CN112397381A - 晶片的加工方法和切削装置 - Google Patents

晶片的加工方法和切削装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112397381A
CN112397381A CN202010800290.3A CN202010800290A CN112397381A CN 112397381 A CN112397381 A CN 112397381A CN 202010800290 A CN202010800290 A CN 202010800290A CN 112397381 A CN112397381 A CN 112397381A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
cutting
holding
holding table
cut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010800290.3A
Other languages
English (en)
Inventor
杨云峰
植村祐二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN112397381A publication Critical patent/CN112397381A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/023Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a cutting blade mounted on a carriage
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282Marking devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54493Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明提供晶片的加工方法和切削装置,即使是沿着外周缘进行了切削的晶片,也能够在下一工序中定位成规定的朝向。晶片的加工方法包含如下的步骤:保持工作台准备步骤,准备形成有与晶片的凹口对应的退刀部的保持工作台;保持步骤,使晶片的凹口与保持工作台的退刀部对应而利用保持工作台对晶片进行保持;小径化步骤,在将切削刀具的前端定位于比保持工作台的保持面靠下方的位置的状态下利用切削刀具沿着晶片的外周缘对晶片进行切削而使晶片小径化,从而将切除部的至少一部分去除;以及切除部形成步骤,利用切削刀具沿着保持工作台的退刀部在厚度方向上对晶片进行切削,在晶片上形成第2凹口。

Description

晶片的加工方法和切削装置
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法和切削装置,利用切削刀具沿着外周缘对呈圆形且具有圆弧的一部分被切除而得的切口的晶片进行切削而使该晶片小径化。
背景技术
使用将晶片的外周缘的整个圆周按照从形成有器件的正面至背面的方式去除的晶片的加工方法(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2013-102080号公报
但是,当将晶片的外周缘的整个圆周从形成有器件的正面切削至背面而去除时,存在如下的问题:表示晶体取向的凹口或定向平面消失,无法在后续工序中检测晶片 的晶体取向,从而无法将晶片定位成规定的朝向。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供晶片的加工方法和切削装置,即使是沿着外周缘 进行了切削的晶片,也能够在下一工序中定位成规定的朝向。
根据本发明的一个方式,提供晶片的加工方法,利用切削刀具沿着外周缘对呈 圆形并且具有表示晶体取向的第1切除部的晶片进行切削而使该晶片小径化,该第1 切除部是圆弧的一部分被切除而得的,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:保 持工作台准备步骤,准备保持工作台,该保持工作台具有对晶片进行保持的圆形的保 持面并且形成有与所保持的晶片的该第1切除部对应的退刀部;保持步骤,在该保持 工作台准备步骤之后,使晶片的该第1切除部与该保持工作台的该退刀部对应而利用 该保持工作台对晶片进行保持,该保持工作台的该保持面的直径与小径化后的晶片的 直径对应;小径化步骤,在实施了该保持步骤之后,在将该切削刀具的前端定位于比 该保持工作台的该保持面靠下方的位置的状态下利用该切削刀具沿着晶片的外周缘 对晶片进行切削而使晶片小径化,从而将该第1切除部的至少一部分去除;以及切除 部形成步骤,利用该切削刀具沿着该保持工作台的该退刀部在厚度方向上对晶片进行 切削,在晶片上形成第2切除部。
根据本发明的另一方式,提供切削装置,其利用切削刀具沿着外周缘对呈圆形 并且具有表示晶体取向的第1切除部的晶片进行切削而使该晶片小径化,该第1切除 部是圆弧的一部分被切除而得的,其中,该切削装置具有:保持工作台,其具有对晶 片进行保持的圆形的保持面,并且形成有与所保持的晶片的该切除部对应的退刀部, 该保持工作台具有与小径化后的晶片的直径对应的直径;旋转机构,其使该保持工作 台绕通过该保持面的中心的旋转轴旋转;切削单元,其具有对该保持工作台所保持的 晶片进行切削的切削刀具以及在前端安装有该切削刀具的主轴;以及移动机构,其使 该切削单元相对于该保持工作台相对移动。
本发明起到如下的效果:即使是沿着外周缘进行了切削的晶片,也能够在下一 工序中定位成规定的朝向。
附图说明
图1是示出第1实施方式的切削装置的结构例的立体图。
图2是通过图1所示的切削装置进行切削的晶片的立体图。
图3是图1所示的切削装置的保持工作台的俯视图。
图4是示出第1实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。
图5是示出图4所示的晶片的加工方法的保持步骤的保持工作台的俯视图。
图6是沿着图5中的VI-VI线的剖视图。
图7是示出图4所示的晶片的加工方法的小径化步骤的剖视图。
图8是示出图4所示的晶片的加工方法的切除部形成步骤的俯视图。
图9是沿着图8中的IX-IX线的剖视图。
图10是通过第2实施方式的晶片的加工方法和切削装置进行切削的晶片的立体图。
图11是第2实施方式的切削装置的保持工作台的俯视图。
图12是示出第2实施方式的晶片的加工方法的切除部形成步骤的俯视图。
标号说明
1:切削装置;10:保持工作台;14:保持面;15、15-2:退刀部;20、20-1、 20-2:切削单元(切削构件);21、21-1、21-2:切削刀具;22:主轴;40:旋转移动 单元(旋转机构);41:移动单元(移动机构);200:晶片;201:外周缘;206:凹 口(切除部);206-2:定向平面(切除部);207:第2凹口(切除部);207-2:第2 定向平面(切除部);ST1:保持工作台准备步骤;ST2:保持步骤;ST3:小径化步 骤;ST4:切除部形成步骤。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。本发明并不被以下实施方 式所记载的内容限定。另外,在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容 易想到的内容、实质上相同的内容。另外,以下所记载的结构可以适当组合。另外, 可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[第1实施方式]
根据附图,对本发明的第1实施方式的切削装置进行说明。图1是示出第1实 施方式的切削装置的结构例的立体图。图2是通过图1所示的切削装置进行切削的晶 片的立体图。图3是图1所示的切削装置的保持工作台的俯视图。
第1实施方式的图1所示的切削装置1是将图2所示的晶片200的外周缘201 的整个圆周按照从正面202至背面203的方式去除而使晶片200小径化的装置。在第 1实施方式中,晶片200是以硅、蓝宝石、镓等作为母材的呈圆形的半导体晶片或光 器件晶片等晶片。晶片200形成为圆板状,在正面202上在由呈格子状形成的多条分 割预定线204呈格子状划分的区域内形成有器件205。另外,晶片200具有凹口206, 该凹口206是将圆弧的一部分切除而得的表示母材的晶体取向的切除部。凹口206 是从晶片200的外缘朝向晶片200的中心将母材的一部分切除而得的。
图1所示的切削装置1也是利用切削刀具21沿着外周缘201对晶片200进行切 削而使晶片200小径化的装置。如图1所示,切削装置1具有:保持工作台10,其 将晶片200吸引保持于保持面14上;切削单元20,其对保持工作台10所保持的晶 片200进行切削;作为拍摄构件的拍摄单元30,其对保持工作台10所保持的晶片200 进行拍摄;以及作为控制构件的控制单元100。
另外,如图1所示,切削装置1具有:作为旋转机构的旋转移动单元40,其使 保持工作台10绕通过保持面14的中心的与沿着铅垂方向的Z轴方向平行的旋转轴旋 转;以及作为移动机构的移动单元41,其使切削单元20相对于保持工作台10相对 移动。
移动单元41具有:X轴移动单元42,其将保持工作台10在与水平方向和装置 主体2的宽度方向平行的X轴方向上进行加工进给;Y轴移动单元43,其将切削单 元20在与水平方向和装置主体2的长度方向平行且与X轴方向垂直的Y轴方向上进 行分度进给;以及Z轴移动单元44,其将切削单元20在与垂直于X轴方向和Y轴 方向这双方的铅垂方向平行的Z轴方向上进行切入进给。旋转移动单元40通过X轴 移动单元42与保持工作台10一起在X轴方向上进行加工进给。如图1所示,切削 装置1是具有两个切削单元20的切削装置,即两个主轴的划片机、所谓的面对双轴 型的切削装置。
如图3所示,保持工作台10具有:圆形的框体11,其在中央设置有圆形的凹 部13;以及保持部件12,其安装于凹部13内且由多孔陶瓷等多孔质材料形成,该保 持工作台10形成为圆盘形状。框体11具有与小径化后的晶片200的直径对应的直径。 由于框体11具有与小径化后的晶片200的直径对应的直径,从而保持工作台10具有 与小径化后的晶片200的直径对应的直径。
在第1实施方式中,框体11的直径比小径化后的晶片200的直径略小、即比小 径化前的晶片200的直径小。保持部件12的上表面形成为圆形,并且与框体11的上 表面形成为同一平面,是对晶片200进行保持的保持面14。即,保持工作台10包含 圆形的保持面14。保持工作台10的凹部13与未图示的真空吸引源连接,通过真空 吸引源进行吸引而对载置于保持面14的晶片200进行吸引、保持。
另外,保持工作台10在框体11的外缘形成有与所保持的晶片200的凹口206 对应的退刀部15。在第1实施方式中,退刀部15是从框体11的外缘朝向框体11的 中央延伸的凹陷,退刀部15的沿框体11的周向的宽度形成得比凹口206的最大的宽 度宽,沿着框体11的厚度方向的全长而设置退刀部15。另外,在第1实施方式中, 退刀部15设置于框体11和保持部件12这双方。
另外,保持工作台10设置成通过X轴移动单元42沿着X轴方向移动自如且通 过旋转移动单元40绕旋转轴旋转自如。另外,图3用虚线示出小径化前的晶片200。
切削单元20对保持工作台10所保持的晶片200进行切削(相当于加工)。切削 单元20分别相对于保持工作台10所保持的晶片200设置成通过Y轴移动单元43在 Y轴方向上移动自如且设置成通过Z轴移动单元44在Z轴方向上移动自如。
如图1所示,一对切削单元20借助Y轴移动单元43、Z轴移动单元44等而设 置于从装置主体2竖立设置的门型的支承框架3。一对切削单元20能够通过Y轴移 动单元43和Z轴移动单元44而将切削刀具21定位于保持工作台10的保持面14的 任意位置。
一对切削单元20具有:主轴壳体23,其设置成通过Y轴移动单元43和Z轴移 动单元44在Y轴方向和Z轴方向上移动自如;主轴22,其以绕轴心旋转自如的方式 设置于主轴壳体23且通过主轴电动机进行旋转,并且在前端安装有切削刀具21;以 及切削刀具21,其对保持工作台10所保持的晶片200进行切削。切削刀具21是具 有大致环形状的极薄的切削磨具。切削单元20的主轴22和切削刀具21的轴心设定 成与Y轴方向平行。
X轴移动单元42使保持工作台10在作为加工进给方向的X轴方向上移动,从 而将保持工作台10和切削单元20沿着X轴方向相对地进行加工进给。Y轴移动单 元43使切削单元20在作为分度进给方向的Y轴方向上移动,从而将保持工作台10 和切削单元20沿着Y轴方向相对地进行分度进给。Z轴移动单元44使切削单元20 在作为切入进给方向的Z轴方向上移动,从而将保持工作台10和切削单元20沿着Z 轴方向相对地进行切入进给。
X轴移动单元42、Y轴移动单元43以及Z轴移动单元44具有:周知的滚珠丝 杠,其设置成绕轴心旋转自如;周知的脉冲电动机,其使滚珠丝杠绕轴心旋转;以及 周知的导轨,其将保持工作台10或切削单元20支承为在X轴方向、Y轴方向或Z 轴方向上移动自如。
另外,切削装置1具有:未图示的X轴方向位置检测单元,其用于检测保持工 作台10的X轴方向的位置;未图示的Y轴方向位置检测单元,其用于检测切削单元 20的Y轴方向的位置;以及Z轴方向位置检测单元,其用于检测切削单元20的Z 轴方向的位置。X轴方向位置检测单元和Y轴方向位置检测单元可以由与X轴方向 或Y轴方向平行的线性标尺和读取头构成。Z轴方向位置检测单元利用脉冲电动机的 脉冲对切削单元20的Z轴方向的位置进行检测。X轴方向位置检测单元、Y轴方向 位置检测单元以及Z轴方向位置检测单元将保持工作台10的X轴方向、切削单元20 的Y轴方向或Z轴方向的位置输出至控制单元100。另外,在第1实施方式中,各位 置由距离预先设定的基准位置的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向的距离确定。
另外,切削装置1具有:盒升降机50,其载置对切削前后的晶片200进行收纳 的盒51且使盒51在Z轴方向上移动;清洗单元60,其对切削后的晶片200进行清 洗;以及搬送单元70,其使晶片200相对于盒51出入,并且搬送晶片200。在第1 实施方式中,搬送单元70具有一对搬送晶片200的搬送臂71。
拍摄单元30对保持工作台10的保持面14所保持的晶片200进行拍摄。在第1 实施方式中,拍摄单元30按照与切削单元20一体地移动的方式固定于切削单元20。 拍摄单元30具有对保持工作台10所保持的切削前的晶片200的要分割的区域进行拍 摄的拍摄元件。拍摄元件例如是CCD(Charge-Coupled Device,电感耦合元件)拍摄 元件或CMOS(Complementary MOS,互补金属氧化物半导体)拍摄元件。拍摄单元 30对保持工作台10所保持的晶片200进行拍摄,得到用于执行对准、即进行晶片200 与切削刀具21的对位等的图像,将所得到的图像输出至控制单元100。
另外,切削装置1具有对从盒51搬出的晶片200进行拍摄的第2拍摄单元80。 第2拍摄单元80具有对包含保持工作台10所保持的切削前的晶片200的凹口206 在内的区域进行拍摄的拍摄元件。拍摄元件例如是CCD(Charge-Coupled Device,电 感耦合元件)拍摄元件或CMOS(Complementary MOS,互补金属氧化物半导体)拍 摄元件。第2拍摄单元80对从盒51取出的晶片200进行拍摄,得到用于检测凹口 206的位置等的图像,将所得到的图像输出至控制单元100。
控制单元100分别控制切削装置1的上述各单元而使切削装置1实施对于晶片 200的加工动作。另外,控制单元100是计算机,该控制单元100具有:运算处理装 置,其具有CPU(central processing unit,中央处理器)那样的微处理器;存储装置, 其具有ROM(readonly memory,只读存储器)或RAM(random access memory,随 机存取存储器)那样的存储器;以及输入输出接口装置。控制单元100的运算处理装 置按照存储于存储装置的计算机程序而通过运算处理装置实施运算处理,将用于控制 切削装置1的控制信号经由输入输出接口装置而输出至切削装置1的上述构成要素。
另外,控制单元100与由显示出加工动作的状态或图像等的液晶显示装置等构 成的未图示的显示单元以及操作者在登记加工内容信息等时使用的输入单元连接。输 入单元由设置于显示单元的触摸面板和键盘等外部输入装置中的至少一个构成。
(晶片的加工方法)
根据附图,对本发明的第1实施方式的晶片的加工方法进行说明。图4是示出 第1实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。第1实施方式的晶片的加工方法是 利用切削刀具21沿着外周缘201对晶片200进行切削而使晶片200小径化的方法。 如图4所示,晶片的加工方法具有保持工作台准备步骤ST1、保持步骤ST2、小径化 步骤ST3以及切除部形成步骤ST4。
(保持工作台准备步骤)
保持工作台准备步骤ST1是准备上述保持工作台10的步骤。在保持工作台准 备步骤ST1中,准备上述保持工作台10,将保持工作台10安装于旋转移动单元40。 另外,在第1实施方式中,在保持工作台准备步骤ST1中,操作者将加工内容信息 登记在控制单元100中,将收纳有晶片200的盒51载置于盒升降机50,进入至保持 步骤ST2。
(保持步骤)
图5是示出图4所示的晶片的加工方法的保持步骤的保持工作台的俯视图。图 6是沿着图5中的VI-VI线的剖视图。保持步骤ST2是在保持工作台准备步骤ST1 之后使晶片200的凹口206与保持工作台10的退刀部15对应而利用保持工作台10 对晶片200进行保持的步骤。
在第1实施方式中,在保持步骤ST2中,当切削装置1接受来自操作者的加工 动作的开始指示时,对搬送单元70进行控制而从盒51内取出一张晶片200。在第1 实施方式中,在保持步骤ST2中,切削装置1根据第2拍摄单元80拍摄得到的图像 而对凹口206进行检测,对搬送单元70和旋转移动单元40中的一方进行控制,如图 5和图6所示那样,按照使晶片200与保持面14位于同轴并且退刀部15与凹口206 在径向上并排的方式将晶片200的背面203侧载置于保持面14上。在保持步骤ST2 中,切削装置1将背面203侧吸引保持于保持工作台10的保持面14上,进入至小径 化步骤ST3。另外,图5省略了分割预定线204和器件205。
(小径化步骤)
图7是示出图4所示的晶片的加工方法的小径化步骤的剖视图。小径化步骤ST3 是如下的步骤:在实施了保持步骤ST2之后,在将切削刀具21的前端定位于比保持 工作台10的保持面14靠下方的状态下利用切削刀具21沿着晶片200的外周缘201 对晶片200进行切削而使晶片200小径化,从而将凹口206的至少一部分去除。
在小径化步骤ST3中,切削装置1对移动单元41进行控制而将一方的切削单 元20(以下记为标号20-1)的旋转中的切削刀具21(以下记为标号21-1)的切刃的 前端即下端定位于保持工作台10的保持面14的下方。在小径化步骤ST3中,切削 装置1对移动单元41进行控制而将一方的切削单元20-1的切削刀具21-1的切刃的 前端即下端定位于与从保持工作台10的外缘突出的晶片200的外周缘201在X轴方 向上并排的位置,然后使保持工作台10沿着X轴方向在靠近一方的切削单元20-1 的方向上移动,如图7所示,使切削刀具21-1的切刃切入至晶片200的外周缘201。
在小径化步骤ST3中,切削装置1在使切削刀具21-1的切刃切入至晶片200 的外周缘201之后,使保持工作台10绕旋转轴旋转,使切削刀具21-1相对于晶片200 沿着外周缘201相对地移动。在小径化步骤ST3中,切削装置1沿着整个圆周将外 周缘201去除而使晶片200小径化,进入至切除部形成步骤ST4。在第1实施方式中, 在小径化步骤ST3中,切削装置1将凹口206全部去除,但在本发明中,也可以使 凹口206的一部分残留在晶片200上。另外,在小径化步骤ST3中将晶片200的外 周缘201去除的切削刀具21-1的切刃的厚度与从晶片200去除的外周缘201的宽度 相等。
(切除部形成步骤)
图8是示出图4所示的晶片的加工方法的切除部形成步骤的俯视图。图9是沿 着图8中的IX-IX线的剖视图。切除部形成步骤ST4是利用切削刀具21沿着保持工 作台10的退刀部15在厚度方向上对晶片200进行切削而在晶片200上形成作为切除 部的第2凹口207的步骤。
在切除部形成步骤ST4中,切削装置1对旋转移动单元40进行控制,将退刀 部15定位于保持工作台10的X轴方向的端部,对移动单元41进行控制,使另一方 的切削单元20(以下记为标号20-2)的旋转中的切削刀具21(以下记为标号21-2) 的切刃与退刀部15在X轴方向上对置。另外,在切除部形成步骤ST4中,切削装置 1对移动单元41进行控制而将作为切削刀具21-2的前端的下端定位于保持工作台10 的保持面14的下方。在切除部形成步骤ST4中,切削装置1对移动单元41进行控 制而使保持工作台10沿着X轴方向在靠近另一方的切削单元20-2的方向上移动,从 而如图8和图9所示那样使切削刀具21-2的切刃切入至晶片200的外缘,并且使切 削刀具21-2进入至退刀部15内。
在切除部形成步骤ST4中,切削装置1使切削刀具21-2的切刃切入至晶片200 的外缘而形成第2凹口207,然后对移动单元41进行控制而使保持工作台10远离切 削单元20-2。第2凹口207与凹口206同样地是表示母材的晶体取向的切除部,与凹 口206表示同一方向的晶体取向。第2凹口207是从晶片200的外缘朝向晶片200 的中心将母材的一部分切除而得的槽。
在切除部形成步骤ST4中,切削装置1停止保持工作台10的吸引保持,对搬 送单元70进行控制而将晶片200搬送至清洗单元60。在切除部形成步骤ST4中,切 削装置1对清洗单元60进行控制而对晶片200进行清洗,对搬送单元70进行控制而 将晶片200搬入至盒51内,结束晶片的加工方法。另外,在切除部形成步骤ST4中 切入至晶片200的外缘的切削刀具21-2的切刃的厚度比一方的切削单元20的切削刀 具21-1的切刃薄。另外,图8省略了分割预定线204和器件205。
上述第1实施方式的晶片的加工方法和切削装置1准备与晶片200的凹口206 对应而形成有退刀部15的保持工作台10。晶片的加工方法和切削装置1使晶片200 的凹口206与退刀部15在径向上并排,使凹口206与保持工作台10的退刀部15对 应而对晶片200进行保持。晶片的加工方法和切削装置1在利用保持工作台10对晶 片200进行保持的状态下沿着外周缘201进行切削,并且沿着退刀部15进行切削。 因此,晶片的加工方法和切削装置1在小径化后的晶片200上形成与小径化前的晶片 200的凹口206表示同一晶体取向的新的第2凹口207,从而能够检测小径化后的晶 片200的晶体取向,能够在下一工序中定位成规定的朝向。其结果是,晶片的加工方 法和切削装置1起到如下的效果:即使是沿着外周缘201进行了切削的晶片200,也 能够在下一工序中定位成规定的朝向。
[第2实施方式]
根据附图,对本发明的第2实施方式的晶片的加工方法和切削装置进行说明。 图10是通过第2实施方式的晶片的加工方法和切削装置进行切削的晶片的立体图。 图11是第2实施方式的切削装置的保持工作台的俯视图。图12是示出第2实施方式 的晶片的加工方法的切除部形成步骤的俯视图。图10、图11以及图12中,在与第1 实施方式相同的部分标记相同的标号,并省略了说明。
如图10所示,通过第2实施方式的晶片的加工方法和切削装置1进行切削的晶 片200-2代替凹口206而具有作为表示母材的晶体取向的切除部的定向平面206-2。 将晶片200-2的圆弧的一部分切除而将定向平面206-2形成为直线状。
如图11所示,第2实施方式的切削装置1的保持工作台10-2在框体11的外缘 形成有与所保持的晶片200-2的定向平面206-2对应的退刀部15-2。在第2实施方式 中,退刀部15-2在框体11的外缘形成为直线状,沿着框体11的厚度方向的全长进 行设置。另外,在第2实施方式中,退刀部15-2设置于框体11和保持部件12这双 方。另外,图11用虚线表示小径化前的晶片200-2。
第2实施方式的晶片的加工方法的保持工作台准备步骤ST1与第1实施方式同 样地实施,在第2实施方式的晶片的加工方法的保持步骤ST2中,切削装置1根据 第2拍摄单元80拍摄得到的图像而对定向平面206-2进行检测,对搬送单元70和旋 转移动单元40中的一方进行控制,按照使晶片200-2与保持面14位于同轴并且退刀 部15-2与定向平面206-2平行的方式,如图11所示那样将晶片200-2的背面203侧 载置于保持面14上,将晶片200-2的背面203侧吸引保持于保持工作台10-2的保持 面14上。
第2实施方式的晶片的加工方法的小径化步骤ST3与第1实施方式同样地实施, 在第2实施方式的晶片的加工方法的切除部形成步骤ST4中,切削装置1对旋转移 动单元40进行控制,将退刀部15-2和定向平面206-2定位成与X轴方向平行,对移 动单元41进行控制而使另一方的切削单元20-2的旋转中的切削刀具21-2的切刃与 晶片200的从退刀部15-2突出的部分在X轴方向上对置。
另外,在第2实施方式的晶片的加工方法的切除部形成步骤ST4中,切削装置 1对移动单元41进行控制而将作为切削刀具21-2的前端的下端定位于保持工作台10 的保持面14的下方。在第2实施方式的晶片的加工方法的切除部形成步骤ST4中, 切削装置1对移动单元41进行控制而使保持工作台10-2沿着X轴方向在靠近另一方 的切削单元20-2的方向上移动,如图12所示那样使切削刀具21-2的切刃切入至晶 片200-2的外缘,并且使切削刀具21-2沿着退刀部15相对于保持工作台10-2相对地 移动。
在切除部形成步骤ST4中,切削装置1使切削刀具21-2切入至晶片200-2的外 缘而进行切削,形成作为切除部的第2定向平面207-2,然后对移动单元41进行控制 而使保持工作台10-2远离切削单元20-2,与第1实施方式同样地结束晶片的加工方 法。第2定向平面207-2与定向平面206-2同样地是表示母材的晶体取向的切除部, 与定向平面206-2表示同一方向的晶体取向。将晶片200-2的圆弧的一部分切除而将 第2定向平面207-2形成为直线状。
上述第2实施方式的晶片的加工方法和切削装置1准备与晶片200-2的定向平 面206-2对应而形成有退刀部15-2的保持工作台10-2,将定向平面206-2和退刀部 15-2定位成平行而对晶片200-2进行保持。晶片的加工方法和切削装置1在利用保持 工作台10-2对晶片200-2进行保持的状态下沿着外周缘201进行切削,并且沿着退 刀部15-2进行切削。因此,晶片的加工方法和切削装置1在小径化后的晶片200-2 上形成有与小径化前的晶片200-2的定向平面206-2表示同一晶体取向的新的第2定 向平面207-2,从而能够检测小径化后的晶片200-2的晶体取向,能够在下一工序中 定位成规定的朝向。其结果是,晶片的加工方法和切削装置1起到如下的效果:即使 是沿着外周缘201进行了切削的晶片200-2,也能够在下一工序中定位成规定的朝向。
另外,本发明并不限于上述实施方式。即,可以在不脱离本发明的主旨的范围 内进行各种变形并实施。例如本发明的晶片的加工方法可以在小径化步骤ST3之前 实施切除部形成步骤ST4。另外,本发明可以在保持步骤ST2中由操作者以手动作业 的方式将晶片200、200-2与第1实施方式和第2实施方式同样地定位而载置于保持 工作台10的保持面14上。

Claims (2)

1.一种晶片的加工方法,利用切削刀具沿着外周缘对呈圆形并且具有表示晶体取向的第1切除部的晶片进行切削而使该晶片小径化,该第1切除部是圆弧的一部分被切除而得的,其中,
该晶片的加工方法具有如下的步骤:
保持工作台准备步骤,准备保持工作台,该保持工作台具有对晶片进行保持的圆形的保持面并且形成有与所保持的晶片的该第1切除部对应的退刀部;
保持步骤,在该保持工作台准备步骤之后,使晶片的该第1切除部与该保持工作台的该退刀部对应而利用该保持工作台对晶片进行保持,该保持工作台的该保持面的直径与小径化后的晶片的直径对应;
小径化步骤,在实施了该保持步骤之后,在将该切削刀具的前端定位于比该保持工作台的该保持面靠下方的位置的状态下利用该切削刀具沿着晶片的外周缘对晶片进行切削而使晶片小径化,从而将该第1切除部的至少一部分去除;以及
切除部形成步骤,利用该切削刀具沿着该保持工作台的该退刀部在厚度方向上对晶片进行切削,在晶片上形成第2切除部。
2.一种切削装置,其利用切削刀具沿着外周缘对呈圆形并且具有表示晶体取向的切除部的晶片进行切削而使该晶片小径化,该切除部是圆弧的一部分被切除而得的,其中,
该切削装置具有:
保持工作台,其具有对晶片进行保持的圆形的保持面,并且形成有与所保持的晶片的该切除部对应的退刀部,该保持工作台具有与小径化后的晶片的直径对应的直径;
旋转机构,其使该保持工作台绕通过该保持面的中心的旋转轴旋转;
切削单元,其具有对该保持工作台所保持的晶片进行切削的切削刀具以及在前端安装有该切削刀具的主轴;以及
移动机构,其使该切削单元相对于该保持工作台相对移动。
CN202010800290.3A 2019-08-15 2020-08-11 晶片的加工方法和切削装置 Pending CN112397381A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019149168A JP7373940B2 (ja) 2019-08-15 2019-08-15 ウェーハの加工方法及び切削装置
JP2019-149168 2019-08-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112397381A true CN112397381A (zh) 2021-02-23

Family

ID=74567501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010800290.3A Pending CN112397381A (zh) 2019-08-15 2020-08-11 晶片的加工方法和切削装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11217466B2 (zh)
JP (1) JP7373940B2 (zh)
CN (1) CN112397381A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210125726A (ko) * 2020-04-09 2021-10-19 삼성전자주식회사 웨이퍼 트리밍 장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5842825A (en) * 1997-10-07 1998-12-01 International Business Machines Corporation Incremented rotated wafer placement on electro-static chucks for metal etch
JP2005109155A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの加工方法
JP2013102080A (ja) 2011-11-09 2013-05-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの支持基板およびウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11217466B2 (en) 2022-01-04
US20210050238A1 (en) 2021-02-18
JP2021030319A (ja) 2021-03-01
JP7373940B2 (ja) 2023-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7217165B2 (ja) チャックテーブル及び検査装置
JP7382833B2 (ja) 加工装置
JP2018078145A (ja) 切削装置
JP7336960B2 (ja) 中心位置づけ方法
JP2005011917A (ja) 半導体ウエーハの加工装置
CN112397381A (zh) 晶片的加工方法和切削装置
JP2009297882A (ja) 加工装置
JP2021121031A (ja) ウェーハの位置決め装置及びそれを用いた面取り装置
JP6486785B2 (ja) 端面修正治具および端面修正方法
JP2015103752A (ja) ダイシング装置及びその切削方法
JP7300938B2 (ja) カーフの認識方法
JP2015228403A (ja) 加工装置
JP5356803B2 (ja) ウエーハの加工装置
JP2014075439A (ja) 加工装置
CN112405911A (zh) 切削方法和切削装置
JP2015119003A (ja) 加工装置
JP7430451B2 (ja) 切削装置
JP6195484B2 (ja) ウエーハの加工方法
CN112297258A (zh) 加工方法
JP2014017432A (ja) ウエーハの加工装置
JP7465670B2 (ja) 保持テーブル機構及び加工装置
JP2022083252A (ja) 加工装置及び加工方法
JP2010221335A (ja) 研削装置
JP2023032082A (ja) 交差領域検出方法
JP2024027026A (ja) ブレード保持治具及びブレードケース

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination