂直距离H2不同,其中,所述第二虚设块较所述第二电极远离所述显示区,所述第二虚设块浮接。
本公开至少一实施例中,所述第二虚设块与所述衬底基板之间的夹角小于等于所述第一虚设块与所述衬底基板之间的夹角。
本公开至少一实施例中,所述显示面板还包括位于所述发光元件与所述触控层之间的封装层以及位于所述周边区的第五绝缘层;所述封装层至少包括第一有机封装层,第五绝缘层位于所述第一有机封装层远离所述衬底基板的一侧;触控层包括第一虚设块,所述第一虚设块和所述第一连接部之间存在间隙L0;n条所述第一信号线的中的一个第一延伸部包括与显示区电连的加宽部;所述加宽部与所述n条第一信号线的中的一个上的所述第一延伸交叠部的最小直线距离为L3;所述第一虚设块的面积为A4,所述加宽部的面积为A5,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第一虚设块与所述第二电极的距离为h1’,所述加宽部与所述第二电极的垂直距离为h2’,其中h1’/h2’>(A5/A4)*(L0/L3)。
本公开至少一实施例中,所述间隙L0的数值范围为9μm至13μm,L3的数值范围为4μm至10μm。
本公开至少一实施例中,所述触控层还包括位于显示区的第二触控信号线,所述第一触控信号线和所述第二触控信号线分别包括多个电连接的电极块,所述第一触控信号线或者所述第二触控信号线中的两个相邻的电极块之间通过转接部电连接,所述转接部与所述两个相邻的电极块之间的接触面积为S4,其中,S1≥a*S4,a为大于0.8的自然数。
本公开至少一实施例中,所述触控层还包括位于所述显示区的第二触控信号线,所述第一触控信号线和所述第二触控信号线分别包括多个电连的电极块,所述第一触控信号线或者所述第二触控信号线中的两个相邻的电极块之间通过转接部电连,所述转接部与所述两个相邻的电极块之间的接触面积为S4,所述S1以及所述S4满足:1≤S1/S4≤18。
本公开至少一实施例中,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部的电阻率为ρ1,所述第一连接部的电阻率为ρ2,其中,H2≥(1/k2)*(A2*ρ1/nA1*ρ2)*H1,k2为5至180范围内的自然数。
本公开至少一实施例中,所述m条第二信号线中的至少一条的电阻率为ρ3,所述第一连接部的电阻率为ρ2,其中,H2≥(1/k2)*(A2*ρ3/A3*ρ2)*H5,k2为1至15范围内的自然数。
本公开至少一实施例中,所述触控层还包括位于显示区的第二触控信号线以及位于所述周边区的第二连接部,所述第二连接部与所述第二触控信号线电连接,所述第二连接部与所述m条第二信号线在所述衬底基板上的正投影交叠;所述第一触控信号线在所述显示区的长度为w1,所述第二触控信号线在所述显示区的长度为w2;所述第一连接部的面积为A2,所述第二连接部的面积为A6;在垂直于所述衬底基板的方向上,至少一条所述m条第二信号线与第二电极之间的距离为H5,至少一条所述n条第一信号线的第一延伸部距第二电极之间的垂直距离为H2;其中,(H5/H2)>(A2*w1/A6*w2)。
本公开至少一实施例提还供一种显示面板,该显示面板包括衬底基板,还包括透光区、至少部分围绕所述透光区的显示区、以及所述显示区与所述透光区之间的周边区;多个像素驱动电路单元,所述多个像素驱动电路单元的至少部分位于所述显示区;n条第一信号线,配置为给所述多个像素驱动电路单元提供第一信号;至少一条所述第一信号线包括位于所述显示区的第一主体部,位于所述周边区的第一延伸部和第一弯折部,所述第一延伸部与所述第一主体部电连,所述第一弯折部至少部分围绕所述透光区,且较所述第一延伸远离所述第一主体部,其中,所述n条第一信号线中,相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部之间的距离;触控层,包括位于所述显示区的第一触控信号线以及位于所述周边区的第一连接部,所述第一连接部与所述第一触控信号线电连接;m条第二信号线,所述m条第二信号线配置为给所述多个像素驱动电路单元提供第二信号;所述第一连接部与所述m条第二信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;以及发光元件,包括第一电极、发光层以及第二电极,所述第一电极位于所述n条所述第一信号线远离所述衬底基板的一侧,且与至少一个像素驱动电路单元电连接,所述第二电极位于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧,所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间;在所述n条第一信号线中,所述相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离为b1,在所述n条第一信号线中,至少一条所述第一信号线的第一延伸部在垂直所述衬底基板的方向上与所述第二电极的距离为H1;在所述m条第二信号线中,相邻两条第二信号线在与所述第一连接部交叠区域之间的间距为b2,在所述m条第二信号线中,至少一条所述m条第二信号线在垂直所述衬底基板的方向上与所述第二电极之间的距离为H5,其中,b1>b2,H5>H1。
本公开至少一实施例中,所述第一信号线的第一延伸部为直线段,所述第一信号线的第一弯折部为弧线段。
本公开至少一实施例中,所述第一连接部的宽度大于10μm;至少一条所述第一信号线的线宽的取值范围为1μm-5μm。
本公开至少一实施例中,该显示面板还包括沿远离所述衬底基板方向上设置的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第四绝缘层,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部位于所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间。
本公开至少一实施例中,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部位于所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述第一延伸部通过过孔与对应于所述第一延伸部的第一主体部电连接。
本公开至少一实施例中,所述m条第二信号线中的至少一条位于所述第三绝缘层靠近所述衬底基板的一侧。
本公开至少一实施例中,在垂直所述衬底基板的方向上,所述第一连接部与所述第二电极的距离为H2,其中,H2>H5>H1。
本公开还公开一种显示装置,该显示装置包括上述任一实施例中的显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为显示面板的孔区的绕线示意图;
图2本公开至少一实施例提供的一种显示面板的平面图;
图3A为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的放大示意图;
图3B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的放大示意图;
图3C为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的透光区的第一侧的放大示意图;
图3D为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的放大示意图;
图3E为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第一侧的放大示意图;
图3F为本公开至少一实施例提供的沿图3D中A2-B2的截面示意图;
图3G为本公开至少一实施例提供的沿图3E中A1-B1的截面示意图;
图3H为本公开至少一实施例提供的沿图3E中C1-C2的截面示意图;
图4A为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的示意图;
图4B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第一侧的放大示意图;
图4C为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的第一侧的放大示意图;
图4D为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的放大示意图;
图4E为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的部分放大示意图;
图4F为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的示意图;
图5为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的显示区的截面示意图;
图6A为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的触控层的示意图;
图6B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的触控层的示意图;
图6C为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的触控层的示意图;
图7A为本公开至少一实施例提供的图6B中D区的放大示意图;
图7B为本公开至少一实施例提供的图6B中E区的放大示意图;
图7C为本公开至少一实施例提供的触控层的第一转接部的示意图;
图8A为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第一侧的放大示意图;
图8B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的放大示意图;
图9A为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;
图9B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;
图10A为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;
图10B为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;
图10C为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的示意图;
图10D为本公开再一实施例提供的一种显示面板的透光区的示意图;
图10E为本公开再一实施例提供的一种显示面板的透光区的示意图;
图11A为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;
图11B为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;
图11C为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;
图12A为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的显示区以及透光区的截面示意图;
图12B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的显示区以及透光区的截面示意图;
图12C为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的显示区以及透光区的截面示意图;
图12D为图12A的局部放大示意图;
图13为本公开至少一实施例提供的图12A中H区域的示意图;
图14A为本公开至少一实施例提供的一种显示面板中第一阻隔墙的截面示意图;
图14B为本公开至少一实施例提供的一种显示面板中第一拦截墙的截面示意图;
图14C为本公开至少一实施例提供的一种显示面板中第二阻隔墙的截面示意图;
图14D为本公开至少一实施例提供的一种显示面板中第二拦截墙的截面示意图;以及
图15为本公开至少一实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同。为了描述方便,在部分附图中,给出了“上”、“下”、“前”、“后”,本公开的实施例中,竖直方向为从上到下的方向,竖直方向为重力方向,水平方向为与竖直方向垂直的方向,从右到左的水平方向为从前到后的方向。
相关技术中,显示面板中由于透光区的存在,例如,在透光区对应的位置可以设置摄像头,传感器等,像素驱动电路单元P中的信号线,如数据信号线,或者栅极信号线,或者复位信号线中的一种或者多种信号线因为其通常为不透明的金属材料,在透光区需要进行绕线设计,从而提高透光区的透过率;另外由于透光区周围的边框宽度要求,在透光区会存在较为密集的金属走线,因此这些较为密集的金属走线会对在其远离衬底基板一侧设置的阴极带来电位的扰动。
本公开实施例公开了一种显示面板,包括衬底基板、多个像素驱动电路单元、n条第一信号线、触控层以及发光元件。衬底基板包括透光、至少部分围绕透光区的显示区、以及该显示区与该透光区之间的周边区;多个像素驱动电路单元,多个像素驱动电路单元至少部分位于显示区;n条第一信号线配置为给该多个像素驱动电路单元提供第一信号;至少一条第一信号线包括位于显示区的第一主体部,位于周边区的第一延伸部和第一弯折部,第一延伸部与第一主体部电连,第一弯折部至少部分围绕透光区,且较第一延伸远离第一主体部;n条第一信号线中,相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部之间的距离。
本公开一些实施例中,将透光区周围的信号线设计为延伸部和弯折部,在有限的空间中,靠近显示区的信号线尽量间距设计较大,从而保证有一部分信号线密度较为稀疏,从而使得靠近显示区有部分阴极受到的信号线引线减少,提升显示效果。
本公开一些实施例中,显示面板的该触控层包括位于显示区的第一触控信号线以及位于周边区的第一连接部,第一连接部与第一触控信号线电连接;第一连接部与n条第一信号线的第一延伸部在衬底基板上的正投影交叠面积为S1,第一连接部与n条第一信号线的第一弯折部在衬底基板上的正投影交叠面积为S2,S1≥S2,S1大于零,n为大于1的整数。如此,在透光区周围,触控层中的触控信号线也可以设计为避开该透光区进行绕线或者跳线设计,从而提高透光区的透过率,本公开实施例将连接显示区触控信号线的第一连接部设置在对应n条第一信号线的第一延伸部的位置,尽量少设置在n条第一信号线的第一弯折对应的位置,从而在靠近显示区的位置,像素驱动电路单元中的信号线、阴极、触控信号线的连接部(例如,第一连接部)三者之间的影响在周边区能够尽量减少。
本公开一些实施例中,显示面板的发光元件包括第一电极、发光层以及第二电极,第一电极位于n条第一信号线远离衬底基板的一侧,且与至少一个像素驱动电路单元电连;第二电极位于第一电极的远离衬底基板的一侧,发光层位于第一电极与第二电极之间;在n条第一信号线中,至少一条第一信号线的第一延伸部长度为L1,在垂直衬底基板的方向上,至少一条第一信号线的第一延伸部与第二电极的距离为H1,距离满足公式:H1≥(S1/n)/L1。如此,本公开一些实施例中,综合考虑第一延伸部自身的长度,以及n条第一信号线与第一连接部的交叠面积的均值,第一延伸部距第二电极(如阴极)的距离满足上述公式,可以使第一信号线、阴极、第一连接部三者之间影响尽量减小。
本公开实施例公开了一种显示面板,该显示面板包括衬底基板,该显示面板还包括透光区,至少部分围绕透光区的显示区,以及该显示区与该透光区之间的周边区;多个像素驱动电路单元,多个像素驱动电路单元至少部分位于显示区;n条第一信号线,配置为给该多个像素驱动电路单元提供第一信号;至少一条第一信号线包括位于显示区的第一主体部,位于周边区的第一延伸部和第一弯折部,第一延伸部与第一主体部电连,第一弯折部至少部分围绕透光区,且较第一延伸远离第一主体部;n条第一信号线中,相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部之间的距离;该显示面板还包括触控层,该触控层包括位于显示区的第一触控信号线以及位于周边区的第一连接部,第一连接部与第一触控信号线电连;第一连接部与n条第一信号线的第一延伸部在衬底基板上的正投影交叠面积为S1,第一连接部与n条第一信号线的第一弯折部在衬底基板上的正投影交叠面积为S2,S1≥S2,S1大于零,n为大于1的整数;该显示面板还包括发光元件,发光元件包括第一电极、发光层以及第二电极,第一电极位于第一信号线远离衬底基板的一侧,且与至少一个像素驱动电路单元电连;第二电极位于第一电极的远离衬底基板的一侧,发光层位于第一电极与第二电极之间;在n条第一信号线中,至少一条第一信号线的第一延伸部长度为L1,在垂直衬底基板的方向上,至少一条第一信号线的第一延伸部与第二电极的距离为H1,距离满足公式:H1≥(S1/n)/L1。
本公开一些实施例中,考虑多条第一信号线的第一延伸部与第一弯折部自身间距,离显示区位置,以及n条第一信号线与第一连接部的交叠面积的均值,第一延伸部距第二电极(如阴极)的距离等,可以使第一信号线、阴极、第一连接部三者之间影响尽量减小。
本公开至少一实施例还提供包括上述显示面板的显示装置。
下面结合附图对本公开的实施例及其示例进行详细说明。
图1为显示面板的孔区的绕线示意图。如图1所示,显示面板包括显示区10,透光区01,以及显示区10和透光区01之间的周边区02。例如,透光区01可以被配置为使光线通过,在对应的区域设置摄像头、传感器等;例如透光区01可以是开口,也可以是保留衬底基板或者衬底基板上透过率较高的膜层(例如无机绝缘层)的盲孔设计,也可以是衬底基板上在该区域去掉一些透过率较低的膜层,如不透光的金属膜层的盲孔设计。本公开一些实施例中,透光区01以开口为例进行说明,摄像头以及传感器等设备通常设置在开口01(透光区01)所在的区域。
本公开的一些实施例中,图3A为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的放大示意图;图3B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的放大示意图。如图3A以及图3B所示,显示面板包括显示区、多个像素驱动电路单元P,该多个像素驱动电路单元P至少部分位于显示区;第一信号线DS2,配置为给多个像素驱动电路单元P提供第一信号;至少一条第一信号线包括位于显示区的第一主体部DS,位于周边区的第一延伸部Y1和第一弯折部C1,第一延伸部Y1与第一主体部DS电连,第一弯折部C1至少部分围绕透光区01,且较第一延伸部Y1远离第一主体部DS;该n条第一信号线DS2中,相邻两条第一信号线DS2的第一延伸部Y1之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部C1之间的距离。如此,将透光区周围的信号线设计为延伸部(例如第一延伸部Y1)和弯折部(例如第一弯折部C1),在有限的空间中,靠近显示区的信号线尽量间距设计较大,从而保证有一部分信号线密度较为稀疏,从而使得靠近显示区有部分阴极受到的信号线引线减少,提升显示效果。
本公开一些实施例中,图3C为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的透光区的第一侧的放大示意图;图5为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的显示区的截面示意图;图6B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的触控层的示意图。如图3C、图5以及图6B所示,显示面板还包括触控层28,触控层28包括位于显示区10的第一触控信号线Rx以及位于周边区202的第一连接部Rx1,第一连接部Rx1与第一触控信号线Rx电连;第一连接部Rx1与n条第一信号线DS2的第一延伸部Y1在衬底上的正投影交叠面积为S1,第一连接部Rx1与该n条第一信号线DS2的第一弯折部C1在衬底上的正投影交叠面积为S2,S1≥S2,S1大于零,n为大于1的整数。如此,在透光区周围,触控层中的触控信号线也可以设计为避开该透光区进行绕线或者跳线设计,从而提高透光区的透过率,本公开实施例将连接显示区触控信号线的第一连接部设置在对应n条第一信号线DS2的第一延伸部Y1的位置,尽量少设置在n条第一信号线DS2的第一弯折C1对应的位置,从而在靠近显示区的位置,像素驱动电路单元中的信号线、阴极、触控信号线的连接部(第一连接部Rx1)三者之间的影响在周边区能够尽量减少。
例如,n条第一信号线D0-1,D0-2…D0-n的第一延伸部Y1-1,Y1-2…Y1-n在衬底基板上的正投影交叠面积分别为S1-1,S1-2…S1-n,S1为S1-1,S1-2..S1-n之和;例如,第一连接部Rx1与n条第一信号线D0-1,D0-2…D0-n的第一弯折部C1-1,C1-2…C1-n在衬底基板上的正投影交叠面积分别为S2-1,S2-2…S2-n,S2为S2-1,S2-2…S2-n之和,其中,S1≥S2;具体实施例中,S2可以等于0,也即是说第一连接部Rx1与n条第一信号线D0-1,D0-2…D0-n的第一弯折部C1-1,C1-2…C1-n在衬底基板上的正投影不交叠。具体实施例中,n可以为5,6,7,8…20之间的整数,随透光区增大,n值也可以继续增大,本公开不做限制。
本公开一些实施例中,图12A为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的显示区以及透光区的截面示意图。如图5以及图12A所示,该显示面板还包括发光元件26,发光元件26包括第一电极261、发光层262以及第二电极263,第一电极261位于第一信号线DS2远离衬底基板100的一侧,且与至少一个像素驱动电路单元P电连;第二电极263位于第一电极261的远离衬底基板100的一侧,发光层262位于第一电极261与第二电极263之间;n条第一信号线DS2中,至少一条第一信号线的第一延伸部Y1长度为L1,在垂直于衬底基板100的方向上,至少一条第一信号线的第一延伸部Y1与第二电极的距离为H1(例如垂直距离),该距离满足公式:H1≥(S1/n)/L1。如此,综合第一延伸部Y1自身的长度,以及n条第一信号线D0与第一连接部的交叠面积的均值,第一延伸部Y1与第二电极(如阴极)的距离满足上述公式,可以使第一信号线、阴极、第一连接部三者之间影响尽量减小。
例如,第一延伸部长度L1可以是第一信号线主体部DS与第一弯折部C1之间的长度,如图3D所示,可以是图中L1-1,L1-2……L1-n;例如,在垂直于衬底基板100的方向上,第一延伸部Y1与第二电极263的距离为H1可以是第一延伸部表面距第二电极263的垂直距离;也可以是第一延伸部底面距第二电极263的垂直距离;也可以是其厚度的二分之一位置距第二电极263的垂直距离。
需要说的是,本公开实施例中的垂直距离为沿垂直于衬底基板100的方向上的距离。
需要说明的是,考虑到测量误差,本公开中的“长度、宽度、厚度、距离等”可以允许有25%之内的测量误差。
本公开一些实施例中,如图1所示,显示面板包括透光区01,以及至少部分围绕透光区01的周边区02;显示面板还包括显示区、多个像素驱动电路单元P,多个像素驱动电路单元P至少部分位于显示区;第一信号线DS2,配置为给多个像素驱动电路单元P提供第一信号;至少一条第一信号线包括位于显示区的第一主体部DS,位于周边区的第一延伸部Y1和第一弯折部C1,第一延伸部Y1与第一主体部DS电连接,第一弯折部C1至少部分围绕透光区01,且较第一延伸部Y1远离第一主体部DS;该显示面板还包括触控层28,触控层包括位于显示区的第一触控信号线Rx以及位于周边区02的第一连接部Rx1,第一连接部Rx1与第一触控信号线Rx电连;n条第一信号线DS2中,相邻两条第一信号线的第一延伸部Y1之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部C1之间的距离;第一连接部Rx1与n条第一信号线的第一延伸部Y1在衬底基板上的正投影交叠面积为S1,第一连接部Rx1与n条第一信号线的第一弯折部C1在衬底基板上的正投影交叠面积为S2,S1≥S2,S1大于零,n为大于1的整数;该显示面板还包括发光元件。发光元件包括第一电极、发光层以及第二电极263,第一电极位于第一信号线远离衬底基板的一侧,且与至少一个像素驱动电路单元P电连接。第二电极263位于第一电极的远离衬底基板的一侧,发光层位于第一电极与第二电极263之间;n条第一信号线D0中,至少一条第一信号线的第一延伸部Y1长度为L1,在垂直于衬底基板100的方向上,至少一条第一信号线的第一延伸部Y1与第二电极263的距离为H1(例如垂直距离),该距离满足公式:H1≥(S1/n)/L1。由于在透光区周围存在较为多的信号线布置,如信号线绕线,采用本公开实施例中的设计,信号线,例如第一信号线延伸部距阴极的距离H1考虑其自身的线长以及n条第一信号线D0(如D0-1,D0-2,D0-3……D0-n)与第一连接部Rx1的交叠面积总和的均值,并满足H1≥(S1/n)/L1,从而使第一信号线、阴极、第一连接部三者之间影响尽量减小。
例如,如图3D中,n的取值为10,第一信号线D0的线宽为2μm为例进行说明,至少一条第一信号线D0的第一延伸部长度Y1为L1-1=160μm,10条第一信号线D0-1,D0-2…D0-10的第一延伸部Y1-1,Y1-2…Y1-10在衬底基板上的正投影交叠面积分别为S1-1=150*2=300μm2;10根第一信号线的第一延伸部与第一连接部Rx1的交叠面积相等时,S1=S1-1*10=3000μm2;则(S1/n)/L1=1.9μm;则该第一信号线D0的第一延伸部Y1-1与第二电极263的距离H1则要大于1.9μm,如此可以保证该区域信号线对阴极、触控连接部的影响较小。
例如,距离H1可以为2μm,3μm,4μm,5μm,6μm,8μm等,考虑到工艺能力和实际面板厚度,距离H1的大小可以调整,只要满足大于上述最小值即可。
需要说明的是,10条第一信号线D0-1,D0-2…D0-10的第一延伸部Y1-1,Y1-2…Y1-10在衬底基板上的正投影交叠面积可以不相等,以实际计算需要为准即可。
本公开一些实施例中,显示面板还包括多条沿第一方向X0延伸的发光控制信号线EM0、多条沿第一方向X0延伸的第二信号线,例如为扫描信号线GS以及多条沿第二方向Y0延伸的多条第一信号线,如数据信号线DS0。显示区可以围绕透光区01设置,也可以部分围绕透光区01的左侧、右侧以及下侧;或者透光区01的左侧、以及下侧;或者透光区01的右侧以及下侧。
图2为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的平面图。如图2所示,显示面板1包括衬底基板100、多条第二信号线GS2、GS1以及多条第一信号线DS2、DS1。多条第二信号线GS2、GS1沿第一方向X延伸,例如用于提供第一显示信号(例如栅极扫描信号),多条第一信号线DS2、DS1沿第二方向Y延伸,例如用于提供第二显示信号(例如数据信号)。显示面板包括透光区,本实施例中以开口201为例,和围绕开口201的周边区202。周边区202包括位于第一侧SS1的第一绕线区R1、位于第二侧SS2的第二绕线区R2、位于第三侧SS3的第三绕线区R3,位于第四侧SS4的第四绕线区R4。第一侧SS1与第二侧SS2在第一方向X上彼此相对,第三侧SS3与第四侧SS4在与第一方向X不同的第二方向Y上彼此相对。
需要说明的是,本公开实施例中为了方便描述,将周边区02分为上述四个绕线区,实际设计时,上述四个绕线区并无特定界限,本公开一些实施例中,上述四个绕线区可以理解为开口201的“上、下、左、右”四个方位的绕线情况,并不以此作为限定。
本公开一些实施例中,显示面板还可以包括多条第三信号线EM1、EM2。多条第三信号线EM1、EM2沿第一方X延伸,用于提供第二显示信号(例如,发光控制信号)。
需要说明的是,开口201为通孔或者凹口。例如,当开口201用于设置摄像头时,开口201为通孔;当开口201用于设置指纹识别传感器、红外传感器、距离传感器等,开口201为凹口。
例如,在一些实施例中,第一方向X与第二方向Y相互交叉,第一方向X与第二方向Y可以相互垂直。
例如,在其它实施例中,显示面板也可以包括两个开口,开口的形状也可以与图2中的开口201不同,例如开口为跑道形。本公开以图2为例进行介绍,开口为其它形状以及数量的实施例为图2所示实施例的变形,不做详细赘述。
例如,本公开实施例提供的显示面板可以为有机发光二极管(OLED)显示面板或者量子点发光二极管(QLED)显示面板等显示面板,本公开的实施例对显示面板的具体种类不做限定。
例如,如图2所示,显示区10至少部分围绕开口201,也可以理解为显示区10至少部分围绕周边区202;显示区10包括第一子显示区101、第二子显示区102以及第三子显示区103。第一子显示区101位于开口201的第一侧SS1,第二子显示区102位于开口201的第二侧SS2,第三子显示区103位于开口201的第三侧SS3。多条第一信号线DS1沿第二方向Y延伸,例如透光区(开口201)所占用的像素行、像素列之外的显示区,第一信号线DS1经过第一子显示区101以及第三子显示区103或者第二子显示区102以及第三子显示区103。多条第一信号线DS2自开口201的第三侧SS3沿第二方向Y经过周边区202至开口201的第四侧SS4。
例如,如图2所示,本公开实施例中多条第二信号线GS2沿第一方向X经过第一子显示区101、周边区202和第二子显示区102,且在周边区202围绕开口201绕线。多条第二信号线GS2经过周边区202的第三绕线区R3或第四绕线区R4绕线。多条第三信号线EM2经过第一子显示区101以及第三子显示区103。多条第三信号线EM1沿第一方向X经过第三子显示区103。
本公开一些实施例中,多条第二信号线GS2,多条第三信号线EM2等沿X方向的信号线中的至少一者也可以在开口201处断开,不进行绕线设计。
本公开一些实施例中,例如第二信号线GS2为栅极扫描信号,当显示面板采用双边驱动时,第二信号线GS2也可以通过双边,例如显示面板的左右两侧给像素驱动电路提供扫描信号,从而不进行绕线设计,缓解周边区202的信号排布空间紧张问题。
例如,如图2所示,显示区10还可以包括第四子显示区104,第四子显示区104位于透光区的第四侧SS4。例如,第四子显示区104与第一子显示区101和第二子显示区102在第二方向Y上相接。多条第一信号线DS1沿第二方向Y经过第四子显示区104、第一子显示区101以及第三子显示区103或者,经过第四子显示区104、第二子显示区102以及第三子显示区103。多条第一信号线DS2自第三子显示区103沿第二方向Y经过周边区202至第四子显示区104。也即是说,显示面板包括多条第一信号线DS1,在其延伸方向上,没有因为透光区(开口区)设计使得其途经的位置像素单元发生缺失,所以该多条第一信号线DS1无需进行在透光区的绕线设计;显示面板包括多条第一信号线DS2,在其延伸方向上途经位置因为正常像素单元发生缺失,本公开实施例中对其进行了绕线设计,保证其信号能够正常提供给相应的像素单元。
需要说明的是,本公开实施例中为了方便描述以及方案理解,将显示区分为如第一子显示区、第二子显示区,第三子显示区、第四子显示区,实际设计时,上述四个显示区并无特定界限,本公开一些实施例中,上述四个显示区可以理解为开口201的“上、下、左、右”四个方位的显示位置,并不以此作为本公开实施例的限定。
需要说明的是,根据透光区201的设计位置,第一显示区,第四显示区,第二显示区中的至少一者可以根据实际透光区201与显示面板边框的距离缩小保留或者取消。例如,当透光区201设置在显示面板尽量靠近上边框的位置时,由于透光区201离显示面板上边框很近,无需在透光区201的上部进行显示,这时可以去掉第四显示区;其他位置的开口201设计同理,不在赘述。
例如,显示区还包括像素阵列,像素阵列包括至少位于第一子显示区、第二子显示区以及第三子显示区的多个子像素。图3C为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的透光区的第一侧的放大示意图。例如,如图3C所示,显示区10还包括像素阵列DP,像素阵列DP包括位于显示区的多个像素驱动电路单元P,例如以第一子显示区101,也可以理解为透光区(例如开口201)为例说明,第一子显示区101的多个像素驱动电路单元P。例如,如图3A所示,像素阵列DP还包括位于第四子像素区104的多个像素驱动电路单元P。多个像素驱动电路单元P还位于第二子显示区102以及第三子显示区102(图未示),第二子显示区102以及第三子显示区102中的多个像素驱动电路单元P的排布方式与图3C中位于第一子显示区101的多个像素驱动电路单元P以及图3A中第四子像素区104的多个像素驱动电路单元P的排布方式相同。多条第二信号线GS2、GS1配置为给像素阵列DP的多个像素驱动电路单元P提供第一显示信号(例如栅极扫描信号),多条第一信号线DS2、DS1配置为给像素阵列DP的多个像素驱动电路单元P提供第二显示信号(例如数据信号)。多条第三信号线EM1、EM2配置为给像素阵列DP的多个像素驱动电路单元P提供第二显示信号(例如,发光控制信号)。
需要说明的是,图3A为透光区201的第四侧SS4的放大示意图,透光区201的与第四侧SS4相对的第三侧SS3的放大示意图与图3A的结构基本相同,这里不再详细赘述。图3C为透光区201的第一侧SS1的放大示意图,透光区201的与第一侧SS1相对的第二侧SS2的放大示意图与图3C的结构基本相同,这里不再详细赘述。
例如,如图3A以及图3B所示,第一信号线DS2包括位于周边区202的第一弯折部C1以及位于周边区202的第一延伸部Y1。第一延伸部Y1、沿第二方向Y延伸,第一延伸部Y1与第一弯折部C1连接;第一弯折部C1自至少部分围绕开口201设置。
本公开的一些实施例中,信号线的延伸部,如第一信号线延伸部Y1可以是大致直线状,例如,第一信号线可以是数据线,数据线的延伸部Y1可以是沿第二方向延伸,大致直线的形状;信号线的弯折部,如第一信号线弯折部可以是有折线或者弧线的形状,例如,第一信号线可以是数据线,数据线的弯折部C1可以是至少部分围绕透光区201设置的折线,或者弧线段。
例如,如图3A以及图3B所示,第一弯折部C1可以在第一绕线区R1部分围绕开口201设置;例如,第一弯折部C1可以在第四绕线区R4部分围绕开口201设置。可以理解,实际设计中,第一弯折部C1设置在周边区202即可。
例如,相邻两条第一信号线DS2的第一延伸部Y1与第一弯折部C1在周边区202(例如第四绕线区R4)的所在膜层可以相同,也可以不同;例如相邻两条第一信号线DS2的第一延伸部Y1与第一弯折部C1所在膜层不同,如此可以减缓第一信号线之间的电学影响,如减少信号串扰等。
例如,如图3A以及图3C所示,显示面板还可以包括第二信号线GS2,第二信号线GS2包括第二延伸部GS21,第二弯折部GS22,第二弯折部GS22经过第四绕线区R4;第二信号线GS2与第一信号线DS2在周边区位于不同层。如此可以提高显示面板透光区201左右两侧信号的均匀性。
例如,第二信号线GS2也可以在透光区201处断开,此时在周边区202位置没有第二信号线GS2,例如没有第二延伸部GS21,第二弯折部GS22(图3A中以虚线表示GS2在该处可以省略)。如此可以缓解周边区202的布线空间紧张问题。
本公开一些实施例中,如图3A所示,在第四绕线区R4(例如以及第三绕线区R3),第一信号线DS2的密度,也即第一信号线DS2的第一延伸部Y1的密度,小于第二信号线GS2的密度,也即第二信号线GS2的第二弯折部GS22的密度,从而利于降低周边区202的密集绕线对发光元件的电极(例如阴极)的电位影响。
例如,如图3C所示,在第一绕线区R1(例如以及第二绕线区R2),第二信号线GS2在衬底基板100的正投影与第一信号线DS2的第一弯折部C1在衬底基板100上的正投影交叉。例如,在第一绕线区R1(例如以及第二绕线区R2),第二信号线GS2的密度,例如第二信号线GS2的第二弯折部GS22的密度,小于第一信号线DS2,例如第一信号线DS2的第一延伸部Y1的密度,从而利于降低周边区202的密集绕线对发光元件的电极(例如阴极)的电位影响。
例如,至少一条第一信号线的至少部分在开口周边区所在的膜层与至少一条第一信号线在显示区所在的膜层不同。如图3C所示,第二信号线GS2的第二信号线延伸部GS21以及第二弯折部GS22在开口周边区201的第一绕线区R1(例如以及第二绕线区R2)所在的膜层与第二信号线GS2在显示区100所在的膜层不同。例如,进行走线换层的第一延伸部Y1可以与没有进行走线换层的第一延伸部Y1间隔设置。也就是说,第二信号线GS2在第一显示区101延伸至开口周边区201时进行了换层,以减少第二信号线GS2的走线密度,从而利于降低周边区202的密集绕线对发光元件的电极(例如阴极)的电位影响。
需要说明的是,本公开实施例中的走线的“密度”指的是单位面积内的走线的数量,例如在第一方向或第二方向上单位距离内走线的数量,或者可以理解为,“密度”指的是在垂直于走线方向相邻的两个走线之间的距离。
例如,如图3A以及图3C所示,显示面板1还包括沿第一方向X延伸的复位信号线RS1、RS2,复位信号线RS、RS21的每条为对应像素阵列DP的子像素P提供复位信号。多条复位信号线RS2在第一显示区101的靠近周边区202的边缘断开并与第二信号线GS2连接,例如,复位信号线RS2在点M处断开并连接至经过下一行子像素P的第二信号线GS2的点N处,以缓解周边区202布线空间紧张问题。
例如,如图3A以及图3C所示,显示面板1还包括沿第一方向X延伸的初始化信号线VS1、VS2,初始化信号线VS1、VS2的每条为像素阵列DP中对应的子像素P提供初始化信号。多条初始化信号线VS2经过第一子显示区101以及第二子显示区102。多条初始化信号线VS2第一显示区101的靠近周边区202的边缘断开,例如在点S处断开,以减少周边区202布线空间紧张问题。
例如,图3D为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的放大示意图。如图3D所示,第三信号线EM2在第一子显示区101以及第二子显示区102的靠近透光区202进行绕线设计,提升显示均一性。
例如,图3E为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第一侧的放大示意图。如图3B以及图3E所示,第三信号线EM2在第一子显示区101以及第二子显示区102的靠近透光区202的一侧断开(如图3E中右侧虚线表示可以不设置EM22),以减少周边区202的走线密度。
