CN112259500B - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents
一种显示面板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112259500B CN112259500B CN202011134125.5A CN202011134125A CN112259500B CN 112259500 B CN112259500 B CN 112259500B CN 202011134125 A CN202011134125 A CN 202011134125A CN 112259500 B CN112259500 B CN 112259500B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- protective layer
- away
- protruding structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 225
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009916 joint effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
- H01L23/5283—Cross-sectional geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法,该方法包括:制备保护层;在保护层上形成第一导电层,第一导电层包括:第一凸起结构;在第一导电层上形成初始绝缘层;初始绝缘层包括:第二凸起结构;在初始绝缘层上形成掩膜层;去除覆盖在第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出第一凸起结构;去除掩膜层,并在第一凸起结构上形成第二导电层,得到显示面板。在本发明实施例中,通过在第一导电层的中间位置设置第一凸起结构,在去除第二凸起结构后,使第一凸起结构漏出与后续覆盖的第二导电层实现搭接,能够避免在绝缘层上先形成过孔结构再使第一导电层和第二导电层通过过孔结构搭接,出现过孔结构中导电层断线的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
显示面板中的绝缘层上通常包括过孔结构,以实现绝缘层上下的两层导电层实现搭接,现有技术通常采用在绝缘层上打孔后,然后分别在绝缘层的两侧贴合导电层,将一侧的导电层通过绝缘层上的过孔结构与另一侧导电层实现搭接。
但是,绝缘层上的过孔结构具有一定的开孔角度,目前的工艺方法无法灵活的调控过孔结构的开孔角度大小,且过孔结构的孔壁会出现毛刺等不易去除的残留物质。此外,现有技术很容易造成过孔结构的开孔角度过大,则会导致导电层在过孔结构内的部分很容易断线或者脱落,进而导致两层导电层之间出现搭接不良的问题。
发明内容
本发明提供一种显示面板的制备方法,以解决现有技术制备的显示面板的过孔结构的质量较差,进而导致导电层之间出现搭接不良的问题。
本发明第一方面提供了一种显示面板的制备方法,包括:
制备保护层;
在所述保护层上形成第一导电层,所述第一导电层包括:设置在所述第一导电层中间位置的第一凸起结构、以及所述第一凸起结构两侧的第一水平结构;
在所述第一导电层背离所述保护层的一面形成初始绝缘层;所述初始绝缘层包括:与所述第一凸起结构对应设置的第二凸起结构、以及所述第二凸起结构两侧的第二水平结构;
在所述初始绝缘层背离所述第一导电层的一面上形成掩膜层;
去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构;
去除覆盖在所述第二水平结构上的掩膜层,并在所述第一凸起结构背离所述保护层的一面,以及所述第二水平结构背离所述第一导电层的一面形成第二导电层,得到所述显示面板。
可选地,所述第二水平结构的厚度小于或等于所述第一凸起结构的厚度;所述第一凸起结构的厚度为所述第一凸起结构背离所述保护层的一面至所述第一水平结构背离所述保护层的一面之间的距离。
可选地,所述保护层朝向所述第一导电层的一面的表面粗糙。
可选地,所述去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构的步骤之后,所述第一凸起结构背离所述保护层的一面与所述第二水平结构背离所述第一水平结构的一面齐平。
可选地,所述第一凸起结构的截面形状包括梯形,所述梯形的底角小于60°。
可选地,所述制备保护层,包括:
提供基板;
在所述基板上以涂布的方式形成初始保护层;
对所述初始保护层依次进行曝光、显影和烘干,使所述初始保护层的中间位置形成第三凸起结构,得到所述保护层;其中,所述第三凸起结构的截面形状与所述第一凸起结构的截面形状相同。
可选地,所述第一导电层的材料包括:钛、铝或钛复合材料中的一种。
可选地,所述去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层,包括:
对所述掩膜层依次进行曝光、显影处理,去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层。
本发明第二方面提供一种显示面板,包括:
保护层;
第一导电层,所述第一导电层设置在所述保护层上;所述第一导电层包括:设置在所述第一导电层中间位置第一凸起结构、以及所述第一凸起结构两侧的第一水平结构;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一水平结构背离所述第一导电层的一侧;所述绝缘层背离所述第一导电层的一面,与所述第一凸起结构背离所述保护层的一面齐平;
第二导电层,所述第二导电层覆盖在所述绝缘层背离所述第一导电层的一面以及述第一凸起结构背离所述保护层的一面。
可选地,所述保护层包括:与所述第一凸起结构对应设置的第三凸起结构。
本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法,包括:制备保护层;在所述保护层上形成第一导电层,所述第一导电层包括:设置在所述第一导电层中间位置的第一凸起结构、以及所述第一凸起结构两侧的第一水平结构;在所述第一导电层背离所述保护层的一面形成初始绝缘层;所述初始绝缘层包括:与所述第一凸起结构对应设置的第二凸起结构、以及所述第二凸起结构两侧的第二水平结构;在所述初始绝缘层背离所述第一导电层的一面上形成掩膜层;去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构;去除覆盖在所述第二水平结构上的掩膜层,并在所述第一凸起结构背离所述保护层的一面,以及所述第二水平结构背离所述第一导电层的一面形成第二导电层,得到所述显示面板。在本发明实施例中,通过先层叠制备好第一导电层和初始绝缘层,使第一导电层的中间位置具有第一凸起结构,使初始绝缘层的中间位置具有第二凸起结构,则去除第二凸起结构,使第一凸起结构漏出与后续覆盖的第二导电层实现搭接,能够避免在绝缘层上直接进行打孔,出现绝缘层上过孔结构的坡度角较高的问题,此外,能够避免在绝缘层上先形成过孔结构再使第一导电层和第二导电层通过过孔结构搭接,容易出现过孔结构中导电层断线的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是发明实施例提供的一种显示面板制备方法的流程图;
图2是本发明实施例提供的一种显示面板制备方法的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种制备保护层方法的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参照图1,示出本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图,图2是图1对应的结构示意图,包括:
S101,制备保护层11。
在本发明实施例中,参照图3,所述制备保护层11,包括:
S1011,提供基板16;
S1012,在所述基板16上以涂布的方式形成初始保护层11a;
S1013,对所述初始保护层11a依次进行曝光、显影和烘干,使所述初始保护层11a的中间位置形成第三凸起结构111,得到所述保护层11;其中,所述第三凸起结构111的截面形状与所述第一凸起结构121的截面形状相同。
在本发明实施例中,基板16为衬底基板,材料可以是玻璃。
在本发明实施例中,第三凸起结构111的截面形状也为梯形,该梯形的底角小于60°。其中,保护层11的中间位置具有第三凸起结构111的作用是,后续在保护层上形成第一导电层12时,容易是第一导电层12的中间位置为第一凸起结构121。
在本发明实施例中,可根据实际工艺要求,选择合适的曝光、显影和烘干时间,使第三凸起结构具有较缓的坡度角(截面形状梯形的底角),方便后续形成第一凸起结构121。
在本发明实施例中,保护层11的厚度可根据实际需要进行选择,保护层11的材料包括:有机材料。其中,保护层11的材料也可以根据需要选择其他材料,在此不加以限定。
S102,在所述保护层11上形成第一导电层12,所述第一导电层12包括:设置在所述第一导电层12中间位置的第一凸起结构121、以及所述第一凸起结构121两侧的第一水平结构122。
在本发明实施例中,所述第一凸起结构121的截面形状包括梯形,所述梯形的底角α小于60°。
在本发明实施例中,所述保护层11朝向所述第一导电层12的一面的表面粗糙。其中,保护层11与第一导电层12的接触面的表面粗糙时,能够增大保护层11与第一导电层12之间的粘结力。
在本发明实施例中,第一导电层12是采用物理气相沉积(Physical VaporDeposition,PVD)在保护层11上形成一层均匀的复合金属膜层。
在本发明实施例中,所述第一导电层的材料包括:钛、铝或钛复合材料中的一种。其中,第一导电层也可以是其他可导电金属材料,在此不加以限定。
在本发明实施例中,第一导电层12具有均一性,第一导电层的厚度可以根据需要选择,在此不加以限定。
S103,在所述第一导电层12背离所述保护层11的一面形成初始绝缘层13a;所述初始绝缘层13a包括:与所述第一凸起结构121对应设置的第二凸起结构131、以及所述第二凸起结构131两侧的第二水平结构132。
在本发明实施例中,初始绝缘层13a是通过等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)的方式形成,因此,形成的初始绝缘层13a在第一凸起结构对应的位置具有与第一凸起结构形状一致的第二凸起结构。其中,第二凸起结构131的截面形状也为梯形,并且,第二凸起结构的截面的对称轴与第一凸起结构的截面的对称轴之间的距离为0-1mm。
在本发明实施例中,初始绝缘层13a的材料包括:氮化硅或氧化硅等绝缘材料。
在本发明实施例中,第一凸起结构121背离所述保护层11的一面表面粗糙。其中,将第一凸起结构背离保护层的一面设置为表面粗糙,可以增大该面的摩擦系数,进而在后续在第一凸起结构和第二导电层搭接时,能够增加接触时的粘结力,避免第二导电层从第一导电层脱落,从而避免第二导电层和第一导电层出现搭接不良,提高第二导电层和第一导电层的搭接效果。
S104,在所述初始绝缘层13a背离所述第一导电层12的一面上形成掩膜层14。
在所述初始绝缘层背离所述第一导电层的一面,以涂布的方式形成掩膜胶层。
其中,掩膜层的材料包括:光刻胶。在所述初始绝缘层背离所述第一导电层的一面,以涂布的方式形成光刻胶的厚度为1.5微米-2微米。
S105,去除覆盖在所述第二凸起结构131处的掩膜层14及第二凸起结构131,裸漏出所述第一凸起结构121。
在本发明实施例中,所述去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层,包括:对所述掩膜层依次进行曝光、显影处理,去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层。
在本发明实施例中,通过干刻工艺去除第二凸起结构,漏出第一凸起结构。则在第一凸起结构对应的初始绝缘层的中间位置形成一开孔,在掩膜层的中间位置对应也形成一开孔。
本发明实施例中,是先制备好第一导电层的与第二导电层的搭接结构(第一凸起结构),然后才形成绝缘层上的开孔,因此不需要先制备一开孔,再在开孔内穿入导电层进行搭接,因此不会使孔中的导电层断裂,提高了第一导电层和第二导电层的搭接效果。
在本发明实施例中,所述去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构的步骤之后,所述第一凸起结构121背离所述保护层11的一面与所述第二水平结构132背离所述第一水平结构122的一面齐平。
其中,第一凸起结构121背离所述保护层11的一面与所述第二水平结构132背离所述第一水平结构122的一面齐平,能够保证在后续形成第二导电层时,第二导电层与第一凸起结构搭接。
S106,去除覆盖在所述第二水平结构132上的掩膜层14,并在所述第一凸起结构121背离所述保护层11的一面,以及所述第二水平结构132背离所述第一导电层12的一面形成第二导电层15,得到所述显示面板。
在本发明实施例中,初始绝缘层13远离所述第一导电层12的一面表面粗糙,因此该面摩擦系数大,方便掩膜层的剥离。
在本发明实施例中,所述第二水平结构132的厚度h1小于或等于所述第一凸起结构121的厚度h2;所述第一凸起结构121的厚度h2为所述第一凸起结构121背离所述保护层11的一面至所述第一水平结构122背离所述保护层11的一面之间的距离。
在本发明实施例中,第二水平结构132的厚度h1小于或等于所述第一凸起结构121的厚度h2,能够使第二导电层15与第一凸起结构更好的搭接。
在本发明实施例中,第二导电层的材料包括:钛、铝或钛复合材料中的一种。其中,第二导电层也可以是其他可导电金属材料,在此不加以限定。
在本发明实施例中,通过先制备搭接结构(第一凸起结构),再在初始绝缘层上形成孔结构,能够避免先进行钻孔以及后续需要对搭接结构进行测试工艺所需要的大量玻璃基板,以及其他能源,缩短了显示面板的工艺调试时间,节省了成本。
本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法,包括:制备保护层;在所述保护层上形成第一导电层,所述第一导电层包括:设置在所述第一导电层中间位置的第一凸起结构、以及所述第一凸起结构两侧的第一水平结构;在所述第一导电层背离所述保护层的一面形成初始绝缘层;所述初始绝缘层包括:与所述第一凸起结构对应设置的第二凸起结构、以及所述第二凸起结构两侧的第二水平结构;在所述初始绝缘层背离所述第一导电层的一面上形成掩膜层;去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构;去除覆盖在所述第二水平结构上的掩膜层,并在所述第一凸起结构背离所述保护层的一面,以及所述第二水平结构背离所述第一导电层的一面形成第二导电层,得到所述显示面板。在本发明实施例中,通过先层叠制备好第一导电层和初始绝缘层,使第一导电层的中间位置具有第一凸起结构,使初始绝缘层的中间位置具有第二凸起结构,则去除第二凸起结构,使第一凸起结构漏出与后续覆盖的第二导电层实现搭接,能够避免在绝缘层上直接进行打孔,出现绝缘层上过孔结构的坡度角较高的问题,此外,能够避免在绝缘层上先形成过孔结构再使第一导电层和第二导电层通过过孔结构搭接,容易出现过孔结构中导电层断线的问题。
本发明实施例另一面提供一种显示面板,参照图2中S106,该显示面板包括:
保护层11;
第一导电层12,所述第一导电层12设置在所述保护层11上;所述第一导电层121包括:设置在所述第一导电层12中间位置第一凸起结构121、以及所述第一凸起结构121两侧的第一水平结构122;
绝缘层13b,所述绝缘层13b设置在所述第一水平结构背离所述第一导电层12的一侧;所述绝缘层13b背离所述第一导电层12的一面,与所述第一凸起结构121背离所述保护层11的一面齐平;
第二导电层15,所述第二导电层15覆盖在所述绝缘层13b背离所述第一导电层12的一面以及述第一凸起结构121背离所述保护层11的一面。
在本发明实施例中,所述保护层11包括:与所述第一凸起结构121对应设置的第三凸起结构111。
在本发明实施例中,第三凸起结构的截面形状也为梯形,其中,第三凸起结构的截面的对称轴与第一凸起结构的截面的对称轴之间的距离为0-0.05微米。
本发明实施例中,具体的显示面板的详述参照上述,再次不在赘述。
本发明实施例提供的一种显示面板,包括:保护层;第一导电层,所述第一导电层设置在所述保护层上;所述第一导电层包括:设置在所述第一导电层中间位置第一凸起结构、以及所述第一凸起结构两侧的第一水平结构;绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一水平结构背离所述第一导电层的一侧;所述绝缘层背离所述第一导电层的一面,与所述第一凸起结构背离所述保护层的一面齐平;第二导电层,所述第二导电层覆盖在所述绝缘层背离所述第一导电层的一面以及述第一凸起结构背离所述保护层的一面。在本发明实施例中,通过将第一导电层与第二导电层的搭接结构设置为第一凸起结构,能够避免在绝缘层上先形成过孔结构再使第一导电层和第二导电层通过过孔结构搭接,容易出现过孔结构中导电层断线的问题。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
制备保护层;
在所述保护层上形成第一导电层,所述第一导电层包括:设置在所述第一导电层中间位置的第一凸起结构、以及所述第一凸起结构两侧的第一水平结构;
在所述第一导电层背离所述保护层的一面形成初始绝缘层;所述初始绝缘层包括:与所述第一凸起结构对应设置的第二凸起结构、以及所述第二凸起结构两侧的第二水平结构;
在所述初始绝缘层背离所述第一导电层的一面上形成掩膜层;
去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构;
去除覆盖在所述第二水平结构上的掩膜层,并在所述第一凸起结构背离所述保护层的一面,以及所述第二水平结构背离所述第一导电层的一面形成第二导电层,得到所述显示面板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二水平结构的厚度小于或等于所述第一凸起结构的厚度;所述第一凸起结构的厚度为所述第一凸起结构背离所述保护层的一面至所述第一水平结构背离所述保护层的一面之间的距离。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述保护层朝向所述第一导电层的一面的表面粗糙。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构的步骤之后,所述第一凸起结构背离所述保护层的一面与所述第二水平结构背离所述第一水平结构的一面齐平。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一凸起结构的截面形状包括梯形,所述梯形的底角小于60°。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述制备保护层,包括:
提供基板;
在所述基板上以涂布的方式形成初始保护层;
对所述初始保护层依次进行曝光、显影和烘干,使所述初始保护层的中间位置形成第三凸起结构,得到所述保护层;其中,所述第三凸起结构的截面形状与所述第一凸起结构的截面形状相同。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一导电层的材料包括:钛、铝或钛复合材料中的一种。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层,包括:
对所述掩膜层依次进行曝光、显影处理,去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
保护层;
第一导电层,所述第一导电层设置在所述保护层上;所述第一导电层包括:设置在所述第一导电层中间位置第一凸起结构、以及所述第一凸起结构两侧的第一水平结构;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一水平结构背离所述第一导电层的一侧;所述绝缘层背离所述第一导电层的一面,与所述第一凸起结构背离所述保护层的一面齐平;
第二导电层,所述第二导电层覆盖在所述绝缘层背离所述第一导电层的一面以及述第一凸起结构背离所述保护层的一面。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述保护层包括:与所述第一凸起结构对应设置的第三凸起结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011134125.5A CN112259500B (zh) | 2020-10-21 | 2020-10-21 | 一种显示面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011134125.5A CN112259500B (zh) | 2020-10-21 | 2020-10-21 | 一种显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112259500A CN112259500A (zh) | 2021-01-22 |
CN112259500B true CN112259500B (zh) | 2024-01-30 |
Family
ID=74264513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011134125.5A Active CN112259500B (zh) | 2020-10-21 | 2020-10-21 | 一种显示面板及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112259500B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014015618A1 (zh) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 北京京东方光电科技有限公司 | 触控面板及其制造方法、触控设备 |
CN106057824A (zh) * | 2016-08-03 | 2016-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN109801874A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-24 | 绵阳京东方光电科技有限公司 | 过孔结构及其制造方法、电子器件、显示装置 |
CN109801848A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-05-24 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板、阵列基板、过孔结构及其制备方法 |
