CN112133817A - 一种多芯片封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及照明技术领域，具体涉及一种多芯片封装结构，包括散热底座以及与散热底座连接的封装座；所述封装座内设有多个发光芯片；所述散热底座内设有循环水槽；所述循环水槽内设有冷却液；所述散热底座设有与循环水槽连通的散热水槽；所述散热水槽设于发光芯片的底部；所述散热底座内设有第一通风槽；所述发光芯片设有与第一通风槽连通的第二通风槽；所述封装座设有与第二通风槽连通的第三通风槽。本发明通过在散热底座设置冷却液以及第一通风槽，能够大大地提高了多芯片封装结构的散热效果。
Description
技术领域
本发明涉及照明技术领域，具体涉及一种多芯片封装结构。
背景技术
与传统光源相比LED具有体积小、重量轻、结构坚固、工作电压低、使用寿命长以及节能环保等优点，近年来在许多领域特别是照明领域得到了广泛的应用。
然而，LED灯的散热是一个突出性问题，散热不好会导致LED结温上升，进而导致发热量大、发光效率低以及使用寿命降低等问题。
LED灯的温升受多方面的影响，除了LED发光元件的自身性能外，LED基板的散热能力是一个的重要因素，其次是LED封装的导热性能和LED灯的对外散热性能，特别对于多芯片的封装，由于工作效率大，发热量大并且难以进行散热。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中的上述不足，提供了一种多芯片封装结构，保持光效并且散热效果优秀。
本发明的目的通过以下技术方案实现：一种多芯片封装结构，包括散热底座以及与散热底座连接的封装座；所述封装座内设有多个发光芯片；
所述散热底座内设有循环水槽；所述循环水槽内设有冷却液；所述散热底座设有与循环水槽连通的散热水槽；所述散热水槽设于发光芯片的底部；
所述散热底座内设有第一通风槽；所述发光芯片设有与第一通风槽连通的第二通风槽；所述封装座设有与第二通风槽连通的第三通风槽。
本发明进一步设置为，所述发光芯片包括金属衬底以及设于金属衬底顶部的缓冲层；所述缓冲层的顶部设有圆柱状的N-GaAs纳米棒层；所述N-GaAs纳米棒层的外周设有中空的圆柱状的多量子阱有源层；所述多量子阱有源层的外周设有中空的圆柱状的P-GaAs纳米棒层；所述N-GaAs纳米棒层延伸有N型电极；所述P-GaAs纳米棒层延伸有P型电极；
所述发光芯片还包括微透镜；所述缓冲层、N-GaAs纳米棒层、多量子阱有源层以及P-GaAs纳米棒层均设于微透镜与金属衬底之间；
所述微透镜包括设于中部的球形面、设于球形面两侧的锥面以及设于锥面远离球形面一侧的非球面；所述N-GaAs纳米棒层设于球形面中部的正下方；所述多量子阱有源层设于锥面中部的正下方。
本发明进一步设置为，所述第二通风槽设于金属衬底内；所述散热水槽设于金属衬底的底部；所述第三通风槽设于相邻两个发光芯片之间。
本发明进一步设置为，所述封装座的顶部设有多个与发光芯片对应设置的光学透镜；所述光学透镜的中部向内凹槽形成有凹槽。
本发明进一步设置为，所述散热底座的底部设有多个散热鳍片。
本发明进一步设置为，所述散热鳍片的两侧均设有波浪纹。
本发明进一步设置为，所述多量子阱有源层包括V形部以及与V形部连接的梯形部；所述V形部靠近P-GaAs纳米棒层设置；所述梯形部靠近N-GaAs纳米棒层设置。
本发明进一步设置为，所述封装座由有机硅灌封胶固化而成，所述有机硅灌封胶包括如下重量份数的原料：
A组分
第一端乙烯基硅油 100份
复合填料 40-50份
含氢硅油 3-6份
MQ硅树脂 30-40份
抑制剂 0.05-0.1份
B组分
第二端乙烯基硅油 100份
MQ硅树脂 30-40份
铂催化剂 0.2-0.4份；
其中，所述A组分和B组分的重量配比为1:1；
其中，所述复合填料通过如下方法制得：
（1）将纳米二氧化硅进行脱水干燥，然后加入甲苯中进行超声分散20-30min后，加入硅烷偶联剂kh560，继续超声分散3-5min，转移至带有回流冷凝管的三口烧瓶中，升温至80-90℃后保温反应5-7h，冷却之后进行离心分离，洗涤干燥，即得到改性纳米二氧化硅；其中，所述纳米二氧化硅、硅烷偶联剂kh560和甲苯的重量比为5-6:2-3:100；
（2）将去离子水水升温至80-90℃，往第三端乙烯基硅油加入三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60，搅拌均匀后升温至80-90℃，在10000-12000r/min的搅拌条件下逐渐加入去离子水，然后在500-700r/min的搅拌条件下降至室温，得到纳米硅油乳液；其中，所述去离子水、第三端乙烯基硅油、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60的重量比为60-80:20-30:1-3:5-9:5-9；
（3）将所述纳米硅油乳液置于钴源辐照装置中进行第一次辐照，辐照剂量为10-20kGy，然后加入改性纳米二氧化硅，搅拌均匀后继续进行辐照，辐照剂量为10-15 kGy，然后进行喷雾干燥，喷雾压力值为0.1-0.2MPa，喷雾入口温度为130-150℃，喷雾出口温度为50-70℃，即得到所述复合填料；其中，所述改性纳米二氧化硅与纳米硅油乳液的重量比为2-3:10。
本发明通过将第三端乙烯基硅油在水中进行乳化，形成纳米尺寸的o/w乳液，而后通过辐照处理以及三羟甲基丙烷三丙烯酸酯的促进交联作用，初步固定胶粒粒径，再加入改性纳米二氧化硅进行二次辐照交联，可将纳米二氧化硅充分交联固定在有机硅胶粒表面，最后通过控制喷雾干燥的条件，获得平均粒径为100-150nm的复合填料。
本发明选用的复合填料具有如下优点：1、有机硅胶粒在有机硅灌封胶体系中具有较好的相容分散性，可以通过将纳米二氧化硅负载于有机硅胶粒的表面，提高纳米二氧化硅的分散性，从而也可以提高纳米二氧化硅在体系中的填充量，对透光率的降低影响更为轻微；2、通过相转法形成纳米o/w乳液，辐照交联之后胶粒也具有纳米尺寸，与灌封胶基体同质同源，因此具有相近的性质，使有机硅灌封胶具有较高的透光率，并且预先交联的胶粒具有更高的刚性，可以提升有机硅灌封胶的机械强度，例如硬度、拉伸强度和断裂伸长率等；3、本发明通过二次辐照交联实现纳米二氧化硅的负载，一次交联作用主要是初步固定胶粒尺寸，二次交联是将改性纳米二氧化硅的活性基团与胶粒进行反应，提高负载结构的稳定性，避免封胶过程中胶粒与灌封胶重新交联形成连续相而导致纳米二氧化硅重新团聚，产生应力集中、透明率下降的现象；4、本发明在灌封胶中加入高含量的纳米二氧化硅，可以显著提升灌封胶的机械性能和耐温性能，同时借助复合填料的特殊结构，提升分散性，降低光散射，从而保障了透光率，不影响LED组件的正常使用。
其中，所述纳米二氧化硅的粒径为30-40nm。
其中，所述第一端乙烯基硅油的粘度为4000-5000cs，乙烯基含量为0.3-0.5wt%，所述第二端乙烯基硅油的粘度为4500-5000cs，乙烯基含量为0.4-0.6wt%，所述第三端乙烯基硅油的粘度为2000-3000cs，乙烯基含量为0.2-0.3wt%。
