CN112236837B - 电子束装置 - Google Patents

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Abstract

在进行使入射到试样上的预定的入射位置的电子束的入射角发生变化的角度扫描的电子束装置中，将校正线圈(3)设置于物镜(6)的轭(磁路)(61)的间隙部的情况下，即使偏转频率较高，也能够追随偏转信号来校正球面像差。因此，控制电子光学系统的主控制部(16)在校正线圈的控制中设定针对扫描线圈的控制的预定的相位变化量(a，b)，预定的相位变化量(a，b)根据扫描速度不同的多个扫描模式而不同。

Description

电子束装置
技术领域
本发明涉及扫描电子显微镜、透射电子显微镜等电子束装置，尤其涉及适合于电子沟道图案的观察的电子束装置。
背景技术
作为扫描电子显微镜(SEM:Scanning Electron Microscope)、透射电子显微镜(TEM：Transmission Electron Microscope)的应用，能够得到观察部的微观的晶体构造的限制视野电子沟道图案(SACP:Selected Area Electron Channeling Pattern)法。在SACP法中，将电子束固定于试样上的一点，进行使其入射角变化的角度扫描，得到电子沟道图案(ECP：Electron Channeling Pattern)像。可以根据ECP像中出现的试样中的晶体方位分布来解析试样的晶体构造、晶体应变。
在为了得到ECP像而进行角度扫描的情况下，通过偏转器使电子束偏转，通过物镜使向光轴外偏转的电子束返回(振り返す)，由此使电子束向试样的入射角发生变化。当电子束大幅度向轴外偏离而通过物镜时，由于物镜的球面像差，电子束未被固定于一点，照射区域扩大，无法得到鲜明的ECP像。因此，在应用SACP法观察ECP像的电子光学系统中，设置有对该球面像差进行校正的校正器。
作为公开用于得到ECP像的电子束装置的现有技术文献，可举出专利文献1、专利文献2。专利文献1为了高精度地校正球面像差，对校正球面像差的动态聚焦透镜的轴与物镜的轴进行轴对准，为了进行该轴对准，公开了控制提供给动态聚焦透镜的校正电流的相位。另外，在专利文献2中公开了为了即使在偏转频率变高的情况下，也追随偏转信号而校正球面像差，在偏转器与物镜之间设置透镜单元调整其焦距，或者，在物镜内设置静电透镜，调整静电透镜的透镜作用，由此校正球面像差。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开昭61-4145号公报
专利文献2：日本特开平4-32143号公报
发明内容
发明要解决的课题
作为专利文献2的现有技术，公开了在物镜的轭(磁极)的间隙部设置对球面像差进行校正的球面像差校正线圈的结构。在该结构中，受到由物镜线圈产生的磁路的影响，球面像差校正线圈在外观上作为有芯线圈发挥作用，其电感变大。因此，若偏转频率变高，则由于球面像差校正线圈所具有的电感，球面像差校正线圈的电流波形无法追随偏转信号，难以忠实地响应透镜强度，存在无法进行较快的角度扫描的问题。
本发明提供一种电子束装置，在将球面像差校正线圈设置于物镜的轭(磁路)的间隙部的结构中，即使在偏转频率变高的情况下，也能够追随偏转信号来校正球面像差，能够得到鲜明的ECP像。
用于解决课题的手段
作为本发明的一个实施方式的电子束装置进行使入射到试样上的预定的入射位置的电子束的入射角发生变化的角度扫描，具有角度扫描的扫描速度不同的多个扫描模式，该电子束装置具有：扫描线圈，其使电子束偏转；物镜，其使通过扫描线圈而向光轴外偏转的电子束返回；校正线圈，其配置于物镜的磁极的空隙部；以及主控制部，其控制包含扫描线圈、物镜以及校正线圈的电子光学系统，主控制部在校正线圈的控制中设定针对扫描线圈的控制的预定的相位变化量，预定的相位变化量根据多个扫描模式而不同。
发明效果
通过设定适于扫描模式的相位变化量，即使在不同的扫描速度下也能够进行准确的球面像差校正。
根据本说明书的描述和附图，能够使其它问题和新特征变得更加明确。
附图说明
图1是表示扫描线圈与校正线圈的同步控制以及校正线圈的响应延迟的图。
图2A是用于说明基于校正线圈的控制的图。
图2B是扫描线圈的概略结构图。
图3是电子光学系统的概略结构图。
图4是物镜和校正线圈的截面图。
图5是ECP像的摄像流程。
图6是校正表。
具体实施方式
图3表示得到ECP像的电子束装置中的电子光学系统的概略结构图。从电子源1照射的电子束5通过聚焦透镜2而聚焦，通过扫描线圈4而偏转。物镜6使通过扫描线圈4而向光轴外偏转的电子束5返回，形成用于在试样7的表面上进行角度扫描的磁场。如已经说明的那样，当偏转角从几度到十几度大幅度地向轴外偏离时，由于物镜6的球面像差，电子束5的照射位置不固定于一点，照射区域扩大，无法得到鲜明的ECP像。因此，设置对物镜6的球面像差进行校正的校正线圈3，校正线圈3以与偏转角对应的励磁量被励磁，由此对物镜6的球面像差进行校正。
图4示出了物镜6和校正线圈3的截面图。物镜6包括对形成磁场透镜的磁场进行励磁的线圈62和磁极61，校正线圈3配置于磁极61的空隙部。
电子光学系统收纳在镜体10中，构成电子光学系统的各光学要素通过对其分别控制的控制部11～15来控制，并且主控制部16控制各控制部11～15。主控制部16控制各控制部11～15并以所希望的光学条件对试样7照射电子束5，通过未图示的检测器检测从试样7释放的信号电子，得到ECP像。
