JP2022040007A - 表示パネルおよび表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】表示パネルおよび表示装置であって、当該表示パネルは、ベース基板と、光透過領域と、表示領域と、表示領域と光透過領域との間に設けられる周辺領域と、複数の画素駆動回路ユニットと、n個の第１信号線と、タッチ層と、発光素子とを含む。【解決手段】n個の第１信号線のうち、隣接する２つの第１信号線の第１延在部同士間の距離が隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部同士間の距離よりも大きく、第１接続部とn個の第１信号線の第１延在部とがベース基板への正射影の重なり面積がＳ１であり、第１接続部とn個の第１信号線の第１屈曲部とがベース基板への正射影の重なり面積がＳ２であり、ただし、Ｓ１≧Ｓ２で、Ｓ１がゼロよりも大きく、ｎが１よりも大きい整数である。少なくとも１つの第１信号線の第１延在部の長さがＬ１であり、ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの第１信号線の第１延在部と第２電極との間の距離がＨ１であり、距離が式Ｈ１≧（Ｓ１／ｎ）／Ｌ１を満たす。【選択図】図３Ａ

Description

本願は、２０２０年０８月２８日に提出された出願番号が第２０２０１０８８２４４７．１である中国特許出願の優先権を主張し、ここで、上記中国特許出願に開示されている内容の全体が本願の一部として援用される。
本開示の実施例は、表示パネルおよび表示装置に関する。
近年、モバイルディスプレイ技術が急速に発展し、フレキシブルディスプレイとして代表される新世代のディスプレイ技術がますます広く使用されるようになっている。同時に、スクリーン対ボディ比（screen-to-body）が高い表示パネルに対する市場の需要はますます緊急になっており、「バングスクリーン」や「水滴スクリーン」などの従来の表示パネルのデザインは、徐々にユーザーのニーズを満たすことができなくなる。これに関連して、画面上のパンチング技術が新しいデザインとして登場した。フレキシブルディスプレイは一般に有機発光ダイオード技術を使用しており、その発光材料は周囲の環境に非常に敏感な有機発光材料である。当該有機発光材料は、水や酸素のある環境にさらすことができず、そうしないと、腐食しやすくなり、有機発光材料の故障と異常な表示につながる。
本開示の少なくとも１つの実施例は、ベース基板を含む表示パネルを提供し、前記表示パネルは、光透過領域と、少なくとも一部が前記光透過領域を取り囲む表示領域と、前記表示領域と前記光透過領域との間に設けられる周辺領域と、少なくとも一部が前記表示領域に位置された複数の画素駆動回路ユニットと、前記複数の画素駆動回路ユニットに第１信号を提供するように構成されるn個の第１信号線において、少なくとも１つの前記第１信号線は、前記表示領域に位置された第１本体部と、前記周辺領域に位置し、前記第１本体部と電気的に接続される第１延在部と、少なくとも一部が前記光透過領域を取り囲み、かつ前記第１延在部よりも前記第１本体部から遠く離れている第１屈曲部とを含む、n個の第１信号線と、前記表示領域に位置された第１タッチ信号線と、前記周辺領域に位置され、前記第１タッチ信号線と電気的に接続される第１接続部と、を含むタッチ層とをさらに含み、前記n個の第１信号線のうち、隣接する２つの第１信号線の第１延在部同士間の距離が隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部同士間の距離よりも大きく、前記第１接続部と前記n個の第１信号線の第１延在部とが前記ベース基板への正射影の重なり面積がＳ１であり、前記第１接続部と前記n個の第１信号線の第１屈曲部とが前記ベース基板への正射影の重なり面積がＳ２であり、Ｓ１≧Ｓ２で、Ｓ１がゼロよりも大きく、ｎが１より大きい整数であり、第１電極と、発光層と、第２電極とを含む発光素子において、前記第１電極が、前記ベース基板から離れる前記n個の第１信号線の一側に設けられ、かつ少なくとも１つの画素駆動回路ユニットと電気的に接続され、前記第２電極が前記ベース基板から離れた前記第１電極の一側に設けられ、前記発光層が前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる、発光素子をさらに含み、前記n個の第１信号線のうち、少なくとも１つの前記第１信号線の第１延在部の長さがＬ１であり、前記ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの前記第１信号線の第１延在部と前記第２電極との間の距離がＨ１であり、前記距離が式Ｈ１≧（Ｓ１／ｎ）／Ｌ１を満たす。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記Ｌ１と、前記Ｈ１と、前記Ｓ１とは、式Ｌ１＊Ｈ１＝ｋ＊（Ｓ１／ｎ）を満たし、ｋは１～２０の実数である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記Ｌ１と、前記Ｈ１と、前記Ｓ１とは、Ｌ１＊Ｈ１＝ｋ＊（Ｓ１／ｎ）を満たし、ｋは２～１０の実数である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記ベース基板に垂直な方向において、前記第１接続部と前記第２電極との間の距離がＨ２であり、前記n個の第１信号線のうち１つの第１信号線の第１延在部の面積がＡ１であり、前記第１接続部の面積がＡ２であり、ただし、Ｈ２≧（１／ｋ１）＊（Ａ２／ｎＡ１）＊Ｈ１であり、ｋ１は５～１８０範囲内の実数である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルは、前記ベース基板から離れた方向に設けられた第１絶縁層と、第２絶縁層と、第３絶縁層と、第４絶縁層とをさらに含み、前記n個の第１信号線のうち少なくとも１つの第１信号線の第１延在部が前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に位置される。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記n個の第１信号線のうち少なくとも１つの第１信号線の第１延在部は、前記第４絶縁層の前記ベース基板から離れた一側に位置され、前記第１延在部がビアホールを介して、前記第１延在部に対応する第１本体部と電気的に接続される。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記複数の画素駆動回路ユニットは、それぞれ第１トランジスタを含み、前記第１トランジスタが前記発光素子と電気的に接続され、前記発光素子が前記第４絶縁層の前記ベース基板から離れた一側に位置され、前記第２電極が周辺領域に位置された第１サブ部分と第２サブ部分とを含み、前記第１サブ部分が前記ベース基板への正射影と、前記第４絶縁層が前記ベース基板への正射影とは、少なくとも部分的に重なり、前記第２サブ部分が前記ベース基板への正射影と、前記第４絶縁層が前記ベース基板への正射影は重ならなく、前記第１サブ部分と前記n個の第１信号線の第１延在部とが前記ベース基板への正射影の重なり面積がＳ３であり、前記第２サブ部分と前記n個の第１信号線の第１屈曲部とが前記ベース基板への正射影の重なり面積がＳ４であり、ただし、Ｓ３＞Ｓ４である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルは、前記第４絶縁層の前記ベース基板から離れた一側に位置され、かつ複数の画素開口部を有する画素定義層をさらに含み、前記発光素子の発光層の少なくとも一部が前記複数の画素開口部内に位置され、前記第４絶縁層は、前記周辺領域に位置されかつ前記第１信号線の前記ベース基板への正射影と重ならない薄化部を含み、前記薄化部の前記ベース基板に垂直な方向に沿う厚さは、前記ベース基板に垂直な方向の前記表示領域内の前記第４絶縁層の厚さよりも薄い。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、少なくとも１つの前記第１信号線は、第１電圧範囲の電位を受け付け、前記第１サブ部分が第２電圧範囲の電位を受け付け、前記第１電圧範囲の絶対値の最大値が前記第２電圧範囲の絶対値の最大値よりも大きい。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記第２電極は、前記薄化部に位置された第３サブ部分を含み、前記第３サブ部分の所在平面と前記ベース基板の所在平面との間の角度が第１傾斜角ａ１を含み、前記第１接続部の所在平面と前記ベース基板の所在平面との間の角度が第２傾斜角ａ２を含み、前記第１傾斜角ａ１が前記第２傾斜角ａ２以上である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記第２傾斜角ａ２の値の範囲は、０°～１０°である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記第１接続部の幅は、１０μｍよりも大きく、少なくとも１つの前記第１信号線の線幅の値の範囲は、１μｍ～５μｍである。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルは、前記発光素子と前記タッチ層との間に位置された封止層と、前記周辺領域に位置された第５絶縁層とをさらに含み、前記封止層は、少なくとも第１有機封止層を含み、前記第５絶縁層は、前記ベース基板から離れた前記第１有機封止層の一側に設けられ、前記タッチ層は、第１ダミーブロックを含み、前記第１ダミーブロックが前記第５絶縁層に少なくとも部分的に設けられる第１サブダミーブロックを含み、前記第１接続部と前記ベース基板との間の距離は、前記第１サブダミーブロックと前記ベース基板との間の距離よりも小さい。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記第５絶縁層は、第１側面を含み、前記第１ダミーブロックが前記第１側面に設けられ、前記第１ダミーブロックと前記ベース基板の所在平面との間の角度が第３傾斜角ａ３を含み、ａ３≧５＊ａ１≧ａ２である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記第３傾斜角ａ３の値の範囲は、３０°～６０°である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルは、前記表示領域と前記光透過領域との間に位置されたバリア構造と、前記発光素子と前記タッチ層との間に位置され、少なくとも第１有機封止層を含む封止層と、前記周辺領域に位置され、前記ベース基板から離れた前記第１有機封止層の一側に位置された第５絶縁層と、前記表示領域から離れた前記バリア構造の一側に位置された第１溝とをさらに含み、前記第１溝内の前記第５絶縁層の厚さがＨ８であり、Ｈ８≦Ｈ２である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記ベース基板に垂直な方向において、前記第１接続部と前記第２電極との間の距離がＨ２であり、前記表示パネルは、前記表示領域と前記光透過領域との間に位置されたバリア構造と、前記表示領域から離れた前記バリア構造の一側に設けられる第２溝と、少なくとも一部が前記第２溝内に位置された第２ダミーブロックとをさらに含み、前記ベース基板に垂直な方向において、前記第２ダミーブロックと前記第１ダミーブロックとの間の距離がＨ７であり、前記Ｈ７が前記第１接続部と前記第２電極との間の距離Ｈ２とは異なり、前記第２ダミーブロックが前記第２電極よりも前記表示領域から離れて、前記第２ダミーブロックがフローティング接続されている（floating connection）。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記第２ダミーブロックと前記ベース基板との間の角度は、前記第１ダミーブロックと前記ベース基板との間の角度以下である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記タッチ層は、表示領域に設けられる第２タッチ信号線をさらに含み、前記第１タッチ信号線と前記第２タッチ信号線は、それぞれ電気的に接続されている複数の電極ブロックを含み、前記第１タッチ信号線または前記第２タッチ信号線における隣接する２つの電極ブロックがアダプタ部を介して電気的に接続され、前記アダプタ部と前記隣接する２つの電極ブロックとの間の接触面積がＳ４であり、Ｓ１≧ａ＊Ｓ４で、ａが０．８よりも大きい実数である。
本開示の少なくとも１つの実施例は、本開示の任意の一実施例に記載の表示パネルを備える表示装置をさらに提供する。
本開示の少なくとも１つの実施例は、ベース基板を含む表示パネルをさらに提供し、前記表示パネルは、光透過領域と、少なくとも一部が前記光透過領域を取り囲む表示領域と、前記表示領域と前記光透過領域との間に設けられる周辺領域と、少なくとも一部が前記表示領域に位置された複数の画素駆動回路ユニットと、前記複数の画素駆動回路ユニットに第１信号を提供するように構成されるn個の第１信号線において、少なくとも１つの前記第１信号線が前記表示領域に位置された第１本体部と、前記周辺領域に位置された第１延在部と第１屈曲部とを含み、前記第１延在部が前記第１本体部と電気的に接続され、前記第１屈曲部の少なくとも一部が前記光透過領域を取り囲み、かつ前記第１延在部よりも前記第１本体部から離れており、前記n個の第１信号線において、隣接する２つの第１信号線の第１延在部同士間の距離が隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部同士間の距離よりも大きい、n個の第１信号線と、前記表示領域に位置された第１タッチ信号線と、前記周辺領域に位置され、前記第１タッチ信号線と電気的に接続されている第１接続部と、を含むタッチ層と、前記複数の画素駆動回路ユニットに第２信号を提供するように構成され、前記第１接続部とｍ個の第２信号線とが前記ベース基板への正射影が少なくとも部分的に重なるｍ個の第２信号線と、第１電極と、発光層と、第２電極とを含む発光素子において、前記第１電極が前記ベース基板から離れた前記ｎ個の前記第１信号線の一側に設けられ、かつ少なくとも１つの画素駆動回路ユニットと電気的に接続され、前記第２電極が前記ベース基板から離れた前記第１電極の一側に設けられ、前記発光層が前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる、発光素子とをさらに含み、前記n個の第１信号線のうち、隣接する２つの第１信号線の第１延在部同士間の距離がｂ１であり、前記n個の第１信号線のうち、前記ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの前記第１信号線の第１延在部と前記第２電極との間の距離がＨ１であり、前記ｍ個の第２信号線のうち、前記第１接続部との重なる領域内に２つの隣接する第２信号線同士間の距離がｂ２であり、前記ｍ個の第２信号線のうち、前記ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの前記ｍ個の第２信号線と前記第２電極との間の距離がＨ５であり、ｂ１＞ｂ２、Ｈ５＞Ｈ１である。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記第１信号線の第１延在部は直線セグメントであり、前記第１信号線の第１屈曲部は円弧セグメントである。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記第１接続部の幅は１０μｍよりも大きく、少なくとも１つの前記第１信号線の線幅の値の範囲は１μｍ～５μｍである。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルにおいて、前記第１接続部の幅の値の範囲は２０μｍ～１１０μｍである。
例えば、本開示の一実施例によって提供される表示パネルは、前記ベース基板から離れている方向に設けられた第１絶縁層と、第２絶縁層と、第３絶縁層と、第４絶縁層とをさらに含み、前記n個の第１信号線の少なくとも１つの第１信号線の第１延在部が前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に設けられている。
本開示の少なくとも１つの実施例は、本開示の任意の一実施例に記載の表示パネルを備える表示装置をさらに提供する。
本開示の実施例の技術的解決手段をより明確に説明するために、実施例の図面を以下に簡単に紹介する。明らかに、以下の説明の図面は、本開示を限定するのではなく、本開示のいくつかの実施例にのみ関連している。
図１は、表示パネルの穴領域の巻線の概略図である。 図２は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの平面図である。 図３Ａは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第４側の拡大概略図である。 図３Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第４側の拡大概略図である。 図３Ｃは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第１側の拡大概略図である。 図３Ｄは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される、表示パネルの光透過領域の第４側の拡大概略図である。 図３Ｅは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第１側の拡大概略図である。 図３Ｆは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される、図３ＤのＡ２－Ｂ２に沿った概略断面図である。 図３Ｇは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される、図３ＥのＡ１－Ｂ１に沿った概略断面図である。 図３Ｈは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される、図３ＥのＣ１～Ｃ２に沿った概略断面図である。 図４Ａは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の概略図である。 図４Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第１側の拡大概略図である。 図４Ｃは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第１側の拡大概略図である。 図４Ｄは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第４側の拡大概略図である。 図４Ｅは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第４側の部分的に拡大された概略図である。 図４Ｆは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の概略図である。 図５は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの表示領域の概略断面図である。 図６Ａは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルのタッチ層の概略図である。 図６Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルのタッチ層の概略図である。 図６Ｃは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルのタッチ層の概略図である。 図７Ａは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される図６Ｂの領域Ｄの拡大概略図である。 図７Ｂは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される図６Ｂの領域Ｅの拡大概略図である。 図７Ｃは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供されるタッチ層の第１アダプタ部の概略図である。 図８Ａは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第１側の拡大概略図である。 図８Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第４側の拡大概略図である。 図９Ａは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。 図９Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。 図１０Ａは本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。 図１０Ｂは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。 図１０Ｃは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の概略図である。 図１０Ｄは、本開示の更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の概略図である。 図１０Ｅは、本開示の更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の概略図である。 図１１Ａは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。 図１１Ｂは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。 図１１Ｃは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。 図１２Ａは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの表示領域および光透過領域の概略断面図である。 図１２Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの表示領域および光透過領域の概略断面図である。 図１２Ｃは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの表示領域および光透過領域の概略断面図である。 図１２Ｄは、図１２Ａの部分的に拡大された概略図である。 図１３は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される図１２Ａの領域Ｈの概略図である。 図１４Ａは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの第１バリア壁の概略断面図である。 図１４Ｂは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネル内の第１ブロッキング壁の概略断面図である。 図１４Ｃは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネル内の第２バリア壁の概略断面図である。 図１４Ｄは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネル内の第２ブロッキング壁の概略断面図である。 図１５は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示装置の概略図である。
本開示の実施例の目的、技術的解決手段、および利点をより明確にするために、本開示の実施例の技術的解決手段を、本開示の実施例の添付の図面と併せて明確かつ完全に説明する。明らかに、記載された実施例は、すべての実施例ではなく、本開示の実施例の一部である。本開示の記載された実施例に基づいて、当業者によって創造的な労働なしに得られた他のすべての実施例は、本開示の保護範囲内にある。
別段の定義がない限り、本開示で使用される専門用語または科学用語は、本開示が属する分野の当業者によって理解される通常の意味を有するものとする。本開示で使用される「第１」、「第２」および同様の単語は、順序、量、または重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するためにのみ使用される。同様に、「１つ」、「一」、「当該」などの類似の単語は、数量制限を意味するのではなく、少なくとも１つあることを意味する。「含む」または「含有する」などの類似の単語は、当該単語の前に表示される要素または項目が、当該単語の後に挙げられる要素または項目およびそれらに相当するものをカバーすることを意味する。説明の便宜上、一部の図面では、「上」、「下」、「前」、および「後」が示されている。本開示の実施形例では、垂直方向は上から下への方向であり、垂直方向は重力の方向、水平方向は垂直方向に垂直な方向、右から左への水平方向は前から後ろへの方向である。
関連技術では、表示パネル内に光透過領域が存在するため、例えば、カメラ、センサなどを、光透過領域に対応する位置に配置することができ、データ信号線、またはゲート信号線、またはリセット信号線とのうちの１種または複数種の信号線などのような画素駆動回路ユニットＰ内の信号線は、通常、不透明な金属材料であるため、光透過領域に巻線の設計をして透過率を向上させる必要がある。光透過領域の周りのフレームの幅要件により、光透過領域に高密度の金属配線が存在するため、これらの高密度の金属配線は、ベース基板から離れた一側に配置されたカソードに電位の摂動を引き起こすおそれがある。
本開示の実施例は、ベース基板、複数の画素駆動回路ユニット、n個の第１信号線、タッチ層および発光素子を含む表示パネルを開示した。ベース基板は、光透過領域と、少なくとも一部が光透過領域を取り囲む表示領域と、当該表示領域と当該光透過領域との間に設けられる周辺領域を含み、複数の画素駆動回路ユニットの少なくとも一部が表示領域に設けられ、n個の第１信号線は、第１信号を当該複数の画素駆動回路ユニットに提供するように構成され、少なくとも１つの第１信号線は、表示領域に位置された第１本体部、周辺領域に位置された第１延在部および第１屈曲部を含み、第１延在部が第１本体部と電気的に接続され、第１屈曲部の少なくとも一部が光透過領域を取り囲み、かつ第１延在部よりも第１本体部から離れており、n個の第１信号線のうち、隣接する２つの第１信号線の第１延在部同士間の距離は、隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部同士間の距離よりも大きい。
本開示のいくつかの実施例において、光透過領域の周りにある信号線を、延在部と屈曲部を有するように設計して、限られたスペースの中で、表示領域に近い信号線を、可能な限り間隔を大きく設計させ、それにより、信号線の一部の密度がまばらになり、表示領域に近い一部のカソードへの信号線リードが少なくなり、表示効果を向上させている。
本開示のいくつかの実施例において、表示パネルの当該タッチ層は、表示領域に位置された第１タッチ信号線および周辺領域に位置された第１接続部を含み、第１接続部が第１タッチ信号線と電気的に接続され、第１接続部とn個の第１信号線の第１延在部とがベース基板への正射影の重なり面積がＳ１であり、第１接続部とn個の第１信号線の第１屈曲部とがベース基板への正射影の重なり面積がＳ２であり、Ｓ１≧Ｓ２で、Ｓ１がゼロよりも大きく、ｎが１よりも大きい整数である。このように、光透過領域の周囲では、当該光透過領域を回避するために、タッチ層内のタッチ信号線も巻線またはジャンプワイヤに設計することができ、それによって光透過領域の透過率を向上させる。本開示の実施例は、表示領域のタッチ信号線を接続する第１接続部を、n個の第１信号線の第１延在部に対応する位置に配置し、n個の第１信号線の第１屈曲部に対応する位置にできるだけ少なく配置し、その結果、表示領域に近い位置で、画素駆動回路ユニット内の信号線、カソード、タッチ信号線の接続部（例えば、第１接続部）間の影響を周辺領域で最小限に抑えることができる。
本開示のいくつかの実施例において、表示パネルの発光素子は、第１電極と、発光層と、第２電極とを含み、第１電極がベース基板から離れたn個の第１信号線の一側に設けられ、かつ少なくとも１つの画素駆動回路ユニットと電気的に接続され、第２電極がベース基板から離れた第１電極の一側に設けられ、発光層が第１電極と第２電極との間に設けられる。n個の第１信号線のうち、少なくとも１つの第１信号線の第１延在部の長さがＬ１であり、ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの第１信号線の第１延在部と第２電極との間の距離がＨ１であって、式Ｈ１≧（Ｓ１／ｎ）／Ｌ１を満たす。このように、本開示のいくつかの実施例において、第１延在部自体の長さ、およびn個の第１信号線と第１接続部との重なり面積の平均値を考慮すると、第１延在部と第２電極（例えば、カソード）との間の距離が上記式を満たし、第１信号線、カソード、第１接続部間の影響を可能な限り最小限に抑えることができる。
本開示の実施例は、表示パネルを開示し、当該表示パネルはベース基板を含み、当該表示パネルは、光透過領域と、少なくとも一部が光透過領域を取り囲む表示領域と、および当該表示領域と当該光透過領域との間に設けられる周辺領域と、少なくとも一部が表示領域に位置された複数の画素駆動回路ユニットと、第１信号を当該複数の画素駆動回路ユニットに提供するように構成されるn個の第１信号線と、をさらに含み、少なくとも１つの第１信号線が表示領域に位置された第１本体部、周辺領域に位置された第１延在部および第１屈曲部を含み、第１延在部が第１本体部と電気的に接続され、第１屈曲部の少なくとも一部が光透過領域を取り囲み、かつ第１延在部よりも第１本体部から離れ、n個の第１信号線のうち、隣接する２つの第１信号線の第１延在部同士間の距離が、隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部同士間の距離よりも大きく、当該表示パネルはタッチ層をさらに含み、当該タッチ層が表示領域に位置された第１タッチ信号線および周辺領域に位置された第１接続部を含み、第１接続部が第１タッチ信号線と電気的に接続され、第１接続部とn個の第１信号線の第１延在部とがベース基板への正射影の重なり面積がＳ１であり、第１接続部とn個の第１信号線の第１屈曲部とがベース基板への正射影の重なり面積がＳ２であり、Ｓ１≧Ｓ２で、Ｓ１がゼロよりも大きく、ｎが１よりも大きい整数であり、当該表示パネルは、発光素子をさらに含み、発光素子が第１電極と、発光層と、第２電極とを含み、第１電極がベース基板から離れた第１信号線の一側に設けられ、かつ少なくとも１つの画素駆動回路ユニットと電気的に接続され、第２電極がベース基板から離れた第１電極の一側に設けられ、発光層が第１電極と第２電極との間に設けられ、n個の第１信号線のうち、少なくとも１つの第１信号線の第１延在部の長さがＬ１であり、ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの第１信号線の第１延在部と第２電極との間の距離がＨ１であって、式Ｈ１≧（Ｓ１／ｎ）／Ｌ１を満たす。
本開示のいくつかの実施例において、複数の第１信号線の第１延在部が第１屈曲部自体の間の距離、表示領域までの位置、並びにn個の第１信号線と第１接続部との重なり面積の平均値、第１延在部と第２電極（例えば、カソード）との間の距離などを考慮すると、第１信号線、カソード、第１接続部間の影響を最小限に抑えることができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は、上記表示パネルを備える表示装置をさらに提供する。
本開示の実施例およびそれらの例を、添付の図面を参照して以下で詳細に説明する。
図１は、表示パネルの穴領域の巻線の概略図である。図１に示すように、表示パネルは、表示領域１０、光透過領域０１、および表示領域１０と光透過領域０１との間にある周辺領域０２を含む。例えば、光透過領域０１は、光が透過するように構成することができ、カメラ、センサなどを対応する領域に配置することができ、例えば、光透過領域０１が開口部であってもよく、また、ベース基板またはベース基板上の透過率の高いフィルム（例えば、無機絶縁層）を保持する止まり穴の設計にすることもでき、不透明な金属フィルムの止まり穴の設計などのように、ベース基板上の当該領域から透過率の低いフィルムを除去することもできる。本開示のいくつかの実施例において、光透過領域０１が開口部を例として説明する。カメラおよびセンサなどの機器は、通常、開口部０１（光透過領域０１）が存在する領域に設置される。
本開示のいくつかの実施例において、図３Ａは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第４側の拡大概略図であり、図３Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第４側の拡大概略図である。図３Ａおよび図３Ｂに示すように、表示パネルは、表示領域と、少なくとも一部が表示領域に位置された複数の画素駆動回路ユニットＰと、第１信号を複数の画素駆動回路ユニットＰに提供するように構成される第１信号線ＤＳ２とを含み、少なくとも１つの第１信号線が表示領域に位置された第１本体部ＤＳ、周辺領域に位置された第１延在部Ｙ１および第１屈曲部Ｃ１を含み、第１延在部Ｙ１が第１本体部ＤＳと電気的に接続され、第１屈曲部Ｃ１の少なくとも一部が光透過領域０１を取り囲み、かつ第１延在部Ｙ１よりも第１本体部ＤＳから離れ、当該n個の第１信号線ＤＳ２のうち、隣接する２つの第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１同士間の距離が隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部Ｃ１同士間の距離よりも大きい。このように、光透過領域周辺の信号線を、延在部（例えば、第１延在部Ｙ１）および屈曲部（例えば、第１屈曲部Ｃ１）を有するように設計し、限られたスペースにおいて、表示領域に近い信号線の間の間隔をできる限りに大きくし、これにより、信号線密度の一部が比較的まばらになり、これにより、表示領域に近い一部のカソードへの信号線のリード線の数が少なくなり、表示効果を向上させる。
本開示のいくつかの実施例において、図３Ｃは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第１側の拡大概略図であり、図５は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの表示領域の概略断面図であり、図６Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルのタッチ層の概略図面である。図３Ｃ、図５および図６Ｂに示すように、表示パネルは、タッチ層２８をさらに含み、タッチ層２８が表示領域１０に位置する第１タッチ信号線Ｒｘおよび周辺領域２０２に位置する第１接続部Ｒｘ１を含み、第１接続部Ｒｘ１が第１タッチ信号線Ｒｘと電気的に接続され、第１接続部Ｒｘ１とn個の第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１とがベースへの正射影の重なり面積がＳ１であり、第１接続部Ｒｘ１と当該n個の第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１とがベースへの正射影の重なり面積がＳ２であり、Ｓ１≧Ｓ２で、Ｓ１がゼロよりも大きく、ｎが１よりも大きい整数である。このように、光透過領域の周囲では、光透過領域を回避するために、タッチ層内のタッチ信号線を、巻線またはジャンプワイヤの設計にすることができ、光透過領域の透過率を向上する。本開示の実施例は、表示領域のタッチ信号線を接続する第１接続部を、n個の第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１に対応する位置に配置し、n個の第１信号線ＤＳ２の第１屈曲Ｃ１に対応する位置にできるだけ少なく配置し、表示領域に近い位置では、画素駆動回路ユニット内の信号線、カソード、タッチ信号線の接続部（第１接続部Ｒｘ１）間の影響を周辺領域に最小限に抑えることができる。
例えば、n個の第１信号線Ｄ０－１、Ｄ０－２…Ｄ０－ｎの第１延在部Ｙ１－１、Ｙ１－２…Ｙ１－ｎがベース基板への正射影の重なり面積は、それぞれＳ１－１、Ｓ１－２…Ｓ１－ｎであり、Ｓ１がＳ１－１、Ｓ１－２…Ｓ１－ｎの合計であり、例えば、第１接続部Ｒｘ１とn個の第１信号線Ｄ０－１、Ｄ０－２…Ｄ０－ｎの第１屈曲部Ｃ１－１、Ｃ１－２…Ｃ１－ｎとがベース基板への正射影の重なり面積は、それぞれＳ２－１、Ｓ２－２…Ｓ２－ｎであり、Ｓ２がＳ２－１、Ｓ２－２…Ｓ２－ｎの合計であり、ただし、Ｓ１≧Ｓ２であり、具体的な実施例において、Ｓ２が０であってもよく、つまり、第１接続部Ｒｘ１とn個の第１信号線Ｄ０－１、Ｄ０－２…Ｄ０－ｎの第１屈曲部Ｃ１－１、Ｃ１－２…Ｃ１－ｎとがベース基板への正射影が重ならない。具体的な実施例において、ｎは５、６、７、８…２０の間の整数であってもよく、光透過領域が増加するにつれて、ｎの値も増加し続けることができ、これは本開示に限定されない。
本開示のいくつかの実施例において、図１２Ａは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの表示領域および光透過領域の概略断面図である。図５および図１２Ａに示すように、当該表示パネルは、発光素子２６をさらに含み、発光素子２６が第１電極２６１、発光層２６２および第２電極２６３を含み、第１電極２６１がベース基板１００から離れた第１信号線ＤＳ２の一側に設けられ、かつ、少なくとも１つの画素駆動回路ユニットＰと電気的に接続され、第２電極２６３がベース基板１００から離れた第１電極２６１の一側に設けられ、発光層２６２が第１電極２６１と第２電極２６３との間に設けられ、n個の第１信号線ＤＳ２のうち、少なくとも１つの第１信号線の第１延在部Ｙ１の長さがＬ１であり、ベース基板１００に垂直な方向において、少なくとも１つの第１信号線の第１延在部Ｙ１と第２電極との間の距離がＨ１（例えば、垂直距離）であり、当該距離が式Ｈ１≧（Ｓ１／ｎ）／Ｌ１を満たす。このように、第１延在部Ｙ１自体の長さ、およびn個の第１信号線Ｄ０と第１接続部との重なり面積の平均値を考慮すると、第１延在部Ｙ１と第２電極（例えば、カソード）との間の距離が上記式を満たし、第１信号線、カソード、第１接続部間の影響をできるだけ最小限に抑えることができる。
例えば、第１延在部の長さＬ１は、第１信号線本体部ＤＳと第１屈曲部Ｃ１の間の長さであってもよく、図３Ｄに示すように、図におけるＬ１－１、Ｌ１－２……Ｌ１－ｎであってもよく、例えば、ベース基板１００に垂直な方向において、第１延在部Ｙ１と第２電極２６３との間の距離Ｈ１が第１延在部の表面と第２電極２６３との間の垂直距離であってもよく、第１延在部の底面と第２電極２６３との間の垂直距離であってもよく、その厚さの半分の位置と第２電極２６３との間の垂直距離であってもよい。
なお、本開示の実施例における垂直距離は、ベース基板１００に垂直な方向上の距離である。
なお、測定誤差を考慮すると、本開示における「長さ、幅、厚さ、距離など」は、２５％以内の測定誤差を許容することができる。
本開示のいくつかの実施例において、図１に示すように、表示パネルは、光透過領域０１、少なくとも一部が光透過領域０１を取り囲む周辺領域０２を含み、表示パネルは、表示領域と、少なくとも一部が表示領域に位置された複数の画素駆動回路ユニットＰと、第１信号を複数の画素駆動回路ユニットＰに提供するように構成される第１信号線ＤＳ２とをさらに含み、少なくとも１つの第１信号線が表示領域に位置された第１本体部ＤＳ、周辺領域に位置された第１延在部Ｙ１および第１屈曲部Ｃ１を含み、第１延在部Ｙ１が第１本体部ＤＳと電気的に接続され、第１屈曲部Ｃ１の少なくとも一部が光透過領域０１を取り囲み、かつ第１延在部Ｙ１よりも第１本体部ＤＳから離れており、当該表示パネルは、タッチ層２８をさらに含み、タッチ層が表示領域に位置された第１タッチ信号線Ｒｘおよび周辺領域０２に設けられる第１接続部Ｒｘ１を含み、第１接続部Ｒｘ１が第１タッチ信号線Ｒｘと電気的に接続され、n個の第１信号線ＤＳ２のうち、隣接する２つの第１信号線の第１延在部Ｙ１同士間の距離が、隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部Ｃ１同士間の距離よりも大きく、第１接続部Ｒｘ１とn個の第１信号線の第１延在部Ｙ１とがベース基板への正射影の重なり面積がＳ１であり、第１接続部Ｒｘ１とn個の第１信号線の第１屈曲部Ｃ１とがベース基板への正射影の重なり面積がＳ２であり、Ｓ１≧Ｓ２で、Ｓ１がゼロよりも大きく、ｎが１よりも大きい整数であり、当該表示パネルは、発光素子をさらに含む。発光素子は、第１電極と、発光層と、第２電極２６３とを含み、第１電極がベース基板から離れた第１信号線の一側に設けられ、かつ少なくとも１つの画素駆動回路ユニットＰと電気的に接続される。第２電極２６３は、ベース基板から離れた第１電極の一側に設けられ、発光層は、第１電極と第２電極２６３との間に設けられ、n個の第１信号線Ｄ０のうち、少なくとも１つの第１信号線の第１延在部Ｙ１の長さがＬ１であり、ベース基板１００に垂直な方向において、少なくとも１つの第１信号線の第１延在部Ｙ１と第２電極２６３との間の距離がＨ１（例えば、垂直距離）であり、当該距離が式Ｈ１≧（Ｓ１／ｎ）／Ｌ１を満たす。光透過領域の周囲には、信号線巻線などの多くの信号線が配置されたため、本開示の実施例の設計を採用し、自体の長さ、n個の第１信号線Ｄ０（例えば、Ｄ０－１、Ｄ０－２、Ｄ０－３……Ｄ０－ｎ）と第１接続部Ｒｘ１の重なり面積の合計の平均値を考慮すると、第１信号線などの信号線の延在部とカソードとの間の距離Ｈ１が式Ｈ１≧（Ｓ１／ｎ）／Ｌ１を満たし、第１信号線、カソード、第１接続部間の影響をできるだけを最小限に抑える。
例えば、図３Ｄにおいて、ｎの値が１０であり、第１信号線Ｄ０の幅を２μｍとして例を挙げて説明し、少なくとも１つの第１信号線Ｄ０の第１延在部の長さＹ１がＬ１－１＝１６０μｍであり、１０個の第１信号線Ｄ０－１、Ｄ０－２…Ｄ０－１０の第１延在部Ｙ１－１、Ｙ１－２…Ｙ１－１０がベース基板への正射影の重なり面積がそれぞれＳ１－１＝１５０＊２＝３００μｍ２であり、１０個の第１信号線の第１延在部と第１接続部Ｒｘ１との重なり面積が等しく、Ｓ１＝Ｓ１－１＊１０＝３０００μｍ２である場合、（Ｓ１／ｎ）／Ｌ１＝１．９μｍにし、当該第１信号線Ｄ０の第１延在部Ｙ１－１と第２電極２６３との間の距離Ｈ１が１．９μｍを超えることにし、このようにして、当該領域の信号線がカソードおよびタッチ接続部に与える影響をより小さくすることができる。
例えば、距離Ｈ１は、２μｍ、３μｍ、４μｍ、５μｍ、６μｍ、８μｍなどであってもよく、処理能力と実際のパネルの厚さを考慮して、上記の最小値よりも大きい限り、距離Ｈ１を調整することができる。
なお、１０個の第１信号線Ｄ０－１、Ｄ０－２…Ｄ０－１０の第１延在部Ｙ１－１、Ｙ１－２…Ｙ１－１０がベース基板への正射影の重なり面積は、異なってもよく、実際の計算ニーズが優先される。
本開示のいくつかの実施例において、表示パネルは、第１方向Ｘ０に延在する複数の発光制御信号線ＥＭ０、走査信号線ＧＳなどの第１方向Ｘ０に延在する複数の第２信号線、およびデータ信号線ＤＳ０などの第２方向Ｙ０に沿って延在する複数の第１信号線をさらに含む。表示領域は、光透過領域０１の周りに配置されてもよく、または一部が光透過領域０１の左側、右側、および下側の周り、または光透過領域０１の左側および下側の周り、または光透過領域０１の右側および下側の周りに配置されてもよい。
図２は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの平面図である。図２に示すように、表示パネル１は、ベース基板１００、複数の第２信号線ＧＳ２、ＧＳ１および複数の第１信号線ＤＳ２、ＤＳ１を含む。複数の第２信号線ＧＳ２、ＧＳ１が第１方向Ｘに沿って延在し、例えば、第１表示信号（例えば、ゲート走査信号）を提供し、複数の第１信号線ＤＳ２、ＤＳ１が第２方向Ｙに沿って延在し、例えば、第２表示信号（例えば、データ信号）を提供する。表示パネルは、光透過領域、および開口部２０１を取り囲む周辺領域２０２を含み、本実施例では、開口部２０１を光透過領域として例とする。周辺領域２０２は、第１側ＳＳ１に位置する第１巻線領域Ｒ１、第２側ＳＳ２に位置する第２巻線領域Ｒ２、第３側ＳＳ３に位置する第３巻線領域Ｒ３、第４側ＳＳ４に位置する第４巻線領域Ｒ４を含む。第１側ＳＳ１と第２側ＳＳ２とは、第１方向Ｘで互いに対向し、第３側ＳＳ３と第４側ＳＳ４とは、第１方向Ｘとは異なる第２方向Ｙで互いに対向している。
なお、本開示の実施例において、説明の便宜上、周辺領域０２を上記の４つの巻線領域に分割しているが、実際の設計では、上記の４つの巻線領域には特定の境界はない。本開示のいくつかの実施例において、上記４つの巻線領域は、開口部２０１の「上、下、左、右」の４方向の巻線状況として理解することができ、これに限定されない。
本開示のいくつかの実施例において、表示パネルは、第１方向Ｘに沿って延在し、第２表示信号（例えば、発光制御信号）を提供するための複数の第３信号線ＥＭ１、ＥＭ２をさらに含むことができる。
なお、開口部２０１は、貫通穴またはノッチである。例えば、カメラを開口部２０１に設置する場合、開口部２０１は貫通穴であり、指紋認識センサ、赤外線センサ、距離センサなどを開口部２０１に設置する場合、開口部２０１はノッチである。
例えば、いくつかの実施例において、第１方向Ｘと第２方向Ｙは互いに交差し、第１方向Ｘと第２方向Ｙは互いに垂直であってもよい。
例えば、他の実施例において、表示パネルは、２つの開口部を含んでもよく、開口の形状が図２の開口部２０１と異なってもよく、例えば、開口がトラック状である。本開示は、図２を例として説明し、他の形状および数の開口部を有する実施例は、図２に示される実施例の修正であり、詳細には説明しない。
例えば、本開示の実施例によって提供される表示パネルは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示パネルまたは量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）表示パネルなどの表示パネルであってもよく、本開示の実施例は、表示パネルの具体的な種類を制限しない。
例えば、図２に示すように、表示領域１０の少なくとも一部が開口部２０１を取り囲み、表示領域１０の少なくとも一部が周辺領域２０２を取り囲むと理解してもよい。表示領域１０は、第１サブ表示領域１０１、第２サブ表示領域１０２および第３サブ表示領域１０３を含む。第１サブ表示領域１０１は、開口部２０１の第１側ＳＳ１に位置し、第２サブ表示領域１０２は、開口部２０１の第２側ＳＳ２に位置し、第３サブ表示領域１０３は、開口部２０１の第３側ＳＳ３に位置する。複数の第１信号線ＤＳ１は、第２方向Ｙに沿って延在し、例えば、光透過領域（開口部２０１）によって占められる画素行、画素列以外の表示領域へ延在し、第１信号線ＤＳ１は、第１サブ表示領域１０１および第３サブ表示領域１０３または第２サブ表示領域１０２および第３サブ表示領域１０３を通過する。複数の第１信号線ＤＳ２は、開口部２０１の第３側ＳＳ３から第２方向Ｙに沿って、周辺領域２０２を通過して開口部２０１の第４側ＳＳ４まで延びる。
例えば、図２に示すように、本開示の実施例における複数の第２信号線ＧＳ２は、第１方向Ｘに沿って第１サブ表示領域１０１、周辺領域２０２および第２サブ表示領域１０２を通過して、周辺領域２０２で開口部２０１の周りに巻き回される。複数の第２信号線ＧＳ２は、周辺領域２０２の第３巻線領域Ｒ３または第４巻線領域Ｒ４を介して巻かれている。複数の第３信号線ＥＭ２は、第１サブ表示領域１０１および第３サブ表示領域１０３を通過する。複数の第３信号線ＥＭ１は、第１方向Ｘに沿って第３サブ表示領域１０３を通過する。
本開示のいくつかの実施例において、複数の第２信号線ＧＳ２、複数の第３信号線ＥＭ２などは、Ｘ方向に沿った信号線の少なくとも１つは、開口部２０１で切り離されてもよく、巻線設計をしない。
本開示のいくつかの実施例において、例えば、第２信号線ＧＳ２はゲート走査信号であり、表示パネルが両側駆動を採用する場合、第２信号線ＧＳ２はまた、表示パネルの左側および右側などの両側を介して画素駆動回路に走査信号を提供することができるので、巻線設計を実行せず、周辺領域２０２内の信号配置スペースが解放される。
例えば、図２に示すように、表示領域１０は、光透過領域の第４側ＳＳ４に設けられる第４サブ表示領域１０４をさらに含むことができる。例えば、第４サブ表示領域１０４は、第２方向Ｙにおいて、第１サブ表示領域１０１および第２サブ表示領域１０２と接続されている。複数の第１信号線ＤＳ１は、第２方向Ｙに沿って、第４サブ表示領域１０４、第１サブ表示領域１０１および第３サブ表示領域１０３を通過するか、または、第４サブ表示領域１０４、第２サブ表示領域１０２および第３サブ表示領域１０３を通過する。複数の第１信号線ＤＳ２は、第３サブ表示領域１０３から第２方向Ｙに沿って周辺領域２０２を通して第４サブ表示領域１０４まで延びる。即ち、表示パネルは、複数の第１信号線ＤＳ１を含み、その延在方向において、光透過領域（開口部領域）の設計により、通過する位置には画素単位が欠落してなく、したがって、当該複数の第１信号線ＤＳ１が光透過領域で巻かれる必要がない。表示パネルは、複数の第１信号線ＤＳ２を含み、その延在方向において、通過位置には通常の画素単位が欠落したため、本開示の実施例では、その信号を対応する画素単位に通常に提供することを確保するために、巻線設計を実行する。
なお、本開示の実施例において、説明および解決手段の理解の便宜のために、表示領域を第１サブ表示領域、第２サブ表示領域、第３サブ表示領域、第４サブ表示領域に分割し、実際に設計するとき、上記４つの表示領域には特定の境界がなく、本開示のいくつかの実施例において、上記４つの表示領域は、開口部２０１の「上、下、左、右」４つの表示位置として理解することができる。これは、本開示の実施例を限定するものではない。
なお、光透過領域２０１の設計位置に応じて、第１表示領域、第４表示領域、および第２表示領域のうちの少なくとも１つは、光透過領域２０１と表示パネルのフレームとの間の実際の距離に応じて縮小またはキャンセルすることができる。例えば、光透過領域２０１を表示パネルの上部フレームにできるだけ近づけて配置する場合、光透過領域２０１が表示パネルの上部フレームに非常に近いので、光透過領域２０１の上部に表示する必要はない。この場合、第４表示領域を除去することができる。他の位置の開口部２０１の設計は同じであるため、繰り返すことはしない。
例えば、表示領域は画素配列をさらに含み、画素配列が少なくとも第１サブ表示領域、第２サブ表示領域および第３サブ表示領域に位置する複数のサブ画素を含む。図３Ｃは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第１側の拡大概略図である。例えば、図３Ｃに示すように、表示領域１０は、画素配列ＤＰをさらに含み、画素配列ＤＰが表示領域にある複数の画素駆動回路ユニットＰを含み、例えば、第１サブ表示領域１０１は、光透過領域（例えば、開口部２０１）として例を挙げて、第１サブ表示領域１０１にある複数の画素駆動回路ユニットＰを含む。例えば、図３Ａに示すように、画素配列ＤＰは、第４サブ表示領域１０４にある複数の画素駆動回路ユニットＰをさらに含む。複数の画素駆動回路ユニットＰは、第２サブ表示領域１０２および第３サブ表示領域１０３（図には示されていない）にさらに設けられ、第２サブ表示領域１０２および第３サブ表示領域１０３の複数の画素駆動回路ユニットＰの配列方式は、図３Ｃの第１サブ表示領域１０１にある複数の画素駆動回路ユニットＰおよび図３Ａの第４サブ画素領域１０４の複数の画素駆動回路ユニットＰの配列方式と同じである。複数の第２信号線ＧＳ２、ＧＳ１は、第１表示信号（例えば、ゲート走査信号）を、画素配列ＤＰの複数の画素駆動回路ユニットＰに提供するように構成され、複数の第１信号線ＤＳ２、ＤＳ１は、第２表示信号（例えば、データ信号）を、画素配列ＤＰの複数の画素駆動回路ユニットＰに提供するように構成される。複数の第３信号線ＥＭ１、ＥＭ２は、第２表示信号（例えば、発光制御信号）を、画素配列ＤＰの複数の画素駆動回路ユニットＰに提供するように構成される。
なお、図３Ａは、光透過領域２０１の第４側ＳＳ４の拡大概略図であり、第４側ＳＳ４に対向する光透過領域２０１の第３側ＳＳ３の拡大概略図は、図３Ａの構造とはほぼ同じで、ここでは、詳細に繰り返さない。図３Ｃは、光透過領域２０１の第１側ＳＳ１の拡大概略図であり、第１側ＳＳ１に対向する光透過領域２０１の第２側ＳＳ２の拡大概略図は、図３Ｃの構造とはほぼ同じで、ここでは、詳細に繰り返さない。
例えば、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第１信号線ＤＳ２は、周辺領域２０２にある第１屈曲部Ｃ１および周辺領域２０２にある第１延在部Ｙ１を含む。第１延在部Ｙ１は、第２方向Ｙに沿って延在し、第１延在部Ｙ１は、第１屈曲部Ｃ１と接続され、第１屈曲部Ｃ１の少なくとも一部が開口部２０１の周りに設けられている。
本開示のいくつかの実施例において、第１信号線延在部Ｙ１などの信号線の延在部は、ほぼ直線状であってもよく、例えば、第１信号線は、データケーブルであってもよく、データケーブルの延在部Ｙ１が第２方向に沿って延在し、ほぼ直線状になし、第１信号線の屈曲部など、信号線の屈曲部は、破線または円弧線の形状を有し、例えば、第１信号線はデータケーブルであってもよく、データケーブルの屈曲部Ｃ１は、少なくとも一部が光透過領域２０１の周りに設けられる破線、または円弧セグメントであってもよい。
例えば、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第１屈曲部Ｃ１は、第１巻線領域Ｒ１の部分では、開口部２０１の周りに設けられてもよく、例えば、第１屈曲部Ｃ１は、第４巻線領域Ｒ４部分では、開口部２０１の周りに設けられてもよい。実際の設計では、第１屈曲部Ｃ１は、周辺領域２０２に設けられてもよいと理解できる。
例えば、隣接する２つの第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１と第１屈曲部Ｃ１は、周辺領域２０２（例えば、第４巻線領域Ｒ４）において同じフィルム層または異なるフィルム層に設けられてもよく、例えば、隣接する２つの第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１が所在するフィルム層と第１屈曲部Ｃ１が所在するフィルム層は異なり、このようにして、信号のクロストークを減らすことができるなど、第１信号線間の電気的影響を減らすことができる。
例えば、図３Ａおよび図３Ｃに示すように、表示パネルは、第２信号線ＧＳ２をさらに含むことができ、第２信号線ＧＳ２が第２延在部ＧＳ２１、第２屈曲部ＧＳ２２を含み、第２屈曲部ＧＳ２２が第４巻線領域Ｒ４を通過し、第２信号線ＧＳ２と第１信号線ＤＳ２は、周辺領域において異なる層に設けられている。このようにして、表示パネルの光透過領域２０１の左側および右側の信号の均一性を改善することができる。
例えば、第２信号線ＧＳ２はまた、光透過領域２０１で切り離してもよく、このとき、周辺領域２０２の位置に第２信号線ＧＳ２が存在せず、例えば、第２延在部ＧＳ２１、第２屈曲部ＧＳ２２（図３Ａでは、ここでＧＳ２を省略できるように、点線で示す）がない。このようにして、周辺領域２０２内の狭い配線スペースの問題を緩和することができる。
本開示のいくつかの実施例において、図３Ａに示すように、第４巻線領域Ｒ４（例えば、および第３巻線領域Ｒ３）において、第１信号線ＤＳ２の密度、つまり第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１の密度が、第２信号線ＧＳ２の密度、つまり第２信号線ＧＳ２の第２屈曲部ＧＳ２２の密度よりも低く、それにより、発光素子の電極（カソードなど）の電位に対する周辺領域２０２の密な巻線の影響を低減することに有益である。
例えば、図３Ｃに示すように、第１巻線領域Ｒ１（例えば、および第２巻線領域Ｒ２）において、第２信号線ＧＳ２がベース基板１００への正射影と、第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１がベース基板１００への正射影とは、交差する。例えば、第１巻線領域Ｒ１（例えば、および第２巻線領域Ｒ２）において、第２信号線ＧＳ２の密度、例えば第２信号線ＧＳ２の第２屈曲部ＧＳ２２の密度は、第１信号線ＤＳ２、例えば第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１の密度よりも低く、それにより、発光素子の電極（カソードなど）の電位に対する周辺領域２０２の密な巻線の影響を低減することに有益である。
例えば、少なくとも１つの第１信号線の少なくとも一部が開口部の周辺領域において所在するフィルム層は、少なくとも１つの第１信号線が表示領域において所在するフィルム層とは異なる。図３Ｃに示すように、第２信号線ＧＳ２の第２信号線延在部ＧＳ２１および第２屈曲部ＧＳ２２が開口部の周辺領域２０１の第１巻線領域Ｒ１（例えば、および第２巻線領域Ｒ２）において所在するフィルム層と、第２信号線ＧＳ２が表示領域１００において所在するフィルム層とは、異なる。例えば、配線層が変更された第１延在部Ｙ１と、配線層が変更されていない第１延在部Ｙ１は、間隔をあけて配置されてもよい。つまり、第２信号線ＧＳ２が第１表示領域１０１から開口部の周辺領域２０１まで延在する際に、配線層が変更され、第２信号線ＧＳ２の配線密度を低減し、したがって、発光素子の電極（例えば、カソード）の電位に対する周辺領域２０２の密な巻線の影響を低減することに有益である。
なお、本開示の実施例における配線「密度」とは、単位面積あたりの配線数、例えば、第１方向または第２方向の単位距離あたりの配線数を指し、または「密度」とは、配線方向に垂直な方向に、隣接する２つの線間の距離を指すことが理解できる。
例えば、図３Ａおよび図３Ｃに示すように、表示パネル１は、第１方向Ｘに沿って延在するリセット信号線ＲＳ１、ＲＳ２をさらに含み、リセット信号線ＲＳ１、ＲＳ２のそれぞれが、リセット信号を、対応する画素配列ＤＰのサブ画素Ｐに提供する。複数のリセット信号線ＲＳ２が周辺領域２０２に近い第１表示領域１０１の縁部で切り離されてかつ第２信号線ＧＳ２と接続され、例えば、リセット信号線ＲＳ２は、点Ｍで切り離され、次の行のサブ画素Ｐを通過する第２信号線ＧＳ２の点Ｎと接続され、周辺領域２０２の配線スペースの狭い問題を緩和する。
例えば、図３Ａおよび図３Ｃに示すように、表示パネル１は、第１方向Ｘに沿って延在する初期化信号線ＶＳ１、ＶＳ２をさらに含み、初期化信号線ＶＳ１、ＶＳ２のそれぞれが画素配列ＤＰの対応するサブ画素Ｐに初期化信号を提供する。複数の初期化信号線ＶＳ２は、第１サブ表示領域１０１および第２サブ表示領域１０２を通過する。複数の初期化信号線ＶＳ２は、周辺領域２０２に近い第１表示領域１０１の縁部で切り離され、例えば、点Ｓで切り離され、周辺領域２０２の配線スペースの狭い問題を緩和する。
例えば、図３Ｄは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第４側の拡大概略図である。図３Ｄに示すように、第３信号線ＥＭ２は、光透過領域２０２に近い第１サブ表示領域１０１および第２サブ表示領域１０２の一側に巻線設計を実行し、表示の均一性を向上させる。
例えば、図３Ｅは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第１側の拡大概略図である。図３Ｂおよび図３Ｅに示すように、第３信号線ＥＭ２が光透過領域２０２に近い第１サブ表示領域１０１および第２サブ表示領域１０２の一側で切り離され、（図３Ｅにおける右側の点線に示すように、ＥＭ２２を設置しなくてもよい）、周辺領域２０２の配線密度を低下する。
例えば、図３Ａおよび図３Ｃに示すように、表示パネル１は、第２方向Ｙに沿って延在する電源ケーブルＶＤＳ１、電源ケーブルＶＤＳ２をさらに含む。例えば、電源ケーブルＶＤＳ１、ＶＤＳ２のそれぞれは、画素配列ＤＰの対応するサブ画素Ｐに高レベル信号を提供する。電源ケーブルＶＤＳ１は、第１サブ表示領域１０１および第３サブ表示領域１０３、または第２サブ表示領域１０２および第３サブ表示領域１０３を通過する。電源ケーブルＶＤＳ２は、第４サブ表示領域１０４を通過し、電源ケーブルＶＤＳ２が第４巻線領域Ｒ４に近い第４サブ表示領域１０４の縁部で切り離され、第４巻線領域Ｒ４を通過しなく、開口部の周辺領域２０２の配線密度を低下する。
なお、第３信号線ＥＭ２、初期化信号線ＶＳ２が光透過領域２０２に近い第１サブ表示領域１０１および第２サブ表示領域１０２の一側で切り離されるとき、表示パネル１は、両側駆動を採用することができ、例えば、表示パネル１の両側、例えば、左側と右側にゲート駆動回路を配置して、それぞれ第１サブ表示領域１０１および第２サブ表示領域１０２の第３信号線ＥＭ２および初期化信号線ＶＳ２と接続させる。
例えば、図４Ａは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの概略図である。図４Ａに示すように、第１巻線領域Ｒ１と第２巻線領域Ｒ２は、第１方向Ｘに対向配置されてもよく、これら２つの領域の設計アイデアは基本的に同じで、例えば、対称的に配置されてもよく、第３巻線領域Ｒ３と第４巻線領域Ｒ４とは対向配置され、これら２つの領域の設計アイデアは基本的に同じで、例えば、対称的に配置されてもよい。なお、後で第１巻線領域Ｒ１および第２巻線領域Ｒ２の配線を説明するとき、第１巻線領域Ｒ１を例として説明し、第２巻線領域Ｒ２については詳細に説明しない。後で第３巻線領域Ｒ３および第４巻線領域Ｒ４の配線を説明するとき、第４巻線領域Ｒ４を例として説明し、第３巻線領域Ｒ３については詳細に説明しない。
例えば、図４Ａに示すように、本開示のいくつかの実施例において、第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１の分布密度は、第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１の分布密度よりも低く、隣接する２つの第１延在部Ｙ１同士間の間隔が隣接する２つの第１屈曲部Ｃ１同士間の間隔よりも大きい。
例えば、図４Ａに示すように、本開示のいくつかの実施例において、表示パネルは、第２信号線をさらに含み、第１巻線領域Ｒ１（または第２巻線領域Ｒ２）にある第２信号線ＧＳ２の密度は、第３巻線領域Ｒ３（または第４巻線領域Ｒ４）にある第２信号線ＧＳ２の密度よりも低い。
例えば、図４Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域２０１の第１側、第４側の部分的に拡大された概略図である。図４Ｂに示すように、第１巻線領域Ｒ１は、第１サブ領域Ｒ１１（図において点線の長方形フレーム）および第２サブ領域Ｒ１２（図において楕円形フレーム）をさらに含む。第１サブ領域Ｒ１１と開口部２０１に近い表示領域１０の境界ＡＳとの間の距離Ｘ１１１は、第２サブ領域Ｒ１２と第１巻線領域Ｒ１に近い表示領域１０の境界との間の距離Ｘ１１２よりも小さい。つまり、第１サブ領域Ｒ１１は、第２サブ領域Ｒ１２よりも表示領域１０に近い。なお、距離Ｘ１１１および距離Ｘ１１２は、第１サブ領域Ｒ１１と第２サブ領域Ｒ１２の間の相対的な位置関係を概略的に示す。
本開示のいくつかの実施例において、図４Ｂに示すように、第１サブ領域Ｒ１１は、第２信号線の延在部ＧＳ２１がベース基板への正射影と、第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１がベース基板への正射影とが交差する領域である。つまり、第１サブ領域Ｒ１１は、直線と円弧線の配線が互いに交差する領域である。第２サブ領域Ｒ１２は、第２屈曲部ＧＳ２２がベース基板への正射影と第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１がベース基板への正射影とが交差する領域である。つまり、第２サブ領域Ｒ１２は円弧線と円弧線の配線が交差する領域である。
本開示のいくつかの実施例において、図４Ｂに示すように、第１サブ領域Ｒ１にある第２信号線ＧＳ２および第１信号線ＤＳ２の密度は、第２サブ領域Ｒ２にある第２信号線ＧＳ２および第１信号線ＤＳ２の密度よりも低い。つまり、第１サブ領域Ｒ１の第２信号線延在部ＧＳ２１および第１屈曲部Ｃ１の密度は、第２サブ領域Ｒ２にある第２屈曲部ＧＳ２２および第１屈曲部Ｃ１の密度よりも低い。
本開示のいくつかの実施例において、図４Ｂに示すように、第１サブ領域Ｒ１１が、第２サブ領域Ｒ１２よりも表示領域１０に近く、つまり第１サブ領域Ｒ１１には直線と円弧線が交差する位置Ｐがあり、位置Ｐと表示領域との間の距離が、第２サブ領域Ｒ１２の円弧線と円弧線が交差する位置Ｑと表示領域との間の距離よりも小さいと理解できる。配線密度の高い第２サブ領域Ｒ１２は、第１サブ領域Ｒ１１よりも、表示領域１０から遠いため、開口部の周辺領域の高密度配線が発光素子の電極（例えば、カソード）の電位に及ぼす影響を減らすことができる。
例えば、図４Ｃは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第１側の拡大概略図である。図４Ｃに示すように、第２信号線延在部ＧＳ２１は、第１屈曲部Ｃ１などの第１信号線ＤＳ２の射影と重なる複数の第２延在重なり部ＳＴ１を含む。第２信号線延在部ＧＳ２１と接続される第２屈曲部ＧＳ２２は、第１屈曲部Ｃ１などの第１信号線ＤＳ２の射影と重なる第２屈曲重なり部ＷＴ１を含む。
例えば、図４Ｄは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第４側の拡大概略図である。図４Ｃおよび図４Ｄに示すように、第４巻線領域Ｒ４は、第３サブ領域Ｒ４１（図において点線の長方形フレーム）および第４サブ領域Ｒ４２（図において楕円形フレーム）をさらに含む。第３サブ領域Ｒ４１と光透過領域２０１に近い表示領域１０の境界ＡＳとの間の距離Ｘ１４１は、第４サブ領域Ｒ４２と第４巻線領域Ｒ４に近い表示領域１０の境界ＡＳとの間の距離Ｘ１４２よりも小さい。つまり、第３サブ領域Ｒ４１は、第４サブ領域Ｒ４２よりも表示領域１０に近い。なお、距離Ｘ１４１および距離Ｘ１４２は、第３サブ領域Ｒ４１と第４サブ領域Ｒ４２との間の相対的な位置関係を概略的に示す。第３サブ領域Ｒ４１において、第１延在部Ｙ１（図４Ｃに示される）がベース基板への正射影と、第２信号線ＧＳ２の第２屈曲部ＧＳ２２がベース基板への正射影とは交差する。つまり、第３サブ領域Ｒ４１において、直線と円弧線の配線が互いに交差する。第４サブ領域Ｒ４２において、第２屈曲部ＧＳ２２がベース基板への正射影と第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１がベース基板への正射影とは交差する。つまり、第４サブ領域Ｒ４２において、円弧線と円弧線の配線は互いに交差する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例において、図４Ｆは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の概略図である。図４Ｄおよび図４Ｆに示すように、第３サブ領域Ｒ４１にある第２信号線ＧＳ２および第１信号線ＤＳ２の密度は、第４サブ領域Ｒ４２にある第２信号線ＧＳ２および第１信号線ＤＳ２の密度よりも低い。即ち、第３サブ領域Ｒ４１にある第１延在部Ｙ１および第２屈曲部ＧＳ２２の密度は、第４サブ領域Ｒ４２にある第２屈曲部ＧＳ２２および第１屈曲部Ｃ１の密度よりも低い。配線密度の高い第４サブ領域Ｒ４２は、第３サブ領域Ｒ４１よりも表示領域１０から離れているため、開口部の周辺領域の高密度配線が発光素子の電極（例えば、カソード）の電位に及ぼす影響を減らすことができる。
図５は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの表示領域の概略断面図である。図５に示すように、表示パネル１は、バリア層２０９、バッファ層２１１、第１絶縁層２１２（例えば、第１ゲート絶縁層）、第２絶縁層２１３（例えば、第２ゲート絶縁層）、第３絶縁層２１４（例えば、層間ゲート絶縁層）およびパッシベーション層２１５（例えば、無機パッシベーション層）を含む。バリア層２０９は、ベース基板１００に設けられ、バッファ層２１１は、ベース基板１００から離れたバリア層２０９の一側に設けられる。表示領域１０における複数の画素駆動回路ユニットＰのそれぞれは、サブ画素駆動回路２６０を含む。サブ画素駆動回路２６０は、第２信号線ＧＳ１、第１信号線ＤＳ１および第３信号線ＥＭ１などに接続されてもよい。サブ画素駆動回路２６０は、第１トランジスタＴ１および発光素子２６を含む。第１トランジスタＴ１は、発光素子２６と接続され、第１トランジスタＴ１は、発光駆動信号を発光素子２６に提供するように構成される。表示パネル１は、第１平坦化層２３２、第１アダプタ電極２４１、第２平坦化層２５１をさらに含んでもよい。
例えば、第１アダプタ電極２４１は、銅（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）うちの１種または複数種などの、トランジスタのソースドレイン電極と同じ材料を使用することができ、例えば、チタンアルミニウムチタン（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）積層構造であってもよい。
例えば、第１トランジスタＴ１は、薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ、または同じ特性を有する他のスイッチングデバイスであってもよく、ここでは、薄膜トランジスタを例として説明する。
例えば、図５に示すように、第１トランジスタＴ１は、バッファ層２１１にある活性層２２２と、活性層２２２のベース基板１００から離れた一側にある第１絶縁層２１２と、第１絶縁層２１２にあるゲート２２３と、ゲート２２３のベース基板１００から離れた一側にある第２絶縁層２１３と、第２絶縁層２１３上にある第３絶縁層２１４と、第３絶縁層２１４にある２つのソースドレイン電極（ソース２２４およびドレイン２２５を含む）と、を含む。バッファ層２１１は、ベース基板内の有害物質が表示パネルの内部に侵入することを防ぐことができる遷移層として機能し、ベース基板１００への表示パネル内のフィルム層の接着力を増加させることができる。バリア層１０１２は、水や酸素などの不純物がベース基板１００から第１トランジスタＴ１などの機能構造に浸透することを防ぐことができ、バリア層２０９とバッファ層２１１は、ベース基板上の他の機能構造を保護することができる。例えば、バリア層２０９およびバッファ層２１１の材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などの絶縁材料を含むことができる。第３絶縁層２１４、第２絶縁層２１３および第１絶縁層２１２の１種または複数種の材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などの絶縁材料を含むことができる。第３絶縁層２１４、第２絶縁層２１３および第１絶縁層２１２の材料は、同じであっても異なってもよい。
例えば、図５に示すように、パッシベーション層（passivation layer）２１５は、第１トランジスタＴ１のベース基板から離れた一側に位置され、かつビアホールを含んで、ソース２２４とドレイン２２５の一方を露出させ、例えば、ソース２２４を露出させる。パッシベーション層２１５は、第１トランジスタＴ１のソース２２４およびドレイン２２５が水蒸気によって腐食されることを防ぐことができる。例えば、パッシベーション層２１５の材料は、有機絶縁材料または無機絶縁材料、例えば窒化ケイ素材料を含んでもよく、その高い誘電率および良好な疎水性機能のため、画素駆動回路２２１を水蒸気による腐食から十分に保護することができる。なお、パッシベーション層２１５は任意のフィルム層であり、他の実施例では、パッシベーション層２１５を配置しなくてもよく、本開示の実施例はそれに限定されない。
図３Ｆは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される図３ＤのＡ２－Ｂ２に沿った概略断面図であり、図３Ｇは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される図３ＥのＡ１－Ｂ１に沿った概略断面図であり、図３Ｈは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される図３ＥのＣ１－Ｃ２に沿った概略断面図である。
例えば、図３Ａおよび図３Ｄに示すように、表示パネルは、光透過領域２０１を取り囲む初期化信号線ＶＳ３をさらに含むことができる。図３Ｄの横断線Ａ２－Ｂ２は、初期化信号線ＶＳ３、第１信号線ＤＳ２、第２信号線ＧＳ１（第１方向Ｘに沿って延在する）、および第１延在部Ｙ１を貫通する。
例えば、図３Ｄおよび図３Ｆに示すように、第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１は、周辺領域２０２において、第４絶縁層２３２（例えば、図５の第１平坦化層２３２であり、後で詳しく説明する）のベース基板１００から離れた一側に位置され、例えば、Ｙ１－１０を例として、第１平坦化層２３２のベース基板１００から離れた一側に位置される。第１信号線ＤＳ２、例えば、第１信号線の本体部ＤＳは、表示領域１０では、第３絶縁層２１４と第４絶縁層２３２との間に設けられ、第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１は、周辺領域２０２において、第４絶縁層２３２を貫通したビアホールを介して、表示領域１０内の第１信号線の本体部ＤＳの部分と接続される。表示パネルがパッシベーション層２１５（図には示されていない）を含む場合、周辺領域２０２において、第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１は、第４絶縁層２３２およびパッシベーション層２１５を貫通したビアホールを介して、表示領域１０内の第１信号線ＤＳ２の部分と接続される。
例えば、図３Ｄおよび図３Ｆに示すように、初期化信号線ＶＳ３と第１延在部Ｙ１は同じ層に配置され、即ち、第４絶縁層２３２のベース基板１００から離れた一側に位置される。なお、図３Ｇ内のパッシベーション層２１５は任意のフィルム層であり、他の実施例では、パッシベーション層２１５を配置しなくてもよく、本開示の実施例はこれに限定されない。なお、図３Ｄは、光透過領域２０１の片側の部分的な概略図であり、当該部分に対向する光透過領域２０１のある位置に表示領域がある場合、第１信号線ＤＳ２の層変更方法は、当該領域と一致してもよいが、一致しなくてもよく、本開示の実施例では、これを限定しない。
例えば、図３Ｄに示すように、隣接する第１延在部Ｙ１、例えば、Ｙ１－１０、Ｙ１－９は、異なるフィルム層に設けられてもよく、例えば、Ｙ１－９がそれと電気的に接続された本体部ＤＳと同じフィルム層に設けられてもよく、つまり、隣接する第１延在部Ｙ１が異なるフィルム層に設けられてもよく、このようにして、配線スペースを節約することができる。
例えば、図３Ｆに示すように、表示パネルは、ダミーアダプタ部ＤＳ２’を含むことができ、ダミーアダプタ部ＤＳ２’は、表示領域１０（例えば、第３サブ表示領域１０３または第４サブ表示領域１０４）内の第１信号線ＤＳ２の部分、即ち第１信号線本体部ＤＳと同じ層にあり、つまり、第３絶縁層２１４と第４絶縁層２３２との間に位置する。ダミーアダプタ部ＤＳ２’は、第１信号線ＤＳ２の層変更位置のパターン設計を均一にし、エッチングの均一性を確保することができる。
本開示のいくつかの実施例において、図３Ｃおよび図１２Ａに示すように、第１延在部Ｙ１の長さＬ１（例えば、Ｌ１－１、Ｌ１－２…Ｌ１－１０）、それと第２電極２６３との間の垂直距離Ｈ１、およびＳ１（第１接続部と、n個の第１信号線の第１延在部とがベース基板への正射影の重なり面積）は、式Ｈ１＝ｋ＊（Ｓ１／ｎ）／Ｌ１を満たし、ｋは１～２０の自然数であり、ｋも１～２０の実数であってもよい。具体的に実施するとき、パネル自体の厚さ要件に応じて、例えば、ｋは１～１０であり、または１～１５であり、または２～１０間の、２～８間の、２～６間の、２～４間の、３～１２間の、３～９間の、３～６、３～５間の自然数または実数であってもよい。このように、光透過領域の周囲に、駆動回路信号線（例えば、第１信号線）、発光層電極（例えば、カソード）、または駆動回路信号線（例えば、第１信号線）、発光層電極（例えば、カソード）、タッチ層（例えば、第１接続部）間の影響がより小さい場合で、パネルの厚さをできるだけ薄くすることができる。
本開示のいくつかの実施例において、図３Ｄおよび図１２Ａに示すように、第１接続部Ｒｘ１と第２電極との間の垂直距離はＨ２で、n個の第１信号線ＤＳ２のうちの１つの第１延在部の面積はＡ１、第１接続部Ｒｘ１の面積はＡ２であり、ただし、Ｈ２≧（１／ｋ１）＊（Ａ２／ｎＡ１）＊Ｈ１で、ｋ１は５～１８０の自然数で、ｋ１は５～１８０の実数であってもよい。
例えば、第１接続部Ｒｘ１と第２電極との間の垂直距離はＨ２で、第１接続部Ｒｘ１の表面と第２電極２６３との間の垂直距離であってもよく、第１接続部Ｒｘ１の底面と第２電極２６３との間の垂直距離であってもよく、その厚さの半分にある位置と第２電極２６３との間の垂直距離であってもよい。これについて、本開示の実施例では限定されない。
例えば、光透過領域２０２のサイズを考慮し、例えば、光透過領域２０２に孔径が２μｍ～５μｍの穴を開け、欠落した画素の数に応じて、ｎの値は１～２０の整数であってもよく、例えば、５、６、７、８…１５であってもよく、第２方向Ｙの第１接続部Ｒｘ１のサイズは、例えば、５０μｍ～６００μｍであってもよく、第１方向Ｘのサイズは、５０μｍ～２００μｍであってもよい。光透過領域２０２のサイズに応じて、異なるサイズを設計し、第１接続部Ｒｘ１の面積Ａ２は、第１方向Ｘにおける第１接続部Ｒｘ１のサイズに第２方向におけるサイズを掛けたものにほぼ等しく、ｋ１は５～１８０の自然数であり、ｋ１は５～１８０の実数であってもよく、ｎ、Ａ１、Ａ２、Ｈ１が一定の場合、５～１８０の自然数または実数というｋ１の範囲に従って、Ｈ２を調整し、例えば、ｋ１の値は５～１０、１０～２０、２０～３０、３０～４０．．．１７０～１８０の自然数または実数であってもよい。
本開示のいくつかの実施例において、n個の第１信号線ＤＳ２の少なくとも１つの第１延在部の抵抗率はρ１で、第１接続部Ｒｘ１の抵抗率はρ２である。Ｈ２≧（１／ｋ１）＊（Ａ２＊ρ１／ｎＡ１＊ρ２）＊Ｈ１で、ｋ１は５～１８０の自然数であり、ｋ１も５～１８０の実数であってもよい。
本開示のいくつかの実施例において、n個の第１信号線ＤＳ２における少なくとも１つの第１延在部の抵抗率はρ１であり、第１接続部の抵抗率はρ２であり、Ｈ２≧（１／ｋ１）＊（Ａ２＊ρ１／ｎＡ１＊ρ２）＊Ｈ１で、ｋ１は５～１８０の自然数で、ｋ１は５～１８０の実数であってもよい。
なお、本開示の実施例において、「＊」は乗算記号を示す。
例えば、第１延在部Ｙ１および第１接続部Ｒｘ１の材料は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、およびモリブデン（Ｍｏ）の１種または複数種の組み合わせなどの金属である。例えば、第１延在部Ｙ１および第１接続部Ｒｘ１の材料は、同じであっても異なってもよい。例えば、第１延在部Ｙ１および第１接続部Ｒｘ１の材料はいずれも、アルミニウムチタンアルミニウム（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）の３層構造であってもよい。
例えば、図３Ｅに示すように、第３信号線ＥＭ２は、光透過領域２０２に近い第１サブ表示領域１０１および第２サブ表示領域１０２の一側に切り離されなくてもよい。第３信号線ＥＭ２は、第１方向Ｘに沿って第１サブ表示領域１０１を貫通した後、周辺領域２０２に入ると、配線層が変更される。第３信号線ＥＭ２は、光透過領域２０２に近い第１サブ表示領域１０１および第２サブ表示領域１０２の一側にも切り離されない場合、表示パネル１の一側にゲート駆動回路を配置して、第１サブ表示領域１０１と第２サブ表示領域１０２を接続する第３信号線ＥＭ２と接続させる。周辺領域２０２内の第３信号線ＥＭ２の部分は、第３信号線延在部ＥＭ２１および第３屈曲部ＥＭ２２を含む。第３信号線延在部ＥＭ２１および第３屈曲部ＥＭ２２の配線方法は、第２信号線ＧＳ２の第２延在部ＧＳ２１および第２屈曲部ＧＳ２２の配線方法と同じであってもよく、本開示の実施例では繰り返して説明しない。図３Ｅの横断線Ｃ１－Ｃ２は、第３信号線ＥＭ２、第３信号線延在部ＥＭ２１および初期化信号線ＶＳ３などを貫通する。
例えば、図３Ｅに示すように、第２信号線延在部ＧＳ２１は、表示領域と電気的に接続される第２拡幅部Ｅ２をさらに含む。第２拡幅部Ｅ２の位置で第２信号線の延在部ＧＳ２１と表示領域の第２信号線ＧＳ２、例えば第２信号線本体部ＧＳを電気的に接続させる。
例えば、図３Ｅおよび図３Ｇに示すように、表示パネルは、第３絶縁層２１４と第４絶縁層２３２との間に設けられる第２アダプタ部ＬＳ１を含む。第２信号線ＧＳ２の第２信号線延在部ＧＳ２１は、周辺領域２０２において、第２絶縁層２１３と第３絶縁層２１４との間に設けられ、表示領域１０内の第２信号線ＧＳ２の部分、即ち第２本体部本体部ＧＳは、第１絶縁層２１２と第２絶縁層２１３との間に設けられる。第２アダプタ部ＬＳ１の一端は、第３絶縁層を貫通したビアホールを介して第２信号線延在部ＧＳ２１と接続され、第２アダプタ部ＬＳ１の他端は、第３絶縁層２１４および第２絶縁層２１３を貫通したビアホールを介して、第２信号線ＧＳ２の本体部ＧＳと接続される。第３信号線ＥＭ２およびリセット信号線ＲＳ２も第１絶縁層２１２と第２絶縁層２１３との間に設けられる。第２アダプタ部ＬＳ１はまた、第３絶縁層を貫通したビアホールを介してリセット信号線ＲＳ２と接続される。初期化信号線ＶＳ２は、第２絶縁層２１３と第３絶縁層２１４との間に設けられる。初期化信号線ＶＳ３は、ベース基板１００から第４絶縁層２３２の一側に設けられる。
例えば、図３Ｅおよび図３Ｆに示すように、表示パネルは、第３絶縁層２１４と第４絶縁層２３２との間に設けられる第３アダプタ部ＬＳ２を含む。第３信号線ＥＭ２の第３信号線延在部ＥＭ２１は、周辺領域２０２において、第２絶縁層２１３と第３絶縁層２１４との間に設けられ、表示領域１０内の第３信号線ＥＭ２の部分は、第１絶縁層２１２と第２絶縁層２１３との間に設けられる。第３アダプタ部ＬＳ２の一端は、第３絶縁層を貫通したビアホールを介して、第３信号線ＥＭ２の第３信号線延在部ＥＭ２１と接続され、第３アダプタ部ＬＳ２の他端は、第３絶縁層２１４および第２絶縁層２１３を貫通したビアホールを介して、表示領域１０内の第２信号線ＥＭ２の部分と接続される。図に示した第３アダプタ部ＬＳ２は２つの第２信号線ＥＭ２（異なる行に位置する）と接続され、初期化信号線ＶＳ３が第４絶縁層２３２のベース基板１００から離れた一側に位置される。
なお、図３Ｇおよび図３Ｈのパッシベーション層２１５（図には示されていない）は、任意のフィルム層であり、他の実施例では、パッシベーション層２１５を配置しなくてもよく、本開示の実施例は、これに限定されない。
なお、表示領域１０内の第１信号線の本体部ＤＳ、第２信号線の本体部ＧＳ、および第３信号線ＥＭ２の部分は、基本的には表示領域にあると理解でき、言い換えれば、各信号線の少なくとも１つは、ｄｕｍｍｙ（ダミー）画素領域に部分的に配置されてもよく、例えば、図３Ｄおよび図３Ｅに示すように、光透過領域２０１に近い画素単位において、光透過領域２０１に一番近い少なくとも１行、または１列の画素をダミー画素（画面の表示に用いられない）に設計し、このとき、各信号線の本体部、例えば、第１信号線の本体部ＤＳは、依然として対応するダミー画素と電気的に接続され、周辺領域２０２に延びて、対応する延在部、例えば、Ｙ１と電気的に接続されてもよく、第２信号線、第３信号線は同じであり、繰り返して説明しない。
なお、本開示の実施例におけるｄｕｍｍｙ画素領域は、ダミー画素（画面の表示に用いられない）を含む領域である。
例えば、図３Ｆおよび図３Ｇに示すように、第２信号線ＧＳ２の本体部ＧＳとベース基板１００との間の距離Ｘ１０、および第２信号線ＧＳ２が周辺領域２０２における第２信号線延在部ＧＳ２１とベース基板との間の距離Ｘ２０は、第１信号線ＤＳ２とベース基板１００との間の距離、例えば、周辺領域２０２内の第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１とベース基板１００との間の距離Ｘ３０よりも小さい。
なお、本開示の実施例における「距離」は、２つのフィルム層Ａの底面とフィルム層Ｂの底面との間の距離、フィルム層Ａの上面とフィルム層Ｂの上面との間の距離を指し、また、フィルム層Ａの上面とフィルム層Ｂの底面、またはフィルム層Ａの底面とフィルム層Ｂの上面との間の距離であってもよく、またはフィルム層Ａ、Ｂの平均厚さの位置の間の距離であってもよく、本開示はそれを限定せず、距離を比較するときに同じ基準を使用することのみが必要である。例えば、図３Ｆおよび図３Ｇのように、比較される部材の膜厚の半分にある位置を、基準として距離の比較を行う。
なお、膜厚の測定は、２５％などの誤差範囲内である限り誤差があり、限定された位置点を選択して平均値を測定することもできるが、本開示では限定されない。
なお、測定誤差を考慮すると、本開示における「長さ、幅、厚さ、距離など」は、２５％以内の測定誤差を許容することができる。
例えば、第１信号線ＤＳ２の本体部ＤＳが表示領域１０（有効な表示領域の外側へ延びたダミー画素領域の部分を含んでもよい）において第３絶縁層２１４と第４絶縁層２３２との間に設けられた一部は、第１トランジスタＴ１のソース２２４およびドレイン２２５と同じ層に形成されてもよく、例えば、同じ材料層でパターニングプロセスによって形成されるため、製造プロセスを簡素化した。
例えば、第２信号線ＧＳ２の本体部ＧＳの表示領域１０（有効な表示領域の外側へ延びたダミー画素領域の部分を含んでもよい）内にある部分は、第１トランジスタＴ１のゲート２２３と同じ層に形成されてもよく、例えば、同じ材料層でパターニングプロセスによって形成され、それによって製造プロセスを簡素化する。
本開示のいくつかの実施例において、表示パネルは、第２信号を複数の画素駆動回路ユニットＰに提供するように構成される第２信号線ＧＳ２をさらに含み、第１接続部Ｒｘ１とベース基板１００へのｍ個の第２信号線ＧＳ２の射影は重なり、重なり面積はＳ５で、ここでは、Ｓ５＞Ｓ２である。
例えば、図３Ｄおよび図３Ｅに示すように、第２信号線ＧＳ２は走査信号線、例えば、ゲート走査信号線ＧＳ２２またはリセット信号線ＲＳ２であり、第１接続部Ｒｘ１とｍ個の第２信号線ＧＳ２とのベース基板１００への射影は重なり、例えば、ｍ個の第２信号線ＧＳ２のそれぞれの射影との重なり面積がＳ５－１、Ｓ５－２．．．．Ｓ５－ｍであり、Ｓ５はＳ５－１、Ｓ５－２．．．．Ｓ５－ｍの合計であり、Ｓ５＞Ｓ２である。
例えば、第１接続部Ｒｘ１とｍ個の第２信号線ＧＳ２とのベース基板１００への射影は重なり、例えば、ｍ個の第２信号線ＧＳ２のそれぞれの射影との重なり面積がＳ５－１、Ｓ５－２．．．．Ｓ５－ｍであり、Ｓ５がＳ５－１、Ｓ５－２．．．．Ｓ５－ｍの合計で、Ｓ２が（３／４）Ｓ５、（２／３）Ｓ５、（１／２）Ｓ５などよりも小さい。
本開示のいくつかの実施例において、n個の第１信号線ＤＳ２において、隣接する２つの第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１間の距離がｂ１であり、ｍ個の第２信号線ＧＳ２において、隣接する２つの第２信号線と第１接続部Ｒｘ１の重なり領域間の間隔がｂ２であり、少なくとも１つの第２信号線と第２電極との間の距離がＨ５であり、ｂ１＞（Ｈ５／Ｈ１）＊ｂ２である。
例えば、隣接する２つの第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１－１、Ｙ１－２間の距離がｂ１であり、ｍ個の第２信号線ＧＳ２のうち、隣接する２つの第２信号線ＧＳ２－１、ＧＳ２－２と、第１接続部Ｒｘ１との重なり領域との間の間隔がｂ２であり、少なくとも１つの第２信号線ＧＳ２－１と第２電極２６３との間の距離がＨ５であり、ｂ１＞（Ｈ５／Ｈ１）＊ｂ２である。
本開示のいくつかの実施例において、ｍ個の第２信号線ＧＳ２と第１接続部Ｒｘ１とのベース基板における重なり領域の面積がＡ３であり、第１接続部Ｒｘ１の面積がＡ２であり、第１接続部Ｒｘ１と第２電極との間の垂直距離がＨ２であり、Ｈ２≧（１／ｋ２）＊（Ａ２／Ａ３）＊Ｈ５であり、ｋ２が１～１５の自然数であり、ｋ２が１～１５の実数であってもよい。
例えば、ｍ個の第２信号線ＧＳ２－１、ＧＳ２－２．．．．．．ＧＳ２－ｍと第１接続部Ｒｘ１とのベース基板における重なり領域の面積がＡ３－１、Ａ３－２．．．．．．Ａ３－ｍであり、Ａ３がＡ３－１、Ａ３－２．．．．．．Ａ３－ｍの合計であり、第１接続部Ｒｘ１の面積がＡ２であり、例えば、計算を簡単にするために、Ａ２はおおよそ第１方向Ｘのサイズに第２方向Ｙのサイズを掛けたものにすることができる。例えば、Ａ２は第１接続部Ｒｘ１の実際の占有面積であってもよく、Ｈ２が式Ｈ２≧（１／ｋ２）＊（Ａ２／Ａ３）＊Ｈ５を満たし、ｋ２は１～１５の自然数または実数であり、例えば、ｋ２は１～５または５～１０または１０～１５の自然数または実数であり、即ち第１接続部Ｒｘ１と第２電極２６３との間の垂直距離Ｈ２の最小値は、少なくとも上記の式を満たす必要があり、その結果、第２信号線ＧＳ２、第１接続部Ｒｘ１、第２電極２６３間の影響を小さくし、さらにＨ２の値が大きすぎてはならないことを考慮し、例えば、Ｈ２を１０～１６μｍ未満にしてもよく、具体的に実施するとき、実際の必要に応じて調整することができ、本開示では、限定されない。
本開示のいくつかの実施例において、ｍ個の第２信号線ＧＳ２のうちの少なくとも１つの抵抗率はρ３で、第１接続部Ｒｘ１の抵抗率はρ２であり、Ｈ２≧（１／ｋ２）＊（Ａ２＊ρ３／Ａ３＊ρ２）＊Ｈ５であり、ｋ２は１～１５の自然数で、ｋ２は１～１５の実数であってもよい。
例えば、第２信号線ＧＳ２、第１接続部Ｒｘ１の材料は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、およびモリブデン（Ｍｏ）の１種または複数種の組み合わせなどの金属である。例えば、第２信号線ＧＳ２、第１接続部Ｒｘ１の材料は同じであっても異なってもよく、例えば、第２信号線ＧＳ２、第１接続部Ｒｘ１の材料はいずれも、チタンアルミニウムチタン（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）の３層構造であってもよい。つまり、第１接続部Ｒｘ１と第２電極２６３との間の垂直距離Ｈ２の最小値は、少なくとも上記の式を満たす必要があり、それによって、第２信号線ＧＳ２、第１接続部Ｒｘ１および第２電極２６３間の影響を小さくし、信号線の材料特性をさらに考慮すると、より高い抵抗率の材料を選択すると、Ｈ２の最小値を減らすことができ、それによってパネル全体の厚さをある程度減らすことができる。
例えば、図５に示すように、活性層２２２は、ソース領域、ドレイン領域およびソース領域とドレイン領域との間に設けられるチャネル領域を含む。第３絶縁層２１４、第２絶縁層２１３および第１絶縁層２１２には、ソース領域およびドレイン領域を露出するためのビアホール（via hole）が設けられている。ソースおよびドレインはそれぞれ第３絶縁層２１４、第２絶縁層２１３および第１絶縁層２１２におけるビアホールを介して、ソース領域およびドレイン領域と電気的に接続される。ベース基板１００に垂直な方向に、ゲート２２３は、活性層２２２のソース領域とドレイン領域との間にあるチャネル領域と重なっている。
例えば、図５に示すように、第１平坦化層２３２（即ち、第４絶縁層）は、ソース２２４およびドレイン２２５のベース基板１００から離れた一側に位置され、サブ画素駆動回路２６０のベース基板１００から離れた一側の表面を平坦化するための第１平坦化表面を提供する。第１平坦化層２３２は、サブ画素駆動回路２６０によって引き起こされる不均一な表面を平坦化することができ、したがって、サブ画素駆動回路２６０によって引き起こされる凹凸が発光素子に欠陥を引き起こすのを防ぐことができる。第１平坦化層２３２には、ソース２２４またはドレイン２２５（図に示す場合では、ソース２２４が露出している）を露出させるためのビアホールが形成され、第１平坦化層２３２のベース基板１００から離れた一側に第１アダプタ電極２４１が形成されている。第１アダプタ電極２４１は、第１平坦化層２３２におけるビアホールおよびパッシベーション層のビアホールを介してソース２２４（またはドレイン２２５）と電気的に接続されている。当該第１アダプタ電極２４１は、第１平坦化層２３２に比較的大きな直径を有する真っ直ぐなビアホールを直接形成することを回避でき、それにより、ビアホールの電気的接続の品質を改善することができ、と同時に第１アダプタ電極２４１は、他の信号線（例えば、電源ケーブルなど）と同じ層に形成されてもよく、プロセスステップの増加がない。
例えば、一第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１の周辺領域２０２において第１平坦化層２３２のベース基板から離れた側にある部分は、第１アダプタ電極２４１と同じ層に形成されてもよく、例えば、同じ材料層でパターニングプロセスによって形成されてもよく、製造プロセスを簡素化する。
例えば、第１平坦化層２３２の材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などの無機絶縁材料を含み、また、ポリイミド、ポリフタルイミド、ポリフタルアミド、アクリル樹脂、およびベンゾシクロブテンまたはフェノール樹脂などの有機絶縁材料を含んでもよい。これらは、本開示の実施例に限定されない。
例えば、第１アダプタ電極２４１の材料は、モリブデン、アルミニウム、およびチタンなどによって形成された金属単層または多層構造などの金属材料または合金材料を含むことができる。
例えば、活性層２２２の材料は、ポリシリコンまたは酸化物半導体（例えば、インジウムガリウム亜鉛酸化物）を含むことができる。ゲート２２３の材料は、モリブデン、アルミニウム、チタンで形成された金属単層または多層構造などの金属材料または合金材料を含むことができ、例えば、当該多層構造は、多金属積層（例えば、チタン、アルミニウムおよびチタンの３層金属積層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ））である。ソース２２４およびドレイン２２５の材料は、モリブデン、アルミニウム、チタンで形成された金属単層または多層構造などの金属材料または合金材料を含むことができ、例えば、当該多層構造は、多金属積層（例えば、チタン、アルミニウムおよびチタンの３層金属積層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ））である。本開示の実施例は、各機能層の材料を具体的に限定するものではない。
例えば、図５に示すように、第２平坦化層２５１は、第１アダプタ電極２４１のベース基板１００から離れた一側に平坦化表面を提供するために、第１アダプタ電極２４１のベース基板１００から離れた一側に位置されている。第２平坦化層２５１にはビアホールが形成されている。
例えば、第２平坦化層２５１の材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素などの無機絶縁材料を含み、ポリイミド、ポリフタルイミド、ポリフタルアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテンまたはフェノール樹脂などの有機絶縁材料を含むことができ、本開示の実施例では、限定されない。
例えば、図５に示すように、第１平坦化層２３２のベース基板２００に垂直な方向におけるサイズは、約０．５～１．５ミクロンであり、例えば、その値が約０．７ミクロンであり、ここで、「約」という言葉は、値が、例えば、±１５％、または例えば、±％２５の範囲内で変動する可能性があることを意味する。ベース基板２００に垂直な方向において、第２平坦化層２５１のサイズは、約０．５～１．７ミクロンであり、例えば、その値が約０．８ミクロンであり、ここで、「約」という言葉は、値が、例えば、±１５％、または例えば、±％２５の範囲内で変動する可能性があることを意味する。即ち、第１平坦化層２３２の厚さは約０．５～１．５ミクロンであり、第２平坦化層２５１の厚さは、約０．５～１．７ミクロンである。
本開示のいくつかの実施例において、引き続き図５に示すように、発光素子２６は、第２平坦化層２５１に設けられ、即ち発光素子２６は、第２平坦化層２５１のベース基板１００から離れた一側に位置される。発光素子２６は、第１電極２６１（例えば、アノード）、発光層２６２および第２電極２６３（例えば、カソード）を含む。発光素子２６の第１電極２６１は、第２平坦化層２５１における第２ビアホール２５２を介して第１アダプタ電極２４１と電気的に接続される。第１電極２６１のベース基板１００から離れた一側に、画素定義層２１６が形成され、画素定義層２１６は、複数の画素駆動回路ユニットＰを規制するための複数の開口部Ｋを含み、複数の開口部Ｋが複数のサブ画素に１対１で対応する。開口部Ｋのそれぞれは、第１電極２６１を露出させ、発光層２６２が画素定義層２１６の開口部Ｋに設けられる。第２電極２６３は例えば、表示領域の一部または全体内に設けられてもよく、例えば、周辺領域２０２において延在し、製造プロセス中に表面全体に形成されてもよい。
例えば、第１電極２６１は、反射層を含んでもよく、第２電極２６３は、透明層または半透明層を含んでもよい。したがって、第１電極２６１は、発光層２６２から放出された光を反射することができ、光のこの部分は、第２電極２６３を介して外部環境に放出され、その結果、発光率を高めることができる。第２電極２６３が半透過層を含む場合、第１電極２６１によって反射された光の一部は第２電極２６３によって再び反射されるので、第１電極２６１と第２電極２６３は共振構造を形成し、その結果、発光効率を改善することができる。
例えば、第１電極２６１の材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを含む、少なくとも１種の透明な導電性酸化物材料を含むことができる。また、第１電極２６１は、反射層として銀（Ａｇ）などの高い反射率を有する金属を含むことができる。
例えば、ＯＬＥＤの場合、発光層２６２は、赤色光、緑色光、青色光、または白色光を放出することができる蛍光発光材料または蓄光発光材料であってもよい小分子有機材料またはポリマー分子有機材料を含むことができる。必要に応じて、発光層は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、および正孔輸送層などの機能層をさらに含むことができる。ＱＬＥＤの場合、発光層は、粒子サイズは２～２０ｎｍのシリコン量子ドット、ゲルマニウム量子ドット、硫化カドミウム量子ドット、セレン化カドミウム量子ドット、テルル化カドミウム量子ドット、セレン化亜鉛量子ドット、硫化鉛量子ドット、セレン鉛量子ドット、リン化インジウム量子ドット、および砒素インジウム量子ドットなどの量子ドット材料を含むことができる。
例えば、第２電極２６３は、様々な導電性材料を含むことができる。例えば、第２電極２６３は、リチウム（Ｌｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、および銀（Ａｇ）などの金属材料を含むことができる。
例えば、画素定義層２１６の材料は、ポリイミド、ポリフタルイミド、ポリフタルアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテンまたはフェノール樹脂などの有機絶縁材料を含むことができ、または、酸化ケイ素、窒化ケイ素などの無機絶縁材料を含むことができる。本開示の実施例では、限定されない。
例えば、図５に示すように、表示パネル１は、ストレージコンデンサ２７をさらに含み、ストレージコンデンサ２７が第１静電容量式電極２７１および第２静電容量式電極２７２を含むことができる。第１静電容量式電極２７１は、第１絶縁層２１２と第２絶縁層２１３との間に設けられ、第２静電容量式電極２７２は、第２絶縁層２１３と第３絶縁層２１４との間に設けられる。第１静電容量式電極２７１と第２静電容量式電極２７２は重なって配置され、ベース基板１００に垂直な方向に、少なくとも部分的に重なり合う。第１静電容量式電極２７１および第２静電容量式電極２７２は、第２絶縁層２１３を誘電体材料として使用して、ストレージコンデンサを形成する。第１静電容量式電極２７１と第１トランジスタＴ１におけるゲート２２３は同じ層に配置されているため、第１静電容量式電極２７１とゲート２２３は、製造プロセス中に同じ層に形成することができ、例えば、同じ材料層でパターニングプロセスによって形成されるため、製造プロセスを簡素化し、製品の製造コストを削減した。
例えば、第２信号線ＧＳ２の表示領域１０（例えば、第１サブ表示領域１０１または第２サブ表示領域１０２）内の部分は、第２静電容量式電極２７２と同じ層に形成されてもよく、例えば、同じ材料層でパターニングプロセスによって形成されるため、製造プロセスを簡素化する。
別の例において、図５に示される例の修正として、ストレージコンデンサの第１静電容量式電極２７１は、まだゲート２２３と同じ層に配置され、ストレージコンデンサの第２静電容量式電極２７２は、画素駆動回路２２１におけるソース２２４およびドレイン２２５と同じ層に配置され、そのため、第１静電容量式電極２７１と第２静電容量式電極２７２は、第２絶縁層２１３と第３絶縁層２１４の積層を誘電体材料として使用して、ストレージコンデンサを形成する。
更なる別の例において、図５に示される例の修正として、ストレージコンデンサの第１静電容量式電極２７１は、もはやゲート２２３と同じ層に配置されないが、第２絶縁層２１３と第３絶縁層２１４との間に配置され、ストレージコンデンサの第２静電容量式電極２７２は、画素駆動回路２２１におけるソース２２４およびドレイン２２５は同じ層に配置され、第１静電容量式電極２７１と第２静電容量式電極２７２は、第３絶縁層２１４を誘電体材料として使用して、ストレージコンデンサを形成する。
例えば、図５に示すように、表示パネル１は、封止層（encapsulation layer）２１７をさらに含む。封止層２１７は、発光素子２６のベース基板１００から離れた一側に位置される。封止層２１７は発光素子２６を封止することで、環境に含まれる水分および／または酸素によって引き起こされる発光素子２６の劣化を低減または防止することができる。封止層２１７は、単層構造であってもよく、または無機層と有機層との積層構造を含む複合層構造であってもよい。封止層２１７は、少なくとも１層のサブ封止層を含む。例えば、封止層２１７は、順次配置された第１無機封止層２１７３、第１有機封止層２１７２、第２無機封止層２１７１を含むことができる。
例えば、当該封止層２１７の材料は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、およびポリマー樹脂などの絶縁材料を含むことができる。窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などの無機材料は高密度であり、水と酸素の侵入を防ぐことができる。有機封止層の材料は、乾燥剤を含むポリマー材料または水蒸気を遮断できるポリマー材料であってもよく、例えば、表示パネルの表面を平坦化するために、ポリマー樹脂などを使用することができ、かつ第１無機封止層と第２無機封止層の応力を緩和することができ、また、内部に侵入する水、酸素などの物質を吸収するために、乾燥剤などの吸水性材料を含むことができる。
例えば、図５に示すように、表示パネル１は、表示領域１０に設けられる第６絶縁層２１８をさらに含む。第６絶縁層２１８は、封止層２１７のベース基板１００から離れた一側に位置され、封止層２１７を覆い、封止層２１７のベース基板１００から離れた一側において、平坦化された表面を提供する。
例えば、第６絶縁層２１８の材料は、ポリイミド、ポリフタルイミド、ポリフタルアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテンまたはフェノール樹脂などの有機絶縁材料、または、酸化ケイ素、窒化ケイ素などの無機絶縁材料を含むことができ、例えば、例として、第６絶縁層２１８が酸化ケイ素で、第６絶縁層２１８が窒化ケイ素でまたは第６絶縁層２１８が酸化ケイ素／窒化ケイ素の積層である。本開示の実施例では、限定されない。
例えば、いくつかの実施例において、開口部の周辺領域において、少なくとも１つの第１信号線と第２電極との間の距離は、少なくとも１つの第２信号線と第２電極との間の距離よりも大きい。図１２Ａに示すように、周辺領域２０２において、第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１（例えば、第３絶縁層２１４と第４絶縁層２３２との間に位置し、層の変更がない）と第２電極２６３との間の距離はＨ１で、第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１（第４絶縁層２３２のベース基板から離れた一側に位置し、層が変更した）と第２電極２６３との間の距離はＸ３２で、第２絶縁層２１３と第３絶縁層２１４との間にある第２信号線ＧＳ２の屈曲部ＧＳ２２の部分（層が変更した）と第２電極２６３との間の距離はＸ３３であり、ベース基板１００に近い第２絶縁層２１３の一側にある第２信号線ＧＳ２の屈曲部ＧＳ２２の部分（層の変更がない）と第２電極２６３との間の距離はＨ５であり、距離Ｈ５が距離Ｈ１よりも大きく、Ｘ３３がＸ３２よりも大きく、これにより、第２信号線とカソードなどの第２電極との間の距離は、第１信号線と第２電極との間の距離よりも大きい。
図１２Ａに示すように、第２信号線ＧＳ２の屈曲部ＧＳ２２の第２絶縁層２１３と第３絶縁層２１４との間にある部分（層が変更した）と、第２電極２６３と、の間の距離はＸ３３で、ベース基板１００に近い第２絶縁層２１３の一側にある第２信号線ＧＳ２の屈曲部ＧＳ２２の部分（層の変更がない）と、第２電極２６３との間の距離はＨ５であり、第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１（例えば、第４絶縁層２３２のベース基板から離れた一側に位置し、層が変更した）と第２電極２６３との間の距離はＸ３２であり、第２絶縁層２１３と第３絶縁層２１４との間にある第２信号線ＧＳ２の屈曲部ＧＳ２２の部分（層が変更した）と、第２電極２６３との間の距離はＸ３３であり、距離Ｈ５が距離Ｈ１よりも大きく、Ｘ３３がＸ３２よりも大きく、これにより、第２信号線とカソードなどの第２電極との間の距離は、第１信号線と第２電極との間の距離よりも大きい。
例えば、図５に示すように、表示パネル１はタッチ層２８をさらに含む。タッチ層２８は、第６絶縁層２１８のベース基板から離れた一側にある第１タッチパターン層２８２、第２タッチパターン層２８１およびタッチ絶縁層２８３を含む。第１タッチパターン層２８２は、交互に接続された第１タッチ信号線Ｒｘおよび第２タッチ信号線Ｔｘを含み、第２タッチパターン層２８１は、ベース基板に近い第１タッチパターン層２８２の一側に設けられる。タッチ絶縁層２８３は、第１タッチパターン層２８２と第２タッチパターン層２８１との間に設けられる。第２タッチパターン層２８１は複数の第１アダプタ部ＲＬを含み、複数の第１アダプタ部ＲＬが第１タッチ信号線Ｒｘと第２タッチ信号線Ｔｘの互いに交差する位置に設けられ、複数の第１アダプタ部ＲＬがタッチ絶縁層２８３を貫通したビアホールを介して、第１タッチ信号線Ｒｘと電気的に接続される。基板２００の表面に垂直な方向に、第２タッチ信号線Ｔｘと第１タッチ信号線Ｒｘは互いに重なってタッチセンサを形成し、隣接する第２タッチ信号線Ｔｘと第１タッチ信号線Ｒｘとの間にもタッチセンサが形成されている。
例えば、他の実施例において、第１タッチパターン層２８２および第２タッチパターン層２８１は、それぞれ第２タッチ信号線Ｔｘおよび第１タッチ信号線Ｒｘを含むことができ、第２タッチ信号線Ｔｘがタッチ絶縁層２８３を貫通したビアホールを介して、第１タッチ信号線Ｒｘと電気的に接続され、第１タッチ信号線Ｒｘが連続しており、この場合、第１アダプタ部ＲＬを配置する必要がない。基板２００の表面に垂直な方向に、第２タッチ信号線Ｔｘと第１タッチ信号線Ｒｘは互いに重なってタッチセンサを形成し、隣接する第２タッチ信号線Ｔｘと第１タッチ信号線Ｒｘとの間にもタッチセンサが形成されている。
例えば、第１タッチパターン層２８２および第２タッチパターン層２８１は、透明な導電性材料である。例えば、当該透明な導電性材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛アルミニウム（ＡＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）などの透明な導電性金属酸化物材料であってもよい。例えば、他の例において、第２タッチ信号線Ｔｘおよび第１タッチ信号線Ｒｘは、金属メッシュ（Ｍｅｔａｌ Ｍｅｓｈ）構造であってもよく、例えば、当該金属メッシュの材料は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タングステン（Ｗ）または以上の金属の合金材料であってもよい。
例えば、図６Ａは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルのタッチ層の概略図であり、図６Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルのタッチ層の概略図であり、図６Ｃは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルのタッチ層の概略図である。図６Ａ、図６Ｂおよび図６Ｃに示すように、第１タッチ信号線Ｒｘが第１方向Ｘに沿って延在し、第２タッチ信号線Ｔｘが第２方向Ｙに沿って延在し、例えば、第１タッチ信号線Ｒｘと第２タッチ信号線Ｔｘは互いに直交する。例えば、第１タッチ信号線Ｒｘは複数のセグメントを含み、第２タッチ信号線Ｔｘは連続し、第１タッチ信号線Ｒｘと第２タッチ信号線Ｔｘの互いに交差する位置に、第１アダプタ部ＲＬによって、第１タッチ信号線Ｒｘの隣接する２つのセグメントが電気的に接続されている。第１アダプタ部ＲＬと第１タッチ信号線Ｒｘは、異なる層（図５に示すように）に設けられている。第１タッチ信号線Ｒｘと第２タッチ信号線Ｔｘを配置することにより、表示パネルのタッチ感度を向上させることができる。第１タッチ信号線Ｒｘおよび第２タッチ信号線Ｔｘは材料が同じで、同じパターニングプロセスによって形成される。例えば、第１タッチ信号線Ｒｘと第２タッチ信号線Ｔｘは、金属メッシュ（ＭｅｔａｌＭｅｓｈ）パターンで形成されている。金属メッシュは、優れた延性と柔軟性を備えているため、タッチ電極の曲げ抵抗と作業性を向上させることができ、フレキシブル電子アプリケーションに適している。当該金属メッシュによって形成されたタッチ電極を表示パネルに組み込む場合、金属線が光を遮蔽して、引き起こされた画素開口率の低下を回避するために、金属メッシュ内の金属線を、表示パネルのサブ画素Ｐの発光素子の発光領域（例えば、図５の開口部Ｋ）以外に配置する必要がある。
例えば、図７Ａは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される図６Ｂの領域Ｄの拡大概略図である。図７Ａに示すように、例えば、金属メッシュにおける金属線が、例えば、サブ画素Ｐ１、サブ画素Ｐ２またはサブ画素Ｐ３の発光領域間の画素スペーサー領域に対応して配置され、金属メッシュにおけるメッシュが、例えば、サブ画素Ｐ１、サブ画素Ｐ２またはサブ画素Ｐ３と１対１で対応して配置され、各発光素子を露出させる。例えば、サブ画素Ｐ１、サブ画素Ｐ２またはサブ画素Ｐ３の発光素子の発光領域は、それぞれ、緑色光、青色光、または赤色光を放出する。
本開示のいくつかの実施例において、図６Ｂおよび図６Ｃに示すように、タッチ層２８は、表示領域にある第２タッチ信号線Ｔｘをさらに含み、第１タッチ信号線Ｒｘ、第２タッチ信号線Ｔｘがそれぞれ電気的に接続される電極ブロック（例えば、６Ａに示すＴｘ０、Ｒｘ０）を含み、第１タッチ信号線Ｒｘまたは第２タッチ信号線Ｒｘの隣接する２つの電極ブロックが第１アダプタ部ＲＬを介して電気的に接続され、第１アダプタ部ＲＬと隣接する２つの電極ブロックとの間の接触面積がＳ４で、Ｓ１≧ａ＊Ｓ４であり、ａが０．８を超えた自然数または実数である。
本開示の少なくとも１つの実施例において、図６Ａ～図６Ｃに示すように、タッチ層２８は、表示領域にある第２タッチ信号線Ｔｘをさらに含み、第１タッチ信号線Ｒｘ、第２タッチ信号線Ｔｘがそれぞれ複数の電気的に接続される電極ブロック（図６Ａに示されるＴｘ０、Ｒｘ０）を含み、第１タッチ信号線Ｒｘまたは第２タッチ信号線Ｔｘの隣接する２つの電極ブロックが第１アダプタ部ＲＬを介して電気的に接続され、アダプタ部と隣接する２つの電極ブロックとの間の接触面積はＳ４であり、Ｓ１、Ｓ４が１≦Ｓ１／Ｓ４≦１８を満たす。
例えば、図７Ｃは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供されるタッチ層の第１アダプタ部の概略図である。図７Ａおよび図７Ｃに示すように、第１アダプタ部ＲＬと隣接する２つの電極ブロックとの間の接触面積は、Ｒｘと第１アダプタ部ＲＬとの接触部分であり、本開示の実施例において、接触部分がビアホールの位置に設けられており、１６個が設けられてもよく、８個、１２個、１８個、２０個などが設けられてもよい。本実施例では１６個を例として説明し、Ｓ３がＳ３－１、Ｓ３－２、．．．．Ｓ３－１６の合計である。
なお、図７Ｃは、４つの接触位置の面積Ｓ３－１、Ｓ３－２、Ｓ３－３、Ｓ３－４を示している。他の位置は同じである。本開示における第１アダプタ部ＲＬと隣接する２つの電極ブロックとの間の接触面積は、第１アダプタ部ＲＬと隣接する２つの電極ブロックがビアホール接触を介して電気的に接続され、接触面積がビアホール内に第１アダプタ部ＲＬと電極ブロックが接触する面積であると理解できる。
本開示のいくつかの実施例において、例えば、第１タッチ信号線は、周辺領域２０２で切り離され、第２タッチ信号線は、周辺領域２０２で切り離される。図６Ａおよび図６Ｂに示すように、タッチ層２８は、光透過領域２０１の周辺領域２０２の周りに仕切られ、その結果、タッチ層２８のベース基板１００への正射影と光透過領域２０は少なくとも部分的に重ならない。
例えば、図８Ａは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第１側の拡大概略図である。図８Ａに示すように、光透過領域２０１に近い第１タッチ信号線Ｒｘと第２タッチ信号線Ｔｘとが所在するタッチ層２８の縁部と、光透過領域２０との間の距離はＸ３である。
本開示のいくつかの実施例において、タッチ層２８は、表示領域にある第２タッチ信号線Ｔｘおよび周辺領域にある第２接続部Ｔｘ２をさらに含み、第２接続部Ｔｘ２が第２タッチ信号線Ｔｘと電気的に接続され、第２接続部Ｔｘ２とｍ個の第２信号線ＧＳ２とのベース基板への射影は重なり、表示領域に位置された第１タッチ信号線Ｒｘの長さがｗ１であり、表示領域に位置する第２タッチ信号線Ｔｘの長さがｗ２であり、第１接続部Ｒｘ１の面積がＡ２で、第２接続部Ｔｘ２の面積がＡ６であり、ｍ個の第２信号線の少なくとも１つと第２電極との間の垂直距離がＨ５で、n個の第１信号線の少なくとも１つの第１信号線の第１延在部と第２電極との間の垂直距離がＨ２であり、ここで、（Ｈ５／Ｈ２）＞（Ａ２＊ｗ１／Ａ６＊ｗ２）である。
なお、本開示の実施例における部材の「面積」は、当該部材のベース基板への正射影の面積として理解することができる。例えば、第１接続部の面積Ａ２は、第１接続部Ｒｘ１のベース基板への射影面積として理解することができ、それはまた、第１接続部Ｒｘ１の上面の面積であってもよく、第２接続部Ｔｘ２の面積は同じであるが、ここでは繰り返しない。
例えば、図６Ｃに示すように、表示領域に位置された第１タッチ信号線Ｒｘの長さｗ１は、表示領域に位置する１つのタッチ信号線の長さであり、具体的に実施するとき、第１タッチ信号線は、タッチ誘導線Ｒｘであってもよく、例えば、タッチ誘導線Ｒｘがストリップ状電極であり、ｗ１がストリップ状電極の長さであり、例えば、タッチ誘導線Ｒｘが第１方向に電気的に接続される金属メッシュ状電極であり、ｗ１が第１方向に電気的に接続される金属メッシュ状電極の直線長さであり、図６Ｃに示すように、同様に、表示領域にある第２タッチ信号線Ｔｘの長さがｗ２であって、表示領域にある１つのタッチ信号線の長さであり、具体的に実施するとき、第２タッチ信号線は、タッチ駆動線Ｔｘであってもよく、ｗ２の長さがｗ１と同じであると理解され、ここでは繰り返されない。
本開示のいくつかの実施例において、第１タッチ信号線は、タッチ駆動信号を受信するように構成されてもよく、第２タッチ信号線は、タッチセンシング信号を受信するように構成されてもよく、即ち、実際の設計に従って、表示パネルの横方向、縦方向にタッチ信号を提供するだけでよい。
本開示のいくつかの実施例において、表示パネルは、第１タッチ信号線のみを含むことができ、第１接続部Ｒｘ１が光透過領域に欠けているタッチ電極部分に接続され、この場合、自己容量方式のタッチ方式で認識することができる。
本開示のいくつかの実施例において、少なくとも１つの第２信号線ＧＳ２は、第３電圧範囲の電位を受け付け、第１接続部が第４電圧範囲の電位を受け付け、第３電圧範囲の最大値が第４電圧範囲の最大値よりも大きい。
例えば、第２信号線ＧＳ２は走査信号線、例えば、ゲート線走査線またはリセット信号走査線であってもよく、第３電圧範囲が－８Ｖ～＋８Ｖであり、第４電圧範囲が１Ｖ～５Ｖであり、具体的に実施するとき、電圧値を、具体的な画素駆動回路に従って選択することができ、本開示では、限定されない。
例えば、タッチ層２８は、開口部の周辺領域２にある少なくとも１つの第１接続部と、少なくとも１つの第２接続線とをさらに含み、少なくとも１つの第１接続部は、光透過領域の第１側から第１方向に沿って開口部の周辺領域を貫通して光透過領域の第２側まで延びる。図７Ｂは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される図６Ｂの領域Ｅの拡大概略図である。図６Ｂおよび図７Ｂに示すように、タッチ層２８は、周辺領域２０２に位置する第１接続部Ｒｘ１および第２接続線Ｔｘ１をさらに含む。第１接続部Ｒｘ１は、光透過領域２０の開口部２０１の周りに配線され、光透過領域２０の第１側ＳＳ１から光透過領域２０の第２側ＳＳ２まで延び、光透過領域２０の周辺領域２０２の第１側ＳＳ１にある第１タッチ信号線Ｒｘと、光透過領域２０の周辺領域２０２の第２側ＳＳ２にある第１タッチ信号線Ｒｘとを電気的に接続させる。第２接続線Ｔｘ１は、光透過領域２０の開口部２０１の周りに配線され、光透過領域２０の第３側ＳＳ３から光透過領域の第４側ＳＳ４まで延び、光透過領域２０の周辺領域２０２の第３側ＳＳ３にある第２タッチ信号線Ｔｘと、周辺領域２０２の第４側ＳＳ４にある第２タッチ信号線Ｒｘとを接続させる。
例えば、図７Ｂに示すように、第１接続部Ｒｘ１は、周辺領域２０２にある第１屈曲接続部Ｒｘ１１を含む。第２接続線Ｔｘ１は、周辺領域２０２にある第２屈曲接続部Ｔｘ１１を含む。第１屈曲接続部Ｒｘ１１は、開口部の周辺領域の第３側ＳＳ３および第４側ＳＳ４を通過して開口部２０１の周りに線が巻かれている。第２屈曲接続部Ｔｘ１１は、開口部の周辺領域の第１側ＳＳ１および第２側ＳＳ２を通過して開口部２０１の周りに線が巻かれている。第１接続部Ｒｘ１の第１屈曲接続部Ｒｘ１１のベース基板への正射影と、第２信号線ＧＳ２の第２屈曲部ＧＳ２２のベース基板への正射影とは、重ならない。即ち、第３巻線領域Ｒ３および第４巻線領域Ｒ４では、第１接続部Ｒｘ１の第１屈曲接続部Ｒｘ１１のベース基板への正射影は、第２信号線ＧＳ２の第２屈曲部ＧＳ２２のベース基板への正射影よりも、表示領域に近い。したがって、第２信号線ＧＳ２が第１接続部Ｒｘ１の電位に与える影響を低減するために、第２信号線ＧＳ２が密に配線されている第３巻線領域Ｒ３および第４巻線領域Ｒ４では、第１接続部Ｒｘ１が重ならない。
例えば、図７Ｂに示すように、周辺領域２０２は、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５を含む。タッチ信号線の巻線領域Ｒ５は開口部２０１の周りに設けられる。第１接続部Ｒｘ１の第１屈曲接続部Ｒｘ１１および第２接続線Ｔｘ１の第２屈曲接続部Ｔｘ１１は、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５に設けられる。タッチ信号線の巻線領域Ｒ５は、第２信号線ＧＳ２の第２屈曲部ＧＳ２２が通過した第３巻線領域Ｒ３および第４巻線領域Ｒ４、第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１が通過した第１巻線領域Ｒ１および第２巻線領域Ｒ２と部分的に重なる。タッチ信号線の巻線領域Ｒ５は、第１巻線領域Ｒ１、第２巻線領域Ｒ２、第３巻線領域Ｒ３および第４巻線領域Ｒ４よりも表示領域に近い。
例えば、図７Ｂに示すように、第１接続部Ｒｘ１および第２接続線Ｔｘ１の幅は、第２信号線ＧＳ２および第１信号線ＤＳ２の幅よりも広い。第１接続部Ｒｘ１および第２接続線Ｔｘ１の幅の値の範囲は、約１０μｍ～５０μｍであり、例えば、その値が約３５ミクロンであり、ここで「約」という言葉は、値が±１５％または例えば±％２５などの範囲内で変動する可能性があることを意味する。第２信号線ＧＳ２以及第１信号線ＤＳ２の幅の値の範囲は、約２μｍ～５μｍであり、例えば、その値が約３．５ミクロンであり、ここで「約」という言葉は、値が±１５％または例えば±％２５などの範囲内で変動する可能性があることを意味する。
例えば、図８Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の第４側の拡大概略図である。図８Ａおよび図８Ｂに示すように、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５における第１接続部Ｒｘ１の第１屈曲接続部Ｒｘ１１の密度と、タッチ信号線巻線Ｒ５における第２接続線Ｔｘ１の第２屈曲接続部Ｔｘ１１の密度とは、第３巻線領域Ｒ３および第４巻線領域Ｒ４における第２信号線ＧＳ２の第２屈曲部ＧＳ２２の密度よりも小さく、かつ第１巻線領域Ｒ１および第２巻線領域Ｒ２における第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１の密度よりも小さい。したがって、開口部の周辺領域の密な配線が第１タッチ信号線Ｒｘおよび第２タッチ信号線Ｔｘに与える影響を軽減する。
なお、本開示の実施形例における配線「密度」は、単位面積あたりの配線の数、例えば、第１方向Ｘまたは第２方向Ｙにおける単位距離あたりの配線の数を指す。例えば、図９Ａは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。図９Ａに示すように、半径方向にタッチ信号線の巻線領域Ｒ５と、光透過領域２０に近い表示領域１０の境界ＡＳとの間の距離Ｘ２は、第１方向Ｘに、第１巻線領域Ｒ１と光透過領域２０に近い第１表示領域の境界ＡＳとの間の距離Ｘ１１、または第１方向Ｘに、第２巻線領域Ｒ１と光透過領域２０に近い第２表示領域の境界ＡＳとの間の距離Ｘ１２よりも小さく、かつ、第２方向Ｙに、第３巻線領域Ｒ３と光透過領域２０に近い第３表示領域の境界ＡＳとの間の距離Ｘ１３、または、第２方向Ｙに、第４巻線領域Ｒ４と光透過領域２０に近い第４表示領域の境界ＡＳとの間の距離Ｘ１４よりも小さい。したがって、開口部の周辺領域の密な配線が第１タッチ信号線Ｒｘおよび第２タッチ信号線Ｔｘに与える影響を軽減する。
なお、図９Ａは、開口部２０１と光透過領域２０とを円形として例として説明する。開口部２０１と光透過領域２０が長方形の場合、例えば、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５と光透過領域２０に近い表示領域１０の境界ＡＳとの間の距離は、第１方向Ｘまたは第２方向Ｙに沿った距離である。
例えば、図９Ｂは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。図１０Ａは、本開示の少なくとも別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。図１０Ｂは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図であり、図１０Ｃは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の概略図であり、図１０Ｄは、本開示の更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の概略図であり、図１０Ｅは、本開示の更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の概略図であり、図１１Ａは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図であり、図１１Ｂは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図であり、図１１Ｃは、本開示の少なくとも更なる別の一実施例によって提供される表示パネルの光透過領域の拡大概略図である。
図９Ｂ～図１１Ｃに示すように、第２接続線Ｔｘ１は、開口部２０１の第４側ＳＳ４にある第２サブ接続ブロックＴｘ０１と、開口部２０１の第３側ＳＳ３にある第２サブ接続ブロックＴｘ０２と、開口部２０１の第１側ＳＳ１にある第２サブ接続ブロックＴｘ０３と、開口部２０１の第２側ＳＳ２にある第２サブ接続ブロックＴｘ０４とを含む。第２サブ接続ブロックＴｘ０１、第２サブ接続ブロックＴｘ０２、第２サブ接続ブロックＴｘ０３および第２サブ接続ブロックＴｘ０４の正射影の部分と、光透過領域２０とは重なり、重なった一部を除去し、これにより、第２サブ接続ブロックＴｘ０１、第２サブ接続ブロックＴｘ０２、第２サブ接続ブロックＴｘ０３および第２サブ接続ブロックＴｘ０４のそれぞれの面積が、他の第１接続部Ｔｘよりも小さくなり、したがって、第２サブ接続ブロックＴｘ０１、第２サブ接続ブロックＴｘ０２、第２サブ接続ブロックＴｘ０３および第２サブ接続ブロックＴｘ０４に抵抗補償を行う必要がある。同様に、第１接続部Ｒｘ１は、第２サブ接続ブロックＴｘ０１と第２サブ接続ブロックＴｘ０３との間にある第１サブ接続ブロックＲｘ０１、第２サブ接続ブロックＴｘ０１と第２サブ接続ブロックＴｘ０４との間にある第１サブ接続ブロックＲｘ０２、第２サブ接続ブロックＴｘ０２と第２サブ接続ブロックＴｘ０３との間にある第１サブ接続ブロックＲｘ０３、および第２サブ接続ブロックＴｘ０２と第２サブ接続ブロックＴｘ０４との間にある第１サブ接続ブロックＲｘ０４を含む。第１サブ接続ブロックＲｘ０１、第１サブ接続ブロックＲｘ０２、第１サブ接続ブロックＲｘ０３および第１サブ接続ブロックＲｘ０４の正射影の部分と光透過領域２０は重なり、重なった一部を除去し、これにより、第１サブ接続ブロックＲｘ０１、第１サブ接続ブロックＲｘ０２、第１サブ接続ブロックＲｘ０３および第１サブ接続ブロックＲｘ０４のそれぞれの面積が、他の第１接続部Ｒｘ１よりも小さくなるため、第１サブ接続ブロックＲｘ０１、第１サブ接続ブロックＲｘ０２、第１サブ接続ブロックＲｘ０３および第１サブ接続ブロックＲｘ０４に抵抗補償を行う必要がある。
例えば、図９Ｂ～図１１Ｂに示すように、第１接続部Ｒｘ１は、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５の第１接続部の補償部ＲＢ１および第１接続部の補償部ＲＢ２をさらに含む。第１接続部の補償部ＲＢ１は、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５の上側（即ち、第４側ＳＳ４）に設けられ、第１接続部の補償部ＲＢ１が第１サブ接続ブロックＲｘ０１および第１サブ接続ブロックＲｘ０２に隣接し、第１接続部の補償部ＲＢ１が第１接続部Ｒｘ１を介して第１サブ接続ブロックＲｘ０１および第１サブ接続ブロックＲｘ０２と接続され、第１サブ接続ブロックＲｘ０１および第１サブ接続ブロックＲｘ０２に抵抗補償を行う。第１接続部の補償部ＲＢ２は、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５の下側（即ち、第３側ＳＳ３）に設けられ、第１接続部の補償部ＲＢ２が第１サブ接続ブロックＲｘ０３および第１サブ接続ブロックＲｘ０４に隣接し、第１接続部の補償部ＲＢ２は、第１サブ接続ブロックＲｘ０３および第１サブ接続ブロックＲｘ０４に抵抗補償を行うために、第１接続部Ｒｘ１を介して第１サブ接続ブロックＲｘ０３および第１サブ接続ブロックＲｘ０４と接続される。第２接続線Ｔｘ１は、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５の第２接続線の補償部ＴＢ１および第２接続線の補償部ＴＢ２をさらに含む。第２接続線の補償部ＴＢ１の数は４つであり、第２接続線の補償部ＴＢ２の数は２つである。４つの第２接続線の補償部ＴＢ１は長方形になし、４つの第２接続線の補償部ＴＢ１は、第２サブ接続ブロックＴｘ０１と第２サブ接続ブロックＴｘ０２に抵抗補償を行うために、それぞれ第２サブ接続ブロックＴｘ０１と第２サブ接続ブロックＴｘ０２を接続する第２接続線Ｔｘ１の第２屈曲接続部Ｔｘ１１と接続される。２つの第２接続線の補償部ＴＢ２はそれぞれ第２サブ接続ブロックＴｘ０３および第２サブ接続ブロックＴｘ０４に隣接し、かつ第２接続線Ｔｘ１を介してそれぞれ第２サブ接続ブロックＴｘ０３および第２サブ接続ブロックＴｘ０４と接続され、第２サブ接続ブロックＴｘ０３と第２サブ接続ブロックＴｘ０４に抵抗補償を行う。第１接続部の補償部ＲＢ１および第１接続部の補償部ＲＢ２の数は、第１接続部の補償部ＴＢ１および第１接続部の補償部ＴＢ２の数よりも少なく、第１タッチ信号電極Ｒｘの電位に対する開口部の周辺領域の密な配線の影響を軽減する。
例えば、図９Ｂ～図１１Ｂに示すように、第１接続部の補償部ＲＢ１と第１接続部Ｒｘ１は、一体化構造であり、同じフィルム層上に配置されてもよい。第１サブ接続ブロックＲｘ０１と第１サブ接続ブロックＲｘ０２は、第１接続部Ｒｘ１を介して電気的に接続され、例示的に、第１サブ接続ブロックＲｘ０１と第１サブ接続ブロックＲｘ０２は、コネクティングブリッジ９０１（図９Ｂに示すように）を介して第１接続部Ｒｘ１と電気的に接続できるブロック状の電極構造、またはブロック状の中空（金属メッシュなど）電極構造であってもよい。
例えば、図９Ｂ～図１１Ｂに示すように、コネクティングブリッジ９０１ｌは、第１サブ接続ブロックＲｘ０１と第１サブ接続ブロックＲｘ０２と、一体化構造になってもよく、例えば、ブロック状の電極構造、またはブロック状の中空構造から一部が突出して、第１接続部Ｒｘ１と電気的に接続されている。第１サブ接続ブロックＲｘ０１（第１サブ接続ブロックＲｘ０１）および第１サブ接続ブロックＲｘ０２（第１サブ接続ブロックＲｘ０２）が第１接続部Ｒｘ１と電気的に接続される限り、本実施例ではこれを限定しない。
例えば、他の例において、第２接続線の補償部ＴＢ１の数も２個、８個などであってもよく、第２接続線の補償部ＴＢ２の数が４個などであり、本開示の実施例は、これに限定されない。
例えば、第２接続線の補償部ＴＢ１と第２接続部Ｔｘ２は、一体化構造であってもよい。図１０Ａに示すように、図において第２接続部ＴＳ２の４つの部分（図において左上、左下、右上および右下）およびそれと対応配置される４つの第２接続線の補償部ＴＢ１は、一体に接続されてもよく、即ち、対応して接続される各第２接続線の補償部ＴＢ１と第２接続部Ｔｘ２を１つの補償部分として扱うことができる。上記の設計は、具体的な設計構造に関連しており、本開示の実施例を限定するものではない。
例えば、図９Ｂに示すように、第２接続部Ｔｘ２は、第１接続部Ｒｘ１と同じ層に設けられる複数のブロック状構造であってもよい。図に示すように、第２接続部Ｔｘ２は、図の上、下、左、右の４つの部分を含み、２つの第１接続部Ｒｘ１は、第２接続部Ｔｘ２に対して、それぞれ開口部２０１に近い一側に設けられ、かつ２つの第１接続部Ｒｘ１がそれぞれ上方にある第２接続部Ｔｘ２および下方にある第２接続部Ｔｘ２に近い。例えば、図９Ｂに示すように、同じ信号を受信する複数の第２接続部Ｔｘ２が導電層によって電気的に接続可能であり、例えば、第２接続線Ｔｘ１を介して、光透過領域２０１の対向する両側にある第２サブ接続ブロックＴｘ０１と第２サブ接続ブロックＴｘ０２電極ブロックが電気的に接続されている。
例えば、図９Ｂ、図１０Ａおよび図１０Ｅに示すように、第２接続線Ｔｘ１は、光透過領域２０１の周りにリング状に設けられてもよく、仕切って光透過領域２０１の左、右両側から上、下位置の第２サブ接続ブロックＴｘ０１と第２サブ接続ブロックＴｘ０２電極ブロックを電気的に接続させてもよく、Ｔｘ０１およびＴｘ０２電極ブロックにより形成する必要なコンデンサのサイズに応じて、第２接続線Ｔｘ１の長さと幅を設計する。
例えば、図１０Ｅに示すように、第２接続線Ｔｘ１の幅は、第１信号線ＤＳ２、第２信号線ＧＳ２の幅よりも広い。それを切断し、第１接続部Ｒｘ１に対応する位置にダミーブロック９０３を配置することができ、これにより、第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１をダミーブロック９０３と対応させ、第１接続部Ｒｘ１、第２電極（カソード）、および第１信号線ＤＳ２間の相互影響を緩和させる。例えば、図８Ｂ、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、第１接続部の補償部ＲＢ２のベース基板１００への正射影と、第２信号線ＧＳ２の第２屈曲部ＧＳ２２が通過した第３巻線領域Ｒ３および第４巻線領域Ｒ４（図７Ｂに示される）は、部分的に重なる。第２接続線の補償部ＴＢ１および第２接続線の補償部ＴＢ２のベース基板１００への正射影と、第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１が通過した第１巻線領域Ｒ１および第２巻線領域Ｒ２（図７Ａに示される）は、部分的に重なる。
例えば、少なくとも１つの第２接続線の補償部が所在するフィルム層と、第２屈曲接続部が所在するフィルム層とは、異なる。図９Ｂおよび図１２Ａに示すように、第２接続線Ｔｘ１の第２屈曲接続部Ｔｘ１１は、タッチ絶縁層２８３のベース基板から離れた一側にある２８２の第２タッチパターン層２８１に設けられる。第１接続部の補償部ＲＢ１、第１接続部の補償部ＲＢ２および第２接続線Ｒｘ１は、第１タッチパターン層２８２に設けられ、これにより、層が変更しなくても、第１接続部の補償部ＲＢ１、第１接続部の補償部ＲＢ２および第２接続線Ｒｘ１が直接接続することができる。第２接続線の補償部ＴＢ１および第２接続線の補償部ＴＢ２は、タッチ絶縁層２８３のベース基板に近い一側にある第１タッチパターン層２８２に設けられる。つまり、第２接続線Ｔｘ１が第１接続部の補償部ＲＢ１または第１接続部の補償部ＲＢ２を通過するときに層が変更され、第１接続部の補償部ＲＢ１および第１接続部の補償部ＲＢ２と接続されない。第２接続線Ｔｘ１の第２屈曲接続部Ｔｘ１１は、タッチ絶縁層２８３を貫通したビアホールを介して、第２接続線の補償部ＴＢ１および第２接続線の補償部ＴＢ２と電気的に接続され、第１タッチパターン層２８２における第２接続線の補償部ＴＢ１と第２接続線の補償部ＴＢ２の接続および第１接続部Ｒｘ１と第２接続線Ｔｘ１の重なりを減少させる。
例えば、図９Ｂに示すように、表示パネル１は、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５にあるダミー補償部分ＤＭＢ１をさらに含む。例えば、ダミー補償部分ＤＭＢ１の数は２つであって、それぞれタッチ信号線の巻線領域Ｒ５の両側に設けられ、表示パネル１を平らにするように構成される。
例えば、少なくとも１つの第１接続部の第１屈曲接続部のベース基板への正射影は、少なくとも１つの第１信号線および少なくとも１つの第２信号線のうちの少なくとも２つと、重なる。少なくとも１つの第２接続線の第１屈曲接続部のベース基板への正射影は、少なくとも１つの第１信号線および少なくとも１つの第２信号線のうちの少なくとも２つと、重なる。図１２Ａに示すように、第２接続線Ｔｘ１がベース基板１００への正射影と、第２信号線ＧＳ２の第２屈曲部ＧＳ２２および第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１がベース基板１００への正射影とは、重なる。第１接続部Ｒｘ１がベース基板１００への正射影は、第２信号線ＧＳ２の第２屈曲部ＧＳ２２と第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１とのうちの少なくとも２つがベース基板１００への正射影と重なる。例えば、第４巻線領域Ｒ４では、第１絶縁層２１２と第２絶縁層２１３との間、第２絶縁層２１３と第３絶縁層２１４との間にも第２信号線ＧＳ２が配置され、第３絶縁層２１４と第４絶縁層２３２との間に、第４絶縁層２３２のベース基板から離れた一側に、いずれも第１信号線ＤＳ２が配置されている。第４巻線領域Ｒ４では、４層配線が配置されている領域は、第１接続部Ｒｘ１への密な配線領域の影響を低減するために、第２接続線Ｔｘ１のベース基板１００への正射影と可能な限り重なる。
例えば、図１２Ａに示すように、第１巻線領域Ｒ１では、第３絶縁層２１４と第４絶縁層２３２との間、およびベース基板から離れた第４絶縁層２３２の一側にも第１信号線ＤＳ２が配置され、第１接続部Ｒｘ１への密な配線領域の影響を低減するために、ベース基板１００への第１信号線ＤＳ２の正射影とベース基板１００への第２接続線Ｔｘ１の正射影は重なる。
例えば、図９Ａおよび図１２Ａに示すように、上記開口部の周辺領域は、第１サブ開口部の周辺領域２０３（例えば、薄化領域）および第２サブ開口部の周辺領域２０４（例えば、シールド領域）をさらに含む。第１サブ開口部の周辺領域２０３は、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５の開口部２０１に近い一側に設けられ、第２サブ開口部の周辺領域２０４は、第１サブ開口部の周辺領域２０３の開口部２０１に近い一側に設けられる。第１サブ開口部の周辺領域２０３とタッチ信号線の巻線領域Ｒ５は、少なくとも部分的に重なる。
例えば、第４絶縁層の第１サブ開口部の周辺領域おける少なくとも一部がベース基板に垂直な方向に沿う厚さは、表示領域における第４絶縁層のベース基板に垂直な方向に沿う厚さよりも薄い。図１２Ａに示すように、第１平坦化層２３２および第２平坦化層２５１は、第１サブ開口部の周辺領域２０３のベース基板から離れた一側の表面で、弧状をなし、第１平坦化層２３２および第２平坦化層２５１の厚さは、開口部２０１に近づく方向に徐々に低減する。第１平坦化層２３２および第２平坦化層２５１の厚さを低減させ、即ち、第２電極２６３は弧状であり、表示パネル１００に近づく方向に延び、表示領域から離れた第１サブ開口部の周辺領域２０３では、発光素子２６の第２電極２６３への配線の影響を低減する。
例えば、第１接続部のベース基板への正射影と、第４巻線領域の第３サブ領域とは、少なくとも部分的に重なり、少なくとも１つの第２接続線の第２屈曲接続部のベース基板への正射影と、第１巻線領域の第１サブ領域とは、少なくとも部分的に重なる。図１０Ａ、図１０Ｂおよび図１０Ｃに示すように、第１接続部Ｒｘ１の第１接続部の補償部ＲＢ１または第１接続部の補償部ＲＢ２のベース基板１００への正射影と、第３サブ領域Ｒ４１とは、重なり、つまり、第１接続部Ｒｘ１の第１接続部の補償部ＲＢ１または第１接続部の補償部ＲＢ２は、可能な限り、配線密度が低い領域と重なる。第２接続線Ｔｘ１の第２接続線補償部ＴＢ１および第２接続線の補償部ＴＢ２のベース基板１００への正射影と第１サブ領域Ｒ１１は重なり、つまり、第２接続線Ｔｘ１の第２接続線補償部ＴＢ１および第２接続線の補償部ＴＢ２は、可能な限り、配線密度が低い領域と重なる。したがって、第１接続部Ｒｘ１および第２接続線Ｔｘ１の電位に対する周辺領域２０２内の配線の影響を低減させる。
また、例えば、少なくとも１つの第１接続部の補償部のベース基板への正射影と、第４巻線領域の第４サブ領域とは、少なくとも部分的に重ならなく、ベース基板への少なくとも１つの第２接続線の補償部の正射影と第１巻線領域の第２サブ領域は、少なくとも重ならない。図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、第１接続部Ｒｘ１の第１接続部補償部ＲＢ１または第１接続部の補償部ＲＢ２のベース基板１００への正射影と第４サブ領域Ｒ４２とは、部分的に重ならなく、つまり、第１接続部Ｒｘ１の第１接続部の補償部ＲＢ１または第１接続部の補償部ＲＢ２は、配線密度が高い領域と重ならない。第２接続線Ｔｘ１の第２接続線の補償部ＴＢ１および第２接続線の補償部ＴＢ２のベース基板１００への正射影と第２サブ領域Ｒ１２は重ならなく、つまり、第２接続線Ｔｘ１の第２接続線の補償部ＴＢ１および第２接続線の補償部ＴＢ２は、配線密度の高い領域とできる限り重ならない。したがって、第１接続部Ｒｘ１および第２接続線Ｔｘ１の電位に対する周辺領域２０２内の配線の影響を低減させる。
例えば、図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５は、第１ダミー補償部分ＤＭＢ２を含む。第１ダミー補償部分ＤＭＢ２は、第１接続部の補償部ＲＢ１、ダミー補償部分ＤＭＢ１、第２接続線の補償部ＴＢ１以及第２接続線の補償部ＴＢ２の開口部２０１に近い一側に設けられる。第１接続部の補償部ＲＢ１、ダミー補償部分ＤＭＢ１、第２接続線の補償部ＴＢ１および第２接続線の補償部ＴＢ２は、リング形状を形成していると見なすことができ、当該リング状をリング状の開口部ＫＭ１によって２つの部分に分割する。開口部２０１に近い一部をダミー補償部分ＤＭＢ２とする。第１タッチ信号線Ｒｘおよび第２タッチ信号線Ｔｘに補償される信号の数に応じて、第１接続部の補償部ＲＢ１、第２接続線の補償部ＴＢ１および第２接続線の補償部ＴＢ２のうちの一部を、ダミー補償部分として短縮することができる。開口部ＫＭ１は、第２接続線Ｔｘ１を配線するために使用されてもよい。第１ダミー補償部分ＤＭＢ２のベース基板への正射影と、第１巻線領域Ｒ１の第２サブ領域Ｒ１２および第４巻線領域Ｒ４の第４サブ領域Ｒ４２とは、重なる。即ち、第１巻線領域Ｒ１および第４巻線領域Ｒ４の配線密度が高い領域と第１ダミー補償部分ＤＭＢ２は重なり、第１接続部Ｒｘ１および第２接続線Ｔｘ１の電位に対する周辺領域２０２の配線の影響を低減することができる。
例えば、図１２Ａに示すように、第１方向Ｘにおけるタッチ信号線の巻線領域Ｒ５（例えば、中心位置）と第２サブ開口部の周辺領域２０４の間の距離Ｌ４の値の範囲は、約１０μｍ～１５μｍであり、例えば、その値が約１２．５μｍであり、ここで「約」という言葉は、値が±１５％または例えば±％２５などの範囲内で変動する可能性があることを意味する。
例えば、図１２Ａに示すように、表示パネル１は、第１サブ開口部の周辺領域２０３および第１サブ開口部の周辺領域２０３と開口部２０１との間の領域に位置された第５絶縁層２９と、タッチ層２８のベース基板から離れた一側にある保護層２８４（例えば、図５に示すように）とをさらに含む。第５絶縁層２９は、封止層２１７のベース基板１００から離れた一側に位置される。第２信号線ＧＳ２が通過した第３巻線領域Ｒ３および第４巻線領域Ｒ４（図６Ｂに示すように）と第１サブ開口部の周辺領域２０３は部分的に重なる。タッチ信号線の巻線領域Ｒ５と第１サブ開口部の周辺領域２０３は部分的に重なる。第１サブ開口部の周辺領域２０３および第１サブ開口部の周辺領域２０３と開口部２０１との間の領域に、第５絶縁層２９を配置して、タッチ層２８と表示パネル１００との間の距離を増加し、即ち、第１接続部Ｒｘ１と第２接続線Ｔｘ１との間の距離、および第２信号線ＧＳ２と第１信号線ＤＳ２との間の距離を増加し、第１サブ開口部の周辺領域２０３にある第１接続部Ｒｘ１および第２接続線Ｔｘ１の部分とベース基板１００との間の距離は、タッチ信号線の巻線領域Ｒ５にある第１接続部Ｒｘ１および第２接続線Ｔｘ１の第１サブ開口部の周辺領域２０３と重ならない領域の部分とベース基板１００との間の距離よりも大きい。したがって、開口部の周辺領域では、第２信号線ＧＳ２と第１信号線ＤＳ２の密な配線が第１接続部Ｒｘ１と第２接続線Ｔｘ１の電位に与える影響を低減する。
例えば、第５絶縁層２９材料は、ポリイミド、ポリフタルイミド、ポリフタルアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテンまたはフェノール樹脂などの有機絶縁材料、または酸化ケイ素、窒化ケイ素などの無機絶縁材料を含んでもよく、本開示の実施例は、これを限定しない。
例えば、保護層２８４の材料は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、ポリマー樹脂などの絶縁材料を含んでもよい。窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などの無機材料は高密度で水や酸素などの侵入を防ぎ、ポリマー樹脂は表示パネルの表面を平らにして応力を和らげることができる。
例えば、図９Ａおよび図１２Ａに示すように、第２サブ開口部の周辺領域２０４は、干渉信号を遮蔽するように構成されている遮蔽線(shielding line)２４２をさらに含む。表示パネル１は、第２サブ開口部の周辺領域２０４と開口部２０１との間に設けられるブロッキング壁領域、検出線ＰＣＤ、第２サブ開口部の周辺領域２０４とブロッキング壁領域との間に設けられる第１バリア壁領域３１、ブロッキング壁領域と開口部２０１との間に設けられる第２バリア壁領域３２をさらに含む。第１バリア壁領域３１、第２バリア壁領域３２およびブロッキング壁領域は、表示領域１０を保護するために、表示領域１０を開口領域２０１から分離することができる。
例えば、図１２Ａに示すように、第１バリア壁領域３１は溝３１１を含む。溝３１１は、封止層２１７に形成され、かつ第１有機封止層２１７２によって覆われている溝３１２を含む。溝３１１は、第２電極２６３を遮断して、第２電極２６３に対する開口部の周辺領域の影響を低減する。例えば、各溝３１１における、第１方向Ｘに沿った溝３１２の長さＸ４は、約１１μｍ～１３μｍであり、例えば、値が約１２μｍであり、ここで「約」という言葉は、値が±１５％または例えば±％２５などの範囲内で変動する可能性があることを意味する。例えば、ベース基板１００に垂直な方向に沿った溝３１１（例えば、中心位置）と第５絶縁層２９（例えば、ベース基板に近い一側の表面）との間の距離Ｘ５は、５μｍよりも大きい。
図１２Ａに示すように、第２電極２６３は、開口部の周辺領域２０まで延びる第１部分を含む。例えば、第２電極２６３の他の一部は表示領域にある。図１２Ｂは、図１２Ａ内の領域Ｋ２の拡大図である。図１２Ｂに示すように、第２電極２６３の第１部分は、第１サブ部分２６３１および第２サブ部分２６３２を含む。第１サブ部分２６３１は、図において左側にあり、第２サブ部分２６３２は図中の右側にある。第１サブ部分２６３１と第４絶縁層２３２とのベース基板１００への正射影は、少なくとも部分的に重なり、第２サブ部分２６３２と第４絶縁層２３２とのベース基板１００への正射影は、重ならない。即ち、第２サブ部分２６３２は、第４絶縁層２３２との重ならない部分である。図１２Ａに示すように、第２サブ部分２６３２は、第１バリア壁領域３１まで右側へ延在している。第１サブ部分２６３１と、第１巻線領域Ｒ１の第１サブ領域Ｒ１１および第１巻線領域Ｒ１の第２サブ領域Ｒ１２と、のベース基板１００への正射影とは、少なくとも部分的に重なる。第２サブ部分２６３２と、第１巻線領域Ｒ１の第１サブ領域Ｒ１１と第１巻線領域Ｒ１の第２サブ領域Ｒ１２と、のベース基板１００への正射影とは、重ならない。
本開示のいくつかの実施例において、図１２Ａに示すように、複数の画素駆動回路ユニットＰはそれぞれ第１トランジスタＴ１を含み、第１トランジスタＴ１が発光素子２６と電気的に接続され、発光素子がベース基板１００から離れた第４絶縁層２３２の一側に設けられる。第２電極２６３は、周辺領域にある第１サブ部分２６３１、第２サブ部分２６３２を含み、第１サブ部分２６３１と第４絶縁層２３２との射影は、少なくとも部分的に重なり、第２サブ部分２６３２と第４絶縁層２３２との射影は、重ならない。第１サブ部分２６３１と、n個の第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１と、のベース基板への正射影の重なり面積は、Ｓ３であり、第２サブ部分２６３２とn個の第１信号線ＤＳ２の第１屈曲部Ｃ１とのベース基板１００への正射影の重なり面積は、Ｓ４であり、Ｓ３＞Ｓ４である。例えば、Ｓ４は０であってもよく、即ち、第２サブ部分２６３２と第４絶縁層２３２は重ならないとともに、第１屈曲部Ｃ１のベース基板１００への射影と重ならない。
本開示のいくつかの実施例において、図４Ｅ、図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、表示パネルは、第２信号を、複数の画素駆動回路ユニットＰに提供するように構成される第２信号線ＧＳ２をさらに含み、n個の第１信号線のうち１つの第１信号線の第１延在部Ｙ１は、複数の第２信号線の屈曲部ＧＳ２２の射影と重なる複数の第１延在重なり部ＹＣ（例えば、ＹＣ－１、ＹＣ－２、…ＹＣ－ｘ）を含み、当該第１延在部と接続される第１屈曲部Ｃ１は、複数の第２信号線の屈曲部ＧＳ２２の少なくとも１つの射影と重なる第１屈曲重なり部ＣＣを含み、同じ第１信号線ＤＳ２における複数の第１延在重なり部ＹＣの少なくとも１つ（例えば、ＹＣ－１、ＹＣ－２、…ＹＣ－ｘの少なくとも１つ）と第２サブ部分２６３２との間の距離は、第１屈曲重なり部ＣＣと第２サブ部分との間の距離よりも大きい。
なお、本開示の実施例における射影の重なりとは、２つとのベース基板１００への正射影が互いに重なり合うことを意味する。
例えば、図４Ｅ、図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、ベース基板１００に垂直な方向に、第１信号線ＤＳ２と第２信号線ＧＳ２との間には、層間絶縁層などの絶縁層が設けられ、第１信号線ＤＳ２と第２電極２６３（例えば、カソード）との間には平坦層が設けられ、第１延在重なり部ＹＣおよび第１屈曲重なり部ＣＣと第２サブ部分２６３２との間の距離が平坦層の厚さ（さらに、平坦層、層間絶縁層などの厚さ））に関係する。本開示における第１延在重なり部ＹＣおよび第１屈曲重なり部ＣＣと第２サブ部分２６３２との間の距離は、第１延在重なり部ＹＣおよび第１屈曲重なり部ＣＣと第２サブ部分２６３２における同じ位置点、例えば、Ａ点との間の距離として理解できる。
本開示のいくつかの実施例において、第１信号線の第１延在部Ｙ１は直線セグメントで、第１屈曲部Ｃ１は円弧セグメントである。
本開示のいくつかの実施例において、図３Ｃ、図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、n個の第１信号線ＤＳのうちの１つの第１延在部Ｙ１は、表示領域と電気的に接続される拡幅部Ｅ１を含み、同じ第１信号線における拡幅部Ｅ１と第２サブ部分２６３２との間の距離は、第１延在重なり部ＹＣまたは第１屈曲重なり部ＣＣと第２サブ部分２６３２との間の距離よりも大きい。
例えば、ベース基板１００に垂直な方向に、第１信号線ＤＳ２と第２電極１６３（例えば、カソード）との間に平坦層が設けられ、拡幅部Ｅ１、第１延在重なり部ＹＣおよび第１屈曲部Ｃ１と第２サブ部分２６３２との間の距離は、それぞれの第２電極１６３との間の絶縁層の厚さ、例えば、平坦層の厚さまたは平坦層、層間絶縁層などの厚さに関係する。本開示における拡幅部Ｅ１、第１延在重なり部ＹＣおよび第１屈曲部Ｃ１と第２サブ部分２６３２との間の距離は、それぞれと第２サブ部分２６３２における同じ位置点、例えば、Ａ点との間の距離であると理解できる。このようにして、第２サブ部分２６３２、およびそれに近い第１屈曲部Ｃ１を表示領域から可能な限り遠ざけることができ、表示への影響を可能な限り小さくする。
本開示のいくつかの実施例において、図５、図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、表示パネルは画素定義層２１６を含み、画素定義層２１６は、第４絶縁層２３２のベース基板１００から離れた一側に位置され、かつ複数の画素開口部Ｋを含み、発光素子２６の発光層２６２の少なくとも一部が複数の画素開口部Ｋ内に設けられ、第４絶縁層２３２は、周辺領域に位置されかつ第１信号線の射影と重ならない薄化部２３２１を含み、ベース基板１００に垂直な方向に、薄化部の厚さがベース基板１００に垂直な方向に表示領域内の第４絶縁層の厚さよりも小さい。即ち、光透過領域２０１（例えば、開口部であってもよい）に近い第４絶縁層２３２の縁部を薄くした。
図１２Ｂに示すように、第４絶縁層２３２は、ベース基板１００において、第２信号線ＧＳ２および第２信号線ＧＳ２と重ならない薄化部２３２１（図において点線で囲まれた部分）を含む。薄化部２３２１のベース基板１００から離れた一側の表面は、傾斜面である。ベース基板１００に垂直な方向における薄化部２３２１の厚さは、ベース基板１００に垂直な方向における第１サブ領域Ｒ１１内の第４絶縁層２３２の厚さよりも薄い。即ち、第４絶縁層２３２の開口部２０１に近い縁部は薄くされた。
本開示のいくつかの実施例において、第１接続部は第１サブ接続部を含み、第１サブ接続部がベース基板への正射影と、n個の第１信号線の第１屈曲部がベース基板への正射影とは重ならなく、n個の第１信号線において、隣接する２つの第１信号線の第１延在部間の距離は、隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部間の距離よりも大きく、第１サブ接続部の射影が第２電極の射影範囲内にあり、第１サブ接続部と第２電極との間の垂直距離Ｈ３は、第１信号線の第１本体部と第２電極との間の垂直距離Ｈ４よりも大きい。
例えば、第１接続部Ｒｘ１と第１サブ接続部は一体化構造であってもよく、この場合、第１サブ接続部と第２電極２６３との間の垂直距離Ｈ３は、第１接続部Ｒｘ１と第２電極２６３との間の距離Ｈ２に実質的に等しいと理解することができる。
例えば、第１信号線の第１本体部ＤＳと第１延在部Ｙ１とは、同じ層に設けられてもよく、この場合、第１信号線の第１本体部ＤＳと第２電極２６３との間の垂直距離Ｈ４は、第１延在部Ｙ１と第２電極２６３との間の垂直距離Ｈ１に実質的に等しい。また、例えば、第１本体部ＤＳおよびそれと電気的に接続される第１延在部Ｙ１が異なる層に設けられる場合、第１信号線の第１本体部ＤＳと第２電極２６３との間の垂直距離Ｈ４は、第１延在部Ｙ１と第２電極２６３との間の垂直距離Ｈ１よりも大きいかまたは小さくなり、その差が中間絶縁層の厚さの値である。
図４Ｃおよび図１２Ｂに示すように、ベース基板１００に垂直な方向に、同じ第２信号線ＧＳ２における複数の第２延在重なり部ＳＴ１と第２電極２６３の第２サブ部分２６３２との間の距離は、第２屈曲重なり部ＷＴ１と第２電極２６３の第２サブ部分２６３２との間の距離よりも大きい。つまり、第２屈曲重なり部ＷＴ１は、第１延在重なり部ＳＴ１よりも開口部２０１に近い。第４絶縁層２３２の開口部２０１に近い縁部が薄くされたため、第２電極２６３の第２サブ部分２６３２が薄化領域では、ベース基板１００に近い一側へ曲げて延びる。その結果、複数の第２延在重なり部ＳＴ１と第２電極２６３の第２サブ部分２６３２との間の距離は、第２屈曲重なり部ＷＴ１と第２電極２６３の第２サブ部分２６３２との間の距離よりも大きい。
図３Ｄ、図４Ｃおよび図１２Ｂに示すように、第１方向Ｘにおいて、同じ第２信号線ＧＳ２における第２拡幅部Ｅ２と第２電極２６３の第２サブ部分２６３２との間の距離は、複数の第２延在重なり部ＳＴ１または複数の第２屈曲重なり部ＷＴ１と第２電極２６３の第２サブ部分２６３２との間の距離よりも大きい。即ち、第２拡幅部Ｅ２は、複数の第２延在重なり部ＳＴ１または複数の第２屈曲重なり部ＷＴ１よりも表示領域に近い。
図３Ｄ、図４Ｃおよび図１２Ｂに示すように、隣接する２つの第２拡幅部Ｅ２間の距離は、隣接する２つの第２屈曲重なり部ＷＴ１または隣接する２つの第２延在重なり部ＳＴ１間の距離よりも大きい。
本開示のいくつかの実施例において、少なくとも１つの第１信号線ＤＳ１／ＤＳ２は、第１電圧範囲の電位を受け付け、第１サブ部分は、第２電圧範囲の電位を受け付け、第１電圧範囲の絶対値の最大値が第２電圧範囲の絶対値の最大値よりも大きい。
本開示のいくつかの実施例において、第１電圧範囲は０Ｖ～＋８Ｖで、第２電圧範囲は－２Ｖ～－５Ｖである。例えば、第１信号線はデータ信号線であってもよく、第１電圧範囲がデータケーブルの電圧範囲であり、例えば、第２電圧範囲がカソード電圧範囲であり、第１サブ部はカソード電圧の電位を受け付ける。
本開示のいくつかの実施例において、少なくとも１つの第２信号線ＧＳ２は、第３電圧範囲の電位を受け付け、第１接続部は、第４電圧範囲の電位を受け付け、第３電圧範囲の最大値が第４電圧範囲の最大値よりも大きい。
例えば、第２信号線ＧＳ２は、走査信号線、例えば、ゲート線走査線またはリセット信号走査線であってもよく、第３電圧範囲が－８Ｖ～＋８Ｖで、第４電圧範囲が１Ｖ～５Ｖであり、具体的に実施するとき、具体的な画素駆動回路に応じて、電圧値を選択することができ、本開示では、限定されない。
本開示のいくつかの実施例において、図１２Ｂに示すように、第２電極２６３は、前記薄化部に位置された第３サブ部分２６３１’を含み、例えば、第１サブ部分２６３１の薄化部における部分２６３１’（第３サブ部分２６３１’）とベース基板１００の所在平面との間の角度は、第１傾斜角ａ１を含み、第１接続部Ｒｘ１の所在平面とベース基板の所在平面との間の角度は、第２傾斜角ａ２を含み、第１傾斜角ａ１が第２傾斜角ａ２以上である。
例えば、図１２Ｂに示すように、第１サブ部分２６３１の薄化部２３２１にある部分２６３１’（第３サブ部分２６３１’）とベース基板１００の所在平面との間の角度は、ベース基板１００に近づける部分に沿って増加し、第１傾斜角ａ１は、薄化部２３２１にある部分２６３１’（第３サブ部分２６３１’）の切断面とベース基板の所在平面との間の角度の最大値であり、具体的に実施するとき、ａ２が５°以下であり、例えば、０°、１°、２°および３°などであってもよい。本開示の実施例では、第１傾斜角ａ１が第２傾斜角ａ２以上である限り、５°よりも大きい値であってもよい。
本開示のいくつかの実施例において、図１２Ａに示すように、表示パネル１は、表示領域および光透過領域にあるバリア構造ＤＡＭをさらに含み、バリア構造ＤＡＭの厚さがＨ６であり、第２電極２６３が仕切り部２６３３をさらに含み、仕切り部２６３３とバリア構造ＤＡＭとの間の距離はＬ２であり、第１傾斜角ａ１がａｃｒｔａｎ（Ｈ６／（Ｌ２／１０））未満である。
本開示のいくつかの実施例において、第２サブ部分２６３２の上方に第１有機封止層２１７２がさらに設けられ、第１傾斜角ａ１がａｃｒｔａｎ（Ｈ６／（Ｌ２／１０））未満であり、このようにして、第２電極２６３の上方の有機層の流れをさらに遅くすることができ、封止性能を改善することができる。
本開示のいくつかの実施例において、第２傾斜角ａ２の値の範囲は０°～１０°である。
本開示のいくつかの実施例において、第１接続部Ｒｘ１の幅は１０μｍよりも大きく、少なくとも１つの第１信号線の線幅の値の範囲は１μｍ～５μｍである。例えば、いくつかの例において、第１接続部Ｒｘ１の幅の値の範囲は２０μｍ～１１０μｍである。
例えば、第１信号線の線幅ＤＳの値は１．５～３μｍであり、第１接続部Ｒｘ１の幅は第２方向Ｙにおけるサイズであり、具体的に実施するとき、２０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、９０μｍ、１１０μｍ、１３０μｍ、１５０μｍ、１７０μｍ、１９０μｍ、およびこれらの間の値であってもよい。第１接続部Ｒｘ１の幅は、実際には、穴のサイズおよび穴の周りのフレームの幅に従って設計される必要があり、これは、本実施例では制限されない。
本開示のいくつかの実施例において、図１２Ｂに示すように、表示パネルは、発光素子２６とタッチ層２８との間に位置された封止層２１７と、周辺領域に位置された第５絶縁層２９とをさらに含み、封止層２１７が少なくとも第１有機封止層を含み、第５絶縁層がベース基板１００から離れた第１有機封止層２１７２の一側に設けられ、タッチ層２８が第１ダミーブロックＲＢ１－１を含み、第１ダミーブロックが第５絶縁層に少なくとも部分的に配置される第１サブダミーブロックＲＢ１’を含み、第１接続部Ｒｘ１とベース基板１００との間の距離は、第１サブダミーブロックＲＢ１’とベース基板１００との間の距離よりも小さい。
例えば、図１２Ｂに示すように、第５絶縁層２９の厚さは、２μｍよりも大きく、例えば、第５絶縁層２９の厚さ範囲は２μｍ～１１μｍであり、例えば、（単位μｍ）３、４、５、６、７、８、９、１０、およびそれらの間の中間値であり、第１サブダミーブロックＲＢ１’とベース基板１００との間の距離は、第１接続部Ｒｘ１とベース基板１００との間の距離よりも大きく、例えば、２μｍよりも大きいと設計し、これにより、第１サブダミーブロックＲＢ１’、第２電極、およびその下方にある信号線間の影響を緩和することができる。
本開示のいくつかの実施例において、図１２Ｂに示すように、第５絶縁層２９は第１側面を含み、第１ダミーブロックＲＢ１－１が第１側面に設けられ、第１ダミーブロックＲＢ１－１とベース基板の所在平面との間の角度は、第３傾斜角ａ３を含み、かつａ３≧５＊ａ１≧ａ２である。
本開示のいくつかの実施例において、図１２Ｂに示すように、例えば、第３傾斜角ａ３の角度範囲は３０°～６０°である。
本開示のいくつかの実施例において、図１２Ａ～図１２Ｄに示すように、表示パネルは、表示領域と光透過領域との間に位置されたバリア構造ＤＡＭと、発光素子２６とタッチ層２８との間に設けられ、かつ少なくとも第１有機封止層２１７２を含む封止層２１７と、周辺領域に位置し、第１有機封止層２１７２のベース基板１００から離れた一側に位置される第５絶縁層２９と、バリア構造ＤＡＭの表示領域から離れた一側に位置される第１溝３１２－１とをさらに含み、溝内の第５絶縁層２９の厚さはＨ８であり、Ｈ８≦Ｈ２である。
例えば、溝内の第５絶縁層２９の厚さは５μｍ～１０μｍであってもよく、例えば、６μｍ、７μｍ、８μｍ、９μｍであってもよく、これにより、透明領域２０１または透明領域２０１の周りにある周辺領域２０２と表示領域１０との平坦性を高める。
本開示のいくつかの実施例において、図１２Ｄに示すように、第１接続部Ｒｘ１と第２電極２６３との間の垂直距離はＨ２であり、表示パネルは、表示領域と光透過領域との間に位置されたバリア構造と、バリア構造ＤＡＭの表示領域から離れた一側に位置される第２溝３１２－２と、をさらに含み、表示パネルは、第２溝３１２－２に少なくとも部分的に配置される第２ダミーブロック２６３４をさらに含み、第２ダミーブロック２６３４と第１ダミーブロックＤＭＢ２との間の垂直距離はＨ７であり、Ｈ７は、第１接続部と第２電極との間の垂直距離Ｈ２と異なり、第２ダミーブロック２６３４が第２電極２６３よりも表示領域から離れて、第２ダミーブロック２６３４がフローティング接続されている。
なお、本開示の実施例における第１溝３１２－１、第２溝３１２－２は、同じ溝であってもよく、図１２Ｄに示すように、仕切られた複数であってもよく、本開示の実施例では、限定されない。
例えば、第２バリア壁領域３２において、第１溝３１２－１と同じ構造を有する複数の溝を配置してもよく、例えば４～８個以上を配置し、その上方に保護層を覆い、封止性能に有利である。
本開示のいくつかの実施例において、図１２Ｄに示すように、第２ダミーブロック２６３４とベース基板との間の角度は、第１ダミーブロックＤＭＢ２とベース基板１００との間の角度以下である。
本開示のいくつかの実施例において、１２Ｂに示すように、表示パネルは、発光素子とタッチ層２８（例えば、タッチ層２８は、第２接続線の補償部ＴＢ１、第２接続線Ｔｘ１などの構造を含む）との間に位置された封止層２１７と、周辺領域に位置された第５絶縁層２９とをさらに含み、封止層２１７は、少なくとも第１有機封止層２１７２を含み、第５絶縁層２９がベース基板１００から離れた第１有機封止層２１７２の一側に設けられ、タッチ層２８が第１ダミーブロックＲＢ１－１を含み、第１ダミーブロックＲＢ１－１と第１接続部Ｒｘ１との間に隙間Ｌ０があり、n個の第１信号線の１つの第１延在部Ｙ１は、表示領域と電気的に接続される拡幅部Ｅ１を含み、拡幅部Ｅ１と当該信号線における第１延在重なり部ＹＣとの最小直線距離はＬ３であり、第１ダミーブロックＲＢ１－１の面積がＡ４で、拡幅部Ｅ１の面積がＡ５であり、第１ダミーブロックＲＢ１－１と第２電極との間の垂直距離はｈ１’で、拡幅部と第２電極との間の垂直距離はｈ２’であり、ただし、ｈ１’／ｈ２’＞（Ａ５／Ａ４）＊（Ｌ０／Ｌ３）である。
例えば、第１延在部Ｙ１の拡幅部Ｅ１と当該第１延在部は、一体化構造であり、この場合、拡幅部と第２電極との間の垂直距離ｈ２’は、第１延在部Ｙ１と第２電極との間の垂直距離Ｈ１に等しい。
例えば、Ｌ０の値は９～１３μｍであり、Ｌ３の値の範囲は４～１０μｍであり、例えば、Ｌ０の値は１０～１１μｍであり、１２～１３μｍであり、Ｌ３の値の範囲は５～６μｍ、７～８μｍ、９～１０μｍ、１１～１２μｍなどである。
例えば、図１３は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される図１２Ａ内の領域Ｈの概略図であり、図１３に示すように、ブロッキング壁領域ＤＡＭは、第１ブロッキング壁３０３および第２ブロッキング壁３０５を含み、第１バリア壁領域３１は第１バリア壁３０２を含み、第２バリア壁領域３２は第２バリア壁３０４を含む。例えば、図１０に示す第１バリア壁３０２の数は２つである。
例えば、図１３に示すように、本開示の少なくとも１つの実施例における第１バリア壁３０２の数も１つであってもよく、第１バリア壁３０２はまた、図１２Ａ内の第３溝３１２構造に設けられてもよく、と同時に、第２バリア壁３０４も図１２Ａ内の第３溝３１２構造のように設けられてもよく、即ち、ベース基板に溝が開けられた構造として設けられてもよい。
例えば、第１バリア壁領域３１および／または第２バリア壁領域３２において、第３溝３１２構造と第１バリア壁３０２構造との組み合わせを設けてもよく、第３溝３１２、第１バリア壁３０２の数は１つまたは複数であってもよく、本開示の実施例では、限定されない。
例えば、第１ブロッキング壁３０３および第２ブロッキング壁３０５は、それらのうちの１つのみを保持することができるか、また、１つのブロッキング壁のみをブロッキング壁領域ＤＡＭに設置することが理解できる。１２Ａに示すように、ＤＡＭの高さが、第１有機封止層のオーバーフローをブロックできる限り、具体的に実施するとき、ＤＡＭの高さを３μｍ～７μｍにし、例えば、４μｍ～６μｍにしてもよい。
例えば、図１４Ａは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネル内の第１バリア壁の概略断面図であり、図１４Ｂは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネル内の第１ブロッキング壁の概略断面図であり、図１４Ｃは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネル内の第２バリア壁の概略断面図であり、図１４Ｄは、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示パネル内の第２ブロッキング壁の概略断面図である。
例えば、図１３および図１４Ａに示すように、第１バリア壁３０２は、第１金属層構造３０２Ｂを含み、第１金属層構造３０２Ｂの開口部２０１の少なくとも１つの側面にノッチが設けられる。例えば、第１金属層構造３０２Ｂの開口部２０１に面する側面と開口部２０１から離れた側面の両方にもノッチが設けられ、即ち、図１１Ａに示される場合である。他の例では、第１金属層構造３０２Ｂの側面にノッチを配置することができる。第１バリア壁３０２は、発光素子２６の第２電極２６３など、表示パネルの表面全体に形成された機能層を仕切ることができる。
図１３および図１４Ｂに示すように、第１ブロッキング壁３０３は、第１絶縁層構造を含み、第１絶縁層構造が例えば、複数のサブ絶縁層を含む積層であり、図１０および図１１Ｂは、２つのサブ絶縁層３０３１および３０３２を含む積層を示している。第１ブロッキング壁３０３は、機能層の材料が開口部２０１に接近または侵入することを防ぐために、表示領域１０に形成されたいくつかの機能層を遮断することができる。
図１３および図１４Ｃに示すように、第２バリア壁３０４は、第２金属層構造３０４Ｂおよび第１積層構造３０４Ａを含む。第２金属層構造３０４Ｂは、第１積層構造３０４Ａに設けられ、開口部２０１の周りに設けられる第２金属層構造３０４Ｂの少なくとも１つの側面にノッチが設けられている。例えば、第２金属層構造３０４Ｂの開口部２０１に面する側面および開口部２０１から離れた側面にもノッチが設けられ、即ち図１３および図１４Ｃに示す場合である。他の例において、第２金属層構造３０４Ｂの１つの側面にノッチが設けられてもよい。例えば、第１積層構造３０４Ａは、金属層および絶縁層を有する積層を含む。第２バリア壁３０４はまた、表示パネルの表面全体に形成された機能層を仕切ることができ、第１バリア壁３０２とともに、二重遮断効果を達成する。この場合、第１バリア壁３０２と第２バリア壁３０４の一方が故障した場合、第１バリア壁３０２と第２バリア壁３０４の他方も遮断効果を果たすことができ、さらに、第２バリア壁３０４が開口部２０１に近く、例えば、スタンピングまたはカットなどの方法によって開口部２０１を形成する場合、第２バリア壁３０４は、開口部２０１を形成するときに発生する可能性のある亀裂が拡大することを防ぎ、亀裂が表示領域１０まで広がるのを防ぐことができる。
例えば、第１バリア壁（barrier wall）３０２、第１ブロッキング壁（intercepting wall）３０３および第２バリア壁３０４の数も１つまたは複数であってもよく、図１３において、２つの第１バリア壁３０２、１つの第１ブロッキング壁３０３および１つの第２バリア壁３０４を例として示しているが、本開示の実施例を限定するものではない。
例えば、いくつかの例において、第２バリア壁３０４の第２金属層構造３０４Ｂと第１バリア壁３０２の第１金属層構造３０２Ｂとは、同じ構造を有し、同じ材料を含む。したがって、表示パネルの製造プロセスにおいて、第２バリア壁３０４の第２金属層構造３０４Ｂと第１バリア壁３０２の第１金属層構造３０２Ｂは、同じパターニングプロセスによって同じ材料層で形成されてもよく、表示パネルの製造プロセスを簡素化する。
例えば、いくつかの実施例において、図１４Ｃに示すように、第２バリア壁３０４の第１積層構造３０４Ａの積層は、ベース基板１００に順次配置される第１サブ金属層３０４１、第１サブ絶縁層３０４２、第２サブ金属層３０４３および第２サブ絶縁層３０４４を含む。例えば、第１サブ金属層３０４１とゲート２２３は同じ層に配置され、第１サブ絶縁層３０４２と第１絶縁層２１２または第２絶縁層２１３は同じ層に配置され、第２サブ金属層３０４３と第２静電容量式電極２７２は同じ層に配置され、第２サブ絶縁層３０４４と第３絶縁層２１４は同じ層に配置される。したがって、同じ層に配置されたこれらの機能層は、同じパターニングプロセスによって同じ材料層で形成することができ、表示パネルの製造プロセスを簡素化することができる。
例えば、第２バリア壁３０４の形式は様々がある。例えば、いくつかの例において、図１１Ｃに示すように、第２バリア壁３０４の第１サブ絶縁層３０４２と第２サブ絶縁層３０４４は、それぞれ第１サブ金属層３０４１および第２サブ金属層３０４３と同じパターンを有し、図１１Ｃにおいて同じ幅を有するものとして具体化される。このとき、製造プロセスにおいて、第１サブ絶縁層３０４２および第２サブ絶縁層３０４４は、さらにエッチングプロセスを介して、対応するパターンを形成することができる。
例えば、いくつかの実施例において、図１４Ａに示すように、第１バリア壁３０２は、その上に第１金属層構造２３２Ｂが設けられている第２絶縁層構造３０２Ａをさらに含む。例えば、第２絶縁層構造３０２Ａは、例えば、サブ絶縁層３０２１および３０２２を含むものとして図１１Ａに示されるように、複数のサブ絶縁層を含む。例えば、サブ絶縁層３０２１と第１絶縁層２１２または第２絶縁層２１３とは同じ層に設けられ、サブ絶縁層３０２２と第３絶縁層２１４は同じ層に設けられ、製造プロセスにおいて、同じ層に設けられるこれらの機能層は、同じパターニングプロセスによって同じ材料層で形成されてもよい。第２絶縁層構造３０２Ａの配置は、第１バリア壁３０２のバリア効果を高めることができ、例えば、堆積などの方法によって後で第１バリア壁３０２に形成される第１無機封止層２１７３は、第１バリア壁３０２の表面に沿ってよりよく形成されることを容易にする。
例えば、図１４Ｂに示すように、第１ブロッキング壁３０３は、複数のサブ絶縁層、図１４Ｂに示されるように、サブ絶縁層３０３１およびサブ絶縁層３０３２などの複数のサブ絶縁層を含む。例えば、サブ絶縁層３０３１および３０３２は、第１平坦化層２３２、第２平坦化層２５１、画素定義層２１６の２種と１対１で対応配置されかつ同じ層に設けられる。例えば、サブ絶縁層３０３１と第１平坦化層２３２は、同じ層に設けられ、サブ絶縁層３０３２と第２平坦化層２５１は同じ層に設けられる。したがって、製造プロセスにおいて、同じ層に配置されたこれらの機能層は、同じパターニングプロセスによって同じ材料層で形成することができる。
例えば、図１３に示すように、第２ブロッキング壁３０５は第１ブロッキング壁３０３よりも高い。したがって、第２ブロッキング壁３０５は第１ブロッキング壁３０３とともに、二重のブロッキング効果を達成する。
例えば、いくつかの例において、図１４Ｄに示すように、第２ブロッキング壁３０５は複数のサブ絶縁層を含み、図１４Ｄにサブ絶縁層３０５１、サブ絶縁層３０５２およびサブ絶縁層３０５３を含むものとして示される。例えば、サブ絶縁層３０５１と第１平坦化層２３２は同じ層に設けられ、サブ絶縁層３０５２と第２平坦化層２５１は同じ層に設けられ、サブ絶縁層２０５３と画素定義層２１６は同じ層に設けられる。したがって、製造プロセスにおいて、同じ層に配置されたこれらの機能層は、同じパターニングプロセスによって同じ材料層で形成することができる。
例えば、第１金属層構造３０２Ｂの３つのサブ金属層３０２３、３０２４、３０２５および第２金属層構造３０４Ｂの３つのサブ金属層３０４５、３０４６、３０４７は、それぞれソース２２４およびドレイン２２５の３層の金属層と１対１で対応配置され、かつ材料が同じである。したがって、第１金属層構造３０２Ｂ、第２金属層構造３０４Ｂと、ソース２２４およびドレイン２２５とは、３層の同じ金属材料層を使用し、同じパターニングプロセスを使用することによって形成することができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は、表示パネルをさらに提供し、当該表示パネルは、ベース基板と、光透過領域、少なくとも一部が前記光透過領域を取り囲む表示領域、前記表示領域と前記光透過領域との間に設けられる周辺領域と、少なくとも一部が前記表示領域に位置された複数の画素駆動回路ユニットと、第１信号を前記複数の画素駆動回路ユニットに提供するように構成されるn個の第１信号線において、少なくとも１つの前記第１信号線が前記表示領域に位置された第１本体部と、前記周辺領域に位置された第１延在部と第１屈曲部とを含み、前記第１延在部が前記第１本体部と電気的に接続され、前記第１屈曲部の少なくとも一部が前記光透過領域を取り囲み、かつ前記第１延在部よりも前記第１本体部から離れて、前記n個の第１信号線において、隣接する２つの第１信号線の第１延在部間の距離が隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部間の距離よりも大きい、n個の第１信号線と、前記表示領域に位置された第１タッチ信号線と、前記周辺領域に位置され、かつ前記第１タッチ信号線と電気的に接続される第１接続部と、を含むタッチ層と、第２信号を前記複数の画素駆動回路ユニットに提供するように構成されたｍ個の第２信号線であって、前記第１接続部と前記ｍ個の第２信号線との前記ベース基板への正射影は、は少なくとも部分的に重なるｍ個の第２信号線と、第１電極と、発光層と、第２電極とを含む発光素子において、前記第１電極が前記ベース基板から離れた前記ｎ個の前記第１信号線の一側に設けられ、かつ少なくとも１つの画素駆動回路ユニットと電気的に接続され、前記第２電極が前記ベース基板から離れた前記第１電極の一側に設けられ、前記発光層が前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる、発光素子とをさらに含み、前記n個の第１信号線のうち、隣接する２つの第１信号線の第１延在部同士間の距離がｂ１であり、前記n個の第１信号線のうち、前記ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの前記第１信号線の第１延在部と前記第２電極との間の距離がＨ１であり、前記ｍ個の第２信号線のうち、前記第１接続部と重なる領域内において隣接する２つの第２信号線同士間の距離がｂ２であり、前記ｍ個の第２信号線のうち、前記ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの前記ｍ個の第２信号線と前記第２電極との間の距離がＨ５であり、ｂ１＞ｂ２、Ｈ５＞Ｈ１である。本開示の実施例は、限られたスペースでは、信号線の一部が比較的まばらになり、表示領域に近いカソードの一部への信号線リードが少なくなるように、表示領域に近い信号線間の間隔をできるだけ大きくなるように設計する。対応する位置に配線密度の高い第２信号線を、第２電極から離れて配置することにより、第２電極への影響を軽減し、表示効果を向上させる。
本開示の少なくとも１つの実施例において、図３Ｄ、図１２Ａ～図１２Ｄに示すように、当該表示パネルは、ベース基板１００と、光透過領域２０１、少なくとも一部が前記光透過領域２０１の周りに設けられる表示領域１０、前記表示領域１０と前記光透過領域との間に設けられる周辺領域２０２と、少なくとも一部が前記表示領域に位置された複数の画素駆動回路ユニットＰと、第１信号を前記複数の画素駆動回路ユニットＰに提供するように構成されるn個の第１信号線ＤＳ２とを含み、少なくとも１つの前記第１信号線ＤＳ２は、表示領域に位置された第１本体部ＤＳ、前記周辺領域２０２にある第１延在部Ｙ１および第１屈曲部Ｃ１を含み、前記第１延在部Ｙ１が前記第１本体部ＤＳと電気的に接続され、前記第１屈曲部Ｃ１の少なくとも一部が前記光透過領域２０１の周りに設けられ、かつ前記第１延在部Ｙ１よりも前記第１本体部ＤＳから離れており、前記n個の第１信号線ＤＳ２において、隣接する２つの第１信号線ＤＳの第１延在部Ｙ１同士間の距離が隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部Ｃ１同士間の距離よりも大きく、当該表示パネルは、第２信号を、前記複数の画素駆動回路ユニットＰに提供するように構成される第２信号線ＧＳ２をさらに含み、前記第１接続部Ｒｘ１とｍ個の前記第２信号線ＧＳ２との前記ベース基板１００への正射影は、少なくとも部分的に重なり、前記n個の第１信号線ＤＳ２において、隣接する２つの第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１同士間の距離はｂ１であり、前記n個の第１信号線のうち、前記ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの前記第１信号線ＤＳ２の第１延在部Ｙ１と前記第２電極２６３との間の距離がＨ１であり、前記ｍ個の第２信号線ＧＳ２のうち、前記第１接続部Ｒｘ１と重なる領域における隣接する２つの第２信号線ＧＳ２同士間の距離はｂ２であり、前記ｍ個の第２信号線のうち、前記ベース基板に垂直な方向に、少なくとも１つの前記ｍ個の第２信号線と前記第２電極２６３との間の距離はＨ５であり、ｂ１＞ｂ２で、Ｈ５＞Ｈ１である。
本開示の少なくとも１つの実施例において、第１信号はデータ信号であってもよく、第２信号は走査信号であってもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例において、前記第１信号線の第１延在部は直線セグメントであり、前記第１屈曲部は円弧セグメントである。
例えば、本開示のいくつかの実施例において、第１屈曲部Ｃ１は、破線であってもよく、その少なくとも一部が前記光透過領域２０１の周りに設けられ、第１屈曲部Ｃ１の延在方向は、本体部ＤＳの延在方向からずれていると理解できる。
例えば、本開示のいくつかの実施例において、第１延在部Ｙ１は、直線セグメントであり、その延在方向は本体部ＤＳと一致しており、第１屈曲部Ｃ１は、円弧セグメントで、その延在方向が本体部ＤＳの延在方向からずれていると理解できる。
本開示の少なくとも１つの実施例において、前記第１接続部Ｒｘ１の幅は１０μｍよりも大きく、少なくとも１つの前記第１信号線の線幅の値の範囲は１μｍ～５μｍである。例えば、いくつかの例において、第１接続部Ｒｘ１の幅の値の範囲は２０μｍ～１１０μｍである。
例えば、本開示のいくつかの実施例において、第１接続部Ｒｘ１の形状は、長方形であってもよく、この場合、第１接続部Ｒｘ１の幅が長方形の幅であってもよく、また、例えば、第１接続部Ｒｘ１の形状は、弧状ブロックであってもよく、この場合、第１接続部Ｒｘ１の幅は、光透過領域２０１の半径方向に沿った平均幅であってもよい。
本開示の少なくとも１つの実施例において、当該表示パネルは、前記ベース１００から離れる方向に配置された第１絶縁層２１２、第２絶縁層２１３、第３絶縁層２１４および第４絶縁層２３２をさらに含み、前記n個の第１信号線ＤＳの少なくとも１つの第１延在部Ｙ１が前記第３絶縁層２１４と前記第４絶縁層２３２との間に設けられる。例えば、図１２Ａ、図１２Ｂに示すように、前記n個の第１信号線ＤＳの少なくとも１つの第１延在部Ｙ１と第１屈曲部Ｃ１は、一体化構造であり、当該少なくとも１つの第１延在部Ｙ１は、第３絶縁層２１４と第４絶縁層２３２との間に設けられる。
本開示の少なくとも１つの実施例において、図３Ｄ、図３Ｆ、図１２Ｃなどに示すように、前記n個の第１信号線ＤＳの少なくとも１つの第１延在部Ｙ１は、前記ベース基板１００から離れた前記第４絶縁層２３２の一側に設けられ、当該第１延在部Ｙ１がビアホールを介して、対応する第１本体部ＤＳと電気的に接続される。
本開示の少なくとも１つの実施例において、図３Ｅ、図３Ｇ、図１２Ａ～図１２Ｃなどに示すように、前記ｍ個の第２信号線ＧＳ２の少なくとも１つは、前記第３絶縁層２１４の前記ベース基板１００に近い一側に設けられる。
本開示の少なくとも１つの実施例において、図１２Ａ、図１２Ｃに示すように、前記ベース基板に垂直な方向において、前記第１接続部Ｒｘ１と前記第２電極２６３との間の距離はＨ２であり、ただし、Ｈ２＞Ｈ５＞Ｈ１である。
本開示の少なくとも１つの実施例において、例えば、第１接続部Ｒｘ１と第２接続線の補償部ＴＢ１は同じ層に設けられ、図１２Ａに示すように、前記第１接続部Ｒｘ１と前記第２電極２６３との間の距離は、第２接続線の補償部ＴＢ１と前記第２電極２６３との間の距離に実質的に等しい。
本開示の少なくとも１つの実施例において、画素表示領域の画素駆動回路ユニットは、７Ｔ１Ｃ回路などの低温ポリシリコン半導体駆動回路、３Ｔ１Ｃなどの酸化物半導体駆動回路、６Ｔ１Ｃ、７Ｔ１Ｃ、８Ｔ１Ｃ、８Ｔ２Ｃ、９Ｔ１Ｃ、９Ｔ２ＣなどのＬＴＰＯ（低温ポリシリコンと酸化物の両方）駆動回路で駆動することができ、本実施例では、限定されない。
例えば、ＬＴＰＯ駆動回路を使用する場合、表示パネルにおける導電層、または遷移層、または層変更構造は、低温ポリシリコンＴＦＴのソースドレイン電極と同じ層に設けられてもよく、または同じ材料を使用することができ、酸化物ＴＦＴのソースドレイン電極と同じ層に設けられてもよく、または同じ材料を使用することができ、低温ポリシリコンＴＦＴ、または酸化物ＴＦＴのゲートと同じ層に設けられてもよく、または同じ材料を使用することができ、本開示の実施例では限定されない。
例えば、ＬＴＰＯ駆動回路を使用する場合、酸化物ＴＦＴチャネルを遮蔽するための遮光層を増設することができ、と同時に、当該遮光層を周辺領域２０２にリング状として配置することもでき、イメージング効果を高める。
本開示の少なくとも１つの実施例において、例えば、ＬＴＰＯ駆動回路を使用する場合、遮光層のベース基板への射影と、タッチ層における第１ダミーブロックＲＢ１－１のベース基板への射影とは、少なくとも部分的に重なる。
なお、本開示の少なくとも１つの実施例における距離は、ベース基板に垂直な方向に、２つのオブジェクト間の垂直距離として理解できる。
なお、本開示の実施例における「ほぼ」、「実質的に」、「約」などは、誤差範囲を考慮して、関連する値が、例えば、±１０％、±１５％±２０％、または±２５％などの範囲内で変動することができることを意味する。
図１５は、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示装置の概略図である。本開示の少なくとも１つの実施例は、上記のいずれか１つの実施例による表示パネル１を備えることができる、表示装置２を提供する。
例えば、図１５に示すように、表示装置２は、フレキシブル回路基板および制御チップをさらに備えることができる。例えば、フレキシブル回路基板は、表示パネル１の結び付け領域に結ばれ、制御チップはフレキシブル回路基板に取り付けられて、表示領域と電気的に接続され、または、制御チップは、結び付け領域に直接結ばれ、それによって表示領域と電気的に接続される。
例えば、例えば、制御チップは、中央処理装置、デジタル信号プロセッサ、システムチップ（ＳｏＣ）などであってもよい。例えば、制御チップは、メモリ、電源モジュールなどをさらに含むことができ、別個に提供されるワイヤ、信号線などを介して、給電および信号の入出力の機能を実現することができる。例えば、制御チップは、さらに、ハードウェア回路およびコンピュータ実行可能なコードなどを含むことができる。ハードウェア回路は、従来の超大規模集積（ＶＬＳＩ）回路またはゲートアレイ、およびロジックチップ、トランジスタなどの従来の半導体または他のディスクリートコンポーネントを含むことができ、ハードウェア回路は、フィールドプログラマブルゲートアレイ、プログラマブルアレイロジック、プログラマブルロジック機器をさらに含むことができる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例によって提供される表示装置２は、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、モニター、ノートブックコンピュータ、デジタルフォトフレーム、ナビゲーターなど、表示機能を備えた任意の製品または部材であってもよい。
以下の点を説明する必要がある。
（１）本開示の実施例における添付の図面は、本開示の実施例に関連する構造のみに関し、他の構造は、通常の設計を参照することができる。
（２）矛盾がない場合、本開示の実施例および実施例の特徴を互いに組み合わせて、新しい実施例を得ることができる。
上記は、本開示の具体的な実施形態にすぎないが、本開示の保護範囲はそれに限定されない。当業者によって、本開示に開示された技術的範囲内に容易に想像できるいかなる変更または置換は、本開示の保護範囲内にカバーされるべきである。したがって、本開示の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲に従うべきである。
1 表示パネル
2 表示装置

Claims (26)

  1. ベース基板を含む表示パネルであって、
    前記表示パネルは、
    光透過領域と、少なくとも一部が前記光透過領域を取り囲む表示領域と、前記表示領域と前記光透過領域との間に設けられる周辺領域と、
    少なくとも一部が前記表示領域に位置された複数の画素駆動回路ユニットと、
    第１信号を、前記複数の画素駆動回路ユニットに提供するように構成されるn個の第１信号線であって、少なくとも１つの前記第１信号線が、前記表示領域に位置された第１本体部と、前記周辺領域に位置された第１延在部と第１屈曲部とを含み、前記第１延在部が前記第１本体部と電気的に接続され、前記第１屈曲部の少なくとも一部が前記光透過領域を取り囲み、かつ前記第１延在部よりも前記第１本体部から離れている、n個の第１信号線と、
    前記表示領域に位置された第１タッチ信号線と、前記周辺領域に位置され、かつ前記第１タッチ信号線と電気的に接続される第１接続部と、を含むタッチ層であって、前記n個の第１信号線において、隣接する２つの第１信号線の第１延在部同士間の距離が隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部同士間の距離よりも大きく、前記第１接続部と前記n個の第１信号線の第１延在部とが前記ベース基板への正射影の重なり面積がＳ１であり、前記第１接続部と前記n個の第１信号線の第１屈曲部とが前記ベース基板への正射影の重なり面積がＳ２であり、ただし、Ｓ１≧Ｓ２で、Ｓ１がゼロよりも大きく、ｎが１より大きい整数である、タッチ層と、
    第１電極と、発光層と、第２電極とを含む発光素子であって、前記第１電極が、前記n個の第１信号線の前記ベース基板から離れた一側に位置され、かつ少なくとも１つの画素駆動回路ユニットと電気的に接続され、前記第２電極が、前記第１電極の前記ベース基板から離れた一側に位置され、前記発光層が、前記第１電極と前記第２電極との間に位置された発光素子と、
    をさらに含み、
    前記n個の第１信号線において、少なくとも１つの前記第１信号線の第１延在部の長さがＬ１であり、前記ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの前記第１信号線の第１延在部と前記第２電極との間の距離がＨ１であり、
    前記距離が式Ｈ１≧（Ｓ１／ｎ）／Ｌ１を満たす、
    表示パネル。
  2. 前記Ｌ１と、前記Ｈ１と、前記Ｓ１とは、式Ｌ１＊Ｈ１＝ｋ＊（Ｓ１／ｎ）を満たし、ｋが１～２０の実数である、
    請求項１に記載の表示パネル。
  3. 前記Ｌ１と、前記Ｈ１と、前記Ｓ１とは、式Ｌ１＊Ｈ１＝ｋ＊（Ｓ１／ｎ）を満たし、ｋが２～１０の実数である、
    請求項１に記載の表示パネル。
  4. 前記ベース基板に垂直な方向において、前記第１接続部と前記第２電極との間の距離がＨ２であり、前記n個の第１信号線のうち１つの第１信号線の第１延在部の面積がＡ１であり、前記第１接続部の面積がＡ２であり、
    ただし、Ｈ２≧（１／ｋ１）＊（Ａ２／ｎＡ１）＊Ｈ１で、ｋ１は、５～１８０範囲内の実数である、
    請求項１に記載の表示パネル。
  5. 前記ベース基板から離れた方向に設けられた第１絶縁層と、第２絶縁層と、第３絶縁層と、第４絶縁層とをさらに含み、前記n個の第１信号線のうち少なくとも１つの第１信号線の第１延在部が前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に位置される、
    請求項１に記載の表示パネル。
  6. 前記n個の第１信号線のうち少なくとも１つの第１信号線の第１延在部は、前記第４絶縁層の前記ベース基板から離れた一側に位置され、前記第１延在部がビアホールを介して前記第１延在部に対応する第１本体部と電気的に接続される、
    請求項５に記載の表示パネル。
  7. 前記複数の画素駆動回路ユニットは、それぞれ第１トランジスタを含み、前記第１トランジスタが前記発光素子と電気的に接続され、前記発光素子が前記第４絶縁層の前記ベース基板から離れた一側に位置され、
    前記第２電極が周辺領域に位置された第１サブ部分と第２サブ部分とを含み、前記第１サブ部分の前記ベース基板への正射影と前記第４絶縁層の前記ベース基板への正射影とは、少なくとも部分的に重なり、前記第２サブ部分の前記ベース基板への正射影と前記第４絶縁層の前記ベース基板への正射影とは、重ならなく、前記第１サブ部分と前記n個の第１信号線の第１延在部とが前記ベース基板への正射影の重なり面積がＳ３であり、前記第２サブ部分と前記n個の第１信号線の第１屈曲部との前記ベース基板への正射影の重なり面積がＳ４であり、
    ただし、Ｓ３＞Ｓ４である、
    請求項５に記載の表示パネル。
  8. 前記第４絶縁層の前記ベース基板から離れた一側に位置され、複数の画素開口部を有する画素定義層をさらに含み、前記発光素子の発光層の少なくとも一部が前記複数の画素開口部内に位置され、
    前記第４絶縁層は、前記周辺領域に位置されかつ前記第１信号線の前記ベース基板への正射影と重ならない薄化部を含み、前記薄化部の前記ベース基板に垂直な方向に沿う厚さは、前記第４絶縁層の前記表示領域において前記ベース基板に垂直な方向に沿う厚さよりも小さい、
    請求項５に記載の表示パネル。
  9. 少なくとも１つの前記第１信号線は、第１電圧範囲の電位を受け付け、前記第１サブ部分が第２電圧範囲の電位を受け付け、前記第１電圧範囲の絶対値の最大値が前記第２電圧範囲の絶対値の最大値よりも大きい、
    請求項７に記載の表示パネル。
  10. 前記第２電極は、前記薄化部に位置された第３サブ部分を含み、前記第３サブ部分の所在平面と前記ベース基板の所在平面との間の角度が第１傾斜角ａ１を含み、前記第１接続部の所在平面と前記ベース基板の所在平面との間の角度が第２傾斜角ａ２を含み、
    前記第１傾斜角ａ１が前記第２傾斜角ａ２以上である、
    請求項８に記載の表示パネル。
  11. 前記第２傾斜角ａ２の値の範囲は、０°～１０°である、
    請求項１０に記載の表示パネル。
  12. 前記第１接続部の幅は、１０μｍよりも大きく、
    少なくとも１つの前記第１信号線の線幅の値の範囲は、１μｍ～５μｍである、
    請求項１に記載の表示パネル。
  13. 前記発光素子と前記タッチ層との間に位置された封止層と、前記周辺領域に位置された第５絶縁層と、をさらに含み、
    前記封止層は、少なくとも第１有機封止層を含み、前記第５絶縁層は、前記第１有機封止層の前記ベース基板から離れた一側に位置され、
    前記タッチ層は、第１ダミーブロックを含み、前記第１ダミーブロックが、少なくとも一部が前記第５絶縁層に設けられる第１サブダミーブロックを含み、
    前記第１接続部と前記ベース基板との間の距離は、前記第１サブダミーブロックと前記ベース基板との間の距離よりも小さい、
    請求項１０に記載の表示パネル。
  14. 前記第５絶縁層は、第１側面を含み、前記第１ダミーブロックが前記第１側面に設けられ、前記第１ダミーブロックと前記ベース基板の所在平面との間の角度が第３傾斜角ａ３を含み、
    ａ３≧５＊ａ１≧ａ２である、
    請求項１３に記載の表示パネル。
  15. 前記第３傾斜角ａ３の値の範囲は、３０°～６０°である、
    請求項１４に記載の表示パネル。
  16. 前記表示領域と前記光透過領域との間に位置されたバリア構造と、
    前記発光素子と前記タッチ層との間に位置され、少なくとも第１有機封止層を含む封止層と、
    前記周辺領域に位置され、前記第１有機封止層の前記ベース基板から離れた一側に位置された第５絶縁層と、
    前記バリア構造の前記表示領域から離れた一側に位置された第１溝と、をさらに含み、
    前記第５絶縁層の前記第１溝内の厚さがＨ８であり、Ｈ８≦Ｈ２である、
    請求項４に記載の表示パネル。
  17. 前記ベース基板に垂直な方向において、前記第１接続部と前記第２電極との間の距離がＨ２であり、
    前記表示パネルは、
    前記表示領域と前記光透過領域との間に位置されたバリア構造と、
    前記バリア構造の前記表示領域から離れた一側に位置された第２溝と、
    少なくとも一部が前記第２溝内に位置された第２ダミーブロックと、
    をさらに含み、
    前記ベース基板に垂直な方向において、前記第２ダミーブロックと前記第１ダミーブロックとの間の距離がＨ７であり、前記Ｈ７は、前記第１接続部と前記第２電極との間の距離Ｈ２と異なり、
    前記第２ダミーブロックが前記第２電極よりも前記表示領域から離れて、前記第２ダミーブロックがフローティング接続されている、
    請求項１３に記載の表示パネル。
  18. 前記第２ダミーブロックと前記ベース基板との間の角度は、前記第１ダミーブロックと前記ベース基板との間の角度以下である、
    請求項１７に記載の表示パネル。
  19. 前記タッチ層は、表示領域に位置された第２タッチ信号線をさらに含み、
    前記第１タッチ信号線と前記第２タッチ信号線は、それぞれ電気的に接続されている複数の電極ブロックを含み、前記第１タッチ信号線または前記第２タッチ信号線における隣接する２つの電極ブロックがアダプタ部を介して電気的に接続され、前記アダプタ部と前記隣接する２つの電極ブロックとの間の接触面積がＳ４であり、
    Ｓ１≧ａ＊Ｓ４で、ａが０．８よりも大きい実数である、
    請求項１に記載の表示パネル。
  20. 請求項１～１９のいずれか一項に記載の表示パネルを備える表示装置。
  21. ベース基板を含む表示パネルであって、
    前記表示パネルは、
    光透過領域と、少なくとも一部が前記光透過領域を取り囲む表示領域と、前記表示領域と前記光透過領域との間にある周辺領域と、
    少なくとも一部が前記表示領域に位置された複数の画素駆動回路ユニットと、
    第１信号を、前記複数の画素駆動回路ユニットに提供するように構成されるn個の第１信号線であって、少なくとも１つの前記第１信号線が、前記表示領域に位置された第１本体部と、前記周辺領域に位置された第１延在部と第１屈曲部とを含み、前記第１延在部が前記第１本体部と電気的に接続され、前記第１屈曲部の少なくとも一部が前記光透過領域を取り囲み、かつ前記第１延在部よりも前記第１本体部から離れており、前記n個の第１信号線において、隣接する２つの第１信号線の第１延在部同士間の距離が隣接する２つの第１信号線の第１屈曲部同士間の距離よりも大きい、n個の第１信号線と、
    前記表示領域に位置された第１タッチ信号線と、前記周辺領域に位置され、前記第１タッチ信号線と電気的に接続されている第１接続部と、を含むタッチ層と、
    第２信号を、前記複数の画素駆動回路ユニットに提供するように構成されたｍ個の第２信号線であって、前記第１接続部と前記ｍ個の第２信号線との前記ベース基板への正射影は、少なくとも部分的に重なるｍ個の第２信号線と、
    第１電極と、発光層と、第２電極とを含む発光素子であって、前記第１電極が前記ｎ個の第１信号線の前記ベース基板から離れた一側に位置され、かつ少なくとも１つの画素駆動回路ユニットと電気的に接続され、前記第２電極が前記第１電極の前記ベース基板から離れた一側に位置され、前記発光層が前記第１電極と前記第２電極との間に位置される、発光素子と、
    をさらに含み、
    前記n個の第１信号線において、隣接する２つの第１信号線の第１延在部同士間の距離がｂ１であり、前記n個の第１信号線において、前記ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの前記第１信号線の第１延在部と前記第２電極との間の距離がＨ１であり、
    前記ｍ個の第２信号線において、前記第１接続部と重なる領域内において隣接する２つの第２信号線同士の間の距離がｂ２であり、前記ｍ個の第２信号線において、前記ベース基板に垂直な方向において、少なくとも１つの前記ｍ個の第２信号線と前記第２電極との間の距離がＨ５であり、
    ｂ１＞ｂ２、Ｈ５＞Ｈ１である、
    表示パネル。
  22. 前記第１信号線の第１延在部は直線セグメントであり、前記第１信号線の第１屈曲部は円弧セグメントである、
    請求項２１に記載の表示パネル。
  23. 前記第１接続部の幅は１０μｍよりも大きく、少なくとも１つの前記第１信号線の線幅の値の範囲は１μｍ～５μｍである、
    請求項２１に記載の表示パネル。
  24. 前記第１接続部の幅の値の範囲は２０μｍ～１１０μｍである、
    請求項２１に記載の表示パネル。
  25. 前記ベース基板から離れている方向に設けられた第１絶縁層と、第２絶縁層と、第３絶縁層と、第４絶縁層とをさらに含み、前記n個の第１信号線の少なくとも１つの第１信号線の第１延在部が前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に位置されている、
    請求項２１に記載の表示パネル。
  26. 請求項２１～２５のいずれか一項に記載の表示パネルを備える表示装置。
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