例如,如图3A以及图3C所示,显示面板1还包括沿第二方向Y延伸的电源线VDS1、电源线VDS2。例如,电源线VDS1、VDS2的每条为像素阵列DP中对应的子像素P提供高电平信号。电源线VDS1经过第一子显示区101和第三子显示区103或者,第二子显示区102和第三子显示区103。电源线VDS2经过第四子显示区104,并且,电源线VDS2在第四子显示区104的靠近第四绕线区R4的边缘断开,而不经过第四绕线区R4,以减少口周边区202的走线密度。
需要说明的是,当第三信号线EM2、初始化信号线VS2在第一子显示区101以及第二子显示区102的靠近透光区202的一侧断开时,显示面板1可以采用双侧驱动的方式,例如,在显示面板1的两侧,例如左右两侧设置栅极驱动电路,以分别连接第一子显示区101以及第二子显示区102的第三信号线EM2和初始化信号线VS2。
例如,图4A为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的示意图。如图4A所示,第一绕线区R1与第二绕线区R2可以在第一方向X上相对设置,这两个区域设计思路基本一致,例如可以对称设置;第三绕线区R3与第四绕线区R4相对设置,这两个区域设计思路基本一致,例如可以对称设置。需要说明的是,在后续对第一绕线区R1与第二绕线区R2中的走线进行介绍的时候,以第一绕线区R1为例进行介绍,第二绕线区R2将不再详细赘述。在后续对第三绕线区R3与第四绕线区R4中的走线进行介绍的时候,以第四绕线区R4为例进行介绍,第三绕线区R3将不再详细赘述。
例如,如图4A所示,本公开一些实施例中,第一信号线DS2的第一延伸部Y1的分布密度小于第一信号线DS2的第一弯折部C1的分布密度;可以理解为,相邻两根第一延伸部Y1的间距大于相邻两根第一弯折部C1的间距。
例如,如图4A所示,本公开一些实施例中,显示面板还包括第二信号线,位于第一绕线区R1(或第二绕线区R2)的第二信号线GS2的密度,小于位于第三绕线区R3(或第四绕线区R4)的第二信号线GS2的密度。
例如,图4B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区201的第一侧,第四侧局部的放大示意图。如图4B所示,第一绕线区R1还包括第一子区R11(图中虚线矩形框)以及第二子区R12(图中椭圆形框)。第一子区R11与显示区10靠近开口201的边界AS的距离X111小于第二子区R12与显示区10靠近第一绕线区R1的边界的距离X112。也就是说,第一子区R11相比于第二子区R12更靠近显示区10。需要说明的是,距离X111以及距离X112是为了示意性说明第一子区R11与第二子区R12的相对位置关系。
本公开一些实施例中,如图4B所示,第一子区R11为第二信号线延伸部GS21在衬底基板上的正投影与第一信号线DS2的第一弯折部C1在衬底基板上的正投影交叉区域所在区域。也就是说,在第一子区R11中是直线走线与弧线走线相互交叉所在的区域。在第二子区R12为,第二弯折部GS22在衬底基板上的正投影与第一信号线DS2的第一弯折部C1在衬底基板上的正投影交叉区域所在区域。也就是说,在第二子区R12中是弧线走线与弧线走线相互交叉区域所在区域。
本公开一些实施例中,如图4B所示,位于第一子区R1的第二信号线GS2以及第一信号线DS2的密度小于位于第二子区R2的第二信号线GS2以及第一信号线DS2的密度。也就是说,在第一子区R1的第二信号线延伸部GS21以及第一弯折部C1的密度小于在第二子区R2的第二弯折部GS22以及第一弯折部C1的密度。
本公开一些实施例中,如图4B所示,第一子区R11相比于第二子区R12更靠近显示区10,可以理解为,第一子区R11中存在一处直线走线与弧线走线相互交叉的位置P,其距显示区的距离小于第二子区R12中弧线走线与弧线走线相互交叉的位置Q距显示区的距离。由于走线更加密集的第二子区R12相比于第一子区R11离显示区10更远,可以减少开口周边区的密集走线对发光元件的电极(例如阴极)的电位影响。
例如,图4C为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第一侧的放大示意图。如图4C所示,第二信号线延伸部GS21包括与第一信号线DS2,例如第一弯折部C1,投影交叠的多个第二延伸交叠部ST1。与第二信号线延伸部GS21连接的第二弯折部GS22包括与第一信号线DS2,例如第一弯折部C1,投影交叠的第二弯折交叠部WT1。
例如,图4D为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的放大示意图。如图4C以及图4D所示,第四绕线区R4还包括第三子区R41(图中虚线矩形框)以及第四子区R42(图中椭圆形框)。第三子区R41与显示区10靠近透光区201的边界AS的距离X141小于第四子区R42与显示区10靠近第四绕线区R4的边界AS的距离X142。也就是说,第三子区R41相比于第四子区R42更靠近显示区10。需要说明的是,距离X141以及距离X142是为了示意性说明第三子区R41与第四子区R42的相对位置关系。在第三子区R41中,第一延伸部Y1(图4C所示)在衬底基板上的正投影与第二信号线GS2的第二弯折部GS22在衬底基板上的正投影交叉。也就是说,在第三子区R41中是直线走线与弧线走线相互交叉。在第四子区R42中,第二弯折部GS22在衬底基板上的正投影与第一信号线DS2的第一弯折部C1在衬底基板上的正投影交叉。也就是说,在第四子区R42中是弧线走线与弧线走线相互交叉。
例如,本公开至少一实施例中,图4F为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的示意图。如图4D以及图4F所示,位于第三子区R41的第二信号线GS2以及第一信号线DS2的密度小于位于第四子区R42的第二信号线GS2以及第一信号线DS2的密度。也就是说,在第三子区R41的第一延伸部Y1以及第二弯折部GS22的密度小于在第四子区R42的第二弯折部GS22以及第一弯折部C1的密度。由于走线更加密集的第四子区R42相比于第三子区R41离显示区10更远,可以减少开口周边区的密集走线对发光元件的电极(例如阴极)的电位影响。
图5为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的显示区的截面示意图。如图5所示,显示面板1包括阻挡层209、缓冲层211、第一绝缘212(例如,第一栅绝缘层)、第二绝缘层213(例如,第二栅绝缘层)、第三绝缘层214(例如,层间栅绝缘层)以及钝化层215(例如,无机钝化层)。阻挡层209位于衬底基板100上,缓冲层211位于阻挡层209远离衬底基板100的一侧。显示区10中的多个像素驱动电路单元P的每个包括子像素驱动电路260。子像素驱动电路260可以与第二信号线GS1、第一信号线DS1以及第三信号线EM1等连接。子像素驱动电路260包括第一晶体管T1以及发光元件26。第一晶体管T1与发光元件26连接,第一晶体管T1配置为向发光元件26提供发光驱动信号。显示面板1还可以包括第一平坦化层232、第一转接电极241、第二平坦化层251。
例如,第一转接电极241可以采用与晶体管源漏电极相同的材料,例如铜(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)、钼(Mo)等一种或者多种,例如可以是钛铝钛(Ti/Al/Ti)叠层结构。
例如,第一晶体管T1可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件,这里以薄膜晶体管为例进行说明。
例如,如图5所示,第一晶体管T1包括位于缓冲层211上的有源层222、位于有源层222远离衬底基板100一侧的第一绝缘层212、位第一绝缘层212上的栅极223,位于栅极223远离衬底基板100一侧的第二绝缘层213,位于第二绝缘层213上的第三绝缘层214以及位于第三绝缘层214上的两个源漏电极(包括源极224及漏极225)。缓冲层211作为过渡层,其即可以防止衬底基板中的有害物质侵入显示面板的内部,又可以增加显示面板中的膜层在衬底基板100上的附着力。阻挡层1012可以防止水氧等杂质从衬底基板100渗入到第一晶体管T1等功能结构中,阻挡层209和缓冲层211可以共同对衬底基板1000上的其他功能结构起到保护作用。例如,阻挡层209和缓冲层211的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等绝缘材料。第三绝缘层214、第二绝缘层213及第一绝缘层212中的一种或多种的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等绝缘材料。第三绝缘层214、第二绝缘层213及第一绝缘层212的材料可以相同也可以不相同。
例如,如图5所示,钝化层215位于第一晶体管T1的远离衬底基板的一侧且包括过孔以露出源极224及漏极225之一,例如露出源极224。钝化层215可以保护第一晶体管T1的源极224和漏极225不被水汽腐蚀。例如,钝化层215的材料可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料,例如,氮化硅材料,由于其具有较高的介电常数且具有很好的疏水功能,能够很好的保护像素驱动电路221不被水汽腐蚀。需要说明的是,钝化层215为可选膜层,在其它实施例中也可以不设置钝化层215本公开实施例不以此为限。
图3F为本公开至少一实施例提供的沿图3D中A2-B2的截面示意图;图3G为本公开至少一实施例提供的沿图3E中A1-B1的截面示意图;图3H为本公开至少一实施例提供的沿图3E中C1-C2的截面示意图。
例如,如图3A以及图3D所示,显示面板还可以包括围绕透光区201的初始化信号线VS3。图3D中的截线A2-B2穿过初始化信号线VS3、第一信号线DS2、第二信号线GS1(沿第一方向X延伸),以及第一延伸部Y1。
例如,如图3D以及图3F所示,第一信号线DS2的第一延伸部Y1在周边区202中位于第四绝缘层232(例如为图5中的第一平坦化层232,后续详细介绍)的远离衬底基板100的一侧,例如,以Y1-10为例,其位于第一平坦化层232远离衬底基板100的一侧。第一信号线DS2,例如第一信号线主体部DS在显示区10中位于第三绝缘层214与第四绝缘层232之间,第一信号线DS2的第一延伸部Y1在周边区202中与第一信号线主体部DS在显示区10中的部分通过穿过第四绝缘层232的过孔连接。当显示面板包括钝化层215(图中未示出)时,第一信号线DS2的第一延伸部Y1在周边区202中与第一信号线DS2在显示区10中的部分通过穿过第四绝缘层232以及钝化层215中的过孔连接。
例如,如图3D以及图3F所示,初始化信号线VS3与第一延伸部Y1同层设置,也即位于第四绝缘层232的远离衬底基板100的一侧。需要说明的是,图3G中的钝化层215为可选膜层,在其它实施例中也可以不设置钝化层215本公开实施例不以此为限。需要说明的是,图3D为透光区201的一侧局部示意,当在透光区201与该局部相对位置有显示区时,第一信号线DS2的换层方式可以与该区域一致,也可以不一致,本公开实施例不做限定。
例如,如图3D所示,相邻的第一延伸部Y1,例如Y1-10,Y1-9可以在不同的膜层,如Y1-9可以与和其电连的主体部DS在同一膜层,也即是说相邻的第一延伸部Y1可以在不同的膜层,如此可以节省布线空间。
例如,如图3F所示,显示面板还可以包括虚拟转接部DS2’,虚拟转接部DS2’与第一信号线DS2在显示区10(例如第三子显示区103或第四子显示区104)中的部分,也即是第一信号线主体部DS同层,也即位于第三绝缘层214与第四绝缘层232之间。虚拟转接部DS2’可以使得第一信号线DS2再换层位置图形设计均匀,保证刻蚀均一性。
本公开一些实施例中,如图3C以及图12A所示,第一延伸部Y1长度L1(例如L1-1,L1-2…L1-10)、其与第二电极263的垂直距离为H1、以及S1(第一连接部与n条第一信号线的第一延伸部在衬底基板上的正投影交叠面积)满足公式:H1=k*(S1/n)/L1,k为1~20之间的自然数。具体实施时,根据面板自身的厚度要求,例如,k可以是1~10,或者1~15,或者2~10,2~8,2~6,2~4,3~12,3~9,3~6,3~5之间的自然数。如此,可以在透光区周围,驱动电路信号线(如第一信号线)、发光层电极(如阴极);或者驱动电路信号线(如第一信号线)、发光层电极(如阴极)、触控层(如第一连接部)之间的影响较小的情况下,面板厚度尽量较薄。
本公开一些实施例中,如图3D以及图12A所示,第一连接部Rx1与第二电极的垂直距离为H2,n条第一信号线DS2中的一条的第一延伸部的面积为A1,第一连接部Rx1的面积为A2,其中,H2≥(1/k1)*(A2/nA1)*H1,k1为5~180的自然数。
例如,第一连接部Rx1与第二电极的垂直距离为H2,可以是第一连接部Rx1表面与第二电极263的垂直距离;也可以是第一连接部Rx1底面与第二电极263的垂直距离;也可以是其厚度的二分之一位置与第二电极263的垂直距离,本公开实施例不做限制。
例如,考虑到透光区202的大小,如透光区202进行打孔,孔的孔径为2μm~5μm,根据缺失的像素数量,n的取值可以是1~20的整数,考虑到例如可以是5,6,7,8…15,第一连接部Rx1在第二方向Y上的尺寸例如可以是50μm~600μm,在第一方向X上尺寸可以是50μm~200μm,根据透光区202的大小进行不同尺寸的设计,第一连接部Rx1的面积A2大致可以等于第一连接部Rx1在第一方向X上的尺寸乘以第二方向上的尺寸,k1为5~180的自然数;具体实施时,在n,A1,A2,H1一定的情况下,H2根据k1范围为5~180的自然数之间进行调整;例如k取值可以是5~10,10~20,20~30,30~40…170~180之间的自然数。
本公开一些实施例中,n条第一信号线DS2中的至少一条的第一延伸部的电阻率为ρ1,第一连接部Rx1的电阻率为ρ2。H2≥(1/k1)*(A2*ρ1/nA1*ρ2)*H1;k1为5~180的自然数。
本公开一些实施例中,n条第一信号线DS2中的至少一条的第一延伸部的电阻率为ρ1,第一连接部的电阻率为ρ2,其中,H2≥(1/k1)*(A2*ρ1/nA1*ρ2)*H1;k1为5~180的自然数。
需要说明的是,在本公开实施例例中,“*”表示乘法符号。
例如,第一延伸部Y1以及第一连接部Rx1的材料为金属,如钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)中的一种或者多种组合。例如,第一延伸部Y1以及第一连接部Rx1的材料可以相同可以不同。例如,第一延伸部Y1以及第一连接部Rx1的材料可以均为铝钛铝(Ti/Al/Ti)的三叠层结构。
例如,如图3E所示,第三信号线EM2在第一子显示区101以及第二子显示区102的靠近透光区202的一侧也可以不断开。第三信号线EM2沿第一方向X穿过第一子显示区101进入周边区202之后发生换层。当第三信号线EM2在第一子显示区101以及第二子显示区102的靠近透光区202的一侧也不断开时,可以在显示面板1的一侧设置栅极驱动电路,以与连接第一子显示区101以及第二子显示区102的第三信号线EM2连接。第三信号线EM2的位于周边区202中的部分包括第三信号线延伸部EM21和第三弯折部EM22。第三信号线延伸部EM21和第三弯折部EM22的走线方式与第二信号线GS2的第二延伸部GS21以及第二弯折部GS22的走线方式可以相同,本公开实施例不再赘述。图3E中的截线C1-C2穿过第三信号线EM2、第三信号线延伸部EM21以及初始化信号线VS3等。
例如,如图3E所示,第二信号线延伸部GS21还包括与显示区电连的第二加宽部E2。在第二加宽部E2的位置将第二信号线的延伸部GS21与显示区的第二信号线GS2,如第二信号线主体部GS电连接。
例如,如图3E以及图3G所示,显示面板包括第二转接部LS1,第二转接部LS1位于第三绝缘层214与第四绝缘层232之间。第二信号线GS2的第二信号线延伸部GS21在周边区202中位于第二绝缘层213与第三绝缘层214之间,第二信号线GS2在显示区10中的部分,也即是第二主体部主体部GS位于第一绝缘层212与第二绝缘层213之间。第二转接部LS1的一端通过贯穿第三绝缘层的过孔与第二信号线延伸部GS21连接,第二转接部LS1的另一端通过贯穿第三绝缘层214以及第二绝缘层213的过孔与第二信号线GS2的主体部GS连接。第三信号线EM2以及复位信号线RS2也位于第一绝缘层212与第二绝缘层213之间。第二转接部LS1还通过贯穿第三绝缘层的过孔与复位信号线RS2连接。初始化信号线VS2位于第二绝缘层213与第三绝缘层214之间。初始化信号线VS3位于第四绝缘层232的远离衬底基板100的一侧。
例如,如图3E以及图3F所示,显示面板包括第三转接部LS2,第三转接部LS2位于第三绝缘层214与第四绝缘层232之间。第三信号线EM2的第三信号线延伸部EM21在周边区202中位于第二绝缘层213与第三绝缘层214之间,第三信号线EM2在显示区10中的部分位于第一绝缘层212与第二绝缘层213之间。第三转接部LS2的一端通过观贯穿第三绝缘层的过孔与第三信号线EM2的第三信号线延伸部EM21连接,第三转接部LS2的另一端通过贯穿第三绝缘层214以及第二绝缘层213的过孔与第二信号线EM2在显示区10中的部分连接。如图中所示的第三转接部LS2与两条第二信号线EM2(位于不同行)连接,初始化信号线VS3位于第四绝缘层232的远离衬底基板100的一侧。
需要说明的是,图3G以及图3H中的钝化层215为(图中未示出)可选膜层,在其它实施例中也可以不设置钝化层215本公开实施例不以此为限。
需要说明的是,第一信号线的主体部DS,第二信号线的主体部GS,以及第三信号线EM2在显示区10中的部分可以理解为其基本位于显示区;也即是说,各个信号线中至少一者可以有部分位于dummy(虚拟)像素区,例如图3D以及图3E所示,靠近透光区201的像素单元中,可以将离透光区201最近的至少一行,或者一列像素设计为虚拟像素(不用于显示画面),此时各个信号线的主体部,例如第一信号线主体部DS依然可以与其对应的虚拟像素电连接,并延伸至周边区202与对应的延伸部,例如Y1电连;第二信号线,第三信号线同理,不在赘述。
需要说明的是,本公开实施例中的dummy像素区为包括虚拟像素(不用于显示画面)的区域。
例如,如图3F以及图3G所示,第二信号线GS2主体部GS与衬底基板100的距离X10,以及第二信号线GS2在周边区202中的第二信号线延伸部GS21与衬底基板的距离X20,小于第一信号线DS2与衬底基板100的距离,例如第一信号线DS2在周边区202中的第一延伸部Y1与衬底基板100的距离X30。
需要说明的是,本公开实施例中的“距离”指两个膜层A底面与膜层B底面之间的距离,膜层A顶面与膜层B顶面之间的距离,也可以是膜层A顶面与膜层B底面,也可以是膜层A底面与膜层B顶面之间的距离,也可以是膜层A、B平均厚度位置处之间的距离,本公开不做限制,只需比较距离时采用同一个基准即可,例如,如3F以及图3G中以待比较部件膜层厚度的二分之一的位置作为基准进行距离的比较。
需要说明的是,膜层厚度的测量存在误差,只要在误差范围如25%内即可,也可以选取有限的位置点测量均值,本公开不进行限制。
需要说明的是,考虑到测量误差,本公开中的“长度、宽度、厚度、距离等”可以允许有25%之内的测量误差。
例如,第一信号线DS2的主体部DS在显示区10(也可以包括延伸出有效显示区之外的虚拟像素区的部分)中位于第三绝缘层214与第四绝缘层232之间的部分可以与第一晶体管T1的源极224及漏极225同层形成,例如采用同一材料层通过构图工艺形成,从而简化制备工艺。
例如,第二信号线GS2在主体部GS在显示区10(也可以包括延伸出有效显示区之外的虚拟像素区的部分)中的部分可以与第一晶体管T1的栅极223同层形成,例如采用同一材料层通过构图工艺形成,从而简化制备工艺。
本公开一些实施例中,显示面板还包括第二信号线GS2,配置为给多个像素驱动电路单元P提供第二信号;第一连接部Rx1与m条第二信号线GS2在衬底基板100上的投影交叠,交叠面积为S5,其中S5>S2。
例如,如图3D以及图3E所示,第二信号线GS2为扫描信号线,如栅极扫描信号线GS22或者复位信号线RS2,第一连接部Rx1与m条第二信号线GS2在衬底基板100上的投影交叠,如与m条第二信号线GS2各自投影交叠面积为S5-1,S5-2…S5-m;S5为S5-1,S5-2…S5-m之和,其中S5>S2。
例如,第一连接部Rx1与m条第二信号线GS2在衬底基板100上的投影交叠,如与m条第二信号线GS2各自投影交叠面积为S5-1,S5-2…S5-m;S5为S5-1,S5-2…S5-m之和,S2小于(3/4)S5,(2/3)S5,(1/2)S5等。
本公开一些实施例中,n条第一信号线DS2中,相邻两条第一信号线DS2的第一延伸部Y1之间的距离为b1;m条第二信号线GS2中,相邻两条第二信号线在与第一连接部Rx1交叠区域之间的间距为b2;至少一条m条第二信号线距第二电极之间的距离为H5,b1>(H5/H1)*b2。
例如,相邻两条第一信号线DS2的第一延伸部Y1-1,Y1-2之间的距离为b1;m条第二信号线GS2中,相邻两条第二信号线GS2-1,GS2-2在与第一连接部Rx1交叠区域之间的间距为b2;至少一条m条第二信号线GS2-1与第二电极263之间的距离为H5,其中,b1>(H5/H1)*b2。
本公开一些实施例中,m条第二信号线GS2与第一连接部Rx1在衬底基板上交叠区域的面积为A3,第一连接部Rx1的面积为A2,第一连接部Rx1与第二电极的垂直距离为H2,其中H2≥(1/k2)*(A2/A3)*H5;k2为1~15的自然数。
例如,m条第二信号线GS2-1,GS2-2......GS2-m与第一连接部Rx1在衬底基板上交叠区域的面积为A3-1、A3-2......A3-m、A3为A3-1、A3-2......A3-m之和;第一连接部Rx1的面积为A2,例如为了简化计算,A2可以大致为其在第一方向X上的尺寸乘以第二方向Y上的尺寸,例如A2也可以为第一连接部Rx1的实际占用面积,H2满足:H2≥(1/k2)*(A2/A3)*H5;k2为1~15的自然数,如k2可以是1~5或者5~10或者10~15之间的自然数,也即是说第一连接部Rx1与第二电极263的垂直距离H2的最小值至少需要满足上式,以使得第二信号线GS2、第一连接部Rx1、第二电极263之间的影响减小,进一步考虑H2的数值不易太大;例如H2可以小于10~16μm,具体实施时可以根据实际需求调整,本公开不做限制。
本公开一些实施例中,m条第二信号线GS2中的至少一条的电阻率为ρ3,第一连接部Rx1的电阻率为ρ2,H2≥(1/k2)*(A2*ρ3/A3*ρ2)*H5;k2为1~15的自然数。
例如,第二信号线GS2、第一连接部Rx1的材料为金属,如钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)中的一种或者多种组合;例如,第二信号线GS2、第一连接部Rx1的材料可以相同可以不同;例如,第二信号线GS2、第一连接部Rx1的材料可以均为钛铝钛(Ti/Al/Ti)的三叠层结构。也即是说第一连接部Rx1与第二电极263的垂直距离H2的最小值至少需要满足上式,以使得第二信号线GS2、第一连接部Rx1以及第二电极263之间的影响减小,进一步考虑信号线材料性质,若选用电阻率较高的材料,则H2的最小值可以减小,从而在一定程度上可以减小面板的整体厚度。
例如,如图5所示,有源层222可以包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。第三绝缘层214、第二绝缘层213及第一绝缘层212中具有过孔,以暴露源极区和漏极区。源极及漏极分别通过第三绝缘层214、第二绝缘层213及第一绝缘层212中的过孔与源极区和漏极区电连接。栅极223在垂直于衬底基板100的方向上与有源层222中位于源极区和漏极区之间的沟道区重叠。
例如,如图5所示,第一平坦化层232(也即第四绝缘层)位于源极224及漏极225的远离衬底基板100的一侧,用于提供第一平坦化表面以平坦化子像素驱动电路260远离衬底基板100一侧的表面。第一平坦化层232可以平坦化由子像素驱动电路260导致的不平坦表面,并因此防止由子像素驱动电路260引起的凹凸而导致在发光元件中出现缺陷。第一平坦化层232中形成过孔,以暴露源极224或漏极225(图中示出的情况,露出源极224),第一平坦化层232的远离衬底基板100的一侧形成第一转接电极241。第一转接电极241通过第一平坦化层232中的过孔以及钝化层的钝化层过孔与源极224(或与漏极225)电连接。该第一转接电极241可以避免直接在第一平坦化层232中形成孔径比较大的直通过孔,从而改善过孔电连接的质量,同时第一转接电极241还可以与其他信号线(例如电源线等)等同层形成,由此不会导致工艺步骤增加。
例如,例如,第一信号线DS2的第一延伸部Y1在周边区202中位于第一平坦化层232的远离衬底基板一侧的部分可以与第一转接电极241同层形成,例如采用同一材料层通过构图工艺形成,从而简化制备工艺。
例如,第一平坦化层232的材料包括括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料,也可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料,本公开的实施例对此不做限定。
例如,第一转接电极241的材料可以包括金属材料或者合金材料,例如钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构。
例如,有源层222的材料可以包括多晶硅或氧化物半导体(例如,氧化铟镓锌)。栅极223的材料可以包括金属材料或者合金材料,例如钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构,例如,该多层结构为多金属层叠层(如钛、铝及钛三层金属叠层(Ti/Al/Ti))。源极224及漏极225的材料可以包括金属材料或者合金材料,例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构,例如,该多层结构为多金属层叠层(如钛、铝及钛三层金属叠层(Ti/Al/Ti))。本公开的实施例对各功能层的材料不做具体限定。
例如,如图5所示,第二平坦化层251设置在第一转接电极241远离衬底基板100的一侧,用以在第一转接电极241远离衬底基板100一侧提供平坦化表面。并且,在第二平坦化层251中形成过孔。
例如,第二平坦化层251的材料包括括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料,也可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料,本公开的实施例对此不做限定。
例如,如图5所示,第一平坦化层232在垂直于衬底基板200方向上的尺寸约为0.5-1.5微米,例如取值约为0.7微米,这里“约”字表示数值可以在其,例如±15%,又例如±%25范围内波动。第二平坦化层251在垂直于衬底基板200方向上的尺寸约为0.5-1.7微米,例如取值约为0.8微米,这里“约”字表示数值可以在其,例如±15%,又例如±%25范围内波动。也即是说,第一平坦化层232的厚度约为0.5-1.5微米,第二平坦化层251厚度约为0.5-1.7微米。
本公开一些实施例中,继续如图5所示,发光元件26设置在第二平坦化层251上,即发光元件26设置在第二平坦化层251远离衬底基板100一侧。发光元件26包括第一电极261(例如阳极)、发光层262及第二电极263(例如阴极)。发光元件26的第一电极261通过第二平坦化层251中的第二过孔252与第一转接电极241电连接。第一电极261的远离衬底基板100的一侧形成像素限定层216,像素限定层216包括多个开口K,以限定多个像素驱动电路单元P,多个开口K与多个子像素一一对应。开口K的每个暴露第一电极261,发光层262设置在像素限定层216的开口K中。第二电极263例如可以设置在部分或整个显示区中,例如,延伸在周边区202,从而在制备工艺中可以整面形成。
例如,第一电极261可以包括反射层,第二电极263可以包括透明层或半透明层。由此,第一电极261可以反射从发光层262发射的光,该部分光通过第二电极263发射到外界环境中,从而可以提供光出射率。当第二电极263包括半透射层时,由第一电极261反射的一些光通过第二电极263再次反射,因此第一电极261和第二电极263形成共振结构,从而可以改善光出射效率。
例如,第一电极261的材料可以包括至少一种透明导电氧化物材料,包括氧化锢锡(ITO)、氧化锢锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等。此外,第一电极261可以包括具有高反射率的金属作为反射层,诸如银(Ag)。
例如,对于OLED,发光层262可以包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料,可以为荧光发光材料或磷光发光材料,可以发红光、绿光、蓝光,或可以发白光;并且,根据需要发光层还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层。对于QLED,发光层可以包括量子点材料,例如,硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点等,量子点的粒径为2-20nm。
例如,第二电极263可以包括各种导电材料。例如,第二电极263可以包括锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等金属材料。
例如,像素限定层216的材料可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料,或者包括氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料,本公开的实施例对此不做限定。
例如,如图5所示,显示面板1还包括存储电容器27,存储电容器27可以包括第一电容电极271和第二电容电极272。第一电容电极271设置在第一绝缘层212与第二绝缘层213之间,第二电容电极272设置在第二绝缘层213与第三绝缘层214之间。第一电容电极271和第二电容电极272叠置,在垂直于衬底基板100的方向上至少部分重叠。第一电容电极271和第二电容电极272使用第二绝缘层213作为介电材料来形成存储电容器。第一电容电极271与第一晶体管T1中的栅极223同层设置,因此,第一电容电极271与栅极223可以在制备工艺中同层形成,例如采用同一材料层通过构图工艺形成,从而简化制备工艺,减少产品的制备成本。
例如,第二信号线GS2在显示区显示区10(例如第一子显示区101或第二子显示区102)中的部分可以与第一晶体管T1的第二电容电极272同层形成,例如采用同一材料层通过构图工艺形成,从而简化制备工艺。
在另一示例中,作为图5所示示例的变型,存储电容器的第一电容电极271仍然与栅极223同层设置,而存储电容器的第二电容电极272与像素驱动电路221中的源极224和漏极225同层设置,由此第一电容电极271和第二电容电极272使用第二绝缘层213以及第三绝缘层214的叠层来作为介电材料来形成存储电容器。
在再一示例中,作为图5所示示例的变型,存储电容器的第一电容电极271不再与栅极223同层设置,而是位于在第二绝缘层213以及第三绝缘层214之间,而存储电容器的第二电容电极272与像素驱动电路221中的源极224和漏极225同层设置,由此第一电容电极271和第二电容电极272使用第三绝缘层214来作为介电材料来形成存储电容器。
例如,如图5所示,显示面板1还包括封装层217。封装层217设置在发光元件26的远离衬底基板100的一侧。封装层217将发光元件26密封,从而可以减少或防止由环境中包括的湿气和/或氧引起的发光元件26的劣化。封装层217可以为单层结构,也可以为复合层结构,该复合层结构包括无机层和有机层堆叠的结构。封装层217包括至少一层封装子层。例如,封装层217可以包括依次设置的第一无机封装层2173、第一有机封装层2172、第二无机封装层2171。
例如,该封装层217的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、高分子树脂等绝缘材料。氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料的致密性高,可以防止水、氧等的侵入;有机封装层的材料可以为含有干燥剂的高分子材料或可阻挡水汽的高分子材料等,例如高分子树脂等以对显示面板的表面进行平坦化处理,并且可以缓解第一无机封装层和第二无机封装层的应力,还可以包括干燥剂等吸水性材料以吸收侵入内部的水、氧等物质。
例如,如图5所示,显示面板1还包括位于显示区10的第六绝缘层218。第六绝缘层218设置在封装层217的远离衬底基板100的一侧,以覆盖封装层217,且在封装层217远离衬底基板100一侧提供平坦化表面。
例如,第六绝缘层218的材料可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料,或者包括氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料;例如以第六绝缘层218为氧化硅,第六绝缘层218为氮化硅或者第六绝缘层218为氧化硅/氮化硅叠层为例。本公开实施例对此不做限定。
例如,在一些实施例中,在开口周边区,至少一条第一信号线与第二电极的距离大于至少一条第二信号线与第二电极的距离。如图12A所示,在周边区202中,第一信号线DS2的第一延伸部Y1(例如,位于第三绝缘层214与第四绝缘层232之间,没有发生换层)与第二电极263之间的距离为H1,第一信号线DS2的第一延伸部Y1(位于第四绝缘层232远离衬底基板的一侧,发生换层)与第二电极263之间的距离为X32,第二信号线GS2的弯折部GS22的位于第二绝缘层213与第三绝缘层214之间的部分(也即发生了换层)与第二电极263之间的距离为X33,第二信号线GS2的弯折部GS22的位于第二绝缘层213的靠近衬底基板100的一侧的部分(也即没有换层)与第二电极263之间的距离为H5;距离H5大于距离H1,X33大于X32,使得第二信号线距第二电极,如阴极距离整体上大于第一信号线。
如图12A所示,第二信号线GS2的弯折部GS22的位于第二绝缘层213与第三绝缘层214之间的部分(也即发生了换层)与第二电极263之间的距离为X33,第二信号线GS2的弯折部GS22的位于第二绝缘层213的靠近衬底基板100的一侧的部分(也即没有换层)与第二电极263之间的距离为H5,第一信号线DS2的第一延伸部Y1(例如,位于第四绝缘层232远离衬底基板的一侧,发生换层)与第二电极263之间的距离为X32,第二信号线GS2的弯折部GS22的位于第二绝缘层213与第三绝缘层214之间的部分(也即发生了换层)与第二电极263之间的距离为X33;距离H5大于距离H1,X33大于X32,使得第二信号线距第二电极,如阴极距离整体上大于第一信号线。
例如,如图5所示,显示面板1还包括触控层28。触控层28包括位于第六绝缘层218远离衬底基板一侧的第一触控图案层282、第二触控图案层281以及触控绝缘层283。第一触控图案层282包括交替连接的第一触控信号线Rx和第二触控信号线Tx,第二触控图案层281位于第一触控图案层282靠近衬底基板的一侧。触控绝缘层283位于第一触控图案层282与第二触控图案层281之间。第二触控图案层281包括多个第一转接部RL,多个第一转接部RL位于在第一触控信号线Rx和第二触控信号线Tx彼此交叉的位置,多个第一转接部RL连接通过穿过触控绝缘层283的过孔电连接第一触控信号线Rx。第二触控信号线Tx和第一触控信号线Rx在垂直于基板200板面的方向上彼此交叠并形成触控传感器,相邻的第二触控信号线Tx和第一触控信号线Rx之间也形成触控传感器。
例如,在其它实施例中,第一触控图案层282和第二触控图案层281可以分别包括第二触控信号线Tx和第一触控信号线Rx,第二触控信号线Tx通过贯穿触控绝缘层283的过孔电连接第一触控信号线Rx,第一触控信号线Rx连续,此时不需要再设置第一转接部RL。第二触控信号线Tx和第一触控信号线Rx在垂直于基板200板面的方向上彼此交叠并形成触控传感器,相邻的第二触控信号线Tx和第一触控信号线Rx之间也形成触控传感器。
例如,第一触控图案层282和第二触控图案层281为透明导电材料。例如,该透明导电材料可以是透明导电金属氧化物材料,例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)、氧化铟镓锌(IGZO)等。例如,在其它示例中,第二触控信号线Tx和第一触控信号线Rx可以为金属网格(Metal Mesh)结构,例如,该金属网格的材料可以是金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)或以上金属的合金材料。
例如,图6A为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的触控层的示意图;图6B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的触控层的示意图;图6C为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的触控层的示意图。如图6A、图6B以及图6C所示,第一触控信号线Rx沿第一方向X延伸,第二触控信号线Tx沿第二方向Y延伸,例如第一触控信号线Rx和第二触控信号线Tx垂直交叉。例如,第一触控信号线Rx包括多个分段,而第二触控信号线Tx为连续的,在第一触控信号线Rx和第二触控信号线Tx相互交叉的位置,第一转接部RL将第一触控信号线Rx的两个相邻的分段电连。第一转接部RL与第一触控信号线Rx位于不同层(如图5所示)。通过设置第一触控信号线Rx和第二触控信号线Tx可以提高显示面板触控的灵敏度。第一触控信号线Rx和第二触控信号线Tx的材料相同,采用同一构图工艺形成。例如,第一触控信号线Rx和第二触控信号线Tx形成为金属网格(Metal Mesh)图案。金属网格具有良好的延展性和柔韧性,可以使触控电极的耐弯折性以及可加工性提高,适用于柔性电子应用。将该金属网格形成的触控电极集成在显示面板时,金属网格中的金属线需要设置在显示面板的子像素P的发光元件的发光区(例如图5中的开口K处)以外,以避免金属线对光线的遮挡,造成像素开口率下降。
例如,图7A为本公开至少一实施例提供的图6B中D区的放大示意图。如图7A所示,例如,金属网格中的金属线对应,例如子像素P1、子像素P2或子像素P3的发光区之间的像素间隔区设置,金属网格中的网孔与,例如子像素P1、子像素P2或子像素P3一一对应设置,以暴露各子像素的发光元件。例如,子像素P1、子像素P2或子像素P3的发光元件的发光区分别发射绿光、蓝光或红光。
在本公开一些实施例中,如图6B以及图6C所示,触控层28还包括位于显示区的第二触控信号线Tx,第一触控信号线Rx、第二触控信号线Tx分别包括多个电连的电极块(例如6A所示的Tx0,Rx0),第一触控信号线Rx或者第二触控信号线Rx中的两个相邻的电极块之间通过第一转接部RL电连,第一转接部RL与两个相邻的电极块之间的接触面积为S4,S1≥a*S4;a为大于0.8的自然数。
在本公开至少一实施例中,如图6A至图6C所示,触控层28还包括位于显示区的第二触控信号线Tx,第一触控信号线Rx、第二触控信号线Tx分别包括多个电连的电极块(如图6A所示的Tx0、Rx0),第一触控信号线Rx或者第二触控信号线Tx中的两个相邻的电极块之间通过第一转接部RL电连,转接部与两个相邻的电极块之间的接触面积为S4,S1,S4满足:1≤S1/S4≤18。
例如,图7C为本公开至少一实施例提供的触控层的第一转接部的示意图。如图7A以及图7C所示,第一转接部RL与两个相邻的电极块之间的接触面积为Rx与第一转接部RL接触的部分,本公开实施了中接触的部分在过孔的位置,可以是16个,也可以是8个,12个,18个,20个等,本实施例以16个为例,S3为S3-1,S3-2,....S3-16之和。
需要说明的是,图7C中示意了四个接触位置的面积S3-1,S3-2,S3-3,S3-4;其他位置同理;本公开中的第一转接部RL与两个相邻的电极块之间的接触面积可以理解为,第一转接部RL与两个相邻的电极块通过过孔接触进行电连,接触面积可以是第一转接部RL与电极块在过孔中接触的面积。
在本公开一些实施例中,例如,第一触控信号线在周边区202断开,第二触控信号线在周边区202断开。如图6A以及图6B所示,触控层28围绕透光区201的周边区202断开,从而触控层28在衬底基板100上的正投影与透光区20至少部分不交叠。
例如,图8A为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第一侧的放大示意图。如图8A所示,第一触控信号线Rx和第二触控信号线Tx所在的触控层28的靠近透光区201的边缘,与透光区20之间的距离为X3。
本公开一些实施例中,触控层28还包括位于显示区的第二触控信号线Tx以及位于周边区的第二连接部Tx2,第二连接部Tx2与第二触控信号线Tx电连,第二连接部Tx2与m条第二信号线GS2在衬底基板上的投影交叠;第一触控信号线Rx在显示区的长度为w1,第二触控信号线Tx在显示区的长度为w2;第一连接部Rx1的面积为A2,第二连接部Tx2的面积为A6;m条第二信号线中的至少一条距第二电极之间的垂直距离为H5,n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部距第二电极之间的垂直距离为H2;其中,(H5/H2)>(A2*w1/A6*w2)。
需要说明的是,本公开实施例中部件的“面积”,可以理解为该部件在衬底基板上正投影的面积。例如第一连接部的面积A2,可以理解为第一连接部Rx1在衬底基板上的投影面积;也可以是第一连接部Rx1顶表面的面积;第二连接部Tx2的面积同理,这里不在赘述。
例如,如图6C所示,第一触控信号线Rx在显示区的长度w1为显示区一条触控信号线的长度,具体实施时第一触控信号线可以为触控感应线Rx;例如触控感应线Rx为条状电极,w1为条状电极的长度;例如触控感应线Rx为第一方向上电连接的金属网格状电极,w1为第一方向上电连接的金属网格状电极的直线长度,如图6C所示;同样的,第二触控信号线Tx在显示区的长度为w2为显示区一条触控信号线的长度,具体实施时第二触控信号线可以为触控驱动线Tx,w2的长度理解与w1类似,不再赘述。
在本公开一些实施例中,第一触控信号线也可以被配置为接收触控驱动信号,第二触控信号线也可以被配置为接收触控感应信号,也即是说在显示面板的横向、纵向上,触控信号根据实际设计进行提供即可。
在本公开一些实施例中,显示面板可以仅包括第一触控信号线,第一连接部Rx1用于连接在透光区缺失的触控电极部分,此时触控方式采用自容式识别即可。
在本公开一些实施例中,至少一条第二信号线GS2用于接收第三电压范围的电位,第一连接部用于接收第四电压范围的电位,第三电压范围的最大值大于第四电压范围的最大值。
例如,第二信号线GS2可以为扫描信号线,如栅线扫描线或者复位信号扫描线,第三电压范围为-8V~+8V,第四电压范围为1V~5V;具体实施时可以根据具体像素驱动电路进行电压值选取,本公开不做限制。
例如,触控层28还包括位于开口周边区2的至少一条第一连接部以及至少一条第二连接线,至少一条第一连接部自透光区的第一侧沿第一方向穿过开口周边区至透光区的第二侧。图7B为本公开至少一实施例提供的图6B中E区的放大示意图。如图6B以及图7B所示,触控层28还包括位于周边区202的第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1。第一连接部Rx1围绕透光区20的开口201走线并从透光区20的第一侧SS1通过延伸至透光区20的第二侧SS2,以将位于透光区20的周边区202的第一侧SS1的第一触控信号线Rx与位于透光区20的周边区202的第二侧SS2的第一触控信号线Rx电连接。第二连接线Tx1围绕透光区20的开口201走线并从透光区20的第三侧SS3通过延伸至透光区的第四侧SS4,以将位于透光区20的周边区202的第三侧SS3的第二触控信号线Tx与位于周边区202的第四侧SS4的第二触控信号线Rx连接。
例如,如图7B所示,第一连接部Rx1包括位于周边区202的第一弯折连接部Rx11。第二连接线Tx1包括位于周边区202的第二弯折连接部Tx11。第一弯折连接部Rx11经过开口周边区的第三侧SS3以及第四侧SS4围绕开口201绕线。第二弯折连接部Tx11经过开口周边区的第一侧SS1以及第二侧SS2围绕开口201绕线。第一连接部Rx1的第一弯折连接部Rx11在衬底基板上的正投影与第二信号线GS2的第二弯折部GS22在衬底基板上的正投影不交叠。即,第一连接部Rx1的第一弯折连接部Rx11在第三绕线区R3以及第四绕线区R4在衬底基板上的正投影,与第二信号线GS2的第二弯折部GS22在衬底基板上的正投影相比更靠近显示区。由此,第一连接部Rx1在第二信号线GS2走线密集的第三绕线区R3以及第四绕线区R4不交叠,以减少第二信号线GS2对第一连接部Rx1的电位影响。
例如,如图7B所示,周边区202包括触控信号线绕线区R5。触控信号线绕线区R5围绕开口201。第一连接部Rx1的第一弯折连接部Rx11以及第二连接线Tx1的第二弯折连接部Tx11位于触控信号线绕线区R5。触控信号线绕线区R5与第二信号线GS2的第二弯折部GS22经过的第三绕线区R3以及第四绕线区R4、第一信号线DS2的第一弯折部C1经过的第一绕线区R1以及第二绕线区R2部分交叠。触控信号线绕线区R5比第一绕线区R1、第二绕线区R2、第三绕线区R3以及第四绕线区R4更靠近显示区。
例如,如图7B所示,第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1的线宽大于第二信号线GS2以及第一信号线DS2的线宽。第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1的线宽的取值范围约为10μm-50μm,例如取值约为35微米,这里“约”字表示数值可以在其,例如±15%,又例如±%25范围内波动。第二信号线GS2以及第一信号线DS2的线宽的取值范围约为2μm-5μm,例如取值约为3.5微米,这里“约”字表示数值可以在其,例如±15%,又例如±%25范围内波动。
例如,图8B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的第四侧的放大示意图。如图8A以及图8B所示,第一连接部Rx1的第一弯折连接部Rx11在触控信号线绕线区R5的密度以及第二连接线Tx1的第二弯折连接部Tx11在触控信号线绕线R5的密度,小于第二信号线GS2的第二弯折部GS22在第三绕线区R3以及第四绕线区R4的密度,以及小于第一信号线DS2的第一弯折部C1在第一绕线区R1以及第二绕线区R2的密度。由此,减少开口周边区的密集走线对第一触控信号线Rx和第二触控信号线Tx的影响。
需要说明的是,本公开实施例中的走线的“密度”指的是单位面积内的走线的数量,例如在第一方向X或第二方向Y上单位距离内走线的数量。例如,图9A为本公开至少一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图。如图9A所示,触控信号线绕线区R5在径向上与显示区10的靠近透光区20的边界AS之间的距离X2小于,第一绕线区R1与第一显示区的靠近透光区20的边界AS在第一方向X上的距离X11或第二绕线区R1与第二显示区的靠近透光区20的边界AS在第一方向X上的距离X12,以及小于第三绕线区R3与第三显示区的靠近透光区20的边界AS在第二方向Y上的距离X13或第四绕线区R4与第四显示区的靠近透光区20的边界AS在第二方向Y上的距离X14。由此,减少开口周边区的密集走线对第一触控信号线Rx和第二触控信号线Tx的影响。
需要说明的是,图9A以开口201和透光区20为圆形为例进行说明,当开口201和透光区20为矩形时,例如触控信号线绕线区R5与显示区10的靠近透光区20的边界AS之间的距离为沿第一方向X或第二方向Y上的距离。
例如,图9B为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图。图10A为本公开至少另一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;图10B为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;图10C为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的示意图;图10D为本公开再一实施例提供的一种显示面板的透光区的示意图;图10E为本公开再一实施例提供的一种显示面板的透光区的示意图;图11A为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;图11B为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图;图11C为本公开至少再一实施例提供的一种显示面板的透光区的放大示意图。
如图9B-图11C所示,第二连接线Tx1包括位于开口201的第四侧SS4的第二子连接块Tx01、位于开口201的第三侧SS3的第二子连接块Tx02、位于开口201的第一侧SS1的第二子连接块Tx03以及位于开口201的第二侧SS2的第二子连接块Tx04。第二子连接块Tx01、第二子连接块Tx02、第二子连接块Tx03以及第二子连接块Tx04的正投影的部分与透光区20重叠,而将重叠的部分去除,使得第二子连接块Tx01、第二子连接块Tx02、第二子连接块Tx03以及第二子连接块Tx04的每个的面积小于其它第一连接部Tx,所以需要对第二子连接块Tx01、第二子连接块Tx02、第二子连接块Tx03以及第二子连接块Tx04进行电阻补偿。同样的,第一连接部Rx1包括位于第二子连接块Tx01以及第二子连接块Tx03之间的第一子连接块Rx01、位于第二子连接块Tx01以及第二子连接块Tx04之间的第一子连接块Rx02、位于第二子连接块Tx02以及第二子连接块Tx03之间的第一子连接块Rx03以及位于第二子连接块Tx02以及第二子连接块Tx04之间的第一子连接块Rx04。第一子连接块Rx01、第一子连接块Rx02、第一子连接块Rx03以及第一子连接块Rx04的正投影的部分与透光区20重叠,而将重叠的部分去除,使得第一子连接块Rx01、第一子连接块Rx02、第一子连接块Rx03以及第一子连接块Rx04的每个的面积小于其它第一连接部Rx1,所以需要对第一子连接块Rx01、第一子连接块Rx02、第一子连接块Rx03以及第一子连接块Rx04进行电阻补偿。
例如,如图9B-图11B所示,第一连接部Rx1还包括触控信号线绕线区R5的第一连接部补偿部分RB1以及第一连接部补偿部分RB2。第一连接部补偿部分RB1位于触控信号线绕线区R5的上侧(即第四侧SS4),第一连接部补偿部分RB1与第一子连接块Rx01和第一子连接块Rx02相邻,第一连接部补偿部分RB1通过第一连接部Rx1与第一子连接块Rx01和第一子连接块Rx02连接,一对第一子连接块Rx01和第一子连接块Rx02进行电阻补偿第一连接部补偿部分RB2位于触控信号线绕线区R5的下侧(即第三侧SS3),第一连接部补偿部分RB2与第一子连接块Rx03和第一子连接块Rx04相邻,第一连接部补偿部分RB2通过第一连接部Rx1与第一子连接块Rx03和第一子连接块Rx04连接,一对第一子连接块Rx03和第一子连接块Rx04进行电阻补偿。第二连接线Tx1还包括触控信号线绕线区R5的第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2。第二连接线补偿部分TB1的数量为4个,第二连接线补偿部分TB2的数量为两个。4个第二连接线补偿部分TB1呈矩形分布,4个第二连接线补偿部分TB1分别与连接第二子连接块Tx01和第二子连接块Tx02的第二连接线Tx1的第二弯折连接部Tx11连接,以对第二子连接块Tx01和第二子连接块Tx02进行电阻补偿。2个第二连接线补偿部分TB2分别与第二子连接块Tx03以及第二子连接块Tx04邻近,并且分别与第二子连接块Tx03以及第二子连接块Tx04通过第二连接线Tx1连接,以对第二子连接块Tx03以及第二子连接块Tx04进行电阻补偿。第一连接部补偿部分RB1以及第一连接部补偿部分RB2的数量小于第一连接部补偿部分TB1以及第一连接部补偿部分TB2的数量,减小开口周边区的密集走线对第一触控信号电极Rx的电位影响。
例如,如图9B-图11B所示,第一连接部补偿部分RB1与第一连接部Rx1可以是一体结构,位于同一膜层;第一子连接块Rx01和第一子连接块Rx02通过第一连接部Rx1电连,示意性的,第一子连接块Rx01和第一子连接块Rx02可以是块状的电极结构,也可以是块状的镂空(如金属网格)电极结构,其可以通过连接桥901(如图9B所示)与第一连接部Rx1电连。
例如,如图9B-图11B所示,连接桥901也可以和第一子连接块Rx01和第一子连接块Rx02为一体结构,例如可以是块状的电极结构,或者块状的镂空结构突出一部分与第一连接部Rx1电连,本实施例不做限制,只要实现第一子连接块Rx01(第一子连接块Rx01)和第一子连接块Rx02(第一子连接块Rx02)与第一连接部Rx1电连即可。
例如,在其它示例中,第二连接线补偿部分TB1的数量还可以为2个、8个等,第二连接线补偿部分TB2的数量为4个等,本公开实施例不以此为限。
例如,第二连接线补偿部分TB1与第二连接部Tx2可以为一体结构,如图10A所示,图中第二连接部TS2的四部分(位于图中的左上、左下、右上以及右下)以及与其对应设置的四个第二连接线补偿部分TB1,可以连接为一个整体,即将每个对应连接的第二连接线补偿部分TB1与第二连接部Tx2视为一个补偿部分。上述设计与具体的设计结构相关,并不构成对本公开实施例的限制。
例如,如图9B所示,第二连接部Tx2可以是多个块状结构,与第一连接部Rx1位于同一层。如图中所示的,第二连接部Tx2包括位于图中上、下、左、右的4个部分,两个第一连接部Rx1相对于第二连接部Tx2分别位于靠近开口201的一侧,并且两个第一连接部Rx1分别靠近位于上方的第二连接部Tx2以及位于下方的第二连接部Tx2。例如,如图9B所示,接收同一信号的多个第二连接部Tx2可以通过导电层电连,例如通过第二连接线Tx1将位于透光区201相对两侧的第二子连接块Tx01和第二子连接块Tx02电极块电连接。
例如,如图9B、图10A以及图10E所示,第二连接线Tx1可以围绕透光区201设置为环状,也可以断开从透光区201的左、右两侧分别将上、下位置的第二子连接块Tx01和第二子连接块Tx02电极块电连接,根据Tx01和Tx02电极块需要形成的电容的大小进行第二连接线Tx1的长度和宽度设计。
例如,如图10E所示,第二连接线Tx1的宽度大于第一信号线DS2,第二信号线GS2的线宽。对其进行断开处理,在第一连接部Rx1对应的位置设置可以设置虚设块903,如此可以使第一信号线DS2的第一弯折部C1与虚设块903对应,减缓第一连接部Rx1,第二电极(阴极),以及第一信号线DS2之间的相互影响。例如,如图8B、图9A以及图9B所示,第一连接部补偿部分RB2在衬底基板100上的正投影与第二信号线GS2的第二弯折部GS22经过的第三绕线区R3以及第四绕线区R4(图7B所示)部分重叠。第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2在衬底基板100上的正投影与第一信号线DS2的第一弯折部C1经过的第一绕线区R1以及第二绕线区R2(图7A所示)部分交叠。
例如,至少一个第二连接线补偿部分所在膜层与第二弯折连接部所在膜层不同。如图9B以及图12A所示,第二连接线Tx1的第二弯折连接部Tx11位于触控绝缘层283远离衬底基板的一侧的282的第二触控图案层281。第一连接部补偿部分RB1、第一连接部补偿部分RB2以及第二连接线Rx1位于第一触控图案层282,使得第一连接部补偿部分RB1、第一连接部补偿部分RB2以及第二连接线Rx1可以直接连接而不需要换层。第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2位于触控绝缘层283靠近衬底基板的一侧的282的第一触控图案层282。也就是说,第二连接线Tx1在经过第一连接部补偿部分RB1或第一连接部补偿部分RB2的时候发生了换层,从而不与第一连接部补偿部分RB1以及第一连接部补偿部分RB2连接。第二连接线Tx1的第二弯折连接部Tx11通过贯穿触控绝缘层283的过孔与第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2电连接,从而减少第一触控图案层282中第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2连接与第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1的交叠。