对主控制部16执行的校正线圈3的控制进行说明。在图2A中，通过物镜6使被扫描线圈4偏转的电子束5返回，理想的是以试样面的一点f为轴进行角度扫描。另外，电子束5通过扫描线圈4在与光轴40垂直的XY平面上偏转。因此，如图2B所示，扫描线圈4具有使电子束5向X方向偏转的扫描线圈41X、42X以及使电子束5向Y方向偏转的扫描线圈41Y、42Y。根据流过扫描线圈的电流量来决定电子束5的偏转量。更具体而言，根据流过扫描线圈41X、42X的X变量的电流量IX来决定电子束5的X方向的偏转量，根据流过扫描线圈41Y、42Y的Y变量的电流量IY来决定电子束5的Y方向的偏转量。
在此，如图2A所示，理想的是电子束5以试样面的一点f为轴进行角度扫描，但实际上因球面像差而根据偏转角θ0向f’偏移。若将光轴上的f-f’间距设为偏移量ΔZi，则用(式1)来表示偏移量ΔZi。
ΔZi＝A×CS×θ0 2 (式1)
其中，CS是物镜6的球面像差系数，A是比例常数。
另外，电流Icor流过配置于物镜6的磁极的空隙部的校正线圈3时，用(式2)来表示在物镜6中产生的焦点变化量ΔZc。
ΔZc＝B×Icor (式2)
其中，B是比例常数。
因此，如果将ΔZc控制成ΔZc与ΔZi之和成为零，则物镜6的球面像差被校正。若将流过扫描线圈4的X变量的电流量设为IX、Y变量的电流量设为IY，则在理想的系统中，为了校正球面像差，用(式3)来表示流过校正线圈3的校正电流Icor。
Icor＝C×CS×(IX 2+IY 2) (式3)
其中，C是比例常数。
同步控制扫描线圈4和校正线圈3。图1表示校正线圈信号(Icor)101和扫描线圈信号(IX、IY)102、103的波形。虽然依赖于所取得的ECP像的像素数，但Y方向的扫描线圈信号IY的周期大到X方向的扫描线圈信号IX的周期的102～103倍左右。因此，在图1所示的范围中，Y方向的扫描线圈信号IY表示为大致恒定。因此，若按照(式3)控制校正电流Icor，则校正线圈3入口的校正线圈信号1010(实线)实质上与扫描线圈信号(IX)102同步地被控制。在此，如已经说明的那样，在校正线圈3设置于物镜6的磁极的间隙部的情况下，在校正线圈3的电感变大、偏转频率变高的情况下，校正电流Icor无法追随扫描线圈信号102。即，校正线圈3出口的校正线圈信号1011(虚线)相对于校正线圈3入口的校正线圈信号1010产生延迟。由于这样的校正线圈3的校正电流Icor的响应延迟，在(式3)中无法准确地校正物镜6的球面像差。因此，为了校正Icor的响应延迟，通过(式4)所示的函数来控制校正线圈3的电流值Icor。
Icor＝C×Cs×[(IX-a)2+(IY-b)2] (式4)
其中，a、b是相位变化量。即，根据扫描速度、在图1的例子中扫描线圈信号102的频率或者周期来设定相位变化量a、b，由此能够进行更准确的球面像差校正。
并且，在专利文献1中，示出了在物镜6的轴与校正线圈3的轴存在偏差的情况和能够通过与(式4)相同的形式的函数进行校正的情况。通常，电子束装置具有扫描速度不同的多个扫描模式。因此，以其中的1个扫描模式为基准扫描模式，求出进行物镜6的轴和校正线圈3的轴的轴对准的相位变化量a’、b’，根据扫描模式校正相位变化量。此时，用(式5)来表示校正线圈3的电流值Icor的函数。
Icor＝C×Cs×{[IX－(a’+αi)]2+[IY－(b’+βi)]2} (式5)
其中，αi、βi是来自扫描模式i中的基准扫描模式的相位校正量。(a’+αi)、(b’+βi)在各扫描模式下分别相当于(式4)中的相位变化量a、b。
图5表示基于函数(式5)的ECP像拍摄流程。首先，设定电子束装置的光学条件，进行校正线圈动作条件的调整(S01)。步骤S01中的校正线圈动作条件的调整在预先确定的基准扫描模式下进行，求出相位变化量a’、b’。在不进行扫描模式的变更的情况下(S02：否)，直接进行ECP像的拍摄(S04)，在进行扫描模式的变更的情况下(S02：是)，进行与扫描模式对应的相位变化量a、b的设定(S03)。主控制部16存储有图6所示的校正表，主控制部16根据所选择的扫描模式自动计算相位变化量a、b。校正表601保持与扫描模式对应的相位校正量αi、βi。在该例子中，电子束装置具有N个扫描模式，i越大，进行角度扫描的扫描速度越快。将基准扫描模式设为扫描模式N，根据扫描模式来保持来自基准扫描模式的相位变化量的相位校正量αi、βi。通过将基准扫描模式设为扫描速度更快的扫描模式N，能够进一步缩短步骤501中的调整时间。在步骤S02中选择了扫描模式i的情况下，主控制部16使相位变化量分别自动设定为a＝a’+αi、b＝b’+βi。以在步骤S03中设定的相位变化量来控制校正线圈，进行ECP像的拍摄(S04)。另外，对根据扫描模式分别校正X方向、Y方向的相位变化量的例子进行了说明，但如图1所示，Y方向的扫描线圈信号103的周期与X方向的扫描线圈信号102的周期相比极大，因此对同步控制的影响也显著变小。因此，在步骤S03中，也可以使相位变化量分别自动设定为a＝a’+αi、b＝b’。在该情况下，不需要校正表601的β栏。
附图标记说明
1：电子源、2：聚焦透镜、3：校正线圈、4：扫描线圈、5：电子束、6：物镜、7：试样、11：电子源控制部、12：聚焦透镜控制部、13：扫描线圈控制部、14：物镜控制部、15：校正线圈控制部、16：主控制部。

Claims (12)

1.一种电子束装置，其进行使入射到试样上的预定的入射位置的电子束的入射角发生变化的角度扫描，具有所述角度扫描的扫描速度不同的多个扫描模式，其特征在于，所述电子束装置具有：
扫描线圈，其使电子束偏转；
物镜，其使通过所述扫描线圈而向光轴外偏转的电子束返回；
校正线圈，其配置于所述物镜的磁极的空隙部；以及
主控制部，其控制包括所述扫描线圈、所述物镜以及所述校正线圈的电子光学系统，
所述主控制部在所述校正线圈的控制中设定针对所述扫描线圈的控制的预定的相位变化量，所述预定的相位变化量根据所述多个扫描模式而不同。
2.根据权利要求1所述的电子束装置，其特征在于，
通过所述校正线圈校正所述物镜中产生的球面像差。
3.根据权利要求1所述的电子束装置，其特征在于，
所述多个扫描模式包括基准扫描模式，
所述主控制部存储相位校正量，该相位校正量是所述多个扫描模式中的相位变化量与所述基准扫描模式中的相位变化量之差。
4.根据权利要求3所述的电子束装置，其特征在于，
所述主控制部利用作为所述多个扫描模式之一的第1扫描模式的所述相位校正量对在所述基准扫描模式中设定的相位变化量进行校正，由此来设定所述第1扫描模式中的相位变化量。
5.根据权利要求4所述的电子束装置，其特征在于，
设定所述基准扫描模式的相位变化量使在所述基准扫描模式下所述物镜与所述校正线圈的轴对准。
6.根据权利要求5所述的电子束装置，其特征在于，
所述基准扫描模式的扫描速度比所述第1扫描模式的扫描速度快。
7.根据权利要求1所述的电子束装置，其特征在于，
上述扫描线圈具有使电子束向X方向偏转的第1扫描线圈和使电子束向Y方向偏转的第2扫描线圈，上述第1扫描线圈由第1扫描线圈信号IX控制，上述第2扫描线圈由第2扫描线圈信号IY控制，
上述校正线圈由校正线圈信号Icor控制，
若将上述预定的相位变化量设为a、b，则上述主控制部将校正线圈信号Icor的控制量设为上述物镜的球面像差系数Cs与[(IX-a)2+(IY-b)2]之积的函数。
8.根据权利要求7所述的电子束装置，其特征在于，
所述多个扫描模式包括基准扫描模式，
若将所述基准扫描模式中的相位变化量设为a’、b’，将作为所述多个扫描模式之一的第1扫描模式中的相位变化量与所述基准扫描模式中的相位变化量的差即相位校正量设为αi、βi，则所述主控制部将所述第1扫描模式中的校正线圈信号Icor的控制量设为所述物镜的球面像差系数Cs与{[IX-(a’+αi)]2+[IY-(b’+βi)]2}之积的函数。
9.根据权利要求8所述的电子束装置，其特征在于，
所述主控制部存储所述αi和所述βi。
10.根据权利要求7所述的电子束装置，其特征在于，
所述多个扫描模式包括基准扫描模式，
若将所述基准扫描模式中的相位变化量设为a’、b’，将作为所述多个扫描模式之一的第1扫描模式中的相位变化量与所述基准扫描模式中的相位变化量的差即相位校正量设为αi、βi，则所述主控制部将作为所述多个扫描模式之一的第1扫描模式中的校正线圈信号Icor的控制量设为所述物镜的球面像差系数Cs与{[IX-(a’+αi)]2+(IY-b’)2}之积的函数。
11.根据权利要求10所述的电子束装置，其特征在于，
所述主控制部存储所述αi。
12.根据权利要求8或10所述的电子束装置，其特征在于，
在所述基准扫描模式下，所述主控制部通过所述物镜的球面像差系数Cs与[(IX-a’)2+(IY-b’)2]之积的所述函数来控制校正线圈信号Icor的控制量，由此进行所述物镜与所述校正线圈的轴对准。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179504A (ja) * 2006-03-28 2006-07-06 Hitachi High-Technologies Corp 収差補正器付電子線装置
JP2006216299A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Jeol Ltd 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における収差補正器の軸合わせ方法
JP2006302523A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Jeol Ltd 走査像観察機能を有した透過電子顕微鏡
CN101421823A (zh) * 2006-12-29 2009-04-29 株式会社理光 像差评估图案、像差评估方法、像差校正方法、电子束描绘设备、电子显微镜、原盘、压模、记录介质和结构
JP2010015731A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Hitachi High-Technologies Corp 走査型電子顕微鏡、および走査型電子顕微鏡における画像の改良方法
CN103843105A (zh) * 2010-02-10 2014-06-04 摩奇有限公司(d/b/aVoxa) 暗视野像差矫正电子显微镜
CN104040676A (zh) * 2012-01-06 2014-09-10 株式会社日立高新技术 带电粒子线装置以及倾斜观察图像显示方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5945173B2 (ja) * 1979-10-05 1984-11-05 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
JPS6261253A (ja) * 1985-09-12 1987-03-17 Jeol Ltd 電子線装置
JPS62184750A (ja) * 1986-02-07 1987-08-13 Jeol Ltd 電子線装置
JPS6430154A (en) * 1987-07-24 1989-02-01 Jeol Ltd Electron beam device
JPH0432143A (ja) * 1990-05-25 1992-02-04 Hitachi Ltd 電子線装置
US7888640B2 (en) * 2007-06-18 2011-02-15 Hitachi High-Technologies Corporation Scanning electron microscope and method of imaging an object by using the scanning electron microscope
DE102009052392A1 (de) * 2009-11-09 2011-12-15 Carl Zeiss Nts Gmbh SACP-Verfahren und teilchenoptisches System zur Ausführung eines solchen Verfahrens
JP5652859B2 (ja) 2010-08-19 2015-01-14 株式会社ジェイエスピー 複合積層体
JP6261253B2 (ja) 2013-09-19 2018-01-17 株式会社三共 遊技機
JP6430154B2 (ja) 2014-06-17 2018-11-28 スタンレー電気株式会社 撮像ユニット用ミラー装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006216299A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Jeol Ltd 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における収差補正器の軸合わせ方法
JP2006302523A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Jeol Ltd 走査像観察機能を有した透過電子顕微鏡
JP2006179504A (ja) * 2006-03-28 2006-07-06 Hitachi High-Technologies Corp 収差補正器付電子線装置
CN101421823A (zh) * 2006-12-29 2009-04-29 株式会社理光 像差评估图案、像差评估方法、像差校正方法、电子束描绘设备、电子显微镜、原盘、压模、记录介质和结构
JP2010015731A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Hitachi High-Technologies Corp 走査型電子顕微鏡、および走査型電子顕微鏡における画像の改良方法
CN103843105A (zh) * 2010-02-10 2014-06-04 摩奇有限公司(d/b/aVoxa) 暗视野像差矫正电子显微镜
CN104040676A (zh) * 2012-01-06 2014-09-10 株式会社日立高新技术 带电粒子线装置以及倾斜观察图像显示方法

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