JP2014075439A - 加工装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 搬送中にウエーハ表面を傷つける恐れを低減するとともに保持テーブルの中心にウエーハ中心を合致させた状態でウエーハを保持テーブル上に載置可能な加工装置を提供することである。
【解決手段】 ウエーハの外周縁をウエーハ表面から切削してウエーハに円形切削加工を施す加工装置であって、ウエーハの裏面を保持しウエーハの表面を露出させる回転可能な保持テーブルと、回転駆動されるスピンドルと、該スピンドルの先端部に装着された該保持テーブルに保持されたウエーハの表面の外周縁を切削する切削ブレードとを有する切削手段と、ウエーハを該保持テーブル上に搬送する搬送手段と、を備え、該搬送手段は、所定間隔離間して円周上に配設されたウエーハの裏面を支持する少なくとも3個の爪と、該爪を待機位置と互いに半径方向に接近した作動位置との間で移動させる移動手段と、を有し、該保持テーブルは、外周に該爪に対応した少なくとも3個の凹み部を有することを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、ウエーハの外周縁を切削してウエーハに円形切削加工を施す加工装置に関する。
IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハ(以下、単にウエーハと略称することがある)は、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置(ダイシング装置)によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石を有する研削ホイールが回転可能に装着された研削手段とを備えていて、ウエーハを高精度に所望の厚みに研削できる。
一般的に半導体ウエーハの外周には、表面から裏面に至る円弧状の面取り部が形成されており、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄くすると、面取り部に円弧面と研削面とによって形成されたナイフエッジが残存して危険であるとともに外周に欠けが生じてデバイスの品質を低下させる恐れがある。
この問題を解決するために、特開2000−173961号公報は、半導体ウエーハの外周縁に形成された面取り部にウエーハの表面から所定深さ(デバイスの仕上がり厚み以上の深さ)の切り込みを形成した後、ウエーハの板厚が切り込み深さよりも薄くなるまでウエーハの裏面研削を行う半導体デバイスの製造方法を開示している。
この製造方法で利用する環状の切り込み加工はエッジトリミング加工と称され、例えば、500μm〜3mm程度の厚みの切削ブレードで半導体ウエーハの表面から外周縁を円形に切削する。
特開2000−173961号公報
エッジトリミング加工では、切削ブレードをウエーハの外周縁に切り込ませた状態でウエーハを保持した保持テーブルを回転させて円形切削加工を実施するため、保持テーブルの中心(保持テーブルの回転軸)とウエーハの中心が合致した状態でないと、ウエーハの外周で均一な幅を除去できない。保持テーブルの中心とウエーハの中心が大きくずれてウエーハが保持テーブル上に載置された場合には、切削加工が施されない領域が発生する恐れもある。
また、ウエーハの表面から切削ブレードを切り込ませるために、保持テーブルにはウエーハの表面を露出させた状態で載置する必要がある。一般にウエーハの表面にはデバイスが形成されているため、ウエーハの搬送時にウエーハ表面を保持すると、ウエーハ表面のデバイスを傷つけてしまう恐れがある。
特に、CCD、CMOS等の固体イメージセンサーがその表面に複数形成されたウエーハにおいては、ウエーハ表面の固体イメージセンサーを傷つけると撮像性能が低下するため、ウエーハの搬送時にウエーハ表面を保持しないで搬送したいという要望がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、搬送中にウエーハ表面を傷つける恐れを低減するとともに保持テーブルの中心にウエーハ中心を合致させた状態でウエーハを保持テーブル上に載置可能な加工装置を提供することである。
本発明によると、ウエーハの外周縁をウエーハ表面から切削してウエーハに円形切削加工を施す加工装置であって、ウエーハの裏面を保持しウエーハの表面を露出させる回転可能な保持テーブルと、回転駆動されるスピンドルと、該スピンドルの先端部に装着された該保持テーブルに保持されたウエーハの表面の外周縁を切削する切削ブレードとを有する切削手段と、ウエーハを該保持テーブル上に搬送する搬送手段と、を備え、該搬送手段は、所定間隔離間して円周上に配設されたウエーハの裏面を支持する少なくとも3個の爪と、該爪を待機位置と互いに半径方向に接近した作動位置との間で移動させる移動手段と、を有し、該保持テーブルは、外周に該爪に対応した少なくとも3個の凹み部を有することを特徴とする加工装置が提供される。
本発明の加工装置は、ウエーハの裏面を支持する少なくとも3個の爪を有する搬送手段でウエーハを搬送するため、搬送時にウエーハ表面を保持して(表面に当接して)ウエーハ表面を傷つける恐れがない。また、保持テーブルは、外周に搬送手段に設けられた少なくとも3個の爪に対応した凹み部を有するため、保持テーブル上に載置したウエーハを爪で位置合わせすることが可能となる。
本発明実施形態に係る加工装置の概略斜視図である。 半導体ウエーハの表面側斜視図である。 爪アセンブリの斜視図である。 保持テーブルの斜視図である。 図4のV−V線断面図である。 保持テーブル上にウエーハを載置した時の一部断面側面図である。 保持テーブル上でウエーハを位置決めした時の一部断面側面図である。 円形切削加工時の一部断面側面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明実施形態に係る加工装置2の概略斜視図を示している。加工装置の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作パネル4が設けられている。装置上部にはオペレータに対する案内画面や口述する撮像ユニットによって撮像された画像が表示されるCRT等の表示モニタ6が設けられている。
図2を参照すると、加工装置2の加工対象となる半導体ウエーハ11の表面側斜視図が示されている。ウエーハ11は例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート(分割予定ライン)13が格子状に形成されているとともに、複数のストリート13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面の平坦部に備えている。半導体ウエーハ11の外周部には円弧状の面取り部11eが形成されている。21はシリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチである。
図2に示した半導体ウエーハ11は、図1に示したカセット8中に複数枚収容され、カセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。加工装置2の奥側には、カセット8から加工前のウエーハ11を搬出するとともに加工後のウエーハ11をカセット中に搬入するウエーハ搬送ロボット10が配設されている。
カセットエレベータ9上に搭載されたカセット8とウエーハ搬送ロボット10との間には、搬出入対象のウエーハ11が一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12には、ウエーハ11を一定の位置に位置合わせする一対のセンタリングガイド14が配設されている。センタリングガイド14は互いに近づく方向及び互いに遠ざかる方向に同時に移動される。
16は搬送ユニット(搬送手段)であり、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能に構成されている。仮置き領域12に搬出されて位置合わせされたウエーハ11は、搬送ユニット16の爪アセンブリ34に保持されて保持テーブル(チャックテーブル)18上に搬送され、この保持テーブル18に吸引保持される。
保持テーブル18は、回転可能且つ図示しない加工送り機構によりX軸方向に往復動可能に構成されており、保持テーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハ11の加工すべき領域を検出するアライメントユニット20が配設されている。
アライメントユニット20は、ウエーハ11の表面を撮像する顕微鏡及びCCDカメラを有する撮像ユニット22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチングやエッジ検出等の画像処理によってウエーハ11の切削すべき領域を検出することができる。撮像ユニット22によって取得された画像は、表示モニタ6に表示される。
アライメントユニット20の左側には、保持テーブル18に保持されたウエーハ11に対して円形切削加工を施す加工ユニット24が配設されている。加工ユニット24はアライメントユニット20と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。
加工ユニット24は、回転可能なスピンドル26の先端部に全体が切刃からなるワッシャー形状の切削ブレード28が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード28は撮像ユニット22のX軸方向の延長線上に位置している。加工ユニット24のY軸方向の移動は図示しない割出し送り機構により達成される。
30は円形切削加工の終了したウエーハ11を洗浄するスピンナ洗浄ユニットであり、円形切削加工の終了したウエーハ11は搬送ユニット16によりスピンナ洗浄ユニット30まで搬送され、スピンナ洗浄ユニット30でスピン洗浄及びスピン乾燥される。
図3を参照すると、爪アセンブリ34の斜視図が示されている。爪アセンブリ34は、X軸方向及びY軸方向に移動可能な搬送ユニット16の支持部材32に取り付けられている。即ち、爪アセンブリ34のZ軸移動部材36がZ軸方向に移動可能且つ回転可能に支持部材32に取り付けられている。
爪アセンブリ34は、Z軸移動部材36と、移動部材36の先端(下端)に固定された矩形部材38と、矩形部材38から互いに90度離間して4方向に伸長する4本の案内部材40とを含んでいる。
各案内部材40にはボールねじ42が取り付けられており、ボールねじ42の一端は矩形部材38中に収容されたパルスモータにそれぞれ連結されている。ボールねじ42とパルスモータとにより爪移動手段44が構成される。
各ボールねじ42には水平移動部材46中に収容されたナットが螺合しており、爪移動手段44のパルスモータを駆動すると、各ボールねじ42が回転されて水平移動部材46が待機位置と互いに半径方向に接近した作動位置との間で移動される。
各水平移動部材46には爪48が取り付けられている。図6及び図7に示すように、4個の爪48が作動位置に移動されると、ウエーハ11の裏面11bを外周側から支持する。
本実施形態では、爪アセンブリ34は互いに円周方向に90度離間した4個の爪48を備えているが、爪48は3個以上配設されていればよい。爪48を3個配設する場合には、矩形部材38から互いに120度離間して3方向に伸長する3本の案内部材40を取り付け、この案内部材40の先端に水平移動部材46及び爪48を取り付けるようにすればよい。
図4を参照すると、保持テーブル(チャックテーブル)18の斜視図が示されている。図5は図4のV−V線断面図である。保持テーブル18は、SUS等の金属から形成されたベース50と、ベース50上に搭載された樹脂製の環状支持部材52とから構成される。
図5を参照すると明らかなように、ベース50上に環状支持部材52が搭載されているため、ベース50と環状支持部材52とで中央凹部54が画成される。環状支持部材52には環状吸引路58が形成されている。環状吸引路58はベース50に形成された吸引路60及び電磁切替弁64を介して吸引源62に選択的に接続される。
図4に示すように、保持テーブル18は作動位置に位置付けられた爪アセンブリ34の4個の爪48に対応した4つの凹み部56を有している。凹み部56は保持テーブル18の環状支持部材52上に搭載されたウエーハ11の外周側から爪48がウエーハ11の裏面11bに挿入可能な形状に形成されている。
本実施形態の保持テーブル18は4個の凹み部56を有しているが、爪アセンブリ34が互いに円周方向に120度離間された3個の爪48を有する実施形態の場合には、保持テーブル18はこの爪48に対応して3個の凹み部56を有するように構成される。
以下、上述したように構成された加工装置2の作用について説明する。カセットエレベータ9を駆動することにより、ウエーハ11を複数枚収容したカセット8はウエーハ搬送ロボット10で1枚ずつウエーハ11を引き出せる位置まで段階的に上昇される。
カセット8が所定位置まで上昇されると、ウエーハ搬送ロボット10がウエーハ11をカセット8中から引き出して、仮置き領域12に配設されている一対のセンタリングガイド14上に搭載する。
センタリングガイド14を互いに近づく方向に移動することにより、仮置き領域12でウエーハ11の中心位置合わせ(センタリング)が実施される。ウエーハ11のセンタリング実施後、ウエーハ搬送ユニット16をX軸方向及びY軸方向に移動して、爪アセンブリ34をセンタリングガイド14上に載置されているウエーハ11上に位置付ける。
次いで、図示しない駆動手段により爪アセンブリ34のZ軸移動部材36をZ軸方向に下降し、爪48がウエーハ11の裏面11bより下側に位置するように爪アセンブリ34を位置付ける。
この状態では、4個の爪48はウエーハ11の外周より外側の待機位置に位置付けられている。この状態で爪移動手段44を駆動して、爪48を作動位置に移動して、図6に示すように、4個の爪48でウエーハ11の裏面11bの外周部を支持する。
尚、爪48でセンタリングガイド14上のウエーハ11の裏面11bを支持し易いように、センタリングガイド14に切欠きを形成し、爪アセンブリ36を回転してこの切欠き中に爪48を挿入し、ウエーハ11の裏面11bを支持するように構成するのが好ましい。
他の実施形態として、爪アセンブリ34が3個の爪48を有する場合には、センタリングガイド14に切欠きを形成せずに爪48でウエーハ11の裏面11bの外周部を支持することができる。
爪アセンブリ34の爪48でウエーハ11の裏面11bを支持した後、ウエーハ搬送ユニット16を作動して爪アセンブリ34に支持されたウエーハ11を、図1に示したホームポジションに位置付けられた保持テーブル18に搬送する。
保持テーブル18においては、図6に示すように、爪48を保持テーブル18の凹み部56に挿入しウエーハ11を保持テーブル18の環状支持部材52上に載置する。この状態では搬送誤差でウエーハ11の中心と保持テーブル18の中心とが僅かにずれて載置される場合がある。
この場合には、保持テーブル18の中心線上に爪アセンブリ34を位置づけ、4個の爪48を同時に中央方向に移動させることで、図7に示すように、ウエーハ11の中心を保持テーブル18の中心に一致させ、電磁切換弁64を接続位置に切り替えて、ウエーハ11を保持テーブル18で吸引保持する。
保持テーブル18は中央凹部54を有しているため、ウエーハ11は保持テーブル18の環状支持部材52で吸引保持され、ウエーハ11の裏面11bの大部分が保持テーブル18に接触することはない。
保持テーブル18でウエーハ11を吸引保持した後、加工送り機構により保持テーブル18に保持されたウエーハ11を撮像ユニット22の直下に移動する。そして、撮像ユニット22でウエーハ11の表面11aを撮像して、ウエーハ11の外周部分を円形に切削加工する加工領域を検出する。
加工領域検出後、加工送り機構を作動してウエーハ11の切削開始点を切削ブレード28の直下に位置付け、図8に示すように、矢印A方向に高速で回転する切削ブレード28でウエーハ11に所定量切り込みながら保持テーブル18を矢印B方向に低速で回転することにより、ウエーハ11の面取り部11eを円形に切削加工する。
切削加工終了後、保持テーブル18を図1に示したホームポジションに戻した後、ウエーハ搬送ユニット16の爪アセンブリ34でウエーハ18を支持してスピンナ洗浄ユニット30まで搬送する。スピンナ洗浄ユニット30で円形加工終了後のウエーハ11をスピン洗浄及びスピン乾燥する。
スピン乾燥の終了したウエーハ11は、再びウエーハ搬送ユニット16の爪アセンブリ34で支持されて仮置き領域12のセンタリングガイド14上に搬送される。次いで、ウエーハ搬送ロボット10がウエーハ11をカセット8内に所定の収容位置に搬入する。
上述した実施形態によると、搬送中にウエーハ11の表面11aを傷つける恐れを低減できるとともに、保持テーブル18の中心にウエーハ11の中心を合致させた状態でウエーハ11を保持テーブル18上に載置することができる。
また、ウエーハ11の裏面11bを支持する3個以上の爪48を有するウエーハ搬送ユニット16でウエーハ11を搬送するため、搬送時にウエーハ11の表面11aを保持して(表面11aに当接して)ウエーハ表面11aを傷つける恐れがない。
保持テーブル18は、外周に3個以上(本実施形態では4個)の爪48に対応した凹み部56を有するため、保持テーブル18上に載置したウエーハ11に対して爪48を作動位置に移動することにより、ウエーハ11の中心と保持テーブル18の中心とを位置合わせすることが可能となる。
2 加工装置
8 カセット
10 ウエーハ搬送ロボット
11 半導体ウエーハ
12 仮置き領域
14 センタリングガイド
16 ウエーハ搬送ユニット
18 保持テーブル
22 撮像ユニット
24 加工ユニット
28 切削ブレード
34 爪アセンブリ
48 爪
50 ベース
52 環状支持部材
54 中央凹部
56 凹み部

Claims (1)

  1. ウエーハの外周縁をウエーハ表面から切削してウエーハに円形切削加工を施す加工装置であって、
    ウエーハの裏面を保持しウエーハの表面を露出させる回転可能な保持テーブルと、
    回転駆動されるスピンドルと、該スピンドルの先端部に装着された該保持テーブルに保持されたウエーハの表面の外周縁を切削する切削ブレードとを有する切削手段と、
    ウエーハを該保持テーブル上に搬送する搬送手段と、を備え、
    該搬送手段は、所定間隔離間して円周上に配設されたウエーハの裏面を支持する少なくとも3個の爪と、該爪を待機位置と互いに半径方向に接近した作動位置との間で移動させる移動手段と、を有し、
    該保持テーブルは、外周に該爪に対応した少なくとも3個の凹み部を有することを特徴とする加工装置。
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