JP2009054508A - ローカル帯電分布精密計測方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ミラー状態におかれた試料に対して一次荷電粒子ビームを走査して、画像を取得する。取得画像は、試料の画像であるまたは荷電粒子光学系の構成部品の画像であるとを問わない。得られた画像と標準試料の画像とを比較して、局所的な帯電電位を計測する。
【選択図】 図4
Description
一方、研究の進展により、ローカル帯電は倍率へ影響するのみならず、非点収差や軸ずれなど、荷電粒子光学系の動作に影響を及ぼすことが分かってきた。そこで、本発明の他の目的の一つは、ローカル帯電が及ぼす荷電粒子光学系への影響を補償する方法およびそのような動作条件で動作しうる荷電粒子線装置を実現することにある。
Claims (10)
- 試料に対して一次荷電粒子線を照射し、発生する二次荷電粒子を検出して信号出力する機能を有する電子光学系と、当該電子光学系および前記試料に印加する電圧を制御する制御手段とを備えた荷電粒子線装置において、
前記制御装置は、前記一次荷電粒子線の加速エネルギーよりも高い電圧を前記試料に印加した状態で検出される荷電粒子に基づいて得られる情報と、所定の試料電位で得られた前記情報との違いに基づいて前記試料の電位に関する情報を検出し、
当該検出情報を用いて前記電子光学系の動作を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記電子光学系は非点補正器を備え、
前記検出情報を用いて当該非点補正器を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記電子光学系は前記一次荷電粒子線の光軸調整を行う手段を備え、
前記検出情報を用いて当該光軸調整手段を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記電子光学系は対物レンズを備え、
前記検出情報を用いて当該対物レンズを制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
更に、前記荷電粒子線の照射位置に帯電制御用の荷電粒子ビームを照射するための第2の荷電粒子線照射手段を備え、
前記電子光学系は帯電制御電極を備え、
前記検出情報を用いて前記帯電制御電極への印加電圧および前記第2荷電粒子線照射手段を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置において、
前記情報として、前記検出される荷電粒子の検出位置の情報を用いることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置において、
前記情報として、前記検出される荷電粒子の像のずれ、ないしぼけ量、あるいは回転量のいずれかを用いることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置において、
前記非点補正器、前記一次荷電粒子線の光軸調整手段、前記対物レンズ、前記帯電制御電極および前記第2荷電粒子線照射手段の制御パラメータの値と、前記検出情報とが格納されたデータテーブルを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項7に記載の荷電粒子線装置において、
前記情報として、前記試料から放出される二次荷電粒子による前記電子光学系内の構造物の投影像を検出することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項5に記載の荷電粒子線装置において、
前記帯電制御電極ないし前記第2荷電粒子線照射手段の制御パラメータの値を、前記試料表面上の位置に対応付けて格納したデータを生成し、
当該データを用いて前記一次荷電粒子線照射位置の試料表面電位を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。
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