本发明通过选用不同粘度和乙烯基含量的端乙烯基硅油，得到的灌封胶具有较好的硬度、拉伸强度、断裂伸长率和粘结强度表现。
其中，所述含氢硅油的氢含量为0.4-0.7wt%。
其中，所述MQ硅树脂的乙烯基含量为0.6-0.7wt%，M/Q值为0.5-0.6。
本发明的有益效果：本发明通过在散热底座设置冷却液以及第一通风槽，能够大大地提高了多芯片封装结构的散热效果。
附图说明
利用附图对发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。
图1是本发明的截面图；
图2是本发明发光芯片的截面图；
图3是本发明N-GaAs纳米棒层、多量子阱有源层以及P-GaAs纳米棒层配合的俯视图；
图4是本发明多量子阱有源层的结构示意图；
图5是传统多芯片封装结构的发光强度分布图；
图6是本发明的发光强度分布图；
其中：1、散热底座；11、循环水槽；12、散热水槽；2、封装座；3、发光芯片；31、金属衬底；32、缓冲层；41、第一通风槽；42、第二通风槽；43、第三通风槽；51、N-GaAs纳米棒层；52、多量子阱有源层；53、P-GaAs纳米棒层；54、N型电极；55、P型电极；6、微透镜；61、球形面；62、锥面；63、非球面；7、光学透镜；71、凹槽；8、散热鳍片；81、波浪纹；91、V形部；92、梯形部。
具体实施方式
结合以下实施例对本发明作进一步描述。
实施例1
由图1至图6可知，本实施例所述的一种多芯片封装结构，包括散热底座1以及与散热底座1连接的封装座2；所述封装座2内设有多个发光芯片3；
所述散热底座1内设有循环水槽11；所述循环水槽11内设有冷却液；所述散热底座1设有与循环水槽11连通的散热水槽12；所述散热水槽12设于发光芯片3的底部；
所述散热底座1内设有第一通风槽41；所述发光芯片3设有与第一通风槽41连通的第二通风槽42；所述封装座2设有与第二通风槽42连通的第三通风槽43。
具体地，本实施例所述的多芯片封装结构，通过在散热底座1中设置循环水槽11以及散热水槽12，使得冷却液在发光芯片3的底部循环，从而将发光芯片3的热量带走；另外通过在散热底座1内设置第一通风槽41，发光芯片3设置第二通风槽42以及封装座2设置第三通风槽43，使得气流可以依次通过第一通风槽41、第二通风槽42以及第三通风槽43后将发光芯片3的热量带走，从而起到散热的效果。
除此以外，为了达到更优的散热效果，本实施例的多芯片封装结构，循环水槽11以水管的方式穿设在各个第一通风槽41中，并且第一通风槽41与循环水槽11之间设有密封槽，该设置使得气流在运动的时候，能够通过循环水槽11中的冷却液变成冷风，再经过第二通风槽42中，大大地降低了发光芯片3的温度，相比于单纯的风冷降热以及单纯的水冷降热，本实施例的散热效率能够提升80%以上。
本实施例所述的一种多芯片封装结构，所述发光芯片3包括金属衬底31以及设于金属衬底31顶部的缓冲层32；所述缓冲层32的顶部设有圆柱状的N-GaAs纳米棒层51；所述N-GaAs纳米棒层51的外周设有中空的圆柱状的多量子阱有源层52；所述多量子阱有源层52的外周设有中空的圆柱状的P-GaAs纳米棒层53；所述N-GaAs纳米棒层51延伸有N型电极54；所述P-GaAs纳米棒层53延伸有P型电极55；
所述发光芯片3还包括微透镜6；所述缓冲层32、N-GaAs纳米棒层51、多量子阱有源层52以及P-GaAs纳米棒层53均设于微透镜6与金属衬底31之间；
所述微透镜6包括设于中部的球形面61、设于球形面61两侧的锥面62以及设于锥面62远离球形面61一侧的非球面63；所述N-GaAs纳米棒层51设于球形面61中部的正下方；所述多量子阱有源层52设于锥面62中部的正下方。
