CN113725265A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置，包括：第一基体，在第一基体上限定有显示区域和非显示区域；第一支撑构件，第一支撑构件设置在第一基体上，并且定位在非显示区域中；发光元件，发光元件设置在第一基体上，并且定位在显示区域中；封装层，封装层设置在发光元件上；第二基体，第二基体设置在封装层上；滤色器，滤色器设置在第二基体和封装层之间，其中，滤色器与发光元件重叠；波长转换图案，波长转换图案设置在滤色器上；以及密封构件，密封构件设置在第一基体和第二基体之间，并且定位在非显示区域中，其中，密封构件定位在显示区域和第一支撑构件之间，并且与封装层重叠。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年5月26日提交的第10-2020-0062879号韩国专利申请的优先权和从中获得的所有权益，上述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
近来，随着多媒体的发展，显示装置更广泛地使用。因此，正在开发诸如液晶显示装置(“LCD”)和有机发光二极管显示装置(“OLED”)的各种显示装置。
在这样的显示装置中，自发光显示装置包括诸如有机发光二极管的自发光元件。自发光元件可以包括彼此面对的两个电极以及介于所述两个电极之间的发光层。在所述自发光元件是有机发光二极管的自发光显示装置中，从两个电极提供的电子和空穴可以在发光层中复合以产生激子。随着产生的激子从激发态跃迁到基态，会发射光。
由于这样的自发光显示装置在不使用诸如背光单元的单独的光源的情况下工作，所以这种自发光显示装置功耗低、重量轻且薄，并且可以具有宽视角、高亮度和对比度以及快速响应速度。由于这些期望的特性，自发光显示装置作为下一代显示装置吸引了注意。
发明内容
在显示装置中，在从光源延伸到观看者的光路上，可以将颜色转换图案或波长转换图案置于每个像素中，以允许显示装置的每个像素唯一地显示一种原色。
本公开的实施例提供一种具有改善的显示质量和可靠性的显示装置。
显示装置的实施例包括：第一基体，在所述第一基体上限定有显示区域和非显示区域；第一支撑构件，所述第一支撑构件设置在所述第一基体上，并且定位在所述非显示区域中；发光元件，所述发光元件设置在所述第一基体上，并且定位在所述显示区域中；封装层，所述封装层设置在所述发光元件上；第二基体，所述第二基体设置在所述封装层上；滤色器，所述滤色器设置在所述第二基体和所述封装层之间，其中，所述滤色器与所述发光元件重叠；波长转换图案，所述波长转换图案设置在所述滤色器上；以及密封构件，所述密封构件设置在所述第一基体和所述第二基体之间，并且定位在所述非显示区域中，其中，所述密封构件定位在所述显示区域和所述第一支撑构件之间，并且与所述封装层重叠。
显示装置的实施例包括：第一基体，在所述第一基体上限定有显示区域和非显示区域；第一支撑构件，所述第一支撑构件设置在所述第一基体上，并且定位在所述非显示区域中；发光元件，所述发光元件设置在所述第一基体上，并且定位在所述显示区域中；第二基体，所述第二基体设置在所述发光元件上；滤色器，所述滤色器设置在所述第二基体和所述发光元件之间，其中，所述滤色器与所述发光元件重叠；波长转换图案，所述波长转换图案设置在所述滤色器上；以及密封构件，所述密封构件设置在所述第一基体和所述第二基体之间，并且定位在所述非显示区域中，其中，所述密封构件包括与所述第一基体的边缘间隔开的第一部分和与所述第一基体的边缘对准的第二部分，其中，所述密封构件的所述第一部分与所述第一支撑构件在相同的方向上延伸，所述密封构件的所述第一部分定位在所述第一支撑构件和所述显示区域之间，并且与所述第一支撑构件间隔开。
附图说明
通过参照附图更详细地描述实施例，本发明的实施例的这些和/或其他特征将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1是示出根据实施例的显示装置的示意性堆叠结构的截面图；
图2是根据实施例的显示装置的平面图；
图3是图2的部分Q1的放大平面图，示出了被包括在图1的显示装置中的显示基底；
图4是图2的部分Q1的放大平面图，示出了被包括在图1的显示装置中的颜色转换基底；
图5是图3的变形例的平面图；
图6是图4的变形例的平面图；
图7是图2的部分Q3的放大图；
图8是图2的部分Q5的放大平面图；
图9是沿着图3和图4的显示装置的线X1-X1'截取的截面图；
图10是图9的部分Q7的放大截面图；
图11是图10中所示的结构的变形例的截面图；
图12是沿着图7的显示装置的线X3-X3'截取的截面图；
图13是沿着图8的显示装置的线X5-X5'截取的截面图；
图14是图2和图13中所示的第一支撑构件的第二部分的放大截面图；
图15是示出根据实施例的在显示装置的颜色转换基底中的第三滤色器和颜色图案的示意性布置的平面图；
图16是示出根据实施例的在显示装置的颜色转换基底中的遮光图案的示意性布置的平面图；
图17是示出根据实施例的在显示装置的颜色转换基底中的第一滤色器的示意性布置的平面图；
图18是示出根据实施例的在显示装置的颜色转换基底中的第二滤色器的示意性布置的平面图；
图19是示出根据实施例的在显示装置的颜色转换基底中的堤坝图案、第一波长转换图案、第二波长转换图案以及透光图案的示意性布置的平面图；
图20是根据实施例的与母基底分离的显示装置平面图，更具体地，是根据实施例的还未对其执行侧面抛光处理的显示装置的平面图；
图21是沿着图20的线X31-X31'截取的截面图，示出了还未对其执行侧面抛光处理的显示装置；
图22是沿着图20的线X51-X51'截取的截面图，示出了还未对其执行侧面抛光处理的显示装置；
图23是根据实施例的显示装置的平面图；
图24是沿着图23的显示装置的线X32-X32'截取的截面图；
图25是沿着图23的显示装置的线X52-X52'截取的截面图；
图26是根据实施例的还未对其执行侧面抛光处理的与母基底分离的显示装置的平面图；
图27是根据实施例的显示装置的平面图；
图28是沿着图27的显示装置的线X33-X33'截取的截面图；
图29是沿着图27的显示装置的线X53-X53'截取的截面图；
图30是根据实施例的还未对其执行侧面抛光处理的与母基底分离的显示装置的平面图；
图31是根据实施例的显示装置的平面图；
图32是沿着图31的显示装置的线X34-X34'截取的截面图；
图33是沿着图31的显示装置的线X54-X54'截取的截面图；
图34是根据实施例的显示装置的平面图；
图35是沿着图34的显示装置的线X35-X35'截取的截面图；
图36是沿着图34的显示装置的线X55-X55'截取的截面图；
图37是根据实施例的显示装置的平面图；
图38是沿着图37的显示装置的线X36-X36'截取的截面图；以及
图39是沿着图37的显示装置的线X56-X56'截取的截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的各种实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应解释为限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。
本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本发明构思。如本文所用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。例如，除非上下文另外明确指出，否则“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个(种)”不被解释为限于“一个”或“一种”。“或”是指“和/或”。如本文所用的，术语“和/或”包括从相关所列项目中选择的至少一个项目的任何组合和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，所述层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，则不存在中间元件。
此外，诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语在本文中可用于描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，相对术语还意图涵盖装置的不同方位。例如，如果将一幅附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件“下”侧的元件将定向为在其他元件“上”侧。因此，根据附图的特定方位，术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，如果将一幅附图中的装置翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“下面”的元件随后将定向为“在”其他元件“上方”。因此，术语“在……下方”或“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。
如本文所使用的，考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，“约”或“近似”包括所述值，并且表示在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以表示在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。
将理解的是，尽管术语第一、第二等在本文中可用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分进行区分。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
本文中参考平面图和截面图描述各种实施例，所述平面图和截面图是本公开的理想化实施例的示意图。这样，将预计到例如由于制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，本公开的实施例不应被解释为限于本文中所示的区域的特定形状，而是包括由例如制造引起的形状的偏差。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且这些区域的形状不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图限制本公开的范围。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。
图1是示出根据实施例的显示装置1的示意性堆叠结构的截面图。
参照图1，显示装置1的实施例可以应用于或被包括在各种电子装置中，所述各种电子装置包括诸如平板个人计算机(“PC”)、智能电话、汽车导航单元、照相机、提供在汽车中的中央信息显示器(“CID”)、手表式电子装置、个人数字助理(“PDA”)、便携式多媒体播放器(“PMP”)和游戏机的中小型电子装置以及诸如电视机、户外广告牌、监视器、PC和笔记本型计算机/膝上型计算机的大中型电子装置。然而，这些仅是示例性的，并且在不脱离本公开的教导的情况下，显示装置1也可以在其他电子装置中被采用。
显示装置1可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。在实施例中，非显示区域NDA可以定位在显示区域DA周围，并且可以围绕显示区域DA。在显示区域DA中显示的图像可以在显示装置1的第三方向Z或厚度方向上被用户观看到或输出给用户。
在实施例中，显示装置1包括显示基底10和面对显示基底10的颜色转换基底30，并且还可以包括将显示基底10和颜色转换基底30彼此接合的密封构件50以及填充显示基底10和颜色转换基底30之间的空间的填料70。
显示基底10可以包括用于显示图像的元件和电路(例如，诸如开关元件的像素电路)、在显示区域DA中限定发光区域和非发光区域的像素限定层、以及自发光元件。在实施例中，自发光元件可以包括从有机发光二极管、量子点发光二极管、基于无机的微米发光二极管(例如，微米LED)和基于无机的纳米发光二极管(例如，纳米LED)中选择的至少一种。为了便于描述，在下文中将详细描述自发光元件是有机发光二极管的实施例，但不限于此。
颜色转换基底30可以定位在显示基底10上，并且可以面对显示基底10。在实施例中，颜色转换基底30可以包括转换入射光的颜色的颜色转换图案。在实施例中，颜色转换基底30可以包括从滤色器和波长转换图案中选择的至少任何一者作为颜色转换图案。在一个实施例中，例如，颜色转换基底30可以包括滤色器和波长转换图案两者。
密封构件50可以在非显示区域NDA中定位在显示基底10和颜色转换基底30之间。在沿第三方向Z观看的平面图中，密封构件50可以沿着显示基底10和颜色转换基底30的边缘设置在非显示区域NDA中，以围绕显示区域DA。显示基底10和颜色转换基底30可以通过密封构件50彼此接合。
在实施例中，密封构件50可以包括有机材料或由有机材料制成。在一个实施例中，例如，密封构件50可以包括环氧树脂或由环氧树脂制成，但不限于环氧树脂。
填料70可以定位在由密封构件50围绕的显示基底10和颜色转换基底30之间的空间中。填料70可以填充显示基底10和颜色转换基底30之间的空间。
在实施例中，填料70可以包括能够透射光的材料或由能够透射光的材料制成。在实施例中，填料70可以包括有机材料或由有机材料制成。在一个实施例中，例如，填料70可以包括硅基有机材料、环氧基有机材料、或者硅基有机材料和环氧基有机材料的混合物，或者可以由硅基有机材料、环氧基有机材料、或者硅基有机材料和环氧基有机材料的混合物制成。
在实施例中，填料70可以包括具有基本上为零的消光系数的材料或由具有基本上为零的消光系数的材料制成。折射率和消光系数是相关的，并且消光系数随着折射率的减小而减小。在实施例中，在填料70的材料具有约1.7或更小的折射率的情况下，消光系数可以基本上收敛至零。在实施例中，填料70可以包括具有约1.7或更小的折射率的材料或由具有约1.7或更小的折射率的材料制成。因此，可以有效地防止或最小化由自发光元件提供的光被填料70透射和吸收。在实施例中，填料70可以包括具有约1.4至约1.6的范围内的折射率的有机材料或由具有约1.4至约1.6的范围内的折射率的有机材料制成。
图2是根据实施例的显示装置1的平面图。图3是图2的部分Q1的放大平面图，示出了图1的显示装置1中包括的显示基底10。图4是图2的部分Q1的放大平面图，示出了图1的显示装置1中包括的颜色转换基底30。图5是图3的变形例的平面图。图6是图4的变形例的平面图。图7是图2的部分Q3的放大图。图8是图2的部分Q5的放大平面图。
不仅参照图1，还参照图2至图8，在实施例中，显示装置1在如图2中所示的在沿第三方向Z观看的平面图中可以是矩形的。显示装置1可以包括在第一方向X上延伸的两个侧面，即，第一侧面L1和第三侧面L3，以及在与第一方向X交叉的第二方向Y上延伸的两个侧面，即，第二侧面L2和第四侧面L4。显示装置1的侧面相交所在的角可以是直角，但是本公开不限于此。在实施例中，第一侧面L1和第三侧面L3的长度可以与第二侧面L2和第四侧面L4的长度不同。在一个实施例中，例如，第一侧面L1和第三侧面L3可以长于第二侧面L2和第四侧面L4。显示装置1的平面形状不限于附图中所示的平面形状，并且可以被不同地修改为另一形状，例如，圆形形状或其他多边形形状。
在实施例中，显示装置1可以进一步包括柔性电路板FPC和驱动芯片IC。
在实施例中，如图2和图3中所示，在显示区域DA中，可以在显示基底10中限定多个发光区域和非发光区域NLA。
在实施例中，可以在显示基底10的显示区域DA中限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个可以是其中由显示基底10的发光元件产生的光从显示基底10发射出的区域，并且非发光区域NLA可以是其中光不从显示基底10发射出的区域。在实施例中，非发光区域NLA可以围绕位于显示区域DA中的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个。
在实施例中，从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发射的光可以是第三颜色的光。在实施例中，第三颜色的光可以是蓝光，并且可以具有在约440纳米(nm)至约480nm的范围内的峰值波长。在此，峰值波长是指光的强度最大的波长。
在实施例中，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以形成一个像素组，并且可以在显示区域DA中限定多个像素组。
在实施例中，如图3中所示，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以沿着第一方向X顺序地定位或布置。在实施例中，形成一个像素组的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以沿着第一方向X和第二方向Y或按照矩阵形式重复地布置在显示区域DA中。
然而，本公开不限于此，并且第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的布置可以被不同地改变。在一个可替代的实施例中，例如，如图5中所示，第一发光区域LA1和第二发光区域LA2可以沿着第一方向X彼此邻近，并且第三发光区域LA3可以沿第二方向Y定位在第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的一侧。
为了便于描述，在下文中将详细描述其中如图3中所示地布置第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的实施例。
在这样的实施例中，如图2和图4中所示，在显示区域DA中，可以在颜色转换基底30中限定多个透光区域和遮光区域BA。每个透光区域可以是其中从显示基底10发射的光透射通过颜色转换基底30并被提供到显示装置1外部的区域。遮光区域BA可以是从显示基底10发射的光不透射通过的区域。
在实施例中，可以在颜色转换基底30中限定第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。
参照图3和图4以及图5和图6，在实施例中，第一透光区域TA1可以对应于第一发光区域LA1，或者可以与第一发光区域LA1重叠。在这样的实施例中，第二透光区域TA2可以对应于第二发光区域LA2或与第二发光区域LA2重叠，并且第三透光区域TA3可以对应于第三发光区域LA3或与第三发光区域LA3重叠。
在实施例中，在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3如图3中所示地沿着第一方向X顺序地定位的情况下，如图4中所示，第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3可以沿着第一方向X顺序地定位。
在可替代的实施例中，在第一发光区域LA1和第二发光区域LA2如图5中所示地沿着第一方向X彼此邻近并且第三发光区域LA3沿着第二方向Y定位在第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的一侧的情况下，如图6中所示，第一透光区域TA1和第二透光区域TA2可以沿着第一方向X彼此邻近，并且第三透光区域TA3可以沿着第二方向Y定位在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2的一侧。
在实施例中，由显示基底10提供的第三颜色的光可以通过第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3从显示装置1发射出。当在第一透光区域TA1中从显示装置1发射的光被称为第一输出光时，在第二透光区域TA2中从显示装置1发射的光被称为第二输出光，并且在第三透光区域TA3中从显示装置1发射的光被称为第三输出光，第一输出光可以是第一颜色的光，第二输出光可以是与第一颜色不同的第二颜色的光，并且第三输出光可以是第三颜色的光。在实施例中，如上所述，第三颜色的光可以是具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光，并且第一颜色的光可以是具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光。在这样的实施例中，第二颜色的光可以是具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光。
在显示区域DA中，遮光区域BA可以定位在颜色转换基底30的第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3周围。在实施例中，遮光区域BA可以围绕第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。在这样的实施例中，遮光区域BA可以定位在显示装置1的非显示区域NDA中。
再次参照图2，坝构件DM、密封构件50和第一支撑构件OS1可以设置在显示装置1的非显示区域NDA中。
坝构件DM可以在形成被设置在显示区域DA中的封装层的处理中阻止有机材料(或单体)溢出。因此，可以防止封装层的有机材料朝向显示装置1的边缘延伸。
在实施例中，在沿第三方向Z观看的平面图中，坝构件DM可以完全围绕显示区域DA。
如上所述，密封构件50可以将显示基底10和颜色转换基底30接合在一起。
密封构件50可以在非显示区域NDA中定位在坝构件DM外部，并且可以在沿第三方向Z观看的平面图中完全围绕坝构件DM和显示区域DA。
第一支撑构件OS1可以支撑在形成显示基底10的元件的处理中使用的掩模，显示基底10的元件例如为显示基底10中包括的发光层、阴极、第一覆盖层和封装层的无机层。
第一支撑构件OS1可以在非显示区域NDA中定位在密封构件50外部。在这样的实施例中，第一支撑构件OS1可以定位为与坝构件DM相对，密封构件50介于第一支撑构件OS1和坝构件DM之间。在实施例中，第一支撑构件OS1可以在沿第三方向Z观看的平面图中围绕密封构件50。
在实施例中，第一支撑构件OS1可以包括与显示装置1的第一侧面L1相邻的第一部分OS1a和沿着显示装置1的第二侧面L2、第三侧面L3和第四侧面L4设置的第二部分OS1b。
在实施例中，第一部分OS1a和第二部分OS1b可以彼此连接，或者第一部分OS1a从第二部分OS1b延伸。
第一部分OS1a可以沿着第一方向X延伸，并且可以沿着第二方向Y与显示装置1的第一侧面L1间隔开。第一部分OS1a可以定位在稍后将描述的连接焊盘PD和密封构件50之间。
第二部分OS1b可以沿着第二侧面L2、第三侧面L3和第四侧面L4设置，并且可以定位为比第一部分OS1a相对地更靠近显示装置1的边缘或显示装置1的侧面。在这样的实施例中，显示装置1的边缘与第一部分OS1a之间的距离可以大于显示装置1的边缘与第二部分OS1b之间的距离。
在实施例中，第二部分OS1b可以与显示装置1的第二侧面L2、第三侧面L3和第四侧面L4对准。
在实施例中，第一支撑构件OS1的第一部分OS1a的宽度和第一支撑构件OS1的第二部分OS1b的宽度可以彼此不同。
在实施例中，例如，如图7至图8中所示，第一部分OS1a的宽度W1a可以大于第二部分OS1b的宽度W1b。在这样的实施例中，第一支撑构件OS1的定位在连接焊盘PD和显示区域DA之间的部分可以比第一支撑构件OS1的不定位在连接焊盘PD和显示区域DA之间的部分宽。
显示装置1的非显示区域NDA可以包括焊盘区域PDA，并且多个连接焊盘PD可以定位在焊盘区域PDA中。
在实施例中，连接焊盘PD可以定位在与非显示区域NDA的长侧面相邻的部分中，例如，定位在与非显示区域NDA的第一侧面L1相邻的区域中。连接焊盘PD可以通过连接布线等电连接到被定位在显示区域DA中的像素电路。
在实施例中，连接焊盘PD可以定位在第一支撑构件OS1外部。在这样的实施例中，连接焊盘PD可以定位为比第一支撑构件OS1相对地更远离显示区域DA。在实施例中，连接焊盘PD可以定位在第一支撑构件OS1的第一部分OS1a与显示装置1的第一侧面L1之间。
显示装置1的显示基底10(参见图1)可以包括上述的坝构件DM、第一支撑构件OS1和连接焊盘PD。
柔性电路板FPC可以连接到连接焊盘PD。柔性电路板FPC可以将电路板电连接到显示基底10(参见图1)，所述电路板提供用于驱动显示装置1的信号、电力等。
驱动芯片IC可以电连接到电路板以接收数据和信号。在实施例中，驱动芯片IC可以是数据驱动芯片，并且可以从电路板接收数据控制信号和图像数据，并生成和输出与图像数据相对应的数据电压。
在实施例中，驱动芯片IC可以安装在柔性电路板FPC上。在一个实施例中，例如，驱动芯片IC可以以薄膜覆晶(“COF”)的形式安装在柔性电路板FPC上。
由驱动芯片IC提供的数据电压和由电路板提供的电力可以经由柔性电路板FPC和连接焊盘PD传送到显示基底10(参见图1)的像素电路。
现在将更详细地描述显示装置1的结构。
图9是沿着图3和图4的显示装置1的线X1-X1'截取的截面图。图10是图9的部分Q7的放大截面图。图11是图10中所示的结构的变形例的截面图。图12是沿着图7的显示装置1的线X3-X3'截取的截面图。图13是沿着图8的显示装置1的线X5-X5'截取的截面图。图14是图2和图13中所示的第一支撑构件OS1的第二部分OS1b的放大截面图。
不仅参照图1至图8，还参照图9至图14，显示装置1的实施例可以包括如上所述的显示基底10和颜色转换基底30，并且还可以包括定位在显示基底10和颜色转换基底30之间的填料70。
现在将描述显示基底10。
在实施例中，显示基底10中的第一基体110可以包括透光材料或由透光材料制成。在实施例中，第一基体110可以是玻璃基底或塑料基底。在实施例中，在第一基体110是塑料基底的情况下，第一基体110可以具有柔性。
在实施例中，如上所述，可以在显示区域DA的第一基体110中限定发光区域LA1至LA3和非发光区域NLA。
在实施例中，显示装置1的第一侧面L1、第二侧面L2、第三侧面L3和第四侧面L4可以由第一基体110的四个侧面限定或者与第一基体110的四个侧面相同。在这样的实施例中，显示装置1的第一侧面L1、第二侧面L2、第三侧面L3和第四侧面L4也可以被称为第一基体110的第一侧面L1、第二侧面L2、第三侧面L3和第四侧面L4。
在显示基底10中，缓冲层111可以进一步定位在第一基体110上。缓冲层111可以定位在第一基体110上，并且可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中。缓冲层111可以阻止异物或湿气通过第一基体110被引入。在一个实施例中，例如，缓冲层111可以包括诸如SiO2、SiNx或SiON的无机材料，并且可以具有单层或多层结构。
在显示基底10中，遮光图案BML可以定位在缓冲层111上。遮光图案BML可以阻挡外部光或发光元件的光进入稍后将描述的半导体层ACT，从而防止和减少由于将在后面描述的薄膜晶体管TL中的光所引起的泄漏电流的产生。
在实施例中，遮光图案BML可以包括阻挡光且具有导电性的材料或由阻挡光且具有导电性的材料制成。在一个实施例中，例如，遮光图案BML可以包括从银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钕(Nd)中选择的至少一种金属或它们的合金。在实施例中，遮光图案BML可以具有单层结构或多层结构。在一个实施例中，例如，在遮光图案BML具有多层结构的情况下，遮光图案BML可以是钛(Ti)/铜(Cu)/铟锡氧化物(“ITO”)的堆叠结构或者钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铝(Al2O3)的堆叠结构，但不限于钛(Ti)/铜(Cu)/铟锡氧化物(“ITO”)的堆叠结构或者钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铝(Al2O3)的堆叠结构。
在实施例中，遮光图案BML可以被提供为多个，以对应于每个半导体层ACT，并且与半导体层ACT重叠。在实施例中，遮光图案BML的宽度可以大于半导体层ACT的宽度。
在实施例中，遮光图案BML可以是布线的一部分，所述布线将在附图中未示出的数据线、电源线、薄膜晶体管与在附图中示出的薄膜晶体管TL彼此电连接。在实施例中，遮光图案BML可以包括具有比第二导电层或在第二导电层中包括的源极电极SE和漏极电极DE小的电阻的材料，或者可以由具有比第二导电层或在第二导电层中包括的源极电极SE和漏极电极DE小的电阻的材料制成。
第一绝缘层113可以在显示基底10中定位在遮光图案BML上。在实施例中，第一绝缘层113可以定位在显示区域DA和非显示区域NDA中。第一绝缘层113可以覆盖遮光图案BML。在实施例中，第一绝缘层113可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O、HfO2或ZrO2的无机材料。
半导体层ACT可以在显示基底10中定位在第一绝缘层113上。在实施例中，半导体层ACT可以被设置为对应于显示区域DA的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2以及第三发光区域LA3中的每一个。
在实施例中，半导体层ACT可以包括氧化物半导体。在一个实施例中，例如，半导体层ACT可以包括诸如Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物的基于Zn氧化物的材料或由诸如Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物的基于Zn氧化物的材料制成，并且可以是具有包含在ZnO中的诸如铟(In)和镓(Ga)的金属的In-Ga-Zn-O(IGZO)半导体。然而，本公开不限于此，并且半导体层ACT还可以包括非晶硅或多晶硅。
在实施例中，半导体层ACT可以设置为与每个遮光图案BML重叠。因此，可以抑制在半导体层ACT中的光电流的产生。
第一导电层可以显示基底10中定位在半导体层ACT上，并且可以包括栅极电极GE、第一栅极金属WR1和第二栅极金属WR2。栅极电极GE可以定位在显示区域DA中，并且可以与半导体层ACT重叠。在实施例中，如图12中所示，第一栅极金属WR1可以包括布线的一部分，所述布线将连接焊盘PD(还参照图2)电连接到被定位在显示区域DA(还参照图2)中的元件(例如，薄膜晶体管TL和发光元件)。
在实施例中，如图13中所示，第二栅极金属WR2可以定位在非显示区域NDA中。在实施例中，第二栅极金属WR2可以包括构成栅极驱动电路的导体的一部分。在这样的实施例中，第二栅极金属WR2可以包括防止静电从外部流入的保护环的至少一部分。
考虑到与相邻层的粘合性、将要堆叠的层的表面平坦度和可加工性，栅极电极GE、第一栅极金属WR1和第二栅极金属WR2可以包括从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的至少一种。栅极电极GE、第一栅极金属WR1和第二栅极金属WR2中的每一个可以形成为单层或多层。
栅极绝缘层115可以在显示区域DA中定位在半导体层ACT和第一导电层之间或者半导体层ACT和栅极电极GE之间。在实施例中，栅极电极GE和栅极绝缘层115可以用作掩模，所述掩模掩蔽半导体层ACT的沟道区，并且栅极电极GE和栅极绝缘层115中的每一个的宽度可以小于半导体层ACT的宽度。
在实施例中，栅极绝缘层115可以不设置为遍及第一基体110的整个表面，而是可以部分地被图案化。在实施例中，图案化的栅极绝缘层115的宽度可以大于栅极电极GE或第一导电层的宽度。
在实施例中，栅极绝缘层115可以包括无机材料。在一个实施例中，例如，栅极绝缘层115可以包括上面在第一绝缘层113的描述中列出的至少一种无机材料。
栅极绝缘层115可以在非显示区域NDA中定位在第一栅极金属WR1和第一绝缘层113之间以及第二栅极金属WR2和第一绝缘层113之间。
第二绝缘层117可以在显示基底10中定位在栅极绝缘层115上，以覆盖半导体层ACT和栅极电极GE。第二绝缘层117可以定位在显示区域DA和非显示区域NDA中。在实施例中，第二绝缘层117可以用作提供平坦表面的平坦化层。
在实施例中，第二绝缘层117可以包括有机材料。在一个实施例中，例如，第二绝缘层117可以包括从光敏丙烯酸(“PAC”)树脂、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)、聚丙烯腈(“PAN”)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳醚、杂环聚合物、聚对二甲苯、氟基聚合物、环氧树脂、苯并环丁烯系列树脂、硅氧烷系列树脂和硅烷树脂中选择的至少一种，但不限于从光敏丙烯酸(“PAC”)树脂、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)、聚丙烯腈(“PAN”)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚芳醚、杂环聚合物、聚对二甲苯、氟基聚合物、环氧树脂、苯并环丁烯系列树脂、硅氧烷系列树脂和硅烷树脂中选择的至少一种。
第二导电层可以显示基底10中定位在第二绝缘层117上。第二导电层可以包括源极电极SE、漏极电极DE、电源布线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1。
源极电极SE和漏极电极DE可以定位在显示区域DA中，并且可以彼此间隔开。
漏极电极DE和源极电极SE中的每一个可以穿透第二绝缘层117或设置为穿过第二绝缘层117，并且可以连接到半导体层ACT。
在实施例中，源极电极SE可以穿透第一绝缘层113和第二绝缘层117，并且可以连接到遮光图案BML。在遮光图案BML是传输信号或电压的布线的一部分的实施例中，源极电极SE可以连接并电耦接到遮光图案BML，以接收提供给布线的电压等。在可替代的实施例中，在遮光图案BML是浮置图案而不是单独的图案的情况下，可以将提供给源极电极SE的电压等传送到遮光图案BML。
可替代地，漏极电极DE可以穿透第一绝缘层113和第二绝缘层117或设置为穿过第一绝缘层113和第二绝缘层117，并且可以连接到遮光图案BML。在遮光图案BML不是被提供有单独的信号的布线的实施例中，可以将施加到漏极电极DE的电压等传送到遮光图案BML。
上述半导体层ACT、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE可以构成薄膜晶体管TL。在实施例中，薄膜晶体管TL可以定位在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个中。在实施例中，薄膜晶体管TL的一部分可以定位在非发光区域NLA中。
电源布线VSL可以定位在非显示区域NDA中。提供给阴极CE的驱动电压(例如，ELVSS电压)可以被提供给电源布线VSL。
连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1可以定位在非显示区域NDA的焊盘区域PDA(参见图2)中。在实施例中，第一焊盘电极PD1可以穿透第二绝缘层117，并且可以电连接到第一布线层WR。
源极电极SE、漏极电极DE、电源布线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1中的每一个可以包括铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并且可以形成为多层或单层。在实施例中，源极电极SE、漏极电极DE、电源布线VSL和连接焊盘PD的第一焊盘电极PD1中的每一个可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第三绝缘层130可以显示基底10中定位在第二绝缘层117上。第三绝缘层130可以覆盖显示区域DA中的薄膜晶体管TL，并且可以暴露非显示区域NDA中的电源布线VSL的一部分。
在实施例中，第三绝缘层130可以是平坦化层。在实施例中，第三绝缘层130可以包括有机材料或由有机材料制成。在一个实施例中，例如，第三绝缘层130可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂或酯树脂。在实施例中，第三绝缘层130可以包括光敏有机材料。
在实施例中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3可以在显示区域DA中定位在第三绝缘层130上。在这样的实施例中，在非显示区域NDA中，连接电极CNE和连接焊盘PD的第二焊盘电极PD2可以定位在第三绝缘层130上。
第一阳极AE1可以与第一发光区域LA1重叠，并且第一阳极AE1的至少一部分可以延伸到非发光区域NLA。第二阳极AE2可以与第二发光区域LA2重叠，并且第二阳极AE2的至少一部分可以延伸到非发光区域NLA。第三阳极AE3可以与第三发光区域LA3重叠，并且第三阳极AE3的至少一部分可以延伸到非发光区域NLA。第一阳极AE1可以穿透第三绝缘层130或设置为穿过第三绝缘层130，并且可以连接到与第一阳极AE1相对应的薄膜晶体管TL的漏极电极DE。第二阳极AE2可以穿透第三绝缘层130或设置为穿过第三绝缘层130，并且可以连接到与第二阳极AE2相对应的薄膜晶体管TL的漏极电极DE。第三阳极AE3可以穿透第三绝缘层130或设置为穿过第三绝缘层130，并且可以连接到与第三阳极AE3相对应的薄膜晶体管TL的漏极电极DE。
在实施例中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3可以是反射电极。在这样的实施例中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中的每一个可以是包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir或Cr的金属的金属层。在实施例中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中的每一个还可以包括堆叠在金属层上的金属氧化物层。在实施例中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中的每一个可以具有ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF2的两层结构或者ITO/Ag/ITO的三层结构。
连接电极CNE可以在非显示区域NDA中电连接到电源布线VSL，并且可以直接接触电源布线VSL。
第二焊盘电极PD2可以在非显示区域NDA中定位在第一焊盘电极PD1上。第二焊盘电极PD2可以直接接触第一焊盘电极PD1，并且可以电连接到第一焊盘电极PD1。
在实施例中，连接电极CNE和第二焊盘电极PD2可以包括与第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3相同的材料或由与第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3相同的材料制成，并且可以在制造第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3的处理中形成。
像素限定层150可以在显示基底10中定位在第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3上。在这样的实施例中，暴露第一阳极AE1的开口、暴露第二阳极AE2的开口以及暴露第三阳极AE3的开口可以限定为穿过像素限定层150，并且可以限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA。在实施例中，第一阳极AE1的未被像素限定层150覆盖的区域可以是第一发光区域LA1。在这样的实施例中，第二阳极AE2的未被像素限定层150覆盖的区域可以是第二发光区域LA2，并且第三阳极AE3的未被像素限定层150覆盖的区域可以是第三发光区域LA3。在这样的实施例中，像素限定层150所定位的区域可以是非发光区域NLA。
在实施例中，像素限定层150可以包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(“BCB”)。
在实施例中，像素限定层150可以与稍后将描述的颜色图案250和遮光图案260重叠。
在实施例中，像素限定层150可以与将在后面描述的堤坝图案370重叠。
在实施例中，如图9和图12中所示，发光层OL可以在显示基底10中定位在第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3上。
在实施例中，发光层OL可以是被形成为遍及发光区域LA1至LA3和非发光区域NLA的连续层的形状。在实施例中，如诸如图12的附图中所示，发光层OL仅定位在显示区域DA中，但是本公开不限于此。在可替代的实施例中，发光层OL的一部分还可以定位在非显示区域NDA中。稍后将更详细地描述发光层OL。
阴极CE可以在显示基底10中定位在发光层OL上。如图12中所示，阴极CE的一部分还可以定位在非显示区域NDA中。阴极CE可以在非显示区域NDA中电连接到连接电极CNE，并且可以接触连接电极CNE。提供给电源布线VSL的驱动电压(例如，ELVSS电压)可以经由连接电极CNE传送到阴极CE。
在实施例中，阴极CE可以具有半透明性或透明性。在阴极CE具有半透明性的实施例中，阴极CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。在这样的实施例中，阴极CE的厚度是数十埃至数百埃，使得阴极CE可以具有半透明性。
在实施例中，在阴极CE具有透明性的情况下，阴极CE可以包括透明导电氧化物(“TCO”)。在一个实施例中，例如，阴极CE可以包括氧化钨(WxOx)、氧化钛(TiO2)、ITO、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、铟锡锌氧化物(“ITZO”)或氧化镁(MgO)。
在实施例中，阴极CE可以完全覆盖发光层OL。在实施例中，如图12中所示，阴极CE的端部可以定位为比发光层OL的端部相对地朝外，并且发光层OL的端部可以被阴极CE完全覆盖。
第一阳极AE1、发光层OL和阴极CE可以构成第一发光元件ED1，第二阳极AE2、发光层OL和阴极CE可以构成第二发光元件ED2，并且第三阳极AE3、发光层OL和阴极CE可以构成第三发光元件ED3。第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3中的每一个可以发射输出光LE。
在实施例中，如图10中所示，最终从发光层OL发射的输出光LE可以是第一分量LE1和第二分量LE2的混合。输出光LE中的第一分量LE1和第二分量LE2中的每一个可以具有约440nm至约480nm的峰值波长。在这样的实施例中，输出光LE可以是蓝光。
如图10中所示，在实施例中，发光层OL可以具有其中多个发光层重叠或堆叠在彼此上的结构，例如，可以具有串联结构。在一个实施例中，例如，发光层OL可以包括：第一堆叠ST1，第一堆叠ST1包含第一发光层EML1；第二堆叠ST2，第二堆叠ST2定位在第一堆叠ST1上，并且包含第二发光层EML2；第三堆叠ST3，第三堆叠ST3定位在第二堆叠ST2上，并且包含第三发光层EML3；第一电荷产生层CGL1，第一电荷产生层CGL1定位在第一堆叠ST1和第二堆叠ST2之间；以及第二电荷产生层CGL2，第二电荷产生层CGL2定位在第二堆叠ST2和第三堆叠ST3之间。第一堆叠ST1、第二堆叠ST2和第三堆叠ST3可以彼此重叠。
第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以彼此重叠。
在实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以全部发射第三颜色的光，例如，蓝光。在一个实施例中，例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可以是蓝光发射层，并且可以包括有机材料。
在实施例中，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少另一个可以发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二蓝光。在一个实施例中，例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3的其他两个可以发射具有第二峰值波长的第二蓝光。在这样的实施例中，最终从发光层OL发射的输出光LE可以是第一分量LE1和第二分量LE2的混合，第一分量LE1可以是具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第二分量LE2可以是具有第二峰值波长的第二蓝光。
在实施例中，第一峰值波长和第二峰值波长中的一个可以在约440nm至约460nm的范围内。第一峰值波长和第二峰值波长中的另一个可以在约460nm至约480nm的范围内。然而，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围不限于此。在一个实施例中，例如，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围可以全部包括约460nm。在实施例中，第一蓝光和第二蓝光中的一个可以是深蓝色的光，并且第一蓝光和第二蓝光中的另一个可以是天蓝色的光。
根据实施例，从发光层OL发射的输出光LE是蓝光，并且可以包括长的波长的分量和短的波长的分量。因此，发光层OL最终可以发射具有更宽泛的或宽的发射峰值的蓝光作为输出光LE，从而与发射具有尖峰的或窄的发射峰值的蓝光的常规发光元件相比，改善了侧视角处的颜色可见性。
在实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可以包括主体和掺杂剂。主体未被具体限制，只要主体是常用材料即可。在一个实施例中，例如，主体可以包括三(8-羟基喹啉)铝(“Alq3”)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(“CBP”)、聚(n-乙烯基咔唑)(“PVK”)、9,10-二(萘-2-基)蒽(“ADN”)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(“TCTA”)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(“TPBi”)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(“TBADN”)、二苯乙烯基芳烃(distyryl-arylene)(“DSA”)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2”-二甲基-联苯(“CDBP”)、或者2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(“MADN”)。
可以发射蓝光的第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可以包括荧光材料，所述荧光材料包含螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯(“DSB”)、二苯乙烯基芳烃(DSA)、基于聚芴(“PFO”)的聚合物以及基于聚(对亚苯基亚乙烯基)(“PPV”)的聚合物中的任何一种。可替代地，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可以包括磷光材料，所述磷光材料包含诸如(4,6-F2ppy)2Irpic的有机金属络合物。
如上所述，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个以及从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少另一个发射处于彼此不同的波长范围内的光。在这样的实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以包括彼此相同的材料，并且可以使用调节共振距离的方法来发射处于不同的波长范围内的蓝光。可替代地，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少一个以及从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少另一个可以包括彼此不同的材料，以发射处于不同的波长范围内的蓝光。
然而，本公开不限于此。第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以全部发射具有约440nm至约480nm的峰值波长的蓝光，并且可以包括彼此相同的材料或由彼此相同的材料制成。
可替代地，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另一个可以发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二蓝光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的其余一个可以发射具有与第一峰值波长和第二峰值波长不同的第三峰值波长的第三蓝光。在实施例中，第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的一个可以在约440nm至约460nm的范围内。在这样的实施例中，第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的另一个可以在约460nm至约470nm的范围内，并且第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的其余一个可以在约470nm至约480nm的范围内。
根据实施例，从发光层OL发射的输出光LE是蓝光，并且包括长的波长分量、中等波长分量和短的波长分量。因此，发光层OL可以最终发射具有更宽泛的发射峰值的蓝光作为输出光LE，并且改善侧视角处的颜色可见性。
根据上述实施例，与不采用串联结构(即，其中堆叠有多个发光层的结构)的常规发光元件相比，可以提高光效率，并且可以延长显示装置的寿命。
可替代地，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少任何一个可以发射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中选择的至少另一个可以发射第二颜色的光(例如，绿光)。在实施例中，从选自第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少任何一个发射的蓝光可以具有在约440nm至约480nm的范围内或者在约460nm至约480nm的范围内的峰值波长。从选自第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个发射的绿光可以具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长。
在一个实施例中，例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的一个可以是发射绿光的绿光发射层，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另外两个可以是发射蓝光的蓝光发射层。在第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另外两个是蓝光发射层的实施例中，从两个蓝光发射层发射的蓝光可以具有彼此相同的峰值波长范围或彼此不同的峰值波长范围。
根据实施例，从发光层OL发射的输出光LE可以是作为蓝光的第一分量LE1和作为绿光的第二分量LE2的混合。在一个实施例中，例如，当第一分量LE1是深蓝光而第二分量LE2是绿光时，输出光LE可以是具有天蓝色的光。类似于上述实施例，从发光层OL发射的输出光LE是蓝光和绿光的混合，并且包括长的波长分量和短的波长分量。因此，发光层OL可以最终发射具有更宽泛的发射峰值的蓝光作为输出光LE，并且可以改善侧视角处的颜色可见性。另外，由于输出光LE的第二分量LE2是绿光，所以可以补充从显示装置1向外部提供的光的绿光分量。因此，可以改善显示装置1的颜色再现性。
在实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3之中的绿光发射层可以包括主体和掺杂剂。绿光发射层中包含的主体未被具体限制，只要绿光发射层中包含的主体是常用材料即可。在一个实施例中，例如，主体可以包括Alq3、CBP、PVK、ADN、TCTA、TPBi、TBADN、DSA、CDBP或2MADN。
包含在绿光发射层中的掺杂剂可以是例如荧光材料或磷光材料，所述荧光材料包含Alq3，所述磷光材料诸如fac三(2-苯基吡啶)铱(“Ir(ppy)3”)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(ppy)2(“acac”))或者(2-苯基-4-甲基吡啶)铱(“Ir(mpyp)3”)。
第一电荷产生层CGL1可以定位在第一堆叠ST1和第二堆叠ST2之间。第一电荷产生层CGL1可以将电荷注入到每个发光层中。第一电荷产生层CGL1可以控制第一堆叠ST1和第二堆叠ST2之间的电荷平衡。第一电荷产生层CGL1可以包括n型电荷产生层CGL11和p型电荷产生层CGL12。p型电荷产生层CGL12可以设置在n型电荷产生层CGL11上，并且可以定位在n型电荷产生层CGL11和第二堆叠ST2之间。
第一电荷产生层CGL1可以具有其中n型电荷产生层CGL11和p型电荷产生层CGL12彼此接触的结构。n型电荷产生层CGL11设置为更靠近阳极AE1(图7的AE2、图7的AE3)和阴极CE之中的阳极AE1(图7的AE2、图7的AE3)。p型电荷产生层CGL12设置为更靠近阳极AE1(图7的AE2、图7的AE3)和阴极CE之中的阴极CE。n型电荷产生层CGL11将电子供应给与阳极AE1(图7的AE2、图7的AE3)相邻的第一发光层EML1，并且p型电荷产生层CGL12将空穴供应给第二堆叠ST2中包括的第二发光层EML2。在这样的实施例中，第一电荷产生层CGL1设置在第一堆叠ST1和第二堆叠ST2之间，以向每个发光层提供电荷，使得可以改善发光效率，并且可以降低驱动电压。
第一堆叠ST1可以定位在第一阳极AE1、第二阳极AE2(参见图7)和第三阳极AE3(参见图7)上，并且还可以包括第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层BIL1和第一电子传输层ETL1。
第一空穴传输层HTL1可以定位在第一阳极AE1、第二阳极AE2(参见图7)和第三阳极AE3(参见图7)上。第一空穴传输层HTL1可以有助于空穴的传输，并且可以包括空穴传输材料。空穴传输材料可以包括：诸如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑的咔唑衍生物；芴衍生物；诸如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(“TPD”)或4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(“TCTA”)的三苯胺衍生物；N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)(“NPB”)；或者4,4'-环己叉基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](“TAPC”)，但不限于诸如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑的咔唑衍生物；芴衍生物；诸如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(“TPD”)或4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(“TCTA”)的三苯胺衍生物；N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)(“NPB”)；或者4,4'-环己叉基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](“TAPC”)。
第一电子阻挡层BIL1可以定位在第一空穴传输层HTL1上，并且可以定位在第一空穴传输层HTL1和第一发光层EML1之间。第一电子阻挡层BIL1可以包括空穴传输材料以及金属或金属化合物，以防止由第一发光层EML1产生的电子进入第一空穴传输层HTL1。在实施例中，第一空穴传输层HTL1和第一电子阻挡层BIL1可以形成为单层，在所述单层中混合有第一空穴传输层HTL1和第一电子阻挡层BIL1的各自的材料。
第一电子传输层ETL1可以定位在第一发光层EML1上，并且可定位在第一电荷产生层CGL1和第一发光层EML1之间。在实施例中，第一电子传输层ETL1可以包括电子传输材料，诸如Alq3、TPBi、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(“BCP”)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(“Bphen”)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(“TAZ”)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(“NTAZ”)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(“tBu-PBD”)、双(2-甲基-8-喹啉基-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(“BAlq”)、铍双(苯并喹啉-10-羟基)(“Bebq2”)、ADN或它们的混合物。然而，本公开不受限于电子传输材料的类型。第二堆叠ST2可以定位在第一电荷产生层CGL1上，并且可以进一步包括第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层BIL2和第二电子传输层ETL2。
第二空穴传输层HTL2可以定位在第一电荷产生层CGL1上。第二空穴传输层HTL2可以包括与第一空穴传输层HTL1相同的材料或由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可以包括从以上针对第一空穴传输层HTL1列出的材料中选择的至少一种材料。第二空穴传输层HTL2可以是单层，或者可以由多个层限定。
第二电子阻挡层BIL2可以定位在第二空穴传输层HTL2上，并且可以定位在第二空穴传输层HTL2和第二发光层EML2之间。第二电子阻挡层BIL2可以具有与第一电子阻挡层BIL1相同的材料和结构，或者可以包括从以上针对第一电子阻挡层BIL1列出的材料中选择的至少一种材料。
第二电子传输层ETL2可以定位在第二发光层EML2上，并且可以定位在第二电荷产生层CGL2和第二发光层EML2之间。第二电子传输层ETL2可以具有与第一电子传输层ETL1相同的材料和结构，或者可以包括从以上针对第一电子传输层ETL1列出的材料中选择的至少一种材料。第二电子传输层ETL2可以是单层，或者可以由多个层限定。
第二电荷产生层CGL2可以定位在第二堆叠ST2上，并且可以定位在第二堆叠ST2和第三堆叠ST3之间。
第二电荷产生层CGL2可以具有与上述第一电荷产生层CGL1的结构相同的结构。在一个实施例中，例如，第二电荷产生层CGL2可以包括设置为更靠近第二堆叠ST2的n型电荷产生层CGL21和设置为更靠近阴极CE的p型电荷产生层CGL22。p型电荷产生层CGL22可以设置在n型电荷产生层CGL21上。
第二电荷产生层CGL2可以具有其中n型电荷产生层CGL21和p型电荷产生层CGL22彼此接触的结构。第一电荷产生层CGL1和第二电荷产生层CGL2可以包括不同的材料或相同的材料，或者可以由不同的材料或相同的材料制成。
第三堆叠ST3可以定位在第二电荷产生层CGL2上，并且可以进一步包括第三空穴传输层HTL3和第三电子传输层ETL3。
第三空穴传输层HTL3可以定位在第二电荷产生层CGL2上。第三空穴传输层HTL3可以包括与第一空穴传输层HTL1相同的材料或由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可以包括从以上针对第一空穴传输层HTL1列出的材料中选择的至少一种材料。第三空穴传输层HTL3可以是单层，或可以由多个层限定。在第三空穴传输层HTL3由多个层限定的实施例中，所述多个层可以包括彼此不同的材料。
第三电子传输层ETL3可以定位在第三发光层EML3上，并且可以定位在阴极CE和第三发光层EML3之间。第三电子传输层ETL3可以具有与第一电子传输层ETL1相同的材料和结构，或者可以包括从以上针对第一电子传输层ETL1列出的材料中选择的至少一种材料。第三电子传输层ETL3可以是单层，或者可以由多个层限定。在第三电子传输层ETL3由多个层限定的实施例中，所述多个层可以包括彼此不同的材料。
尽管附图中未示出，但是空穴注入层可以进一步定位在第一堆叠ST1和第一阳极AE1之间、第二阳极AE2(参见图7)和第三阳极AE3(参见图7)之间、第二堆叠ST2和第一电荷产生层CGL1之间或者第三堆叠ST3和第二电荷产生层CGL2之间。空穴注入层可以有助于将空穴注入到第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中。在实施例中，空穴注入层可以包括从酞菁铜(“CuPc”)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(“PEDOT”)、聚苯胺(“PANI”)和N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺(“NPD”)中选择的至少任何一种或者由从酞菁铜(“CuPc”)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(“PEDOT”)、聚苯胺(“PANI”)和N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺(“NPD”)中选择的至少任何一种制成，但不限于从酞菁铜(“CuPc”)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(“PEDOT”)、聚苯胺(“PANI”)和N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺(“NPD”)中选择的至少任何一种。在实施例中，空穴注入层可以定位在第一堆叠ST1和第一阳极AE1之间、第二阳极AE2(参见图7)和第三阳极AE3(参见图7)之间、第二堆叠ST2和第一电荷产生层CGL1之间以及第三堆叠ST3和第二电荷产生层CGL2之间。
尽管在附图中未示出，但是电子注入层可以进一步定位在第三电子传输层ETL3和阴极CE之间、第二电荷产生层CGL2和第二堆叠ST2之间或者第一电荷产生层CGL1和第一堆叠ST1之间。电子注入层可以有助于电子的注入，并且可以包括Alq3、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq或SAlq，但是本公开不限于此。在实施例中，电子注入层可以是金属卤化物，并且可以是例如从MgF2、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、FrI和CaF2中选择的至少一种，但是本公开不限于此。可替代地，电子注入层可以包括镧材料，诸如Yb、Sm或Eu。可替代地，电子注入层可以包括金属卤化物材料和诸如RbI：Yb或KI：Yb的镧材料两者。在电子注入层包括金属卤化物材料和镧材料两者的实施例中，可以通过金属卤化物材料和镧材料的共沉积来形成电子注入层。在实施例中，电子注入层可以定位在第三电子传输层ETL3和阴极CE之间、第二电荷产生层CGL2和第二堆叠ST2之间以及第一电荷产生层CGL1和第一堆叠ST1之间。
发光层OL的结构也可以根据上述结构来修改。在一个可替代的实施例中，例如，可以如图11中所示地修改发光层OL。在这样的实施例中，如图11中所示，发光层OLa可以进一步包括定位在第三堆叠ST3和第二堆叠ST2之间的第四堆叠ST4，并且可以进一步包括定位在第三堆叠ST3和第二堆叠ST2之间的第三电荷产生层CGL3。
第四堆叠ST4可以包括第四发光层EML4，并且可以进一步包括第四空穴传输层HTL4、第四电子阻挡层BIL4和第四电子传输层ETL4。
被包括在发光层OLa中的第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的每一个可以发射第三颜色的光，例如，蓝光。从第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中选择的至少一个以及从第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中选择的至少另一个可以发射具有彼此不同的峰值波长范围的蓝光。
可替代地，从第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中选择的至少任何一个可以发射绿光，并且从第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中选择的至少另一个可以发射蓝光。在一个实施例中，例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的一个可以是绿光发射层，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的另外三个可以全部是蓝光发射层。
第四空穴传输层HTL4可以定位在第二电荷产生层CGL2上。第四空穴传输层HTL4可以包括与第一空穴传输层HTL1相同的材料或由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可以包括从以上针对第一空穴传输层HTL1列出的材料中选择的至少一种材料。第四空穴传输层HTL4可以是单层，或者可以由多个层限定。在第四空穴传输层HTL4由多个层限定的实施例中，所述多个层可以包括彼此不同的材料。
第四电子阻挡层BIL4可以定位在第四空穴传输层HTL4上，并且可以定位在第四空穴传输层HTL4和第四发光层EML4之间。第四电子阻挡层BIL4可以具有与第一电子阻挡层BIL1相同的材料和结构，或者可以包括从以上针对第一电子阻挡层BIL1列出的材料中选择的至少一种材料。在可替代的实施例中，可以省略第四电子阻挡层BIL4。
第四电子传输层ETL4可以定位在第四发光层EML4上，并且可以定位在第三电荷产生层CGL3和第四发光层EML4之间。第四电子传输层ETL4可以具有与第一电子传输层ETL1相同的材料和结构，或者可以包括从以上针对第一电子传输层ETL1列出的材料中选择的至少一种材料。第四电子传输层ETL4可以是单层，或者可以由多个层限定。在第四电子传输层ETL4由多个层组成的实施例中，所述多个层可以包括彼此不同的材料。
第三电荷产生层CGL3可以具有与上述第一电荷产生层CGL1的结构相同的结构。在一个实施例中，例如，第三电荷产生层CGL3可以包括设置为更靠近第二堆叠ST2的n型电荷产生层CGL31以及设置为更靠近阴极CE的p型电荷产生层CGL32。p型电荷产生层CGL32可以设置在n型电荷产生层CGL31上。
尽管在附图中未示出，但是电子注入层可以进一步定位在第四堆叠ST4和第三电荷产生层CGL3之间。在这样的实施例中，空穴注入层可以进一步定位在第四堆叠ST4和第二电荷产生层CGL2之间。
在实施例中，如图10和图11中所示，发光层OL或OLa可以不包括红光发射层，并且因此可以不发射第一颜色的光，例如，红光。在这样的实施例中，输出光LE可以不包括峰值波长在约610nm至约650nm的范围内的光分量，并且可以仅包括峰值波长在约440nm至约550nm的范围内的光分量。
在实施例中，如图2、图12和图13中所示，坝构件DM和第一支撑构件OS1可以在非显示区域NDA中定位在第二绝缘层117上。
坝构件DM可以定位为比电源布线VSL相对地朝外。在这样的实施例中，如图12中所示，电源布线VSL可以定位在坝构件DM和显示区域DA之间。
在实施例中，坝构件DM的一部分可以与电源布线VSL重叠。
在实施例中，坝构件DM可以包括多个坝。在一个实施例中，例如，坝构件DM可包括第一坝D1和第二坝D2。
第一坝D1可以与电源布线VSL部分地重叠，并且可以与第三绝缘层130间隔开，电源布线VSL介于第一坝D1和第三绝缘层130之间。在实施例中，第一坝D1可以包括定位在第二绝缘层117上的第一下部坝图案D11和定位在第一下部坝图案D11上的第一上部坝图案D12。
第二坝D2可以定位在第一坝D1外部，并且可以与第一坝D1间隔开。在实施例中，第二坝D2可以包括定位在第二绝缘层117上的第二下部坝图案D21和定位在第二下部坝图案D21上的第二上部坝图案D22。
在实施例中，第一下部坝图案D11和第二下部坝图案D21可以包括与第三绝缘层130相同的材料或由与第三绝缘层130相同的材料制成，并且可以在同一处理期间与第三绝缘层130同时形成。
在实施例中，第一上部坝图案D12和第二上部坝图案D22可以包括与像素限定层150相同的材料或由与像素限定层150相同的材料制成，并且可以在同一处理期间与像素限定层150同时形成。
在实施例中，第一坝D1和第二坝D2可以具有彼此不同的高度。在一个实施例中，例如，第二坝D2的高度可以大于第一坝D1的高度。在这样的实施例中，随着距显示区域DA的距离增加，坝构件DM中包括的坝的高度可以逐渐增加。因此，在形成将在后面描述的封装层170中包括的有机层173的处理中，可以更有效地阻止有机材料溢出。
第一支撑构件OS1可以定位为比坝构件DM相对地朝外。在这样的实施例中，如图2、图12和图13中所示，坝构件DM可以定位在第一支撑构件OS1的第一部分OS1a和显示区域DA之间以及第一支撑构件OS1的第二部分OS1b和显示区域DA之间。第一支撑构件OS1可以支撑在制造如上所述的发光层OL、阴极CE、第一覆盖层160和封装层170的处理中使用的掩模，即，可以用作掩模支撑件。
在实施例中，如图2和图12中所示，第一支撑构件OS1的第一部分OS1a可以与包括连接到连接焊盘PD的布线的第一栅极金属WR1重叠。
在实施例中，第一支撑构件OS1的第一部分OS1a可以包括定位在第二绝缘层117上的第一下部支撑图案OS11a和定位在第一下部支撑图案OS11a上的第一上部支撑图案OS12a。
在实施例中，第一支撑构件OS1的第二部分OS1b可以包括定位在第二绝缘层117上的第二下部支撑图案OS11b和定位在第二下部支撑图案OS11b上的第二上部支撑图案OS12b。
在实施例中，第一下部支撑图案OS11a和第二下部支撑图案OS11b可以包括与第三绝缘层130相同的材料或由与第三绝缘层130相同的材料制成，并且可以在同一处理期间与第三绝缘层130同时形成。
在实施例中，第一上部支撑图案OS12a和第二上部支撑图案OS12b可以包括与像素限定层150相同的材料或由与像素限定层150相同的材料制成，并且可以在同一处理期间与像素限定层150同时形成。
如上所述，在实施例中，第一支撑构件OS1的第二部分OS1b可以与显示装置1的边缘或第一基体110的边缘基本上对准。
在实施例中，第一支撑构件OS1的第二部分OS1b可以与包括栅极驱动电路的一部分的第二栅极金属WR2重叠。
在实施例中，第一支撑构件OS1的第二部分OS1b的两个侧表面可以具有彼此不同的倾斜角。
在一个实施例中，例如，如图14中所示，在第二部分OS1b的两个侧表面之中的与显示装置1的边缘对准的表面可以称为第一侧表面OSE1，并且面对第一侧表面OSE1的侧表面可以称为第二侧表面OSE2。在这样的实施例中，第二下部支撑图案OS11b的在第一侧表面OSE1处的倾斜角a1可以不同于第二下部支撑图案OS11b的在第二侧表面OSE2处的倾斜角a2。在实施例中，第二下部支撑图案OS11b的倾斜角a1可以大于第二下部支撑图案OS11b的倾斜角a2。在实施例中，第二上部支撑图案OS12b的在第一侧表面OSE1处的倾斜角a3可以不同于第二上部支撑图案OS12b的在第二侧表面OSE2处的倾斜角a4。在实施例中，第二上部支撑图案OS12b的倾斜角a3可以大于第二上部支撑图案OS12b的倾斜角a4。第一下部支撑图案OS11a的第一侧表面OSE1可以是在显示装置1的制造过程中被抛光的表面，并且第二下部支撑图案OS11b的第二侧表面OSE2可以是在显示装置1的制造过程中未被抛光的表面。因此，第二下部支撑图案OS11b的两个侧表面可以具有彼此不同的倾斜角。
如图9、图12和图13中所示，第一覆盖层160可以定位在阴极CE上。第一覆盖层160可以设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中的全部中，或者可以覆盖第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中的全部。第一覆盖层160可以改善视角特性并增加外部发光效率。
第一覆盖层160可以包括具有透光特性的无机材料和/或有机材料。在实施例中，第一覆盖层160可以是无机层、有机层或包括无机粒子的有机层。在一个实施例中，例如，第一覆盖层160可以包括三胺衍生物、咔唑联苯衍生物、亚芳基二胺衍生物或Alq3。
在实施例中，第一覆盖层160可以包括高折射率材料和低折射率材料的混合物或由高折射率材料和低折射率材料的混合物制成。可替代地，第一覆盖层160可以包括具有彼此不同的折射率的两层，例如，高折射率层和低折射率层。
在实施例中，第一覆盖层160可以完全覆盖阴极CE。在实施例中，如图2、图12和图13中所示，第一覆盖层160的端部可以定位为比阴极CE的端部相对地朝外，并且阴极CE的端部可以由第一覆盖层160完全覆盖。
封装层170可以设置在第一覆盖层160上。封装层170保护被定位在封装层170下方的元件(例如，发光元件ED1至ED3)免受诸如湿气的外部异物的影响。封装层170设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中的全部中。在实施例中，封装层170可以直接覆盖阴极CE。在实施例中，可以在封装层170和阴极CE之间进一步设置覆盖层(未示出)以覆盖阴极CE。在这样的实施例中，封装层170可以直接覆盖所述覆盖层。封装层170可以是薄膜封装层。
在实施例中，封装层170可以包括顺序地堆叠在第一覆盖层160上的下部无机层171、有机层173和上部无机层175。
在实施例中，下部无机层171可以在显示区域DA中覆盖第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3。下部无机层171可以在非显示区域NDA中覆盖坝构件DM，并且延伸到坝构件DM外部。在实施例中，下部无机层171的端部可以与第一支撑构件OS1间隔开，并且可以定位在第一支撑构件OS1的第一部分OS1a和坝构件DM之间以及第一支撑构件OS1的第二部分OS1b和坝构件DM之间。
在实施例中，下部无机层171可以完全覆盖第一覆盖层160。在实施例中，如图2、图12和图13中所示，下部无机层171的端部可以定位为比第一覆盖层160的端部相对地朝外，并且第一覆盖层160的端部可以由下部无机层171完全覆盖。
有机层173可以定位在下部无机层171上。有机层173可以在显示区域DA中覆盖第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3。在实施例中，有机层173的一部分可以定位在非显示区域NDA中，但是可以不定位在坝构件DM外部。在实施例中，如图12和图13中所示，有机层173的一部分可以定位在第一坝D1内部，但是本公开不限于此。在可替代的实施例中，有机层173的一部分可以被容纳在第一坝D1和第二坝D2之间的空间中，并且有机层173的端部可以定位在第一坝D1和第二坝D2之间的区域中。
上部无机层175可以定位在有机层173上。上部无机层175可以覆盖有机层173。在实施例中，上部无机层175可以在非显示区域NDA中直接接触下部无机层171，以形成无机-无机键合，并且上部无机层175的端部可以定位在坝构件DM和第一支撑构件OS1之间。在实施例中，上部无机层175的端部和下部无机层171的端部可以基本上彼此对准。
在下部无机层171和上部无机层175与第一支撑构件OS1间隔开的实施例中，即使在显示装置1的制造过程中执行用于抛光显示装置1的侧表面的侧面抛光处理，第一支撑构件OS1也可以吸收外部冲击。在这样的实施例中，第一支撑构件OS1可以用作裂纹坝。因此，可以有效地防止冲击传递到下部无机层171和上部无机层175而产生裂纹或传播所产生的裂纹。因此，可以提高显示装置1的可靠性。
在实施例中，下部无机层171和上部无机层175中的每一个可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)或氟化锂，或者可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)或氟化锂制成。
在实施例中，下部无机层171和上部无机层175中的每一个可以是单层，但是本公开不限于此。可替代地，下部无机层171和上部无机层175中的至少一个可以具有多层结构，即，其中各自包括无机材料或由无机材料制成的多个层堆叠在彼此上的结构。
在实施例中，有机层173可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂或二萘嵌苯树脂，或者可以由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂或二萘嵌苯树脂制成。
然而，封装层170的结构不限于以上示例，并且可以被不同地修改。
现在，不仅参照图1至图14，还将参照图15至图19详细描述颜色转换基底30。
图15是示出根据实施例的在显示装置1的颜色转换基底30中的第三滤色器235和颜色图案250的示意性布置的平面图。图16是示出根据实施例的在显示装置1的颜色转换基底30中的遮光图案260的示意性布置的平面图。图17是示出根据实施例的在显示装置1的颜色转换基底30中的第一滤色器231的示意性布置的平面图。图18是示出根据实施例的在显示装置1的颜色转换基底30中的第二滤色器233的示意性布置的平面图。图19是示出根据实施例的在显示装置1的颜色转换基底30中的堤坝图案370、第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330的示意性布置的平面图。
图9、图12和图13中所示的颜色转换基底30的第二基体310可以包括透光材料或由透光材料制成。
在实施例中，第二基体310可以包括玻璃基底或塑料基底。在实施例中，第二基体310可以进一步包括定位在玻璃基底或塑料基底上的单独的层，例如，诸如无机层的绝缘层。
在实施例中，可以如上所述地在第二基体310中限定透光区域TA1至TA3和遮光区域BA。
如图9、图12和图13中所示，第三滤色器235和颜色图案250可以定位在第二基体310的面对显示基底10的表面上。
第三滤色器235可以与第三发光区域LA3或第三透光区域TA3重叠。
第三滤色器235可以仅透射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且可以阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。在实施例中，第三滤色器235可以是蓝色滤色器，并且可以包括诸如蓝色染料或蓝色颜料的蓝色着色剂。如本文中所使用的，术语“着色剂”是涵盖染料和颜料两者的概念。
颜色图案250可以与非发光区域NLA或遮光区域BA重叠。在实施例中，颜色图案250可以进一步定位在非显示区域NDA中。
颜色图案250可以吸收从显示装置1外部引入显示装置1中的光的一部分，从而减少由于外部光引起的反射光。如果外部光的相当一部分被反射，则可能发生显示装置1的色域的失真。在实施例中，颜色图案250定位在非发光区域NLA和非显示区域NDA中，使得可以大体上减少由于外部光的反射引起的颜色失真。
在实施例中，颜色图案250可以包括蓝色着色剂，诸如蓝色染料或蓝色颜料。在实施例中，颜色图案250可以包括与第三滤色器235相同的材料或由与第三滤色器235相同的材料制成，并且可以在同一处理期间与第三滤色器235同时形成。在颜色图案250包括蓝色着色剂的实施例中，透射通过颜色图案250的外部光或反射光可以是蓝光。用户的眼睛的颜色敏感度根据光的颜色而变化。更具体地，与绿色波长带的光和红色波长带的光相比，用户可能较少敏感地感知蓝色波长带的光。因此，在颜色图案250包括蓝色着色剂的这种实施例中，用户会相对较少敏感地感知反射光。
在实施例中，如图15中所示，颜色图案250可以设置为遍及整个遮光区域BA。在实施例中，如图15中所示，可以将颜色图案250和第三滤色器235彼此连接，或者可以将颜色图案250和第三滤色器235一体地形成为单个整体单元。
在实施例中，如图9、图12和图13中所示，遮光图案260可以定位在第二基体310的面对显示基底10的表面上。遮光图案260可以与遮光区域BA重叠以阻挡光的透射。在实施例中，如图16中所示，在沿第三方向Z观看的平面图中，遮光图案260可以设置成大致格子形状。
在实施例中，遮光图案260可以包括有机遮光材料，并且可以通过涂覆和暴露有机遮光材料来形成。
如上所述，外部光可能导致显示装置1的色域的失真。在实施例中，遮光图案260定位在第二基体310上，使得外部光的至少一部分被遮光图案260吸收。因此，可以减少由于外部光的反射引起的颜色失真。在实施例中，遮光图案260可以防止由于在相邻的透光区域之间的光的侵入所导致的混色，从而进一步改善了色域。
在实施例中，遮光图案260可以定位在颜色图案250上。在这样的实施例中，遮光图案260可以与第二基体310相对地定位，颜色图案250介于遮光图案260和第二基体310之间。
在颜色图案250定位在遮光图案260和第二基体310之间的实施例中，遮光图案260可以不接触第二基体310。
在可替代的实施例中，可以省略遮光图案260。
在实施例中，如图9中所示，第一滤色器231和第二滤色器233可以定位在第二基体310的面对显示基底10的表面上。
第一滤色器231可以与第一发光区域LA1或第一透光区域TA1重叠，并且第二滤色器233可以与第二发光区域LA2或第二透光区域TA2重叠。
在实施例中，第一滤色器231可以阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)。即，第一滤色器231可以用作阻挡蓝光的遮蓝光滤光器。在实施例中，第一滤色器231可以仅透射第一颜色的光(例如，红光)，并且可以阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)并且阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿光)。在一个实施例中，例如，第一滤色器231可以是红色滤色器，并且可以包括红色着色剂。
第二滤色器233可以阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)。即，第二滤色器233还可以用作遮蓝光滤光器。在实施例中，第二滤色器233可以仅透射第二颜色的光(例如，绿光)，并且可以阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)和第一颜色的光(例如，红光)。在一个实施例中，例如，第二滤色器233可以是绿色滤色器，并且可以包括绿色着色剂。
在实施例中，如图9和图17中所示，第一滤色器231的一部分可以进一步定位在遮光区域BA中，并且如图9和图18中所示，第二滤色器233的一部分还可以进一步定位在遮光区域BA中。
在实施例中，第一滤色器231的一部分可以进一步定位在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间以及第一透光区域TA1和第三透光区域TA3之间的遮光区域BA中。
在实施例中，第二滤色器233的一部分可以进一步定位在第一透光区域TA1与第二透光区域TA2之间以及第二透光区域TA2与第三透光区域TA3之间的遮光区域BA中。
在这样的实施例中，第一滤色器231和第二滤色器233彼此重叠，并且第一滤色器231和第二滤色器233还可以在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间的遮光区域BA中彼此重叠。遮光区域BA的其中第一滤色器231和第二滤色器233彼此重叠的一部分可以用作阻挡光的透射的遮光构件。
在可替代的实施例中，第一滤色器231和第二滤色器233可以定位为遍及整个遮光区域BA，并且可以在整个遮光区域BA中彼此重叠。
在实施例中，第一滤色器231和第二滤色器233可以在遮光区域BA中与颜色图案250重叠。在一个实施例中，例如，颜色图案250可以在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间的遮光区域BA中与第一滤色器231和第二滤色器233重叠。在这样的实施例中，颜色图案250可以在第二透光区域TA2和第三透光区域TA3之间的遮光区域BA中与第二滤色器233重叠。在这样的实施例中，颜色图案250可以在第三透光区域TA3和第一透光区域TA1之间的遮光区域BA中与第一滤色器231重叠。
在遮光区域BA中，第一滤色器231和颜色图案250重叠的部分以及第二滤色器233和颜色图案250重叠的部分可以用作遮光构件。在遮光区域BA中，第一滤色器231和颜色图案250重叠的部分以及第二滤色器233和颜色图案250重叠的部分可以吸收至少一部分外部光，从而减少由于外部光的反射引起的颜色失真。另外，可以防止发射到外部的光侵入相邻的发光区域之间且因而引起混色。因此，可以进一步改善显示装置1的色域。
在实施例中，从第一滤色器231和第二滤色器233中选择的至少一个可以进一步定位在非显示区域NDA中。在一个实施例中，例如，如图12和图13中所示，第一滤色器231可以进一步定位在非显示区域NDA中，并且可以在非显示区域NDA中与颜色图案250重叠。彼此重叠的颜色图案250和第一滤色器231可以在非显示区域NDA中用作遮光构件。在省略了遮光图案260的实施例中，第一滤色器231可以在非显示区域NDA中直接定位在颜色图案250上。
在实施例中，如图9、图12和图13中所示，第二覆盖层391可以定位在第二基体310的表面上，以覆盖遮光图案260、颜色图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。在实施例中，第二覆盖层391可以直接接触第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。在实施例中，第二覆盖层391可以直接接触遮光图案260。
第二覆盖层391可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部引入并损坏或污染遮光图案260、颜色图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。此外，第二覆盖层391可以防止第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中包含的着色剂扩散到诸如第一波长转换图案340和第二波长转换图案350的其他元件。在实施例中，第二覆盖层391可包括无机材料或由无机材料制成。在一个实施例中，例如，第二覆盖层391可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈或氮氧化硅。
在实施例中，第二覆盖层391可以在非显示区域NDA中覆盖颜色图案250、遮光图案260和第一滤色器231的侧表面。在实施例中，第二覆盖层391可以在非显示区域NDA中直接接触第二基体310。
堤坝图案370可以定位在第二覆盖层391的面对显示基底10的表面上。在实施例中，堤坝图案370可以直接定位在第二覆盖层391的表面上，并且可以直接接触第二覆盖层391。
在实施例中，堤坝图案370可以与非发光区域NLA或遮光区域BA重叠。在实施例中，如图19中所示，在沿第三方向Z观看的平面图中，堤坝图案370可以围绕第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。堤坝图案370可以分隔其中设置有第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330的空间。
在实施例中，堤坝图案370可以形成为如图19中所示的一体连接的单个图案，但是本公开不限于此。在可替代的实施例中，堤坝图案370的围绕第一透光区域TA1的部分、堤坝图案370的围绕第二透光区域TA2的部分以及堤坝图案370的围绕第三透光区域TA3的部分可以形成为彼此分离的单独图案。
在实施例中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330通过使用喷嘴喷射墨水组合物的方法(即，喷墨印刷方法)而形成，并且堤坝图案370可以用作将喷射的墨水组合物稳定地定位在期望的位置处的引导件。在这样的实施例中，堤坝图案370可以用作屏障壁(barrier rib)。
在实施例中，堤坝图案370可以与像素限定层150重叠。
如图12和图13中所示，在实施例中，堤坝图案370可以进一步定位在非显示区域NDA中。堤坝图案370可以在非显示区域NDA中与颜色图案250和第一滤色器231重叠。
在实施例中，堤坝图案370可以包括具有光可固化性的有机材料。在实施例中，堤坝图案370可以包括具有光可固化性且包含遮光材料的有机材料。在堤坝图案370具有遮光特性的这种实施例中，堤坝图案370可以防止光侵入显示区域DA中的邻近的发光区域之间。在一个实施例中，例如，堤坝图案370可以阻挡从第二发光元件ED2发射的输出光LE进入与第一发光区域LA1重叠的第一波长转换图案340。在这样的实施例中，在非发光区域NLA和非显示区域NDA中，堤坝图案370可以阻挡或防止外部光进入被定位在堤坝图案370下方的元件。
在实施例中，如图9、图12和图13所示，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以定位在第二覆盖层391上。在实施例中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以定位在显示区域DA中。
透光图案330可以与第三发光区域LA3或第三发光元件ED3重叠。在第三透光区域TA3中，透光图案330可以定位在由堤坝图案370限定的空间中。
在实施例中，透光图案330可以形成为如图19中所示的岛状图案。在这样的实施例中，如图19中所示，透光图案330可以不与遮光区域BA重叠，但不限于此。在可替代的实施例中，透光图案330的一部分可以与光遮光区域BA重叠。
透光图案330可以透射入射光。如上所述，由第三发光元件ED3提供的输出光LE可以是蓝光。作为蓝光的输出光LE透射通过透光图案330和第三滤色器235，然后被发射到显示装置1外部。即，通过第三发光区域LA3发射到显示装置1外部的第三光L03可以是蓝光。
在实施例中，透光图案330可以包括第一基体树脂331，并且可以进一步包括分散在第一基体树脂331中的第一散射体333。
第一基体树脂331可以包括具有高透光率的材料或由具有高透光率的材料制成。在实施例中，第一基体树脂331可以包括有机材料或由有机材料制成。在一个实施例中，例如，第一基体树脂331可以包括有机材料，诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)树脂或酰亚胺树脂。
第一散射体333可以具有与第一基体树脂331的折射率不同的折射率，并且可以与第一基体树脂331形成光学界面。在一个实施例中，例如，第一散射体333可以是光散射粒子。第一散射体333未被具体限制，只要第一散射体333是可以散射至少一部分透射光的材料即可。在一个实施例中，例如，第一散射体333可以是金属氧化物粒子或有机粒子。在这样的实施例中，金属氧化物粒子可以包括从氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO2)中选择的至少一种。在这样的实施例中，有机粒子可以包括从丙烯酸树脂和聚氨酯树脂中选择的至少一种。在基本上不改变透射通过透光图案330的光的波长的情况下，第一散射体333可以在随机方向上散射入射光，而与入射光的入射方向无关。
在实施例中，透光图案330可以直接接触第二覆盖层391和堤坝图案370。
第一波长转换图案340可以定位在第二覆盖层391上，并且可以与第一发光区域LA1或第一发光元件ED1或第一透光区域TA1重叠。
在实施例中，在第一透光区域TA1中，第一波长转换图案340可以定位在由堤坝图案370限定的空间中。
在实施例中，如图19中所示，第一波长转换图案340可以形成为岛状图案。在实施例中，如图19中所示，第一波长转换图案340可以不与遮光区域BA重叠，但不限于此。在实施例中，第一波长转换图案340的一部分可以与遮光区域BA重叠。
在实施例中，第一波长转换图案340可以直接接触第二覆盖层391和堤坝图案370。
第一波长转换图案340可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一特定峰值波长，并且可以输出具有转换后的或移位后的特定峰值波长的光。在实施例中，第一波长转换图案340可以将由第一发光元件ED1提供的输出光LE转换为具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光，并且可以输出红光。
在实施例中，第一波长转换图案340可以包括第二基体树脂341和分散在第二基体树脂341中的第一波长移位器345，并且可以进一步包括分散在第二基体树脂341中的第二散射体343。
第二基体树脂341可以包括具有高透光率的材料或由具有高透光率的材料制成。在实施例中，第二基体树脂341可以包括有机材料或由有机材料制成。在实施例中，第二基体树脂341可以包括与第一基体树脂331相同的材料或由与第一基体树脂331相同的材料制成，或者可以包括从以上针对第一基体树脂331列出的材料中选择的至少一种。
第一波长移位器345可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一特定峰值波长。在实施例中，第一波长移位器345可以将第三颜色的输出光LE(其是由第一发光元件ED1提供的蓝光)转换为具有在约610nm至约650nm的范围内的单个峰值波长的红光，并且可以输出红光。
第一波长移位器345的示例可以包括量子点、量子棒和磷光体。在一个实施例中，例如，量子点可以是当电子从导带跃迁至价带时发射特定颜色的光的微粒材料。
量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据它们的组成和尺寸而具有特定的带隙。因此，量子点可以吸收光，并且然后可以发射具有唯一波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体和它们的组合中的至少一种。
II-VI族化合物可以从二元化合物、三元化合物和四元化合物中选择，二元化合物从CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物中选择，三元化合物从、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物中选择，四元化合物从HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物中选择。
III-V族化合物可以从二元化合物、三元化合物和四元化合物中选择，二元化合物从GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物中选择，三元化合物从GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InZnP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物中选择，四元化合物从GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物中选择。
IV-VI族化合物可以从二元化合物、三元化合物和四元化合物中选择，二元化合物从SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物中选择，三元化合物从SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物中选择，四元化合物从SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物中选择。IV族元素可以从硅(Si)、锗(Ge)和它们的混合物中选择。IV族化合物可以是从碳化硅(SiC)、硅锗(SiGe)和它们的混合物中选择的二元化合物。
在此，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于粒子中，或者可以以局部不同的浓度存在于相同的粒子中。另外，量子点可以具有其中一个量子点围绕另一量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有其中壳中的元件的浓度朝向中心减小的浓度梯度。
在实施例中，量子点可以具有核-壳结构，所述核-壳结构包括含有上述纳米晶体的核和围绕所述核的壳。每个量子点的壳可以用作通过防止核的化学变性来保持半导体特性的保护层，和/或用作为量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中壳中的元素的浓度朝向中心减小的浓度梯度。每个量子点的壳可以是例如金属或非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。
在一个实施例中，例如，金属或非金属氧化物可以是诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO的二元化合物或者诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4的三元化合物，但不限于诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO的二元化合物或者诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4的三元化合物。
在这样的实施例中，半导体化合物可以是CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP或AlSb，但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP或AlSb。
从第一波长移位器345发射的光可以具有约45nm或更小、约40nm或更小、或约30nm或更小的发射波长谱的半峰全宽(“FWHM”)。因此，可以改善显示装置1的色纯度和色再现性。另外，从第一波长移位器345发射的光可以在各种方向上辐射，而与入射光的入射方向无关。因此，可以改善在第一透光区域TA1中显示的第一颜色的横向可见性。
由第一发光元件ED1提供的输出光LE的一部分可以透射通过第一波长转换图案340，而不被第一波长移位器345转换为红光。未被第一波长转换图案340转换的入射在第一滤色器231上的输出光LE的第一滤色器231可以由第一滤色器231阻挡，并且输出光LE已经被第一波长转换图案340转换为红光，所述红光可以透射通过第一滤色器231并发射到外部。即，通过第一透光区域TA1发射到显示装置1外部的第一光L01可以是红光。
第二散射体343可以具有与第二基体树脂341的折射率不同的折射率，并且可以与第二基体树脂341形成光学界面。在一个实施例中，例如，第二散射体343可以是光散射粒子。第二散射体343的其他特征与第一散射体333的相应特征基本上相同或相似，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
在第二透光区域TA2中，第二波长转换图案350可以定位在由堤坝图案370限定的空间中。
在实施例中，如图19中所示，第二波长转换图案350可以形成为岛状图案。在可替代的实施例中，第二波长转换图案350的一部分可以与遮光区域BA重叠。
在实施例中，第二波长转换图案350可以直接接触第二覆盖层391和堤坝图案370。
第二波长转换图案350可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一特定峰值波长，并且可以输出具有转换后的或移位后的特定峰值波长的光。在实施例中，第二波长转换图案350可以将由第二发光元件ED2提供的输出光LE转换为在约510nm至约550nm的范围内的绿光，并且可以输出绿光。
在实施例中，第二波长转换图案350可以包括第三基体树脂351和分散在第三基体树脂351中的第二波长移位器355，并且可以进一步包括分散在第三基体树脂351中的第三散射体353。
第三基体树脂351可以包括具有高透光率的材料或由具有高透光率的材料制成。在实施例中，第三基体树脂351可以包括有机材料或由有机材料制成。在实施例中，第三基体树脂351可以包括与第一基体树脂331相同的材料或由与第一基体树脂331相同的材料制成，或者可以包括从以上针对第一基体树脂331列出的材料中选择的至少一种。
第二波长移位器355可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一特定峰值波长。在实施例中，第二波长移位器355可以将具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光转换为具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光。
第二波长移位器355的示例可以包括量子点、量子棒和磷光体。第二波长移位器355与上述第一波长移位器345基本上相同或相似，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
在实施例中，第一波长移位器345和第二波长移位器355两者可以包括量子点或由量子点组成。在这样的实施例中，构成第二波长移位器355的量子点的粒子尺寸可以小于构成第一波长移位器345的量子点的粒子尺寸。
第三散射体353可以具有与第三基体树脂351的折射率不同的折射率，并且可以与第三基体树脂351形成光学界面。在一个实施例中，例如，第三散射体353可以是光散射粒子。第三散射体353的其他特征与第二散射体343的相应特征基本上相同或相似，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
从第二发光元件ED2发射的输出光LE可以提供给第二波长转换图案350，并且第二波长移位器355可以将由第二发光元件ED2提供的输出光LE转换为具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光，并且可以发射绿光。
作为蓝光的输出光LE的一部分可以透射通过第二波长转换图案350而不被第二波长移位器355转换为绿光，并且可以被第二滤色器233阻挡，并且输出光LE已经被第二波长转换图案350转换为绿光，所述绿光可以透射通过第二滤色器233并且被发射到外部。因此，通过第二透光区域TA2发射到显示装置1外部的第二光L02可以是绿光。
第三覆盖层393可以定位在堤坝图案370、透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上。第三覆盖层393可以覆盖透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。在实施例中，第三覆盖层393还可以定位在非显示区域NDA中。在非显示区域NDA(参见图1)中，第三覆盖层393可以直接接触第二覆盖层391，并且可以密封透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。因此，可以有效地防止诸如湿气或空气的杂质从外部引入并损坏或污染透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。
在实施例中，第三覆盖层393可以在非显示区域NDA中覆盖堤坝图案370的外表面。在实施例中，第三覆盖层393可以在非显示区域NDA中直接接触第二覆盖层391。
在实施例中，第三覆盖层393可以包括无机材料或由无机材料制成。在实施例中，第三覆盖层393可以包括与第二覆盖层391相同的材料或由与第二覆盖层391相同的材料制成，或者可以包括从对第二覆盖层391的描述中提及的材料中选择的至少一种。在第二覆盖层391和第三覆盖层393两者包括无机材料或由无机材料制成的实施例中，第二覆盖层391和第三覆盖层393两者可以在非显示区域NDA中彼此直接接触，以形成无机-无机键合。
在实施例中，如上所述，密封构件50可以在非显示区域NDA中定位在颜色转换基底30和显示基底10之间。
密封构件50可以与封装层170重叠。在一个实施例中，例如，密封构件50可以与下部无机层171和上部无机层175重叠，并且可以不与有机层173重叠。在实施例中，密封构件50可以直接接触封装层170。在一个实施例中，例如，密封构件50可以直接定位在上部无机层175上，并且可以直接接触上部无机层175。
在实施例中，定位在密封构件50下方的上部无机层175和下部无机层171可以延伸到密封构件50外部，并且上部无机层175的端部和下部无机层171的端部可以定位在密封构件50和第一支撑构件OS1的第一部分OS1a之间以及密封构件50和第一支撑构件OS1的第二部分OS1b之间。
密封构件50可以在非显示区域NDA中与颜色图案250、第一滤色器231和堤坝图案370重叠。在实施例中，密封构件50可以直接接触覆盖堤坝图案370的第三覆盖层393。
密封构件50可以与包括连接到连接焊盘PD的布线的第一栅极金属WR1重叠，并且还可以与包括栅极驱动电路的一部分的第二栅极金属WR2重叠。在密封构件50设置为与第一栅极金属WR1和第二栅极金属WR2重叠的实施例中，可以减小非显示区域NDA的宽度。
如上所述，填料70可以定位在颜色转换基底30、显示基底10和密封构件50之间的空间中。在实施例中，如图9、图12和图13中所示，填料70可以直接接触第三覆盖层393和封装层170的上部无机层175。
在根据本发明的显示装置的实施例中，第一支撑构件不仅可以在制造过程期间支撑掩模，还可以用作防止无机层的裂纹的裂纹坝，从而改善显示装置的可靠性并降低制造过程中的缺陷率。在这样的实施例中，由于密封构件设置为与封装层重叠，因此可以改善非显示区域的空间效率。
图20是根据实施例的还未对其执行侧面抛光处理的与母基底分离的显示装置1'的平面图。图21是沿着图20的线X31-X31'截取的截面图，示出了还未对其执行侧面抛光处理的显示装置1'。图22是沿着图20的线X51-X51'截取的截面图，示出了还未对其执行侧面抛光处理的显示装置1'。
参照图20至图22，通过沿着划刻线SRL切割母基底或母玻璃而与母基底或母玻璃分离的显示装置1'(下文中，称为“未处理的显示装置”)的实施例包括：未处理的显示基底10'、未处理的颜色转换基底30'、密封构件50和填料70。未处理的显示基底10'不仅可以包括定位在非显示区域NDA中的第一支撑构件OS1'，还可以包括定位在第一支撑构件OS1'外部的第二支撑构件OS2。
在实施例中，未处理的显示装置1'的第一支撑构件OS1'可以包括：第一部分OS1a'，第一部分OS1a'定位为与未处理的显示装置1'的第一侧面L1a相邻；以及第二部分OS1b'，第二部分OS1b'沿着未处理的显示装置1'的第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a设置。第一部分OS1a'的在第一方向X上的宽度可以大于图2中所示的第一部分OS1a(参见图2)的宽度。
在实施例中，未处理的显示装置1'的第二支撑构件OS2可以定位在第一支撑构件OS1'的第二部分OS1b'外部。第二支撑构件OS2可以沿着未处理的显示装置1'的第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a设置，并且可以连接到第一支撑构件OS1'的第一部分OS1a'。
如上所述，第一部分OS1a'包括第一下部支撑图案OS11a'和定位在第一下部支撑图案OS11a'上的第一上部支撑图案OS12a'，并且第二部分OS1b'包括第二下部支撑图案OS11b'和定位在第二下部支撑图案OS11b'上的第二上部支撑图案OS12b'。
第二支撑构件OS2还可以包括下部支撑图案OS21和上部支撑图案OS22。在母基底或母玻璃的状态下，第一支撑构件OS1'和第二支撑构件OS2可以用作掩模支撑件，掩模支撑件支撑在形成未处理的显示基底10'的发光层OL、阴极CE、第一覆盖层160、下部无机层171和上部无机层175的处理中使用的掩模(或开口掩模)。
第二支撑构件OS2和第一支撑构件OS1'的第二部分OS1b'可以彼此间隔开。因此，当执行沿着划刻线SRL切割母基底的处理时，第二支撑构件OS2可以主要吸收冲击。在实施例中，由于第二支撑构件OS2和第一支撑构件OS1'的第二部分OS1b'彼此间隔开，因此可以减少施加到第二支撑构件OS2的冲击被传递到第一支撑构件OS1'。因此，可以有效地防止在切割母基底的处理期间由于外部冲击而在下部无机层171和上部无机层175中产生裂纹。
可以对与母基底分离的未处理的显示装置1'进一步执行侧面抛光处理。可以对未处理的显示装置1'的第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a进行抛光，直到被定位为比划刻线SRL相对地朝内的侧面抛光线SPL。在侧面抛光处理中，可以部分地去除未处理的显示基底10'和未处理的颜色转换基底30'，并且还可以去除第二支撑构件OS2。在实施例中，在侧面抛光处理中，可以去除第一支撑构件OS1'的第一部分OS1a'的面向第二侧面L2a和第四侧面L4a的一部分，并且可以去除第一支撑构件OS1'的第二部分OS1b'的一部分。因此，可以在侧面抛光处理中减小第二部分OS1b'的宽度。
在这样的实施例中，可以不对未处理的显示装置1'的第一侧面L1a执行侧面抛光处理。可替代地，可以对未处理的显示装置1'的第一侧面L1a执行侧面抛光处理，仅仅直到位于连接焊盘PD外部的一部分。因此，可以不减小第一支撑构件OS1'的第一部分OS1a'的宽度。因此，在完成侧面抛光处理之后，第一部分OS1a(参见图12)的宽度W1a(参见图12)可以大于第二部分OS1b(参见图13)的宽度W1b。
在实施例中，在执行侧面抛光处理之前或之后，可以沿着切割线CL部分地切割并去除第一侧面L1a上的颜色转换基底30'的一部分。通过以上处理，可以制造图2、图9、图12和图13中所示的显示装置。
在显示装置的实施例中，如上所述，因为在制造过程中，在将显示装置与母基底分离之后，对显示装置执行侧面抛光处理，所以可以相对减小非显示区域的宽度。在这样的实施例中，由于支撑掩模的支撑构件在母基底的状态下彼此间隔开，因此可以有效地防止或最小化可能在用于将显示装置分离的切割处理中产生的冲击传递到显示装置中。在这样的实施例中，即使在制造过程中由于掩模未对准而将无机层(例如，第一下部无机层和第一上部无机层)的一部分局部地沉积在第一支撑构件上，在切割处理中产生的外部冲击也会被第二支撑部件吸收。在这样的实施例中，由于第二支撑构件和第一支撑构件彼此间隔开，因此由第二支撑构件吸收的冲击可以不传递到第一支撑构件。因此，可以有效地防止或最小化由于切割处理而在无机层中产生裂纹。在这样的实施例中，由于在侧面抛光处理中产生的冲击被第一支撑构件吸收，因此可以减少或防止由于侧面抛光处理而将冲击传递到无机层。
图23是根据实施例的显示装置1-1的平面图。图24是沿着图23的显示装置1-1的线X32-X32'截取的截面图。图25是沿着图23的显示装置1-1的线X52-X52'截取的截面图。
除了显示基底10-1包括第一支撑构件OS1-1和第二支撑构件OS2-1之外，图23至图25中所示的显示装置1-1与图2、图9、图12和图13中所示的实施例基本上相同或相似。图23至图25中所示的相同或相似的元件已经利用与上面描述图2、图9、图12和图13中所示的实施例使用的附图标记相同的附图标记来标记，并且将省略或简化其任何重复的详细描述。
第一支撑构件OS1-1可以定位在密封构件50外部，并且可以围绕密封构件50。在实施例中，第一支撑构件OS1-1可以与显示装置1-1的第二侧面L2、第三侧面L3和第四侧面L4基本上对准，并且可以与显示装置1-1的第一侧面L1间隔开。
第一支撑构件OS1-1可以包括定位在第二绝缘层117上的第一下部支撑图案OS1-11和定位在第一下部支撑图案OS1-11上的第一上部支撑图案OS1-12。
第二支撑构件OS2-1可以定位在第一支撑构件OS1-1和连接焊盘PD之间，或者可以定位在第一支撑构件OS1-1和焊盘区域PDA之间。第二支撑构件OS2-1可以与第一支撑构件OS1-1间隔开。第二支撑构件OS2-1可以仅定位在显示装置1-1的第一侧面L1上。在一个实施例中，例如，第二支撑构件OS2-1可以仅包括在第一方向X上延伸的部分，并且可以不包括在第二方向Y上延伸的部分。在这样的实施例中，第二支撑构件OS2-1可以不定位在显示装置1-1的第二侧面L2、第三侧面L3和第四侧面L4与第一支撑构件OS1-1之间。
第二支撑构件OS2-1可以包括定位在第二绝缘层117上的第二下部支撑图案OS2-11和定位在第二下部支撑图案OS2-11上的第二上部支撑图案OS2-12。
在实施例中，第一下部支撑图案OS1-11和第二下部支撑图案OS2-11可以包括与第三绝缘层130相同的材料或由与第三绝缘层130相同的材料制成，并且可以在同一处理期间与第三绝缘层130同时形成。
在实施例中，第一上部支撑图案OS1-12和第二上部支撑图案OS2-12可以包括与像素限定层150相同的材料或由与像素限定层150相同的材料制成，并且可以在同一处理期间与像素限定层150同时形成。
图26是根据实施例的还未对其执行侧面抛光处理的与母基底分离的显示装置1-1'的平面图。
参照图26，通过沿着划刻线SRL切割母基底或母玻璃而与母基底或母玻璃分离的显示装置1-1'(下文中，称为“未处理的显示装置”)不仅可以包括定位在非显示区域NDA中的第一支撑构件OS1-1'，还可以包括定位在第一支撑构件OS1-1'外部的第二支撑构件OS2-1'。
第二支撑构件OS2-1'可以沿着未处理的显示装置1-1'的第一侧面L1a、第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a设置，并且可以与第一支撑构件OS1-1'间隔开，并且可以完全围绕第一支撑构件OS1-1'。
可以沿着划刻线SRL对与母基底分离的未处理的显示装置1-1'进一步执行侧面抛光处理。可以对未处理的显示装置1-1'的第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a进行抛光，直到被定位为比划刻线SRL相对地朝内的侧面抛光线SPL。在侧面抛光处理中，可以去除第二支撑构件OS2-1'的沿着第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a设置的部分，并且第二支撑构件OS2-1'的沿着第一侧面L1a设置的部分可以保留，以形成图23中所示的第二支撑构件OS2-1(参见图23)。
在实施例中，在侧面抛光处理中，还可以对第一支撑构件OS1-1'的沿着第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a设置的部分进行抛光和去除。
通过以上处理，可以制造图23中所示的显示装置。
图27是根据实施例的显示装置1-2的平面图。图28是沿着图27的显示装置1-2的线X33-X33’截取的截面图。图29是沿着图27的显示装置1-2的线X53-X53’截取的截面图。
除了显示基底10-2包括第三支撑构件OS3-1之外，图27至图29中所示的显示装置1-2与图23至图25中所示的实施例基本上相同。图27至图29中所示的相同或相似的元件已经利用与上面描述图23至图25中所示的实施例使用的附图标记相同的附图标记来标记，并且在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。
第三支撑构件OS3-1可以定位在第二支撑构件OS2-1和连接焊盘PD之间，或者可以定位在第二支撑构件OS2-1与焊盘区域PDA之间。第三支撑构件OS3-1可以与第二支撑构件OS2-1间隔开。第二支撑构件OS2-1和第三支撑构件OS3-1可以仅定位在显示装置1-2的第一侧面L1上。
第三支撑构件OS3-1可以包括定位在第二绝缘层117上的第三下部支撑图案OS3-11和定位在第三下部支撑图案OS3-11上的第三上部支撑图案OS3-12。
在实施例中，第三下部支撑图案OS3-11可以包括与第三绝缘层130相同的材料或由与第三绝缘层130相同的材料制成，并且可以在同一处理期间与第三绝缘层130同时形成。在这样的实施例中，第三上部支撑图案OS3-12可以包括与像素限定层150相同的材料或由与像素限定层150相同的材料制成，并且可以在同一处理期间与像素限定层150同时形成。
图30是与母基底分离的根据实施例的显示装置1-2'的平面图，更具体地，是根据实施例的还未对其执行侧面抛光处理的显示装置1-2'的平面图。
除了未处理的显示装置1-2'还包括定位在第二支撑构件OS2-1'外部的第三支撑构件OS3-1'之外，通过沿着图30中所示的划刻线SRL切割母基底或母玻璃而与母基底或母玻璃分离的显示装置1-2'(下文中，称为“未处理的显示装置”)与图26的实施例基本上相同。图30中所示的相同或相似的元件已经利用与上面描述图26中所示的实施例使用的附图标记相同的附图标记来标记，并且下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。
在这样的实施例中，第三支撑构件OS3-1'可以沿着未处理的显示装置1-2'的第一侧面L1a、第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a设置，并且可以与第二支撑构件OS2-1'间隔开，并且可以完全围绕第二支撑构件OS2-1'。
可以沿着划刻线SRL对与母基底分离的未处理的显示装置1-2'进一步执行侧面抛光处理。可以对未处理的显示装置1-2'的第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a进行抛光，直到定位为比划刻线SRL相对地朝内的侧面抛光线SPL。在侧面抛光处理中，可以去除第二支撑构件OS2-1'的沿着第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a设置的部分以及第三支撑构件OS3-1'的沿着第二侧面L2a、第三侧面L3a和第四侧面L4a设置的部分。第二支撑构件OS2-1'的沿着第一侧面L1a设置的部分可以保留，以形成图27中所示的第二支撑构件OS2-1(参见图27)，并且第三支撑构件OS3-1'的沿着第一侧面L1a设置的部分可以保留，以形成图27中所示的第三支撑构件OS3-1(参见图27)。
通过以上处理，可以制造图27至图29中所示的显示装置。
图31是根据实施例的显示装置1-3的平面图。图32是沿着图31的显示装置1-3的线X34-X34'截取的截面图。图33是沿着图31的显示装置1-3的线X54-X54'截取的截面图。
参照图31至图33，根据当前实施例的显示装置1-3的实施例包括显示基底10-3、颜色转换基底30-1、密封构件51和填料70。除了显示装置1-3包括密封构件51之外，图31至图33中所示的显示装置1-3与图2、图9、图12和图13中所示的实施例基本上相同或相似，并且显示基底10-3包括第一支撑构件OS1-3。图31至图33中所示的相同或相似元件已经利用与上面描述图2、图9、图12和图13中所示的实施例使用的附图标记相同的附图标记来标记，并且在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。
在这样的实施例中，密封构件51围绕坝构件DM。密封构件51包括沿着显示装置1-3的第一侧面L11设置的第一部分51a以及连接到第一部分51a并沿着显示装置1-3的第二侧面L21、第三侧面L31和第四侧面L41设置的第二部分51b。
在实施例中，密封构件51的第二部分51b可以与显示装置1-3的第二侧面L21、第三侧面L31和第四侧面L41基本上对准。在一个实施例中，例如，如图32和图33中所示，密封构件51的第二部分51b可以与颜色转换基底30-1的边缘和显示基底10-3的边缘对准。
在实施例中，密封构件51的第一部分51a可以与显示装置1-3的第一侧面L11间隔开。
在实施例中，密封构件51的第一部分51a的宽度WSa可以大于密封构件51的第二部分51b的宽度WSb。
第一支撑构件OS1-3可以定位在密封构件51的第一部分51a和连接焊盘PD之间。第一支撑构件OS1-3可以仅定位在显示装置1-3的第一侧面L11上。在这样的实施例中，第一支撑构件OS1-3可以不定位在显示装置1-3的第二侧面L21、第三侧面L31和第四侧面L41与密封构件51的第二部分51b之间。
第一支撑构件OS1-3可以包括定位在第二绝缘层117上的第一下部支撑图案OS1-31和定位在第一下部支撑图案OS1-31上的第一上部支撑图案OS1-32。
在实施例中，第一下部支撑图案OS1-31可以包括与第三绝缘层130相同的材料或由与第三绝缘层130相同的材料制成，并且第一上部支撑图案OS1-32可以包括与像素限定层150相同的材料或由与像素限定层150相同的材料制成，并且可以在同一处理期间与像素限定层150同时形成。
在这样的实施例中，可以通过将图20中所示的未处理的显示装置1'(参见图20)中的侧面抛光线SPL等设置成与密封构件50(参见图20)部分地重叠来制造显示装置1-3。
可替代地，可以通过从图2中所示的显示装置1(参见图2)完全去除第一支撑构件OS1(参见图2)的第二部分OS1b(参见图2)以及在密封构件50(参见图2)的一部分上进一步执行侧面抛光处理来制造显示装置1-3。在图2中所示的第一支撑构件OS1(参见图2)的第一部分OS1a(见图2)中，在侧面抛光处理之后剩余的部分可以成为显示装置1-3的第一支撑构件OS1-3。
图34是根据实施例的显示装置1-4的平面图。图35是沿着图34的显示装置1-4的线X35-X35'截取的截面图。图36是沿着图34的显示装置1-4的线X55-X55'截取的截面图。
参照图34至图36，显示装置1-4的实施例包括显示基底10-4、颜色转换基底30-1、密封构件51和填料70。除了显示基底10-4还包括第二支撑构件OS2-1之外，图34至图36中所示的显示装置1-4与图31至图33中所示的实施例基本上相同或相似。在这样的实施例中，第二支撑构件OS2-1与以上参照图23至图24描述的第二支撑构件OS2-1基本上相同。图34至图36中所示的相同或相似的元件已经利用与上面描述图31至图33中所示的实施例使用的附图标记相同的附图标记来标记，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。
图37是根据实施例的显示装置1-5的平面图。图38是沿着图37的显示装置1-5的线X36-X36'截取的截面图。图39是沿着图37的显示装置1-5的线X56-X56'截取的截面图。
参照图37至图39，显示装置1-5的实施例包括显示基底10-5、颜色转换基底30-1、密封构件51和填料70。除了显示基底10-5还包括第三支撑构件OS3-1之外，图37至图39中所示的显示装置1-5与图34至图36中所示的实施例基本上相同或相似。在这样的实施例中，第三支撑构件OS3-1与以上参照图27至图28描述的第三支撑构件OS3-1基本上相同。图37至图39中所示的相同或相似的元件已经利用与上面描述图27至图29和图34至图36中所示的实施例使用的附图标记相同的附图标记来标记，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。
在上述图30至图39的实施例中，定位在密封构件外部的支撑构件吸收了在制造过程期间在刻划处理中产生的冲击，从而有效地防止在显示装置内部的无机层等中产生裂纹。
本发明不应被解释为限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本公开将是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。
尽管已经参考本发明的实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下，可以在其中在形式和细节上进行各种改变。
Claims (21)
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
第一基体，在所述第一基体上限定有显示区域和非显示区域；
第一支撑构件，所述第一支撑构件设置在所述第一基体上，并且定位在所述非显示区域中；
发光元件，所述发光元件设置在所述第一基体上，并且定位在所述显示区域中；
封装层，所述封装层设置在所述发光元件上；
第二基体，所述第二基体设置在所述封装层上；
滤色器，所述滤色器设置在所述第二基体和所述封装层之间，其中，所述滤色器与所述发光元件重叠；
波长转换图案，所述波长转换图案设置在所述滤色器上；以及
密封构件，所述密封构件设置在所述第一基体和所述第二基体之间，并且定位在所述非显示区域中，
其中，所述密封构件定位在所述显示区域和所述第一支撑构件之间，并且与所述封装层重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述封装层包括设置在所述发光元件上的下部无机层、设置在所述下部无机层上的有机层和设置在所述有机层上的上部无机层，并且
所述密封构件在所述非显示区域中设置在所述上部无机层上，并且与所述下部无机层和所述上部无机层重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述密封构件直接接触所述上部无机层。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
坝构件，所述坝构件设置在所述第一基体上，并且定位在所述密封构件和所述显示区域之间，
其中，所述坝构件围绕所述显示区域，并且
所述下部无机层和所述上部无机层覆盖所述坝构件。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一支撑构件包括设置在所述第一基体上的第一下部支撑图案和设置在所述第一下部支撑图案上的第一上部支撑图案，并且
所述坝构件包括设置在所述第一基体上的下部坝图案和设置在所述下部坝图案上的上部坝图案，
其中，所述下部支撑图案和所述下部坝图案包括彼此相同的材料，并且
所述上部支撑图案和所述上部坝图案包括彼此相同的材料。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一基体上，并且定位在所述发光元件和所述第一基体之间；以及
像素限定层，所述像素限定层设置在所述绝缘层上，并且部分地暴露所述发光元件的阳极，
其中，所述下部支撑图案和所述下部坝图案与所述绝缘层包括相同的材料，并且
所述上部支撑图案和所述上部坝图案与所述像素限定层包括相同的材料。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述下部无机层的端部和所述上部无机层的端部定位在所述密封构件和所述第一支撑构件之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一支撑构件包括与所述第一基体的边缘间隔开的第一部分和与所述第一基体的边缘对准的第二部分。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一支撑构件的所述第一部分的宽度大于所述第一支撑构件的所述第二部分的宽度。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第一支撑构件的所述第二部分包括与所述第一基体的所述边缘对准的第一侧表面和面对所述第一侧表面的第二侧表面，并且
所述第一侧表面的倾斜角不同于所述第二侧表面的倾斜角。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
连接焊盘，所述连接焊盘设置在所述第一基体上，并且定位在所述非显示区域中，
其中，所述第一支撑构件的所述第一部分定位在所述连接焊盘和所述密封构件之间，并且
所述第一支撑构件的所述第二部分从所述第一支撑构件的所述第一部分延伸。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
第二支撑构件，所述第二支撑构件设置在所述第一基体上，定位在所述第一支撑构件的所述第一部分和所述连接焊盘之间，并且与所述第一支撑构件间隔开，
其中，所述第二支撑构件与所述第一支撑构件的所述第一部分在相同的方向上延伸。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
第一覆盖层，所述第一覆盖层定位在所述滤色器和所述波长转换图案之间；以及
第二覆盖层，所述第二覆盖层定位在所述波长转换图案上，
其中，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层在所述非显示区域中彼此接触，并且
所述密封构件接触所述第二覆盖层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
堤坝图案，所述堤坝图案设置在所述第一覆盖层和所述第二覆盖层之间，
其中，所述堤坝图案围绕所述波长转换图案，并且
所述堤坝图案定位在所述非显示区域中，并且在所述非显示区域中与所述密封构件重叠。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
颜色图案，所述颜色图案设置在所述第二基体的表面上，并且定位在所述非显示区域中，
其中，所述颜色图案包含与所述滤色器不同的着色剂，
所述滤色器定位在所述非显示区域中，
所述颜色图案设置在所述第二基体和所述滤色器之间，并且
所述密封构件在所述非显示区域中与所述滤色器和所述颜色图案重叠。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
填料，所述填料设置在所述第二覆盖层和所述封装层之间，
其中，所述填料接触所述第二覆盖层、所述封装层和所述密封构件。
17.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
第一基体，在所述第一基体上限定有显示区域和非显示区域；
第一支撑构件，所述第一支撑构件设置在所述第一基体上，并且定位在所述非显示区域中；
发光元件，所述发光元件设置在所述第一基体上，并且定位在所述显示区域中；
第二基体，所述第二基体设置在所述发光元件上；
滤色器，所述滤色器设置在所述第二基体和所述发光元件之间，其中，所述滤色器与所述发光元件重叠；
波长转换图案，所述波长转换图案设置在所述滤色器上；以及
密封构件，所述密封构件设置在所述第一基体和所述第二基体之间，并且定位在所述非显示区域中，
其中，所述密封构件包括与所述第一基体的边缘间隔开的第一部分和与所述第一基体的边缘对准的第二部分，并且
其中，所述密封构件的所述第一部分与所述第一支撑构件在相同的方向上延伸，所述密封构件的所述第一部分定位在所述第一支撑构件和所述显示区域之间，并且与所述第一支撑构件间隔开。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述密封构件的所述第一部分的宽度大于所述密封构件的所述第二部分的宽度。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
连接焊盘，所述连接焊盘设置在所述第一基体上，并且定位在所述非显示区域中，
其中，所述密封构件的所述第一部分定位在所述连接焊盘和所述显示区域之间，并且
所述第一支撑构件定位在所述连接焊盘和所述密封构件的所述第一部分之间。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
第二支撑构件，所述第二支撑构件设置在所述第一基体上，定位在所述第一支撑构件和所述连接焊盘之间，并且与所述第一支撑构件间隔开，
其中，所述第二支撑构件与所述第一支撑构件在相同的方向上延伸。
21.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
封装层，所述封装层设置在所述发光元件上，
其中，所述密封构件与所述封装层重叠。
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