CN112242321A - 处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法。实施方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括：形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部；和形成有与第1流路连通的第2流路，并相对于第1主体部弯曲的第2主体部。角度改变机构相对于固定喷嘴主体部的固定部件，改变水平方向上的喷嘴主体部的角度。本发明能够抑制颗粒的产生。

Description

处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
在专利文献1中，公开了从处理液喷嘴向基片释放处理液的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-40958号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种抑制颗粒的产生的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括：形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部；和形成有与第1流路连通的第2流路，并相对于第1主体部弯曲的第2主体部。角度改变机构相对于固定喷嘴主体部的固定部件，改变水平方向上的喷嘴主体部的角度。
发明效果
依照本发明，能够抑制颗粒的产生。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基片处理装置的构成的示意图。
图2是第1实施方式的处理液供给部的立体图。
图3是第1实施方式的处理液供给部的俯视图。
图4是图3的IV-IV剖视图。
图5是第1实施方式的处理液释放喷嘴的正视图。
图6是第1实施方式的处理液释放喷嘴的俯视图。
图7是图6的VII-VII剖视图。
图8是说明第1实施方式的释放角度改变处理的流程图。
图9是第2实施方式的处理液供给部的俯视图。
图10是第2实施方式的处理液释放喷嘴的俯视图。
图11是图10的XI-XI剖视图。
图12是从斜下方观察第2实施方式的处理液释放喷嘴而得的立体图。
图13是图9的XIII-XIII剖视图。
图14是第3实施方式的处理液供给部的俯视图。
图15是说明第3实施方式的处理液释放喷嘴和气体释放喷嘴的配置的示意图。
图16是表示第4实施方式的基片处理装置的一部分的立体图。
图17是表示在第4实施方式的基片处理装置中，处理液释放喷嘴处于待机位置的状态的示意图。
图18是表示在第4实施方式的基片处理装置中，处理液释放喷嘴处于释放位置的状态的示意图。
图19是表示在第5实施方式的基片处理装置中，第1导通部处于非接触位置的状态的示意图。
图20是表示在第5实施方式的基片处理装置中，第1导通部处于接触位置的状态的示意图。
图21是表示第6实施方式的基片处理装置的一部分的立体图。
图22是表示第7实施方式的基片处理装置的一部分的立体图。
图23是表示变形例的臂的一部分的剖视图。
附图标记说明
1 基片处理装置
2 处理容器
3 保持部(基片旋转部的一例)
4 外杯体(杯体部的一例)
5 臂(喷嘴臂的一例)
6 控制装置
6b 控制部
10、100 臂部
11移动机构(转动机构的一例)
12、50、70 处理液供给部
20、51 喷嘴安装块(固定部件的一例)
21、52、80 处理液释放喷嘴
30、53 喷嘴主体部
31 喷嘴释放部
31b 释放流路
31c 内壁面
31e 内壁面
32、54 连接部(角度改变机构的一例)
35、55、82 第1主体部
35a 第1流路
36 第2主体部
36a 第2流路
36c 内壁面
60 位置对准部
71 气体释放喷嘴
90、95 第1导通部
91、96 第2导通部
91b、96b 变形部
100a 接触部
101 离子发生器
W 基片。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明公开的处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法的实施方式。此外，不限于由以下所示的实施方式公开的处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法。
在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并以Z轴正方向为铅垂向上方向的正交坐标系。X轴方向和Y轴方向是水平方向。以下，有时以Z轴正方向为上方，以Z轴负方向为下方来进行说明。
(第1实施方式)
<基片处理装置的整体构成>
参照图1，说明第1实施方式的基片处理装置1的构成。图1是表示第1实施方式的基片处理装置1的构成的示意图。
基片处理装置1包括处理容器2、保持部3、外杯体4、臂5和控制装置6。处理容器2收纳保持部3、外杯体4和臂5。处理容器2收纳后述的臂5的处理液释放喷嘴21和移动机构11。
保持部3保持所载置的圆形的基片W。保持部3在进行基片处理的情况下保持基片W。例如，保持部3用真空吸盘吸附晶片W的下表面侧以进行保持。此外，保持部3(基片旋转部的一例)使所载置的基片W旋转。具体而言，保持部3以沿Z轴方向的轴为中心进行旋转，使保持的基片W旋转。
另外，保持部3在Z轴方向上升降。保持部3例如在保持着基片W的状态下升降。保持部3使基片W在交接位置与处理位置之间升降。交接位置是设定在比外杯体4靠上方的位置，是在保持部3与基片输送装置(未图示)之间进行基片W的交接的位置。处理位置比交接位置靠下方，是设定在外杯体4内的位置，是对基片W进行基片处理的位置。
外杯体4(杯体部的一例)被设置成包围保持部3和保持部3所保持的基片W的外侧。外杯体4被设置成环状。
外杯体4承接从基片W飞散的处理液。外杯体4由耐药性高的材料形成。在外杯体4的底部设置有排液口(未图示)。由外杯体4承接的处理液从排液口被排出到处理容器2的外部。
处理液例如是药液、冲洗液等。药液例如是氢氟酸(HF)、稀氢氟酸(DHF)、氟硝酸等。此外，氟硝酸是氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合液。另外，冲洗液例如是DIW(去离子水)。
臂5沿X轴方向并排地配置一对。具体而言，臂5在X轴方向上配置在基片W的两侧。以下，有时将一对臂5中X轴负方向侧的臂5作为左臂5L，将X轴正方向侧的臂5作为右臂5R来进行说明。臂5包括臂部10、移动机构11和处理液供给部12。此外，臂5可以配置一个。
臂部10从根端沿Z轴方向延伸，并且从上方的端沿水平方向延伸。臂部10被设置成L字状。
移动机构11(转动机构的一例)使臂部10转动。具体而言，移动机构11以在Z轴方向上延伸的臂部10的轴为中心使臂部10转动。此外，移动机构11使臂部10沿X轴方向和Z轴方向移动。移动机构11可以设置多个。例如，作为移动机构11，设置使臂部10以Z轴方向的轴为中心转动的移动机构、使臂部10沿X轴方向移动的移动机构、和使臂部10沿Z轴方向移动的移动机构。
处理液供给部12对基片W的上表面供给处理液。处理液供给部12对基片W的上表面的周缘释放处理液，对基片W的周缘进行蚀刻处理。处理液供给部12设置在臂部10的前端。处理液供给部12的详情在后文说明。
周缘是从圆形的基片W的端面起以例如宽度1～5mm程度包含基片W的径向内侧的区域。周缘是环状的区域。
此外，基片处理装置1也可以包括对基片W的下表面的周缘供给处理液的下表面供给部(未图示)、向基片W的下表面供给已加热的流体的加热机构(未图示)等。
控制装置6例如是计算机，具有存储部6a和控制部6b。
存储部6a例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现，存储控制在基片处理装置1中执行的各种处理的程序。
控制部6b包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。控制部6b通过读取并执行存储于存储部6a的程序，来控制基片处理装置1的动作。
此外，程序也可以存储于计算机可读取的存储介质，从存储介质安装到控制装置6的存储部6a。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
<处理液供给部>
接着，参照图2和图3，说明处理液供给部12。图2是第1实施方式的处理液供给部12的立体图。图3是第1实施方式的处理液供给部12的俯视图。此外，图2和图3的处理液供给部12是设置于右臂5R的处理液供给部12。
处理液供给部12包括喷嘴安装块20和处理液释放喷嘴21。喷嘴安装块20安装在臂部10的前端。即，在臂部10安装喷嘴安装块20(固定部件的一例)。设置于臂5的处理液供给管5a连接到喷嘴安装块20。如图4所示，在喷嘴安装块20形成有处理液供给通路20a。从处理液供给管5a供给的处理液在处理液供给通路20a中流动。图4是图3的IV-IV剖视图。
在喷嘴安装块20形成第1凹部20b、第2凹部20c和第3凹部20d。第1凹部20b形成为从喷嘴安装块20的上表面向下方凹陷。在第1凹部20b的底部形成贯通孔20e。在贯通孔20e中能够插入处理液释放喷嘴21固定在喷嘴安装块20的螺钉(bolt)22。
如图3所示，对1个处理液释放喷嘴21，设置多个贯通孔20e。例如，对1个处理液释放喷嘴21，设置2个贯通孔20e。此外，对于1个处理液释放喷嘴21的贯通孔20e的数量不限于2个。例如，对于1个处理液释放喷嘴21的贯通孔20e的数量可以为3个以上。
如图4所示，第2凹部20c形成为从喷嘴安装块20的下表面向上方凹陷。第2凹部20c形成在贯通孔20e的周围。第2凹部20c通过贯通孔20e与第1凹部20b连通。在第2凹部20c中能够插入后述的处理液释放喷嘴21的安装部32a。
第2凹部20c和贯通孔20e被设置成相对于喷嘴安装块20能够改变水平方向上的处理液释放喷嘴21的角度。具体而言，第2凹部20c根据处理液释放喷嘴21的安装位置以能够插入处理液释放喷嘴21的安装部32a的方式设置多个。例如，对1个处理液释放喷嘴21，设置2个第2凹部20c。此外，也可以为2个第2凹部20c的一部分重叠地设置。即，2个第2凹部20c可以连通地设置。
另外，贯通孔20e被设置成能够改变处理液释放喷嘴21的角度。具体而言，与1个处理液释放喷嘴21对应的2个贯通孔20e，以其中心轴配置在以后述的处理液释放喷嘴21的导入部35b的中心轴为中心的相同半径的圆上而形成。
第3凹部20d形成为从喷嘴安装块20的下表面向上方凹陷。在第3凹部20d中能够插入后述的处理液释放喷嘴21的导入部35b。第3凹部20d的内壁面形成为圆形。
处理液释放喷嘴21伴随由移动机构11进行的臂部10的移动，在待机位置与释放位置之间移动。待机位置是处理液释放喷嘴21的一部分被收纳在形成于外杯体4的缺口部4a的位置。待机位置是能够通过保持部3使基片W在交接位置与处理位置之间升降的位置。在处理液释放喷嘴21处于待机位置的情况下，通过基片W的升降而基片W与处理液释放喷嘴21不接触。
释放位置是在基片W的径向上比待机位置靠内侧的位置。释放位置是用处理液释放喷嘴21对基片W的周缘释放处理液的位置。
接着，参照图5～图7，说明处理液释放喷嘴21。图5是第1实施方式的处理液释放喷嘴21的正视图。图6是第1实施方式的处理液释放喷嘴21的俯视图。图7是图6的VII-VII剖视图。
处理液释放喷嘴21释放用于基片处理的处理液。处理液释放喷嘴21包括喷嘴主体部30、喷嘴释放部31和连接部32。
喷嘴主体部30包括第1主体部35和第2主体部36。第1主体部35在Z轴方向上延伸。如图7所示，在第1主体部35中形成第1流路35a。第1流路35a沿Z轴方向形成。第1流路35a与喷嘴安装块20的处理液供给通路20a(参照图4)连通。即，在第1主体部35中形成与处理液供给通路20a连通的第1流路35a。在上方的第1主体部35设置能够插入喷嘴安装块20的第3凹部20d(参照图4)的导入部35b。导入部35b的外壁面形成为圆形。
在导入部35b与喷嘴安装块20的第3凹部20d之间设置O形环38(参照图4)。O形环38防止处理液从第1主体部35与喷嘴安装块20之间泄漏。
第2主体部36相对于第1主体部35弯曲地设置，从第1主体部35的下端向斜下方延伸。具体而言，第2主体部36与基片W的旋转方向相应地向斜下方延伸。
此外，在设置于左臂5L的处理液释放喷嘴21和设置于右臂5R的处理液释放喷嘴21中，各第2主体部36从第1主体部35的下端与基片W的旋转方向相应地分别向斜下方延伸。因此，在设置于左臂5L的处理液释放喷嘴21和设置于右臂5R的处理液释放喷嘴21中，各第2主体部36延伸的方向例如在Y轴方向上成为相反方向。
如图7所示，在第2主体部36中形成第2流路36a。第2流路36a从第1流路35a的下端向斜下方延伸。第2流路36a与第1流路35a连通。如上所述，第2主体部36形成与第1流路35a连通的第2流路36a，并且相对于第1主体部35弯曲。
另外，在第2主体部36形成凹部36b。凹部36b形成为从第2主体部36的下方侧的端向第1主体部35凹陷。在凹部36b中能够插入喷嘴释放部31。在凹部36b的内壁面的一部分形成螺纹槽。
喷嘴释放部31向基片W的周缘释放处理液。喷嘴释放部31沿第2主体部36延伸的方向延伸。即，喷嘴释放部31沿第2主体部36向斜下方延伸。
喷嘴释放部31被插入第2主体部36的凹部36b，以安装在喷嘴主体部30。喷嘴释放部31相对于第2主体部36的前端可拆装。
在喷嘴释放部31中能够插入第2主体部36的凹部36b的插入部31a形成螺纹牙。螺纹牙与形成在凹部36b的内壁面的螺纹槽相应地形成。喷嘴释放部31能够与喷嘴主体部30螺合。
在喷嘴释放部31的插入部31a与第2主体部36之间设置有O形环39。O形环39防止处理液从喷嘴释放部31与第2主体部36之间泄漏。
在喷嘴释放部31形成与第2流路36a连通的释放流路31b。释放流路31b的直径比第2流路36a的直径小。具体而言，释放流路31b的内壁面31c的直径比第2流路36a的内壁面36c的直径小。此外，释放流路31b的内壁面31c的直径比第1流路35a的内壁面35c的直径小。
另外，在喷嘴释放部31的前端形成释放口31d，该释放口31d与释放流路31b连通并向基片W释放处理液。释放口31d的直径比释放流路31b的直径小。具体而言，释放口31d的内壁面31e的直径比释放流路31b的内壁面31c的直径小。
释放流路31b的直径和释放口31d的直径根据处理的种类、要释放的处理液的种类等设定。即，在处理液释放喷嘴21中，能够根据处理的种类、要释放的处理液的种类等，来更换安装在喷嘴主体部30的喷嘴释放部31。
如上所述，在喷嘴释放部31形成与第2流路36a连通的释放流路31b，将处理液释放到基片W的周缘。即，处理液释放喷嘴21向基片W的周缘释放处理液。
如图5和图6所示，连接部32相对于第1主体部35在水平方向上延伸。连接部32与第1主体部35一体地设置。在连接部32设置有向上方突出的安装部32a。如图6所示，在安装部32a形成供螺钉22(参照图4)插入的螺钉孔32b。在螺钉孔32b的内壁面形成与螺钉22的螺纹牙对应的螺纹槽。连接部32能够与螺钉22螺合。通过将螺钉22螺合，能够将喷嘴主体部30固定在喷嘴安装块20。
<由处理液释放喷嘴进行的处理液的释放角度改变>
关于处理液释放喷嘴21，通过以插入在喷嘴安装块20的第3凹部20d中的导入部35b为中心转动，能够使处理液释放喷嘴21相对于喷嘴安装块20在水平方向上转动。而且，关于处理液释放喷嘴21，通过该改变供连接部32的安装部32a插入的第2凹部20c的位置，能够改变相对于喷嘴安装块20的安装位置。即，连接部32(角度改变机构的一例)能够改变相对于喷嘴安装块20(固定部件的一例)的安装位置。换言之，连接部32能够相对于固定喷嘴主体部30的喷嘴安装块20(固定部件的一例)，使水平方向上的喷嘴主体部30的角度改变。
通过改变喷嘴主体部30相对于喷嘴安装块20的安装位置，能够改变处理液相对于喷嘴安装块20的释放角度。即，处理液释放喷嘴21能够改变处理液相对于基片W的释放角度。释放角度是由处理液释放喷嘴21释放的处理液碰撞到基片W的位置处的、相对于基片W的切线的水平方向上的角度。
<由臂进行的转动角度改变>
关于臂5，能够用移动机构11以Z轴方向的轴为中心使臂部10转动。即，移动机构11(转动机构的一例)能够使臂部10在水平方向上转动。因此，例如，在对基片W释放处理液时，即基片处理中，使臂部10转动，改变转动角度，由此能够改变处理液相对于基片W的释放角度。此外，也可以在基片处理中不使臂部10转动，而进行基片处理。
在此，参照图8，说明由臂5进行的处理液的释放角度改变处理。图8是说明第1实施方式的释放角度改变处理的流程图。释放角度改变处理通过控制装置6的控制部6b控制处理液释放喷嘴21和保持部3来实施。
控制部6b按照每种对基片W的处理来设定臂部10的初始角度(S100)。即，控制部6b按照每种基片处理来设定移动机构11(转动机构的一例)中的转动角度。
控制部6b根据设定的初始角度使臂部10转动(S101)，以初始角度开始从处理液释放喷嘴21释放处理液(S102)。即，控制部6b根据设定的转动角度向基片W释放处理液。
控制部6b判断是否成为角度改变时刻(S103)。例如，控制部6b判断在开始释放处理液后是否经过了规定的第1时间。规定的第1时间是预先设定的时间。
控制部6b在并非角度改变时刻的情况下(S103：否)，继续以初始角度释放处理液(S102)。
控制部6b在成为角度改变时刻的情况下(S103：是)，将臂部10的角度设定为规定的改变角度(S104)。规定的改变角度是预先设定的角度。控制部6b根据所设定的规定的改变角度使臂部10转动(S105)。即，控制部6b在基片处理中改变转动角度。
控制部6b判断是否成为处理结束时刻(S106)。例如，控制部6b判断将臂部10的角度改变为规定的改变角度后是否经过了规定的第2时间。规定的第2时间是预先设定的时间。
控制部6b在并非处理结束时刻的情况下(S106：否)，继续以规定的改变角度进行处理(S105)。控制部6b在成为处理结束时刻的情况下(S106：是)，结束处理液的释放(S107)。
<效果>
处理液释放喷嘴21包括喷嘴主体部30和连接部32(角度改变机构的一例)。喷嘴主体部30包括第1主体部35和第2主体部36。在第1主体部35中形成与处理液供给通路20a连通的第1流路35a。第2主体部36形成第2流路36a，并且相对于第1主体弯曲。连接部32相对于固定喷嘴主体部30的喷嘴安装块20(固定部件的一例)，改变水平方向上的喷嘴主体部30的角度。具体而言，连接部32能够改变相对于喷嘴安装块20的安装位置。
由此，处理液释放喷嘴21能够按照每种对基片W的处理、例如基片W上的膜的种类、要对基片W释放的处理液的种类，来改变处理液的释放角度。因此，处理液释放喷嘴21例如能够抑制用于蚀刻基片W的周缘的处理液碰撞到基片W而飞散。所以，能够抑制飞散的处理液附着在不进行蚀刻的部位，能够抑制颗粒的产生。
另外，处理液释放喷嘴21包括喷嘴释放部31。喷嘴释放部31形成与第2流路36a连通的释放流路31b，将处理液释放到基片W。另外，喷嘴释放部31相对于第2主体部36的前端可拆装。
由此，处理液释放喷嘴21能够按照每种对基片W的处理来更换喷嘴释放部31。因此，处理液释放喷嘴21例如能够高精度地蚀刻基片W的周缘。另外，例如，在喷嘴释放部31的释放口31d堆积处理液的情况下，通过更换喷嘴释放部31，能够容易地使基片处理恢复。
另外，处理液释放喷嘴21能够使在处理液从第1流路35a流向第2流路36a时产生的气泡，在使处理液流过释放流路31b的期间减少。因此，处理液释放喷嘴21能够抑制被释放到基片W的处理液中包含气泡，能够使处理液的释放状态稳定。
另外，释放流路31b的直径比第2流路36a的直径小。
由此，处理液释放喷嘴21能够在处理液从第2流路36a流入释放流路31b时，抑制气泡的产生。因此，处理液释放喷嘴21能够抑制被释放到基片W的处理液中包含气泡，能够使处理液的释放状态稳定。
另外，臂5(喷嘴臂的一例)包括处理液释放喷嘴21、喷嘴安装块20(固定部件的一例)、臂部10和移动机构11(转动机构的一例)。在臂部10安装固定部件。移动机构11使臂部10在水平方向上转动。基片处理装置1按照每种基片处理来设定移动机构11中的转动角度，以所设定的转动角度将处理液释放到基片W。
由此，基片处理装置1能够根据与基片处理相应的释放角度来释放处理液，能够高精度地蚀刻基片W的周缘。
另外，基片处理装置1在基片处理中改变转动角度。
由此，基片处理装置1能够将处理液均匀地释放到基片W的周缘，能够高精度地蚀刻基片W的周缘。
(第2实施方式)
接着，说明第2实施方式的基片处理装置1。第2实施方式的基片处理装置1相对于第1实施方式的基片处理装置1，处理液供给部50不同。因此，此处说明第2实施方式的处理液供给部50。此外，对与第1实施方式的处理液供给部12相同的部位标注相同的附图标记，并省略详细的说明。
<处理液供给部>
如图9所示，在处理液供给部50的喷嘴安装块51中，对1个处理液释放喷嘴52设置1个贯通孔20e。图9是第2实施方式的处理液供给部50的俯视图。此外，图9的处理液供给部50是设置于右臂5R的处理液供给部50。
如图10和图11所示，在处理液释放喷嘴52中，分体地设置喷嘴主体部53和连接部54。图10是第2实施方式的处理液释放喷嘴52的俯视图。图11是图10的XI-XI的剖视图。
如图11所示，在第1主体部55形成卡合槽55a。卡合槽55a形成在比导入部35b靠下方处。卡合槽55a遍及第1主体部55的整周地形成。通过形成卡合槽55a，在第1主体部55，在导入部35b与卡合槽55a之间形成卡合部55b。卡合部55b的外壁面的直径比导入部35b的外壁面的直径大。
连接部54具有一对腕部54a。一对腕部54a被插入卡合槽55a而夹持第1主体部55。第1主体部55能够在被一对腕部54a夹持的状态下在水平方向上转动。即，连接部54(角度改变机构的一例)以第1主体部55可转动的方式支承第1主体部55。此外，腕部54a的上表面与第1主体部55的卡合部55b抵接。即，一对腕部54a与卡合部55b卡合。
另外，如图12所示，在第1主体部55和连接部54设置位置对准部60。图12是从斜下方观察第2实施方式的处理液释放喷嘴52而得的立体图。位置对准部60包括第1位置对准槽60a和第2位置对准槽60b。
第1位置对准槽60a形成在第1主体部55。第1位置对准槽60a形成在比卡合槽55a(参照图11)靠下方的第1主体部55。第1位置对准槽60a在第1主体部55的外壁面形成多个。具体而言，第1位置对准槽60a沿第1主体部55的周向形成多个。
第2位置对准槽60b形成在连接部54。例如，第2位置对准槽60b可以形成为在Z轴方向上贯通连接部54。
当用螺钉22将连接部54固定在喷嘴安装块51时，喷嘴主体部53如图13所示，第1主体部55的卡合部55b在Z轴方向上由连接部54的腕部54a和喷嘴安装块51夹持。由此，喷嘴主体部53相对于喷嘴安装块51被固定。图13是图9的XIII-XIII剖视图。
<由处理液释放喷嘴进行的处理液的释放角度改变>
喷嘴主体部53在没有被螺钉22固定于喷嘴安装块51的状态下，能够使第1主体部55相对于连接部54在水平方向上转动。例如，在处理液释放喷嘴52中，通过改变第1主体部55的第1位置对准槽60a与连接部54的第2位置对准槽60b对准的位置，能够改变处理液相对于喷嘴安装块51的释放角度。即，喷嘴主体部53和连接部54具有能够相对于喷嘴安装块51(固定部件的一例)改变水平方向上的喷嘴主体部53的角度的位置对准部60。
<效果>
在处理液释放喷嘴52中，连接部54(角度改变机构的一例)以第1主体部55可转动的方式支承第1主体部55。
由此，处理液释放喷嘴52能够按照每种对基片W的处理、例如基片W上的膜的种类、基片W的释放的处理液的种类，来改变处理液的释放角度。因此，能够抑制颗粒的产生。
另外，第1主体部55和连接部54包括位置对准部60。位置对准部60能够相对于喷嘴安装块51(固定部件的一例)改变水平方向上的喷嘴主体部53的角度。
由此，操作者基于位置对准部60，能够容易地使水平方向上的第1主体部55的角度与固定于喷嘴安装块51的连接部54位置对准。因此，操作者能够容易地设定处理液的释放角度。
<第2实施方式的变形例>
变形例的处理液释放喷嘴52可以为，作为位置对准部60，在第1主体部55和连接部54的一者设置位置对准槽，在第1主体部55和连接部54的另一者设置能够插入位置对准槽的突出片。
由此，变形例的处理液释放喷嘴52能够抑制第1主体部55相对于连接部54转动。因此，变形例的处理液释放喷嘴52能够抑制处理液的释放角度偏离所设定的释放角度。
(第3实施方式)
接着，说明第3实施方式的基片处理装置1。第3实施方式的基片处理装置1相对于第2实施方式的基片处理装置1，处理液供给部70不同。因此，此处说明第3实施方式的处理液供给部70。此外，对与第1实施方式的处理液供给部12、第2实施方式的处理液供给部50相同的部位标注相同的附图标记，并省略详细的说明。
<处理液供给部>
如图14所示，处理液供给部70还包括气体释放喷嘴71。图14是第3实施方式的处理液供给部70的俯视图。此外，图14的处理液供给部70是设置于左臂5L的处理液供给部70。
气体释放喷嘴71安装在喷嘴安装块51。气体释放喷嘴71配置在比处理液释放喷嘴52靠内侧处。具体而言，气体释放喷嘴71在基片W的径向上配置在比处理液释放喷嘴52靠内侧处。
气体释放喷嘴71向外侧释放气体例如氮气。气体释放喷嘴71释放气体，该气体将碰撞到基片W而飞散到基片W的上方的处理液排出到比基片W靠外侧处。
气体释放喷嘴71以水平方向上比处理液的释放角度大的释放角度释放气体。具体而言，如图15所示，气体释放喷嘴71以比处理液的释放角度A1大的释放角度A2来释放气体，该处理液的释放角度A1是由处理液释放喷嘴52释放的处理液碰撞到基片W的位置T处的、处理液相对于基片W的切线S的释放角度。即，气体释放喷嘴71以水平方向上比处理液相对于基片切线的释放角度A1大的释放角度A2来释放气体。图15是说明第3实施方式的处理液释放喷嘴52和气体释放喷嘴71的配置的示意图。
另外，气体释放喷嘴71向比基片W靠上方处释放气体。具体而言，气体释放喷嘴71向由处理液释放喷嘴52释放的处理液碰撞到基片W的位置的上方释放气体。此外，气体释放喷嘴71也可以向与由处理液释放喷嘴52释放的处理液碰撞到基片W的位置相比，在基片W的旋转方向上稍微向下游侧的上方释放气体。
<效果>
处理液供给部70即臂5包括气体释放喷嘴71。气体释放喷嘴71释放气体，该气体将碰撞到基片W而飞散到基片W的上方的处理液排出到比基片W靠外侧处。
由此，臂5能够抑制碰撞到基片W而飞散的处理液附着到基片W的径向内侧。因此，臂5能够抑制飞散的处理液附着在不进行蚀刻的部位，能够抑制颗粒的产生。
另外，气体释放喷嘴71配置在比处理液释放喷嘴52靠内侧处。
由此，气体释放喷嘴71能够将碰撞到基片W而飞散的处理液向基片W的外侧排出。因此，臂5能够抑制飞散的处理液附着在不进行蚀刻的部位，能够抑制颗粒的产生。
另外，气体释放喷嘴71以水平方向上比处理液的释放角度大的释放角度释放气体。
由此，臂5能够将碰撞到基片W而刚刚飞散的处理液向基片W的外侧排出。因此，臂5能够抑制飞散的处理液附着在不进行蚀刻的部位，能够抑制颗粒的产生。
另外，气体释放喷嘴71向比基片W靠上方处释放气体。
由此，臂5例如抑制将被释放到基片W的周缘而附着于基片W的周缘的处理液排出到基片W的外侧，能够促进基片W的周缘的蚀刻处理。
(第4实施方式)
接着，参照图16～图18，说明第4实施方式的基片处理装置1。此处，以与第1实施方式的基片处理装置1不同之处为中心进行说明，对与第1实施方式的基片处理装置1相同的部位标注相同的附图标记，并省略详细的说明。图16是表示第4实施方式的基片处理装置1的一部分的立体图。图17是表示在第4实施方式的基片处理装置1中，处理液释放喷嘴21处于待机位置的状态的示意图。图18是表示在第4实施方式的基片处理装置1中，处理液释放喷嘴21处于释放位置的状态的示意图。此外，此处，以右臂5R侧为一例进行说明，但是，在左臂5L侧也具有相同的构成。
基片处理装置1还包括第1导通部90和第2导通部91。第1导通部90能够接触到处理液释放喷嘴21而与处理液释放喷嘴21导通。第1导通部90安装在处理液释放喷嘴21。例如，第1导通部90安装在处理液释放喷嘴21的第1主体部35。第1导通部90是导电性部件，例如为含碳的树脂。第1导通部90与处理液释放喷嘴21一起移动。处理液释放喷嘴21和第1导通部90通过移动机构11(参照图1)沿X方向(参照图1)移动。
在第1导通部90形成第1主体部35可滑动的孔。即，基片处理装置1在使处理液释放喷嘴21接触到第1主体部35的状态下，能够使处理液释放喷嘴21相对于喷嘴安装块20转动，能够改变处理液相对于喷嘴安装块20的释放角度。第1导通部90通过使2个以上的部件位置对准而形成孔。即，第1导通部90通过将2个以上的部件组合而构成。此外，第1导通部90也可以由1个部件构成。例如，可以为第1导通部90形成与孔连通的缺口，经由缺口将第1主体部35插入孔。
第2导通部91能够通过接触到第1导通部90而与处理液释放喷嘴21导通，并对处理液释放喷嘴21进行除电。第2导通部91是导电性部件，例如为含碳的薄膜。第2导通部91设置在外杯体4(杯体部的一例)。第2导通部91包括主体部91a和变形部91b。
主体部91a沿外杯体4的上表面设置。主体部91a的一个端部与外杯体4的缺口部4a相邻地设置。此外，主体部91a的另一个端部与处理容器2(参照图1)的外部的导电性部件(例如，金属部件)连接。此外，主体部91a也可以经由中间部件与处理容器2的外部的导电性部件连接。中间部件是导电性部件。
变形部91b与主体部91a连接。变形部91b被设置成从主体部91a的一个端部向缺口部4a侧向斜上方延伸。变形部91b被设置成在基片W的径向上从主体部91a向内侧突出。即，变形部91b以悬臂状态支承于主体部91a。变形部91b能够与第1导通部90接触。变形部91b相对于主体部91a能够弹性变形。此外，变形部91b不限于以悬臂状态支承于主体部91a的形状，只要相对于主体部91a能够弹性变形即可。
变形部91b在第1导通部90处于接触位置的情况下，接触到第1导通部90。变形部91b在第1导通部9处于非接触位置的情况下，不接触到第1导通部90。
接触位置例如包括待机位置。变形部91b在处理液释放喷嘴21处于待机位置的情况下，接触到第1导通部90。在处理液释放喷嘴21处于待机位置的情况下，第1导通部90与第2导通部91接触，形成从处理液释放喷嘴21至处理容器2的外部的导电性部件的导通路径。通过处理液释放喷嘴21与处理容器2的外部的导电性部件导通，而处理液释放喷嘴21被除电。
