CN112236483A - 树脂组合物、树脂构件、树脂片、b阶片、c阶片、带树脂的金属箔、金属基板和功率半导体装置 - Google Patents

树脂组合物、树脂构件、树脂片、b阶片、c阶片、带树脂的金属箔、金属基板和功率半导体装置 Download PDF

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Abstract

一种树脂组合物，其在固化状态下的导热率大于或等于5W/(m·K)，且储能模量小于或等于8GPa。

Description

树脂组合物、树脂构件、树脂片、B阶片、C阶片、带树脂的金属 箔、金属基板和功率半导体装置
技术领域
本发明涉及树脂组合物、树脂构件、树脂片、B阶片、C阶片、带树脂的金属箔、金属基板和功率半导体装置。
背景技术
在电子部件装置中使用以电绝缘等为目的的包含树脂的构件(树脂构件)。近年来，有伴随电子部件装置的小型化、高输出化而发热量增大的倾向，如何使所产生的热散发掉成为了重要的课题。但是，树脂具有绝缘性优异但导热性差的性质。于是，进行了对树脂构件赋予优异的导热性的技术的开发(例如参照专利文献1和专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5431595号公报
专利文献2：日本专利第4118691号公报
发明内容
发明要解决的课题
专利文献1所记载的发明中，通过使用在环氧树脂中配合特定填料而成的树脂组合物，从而实现了树脂构件的导热性提高。
另外，专利文献2所记载的发明中，通过使用包含在分子中具有介晶结构的环氧树脂的树脂组合物作为绝缘材料，从而实现了树脂构件的导热性提高。
另一方面，随着近年来电子部件装置的薄型化，容易发生由与树脂构件相接的构件的热膨胀率不同引起的翘曲，从而担忧如下情形：因电子部件装置的翘曲而发生树脂构件的剥离、龟裂等，损害连接可靠性。因此，期望开发出能够形成可维持充分的导热性并且获得良好的连接可靠性的树脂构件的材料。
鉴于上述课题，本发明的一个方式的课题在于提供一种树脂组合物、以及使用了该树脂组合物的树脂构件、树脂片、B阶片、C阶片、带树脂的金属箔、金属基板和功率半导体装置，该树脂组合物能够形成可维持充分的导热性并且获得良好的连接可靠性的树脂构件。
用于解决课题的方法
用于解决上述课题的方法包含以下实施方式。
<1>一种树脂组合物，其在固化状态下的导热率大于或等于5W/(m·K)，且储能模量小于或等于8GPa。
<2>根据<1>所述的树脂组合物，其含有热固性树脂。
<3>根据<1>或<2>所述的树脂组合物，其含有环氧树脂，上述环氧树脂包含碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基。
<4>根据<1>～<3>中任一项所述的树脂组合物，其含有酚醛树脂，上述酚醛树脂具有：与芳香环的碳原子直接连接的烯丙基、或与芳香环的碳原子直接连接的碳原子数大于或等于4的烷基。
<5>一种树脂组合物，其含有环氧树脂，上述环氧树脂包含碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基。
<6>一种树脂构件，其包含<1>～<5>中任一项所述的树脂组合物的固化物。
<7>一种树脂片，其包含<1>～<5>中任一项所述的树脂组合物。
<8>一种B阶片，其包含<7>所述的树脂片的半固化物。
<9>一种C阶片，其包含<7>所述的树脂片的固化物。
<10>一种带树脂的金属箔，其具备：金属箔；以及配置于上述金属箔上的<7>所述的树脂片的半固化物。
<11>一种金属基板，其具备：金属支撑体；配置于上述金属支撑体上的<7>所述的树脂片的固化物；以及配置于上述固化物上的金属箔。
<12>一种功率半导体装置，其具备：半导体模块，由金属板、焊料层和半导体芯片依次层叠而成；散热构件；以及配置于上述半导体模块的上述金属板与上述散热构件之间的<7>所述的树脂片的固化物。
发明效果
根据本发明的一个方式，能够提供一种树脂组合物、以及使用了该树脂组合物的树脂构件、树脂片、B阶片、C阶片、带树脂的金属箔、金属基板和功率半导体装置，该树脂组合物能够形成可维持充分的导热性并且获得良好的连接可靠性的树脂构件。
附图说明
图1是表示本公开的功率半导体装置的构成的一例的概略截面图。
图2是表示本公开的功率半导体装置的构成的另一例的概略截面图。
图3是表示用于评价连接可靠性的封装体的构成的概略截面图。
具体实施方式
以下对本公开的实施方式进行详细说明。但是，本发明并不限定于以下的实施方式。在以下的实施方式中，其构成要素(也包含要素步骤等)除了特别明示的情况以外都不是必须的。关于数值及其范围也同样，并不限制本发明。
本公开中，关于“工序”一词，除了独立于其他工序的工序以外，即使在与其他工序不能明确区分的情况下，只要能够实现该工序的目的，则也包含该工序。
本公开中，使用“～”来表示的数值范围包含“～”前后所记载的数值分别作为最小值和最大值。
在本公开中阶段性记载的数值范围中，一个数值范围所记载的上限值或下限值可以替换为其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。另外，在本公开中记载的数值范围中，其数值范围的上限值或下限值也可以替换为实施例所示的值。
本公开中，可以包含多种相当于各成分的物质。在组合物中存在多种相当于各成分的物质的情况下，只要没有特别说明，各成分的含有率或含量就是指组合物中存在的该多种物质的合计含有率或含量。
本公开中，相当于各成分的粒子可以包含多种。在组合物中存在多种相当于各成分的粒子的情况下，只要没有特别说明，各成分的粒径就是指针对组合物中存在的该多种粒子的混合物的值。
本公开中，关于“层”一词，除了在观察存在该层的区域时形成于该区域的整体的情况以外，也包含仅形成于该区域的一部分的情况。
本公开中，“层叠”一词表示将层堆叠，可以两个以上的层结合，也可以两个以上的层可装卸。
本公开中，在参照附图来说明实施方式时，该实施方式的构成不限定于附图所示的构成。另外，各图中的构件大小是概念性的，构件间的大小的相对关系不限定于此。
<树脂组合物(第1实施方式)>
本实施方式的树脂组合物为如下树脂组合物，其在固化状态下的导热率大于或等于5W/(m·K)，且储能模量小于或等于8GPa。
根据本发明人等的研究结果得知，树脂构件的连接可靠性可以通过适当地调节树脂构件的储能模量而良好地维持。本公开的树脂组合物基于该见解而完成。即，通过使本公开的树脂组合物在固化状态下的储能模量小于或等于8GPa，从而使用了将该树脂组合物固化而成的物质的树脂构件会显示良好的连接可靠性。进一步，本公开的树脂组合物在固化状态下的导热率大于或等于5W/(m·K)。因此，本公开的树脂组合物的固化物显示良好的导热性。
树脂组合物在固化状态下的储能模量只要小于或等于8GPa，就没有特别限制。例如，优选小于或等于5GPa，进一步优选小于或等于2GPa。
本公开中，树脂组合物在固化状态下的储能模量通过后述的实施例所记载的方法来进行测定。
树脂组合物在固化状态下的导热率只要大于或等于5W/(m·K)，就没有特别限制，可以根据树脂组合物的用途等进行选择。例如，可以大于或等于8W/(m·K)，也可以大于或等于10W/(m·K)。
本公开中，树脂组合物在固化状态下的导热率通过后述的实施例所记载的方法来进行测定。
(树脂)
树脂组合物包含树脂。树脂的种类没有特别限制，可列举热固性树脂、热塑性树脂等。树脂可以为热固性树脂与固化剂的组合。
从电绝缘性、耐热性等观点考虑，树脂组合物优选包含热固性树脂。作为热固性树脂，可列举环氧树脂、酚醛树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、不饱和聚酯树脂等。本公开中，含有环氧基的丙烯酸树脂等显示热塑性和热固化性二者性质的树脂包含在“热固性树脂”中。树脂组合物中所含的树脂可以为一种也可以为两种以上。
热固性树脂中，从电绝缘性、耐热性等观点考虑，树脂组合物优选包含环氧树脂。
环氧树脂的种类没有特别限制，可以根据树脂组合物所期望的特性等进行选择。作为环氧树脂，具体而言，可列举：将在酸性催化剂下使酚性化合物与甲醛、乙醛、丙醛等脂肪族醛化合物缩合或共缩合而得的酚醛清漆树脂进行环氧基化而成的酚醛清漆型环氧树脂(苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂等)，该酚性化合物是选自由苯酚、甲酚、二甲酚、间苯二酚、邻苯二酚、双酚A、双酚F等苯酚化合物和α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等萘酚化合物组成的组中的至少一种；将在酸性催化剂下使上述酚性化合物与苯甲醛、水杨醛等芳香族醛化合物缩合或共缩合而得的三苯基甲烷型酚醛树脂进行环氧基化而成的三苯基甲烷型环氧树脂；将在酸性催化剂下使上述苯酚化合物和萘酚化合物与醛化合物共缩合而得的酚醛清漆树脂进行环氧基化而成的共聚型环氧树脂；作为双酚A、双酚F等的二缩水甘油醚的二苯基甲烷型环氧树脂；烷基取代或未取代的作为联苯酚的二缩水甘油醚的联苯型环氧树脂；作为茋(stilbene)系酚化合物的二缩水甘油醚的茋型环氧树脂；作为双酚S等的二缩水甘油醚的含硫原子环氧树脂；作为丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇类的缩水甘油醚的环氧树脂；作为邻苯二甲酸、间苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸等多元羧酸化合物的缩水甘油酯的缩水甘油酯型环氧树脂；利用缩水甘油基将苯胺、二氨基二苯基甲烷、异氰脲酸等的与氮原子连接的活性氢取代而成的缩水甘油胺型环氧树脂；使双环戊二烯与酚化合物的共缩合树脂进行环氧基化而成的双环戊二烯型环氧树脂；使分子内的烯烃键进行环氧基化而成的乙烯基环己烯二环氧化物、3,4-环氧环己基甲基-3,4-环氧环己烷甲酸酯、2-(3,4-环氧基)环己基-5,5-螺(3,4-环氧基)环己烷-间二
Figure BDA0002806477520000051
烷等脂环型环氧树脂；作为对二甲苯改性酚醛树脂的缩水甘油醚的对二甲苯改性环氧树脂；作为间二甲苯改性酚醛树脂的缩水甘油醚的间二甲苯改性环氧树脂；作为萜烯改性酚醛树脂的缩水甘油醚的萜烯改性环氧树脂；作为双环戊二烯改性酚醛树脂的缩水甘油醚的双环戊二烯改性环氧树脂；作为环戊二烯改性酚醛树脂的缩水甘油醚的环戊二烯改性环氧树脂；作为多环芳香环改性酚醛树脂的缩水甘油醚的多环芳香环改性环氧树脂；作为含萘环酚醛树脂的缩水甘油醚的萘型环氧树脂；卤代苯酚酚醛清漆型环氧树脂；对苯二酚型环氧树脂；三羟甲基丙烷型环氧树脂；利用过乙酸等过酸将烯烃键氧化而得的线状脂肪族环氧树脂；使苯酚芳烷基树脂、萘酚芳烷基树脂等芳烷基型酚醛树脂进行环氧基化而成的芳烷基型环氧树脂等。这些环氧树脂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
树脂组合物可以包含如下环氧树脂(以下也称为特定环氧树脂)，该环氧树脂包含碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基。
根据本发明人等的研究结果得知，通过树脂组合物包含特定环氧树脂，能够维持固化状态下的导热率并且降低储能模量。其理由虽不明确，但可认为：首先，通过包含碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基，使得特定环氧树脂的分子结构较柔软，因此储能模量会降低。另一方面，可认为：碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基会以提高在固化物中的分子取向性的方式发挥作用，可维持导热性。
特定环氧树脂所具有的碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基可以具有分支或取代基。这种情况下，分支或取代基中所含的碳原子数不包含在非环状亚烷基的“碳原子数”内。从充分发挥维持导热性并且降低储能模量的效果的观点考虑，碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基优选不具有分支或取代基。
特定环氧树脂所具有的碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基的碳原子数只要大于或等于4就没有特别限制。例如可以在4～8的范围内。另外，特定环氧树脂所具有的碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基数没有特别限制，例如，可以为1个～5个，也可以为2个～4个。
特定环氧树脂所具有的环氧基数没有特别限制。例如优选在1分子中大于或等于2个，更优选为2个。
某个实施方式中，特定环氧树脂可以为下述通式(1)或通式(2)所表示的环氧树脂。
[化1]
Figure BDA0002806477520000061
通式(1)中，m各自独立地为4～8的整数，n为1～30。
[化2]
Figure BDA0002806477520000071
通式(2)中，m各自独立地为4～8的整数，n为1～30。
从将制成固化物时的交联密度抑制为较低水平并且降低储能模量的观点考虑，特定环氧树脂的重均分子量(Mw)优选大于或等于600，更优选大于或等于700，进一步优选大于或等于800。
另外，特定环氧树脂的数均分子量(Mn)优选大于或等于50，更优选大于或等于100，进一步优选大于或等于150。
从获得充分的固化性的观点考虑，特定环氧树脂的重均分子量(Mw)优选小于或等于20000，更优选小于或等于15000，进一步优选小于或等于10000。
另外，特定环氧树脂的数均分子量(Mn)优选小于或等于1000，更优选小于或等于800，进一步优选小于或等于500。
本公开中，特定环氧树脂的重均分子量和数均分子量是指通过凝胶渗透色谱(GPC)测定的值。关于通过GPC进行的Mw和Mn的测定，分析用GPC色谱柱使用东曹株式会社的G2000HXL和3000HXL，流动相使用四氢呋喃，将试样浓度设为0.2质量％，将流速设为1.0mL/min来进行测定。使用聚苯乙烯标准样品来制作标准曲线，通过聚苯乙烯换算值来计算Mw和Mn。
特定环氧树脂的环氧当量优选为300g/eq～2000g/eq，更优选为350g/eq～1700g/eq，进一步优选为350g/eq～1500g/eq。
本公开中，特定环氧树脂的环氧当量设为通过高氯酸滴定法测定的值。
在树脂组合物包含特定环氧树脂时，作为环氧树脂，可以仅包含特定环氧树脂，也可以包含特定环氧树脂和不属于特定环氧树脂的环氧树脂。
在树脂组合物包含特定环氧树脂和不属于特定环氧树脂的环氧树脂时，特定环氧树脂在环氧树脂整体中所占的比例优选大于或等于50质量％，更优选大于或等于70质量％，进一步大于或等于90质量％。
树脂组合物可以包含固化剂。固化剂的种类没有特别限制，可以根据树脂组合物所期望的特性等进行选择。
作为在树脂组合物包含环氧树脂时的固化剂，可列举酚固化剂、胺固化剂、酸酐固化剂、聚硫醇固化剂、聚氨基酰胺固化剂、异氰酸酯固化剂、封端异氰酸酯固化剂等。其中，优选酚固化剂和胺固化剂。固化剂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
作为酚固化剂，具体而言，可列举：苯酚、邻甲酚、间甲酚、对甲酚等单官能的酚化合物；邻苯二酚、间苯二酚、对苯二酚等二官能的酚化合物；1,2,3-三羟基苯、1,2,4-三羟基苯、1,3,5-三羟基苯等三官能的酚化合物；利用亚甲基链等将这些酚化合物连结(酚醛清漆化)而得的酚醛树脂等。
作为酚醛树脂，具体例可列举：苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、邻苯二酚酚醛清漆树脂、间苯二酚酚醛清漆树脂、对苯二酚酚醛清漆树脂等使一种酚化合物进行酚醛清漆化而得的酚醛树脂；邻苯二酚间苯二酚酚醛清漆树脂、间苯二酚对苯二酚酚醛清漆树脂等使两种以上酚化合物进行酚醛清漆化而得的酚醛树脂等。
从固化性的观点考虑，胺固化剂优选为具有2个以上的官能团(活性氢)的化合物，进一步从导热性的观点考虑，更优选为具有芳香环等刚性骨架的化合物。
作为二官能的胺固化剂，具体而言，可列举：4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基-3,3’-二甲氧基联苯、4,4’-二氨基苯基苯甲酸酯、1,5-二氨基萘、1,3-二氨基萘、1,4-二氨基萘、1,8-二氨基萘、三亚甲基-双-4-氨基苯甲酸酯、聚-1,4-丁二醇-双-4-氨基苯甲酸、邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺等。
其中，从导热率的观点考虑，优选为选自由4,4’-二氨基二苯基甲烷、1,5-二氨基萘和4,4’-二氨基二苯基砜组成的组中的至少一种，更优选为1,5-二氨基萘。
从维持固化状态下的导热率并且降低储能模量的观点考虑，固化剂优选包含选自由下述组成的组中的至少一种(以下也称为特定固化剂)：具有联苯芳烷基骨架的化合物(以下也称为联苯芳烷基型固化剂)；以及酚醛树脂，该酚醛树脂具有与芳香环的碳原子直接连接的烯丙基、或与芳香环的碳原子直接连接的碳原子数大于或等于4的烷基(以下也称为含烯丙基/长链烷基的酚固化剂)。
(1)联苯芳烷基型固化剂
联苯芳烷基型固化剂只要为具有联苯芳烷基骨架且能够作为固化剂起作用的化合物，就没有特别限制。例如可列举：将联苯芳烷基骨架导入至酚化合物而成的化合物(联苯芳烷基型酚固化剂)、和将联苯芳烷基骨架导入至芳香族胺化合物而成的化合物(联苯芳烷基型胺固化剂)，优选联苯芳烷基型酚固化剂。
作为联苯芳烷基型酚固化剂，可列举具有下述通式(3)所表示的结构单元的化合物。
[化3]
Figure BDA0002806477520000091
通式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地表示氢原子或烷基。l、m和n各自独立地为大于或等于1的整数。Z为下述通式(4)中的任一个所表示的结构。
[化4]
Figure BDA0002806477520000092
通式(4)中，p和q各自独立地为0～2的整数。其中，通式(1)中的Z的至少一个具有羟基(p或q为1或2)。
通式(1)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地优选为氢原子或碳原子数1～4的烷基，更优选为氢原子。m和n各自独立地优选为1～4的整数，更优选为1或2，进一步优选为1。l优选为1或2。
通式(4)中，p和q各自独立地优选为1或2，更优选为1。
联苯芳烷基型酚固化剂可以为下述通式(5)所表示的化合物。
[化5]
Figure BDA0002806477520000101
通式(5)中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8以及l和p与通式(3)和通式(4)中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8以及l和p同样。
联苯芳烷基型固化剂的重均分子量(Mw)优选为400～2000，更优选为500～1700，进一步优选为800～1200。
另外，联苯芳烷基型固化剂的数均分子量(Mn)优选为200～1000，更优选为250～700，进一步优选为300～600。
本公开中，联苯芳烷基型固化剂的重均分子量和数均分子量是指与特定环氧树脂的重均分子量和数均分子量同样地操作而测定的值。
在联苯芳烷基型固化剂为酚固化剂时，羟基当量优选为120g/eq～200g/eq，更优选为125g/eq～170g/eq，进一步优选为130g/eq～150g/eq。
本公开中，联苯芳烷基型固化剂的羟基当量的测定依据JIS K0070：1992来进行。
联苯芳烷基型固化剂为胺固化剂时，活性氢当量优选为60g/eq～200g/eq，更优选为60g/eq～170g/eq，进一步优选为65g/eq～150g/eq。
本公开中，联苯芳烷基型固化剂的活性氢当量的测定是指依据JIS K7237：1995测定的值。
(2)含烯丙基/长链烷基的酚固化剂
含烯丙基/长链烷基的酚固化剂为酚醛树脂，该酚醛树脂具有：与芳香环的碳原子直接连接的烯丙基、或与芳香环的碳原子直接连接的碳原子数大于或等于4的非环状烷基。认为：该固化剂由于在常温(25℃)时为液态，因此对于降低固化物的弹性模量而言有效。
含烯丙基/长链烷基的酚固化剂中的酚醛树脂的结构没有特别限制，优选使单官能的酚化合物进行酚醛清漆化而成。酚醛树脂中的源自酚化合物的芳香环数没有特别限制，优选为2个～10个。
含烯丙基/长链烷基的酚固化剂中，与1个芳香环连接的烯丙基或碳原子数大于或等于4的非环状烷基的数量没有特别限制，优选为1个或2个，更优选为1个。另外，酚醛树脂中可以包含未与烯丙基或碳原子数大于或等于4的非环状烷基连接的芳香环。
含烯丙基/长链烷基的酚固化剂所具有的碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基可以具有分支或取代基。此时，分支或取代基所含的碳原子数不能包含在非环状烷基的“碳原子数”内。从充分发挥维持导热性并且降低储能模量的效果的观点考虑，碳原子数大于或等于4的非环状烷基优选不具有分支或取代基。
含烯丙基/长链烷基的酚固化剂所具有的碳原子数大于或等于4的非环状烷基的碳原子数只要大于或等于4，就没有特别限制。例如可以在4～20的范围内。
含烯丙基/长链烷基的酚固化剂中，烯丙基或碳原子数大于或等于4的非环状烷基与芳香环连接的位置没有特别限制。例如可以相对于与芳香环连接的羟基为邻位。在2个以上的烯丙基或碳原子数大于或等于4的非环状烷基与1个芳香环连接时，可以该二者均相对于羟基为邻位，也可以任一者相对于羟基为邻位。
含烯丙基/长链烷基的酚固化剂可以为具有下述通式(6)所表示的结构单元的酚醛树脂。
[化6]
Figure BDA0002806477520000111
通式(6)中，R各自独立地为烯丙基或碳原子数大于或等于4的非环状烷基。n为1或2，优选为1。
通式(6)中，R所表示的非环状烷基的碳原子数只要大于或等于4，就没有特别限制。例如可以在4～20的范围内。
含烯丙基/长链烷基的酚固化剂为具有通式(6)所表示的结构单元的酚醛树脂时，通式(6)所表示的结构单元的数量没有特别限制，优选1分子中为2个～10个。另外，酚醛树脂中可以包含未与烯丙基或碳原子数大于或等于4的非环状烷基连接的芳香环。
通式(6)所表示的结构单元中，与烯丙基或碳原子数大于或等于4的非环状烷基连接的位置没有特别限制。例如可以相对于与芳香环连接的羟基为邻位。另外，酚醛树脂中可以包含与烯丙基连接的芳香环和与碳原子数大于或等于4的非环状烷基连接的芳香环，酚醛树脂中也可以包含与烯丙基和碳原子数大于或等于4的非环状烷基连接的芳香环。
含烯丙基/长链烷基的酚固化剂的重均分子量(Mw)优选为200～2500，更优选为300～1800，进一步优选为400～1200。
另外，含烯丙基/长链烷基的酚固化剂的数均分子量(Mn)优选为100～1300，更优选为150～800，进一步优选为200～400。
本公开中，含烯丙基/长链烷基的酚固化剂的重均分子量和数均分子量是指与特定环氧树脂的重均分子量和数均分子量同样地操作而测定的值。
含烯丙基/长链烷基的酚固化剂的羟基当量优选为100g/eq～300g/eq，更优选为110g/eq～290g/eq，进一步优选为120g/eq～280g/eq。
本公开中，含烯丙基/长链烷基的酚固化剂的羟基当量的测定依据JIS K0070：1992来进行。
树脂组合物包含特定固化剂时，作为固化剂，可以仅包含特定固化剂，也可以包含特定固化剂和不属于特定固化剂的固化剂。
树脂组合物包含特定固化剂和不属于特定固化剂的固化剂时，特定固化剂在固化剂整体中所占的比例优选大于或等于50质量％，更优选大于或等于70质量％，进一步优选大于或等于80质量％。
树脂组合物包含联苯芳烷基型固化剂作为特定固化剂时，优选与羟基当量小于或等于120g/eq的酚固化剂和活性氢当量小于或等于120g/eq的胺固化剂中的至少一种固化剂并用。从保存稳定性的观点考虑，更优选与羟基当量小于或等于120g/eq的酚固化剂并用。
羟基当量小于或等于120g/eq的酚固化剂的种类没有特别限制。例如可以使用上述酚固化剂中羟基当量小于或等于120g/eq的酚固化剂。其中，优选使酚化合物进行酚醛清漆化而得的酚醛树脂，更优选使二官能的酚化合物进行酚醛清漆化而得的酚醛树脂，进一步优选使两种以上的二官能的酚化合物进行酚醛清漆化而得的酚醛树脂，特别优选邻苯二酚间苯二酚酚醛清漆树脂。
本公开中，酚固化剂的羟基当量是指依据JIS K0070：1992测定的值。
活性氢当量小于或等于120g/eq的胺固化剂的种类没有特别限制。例如可以使用上述胺固化剂中活性氢当量小于或等于120g/eq的胺固化剂。
本公开中，胺固化剂的活性氢当量是指依据JIS K7237：1995测定的值。
(固化促进剂)
树脂组合物可以包含固化促进剂。通过将固化促进剂与树脂并用，能够使树脂进一步充分固化。固化促进剂的种类和含有率没有特别限制，可以从反应速度、反应温度和保管性的观点考虑选择适当的固化促进剂。
作为固化促进剂，具体而言，可列举咪唑化合物、叔胺化合物、有机膦化合物、有机膦化合物与有机硼化合物的络合物等。其中，从耐热性的观点考虑，优选为选自由有机膦化合物、和有机膦化合物与有机硼化合物的络合物组成的组中的至少一种。
作为有机膦化合物，具体而言，可列举：三苯基膦、二苯基(对甲苯基)膦、三(烷基苯基)膦、三(烷氧基苯基)膦、三(烷基/烷氧基苯基)膦、三(二烷基苯基)膦、三(三烷基苯基)膦、三(四烷基苯基)膦、三(二烷氧基苯基)膦、三(三烷氧基苯基)膦、三(四烷氧基苯基)膦、三烷基膦、二烷基芳基膦、烷基二芳基膦等。
另外，作为有机膦化合物与有机硼化合物的络合物，具体而言，可列举四苯基
Figure BDA0002806477520000131
四苯基硼酸盐、四苯基
Figure BDA0002806477520000133
四对甲苯基硼酸盐、四丁基
Figure BDA0002806477520000134
四苯基硼酸盐、四苯基
Figure BDA0002806477520000132
正丁基三苯基硼酸盐、丁基三苯基
Figure BDA0002806477520000135
四苯基硼酸盐、甲基三丁基
Figure BDA0002806477520000136
四苯基硼酸盐等。固化促进剂可以单独使用一种，也可以组合两种以上。
树脂组合物包含固化促进剂时，树脂组合物中的固化促进剂的含有率没有特别限制。例如，固化促进剂的含有率优选为树脂的合计质量的0.2质量％～3.0质量％，更优选为0.3质量％～2.0质量％，进一步优选为0.4质量％～1.5质量％。
(导热性填料)
树脂组合物可以包含导热性填料。导热性填料可以为非导电性也可以为导电性。通过使用非导电性的导热性填料，有抑制绝缘性降低的倾向。另外，通过使用导电性的导热性填料，有导热性更加提高的倾向。
作为非导电性的导热性填料，具体而言，可列举：氧化铝(三氧化二铝)、氧化镁、氮化铝、氮化硼、氮化硅、硅石(二氧化硅)、氧化硅、氢氧化铝、硫酸钡等。另外，作为导电性的导热性填料，可列举金、银、镍、铜、石墨等。其中，从导热率的观点考虑，作为导热性填料，优选为选自由氧化铝(三氧化二铝)、氮化硼、氧化镁、氮化铝、硅石(二氧化硅)和石墨组成的组中的至少一种，更优选为选自由氮化硼和氧化铝(三氧化二铝)组成的组中的至少一种。导热性填料可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。例如，可以组合使用氧化铝与氮化硼作为导热性填料。
关于导热性填料，优选将两种以上的体积平均粒径相互不同的导热性填料混合使用。由此，通过小粒径的导热性填料被装填在大粒径的导热性填料的空隙中，从而与仅使用单一粒径的导热性填料的情况相比，导热性填料可更紧密地填充，因此能够发挥更高导热率。
例如，并用氮化硼和氧化铝作为导热性填料时，通过在导热性填料中以60体积％～95体积％范围的比例混合体积平均粒径20μm～100μm的氮化硼、以5体积％～40体积％范围的比例混合体积平均粒径0.3μm～4μm的氧化铝，能够实现更高导热化。
导热性填料的体积平均粒径(D50)可以使用激光衍射法进行测定。例如，将树脂组合物中的导热性填料提取出，并使用激光衍射散射粒度分布测定装置(例如BECKMANCOULTER公司，商品名：LS230)进行测定。具体而言，使用有机溶剂、硝酸、王水等将导热性填料从树脂组合物中提取出，使用超声波分散机等充分分散后，测定该分散液的体积累积粒度分布曲线。
体积平均粒径(D50)是指在由上述测定获得的体积累积粒度分布曲线中从小径侧起累积成为50％时的粒径。
树脂组合物包含导热性填料时，导热性填料的含有率没有特别限制。其中，从导热性的观点考虑，将树脂组合物的固体成分的总体积设为100体积％时，导热性填料的含有率优选超过40体积％，更优选超过50体积％且小于或等于90体积％，进一步优选为55体积％～80体积％。
如果导热性填料的含有率超过50体积％，则有能够实现更高导热率的倾向。另一方面，如果导热性填料的含有率小于或等于90体积％，则有抑制树脂组合物的固化物的柔软性降低和绝缘性降低的倾向。
树脂组合物包含导热性填料时，导热性填料的质量基准的含有率优选为30质量％～80质量％，更优选为35质量％～65质量％，进一步优选为40质量％～60质量％。
(硅烷偶联剂)
树脂组合物可以包含至少一种硅烷偶联剂。可认为硅烷偶联剂发挥如下作用：在导热性填料的表面与包围其周围的树脂之间形成共价键的作用(相当于粘合剂)；提高导热性、以及通过妨碍水分侵入而提高绝缘可靠性的作用。
作为硅烷偶联剂的种类，没有特别限定，可以使用市售物。考虑到树脂与固化剂的相溶性、和降低在树脂与导热性填料的界面处的导热耗损时，本公开中，适合使用末端具有环氧基、氨基、巯基、脲基或羟基的硅烷偶联剂。
作为硅烷偶联剂的具体例，可列举：3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-(2-氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基)氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、3-脲基丙基三乙氧基硅烷等。另外，也可列举以商品名：SC-6000KS2为代表的硅烷偶联剂低聚物(日立化成Techno Service株式会社)等。这些硅烷偶联剂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。
树脂组合物包含硅烷偶联剂时，树脂组合物中的硅烷偶联剂的含有率没有特别限制。硅烷偶联剂的含有率优选为根据需要而使用的环氧树脂与固化剂的合计质量的0.01质量％～0.2质量％，更优选为0.03质量％～0.1质量％。
(其他成分)
根据需要，树脂组合物除了上述成分以外还可以包含其他成分。
作为其他成分，可列举溶剂、弹性体、分散剂、防沉降剂等。
<树脂组合物(第2实施方式)>
本实施方式的树脂组合物为含有环氧树脂(特定环氧树脂)的树脂组合物，该环氧树脂包含碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基。
根据本发明人等的研究结果得知，通过树脂组合物包含特定环氧树脂，能够维持固化状态下的导热率并且降低储能模量。因此，通过使用该树脂组合物，能够维持充分的导热率并且形成连接可靠性优异的树脂构件。
关于本实施方式的树脂组合物的详细内容和优选方式，可以参照上述第1实施方式的树脂组合物的详细内容和优选方式。
(树脂组合物的用途)
树脂组合物的用途没有特别限制。本公开的树脂组合物由于在固化状态下的导热性优异且储能模量低，因此能够特别适合地用作用于形成树脂构件的材料，该树脂构件被配置于电子部件装置的容易成为高温或容易发生翘曲的部分。具体而言，能够适合地作为用于使从发热装置向散热器的导热效率化的热界面材料(TIM)、功率模块的散热片等使用。
<树脂构件>
本公开的树脂构件包含本公开的树脂组合物的固化物。
树脂组合物的用途没有特别限制。本公开的树脂构件由于导热性优异且储能模量低，因此能够特别适合地用作树脂构件，该树脂构件被配置于电子部件装置的容易成为高温或容易发生翘曲的部分。
具体而言，能够适合地作为用于使从发热装置向散热器的导热效率化的热界面材料(TIM)、功率模块的散热片等使用。
<树脂片>
本公开的树脂片包含本公开的树脂组合物。
树脂片的密度没有特别限制，例如可以设为3.0g/cm2～3.4g/cm2。考虑到兼顾树脂片的柔软性与导热率时，优选为3.0g/cm2～3.3g/cm2，更优选为3.1g/cm2～3.3g/cm2。
树脂片的密度例如可以通过树脂组合物中的导热性填料的配合量来调整。
树脂片的厚度没有特别限制，可以根据目的来适当选择。例如，树脂片的厚度可以设为10μm～350μm，从导热率、电绝缘性和片可挠性的观点考虑，优选为50μm～300μm。树脂片等的厚度可以通过公知的方法进行测定。在树脂片的厚度并非一定时，设为在5点处测定的值的算术平均值。
本公开的树脂片的制造方法没有特别限定。例如可以如下制造：添加甲基乙基酮、环己酮等有机溶剂而调制清漆状的树脂组合物(以下也称为“树脂清漆”)，通过分配器等将该清漆状的树脂组合物赋予至支撑体上而形成树脂组合物的层后，通过干燥从树脂组合物的层将有机溶剂的至少一部分除去。
干燥方法只要能够将树脂清漆中所含的有机溶剂的至少一部分除去，就没有特别限制，可以根据树脂清漆中所含的有机溶剂的种类、含量等而从通常使用的干燥方法中适当选择。
树脂片几乎未进行固化反应。因此，虽然具有可挠性，但缺乏作为片的柔软性。因此，在将PET膜等支撑体除去的状态下，有时会缺乏片自支撑性而难以处理。因此，树脂片优选进一步进行热处理而成，直到构成其的树脂组合物成为半固化状态为止。
这里，使树脂组合物干燥而得的树脂片也称为A阶片。另外，对A阶片进一步进行热处理而得的半固化状态的树脂片也称为B阶片，对A阶片或B阶片进一步进行热处理而得的固化状态的片也称为C阶片。需要说明的是，关于A阶、B阶、和C阶，参照JIS K6900：1994的规定。
<B阶片>
本公开的B阶片包含本公开的树脂片的半固化物。
B阶片例如可以通过包含对树脂片进行热处理直到B阶状态为止的工序的制造方法来制造。通过对树脂片进行热处理，能够获得导热率和电绝缘性优异且可挠性和可使用时间优异的B阶片。
树脂片的半固化物是指树脂片的粘度在常温(25℃)时为104Pa·s～105Pa·s、在100℃时为102Pa·s～103Pa·s的状态。需要说明的是，上述粘度通过动态粘弹性测定(频率1Hz、荷重40g、升温速度3℃/分钟)进行测定。
关于对树脂片进行热处理的条件，只要能够使树脂组合物半固化至B阶状态，就没有特别限制，可以根据树脂组合物的构成来适当选择。从减少在涂布树脂清漆时产生的树脂片中的空隙(孔隙)的目的出发，热处理优选通过选自热真空压制、热辊层压等的方法来进行。由此，能够高效地制造表面平坦的B阶片。
具体而言，例如在减压下(例如1MPa)、温度50℃～180℃，以1MPa～30MPa的压制压力进行1秒～3分钟的加热和加压处理，从而能够使树脂组合物半固化成B阶状态。
B阶片的厚度可以根据目的来适当选择。例如可以设为10μm～350μm，从导热率、电绝缘性和可挠性的观点考虑，优选为50μm～300μm。另外，也可以通过一边将2层以上的树脂片层叠一边进行热压来制作B阶片。
<C阶片>
本公开的C阶片包含本公开的树脂片的固化物。
C阶片例如可以通过包含对A阶片或B阶片进行热处理直到C阶状态为止的工序的制造方法来制造。
关于对A阶片或B阶片进行热处理的条件，只要能够使A阶片或B阶片固化至C阶状态，就没有特别限制，可以根据树脂组合物的构成来适当选择。从抑制C阶片中的孔隙产生并提高C阶片的耐电压性的观点考虑，热处理优选通过热真空压制等热处理方法来进行。由此，能够高效地制造平坦的C阶片。
具体而言，例如通过在加热温度100℃～250℃以1MPa～20MPa进行1分钟～30分钟的加热压制处理，能够使A阶片或B阶片固化成C阶状态。加热温度优选为130℃～230℃，更优选为150℃～220℃。
C阶片的厚度可以根据目的来适当选择，例如可以设为10μm～350μm，从导热率、电绝缘性和片可挠性的观点考虑，优选为50μm～300μm。另外，也可以通过在将2层以上的树脂片或B阶片层叠的状态下进行热压来制作C阶片。
<带树脂的金属箔>
本公开的带树脂的金属箔具备：金属箔；以及配置于金属箔上的本公开的树脂片的半固化物。带树脂的金属箔通过具有本公开的树脂片的半固化物，从而导热性优异。树脂片的半固化物可以通过对A阶状态的树脂片进行热处理直到成为B阶状态为止而获得。
作为金属箔，没有特别限制，可列举金箔、铜箔、铝箔等，一般而言使用铜箔。
作为金属箔的厚度，可列举1μm～35μm，从可挠性的观点考虑，优选小于或等于20μm。
另外，作为金属箔，可列举：以镍、镍-磷合金、镍-锡合金、镍-铁合金、铅、铅-锡合金等为中间层并在其两面设置铜层而成的3层结构的复合箔；将铝箔与铜箔复合而成的2层结构的复合箔等。在中间层的两面设置铜层而成的3层结构的复合箔中，优选将其中一个铜层的厚度设为0.5μm～15μm并将另一个铜层的厚度设为10μm～300μm。
带树脂的金属箔可以如下制造：通过将树脂组合物(优选为树脂清漆)赋予至金属箔上并干燥而形成树脂片，对其进行热处理而制成B阶状态。树脂片的形成方法如上所述。
带树脂的金属箔的制造条件没有特别限制，优选在干燥后的树脂片中，树脂清漆中所使用的有机溶剂的大于或等于80质量％已挥发。作为干燥温度，没有特别限制，优选80℃～180℃程度。作为干燥时间，可以根据与树脂清漆的凝胶化时间的均衡来适当选择。关于树脂清漆的赋予量，优选以使干燥后的树脂片的厚度成为50μm～350μm的方式赋予，更优选成为60μm～300μm。
干燥后的树脂片通过进一步进行热处理而成为B阶状态。对树脂片进行热处理的条件与B阶片的热处理条件同样。
<金属基板>
本公开的金属基板具备：金属支撑体；配置于金属支撑体上的本公开的树脂片的固化物；以及配置于固化物上的金属箔。金属基板具有本公开的树脂片的固化物，因此本公开的金属基板的导热率优异。
金属支撑体可以根据目的来适当选择其材料、厚度等。具体而言，可以使用铝、铁等金属并将厚度设为0.5mm～5mm。
金属基板中的金属箔可以使用与在带树脂的金属箔中说明的金属箔同样的金属箔，优选方式也同样。
本公开的金属基板例如可以如下制造。通过将树脂组合物赋予至金属支撑体上并干燥而形成树脂片，进一步将金属箔配置于树脂片上，对其进行热处理和加压处理从而使树脂片固化，由此能够制造金属基板。作为将树脂片赋予至金属支撑体上并干燥的方法，可以使用与在带树脂的金属箔中说明的方法同样的方法。另外，也可以如下制造金属基板：将带树脂的金属箔以使树脂片的半固化物与金属支撑体相对的方式贴合在金属支撑体上后，对其进行热处理和加压处理从而使树脂片的半固化物固化，由此制造金属基板。
<功率半导体装置>
本公开的功率半导体装置具备：半导体模块，由金属板、焊料层和半导体芯片依次层叠而成；散热构件；以及配置于半导体模块的金属板与散热构件之间的本公开的树脂片的固化物。
功率半导体装置可以仅半导体模块部分利用密封材料等进行了密封，也可以功率半导体模块整体利用模塑树脂等进行了模塑。以下使用附图来说明功率半导体装置的例子。
图1是表示功率半导体装置的构成的一例的概略截面图。图1中，在依次层叠有金属板106、焊料层110和半导体芯片108的半导体模块中，在金属板106与散热基底基板104之间配置有树脂片的固化物102，且半导体模块的一部分利用密封材料114进行了密封。
另外，图2是表示功率半导体装置的构成的另一例的概略截面图。图2中，在依次层叠有金属板106、焊料层110和半导体芯片108的半导体模块中，在金属板106与散热基底基板104之间配置有树脂片的固化物102，且半导体模块和散热基底基板104利用模塑树脂112进行了模塑。
如此，本公开的树脂片的固化物能够如图1所示用作半导体模块与散热基底基板之间的散热性的粘接层。另外，即使像图2那样对功率半导体装置整体进行模塑成形的情况下，也能够用作散热基底基板与金属板之间的散热材料。
实施例
以下通过实施例来具体说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。以下示出调制树脂组合物时所使用的材料及其简称。
(环氧树脂)
·环氧树脂1：YL6121H[联苯型环氧单体，三菱化学株式会社，环氧当量：172g/eq]
·环氧树脂2：[4-{4-(2,3-环氧丙氧基)苯基}环己基＝4-(2,3-环氧丙氧基)苯甲酸酯，环氧当量：212g/eq，通过日本特开2011-74366号公报中所记载的方法调制的具有下述结构的介晶结构的环氧树脂]
[化11]
Figure BDA0002806477520000211
·环氧树脂3…通式(1)中m为6的环氧树脂(n＝1～20，环氧当量：1124g/eq)
·环氧树脂4…通式(2)中m为4的环氧树脂(n＝1～20，环氧当量：440g/eq)
·固化剂1…联苯芳烷基型固化剂[MEHC-7403H，明和化成株式会社，羟基当量：136g/eq]
·固化剂2…通过下述方法合成的邻苯二酚间苯二酚酚醛清漆树脂(CRN)
·固化剂3…具有与芳香环的碳原子直接连接的烯丙基的苯酚酚醛清漆树脂[MEH8000S，明和化成株式会社，羟基当量：140g/eq]
·固化剂4…具有与芳香环的碳原子直接连接的碳原子数大于或等于4的烷基的苯酚酚醛清漆树脂[ELPC80S，群荣化学株式会社，羟基当量：213g/eq]
(CRN的合成方法)
在具备搅拌机、冷却器和温度计的3L分离式烧瓶中，加入间苯二酚627g、邻苯二酚33g、37质量％甲醛水溶液316.2g、草酸15g、水300g，在油浴中加热并升温至100℃。在104℃前后回流，并在回流温度持续反应4小时。然后，一边将水蒸馏除去一边将烧瓶内的温度升温至170℃。一边保持170℃一边持续反应8小时。反应后，在减压下进行浓缩20分钟，将系统内的水等除去，获得作为目标物的邻苯二酚间苯二酚酚醛清漆树脂(CRN)(质量基准的加入比：邻苯二酚/间苯二酚＝5/95，含有50质量％环己酮)。
所获得的CRN包含未反应的单体成分(间苯二酚)35质量％，羟基当量：62g/eq，数均分子量：422，重均分子量：564。
(导热性填料)
·AΑ-04[氧化铝粒子，住友化学株式会社，D50：0.4μm]
·HP-40[氮化硼粒子，水岛合金铁株式会社，D50：40μm]
(固化促进剂)
·固化促进剂1：三苯基膦[富士胶片和光纯药株式会社]
·固化促进剂2：三烷基膦的对苯二酚加成物
(硅烷偶联剂)
·KBM-573：N-苯基-3氨基丙基三甲氧基硅烷[信越化学工业株式会社，商品名]
(溶剂)
·CHN：环己酮
(支撑体)
·PET膜[帝人FILM SOLUTIONS株式会社，商品名：A53，厚度50μm]
·铜箔[古河电气工业株式会社，厚度：105μm，GTS级]
<比较例1>
(树脂组合物的调制)
将2.12质量％的环氧树脂1、10.72质量％的环氧树脂2、2.60质量％的固化剂1、5.19质量％的固化剂2、作为固化促进剂的0.14质量％的固化促进剂1、作为导热性填料的39.39质量％的HP-40和4.87质量％的AΑ-04、作为添加剂的0.04质量％的KBM-573以及作为溶剂的34.94质量％的CHN进行混合，调制清漆状的树脂组合物。
将氮化硼(HP-40)的密度设为2.20g/cm3，将氧化铝(AA-04)的密度设为3.98g/cm3，并将树脂(环氧树脂与固化剂的混合物)的密度设为1.20g/cm3，算出导热性填料相对于树脂组合物的全部固体成分的总体积的比例，结果为56体积％。
(评价用的C阶片的制作)
使用分配器(武藏ENGINEERING株式会社的商品名：SHOTMASTER300DS-S)，以使干燥后的树脂片的大小成为50mm×50mm、厚度成为200μm的方式，将树脂组合物赋予至铜箔的粗糙化面上。然后，使用烘箱(ESPEC公司的商品名：SPHH-201)在常温(20℃～30℃)使其干燥5分钟，进一步在130℃使其干燥5分钟。
然后，将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜设置于干燥后的树脂片上，通过真空压制来进行热压(压制温度：150℃，真空度：1kPa，压制压力：10MPa，加压时间：1分钟)，将带铜箔的树脂片制成B阶状态。
接着，从B阶状态的带铜箔的树脂片将PET膜剥离，并将同样地制作的带铜箔的树脂片以使树脂片相对的方式配置于其上。在该状态下，通过真空压制来进行真空热压接(压制温度：150℃，真空度：1kPa，压制压力：10MPa，加压时间：30分钟)。然后，在大气压条件下，在150℃加热2小时，在210℃加热4小时，从而获得带铜箔的C阶片。
(导热率的测定)
将所制作的带铜箔的C阶片的铜箔蚀刻除去，获得C阶片。将所获得的C阶片切成纵10mm、横10mm，获得试样。通过石墨喷雾对试样进行黑化处理后，通过氙闪光法(NETZSCH公司的商品名：LFA447 nanoflash)来评价热扩散率。由该值、通过阿基米德法测定的密度、与通过DSC(差示扫描量热测定装置：Perkin Elmer公司的商品名：DSC Pyris1)测定的比热的乘积，求出C阶片的厚度方向的导热率。结果如表1所示。
(储能模量的测定)
将所制作的带铜箔的C阶片的铜箔蚀刻除去，获得C阶片。将所获得的C阶片切成纵30mm、横5mm，获得试样。使用动态粘弹性测定装置(TA Instruments公司，商品名RSA II)，通过拉伸试验，在频率：10Hz、升温速度5℃/分钟、25℃～300℃的条件下进行测定，求出30℃的弹性模量(储能模量)。结果如表1所示。
(连接可靠性的评价)
使用搭载有半导体芯片的基板(MCL-E-700G(R)，0.81mm，日立化成株式会社)、底部填充材(CEL-C-3730N-2，日立化成株式会社)、作为密封材的有机硅系粘接剂(SE4450，东丽道康宁株式会社)，制作用于评价连接可靠性的简易封装体。另外，作为散热件，使用厚度为1mm且利用镍对铜的表面进行镀覆处理而得的散热件。将基板和散热件的尺寸设为45mm，将半导体芯片的尺寸设为20mm。
使用分配器(SHOTMASTER300DS-S，武藏ENGINEERING株式会社)，以成为30mm×30mm、厚度200μm的方式，将实施例和比较例中调制的树脂组合物赋予至散热件上。使用高精度加压/加热接合装置(HTB-MM，ALPHA DESIGN株式会社)，以加热板温度150℃、1MPa加热加压3分钟，然后在150℃的恒温槽中处理2小时，使密封材和树脂组合物完全固化，从而制作图3所示构成的简易封装体。接着，进行回流试验(260℃，300秒，3次)。
使用超声波图像诊断装置(Insight-300，Insight株式会社制)，在反射法、35MHz的条件下观察回流试验后的简易封装体。进一步，通过图像解析软件(ImageJ)将该图像二值化，将20mm见方的芯片部分中树脂组合物的固化物粘贴于散热件的面积、树脂组合物的固化物粘贴于晶片的面积的比例设为粘接面积(％)。依照下述基准来评价结果。
OK…回流试验后的粘接面积大于或等于95％
NG…回流试验后的粘接面积小于95％
<比较例2>
(树脂组合物的调制)
将3.39质量％的环氧树脂1、17.13质量％的环氧树脂2、2.36质量％的固化剂1、10.61质量％的固化剂2、作为固化促进剂的0.26质量％的固化促进剂1、作为导热性填料的36.97质量％的HP-40和4.57质量％的AΑ-04、作为添加剂的0.04质量％的KBM-573以及作为溶剂的24.67质量％CHN进行混合，从而调制清漆状的树脂组合物。
将氮化硼(HP-40)的密度设为2.20g/cm3，将氧化铝(AA-04)的密度设为3.98g/cm3，并将树脂(环氧树脂与固化剂的混合物)的密度设为1.20g/cm3，算出导热性填料相对于树脂组合物的全部固体成分的总体积的比例，结果为40体积％。
(评价)
除了将压制压力变更为1MPa以外，与比较例1同样地操作而制作C阶片，并测定导热率和储能模量。另外，与比较例1同样地操作而制作封装体，并评价连接可靠性。结果如表1所示。
<实施例1>
(树脂组合物的调制)
将17.14质量％的环氧树脂3、0.37质量％的固化剂1、1.67质量％的固化剂2、作为固化促进剂的0.15质量％的固化促进剂1、作为导热性填料的41.48质量％的HP-40和5.13质量％的AΑ-04、作为添加剂的0.05质量％的KBM-573以及作为溶剂的34.01质量％的CHN进行混合，从而调制清漆状的树脂组合物。
将氮化硼(HP-40)的密度设为2.20g/cm3，将氧化铝(AA-04)的密度设为3.98g/cm3，并将树脂(环氧树脂与固化剂的混合物)的密度设为1.20g/cm3，算出导热性填料相对于树脂组合物的全部固体成分的总体积的比例，结果为56体积％。
(评价)
除了将压制压力变更为1MPa以外，与比较例1同样地操作而制作C阶片，并测定导热率和储能模量。另外，与比较例1同样地操作而制作封装体，并评价连接可靠性。结果如表1所示。
<实施例2>
(树脂组合物的调制)
将17.61质量％的环氧树脂3、2.13质量％的固化剂3、作为固化促进剂的0.16质量％的固化促进剂1、作为导热性填料的43.12质量％的HP-40和5.33质量％的AΑ-04、作为添加剂的0.05质量％的KBM-573以及作为溶剂的31.59质量％的CHN进行混合，从而调制清漆状的树脂组合物。
将氮化硼(HP-40)的密度设为2.20g/cm3，将氧化铝(AA-04)的密度设为3.98g/cm3，并将树脂(环氧树脂与固化剂的混合物)的密度设为1.20g/cm3，算出导热性填料相对于树脂组合物的全部固体成分的总体积的比例，结果为56体积％。
(评价)
除了将压制压力变更为1MPa以外，与比较例1同样地操作而制作C阶片，并测定导热率和储能模量。另外，与比较例1同样地操作而制作封装体，并评价连接可靠性。结果如表1所示。
<实施例3>
(树脂组合物的调制)
将16.60质量％的环氧树脂3、3.15质量％的固化剂4、作为固化促进剂的0.16质量％的固化促进剂1、作为导热性填料的43.12质量％的HP-40和5.33质量％的AΑ-04、作为添加剂的0.05质量％的KBM-573以及作为溶剂的31.59质量％的CHN进行混合，从而调制清漆状的树脂组合物。
将氮化硼(HP-40)的密度设为2.20g/cm3，将氧化铝(AA-04)的密度设为3.98g/cm3，并将树脂(环氧树脂与固化剂的混合物)的密度设为1.20g/cm3，算出导热性填料相对于树脂组合物的全部固体成分的总体积的比例，结果为56体积％。
(评价)
除了将压制压力变更为1MPa以外，与比较例1同样地操作而制作C阶片，并测定导热率和储能模量。另外，与比较例1同样地操作而制作封装体，并评价连接可靠性。结果如表1所示。
<实施例4>
(树脂组合物的调制)
将14.88质量％的环氧树脂4、0.82质量％的固化剂1、3.70质量％的固化剂2、作为固化促进剂的0.15质量％的固化促进剂2、作为导热性填料的41.48质量％的HP-40和5.13质量％的AΑ-04、作为添加剂的0.05质量％的KBM-573以及作为溶剂的33.79质量％的CHN进行混合，从而调制清漆状的树脂组合物。
将氮化硼(HP-40)的密度设为2.20g/cm3，将氧化铝(AA-04)的密度设为3.98g/cm3，并将树脂(环氧树脂与固化剂的混合物)的密度设为1.20g/cm3，算出导热性填料相对于树脂组合物的全部固体成分的总体积的比例，结果为56体积％。
(评价)
除了将压制压力变更为1MPa以外，与比较例1同样地操作而制作C阶片，并测定导热率和储能模量。另外，与比较例1同样地操作而制作封装体，并评价连接可靠性。结果如表1所示。
<实施例5>
(树脂组合物的调制)
将14.98质量％的环氧树脂4、4.77质量％的固化剂3、作为固化促进剂的0.16质量％的固化促进剂2、作为导热性填料的43.12质量％的HP-40和5.33质量％的AΑ-04、作为添加剂的0.05质量％的KBM-573以及作为溶剂的31.59质量％的CHN进行混合，从而调制清漆状的树脂组合物。
将氮化硼(HP-40)的密度设为2.20g/cm3，将氧化铝(AA-04)的密度设为3.98g/cm3，并将树脂(环氧树脂与固化剂的混合物)的密度设为1.20g/cm3，算出导热性填料相对于树脂组合物的全部固体成分的总体积的比例，结果为56体积％。
(评价)
除了将压制压力变更为1MPa以外，与比较例1同样地操作而制作C阶片，并测定导热率和储能模量。另外，与比较例1同样地操作而制作封装体，并评价连接可靠性。结果如表1所示。
<实施例6>
(树脂组合物的调制)
将13.30质量％的环氧树脂4、6.44质量％的固化剂4、作为固化促进剂的0.16质量％的固化促进剂2、作为导热性填料的43.12质量％的HP-40和5.33质量％的AA-04、作为添加剂的0.05质量％的KBM-573以及作为溶剂的31.60质量％的CHN进行混合，从而调制清漆状的树脂组合物。
将氮化硼(HP-40)的密度设为2.20g/cm3，将氧化铝(AA-04)的密度设为3.98g/cm3，并将树脂(环氧树脂与固化剂的混合物)的密度设为1.20g/cm3，算出导热性填料相对于树脂组合物的全部固体成分的总体积的比例，结果为56体积％。
(评价)
除了将压制压力变更为1MPa以外，与比较例1同样地操作而制作C阶片，并测定导热率和储能模量。另外，与比较例1同样地操作而制作封装体，并评价连接可靠性。结果如表1所示。
[表1]
比较例1 比较例2 实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6
导热率[W/(m·K)] 10 3 8 8 8 9 9 9
储能模量[GPa] 10 6 2 1 1 0.8 0.5 0.2
连接可靠性 NG OK OK OK OK OK OK OK
如表1所示，使用了具有介晶结构的环氧树脂的比较例1中，树脂组合物的固化物虽然具有充分的导热率，但储能模量高，连接可靠性未超过基准。
与比较例1相比减少了填料量的比较例2中，储能模量低于比较例1，连接可靠性超过了基准，但未获得充分的导热率。
使用了具有碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基的环氧树脂的实施例1～6中，树脂组合物的固化物均具有充分的导热率且连接可靠性超过了基准。
本说明书所记载的全部文献、专利申请和技术标准，与具体且分别记载了通过参照而引入各个文献、专利申请和技术标准的情况相同程度地，通过参照而引入本说明书中。
符号说明
102：树脂片的固化物、104：散热基底基板、106：金属板、108：半导体芯片、110：焊料层、112：模塑树脂、114：密封材。

Claims (12)

1.一种树脂组合物，其在固化状态下的导热率大于或等于5W/(m·K)，且储能模量小于或等于8GPa。
2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其含有热固性树脂。
3.根据权利要求1或2所述的树脂组合物，其含有环氧树脂，所述环氧树脂包含碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的树脂组合物，其含有酚醛树脂，所述酚醛树脂具有：与芳香环的碳原子直接连接的烯丙基、或与芳香环的碳原子直接连接的碳原子数大于或等于4的烷基。
5.一种树脂组合物，其含有环氧树脂，所述环氧树脂包含碳原子数大于或等于4的非环状亚烷基。
6.一种树脂构件，其包含权利要求1～5中任一项所述的树脂组合物的固化物。
7.一种树脂片，其包含权利要求1～5中任一项所述的树脂组合物。
8.一种B阶片，其包含权利要求7所述的树脂片的半固化物。
9.一种C阶片，其包含权利要求7所述的树脂片的固化物。
10.一种带树脂的金属箔，其具备：金属箔；以及配置于所述金属箔上的权利要求7所述的树脂片的半固化物。
11.一种金属基板，其具备：金属支撑体；配置于所述金属支撑体上的权利要求7所述的树脂片的固化物；以及配置于所述固化物上的金属箔。
12.一种功率半导体装置，其具备：半导体模块，由金属板、焊料层和半导体芯片依次层叠而成；散热构件；以及配置于所述半导体模块的所述金属板与所述散热构件之间的权利要求7所述的树脂片的固化物。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7555262B2 (ja) * 2020-12-22 2024-09-24 日立Astemo株式会社 電気回路体および電力変換装置
TWI772106B (zh) * 2021-07-14 2022-07-21 福思材料股份有限公司 導熱材料

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011124078A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁シート、積層構造体及び積層構造体の製造方法
CN102656285A (zh) * 2009-12-16 2012-09-05 迈图专业化学股份有限公司 用于制备复合物的组合物，以及使用该组合物制备的复合物
JP2013053180A (ja) * 2011-08-31 2013-03-21 Hitachi Chemical Co Ltd 樹脂組成物、樹脂シート、プリプレグシート、樹脂硬化物シート、構造体、および動力用又は光源用半導体デバイス
CN105027278A (zh) * 2013-03-07 2015-11-04 住友电木株式会社 装置、粘合剂用组合物、粘合片

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011037981A (ja) 2009-08-10 2011-02-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置
JP5913884B2 (ja) 2011-09-27 2016-04-27 積水化学工業株式会社 絶縁材料及び積層構造体
WO2014115456A1 (ja) * 2013-01-22 2014-07-31 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物、熱伝導性層及び半導体装置
JP2014202822A (ja) 2013-04-02 2014-10-27 積水化学工業株式会社 液晶表示素子の製造方法及び接合材料
JP2016060744A (ja) * 2014-09-12 2016-04-25 積水化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤
TWI710595B (zh) * 2014-12-08 2020-11-21 日商昭和電工材料股份有限公司 環氧樹脂組成物、樹脂薄片、預浸體、附有樹脂的金屬箔、金屬基板、及電力半導體裝置
CN107406678B (zh) * 2015-03-02 2020-08-04 信越化学工业株式会社 热传导性硅酮组合物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011124078A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁シート、積層構造体及び積層構造体の製造方法
CN102656285A (zh) * 2009-12-16 2012-09-05 迈图专业化学股份有限公司 用于制备复合物的组合物，以及使用该组合物制备的复合物
JP2013053180A (ja) * 2011-08-31 2013-03-21 Hitachi Chemical Co Ltd 樹脂組成物、樹脂シート、プリプレグシート、樹脂硬化物シート、構造体、および動力用又は光源用半導体デバイス
CN105027278A (zh) * 2013-03-07 2015-11-04 住友电木株式会社 装置、粘合剂用组合物、粘合片

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