具体地，对于多芯片封装结构，由于需要较大电流来驱动发光，但是在较大电流下发光芯片3会出现效率衰减现象，经过研究申请人发现，导致效率衰减现象的因素包括电子从有源区向P型层泄漏、空穴注入效率低以及空穴分布不均匀等，为了解决上述问题，本实施例通过设置圆柱状的N-GaAs纳米棒层51，并且多量子阱有源层52围绕N-GaAs纳米棒层51的外周设置，同时将P-GaAs纳米棒层53围绕多量子阱有源层52的外周设置，能够减少电子从有源区向P型层泄漏的情况，并且提高了空穴分布的均匀性，从而减少了效率衰减的现象；同时上述设置能够增大多量子阱有源层52的发光面积，从而能够大大地提发光芯片3的发光效率。
除此以外，在发光芯片3中设置了微透镜6，并且使得所述N-GaAs纳米棒层51设于球形面61中部的正下方；所述多量子阱有源层52设于锥面62中部的正下方，而截面为圆环形的多量子阱有源层52发出的光线通过多次的折射以及反射，从而提高了大大地出光效率，如图5至图6所示，通过微透镜6与圆柱形的多量子阱有源层52配合，能够大大地提高了出光效率。
本实施例所述的一种多芯片封装结构，所述第二通风槽42设于金属衬底31内；所述散热水槽12设于金属衬底31的底部；所述第三通风槽43设于相邻两个发光芯片3之间。上述设置使得结构整洁简单。
本实施例所述的一种多芯片封装结构，所述封装座2的顶部设有多个与发光芯片3对应设置的光学透镜7；所述光学透镜7的中部向内凹槽71形成有凹槽71，其中凹槽71设于球形面61的正上方。上述设置能够提高多芯片封装结构的出光的均匀度。
本实施例所述的一种多芯片封装结构，所述散热底座1的底部设有多个散热鳍片8。本实施例所述的一种多芯片封装结构，所述散热鳍片8的两侧均设有波浪纹81。上述设置能够增大散热底座1的散热面积，从而增强了散热效果。
本实施例所述的一种多芯片封装结构，所述多量子阱有源层52包括V形部91以及与V形部91连接的梯形部92；所述V形部91靠近P-GaAs纳米棒层53设置；所述梯形部92靠近N-GaAs纳米棒层51设置。通过上述设置，多量子阱有源层52的所述V形部91靠近所述P-GaAs纳米棒层53，以用于形成更为密集和均匀的发光量子点，其中所述多量子阱有源层52的所述梯形部92靠近所述N-GaAs纳米棒层51，以用于减少阱中的极化电极强度，增大阱中电子空穴的波函数交迭程度，从而增加辐射复合效率，进而提升所述发光芯片3的发光效率。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于，所述封装座2由有机硅灌封胶固化而成，所述有机硅灌封胶包括如下重量份数的原料：
A组分
第一端乙烯基硅油 100份
复合填料 40份
含氢硅油 3份
MQ硅树脂 30份
抑制剂 0.05份
B组分
第二端乙烯基硅油 100份
MQ硅树脂 30份
铂催化剂 0.2份；
其中，所述A组分和B组分的重量配比为1:1；
其中，所述复合填料通过如下方法制得：
（1）将纳米二氧化硅进行脱水干燥，然后加入甲苯中进行超声分散20min后，加入硅烷偶联剂kh560，继续超声分散3min，转移至带有回流冷凝管的三口烧瓶中，升温至80℃后保温反应5h，冷却之后进行离心分离，洗涤干燥，即得到改性纳米二氧化硅；其中，所述纳米二氧化硅、硅烷偶联剂kh560和甲苯的重量比为5:2:100；