非接触位置例如包括释放位置。变形部91b在处理液释放喷嘴21处于释放位置的情况下，不接触到第1导通部90。即，在处理液释放喷嘴21处于释放位置的情况下，第1导通部90与第2导通部91不接触，不形成从处理液释放喷嘴21至处理容器2的外部的导电性部件的导通路径。
第1导通部90通过移动机构11(参照图1)与处理液释放喷嘴21一起移动。即，移动机构11将处理液释放喷嘴21和第1导通部90的位置切换到第1导通部90与第2导通部91接触的接触位置以及第1导通部90与第2导通部91不接触的非接触位置。
在处理液释放喷嘴21从非接触位置(释放位置)向接触位置(待机位置)移动时，第1导通部90与第2导通部91的变形部91b接触。变形部91b被第1导通部90推压，以主体部91a侧为支点转动，从不与第1导通部90接触的位置(以下称为“初始位置”。)开始变形。由此，能够抑制第1导通部90与第2导通部91接触时的冲击。此外，变形部91b相对于主体部91a能够弹性变形，因此，能够维持第1导通部90与第2导通部91的接触状态。
在处理液释放喷嘴21从接触位置(待机位置)向非接触位置(释放位置)移动时，第1导通部90与第2导通部91的变形部91b分开。第2导通部91的变形部91b不被第1导通部90推压，因此，以主体部91a侧为支点转动，回到初始位置。
<效果>
存在由于处理液释放喷嘴21带电，而从处理液释放喷嘴21释放的处理液附着到处理液释放喷嘴21的问题。存在附着于处理液释放喷嘴21的处理液滴落到基片W等，而产生颗粒的可能性。此外，存在从处理液释放喷嘴21释放的处理液被引到处理液释放喷嘴21侧，滴落到基片W等，而产生颗粒的可能性。
基片处理装置1包括处理液释放喷嘴21、第1导通部90、第2导通部91和移动机构11。第1导通部90能够接触到处理液释放喷嘴21而与处理液释放喷嘴21导通。第2导通部91能够通过接触到第1导通部90而与处理液释放喷嘴21导通，对处理液释放喷嘴21进行除电。移动机构11能够将处理液释放喷嘴21和第1导通部90的位置切换到第1导通部90与第2导通部91接触的接触位置以及第1导通部90与第2导通部91不接触的非接触位置。
由此，基片处理装置1通过在接触位置使第1导通部90与第2导通部91接触，而能够抑制处理液释放喷嘴21带电。因此，基片处理装置1能够抑制处理液附着到处理液释放喷嘴21。此外，基片处理装置1能够抑制从处理液释放喷嘴21释放的处理液被引到处理液释放喷嘴21。所以，基片处理装置1能够抑制颗粒的产生。
第2导通部91包括变形部91b。变形部91b在与第1导通部90接触的情况下变形。
由此，基片处理装置1能够抑制第1导通部90与第2导通部91接触时的冲击。因此，基片处理装置1能够抑制第1导通部90和第2导通部91劣化。此外，基片处理装置1通过使变形部91b变形，能够接触位置将第1导通部90与第2导通部91维持为接触状态。
基片处理装置1包括保持部3和外杯体4(杯体部的一例)。保持部3在进行基片处理的情况下保持基片W。外杯体4被设置成包围保持部3所保持的基片W的外侧。第2导通部91设置在外杯体4。
由此，基片处理装置1中，第2导通部91的配置变得容易。
<第4实施方式的变形例>
变形例的基片处理装置1可以在第1导通部90设置变形部，也可以在第1导通部90和第2导通部91设置变形部。即，第1导通部90和第2导通部91的至少一个导通部具有在与另一个导通部接触的情况下变形的变形部。
由此，变形例的基片处理装置1能够抑制第1导通部90与第2导通部91接触时的冲击。因此，变形例的基片处理装置1能够抑制第1导通部90和第2导通部91劣化。此外，变形例的基片处理装置1通过使变形部变形，能够在接触位置将第1导通部90和第2导通部91维持为接触状态。
(第5实施方式)
参照图19和图20，说明第5实施方式的基片处理装置1。第5实施方式的基片处理装置1相对于第4实施方式的基片处理装置1，第1导通部95和第2导通部96不同。此处，以与第4实施方式的基片处理装置1不同之处为中心进行说明。图19是表示在第5实施方式的基片处理装置1中，第1导通部95处于非接触位置的状态的示意图。图20是表示在第5实施方式的基片处理装置1中，第1导通部95处于接触位置的状态的示意图。
第1导通部95包括主体部95a和腕部95b。主体部95a安装在处理液释放喷嘴21，接触到处理液释放喷嘴21。例如，主体部95a接触到处理液释放喷嘴21的第1主体部35。在主体部95a形成第1主体部35可滑动的孔。
腕部95b从主体部95a向上方延伸地设置。腕部95b设置成腕部95b的上端比喷嘴安装块20的上端和臂部10的上端靠上方。
第2导通部96设置在处理容器2。具体而言，第2导通部96的至少一部分设置在处理容器2的顶部。第2导通部96包括主体部96a和变形部96b。主体部96a的一个端部设置在处理液释放喷嘴21的待机位置的上方附近。
变形部96b被设置成从主体部96a的一个端部向斜下方延伸。变形部96b以悬臂状态支承于主体部96a。变形部96b相对于主体部96a在上下方向上能够转动。
变形部96b在第1导通部95处于接触位置的情况下接触到第1导通部95。接触位置是处理液释放喷嘴21从待机位置移动到上方的位置。
变形部96b在第1导通部95处于非接触位置的情况下不接触到第1导通部95。非接触位置例如包括释放位置和待机位置。
移动机构11(参照图1)通过使处理液释放喷嘴21和第1导通部95升降，而将处理液释放喷嘴21和第1导通部95的位置切换到接触位置和非接触位置。
当处理液释放喷嘴21在从待机位置向上方移动时，第1导通部95的腕部95b与第2导通部96的变形部96b接触。变形部96b被腕部95b推起，以主体部96a侧为支点从初始位置向上方转动而变形。
当处理液释放喷嘴21从接触位置向下方移动时，第1导通部95的腕部95b从第2导通部96的变形部96b离开。第2导通部96的变形部96b以主体部96a侧为支点向下方转动，回到初始位置。
<效果>
基片处理装置1包括处理容器2。处理容器2收纳处理液释放喷嘴21和移动机构11。第2导通部96设置在处理容器2。移动机构11通过使处理液释放喷嘴21和第1导通部95升降，能够将处理液释放喷嘴21和第1导通部95的位置切换到接触位置和非接触位置。
由此，在基片处理装置1中，设置于处理容器2的第2导通部96与处理容器2的外部的导电性部件的连接变得容易。
<第5实施方式的变形例>
变形例的基片处理装置1也可以对第1导通部95的腕部95b进行变形。
(第6实施方式)
参照图21，说明第6实施方式的基片处理装置1。此处，以与第1实施方式的基片处理装置1不同之处为中心进行说明，对与第1实施方式的基片处理装置1相同的部位标注相同的附图标记，并省略详细的说明。图21是表示第6实施方式的基片处理装置1的一部分的立体图。此外，此处以右臂5R为一例进行说明，但是，在左臂5L中也具有相同的构成。
基片处理装置1的臂部100是导电性部件，例如是含碳的树脂。臂部100接触到处理液释放喷嘴21，与处理液释放喷嘴21导通。具体而言，臂部100包括接触部100a。接触部100a接触到处理液释放喷嘴21，与处理液释放喷嘴21导通。在接触部100a形成处理液释放喷嘴21可滑动的孔。
臂部100与处理容器2(参照图1)的外部的导电性部件(例如，金属部件)连接。臂部100形成从处理液释放喷嘴21至处理容器2的外部的导电性部件的导通路径。导通路径与处理液释放喷嘴21的位置无关地形成。即，处理液释放喷嘴21经由导通路径随时被除电。
<效果>
基片处理装置1包括处理液释放喷嘴21和臂部100。臂部100接触到处理液释放喷嘴21，与处理液释放喷嘴21导通。
由此，基片处理装置1通过臂部100对处理液释放喷嘴21进行除电，能够抑制处理液释放喷嘴21带电。因此，基片处理装置1能够抑制因处理液释放喷嘴21的带电导致的颗粒的产生。
(第7实施方式)
参照图22，说明第7实施方式的基片处理装置1。此处，以与第1实施方式的基片处理装置1不同之处为中心进行说明，对与第1实施方式的基片处理装置1相同的部位标注相同的附图标记，并省略详细的说明。图22是表示第7实施方式的基片处理装置1的一部分的立体图。此外，此处以右臂5R为一例进行说明，但是，在左臂5L中也具有相同的构成。
基片处理装置1具有离子发生器(ionizer)101。离子发生器101安装在臂部10。离子发生器101设置在处理液释放喷嘴21的上方。离子发生器101对处理液释放喷嘴21进行除电。离子发生器101向处理液释放喷嘴21照射X射线，在处理液释放喷嘴21的周围产生离子。通过用离子将带电的处理液释放喷嘴21的电荷中和，而处理液释放喷嘴21被除电。例如，离子发生器101的下表面设置有透明的树脂板，经由树脂板照射X射线。
离子发生器101在保持部3没有保持基片W的情况下，向处理液释放喷嘴21照射X射线，对处理液释放喷嘴21进行除电。即，离子发生器101在处理容器2中没有基片W的情况下，向处理液释放喷嘴21照射X射线，对处理液释放喷嘴21进行除电。
<效果>
基片处理装置1包括处理液释放喷嘴21和离子发生器101。离子发生器101对处理液释放喷嘴21进行除电。
由此，基片处理装置1能够抑制处理液释放喷嘴21的带电。因此，基片处理装置1能够抑制因处理液释放喷嘴21的带电导致的颗粒的产生。
离子发生器101在保持部3没有保持基片W的情况下，对处理液释放喷嘴21进行除电。
由此，基片处理装置1在对处理液释放喷嘴21进行除电时，能够防止处理液附着在基片W。
<第7实施方式的变形例>
变形例的基片处理装置1的离子发生器101可以在内部产生离子，将产生的离子供给到处理液释放喷嘴21，对处理液释放喷嘴21进行除电。离子发生器101将产生的离子从设置于下表面的多个送风孔向处理液释放喷嘴21供给。
(变形例)
变形例的基片处理装置1可以将移动机构11的一部分配置在喷嘴安装块20、51或者臂部10。例如，变形例的基片处理装置1通过移动机构11(转动机构的一例)使喷嘴安装块51(固定部件的一例)相对于臂部10转动。由此，变形例的基片处理装置1能够在基片处理中改变处理液的释放角度。因此，变形例的基片处理装置1能够将处理液均匀地释放到基片W的周缘，能够高精度地蚀刻基片W的周缘。
另外，变形例的基片处理装置1也可以在喷嘴安装块20、51不设置处理液供给通路20a，而如图23所示，将处理液供给管5a直接连接到处理液释放喷嘴80。图23是表示变形例的臂5的一部分的剖视图。在处理液供给管5a的前端安装例如树脂螺母81。此外，在处理液释放喷嘴80的第1主体部82形成能够供树脂螺母81螺合的螺纹牙。
由此，在喷嘴安装块20、51不设置处理液供给通路20a，能够使喷嘴安装块20、51成为简单的结构。因此，能够削减成本。
另外，在变形例的处理液释放喷嘴52中，也可以为喷嘴释放部31的内壁面31c、31e与第1流路35a的内壁面35c和第2流路36a的内壁面36c相比亲水性提高。例如，在变形例的处理液释放喷嘴52中，可以在包含释放口31d的内壁面31e的释放流路31b的内壁面31c、31e的一部分进行亲水化处理。此外，在变形例的处理液释放喷嘴52中，也可以使喷嘴主体部30由耐药性高、疏水性高的树脂构成，使喷嘴释放部31由亲水性比喷嘴主体部30高的材料构成。
由此，气泡难以附着在释放口31d，在释放处理液时，气泡不易与处理液一起被排出。因此，能够使处理液的释放状态稳定。
另外，变形例的基片处理装置1可以在臂5设置基片位置对准机构。基片位置对准机构分别设置在左臂5L和右臂5R。基片位置对准机构在水平方向上夹着基片W，将载置在保持部3的基片W的位置对准。具体而言，基片位置对准机构调整基片W的位置，使得基片W的中心与保持部3的旋转轴一致。变形例的基片处理装置1使保持部3保持由基片位置对准机构调整了位置的基片W。
由此，变形例的基片处理装置1能够高精度地蚀刻基片W的周缘。
另外，也可以将各实施方式的基片处理装置1和变形例的基片处理装置1组合。例如，可以将气体释放喷嘴71设置在第1实施方式的基片处理装置1。例如，在第4实施方式～第7实施方式的基片处理装置1中，可以使用第2实施方式的处理液供给部50。此外，公开了各实施方式的处理液释放喷嘴21、52、80蚀刻基片W的周缘部的一例，但是，也可以作为不仅对基片W的周缘部还对基片W整个面进行蚀刻或者清洗的处理液释放喷嘴。
此外，应当认为，本发明公开的实施方式在所有方面均是例示，而并非限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种方式具体实现。此外，上述的实施方式只要不脱离所附的权利要求的范围及其主旨，就能够以各种方式进行省略、置换、改变。

Claims (23)

1.一种释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴，其特征在于，包括：
喷嘴主体部，其具有：形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部；和形成有与所述第1流路连通的第2流路，并相对于所述第1主体部弯曲的第2主体部；以及
角度改变机构，其相对于固定所述喷嘴主体部的固定部件，改变水平方向上的所述喷嘴主体部的角度。
2.如权利要求1所述的处理液释放喷嘴，其特征在于：
所述角度改变机构是能够改变相对于所述固定部件的安装位置的连接部。
3.如权利要求1所述的处理液释放喷嘴，其特征在于：
所述角度改变机构是以所述第1主体部可转动地方式支承所述第1主体部的连接部。
4.如权利要求3所述的处理液释放喷嘴，其特征在于：
所述喷嘴主体部和所述连接部包括使所述角度位置对准的位置对准部。
5.如权利要求1～4中任一项所述的处理液释放喷嘴，其特征在于：
包括喷嘴释放部，其形成有与所述第2流路连通的释放流路，并能够将处理液释放到基片，
所述喷嘴释放部相对于所述第2主体部的前端可拆装。
6.如权利要求5所述的处理液释放喷嘴，其特征在于：
所述释放流路的直径比所述第2流路的直径小。
7.如权利要求5或6所述的处理液释放喷嘴，其特征在于：
所述喷嘴释放部的内壁面与所述第1流路和所述第2流路的内壁面相比亲水性高。
8.一种喷嘴臂，其特征在于，包括：
权利要求1～7中任一项所述的处理液释放喷嘴；
所述固定部件；
能够安装所述固定部件的臂部；和
使所述固定部件或者所述臂部在水平方向上转动的转动机构。
9.如权利要求8所述的喷嘴臂，其特征在于：
所述转动机构能够使所述固定部件相对于所述臂部转动。
10.如权利要求8或9所述的喷嘴臂，其特征在于：
包括释放气体的气体释放喷嘴，所述气体将碰撞到基片而飞散到所述基片的上方的处理液排出到比所述基片靠外侧处。
11.如权利要求10所述的喷嘴臂，其特征在于：
所述气体释放喷嘴配置在比所述处理液释放喷嘴靠内侧处。
12.如权利要求10或11所述的喷嘴臂，其特征在于：
所述气体释放喷嘴以水平方向上比所述处理液相对于基片切线的释放角度大的释放角度，释放所述气体。
13.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
权利要求8～12中任一项所述的喷嘴臂；和
使所载置的基片旋转的基片旋转部，
所述处理液释放喷嘴向所述基片的周缘释放处理液。
14.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
权利要求8～12中任一项所述的喷嘴臂；
使所载置的基片旋转的基片旋转部；和
控制所述处理液释放喷嘴和所述基片旋转部的控制部，
所述控制部按照每种基片处理来设定所述转动机构中的转动角度，以所设定的所述转动角度向基片释放处理液。
15.如权利要求14所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部在所述基片处理中改变所述转动角度。
16.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
权利要求1～7中任一项所述的处理液释放喷嘴；
能够接触到所述处理液释放喷嘴而与所述处理液释放喷嘴导通的第1导通部；
能够通过接触到所述第1导通部而与所述处理液释放喷嘴导通，并对所述处理液释放喷嘴进行除电的第2导通部；以及
移动机构，其能够将所述处理液释放喷嘴和所述第1导通部的位置切换到所述第1导通部与所述第2导通部接触的接触位置以及所述第1导通部与所述第2导通部不接触的非接触位置。
17.如权利要求16所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第1导通部和所述第2导通部中至少一个导通部包括在与另一个导通部接触的情况下变形的变形部。
18.如权利要求16或17所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
在进行所述基片处理的情况下保持基片的保持部；和
以包围所述保持部所保持的所述基片的外侧的方式设置的杯体部，
所述第2导通部设置在所述杯体部。
19.如权利要求16或17所述的基片处理装置，其特征在于：
包括收纳所述处理液释放喷嘴和所述移动机构的处理容器，
所述第2导通部设置在所述处理容器，
所述移动机构通过使所述处理液释放喷嘴和所述第1导通部升降，来将所述处理液释放喷嘴和所述第1导通部的位置切换到所述接触位置和所述非接触位置。
20.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
权利要求1～7中任一项所述的处理液释放喷嘴；和
接触到所述处理液释放喷嘴而与所述处理液释放喷嘴导通的臂部。
21.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
权利要求1～7中任一项所述的处理液释放喷嘴；和
对所述处理液释放喷嘴进行除电的离子发生器。
22.如权利要求21所述的基片处理装置，其特征在于：
包括在进行所述基片处理的情况下保持基片的保持部，
所述离子发生器在所述保持部没有保持所述基片的情况下，对所述处理液释放喷嘴进行除电。
23.一种基片处理方法，其使用权利要求8～12中任一项所述的喷嘴臂对基片释放处理液，所述基片处理方法的特征在于，包括：
按照每种基片处理来设定所述转动机构中的转动角度的步骤；和
以所设定的所述转动角度向基片释放处理液的步骤。
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