例如,如图9B所示,显示面板1还包括位于在触控信号线绕线区R5的虚拟补偿部分DMB1。例如,虚拟补偿部分DMB1的数量为两个,分别设置在触控信号线绕线区R5的两侧,且配置为平整化显示面板1。
例如,至少一条第一连接部的第一弯折连接部在衬底基板上的正投影与至少一条第一信号线以及至少一条第二信号线的其中至少两条交叠。至少一条第二连接线的第一弯折连接部在衬底基板上的正投影与至少一条第一信号线以及至少一条第二信号线的其中至少两条交叠。如图12A所示,第二连接线Tx1在衬底基板100上的正投影,与第二信号线GS2的第二弯折部GS22以及第一信号线DS2的第一弯折部C1中的至少两条的在衬底基板100上的正投影交叠。第一连接部Rx1在衬底基板100上的正投影,与第二信号线GS2的第二弯折部GS22以及第一信号线DS2的第一弯折部C1中的至少两条的在衬底基板100上的正投影交叠。例如,在第四绕线区R4,在第一绝缘层212与第二绝缘层213之间以及第二绝缘层213与第三绝缘层214之间都排布第二信号线GS2,在第三绝缘层214与第四绝缘层232之间以及第四绝缘层232的远离衬底基板的一侧都排布第一信号线DS2。在第四绕线区R4,排布四层走线的区域尽量与第二连接线Tx1在衬底基板100上的正投影交叠,以减小布线密集区域对第一连接部Rx1的影响。
例如,如图12A所示,在第一绕线区R1,在第三绝缘层214与第四绝缘层232之间以及第四绝缘层232的远离衬底基板的一侧都排布第一信号线DS2,第一信号线DS2在衬底基板100上的正投影与第二连接线Tx1在衬底基板100上的正投影交叠,以减小布线密集区域对第一连接部Rx1的影响。
例如,如图9A以及图12A所示,述开口周边区还包括第一子开口周边区203(例如减薄区)以及第二子开口周边区204(例如屏蔽区)。第一子开口周边区203位于触控信号线绕线区R5靠近开口201的一侧,第二子开口周边区204位于第一子开口周边区203靠近开口201的一侧。第一子开口周边区203与触控信号线绕线区R5至少部分交叠。
例如,第四绝缘层在第一子开口周边区的至少部分在垂直于衬底基板方向上的厚度小于第四绝缘层在显示区的在垂直于衬底基板方向上的厚度。如图12A所示,第一平坦化层232以及第二平坦化层251在第一子开口周边区203的远离衬底基板一侧的表面呈弧形,第一平坦化层232以及第二平坦化层251的厚度沿靠近开口201的方向逐渐减小。将第一平坦化层232以及以及第二平坦化层251的厚度减小,也即使得第二电极263呈弧形向靠近显示面板100的方向延伸,可以在远离显示区的第一子开口周边区203减小走线对发光元件26的第二电极263的影响。
例如,第一连接部在衬底基板上的正投影与第四绕线区的第三子区至少部分交叠,至少一条第二连接线的第二弯折连接部在衬底基板上的正投影与第一绕线区的第一子区至少部分交叠。如图10A、图10B以及图10C所示,第一连接部Rx1的第一连接部补偿部分RB1或第一连接部补偿部分RB2在衬底基板100上的正投影与第三子区R41交叠,也就是说,第二连接线Rx1的第一连接部补偿部分RB1或第一连接部补偿部分RB2尽量与走线密集度较小的区域交叠。第二连接线Tx1的第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2在衬底基板100上的正投影与第一子区R11交叠,也就是说,第二连接线Tx1的第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2尽量与走线密集度较小的区域交叠。由此,减少周边区202中的走线对第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1的电位影响。
又例如,至少一个第一连接部补偿部分在衬底基板上的正投影与第四绕线区的绕线第四子区至少部分不重叠,至少一个第二连接线补偿部分在衬底基板上的正投影与第一绕线区的绕线第二子区至少不交叠。如图11A以及图11B所示,第一连接部Rx1的第一连接部补偿部分RB1或第一连接部补偿部分RB2在衬底基板100上的正投影与第四子区R42部分不交叠,也就是说,第二连接线Rx1的第一连接部补偿部分RB1或第一连接部补偿部分RB2与走线密集度较大的区域不交叠。第二连接线Tx1的第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2在衬底基板100上的正投影与第二子区R12不交叠,也就是说,第二连接线Tx1的第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2尽量与走线密集度较大的区域不交叠。由此,减少周边区202中的走线对第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1的电位影响。
例如,如图11A以及图11B所示,触控信号线绕线区R5包括第一虚拟补偿部分DMB2。第一虚拟补偿部分DMB2的位于第一连接部补偿部分RB1、虚拟补偿部分DMB1、第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2的靠近开口201的一侧。第一连接部补偿部分RB1、虚拟补偿部分DMB1、第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2可以视为组成一个环形,将该环形通过一个环形的开口KM1分割为两部分。靠近开口201的一部分作为一虚拟补偿部分DMB2。根据第一触控信号线Rx以及第二触控信号线Tx需要补偿的信号多少,可以将第一连接部补偿部分RB1、第二连接线补偿部分TB1以及第二连接线补偿部分TB2的其中一部分切短,以作为虚拟补偿部分。开口KM1可以用于第二连接线Tx1的走线。第一虚拟补偿部分DMB2在衬底基板上的正投影与第一绕线区R1的第二子区R12以及第四绕线区R4的第四子区R42交叠。也就是说第一绕线区R1以及第四绕线区R4的走线密集的区域与第一虚拟补偿部分DMB2交叠,可以减少周边区202中的走线对第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1的电位影响。
例如,如图12A所示,触控信号线绕线区R5(例如中心处)与第二子开口周边区204沿第一方向X上的距离L4的取值范围约为10μm至15μm,例如取值约为12.5μm,这里“约”字表示数值可以在其,例如±15%,又例如±%25范围内波动。
例如,如图12A所示,显示面板1还包括位于第一子开口周边区203以及第一子开口周边区203与开口201之间区域的第五绝缘层29,以及位于触控层28远离衬底基板一侧的保护层284(例如,如图5所示)。第五绝缘层29位于封装层217远离衬底基板100的一侧。第二信号线GS2经过的第三绕线区R3以及第四绕线区R4(如图6B所示)与第一子开口周边区203部分交叠。触控信号线绕线区R5与第一子开口周边区203的部分交叠。在第一子开口周边区203以及第一子开口周边区203与开口201之间的区域,第五绝缘层29的设置增加了触控层28与显示面板100之间的距离,也即,增加了第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1与第二信号线GS2以及第一信号线DS2之间的距离,使得第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1位于第一子开口周边区203的部分与衬底基板100之间的距离大于第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1位于在触控信号线绕线区R5的与第一子开口周边区203不交叠的区域的部分与衬底基板100之间的距离。由此,减少了开口周边区中第二信号线GS2以及第一信号线DS2的密集走线对第一连接部Rx1以及第二连接线Tx1的电位影响。
例如,第五绝缘层29材料可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料,或者包括氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料,本公开的实施例对此不做限定。
例如,保护层284的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、高分子树脂等绝缘材料。氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料的致密性高,可以防止水、氧等的侵入,高分子树脂等可以对显示面板的表面进行平坦化处理,并且可以缓解应力。
例如,如图9A以及图12A所示,第二子开口周边区204还包括屏蔽线242,屏蔽线242,屏蔽线242配置为屏蔽干扰信号。显示面板1还包括位于第二子开口周边区204与开口201之间的拦截墙区、检测线PCD、位于第二子开口周边区204与拦截墙区之间的第一阻挡墙区31、拦截墙区与开口201之间的第二阻挡墙区32。第一阻挡墙区31、第二阻挡墙区32以及拦截墙区可以隔离显示区10与开孔区201,从而达到保护显示区10的作用。
例如,如图12A所示,第一阻挡墙区31包括凹槽311,凹槽311包括形成在封装层217中的凹槽312凹槽312被第一有机封装层2172覆盖。凹槽311将第二电极263断开,以减少开口周边区对第二电极263的影响。例如,凹槽311的每个的沿第一方向X的凹槽312的长度X4约为11μm-13μm,例如取值约为12μm,这里“约”字表示数值可以在其,例如±15%,又例如±%25范围内波动。例如,凹槽311(例如中心处)与第五绝缘层29(例如靠近衬底基板一侧的表面)沿垂直于衬底基板100方向上的距离X5大于5μm。
如图12A所示,第二电极263包括第一部分,第一部分延伸至开口周边区20。例如,第二电极263的另一部分位于显示区。图12B为图12A中的K2区的放大图。如图12B所示。第二电极263的第一部分包括第一子部分2631和第二子部分2632。第一子部分2631位于图中的左侧,第二子部分2632位于图中的右侧。第一子部分2631与第四绝缘层232在衬底基板100上的正投影至少部分交叠,第二子部分2632与第四绝缘层232在衬底基板100上的正投影不交叠。也即第二子部分2632为与第四绝缘层232不交叠的部分。如图12A所示,第二子部分2632向右侧延伸至第一阻挡墙区31。第一子部分2631与第一绕线区R1的第一子区R11以及第一绕线区R1的第二子区R12在衬底基板100上的正投影至少部分交叠。第二子部分2632与第一绕线区R1的第一子区R11以及第一绕线区R1的第二子区R12在衬底基板100上的正投影不交叠。
本公开一些实施例中,如图12A所示,多个像素驱动电路单元P分别包括第一晶体管T1,第一晶体T1与发光元件26电连接,发光元件位于第四绝缘层232远离衬底基板100的一侧。第二电极263包括位于周边区的第一子部分2631,第二子部分2632,第一子部分2631与第四绝缘层232投影至少部分交叠,第二子部分2632与第四绝缘层232投影不交叠。第一子部分2631与n条第一信号线DS2的第一延伸部Y1在衬底基板上的正投影交叠面积为S3;第二子部分2632与n条第一信号线DS2的第一弯折部C1在衬底基板100上的正投影交叠面积为S4,S3>S4。例如S4可以等于0,也即是说,第二子部分2632不与第四绝缘层232交叠后,同时也不和第一弯折部C1在衬底基板100上的投影交叠。
本公开一些实施例中,如图4E、图12A以及图12B所示,显示面板还包括第二信号线GS2,配置为给多个像素驱动电路单元P提供第二信号;n条第一信号线的中的一个第一延伸部Y1包括:与多条第二信号线弯折部GS22投影交叠的多个第一延伸交叠部YC(例如YC-1,YC-2,…YC-x);与该第一延伸部连接的第一弯折部C1包括与多条第二信号线的弯折部GS22中至少一条投影交叠的第一弯折交叠部CC;同一条第一信号线DS2上的多个第一延伸交叠部YC中的至少一个(例如YC-1,YC-2,…YC-x中的至少一个)至第二子部分2632的距离大于第一弯折交叠部CC至第二子部分的距离。
需要说明的是,本公开实施例中的投影交叠指的是,两者在衬底基板100上的正投影相互交叠。
例如,如图4E、图12A以及图12B所示,在垂直与衬底基板100的方向上,第一信号线DS2以及第二信号线GS2之间包括绝缘层,如层间绝缘层;第一信号线DS2与第二电极263(如阴极)之间包括平坦层;第一延伸交叠部YC以及第一弯折交叠部CC与第二子部分2632的距离与之间的平坦层厚度(进一步与平坦层、层间绝缘层等厚度)有关,本公开中第一延伸交叠部YC以及第一弯折交叠部CC与第二子部分2632的距离可以理解为第一延伸交叠部YC以及第一弯折交叠部CC距第二子部分2632上相同位置点,例如A点上的距离。
本公开一些实施例中,第一信号线的第一延伸部Y1为直线段,第一弯折部C1为弧线段。
本公开一些实施例中,如图3C、图12A以及图12B所示,n条第一信号线DS的中的一个第一延伸部Y1包括与显示区电连接的加宽部E1;同一条第一信号线上的加宽部E1至第二子部分2632的距离大于第一延伸交叠部YC或者第一弯折交叠部CC至第二子部分2632的距离。
例如,在垂直于衬底基板100的方向上,第一信号线DS2与第二电极163(如阴极)之间包括平坦层;加宽部E1、第一延伸交叠部YC以及第一弯折部C1距第二子部分2632的距离与三者各自与第二电极163之间的绝缘层厚度,例如平坦层厚度,或者与平坦层、层间绝缘层等厚度有关;本公开中加宽部E1第一延伸交叠部YC以及第一弯折部C1距第二子部分2632的距离可以理解为三者距第二子部分2632上相同位置点,例如A点上的距离。如此可以使第二子部分2632尽量远离显示区以及与其较近的第一弯折部C1尽量远离显示区,使得对显示的影响尽量减小。
本公开一些实施例中,如图5、图12A以及图12B显示面板包括像素限定层216,像素限定层216位于第四绝缘层232远离衬底基板100的一侧并包括多个像素开口K,发光元件26的发光层262的至少部分位于多个像素开口K中;第四绝缘层232包括位于周边区,且与第一信号线投影不交叠的减薄部2321,减薄部在垂直于衬底基板100方向上的厚度小于第四绝缘层在显示区中垂直于衬底基板100方向上的厚度。也即第四绝缘层232的靠近透光区201(例如可以是开口)的边缘的部分被减薄。
如图12B所示,第四绝缘层232包括与第二信号线GS2以及第二信号线GS2在衬底基板100上不交叠的减薄部2321(图中虚线框出的部分)。减薄部2321的远离衬底基板100一侧的表面为斜面。减薄部2321在垂直于衬底基板100方向上的厚度小于第四绝缘层232在第一子区R11在垂直于衬底基板100方向上的厚度。也即第四绝缘层232的靠近开口201的边缘的部分被减薄。
本公开一些实施例中,第一连接部包括第一连接子部;第一连接子部在衬底基板上的正投影与n条第一信号线的第一弯折部在衬底基板上的正投影不交叠;n条第一信号线中,相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部之间的距离;第一连接子部投影位于第二电极投影范围内,且第一连接子部与第二电极的垂直距离H3大于第一信号线的第一主体部至第二电极的垂直距离H4。
例如,第一连接部Rx1与第一连接子部可以为一体结构,此时第一连接子部与第二电极263的垂直距离H3可以理解为大致等于第一连接部Rx1与第二电极的263的距离H2。
例如,第一信号线的第一主体部DS与第一延伸部Y1可以同层设置,此时第一信号线的第一主体部DS与第二电极263的垂直距离H4大致等于第一延伸部Y1与第二电极的263的垂直距离距离H1。又例如,第一主体部DS与和其电连的第一延伸部Y1位于不同层,则第一信号线的第一主体部DS与第二电极263的垂直距离H4会大于或者小于第一延伸部Y1与第二电极的263的垂直距离距离H1,两者的差值为中间绝缘层的厚度值。
如图4C以及图12B所示,在垂直于衬底基板100的方向上,同一条第二信号线GS2上的多个第二延伸交叠部ST1至第二电极263的第二子部分2632的距离大于第二弯折交叠部WT1至第二电极263的第二子部分2632的距离。也就是说,第二弯折交叠部WT1比第一延伸交叠部ST1更靠近开口201。由于第四绝缘层232的靠近开口201的边缘的部分被减薄,第二电极263的第二子部分2632在减薄区向靠近衬底基板100的一侧弯曲延伸。由此,使得多个第二延伸交叠部ST1至第二电极263的第二子部分2632的距离大于第二弯折交叠部WT1至第二电极263的第二子部分2632的距离。
如图3D、如图4C以及图12B所示,在第一方向X上,同一条第二信号线GS2上的第二加宽部E2至第二电极263的第二子部分2632的距离大于多个第二延伸交叠部ST1或者多个第二弯折交叠部WT1至第二电极263的第二子部2632分的距离。也即第二加宽部E2比多个第二延伸交叠部ST1或者多个第二弯折交叠部WT1更靠近显示区。
如图3D、如图4C以及图12B所示,相邻两个第二加宽部E2之间的距离大于相邻两个第二弯折交叠部WT1或者相邻两个第二延伸交叠部ST1之间的距离。
本公开一些实施例中,至少一条第一信号线DS1/DS2用于接收第一电压范围的电位,第一子部分用于接收第二电压范围的电位,第一电压范围的绝对值的最大值大于第二电压范围绝对值的最大值。
本公开一些实施例中,第一电压范围为0V~+8V;第二电压范围为-2V~-5V。例如第一信号线可以是数据信号线,第一电压范围为数据线电压范围;例如第二电压范围为阴极电压范围,第一子部用于接收阴极电压电位。
本公开一些实施例中,至少一条第二信号线GS2用于接收第三电压范围的电位,第一连接部用于接收第四电压范围的电位,第三电压范围的最大值大于第四电压范围的最大值。
例如,第二信号线GS2可以为扫描信号线,如栅线扫描线或者复位信号扫描线,第三电压范围为-8V~+8V,第四电压范围为1V~5V;具体实施时可以根据具体像素驱动电路进行电压值选取,本公开不做限制。
本公开一些实施例中,如图12B,第二电极263包括位于所述减薄部上的第三子部分2631’;例如第一子部分2631位于减薄部上的部分2631’(第三子部分2631’)与衬底基板100所在平面的夹角包括第一坡度角a1,第一连接部Rx1所在平面与衬底基板所在平面的夹角包括第二坡度角a2,第一坡度角a1大于等于第二坡度角a2。
例如,如图12B,第一子部分2631位于减薄部2321上的部分2631’(第三子部分2631’)与衬底基板100所在平面的夹角沿靠近衬底基板100的部分呈增加趋势,第一坡度角a1为位于减薄部2321上的部分2631’(第三子部分2631’)的切面与衬底基板所在平面夹角的最大值;具体实施时a2小于等于5°,例如可以是0°、1°、2°以及3°等。本公开实施例也可以是大于5°的值,只要满足第一坡度角a1大于等于第二坡度角a2即可。
本公开一些实施例中,如图12A所示,显示面板1还包括位于显示区和透光区的阻挡结构DAM,阻挡结构DAM厚度为H6,第二电极263还包括隔断部2633,隔断部2633至阻挡结构DAM的距离为L2,第一坡度角a1小于acrtan(H6/(L2/10))。
在本公开一些实施例中,第二子部分2632上方还包括第一有机封装层2172,第一坡度角a1小于acrtan(H6/(L2/10)),如此,可以进一步减缓第二电极263上方有机层流动,提升封装性能。
在本公开一些实施例中,第二坡度角a2的取值范围为0°~10°。
在本公开一些实施例中,第一连接部Rx1的宽度大于10μm;至少一条第一信号线的线宽的取值范围为1μm-5μm。
例如,第一信号线的线宽DS的线宽的取值为1.5~3μm,第一连接部Rx1宽度为在第二方向Y上的尺寸,具体实施时,可以是20μm,40μm,50μm,60μm,70μm,90μm,110μm,130μm,150μm,170μm,190μm,以及这些点值之间的数值。需要第一连接部Rx1的宽度根据孔的大小,以及孔周边的边框宽度进行实际设计,本实施例不做限制。
本公开一些实施例中,如图12B所示,显示面板还包括位于发光元件26与触控层28之间的封装层217以及位于周边区的第五绝缘层29;封装层217至少包括第一有机封装层,第五绝缘层位于第一有机封装层2172远离衬底基板100的一侧;触控层28包括第一虚设块RB1-1,第一虚设块包括至少部分设置在第五绝缘层之上的第一子虚设块RB1’;第一连接部Rx1与衬底基板100之间的距离小于第一子虚设块RB1’与衬底基板100之间的距离。
例如,如图12B所示,第五绝缘层29的厚度大于2μm,例如,第五绝缘层29的厚度范围为2μm~11μm,如(单位μm)3,4,5,6,7,8,9,10,以及各点值之间的中间数值,第一子虚设块RB1’与衬底基板100之间的距离大于第一连接部Rx1与衬底基板100之间的距离,例如设计大于2μm,如此可以减缓第一子虚设块RB1’,第二电极,以及其下方信号线之间的影响。
在本公开一些实施例中,如图12B所示,第五绝缘层29包括第一侧面,第一虚设块RB1-1设置在第一侧面上,第一虚设块RB1-1与衬底基板所在平面的夹角包括第三坡度角a3,且a3≥5*a1≥a2。
在本公开一些实施例中,如图12B所示,例如,第三坡度角a3的角度范围为30°~60°。
在本公开一些实施例中,如图12A至图12D所示,显示面板还包括位于显示区和透光区之间的阻挡结构DAM,位于发光元件26与触控层28之间的封装层217以及位于周边区的第五绝缘层29;封装层217至少包括第一有机封装层2172,第五绝缘层29位于第一有机封装层2172远离衬底基板100的一侧;以及第一凹槽312-1,第一凹槽312-1位于阻挡结构DAM远离显示区的一侧,第五绝缘层29位于凹槽中的厚度为H8,其中,H8≤H2。
例如,第五绝缘层29位于凹槽中的厚度可以是5μm~10μm;例如可以是6μm,7μm,8μm,9μm,从而提高透明区201或者透明区201周边的周边区202与显示区10的平整性。
在本公开一些实施例中,如图12D所示,第一连接部Rx1与第二电极263的垂直距离为H2,显示面板还包括位于显示区和透光区之间的阻挡结构以及第二凹槽312-2,第二凹槽位于阻挡结构DAM远离显示区的一侧;显示面板还包括第二虚设块2634,第二虚设块2634至少部分位于第二凹槽312-2中,第二虚设块2634与第一虚设块DMB2的垂直距离H7,H7与第一连接部与第二电极的垂直距离H2不同,第二虚设块2634较第二电极263远离显示区,第二虚设块2634浮接。
需要说明的是,本公开实施例中的第一凹槽312-1,第二凹槽312-2可以是同一个凹槽,如图12D所示;也可以是分隔开的多个,本公开实施例不做限制。
例如,第二阻挡墙区32中可以包括多个与第一凹槽312-1相同结构的凹槽,如4~8个,或者更多,其上方覆盖保护层,有利于封装性能。
本公开一些实施例中,如图12D所示,第二虚设块2634与衬底基板之间的夹角小于等于第一虚设块DMB2与衬底基板100之间的夹角。
本公开一些实施例中,如12B所示,显示面板还包括位于发光元件与触控层28(例如触控层28包括第二连接线补偿部分TB1、第二连接线Tx1等结构)之间的封装层217以及位于周边区的第五绝缘层29;封装层217至少包括第一有机封装层2172,第五绝缘层29位于第一有机封装层2172远离衬底基板100的一侧;触控层28包括第一虚设块RB1-1,第一虚设块RB1-1和第一连接部Rx1之间存在间隙L0;n条第一信号线的中的一个第一延伸部Y1包括与显示区电连接的加宽部E1;加宽部E1与该条信号线上的第一延伸交叠部YC的最小直线距离为L3;第一虚设块RB1-1的面积为A4,加宽部E1的面积为A5,第一虚设块RB1-1与第二电极的垂直距离为h1’,加宽部与第二电极的垂直距离为h2’,其中h1’/h2’>(A5/A4)*(L0/L3)。
例如,第一延伸部Y1的加宽部E1与该第一延伸部为一体结构,此时加宽部与第二电极的垂直距离h2’等于第一延伸部Y1与第二电极的垂直距离H1。
例如,L0数值为9~13μm,L3数值范围为4~10μm;例如L0数值为10~11μm;12~13μm;L3数值范围为5~6μm;7~8μm;9~10μm;11~12μm等。
例如,图13为本公开至少一实施例提供的图12A中H区域的示意图,如图13所示,拦截墙区DAM包括第一拦截墙303以及第二拦截墙305,第一阻挡墙区31包括第一阻隔墙302,第二阻挡墙区32包括第二阻隔墙304。如图10所示的第一阻隔墙302的数量为2个。
例如,图13所示,本公开至少一个实施例中第一阻隔墙302的数量也可以为1个,第一阻隔墙302也可以设计为图12A中的第三凹槽312结构,同时,第二阻隔墙304也可以设计为图12A中的第三凹槽312结构,也即是说设计为将衬底基板挖槽的结构。
例如,第一阻挡墙区31和/或第二阻挡墙区32中,也可以设计第三凹槽312结构与第一阻隔墙302结构的组合;第三凹槽312,第一阻隔墙302的个数可以是一个或者多个,本公开实施例不做限制。
例如,第一拦截墙303以及第二拦截墙305可以只保留其中一者,也可以理解为拦截墙区DAM只设置一个拦截墙,如12A所示,只要DAM高度能够阻挡第一有机封装层溢流即可;具体实施时,DAM高度为3μm~7μm之间;例如可以是4μm~6μm之间。
例如,图14A为本公开至少一实施例提供的一种显示面板中第一阻隔墙的截面示意图;图14B为本公开至少一实施例提供的一种显示面板中第一拦截墙的截面示意图;图14C为本公开至少一实施例提供的一种显示面板中第二阻隔墙的截面示意图;图14D为本公开至少一实施例提供的一种显示面板中第二拦截墙的截面示意图。
例如,如图13和图14A所示,第一阻隔墙302包括第一金属层结构302B,第一金属层结构302B的开口201的至少一个侧面具有凹口。例如,第一金属层结构302B面向开口201的侧面和背离开口201的侧面均具有凹口,即图11A示出的情况,在其他示例中,也可以在第一金属层结构302B的一个侧面具有凹口。第一阻隔墙302可以断开显示面板上整面形成的功能层,例如发光元件26的第二电极263等。
如图13和图14B所示,第一拦截墙303包括第一绝缘层结构,第一绝缘层结构例如包括多个子绝缘层的叠层,图10和图11B示出为包括两个子绝缘层3031和3032的叠层。第一拦截墙303可以拦截显示区10中形成的一些功能层,防止这些功能层的材料靠近或进入开口201。
如图13和图14C所示,第二阻隔墙304包括第二金属层结构304B和第一叠层结构304A,第二金属层结构304B位于第一叠层结构304A上,第二金属层结构304B的围绕开口201的至少一个侧面具有凹口。例如,第二金属层结构304B的面向开口201的侧面和背离开口201的侧面均具有凹口,即图13和图14C示出的情况,在其他示例中,也可以在第二金属层结构304B的一个侧面具有凹口。例如,第一叠层结构304A包括具有金属层和绝缘层的叠层。第二阻隔墙304也可以断开显示面板上整面形成的功能层,从而与第一阻隔墙302一起达到双重阻隔效果,此时,即使第一阻隔墙302和第二阻隔墙304中的一个失效,第一阻隔墙302和第二阻隔墙304中的另一个也会实现阻隔效果;另外,第二阻隔墙304靠近开口201,在例如通过冲压或者切割等方式形成开口201时,第二阻隔墙304还可以防止形成开口201时可能产生的裂纹进行扩展,从而避免裂纹延伸至显示区10。
例如,第一阻隔墙302、第一拦截墙303以及第二阻隔墙304的个数可以为一个或者多个,图13中示出两个第一阻隔墙302、一个第一拦截墙303以及一个第二阻隔墙304作为示例,但这并不构成对本公开实施例的限制。
例如,在一些示例中,第二阻隔墙304的第二金属层结构304B与第一阻隔墙302的第一金属层结构302B具有相同的结构,并且包括相同的材料。由此,在显示面板的制备工艺中,第二阻隔墙304的第二金属层结构304B与第一阻隔墙302的第一金属层结构302B可以通过相同的材料层通过相同的构图工艺形成,以简化显示面板的制备工艺。
例如,在一些实施例中,如图14C所示,第二阻隔墙304的第一叠层结构304A的叠层包括依次设置在衬底基板100上的第一金属子层3041、第一绝缘子层3042、第二金属子层3043以及第二绝缘子层3044。例如,第一金属子层3041与栅极223同层设置,第一绝缘子层3042与第一绝缘层212或第二绝缘层213同层设置,第二金属子层3043与第二电容电极272同层设置,第二绝缘子层3044与第三绝缘层214同层设置。由此,这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成,以简化显示面板的制备工艺。
例如,第二阻隔墙304的形式可以为多种。例如,在一些示例中,如图11C所示,第二阻隔墙304的第一绝缘子层3042和第二绝缘子层3044可以分别与第一金属子层3041和第二金属子层3043具有相同的图案,从而在图11C中体现为具有相同的宽度。此时,在制备工艺中,第一绝缘子层3042和第二绝缘子层3044可以通过进一步的刻蚀工艺以形成相应的图案。
例如,在一些实施例中,如图14A所示,第一阻隔墙302还可以包括第二绝缘层结构302A,第一金属层结构232B位于第二绝缘层结构302A上。例如,第二绝缘层结构302A包括多个绝缘子层,例如图11A中示出为包括绝缘子层3021和3022。例如,绝缘子层3021与一绝缘层212或第二绝缘层213同层设置,绝缘子层3022与第三绝缘层214同层设置,从而在制备工艺中这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成。第二绝缘层结构302A的设置可增强第一阻隔墙302的阻隔效果,并有利于之后在第一阻隔墙302上例如通过沉积等方式形成的第一无机封装层2173可以更好地沿第一阻隔墙302的表面形貌形成。
例如,如图14B所示,第一拦截墙303包括多个绝缘子层,图14B中示出为包括绝缘子层3031和绝缘子层3032。例如,绝缘子层3031和3032与第一平坦化层232、第二平坦化层251、像素界定层216中的两种一一对应且同层设置。例如,绝缘子层3031与第一平坦化层232同层设置,绝缘子层3032与第二平坦化层251同层设置。由此,在制备工艺中这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成。
例如,如图13所示,第二拦截墙305高于第一拦截墙303。由此,第二拦截墙305与第一拦截墙303一起可以达到双重拦截效果。
例如,在一些示例中,如图14D所示,第二拦截墙305包括多个绝缘子层,图14D中示出为包括绝缘子层3051、绝缘子层3052以及绝缘子层3053,例如,绝缘子层3051与第一平坦化层232同层设置,绝缘子层3052和第二平坦化层251同层设置,绝缘子层2053与像素界定层216同层设置。由此,在制备工艺中,这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成。
例如,第一金属层结构302B的三个金属子层3023/3024/3025以及第二金属层结构304B的三个金属子层3045/3046/3047分别与源极224及漏极225的三层金属层一一对应且材料相同。由此,第一金属层结构302B、第二金属层结构304B与源极224及漏极225可以采用相同的三层金属材料层并利用相同的构图工艺形成。
本公开至少一实施例提还供一种显示面板,该显示面板包括衬底基板,还包括透光区、至少部分围绕所述透光区的显示区、以及所述显示区与所述透光区之间的周边区;多个像素驱动电路单元,所述多个像素驱动电路单元的至少部分位于所述显示区;n条第一信号线,配置为给所述多个像素驱动电路单元提供第一信号;至少一条所述第一信号线包括位于显示区的第一主体部,位于所述周边区的第一延伸部和第一弯折部,所述第一延伸部与所述第一主体部电连,所述第一弯折部至少部分围绕所述透光区,且较所述第一延伸远离所述第一主体部,其中,所述n条第一信号线中,相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部之间的距离;触控层,包括位于所述显示区的第一触控信号线以及位于所述周边区的第一连接部,所述第一连接部与所述第一触控信号线电连接;m条第二信号线,所述m条第二信号线配置为给所述多个像素驱动电路单元提供第二信号;所述第一连接部与所述m条第二信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;以及发光元件,包括第一电极、发光层以及第二电极,所述第一电极位于所述n条所述第一信号线远离所述衬底基板的一侧,且与至少一个像素驱动电路单元电连接,所述第二电极位于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧,所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间;在所述n条第一信号线中,所述相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离为b1,在所述n条第一信号线中,至少一条所述第一信号线的第一延伸部在垂直所述衬底基板的方向上与所述第二电极的距离为H1;在所述m条第二信号线中,相邻两条第二信号线在与所述第一连接部交叠区域之间的间距为b2,在所述m条第二信号线中,至少一条所述m条第二信号线在垂直所述衬底基板的方向上与所述第二电极之间的距离为H5,其中,b1>b2,H5>H1。本公开实施例在有限的空间中,靠近显示区的信号线尽量间距设计较大,从而保证有一部分信号线密度较为稀疏,从而使得靠近显示区有部分阴极受到的信号线引线减少,以及将对应位置信号线布置密集的第二信号线远离第二电极设置,从而缓解第二电极收到的影响,提升显示效果。
本公开至少一实施例中,如图3D、图12A~图12D所示,该显示面板包括衬底基板100,还包括透光区201、至少部分围绕所述透光区201的显示区10、以及所述显示区10与所述透光区之间的周边区202;多个像素驱动电路单元P,所述多个像素驱动电路单元P的至少部分位于所述显示区;n条第一信号线DS2,配置为给所述多个像素驱动电路单元P提供第一信号;至少一条所述第一信号线DS2包括位于显示区的第一主体部DS,位于所述周边区202的第一延伸部Y1和第一弯折部C1,所述第一延伸部Y1与所述第一主体部电连DS,所述第一弯折部C1至少部分围绕所述透光区201,且较所述第一延伸部Y1远离所述第一主体部DS;其中,所述n条第一信号线DS2中,相邻两条第一信号线DS的第一延伸部Y1之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部C1之间的距离;该显示面板还包括第二信号线GS2,第二信号线GS2配置为给所述多个像素驱动电路单元P提供第二信号;所述第一连接部Rx1与m条所述第二信号线GS2在所述衬底基板100上的正投影至少部分交叠,在所述n条第一信号线DS2中,相邻两条第一信号线DS2的第一延伸部Y1之间的距离为b1,在所述n条第一信号线中,至少一条所述第一信号线DS2的第一延伸部Y1在垂直所述衬底基板的方向上与所述第二电极263的距离为H1;在所述m条第二信号线GS2中,相邻两条第二信号线GS2在与所述第一连接部Rx1交叠区域之间的间距为b2,在所述m条第二信号线中,至少一条所述m条第二信号线在垂直所述衬底基板的方向上与所述第二电极263之间的距离为H5,其中,b1>b2,H5>H1。
本公开至少一实施例中,第一信号可以是数据信号,第二信号可以是扫描信号。
本公开至少一实施例中,所述第一信号线的第一延伸部为直线段,所述第一弯折部为弧线段。
例如,本公开一些实施例中,第一弯折部C1可以为折线,其至少部分围绕所述透光区201即可,也可以理解为,第一弯折部C1的延伸方向较主体部DS的延伸方向有偏移。
例如,本公开一些实施例中,第一延伸部Y1为直线段,可以理解为其延伸方向与主体部DS一致,第一弯折部C1为弧线段可以理解为其延伸方向较主体部DS的延伸方向有偏移。
本公开至少一实施例中,所述第一连接部Rx1的宽度大于10μm;至少一条所述第一信号线的线宽的取值范围为1μm-5μm。
例如,本公开一些实施例中,第一连接部Rx1的形状可以是矩形,此时第一连接部Rx1的宽度可以是矩形的宽度;又例如第一连接部Rx1的形状可以是弧形块,此时第一连接部Rx1的宽度可以是沿透光区201径向方向的平均宽度。
本公开至少一实施例中,该显示面板还包括沿远离所述衬底100方向上设置的第一绝缘层212、第二绝缘层213、第三绝缘层214以及第四绝缘层232,所述n条第一信号线DS中的至少一条的第一延伸部Y1位于所述第三绝缘层214与所述第四绝缘层232之间。例如图12A、图12B中所示,所述n条第一信号线DS中的至少一条的第一延伸部Y1与第一弯折部C1为一体结构,该至少一条的第一延伸部Y1位于第三绝缘层214以及第四绝缘层232之间。
本公开至少一实施例中,如图3D、图3F、图12C等所示,所述n条第一信号线DS中的至少一条的第一延伸部Y1位于所述第四绝缘层232远离所述衬底基板100的一侧,该第一延伸部Y1通过过孔与与其对应的第一主体部DS电连接。
本公开至少一实施例中,如图3E、图3G、图12A~图12C等所示,所述m条第二信号线GS2中的至少一条位于所述第三绝缘层214靠近所述衬底基板100的一侧。
本公开至少一实施例中,如图12A、图12C所示,在垂直所述衬底基板的方向上,所述第一连接部Rx1与所述第二电极263的距离为H2,其中,H2>H5>H1。
本公开至少一实施例中,例如第一连接部Rx1与第二连接线补偿部分TB1同层设置,如图12A所示,所述第一连接部Rx1与所述第二电极263的距离大致等于第二连接线补偿部分TB1与所述第二电极263的距离。
本公开至少一实施例中,像素显示区中的像素驱动电路单元可以采用低温多晶硅半导体驱动电路,例如7T1C电路驱动;也可以采用氧化物半导体驱动电路,例如3T1C;也可以采用LTPO(低温多晶硅与氧化物两者)驱动电路,例如6T1C,7T1C,8T1C,8T2C,9T1C,9T2C等电路,本实施例不做限定。
例如,采用LTPO驱动电路时,显示面板中的导电层、或者转接层,或者换层结构可以与低温多晶硅TFT的源漏电极同层,或者同材料,也可以与氧化物TFT的源漏电极同层,或者同材料;也可以与低温多晶硅TFT、或者氧化物TFT的的栅极同层,或者同材料,本公开实施例不做限定。
例如,采用LTPO驱动电路时,可以增加遮光层,该遮光层用于对氧化物TFT沟道进行遮挡;同时该遮光层还可以设置在周边区202,可以是环状,提升成像效果。
本公开至少一实施例中,例如,采用LTPO驱动电路时,遮光层在衬底基板上的投影与触控层中的第一虚设块RB1-1在衬底基板上的投影至少部分交叠。
需要说明的是,本公开至少一实施例中的距离可以理解为沿垂直与衬底基板的方向上,两个物体之间的垂直距离。
需要说明的是,本公开实施例中的“大致”、“基本上”、“约”等,表示考虑到误差范围,相关的数值可以在其,例如,±10%,±15%,20%,或者±25%等的范围内波动。
图15为本公开至少一实施例提供的一种显示装置的示意图。本公开至少一个实施例提供一种显示装置2,该显示装置可以包括上述任一实施例的显示面板1。
例如,如图15所示,显示装置2还可以包括柔性电路板及控制芯片。例如,柔性电路板邦定到显示面板1的邦定区,而控制芯片安装在柔性电路板上,由此与显示区电连接;或者,控制芯片直接邦定到邦定区,由此与显示区电连接。
例如,控制芯片可以为中央处理器、数字信号处理器、系统芯片(SoC)等。例如,控制芯片还可以包括存储器,还可以包括电源模块等,且通过另外设置的导线、信号线等实现供电以及信号输入输出功能。例如,控制芯片还可以包括硬件电路以及计算机可执行代码等。硬件电路可以包括常规的超大规模集成(VLSI)电路或者门阵列以及诸如逻辑芯片、晶体管之类的现有半导体或者其它分立的元件;硬件电路还可以包括现场可编程门阵列、可编程阵列逻辑、可编程逻辑设备等。
例如,本公开至少一个实施例提供的显示装置2可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (27)
1.一种显示面板,包括:衬底基板、多个像素驱动电路单元以及n条第一信号线,
其中,所述显示面板还包括发光元件,所述发光元件包括第一电极、发光层以及第二电极,所述第一电极位于所述n条第一信号线远离所述衬底基板的一侧,且与所述多个像素驱动电路单元的至少一个电连接,所述第二电极位于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧,所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间;所述发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件中的一种;
其中,所述衬底基板包括透光区、至少部分围绕所述透光区的显示区、以及所述显示区与所述透光区之间的周边区,
所述多个像素驱动电路单元至少部分位于所述显示区,
所述n条第一信号线配置为给所述多个像素驱动电路单元提供第一信号,
所述n条第一信号线的至少一条包括位于所述显示区的第一主体部、位于所述周边区的第一延伸部和第一弯折部,所述第一延伸部与所述第一主体部电连接,所述第一弯折部至少部分围绕所述透光区,且较所述第一延伸部远离第一主体部,
在所述n条第一信号线中,相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离大于所述相邻两条第一信号线的第一弯折部之间的距离,
所述多个像素驱动电路单元的至少之一包括低温多晶硅薄膜晶体管以及氧化物晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示面板,还包括:触控层,
其中,所述触控层包括位于所述显示区的第一触控信号线以及位于所述周边区的第一连接部,所述第一连接部与所述第一触控信号线电连接,
所述第一连接部与所述n条第一信号线的第一延伸部在所述衬底基板上的正投影交叠面积为S1,所述第一连接部与所述n条第一信号线的第一弯折部在所述衬底基板上的正投影交叠面积为S2,
其中,S1≥S2,S1大于零,n为大于1的整数,
在所述n条第一信号线中,至少一条所述第一信号线的第一延伸部长度为L1,在垂直所述衬底基板的方向上,至少一条所述第一信号线的第一延伸部与所述第二电极的距离为H1,并满足公式:L1*H1=K*(S1/n),k为1~20之间的自然数。
3.根据权利要求1所述的显示面板,还包括:沿远离所述衬底基板方向上设置的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第四绝缘层,
其中,所述多个像素驱动电路单元分别包括低温多晶硅薄膜晶体管以及氧化物晶体管,所述低温多晶硅薄膜晶体管以及氧化物晶体管的其中之一与所述发光元件电连接,所述发光元件位于所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧;
所述第二电极包括位于周边区的第一子部分和第二子部分,所述第一子部分在所述衬底基板上的正投影与所述第四绝缘层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述第二子部分在所述衬底基板上的正投影与所述第四绝缘层在所述衬底基板上的正投影不交叠;
所述第一子部分与所述n条第一信号线的第一延伸部在所述衬底基板上的正投影交叠面积为S3;所述第二子部分与所述n条第一信号线的第一弯折部在所述衬底基板上的正投影交叠面积为S4,
其中,S3>S4。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部位于所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述低温多晶硅薄膜晶体管包括位于所述第一绝缘层靠近所述衬底基板一侧的有源层、位于所述第一绝缘层上的栅极以及位于所述第三绝缘层上的源漏电极,
其中,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部与所述低温多晶硅薄膜晶体管的源漏电极同层或同材料。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述氧化物晶体管包括位于所述第一绝缘层靠近所述衬底基板一侧的有源层、位于所述第一绝缘层上的栅极以及位于所述第三绝缘层上的源漏电极,
其中,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部与所述氧化物晶体管的源漏电极同层或同材料。
7.根据权利要求6所述的显示面板,还包括:遮光层,
其中,所述有源层包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区,
所述遮光层设置在所述显示区,并配置为对所述氧化物晶体管的有源层的沟道区进行遮挡。
8.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部位于所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述第一延伸部通过过孔与对应于所述第一延伸部的第一主体部电连接。
9.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述n条第一信号线的中的一个第一延伸部包括与所述显示区电连接的加宽部,所述加宽部与所述氧化物薄膜晶体管的源漏电极同层设置或者同材料,
同一条所述第一信号线上的所述加宽部至所述第二子部分的距离大于所述第一延伸交叠部或者第一弯折交叠部至所述第二子部分的距离。
10.根据权利要求3所述的显示面板,还包括:
像素限定层,所述像素限定层位于所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧并包括多个像素开口,所述发光元件的发光层的至少部分位于所述多个像素开口中,
其中,所述第四绝缘层包括位于所述周边区,且与所述第一信号线在所述衬底基板上的正投影不交叠的减薄部,所述减薄部在垂直于所述衬底基板方向上的厚度小于所述第四绝缘层在所述显示区中垂直于所述衬底基板方向上的厚度。
11.根据权利要求3所述的显示面板,其中,至少一条所述n条第一信号线用于接收第一电压范围的电位,所述第一子部分用于接收第二电压范围的电位,所述第一电压范围的绝对值的最大值大于所述第二电压范围的绝对值的最大值。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述第一电压范围为0V至+8V;
所述第二电压范围为-2V至-5V。
13.根据权利要求7所述的显示面板,还包括:位于所述发光元件与所述触控层之间的封装层以及位于所述周边区的第五绝缘层,
其中,所述封装层至少包括第一有机封装层,所述第五绝缘层位于所述第一有机封装层远离所述衬底基板的一侧,
所述触控层包括第一虚设块,所述第一虚设块包括至少部分设置在所述第五绝缘层之上的第一子虚设块,
所述第一连接部与所述衬底基板之间的距离小于所述第一子虚设块与所述衬底基板之间的距离。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其中,所述第五绝缘层包括第一侧面,所述第一虚设块设置在所述第一侧面上,所述第一虚设块与所述衬底基板所在平面的夹角包括第三坡度角a3,
其中,且a3≥5*a1≥a2。
15.根据权利要求14所述的显示面板,其中,所述第三坡度角a3的取值范围为30°至60°。
16.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述第一连接部与所述第二电极的垂直距离为H2,所述n条所述第一信号线中的至少一条的第一延伸部的面积为A1,所述第一连接部的面积为A2,其中,H2≥(1/k1)*(A2/nA1)*H1;k1为10~100的自然数。
17.根据权利要求16所述的显示面板,还包括:
位于所述显示区和所述透光区之间的阻挡结构;
位于所述发光元件与所述触控层之间的封装层以及位于所述周边区的第五绝缘层,其中,所述封装层至少包括第一有机封装层,所述第五绝缘层位于所述第一有机封装层远离所述衬底基板的一侧;以及
第一凹槽,所述第一凹槽位于所述阻挡结构远离所述显示区的一侧,所述第五绝缘层位于所述第一凹槽中的厚度为H8,其中,H8≤H2。
18.根据权利要求16所述的显示面板,其中,
所述显示面板还包括位于所述显示区和所述透光区之间的阻挡结构、第二凹槽以及第二虚设块,所述第二凹槽位于所述阻挡结构远离所述显示区的一侧,所述第二虚设块至少部分位于所述第二凹槽中,其中,所述第二虚设块较所述第二电极远离所述显示区,所述第二虚设块浮接。
19.一种显示面板,包括衬底基板、多个像素驱动电路单元以及n条第一信号线,
其中,所述显示面板还包括发光元件,所述发光元件包括第一电极、发光层以及第二电极,所述第一电极位于所述n条第一信号线远离所述衬底基板的一侧,且与所述多个像素驱动电路单元的至少一个电连接,所述第二电极位于所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧,所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间;所述发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件中的一种;
其中,所述衬底基板包括透光区、至少部分围绕所述透光区的显示区、以及所述显示区与所述透光区之间的周边区,
所述多个像素驱动电路单元至少部分位于所述显示区,
所述n条第一信号线配置为给所述多个像素驱动电路单元提供第一信号,
所述n条第一信号线的至少一条包括位于所述显示区的第一主体部、位于所述周边区的第一延伸部和第一弯折部,所述第一延伸部与所述第一主体部电连接,所述第一弯折部至少部分围绕所述透光区,且较所述第一延伸部远离第一主体部,
在所述n条第一信号线中,相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离大于所述相邻两条第一信号线的第一弯折部之间的距离,
所述多个像素驱动电路单元的每个仅包括低温多晶硅薄膜晶体管。
20.根据权利要求19所述的显示面板,还包括:触控层,
其中,所述触控层包括位于所述显示区的第一触控信号线以及位于所述周边区的第一连接部,所述第一连接部与所述第一触控信号线电连接,
所述第一连接部与所述n条第一信号线的第一延伸部在所述衬底基板上的正投影交叠面积为S1,所述第一连接部与所述n条第一信号线的第一弯折部在所述衬底基板上的正投影交叠面积为S2,
其中,S1≥S2,S1大于零,n为大于1的整数,
在所述n条第一信号线中,至少一条所述第一信号线的第一延伸部长度为L1,在垂直所述衬底基板的方向上,至少一条所述第一信号线的第一延伸部与所述第二电极的距离为H1,并满足公式:L1*H1=K*(S1/n),k为1~20之间的自然数。
21.根据权利要求19所述的显示面板,还包括:沿远离所述衬底方向上设置的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第四绝缘层,
所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部位于所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间。
22.根据权利要求21所述的显示面板,其中,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部位于所述第四绝缘层远离所述衬底的一侧,该第一延伸部通过过孔与与其对应的第一主体部电连接。
23.根据权利要求22所述的显示面板,其中,所述低温多晶硅薄膜晶体管与所述发光元件电连接,所述发光元件位于所述第四绝缘层远离所述衬底基板的一侧;
所述第二电极包括位于周边区的第一子部分和第二子部分,所述第一子部分与在所述衬底基板上的正投影所述第四绝缘层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述第二子部分与所述第四绝缘层投影不交叠;
所述第一子部分与所述n条所述第一信号线的第一延伸部在所述衬底上的正投影交叠面积为S3;所述第二子部分与所述n条所述第一信号线的第一弯折部在所述衬底上的正投影交叠面积为S4,其中,S3>S4。
24.根据权利要求19所述的显示面板,还包括:
位于所述显示区和所述透光区之间的阻挡结构;
位于所述发光元件与所述触控层之间的封装层以及位于所述周边区的第五绝缘层;
所述封装层至少包括第一有机封装层,所述第五绝缘层位于所述第一有机封装层远离所述衬底基板的一侧;以及
第一凹槽,所述第一凹槽位于所述阻挡结构远离所述显示区的一侧,所述第五绝缘层位于所述第一凹槽中的厚度为H8,其中,H8≤H2,所述H2为第一连接部与所述第二电极的垂直距离。
25.根据权利要求19所述的显示面板,还包括:沿远离所述衬底基板方向上设置的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第四绝缘层,
其中,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部位于所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间。
26.根据权利要求21所述的显示面板,其中,所述低温多晶硅薄膜晶体管包括位于所述第一绝缘层靠近所述衬底基板一侧的有源层、位于所述第一绝缘层上的栅极以及位于所述第三绝缘层上的源漏电极,
其中,所述n条第一信号线中的至少一条的第一延伸部与所述低温多晶硅薄膜晶体管的源漏电极同层或同材料。
27.一种显示装置,包括如权利要求1-18中任一所述的显示面板或者权利要求19-26中任一所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011457395.XA CN112562586B (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010882447.1A CN111816118B (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 显示面板及显示装置 |
CN202011457395.XA CN112562586B (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 显示面板及显示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010882447.1A Division CN111816118B (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112562586A true CN112562586A (zh) | 2021-03-26 |
CN112562586B CN112562586B (zh) | 2022-10-25 |
Family
ID=72860288
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010882447.1A Active CN111816118B (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 显示面板及显示装置 |
CN202011457395.XA Active CN112562586B (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 显示面板及显示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010882447.1A Active CN111816118B (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11532690B2 (zh) |
EP (1) | EP3961360A1 (zh) |
JP (1) | JP2022040007A (zh) |
KR (1) | KR20220029469A (zh) |
CN (2) | CN111816118B (zh) |
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- 2020-08-28 CN CN202011457395.XA patent/CN112562586B/zh active Active
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- 2021-08-27 KR KR1020210113866A patent/KR20220029469A/ko unknown
- 2021-08-27 EP EP21193457.5A patent/EP3961360A1/en active Pending
-
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CN111816118B (zh) | 2020-12-15 |
US20240023397A1 (en) | 2024-01-18 |
US20230127411A1 (en) | 2023-04-27 |
US20220069052A1 (en) | 2022-03-03 |
CN112562586B (zh) | 2022-10-25 |
KR20220029469A (ko) | 2022-03-08 |
JP2022040007A (ja) | 2022-03-10 |
US11532690B2 (en) | 2022-12-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |