CN112509933B - 一种ic载板全埋置元器件工艺方法 - Google Patents

一种ic载板全埋置元器件工艺方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种IC载板全埋置元器件工艺方法，将下游元器件部分直接封装到IC载板内部，从而优化空间结构，提升电路集成密度。通过芯片全埋置技术手段，为芯片打造一个保护外壳，提高稳定性；同时，采用模块化设计，将芯片全埋置在IC载板内部，便于下游的组装及小型化生产，节约的空间，可提升电路集成密度。

Description

一种IC载板全埋置元器件工艺方法
技术领域
本发明涉及印刷电路板加工技术领域，尤其是涉及一种IC载板全埋置元器件工艺方法。
背景技术
目前，我国印刷电路板产业替代品主要表现在子行业产品替代，刚性线路板市场份额萎缩，柔性线路板市场份额继续扩大。电子产品向高密度化发展，必将导致更高层次化、更小的BGA孔间距，从而对材料的耐热性也提出了更高的要求。在当前的产业链整合和协同发展创新的战略转型期，线路板高密度化和线路板新功能化和智能化，轻、薄、细、小的发展带来的产品散热、精密布局、封装设计等也为上游CCL产业的创新提出了更为严苛的要求。
其中IC载板应用在大量的小型电子产品中，构成了电子产品不可或缺的重要组成部分，现有IC载板的加工方法为：先以普通硬质覆铜基板如树脂玻纤布基板等为芯层板，然后在铜基板的顶表面和底表面分别设置第一线路层和第二线路层，在第一线路层上钻通孔，确保通孔顺次贯穿第一线路层、基板和第二线路层，在通孔内塞入树脂以使第一线路层和第二线路层电连接，然后在第一线路层的顶部粘接第一防焊层，同时在第二线路层的底部粘接第二防焊层，从而最终加工出IC载板。由于第一线路层和第二线路层的导通是通过在通过内填装树脂，而树脂的成本高且填装量大，这无疑是增加了IC载板的生产成本，此外树脂使用一段时间后容易下沉，导致树脂不再与第一线路层线路层接触，进而导致第一线路层不再与第二线路层导通，存在使用寿命短、可靠性低的缺陷，且封装技术也难以满足现在的需求。
发明内容
针对上述问题，本技术创新地提出了一种IC载板全埋置元器件工艺方法，将下游元器件部分直接封装到IC载板当中，从而节约空间，可以集成更多的电路；且直接封装在IC载板之内可以提升产品可靠性，减少IC载板封装时间，便于模块化生产。
具体的，本发明所述的一种IC载板全埋置元器件工艺方法，包括以下步骤：
步骤一：依次执行以下工艺，包括：进行开料，压合补强，内层湿膜，酸蚀，内层AOI，第一次树脂填平后整平，然后进行钻定位孔，曝光显影，沉铜，烤板，干膜，图形电镀，碱性蚀刻，外层AOI，阻焊干膜，整平，显影，烤板，OSP；
步骤二：进行贴件流程，依次进行芯片，采用焊接剂将芯片与钢网材料封装贴合；；
步骤三：依次执行以下工艺，包括：第二次树脂填平后进行压合整平，然后进行减铜，棕化，镭射，沉铜，烤板，板电，干膜，图电，蚀刻，外层AOI，阻焊封装，去补强，等离子除胶，电铣，电测，终检，FQC，和包装，最终出货。
其中，所述压合补强还包括：采用线路贴膜机将铜箔贴在补强上面，温度为设置为40℃。
进一步的，所述第一次树脂填平，还包括：采用77T的网版将感光树脂涂覆在板面表层，厚度40μm，然后采用真空贴膜机整平，温度设置为90℃，压强0.9Mpa，压合时间为3分钟后将树脂整体压平，高度落差≤10μm，然后采用曝光显影将树脂内埋置铜柱的位置显影出来。
进一步的，所述沉铜，还包括：采用除胶一次，沉铜两次的方法，将化学铜层厚度控制在1-2μm范围之间。
进一步的，所述烤板，还包括：设置烤板参数为100℃/60min，将板内的内部应力释放完全，提高板面的结合力。
进一步的，所述阻焊干膜，还包括：采用38μm阻焊干膜工艺，阻焊干膜参数为：温度为85-90℃，压强1.2Mpa，时间为2min，将阻焊干膜表面完全整平。
进一步的，所述第二次树脂填平，还包括：采用3张100μm厚度的树脂膜，优选为NBF膜，进行叠放在一起，铜箔采用12μm厚度，平压在一起，温度为95℃，压强0.9 Mpa，时间为5分钟。
进一步的，所述镭射，还包括：镭射孔径分两种，一种是100μm的常规盲孔，一种是200μm大型盲孔；第一种盲孔按照常规手段进行制作；第二种盲孔采用圆圈打孔工艺，用4个100μm小孔将大孔打成。
进一步的，所述板电，还包括：采用10ASF*60min小电流进行填孔电镀，增加大孔的孔壁铜厚，大孔的孔壁铜厚要求≥40μm。
进一步的，所述阻焊封装，还包括：采用60μm阻焊干膜，待平压后，整体曝光，完成整体封装。
综上所述，本发明提供一种IC载板全埋置元器件工艺方法，将下游元器件部分直接封装到IC载板当中，从而节约空间，可以集成更多的电路，且将芯片封装，为芯片提供一个保护外壳，提高稳定性；同时，采用模块化设计，将一个功能的芯片和IC载板封装一起，便于组装及小型化，可以节约空间，将其他位置腾出来，节约大量的空间。
附图说明
图1为一实施例中的阻焊干膜示意图。
图2为一实施例中盲孔示意图。
具体实施方式
下面将结合具体实施例及附图对本发明的一种IC载板全埋置元器件工艺方法，作进一步详细描述。
本发明所述的一种IC载板全埋置元器件工艺方法，包括以下步骤：
步骤一：依次执行以下工艺，包括：进行开料，压合补强，内层湿膜，酸蚀，内层AOI，第一次树脂填平后整平，然后进行钻定位孔，曝光显影，沉铜，烤板，干膜，图形电镀，碱性蚀刻，外层AOI，阻焊干膜，整平，显影，烤板，OSP；
步骤二：进行贴件流程，采用焊接剂将芯片与钢网材料封装贴合；；
步骤三：依次执行以下工艺，包括：第二次树脂填平后进行压合整平，然后进行减铜，棕化，镭射，沉铜，烤板，板电，干膜，图电，蚀刻，外层AOI，阻焊封装，去补强，等离子除胶，电铣，电测，终检，FQC，和包装，最终出货。
其中，所述压合补强还包括：采用线路贴膜机将铜箔贴在补强上面，温度为设置为40℃，优选的，铜箔采用35μm铜箔。补强粘性温度范围：0-120℃，其中40℃温度粘性最强。
进一步的，所述第一次树脂填平，还包括：采用77T的网版将感光树脂涂覆在板面表层，厚度约40μm，然后采用真空贴膜机整平，带真空段、平压段，温度设置为90℃，压强0.9Mpa，压合时间为3分钟后将树脂整体压平，高度落差≤10μm，然后采用曝光显影将树脂内埋置铜柱的位置显影出来。
进一步的，所述沉铜，还包括：采用除胶一次，沉铜两次的方法，将化学铜层厚度控制在1-2μm范围之间。
进一步的，所述烤板，还包括：设置烤板参数为100℃/60min，将板内的内部应力释放完全，提高板面的结合力。
进一步的，所述阻焊干膜，还包括：采用38μm阻焊干膜工艺，阻焊干膜参数为：温度为85-90℃，压强1.2Mpa，时间为2min，将阻焊干膜表面完全整平（如图1所示）。
进一步的，所述第二次树脂填平，还包括：采用3张100μm厚度的树脂膜，优选为NBF膜，进行叠放在一起，铜箔采用12μm厚度，平压在一起，温度为95℃，压强0.9 Mpa，时间为5分钟，优选的，压强≤1Mpa,防止将元器件，即芯片，压坏。
进一步的，所述镭射，还包括：镭射孔径分两种，一种是100μm的常规盲孔，一种是200μm大型盲孔；第一种盲孔按照常规手段进行制作；第二种盲孔采用圆圈打孔工艺，用4个100μm小孔将大孔打成（如图2所示）。
进一步的，所述板电，还包括：采用10ASF*60min小电流进行填孔电镀，增加大孔的孔壁铜厚，大孔的孔壁铜厚要求≥40μm。
进一步的，所述阻焊封装，还包括：采用60μm阻焊干膜，待平压后，整体曝光，完成整体封装。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (7)

1.一种IC载板全埋置元器件工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：内层板制作流程：依次进行开料，压合补强，内层湿膜，酸蚀，内层AOI，第一次树脂填平后整平，钻定位孔，曝光显影，沉铜，烤板，干膜，图形电镀，碱性蚀刻，二次AOI，阻焊干膜，整平，显影，烤板，OSP；
步骤2：贴件流程，依次进行选择元器件，采用焊接剂将芯片与钢网材料封装贴合；
步骤3：后序流程，依次进行第二次树脂填平，压合整平，减铜，棕化，镭射，沉铜，烤板，板电，干膜，图电，蚀刻，外层AOI，阻焊封装，去补强，等离子除胶，电铣，电测，终检，FQC和包装，最终出货；
所述第一次树脂填平，还包括：采用77T的网版将感光树脂涂覆在板面表层，厚度40μm，然后采用真空贴膜机整平，温度设置为90℃，压强0.9Mpa，压合时间为3分钟后将树脂整体压平，高度落差≤10μm，然后采用曝光显影将树脂内埋置铜柱的位置显影出来；
所述第二次树脂填平，还包括：采用3张100μm厚度的树脂膜叠放在一起，铜箔采用12μm厚度，平压在一起，温度为95℃，压强0.9 Mpa，时间为5分钟；
所述镭射，还包括：镭射孔径分两种，一种是100μm的常规盲孔，一种是200μm大型盲孔；第一种盲孔按照常规手段进行制作；第二种盲孔采用圆圈打孔工艺，用4个100μm小孔将大孔打成。
2.根据权利要求1所述的IC载板全埋置元器件工艺方法，其特征在于，所述压合补强还包括：采用线路贴膜机将铜箔贴在补强上面，温度设置为40℃。
3.根据权利要求2所述的IC载板全埋置元器件工艺方法，其特征在于，所述沉铜，还包括：采用除胶一次，沉铜两次的方法，将化学铜层厚度控制在1-2μ范围之间。
4.根据权利要求3所述的IC载板全埋置元器件工艺方法，其特征在于，所述烤板，还包括：设置烤板参数为100℃/60min，将板内的内部应力释放完全，提高板面的结合力。
5.根据权利要求4所述的IC载板全埋置元器件工艺方法，其特征在于，所述阻焊干膜，还包括：采用38μm阻焊干膜工艺，阻焊干膜参数为：温度为85-90℃，压强1.2Mpa，时间为2min，将阻焊干膜表面完全整平。
6.根据权利要求5所述的IC载板全埋置元器件工艺方法，其特征在于，所述板电，还包括：采用10ASF*60min小电流进行填孔电镀，增加大孔的孔壁铜厚，大孔的孔壁铜厚要求≥40μm。
7.根据权利要求6所述的IC载板全埋置元器件工艺方法，其特征在于，所述阻焊封装，还包括：采用60μm阻焊干膜，待平压后，整体曝光，完成整体封装。
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