（2）将去离子水水升温至80℃，往第三端乙烯基硅油加入三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60，搅拌均匀后升温至800℃，在10000r/min的搅拌条件下逐渐加入去离子水，然后在500r/min的搅拌条件下降至室温，得到纳米硅油乳液；其中，所述去离子水、第三端乙烯基硅油、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60的重量比为60:20:1:5:5；
（3）将所述纳米硅油乳液置于钴源辐照装置中进行第一次辐照，辐照剂量为10kGy，然后加入改性纳米二氧化硅，搅拌均匀后继续进行辐照，辐照剂量为10kGy，然后进行喷雾干燥，喷雾压力值为0.1MPa，喷雾入口温度为130℃，喷雾出口温度为50℃，即得到所述复合填料；其中，所述改性纳米二氧化硅与纳米硅油乳液的重量比为2:10。
其中，所述纳米二氧化硅的粒径为30nm。
其中，所述第一端乙烯基硅油的粘度为4000cs，乙烯基含量为0.3wt%，所述第二端乙烯基硅油的粘度为4500cs，乙烯基含量为0.4wt%，所述第三端乙烯基硅油的粘度为2000cs，乙烯基含量为0.2wt%。
其中，所述含氢硅油的氢含量为0.4wt%。
其中，所述MQ硅树脂的乙烯基含量为0.6wt%，M/Q值为0.5。
实施例3
本实施例与实施例1的区别在于，所述封装座2由有机硅灌封胶固化而成，所述有机硅灌封胶包括如下重量份数的原料：
A组分
第一端乙烯基硅油 100份
复合填料 50份
含氢硅油 6份
MQ硅树脂 40份
抑制剂 0.1份
B组分
第二端乙烯基硅油 100份
MQ硅树脂 40份
铂催化剂 0.4份；
其中，所述A组分和B组分的重量配比为1:1；
其中，所述复合填料通过如下方法制得：
（1）将纳米二氧化硅进行脱水干燥，然后加入甲苯中进行超声分散30min后，加入硅烷偶联剂kh560，继续超声分散5min，转移至带有回流冷凝管的三口烧瓶中，升温至90℃后保温反应7h，冷却之后进行离心分离，洗涤干燥，即得到改性纳米二氧化硅；其中，所述纳米二氧化硅、硅烷偶联剂kh560和甲苯的重量比为6:3:100；
（2）将去离子水水升温至90℃，往第三端乙烯基硅油加入三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60，搅拌均匀后升温至90℃，在12000r/min的搅拌条件下逐渐加入去离子水，然后在700r/min的搅拌条件下降至室温，得到纳米硅油乳液；其中，所述去离子水、第三端乙烯基硅油、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60的重量比为80: 30:3:9:9；
（3）将所述纳米硅油乳液置于钴源辐照装置中进行第一次辐照，辐照剂量为20kGy，然后加入改性纳米二氧化硅，搅拌均匀后继续进行辐照，辐照剂量为15 kGy，然后进行喷雾干燥，喷雾压力值为0.2MPa，喷雾入口温度为150℃，喷雾出口温度为70℃，即得到所述复合填料；其中，所述改性纳米二氧化硅与纳米硅油乳液的重量比为3:10。
其中，所述纳米二氧化硅的粒径为、40nm。
其中，所述第一端乙烯基硅油的粘度为5000cs，乙烯基含量为0.5wt%，所述第二端乙烯基硅油的粘度为5000cs，乙烯基含量为0.6wt%，所述第三端乙烯基硅油的粘度为3000cs，乙烯基含量为0.3wt%。
其中，所述含氢硅油的氢含量为0.7wt%。
其中，所述MQ硅树脂的乙烯基含量为0.7wt%，M/Q值为0.6。
实施例4
本实施例与实施例1的区别在于，所述封装座2由有机硅灌封胶固化而成，所述有机硅灌封胶包括如下重量份数的原料：
A组分
第一端乙烯基硅油 100份
复合填料 45份
含氢硅油 4.5份
MQ硅树脂 35份
抑制剂 0.075份
B组分
第二端乙烯基硅油 100份
MQ硅树脂 35份
铂催化剂 0.3份；
其中，所述A组分和B组分的重量配比为1:1；
其中，所述复合填料通过如下方法制得：
（1）将纳米二氧化硅进行脱水干燥，然后加入甲苯中进行超声分散25min后，加入硅烷偶联剂kh560，继续超声分散4min，转移至带有回流冷凝管的三口烧瓶中，升温至85℃后保温反应6h，冷却之后进行离心分离，洗涤干燥，即得到改性纳米二氧化硅；其中，所述纳米二氧化硅、硅烷偶联剂kh560和甲苯的重量比为5.5:2.5:100；
（2）将去离子水水升温至85℃，往第三端乙烯基硅油加入三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60，搅拌均匀后升温至85℃，在11000r/min的搅拌条件下逐渐加入去离子水，然后在600r/min的搅拌条件下降至室温，得到纳米硅油乳液；其中，所述去离子水、第三端乙烯基硅油、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60的重量比为70:25:2:7:7；
（3）将所述纳米硅油乳液置于钴源辐照装置中进行第一次辐照，辐照剂量为15kGy，然后加入改性纳米二氧化硅，搅拌均匀后继续进行辐照，辐照剂量为12 kGy，然后进行喷雾干燥，喷雾压力值为0.15MPa，喷雾入口温度为140℃，喷雾出口温度为60℃，即得到所述复合填料；其中，所述改性纳米二氧化硅与纳米硅油乳液的重量比为2.5:10。
其中，所述纳米二氧化硅的粒径为35nm。
其中，所述第一端乙烯基硅油的粘度为4500cs，乙烯基含量为0.4wt%，所述第二端乙烯基硅油的粘度为4800cs，乙烯基含量为0.5wt%，所述第三端乙烯基硅油的粘度为2500cs，乙烯基含量为0.25wt%。
其中，所述含氢硅油的氢含量为0.5wt%。
其中，所述MQ硅树脂的乙烯基含量为0.65wt%，M/Q值为0.5。
对比例1
本对比例与实施例4的区别在于：
其中，所述复合填料的步骤（3）仅为一次辐照操作，具体如下：
（3）将所述纳米硅油乳液置于钴源辐照装置中进行辐照，辐照剂量为27kGy，然后加入改性纳米二氧化硅，搅拌均匀后进行喷雾干燥，喷雾压力值为0.15MPa，喷雾入口温度为140℃，喷雾出口温度为60℃，即得到所述复合填料；其中，所述改性纳米二氧化硅与纳米硅油乳液的重量比为2.5:10。
对比例2
本对比例与实施例4的区别在于：
其中，所述复合填料的步骤（3）仅为一次辐照操作，具体如下：
（3）往所述所述纳米硅油乳液加入改性纳米二氧化硅，搅拌均匀后置于钴源辐照装置中进行辐照，辐照剂量为27kGy，然后进行喷雾干燥，喷雾压力值为0.15MPa，喷雾入口温度为140℃，喷雾出口温度为60℃，即得到所述复合填料；其中，所述改性纳米二氧化硅与纳米硅油乳液的重量比为2.5:10。
对比例3
本对比例与实施例4的区别在于：
所述有机硅灌封胶包括如下重量份数的原料：
A组分
第一端乙烯基硅油 100份
有机硅胶粒 22.5份
改性纳米二氧化硅 22.5份
含氢硅油 4.5份
MQ硅树脂 35份
抑制剂 0.075份
B组分
第二端乙烯基硅油 100份
MQ硅树脂 35份
铂催化剂 0.3份；
其中，所述A组分和B组分的重量配比为1:1；
其中，所改性纳米二氧化硅的制备方法为：将纳米二氧化硅进行脱水干燥，然后加入甲苯中进行超声分散25min后，加入硅烷偶联剂kh560，继续超声分散4min，转移至带有回流冷凝管的三口烧瓶中，升温至85℃后保温反应6h，冷却之后进行离心分离，洗涤干燥，即得到改性纳米二氧化硅；其中，所述纳米二氧化硅、硅烷偶联剂kh560和甲苯的重量比为5.5:2.5:100。
其中，所述有机硅胶粒的制备方法为：
（1）将去离子水水升温至85℃，往第三端乙烯基硅油加入三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60，搅拌均匀后升温至85℃，在11000r/min的搅拌条件下逐渐加入去离子水，然后在600r/min的搅拌条件下降至室温，得到纳米硅油乳液；其中，所述去离子水、第三端乙烯基硅油、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、span-60和tween-60的重量比为70:25:2:7:7；
（2）将所述纳米硅油乳液置于钴源辐照装置中进行辐照，辐照剂量为27kGy，然后进行喷雾干燥，喷雾压力值为0.15MPa，喷雾入口温度为140℃，喷雾出口温度为60℃，即得到所述有机硅胶粒。
对比例4
本对比例与实施例4的区别在于：
所述有机硅灌封胶包括如下重量份数的原料：
A组分
第一端乙烯基硅油 100份
改性纳米二氧化硅 22.5份
含氢硅油 4.5份
MQ硅树脂 35份
抑制剂 0.075份
B组分
第二端乙烯基硅油 100份
MQ硅树脂 35份
铂催化剂 0.3份；
其中，所述A组分和B组分的重量配比为1:1；
其中，所改性纳米二氧化硅的制备方法为：将纳米二氧化硅进行脱水干燥，然后加入甲苯中进行超声分散25min后，加入硅烷偶联剂kh560，继续超声分散4min，转移至带有回流冷凝管的三口烧瓶中，升温至85℃后保温反应6h，冷却之后进行离心分离，洗涤干燥，即得到改性纳米二氧化硅；其中，所述纳米二氧化硅、硅烷偶联剂kh560和甲苯的重量比为5.5:2.5:100。
将实施例4和对比例1-4的A/B组分分别在真空脱泡机制成后，再将A组分和B组分按重量比1:1的比例进行混合，然后制成试样，固化温度为80℃，固化时间为20min，将试样按照GB/T531-2008、GB/T528-2009和GB/T2410-2008进行硬度、拉伸强度、断裂伸长率和透光
率的性能测试，测试结果如下表：
| 硬度/邵氏A | 拉伸强度/MPa | 断裂伸长率/% | 透光率/% | |
| 实施例4 | 26 | 4.3 | 301 | 95 |
| 对比例1 | 27 | 4.0 | 268 | 92 |
| 对比例2 | 21 | 3.2 | 223 | 91 |
| 对比例3 | 24 | 2.8 | 196 | 90 |
| 对比例4 | 29 | 2.1 | 118 | 87 |
对比例4的试样硬度最高，但是拉伸强度、断裂伸长率和透光率均明显很低，推测是由于对比例4的纳米二氧化硅的相对含量最高，因此硬度最高，但同时硅烷偶联剂改性不足以解决高填充量的纳米二氧化硅的分散问题，因此产生应力集中现象和团聚现象，拉伸强度、断裂伸长率和透光率会明显下降；对比例3在对比例4的基础上加入了有机硅颗粒，纳米二氧化硅的相对含量降低，且有机硅颗粒对机械性能也有一定的改善，因此相对对比例4虽然硬度下降了，但是其余各项性能均有不错的提升；对比例2中，在第一次辐照交联中就加入了纳米二氧化硅，因此纳米二氧化硅容易嵌入有机硅颗粒的交联结构中，因此虽然可以改善纳米二氧化硅的分散性，但是形成的是有机硅聚合物-有机硅颗粒-纳米二氧化硅的组合物，有机硅颗粒本身就具有较高的硬度，纳米二氧化硅所起到的作用不明显，因此相对对比例3，呈现硬度的降低，但分散性的提升使其余各项性能也有一定的改善；对比例1中，在辐照交联结束后再加入纳米二氧化硅，纳米二氧化硅负载与有机硅颗粒的表面，有机硅颗粒作为隔离剂可以改善纳米二氧化硅的分数性，因此最终呈现较好的性能表现，但是由于负载结构是简单的物相接触，并不稳定，在制成试样的过程中容易重新被打散，因而性能依然不如本申请的实施例4，综合而言，本申请的实施例4虽然在硬度上不是优的，但是是足够的，而且其余各项性能明显优势更大，因此本发明的有机硅灌封胶具有更广泛的应用前景，且纳米无机物的高含量可以提高灌封胶的耐温性，配合本发明的散热结构，更适用于高功率的LED器件。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (7)
1.一种多芯片封装结构，其特征在于：包括散热底座(1)以及与散热底座(1)连接的封装座(2)；所述封装座(2)内设有多个发光芯片(3)；
所述散热底座(1)内设有循环水槽(11)；所述循环水槽(11)内设有冷却液；所述散热底座(1)设有与循环水槽(11)连通的散热水槽(12)；所述散热水槽(12)设于发光芯片(3)的底部；
所述散热底座(1)内设有第一通风槽(41)；所述发光芯片(3)设有与第一通风槽(41)连通的第二通风槽(42)；所述封装座(2)设有与第二通风槽(42)连通的第三通风槽(43)。
2.根据权利要求1所述的一种多芯片封装结构，其特征在于：所述发光芯片(3)包括金属衬底(31)以及设于金属衬底(31)顶部的缓冲层(32)；所述缓冲层(32)的顶部设有圆柱状的N-GaAs纳米棒层(51)；所述N-GaAs纳米棒层(51)的外周设有中空的圆柱状的多量子阱有源层(52)；所述多量子阱有源层(52)的外周设有中空的圆柱状的P-GaAs纳米棒层(53)；所述N-GaAs纳米棒层(51)延伸有N型电极(54)；所述P-GaAs纳米棒层(53)延伸有P型电极(55)；
所述发光芯片(3)还包括微透镜(6)；所述缓冲层(32)、N-GaAs纳米棒层(51)、多量子阱有源层(52)以及P-GaAs纳米棒层(53)均设于微透镜(6)与金属衬底(31)之间；
所述微透镜(6)包括设于中部的球形面(61)、设于球形面(61)两侧的锥面(62)以及设于锥面(62)远离球形面(61)一侧的非球面(63)；所述N-GaAs纳米棒层(51)设于球形面(61)中部的正下方；所述多量子阱有源层(52)设于锥面(62)中部的正下方。
3.根据权利要求2所述的一种多芯片封装结构，其特征在于：所述第二通风槽(42)设于金属衬底(31)内；所述散热水槽(12)设于金属衬底(31)的底部；所述第三通风槽(43)设于相邻两个发光芯片(3)之间。
4.根据权利要求2所述的一种多芯片封装结构，其特征在于：所述封装座(2)的顶部设有多个与发光芯片(3)对应设置的光学透镜(7)；所述光学透镜(7)的中部向内凹槽(71)形成有凹槽(71)。
5.根据权利要求1所述的一种多芯片封装结构，其特征在于：所述散热底座(1)的底部设有多个散热鳍片(8)。
6.根据权利要求5所述的一种多芯片封装结构，其特征在于：所述散热鳍片(8)的两侧均设有波浪纹(81)。
7.根据权利要求2所述的一种多芯片封装结构，其特征在于：所述多量子阱有源层(52)包括V形部(91)以及与V形部(91)连接的梯形部(92)；所述V形部(91)靠近P-GaAs纳米棒层(53)设置；所述梯形部(92)靠近N-GaAs纳米棒层(51)设置。
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