CN112242246A

CN112242246A - 电子部件

Info

Publication number: CN112242246A
Application number: CN202010677732.XA
Authority: CN
Inventors: 吉野数基; 小川诚; 西坂康弘
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2019-07-17
Filing date: 2020-07-14
Publication date: 2021-01-19
Anticipated expiration: 2040-07-14
Also published as: CN112242246B; US11302479B2; KR102433615B1; KR20210010327A; JP7226161B2; JP2021019008A; US20210020370A1

Abstract

提供一种电子部件，具备主体部和外部电极。外部电极设置于主体部的表面。外部电极包括基底电极层、第一Ni镀覆层以及上侧镀覆层，其中，Ni为镍。第一Ni镀覆层形成在基底电极层上。上侧镀覆层形成在第一Ni镀覆层的上方。第一Ni镀覆层由平均粒径为52nm以下的Ni粒子构成。

Description

电子部件

技术领域

本发明涉及电子部件。

背景技术

作为公开了电子部件的结构的现有文献，具有日本特开2017-11142号公报。日本特开2017-11142号公报所记载的电子部件是在内设有内部电极的陶瓷坯体的两端部形成基底电极层并在该基底电极层上形成镀覆层而形成端子电极的陶瓷电子部件。在基底电极层的表面形成有Ni镀覆层，在该Ni镀覆层上形成有Sn镀覆层。

发明内容

在以往的电子部件中，当在基底电极层形成了Ni镀覆层时，产生氢原子。该氢原子在基底电极层中扩散之后，进一步浸入到主体部。由此，使电子部件的电特性下降。

本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供一种能够通过抑制氢原子向主体部的扩散来抑制电特性的下降的电子部件。

本发明的电子部件具备主体部和外部电极。外部电极设置于主体部的表面。外部电极包括基底电极层、第一Ni镀覆层以及上侧镀覆层，其中，Ni为镍。第一Ni镀覆层形成在基底电极层上。上侧镀覆层形成在第一Ni镀覆层的上方。第一Ni镀覆层由平均粒径为52nm以下的Ni粒子构成。

本发明的上述及其他目的、特征、方面及优点根据与附图关联地理解的针对本发明的接下来的详细说明而变得清楚。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的电子部件的外观的立体图。

图2是从II-II线箭头方向观察图1的电子部件的剖视图。

图3是从III-III线箭头方向观察图1的电子部件的剖视图。

图4是示出图2的电子部件的IV部处的Ni镀覆层的Ni粒子的示意性剖视图。

图5是示出本发明的实施方式1的电子部件中的Ni粒子的平均粒径的测定方法的示意性局部剖视图。

图6是示意性示出在本发明的第一实验例的比较例的电子部件中，测定外部电极中的氢原子浓度相对于距外部电极的表面的深度的变化而得到的结果的一例的图表。

图7是示意性示出在本发明的第一实验例的实施例的电子部件中，测定外部电极中的氢原子浓度相对于距外部电极的表面的深度的变化而得到的结果的一例的图表。

图8是示出本发明的实施方式2的电子部件的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式的电子部件进行说明。在以下的各实施方式的说明中，针对图中的相同或相当的部分标注相同的标记，不再重复其说明。

(实施方式1)

图1是示出本发明的实施方式1的电子部件的外观的立体图。图2是从II-II线箭头方向观察图1的电子部件的剖视图。图3是从III-III线箭头方向观察图1的电子部件的剖视图。图4是示出图2的电子部件的IV部处的Ni镀覆层的Ni粒子的示意性剖视图。

如图1所示，本发明的实施方式1的电子部件100是层叠陶瓷电容器，但电子部件100例如也可以是层叠型NTC(Negative Temperature Coefficient，负温度系数)热敏电阻、层叠型电感器或陶瓷电池(全固体电池)。

如图1至图3所示，本发明的实施方式1的电子部件100具备主体部110和外部电极120。在本实施方式中，主体部110是层叠体，包括沿着层叠方向T一层一层地交替层叠的多个电介质层130及多个内部电极层140。

主体部110包括在层叠方向T上相对的第一主面111及第二主面112、在与层叠方向T正交的宽度方向W上相对的第一侧面113及第二侧面114、以及在与层叠方向T及宽度方向W的两方正交的长度方向L上相对的第一端面115及第二端面116。

如图1及图2所示，外部电极120设置于主体部110的表面。在本实施方式的电子部件100中，外部电极120包括第一外部电极120A和第二外部电极120B。第一外部电极120A设置于第一端面115。第二外部电极120B设置于第二端面116。

多个内部电极层140包括与第一外部电极120A连接的多个第一内部电极层140A、以及与第二外部电极120B连接的多个第二内部电极层140B。如图2所示，第一内部电极层140A包括与第二内部电极层140B对置的对置部141A、以及向第一端面115引出的引出部142A。另外，第二内部电极层140B包括与第一内部电极层140A对置的对置部141B、以及向第二端面116引出的引出部142B。

如图1～图3所示，作为层叠体的主体部110被划分为内层部C、第一外层部X1、第二外层部X2、第一侧缘部S1、第二侧缘部S2、第一端缘部E1、以及第二端缘部E2。

内层部C通过第一内部电极层140A的对置部141A及第二内部电极层140B的对置部141B在层叠方向T上层叠而具有静电电容。第一外层部X1在层叠方向T上位于内层部C的第一主面111侧。第二外层部X2在层叠方向T上位于内层部C的第二主面112侧。

第一侧缘部S1在宽度方向W上位于内层部C的第一侧面113侧。第二侧缘部S2在宽度方向W上位于内层部C的第二侧面114侧。第一端缘部E1在长度方向L上位于内层部C的第一端面115侧。第二端缘部E2在长度方向L上位于内层部C的第二端面116侧。

从使电子部件100小型化这一观点出发，第一侧缘部S1的宽度方向W的尺寸、第二侧缘部S2的宽度方向W的尺寸、第一端缘部E1的长度方向L的尺寸及第二端缘部E2的长度方向L的尺寸分别优选小到不使电子部件100的绝缘电阻下降的程度。在本实施方式中，如后所述，为了能够抑制电子部件100的绝缘电阻的下降，能够使上述的各尺寸比较小。例如，第一端缘部E1的长度方向L的尺寸及第二端缘部E2的长度方向L的尺寸分别优选为10μm以上且30μm以下。

内层部C所包含的多个电介质层130各自的厚度优选为0.4μm以上且0.6μm以下，更优选为0.4μm以上且0.45μm以下。

需要说明的是，在本实施方式中，电子部件100的长度方向L的尺寸为2.0mm以下，宽度方向W的尺寸为1.25mm以下，层叠方向T的尺寸为1.25mm以下。能够通过利用光学显微镜观察电子部件100来测定电子部件100的外形尺寸。

电介质层130由包括Ba或Ti的钙钛矿型化合物构成。作为构成电介质层130的材料，能够使用以BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃或CaZrO₃等为主成分的电介质陶瓷。另外，也可以使用向这些主成分添加了作为副成分的Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、Al化合物、V化合物或稀土类化合物等的材料。构成电介质层130的材料的相对介电常数为1000以上。

多个内部电极层140各自的厚度优选为0.3μm以上且1.0μm以下。多个内部电极层140分别无间隙地覆盖电介质层130的被覆率优选为50％以上且95％以下。

作为构成内部电极层140的材料，能够由从由Ni、Cu、Ag、Pd及Au构成的组中选出的一种金属、或者包括该金属的合金构成，例如能够使用Ag与Pd的合金等。内部电极层140也可以包括与电介质层130所包含的电介质陶瓷同一组成系的电介质的粒子。

如图2所示，在本实施方式中，外部电极120包括基底电极层121、第一Ni(镍)镀覆层122、第二Ni镀覆层123、以及上侧镀覆层124。

在本实施方式中，基底电极层121是对作为层叠体的主体部110涂敷导电性膏并进行烧结而得到的烧结层。基底电极层121包括金属和玻璃。基底电极层121所包含的上述金属包括Cu(铜)、Ag(银)、Au(金)、Ni(镍)、Sn(锡)、或者具有它们中的任一种的合金。在本实施方式中，具体而言，上述金属是Cu。上述玻璃例如包括Si。

基底电极层121还可以包括BaTiO₃等金属氧化物。另外，基底电极层121还可以包括树脂成分。作为树脂成分，举出环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺树脂等。树脂成分优选为环氧树脂或酚醛树脂。在基底电极层121包括金属和树脂成分的情况下，基底电极层121例如是具有金属的填料的树脂电极层。

基底电极层121也可以由层叠的多个层构成。基底电极层121也可以是与内部电极层140同时烧成的层。

第一Ni镀覆层122形成在基底电极层121上。第一Ni镀覆层122实质上仅由金属Ni构成。需要说明的是，在第一Ni镀覆层122的形成过程中，有时在第一Ni镀覆层122含有NiO(镍氧化物)作为不可避免的杂质。如图4所示，第一Ni镀覆层122由平均粒径为52nm以下的Ni粒子122G构成。

如图2所示，第二Ni镀覆层123位于第一Ni镀覆层122与上侧镀覆层124之间。第二Ni镀覆层123实质上仅由金属Ni构成。需要说明的是，在第二Ni镀覆层123的形成过程中，有时在第二Ni镀覆层123含有NiO(镍氧化物)作为不可避免的杂质。另外，如图4所示，第二Ni镀覆层123由平均粒径为99nm以上的Ni粒子123G构成。在本实施方式中，构成第二Ni镀覆层123的Ni粒子123G的平均粒径为构成第一Ni镀覆层122的Ni粒子122G的平均粒径的2.3倍以上。

在本实施方式中，第一Ni镀覆层及第二Ni镀覆层的合计平均厚度优选为0.5μm以上且10μm以下，更优选为4.5μm以下，进一步优选为3.7μm以下。另外，如后所述，从第一Ni镀覆层122吸藏更多的氢原子这一观点出发，第一Ni镀覆层122的厚度优选比第二Ni镀覆层123的厚度厚。通过第一Ni镀覆层122的厚度比较厚，在第一Ni镀覆层122能够收集更多的氢原子。进而，能够在抑制绝缘电阻下降的同时，使外部电极120的整体的平均厚度更薄，使电子部件100小型化。在本实施方式中，第一Ni镀覆层122的厚度为第二Ni镀覆层123的厚度的0.03倍以上且14.5倍以下。

需要说明的是，第二Ni镀覆层123也可以不包括在外部电极120中。之后叙述外部电极120不包括第二Ni镀覆层123的实施方式。

上侧镀覆层124形成在第一Ni镀覆层122的上方。具体而言，上侧镀覆层124形成在第二Ni镀覆层123上。在本实施方式中，上侧镀覆层124是Sn镀覆层。Sn镀覆层实质上仅由Sn构成。在本实施方式中，上侧镀覆层124的厚度优选为0.5μm以上且10μm以下，进一步优选为4.5μm以下。

这里，对本发明的实施方式1中的构成第一Ni镀覆层122的Ni粒子122G及构成第二Ni镀覆层123的Ni粒子123G的各自的测定方法进行说明。

如图1、图2及图4所示，首先，对电子部件100进行研磨，使与宽度方向W正交的剖面露出，之后观察该剖面。在电子部件100的研磨中，聚焦离子束(FIB：Focused Ion Beam)装置。在剖面的观察中，使用显微镜，对构成第一Ni镀覆层122的Ni粒子122G及构成第二Ni镀覆层123的Ni粒子123G的各自的平均粒径进行测定。

如图2及图4所示，第一Ni镀覆层122的Ni粒子122G的测定位置P1在层叠方向T的中央部，是在长度方向L上与基底电极层121分离了100nm的部分。

图5是示出本发明的实施方式1的电子部件中的Ni粒子的平均粒径的测定方法的示意性局部剖视图。如图5所示，在测定位置P1上，测定在第一Ni镀覆层122中相互相邻的10个Ni粒子122G的合计长度。通过用该合计长度除以10，算出第一Ni镀覆层122的Ni粒子122G的平均粒径。

如图2及图4所示，第二Ni镀覆层123的Ni粒子123G的测定位置P2是层叠方向T的中央部，是在长度方向L上与上侧镀覆层124分离了100nm的部分。在该测定位置P2上，测定在第二Ni镀覆层123中相互相邻的10个Ni粒子123G的合计长度。通过用该合计长度除以10，算出第二Ni镀覆层123的Ni粒子123G的平均粒径。

接着，对各结构的尺寸的测定方法进行说明。内层部C所包含的电介质层130及内部电极层140的各自的厚度如以下那样进行测定。首先，对电子部件100进行研磨，使与长度方向L正交的剖面露出。利用扫描型电子显微镜对露出的剖面进行观察。接着，测定通过露出的剖面的中心的沿着层叠方向T的中心线、以及从该中心线向两侧等间隔地各引出两根的线的合计五根线上的电介质层130及内部电极层140的各自的厚度。将电介质层130的五个测定值的平均值设为电介质层130的厚度。将内部电极层140的五个测定值的平均值设为内部电极层140的厚度。

需要说明的是，也可以是，分别在位于在层叠方向T上对露出的剖面进行四等分的边界线上的上部、中央部及下部，测定上述五根线上的电介质层130及内部电极层140的各自的厚度，将电介质层130的测定值的平均值设为电介质层130的厚度，将内部电极层140的测定值的平均值设为内部电极层140的厚度。

通过利用光学显微镜观察主体部110中未被第一外部电极120A及第二外部电极120B覆盖的部分，来分别测定作为层叠体的主体部110的宽度方向W的尺寸及主体部110的层叠方向T的尺寸。测定位置为长度方向L的中央部。

作为层叠体的主体部110的长度方向L的尺寸如以下那样测定。首先，对电子部件100进行研磨，使与宽度方向W正交的剖面露出。利用显微镜观察露出的剖面来测定上述尺寸。测定位置为层叠方向T的中央部。

第一外层部X1的层叠方向T的尺寸及第二外层部X2的层叠方向T的尺寸分别如以下那样测定。首先，对电子部件100进行研磨，使与宽度方向W正交的剖面露出。利用显微镜观察露出的剖面来测定上述的各尺寸。测定位置为长度方向L的中央部。

第一端缘部E1的长度方向L的尺寸及第二端缘部E2的长度方向L的尺寸分别如以下那样测定。首先，对电子部件100进行研磨，使与宽度方向W正交的剖面露出。利用显微镜观察露出的剖面来测定上述的各尺寸。测定位置为位于在层叠方向T上对露出的剖面进行四等分的边界线上的上部、中央部及下部。将这三个部位的第一端缘部E1的测定值的平均值设为第一端缘部E1的长度方向L的尺寸，将这三个部位的第二端缘部E2的测定值的平均值设为第二端缘部E2的长度方向L的尺寸。

第一侧缘部S1及第二侧缘部S2的各自的厚度如以下那样测定。首先，对电子部件100进行研磨，使与长度方向L正交的剖面露出。利用显微镜观察露出的剖面来进行测定。测定位置为位于在层叠方向T上对露出的剖面进行四等分的边界线上的上部、中央部及下部。将这三个部位的第一侧缘部S1的测定值的平均值设为第一侧缘部S1的宽度方向W的尺寸，将这三个部位的第二侧缘部S2的测定值的平均值设为第二侧缘部S2的宽度方向W的尺寸。

基底电极层121的厚度如以下那样测定。首先，对电子部件100进行研磨，使与宽度方向W正交的剖面露出。利用显微镜观察露出的剖面来进行测定。测定位置为层叠方向T的中央部。

另外，针对第一Ni镀覆层122、第二Ni镀覆层123及上侧镀覆层124的各自的厚度，如以下那样测定。首先，利用FIB装置对电子部件100进行研磨，使与宽度方向W正交的剖面露出。利用显微镜观察露出的剖面，测定上述的各自的厚度。测定位置为层叠方向T的中央部。需要说明的是，针对上侧镀覆层124的厚度，也可以使用荧光X射线膜厚计进行测定。

以下，对本发明的实施方式1的电子部件100的制造方法进行说明。需要说明的是，以下所示的电子部件100的制造方法是层叠陶瓷电容器的制造方法，在该方法中，通过一并进行加工处理直至制造过程的中途阶段，来制作母层叠体，之后分割母层叠体而形成单片，对形成单片后的软质层叠体进一步实施加工处理，由此同时大量地生产多个层叠陶瓷电容器。

在制造作为层叠陶瓷电容器的电子部件100时，首先，调制陶瓷料浆。具体而言，以规定的配合比率将陶瓷粉末、粘合剂及溶剂等混合，由此形成陶瓷料浆。

接着，形成陶瓷生片。具体而言，使用模具涂布机、凹版涂布机或者微凹版涂布机等，将陶瓷料浆在载体膜上成形为片状，由此，形成陶瓷生片。

接着，形成母片。具体而言，使用丝网印刷法或凹版印刷法等，在陶瓷生片印刷导电性膏，使得具有规定的图案，由此，形成在陶瓷生片上设置有规定的导电图案的母片。

需要说明的是，作为母片，除了具有导电图案的母片之外，也准备未形成导电图案的陶瓷生片。

接着，层叠母片。具体而言，将构成第一外层部X1的未形成导电图案的母片层叠规定片数，在此之上依次层叠构成内层部C的形成有导电图案的多个母片，在此之上，将构成第二外层部X2的未形成导电图案的母片层叠规定片数，由此，构成母片组。

接着，对母片组进行压接。利用静压机或刚体压机沿着层叠方向T对母片组进行加压而将其压接，由此，形成母层叠体。

接着，分割母层叠体。具体而言，通过压切或切割将母层叠体分割为矩阵状，形成为多个软质层叠体的单片。

接着，对软质层叠体进行滚筒研磨。具体而言，软质层叠体与硬度比陶瓷材料高的介质球一起被封入被称为滚筒的小箱内，通过使该滚筒旋转，使软质层叠体的角部及棱线部具有曲面状的圆度。

接着，对软质层叠体进行烧成。具体而言，将软质层叠体加热到规定的温度，由此，烧成电介质陶瓷材料。烧成温度根据电介质陶瓷材料的种类而适当设定，例如，设定在900℃以上且1300℃以下的范围内。

接着，在作为层叠体的主体部110的表面形成基底电极层。具体而言，第一外部电极120A及第二外部电极120B的各自的基底电极层121通过各种薄膜形成法、各种印刷法或者浸渍法等而形成。例如，在通过浸渍法而形成基底电极层的情况下，在向主体部110的第一端面115及第二端面116涂敷了导电性膏之后，对导电性膏进行烧结。导电性膏包括有机溶剂、金属粒子以及玻璃。在本实施方式中，烧结温度为840℃。

接着，通过镀覆处理，依次通过电解镀覆而形成第一Ni镀覆层122、第二Ni镀覆层123及上侧镀覆层124，使得覆盖基底电极层121。通过形成上述各电极而构成第一外部电极120A及第二外部电极120B。

在本实施方式中，第一Ni镀覆层122及第二Ni镀覆层123通过使用了滚筒电镀装置的电解镀覆而形成。通过控制在上述电解镀覆中使用的镀覆液中的金属离子浓度、镀覆液所包含的添加剂的种类及浓度、在电解镀覆时施加的电流的电流值、处理温度、或者镀覆液的搅拌的强度等加工条件，能够适当设定第一Ni镀覆层122的第一Ni粒子122G及第二Ni镀覆层123的第二Ni粒子123G的各自的平均粒径。例如，镀覆液中的添加剂的浓度越大，Ni粒子的平均粒径越小。施加的电流的电流值越大，Ni粒子的平均粒径越小。镀覆液的温度越高，Ni粒子的平均粒径越小。

在下述表1中示出通过控制使用了滚筒电镀装置的电解镀覆的加工条件来设定Ni镀覆的平均粒径时的加工条件的一例。需要说明的是，在下述表1中，所使用的添加剂为糖精。

[表1]

表1

	加工条件1	加工条件2	加工条件3
				添加剂的浓度[g/L]	1	1	1
镀覆液的温度[℃]	60	60	60
				电流值[A]	15	10	5
滚筒的直径[mm]	67	67	67
				导电性介质量[cc]	60	60	60
Ni粒子的粒径[nm]	37	52	78

如表1所示，在加工条件1、加工条件2及加工条件3中，所施加的电流的电流值分别互不相同。如表1所示，可知电流值越大，形成的Ni镀覆的Ni粒子的粒径越小。

需要说明的是，作为添加剂，除了糖精之外，能够使用苯磺酸、苯并噻唑、硫脲、苯丙酮、聚乙二醇、丁炔二醇或炔丙醇等。

需要说明的是，在通过电解镀覆而形成第一Ni镀覆层及第二Ni镀覆层时，通过氢离子的还原反应而产生氢原子。该氢原子被分别吸藏于第一Ni镀覆层122及第二Ni镀覆层中。所吸藏的氢原子能够在外部电极120中自由移动。

通过经过上述的一系列工序，制造出作为层叠陶瓷电容器的本发明的实施方式1的电子部件100。

以下，对第一实验例进行说明，通过该第一实验例，评价了在电子部件中分别变更了第一Ni镀覆层122的Ni粒子122G的平均粒径D_N1、第二Ni镀覆层123的Ni粒子123G的平均粒径D_N2、第一Ni镀覆层122的厚度T_N1及第二Ni镀覆层123的厚度T_N2时的、电子部件100中的加速试验后的绝缘电阻及焊料润湿性的变化。

在本实验例中，将电子部件制造为，各实施例及各比较例的电子部件的长度方向L的尺寸为1.10mm，宽度方向W的尺寸为0.600mm，层叠方向T的尺寸为0.600mm。另外，各实施例及各比较例的电子部件被制造为，内层部C所包含的多个电介质层130的各自的厚度为0.60μm，内层部C所包含的多个内部电极层140的各自的厚度为0.50μm，第一端缘部E1的长度方向L的尺寸及第二端缘部E2的长度方向L的尺寸分别为40μm、第一侧缘部S1及第二侧缘部S2的宽度方向W的尺寸分别为20μm、第一外层部X1的层叠方向T的尺寸及第二外层部X2的层叠方向T的尺寸分别为30μm。

在本实验例中，作为在Ni粒子的平均粒径的测定中使用的FIB装置，使用了精工纳米科技株式会社制的“SMI-3050R”。

另外，通过在高温高湿度的槽内对电子部件施加电压而进行了加速试验。首先，将各实施例及各比较例的电子部件设置在具有125℃且相对湿度为95％RH的气氛的槽内。然后，针对设置于槽内的电子部件，在将1V的直流电压施加到第一外部电极120A与第二外部电极120B之间的状态下维持了100小时。针对像这样处理后的电子部件，测定绝缘电阻值，将相对于加速试验前的状态下的绝缘电阻值成为90％以下的电子部件判定为“不良”。

使用株式会社RHESCA制的可焊性测试仪(solder checker)(产品编号：SAT-5100)，通过焊料小球平衡法进行了焊料润湿性的评价。需要说明的是，关于老化，使用不饱和型PCT装置，在温度为105℃、相对湿度为100％以下RH、气压为1.22×10⁵Pa的气氛下进行了四小时。另外，焊料的组成为Sn-3.0Ag-0.5Cu，焊料的质量为25±2.5mg，铁芯的直径为2mm，助焊剂包括25wt％的松香和2-丙醇(异丙醇)，焊料侧的助焊剂的量为20±1μL，浸渍速度为1mm/s，浸渍深度为0.1mm，浸渍时间为10秒，测定范围为5mN，试验温度为230±3℃。基于上述条件，测定出从焊料接触时到与焊料的接触角返回90度为止的时间T₀。测定的结果，将时间T₀为4.0秒以下的情况判定为“良好”，将时间T₀超过4.0秒的情况判定为“不良”。

在下述表2至表4中示出对各实施例及各比较例的电子部件评价加速试验后的绝缘电阻及焊料润湿性而得到的结果。在表2至表4中，针对各实施例及各比较例，测定了10个样本的绝缘电阻值，其结果是，以如下形式示出加速试验后的绝缘电阻的评价结果：在判定为“不良”的数量为0个的情况下设为“A”，在为1个以上且3个以下的情况下设为“B”，在为4个以上的情况下设为“C”。另外，在表2至表4中，针对各实施例及各比较例，测定了10个样本的时间T₀，其结果是，以如下形式示出焊料润湿性的评价结果：在判定为“不良”的数量为0个的情况下设为“A”，在为1个以上且3个以下的情况下设为“B”，在为4个以上的情况下设为“C”。

[表2]

[表3]

[表4]

如表2至表4所示，在第一Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N1超过52nm的比较例1～8及不具有第一Ni镀覆层的比较例9及10中，加速试验后的绝缘电阻的评价成为“B”或“C”。即，各比较例的电子部件具有绝缘电阻下降的趋势。

作为绝缘电阻变低的原因，认为如下。如上所述，在通过电解镀覆形成了第一Ni镀覆层及第二Ni镀覆层时，产生氢原子。在上述的各比较例的电子部件中，该氢原子能够在具有金属成分的外部电极中自由地移动，氢原子也能够向主体部内扩散。扩散到主体部内的氢原子引起主体部的绝缘电阻的下降。

但是，如表2至表4所示，在第一Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N1为52nm以下的实施例1～实施例26中，加速试验后的绝缘电阻的评价成为“A”。即，抑制了各实施例的电子部件的绝缘电阻下降。

抑制绝缘电阻的下降的原因认为如下。图6是示意性地示出在本发明的第一实验例的比较例的电子部件中，测定外部电极中的氢原子浓度相对于距外部电极的表面的深度的变化而得到的结果的一例的图表。图7是示意性示出在本发明的第一实验例的实施例的电子部件中，测定外部电极中的氢原子浓度相对于距外部电极的表面的深度的变化而得到的结果的一例的图表。

在图6及图7中，示出对具有第一Ni镀覆层及第二Ni镀覆层这两方的电子部件进行测定而得到的结果。该氢原子浓度例如能够通过动态二次离子质谱法(D-SIMS：Dynamic-Secondary Ion Mass Spectrometry)来测定。在本实验例中，使用Cameca社制的“IMS-6f”，通过动态二次离子质谱法(D-SIMS：Dynamic-Secondary Ion Mass Spectrometry)测定了氢原子浓度。

如图6所示，关于比较例的电子部件，在外部电极内，第一Ni镀覆层的氢原子浓度与第二Ni镀覆层的氢原子浓度大致相同。与此相对，如图7所示，关于各实施例的电子部件，在外部电极内，第一Ni镀覆层的氢原子浓度最高。此外，如图6及图7所示，实施例的电子部件的基底电极层的氢原子浓度比比较例的电子部件的基底电极层的氢原子浓度低。

因此，如图6及图7所示，在本实验例的各实施例的电子部件中，由于第一Ni镀覆层122收集氢原子，因此，认为向基底电极层121扩散的氢原子变得比较少，进而，经由基底电极层121向主体部110扩散的氢原子变得比较少。若主体部110中的氢原子较少，则在电介质层130扩散的氢原子也较少。这样，在上述各实施例的电子部件100中，认为抑制了绝缘电阻的下降。

另外，如表2至表4所示，在各实施例中，第一Ni镀覆层由Ni粒子的平均粒径为52nm以下的比较小的粒径的Ni粒子构成。即，各实施例中的第一Ni镀覆层的Ni粒子的晶界面积大。因此，在各实施例中，认为在外部电极120中扩散的氢原子容易积存在第一Ni镀覆层的Ni粒子的界面上。

接着，对焊料润湿性的评价结果进行说明。另外，如表2所示，第二Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N2为第一Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N1的2.3倍以上的实施例1～5、7、8的电子部件的焊料润湿性的评价为“A”。另一方面，第二Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N2小于第一Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N1的2.3倍的实施例6、9的电子部件的焊料润湿性的评价成为“C”。即，当第二Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N2为第一Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N1的2.3倍以上时，可知焊料润湿性提高。

关于焊料润湿性提高的原因，认为如下。当使焊料附着于外部电极120时，焊料使上侧镀覆层124熔融之后，在第二Ni镀覆层123上润湿扩宽。这里，通过上述的结构，实施例1～5、7、8的电子部件的构成第二Ni镀覆层123的Ni粒子123G的平均粒径变得比较大，因此，在第二Ni镀覆层123中，抑制了Ni的氧化。因此，在抑制了氧化的第二Ni镀覆层123的表面上，认为润湿性提高。进而，认为使焊料附着于外部电极120时的焊料润湿性提高。

另外，如表3及表4所示，第一Ni镀覆层的厚度T_N1为第二Ni镀覆层的厚度T_N2的0.03倍以上的实施例11～18，20～26的电子部件被抑制了绝缘电阻的下降。第一Ni镀覆层的厚度T_N1为第二Ni镀覆层的厚度T_N2的14.5倍以下的实施例10～26的电子部件的焊料润湿性提高。

如表2所示，第二Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N2为99nm以上的实施例1～5、7、8的电子部件与第二Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N2小于99nm的实施例6、9的电子部件相比，焊料润湿性提高。

如以上那样，本发明的实施方式1的电子部件100的第一Ni镀覆层122由平均粒径为52nm以下的Ni粒子构成。

由此，能够抑制氢原子从第一Ni镀覆层122向主体部110扩散。进而，能够抑制电子部件100的电特性的下降。

在本实施方式中，构成第二Ni镀覆层123的Ni粒子123G的平均粒径为构成第一Ni镀覆层122的Ni粒子的平均粒径的2.3倍以上。

由此，通过在第二Ni镀覆层123的表面抑制了氧化，焊料润湿性提高。进而，能够提高外部电极120的焊料润湿性。

在本实施方式中，第一Ni镀覆层122的厚度为第二Ni镀覆层123的厚度的0.03倍以上。

由此，能够收集氢原子的第一Ni镀覆层122被设置为具有规定的厚度，因此，能够收集更多的氢原子。进而，能够抑制电子部件100的电特性的下降。

在本实施方式中，第一Ni镀覆层122的厚度为第二Ni镀覆层123的厚度的14.5倍以下。

由此，第二Ni镀覆层123能够确保规定的厚度，因此，在上侧镀覆层124通过焊料的附着而熔融时，能够抑制第一Ni镀覆层122与第二Ni镀覆层123一起露出。因此，能够抑制外部电极120的焊料润湿性下降。

在本实施方式中，第二Ni镀覆层123由平均粒径为99nm以上的Ni粒子构成。

由此，抑制了第二Ni镀覆层123的Ni粒子123G表面氧化，第二Ni镀覆层123的焊料润湿性提高。因此，能够提高外部电极120的焊料润湿性。

在本实施方式中，基底电极层121包括金属。由此，在基底电极层121中能够确保规定的电传导率。

在本实施方式中，基底电极层121还可以包括金属氧化物。由此，在通过同时烧成主体部110和基底电极层121而形成的情况下，能够提高基底电极层121与主体部110的固接力。进而，能够减薄外部电极120整体的厚度。

在本实施方式中，基底电极层121还包括玻璃。由此，在将导电性膏涂敷于主体部110而设置基底电极层121时，上述玻璃能够使导电性膏所包含的烧结助剂与主体部110相互以足够的强度固接。

在本实施方式中，基底电极层121还可以包括树脂成分。由此，在将电子部件100安装于基板时，能够相对于基板的挠曲而提高基底电极层121的强度。

在本实施方式中，基底电极层121所包含的上述金属包括Cu(铜)、Ag(银)、Au(金)、Ni(镍)、Sn(锡)、或者具有它们中的任一种的合金。

由此，能够对基底电极层121赋予比较高的导电性。

本实施方式的电子部件100是层叠陶瓷电容器。

本实施方式中的电子部件100抑制了氢原子向基底电极层121中的扩散。因此，能够抑制层叠陶瓷电容器的主体部110所包含的陶瓷被氢原子还原。进而，能够抑制由于氢原子对陶瓷的还原而导致层叠陶瓷电容器的绝缘电阻下降的情况。

(实施方式2)

以下，对本发明的实施方式2的电子部件进行说明。本发明的实施方式2的电子部件的外部电极不包括第二Ni镀覆层，这一点与本发明的实施方式1的电子部件100不同。因此，针对与本发明的实施方式1的电子部件同样的结构，不再重复说明。

图8是示出本发明的实施方式2的电子部件的剖视图。需要说明的是，在图8中，以与图2相同的剖视进行图示。如图8所示，在本发明的实施方式2的电子部件200中，上侧镀覆层124形成在第一Ni镀覆层222上。

接着，对评价了本实施方式的电子部件200中的加速试验后的绝缘电阻的第二实验例进行说明。第二实验例中的各测定条件及绝缘电阻的评价方法与本发明的实施方式1中的第一实验例相同。

在第二实验例中，在下述表5中示出对各实施例及各比较例的电子部件评价加速试验后的绝缘电阻而得到的结果。

[表5]

如表5所示，在第一Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N1超过52nm的比较例11～15中，加速试验后的绝缘电阻的评价成为“B”或“C”。另一方面，在第一Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径D_N1为52nm以下的实施例27～实施例32中，加速试验后的绝缘电阻的评价成为“A”。即，在第二实验例中，各实施例的电子部件也被抑制了绝缘电阻的下降。

根据以上，在本发明的实施方式2中，第一Ni镀覆层222也由平均粒径为52nm以下的Ni粒子122G构成，因此，能够抑制氢原子从第一Ni镀覆层222向主体部110扩散。进而，能够抑制电子部件100的特性下降。

在上述实施方式的说明中，也可以将能够组合的结构相互组合。

对本发明的实施方式进行了说明，但此次公开的实施方式在全部点上是例示，不应认为是限制性的内容。本发明的范围由权利要求书示出，意在包括与权利要求书同等的含义及范围内的全部变更。

Claims

1.一种电子部件，具备：

主体部；以及

外部电极，其设置于所述主体部的表面，

所述外部电极包括基底电极层、形成在该基底电极层上的第一Ni镀覆层以及形成在该第一Ni镀覆层的上方的上侧镀覆层，其中，Ni为镍，

所述第一Ni镀覆层由平均粒径为52nm以下的Ni粒子构成。

2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，

所述外部电极还包括位于所述第一Ni镀覆层与所述上侧镀覆层之间的第二Ni镀覆层，

构成所述第二Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径为构成所述第一Ni镀覆层的Ni粒子的平均粒径的2.3倍以上。

3.根据权利要求2所述的电子部件，其中，

所述第一Ni镀覆层的厚度为所述第二Ni镀覆层的厚度的0.03倍以上。

4.根据权利要求3所述的电子部件，其中，

所述第一Ni镀覆层的厚度为所述第二Ni镀覆层的厚度的14.5倍以下。

5.根据权利要求1所述的电子部件，其中，

所述第二Ni镀覆层由平均粒径为99nm以上的Ni粒子构成。

6.根据权利要求5所述的电子部件，其中，

7.根据权利要求6所述的电子部件，其中，

8.根据权利要求1所述的电子部件，其中，

所述基底电极层包括金属。

9.根据权利要求8所述的电子部件，其中，

所述基底电极层还包括金属氧化物。

10.根据权利要求8所述的电子部件，其中，

所述基底电极层还包括玻璃。

11.根据权利要求10所述的电子部件，其中，

所述基底电极层还包括金属氧化物。

12.根据权利要求8所述的电子部件，其中，

所述基底电极层还包括树脂成分。

13.根据权利要求12所述的电子部件，其中，

所述基底电极层还包括金属氧化物。

14.根据权利要求8所述的电子部件，其中，

所述基底电极层还包括玻璃及树脂成分。

15.根据权利要求14所述的电子部件，其中，

所述基底电极层还包括金属氧化物。

16.根据权利要求8所述的电子部件，其中，

所述金属包括铜Cu、银Ag、金Au、镍Ni、锡Sn、或者具有它们中的任一种的合金。

17.根据权利要求1所述的电子部件，其中，

所述电子部件是层叠陶瓷电容器。