CN111508976A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 基板及其制备方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-10-21 CN CN202011134125.5A patent/CN112259500B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014015618A1 (zh) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 北京京东方光电科技有限公司 | 触控面板及其制造方法、触控设备 |
CN106057824A (zh) * | 2016-08-03 | 2016-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN109801848A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-05-24 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板、阵列基板、过孔结构及其制备方法 |
CN109801874A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-24 | 绵阳京东方光电科技有限公司 | 过孔结构及其制造方法、电子器件、显示装置 |
CN111508976A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 基板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112259500A (zh) | 2021-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108277473B (zh) | 一种掩膜装置、显示面板及其制作方法、显示装置 | |
JP4258532B2 (ja) | 薄膜デバイス基板とその製造方法 | |
CN110429125A (zh) | 柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置 | |
CN108364571B (zh) | 柔性背板及其制备方法、显示设备 | |
JP2006323141A (ja) | 液晶パネル及びその製造方法 | |
US8748320B2 (en) | Connection to first metal layer in thin film transistor process | |
US20210124226A1 (en) | Method of manufacturing array substrate, and array substrate | |
US11329075B2 (en) | Method for fabricating array substrate, display panel and display device | |
CN103531715A (zh) | 柔性光电器件衬底、柔性光电器件及制备方法 | |
CN112259500B (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
CN109032414B (zh) | 显示面板以及显示面板的制备方法 | |
KR100843211B1 (ko) | 웨이퍼 뒷면 금속층 배선 방법, 그 구조, 그에 따른 칩패키지 적층 방법 및 그 구조 | |
US8215969B2 (en) | Contact structure and forming method thereof and connecting structure thereof | |
CN101893799B (zh) | 液晶显示面板及其制造方法 | |
JPWO2015107796A1 (ja) | 半導体素子およびその製造方法、ならびに半導体装置 | |
US8324105B2 (en) | Stacking method and stacking carrier | |
JP2008258511A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
CN111276633B (zh) | 复合柔性衬底及其制作方法和电子设备 | |
US20030197176A1 (en) | Silicon on insulator standoff and method for manufacture thereof | |
US8926848B2 (en) | Through hole forming method | |
US20230114051A1 (en) | Display substrate, method for manufacturing the same, and display device | |
JP2004071679A (ja) | 半導体素子の電極およびその製造方法 | |
JPH04163965A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100431308B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
KR20010057256A (ko) | 반도체장치의 퓨즈부의 구조 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |