CN112424733A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112424733A
CN112424733A CN201880095055.1A CN201880095055A CN112424733A CN 112424733 A CN112424733 A CN 112424733A CN 201880095055 A CN201880095055 A CN 201880095055A CN 112424733 A CN112424733 A CN 112424733A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
color conversion
light emitting
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880095055.1A
Other languages
English (en)
Inventor
姜锺赫
赵显敏
金大贤
任铉德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Priority claimed from PCT/KR2018/011307 external-priority patent/WO2020027369A1/ko
Publication of CN112424733A publication Critical patent/CN112424733A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0414—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1626—Constructional details or arrangements for portable computers with a single-body enclosure integrating a flat display, e.g. Personal Digital Assistants [PDAs]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G06F1/1643—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being associated to a digitizer, e.g. laptops that can be used as penpads
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1656—Details related to functional adaptations of the enclosure, e.g. to provide protection against EMI, shock, water, or to host detachable peripherals like a mouse or removable expansions units like PCMCIA cards, or to provide access to internal components for maintenance or to removable storage supports like CDs or DVDs, or to mechanically mount accessories
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1684—Constructional details or arrangements related to integrated I/O peripherals not covered by groups G06F1/1635 - G06F1/1675
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1684—Constructional details or arrangements related to integrated I/O peripherals not covered by groups G06F1/1635 - G06F1/1675
    • G06F1/1694—Constructional details or arrangements related to integrated I/O peripherals not covered by groups G06F1/1635 - G06F1/1675 the I/O peripheral being a single or a set of motion sensors for pointer control or gesture input obtained by sensing movements of the portable computer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/016—Input arrangements with force or tactile feedback as computer generated output to the user
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/017—Gesture based interaction, e.g. based on a set of recognized hand gestures
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/048—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI]
    • G06F3/0487—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser
    • G06F3/0488—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser using a touch-screen or digitiser, e.g. input of commands through traced gestures
    • G06F3/04883—Interaction techniques based on graphical user interfaces [GUI] using specific features provided by the input device, e.g. functions controlled by the rotation of a mouse with dual sensing arrangements, or of the nature of the input device, e.g. tap gestures based on pressure sensed by a digitiser using a touch-screen or digitiser, e.g. input of commands through traced gestures for inputting data by handwriting, e.g. gesture or text
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/01—Indexing scheme relating to G06F3/01
    • G06F2203/014—Force feedback applied to GUI
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04105—Pressure sensors for measuring the pressure or force exerted on the touch surface without providing the touch position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Abstract

提供了一种显示装置。包括第一像素和第二像素的显示装置包括发光层、设置在发光层上的颜色转换层和设置在颜色转换层上的滤色器层，其中发光层包括设置在第一像素中的第一发光元件和设置在第二像素中的第二发光元件，其中颜色转换层包括设置在第一像素中的第一颜色转换层和设置在第二像素中的第二颜色转换层，滤色器层包括设置在第一像素中的第一滤色器层和设置在第二像素中的第二滤色器层，第一发光元件和第二发光元件发射第一光，第一光的中心波长范围是第一波长，第一颜色转换层和第二颜色转换层包含将第一光转换成第二光的颜色转换颗粒，第二光的中心波长范围是比第一波长长的第二波长，第一滤色器层透射第一光并阻挡第二光的透射，并且第二滤色器层透射第二光并阻挡第一光的透射。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及包括相同类型的颜色转换材料和采用无机发光二极管的发光单元的显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，目前使用诸如有机发光显示(OLED)装置和液晶显示(LCD)装置的多种类型的显示装置。
显示装置用于显示图像，并包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。在它们之中，发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)、以及使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
有机发光二极管(OLED)使用有机材料作为发光元件的荧光材料。其有利之处在于，制造工艺简单并且元件具有柔性。然而，已知有机材料易受高温驱动环境的影响，并且蓝光的效率相对低。
另一方面，使用无机半导体作为荧光材料的无机发光二极管具有这样的优点：与有机发光二极管相比，即使在高温环境中也具有耐用性，并且蓝光效率是高的。此外，在制造过程中，如常规无机发光二极管的缺点所指出的，已经开发了使用介电电泳(DEP)方法的转移方法。因此，对与有机发光二极管相比具有优异的耐用性和效率的无机发光二极管进行了持续研究。
发明内容
技术问题
同时，显示装置可以包括多个像素，并且像素可以分别呈现蓝色、绿色和红色。如果像素使用发射不同颜色的光的发光元件，则在制造显示装置的过程期间，为了对准发光元件，重复三次相同的过程。另一方面，如果像素包括发射相同颜色的光的发光元件，并且在发光元件上方形成颜色转换层，则对准发光元件的过程仅执行一次。然而，形成颜色转换层的过程执行至少两次。随着为了对准发光元件或形成颜色转换层而执行的过程的数量增加，成本可能增加，并且产率可能降低。
本公开的方面提供了一种显示装置，其包括包含相同类型的颜色转换颗粒的颜色转换层、以及具有两种类型的发光元件的发光单元。
本公开的方面提供了一种减少对准发光元件和形成颜色转换层所需的过程的数量、从而节省显示装置的制造成本并提高了制造产率的方法。
应注意的是，本公开的方面不限于上述方面，并且本公开的其它未提及的方面将被本领域技术人员从下面的描述清楚地理解。
技术方案
根据本公开的方面，包括第一像素和第二像素的显示装置包括：发光层；颜色转换层，设置在发光层上；以及滤色器层，设置在颜色转换层上，其中，发光层包括设置在第一像素中的第一发光元件和设置在第二像素中的第二发光元件，其中，颜色转换层包括设置在第一像素中的第一颜色转换层和设置在第二像素中的第二颜色转换层，滤色器层包括设置在第一像素中的第一滤色器层和设置在第二像素中的第二滤色器层，第一发光元件和第二发光元件发射第一光，第一光的中心波长范围是第一波长，第一颜色转换层和第二颜色转换层包含将第一光转换成第二光的颜色转换颗粒，第二光的中心波长范围是比第一波长长的第二波长，第一滤色器层透射第一光并阻挡第二光的透射，以及第二滤色器层透射第二光并阻挡第一光的透射。
显示装置还可以包括第三像素，其中，发光层还可以包括设置在第三像素中的第三发光元件，其中，颜色转换层还可以包括设置在第三像素中的第三颜色转换层，滤色器层还可以包括设置在第三像素中的第三滤色器层，第三发光元件可以发射第三光，第三光的中心波长范围是比第二波长长的第三波长，第三颜色转换层可以包含颜色转换颗粒，以及第三滤色器层阻挡第一光和第二光的透射并透射第三光。
第三滤色器层可以接收第三光。
颜色转换颗粒可以不转换第三光的波长。
第一滤色器层和第二滤色器层中的每个可以接收第一光和第二光的混合光。
颜色转换颗粒可以分散在第一颜色转换层、第二颜色转换层和第三颜色转换层中，以及其中，分散在第二颜色转换层中的颜色转换颗粒的密度可以大于第一颜色转换层和第三颜色转换层中的每个的颜色转换颗粒的密度。
入射在第二滤色器层上的第二光的量可以大于入射在第一滤色器层上的第二光的量。
第一光的中心波长范围可以在430nm到470nm的范围内，其中，第二光的中心波长范围可以在530nm至570nm的范围内，以及颜色转换颗粒可以包括量子点材料。
第一颜色转换层的至少一部分可以与第一发光元件重叠，其中，第二颜色转换层的至少一部分可以与第二发光元件重叠，第三颜色转换层的至少一部分可以与第三发光元件重叠，以及颜色转换颗粒可以设置成与第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的至少一个相邻。
颜色转换颗粒可以设置成与第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件的至少一侧的侧表面重叠。
发光层还可以包括设置在第一发光元件和第二发光元件之间的第一分隔壁、以及设置在第二发光元件和第三发光元件之间的第二分隔壁。
从第二发光元件发射并朝向第一颜色转换层或第三颜色转换层透射的第一光的至少一部分可以被反射离开第一分隔壁和第二分隔壁以入射在第二颜色转换层上。
显示装置可以包括：第一平坦化层，设置在发光层上，以覆盖第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件；第二平坦化层，设置在颜色转换层下方，以提供颜色转换层的平坦下表面；以及粘合剂层，设置在第一平坦化层和第二平坦化层之间，其中，第一平坦化层、粘合剂层和第二平坦化层可以在发光层和颜色转换层之间彼此堆叠。
根据本公开的方面，包括第一像素、第二像素和第三像素的显示装置包括：发光层；颜色转换层，设置在发光层上；以及滤色器层，设置在颜色转换层上，其中，发光层包括设置在第一像素中的第一发光元件、设置在第二像素中的第二发光元件和设置在第三像素中的第三发光元件，颜色转换层包括设置在第一像素中的第一颜色转换层、设置在第二像素中的第二颜色转换层和设置在第三像素上的第三颜色转换层，滤色器层包括设置在第一像素中的第一滤色器层、设置在第二像素中的第二滤色器层和设置在第三像素中的第三滤色器层，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件发射具有第一波长的第一光和具有第三波长的第三光的混合光，第三波长比第一波长长，第一颜色转换层、第二颜色转换层和第三颜色转换层包含将第一光转换成具有第二波长的第二光的颜色转换颗粒，第二波长比第一波长长且比第三波长短，第一滤色器层透射第一光并阻挡第二光和第三光的透射，第二滤色器层透射第二光并阻挡第一光和第三光的透射，以及第三滤色器层透射第三光并阻挡第一光和第二光的透射。
第一光和第二光的混合光可以入射在第一颜色转换层、第二颜色转换层和第三颜色转换层中的每个上。
第一光、第二光和第三光的混合光可以入射在第一滤色器层、第二滤色器层和第三滤色器层中的每个上。
颜色转换颗粒可以分散在第一颜色转换层、第二颜色转换层和第三颜色转换层中，以及其中，分散在第二颜色转换层中的颜色转换颗粒的密度可以大于第一颜色转换层和第三颜色转换层中的每个的颜色转换颗粒的密度。
入射在第二滤色器层上的第二光的量可以大于入射在第一滤色器层上的第二光的量。
第一颜色转换层的至少一部分可以与第一发光元件重叠，其中，第二颜色转换层的至少一部分可以与第二发光元件重叠，第三颜色转换层的至少一部分与第三发光元件重叠，以及颜色转换颗粒可以设置成与第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的至少一个相邻。
显示装置可以包括：第一平坦化层，设置在发光层上以覆盖第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件；第二平坦化层，设置在颜色转换层下方，以提供颜色转换层的平坦下表面；以及粘合剂层，设置在第一平坦化层和第二平坦化层之间，其中，第一平坦化层、粘合剂层和第二平坦化层可以在发光层和颜色转换层之间彼此堆叠。
在详细描述和附图中包括有其它实施方式的细节。
有益效果
根据实施方式的显示装置包括发射第一颜色的光的第一发光元件、发射第三颜色的光的第二发光元件、以及将第三颜色的光转换成第二颜色的光的颜色转换层。因此，在显示第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光的显示装置中，可以减少相同配置所需的过程的数量。因此，可以节省制造显示装置所需的工艺成本并改善制造产率。此外，可以有效地补偿特定光的不充分的发光效率。
根据本公开的有益效果不限于以上提及的那些，并且本文中包括各种其它有益效果。
附图说明
图1是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的剖视图。
图2是示出根据本公开的示例性实施方式的显示装置的发光单元的平面图。
图3和图4是根据本公开的示例性实施方式的发光单元的剖视图。
图5至图7是示出根据本公开的示例性实施方式的发光元件的视图。
图8至图10是示出根据本公开的示例性实施方式的对准发光元件的方法的视图。
图11是根据本公开的示例性实施方式的颜色转换单元的剖视图。
图12至图14是示出根据本公开的示例性实施方式的形成包括第一颜色发光元件和第二颜色发光元件的发光单元的过程的示意图。
图15至图20是示出根据本公开的示例性实施方式的形成颜色转换单元的方法的示意图。
图21是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的剖视图。
图22是示出包含颜色转换颗粒的颜色转换颗粒墨水直接装填在发光单元中的视图。
图23是示出根据本公开的再一示例性实施方式的显示装置的发光单元的平面图。
图24是示出在图23的显示装置的发光单元中对准发光元件的过程的视图。
具体实施方式
现将在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施方式。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为受限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开将是透彻且完整的，并将向本领域的技术人员充分传达本发明的范围。
还将理解的是，当层被称为在另一层或衬底“上”时，其可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在介于中间的层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。
将理解的是，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
在下文中，将参照附图描述本公开的示例性实施方式。
图1是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的剖视图。
参照图1，显示装置10可以包括多个像素PX。多个像素PX可以设置在显示装置10的显示区域上，并且它们可以分别向显示装置10外部呈现具有特定波长带的光。虽然在图1中通过示例的方式描绘了三个像素PX1、PX2和PX3，但是将理解的是，显示装置10可以包括多于三个像素。
多个像素PX可以分别发射不同颜色的光。例如，第一像素PX1可以发射第一颜色的光L1，第二像素PX2可以发射第二颜色的光L2，并且第三像素PX3可以发射第三颜色的光L3。然而，将理解的是，本公开不限于此。在一些实现方式中，相邻的像素PX可以发射相同颜色的光。在下面的描述中，假定第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3如上所述地发射不同颜色的光。
根据本公开的示例性实施方式，第一颜色L1的中心波长范围比第二颜色L2的中心波长范围长，并且第二颜色L2的中心波长范围比第三颜色L3的中心波长范围长。例如，第一颜色L1可以是中心波长范围在约610nm到650nm范围内的红色，第二颜色L2可以是中心波长范围在约530nm到570nm范围内的绿色，并且第三颜色L3可以是中心波长范围在约430nm到470nm范围内的蓝色。然而，将理解的是，本公开不限于此。第一颜色L1、第二颜色L2和第三颜色L3没有特别限制，只要它们具有不同的中心波长带即可。在下面的描述中，第一颜色L1是红色的，第二颜色L2是绿色的，以及第三颜色L3是蓝色的，并且第一像素PX1发射红色L1，第二像素PX2发射绿色L2，以及第三像素PX发射蓝色L3。
根据本公开的示例性实施方式的显示装置10可以包括提供具有特定波长带的光的发光单元300、以及将从发光单元300提供的光转换成具有不同波长带的光的颜色转换单元500。
发光单元300和颜色转换单元500包括与显示装置10的多个像素PX重叠的部分。在图1中，为了便于说明，对发光单元300进行简要描述。为了便于说明，发光单元300的与第一像素PX1重叠的部分限定为第一像素区域PXa1)，发光单元300的与第二像素PX2重叠的部分限定为第二像素区域PXa2)，并且发光单元300的与第三像素PX3重叠的部分限定为第三像素区域PXa3)。颜色转换单元500的与第一像素PX1重叠的部分限定为第一像素层PXb1)，颜色转换单元500的与第二像素PX2重叠的部分限定为第二像素层PXb2)，并且颜色转换单元500的与第三像素PX3重叠的部分限定为第三像素层PXb3)。
发光单元300可以包括发光元件350)，以发射具有特定波长带的光，从而将其提供给颜色转换单元500。将参照图2和图3对发光单元300进行更详细的描述。
图2是示出根据本公开的示例性实施方式的显示装置的发光单元的平面图。图3是根据本公开的示例性实施方式的发光单元的剖视图。图3是沿着图2中的线I-I'和I"-I"截取的剖视图。虽然图3仅示出了发光单元300的一个像素区域PXa，但是将理解的是，该描述也可以同样地应用于其它像素部分。
发光单元300包括发射具有特定波长带的光的发光元件350。多个像素区域PXa中的发光元件350可以发射具有不同波长带的光。例如，当发光元件350发射处于蓝色波长带、绿色波长带或红色波长带中的光时，多个像素区域PXa可以分别发射蓝光、绿光或红光。然而，将理解的是，本公开不限于此。在一些实现方式中，多个发光元件350可以发射具有相同颜色的波长带的光，使得像素区域PXa发射相同颜色(例如，蓝色)的光。此外，可以在单个像素区域PXa中设置发射具有不同颜色的波长带的光的发光元件350，以发射不同颜色的光。
发光单元300包括基础层310、设置在基础层310上的多个电极330、设置在电极330上的接触电极360、以及连接到接触电极360的多个发光元件350。多个像素区域PXa中的每个还可以包括第一分隔壁380，以将其与相邻的像素区域PXa区分开。
发光单元300包括基础层310以及第一电极331和第二电极332，第一电极331和第二电极332在基础层310上彼此间隔开以彼此面对。第二分隔壁320可以设置在基础层310上。第二分隔壁320可以设置在第一分隔壁380的内侧上。第一电极331和第二电极332可以分别设置在第二分隔壁320上以覆盖第二分隔壁320。第二分隔壁320可以由诸如聚酰亚胺的有机材料制成，但不限于此。
发光元件350可以设置在彼此间隔开的第一电极331和第二电极332之间。虽然在图3中所示的示例中，第一电极331和第二电极332直接设置在基础层310上，但是本公开不限于此。基础层310与第一电极331和第二电极332之间可以设置有其它层或特征。
发光元件350可以取决于有源材料层353的材料而发射不同颜色的光。不同类型的发光元件350可以在像素区域PXa中对准，并且因此，可以从发光单元300的像素区域PXa发射不同颜色的光。将注意的是，当通过使用介电电泳(DEP)技术来设置发光元件350时，必须重复相同的过程数次。从而，可能增加工艺成本，并且可能降低产率。鉴于以上，根据本公开的示例性实施方式的显示装置10的发光单元300包括发射较少种类的颜色的发光元件350，从而减少待重复的过程的数量。根据示例性实施方式的显示装置10可以包括发射红光L1的第一发光元件350_1和发射蓝光L3的第二发光元件350_2。稍后将给出对其的详细描述。
基础层310可以支承设置在其上的结构，例如，第二分隔壁320、电极330、发光元件350和第一分隔壁380。基础层310可以包括绝缘材料。基础层310可以包括无机材料或有机材料。在一些示例性实施方式中，可以使用玻璃衬底、晶体衬底、蓝宝石衬底、塑料衬底和柔性聚合物膜作为基础层310，并且衬底可以与在下面的电路层叠。
第一电极331和第二电极332可以在基础层310上设置成彼此间隔开。第一电极331和第二电极332中的每个可以接收电信号。例如，第一电极331可以通过穿透基础层310的第一接触孔连接到在其下方的第一漏电极123，以从其接收驱动电压。第二电极332可以通过穿透基础层310的第二接触孔电连接到其下方的连接线162，以从其接收电源电压。当通过施加到设置在第一电极331和第二电极332之间的发光元件350的电信号使电流在发光元件350中流动时，发光元件350可以发光。
第一电极331可以与第二电极332间隔开预定距离，该预定距离等于或小于发光元件350的长度。因此，可以容易且可靠地实现发光元件350与第一电极331和第二电极332之间的电接触。
可以具有一个或多个第一电极331和第二电极332。第一电极331和第二电极332可以在像素区域PXa中的每个中交替地布置。为了将第一电极331和第二电极332设置成使其彼此面对，第一电极331的数量可以等于第二电极332的数量，或者可以再多具有一个第一电极331或再多具有一个第二电极332。虽然在图2中所示的示例中，在像素区域PXa中的每个中设置有两个第一电极331和一个第二电极332，但是本公开不限于此。
将注意的是，为了便于说明，在图1、图3A和其它附图的剖视图中仅描绘了一个第一电极331和一个第二电极332，而省略了另一第一电极331。另一第一电极331和第二电极332之间的结构可以与附图中所示的第一电极331和第二电极332之间的结构基本上相同。然而，将理解的是，本公开不限于此，并且所述结构可以部分地改变。
设置在各个像素区域PXa中的第二电极332可以彼此电连接。如图2中所示，设置在各个像素区域PXa中的第二电极332的端部可以与单条线连接。因此，可以通过第二电极332向显示装置10中包括的像素区域PXa施加相同的电信号。
另一方面，第一电极331可以不电连接到另一个相邻的像素区域PXa的第一电极331。因此，即使从第二电极332施加相同的电信号，也可以向像素区域PXa的第一电极331施加不同的电信号，从而可以单独驱动它们。然而，当在单个像素区域PXa中设置多于一个的第一电极331时，一起设置在像素区域PXa中的多个第一电极331可以彼此电连接。因此，可以向单个像素区域PXa中的发光元件350施加相同的电信号。
第一电极331可以包括形成在第二分隔壁320上的反射层331_1、以及电极层331_2，并且第二电极332可以包括形成在第二分隔壁320上的反射层332_1、以及电极层332_2。
反射层331_1和332_1可以反射从发光元件350发射的光，以使光朝向显示装置10的外部透射。从发光元件350射出的光在各个方向上辐射而不具有方向性。朝向反射层331_1和332_1行进的光可以被反射离开反射层331_1和332_1，并且可以透射到显示装置的外部，例如，透射到反射层331_1和332_1的上侧。由此，从发光元件350发射的光可以集中在一个方向上以提高发光效率。反射层331_1和332_1可以包括具有高反射率的材料以反射从发光元件350发射的光。例如，反射层331_1和332_1可以包括但不限于诸如银(Ag)和铜(Cu)的材料。
电极层331_2和332_2分别形成在反射层331_1和332_1上。电极层331_2和332_2可以将对其施加的电信号传输到接触电极360。电极层331_2和332_2可以包括透明导电材料。例如，电极层331_2和332_2可以包括但不限于诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)的材料。
电极层331_2和332_2可以分别将传输到反射层331_1和332_1的电信号传输到稍后将描述的接触电极。电极层331_2和332_2可以包括透明导电材料。例如，电极层331_2和332_2可以包括但不限于诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)的材料。在一些示例性实施方式中，反射层331_1和332_1以及电极层331_2和332_2中的每个可以具有至少一个透明导电层(诸如，ITO、IZO和ITZO)以及至少一个金属层(例如，银和铜)彼此堆叠的结构。例如，反射层331_1和332_1以及电极层331_1和332_2可以形成ITO/银(Ag)/ITO的堆叠结构。
根据本公开的示例性实施方式，电极层331_2和332_2具有与反射层331_1和332_1基本上相同的形状，但是电极层331_2和332_2比反射层31_1和332_1具有更大的尺寸(或宽度)，使得电极层331_2和332_2可以覆盖反射层331_1和332_1的侧表面以及上表面。然而，将理解的是，本公开不限于此。
第一接触电极361和第二接触电极362可以设置在电极层331_2和332_2的上表面上，以传输施加到电极层331_2和332_2的电信号。第一接触电极361和第二接触电极362可以分别连接到发光元件350的第一半导体层351和第二半导体层352。因此，第一接触电极361和第二接触电极362可以将施加到电极层331_2和332_2的电信号传输到发光元件350，从而可以发射光。在下面的附图中，为了便于说明，没有将电极层331_2和332_2以及反射层331_1和332_1区分开，并且仅示出了第一电极331和第二电极332。
第一接触电极361和第二接触电极362可以包括导电材料。例如，接触电极可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。然而，将理解的是，本公开不限于此。
第一接触电极361和第二接触电极362可以与电极层331_2和332_2包括相同的材料。第一接触电极361和第二接触电极362可以以相同的图案设置在电极层331_2和332_2上，使得第一接触电极361和第二接触电极362可以与电极层331_2和332_2接触。与电极层331_2和332_2接触的第一接触电极361和第二接触电极362可以接收施加到电极层331_2和332_2的电信号并将其传输到发光元件350。
第一电极331、第二电极332、发光元件350、第一接触电极361和第二接触电极362可以由多个绝缘材料层370覆盖。
多个绝缘材料层370可以包括第一绝缘材料层371、第二绝缘材料层372、第三绝缘材料层373和第四绝缘材料层374。
第一绝缘材料层371可以设置在第一电极331和第二电极332之间。如图3中所示，第一绝缘材料层371可以设置在第一电极331和第二电极332之间，并且发光元件350可以设置在第一绝缘材料层371上。第一绝缘材料层371可以保护第一电极331和第二电极332的电极层331_2和332_2，并且还可以防止发光元件350的半导体层351和352与其它元件接触，从而防止对发光元件350的损坏。
第一绝缘材料层371的一个表面可以与基础层310接触，而发光元件350可以设置在相对的表面上。电极层331_2和332_2可以分别与第一绝缘材料层371的两侧接触，使得电极层331_2和332_2可以电绝缘。虽然在图3的剖视图中，第一绝缘材料层371呈现具有线性侧表面的矩形形状，但本公开不限于此。第一绝缘材料层371的与电极层331_2和332_2接触的表面可以分别与发光元件350的两个侧部分对准，但是本公开不限于此。发光元件350的长度可以比第一绝缘材料层371的长度短，因此从顶部观察时，第一绝缘材料层371的两个侧部分可以突出。结果，第一绝缘材料层371和发光元件350可以像阶梯一样堆叠。在这种情况下，第一接触电极361和第二接触电极362中的每个的与发光元件350的侧表面接触的表面可以具有平滑的形状。
此外，可以设置第二绝缘材料层372，以保护发光元件350并使第一接触电极361和第二接触电极362电绝缘。第二绝缘材料层372可以设置在发光元件350上，并且可以从发光元件350的侧表面朝向中心凹陷。换言之，第二绝缘材料层372的长度可以比发光元件350的长度短。与第一绝缘材料层371类似，当设置第二绝缘材料层372时，第一接触电极361和第二接触电极362中的每个的与发光元件350的侧表面接触的表面可以具有平滑的形状。
第三绝缘材料层373可以设置在第一接触电极361上，以使其与第二接触电极362电绝缘。第三绝缘材料层373可以设置成覆盖第一接触电极361，并且可以不与发光元件350的一部分重叠，使得发光元件350可以连接到第二接触电极362。
第四绝缘材料层374可以形成在第三绝缘材料层373和第二接触电极362上，以用作针对外部环境的保护层。如果接触电极360被暴露，则电极可能被损坏，并且由此可能使接触电极材料断开。为了防止这种情况，第四绝缘材料层374可以覆盖它们。也就是说，可以设置第四绝缘材料层374来覆盖发光单元300的第一电极331、第二电极332和发光元件350。
第一绝缘材料层371、第二绝缘材料层372、第三绝缘材料层373和第四绝缘材料层374中的每个可以包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)的材料。第一绝缘材料层371、第二绝缘材料层372、第三绝缘材料层373和第四绝缘材料层374可以由相同的材料或不同的材料制成。此外，具有绝缘特性的各种材料中的任何一种都可以应用于第一绝缘材料层371、第二绝缘材料层372、第三绝缘材料层373和第四绝缘材料层374。
在基础层310上可以设置有一个或多个第一分隔壁380，以将发光单元300的多个像素区域PXa彼此分离开。如图2中所示，第一分隔壁380可以彼此间隔开，并且第一电极331、第二电极332和发光元件350可以设置在彼此间隔开的第一分隔壁380之间。此外，可以第一分隔壁380形成为覆盖电极线。
在发光单元300中，针对发射具有特定波长的光的发光元件350，通过第一分隔壁380将像素区域PXa分隔开。第一分隔壁380可以设置在像素区域PXa之间，以防止发光元件350在对准发光元件350时移动到另一相邻的像素区域PXa。例如，第一分隔壁380可以是但不限于聚酰亚胺(PI)。第一分隔壁380可以具有疏水表面。
然而，将理解的是，本公开不限于此。第一分隔壁380可以将多个像素区域PXa与其它多个像素区域PXa区分开。也就是说，在由第一分隔壁380形成的区域中可以设置有多个像素区域PXa。当多个像素区域PXa包括发射相同颜色的光的发光元件350时，相同的发光元件350可以一起对准在多个像素区域PXa中。在这种情况下，发光元件350可以移动到相邻的像素区域PXa，并且因此可以不通过第一分隔壁380对像素区域PXa进行划分。
此外，第一分隔壁380可以防止从发光元件350发射的光的颜色混合。当相邻的像素区域PXa包括发射具有不同波长带的光的发光元件350时，从像素区域PXa发射的光可能被混合。为了防止这种情况，第一分隔壁380可以在发光单元300上设置像素区域PXa之间，使得从一个像素区域PXa发射的光不进入另一个像素区域PXa，从而防止颜色混合。以这种方式，可以改善显示装置10的色域。
此外，为了提供发光单元300的平坦的上表面，还可以包括覆盖元件的平坦化层OC。如稍后将描述的，当通过不同的工艺形成发光单元300和颜色转换单元500并且然后将它们附接在一起以制造显示装置10时，有必要使发光单元300和颜色转换单元500之间的界面变平坦。为此，发光单元300可以包括平坦化层OC(参见图2)以具有平坦的上表面。
在一些示例性实施方式中，如图3中所示，显示装置10还可以包括电连接到发光元件350并控制发光元件350的发射的电路。该电路可以包括至少一个薄膜晶体管和至少一个电容器。
具体地，该电路可以设置在发光单元300下方。
该电路可以包括绝缘衬底110、设置在绝缘衬底110上的缓冲层115、设置在缓冲层115上的第一薄膜晶体管120、第二薄膜晶体管140和电力线161。该电路的配置不限于此。其可以包括两个或多个薄膜晶体管和一个或多个电容器，并且因此可以具有不同的结构。
第一薄膜晶体管120包括第一有源层126、第一栅电极121、第一漏电极123和第一源电极124。第一栅极绝缘层170可以设置在第一栅电极121和第一有源层126之间，以使它们彼此绝缘。第二栅极绝缘层180和层间电介质层190可以设置在第一栅电极121和第一漏电极123之间以及第一栅电极121和第一源电极124之间。电容器电极128可以设置在第二栅极绝缘层180和层间电介质层190之间。电容器电极128可以与第一栅电极121形成存储电容器。第一薄膜晶体管120可以设置在发光元件350的下方，并且可以部分地与发光元件350重叠。第一薄膜晶体管120可以是用于驱动发光元件350的驱动薄膜晶体管。
第二薄膜晶体管140包括第二有源层146、第二栅电极141、第二漏电极143和第二源电极144。第一栅极绝缘层170可以设置在第二栅电极141和第二有源层146之间，以使它们彼此绝缘。第二栅电极141可以在第一栅极绝缘层170上与第二有源层146的一部分重叠。第二栅极绝缘层180和层间电介质层190可以设置在第二栅电极141和第二漏电极143之间以及第二栅电极141和第二源电极144之间。第二薄膜晶体管140可以设置在发光元件350下方，并且可以部分地与发光元件350重叠。第二薄膜晶体管140可以是开关薄膜晶体管。
然而，将理解的是，本公开不限于此。第二薄膜晶体管140可以设置成使其不与发光元件350重叠。图4是沿着图2的线II-II'和III-III'截取的剖视图。参照图4，电力线161可以设置在发光单元300的像素区域PXa的外部。例如，如图2中所示，电力线161可以设置在发光单元300的像素区域PXa以外的区域中(例如，在其中绘制有线III-III'的区域)。发光元件350可以通过在像素区域PXa以外的区域中从第二电极332延伸的线与电力线161接触。
电力线161可以与第一薄膜晶体管120的第一栅电极121和第二薄膜晶体管140的第二栅电极141设置在相同的层上。电力线161可以使用连接线162电连接到第二电极332。因此，第二电极332可以电连接到电力线161以从电力线161接收电力。辅助层163可以设置在电力线161下方，以减小与周围区域的水平差。辅助层163不是必要的元件并且可以被省去。
第一栅极绝缘层170可以设置在缓冲层115上以覆盖第一有源层126和第二有源层146。第二栅极绝缘层180可以设置在第一栅极绝缘层170上以覆盖第一栅电极121和第二栅电极141。
层间电介质层190可以由包括有机材料或无机材料的单层或多层组成，并且可以设置在第二栅极绝缘层180上。将注意的是，可以省去第二栅极绝缘层180或层间电介质层190。
第一漏电极123和第一源电极124、以及第二漏电极143和第二源电极144可以形成在层间电介质层190上。第一漏电极123和第一源电极124可以通过穿过第一栅极绝缘层170、第二栅极绝缘层180和层间电介质层190而形成的接触孔分别连接到第一有源层126的漏区和源区。第二漏电极143和第二源电极144可以通过穿过第一栅极绝缘层170、第二栅极绝缘层180和层间电介质层190而形成的接触孔分别连接到第二有源层146的漏区和源区。
第一栅极绝缘层170可以覆盖辅助层163，并且可以在第一栅极绝缘层170上形成与辅助层163重叠的电力线161。电力线161可以通过相同的工艺由与第一栅电极121和第二栅电极141相同的材料制成。然而，将理解的是，本公开不限于此。辅助层163可以通过单独的工艺由与第一栅电极121和第二栅电极141不同的材料制成。
第二栅极绝缘层180和层间电介质层190可以设置在电力线161上，并且连接线162可以形成在层间电介质层190上。连接线162可以通过穿过第二栅极绝缘层180和层间电介质层190而形成的接触孔电连接到电力线161。
如上所述，多个发光元件350设置在第一电极331和第二电极332之间。发光元件350中的每个可以包括有源材料层以发射具有特定波长带的光。发光元件350可以发射具有不同波长的光，或者可以发射具有相同波长的光。
根据本公开的示例性实施方式，可以通过外延生长在衬底上形成发光元件350。具体地，在衬底上形成用于形成半导体层的籽晶层，并且然后在其上沉积并生长期望的半导体材料。在籽晶层上生长晶体以形成多个半导体层351和352，从而形成发光元件350。一旦形成发光元件350，可以将发光元件350与衬底分离并且使其对准在第一电极331和第二电极332之间。在下文中，将参照图5至图7详细描述发光元件350的结构。
图5至图7是示出根据本公开的示例性实施方式的发光元件的视图。
首先，参照图5，发光元件350可以包括多个半导体层351和352以及设置在多个半导体层351和352之间的有源材料层353。从第一电极331和第二电极332施加的电信号可以经由多个半导体层351和352传输到有源材料层353以发光。
具体地，发光元件350可以包括第一半导体层351、第二半导体层352、设置在第一半导体层351和第二半导体层352之间的有源材料层353、以及绝缘层354。图3示出了具有第一半导体层351、有源材料层353和第二半导体层352在纵向方向上顺序堆叠的结构的发光元件350的示例。
第一半导体层351可以是n型半导体层。例如，当发光元件350发射具有蓝色波长带的光时，第一半导体层351可以是具有以下分子式的半导体材料：InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，其可以是n型掺杂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层351可以掺杂有第一导电型掺杂剂。例如，第一导电型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。第一半导体层351的长度可以在1.5μm至5μm的范围内，但不限于此。
第二半导体层352可以是p型半导体层。例如，当发光元件350发射具有蓝色波长带的光时，第一半导体层352可以是具有以下分子式的半导体材料：InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，其可以是p型掺杂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层352可以掺杂有第二导电型掺杂剂。例如，第二导电型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Se、Ba等。第二半导体层352的长度可以在0.08μm至0.25μm的范围内，但不限于此。
有源材料层353可以设置在第一半导体层351和第二半导体层352之间，并且可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。有源材料层353可以响应于通过第一半导体层351和第二半导体层352施加的电信号，通过电子空穴对在其中的结合而发光。例如，当有源材料层353发射具有蓝色波长带的光时，其可以包括诸如AlGaN和AlInGaN的材料。取决于所发射的光的波长带，有源材料层353可以包括其它III族至V族半导体材料。因此，从有源材料层353发射的光不限于具有蓝色波长带的光。在一些实现方式中，有源材料层353可以发射具有红色波长带或绿色波长带的光。有源材料层353的长度可以在0.05μm至0.25μm的范围内，但不限于此。
从有源材料层353发射的光不仅可以出射穿过发光元件350的在纵向方向上的外表面，而且可以出射穿过两个侧表面。也就是说，从有源材料层353发射的光沿其传播的方向不限于一个方向。
绝缘层354可以形成在发光元件350的外部以保护发光元件350。例如，绝缘层354可以形成为围绕发光元件350的侧表面，且不位于发光元件350的在纵向方向上的两端(例如，设置有在第一半导体层351和第二层352的位置)处。然而，将理解的是，本公开不限于此。绝缘层354可以包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、氮化铝(AlN)和氧化铝(Al2O3)的具有绝缘特性的材料。因此，可以防止在有源材料层353与第一电极331或第二电极332接触时可能产生的电短路。此外，由于绝缘层354可以包括有源材料层353以保护发光元件350的外表面，因此可以防止发光效率的降低。
在一些示例性实施方式中，可以对绝缘层354进行表面处理，以使其分散在溶液中而不与其它绝缘材料层聚集。在将在下面描述的对准发光元件350的过程期间，发光元件350保持分散在溶液中以独立地对准在第一电极331和第二电极332之间。例如，绝缘层354的表面可以被处理成疏水的或亲水的，使得其可以保持分散在溶液中。
绝缘层354的厚度可以在0.5μm至1.5μm的范围内，但不限于此。
发光元件350可以是圆柱形的。将理解的是，发光元件350的形状不限于此，而是可以具有诸如立方体、长方体和六边形柱体的各种形状。发光元件350的长度可以在1μm至10μm的范围内、或2μm至5μm的范围内，并且优选地为约4μm。发光元件350的直径可以在400nm至700nm的范围内，并且优选地为约500nm。
参照图6和图7，发光元件350'可以进一步包括电极材料层356和357，电极材料层356和357位于其上设置有第一半导体层351和第二半导体层352的两个侧表面中的至少一个上。
在图6中所示的示例中，发光元件350'进一步包括仅在第二半导体层352上的第二电极材料层357。在图7中所示的示例中，发光元件350"进一步包括分别在第一半导体层351和第二半导体层352上的电极材料层356和357。为便于说明，形成于其上设置有第一半导体层351的一侧上的电极层被称为第一电极材料层356，且形成于其上设置有第二半导体层352的另一侧上的电极层被称为第二电极材料层357。然而，将理解的是，本公开不限于此。所述电极层中的任一个可以被称为第一电极材料层。
根据本公开的示例性实施方式，发光元件350'和350"可以包括第一电极材料层356和第二电极材料层357中的至少一个，并且绝缘层354可以在纵向方向上延伸以覆盖第一电极材料层356和第二电极材料层357。然而，将理解的是，本公开不限于此。绝缘层354可以仅覆盖第一半导体层351、有源材料层353和第二半导体层352，或者可以仅覆盖电极材料层356和357中的每个的外表面的一部分，使得第一电极材料层356和第二电极材料层357中的每个的外表面的另一部分可以被暴露。
第一电极材料层356和第二电极材料层357可以是欧姆接触电极。然而，将理解的是，本公开不限于此。电极材料层可以是肖特基接触电极。第一电极材料层356和第二电极材料层357可以包括导电金属。例如，第一电极材料层356和第二电极材料层357可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)和银(Ag)中的至少一种。第一电极材料层356和第二电极材料层357可以包括相同的材料或不同的材料。然而，将理解的是，本公开不限于此。
再参照图3，以上描述的发光元件350可以设置在彼此间隔开的第一电极331和第二电极332之间的空间中。发光元件350可以通过介电电泳(DEP)技术设置在所述空间中。在下文中，将参照图8至图10来描述对准发光元件350的方法。
图8至图10是示出根据本公开的示例性实施方式的对准发光元件的方法的视图。
首先参照图8，在发光单元300上方装填包含多个发光元件350的溶剂S，并且发光元件350可以转移到第一电极331和第二电极332上。溶剂S可以具有诸如墨水和糊剂的成分，并且可以是丙酮、水、酒精和甲苯中的一种或多种。然而，将理解的是，本公开不限于此。溶液S没有特别限制，只要其可以在室温下或通过加热蒸发即可。
一旦发光元件350被转移到发光单元300上，就使用介电电泳(DEP)技术来使发光元件350对准。
具体地，参照图9，可以向第一电极331和第二电极332施加来自电压源V的电源电压，从而在第一电极331和第二电极332之间形成电场E。电压源V可以是外部源、或在显示装置10内的电压源。电压源V可以是具有预定振幅和周期的AC电压源，或者可以是DC电压源。通过向第一电极331和第二电极332重复地施加电压，可以利用DC电压源来实现具有预定振幅和周期的电压源。
当向第一电极331和第二电极332施加电压时，由于向第一电极331和第二电极332赋予的电极性而产生电势差，并且因而形成电场E。在非均匀的电场E下，在发光元件350中感应出双极性，并且发光元件350通过介电电泳力(DEP力)而受到朝向电场E的较大倾斜或较小倾斜的力。发光元件350可以通过DEP力自对准在第一电极331和第二电极332之间。
在对准发光元件350之后，在室温下或通过加热来蒸发并去除溶剂S。结果，如图10中所示，发光元件350可以设置在第一电极331和第二电极332之间。随后，如图2中所示，形成第一接触电极361、第二接触电极362和多个绝缘材料层370，以形成发光单元300。
溶剂S可以包括至少一种发光元件350。为了在发光单元300的像素区域PXa中的每个中对准不同颜色的发光元件350，溶剂S可以包含发射多种颜色的光的发光元件350。此外，在溶剂S中可以混合有发射不同颜色的光的发光元件350。然而，将理解的是，本公开不限于此。
返回参照图1，显示装置10可以包括颜色转换单元500。颜色转换单元500可以包括颜色转换层520，其将从发光单元300提供的具有特定波长带的光转换成具有不同波长带的光。在下文中，将详细描述颜色转换单元500。
图11是根据本公开的示例性实施方式的颜色转换单元的剖视图。在图11的颜色转换单元500中，设置颜色转换单元500的支承衬底510，并且在支承衬底510上设置颜色转换层520。也就是说，通过将图11的颜色转换单元500与发光单元300联接，使得支承衬底510面向上侧，来实现图1中所示的显示装置10。
参照图1和图11，根据本公开的示例性实施方式的颜色转换单元500可以包括支承衬底510、颜色转换层520、滤色器层550、光阻挡构件BM和平坦化层OC。
支承衬底510可以支承位于其上的滤色器层550、颜色转换层520和光阻挡构件BM。如图1中所示，支承衬底510可以允许从在支承衬底510下方的发光单元300提供的光出射到显示装置10的外部。
支承衬底510可以是透明绝缘衬底。例如，支承衬底510可以包括但不限于玻璃材料、石英材料或半透明塑料材料。
光阻挡构件BM设置在支承衬底510上。光阻挡构件BM可以基本上阻挡从发光单元300提供的光的透射。因此，可以防止从多个像素层PXb发射的光的混合，以改善色域等。光阻挡构件BM可以设置成预定图案。例如，光阻挡构件BM可以具有围绕多个像素层PXb的晶格图案。
光阻挡构件BM可以包括对可见光具有高吸收率的材料。例如，光阻挡构件BM可以包括但不限于诸如铬的金属、金属氮化物、金属氧化物或以黑色着色的树脂材料。
颜色转换层520可以将从发光单元300入射的光转换成不同颜色的光。例如，当蓝光L3从发光单元300入射时，颜色转换层520可以将蓝光L3转换成绿光L2。然而，将理解的是，本公开不限于此。
颜色转换层520可以在光阻挡构件BM之间设置成与支承衬底510间隔开。然而，将理解的是，本公开不限于此。颜色转换层520的一部分可以设置在光阻挡构件BM上，以便与光阻挡构件BM的至少一部分重叠。颜色转换单元500可以包括多个颜色转换层520。颜色转换层520(例如，第一颜色转换层521、第二颜色转换层522和第三颜色转换层523)可以分别设置在像素层PXb上，以转换和发射从发光单元300入射的光。
颜色转换层520可以包含颜色转换颗粒530，其将具有特定波长带的入射第一光L转换成具有与第一光L的波长带不同的波长带的第二光L'。根据本公开的示例性实施方式，颜色转换颗粒530可以是量子点材料或磷光体材料。
当颜色转换颗粒530是量子点材料时，如果具有特定波长带的第一光L入射，则量子点材料的价带(VB)电子被激发到导带(CB)。然后，电子返回到价带(VB)，可以发射具有经转换的波长带的第二光L'。
量子点材料可以具有核-壳结构。核可以是半导体纳米晶体材料。量子点材料的核的示例可以包括但不限于硅(Si)纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体和III-V族化合物纳米晶体等。例如，量子点材料可以包括由硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、硫化镉(CdS)和磷化铟(InP)中的至少一种制成的核、以及由硫化锌(ZnS)制成的壳。
当颜色转换颗粒530是量子点材料时，可以调节量子点材料的颗粒大小，以控制出射光的波长。例如，量子点材料的直径大小可以是约
Figure BDA0002858846970000221
到
Figure BDA0002858846970000222
并且蓝光可以入射，以发射红光。此外，量子点材料的颗粒大小可以是约
Figure BDA0002858846970000223
至
Figure BDA0002858846970000224
并且蓝光可以入射，以发射绿光。然而，将理解的是，本公开不限于此。
颜色转换颗粒530不一定是球形量子点材料。在一些实现方式中，颜色转换颗粒530可以是磷光体材料、板状材料、棒状材料或钙钛矿量子点材料。颜色转换颗粒530的材料在本文中没有特别限制，只要其可以将具有特定波长的入射光转换成具有另一波长的光即可。在下文中，将描述颜色转换颗粒530是球形量子点材料的示例。
颜色转换颗粒530可以分散在透光树脂R上。透光树脂R没有特别限制，只要其不吸收入射在颜色转换层520上的光并且不影响颜色转换颗粒530的光的吸收和发射即可。例如，透光树脂R可以包括但不限于有机材料，诸如基于环氧的树脂和基于丙烯酸的树脂。
包括颜色转换颗粒530的颜色转换层520可以例如通过诸如喷墨注入或光刻胶(PR)的多种不同的工艺形成。
当具有一种波长的光入射在颜色转换颗粒530上并且然后在对其波长进行转换之后发射时，其具有散射特性，即，其在随机方向上发射(朗伯(Lambertian)发射)。因此，包括这种颜色转换颗粒的颜色转换层520可以使从前表面和侧表面发射的光具有均匀亮度，即使在没有另外的散射体的情况下。将理解的是，颜色转换层520还可以包括另外的散射体(未示出)以提高光转换效率。散射体的材料没有特别限制，只要它们能够均匀地散射光即可。例如，散射体可以是诸如SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、In2O3、ZnO、SnO2、Sb2O3和ITO的纳米颗粒。
如上所述，包含颜色转换颗粒530的颜色转换层520可以发射具有特定波长带的光。取决于由像素层PXb发射的光，颜色转换层520可以包含多种类型的颜色转换颗粒530。例如，当蓝光L3从发光单元300入射时，第一颜色转换层521可以包含将蓝光L3转换成红光L1的颜色转换颗粒530，并且第二颜色转换层522可以包含将蓝光转换成绿光L2的颜色转换颗粒530。因此，为了形成包含不同的颜色转换颗粒530的多个颜色转换层520，必须重复相同的过程数次。相反，由于根据本公开的示例性实施方式的显示装置10仅包括相同类型的颜色转换颗粒530(例如，仅包括发射绿光的颜色转换颗粒530)，因而可以减少形成颜色转换层520的过程的数量。稍后将给出对其的详细描述。
参照图11，滤色器层550可以设置在颜色转换层520和支承衬底510之间。滤色器层550可以确定从发光单元300入射并穿过颜色转换层520以最终在显示装置10的像素PX上显示的光的颜色。
滤色器层550可以用作原样地透射入射光的有色透射层。然而，将理解的是，本公开不限于此。滤色器层550可以是滤色器或波长选择性光学过滤器，其透射具有一种波长的第一光，同时阻挡或反射具有其它波长的第二光、第三光等。
滤色器层550可以包括透明有机层，并用作原样地透射入射光的有色透射层。此外，为了提高所透射的颜色的色纯度，滤色器层550可以包括具有处于特定波长带中的颜色的着色剂。着色剂可以分散在滤色器层550的透明有机层中。然而，将理解的是，本公开不限于此。
如图11中所示，滤色器层550可以包括第一滤色器层551、第二滤色器层552和第三滤色器层553。滤色器层550可以分别设置在像素层PXb1、PXb2和PXb3中。不同颜色的光可以从发光单元300的像素区域PXa1、PXa2和PXa3入射在颜色转换层520上。因此，滤色器层550可以选择性地设置在像素层PXb1、PXb2和PXb3上，以控制由显示装置10的像素PX1、PX2和PX3呈现的颜色。
例如，第一滤色器层551可以设置在第一像素层PXb1中，并且可以作为原样地透射入射光的有色透射层。第二滤色器层552和第三滤色器层553可以分别设置在第二像素层PXb2和第三像素层PXb3中，从而仅透射具有特定波长带的光并且阻挡或反射其它光。然而，将理解的是，本公开不限于此。第一滤色器层551、第二滤色器层552和第三滤色器层553全部都可以用作滤色器。这可以根据设置在发光单元300中的发光元件350的配置来选择性地调节，这将稍后描述。根据本公开的示例性实施方式，显示装置10可以包括第一滤色器层551、第二滤色器层552和第三滤色器层553，其中第一滤色器层551是透射红光L1的有色光透射层，第二滤色器层552是透射绿光L2的滤色器，第三滤色器层553是传递蓝光L3的滤色器。这将在下面详细描述。
颜色转换单元500还可以包括低折射率层(未示出)，其被设置成围绕颜色转换层520的外表面。低折射率层可以比颜色转换层520和滤色器层550具有更低的折射率，并且可以全反射从颜色转换层520或滤色器层550入射的具有特定波长带的光。经全反射的光可以在颜色转换层520中再循环，从而改善光转换效率。
封盖层CL可以设置在颜色转换层520的外表面上，以覆盖和保护颜色转换颗粒530或透光树脂R。图11示出了封盖层CL设置在颜色转换层520的与接触滤色器层550的表面相对的表面上的示例。然而，将理解的是，本公开不限于此。封盖层CL可以设置在颜色转换层520的侧表面上，或者设置在滤色器层550和颜色转换层520之间。此外，在图11中所示的示例中，设置单个封盖层CL以覆盖所有的第一颜色转换层521、第二颜色转换层522和第三颜色转换层523。然而，可以设置多个封盖层CL以分别覆盖颜色转换层521、522和523。
封盖层CL可以包括无机材料。例如，封盖层CL可以包括但不限于硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少一种。当在颜色转换层520的外表面上设置上述低折射率层时，可以省去封盖层CL。
平坦化层OC可以设置在颜色转换层520、滤色器层550、光阻挡构件BM等之上。平坦化层OC可以被设置成覆盖设置在支承衬底510上的所有元件。因此，平坦化层OC可以提供颜色转换单元500的平坦上表面，以减小由设置在支承衬底510上的元件产生的水平差。由于颜色转换单元500的上表面通过平坦化层OC变得平坦，因而其可以被附接到通过单独工艺形成的发光单元300，以制造显示装置10，如稍后将描述的。
平坦化层OC可以包括有机材料。例如，平坦化层OC可以包括热固性树脂。例如，平坦化层OC可以包括但不限于选自由基于碳的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于丙烯酸的树脂、基于硅氧烷的树脂和基于倍半硅氧烷的树脂构成的组的至少一种。
当通过不同的工艺形成颜色转换单元500和发光单元时，颜色转换单元500和发光单元300可以通过粘合剂层PSA附接在一起。如图1中所示，粘合剂层PSA设置在发光单元300的上表面和颜色转换单元500的平坦化层OC的平坦表面上，使得发光单元300可以与颜色转换单元500联接。
粘合剂层PSA的类型在本文中没有特别限制，只要其能够将元件彼此联接即可。例如，粘合剂层PSA可以由光学透明粘合剂(OCA)、光学透明树脂(OCR)或压敏粘合剂(PSA)制成。
返回参照图1，显示装置10可以包括发射红光L1的第一发光元件350_1、发射蓝光L3的第二发光元件350_2、以及将蓝光L3转换成绿光L2的颜色转换颗粒530。
具体地，发射红光L1的第一发光元件350_1可以设置在发光单元300的第一像素区域PXa1中，并且发射蓝光L3的第二发光元件350_2可以设置在第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3中的每个中。此外，颜色转换单元500的第一颜色转换层521、第二颜色转换层522和第三颜色转换层523可以包括将入射的蓝光L3转换成绿光L2的颜色转换颗粒530。
当显示装置10显示具有特定波长带的光(例如，红光L1、绿光L2和蓝光L3)时，可以使用发射不同颜色的光的不同的发光元件350。在这种情况下，制造显示装置10需要分别发射红光L1、绿光L2和蓝光L3的光的三种发光元件350。因此，用于将发光元件350设置在第一电极331和第二电极332之间的介电电泳(DEP)技术必须执行三次，并且增加了形成发光元件350的附加工艺。制造或设置发光元件350的工艺需要重复执行一系列步骤。结果，可能增加工艺成本，并且可能降低产率。在本领域中已知的是，发射绿光的发光元件350因材料的性质而比发射蓝光的发光元件350具有更低的发光效率。
出于这个原因，先前通过使用发射蓝光L3的一种类型发光元件350(其表现出优异的发光效率)并且通过使用颜色转换单元500来呈现红光L1、绿光L2和蓝光L3。然而，为了将蓝光L3转换成红光L1和绿光L2，需要形成包含不同的颜色转换颗粒530的颜色转换层520的过程。形成颜色转换层520的过程也需要重复执行一系列步骤。
相反，根据本公开的示例性实施方式，显示装置10包括发射红光L1的第一发光元件350_1和发射蓝光L3的第二发光元件350_2。此外，显示装置10包括包含相同类型的颜色转换颗粒530(例如，允许射出绿光L2的颜色转换颗粒530)的颜色转换层520。以这种方式，可以减少重复执行的过程的数量。此外，由于因材料的性质而具有低发光效率的绿光L2被转换成蓝光L3，因而可以提高绿光L2的发光效率。
如图1中所示，在根据本公开的示例性实施方式的显示装置10中，第一像素区域PXa1包括用于发射红光L1的第一发光元件350_1，并且第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3中的每个包括用于发射蓝光L3的第二发光元件350_2。从第一像素区域PXa1发射的红光L1入射到第一颜色转换层521上，并且然后入射在第一滤色器层551上。由于第一颜色转换层521中包括的颜色转换颗粒530吸收蓝光L3以将其转换成绿光L2，因此入射的红光L1不被转换，而是原样地入射在第一滤色器层551上。第一滤色器层551仅透射红光L1并阻挡其它颜色的光的透射。因此，从第一像素PX1发射红光L1。
从第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3发射蓝光L3，并且蓝光L3分别入射在第二颜色转换层522和第三颜色转换层523上。蓝光L3入射在第二颜色转换层522和第三颜色转换层523中的每个的颜色转换颗粒530上，并且它们中的一些被发射为绿光L2。因此，蓝光L3和绿光L2的混合光入射在第二滤色器层552和第三滤色器层553中的每个上。
第二滤色器层552透射绿光L2并阻挡其它颜色的光的透射。第三滤色器层553透射蓝光L3并阻挡其它颜色的光的透射。结果，从第二像素PX2发射绿光L2，并且从第三像素PX3发射蓝光L3。
如上所述，绿光L2的发光效率低于蓝光L3的发光效率。在根据本公开的示例性实施方式的显示装置10中，绿光L2以及蓝光L3在第二像素层PXb2的第二颜色转换层522中入射在第二滤色器层552上。当从第二发光元件350_2入射在第二颜色转换层522上的蓝光L3的量恒定时，随着由颜色转换颗粒530转换的绿光L2的量的增加，透射第二滤色器层552的绿光L2的量可以增加。在示例性实施方式中，在显示装置10中，第二颜色转换层522可以包括比第一颜色转换层521和第三颜色转换层523更多的颜色转换颗粒530。在形成颜色转换层520的过程中，可以在第二颜色转换层522上选择性地装填包含大量颜色转换颗粒530的颜色转换颗粒墨水531。随着第二颜色转换层522中包含的颜色转换颗粒530的数量增加，由颜色转换颗粒530从蓝光L3转换的绿光L2可以增加。因此，可以抑制在第二颜色转换层522中入射在第二滤色器层552上并且出射到显示装置10的外部的绿光L2的颜色坐标的变化。
在下文中，将描述根据示例性实施方式的形成显示装置10的发光单元300和颜色转换单元500的过程。将参照图12至图20给出描述。
图12至图14是示出根据本公开的示例性实施方式的形成包括第一颜色发光元件和第二颜色发光元件的发光单元的过程的示意图。发光单元300_1包括由第一像素区域PXa1、第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3限定的区域，并且相邻的像素区域可以由第一分隔壁380分离开。在装填发光元件350之后，可以如以上参照图8至图10描述地通过电场E来使发光元件350对准。在下文中，将侧重于不同之处进行描述。
可以通过执行经由介电电泳(DEP)技术使第一发光元件350_1对准的过程一次、以及执行经由介电电泳(DEP)技术使第二发光元件350_2对准的过程一次，来形成发光单元300_1。结果，与通过使发射红光L1、绿光L2和蓝光L3的发光元件350分别对准来制造发光单元300的过程的数量相比，可以减少重复执行介电电泳(DEP)技术的过程的数量。
首先，参照图12，在第一像素区域PXa1中装填发射第一颜色的光L1的第一发光元件350_1，并且在第一电极331和第一电极331之间施加电源电压以对准第一发光元件350_1。仅向第一像素区域PXa1施加电源电压，以在第一电极331和第二电极332之间形成电场E。由此，发光单元300的第一分隔壁380可以防止第一发光元件350_1移动到第二像素区域PXa2或第三像素区域PXa3。
随后，参照图13，在第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3中的每个中装填发射蓝光的第二发光元件350_2，并且在第一电极331和第一电极331之间施加电源电压以对准第二发光元件350_2。向第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3施加电源电压。发光单元300的第一分隔壁380可以防止第二发光元件350_2移动到第一像素区域PXa1。然而，由于在第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3中设置相同的第二发光元件350_2，因此在一些实现方式中，可以省去第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3之间的第一分隔壁380。
随后，当通过加热来干燥或蒸发包含第一发光元件350_1和第二发光元件350_2的溶剂S时，可以将第一发光元件350_1和第二发光元件350_2设置在第一电极331和第二电极332之间。参照图14，将第一发光元件350_1设置在第一像素区域PXa1中，并且将第二发光元件350_2设置在第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3中的每个中。一旦将第一发光元件350_1和第二发光元件350_2设置在第一电极331和第二电极332之间，就在第一电极331和第二电极332上堆叠接触电极361和362以及多个绝缘材料层370，以形成发光单元300_1。如稍后将描述的，发光单元300_1通过粘合剂层PSA附接到颜色转换单元500_1，可以设置平坦化层OC以提供发光单元300_1的平坦上表面。然而，将理解的是，本公开不限于此。
随后，将描述形成包含相同颜色转换颗粒530的颜色转换单元500_1的方法。可以通过在支承衬底510上顺序堆叠诸如光阻挡构件BM、多个滤色器层550和颜色转换层520的元件来形成颜色转换单元500_1。
图15至图20是示出根据本公开的示例性实施方式的形成颜色转换单元的方法的示意图。
首先，如图15中所示，准备支承包括在颜色转换单元500_1中的多个元件的支承衬底510。在支承衬底510上形成各种元件之前，执行清洁处理，以去除粘附到支承衬底510的杂质或灰尘。如上所述，支承衬底510可以包括由第一像素层PXb1、第二像素层PXb2和第三像素层PXb3限定的区域，并且相邻的像素层PXb可以由光阻挡构件BM分离开，这将稍后描述。
随后，参照图16，在支承衬底510上形成光阻挡构件BM。以上已经描述了支承衬底510和光阻挡构件BM的诸如结构和材料的配置。
随后，参照图17，在其上设置有光阻挡构件BM的支承衬底510上形成滤色器层550。滤色器层550设置在支承衬底510上，并且设置在彼此间隔开的光阻挡构件BM之间。例如，第一滤色器层551、第二滤色器层552和第三滤色器层553分别形成在第一像素层PXb1、第二像素层PXb2和第三像素层PXb3中。然而，将理解的是，本公开不限于此。
根据本公开的示例性实施方式，设置在支承衬底510上的第一滤色器层551、第二滤色器层552和第三滤色器层553可以分别透射红光L1、绿光L2和蓝光L3，并且可以阻挡其它颜色的光的透射。如上所述，第一滤色器层551、第二滤色器层552和第三滤色器层553中的每个都可以用作只透射特定光的有色透射层或滤色器。因此，显示装置10的像素PX可以在光透射过支承衬底510的滤色器层550时发射不同颜色的光。
滤色器层550可以通过经由使用光敏有机材料的光学工艺或喷墨工艺进行图案化来形成。然而，将理解的是，本公开不限于此。
随后，参照图18和图19，在设置于光阻挡构件BM之间的滤色器层550中的每个上装填包含颜色转换颗粒530的颜色转换颗粒墨水531，并且将颜色转换颗粒墨水531干燥和固化以形成颜色转换层520。如上所述，虽然颜色转换颗粒530的类型没有特别限制，诸如是量子点材料或棒状材料，但是将注意的是，在滤色器层550上装填相同的颜色转换颗粒530。根据本公开的示例性实施方式，颜色转换颗粒530可以包括在蓝光L3入射时发射绿光L2的光的量子点材料。因此，当红光L1入射到颜色转换颗粒530上时，颜色转换颗粒530不吸收红光L1，并且因此红光L1原样地透射。当蓝光L3入射时，颜色转换颗粒530吸收蓝光L3并发射第二颜色的光L2。
如图18和图19中所示，装填在滤色器层550上的颜色转换颗粒墨水531不能从光阻挡构件BM周围移动到相邻的像素层PXb。光阻挡构件BM可以防止颜色转换颗粒墨水531在像素层PXb之间混合。将注意的是，由于颜色转换单元500包括相同类型的颜色转换颗粒530，因而可以跨越像素层PXb进行颜色转换颗粒墨水531的装填。也就是说，颜色转换颗粒墨水531不限于特定的像素层PXb，而是可以装填在整个支承衬底510上。因此，装填颜色转换颗粒530的过程可以在形成颜色转换单元500_1的过程期间仅执行一次。因此，不需要执行三次喷墨处理以对不同的像素装填不同的颜色转换颗粒530，并且因此可以改善工艺成本和产率。此外，即使装填在像素中的每个上的墨水溢出到另一相邻的像素PX，也不会进行颜色混合，从而可以降低缺陷率。
最后，如图20中所示，可以在颜色转换层520之上形成平坦化层OC，以提供颜色转换单元500_1的平坦表面。在平坦化层OC上形成用于与发光单元300_1结合的粘合剂层PSA。
这样形成的发光单元300_1和颜色转换单元500_1可以通过粘合剂层PSA附接在一起，以制造图1的显示装置10。其中第一发光元件350_1的第一像素区域PXa1与其中形成有第一滤色器层551的第一像素层PXb1重叠。从第一发光元件350_1发射的红光L1不被第一颜色转换层521转换，而是可以原样地透射过第一滤色器层551，从而可以向显示装置10外部显示红光L1。
此外，其中设置有第二发光元件350_2的第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3分别与其中形成有第二滤色器层552的第二像素层PXB2和其中形成有第三滤色器层553的第三像素层PXb3重叠。从第二发光元件350_2发射的蓝光L3中的一些可以在第二颜色转换层522和第三颜色转换层523中被转换成绿光L2。将注意的是，由第二滤色器层552和第三滤色器层553呈现到显示装置10外部的光分别是绿光L2和蓝光L3。
因此，在这样制造的图1的显示装置10中，可以从第一像素PX1发射红光L1，可以从第二像素PX2发射绿光L2，并且可以从第三像素PX3发射蓝光L3。由于从第二发光元件350_2提供的蓝光L3被转换成绿光L2并被显示为绿光L2，因而可以改善绿光的发光效率。此外，与具有相同配置的现有显示装置相比，可以减少制造所需的过程数量，从而降低工艺成本并改善制造产率。
此外，为了进一步改善绿光L2的发光效率，第二颜色转换层522中的颜色转换颗粒530的密度可以高于第一颜色转换层521或第三颜色转换层523中的颜色转换颗粒530的密度。
不是所有入射在第二颜色转换层522上的蓝光L3都可以被转换成绿光L2。颜色转换颗粒530的含量越大，可以吸收的蓝光L3越多，并且可以射出的绿光L2越多。具体地，当第二颜色转换层522包括比第三颜色转换层523更大量的颜色转换颗粒530时，入射在第二滤色器层552上的绿光L2的量可以大于入射在第三滤色器553上的绿光L2的量。即使具有发射相同的蓝光L3的第二发光元件350_2，也可以根据颜色转换颗粒530的含量来控制绿光L2的量。因此，即使蓝光L3和绿光L2的混合光入射在第二滤色器层552上，也可以抑制仅纯绿光L2出射并且抑制颜色坐标改变。
在下文中，将描述根据本公开的其它示例性实施方式的显示装置。
图21是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的剖视图。图22是示出包含颜色转换颗粒的颜色转换颗粒墨水直接装填在发光单元中的视图。
图21示出了颜色转换单元500_2直接形成在发光单元300_2上的显示装置10'的示例。具体地，根据本公开的示例性实施方式，与图1的显示装置10不同，省略了单独形成发光单元300_2和颜色转换单元500_2并将它们附接在一起的过程。因此，可以省去颜色转换单元500_2的粘合剂层PSA和平坦化层OC。
在图21的显示装置10'中，颜色转换颗粒墨水531_2直接装填在包括第一发光元件350_1和第二发光元件350_2的发光单元300_2上，以形成颜色转换层520_2。
具体地，如图22中所示，包含颜色转换颗粒530的颜色转换颗粒墨水531直接装填在发光单元300_2的第一像素区域PXa1、第二像素区域PXa2和第三像素区域PXa3上。第一分隔壁380可以像颜色转换单元500_2的光阻挡构件BM那样防止颜色转换颗粒墨水531移动到另一个相邻的像素区域PXa。然而，由于根据示例性实施方式的颜色转换颗粒530包括相同种类的材料，因此在一些实现方式中可以省去第一分隔壁380。在装填包含颜色转换颗粒530的颜色转换颗粒墨水531之后，通过加热干燥或蒸发墨水以形成颜色转换层520_2。滤色器层550_2、光阻挡构件BM和支承衬底510_2堆叠在颜色转换层520_2上，从而可以制造显示装置10'。除了颜色转换单元500_2直接形成在发光单元300_2上之外，图21的显示装置10'与图1的显示装置10基本上相同。在下文中，将侧重于不同之处进行描述。
由于在图21的显示装置10'中，颜色转换颗粒530直接装填在发光单元300_2上，因而颜色转换颗粒530可以设置成相对靠近于发光元件350。在图1的显示装置10中，在颜色转换颗粒530和发光元件350之间设置有至少一个平坦化层OC、粘合剂层PSA等。相反，在图21的显示装置10'中，颜色转换颗粒530可以直接设置在发光元件350上，并且也可以设置在发光元件350的侧表面上。
此外，由于在显示装置10'中可以省去平坦化层OC，因而发光单元300_2的第一分隔壁380可以至少部分地与颜色转换单元500_2的光阻挡构件BM接触。因此，第一分隔壁380可以支承设置在发光单元300_2上的颜色转换单元500_2。此外，第一分隔壁380可以与光阻挡构件BM一起将像素区域PXa和像素层PXb彼此分开，从而防止从发光元件350发射的光的颜色混合。然而，将理解的是，本公开不限于此。
发光元件300_2的像素区域PXa中的每个可以包括多个发光元件350PXa，并且发光元件350可以彼此间隔开。虽然在附图中未示出，但是第一电极331和第二电极332可以在发光单元300中在一个方向上延伸，以布置成直线。也就是说，由于第一电极331与第二电极332间隔开而形成的区域也可以是直线。因此，设置在第一电极331和第二电极332之间的多个发光元件350可以具有形成在发光元件350之间的一些空的空间，并且颜色转换颗粒530可以直接设置在空的空间中。在这种情况下，即使在没有任何另外的低折射率层的情况下，从发光元件350发射的光中的大部分也可以进入颜色转换颗粒530。因此，可以减少光泄漏以进一步改善光转换效率。
此外，在根据该示例性实施方式的显示装置10'中，第一发光元件350_1和第二发光元件350_2可以一起设置在发光单元300的像素区域PXa中的每个中。
图23是示出根据本公开的再一示例性实施方式的显示装置的发光单元的平面图。图24是示出在图23的显示装置的发光单元中对准发光元件的过程的视图。
参照图23和图24，不同的发光元件350可以一起设置在单个像素区域PXa中。例如，如图23中所示，发射红光L1的第一发光元件350_1和发射蓝光L3的第二发光元件350_2可以一起设置在像素区域PXa中的每个中。也就是说，在像素区域PXa中的每个中，红光L1和蓝光L3的混合光可以入射在相应的颜色转换层520上。在使发光元件350_1和350_2在彼此间隔开的第一电极331和第二电极332之间对准的过程期间，可以一次性地装填混合有第一发光元件350_1和第二发光元件350_2的墨水531_2，并且可以向所有像素区域PXa施加电压，从而将第一发光元件350_1和第二发光元件350_2对准在一起。
在根据本公开的示例性实施方式的显示装置10中，由于第一发光元件350_1和第二发光元件350_2一起设置在像素区域PXa的每个中，因而红光L1和蓝光L3可以入射在颜色转换层520上。也就是说，第一颜色转换层521、第二颜色转换层522和第三颜色转换层523可以允许由颜色转换颗粒530转换的绿光L2以及从发光单元300入射的红光L1和蓝光L3出射。在这种情况下，第一滤色器层551、第二滤色器层552和第三滤色器层553全部用作滤色器CF，使得红光L1、绿光L2和蓝光L3可以出射到显示装置10的外部。
在结束详细描述时，本领域的技术人员将理解的是，在基本上不背离本发明的原理的情况下，可以对优选实施方式作出许多变化和修改。因此，所公开的本发明的优选实施方式仅以概述性和描述性含义使用，而不是出于限制的目的。

Claims (20)

1.显示装置，包括第一像素和第二像素，所述显示装置包括：
发光层；
颜色转换层，设置在所述发光层上；以及
滤色器层，设置在所述颜色转换层上，
其中，所述发光层包括设置在所述第一像素中的第一发光元件和设置在所述第二像素中的第二发光元件，
其中，所述颜色转换层包括设置在所述第一像素中的第一颜色转换层和设置在所述第二像素中的第二颜色转换层，
所述滤色器层包括设置在所述第一像素中的第一滤色器层和设置在所述第二像素中的第二滤色器层，
所述第一发光元件和所述第二发光元件发射第一光，所述第一光的中心波长范围是第一波长，
所述第一颜色转换层和所述第二颜色转换层包含将所述第一光转换成第二光的颜色转换颗粒，
所述第二光的中心波长范围是比所述第一波长长的第二波长，
所述第一滤色器层透射所述第一光并阻挡所述第二光的透射，以及
所述第二滤色器层透射所述第二光并阻挡所述第一光的透射。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第三像素，
其中，所述发光层还包括设置在所述第三像素中的第三发光元件，其中，所述颜色转换层还包括设置在所述第三像素中的第三颜色转换层，
所述滤色器层还包括设置在所述第三像素中的第三滤色器层，
所述第三发光元件发射第三光，所述第三光的中心波长范围是比所述第二波长长的第三波长，
所述第三颜色转换层包含所述颜色转换颗粒，以及
所述第三滤色器层阻挡所述第一光和所述第二光的透射并透射所述第三光。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第三滤色器层接收所述第三光。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述颜色转换颗粒不转换所述第三光的波长。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一滤色器层和所述第二滤色器层中的每个接收所述第一光和所述第二光的混合光。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述颜色转换颗粒分散在所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述第三颜色转换层中，以及
其中，分散在所述第二颜色转换层中的所述颜色转换颗粒的密度大于所述第一颜色转换层和所述第三颜色转换层中的每个的所述颜色转换颗粒的密度。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，入射在所述第二滤色器层上的所述第二光的量大于入射在所述第一滤色器层上的所述第二光的量。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一光的所述中心波长范围在430nm到470nm的范围内，
其中，所述第二光的所述中心波长范围在530nm至570nm的范围内，以及
所述颜色转换颗粒包括量子点材料。
9.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一颜色转换层的至少一部分与所述第一发光元件重叠，
其中，所述第二颜色转换层的至少一部分与所述第二发光元件重叠，
所述第三颜色转换层的至少一部分与所述第三发光元件重叠，以及
所述颜色转换颗粒设置成与所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件中的至少一个相邻。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述颜色转换颗粒设置成与所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件的至少一侧的侧表面重叠。
11.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述发光层还包括设置在所述第一发光元件和所述第二发光元件之间的第一分隔壁、以及设置在所述第二发光元件和所述第三发光元件之间的第二分隔壁。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，从所述第二发光元件发射并朝向所述第一颜色转换层或所述第三颜色转换层透射的所述第一光的至少一部分被反射离开所述第一分隔壁和所述第二分隔壁以入射在所述第二颜色转换层上。
13.根据权利要求2所述的显示装置，包括：
第一平坦化层，设置在所述发光层上，以覆盖所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件；
第二平坦化层，设置在所述颜色转换层下方，以提供所述颜色转换层的平坦下表面；以及
粘合剂层，设置在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间，
其中，所述第一平坦化层、所述粘合剂层和所述第二平坦化层在所述发光层和所述颜色转换层之间彼此堆叠。
14.显示装置，包括第一像素、第二像素和第三像素，所述显示装置包括：
发光层；
颜色转换层，设置在所述发光层上；以及
滤色器层，设置在所述颜色转换层上，
其中，所述发光层包括设置在所述第一像素中的第一发光元件、设置在所述第二像素中的第二发光元件和设置在所述第三像素中的第三发光元件，
所述颜色转换层包括设置在所述第一像素中的第一颜色转换层、设置在所述第二像素中的第二颜色转换层和设置在所述第三像素中的第三颜色转换层，
所述滤色器层包括设置在所述第一像素中的第一滤色器层、设置在所述第二像素中的第二滤色器层和设置在所述第三像素中的第三滤色器层，
所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件发射具有第一波长的第一光和具有第三波长的第三光的混合光，所述第三波长比所述第一波长长，
所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述第三颜色转换层包含将所述第一光转换成具有第二波长的第二光的颜色转换颗粒，所述第二波长比所述第一波长长且比所述第三波长短，
所述第一滤色器层透射所述第一光并阻挡所述第二光和所述第三光的透射，
所述第二滤色器层透射所述第二光并阻挡所述第一光和所述第三光的透射，以及
所述第三滤色器层透射所述第三光并阻挡所述第一光和所述第二光的透射。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一光和所述第二光的混合光入射在所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述第三颜色转换层中的每个上。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一光、所述第二光和所述第三光的混合光入射在所述第一滤色器层、所述第二滤色器层和所述第三滤色器层中的每个上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述颜色转换颗粒分散在所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述第三颜色转换层中，以及
其中，分散在所述第二颜色转换层中的所述颜色转换颗粒的密度大于所述第一颜色转换层和所述第三颜色转换层中的每个的所述颜色转换颗粒的密度。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，入射在所述第二滤色器层上的所述第二光的量大于入射在所述第一滤色器层上的所述第二光的量。
19.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一颜色转换层的至少一部分与所述第一发光元件重叠，
其中，所述第二颜色转换层的至少一部分与所述第二发光元件重叠，
所述第三颜色转换层的至少一部分与所述第三发光元件重叠，以及
所述颜色转换颗粒设置成与所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件中的至少一个相邻。
20.根据权利要求14所述的显示装置，包括：
第一平坦化层，设置在所述发光层上以覆盖所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件；
第二平坦化层，设置在所述颜色转换层下方，以提供所述颜色转换层的平坦下表面；以及
粘合剂层，设置在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间，
其中，所述第一平坦化层、所述粘合剂层和所述第二平坦化层在所述发光层和所述颜色转换层之间彼此堆叠。
CN201880095055.1A 2018-06-26 2018-09-21 显示装置 Pending CN112424733A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0073582 2018-06-26
KR1020180073582A KR102568308B1 (ko) 2018-06-26 2018-06-26 표시 장치
PCT/KR2018/011307 WO2020027369A1 (ko) 2018-08-01 2018-09-21 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112424733A true CN112424733A (zh) 2021-02-26

Family

ID=69153769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880095055.1A Pending CN112424733A (zh) 2018-06-26 2018-09-21 显示装置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102568308B1 (zh)
CN (1) CN112424733A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113380937A (zh) * 2021-05-28 2021-09-10 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102568353B1 (ko) 2018-08-16 2023-08-18 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR102541260B1 (ko) 2018-12-13 2023-06-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210095774A (ko) * 2020-01-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210138834A (ko) 2020-05-12 2021-11-22 삼성디스플레이 주식회사 타일형 표시 장치
KR20210153171A (ko) * 2020-06-09 2021-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20220014470A (ko) * 2020-07-28 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220019198A (ko) * 2020-08-07 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220031786A (ko) * 2020-09-03 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220033578A (ko) * 2020-09-07 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220054507A (ko) * 2020-10-23 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
KR20220111513A (ko) * 2021-02-02 2022-08-09 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8564187B2 (en) * 2011-06-20 2013-10-22 Emagin Corporation Color organic light-emitting diode display device
US10304813B2 (en) * 2015-11-05 2019-05-28 Innolux Corporation Display device having a plurality of bank structures
KR20170096583A (ko) * 2016-02-16 2017-08-24 박철 양자점층과 칼라필터층이 적층이 된 유기발광소자
KR20180036220A (ko) * 2016-09-30 2018-04-09 엘지디스플레이 주식회사 컬러필터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR101947643B1 (ko) * 2016-12-02 2019-02-13 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113380937A (zh) * 2021-05-28 2021-09-10 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210273142A1 (en) 2021-09-02
KR20200001649A (ko) 2020-01-07
US20210399181A9 (en) 2021-12-23
KR102568308B1 (ko) 2023-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102568308B1 (ko) 표시 장치
EP3832442B1 (en) Display apparatus
EP3608958B1 (en) Display device
US11804512B2 (en) Light emitting stacked structure and display device having the same
US8941566B2 (en) Array of luminescent elements
US20220115567A1 (en) Display device
KR102616602B1 (ko) 발광 장치 및 이의 제조 방법
US20190304346A1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
KR20190052887A (ko) 고해상도 디스플레이 장치
CN114467173A (zh) 显示用发光元件及具有该显示用发光元件的显示装置
CN113725265A (zh) 显示装置
EP3958324A2 (en) Display device
KR20220134843A (ko) 표시 장치
US11983350B2 (en) Display device
US20230030535A1 (en) Display device
TWI733643B (zh) 共陰極微型發光二極體顯示結構及其顯示裝置
EP3923342A1 (en) Display device
KR20230101986A (ko) 표시 장치
KR20240007644A (ko) 발광 모듈 및 그것을 갖는 디스플레이 장치
JP2023098817A (ja) 発光素子を含む基板、およびそれを含む表示装置
KR20230077801A (ko) 표시 장치
CN115910887A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination