CN112514092A - 有机发光装置 - Google Patents

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申孝燮
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Abstract

公开了有机发光装置。

Description

有机发光装置
技术领域
一个或多于一个的实施方案涉及有机发光装置。
背景技术
有机发光装置(OLED)是自发射装置，其与本领域的装置相比具有广视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性，并且产生全色图像。
OLED可以包括在衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
发明内容
技术问题
一个或多于一个的实施方案包括包括空穴阻挡层和电子阻挡层的有机发光装置。
对问题的技术方案
根据方面，有机发光装置可以包括：阳极；阴极；位于所述阳极与所述阴极之间并且包括发射层的有机层；
位于所述阳极与所述发射层之间并且与所述发射层直接接触的电子阻挡层；以及位于所述阴极与所述发射层之间并且与所述发射层直接接触的空穴阻挡层，所述发射层可以包含主体和掺杂剂，所述电子阻挡层可以是电子阻挡材料，所述空穴阻挡层可以包含空穴阻挡材料，并且所述主体、所述掺杂剂、所述电子阻挡材料和所述空穴阻挡材料可以各自满足等式1-1至等式1-4：
等式1-1
T1(EB)≥T1(H)
等式1-2
T1(EB)≥T1(D)
等式1-3
T1(HB)>T1(H)
等式1-4
T1(HB)>T1(D)
其中，在等式1-1和等式1-4中，
T1(EB)表示所述电子阻挡材料的最低激发三重态能级，
T1(HB)表示所述空穴阻挡材料的最低激发三重态能级，
T1(H)表示所述主体的最低激发三重态能级，以及
T1(D)表示所述掺杂剂的最低激发三重态能级。
根据一个或多个实施方案，所述主体、所述掺杂剂、所述电子阻挡材料和所述空穴阻挡材料可以各自满足等式1-11、等式1-21、等式1-31和/或等式1-41：
等式1-11
1.0eV≥T1(EB)-T1(H)≥0.01eV
等式1-21
1.0eV≥T1(EB)-T1(D)≥0.01eV
等式1-31
1.0eV≥T1(HB)-T1(H)≥0.01eV
等式1-41
1.0eV≥T1(HB)-T1(D)≥0.01eV。
在一些实施方案中，所述电子阻挡材料可以包括由式1表示的化合物：
式1
Figure BDA0002908624410000031
其中，在式1中，
X11可以选自O、S、N(R13)和C(R13)(R14)，
X12可以选自单键、O、S、N(R15)和C(R15)(R16)，
A11和A12可以各自独立地选自C5-C60碳环基团和C1-C60杂环基团，
R11至R16可以各自独立地选自：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)，以及
b11和b12可以各自独立地选自1、2、3、4、5和6，
其中Q1至Q3可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团和三联苯基基团。
在一些实施方案中，所述发射层的厚度(DE)≥所述电子阻挡层的厚度(DEB)。
在一些实施方案中，所述电子阻挡层的厚度可以为约
Figure BDA0002908624410000046
至约
Figure BDA0002908624410000042
在一些实施方案中，所述空穴阻挡材料可以包括由式2表示的化合物：
式2
Figure BDA0002908624410000043
其中，在式2中，
X21可以是N或C(R21)，X22可以是N或C(R22)，X23可以是N或C(R23)，X24可以是N或C(R24)，X25可以是N或C(R25)，并且X26可以是N或C(R26)，条件是选自X21至X26中的至少一个可以是N，
R21至R26可以各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及
R21至R26中的至少一个可以选自取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
在一些实施方案中，所述发射层的厚度(DE)≥所述空穴阻挡层的厚度(DHB)。
在一些实施方案中，所述空穴阻挡层的厚度可以为约
Figure BDA0002908624410000044
至约
Figure BDA0002908624410000045
在一些实施方案中，所述主体可以包括由式1和式2中的一种表示的化合物：
式1
Figure BDA0002908624410000051
式2
Figure BDA0002908624410000052
其中，在式1和式2中，
X11可以选自O、S、N(R13)和C(R13)(R14)，
X12可以选自单键、O、S、N(R15)和C(R15)(R16)，
A11和A12可以各自独立地选自C5-C60碳环基团和C1-C60杂环基团，
R11至R16可以各自独立地选自：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)，
b11和b12可以各自独立地选自1、2、3、4、5和6，
其中Q1至Q3可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团和三联苯基基团，
X21可以是N或C(R21)，X22可以是N或C(R22)，X23可以是N或C(R23)，X24可以是N或C(R24)，X25可以是N或C(R25)，并且X26可以是N或C(R26)，条件是选自X21至X26中的至少一个可以是N，
R21至R26可以各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及
R21至R26中的至少一个可以选自取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
根据一个或多于一个的实施方案，所述主体可以包括第一主体和第二主体。
根据一个或多于一个的实施方案，所述第一主体可以是不包含电子传输部分的空穴传输主体，并且所述第二主体可以是包含至少一个电子传输部分的电子传输主体。
在一些实施方案中，所述第一主体可以包括由式1表示的化合物，并且所述第二主体可以包括由式2表示的化合物。
在一些实施方案中，所述第一主体可以与所述电子阻挡材料相同。
在一些实施方案中，所述第二主体可以与所述空穴阻挡材料相同。
在一些实施方案中，所述掺杂剂可以发射延迟荧光或荧光。
在一些实施方案中，所述掺杂剂可以进一步满足等式3：
等式3
│S1(D)-T1(D)│≤0.5eV
其中，在等式3中，
T1(D)表示所述掺杂剂的最低激发三重态能级，以及
S1(D)表示所述掺杂剂的最低激发单重态能级。
在一些实施方案中，所述掺杂剂可以进一步满足等式4和/或等式5：
等式4
2.65eV≤S1(D)≤2.85eV
等式5
2.65eV≤T1(D)≤3.05eV
其中，在等式4和等式5中，
T1(D)表示所述掺杂剂的最低激发三重态能级，以及
S1(D)表示所述掺杂剂的最低激发单重态能级。
在一些实施方案中，所述掺杂剂可以由式4表示：
在一些实施方案中，所述有机层可以包括位于所述阳极与所述电子阻挡层之间的空穴传输层，
所述空穴传输层可以包含空穴传输材料，以及
所述主体和所述空穴传输材料可以各自满足等式6：
等式6
T1(H)≥T1(HT)
其中，在等式6中，
T1(H)表示所述主体的最低激发三重态能级，以及
T1(HT)表示所述空穴传输材料的最低激发三重态能级。
在一些实施方案中，所述有机层可以包括位于所述阴极与所述空穴阻挡层之间的电子传输层，
所述电子传输层可以包含电子传输材料，以及
所述掺杂剂和所述电子传输材料可以各自满足等式7：
等式7
T1(D)≥T1(ET)
其中，在等式7中，
T1(D)表示所述掺杂剂的最低激发三重态能级，以及
T1(ET)表示所述电子传输材料的最低激发三重态能级。
公开内容的有利效果
包括所述电子阻挡层和所述空穴阻挡层的有机发光装置可以具有改善的效率和使用寿命。
附图说明
图1例示出有机发光装置的实施方案的示意性横截面视图。
具体实施方式
由于本发明构思允许各种改变和多种实施方案，因此将在附图中例示并且在书面描述中详细地描述具体实施方案。通过参考附图查阅本发明构思的示例性实施方案，效果、特征和实现本发明构思的方法将显而易见。然而，本发明构思可以以许多不同的形式实施并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。
在下文，将通过参考附图解释本发明构思的示例性实施方案来详细地描述本发明构思。附图中的相同的参考数字表示相同的元件，并且因此将省略它们的描述。
在本说明书中描述的实施方案中，以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非在上下文中具有明显不同的含义。
在本说明书中，应理解，诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语旨在表示说明书中公开的特征或组件的存在，而不旨在排除可以存在或可以添加一个或多于一个的其它特征或组件的可能性。
应理解，当层、区或组件被称为在另一个层、区或组件“上”或“之上”时，它可以直接地或间接地形成在其它层、区或组件上方。即，例如，可以存在介于中间的层、区或组件。
为了便于解释，可以放大附图中的组件的尺寸。换而言之，由于附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于解释而随意例示的，因此以下实施方案不限于此。
如本文使用的“最低激发三重态能级”如下测量：将化合物沉积在石英衬底上至
Figure BDA0002908624410000081
的厚度以制备样品。在4开尔文(K)的温度下获得样品的光致发光光谱，分析该光致发光光谱的第一峰(具有最短波长的峰)，从而计算最低激发三重态能级(T1能级)。
如本文使用的术语“有机层”是指在有机发光装置中的阳极与阴极之间的单个和/或多个层。包含在“有机层”中的材料不限于有机材料。
如本文使用，表述“(有机层)包含由式1表示的化合物”可以被解释为意指“(有机层)可以包含由式1表示的一种化合物或由式1表示的两种不同的化合物”。
现在将参考附图更全面地描述本发明构思，在附图中示出本发明构思的示例性实施方案。
图1是根据实施方案的有机发光装置1的示意性视图。
如图1中示出，有机发光装置1可以包括：阳极110；阴极120；位于阳极110与阴极120之间并且包括发射层131的有机层130；位于阳极110与发射层131之间并且与发射层131直接接触的电子阻挡层132；以及位于阴极120与发射层131之间并且与发射层131直接接触的空穴阻挡层133，其中发射层131可以包含主体和掺杂剂，电子阻挡层132可以包含电子阻挡材料，空穴阻挡层133可以包含空穴阻挡材料，并且主体、掺杂剂、电子阻挡材料和空穴阻挡材料可以各自满足等式1-1至等式1-4：
等式1-1
T1(EB)≥T1(H)
等式1-2
T1(EB)≥T1(D)
等式1-3
T1(HB)>T1(H)
等式1-4
T1(HB)>T1(D)
其中，在等式1-1和等式1-4中，
T1(EB)表示电子阻挡材料的最低激发三重态能级，
T1(HB)表示空穴阻挡材料的最低激发三重态能级，
T1(H)表示主体的最低激发三重态能级，以及
T1(D)表示掺杂剂的最低激发三重态能级。
在满足等式1-1和等式1-2的有机发光装置中，可以降低发射层中产生的可能不参与发射并且移动至空穴传输区的激子的比率，因此增加发射层中的三重态浓度。因此，有机发光装置可以具有改善的效率。
在满足等式1-3和等式1-4的有机发光装置中，可以基本上防止发射层中产生的可能不参与发射并且移动至电子传输区的激子，因此增加发射层中的三重态浓度。因此，有机发光装置可以具有改善的效率。
为了实现上述效果，发射层可以与空穴阻挡层和电子阻挡层直接接触，并且在发射层与空穴阻挡层之间以及在发射层与电子阻挡层之间可以不插置其它层。
特别地，主体、掺杂剂和电子阻挡材料可以满足T1(EB)>T1(H)和/或T1(EB)>T1(D)，但实施方案不限于此。在该实施方案中，可以基本上防止发射层中产生的可能不参与发射并且移动至空穴传输区的激子，因此增加发射层中的三重态浓度。因此，有机发光装置可以具有明显改善的效率。
特别地，主体、掺杂剂、电子阻挡材料和空穴阻挡材料可以各自进一步满足等式1-11、等式1-21、等式1-31和/或等式1-41，但实施方案不限于此：
等式1-11
1.0eV≥T1(EB)-T1(H)≥0.01eV
等式1-21
1.0eV≥T1(EB)-T1(D)≥0.01eV
等式1-31
1.0eV≥T1(HB)-T1(H)≥0.01eV
等式1-41
1.0eV≥T1(HB)-T1(D)≥0.01eV
其中，在等式1-11、等式1-21、等式1-31和等式1-41中，
T1(EB)表示电子阻挡材料的最低激发三重态能级，
T1(HB)表示空穴阻挡材料的最低激发三重态能级，
T1(H)表示主体的最低激发三重态能级，以及
T1(D)表示掺杂剂的最低激发三重态能级。
在进一步满足等式1-11和等式1-21的有机发光装置中，因为适当地控制从发射层移动至空穴阻挡层的三重态与从主体移动至掺杂剂的三重态的比率，所以可以同时改变其效率和使用寿命。特别地，可以降低移动至空穴阻挡层的三重态的比率并且改善有机发光装置的效率。
在进一步满足等式1-31和等式1-41的有机发光装置中，因为适当地控制从发射层移动至电子阻挡层的三重态与从主体移动至掺杂剂的三重态的比率，所以可以同时改变其效率和使用寿命。特别地，可以降低移动至电子阻挡层的三重态的比率并且改善有机发光装置的效率。
阳极110可以通过在衬底上沉积或溅射用于形成阳极110的材料来形成。阳极110可以选自具有高功函的材料来便于空穴注入。
阳极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当形成透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)及其任意组合，但实施方案不限于此。在一些实施方案中，当形成半透射电极或反射电极时，作为用于形成阳极的材料，可以使用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)及其任意组合中的至少一种，但实施方案不限于此。
阳极110可以具有单层结构，或者包括两层或多于两层的多层结构。例如，阳极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但实施方案不限于此。
有机层130可以在阳极110上。如描述的，有机层130可以包括发射层131和第一激子淬灭层132。有机层130可以进一步包括在阳极110与发射层131之间的空穴传输区(未示出)和在发射层131与阴极120之间的电子传输区(未示出)。
空穴传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含多种不同材料的单个层组成的单层结构，或者iii)具有包含多种不同材料的多个层的多层结构。
除了电子阻挡层132之外，空穴传输区可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层和发射辅助层中的至少一种。
例如，空穴传输区可以具有包括包含多种不同材料的单个层的单层结构，或者多层结构，例如，空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层/电子阻挡层结构、空穴注入层/发射辅助层/电子阻挡层结构、或空穴传输层/发射辅助层/电子阻挡层结构，其中每种结构的层以各自规定的顺序依次堆叠在阴极110上，但实施方案不限于此。
空穴传输区可以包含选自m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)、CzSi、TCTA、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一种：
Figure BDA0002908624410000121
Figure BDA0002908624410000131
式201
Figure BDA0002908624410000132
式202
Figure BDA0002908624410000133
其中，在式201和式202中，
L201至L204可以各自独立地选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10亚环烯基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60亚芳基基团、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，
L205可以选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代或未取代的C1-C20亚烷基基团、取代或未取代的C2-C20亚烯基基团、取代或未取代的C3-C10亚环烷基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10亚环烯基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60亚芳基基团、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，
xa1至xa4可以各自独立地是0至3的整数，
xa5可以是1至10的整数，以及
R201至R204和Q201可以各自独立地选自取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
在一些实施方案中，在式202中，R201和R202可以任选地经由单键、二甲基-亚甲基基团或二苯基-亚甲基基团结合，并且R203和R204可以任选地经由单键、二甲基-亚甲基基团或二苯基-亚甲基基团结合。
在一些实施方案中，在式201和式202中，L201至L205可以各自独立地选自：
亚苯基基团、亚戊搭烯基基团、亚茚基基团、亚萘基基团、亚甘菊环基基团、亚庚搭烯基基团、亚引达省基基团、亚苊基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚非那烯基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚
Figure BDA0002908624410000152
基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚玉红省基基团、亚蔻基基团、亚卵苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团和亚吡啶基基团；以及
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、被C1-C10烷基基团取代的苯基基团、被-F取代的苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0002908624410000153
基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、-Si(Q31)(Q32)(Q33)和-N(Q31)(Q32)中的至少一个取代的亚苯基基团、亚戊搭烯基基团、亚茚基基团、亚萘基基团、亚甘菊环基基团、亚庚搭烯基基团、亚引达省基基团、亚苊基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚非那烯基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚
Figure BDA0002908624410000151
基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚玉红省基基团、亚蔻基基团、亚卵苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团和亚吡啶基基团，
其中Q31至Q33可以各自独立地选自C1-C10烷基基团、C1-C10烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团和萘基基团。
在一些实施方案中，xa1至xa4可以各自独立地是0、1或2。
在一些实施方案中，xa5可以是1、2、3或4。
在一些实施方案中，R201至R204和Q201可以各自独立地选自苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0002908624410000161
基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团和吡啶基基团；以及
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、被C1-C10烷基基团取代的苯基基团、被-F取代的苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0002908624410000162
基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、-Si(Q31)(Q32)(Q33)和-N(Q31)(Q32)中的至少一个取代的苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0002908624410000171
基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团和吡啶基基团，
其中Q31至Q33可以分别通过参考本文提供的Q31至Q33的描述来理解。
在一些实施方案中，在式201中，R201至R203中的至少一个可以各自独立地选自：
芴基基团、螺-二芴基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团；以及
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、被C1-C10烷基基团取代的苯基基团、被-F取代的苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团中的至少一个取代的芴基基团、螺-二芴基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，在式202中，i)R201和R202可以经由单键结合，和/或ii)R203和R204可以经由单键结合。
在一些实施方案中，在式202中，R201至R204中的至少一个可以选自：
咔唑基基团；以及
被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、被C1-C10烷基基团取代的苯基基团、被-F取代的苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团和二苯并噻吩基基团中的至少一个取代的咔唑基基团，但实施方案不限于此。
由式201表示的化合物可以由式201A表示：
式201A
Figure BDA0002908624410000181
在一些实施方案中，由式201表示的化合物可以由式201A(1)表示，但实施方案不限于此：
式201A(1)
Figure BDA0002908624410000182
在一些实施方案中，由式201表示的化合物可以由式201A-1表示，但实施方案不限于此：
式201A-1
Figure BDA0002908624410000191
在一些实施方案中，由式202表示的化合物可以由式202A表示：
式202A
Figure BDA0002908624410000192
在一些实施方案中，由式202表示的化合物可以由式202A-1表示：
式202A-1
Figure BDA0002908624410000193
在式201A、式201A(1)、式201A-1、式202A和式202A-1中，
L201至L203、xa1至xa3、xa5以及R202至R204可以分别通过参考本文提供的L201至L203、xa1至xa3、xa5以及R202至R204的描述来理解，
R211和R212可以各自通过参考本文提供的R203的描述来理解，以及
R213至R217可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、被C1-C10烷基基团取代的苯基基团、被-F取代的苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0002908624410000201
基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、卵苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团和吡啶基基团。
空穴传输区可以包含选自化合物HT1至化合物HT39中的至少一种化合物，但实施方案不限于此：
Figure BDA0002908624410000211
Figure BDA0002908624410000221
Figure BDA0002908624410000231
空穴传输区的厚度可以是约
Figure BDA0002908624410000236
至约
Figure BDA0002908624410000233
并且在一些实施方案中，约
Figure BDA0002908624410000234
至约
Figure BDA0002908624410000235
当空穴传输区包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一种时，空穴注入层的厚度可以是约
Figure BDA0002908624410000241
至约
Figure BDA0002908624410000242
并且在一些实施方案中，约
Figure BDA0002908624410000243
至约
Figure BDA0002908624410000244
并且空穴传输层的厚度可以是约
Figure BDA0002908624410000245
至约
Figure BDA0002908624410000246
并且在一些实施方案中，约
Figure BDA0002908624410000247
至约
Figure BDA0002908624410000248
当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围的任一个之内时，可以获得优异的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
空穴传输区可以包含电荷产生材料以及前述材料，以改善空穴传输区的导电性质。电荷产生材料可以基本上均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中。
电荷产生材料可以包括，例如，p-掺杂剂。
在一些实施方案中，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)可以是-3.5eV或小于-3.5eV。
p-掺杂剂可以包括选自醌衍生物、金属氧化物和含氰基基团的化合物中的至少一种，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，p-掺杂剂可以选自醌衍生物，例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)；
金属氧化物，例如氧化钨或氧化钼；
1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基-六甲腈(HAT-CN)；以及
由式221表示的化合物，但实施方案不限于此：
Figure BDA0002908624410000249
式221
Figure BDA0002908624410000251
其中，在式221中，
R221至R223可以各自独立地选自取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，其中R221至R223中的至少一个可以包含选自氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I、被-F取代的C1-C20烷基基团、被-Cl取代的C1-C20烷基基团、被-Br取代的C1-C20烷基基团和被-I取代的C1-C20烷基基团中的至少一个取代基。
电子阻挡材料可以满足2.5eV≤T1(EB)≤3.5eV，但实施方案不限于此。当满足以上描述的范围时，可以将激子基本上限制在发射层中，因此允许激子充分地参与发射。
电子阻挡材料可以包括，例如，基于咔唑的衍生物(例如，N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑)、基于氟的衍生物、基于三苯胺的衍生物(例如，N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、N,N'-二(萘-l-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPD)、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD)或mCP。
特别地，电子阻挡材料可以包括由式1表示的化合物，但实施方案不限于此：
式1
Figure BDA0002908624410000252
其中，在式1中，
X11可以选自O、S、N(R13)和C(R13)(R14)，
X12可以选自单键、O、S、N(R15)和C(R15)(R16)，
A11和A12可以各自独立地选自C5-C60碳环基团和C1-C60杂环基团，
R11至R16可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)，
b11和b12可以各自独立地选自1、2、3、4、5和6，
其中Q1至Q3可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团和三联苯基基团。
特别地，电子阻挡材料可以选自化合物1至化合物12，但实施方案不限于此：
Figure BDA0002908624410000271
电子阻挡层可以由单一化合物或包括至少两种不同的化合物的混合物组成。
在一些实施方案中，电子阻挡材料可以与主体相同，但实施方案不限于此。例如，电子阻挡材料可以与空穴传输主体相同，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，发射层131的厚度(DE)≥电子阻挡层132的厚度(DEB)。特别地，发射层131的厚度(DE)>电子阻挡层132的厚度(DEB)，但实施方案不限于此。当满足以上描述的范围时，有机发光装置可以具有改善的效率，同时不增加驱动电压。
在一些实施方案中，电子阻挡层132的厚度可以是约
Figure BDA0002908624410000281
至约
Figure BDA0002908624410000282
但实施方案不限于此。当满足以上描述的范围时，有机发光装置可以具有改善的效率，同时不显著增加驱动电压。
在一些实施方案中，有机层130可以包括位于阳极110与电子阻挡层132之间的空穴传输层，其中空穴传输层可以包含空穴传输材料，并且主体和空穴传输材料可以各自满足等式6：
等式6
T1(H)≥T1(HT)
其中，在等式6中，
T1(H)表示主体的最低激发三重态能级，以及
T1(HT)表示空穴传输材料的最低激发三重态能级。
当满足等式6时，有机发光装置可以具有进一步改善的效率。
发射层131可以包含主体和掺杂剂。
在一些实施方案中，主体可以满足T1(H)≥T1(D)，但实施方案不限于此。当主体满足该范围时，激子可以平稳地从主体移动至掺杂剂。
主体可以包括选自TPBi、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、CPBP、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)、双(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)二苯基硅烷)(BCPDS)和4-(1-(4-(二苯基氨基)苯基)环己基)苯基)二苯基-氧化膦(POPCPA)中的至少一种，但实施方案不限于此：
Figure BDA0002908624410000283
Figure BDA0002908624410000291
在一些实施方案中，主体可以包括由式1和式2中的一种表示的化合物，但实施方案不限于此：
式1
Figure BDA0002908624410000292
式2
Figure BDA0002908624410000293
其中，在式1和式2中，
X11可以选自O、S、N(R13)和C(R13)(R14)，
X12可以选自单键、O、S、N(R15)和C(R15)(R16)，
A11和A12可以各自独立地选自C5-C60碳环基团和C1-C60杂环基团，
R11至R16可以各自独立地选自：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)，
b11和b12可以各自独立地选自1、2、3、4、5和6，
其中Q1至Q3可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团和三联苯基基团，
X21可以是N或C(R21)，X22可以是N或C(R22)，X23可以是N或C(R23)，X24可以是N或C(R24)，X25可以是N或C(R25)，并且X26可以是N或C(R26)，条件是X21至X26中的至少一个可以是N，
R21至R26可以各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及
R21至R26中的至少一个可以选自取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
在一些实施方案中，主体可以选自化合物1至化合物12和化合物21至化合物27，但实施方案不限于此：
Figure BDA0002908624410000311
Figure BDA0002908624410000321
在一些实施方案中，主体可以由单一化合物组成。
在一些实施方案中，主体可以包括至少一种化合物，例如，第一主体和第二主体。
根据一个或多于一个的实施方案，第一主体可以是不包含电子传输部分的空穴传输主体，并且第二主体可以是包含至少一个电子传输部分的电子传输主体，但实施方案不限于此。
如本文使用，术语“电子传输部分”可以包括氰基基团、氧化膦基团、氧化砜基团、磺酸酯基团和/或含缺π电子的氮的环。例如，第一主体可以由式1表示，并且第二主体可以由式2表示，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，第一主体可以选自化合物1至化合物12，并且第二主体可以选自化合物21至化合物27，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，第一主体可以与电子阻挡材料相同，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，第二主体可以与空穴阻挡材料相同，但实施方案不限于此。
掺杂剂可以发射热激活延迟荧光或荧光。
在一些实施方案中，掺杂剂可以满足等式3：
等式3
│S1(D)-T1(D)│≤0.5eV
其中，在等式3中，
T1(D)表示掺杂剂的最低激发三重态能级，以及
S1(D)表示掺杂剂的最低激发单重态能级。
当满足等式3时，即使在室温下也可以发射热激活延迟荧光。
特别地，可以满足│S1(D)-T1(D)│≤0.2eV，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，掺杂剂可以满足等式4和/或等式5，但实施方案不限于此：
等式4
2.65eV≤S1(D)≤2.85eV
等式5
2.65eV≤T1(D)≤3.05eV
其中，在等式4和等式5中，
T1(D)表示掺杂剂的最低激发三重态能级，以及
S1(D)表示掺杂剂的最低激发单重态能级。
当满足等式4和/或等式5时，掺杂剂可以发射蓝色光。
在一些实施方案中，掺杂剂可以不包含金属原子。即，掺杂剂不同于包含金属原子的发磷光的发射体。
例如，掺杂剂可以具有包含给电子基团(D)和吸电子基团(A)的D-形状结构。特别地，掺杂剂可以是在第2011-140046号日本申请公开、第2013-034967号日本申请公开、第2015-530745号日本申请公开、第2013-034967号日本申请公开、第2014-512416号日本申请公开、第2015-525248号日本申请公开、第2013-524707号日本申请公开、第2013-547225号日本申请公开、第2012-274324号日本申请公开、第2015-504322号日本申请公开、第2012-0217869号美国专利公开、WO 2015-118035、WO 2016-091887、WO 2016-096851、第10-2017-7005332号韩国申请公开、第2014-518737号日本申请公开、第2016-0197286号美国专利公开、第2014-0138627号美国专利公开、第2014-0145149号美国专利公开、第2014-0158992号美国专利公开、第2014-0145151号美国专利公开、第2015-0021555号美国专利公开、第2014-0332758号美国专利公开、第10-2014-0154391号韩国申请公开、第2015-148588号日本申请公开、第2016-506442号日本申请公开、第2015-531748号日本申请公开、第2016-538300号日本申请公开、第2016-538393号日本申请公开、第2015-095814号日本申请公开、第2012-538639号日本申请公开、第2014-525803号日本申请公开、第2012-546858号日本申请公开、第2016-538300号日本申请公开或第2014-538540号日本申请公开中描述的化合物，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，掺杂剂可以具有D-A-D形状结构或A-D形状结构。特别地，掺杂剂可以是在WO 2015-158692、第2016-538435号日本申请公开、第2016-538426号日本申请公开、第2015-500308号日本申请公开或第2015-527231号日本申请公开中描述的化合物，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，掺杂剂可以是过渡金属络合物。特别地，掺杂剂可以是Cu络合物或Pt络合物，并且掺杂剂可以是在第10-2012-7017497号韩国申请公开、第10-2013-7001396号韩国申请公开、第10-2014-0068027号韩国申请公开、第10-2014-7003327号韩国申请公开或第2011-0304262号美国专利公开中描述的化合物，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，掺杂剂可以是包括B-N结构的化合物，并且掺杂剂可以是第2014-0027734号美国专利公开中描述的化合物，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，掺杂剂可以是在第2015-508569号日本申请公开或第2014-554306号日本申请公开中描述的化合物，但实施方案不限于此。
给电子基团(D)可以是，例如，咔唑基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、吲哚并咔唑基团或双咔唑基团，但实施方案不限于此。
吸电子基团(A)可以是CN、F、被CN和/或F取代的芳基基团或者含缺π电子的氮的环状基团，但实施方案不限于此。
掺杂剂在发射层中的含量可以是约0.01体积百分比(vol％)至约50vol％，但实施方案不限于此。在一些实施方案中，掺杂剂在发射层中的含量可以是约0.1vol％或大于0.1vol％或者约30vol％或小于30vol％，但实施方案不限于此。
发射层131的厚度可以是约
Figure BDA0002908624410000351
至约
Figure BDA0002908624410000352
并且在一些实施方案中，约
Figure BDA0002908624410000353
至约
Figure BDA0002908624410000354
当发射层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可以获得改善的发光特性，而没有驱动电压的显著增加。
电子传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含多种不同材料的单个层组成的单层结构，或者iii)各自具有各自具有多种不同材料的多个层的多层结构。
除了空穴阻挡层之外，电子传输区可以包括选自缓冲层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一种，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，电子传输区可以具有空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或空穴阻挡层/缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每种结构的层以各自规定的顺序依次堆叠在发射层上，但实施方案不限于此。
空穴阻挡材料可以满足2.5eV≤T1(HB)≤3.5eV，但实施方案不限于此。当满足以上描述的范围时，可以将激子基本上限制在发射层中，因此允许发射层中的激子充分地参与发射。
空穴阻挡材料可以由式2表示，但实施方案不限于此：
式2
Figure BDA0002908624410000355
其中，在式2中，
X21可以是N或C(R21)，X22可以是N或C(R22)，X23可以是N或C(R23)，X24可以是N或C(R24)，X25可以是N或C(R25)，并且X26可以是N或C(R26)，条件是X21至X26中的至少一个可以是N，
R21至R26可以各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及
R21至R26中的至少一个可以选自取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
在一些实施方案中，空穴阻挡材料可以选自化合物21至化合物27，但实施方案不限于此：
Figure BDA0002908624410000361
空穴阻挡层可以由单一化合物或包括至少两种不同的化合物的混合物组成。
在一些实施方案中，空穴阻挡材料可以与主体相同，但实施方案不限于此。例如，空穴阻挡材料可以与电子传输主体相同，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，发射层131的厚度(DE)≥空穴阻挡层133的厚度(DHB)。特别地，发射层131的厚度(DE)>空穴阻挡层133的厚度(DHB)，但实施方案不限于此。当满足以上描述的范围时，有机发光装置可以具有改善的效率，同时不增加驱动电压。
在一些实施方案中，空穴阻挡层133的厚度可以是约
Figure BDA0002908624410000371
至约
Figure BDA0002908624410000372
但实施方案不限于此。当满足以上描述的范围时，有机发光装置可以具有改善的效率，同时不显著增加驱动电压。
在一些实施方案中，有机层130可以包括位于阴极120与空穴阻挡层133之间的电子传输层，其中电子传输层可以包含电子传输材料，并且掺杂剂和电子传输材料可以各自满足等式7：
等式7
T1(D)≥T1(ET)
其中，在等式7中，
T1(D)表示掺杂剂的最低激发三重态能级，以及
T1(ET)表示电子传输材料的最低激发三重态能级。
电子传输区(例如，在电子传输区中的缓冲层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的环的无金属化合物。
如本文使用的术语“含缺π电子的氮的环”是指具有至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C1-C60杂环基团。
例如，“含缺π电子的氮的环”可以是i)具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元的杂单环基团，ii)其中各自具有至少一个*-N＝*'部分的至少两个5元至7元的杂单环基团稠合的杂多环基团，或者iii)其中各自具有至少一个*-N＝*'部分的5元至7元的杂单环基团中的至少一个与至少一个C5-C60碳环基团稠合的杂多环基团。
含缺π电子的氮的环的实例可以包括咪唑、吡唑、噻唑、异噻唑、噁唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、异喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、异苯并噻唑、苯并噁唑、异苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和氮杂咔唑，但实施方案不限于此。
在一些实施方案中，电子传输区可以包含由式601表示的化合物：
式601
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21
其中，在式601中，
Ar601可以选自取代或未取代的C5-C60碳环基团和取代或未取代的C1-C60杂环基团，
xe11可以是1、2或3，
L601可以选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10亚环烯基基团、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60亚芳基基团、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基基团、取代或未取代的二价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的二价非芳香族稠合杂多环基团，
xe1可以是0至5的整数，
R601可以选自取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，
其中Q601至Q603可以各自独立地是C1-C10烷基基团、C1-C10烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团或萘基基团，以及
xe21可以是1至5的整数。
在实施方案中，xe11数量的Ar601和xe21数量的R601中的至少一个可以包含含缺π电子的氮的环。
在一些实施方案中，在式601中，Ar601可以选自：
苯基团、萘基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、
Figure BDA0002908624410000391
基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、五苯基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、嘧啶基团、哒嗪基团、吲唑基团、嘌呤基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、噌啉基团、菲啶基团、吖啶基团、菲咯啉基团、吩嗪基团、苯并咪唑基团、异苯并噻唑基团、苯并噁唑基团、异苯并噁唑基团、三唑基团、四唑基团、噁二唑基团、三嗪基团、噻二唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团和氮杂咔唑基团；以及
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)中的至少一个取代的苯基团、萘基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、
Figure BDA0002908624410000392
基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、五苯基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、嘧啶基团、哒嗪基团、吲唑基团、嘌呤基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、噌啉基团、菲啶基团、吖啶基团、菲咯啉基团、吩嗪基团、苯并咪唑基团、异苯并噻唑基团、苯并噁唑基团、异苯并噁唑基团、三唑基团、四唑基团、噁二唑基团、三嗪基团、噻二唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团和氮杂咔唑基团，
其中Q31至Q33可以各自独立地选自C1-C10烷基基团、C1-C10烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团和萘基基团。
当式601中的xe11是2或大于2时，至少两个Ar601可以经由单键结合。
在一个或多于一个的实施方案中，式601中的Ar601可以是蒽基团。
在一个或多于一个的实施方案中，由式601表示的化合物可以由式601-1表示：
式601-1
Figure BDA0002908624410000401
其中，在式601-1中，
X614可以是N或C(R614)，X615可以是N或C(R615)，X616可以是N或C(R616)，X614至X616中的至少一个可以是N，
L611至L613可以各自独立地通过参考本文提供的L601的描述来理解，
xe611至xe613可以各自独立地通过参考本文提供的xe1的描述来理解，
R611至R613可以各自独立地通过参考本文提供的R601的描述来理解，以及
R614至R616可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团和萘基基团。
在实施方案中，在式601和式601-1中，L601和L611至L613可以各自独立地选自：
亚苯基基团、亚萘基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚
Figure BDA0002908624410000402
基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚吡啶基基团、亚咪唑基基团、亚吡唑基基团、亚噻唑基基团、亚异噻唑基基团、亚噁唑基基团、亚异噁唑基基团、亚噻二唑基基团、亚噁二唑基基团、亚吡嗪基基团、亚嘧啶基基团、亚哒嗪基基团、亚三嗪基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚酞嗪基基团、亚萘啶基基团、亚喹喔啉基基团、亚喹唑啉基基团、亚噌啉基基团、亚菲啶基基团、亚吖啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚吩嗪基基团、亚苯并咪唑基基团、亚异苯并噻唑基基团、亚苯并噁唑基基团、亚异苯并噁唑基基团、亚三唑基基团、亚四唑基基团、亚咪唑并吡啶基基团、亚咪唑并嘧啶基基团和亚氮杂咔唑基基团；以及
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0002908624410000412
基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团和氮杂咔唑基基团中的至少一个取代的亚苯基基团、亚萘基基团、亚芴基基团、螺-亚二芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚苯并菲基基团、亚芘基基团、亚
Figure BDA0002908624410000411
基基团、亚苝基基团、亚五苯基基团、亚并六苯基基团、亚并五苯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚咔唑基基团、亚吲哚基基团、亚异吲哚基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚苯并咔唑基基团、亚二苯并咔唑基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚吡啶基基团、亚咪唑基基团、亚吡唑基基团、亚噻唑基基团、亚异噻唑基基团、亚噁唑基基团、亚异噁唑基基团、亚噻二唑基基团、亚噁二唑基基团、亚吡嗪基基团、亚嘧啶基基团、亚哒嗪基基团、亚三嗪基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并喹啉基基团、亚酞嗪基基团、亚萘啶基基团、亚喹喔啉基基团、亚喹唑啉基基团、亚噌啉基基团、亚菲啶基基团、亚吖啶基基团、亚菲咯啉基基团、亚吩嗪基基团、亚苯并咪唑基基团、亚异苯并噻唑基基团、亚苯并噁唑基基团、亚异苯并噁唑基基团、亚三唑基基团、亚四唑基基团、亚咪唑并吡啶基基团、亚咪唑并嘧啶基基团和亚氮杂咔唑基基团，但实施方案不限于此。
在一个或多于一个的实施方案中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
在一个实施方案中，在式601和式601-1中，R601和R611至R613可以各自独立地选自：
苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0002908624410000421
基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团和氮杂咔唑基基团；
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0002908624410000431
基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团和氮杂咔唑基基团中的至少一个取代的苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0002908624410000432
基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咔唑基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、吡啶基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻二唑基基团、噁二唑基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、异苯并噻唑基基团、苯并噁唑基基团、异苯并噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团和氮杂咔唑基基团；以及
-S(＝O)2(Q601)和-P(＝O)(Q601)(Q602)，
其中Q601和Q602可以分别通过参考本文提供的Q601和Q602的描述来理解。
电子传输区可以包含选自化合物ET1至化合物ET36中的至少一种化合物，但实施方案不限于此：
Figure BDA0002908624410000441
Figure BDA0002908624410000451
Figure BDA0002908624410000461
Figure BDA0002908624410000471
在一些实施方案中，电子传输区可以包含选自2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、NTAZ、二苯基[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]氧化膦*(TSPO1)、2,2',2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)和二苯基氧化膦(DPEPO)中的至少一种化合物：
Figure BDA0002908624410000481
缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约
Figure BDA0002908624410000482
Figure BDA0002908624410000483
至约
Figure BDA0002908624410000484
并且在一些实施方案中，约
Figure BDA0002908624410000485
至约
Figure BDA0002908624410000486
当缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可以获得优异的空穴阻挡特性或优异的电子控制特性，而没有驱动电压的显著增加。
电子传输层的厚度可以是约
Figure BDA0002908624410000487
至约
Figure BDA0002908624410000488
并且在一些实施方案中，约
Figure BDA0002908624410000489
至约
Figure BDA00029086244100004810
当电子传输层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可以获得优异的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
含金属的材料可以包括选自碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种。碱金属络合物可以包含选自锂(Li)离子、钠(Na)离子、钾(K)离子、铷(Rb)离子和铯(Cs)离子的金属离子。碱土金属络合物可以包含选自铍(Be)离子、镁(Mg)离子、钙(Ca)离子、锶(Sr)离子和钡(Ba)离子的金属离子。与碱金属络合物和碱土金属络合物的金属离子配位的各个配体可以独立地选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但实施方案不限于此。
例如，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括，例如，化合物ET-D1(LiQ)或化合物ET-D2：
Figure BDA0002908624410000491
电子传输区可以包括促进来自阴极120的电子注入的电子注入层。电子注入层可以与阴极120直接接触。
电子注入层可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含多种不同材料的单个层组成的单层结构，或者iii)具有各自包含多种不同材料的多个层的多层结构。
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其组合。
碱金属可以选自Li、Na、K、Rb和Cs。在一些实施方案中，碱金属可以是Li、Na或Cs。在一个或多于一个的实施方案中，碱金属可以是Li或Cs，但不限于此。
碱土金属可以选自Mg、Ca、Sr和Ba。
稀土金属可以选自Sc、Y、Ce、Tb、Yb和Gd。
碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可以分别各自独立地选自碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)。
碱金属化合物可以选自碱金属氧化物(例如Li2O、Cs2O或K2O)和碱金属卤化物(例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI、KI或RbI)。在实施方案中，碱金属化合物可以选自LiF、Li2O、NaF、LiI、NaI、CsI和KI，但实施方案不限于此。
碱土金属化合物可以选自碱土金属化合物，例如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(其中0<x<1)和BaxCa1-xO(其中0<x<1)。在实施方案中，碱土金属化合物可以选自BaO、SrO和CaO，但实施方案不限于此。
稀土金属化合物可以选自YbF3、ScF3、ScO3、Y2O3、Ce2O3、GdF3和TbF3。在一些实施方案中，稀土金属化合物可以选自YbF3、ScF3、TbF3、YbI3、ScI3和TbI3，但实施方案不限于此。
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以各自包含以上描述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子。与碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物的金属离子配位的各个配体可以独立地选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但实施方案不限于此。
电子注入层可以由如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其组合组成。在一些实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料。当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
电子注入层的厚度可以是约
Figure BDA0002908624410000501
至约
Figure BDA0002908624410000502
并且在一些实施方案中，约
Figure BDA0002908624410000503
至约
Figure BDA0002908624410000504
当电子注入层的厚度在这些范围中的任一个之内时，可以获得优异的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
阴极120可以在有机层130上。用于形成阴极120的材料可以是具有低功函的材料，例如金属、合金、导电化合物及其组合。
阴极120可以包含选自锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、ITO和IZO中的至少一种，但实施方案不限于此。阴极120可以是透射电极、半透射电极或反射电极。
阴极120可以具有单层结构，或者包括两层或多于两层的多层结构。
在图1中，可以在阳极110(不与有机层接触的表面)下或者在阴极120(不与有机层接触的表面)上额外地设置衬底。衬底可以是各自具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、处理便利性和耐水性的玻璃衬底或塑料衬底。
当有机发光装置1是全色有机发光装置时，根据子像素，可以将发射层131图案化成红色发射层、绿色发射层或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层131可以具有堆叠结构。堆叠结构可以包括选自红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层。所述两个或多于两个的层可以彼此直接接触。在一些实施方案中，所述两个或多于两个的层可以彼此分离。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含两种或多于两种的材料。所述两种或多于两种的材料可以包括发红色光的材料、发绿色光的材料或发蓝色光的材料。所述两种或多于两种的材料可以在单个层中彼此混合。在单个层中彼此混合的两种或多于两种的材料可以发射白色光。
有机发光装置1可以进一步包括在光通过的方向上的覆盖层。覆盖层基于相长干涉的原理可以改善外部发光效率。
覆盖层可以各自独立地是由有机材料组成的覆盖层、由无机材料组成的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的复合覆盖层。
覆盖层可以包含碳环化合物、杂环化合物、基于胺的化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种材料。碳环化合物、杂环化合物和基于胺的化合物可以被含有选自O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br和I中的至少一种元素的取代基任选地取代。
在一些实施方案中，覆盖层可以包含至少一种基于胺的化合物。
在一些实施方案中，覆盖层可以包含由式201表示的化合物或由式202表示的化合物。
在一些实施方案中，覆盖层可以包含选自化合物HT28至化合物HT33和化合物CP1至化合物CP5中的化合物，但实施方案不限于此：
Figure BDA0002908624410000521
在上文已经参考图1描述了有机发光装置10，但实施方案不限于此。
可以通过使用诸如真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层。
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积各自形成时，取决于待包含在各个层中的材料以及待形成的各个层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、以约10-8托至约10-3托的真空度和以约0.01埃每秒
Figure BDA0002908624410000522
至约
Figure BDA0002908624410000523
的沉积速率进行真空沉积。
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过旋涂各自形成时，取决于待包含在各个层中的材料以及待形成的各个层的结构，可以以约2,000转数每分钟(rpm)至约5,000rpm的涂覆速率和以约80℃至约200℃的热处理温度进行旋涂。
如本文使用的术语“C1-C60烷基基团”是指具有1个至60个碳原子的直链或支链的脂肪族烃单价基团。其实例包括甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、异戊基基团和己基基团。如本文使用的术语“C1-C60亚烷基基团”是指具有与C1-C60烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60烯基基团”是指在C2-C60烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的烃基团。其实例包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“C2-C60亚烯基基团”是指具有与C2-C60烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60炔基基团”是指在C2-C60烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的烃基团。其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“C2-C60亚炔基基团”是指具有与C2-C60炔基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C60烷氧基基团”是指由-OA101(其中A101是C1-C60烷基基团)表示的单价基团。其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烷基基团”是指包含3个至10个碳原子的单价饱和烃单环基团。其实例包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团和环庚基基团。如本文使用的术语“C3-C10亚环烷基基团”是指具有与C3-C10环烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烷基基团”是指包含作为成环原子的选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子和1个至10个碳原子的单价单环基团。其实例包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烷基基团”是指具有与C1-C10杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烯基基团”是指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个双键且没有芳香性的单价单环基团。其实例包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C3-C10亚环烯基基团”是指具有与C3-C10环烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烯基基团”是指在其环中包含作为成环原子的选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价单环基团。C1-C10杂环烯基基团的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烷基基团”是指具有与C1-C10杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳基基团”是指具有含有6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C6-C60亚芳基基团”是指具有含有6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的二价基团。C6-C60芳基基团的实例包括苯基基团、萘基基团、蒽基基团、菲基基团、芘基基团和
Figure BDA0002908624410000541
基基团。当C6-C60芳基基团和C6-C60亚芳基基团各自独立地包含两个或多于两个的环时，各自的环可以接合。
如本文使用的术语“C1-C60杂芳基基团”是指具有含有作为成环原子的选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子和1个至60个碳原子的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C1-C60亚杂芳基基团”是指具有含有作为成环原子的选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子和1个至60个碳原子的杂环芳香族体系的二价基团。C1-C60杂芳基基团的实例包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团和异喹啉基基团。当C1-C60杂芳基基团和C1-C60亚杂芳基基团各自独立地包含两个或多于两个的环时，各自的环可以接合。
如本文使用的术语“C6-C60芳氧基基团”由-OA102(其中A102是C6-C60芳基基团)表示。如本文使用的术语“C6-C60芳硫基基团”由-SA103(其中A103是C6-C60芳基基团)表示。
如本文使用的术语“C1-C60杂芳氧基基团”表示-OA104(其中A104是C1-C60杂芳基基团)。如本文使用的术语“C1-C60杂芳硫基基团”表示-SA105(其中A105是C1-C60杂芳基基团)。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指具有稠合的两个或多于两个的环并且仅碳原子作为成环原子(例如，8个至60个碳原子)的单价基团，其中整个分子结构是非芳香族的。单价非芳香族稠合多环基团的实例可以包括芴基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有两个或多于两个的稠合环，并且除了碳原子(例如，1个至60个碳原子)之外还具有选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子作为成环原子的单价基团，其中整个分子结构是非芳香族的。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例可以包括咔唑基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C5-C60碳环基团”是指仅具有5个至60个碳原子作为成环原子的单环基团或多环基团。C5-C60碳环基团可以是芳香族碳环基团或非芳香族碳环基团。如本文使用的术语“C5-C60碳环基团”是指环(例如，苯基团)、单价基团(例如，苯基基团)或二价基团(例如，亚苯基基团)。此外，取决于连接至C5-C60碳环基团的取代基的数量，C5-C60碳环基团可以是三价基团或四价基团。
如本文使用的术语“C1-C60杂环基团”是指具有与C5-C60碳环基团基本上相同的结构的基团，但除了碳原子(例如，1个至60个碳原子)之外，还使用选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子作为成环原子。
在本说明书中，取代的C5-C60碳环基团、取代的C1-C60杂环基团、取代的C3-C10亚环烷基基团、取代的C1-C10亚杂环烷基基团、取代的C3-C10亚环烯基基团、取代的C1-C10亚杂环烯基基团、取代的C6-C60亚芳基基团、取代的C1-C60亚杂芳基基团、取代的二价非芳香族稠合多环基团、取代的二价非芳香族稠合杂多环基团、取代的C1-C60烷基基团、取代的C2-C60烯基基团、取代的C2-C60炔基基团、取代的C1-C60烷氧基基团、取代的C3-C10环烷基基团、取代的C1-C10杂环烷基基团、取代的C3-C10环烯基基团、取代的C1-C10杂环烯基基团、取代的C6-C60芳基基团、取代的C6-C60芳氧基基团、取代的C6-C60芳硫基基团、取代的C1-C60杂芳基基团、取代的C1-C60杂芳氧基基团、取代的C1-C60杂芳硫基基团、取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代的单价非芳香族稠合杂多环基团的至少一个取代基可以选自：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团和C1-C60烷氧基基团；
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)中的至少一个取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团和C1-C60烷氧基基团；
C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团；
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)中的至少一个取代的C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地选自氢，氘，-F，-Cl，-Br，-I，羟基基团，氰基基团，硝基基团，脒基基团，肼基基团，腙基基团，C1-C60烷基基团，C2-C60烯基基团，C2-C60炔基基团，C1-C60烷氧基基团，C3-C10环烷基基团，C1-C10杂环烷基基团，C3-C10环烯基基团，C1-C10杂环烯基基团，C6-C60芳基基团，C1-C60杂芳基基团，C1-C60杂芳氧基基团，C1-C60杂芳硫基基团，单价非芳香族稠合多环基团，单价非芳香族稠合杂多环基团，被选自氘、-F和氰基基团中的至少一个取代的C1-C60烷基基团，被选自氘、-F和氰基基团中的至少一个取代的C6-C60芳基基团，联苯基基团和三联苯基基团。
如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团。如本文使用的术语“Me”是指甲基基团。如本文使用的术语“Et”是指乙基基团。如本文使用的术语“ter-Bu”或“But”是指叔丁基基团。如本文使用的术语“OMe”是指甲氧基基团。
如本文使用的术语“联苯基基团”是指被苯基基团取代的苯基基团。“联苯基基团”可以是具有C6-C60芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指被联苯基基团取代的苯基基团。“三联苯基基团”可以是具有被C6-C60芳基基团取代的C6-C60芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
除非另外定义，如本文使用的符号*和*'是指在相应的式中与相邻原子的结合位点。
在下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方案的有机发光装置。
实施例
评估例1：T1能级的测量
测量在实施例1以及比较例1至比较例3中使用的化合物中的每一种的T1能级，并且其结果在表1中示出。
表1
化合物名称 T1能级(eV) 化合物名称 T1能级(eV)
CBP 2.7 化合物21 2.9
化合物T1 2.6 化合物A 1.7
化合物1 2.8 化合物B 1.3
Figure BDA0002908624410000581
实施例1
通过将康宁(Corning)15Ω/cm2
Figure BDA0002908624410000582
ITO玻璃衬底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，通过使用异丙醇和纯水各自超声清洁玻璃衬底5分钟，并且然后对其照射UV光30分钟并且暴露于臭氧清洁，从而制造阳极。然后，将阳极装载到真空沉积设备中。
将2-TNATA真空沉积在玻璃衬底上至
Figure BDA0002908624410000583
的厚度以形成空穴注入层。然后，将HAT-CN真空沉积在其上至
Figure BDA0002908624410000584
的厚度以形成空穴传输层。
将化合物1真空沉积在空穴传输层上至
Figure BDA0002908624410000585
的厚度以形成电子阻挡层。
将CBP(作为主体)和化合物T1(作为掺杂剂)以95:5的重量比共沉积在电子阻挡层上以形成具有
Figure BDA0002908624410000586
的厚度的发射层。
将化合物21真空沉积在发射层上至
Figure BDA0002908624410000587
的厚度以形成空穴阻挡层。
将ET1真空沉积在空穴阻挡层上至
Figure BDA0002908624410000588
的厚度以形成电子传输层。将LiF真空沉积在电子传输层上至
Figure BDA0002908624410000589
的厚度以形成电子注入层，以及随后，将Al真空沉积在其上至
Figure BDA00029086244100005810
的厚度(阴极)，从而完成有机发光装置的制造。
比较例1至比较例3
以与实施例1中基本上相同的方式制造有机发光装置，但在电子阻挡层、发射层和空穴阻挡层的形成中使用表1中示出的化合物。
评估例2：有机发光装置的评估
通过使用吉时利(Keithley)源测量单元(SMU)236和亮度计PR650测量实施例1以及比较例1至比较例3中制造的有机发光装置的驱动电压(V)、电流效率和使用寿命(LT50)。其结果在表2中示出。在此，使用寿命表示初始亮度降低50％的时间。
表2
Figure BDA0002908624410000591
参考表2的结果，发现与比较例1至比较例3的有机发光装置相比，实施例1的有机发光装置具有高效率和长使用寿命。

Claims (20)

1.有机发光装置，包括：
阳极；
阴极；
位于所述阳极与所述阴极之间并且包括发射层的有机层；
位于所述阳极与所述发射层之间并且与所述发射层直接接触的电子阻挡层；以及
位于所述阴极与所述发射层之间并且与所述发射层直接接触的空穴阻挡层，
其中所述发射层包含主体和掺杂剂，
所述电子阻挡层是电子阻挡材料，
所述空穴阻挡层包含空穴阻挡材料，以及
所述主体、所述掺杂剂、所述电子阻挡材料和所述空穴阻挡材料各自满足等式1-1至等式1-4：
等式1-1
T1(EB)≥T1(H)
等式1-2
T1(EB)≥T1(D)
等式1-3
T1(HB)>T1(H)
等式1-4
T1(HB)>T1(D)
其中，在等式1-1和等式1-4中，
T1(EB)表示所述电子阻挡材料的最低激发三重态能级，
T1(HB)表示所述空穴阻挡材料的最低激发三重态能级，
T1(H)表示所述主体的最低激发三重态能级，以及
T1(D)表示所述掺杂剂的最低激发三重态能级。
2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述主体、所述掺杂剂、所述电子阻挡材料和所述空穴阻挡材料各自满足等式1-11、等式1-21、等式1-31和/或等式1-41：
等式1-11
1.0eV≥T1(EB)-T1(H)≥0.01eV
等式1-21
1.0eV≥T1(EB)-T1(D)≥0.01eV
等式1-31
1.0eV≥T1(HB)-T1(H)≥0.01eV
等式1-41
1.0eV≥T1(HB)-T1(D)≥0.01eV
其中，在等式1-11、等式1-21、等式1-31和等式1-41中，
T1(EB)表示所述电子阻挡材料的最低激发三重态能级，
T1(HB)表示所述空穴阻挡材料的最低激发三重态能级，
T1(H)表示所述主体的最低激发三重态能级，以及
T1(D)表示所述掺杂剂的最低激发三重态能级。
3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述电子阻挡材料包括由式1表示的化合物：
式1
Figure FDA0002908624400000021
其中，在式1中，
X11选自O、S、N(R13)和C(R13)(R14)，
X12选自单键、O、S、N(R15)和C(R15)(R16)，
A11和A12各自独立地选自C5-C60碳环基团和C1-C60杂环基团，
R11至R16各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)，以及
b11和b12各自独立地选自1、2、3、4、5和6，
其中Q1至Q3各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团和三联苯基基团。
4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述发射层的厚度(DE)≥所述电子阻挡层的厚度(DEB)。
5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述电子阻挡层的厚度是约
Figure FDA0002908624400000032
至约
Figure FDA0002908624400000031
6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述空穴阻挡材料包括由式2表示的化合物：
式2
Figure FDA0002908624400000041
其中，在式2中，
X21是N或C(R21)，X22是N或C(R22)，X23是N或C(R23)，X24是N或C(R24)，X25是N或C(R25)，并且X26是N或C(R26)，条件是X21至X26中的至少一个是N，
R21至R26各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及
R21至R26中的至少一个选自取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
7.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述发射层的厚度(DE)≥所述空穴阻挡层的厚度(DHB)。
8.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述空穴阻挡层的厚度是约
Figure FDA0002908624400000042
至约
Figure FDA0002908624400000043
9.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述主体包括由式1和式2中的一种表示的化合物：
式1
Figure FDA0002908624400000044
式2
Figure FDA0002908624400000051
其中，在式1和式2中，
X11选自O、S、N(R13)和C(R13)(R14)，
X12选自单键、O、S、N(R15)和C(R15)(R16)，
A11和A12各自独立地选自C5-C60碳环基团和C1-C60杂环基团，
R11至R16各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)，
b11和b12各自独立地选自1、2、3、4、5和6，
其中Q1至Q3各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团和三联苯基基团，
X21是N或C(R21)，X22是N或C(R22)，X23是N或C(R23)，X24是N或C(R24)，X25是N或C(R25)，并且X26是N或C(R26)，条件是X21至X26中的至少一个是N，
R21至R26各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及
R21至R26中的至少一个选自取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
10.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述主体包括第一主体和第二主体。
11.如权利要求10所述的有机发光装置，其中所述第一主体是不包含电子传输部分的空穴传输主体，并且所述第二主体是包含电子传输部分的电子传输主体。
12.如权利要求10所述的有机发光装置，其中所述第一主体包括由式1表示的化合物，并且所述第二主体包括由式2表示的化合物：
式1
Figure FDA0002908624400000061
式2
Figure FDA0002908624400000062
其中，在式1和式2中，
X11选自O、S、N(R13)和C(R13)(R14)，
X12选自单键、O、S、N(R15)和C(R15)(R16)，
A11和A12各自独立地选自C5-C60碳环基团和C1-C60杂环基团，
R11至R16各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、取代或未取代的C1-C60烷基基团、取代或未取代的C2-C60烯基基团、取代或未取代的C2-C60炔基基团、取代或未取代的C1-C60烷氧基基团、取代或未取代的C3-C10环烷基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烷基基团、取代或未取代的C3-C10环烯基基团、取代或未取代的C1-C10杂环烯基基团、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C6-C60芳氧基基团、取代或未取代的C6-C60芳硫基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)和-P(＝S)(Q1)(Q2)，
b11和b12各自独立地选自1、2、3、4、5和6，
其中Q1至Q3各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C1-C60杂芳基基团、C1-C60杂芳氧基基团、C1-C60杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、联苯基基团和三联苯基基团，
X21是N或C(R21)，X22是N或C(R22)，X23是N或C(R23)，X24是N或C(R24)，X25是N或C(R25)，并且X26是N或C(R26)，条件是X21至X26中的至少一个是N，
R21至R26各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及
R21至R26中的至少一个选自取代或未取代的C6-C60芳基基团、取代或未取代的C1-C60杂芳基基团、取代或未取代的单价非芳香族稠合多环基团和取代或未取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
13.如权利要求10所述的有机发光装置，其中所述第一主体与所述电子阻挡材料相同。
14.如权利要求10所述的有机发光装置，其中所述第二主体与所述空穴阻挡材料相同。
15.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述掺杂剂发射延迟荧光或荧光。
16.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述掺杂剂进一步满足等式3：
等式3
│S1(D)-T1(D)│≤0.5eV
其中，在等式3中，
T1(D)表示所述掺杂剂的最低激发三重态能级，以及
S1(D)表示所述掺杂剂的最低激发单重态能级。
17.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述掺杂剂进一步满足等式4和/或等式5：
等式4
2.65eV≤S1(D)≤2.85eV
等式5
2.65eV≤T1(D)≤3.05eV
其中，在等式4和等式5中，
T1(D)表示所述掺杂剂的最低激发三重态能级，以及
S1(D)表示所述掺杂剂的最低激发单重态能级。
18.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述掺杂剂由式5表示。
19.如权利要求1所述的有机发光装置，其中
所述有机层包括在所述阳极与所述电子阻挡层之间的空穴传输层，
所述空穴传输层包含空穴传输材料，以及
所述主体和所述空穴传输材料各自满足等式6：
等式6
T1(H)≥T1(HT)
其中，在等式6中，
T1(H)表示所述主体的最低激发三重态能级，以及
T1(HT)表示所述空穴传输材料的最低激发三重态能级。
20.如权利要求1所述的有机发光装置，其中
所述有机层包括在所述阴极与所述空穴阻挡层之间的电子传输层，
所述电子传输层包含电子传输材料，
所述掺杂剂和所述电子传输材料各自满足等式7：
等式7
T1(D)≥T1(ET)
其中，在等式7中，
T1(D)表示所述掺杂剂的最低激发三重态能级，以及
T1(ET)表示所述电子传输材料的最低激发三重态能级。
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