CN115910887A - 显示装置 - Google Patents

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崔镇宇
金敏佑
朴声国
白成恩
尹昭妍
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Abstract

显示装置包括：像素电极，设置在衬底上；至少一个发光元件，设置在像素电极中的每个上；平坦化层，设置在像素电极上，并且填充至少一个发光元件之间的空间；以及公共电极，设置在平坦化层和至少一个发光元件上。至少一个发光元件中的每个布置成垂直于像素电极中的每个的顶表面，像素电极中的至少一个像素电极包括朝向像素电极中的相邻的像素电极突出的突出部，并且突出部在平面图中与至少一个发光元件重叠。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
在多媒体的开发中，显示装置具有增加的重要性。响应于这种趋势，已使用了各种类型的显示装置，诸如，有机发光显示装置、液晶显示装置等。
显示图像的显示装置可以包括显示面板，诸如，发光显示面板或液晶显示面板。发光显示面板可以包括发光元件，诸如，发光二极管(LED)。发光二极管可以包括使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管。
发明内容
本公开的目的在于，提供能够防止发光元件的未对准及其颜色混合的显示装置。
根据本公开的目的不限于以上提及的目的。根据本公开的未提及的其它目的和有益效果可以基于以下描述来理解，并且可以基于根据本公开的实施方式来更清楚地理解。此外，将理解的是，根据本公开的目的和有益效果可以使用权利要求中所示的方式及其组合来实现。
根据本公开的实施方式，显示装置包括：像素电极，设置在衬底上；至少一个发光元件，设置在像素电极中的每个上；平坦化层，设置在像素电极上，并且填充至少一个发光元件之间的空间；以及公共电极，设置在平坦化层和至少一个发光元件上。至少一个发光元件中的每个可以布置成垂直于像素电极中的每个的顶表面，像素电极中的至少一个像素电极可以包括朝向像素电极中的相邻的像素电极突出的突出部，并且突出部在平面图中可以与至少一个发光元件重叠。
在实施方式中，突出部的外侧可以与至少一个发光元件的外侧对准并重合。
在实施方式中，像素电极中的至少一个像素电极的在一方向上延伸且穿过突出部的第一宽度大于像素电极中的至少一个像素电极的在一方向上延伸且不穿过突出部的第二宽度。
在实施方式中，在彼此相邻的像素电极之间延伸且在一方向上延伸的第一线的尺寸可以小于在彼此相邻的像素电极之间延伸且在一方向上延伸的第二线的尺寸，第一线可以接触突出部，并且第二线可以不接触突出部。
在实施方式中，显示装置还可以包括设置在公共电极上的波长转换器。波长转换器可以包括：堤部，堤部中的每个将发光区域中的每个和非发光区域中的每个分隔开；波长转换层，设置在堤部之间，并且在平面图中与发光区域中的每个重叠；光阻挡构件，设置在堤部上；以及滤色器，设置在波长转换层上。
在实施方式中，突出部在平面图中可以与非发光区域中的每个、堤部中的每个和光阻挡构件中的每个重叠。
在实施方式中，显示装置还可以包括设置在公共电极和堤部之间的反射金属层。反射金属层在平面图中可以与非发光区域中的每个重叠。
在实施方式中，像素电极中的每个可以包括下电极层和设置在下电极层上的上电极层。下电极层和上电极层中的每个可以包括金属。
在实施方式中，像素电极中的每个可以包括：下电极层；反射电极层，设置在下电极层上；以及上电极层，设置在反射电极层上，下电极层和上电极层中的每个可以包括金属氧化物，并且反射电极层可以包括金属。
根据本公开的实施方式，具有发光区域和非发光区域的显示装置包括：像素电极，设置在衬底上；第一发光元件和第二发光元件，第一发光元件设置在像素电极中的每个上，第二发光元件设置在像素电极之间；平坦化层，设置在像素电极上，并且填充第一发光元件和第二发光元件之间的空间；公共电极，设置在平坦化层以及第一发光元件和第二发光元件上；导电图案，设置在像素电极之间。第一发光元件和第二发光元件中的每个可以布置成垂直于像素电极中的每个的顶表面，导电图案与像素电极中的每个间隔开，并且导电图案可以设置在第二发光元件上，并且在平面图中与非发光区域和第二发光元件重叠。
在实施方式中，导电图案和像素电极可以设置在相同的层上，并且可以包括相同的材料。
在实施方式中，导电图案的外侧可以与第二发光元件的外侧对准并且可以与第二发光元件的外侧重合。
在实施方式中，在平面图中与导电图案重叠的第二发光元件电接触公共电极。
在实施方式中，导电图案可以是浮置图案，并且在平面图中与导电图案重叠的第二发光元件可以不发射光。
在实施方式中，导电图案的平面形状可以与第二发光元件的垂直于第二发光元件的延伸方向的切割表面的形状相同。
在根据实施方式的显示装置中，将发光元件接合到每个像素电极材料层，并且然后，使用光刻胶图案和发光元件作为掩模形成像素电极，从而促进像素电极和发光元件的对准。因此，可以防止发光元件的未对准，从而防止由于未对准而引起的台阶缺陷和对在下面的层的损坏。
此外，在根据实施方式的显示装置中，反射金属层在非发光区域中形成在公共电极上，从而防止来自发光元件的光侵入与其相邻的发光区域，并且因此防止发生颜色混合。
此外，根据基于实施方式的显示装置，使用转移膜将发光元件接合到衬底，使得可以容易地控制发光元件的密度。因此，可以制造可适于各种尺寸的像素的显示装置。
本公开的效果不限于以上提及的效果，并且本领域技术人员将从以下的描述清楚地理解未提及的其它效果。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面及特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；
图2是根据实施方式的显示装置的显示衬底的电路的示意性布局图；
图3是根据实施方式的显示装置的像素的等效电路的示意图；
图4是根据另一实施方式的显示装置的像素的等效电路的示意图；
图5是根据又一实施方式的显示装置的像素的等效电路的示意图；
图6是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图；
图7是示意性地示出根据实施方式的第一发光区域的放大图；
图8是示意性地示出根据实施方式的像素电极和发光元件的剖视图；
图9是示意性地示出根据实施方式的显示装置的发光区域的平面图；
图10是示意性地示出根据实施方式的像素电极的平面图；
图11是沿着图9中的线Q1-Q1'截取的示意性剖视图；
图12是示意性地示出多个发光区域和多个滤色器的平面图；
图13是示意性地示出根据实施方式的像素电极和发光元件的布置的修改示例的平面图；
图14A至图14C是示意性地示出根据实施方式的显示装置的发光区域的修改示例的平面图；
图15是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的发光区域的平面图；
图16是沿着图15中的线Q2-Q2'截取的示意性剖视图；
图17是示意性地示出根据另一实施方式的像素电极的平面图；
图18是示意性地示出根据又一实施方式的显示装置的第一发光区域的剖视图；
图19是示意性地示出根据又一实施方式的显示装置的像素电极和发光元件的剖视图；
图20是示意性地示出根据再一实施方式的显示装置的剖视图；
图21是示意性地示出根据再一实施方式的显示装置的剖视图；
图22是示意性地示出根据再一实施方式的显示装置的剖视图；
图23是示意性地示出根据再一实施方式的显示装置的剖视图；
图24是多个发光区域和反射金属层的示意性平面图；
图25是示意性地示出根据再一实施方式的显示装置的剖视图；
图26是示意性地示出根据实施方式的用于制造显示装置的方法的流程图；
图27至图40是示意性地示出根据实施方式的用于制造显示装置的方法的图；
图41至图53是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的制造工艺的剖视图；
图54是示意性地示出包括根据实施方式的显示装置的虚拟现实装置的示例图；
图55是示意性地示出包括根据实施方式的显示装置的智能装置的示例图；
图56是示意性地示出包括根据实施方式的显示装置的车辆的示例的图；以及
图57是示意性地示出包括根据实施方式的显示装置的透明显示装置的示例的图。
具体实施方式
现在将在下文中参考示出了本公开的实施方式的附图更充分地描述本公开。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或衬底“上”时，其可以直接在该另一层或衬底上，或者也可以存在居间的层。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的组件。
将理解的是，尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
本公开的各种实施方式的特征中的每个可以部分地或整体地彼此组合，并且技术上各种互锁和驱动是可能的。每个实施方式可以彼此独立地实施，或者可以关联性地一起实施。
在下文中，将参考附图描述特定实施方式。
如在本文中使用的，“约”或“近似”包括所陈述的值并且意指在如本领域普通技术人员考虑所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在所陈述的值的一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
将理解的是，术语“接触”、“连接到”和“联接到”可以包括物理和/或电接触、连接或联接。
出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括从“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B或者A和B”。
除非本文中另有限定或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，诸如在常用词典中限定的那些术语应被解释为具有与其在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应被解释为理想的或过于形式的含义，除非在本文中清楚地如此限定。
图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图。
参考图1，根据实施方式的显示装置10可以在智能电话、移动电话、平板个人计算机(PC)、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、电视、游戏机、手表型电子装置、头戴式显示器、PC监视器、膝上型计算机、车辆导航系统、车辆仪表板、数码相机、摄像机、户外广告牌、电子广告牌、医疗装置、检查装置、各种家用电器(诸如冰箱和洗衣机)或物联网(IoT)装置中使用。在本公开中，描述了显示装置10用作电视的示例。电视可以具有高分辨率至超高分辨率，诸如高清晰度(HD)、超高清晰度(UHD)、4K和8K。然而，本公开不限于此。
此外，可以基于显示方法对根据实施方式的显示装置10进行分类。例如，显示装置10可以包括有机发光显示装置、无机发光显示装置、量子点发光显示装置、微米发光二极管(LED)显示装置、纳米LED显示装置、等离子体显示装置、场发射显示(FED)装置、阴极射线管(CRT)、液晶显示装置以及电泳显示(EPD)装置等。在下文中，将通过示例的方式描述将显示装置10实施为有机发光显示装置的情况。除非另有提及，否则在实施方式中使用的有机发光显示装置将缩写为显示装置。然而，实施方式不限于有机发光显示装置。当相同的技术构思可应用于其它显示装置时，可以使用以上列出的其它显示装置。
此外，在以下附图中，第一方向DR1指示显示装置10的纵向方向或水平方向，第二方向DR2指示显示装置10的横向方向或垂直方向，并且第三方向DR3指示显示装置10的厚度方向。在这种情况下，“左”、“右”、“上”和“下”指示显示装置10的在平面图中的方向。例如，“右”指示在第一方向DR1上的一侧，“左”指示在第一方向DR1上的相对侧，“上”指示在第二方向DR2上的一侧，并且“下”指示在第二方向DR2上的相对侧。此外，“顶”表示在第三方向DR3上的一侧，并且“底”表示在第三方向DR3上的相对侧。
根据实施方式的显示装置10在平面图中可以具有正方形形状，并且例如可以具有规则的正方形形状。此外，在显示装置10在电视中使用的情况下，显示装置10可以具有矩形形状，其具有在水平方向或纵向方向上延伸的长侧。然而，本公开不限于此。长侧可以在垂直方向或横向方向上延伸。作为另一示例，显示装置10可以是可旋转的，使得长侧的延伸方向可以改变到水平方向或垂直方向。作为另一示例，显示装置10可以具有圆形或椭圆形的平面形状。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以表示在其中显示图像的有效区域。类似于显示装置10的整体的平面形状，显示区域DPA在平面图中可以具有规则的正方形形状。然而，本公开不限于此。
显示区域DPA可以包括像素PX。像素PX可以布置成矩阵形式。在平面图中，每个像素PX的形状可以是矩形形状或规则的正方形形状，但不限于此。每个像素PX的形状可以具有菱形形状，其每个侧相对于显示装置10的侧倾斜。像素PX可以呈现各种颜色。例如，像素PX可以包括但不限于用于呈现红色的第一颜色像素、用于呈现绿色的第二颜色像素以及用于呈现蓝色的第三颜色像素。像素PX可以以条纹类型方式或
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类型方式进行布置。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有规则的正方形形状，并且非显示区域NDA可以具有四个部分，四个部分各自与显示区域DPA的四个侧中的每个相邻。非显示区域NDA可以形成(或构成)显示装置10的边框。
用于驱动显示区域DPA的驱动器电路或驱动器元件可以设置在非显示区域NDA中。在实施方式中，在非显示区域NDA的设置成与显示装置10的第一侧(图1中的下侧)相邻的部分中，焊盘区域可以设置在显示装置10的显示衬底上，并且外部装置EXD可以安装在焊盘区域的焊盘电极上。外部装置EXD的示例可以包括连接膜、印刷电路板、驱动器芯片DIC、连接器和线连接膜。在非显示区域NDA的设置成与显示装置10的第二侧(图1中的左侧)相邻的部分中，可以设置直接形成在显示装置10的显示衬底上的扫描驱动器SDR等。
图2是根据实施方式的显示装置的显示衬底的等效电路的示意性布局图。
参考图2，线设置在第一衬底上。线可以包括扫描线SCL、感测信号线SSL、数据线DTL、参考电压线RVL、第一电力线ELVDL等。
扫描线SCL和感测信号线SSL中的每个可以在第一方向DR1上延伸。扫描线SCL和感测信号线SSL中的每个可以电连接到扫描驱动器SDR。扫描驱动器SDR可以包括驱动器电路。扫描驱动器SDR可以设置在非显示区域NDA的侧部分中并且设置在显示衬底上。然而，本公开不限于此。扫描驱动器SDR可以设置在非显示区域NDA的两个相对的侧部分中的每个上。扫描驱动器SDR可以电连接到信号连接线CWL。信号连接线CWL的至少一端可以电连接到非显示区域NDA中的焊盘WPD_CW。焊盘WPD_CW可以电连接到外部装置EXD(参见图1)。
数据线DTL和参考电压线RVL中的每个可以在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸。第一电力线ELVDL可以包括在第二方向DR2上延伸的部分。第一电力线ELVDL还可以包括在第一方向DR1上延伸的部分。因此，第一电力线ELVDL可以具有网状结构。然而，本公开不限于此。
线焊盘WPD可以设置在数据线DTL、参考电压线RVL和第一电力线ELVDL中的每个的至少一端处，并且电连接到数据线DTL、参考电压线RVL和第一电力线ELVDL中的每个的至少一端。线焊盘WPD可以设置在非显示区域NDA的焊盘区域PDA中。在实施方式中，电连接到数据线DTL的线焊盘WPD_DT(下文中，称为“数据焊盘”)、电连接到参考电压线RVL的线焊盘WPD_RV(下文中，称为“参考电压焊盘”)以及电连接到第一电力线ELVDL的线焊盘WPD_ELVD(下文中，称为“第一电力焊盘”)可以设置在非显示区域NDA的焊盘区域PDA中。在另一示例中，数据焊盘WPD_DT、参考电压焊盘WPD_RV和第一电力焊盘WPD_ELVD还可以设置在另一非显示区域NDA中。如以上所描述的，外部装置EXD(参见图1)可以安装在线焊盘WPD上。外部装置EXD可以通过各向异性导电膜或通过超声接合安装在线焊盘WPD上。
显示衬底上的每个像素PX包括像素驱动器电路。以上描述的线可以穿过每个像素PX或在每个像素PX周围，并且可以向每个像素驱动器电路施加驱动信号。像素驱动器电路可以包括晶体管和电容器。每个像素驱动器电路中的晶体管的数量和电容器的数量中的每个可以被不同地修改。在下文中，将通过示例的方式来描述其中每个像素驱动器电路包括三个晶体管和一电容器的3T1C结构。然而，本公开不限于此。诸如2T1C结构、7T1C结构和6T1C结构的各种修改的像素PX结构可以应用于本公开。
图3是根据实施方式的显示装置的像素的等效电路的示意图。
参考图3，根据实施方式的显示装置10的每个像素PX不仅包括发光元件LE，而且还包括三个晶体管DTR、STR1和STR2以及作为存储电容器的电容器CST。
发光元件LE基于通过驱动晶体管DTR提供的电流发射光。发光元件LE可以实施为无机发光二极管、有机发光二极管、微米发光二极管、纳米发光二极管等。
发光元件LE的第一电极(例如，阳极)可以电连接到驱动晶体管DTR的源电极，并且发光元件LE的第二电极(例如，阴极)可以电连接到第二电力线ELVSL，其中第二电力线ELVSL被提供比第一电力线ELVDL的高电势电压(或第一电力电压)低的低电势电压(或第二电力电压)。
驱动晶体管DTR基于其栅电极的电压和其源电极的电压之间的电压差来调节从被提供第一电力电压的第一电力线ELVDL流向发光元件LE的电流。驱动晶体管DTR的栅电极可以电连接到第一开关晶体管STR1的第一电极，其源电极可以电连接到发光元件LE的第一电极，并且其漏电极可以电连接到被施加第一电力电压的第一电力线ELVDL。
第一开关晶体管STR1基于来自扫描线SCL的扫描信号而导通，以将数据线DTL电连接到驱动晶体管DTR的栅电极。第一开关晶体管STR1的栅电极可以电连接到扫描线SCL，其第一电极可以电连接到驱动晶体管DTR的栅电极，并且其第二电极可以电连接到数据线DTL。
第二开关晶体管STR2基于来自感测信号线SSL的感测信号而导通，以将参考电压线RVL电连接到驱动晶体管DTR的源电极。第二开关晶体管STR2的栅电极可以电连接到感测信号线SSL，其第一电极可以电连接到参考电压线RVL，并且其第二电极可以电连接到驱动晶体管DTR的源电极。
在实施方式中，第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2中的每个的第一电极可以用作源电极，并且其第二电极可以用作漏电极。然而，本公开不限于此。第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2中的每个的第一电极可以用作漏电极，而第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2中的每个的第二电极可以用作源电极。
电容器CST设置在驱动晶体管DTR的栅电极和源电极之间。电容器CST在其中存储驱动晶体管DTR的栅极电压和源极电压之间的差电压。
驱动晶体管DTR以及第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2中的每个可以实施为薄膜晶体管。此外，在图3中，示出了驱动晶体管DTR以及第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2中的每个实施为N型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的示例。然而，本公开不限于此。例如，驱动晶体管DTR以及第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2中的每个可以实施为P型MOSFET。作为另一示例，驱动晶体管DTR以及第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2中的一些可以实施为N型MOSFET，并且驱动晶体管DTR以及第一开关晶体管STR1和第二开关晶体管STR2中的另一些可以实施为P型MOSFET。
图4是根据另一实施方式的显示装置的像素的等效电路的示意图。
参考图4，发光元件LE的第一电极可以电连接到第四开关晶体管STR4的第一电极和第六开关晶体管STR6的第二电极，并且发光元件LE的第二电极可以电连接到第二电力线ELVSL。寄生电容Cel可以形成在发光元件LE的第一电极和第二电极之间。
每个像素PX包括驱动晶体管DTR、开关元件和电容器CST。开关元件包括第一开关晶体管STR1、第二开关晶体管STR2、第三开关晶体管STR3、第四开关晶体管STR4、第五开关晶体管STR5和第六开关晶体管STR6。第一开关晶体管STR1可以包括两个晶体管ST1-1和ST1-2，并且第三开关晶体管STR3可以包括两个晶体管ST3-1和ST3-2。
驱动晶体管DTR包括栅电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管DTR基于施加至其栅电极的数据电压来控制在其第一电极和第二电极之间流动的漏极-源极电流(下文中，称为“驱动电流”)。
电容器CST形成在驱动晶体管DTR的栅电极和第一电力线ELVDL之间。电容器CST的电极可以电连接到驱动晶体管DTR的栅电极，并且其另一电极可以电连接到第一电力线ELVDL
在第一开关晶体管STR1、第二开关晶体管STR2、第三开关晶体管STR3、第四开关晶体管STR4、第五开关晶体管STR5和第六开关晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的第一电极用作源电极的情况下，其第二电极可以用作漏电极。作为另一示例，在第一开关晶体管STR1、第二开关晶体管STR2、第三开关晶体管STR3、第四开关晶体管STR4、第五开关晶体管STR5和第六开关晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的第一电极用作漏电极的情况下，其第二电极可以用作源电极。
第一开关晶体管STR1、第二开关晶体管STR2、第三开关晶体管STR3、第四开关晶体管STR4、第五开关晶体管STR5和第六开关晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的有源层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的一种制成(或者包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的一种)。在第一开关晶体管STR1、第二开关晶体管STR2、第三开关晶体管STR3、第四开关晶体管STR4、第五开关晶体管STR5和第六开关晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的有源层由多晶硅制成的情况下，用于形成有源层的工艺可以是低温多晶硅(LTPS)工艺。
此外，图4示出了第一开关晶体管STR1、第二开关晶体管STR2、第三开关晶体管STR3、第四开关晶体管STR4、第五开关晶体管STR5和第六开关晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个实施为P型MOSFET。然而，本公开不限于此。第一开关晶体管STR1、第二开关晶体管STR2、第三开关晶体管STR3、第四开关晶体管STR4、第五开关晶体管STR5和第六开关晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个可以实施为N型MOSFET。
此外，可以考虑驱动晶体管DTR的特性和发光元件LE的特性来设定第一电力线ELVDL的第一电力电压、第二电力线ELVSL的第二电力电压和第三电力线VIL的第三电力电压。
图5是根据又一实施方式的显示装置的像素的等效电路的示意图。
图5的实施方式与图4的实施方式的不同之处至少在于：驱动晶体管DTR、第二开关晶体管STR2、第四开关晶体管STR4、第五开关晶体管STR5和第六开关晶体管STR6中的每个实施为P型MOSFET，并且第一开关晶体管STR1和第三开关晶体管STR3中的每个被实施为N型MOSFET。
参考图5，实施为P型MOSFET的驱动晶体管DTR、第二开关晶体管STR2、第四开关晶体管STR4、第五开关晶体管STR5和第六开关晶体管STR6中的每个的有源层可以由多晶硅制成，并且实施为N型MOSFET的第一开关晶体管STR1和第三开关晶体管STR3中的每个的有源层可以由氧化物半导体制成。
图5的实施方式与图4的实施方式的不同之处还至少在于：第二开关晶体管STR2的栅电极和第四开关晶体管STR4的栅电极电连接到写入扫描线GWL，并且第一开关晶体管STR1的栅电极电连接到控制扫描线GCL。此外，如图5中所示，第一开关晶体管STR1和第三开关晶体管STR3中的每个实施为N型MOSFET，使得可以将具有栅极高电压的扫描信号施加至控制扫描线GCL和初始化扫描线GIL。第二开关晶体管STR2、第四开关晶体管STR4、第五开关晶体管STR5和第六开关晶体管STR6中的每个被实施为P型MOSFET，使得可以将具有低栅极电压的扫描信号施加至写入扫描线GWL和光发射线EL。
在示例中，应注意，根据说明书的实施方式的像素的等效电路图不限于图3至图5中所示的那样。根据本说明书的实施方式的像素的等效电路图可以具有可由本领域技术人员采用的不同于图3至图5中所示的实施方式的电路结构的其它电路结构。
图6是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图。图7是示意性地示出根据实施方式的第一发光区域的放大图。图8是示出根据实施方式的像素电极和发光元件的示意性剖视图。图9是示出根据实施方式的显示装置的发光区域的示意性平面图。图10是示意性地示出根据实施方式的像素电极的平面图。图11是沿着图9中的线Q1-Q1'截取的示意性剖视图。图12是示意性地示出发光区域和滤色器的平面图。图13是示出根据实施方式的像素电极和发光元件的布置的修改示例的示意性平面图。图14A至图14C是示出根据实施方式的显示装置的发光区域的修改示例的示意性平面图。
参考图6至图12，显示装置10可以包括显示衬底100和设置在显示衬底100上的波长转换器200。
显示衬底100可以包括第一衬底110和设置在第一衬底110上的光发射器LEP。第一衬底110可以用作绝缘衬底。第一衬底110可以包括透明材料。例如，第一衬底110可以包括透明绝缘材料，诸如，玻璃、石英等。第一衬底110可以实施为刚性衬底。然而，第一衬底110可以不限于此，并且可以包括诸如聚酰亚胺等的塑料，并且可以是柔性的，例如可以是可弯曲的、可折叠的或可卷曲的。发光区域EA1、EA2和EA3以及非发光区域NEA可以限定在第一衬底110上。
开关元件T1、T2和T3可以设置在第一衬底110上。在实施方式中，第一开关元件T1可以位于第一衬底110的第一发光区域EA1中，第二开关元件T2可以位于第一衬底110的第二发光区域EA2中，并且第三开关元件T3可以位于第一衬底110的第三发光区域EA3中。然而，本公开不限于此。在实施方式中，第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3中的至少一个可以位于非发光区域NEA中。
在实施方式中，第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3中的每个可以实施为包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体的薄膜晶体管。尽管在附图中未示出，但是用于向开关元件中的每个传输信号的信号线(例如，栅极线、数据线和电力线)还可以设置在第一衬底110上。
开关元件T1、T2和T3中的每个可以包括半导体层65、栅电极75、源电极85a和漏电极85b。具体地，缓冲层60可以设置在第一衬底110上。缓冲层60可以设置成覆盖第一衬底110的整个表面。缓冲层60可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，并且可以由单层或双层构成(或者包括单层或双层)。
半导体层65可以设置在缓冲层60上。半导体层65可以形成开关元件T1、T2和T3中的每个的沟道。半导体层65可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。在示例中，氧化物半导体可以包括例如包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四元化合物(ABxCyDz)。在实施方式中，半导体层65可以包括氧化铟镓锌(IGZO)。
栅极绝缘层70可以设置在半导体层65上。栅极绝缘层70可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层70可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。在实施方式中，栅极绝缘层70可以包括氧化硅。
栅电极75可以设置在栅极绝缘层70上。栅电极75可以与半导体层65重叠(例如，在平面图中与半导体层65重叠)。栅电极75可以包括导电材料。栅电极75可以包括金属氧化物(诸如，ITO、IZO、ITZO或In2O3)或金属(诸如，铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、钼(Mo)、钽(Ta)、钙(Ca)、铬(Cr)、镁(Mg)或镍(Ni))。例如，栅电极75可以实施为其中由铜制成的上层堆叠在由钛制成的下层上的Cu/Ti双层。然而，本公开不限于此。
层间绝缘层80可以设置在栅电极75上。层间绝缘层80可以包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌等。
源电极85a和漏电极85b可以设置在层间绝缘层80上。源电极85a和漏电极85b可以经由延伸穿过层间绝缘层80和栅极绝缘层70的接触孔接触半导体层65。源电极85a和漏电极85b中的每个可以由金属氧化物(诸如，ITO、IZO、ITZO或In2O3)或金属(诸如，铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、钼(Mo)、钽(Ta)、钙(Ca)、铬(Cr)、镁(Mg)或镍(Ni))制成。例如，源电极85a和漏电极85b中的每个可以实施为其中由铜制成的上层堆叠在由钛制成的下层上的Cu/Ti双层。然而，本公开不限于此。
绝缘层130可以设置在第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3上。在实施方式中，绝缘层130可以用作平坦化层并且可以包括有机材料。例如，绝缘层130可以包括基于丙烯酸的树脂、基于环氧的树脂、基于酰亚胺的树脂、基于酯的树脂等。在实施方式中，绝缘层130可以包括正性光敏材料或负性光敏材料。
光发射器LEP可以设置在绝缘层130上。光发射器LEP可以包括像素电极PE1、PE2和PE3、发光元件LE以及公共电极CE。
像素电极PE1、PE2和PE3可以包括第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以用作(或充当)发光元件LE的第一电极，并且可以用作阳极或阴极。第一像素电极PE1可以位于第一发光区域EA1中，第二像素电极PE2可以位于第二发光区域EA2中，并且第三像素电极PE3可以位于第三发光区域EA3中。在实施方式中，第一像素电极PE1可以与第一发光区域EA1完全重叠，第二像素电极PE2可以与第二发光区域EA2完全重叠，并且第三像素电极PE3可以与第三发光区域EA3完全重叠。第一像素电极PE1可以延伸穿过绝缘层130并且可以电连接到第一开关元件T1。第二像素电极PE2可以延伸穿过绝缘层130并且可以电连接到第二开关元件T2。第三像素电极PE3可以延伸穿过绝缘层130并且可以电连接到第三开关元件T3。
第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以包括金属。金属可以包括例如铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物。此外，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以具有其中堆叠有两个或更多个金属层的多层结构。例如，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以具有其中铜层堆叠在钛层上的两层结构。然而，本公开不限于此。
参考图7，在该实施方式中，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以包括下电极层P1和上电极层P3。在下文中，将通过示例的方式来描述第一像素电极PE1。
下电极层P1可以形成第一像素电极PE1的下部分并且电连接到第一开关元件T1。下电极层P1可以用于赋予绝缘层130和第一像素电极PE1之间的粘附性。下电极层P1可以包括例如钛的金属。
上电极层P3可以设置在下电极层P1上并且可以直接接触发光元件LE。上电极层P3可以设置在下电极层P1和发光元件LE之间，并且可以用于赋予第一像素电极PE1和发光元件LE之间的粘附性。上电极层P3可以包括例如铜的金属。
发光元件LE可以设置在第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个上。
如图6至图8中所示，发光元件LE可以设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中。发光元件LE可以实施为以细长方式在第三方向DR3上延伸的竖直发光二极管元件。例如，发光元件LE的在第三方向DR3上的长度可以大于发光元件LE的在水平方向上的长度。在水平方向上的长度指示在第一方向DR1上的长度或在第二方向DR2上的长度。例如，发光元件LE的在第三方向DR3上的长度可以在约1μm至约5μm的范围内。
发光元件LE可以实施为微米发光二极管。发光元件LE可以包括在显示衬底100的厚度方向上(例如，在第三方向DR3上)布置的连接电极150、第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、有源层MQW、超晶格层SLT、第二半导体层SEM2和第三半导体层SEM3。连接电极150、第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、有源层MQW、超晶格层SLT、第二半导体层SEM2和第三半导体层SEM3可以在第三方向DR3上顺序地堆叠。
发光元件LE可以具有其中宽度大于高度的圆柱形形状、盘形形状或棒形形状。然而，本公开不限于此。例如，发光元件LE可以具有各种形状，包括棒、线、管等的形状、多边形棱柱(诸如，立方体、长方体或六边形棱柱)的形状或者在一方向上延伸但具有部分倾斜的外表面的形状。
连接电极150可以设置在像素电极PE1、PE2和PE3中的每个上。在下文中，将通过示例的方式来描述设置在第一像素电极PE1上的发光元件LE。然而，本公开不限于此。以下的描述可以同样地应用于设置在第二像素电极PE2和第三像素电极PE3上的发光元件LE的结构。
连接电极150可以包括反射层151和连接层153。反射层151可用于反射从发光元件LE的有源层MQW发射的光。反射层151可以设置成与发光元件LE的有源层MQW相邻。反射层151可以包括具有高光反射率同时具有导电性的金属材料(或金属)。反射层151可以包括例如铝(Al)或银(Ag)或者其合金。
连接层153可以用于将光发射信号从第一像素电极PE1传输到发光元件LE。连接层153可以实施为欧姆连接电极。然而，本公开不限于此，并且连接层153可以实施为肖特基连接电极。连接层153可以形成发光元件LE的最底部分，并且可以设置成比反射层151更远离有源层MQW。连接层153可以包括金(Au)、铜(Cu)、锡(Sn)、银(Ag)、铝(Al)和钛(Ti)中的至少一种。例如，连接层153可以包括金和锡的9：1合金、8：2合金或7：3合金，或者铜、银和锡的合金(SAC305)。
图8示出发光元件LE包括具有由单个反射层151和单个连接层153构成(或者包括单个反射层151和单个连接层153)的双层结构的连接电极150。然而，本公开不限于此。在一些情况下，发光元件LE可以包括其中堆叠有更大数量的层或者可以省略一些层的连接电极150。
第一半导体层SEM1可以设置在连接电极150上。第一半导体层SEM1可以是p型半导体并且可以包括化学式为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第一半导体层SEM1可以由掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种制成。第一半导体层SEM1可以掺杂有p型掺杂剂。p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等。例如，第一半导体层SEM1可以由掺杂有Mg作为p型掺杂剂的p-GaN制成。第一半导体层SEM1的厚度可以在约30nm至约200nm的范围内，但不限于此。
电子阻挡层EBL可以设置在第一半导体层SEM1上。电子阻挡层EBL可以用于抑制或防止过量的电子流入有源层MQW中。例如，电子阻挡层EBL可以由掺杂有Mg作为p型掺杂剂的p-AlGaN制成。电子阻挡层EBL的厚度可以在约10nm至约50nm的范围内，但不限于此。此外，可以省略电子阻挡层EBL。
有源层MQW可以设置在电子阻挡层EBL上。有源层MQW可以使用通过第一半导体层SEM1和第二半导体层SEM2施加的电信号经由电子和空穴的复合来发射光。有源层MQW可以发射具有在约450nm至约495nm的范围内的中心波长带的第一光，例如具有蓝色波长带的光。
有源层MQW可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在有源层MQW包括具有多量子阱结构的材料的情况下，阱层和阻挡层可以交替地彼此堆叠。在这种情况下，阱层可以由InGaN制成，并且阻挡层可以由GaN或AlGaN制成。然而，本公开不限于此。
作为另一示例，有源层MQW可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地彼此堆叠的结构。有源层MQW可以根据将从有源层MQW发射的光的波长带而包括III-V族半导体材料。从有源层MQW发射的光不限于第一光(其具有蓝色波长带)。在一些情况下，从有源层MQW发射的光可以是第二光(其具有绿色波长带)或第三光(其具有红色波长带)。在实施方式中，在包含在有源层MQW中的半导体材料包括铟的情况下，发射的光的颜色可以基于铟的含量而变化。例如，在铟的含量降低的情况下，发射的光的波长带可以朝向红色波长带移位。在铟的含量增加的情况下，发射的光的波长带可以朝向蓝色波长带移位。
超晶格层SLT可以设置在有源层MQW上。超晶格层SLT可以用于释放第二半导体层SEM2和有源层MQW之间的应力。例如，超晶格层SLT可以由InGaN或GaN制成。超晶格层SLT的厚度可以在约50nm至约200nm的范围内。可以省略超晶格层SLT。
第二半导体层SEM2可以设置在超晶格层SLT上。第二半导体层SEM2可以实施为n型半导体。第二半导体层SEM2可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第二半导体层SEM2可以由掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种制成。第二半导体层SEM2可以掺杂有n型掺杂剂。n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn、Se等。例如，第二半导体层SEM2可以由掺杂有n型Si的n-GaN制成。第二半导体层SEM2的厚度可以在约2μm至约4μm的范围内，但不限于此。
第三半导体层SEM3可以设置在第二半导体层SEM2上。第三半导体层SEM3可以设置在第二半导体层SEM2和公共电极CE之间。第三半导体层SEM3可以包括未掺杂的半导体。第三半导体层SEM3和第二半导体层SEM2可以包括相同的材料，但是第三半导体层SEM3未掺杂(或不掺杂)有n型或p型掺杂剂。在实施方式中，第三半导体层SEM3可以包括未掺杂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。然而，本公开不限于此。
平坦化层PLL可以设置在像素电极PE1、PE2和PE3以及绝缘层130上。平坦化层PLL可以平坦化下面的在像素电极PE1、PE2和PE3的顶表面上形成的台阶(或高度差)，使得可以在平坦化层PLL的顶表面上形成将在以下描述的公共电极CE。平坦化层PLL可以具有竖直尺寸(例如，预定或选定的竖直尺寸)，使得发光元件LE中的每个的至少一部分(例如，顶部分)可以向上突出超过平坦化层PLL的顶表面。例如，平坦化层PLL的从第一像素电极PE1的顶表面起的竖直尺寸可以小于发光元件LE的从第一像素电极PE1的顶表面起的竖直尺寸。
平坦化层PLL可以包括有机材料以平坦化下面的台阶。例如，平坦化层PLL可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)。
公共电极CE可以设置在平坦化层PLL和发光元件LE上。公共电极CE可以设置在第一衬底110的其上形成有发光元件LE的表面上，并且可以设置成遍及整个显示区域DPA和非显示区域NDA。公共电极CE可以在显示区域DPA中与发光区域EA1、EA2和EA3中的每个重叠，并且可以具有小的厚度，使得光可以透射穿过公共电极CE。
公共电极CE可以直接设置在发光元件LE中的每个的顶表面和(多个)侧表面上。公共电极CE可以直接接触第二半导体层SEM2的部分侧表面以及发光元件LE的第三半导体层SEM3的整个侧表面。如图8中所示，公共电极CE可以实施为覆盖发光元件LE并且将发光元件LE彼此电连接的公共层。由于发光元件LE中的每个的导电的第二半导体层SEM2具有图案化结构，所以公共电极CE可以直接接触每个发光元件LE的第二半导体层SEM2的侧表面，使得可以将公共电压从公共电极CE施加至每个发光元件LE。
公共电极CE可以设置成遍及整个第一衬底110，并且可以接收公共电压。为此，公共电极CE可以由具有低电阻的材料制成。此外，公共电极CE可以具有小的厚度，从而实现通过公共电极CE的光透射。例如，公共电极CE可以包括具有低电阻的材料，诸如，铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)等。公共电极CE的厚度可以在约
Figure BDA0003758822320000211
至约
Figure BDA0003758822320000212
的范围内，但不限于此。
以上描述的发光元件LE中的每个可以从像素电极PE1、PE2和PE3中的每个接收像素电压或阳极电压，并且可以经由公共电极CE接收公共电压。发光元件LE可以基于像素电压和公共电压之间的电压差以一亮度级(例如，预定的或选定的亮度级)发射光。
在该实施方式中，分别在像素电极PE1、PE2和PE3上设置发光元件LE(例如，无机发光二极管)可以消除有机发光二极管的缺点(有机发光二极管易受外部水分或氧气影响的缺点)，从而改善其寿命和可靠性。
在示例中，参考图9至图11，发光元件LE可以设置在像素电极PE1、PE2和PE3中的每个上。像素电极PE1、PE2和PE3中的至少一个可以包括在平面图中横向地且向外地突出的至少一个突出部PP。
突出部PP可以是朝向与其相邻的像素电极PE1、PE2或PE3突出的部分。例如，第一像素电极PE1的突出部PP可以朝向在第一方向DR1上与其相邻的第二像素电极PE2突出。此外，第一像素电极PE1的另一突出部PP可以在与朝向第二像素电极PE2的方向相反的方向上突出。在实施方式中，第三像素电极PE3的突出部PP可以朝向在第一方向DR1上与其相邻的另一第一像素电极PE1突出。
突出部PP可以从像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的在第二方向DR2上延伸的侧突出。在实施方式中，突出部PP可以从像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的在第一方向DR1上延伸的侧突出。在实施方式中，突出部PP可以从像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的拐角突出。
突出部PP可以与非发光区域NEA重叠，并且可以与分隔壁(或堤部)PW和光阻挡构件BK重叠。结果，像素电极PE1、PE2和PE3中的每个可以与发光区域EA1、EA2和EA3中的每个基本上重叠，但是其一部分可以与非发光区域NEA重叠。因此，发光元件LE的与突出部PP重叠的部分可以与非发光区域NEA重叠，并且可以与分隔壁PW和光阻挡构件BK重叠。
突出部PP的平面形状可以是圆形的或半圆形的，或者可以是部分圆形形状。然而，本公开不限于此。突出部PP的平面形状可以根据发光元件LE的与发光元件LE的延伸方向或竖直方向垂直的切割表面的形状而变化。例如，在发光元件LE的切割表面的形状是矩形的情况下，突出部PP的平面形状可以是矩形的。
当像素电极PE1、PE2和PE3中的每个包括突出部PP时，像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的宽度可以基于其测量位置而变化。
例如，第一像素电极PE1的在第一方向DR1上穿过突出部PP的第一宽度W1可以大于第一像素电极PE1的在第一方向DR1上不穿过突出部PP的第二宽度W2。第一像素电极PE1大体上可以具有第二宽度W2，但可以在设置有突出部PP的位置处具有第一宽度W1。
此外，由于像素电极PE1、PE2和PE3中的每个包括突出部PP，因此像素电极PE1、PE2和PE3中的相邻像素电极之间的间隔可以基于其测量位置而变化。例如，在第一方向DR1上从第一像素电极PE1的突出部PP到第二像素电极PE2的第一距离G1可以小于第一像素电极PE1的没有突出部PP的部分和第二像素电极PE2之间的第二距离G2。第一像素电极PE1和第二像素电极PE2之间的距离大体上可以是第二距离G2，但是在设置有突出部PP的位置处可以是第一距离G1。
如以上所描述的，发光元件LE的部分可以设置在像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的突出部PP上。发光元件LE可以与整个突出部PP重叠。如在以下将描述的制造方法中所描述的，发光元件LE接合到像素电极PE1、PE2和PE3中的每个，并且在发光元件LE在像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的的一部分中用作掩模的同时蚀刻像素电极PE1、PE2和PE3中的每个。因此，发光元件LE和突出部PP可以彼此重叠(例如，在平面图中彼此重叠)。
在实施方式中，突出部PP的一侧可以和与突出部PP重叠的发光元件LE的一侧对准并重合。例如，第一像素电极PE1的下电极层P1和上电极层P3中的每个的在突出部PP的区域中的一侧可以与发光元件LE的连接电极150、第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、有源层MQW、超晶格层SLT、第二半导体层SEM2和第三半导体层SEM3中的每个的一侧对准并重合。
如以上所描述的，发光元件LE可以接合到像素电极PE1、PE2和PE3中的每个，并且可以在发光元件LE在像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的一部分中用作掩模的同时蚀刻像素电极PE1、PE2和PE3中的每个。因此，发光元件LE和突出部PP可以彼此重叠。相反，可以将像素电极PE1、PE2和PE3中的每个图案化，并且将发光元件LE接合到像素电极PE1、PE2和PE3中的每个，发光元件LE的整个底部可以不被粘附(或接合)到像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的顶表面，而是仅发光元件LE的一侧可以被粘附到像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的顶表面。在这种情况下，发光元件LE可以倾斜，从而产生台阶。在公共电极CE形成在发光元件LE上的情况下，可能由于台阶而出现缺陷。此外，当照射激光以将发光元件LE接合到像素电极PE1、PE2和PE3时，激光可能透射穿过像素电极PE1、PE2和PE3之间，并且在下面的层可能被激光损坏。
在该实施方式中，发光元件LE接合到像素电极PE1、PE2和PE3中的每个，并且使用光刻胶图案并且使用发光元件LE作为掩模蚀刻像素电极PE1、PE2和PE3中的每个。因此，发光元件LE的整个底部可以粘附到像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的顶表面，从而防止由于台阶而引起的缺陷。
在示例中，波长转换器200可以设置在光发射器LEP上。波长转换器200可以包括分隔壁PW、波长转换层QDL、滤色器CF1、CF2和CF3、光阻挡构件BK以及保护层PTL。
分隔壁PW可以在显示区域DPA中设置在公共电极CE上。分隔壁PW可以限定发光区域EA1、EA2和EA3中的每个。分隔壁PW可以在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，并且可以以网格状图案形成为遍及整个显示区域DPA。此外，分隔壁PW可以不与发光区域EA1、EA2和EA3重叠，并且可以与非发光区域NEA重叠。
分隔壁PW可以在其中限定有部分地暴露下方的公共电极CE的开口OP1、OP2和OP3。开口OP1、OP2和OP3可以包括与第一发光区域EA1重叠的第一开口OP1、与第二发光区域EA2重叠的第二开口OP2以及与第三发光区域EA3重叠的第三开口OP3。在这种情况下，开口OP1、OP2和OP3可以分别对应于发光区域EA1、EA2和EA3。例如，第一开口OP1可以对应于第一发光区域EA1，第二开口OP2可以对应于第二发光区域EA2，并且第三开口OP3可以对应于第三发光区域EA3。
分隔壁PW可以用于提供其中形成波长转换层QDL的空间。为此，分隔壁PW可以具有一厚度。例如，分隔壁PW的厚度可以在约1μm至约10μm的范围内。分隔壁PW可以包括有机绝缘材料以具有一厚度。有机绝缘材料可以包括例如基于环氧的树脂、基于丙烯酸的树脂、基于碳的树脂或基于酰亚胺的树脂。
波长转换层QDL可以分别设置在开口OP1、OP2和OP3中。波长转换层QDL可以将入射至其的光的峰值波长转换或移位成具有与该峰值波长不同的特定峰值波长，并且可以输出具有特定峰值波长的光。波长转换层QDL可以将从发光元件LE发射的第一光(蓝光)中的一部分转换成第四光(黄光)。波长转换层QDL可以将第一光和第四光彼此混合，并且因此发射第五光(白光)。第五光可以通过第一滤色器CF1转换成第一光，可以通过第二滤色器CF2转换成第二光，并且可以通过第三滤色器CF3转换成第三光。
波长转换层QDL可以设置在开口OP1、OP2和OP3中，并且可以彼此间隔开。例如，波长转换层QDL可以形成为点状的岛图案形成。例如，波长转换层QDL可以设置在第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中，并且可以以一对一的方式对应于第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。此外，波长转换层QDL可以与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3重叠(例如，在平面图中与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3重叠)。在实施方式中，波长转换层QDL中的每个可以与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个完全重叠。
波长转换层QDL可以包括第一基础树脂BRS1和第一波长转换颗粒WCP1。第一基础树脂BRS1可以包括透光有机材料。例如，第一基础树脂BRS1可以包括基于环氧的树脂、基于丙烯酸的树脂、基于碳的树脂或基于酰亚胺的树脂。
第一波长转换颗粒WCP1可以将从发光元件LE入射至其的第一光转换成第四光。例如，第一波长转换颗粒WCP1可以将蓝色波长带的光转换成黄色波长带的光。第一波长转换颗粒WCP1可以包括量子点(QD)、量子棒、荧光材料或磷光材料。例如，量子点可以表示当电子从导带跃迁到价带时发射特定颜色的光的颗粒材料。
量子点可以由半导体纳米晶体材料制成。量子点可以基于其成分和尺寸具有特定带隙，以吸收光并发射具有特定波长的光。量子点的半导体纳米晶体材料的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或其组合。
II-VI族化合物可以选自由以下构成的组：二元化合物，选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物构成的组；三元化合物，选自由InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物构成的组；四元化合物，选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物构成的组。
III-V族化合物可以选自由以下构成的组：二元化合物，选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物构成的组；三元化合物，选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物构成的组；四元化合物，选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物构成的组。
IV-VI族化合物可以选自由以下构成的组：二元化合物，选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物构成的组；三元化合物，选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物构成的组；四元化合物，选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物构成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其混合物构成的组。IV族化合物可以是选自SiC、SiGe及其混合物构成的组的二元化合物。
在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度包含在颗粒中。作为另一示例，二元化合物、三元化合物和四元化合物可以以相同的浓度包含在颗粒中。作为另一示例，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以浓度梯度包含在颗粒中。作为另一示例，二元化合物、三元化合物和四元化合物可以以相同的浓度包含在相同的颗粒中。此外，第一波长转换颗粒WCP1可以具有其中量子点围绕另一量子点的核/壳结构。核和壳之间的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度随着其朝向核-壳结构的中心而降低的浓度梯度。
在实施方式中，量子点可以具有核-壳结构，其包括包含前述纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可以用作保护层以防止核的化学改性以保持其半导体特性，和/或可以用作电荷层以赋予量子点电泳能力。壳可以由单层或多层构成。量子点的壳的示例可以包括半导体化合物、金属或非金属的氧化物或其组合。
例如，金属或非金属的氧化物可以包括二元化合物(诸如，SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO)或三元化合物(诸如，MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4)。然而，本公开不限于此。
此外，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和AlSb。然而，本公开不限于此。
波长转换层QDL还可以包括散射材料，以在随机方向上散射来自发光元件LE的光。散射材料可以具有与第一基础树脂BRS1的折射率不同的折射率，从而可以在散射材料和第一基础树脂BRS1之间形成光学界面。例如，散射材料可以实施为光散射颗粒。散射材料不受特别限制，只要散射材料能够散射透射穿过其的光中的至少一部分即可。例如，散射材料可以实施为金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)。有机颗粒可以由基于丙烯酸的树脂或基于氨基甲酸酯的树脂制成。散射材料可以在随机方向上散射光而不考虑入射至其的光的入射方向，同时基本上不转换光的波长。
波长转换层QDL在第三方向DR3上的厚度越大，包含在波长转换层QDL中的第一波长转换颗粒WCP1的含量越高。因此，可以改善波长转换层QDL的光学转换效率。因此，考虑波长转换层QDL的光学转换效率来形成波长转换层QDL的厚度。
以上描述的波长转换器200的波长转换层QDL可以将从发光元件LE发射的第一光中的一部分转换成第四光。波长转换层QDL可以将第一光和第四光彼此混合，并且因此可以发射白色的第五光。从波长转换层QDL发射的第五光中的仅第一光可以透射穿过将在以下描述的第一滤色器CF1。从波长转换层QDL发射的第五光中的仅第二光可以透射穿过将在以下描述的第二滤色器CF2。从波长转换层QDL发射的第五光中的仅第三光可以透射穿过将在以下描述的第三滤色器CF3。因此，从波长转换器200发射的光可以由作为第一光的蓝光、作为第二光的红光和作为第三光的绿光构成。以这种方式，可以实现全色。
滤色器CF1、CF2和CF3中的每个可以设置在波长转换层QDL中的每个以及分隔壁PW上。滤色器CF1、CF2和CF3中的每个可以与开口OP1、OP2和OP3中的每个以及波长转换层QDL中的每个重叠。滤色器CF1、CF2和CF3可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第一滤色器CF1可以与第一发光区域EA1重叠，并且第一滤色器CF1的一部分可以与非发光区域NEA重叠。此外，第一滤色器CF1可以设置在分隔壁PW的第一开口OP1上并且可以与第一开口OP1重叠，并且第一滤色器CF1的一部分可以与光阻挡构件BK重叠。从发光元件LE发射的第一光透射穿过第一滤色器CF1，并且第一滤色器CF1可以吸收或阻挡第二光和第三光。例如，蓝色波长带的光可以透射穿过第一滤色器CF1，并且第一滤色器CF1可以吸收或阻挡诸如绿色波长带和红色波长带的其它波长带的光。
第二滤色器CF2可以与第二发光区域EA2重叠，并且第二滤色器CF2的一部分可以与非发光区域NEA重叠。此外，第二滤色器CF2可以设置在分隔壁PW的第二开口OP2上并且可以与第二开口OP2重叠，并且第二滤色器CF2的一部分可以与光阻挡构件BK重叠。第二光可以透射穿过第二滤色器CF2，并且第二滤色器CF2可以吸收或阻挡第一光和第三光。例如，绿色波长带的光可以透射穿过第二滤色器CF2，并且第二滤色器CF2可以吸收或阻挡诸如蓝色波长带和红色波长带的其它波长带的光。
第三滤色器CF3可以与第三发光区域EA3重叠，并且第三滤色器CF3的一部分可以与非发光区域NEA重叠。此外，第三滤色器CF3可以设置在分隔壁PW的第三开口OP3上并且可以与第三开口OP3重叠，并且第三滤色器CF3的一部分可以与光阻挡构件BK重叠。第三光可以透射穿过第三滤色器CF3，并且第三滤色器CF3可以吸收或阻挡第一光和第二光。例如，红色波长带的光可以透射穿过第三滤色器CF3，并且第三滤色器CF3可以吸收或阻挡诸如蓝色波长带和绿色波长带的其它波长带的光。
如图12中所示，滤色器CF1、CF2和CF3中的每个的平面面积可以大于发光区域EA1、EA2和EA3中的每个的平面面积。例如，第一滤色器CF1的平面面积可以大于第一发光区域EA1的平面面积。第二滤色器CF2的平面面积可以大于第二发光区域EA2的平面面积。第三滤色器CF3的平面面积可以大于第三发光区域EA3的平面面积。然而，本公开不限于此。滤色器CF1、CF2和CF3中的每个的平面面积可以等于发光区域EA1、EA2和EA3中的每个的平面面积。
再次参考图6和图7，光阻挡构件BK可以设置在分隔壁PW上。光阻挡构件BK可以与非发光区域NEA重叠以阻挡光透射。与分隔壁PW类似，光阻挡构件BK可以在平面图中大致以网格图案形成。光阻挡构件BK可以与分隔壁PW重叠，并且可以不与发光区域EA1、EA2和EA3重叠。
在实施方式中，光阻挡构件BK可以包括有机光阻挡材料，并且可以通过有机光阻挡材料的涂覆和曝光工艺形成。光阻挡构件BK可以包括具有光阻挡性质的染料或颜料，并且可以是黑矩阵。光阻挡构件BK可以和与其相邻的滤色器CF1、CF2和CF3中的每个部分地重叠。滤色器CF1、CF2和CF3中的每个可以设置在光阻挡构件BK的至少一部分处。
从显示装置10的外部入射的外部光可以使波长转换器200的色域失真。在根据该实施方式的波长转换器200中包括光阻挡构件BK的情况下，外部光的至少一部分被光阻挡构件BK吸收。因此，可以减小由于外部光的反射而引起的颜色失真。此外，光阻挡构件BK可以防止相邻的发光区域之间的相互光侵入，并且因此可以防止颜色混合。因此，可以进一步改善色域。
保护层PTL可以设置在滤色器CF1、CF2和CF3以及光阻挡构件BK上。保护层PTL可以设置在显示装置10的顶部上，以保护设置在保护层PTL下方的滤色器CF1、CF2和CF3以及光阻挡构件BK。保护层PTL的表面(例如，底表面)可以与滤色器CF1、CF2和CF3中的每个的顶表面以及光阻挡构件BK的顶表面接触。
保护层PTL可以包括无机绝缘材料以保护滤色器CF1、CF2和CF3以及光阻挡构件BK。例如，保护层PTL可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlxOy)、氮化铝(AlN)等。然而，本公开不限于此。保护层PTL可以具有一厚度(例如，预定的或选定的厚度)，其可以在例如约0.01μm至约1μm的范围内。然而，本公开不限于此。
在根据以上描述的实施方式的显示装置10中，发光元件LE设置在像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的突出部PP上，从而防止发光元件LE不完全粘附到像素电极PE1、PE2和PE3中的每个上，从而防止由于台阶而引起的缺陷。
在示例中，图9示出发光元件LE在像素电极PE1、PE2和PE3中的每个上的随机布置。
相反，参考图13，在实施方式中，发光元件LE可以布置成与在一方向上延伸的任意线对准。例如，发光元件LE可以布置在倾斜行和倾斜列中的每个中。相邻的行之间的间隔可以是恒定的，并且相邻的列之间的间隔可以是恒定的。此外，第一像素电极PE1上的发光元件LE的布置、第二像素电极PE2上的发光元件LE的布置以及第三像素电极PE3上的发光元件LE的布置可以彼此相同。
此外，图9、图10、图12和图13示出了像素PX由三个发光区域构成，例如，由发射第一颜色的光的第一发光区域EA1、发射第二颜色的光的第二发光区域EA2以及发射第三颜色的光的第三发光区域EA3构成。
相反，参考图14A至图14C，在实施方式中，可以设置用于发射第三颜色的光的两个第三发光区域EA3。因此，像素PX由四个发光区域构成。
在实施方式中，像素PX可以具有
Figure BDA0003758822320000311
结构。如图14A中所示，第一发光区域EA1可以在第一方向DR1上布置在第一行中。第二发光区域EA2可以在第一方向DR1上布置在第二行中，并且第一和第二行可以在第二方向DR2上彼此交替和重复地布置。此外，如图14B中所示，第一发光区域EA1可以在第二方向DR2上布置在第一列中。第二发光区域EA2可以在第二方向DR2上布置在第二列中。第一列和第二列可以在第一方向DR1上彼此交替和重复地布置。此外，如图14C中所示，第一发光区域EA1和第二发光区域EA2可以在第一方向DR1和第二方向DR2中的每个上彼此交替和重复地布置。
在实施方式中，第一发光区域EA1的尺寸、第二发光区域EA2的尺寸和第三发光区域EA3的尺寸可以基本上彼此相同。然而，本公开不限于此。例如，如图14A至图14C中所示，第一发光区域EA1的尺寸和第二发光区域EA2的尺寸可以彼此相同，并且第三发光区域EA3的尺寸可以不同于第一发光区域EA1和第二发光区域EA2中的每个的尺寸。作为另一示例，第一发光区域EA1的尺寸可以大于第二发光区域EA2的尺寸，或者第一发光区域EA1的尺寸可以小于第二发光区域EA2的尺寸。
此外，彼此相邻的第一发光区域EA1和第二发光区域EA2之间的距离、彼此相邻的第二发光区域EA2和第三发光区域EA3之间的距离以及彼此相邻的第一发光区域EA1和第三发光区域EA3之间的距离可以基本上彼此相等。然而，本公开不限于此。例如，彼此相邻的第一发光区域EA1和第二发光区域EA2之间的距离以及彼此相邻的第二发光区域EA2和第三发光区域EA3之间的距离可以彼此不同，并且彼此相邻的第一发光区域EA1和第三发光区域EA3之间的距离可以不同于彼此相邻的第二发光区域EA2和第三发光区域EA3之间的距离。
此外，第一发光区域EA1可以发射第一光。第二发光区域EA2可以发射第二光，并且第三发光区域EA3可以发射第三光。然而，本公开不限于此。例如，第一发光区域EA1可以发射第一光，第二发光区域EA2可以发射第三光，并且第三发光区域EA3可以发射第二光。作为另一示例，第一发光区域EA1可以发射第二光，第二发光区域EA2可以发射第一光，并且第三发光区域EA3可以发射第三光。作为另一示例，第一发光区域EA1可以发射第三光，第二发光区域EA2可以发射第二光，并且第三发光区域EA3可以发射第一光。
此外，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个可以具有矩形平面形状。然而，本公开不限于此。例如，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个的平面形状可以是诸如三角形、五边形、六边形和八边形的多边形形状，或者可以是圆形、椭圆形或不规则形状。
在下文中，将参考其它附图描述根据另一实施方式的显示装置10。
图15是示出根据另一实施方式的显示装置的发光区域的示意性平面图。图16是沿着图15中的线Q2-Q2'截取的示意性剖视图。图17是示意性地示出根据另一实施方式的像素电极的平面图。
参考图15至图17，该实施方式与以上描述的图6至图12的实施方式的不同之处至少在于：导电图案PT设置在像素电极PE1、PE2和PE3中的相邻像素电极之间，并且发光元件LE设置在导电图案PT上。在下文中，将简化或省略对它们之间的相同配置的描述，并且将详细描述它们之间的不同之处。
导电图案PT可以设置在像素电极PE1、PE2和PE3中的至少两个之间，并且发光元件LE可以设置在导电图案PT上。
导电图案PT可以设置在第一像素电极PE1和第二像素电极PE2之间，或者设置在第二像素电极PE2和第三像素电极PE3之间。导电图案PT可以设置成与像素电极PE1、PE2和PE3中的每个间隔开，并且可以设置成与像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的突出部PP间隔开。
导电图案PT可以包括设置在绝缘层130上的第一金属层PTL1和设置在第一金属层PTL1上的第二金属层PTL2。第一金属层PTL1与像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的下电极层P1可以包括相同的材料。第二金属层PTL2与像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的上电极层P3可以包括相同的材料。
如以上所描述的，可以使用光刻胶图案和发光元件LE作为掩模来蚀刻像素电极PE1、PE2和PE3中的每个，使得像素电极材料层(或像素电极层)可以保留在其中发光元件LE设置在像素电极材料层(或像素电极层)上的区域中。导电图案PT可以由像素电极层的其余部分制成(或者包括像素电极层的其余部分)，并且导电图案PT的第一金属层PTL1和第二金属层PTL2以及像素电极PE1、PE2和PE3中的每个的下电极层P1和上电极层P3可以包括相同的材料。
发光元件LE可以设置在导电图案PT上。发光元件LE可以与导电图案PT重叠。例如，发光元件LE可以与导电图案PT完全重叠。在实施方式中，导电图案PT的相对两侧中的每个可以与发光元件LE的相对两侧中的每个对准。导电图案PT的第一金属层PTL1和第二金属层PTL2中的每个的相对两侧中的每个可以与发光元件LE的相对两侧中的每个对准并重合。
导电图案PT的平面形状可以是圆形的。然而，本公开不限于此。导电图案PT的平面形状可以与发光元件LE的垂直于发光元件LE的纵向方向或延伸方向或者竖直方向的切割表面的形状相同。例如，导电图案PT的平面形状可以根据与发光元件LE的纵向方向垂直的切割表面的形状而变化。例如，在发光元件LE的切割表面是矩形的情况下，导电图案PT的平面形状可以是矩形。
公共电极CE可以设置在与导电图案PT重叠的发光元件LE上。发光元件LE的一端可以接触公共电极CE。导电图案PT可以是与像素电极PE1、PE2和PE3中的每个间隔开的浮置图案，使得不向其施加开关元件的驱动信号。因此，与导电图案PT重叠的发光元件LE可以是即使在公共电极CE接触发光元件LE的情况下也基本上不发射光的虚设发光元件。因此，尽管发光元件LE未粘附到像素电极PE1、PE2和PE3中的每个，但是这种未粘附不影响显示装置10的操作。
图18是示意性地示出根据又一实施方式的显示装置的第一发光区域的剖视图。图19是示意性地示出根据又一实施方式的显示装置的像素电极和发光元件的剖视图。
参考图18和图19，该实施方式与如以上描述的图11的实施方式的不同之处在于：像素电极PE1、PE2和PE3中的每个具有设置在下电极层P1和上电极层P3之间的反射电极层P2。在下文中，将简化或省略对它们之间的相同配置的描述，并且将详细描述它们之间的不同之处。
第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以用作反射电极。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以具有堆叠结构，其中由具有较高功函数的材料(诸如，氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化镁(MgO))制成的层以及由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物制成的反射材料层(或反射层)彼此堆叠。在这种情况下，由具有较高功函数的材料制成的层可以设置在反射材料层的顶表面上，并且可以更靠近发光元件LE。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以具有ITO/Mg2、ITO/MgF、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO的多层结构，但本公开不限于此。
在该实施方式中，像素电极PE1、PE2和PE3中的每个可以包括下电极层P1、反射电极层P2和上电极层P3。在下文中，将通过示例的方式来描述第一像素电极PE1。
下电极层P1可以形成第一像素电极PE1的最底部分并且电连接到开关元件。下电极层P1可以包括金属氧化物，例如，氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化镁(MgO)。
反射电极层P2可以设置在下电极层P1上，以向上反射从发光元件LE发射的光。反射电极层P2可以包括具有高反射率的金属，例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物。
上电极层P3可以设置在反射电极层P2上并且可以直接接触发光元件LE。上电极层P3可以设置在反射电极层P2和发光元件LE的连接电极150之间。上电极层P3可以包括金属氧化物，例如，氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化镁(MgO)。在实施方式中，第一像素电极PE1可以具有ITO/Ag/ITO的多层结构。
然而，本公开不限于此。在实施方式中，可以省略第一像素电极PE1的下电极层P1。第一像素电极PE1可以包括其中上电极层P3设置在反射电极层P2上的两层结构。
参考图19，从每个发光元件LE的有源层MQW发射的光的一部分可以从发光元件LE的反射层151向上反射，并且其其余部分可以在朝向第一像素电极PE1的方向上行进。在该实施方式中，像素电极PE1、PE2和PE3中的每个包括反射电极层P2，以向上反射从发光元件LE发射的光，从而改善光提取效率。
图20是示意性地示出根据再一实施方式的显示装置的剖视图。图21是示意性地示出根据再一实施方式的显示装置的剖视图。图22是示意性地示出根据再一实施方式的显示装置的剖视图。图23是示意性地示出根据再一实施方式的显示装置的剖视图。图24是发光区域和反射金属层的示意性平面图。图25是示意性地示出根据再一实施方式的显示装置的剖视图。
参考图20至图24，该实施方式与如以上描述的图6至图19的实施方式的不同之处至少在于：在公共电极CE和分隔壁PW之间还设置有反射金属层RFL。在下文中，将简化或省略对它们之间的相同配置的描述，并且将详细描述它们之间的不同之处。
在实施方式中，反射金属层RFL可以设置在公共电极CE和分隔壁PW之间。反射金属层RFL可以不与发光区域EA1、EA2和EA3重叠，并且可以与非发光区域NEA重叠。反射金属层RFL可以在第一方向DR1和第二方向DR2中的每个上延伸，并且因此可以在整个显示区域DPA中以网格状图案形成。反射金属层RFL可以与分隔壁PW完全重叠，并且还可以与光阻挡构件BK重叠。
在实施方式中，第一发光区域EA1的发光元件LE可以发射作为蓝光的第一光。第二发光区域EA2的发光元件LE可以发射作为红光的第二光。第三发光区域EA3的发光元件LE可以发射作为绿光的第三光。光阻挡构件BK用于防止来自发光区域EA1、EA2和EA3的光束彼此混合。
反射金属层RFL可以设置在与光阻挡构件BK重叠的非发光区域NEA中，并且可以防止来自发光区域EA1、EA2和EA3的光束彼此混合。
如图23中所示，在实施方式中，发光元件LE中的一个可以在第一像素电极PE1的边缘上以便是倾斜的。发光元件LE可以与第一像素电极PE1的突出部PP重叠(例如，竖直地重叠)。在这种情况下，发光元件LE可以与非发光区域NEA部分地重叠，使得从发光元件LE发射的光可以侵入与其相邻的发光区域。
在该实施方式中，反射金属层RFL可以形成在公共电极CE上并且形成在非发光区域NEA中。因此，从发光元件LE发射的光的一部分可以从反射金属层RFL反射，并且因此可以防止侵入与其相邻的发光区域(例如，发光区域EA2和EA3)。此外，从发光元件LE发射的光中的一部分可以从反射金属层RFL反射，并且因此可以在相应的发光区域(例如，第一发光区域EA1)处发射。
在示例中，在图20中，第一发光区域EA1的发光元件LE可以发射作为蓝光的第一光。第二发光区域EA2的发光元件LE可以发射作为红光的第二光。第三发光区域EA3的发光元件LE可以发射作为绿光的第三光。在这种情况下，波长转换层QDL包括第一散射体SCP1和第一基础树脂BRS1，可以散射从发光元件LE中的每个发射的光，并且可以朝向滤色器CF1、CF2和CF3中的相应滤色器发射散射的光。
参考图21，在另一实施方式中，设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中的发光元件LE可以发射作为蓝光的第一光。在这种情况下，波长转换层QDL可以包括与第一发光区域EA1重叠的透光图案230、与第二发光区域EA2重叠的第一波长转换图案240以及与第三发光区域EA3重叠的第二波长转换图案250。
透光图案230可以设置在第一开口OP1中，并且可以与第一发光区域EA1和第一滤色器CF1中的每个重叠。透光图案230可以透射入射至其的光。从设置在第一发光区域EA1中的发光元件LE发射的第一光可以是蓝光。作为蓝光的第一光可以穿过透光图案230，并且可以输出到第一发光区域EA1的第一滤色器CF1。透光图案230可以包括第一基础树脂BRS1和分散在第一基础树脂BRS1中的第一散射体SCP1。以上已经描述了第一基础树脂BRS1和第一散射体SCP1，并且因此省略了对其的描述。
第一波长转换图案240可以设置在第二开口OP2中，并且可以与第二发光区域EA2和第二滤色器CF2中的每个重叠。第一波长转换图案240可以将入射至其的光的峰值波长转换或移位成与该峰值波长不同的特定峰值波长，并且可以输出具有特定峰值波长的光。在实施方式中，第一波长转换图案240可以将从第二发光区域EA2中的发光元件LE发射的第一光转换成作为红光的具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的第二光，并且可以发射红光。
第一波长转换图案240可以包括第二基础树脂BRS2以及分散在第二基础树脂BRS2中的第二波长转换颗粒WCP2和第二散射体SCP2。
第二基础树脂BRS2可以由具有高透光率的材料制成。如以上描述的第二基础树脂BRS2和第一基础树脂BRS1可以由相同的材料制成。
第二波长转换颗粒WCP2可以将入射至其的光的峰值波长转换或移位成与该峰值波长不同的特定峰值波长。在实施方式中，第二波长转换颗粒WCP2可以将来自发光元件LE的作为蓝光的第一光转换成作为红光的具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的第二光，并且发射红光。
第二波长转换颗粒WCP2的示例可以包括量子点、量子棒或磷光体。第二波长转换颗粒WCP2的更详细的描述与第一波长转换颗粒WCP1的描述基本上相同或类似，并且因此将被省略。
从发光元件LE发射的作为蓝光的第一光中的一部分可以不被第二波长转换颗粒WCP2转换成作为红光的第二光，而是可以穿过第一波长转换图案240。然而，第一光中的尚未转换成红光的部分可以被第二滤色器CF2阻挡。相反，从发光元件LE发射的第一光中的一部分已被第一波长转换图案240转换成的红光可以穿过第二滤色器CF2并且可以发射到外部。
第二波长转换图案250可以设置在第三开口OP3中，并且可以与第三发光区域EA3和第三滤色器CF3中的每个重叠。第二波长转换图案250可以将入射至其的光的峰值波长转换成或移位成与该峰值波长不同的特定峰值波长，并且可以发射具有特定峰值波长的光。在实施方式中，第二波长转换图案250可以将从第三发光区域EA3中的发光元件LE发射的第一光转换成作为绿光的具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的第三光，并且可以发射第三光。
第二波长转换图案250可以包括第三基础树脂BRS3以及分散在第三基础树脂BRS3中的第三波长转换颗粒WCP3和第三散射体SCP3。
第三基础树脂BRS3可以由具有高透光率的材料制成。第三基础树脂BRS3与如以上描述的第一基础树脂BRS1或第二基础树脂BRS2可以由相同的材料制成，或者第三基础树脂BRS3可以包括作为第一基础树脂BRS1或第二基础树脂BRS2的材料的示例的材料中的至少一种。
第三波长转换颗粒WCP3可以将入射至其的光的峰值波长转换成或移位成与该峰值波长不同的特定峰值波长。在实施方式中，第三波长转换颗粒WCP3可以将来自发光元件LE的作为蓝光的第一光转换成作为绿光的具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的第三光，并且发射第三光。
第三波长转换颗粒WCP3的示例可以包括量子点、量子棒或磷光体。第三波长转换颗粒WCP3的更详细的描述与第一波长转换颗粒WCP1的描述基本上相同或类似，并且因此将被省略。
从发光元件LE发射的作为蓝光的第一光中的一部分可以不被第三波长转换颗粒WCP3转换成作为绿光的第三光，而是可以穿过第二波长转换图案250。然而，第一光中的尚未转换成绿光的部分可以被设置在第二波长转换图案250上的第三滤色器CF3阻挡。相反，从发光元件LE发射的第一光中的一部分已被第二波长转换图案250转换成的绿光可以穿过第三滤色器CF3并且可以发射到外部。
根据以上描述的实施方式的显示装置10可以包括包括透光图案230、第一波长转换图案240和第二波长转换图案250的波长转换层QDL，从而改善蓝色光束、绿色光束和红色光束中每个的发光效率。
图22的实施方式与如以上描述的图21的实施方式的不同之处至少在于：第一波长转换图案240和第二波长转换图案250中的每个包括第一波长转换颗粒WCP1。
第一波长转换图案240和第二波长转换图案250中的每个可以包括第一波长转换颗粒WCP1，其将作为蓝光的第一光转换成作为黄光的第四光。因此，从设置在第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中的发光元件LE发射的作为蓝光的第一光可以转换成作为黄光的第四光。在第一波长转换图案240和第二波长转换图案250中的每个中，作为蓝光的第一光和作为黄光的第四光可以彼此混合以发射作为白光的第五光。第五光可以被第二滤色器CF2转换成第二光，并且可以输出到外部。第五光可以被第三滤色器CF3转换成第三光，并且可以发射到外部。
在一个示例中，如以上描述的图23示出了发光元件LE在第一像素电极PE1的边缘上倾斜。然而，该实施方式不限于此。如图25中所示，发光元件LE的整个底部可以粘附在第一像素电极PE1的边缘的顶表面上。在这种情况下，发光元件LE可以与非发光区域NEA重叠，使得从发光元件LE发射的光可以发射到非发光区域NEA，从而引起颜色混合。在该实施方式中，反射金属层RFL可以设置在发光元件LE上方并且设置在非发光区域NEA中，从而可以防止从发光元件LE发射的光发射到与其相邻的发光区域，从而防止颜色混合。
下文中，将参考其它附图描述根据实施方式的显示装置10的制造工艺。
图26是示出根据实施方式的显示装置的制造方法的示意性流程图。图27至图40是用于示出根据实施方式的显示装置的制造方法的示意性剖视图。
图27至图40是根据显示装置10的层的形成顺序的结构的示意性剖视图和示意性平面图。图27至图40主要示出了光发射器LEP和波长转换器200的制造工艺。图27至图40可以大体上对应于图7的示意性剖视图。此外，下文中主要描述显示装置10的第一发光区域EA1和第二发光区域EA2。在以下的描述中，将结合图26描述如图27至图40中所示的显示装置10的制造方法。
参考图27，在基础衬底BSUB上形成半导体层(或半导体材料层)SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L，并且形成发光元件LE(参见图26的S100)。
首先，提供基础衬底BSUB。基础衬底BSUB可以是蓝宝石衬底(Al2O3)或包括硅的硅晶片。然而，本公开不限于此。在实施方式中，将通过示例的方式来描述基础衬底BSUB实施为蓝宝石衬底的情况。
在基础衬底BSUB上形成半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L。半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L可以使用外延方法生长，并且可以通过生长籽晶来形成。在这种情况下，可以使用电子束沉积、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体激光沉积(PLD)、双型热蒸发、溅射或金属有机化学气相沉积(MOCVD)来形成半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L中的每个。然而，本公开不限于此。
用于形成半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L的前体材料可以不受特别限制，并且可以选自常规地用于形成目标材料的材料的组。在示例中，前体材料可以是包括烷基团(诸如，甲基基团或乙基基团)的金属前体。例如，前体材料可以是化合物，诸如，三甲基镓(Ga(CH3)3)、三甲基铝(Al(CH3)3)或磷酸三乙酯((C2H5)3PO4)。然而，本公开不限于此。
第三半导体层SEM3L形成在基础衬底BSUB上。尽管附图示出了堆叠有第三半导体层SEM3L，但是本公开不限于此。可以形成第三半导体层SEM3。可以设置第三半导体层SEM3L以减小第二半导体层SEM2L和基础衬底BSUB的晶格常数之间的差。在示例中，第三半导体层SEM3L可以包括未掺杂有n型或p型掺杂剂的半导体材料。在实施方式中，第三半导体层SEM3可以由未掺杂有n型或p型掺杂剂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种制成。然而，本公开不限于此。
使用上述方法，在第三半导体层SEM3L上顺序地形成第二半导体层SEM2L、超晶格层(或超晶格材料层)SLTL、有源层(或有源材料层)MQWL、电子阻挡层(或电子阻挡材料层)EBLL和第一半导体层SEM1L。
随后，蚀刻半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L以形成发光元件LE。
在第一半导体层SEM1L上形成第一掩模图案MP1。第一掩模图案MP1中的每个可以实施为包括无机材料的硬掩模或包括有机材料的光刻胶掩模。第一掩模图案MP1可以防止半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L中的每个的在第一掩模图案MP1中的每个下面的部分被蚀刻掉。使用第一掩模图案MP1作为掩模，蚀刻半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L中的每个的一部分(第一蚀刻)以形成发光元件LE。
参考图28，可以蚀刻和去除半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L中的每个的不与第一掩模图案MP1重叠的部分，使得半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L中的每个的与第一掩模图案MP1重叠的未蚀刻部分可以用作发光元件LE。
可以使用常规方法来蚀刻半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L。例如，蚀刻半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L的工艺可以包括干法蚀刻、湿法蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)、深度反应离子蚀刻(DRIE)、感应耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)等。干法蚀刻可以实现各向异性蚀刻，并且因此可以适用于竖直蚀刻。在使用以上描述的蚀刻方法的情况下，蚀刻剂可以是Cl2或O2。然而，本公开不限于此。
半导体层SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L中的每个的与第一掩模图案MP1重叠的部分可以不被蚀刻，而是可以形成发光元件LE中的每个。因此，可以形成发光元件LE中的每个，并且发光元件LE中的每个包括第三半导体层SEM3、第二半导体层SEM2、超晶格层SLT、有源层MQW、电子阻挡层EBL和第一半导体层SEM1。
在基础衬底BSUB上沉积连接电极层(或连接电极材料层)并蚀刻连接电极层。因此，连接电极150分别形成在第一半导体层SEM1上。可以在基础衬底BSUB上顺序地堆叠反射层(或反射层材料层)和连接层(或连接层材料层)，并且然后可以蚀刻反射层和连接层以形成包括反射层151和连接层153的连接电极150。连接电极150可以直接形成在发光元件LE的第一半导体层SEM1的顶表面上。在实施方式中，连接电极150的反射层151可以直接接触发光元件LE的第一半导体层SEM1的顶表面。发光元件LE可以包括连接电极150。
参考图29，形成其上形成有像素电极层PEL的第一衬底110(参见图26的S110)。
在第一衬底110上形成第一开关元件T1，并且在第一开关元件T1上形成绝缘层130。第一衬底110可以是透明绝缘衬底，其可以是玻璃或石英衬底。第一开关元件T1可以包括薄膜晶体管和电容器。绝缘层130可以具有形成在其中的暴露第一开关元件T1的接触孔。
随后，通过在绝缘层130上堆叠金属材料来形成下电极层(或下电极材料层)P1L。通过在下电极层P1L上堆叠金属材料来在其上形成上电极层(或上电极材料层)P3L。因此，形成像素电极层PEL。像素电极层PEL可以经由形成在绝缘层130中的接触孔电连接到第一开关元件T1。
随后，将基础衬底BSUB接合到第一衬底110(参见图26的S120)。
将基础衬底BSUB与第一衬底110对准。在这种情况下，形成在基础衬底BSUB上的发光元件LE的连接电极150面向第一衬底110。
接着，将第一衬底110和基础衬底BSUB彼此接合。形成在基础衬底BSUB上的发光元件LE的连接电极150接触第一衬底110的上电极层P3L。在这种情况下，发光元件LE的连接层153接触上电极层P3L。然后，该方法将发光元件LE的连接层153熔接到上电极层P3L，使得第一衬底110和基础衬底BSUB彼此接合。在这种情况下，发光元件LE粘附到上电极层P3L的顶表面。可以通过将激光从基础衬底BSUB上方的位置照射到上电极层P3L来实现熔接。激光的高温热量被传递到被激光照射的上电极层P3L，使得其界面可以粘附到发光元件LE的连接层153。上电极层P3L可以由具有良好导热性的铜(Cu)制成，使得其相对于发光元件LE的连接层153的粘合性质可以是良好的。可以使用YAG作为用于熔接的激光的源。
随后，从发光元件LE去除基础衬底BSUB(参见图26的S130)。
参考图30，从发光元件LE的第三半导体层SEM3去除基础衬底BSUB。去除基础衬底BSUB的工艺可以包括激光剥离(LLO)工艺。激光剥离工艺可以使用激光。可以使用KrF准分子激光器(248nm波长)作为激光的源。可以在约550mJ/cm2至约950mJ/cm2的范围内的能量密度下照射准分子激光。其入射面积可以在50×50μm2至1×1cm2的范围内。然而，本公开不限于此。该方法可以包括将激光照射到基础衬底BSUB上，使得基础衬底BSUB可以从发光元件LE去除。
因此，如图31中所示，发光元件LE可以随机地布置在像素电极层PEL上。
接着，图案化像素电极层PEL，从而形成像素电极PE1和PE2(参见图26的S140)。
参考图32和图33，将光刻胶施加至已在其上形成发光元件LE的第一衬底110上，并且对光刻胶进行曝光和显影以形成第一光刻胶图案PR1。第一光刻胶图案PR1可以覆盖发光元件LE的一部分和像素电极层PEL的一部分。
参考图34，通过在第一衬底110上施加蚀刻剂来蚀刻像素电极层PEL。像素电极层PEL的被第一光刻胶图案PR1和发光元件LE掩盖的部分可以不被蚀刻，并且像素电极层PEL的其余部分可以被蚀刻剂蚀刻。因此，像素电极层PEL被转换成各自包括下电极层P1和上电极层P3的第一像素电极PE1和第二像素电极PE2。当形成像素电极PE1和PE2中的每个时，可以限定与第一像素电极PE1重叠的第一发光区域EA1和与第二像素电极PE2重叠的第二发光区域EA2。尽管未示出，但是可以限定与其它像素电极对应的发光区域。
参考图35和图36，通过剥离或灰化来去除第一光刻胶图案PR1。蚀刻工艺可以允许像素电极PE1和PE2中的每个具有从一侧向外突出的突出部PP，并且允许发光元件LE设置在突出部PP上。突出部PP可以朝向与其相邻的像素电极突出，并且可以与发光元件LE重叠。突出部PP的外侧可以与发光元件LE的外侧对准并重合。
在该实施方式中，可以使用发光元件LE和第一光刻胶图案PR1作为掩模来形成像素电极PE1和PE2中的每个，使得发光元件LE可以与像素电极PE1和PE2对准并且可以设置在像素电极PE1和PE2上。因此，可以省略将发光元件LE与像素电极PE1和PE2对准的工艺。
接着，在绝缘层130以及像素电极PE1和PE2上形成平坦化层PLL，并且然后，在平坦化层PLL上形成公共电极CE(参见图26的S150)。
参考图37，在第一衬底110上施加有机材料以形成平坦化层PLL。平坦化层PLL具有小于发光元件LE的竖直尺寸的厚度，使得发光元件LE的第二半导体层SEM2和第三半导体层SEM3的一部分被暴露。
通过在平坦化层PLL上沉积透明导电材料来形成公共电极CE。公共电极CE覆盖发光元件LE和平坦化层PLL。公共电极CE接触发光元件LE的突出超过平坦化层PLL的、暴露的第三半导体层SEM3和第二半导体层SEM2的暴露部分。
随后，在公共电极CE上形成在其中限定有开口OP1和OP2的分隔壁PW(参见图26的S160)。
参考图38，将有机材料施加至其上形成有公共电极CE的第一衬底110上，并且对有机材料进行图案化以形成分隔壁PW。开口被限定成对应于发光区域。例如，第一开口OP1被限定成对应于第一发光区域EA1。第二开口OP2被限定成对应于第二发光区域EA2。尽管在附图中未示出，但是还限定有与其它发光区域对应的其它开口。
在开口OP1和OP2中的每个中形成波长转换层QDL(参见图26的S170)。
参考图39，波长转换层QDL可以填充第一开口OP1。波长转换层QDL可以使用其中第一基础树脂BRS1和第一波长转换颗粒WCP1彼此混合的溶液的溶液工艺(诸如，喷墨印刷、压印等)形成。然而，本公开不限于此。波长转换层QDL可以形成在开口中的每个中并且可以与发光区域中的每个重叠。
随后，在波长转换层QDL上形成滤色器CF1和CF2以及光阻挡构件BK(参见图26的S180)。
参考图40，光阻挡构件BK形成在分隔壁PW上。通过在分隔壁PW上施加光阻挡材料并对其进行图案化来形成光阻挡构件BK。光阻挡构件BK与非发光区域NEA重叠，并且可以不与发光区域EA1和EA2中的每个重叠。
第一滤色器CF1形成在由光阻挡构件BK限定的波长转换层QDL上。第一滤色器CF1可以使用光刻工艺形成。第一滤色器CF1的厚度可以小于或等于约1μm，但可以不限于此。
在分隔壁PW和波长转换层QDL上施加第一滤色器层(或第一滤色器材料层)，并且然后使用光刻工艺对第一滤色器层(或第一滤色器材料层)进行图案化，以形成与第一开口OP1重叠的第一滤色器CF1。以类似的方式，可以形成其它滤色器，以便通过使用图案化工艺分别与其它开口重叠。
在光阻挡构件BK和第一滤色器CF1上形成保护层PTL。由此，制造根据实施方式的显示装置10。
如参考图26至图40所描述的，在根据实施方式的显示装置10中，可以使用第一光刻胶图案PR1和发光元件LE作为掩模来形成像素电极PE1和PE2中的每个。因此，可以省略将发光元件LE分别与像素电极PE1和PE2对准的工艺。此外，可以防止发光元件LE与像素电极PE1和PE2不对准，并且因此可以防止缺陷。
图41至图53是示出根据另一实施方式的显示装置的制造工艺的示意性剖视图。
参考图41至图53，该实施方式与如以上描述的图26至图40的实施方式的不同之处至少在于：将膜附接到形成在基础衬底BSUB上的发光元件LE，并且将膜拉伸并从发光元件LE去除，使得发光元件LE附接到显示衬底100。将描述与以上实施方式的工艺不同的工艺，并且由于其余工艺与图26至图40中的那些相同，因而将省略对其余工艺的描述。
参考图41，将第一支承膜SPF1附接到在图28中制造的基础衬底BSUB上的发光元件LE。
第一支承膜SPF1附接到发光元件LE。第一支承膜SPF1可以与发光元件LE对准并且可以附接到发光元件LE的连接电极150中的每个。可以设置更多数量的发光元件LE，使得发光元件LE可以不与第一支承膜SPF1分离。
第一支承膜SPF1可以由支承层和设置在支承层上的粘合剂层构成。支承层可以由透明的材料制成，以允许光穿过其并具有机械稳定性。例如，支承层可以包括透明聚合物，诸如，聚酯、聚丙烯酸、聚环氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等。粘合剂层可以包括用于将支承层接合到发光元件LE的粘合剂材料。例如，粘合剂材料可以包括聚氨酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯和聚酯丙烯酸酯等。粘合剂材料可以具有随着紫外(UV)光或热量施加至其而变化的粘合强度。因此，可以容易地从发光元件LE去除粘合剂层。
参考图42，通过将第一激光照射到基础衬底BSUB上来从发光元件LE去除基础衬底BSUB。从发光元件LE中的每个的第三半导体层SEM3去除基础衬底BSUB。以上已经描述了去除基础衬底BSUB的工艺，并且因此省略了对其的描述。
参考图43，将第一转移膜LFL1附接到从其去除了基础衬底BSUB的发光元件LE。
第一转移膜LFL1附接到发光元件LE中的每个的第三半导体层SEM3。第一转移膜LFL1可以与发光元件LE对准并且可以附接到发光元件LE中的每个的第三半导体层SEM3。
第一转移膜LFL1可以包括可拉伸材料。可拉伸材料可以包括例如聚烯烃、聚氯乙烯(PVC)、弹性硅酮、弹性聚氨酯、弹性聚异戊二烯等。第一转移膜LFL1可以如以上描述的第一支承膜SPF1中那样包括支承层和粘合剂层。因此，第一转移膜LFL1可以粘附到发光元件LE并且支承发光元件LE。
参考图44和图45，从发光元件LE去除第一支承膜SPF1。可以向第一支承膜SPF1施加UV光或热量以降低第一支承膜SPF1的粘合剂层的粘合强度，并且然后可以物理地或自然地从发光元件LE去除第一支承膜SPF1。发光元件LE可以设置在第一转移膜LFL1上，并且可以布置成点阵列，在该点阵列中，发光元件LE以第一间隔(例如，预定的或选定的间隔)D1彼此间隔开。
参考图46和图47，拉伸第一转移膜LFL1(第一ORI)。第一转移膜LFL1可以例如在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面中二维地拉伸。当第一转移膜LFL1被拉伸时，接合到第一转移膜LFL1上的发光元件LE可以以第二间隔D2彼此间隔开。发光元件LE可以以大于如以上描述的第一间隔D1的第二间隔D2彼此均匀地间隔开。
第一转移膜LFL1的拉伸强度(或伸展强度)可以基于发光元件LE之间的第二间隔D2来调节。例如，第一转移膜LFL1的拉伸强度(或伸展强度)可以是约120gf/英寸。然而，本公开不限于此。第一转移膜LFL1的拉伸强度(或伸展强度)可以基于发光元件LE之间的第二间隔D2来调节。
参考图48，将第二转移膜LFL2附接到从其去除了第一支承膜SPF1的发光元件LE上。第二转移膜LFL2可以与发光元件LE对准，并且可以附接到发光元件LE中的每个的连接电极150。第二转移膜LFL2可以如以上描述的第一转移膜LFL1中那样包括支承层和粘合剂层。以上已进行了对其的详细描述，并且因此省略了对其的详细描述。
参考图49，从发光元件LE去除第一转移膜LFL1。可以将UV光或热量施加至第一转移膜LFL1以降低第一转移膜LFL1的粘合剂层的粘合强度，并且然后可以物理地或自然地从其去除第一转移膜LFL1。
参考图50和图51，拉伸第二转移膜LFL2(第二ORI)。第二转移膜LFL2可以例如在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面中二维地拉伸。当第二转移膜LFL2被拉伸时，粘附到第二转移膜LFL2的发光元件LE可以以第三间隔D3彼此间隔开。发光元件LE可以以大于如以上描述的第二间隔D2的第三间隔D3彼此均匀地间隔开。
第二转移膜LFL2的拉伸强度(或伸展强度)可以基于发光元件LE之间的第三间隔D3来调节。例如，第二转移膜LFL2的拉伸强度(或伸展强度)可以是约270gf/英寸。然而，本公开不限于此。第二转移膜LFL2的拉伸强度(或伸展强度)可以基于发光元件LE之间的第三间隔D3来调节。
参考图52，将第二支承膜SPF2附接到从其去除了第一转移膜LFL1的发光元件LE上。第二支承膜SPF2可以与发光元件LE对准并且可以附接到发光元件LE中的每个的第三半导体层SEM3。第二支承膜SPF2可以如以上描述的第一转移膜LFL1中那样包括支承层和粘合剂层。以上已进行了对其的详细描述，并且因此省略了对其的详细描述。
参考图53，从发光元件LE去除第二转移膜LFL2。从发光元件LE中的每个的连接电极150去除附接到连接电极150的第二转移膜LFL2。去除第二转移膜LFL2的工艺与如以上描述的去除第一转移膜LFL1的工艺相同，并且因此省略对其的描述。可以从发光元件LE的连接电极150去除第二转移膜LFL2。
将第二支承膜SPF2接合到第一衬底110。发光元件LE附接到第一衬底110。执行如以上描述的图29至图40中所示的工艺。因此，可以制造显示装置10。
在该实施方式中，使用转移膜制造显示装置10可以允许基于像素尺寸来控制发光元件LE的密度。因此，发光元件LE可以布置成对应于各种尺寸的像素。因此，可以容易地制造显示装置10。
图54是示出包括根据实施方式的显示装置的虚拟现实装置的示例图。图54示出了其中使用根据实施方式的显示装置10的虚拟现实装置1。
参考图54，根据实施方式的虚拟现实装置1可以是呈眼镜形式的装置。根据实施方式的虚拟现实装置1可以包括显示装置10、左眼透镜10a、右眼透镜10b、支承框架20、左腿30a和右腿30b、反射构件40和显示装置壳体50。
图54示出了包括两个腿30a和30b的虚拟现实装置1。然而，本公开不限于此。根据实施方式的虚拟现实装置1可以用在包括头部安装带而不是腿30a和30b的头戴式显示器中，其中头部安装带可以安装在头上。例如，根据实施方式的虚拟现实装置1可以不限于图54中所示的示例，并且可以以各种形式应用并且应用于各种电子装置中。
显示装置壳体50可以接纳显示装置10和反射构件40。显示装置10上显示的图像可以从反射构件40反射并且通过右眼透镜10b提供给用户的右眼。因此，用户可以经由右眼观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。
图54示出了显示装置壳体50设置在支承框架20的右端处。然而，本公开的实施方式不限于此。例如，显示装置壳体50可以设置在支承框架20的左端处。在这种情况下，显示在显示装置10上的图像可以从反射构件40反射并经由左眼透镜10a提供给用户的左眼。因此，用户可以经由左眼观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。作为另一示例，显示装置壳体50可以设置在支承框架20的左端和右端中的每个处。在这种情况下，用户可以经由左眼和右眼二者来观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。
图55是示出包括根据实施方式的显示装置的智能装置的示例图。
参考图55，根据实施方式的显示装置10可以应用于作为智能装置之一的智能手表2。
图56是示出包括根据实施方式的显示装置的车辆的示例图。图56示出了其中使用根据实施方式的显示装置的车辆。
参考图56，根据实施方式的显示装置10_a、10_b和10_c可以应用于车辆的仪表板、应用于车辆的中央饰板或者应用于设置在车辆的仪表板上的中央信息显示器(CID)。此外，根据实施方式的显示装置10_d和10_e中的每个可以应用于代替车辆的侧视镜中的每个的每个室内镜。
图57是示出包括根据实施方式的显示装置的透明显示装置的示例图。
参考图57，根据实施方式的显示装置10可以应用于透明显示装置。透明显示装置可以透射穿过其的光，同时在其上显示图像IM。因此，位于透明显示装置前方的用户可以不仅观看显示在显示装置10上的图像IM，而且还观看位于透明显示装置后方的对象RS或背景。在将显示装置10应用于透明显示装置的情况下，图6中所示的显示装置10的第一衬底110可以包括透光部分，光可以透射穿过该透光部分，或者图6中所示的显示装置10的第一衬底110可以由光可以透射穿过其的材料制成。
在结束详细描述时，本领域的技术人员将理解，在基本上不背离本公开的原理的情况下，可以对实施方式做出许多变化和修改。因此，所公开的本公开的实施方式仅以概述性和描述性含义使用，而不是出于限制的目的。

Claims (15)

1.显示装置，包括：
像素电极，设置在衬底上；
至少一个发光元件，设置在所述像素电极中的每个上；
平坦化层，设置在所述像素电极上，并且填充所述至少一个发光元件之间的空间；以及
公共电极，设置在所述平坦化层和所述至少一个发光元件上，其中，
所述至少一个发光元件中的每个布置成垂直于所述像素电极中的每个的顶表面，
所述像素电极中的至少一个像素电极包括朝向所述像素电极中的相邻的像素电极突出的突出部，以及
所述突出部在平面图中与所述至少一个发光元件重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述突出部的外侧与所述至少一个发光元件的外侧对准并重合。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电极中的所述至少一个像素电极的在一方向上延伸且穿过所述突出部的第一宽度大于所述像素电极中的所述至少一个像素电极的在所述一方向上延伸且不穿过所述突出部的第二宽度。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述像素电极中的所述至少一个像素电极中的第一像素电极的所述突出部和所述像素电极中的与所述第一像素电极的所述突出部相邻的第二像素电极之间的第一距离小于所述第一像素电极的没有所述突出部的部分和所述第二像素电极之间的第二距离。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
波长转换器，设置在所述公共电极上，
其中，所述波长转换器包括：
堤部，所述堤部中的每个将所述显示装置的发光区域中的每个和所述显示装置的非发光区域中的每个分隔开；
波长转换层，设置在所述堤部之间，并且在平面图中与所述发光区域中的每个重叠；
光阻挡构件，设置在所述堤部上；以及
滤色器，设置在所述波长转换层上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述突出部在平面图中与所述非发光区域中的每个、所述堤部中的每个和所述光阻挡构件中的每个重叠。
7.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：
反射金属层，设置在所述公共电极和所述堤部之间，
其中，所述反射金属层在平面图中与所述非发光区域中的每个重叠。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述像素电极中的每个包括下电极层和设置在所述下电极层上的上电极层，以及
所述下电极层和所述上电极层中的每个包括金属。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述像素电极中的每个包括：
下电极层；
反射电极层，设置在所述下电极层上；以及
上电极层，设置在所述反射电极层上，
所述下电极层和所述上电极层中的每个包括金属氧化物，以及
所述反射电极层包括金属。
10.显示装置，具有发光区域和非发光区域，所述显示装置包括：
像素电极，设置在衬底上；
第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件设置在所述像素电极中的每个上，所述第二发光元件设置在所述像素电极之间；
平坦化层，设置在所述像素电极上，并且填充所述第一发光元件和所述第二发光元件之间的空间；
公共电极，设置在所述平坦化层以及所述第一发光元件和所述第二发光元件上；以及
导电图案，设置在所述像素电极之间，其中，
所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每个布置成垂直于所述像素电极中的每个的顶表面，
所述导电图案与所述像素电极中的每个间隔开，以及
所述导电图案设置在所述第二发光元件上，并且在平面图中与所述非发光区域和所述第二发光元件重叠。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述导电图案和所述像素电极设置在相同的层上，并且包括相同的材料。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述导电图案的外侧与所述第二发光元件的外侧对准并重合。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，在平面图中与所述导电图案重叠的所述第二发光元件电接触所述公共电极。
14.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述导电图案是浮置图案，以及
在平面图中与所述导电图案重叠的所述第二发光元件不发射光。
15.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述导电图案的平面形状与所述第二发光元件的垂直于所述第二发光元件的延伸方向的切割表面的形状相同。
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