CN102254838B - 新型ic封装制造工艺 - Google Patents
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Abstract
一种新型IC封装制造工艺包括以下步骤：制作IC载板；准备封装盖板；在封装盖板反面上上胶，通过机械整体压合到IC载板上；采用±0.05mm高精度雕刻机雕刻成型，通过绑定机绑定IC载板，在封装盖板正面覆上50Um树脂型纯胶，把封装玻璃通过机械整体压合在盖板上，再通过分割机切割成型。本发明有益效果在于：各部件之间采用树脂型的纯胶进行整体压合，替代传统的单体手工封装，大大提高了封装速度；封装盖板采用高精度CNC成型，代替了单体塑料件注塑方式，提高了封装精度；采用晶元分割机分割整体压合的产品，提高了封装精度；各部件之间采用树脂型的纯胶进行整体压合，提高了各部件之间的致密度，亦提高了封装后的防潮功能。
Description
技术领域
本发明涉及一种IC封装技术，尤其涉及一种新型的IC封装工艺。
背景技术
IC封装，就是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接，封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
目前市场上同类IC封装产品都是用塑料配件单个手工封装，封装精度差，封装速度慢，防潮性能差，不能满足需要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型的IC封装制造工艺，该工艺采用专门的压合设备、压合材料、分割设备完全替代了手工封装过程，解决了封装精度差，封装速度慢等现有技术中存在的技术问题。
为解决上述问题，本发明所采取的技术方案是：
一种新型IC封装制造工艺，所述的工艺包括以下步骤：
步骤1，制作IC载板；
步骤2，准备封装盖板；
步骤3，在封装盖板反面上上胶，通过机械整体压合到IC载板上；
步骤4，采用±0.05mm高精度雕刻机雕刻成型，
步骤5，通过绑定机绑定IC载板，
步骤6，在封装盖板正面覆上50Um树脂型纯胶，
步骤7，把封装玻璃通过机械整体压合在盖板上，再通过分割机切割成型。
更进一步的技术方案是：
所述的步骤3中在封装盖板反面上胶是指在封装盖板反面上50Um树脂型纯胶，并且在步骤3中进行整体压合时需要将温度控制在170-180度，时间控制在30分钟。
所述的步骤7中，将封装玻璃通过机械整体压合在盖板上时，需要将温度控制在175度，时间控制在30分钟。
所述的步骤1包括以下步骤：
步骤1-1，底片制作，即进行光绘底片制作；
步骤1-2，开料；
步骤1-3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；
步骤1-4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；
步骤1-5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；
步骤1-6，图形转移；
步骤1-7，图形电镀；
步骤1-8，退膜；
步骤1-9，半孔加工；
步骤1-10，蚀刻；
步骤1-11，退锡；
步骤1-12，对底片进行第一次测试；
步骤1-13，阻焊；
步骤1-14，化金；
步骤1-15，对底片进行第二次测试；
所述的步骤2包括：
步骤2-1，盖板备料；
步骤2-2，盖板开料；
步骤2-3，背胶；
步骤2-4，机加工；
步骤2-5，清洗；
所述的步骤1-1中在进行光绘底片时须进行工艺补偿，工艺补偿须依据测量不同厚度Cu的侧蚀来确定，所述的底片为正片。
所述的步骤2-1中盖板的材料使用高TG双面板材，并将双面板材的铜皮蚀掉。
所述的步骤1-6中包括以下子步骤：
步骤1-6-1，磨板；
步骤1-6-2，对Cu面的处理运用化学微蚀处理；
步骤1-6-3，烘干后立即进行贴膜；
步骤1-6-4，显影后，用刻度放大镜测量线及间隙是否达到图纸要求，保证线条光滑无锯齿。
所述的步骤1-9中，半孔加工采用正反两刀铣槽，行刀速度控制在1-2米/分钟。
所述的步骤1-10中，蚀刻采用CuCl2溶液进行腐蚀，同时将图形BGA面朝下以减少侧蚀量。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
1、各部件之间采用树脂型的纯胶进行整体压合，替代传统的单体手工封装，大大提高了封装速度；
2、封装盖板采用高精度CNC成型，代替了单体塑料件注塑方式，提高了封装精度；
3、采用晶元分割机分割整体压合的产品，提高了封装精度；
4、各部件之间采用树脂型的纯胶进行整体压合，提高了各部件之间的致密度，亦提高了封装后的防潮功能。
5、本发明的IC载板制作也是非常严谨，制造出来的线条精度高，蚀刻后无残铜且线条光滑，盖板不变形，无严重溢胶，盖板与主板的结合力达到10KG以上，机械加工后基板无分层，半孔无毛刺，外形边缘整齐，无粉尘。
附图说明
图1是本发明所制成产品的结构示意图。
具体实施方式
下面对本发明做进一步详细描述：
如图1所示，是本发明所制成产品的层结构示意图，生产制作的工艺流程如下：
步骤1，制作IC载板3；
步骤2，准备封装盖板2；
步骤3，在封装盖板反面上上50Um树脂型纯胶，通过机械整体压合到IC载板上；此压合步骤中需要将温度控制在170-180度，时间控制在30分钟。
步骤4，采用±0.05mm高精度雕刻机雕刻成型，
步骤5，通过绑定机绑定IC载板3，
步骤6，在封装盖板2正面覆上50Um树脂型纯胶，
步骤7，把封装玻璃1通过机械整体压合在封装盖板2上，压合时需要将温度控制在175度，时间控制在30分钟，再通过分割机切割成型。
具体来讲，步骤1包括以下步骤：
步骤1-1，底片制作，即进行光绘底片制作；底片制作，即进行光绘底片制作；在进行光绘底片时须进行工艺补偿，工艺补偿须依据测量不同厚度Cu的侧蚀来确定，所述的底片为正片，线宽补偿公式是：损失量(MIL)＝基铜(MIL)/1.2，例如：35UM基铜其损失量为35/25.4*1.2＝1.2miL其损失量为线宽的损失量+补偿量(线宽需在客户要求范围内调整))。
步骤1-2，开料；
步骤1-3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；
步骤1-4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；
步骤1-5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；
步骤1-6，图形转移；
步骤1-6中包括以下子步骤：
步骤1-6-1，磨板；
步骤1-6-2，对Cu面的处理运用化学微蚀处理；
步骤1-6-3，烘干后立即进行贴膜；
步骤1-6-4，显影后，用刻度放大镜测量线及间隙是否达到图纸要求，保证线条光滑无锯齿；
步骤1-7，图形电镀；在本步骤中要特别注意阶梯电镀的品质问题，确保铜面平整，使bonding顺利进行；
步骤1-8，退膜，
步骤1-9，半孔加工；半孔加工采用正反两刀铣槽，行刀速度控制在1-2米/分钟。
步骤1-10，蚀刻；蚀刻采用CuCl2溶液进行腐蚀，同时将图形BGA面朝下以减少侧蚀量。
步骤1-11，退锡；本步骤中网版可以选用43T的网目，阻焊必须平整否则影响主板与盖板的结合力。
步骤1-12，对底片进行第一次测试；
步骤1-13，阻焊；
步骤1-14，化金；
步骤1-15，对底片进行第二次测试；
具体来说步骤2包括：
步骤2-1，盖板备料；材料使用高TG双面板材，并将双面板材的铜皮蚀掉。
步骤2-2，盖板开料；
步骤2-3，背胶；盖板背胶必须保证无气泡，平整无垃圾，
步骤2-4，机加工；外形机加工时，应采用精密数控铣床，把精度控制好，不能有粉尘和毛刺的产生。
步骤2-5，清洗。
Claims (7)
1.一种IC封装制造工艺，其特征在于：所述的工艺包括以下步骤：
步骤1，制作IC载板；
步骤2，准备封装盖板；
步骤3，在封装盖板反面上上胶，通过机械整体压合到IC载板上；本步骤中在封装盖板反面上胶是指在封装盖板反面上50Um树脂型纯胶，并且在进行整体压合时需要将温度控制在170-180度，时间控制在30分钟；
步骤4，采用±0.05mm高精度雕刻机雕刻成型，
步骤5，通过绑定机绑定IC载板，
步骤6，在封装盖板正面覆上50Um树脂型纯胶，
步骤7，把封装玻璃通过机械整体压合在盖板上，再通过分割机切割成型，本步骤中，将封装玻璃通过机械整体压合在盖板上时，需要将温度控制在170-180度，时间控制在30分钟；
其中步骤1包括以下步骤：
步骤1-1，底片制作，即进行光绘底片制作；
步骤1-2，开料；
步骤1-3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；
步骤1-4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；
步骤1-5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；
步骤1-6，图形转移；
步骤1-7，图形电镀；
步骤1-8，退膜，
步骤1-9，半孔加工；
步骤1-10，蚀刻；
步骤1-11，退锡；
步骤1-12，对底片进行第一次测试；
步骤1-13，阻焊；
步骤1-14，化金；
步骤1-15，对底片进行第二次测试。
2.根据权利要求1所述的IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤2包括：
步骤2-1，盖板备料；
步骤2-2，盖板开料；
步骤2-3，背胶；
步骤2-4，机加工；
步骤2-5，清洗。
3.根据权利要求1所述的IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1-1中在进行光绘底片时须进行工艺补偿，工艺补偿依据测量不同厚度Cu的侧蚀来确定，所述的底片为正片。
4.根据权利要求2所述的IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤2-1中盖板的材料使用高TG双面板材，并将双面板材的铜皮蚀掉。
5.根据权利要求1所述的IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1-6中包括以下子步骤：
步骤1-6-1，磨板；
步骤1-6-2，对Cu面的处理运用化学微蚀处理；
步骤1-6-3，烘干后立即进行贴膜；
步骤1-6-4，显影后，用刻度放大镜测量线及间隙是否达到图纸要求，保证线条光滑无锯齿。
6.根据权利要求1所述的IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1-9中，半孔加工采用正反两刀铣槽，行刀速度控制在1-2米/分钟。
7.根据权利要求1所述的IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1-10中，蚀刻采用CuCl2溶液进行腐蚀，同时将图形BGA面朝下以减少侧蚀量。
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