CN112117309A - 显示装置 - Google Patents

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CN112117309A
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朴晙晳
金明花
金兑相
金亨俊
朴根彻
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Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括连接到扫描线和与扫描线交叉的数据线的多个像素，其中，多个像素中的每个包括发光元件和第一晶体管，第一晶体管被配置为根据从数据线施加的数据电压来控制供应到发光元件的驱动电流，其中，第一晶体管包括第一有源层，第一有源层包括包含铟(In)的氧化物半导体，并且其中，第一有源层的氧化物半导体中的铟的含量为70at％或更大。

Description

显示装置
本申请要求于2019年6月19日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0072739号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括氧化物薄膜晶体管的显示装置，该氧化物薄膜晶体管具有用于增大氧化物薄膜晶体管的驱动电压范围的一定量的铟(In)。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步提高。因此，已经使用了各种类型的显示装置，诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等。
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括显示面板，诸如有机发光显示面板或液晶显示面板。在它们之中，这样的发光显示面板可以包括发光元件。发光二极管(LED)的示例可以包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
以上描述的类型之中的显示装置包括相应的显示面板、栅极驱动电路、数据驱动电路和时序控制器。显示面板包括数据线、栅极线以及形成在数据线和栅极线的交叉处的像素。当通过栅极线将栅极信号供应到作为开关元件的薄膜晶体管时，像素中的每个从数据线接收数据电压。像素中的每个根据数据电压发射具有预定亮度的光。
已经引入了能够显示具有超高清晰度(UHD)的高分辨率的图像的显示装置，并且能够显示具有8K超高清晰度(8K UHD)的高分辨率的图像的显示装置处于开发阶段中。UHD是指3,840×2,160个像素的分辨率，而8K UHD是指7,680×4,320个像素的分辨率。
在高分辨率显示装置的情况下，随着像素的数量的增加，像素中的每个的驱动电流可能减小。结果，每个像素的驱动晶体管的驱动电压范围可能减小。
发明内容
公开的各方面提供了一种包括薄膜晶体管的显示装置，所述薄膜晶体管具有氧化物半导体有源层，所述氧化物半导体有源层包含特定量的铟(In)。
然而，本公开的各方面可以不限于这里阐述的方面。通过参考下面的详细描述，公开的以上和其他方面对于公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
根据实施例的显示装置可以包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括可以由氧化物半导体形成的有源层，所述氧化物半导体包含相对高量的铟(In)。在晶体管的有源层可以是包含相对高量的铟(In)的氧化物半导体的情况下，随着驱动电压范围可以被扩大或增大，驱动晶体管可以在供应驱动电流方面具有优异的性能。
因此，随着每单位像素的面积减小，即使驱动晶体管包括具有窄长度的沟道区域，驱动晶体管也可以具有优异的操作特性。
根据实施例，显示装置可以包括连接到扫描线和与扫描线交叉的数据线的多个像素，其中，多个像素中的每个包括发光元件和第一晶体管，第一晶体管被配置为根据从数据线施加的数据电压来控制供应到发光元件的驱动电流，其中，第一晶体管包括第一有源层，第一有源层包括包含铟(In)的氧化物半导体，并且其中，第一有源层的氧化物半导体中的铟的含量为70at％或更大。
氧化物半导体可包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锡镓(ITGO)。
氧化物半导体中的铟(In)的量与锡(Sn)的量的总和可大于或等于约95at％。
氧化物半导体中的锡(Sn)的量可在约5at％至约20at％的范围内。
第一有源层可包括第一区域和第二区域，第二区域具有比第一区域的氧原子浓度高的氧原子浓度。
第二区域可位于第一有源层的上表面和第一有源层的至少一个侧表面上。
第一有源层可包括第一导体区域、第二导体区域以及设置在第一导体区域与第二导体区域之间的沟道区域。
第一晶体管还可包括：第一遮光层，设置在第一有源层下方；第一栅电极，设置在第一有源层上；第一源电极，通过穿过第一绝缘层的第一接触孔与第一导体区域接触，第一绝缘层设置在第一栅电极上；以及第一漏电极，通过穿过第一绝缘层的第二接触孔与第二导体区域接触。
第一栅电极可以以约2μm至约10μm的叠置量与第一有源层叠置。
第一源电极可通过穿过第一绝缘层和缓冲层的第三接触孔与第一遮光层接触，缓冲层设置在第一有源层与第一遮光层之间。
像素还可包括第二晶体管，第二晶体管被配置为根据施加到扫描线的扫描信号将数据线的数据电压施加到第一晶体管，并且第二晶体管可包括第二有源层，第二有源层包括包含铟(In)的氧化物半导体。
第二晶体管还可包括设置在第二有源层下方的第二遮光层和设置在第二有源层上的第二栅电极。
第二栅电极可通过穿过第一栅极绝缘层和缓冲层的第六接触孔与第二遮光层接触，第一栅极绝缘层设置在第二有源层与第二栅电极之间，缓冲层设置在第二有源层与第二遮光层之间。
显示装置还可包括被配置为将扫描信号输出到扫描线的扫描驱动器，其中，扫描驱动器可包括第三晶体管，第三晶体管包括第三有源层。
第一晶体管的第一有源层可设置在第三晶体管的第三有源层上方。
根据另一实施例，显示装置可以包括连接到扫描线和与扫描线交叉的数据线的多个像素，其中，多个像素中的每个包括发光元件、驱动晶体管和开关晶体管，驱动晶体管被配置为根据从数据线施加的数据电压来控制供应到发光元件的驱动电流，开关晶体管被配置为根据施加到扫描线的扫描信号将数据线的数据电压施加到驱动晶体管，其中，驱动晶体管和开关晶体管均包括有源层，有源层包括包含铟(In)的氧化物半导体，并且其中，有源层的氧化物半导体中的铟的含量为70at％或更大。
氧化物半导体可包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锡镓(ITGO)。
氧化物半导体中的铟(In)的量和锡(Sn)的量的总和可大于或等于约95at％。
驱动晶体管的有源层的上表面的氧原子浓度可高于驱动晶体管的有源层的下表面的氧原子浓度。
驱动晶体管还可包括设置在有源层上的栅电极，并且栅电极和有源层的叠置区域可具有约2μm至约10μm的范围内的长度。
附图说明
通过参照附图详细地描述公开的实施例，公开的以上和其他方面以及特征将变得更加明显，其中：
图1示出平面图，该平面图示出根据实施例的显示装置；
图2示出框图，该框图示意性地示出根据实施例的显示装置；
图3示出根据实施例的图2的像素的等效电路的示意图；
图4示出根据实施例的图2的像素的等效电路的示意图；
图5示出根据实施例的第一晶体管的平面图；
图6示出沿图5的线I-I'截取的示意性剖视图；
图7示出根据实施例的第二晶体管的平面图；
图8示出沿图7的线II-II'截取的示意性剖视图；
图9示出曲线图，该曲线图示出根据依照实施例的第一晶体管的栅极电压的驱动电流；
图10示出流程图，该流程图示出根据实施例的制造显示装置的方法；
图11至图15示出根据实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图；
图16示出根据另一实施例的第一晶体管的示意性剖视图；
图17示出示意性剖视图，该示意性剖视图部分地示出制造图16的第一晶体管的方法；
图18示出根据图16的第一晶体管的栅极电压的驱动电流的曲线图；
图19示出根据另一实施例的第二晶体管的平面图；
图20示出沿图19的线III-III'截取的示意性剖视图；以及
图21示出根据实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图。
具体实施方式
尽管公开可以以各种方式被修改并且具有另外的实施例，但是在附图中示出实施例并且在说明书中将主要描述实施例。然而，公开的范围不限于附图和说明书中的实施例，并且应被理解为包括包含在公开的精神和范围中的所有变化、等同物和替代物。
附图和描述将被认为本质上仅是说明性的，因此并不是这里描述和要求保护的实施例的限制。为了描述公开的实施例，可以不提供与描述不相关的部分中的一些，并且贯穿说明书，同样的附图标记是指同样的元件。
在附图中，为了更好的理解和易于描述，任意地呈现每个元件的尺寸和厚度，然而公开不限于此。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层、面板、区域和其他元件的厚度。在附图中，为了更好的理解和易于描述，可以夸大一些层和区的厚度。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”表示在从上方观察目标部分时，短语“在剖视图中”表示在从侧面观察通过竖直地切割目标部分而截取的剖面时。另外，术语“叠置”或其变型表示第一物体可以在第二物体上方或下方或侧面，反之亦然。另外，术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对(面向)或其变型、在……之上延伸、覆盖或部分地覆盖或任何其他合适的术语，如本领域普通技术人员将认识到和理解的。术语“面对(面向)”及其变型表示第一物体可以直接或间接地与第二物体相对。在其中第三物体插入在第一物体与第二物体之间的情况下，第一物体和第二物体可以被理解为间接地彼此相对，不过仍然彼此面对。当层、区域、基底或区被称为“在”另一层、区域、基底或区“上”时，该层、区域、基底或区可以直接在所述另一层、区域、基底或区上，或者在它们之间可以存在中间层、区域、基底或区。相反，当层、区域、基底或区被称为“直接在”另一层、区域、基底或区上时，在它们之间可以不存在中间层、区域、基底或区。此外，当层、区域、基底或区被称为“在”另一层、区域、基底或区“下方”时，该层、区域、基底或区可以直接在所述另一层、区域、基底或区下方，或者在它们之间可以存在中间层、区域、基底或区。相反，当层、区域、基底或区被称为“直接在”另一层、区域、基底或区“下方”时，在它们之间可以不存在中间层、区域、基底或区。此外，“在……之上”或“在……上”可以包括定位在物体上或下方，并且不必表示基于重力的方向。
为了易于描述，在这里可以使用空间相对术语“在……下方”、“在……之下”、“下面的(下)”、“在……上方”、“上面的(上)”等，用来描述如在附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包含除了在附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，在其中附图中示出的装置被翻转的情况下，被定位“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以被放置“在”另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括下面的位置和上面的位置两种。装置也可以在其他方向上被定位，并且因此，根据定位可以不同地解释空间相对术语。
贯穿说明书，当元件被称为“连接”到另一元件时，该元件可以“直接连接”到另一元件，或者“间接连接”到另一元件，并且一个或更多个中间元件插置在它们之间。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变型时，它们或它可以指示存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的任何组合的存在或附加。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等在这里可以用来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语被用来将一个元件与另一元件区别开，或者为了便于对其进行描述和解释。例如，当“第一元件”在描述中被讨论时，其可以被称为“第二元件”或“第三元件”，可以以相似的方式称呼“第二元件”和“第三元件”，而不脱离这里的教导。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非在说明书中清楚地定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，而将不以理想的或者过于形式化的含义来解释它们。
图1示出平面图，该平面图示出根据实施例的显示装置。图2示出框图，该框图示意性地示出根据实施例的显示装置。
参照图1和图2，显示装置1显示运动图像或静止图像。显示装置1可以是提供显示屏幕的任何电子装置。显示装置1的示例可以包括提供显示屏幕的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机和便携式摄像机。
显示装置1可以包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括LED显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。在下面的描述中，显示装置1可以包括LED显示面板。然而，公开不限于此，可以使用其他类型的显示面板。
可以对显示装置1的形状进行各种修改。例如，显示装置1可以具有诸如下述的形状：在水平方向上伸长的矩形形状、在竖直方向上伸长的矩形形状、正方形形状、具有圆角(例如，顶点)的矩形形状、其他多边形形状和圆形形状。显示装置1的显示区DA的形状也可以与显示装置1的整体形状相似。在图1中，显示装置1可以包括显示区DA，显示区DA具有在水平方向上伸长的矩形形状。
显示装置1可以包括显示区DA和非显示区NDA。显示区DA可以是其中可以显示屏幕的区域，非显示区NDA可以是其中不可以显示屏幕的区域。显示区DA也可以被称为有效区域，非显示区NDA也可以被称为非有效区域。
显示区DA可以基本上占据显示装置1的中心。显示区DA可以包括像素PX。像素PX可以布置成矩阵。每个像素PX的形状在平面图中可以是矩形形状或正方形形状。然而，公开不限于此，并且该形状可以是其中每条边相对于第一方向DR1倾斜的菱形形状。
根据实施例的显示装置1包括显示面板10、集成驱动电路21和22以及扫描驱动器30。集成驱动电路21和22可以分别限定时序控制器21和数据驱动器22。
显示面板10可以包括其中形成有像素PX以显示图像的显示区DA和作为显示区DA的外围区的非显示区NDA。在显示面板10可以包括曲面部分的情况下，显示区DA可以设置在曲面部分上。也可以在曲面部分上看到显示面板10的图像。
像素PX、连接到像素PX的扫描线SL1至SLk(k为2或更大的整数)、数据线DL1至DLj(j为2或更大的整数)和电源线可以设置在显示区DA中。扫描线SL1至SLk可以在第一方向DR1上平行地形成，数据线DL1至DLj可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上平行地形成。像素PX中的每个可以连接到扫描线SL1至SLk中的至少一条和数据线DL1至DLj中的一条。
像素PX中的每个可以包括驱动晶体管、至少一个开关晶体管、发光元件和电容器。由于当通过扫描线SL1至SLk施加扫描信号时开关晶体管可以导通，因此数据线DL1至DLj的数据电压可以被施加到驱动晶体管的栅电极。驱动晶体管可以根据施加到栅电极的数据电压将驱动电流供应到发光元件，从而实现发光。驱动晶体管和至少一个开关晶体管可以是薄膜晶体管。发光元件可以根据驱动晶体管的驱动电流而发光。发光元件可以是包括第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光二极管。电容器可以保持施加到驱动晶体管的栅电极的数据电压恒定。
非显示区NDA可以被限定为从显示区DA外侧到显示面板10的边缘的区域。用于将扫描信号施加到扫描线SL1至SLk的扫描驱动器30以及集成驱动电路21和22可以设置在非显示区NDA中。
集成驱动电路21和22可以输出用于驱动显示面板10的信号和电压。为此，集成驱动电路21和22可以限定时序控制器21和数据驱动器22。
时序控制器21可以从主机系统(未示出)接收输入数据RGB和时序信号CS。时序信号CS可以包括垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号和点时钟。主机系统可以是智能电话或平板PC的应用处理器、监视器或TV的片上系统等。
时序控制器21可以产生用于控制数据驱动器22和扫描驱动器30的操作时序的控制信号。控制信号可以包括用于控制数据驱动器22的操作时序的源极控制信号CONT2和用于控制扫描驱动器30的操作时序的扫描控制信号CONT1。
数据驱动器22可以从时序控制器21接收数字视频数据DATA和源极控制信号CONT2。数据驱动器22可以根据源极控制信号CONT2将数字视频数据DATA转换成模拟数据电压，并且可以将模拟数据电压供应到显示面板10的数据线DL1至DLj。
集成驱动电路21和22可以设置在非显示区NDA中，并且可以设置在显示面板10的一侧上。集成驱动电路21和22可以形成为单个集成电路(IC)，并且可以通过使用玻璃上芯片(COG)方法、塑料上芯片(COP)方法或超声键合方法安装在显示面板10上。然而，公开可以不限于此。例如，集成驱动电路21和22可以安装在除显示面板10之外的电路板上。
此外，图2示出集成驱动电路21和22包括数据驱动器22和时序控制器21，但是公开可以不限于此。例如，如以上描述的，数据驱动器22和时序控制器21可以形成为单独的集成电路，而不是形成为一个集成电路。因此，时序控制器21可以安装在电路板上，并且数据驱动器22可以通过使用玻璃上芯片(COG)方法、塑料上芯片(COP)方法或超声键合方法安装在显示面板10上。
扫描驱动器30可以从时序控制器21接收扫描控制信号CONT1。扫描驱动器30可以根据扫描控制信号CONT1产生扫描信号S1至Sk，并且可以将扫描信号S1至Sk供应到显示面板10的扫描线SL1至SLk。扫描驱动器30可以包括多个晶体管，并且可以形成在显示面板10的非显示区NDA中。扫描驱动器30可以形成为集成电路，并且可以安装在附着到显示面板10的另一侧的栅极柔性膜上。
尽管未示出，但是可以使用各向异性导电膜将电路板附着到设置在显示面板10的一个边缘上的垫(pad，或称为“焊盘”)。因此，电路板的引线可以电连接到垫。电路板可以是柔性膜(诸如柔性印刷电路板)、印刷电路板或膜上芯片。电路板可以弯曲到显示面板10的下侧。电路板的一侧可以附着到显示面板10的一个边缘，电路板的另一侧可以设置在显示面板10下方并且连接到可以在其上安装主机系统的系统板。
电源电路可以从系统板的主电源产生驱动显示面板10所需的电压，并且可以将电压供应到显示面板10。例如，电源电路可以从主电源产生用于驱动显示面板10的发光元件EL的第一电源电压和第二电源电压，并且可以将它们供应到显示面板10的第一电压线VDD(见图3)和第二电压线VSS(见图3)。此外，电源电路可以从主电源产生用于驱动集成驱动电路21和22以及扫描驱动器30的驱动电压，并且供应它们。
电源电路可以形成为集成电路并且可以安装在电路板上，尽管公开可以不限于此。例如，电源电路可以与集成驱动电路21和22一体地形成。
图3示出根据实施例的图2的像素的等效电路的示意图。
参照图3，像素PX可以包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、发光元件EL和电容器Cst。尽管图3示出每个像素PX可以具有包括一个第一晶体管TR1、一个第二晶体管TR2和一个电容器Cst的2T1C(2晶体管-1电容器)配置，但是公开可以不限于此。例如，每个像素PX可以包括更多数量的晶体管和多个电容器。
第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的每个可以包括第一电极、第二电极和栅电极。第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。
第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的每个可以形成为薄膜晶体管。此外，尽管从图3中可以看到第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的每个可以由N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成，但是公开可以不限于此。例如，第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的每个可以形成为P型MOSFET。因此，可以改变第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的每个的源电极和漏电极的位置。这里，关于以下讨论，第一晶体管TR1和第二晶体管TR2可以是N型MOSFET。
第一晶体管TR1可以根据施加到栅电极的数据电压将驱动电流供应到发光元件EL，从而实现发光。例如，第一晶体管TR1可以是驱动晶体管。第一晶体管TR1的栅电极可以连接到第二晶体管TR2的源电极，第一晶体管TR1的源电极可以连接到发光元件EL的第一电极，第一晶体管TR1的漏电极可以连接到第一电压线VDD，其中，第一电源电压被施加到第一电压线VDD。
由于当可以从第k扫描线SLk(其中，k是正整数)施加扫描信号时第二晶体管TR2可以导通，因此数据线DLj的数据电压可以被施加到第一晶体管TR1的栅电极。例如，第二晶体管TR2可以是开关晶体管。第二晶体管TR2的栅电极可以连接到第k扫描线SLk，第二晶体管TR2的源电极可以连接到第一晶体管TR1的栅电极，第二晶体管TR2的漏电极可以连接到第j数据线DLj。
电容器Cst可以连接在第一晶体管TR1的栅电极和源电极之间。因此，电容器Cst可以保持施加到第一晶体管TR1的栅电极的数据电压恒定。
发光元件EL可以根据第一晶体管TR1的驱动电流发光。发光元件EL可以是包括第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光二极管。发光元件EL的第一电极可以连接到第一晶体管TR1的源电极，发光元件EL的第二电极可以连接到第二电压线VSS，其中，可以低于第一电源电压的第二电源电压被施加到第二电压线VSS。
图4示出根据实施例的图2的像素的等效电路的示意图。
参照图4，像素PX可以包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、感测晶体管SST、发光元件EL和电容器Cst。图4示出每个像素PX可以具有包括一个第一晶体管TR1、一个第二晶体管TR2、感测晶体管SST和一个电容器Cst的3T1C(3晶体管-1电容器)配置。
图4的电路图还可以包括包含感测晶体管SST和参考线Vref的补偿电路。补偿电路可以是可以被添加在每个像素PX中以补偿第一晶体管TR1的阈值电压的电路。
感测晶体管SST可以连接在第一晶体管TR1的源电极与发光元件EL的第一电极之间。感测晶体管SST的栅电极可以连接到第k感测信号线SSk，感测晶体管SST的漏电极可以连接到参考线Vref，感测晶体管SST的源电极可以连接到电容器Cst的一端。感测晶体管SST可以通过第k感测信号线SSk的感测信号而导通，以将可以通过参考线Vref传输的参考电压供应到第一晶体管TR1的源电极。感测晶体管SST可以操作以感测第一晶体管TR1的源电极的电压或电流。
参考线Vref可以连接到扫描驱动器30。扫描驱动器30可以在图像的非显示时间段期间或在N帧(其中，N为1或更大的整数)的时间段期间实时地感测每个像素PX的第一晶体管TR1的源电极，并且可以产生感测结果。可以作为开关晶体管的第二晶体管TR2和可以作为感测晶体管的感测晶体管SST可以同时导通。可以根据扫描驱动器30的时分方法将感测晶体管SST的感测操作(经由参考线Vref)和用于输出数据信号的数据输出操作彼此分开。
根据感测结果的补偿目标可以是数字数据信号、模拟数据信号、伽马等。此外，用于基于感测结果产生补偿信号的补偿电路可以被实现为扫描驱动器30中的电路、时序控制器21中的电路或单独的电路。
在图3和图4中，具有2T1C配置和3T1C配置的像素PX可以是像素的示例。例如，像素可以包括更多数量的晶体管或电容器。
图5示出根据实施例的第一晶体管的平面图。图6示出沿图5的线I-I'截取的示意性剖视图。图7示出根据实施例的第二晶体管的平面图。图8示出沿图7的线II-II'截取的示意性剖视图。
图5至图8示出作为驱动晶体管的第一晶体管TR1和作为开关晶体管的第二晶体管TR2被配置为共面。共面配置可以包括其中栅电极可以形成在有源层上方的顶栅形式。然而，公开可以不限于此。例如，每个像素PX的第一晶体管TR1和第二晶体管TR2可以具有其中栅电极可以形成在有源层下方的底栅形式。
参照图5至图8，显示面板10的每个像素PX包括第一基底110、缓冲层120、第一栅极绝缘层130、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第一层间绝缘层160、第一钝化层170、第一平坦化层180、第一电极191、有机发光层192、第二电极193、像素限定层195和封装层196。
每个像素PX的第一晶体管TR1可以包括第一栅电极310、第一有源层350、第一源电极330、第一漏电极340和第一遮光层360。像素PX的第二晶体管TR2可以包括第二栅电极410、第二有源层450、第二源电极430和第二漏电极440。
第一基底110可以提供可以在其上形成第一晶体管TR1和第二晶体管TR2的区域。第一基底110可以由塑料或玻璃制成。
第一遮光层360可以设置在第一基底110上。第一遮光层360可以阻挡光从第一基底110进入第一有源层350。第一遮光层360可以防止漏电流，在来自第一基底110的光可能入射在第一有源层350上的情况下在第一有源层350中可能流过所述漏电流。第一遮光层360在第三方向DR3上的长度和第一遮光层360在第四方向DR4上的长度可以比第一有源层350在第三方向DR3上的长度和第一有源层350在第四方向DR4上的长度长。第一遮光层360可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或它们的合金制成的单层或多层。
缓冲层120可以设置在第一遮光层360上。缓冲层120可以保护像素PX的第一晶体管TR1和第二晶体管TR2免受可能透过第一基底110的湿气的影响。缓冲层120可以包括交替堆叠的无机层。例如，缓冲层120可以由其中氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层和氮氧化硅(SiON)层中的至少两个无机层交替堆叠的多层形成。
第一有源层350和第二有源层450可以设置在缓冲层120上。第一有源层350可以包括第一导体区域350a、第二导体区域350b和沟道区域350c，第二有源层450可以包括第一导体区域450a、第二导体区域450b和沟道区域450c。沟道区域350c和450c可以设置在第一导体区域350a和450a与第二导体区域350b和450b之间。
第一有源层350和第二有源层450可以是包含铟(In)的氧化物半导体。换句话说，第一有源层350和第二有源层450可以均由包含铟(In)的氧化物半导体限定。第一有源层350和第二有源层450可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锡镓(ITGO)。
第一晶体管TR1和第二晶体管TR2的有源层350和450可以被制成为包含特定量的铟(In)的氧化物半导体，从而改善晶体管的操作特性、电特性等。在某情况下，诸如在晶体管中，氧化物半导体可以包含相对低量的铟(In)。采用这样的晶体管，可能导致窄范围的驱动电压。因此，可以防止具有这样的氧化物半导体有源层的晶体管被用作用于将驱动电流传输到像素PX的发光元件EL的驱动晶体管。此外，随着显示装置1的显示面板10中包括的像素的数量增加，用于驱动晶体管的有源层的沟道区域可能变窄。结果，可能无法获得足够范围的驱动电压。
相反，这里的显示装置1可以包括其中氧化物半导体有源层包含特定量的铟(In)的作为驱动晶体管的第一晶体管TR1。因此，即使有源层可以具有长度短的沟道区域，有源层也可以具有可以在预定范围中的驱动电压。因此，具有氧化物半导体有源层的晶体管可以用作显示装置1的驱动晶体管。
第一晶体管TR1可以包括第一有源层350，第一有源层350具有包含铟(In)的氧化物半导体，并且基于包括在氧化物半导体中的阳离子的量，第一有源层350可以具有可以大于或等于约70at％(例如，大于或等于约71at％、大于或等于约72at％、大于或等于约73at％、大于或等于约74at％、大于或等于约75at％、大于或等于约76at％、大于或等于约77at％、大于或等于约78at％、大于或等于约79at％、大于或等于约80at％、大于或等于约81at％、大于或等于约82at％、大于或等于约83at％、大于或等于约84at％、大于或等于约85at％、大于或等于约86at％、大于或等于约87at％、大于或等于约88at％、大于或等于约89at％、大于或等于约90at％、大于或等于约91at％、大于或等于约92at％、大于或等于约93at％、大于或等于约94at％或大于或等于约95at％)的铟(In)的总量。例如，第一有源层350可以具有约75at％的铟(In)的总量。
在形成栅极绝缘层的工艺期间，在驱动晶体管的有源层中可能形成缺陷。例如，捕获电子的区域可能形成在有源层的前沟道区域的带隙中。在驱动晶体管的有源层可以是具有高量的铟(In)的氧化物半导体的情况下，驱动晶体管的亚阈值摆幅(SS)可以增大到大的值，并且根据驱动电压Vgs的驱动电流(漏极-源极电流Ids)曲线的斜率可以减小。例如，在相同的驱动电流范围内，驱动晶体管可以具有更宽范围的驱动电压。
图9示出曲线图，该曲线图示出根据依照实施例的第一晶体管的栅极电压的驱动电流，与关于氧化物半导体(作为有源层)中包括的铟(In)的量不同于第一晶体管的晶体管进行比较。在图9中，虚线表示包括具有52at％的铟(In)量的氧化物半导体的驱动晶体管。实线表示根据这里的一个或更多个实施例的包括具有约75at％的铟(In)量的氧化物半导体作为有源层的驱动晶体管。
参照图9，在驱动晶体管的有源层可以包括相对高量的铟(In)的情况下，根据栅极电压(V)的驱动电流(A)的曲线图中的曲线的斜率可以减小。根据如由图9的虚线所示的晶体管，可以观察到低于阈值电压的摆幅值为约0.25，并且可以观察到栅极电压(V)的驱动范围为约1.27V。此外，由于如虚线所示的上升斜率，驱动电压的范围的增量增大没有超过驱动电流的范围的增量增大。然而，根据依照这里的一个或更多个实施例的晶体管，如由图9的实线表示的，可以观察到低于阈值电压的摆幅值为约0.56，并且可以观察到栅极电压(V)的驱动范围为约2.89V。具有包含高量的铟(In)(例如，大于或等于约70at％)的氧化物半导体作为有源层的驱动晶体管在相同范围的驱动电流(A)内可以具有更宽范围的栅极电压(V)。换句话说，与诸如可以应用于晶体管的驱动电压的范围相比，用于控制用于驱动像素PX的发光元件EL的驱动电流(A)的驱动电压的范围可以被扩大(即增大)。结果，驱动电压的范围的增量增大可以超过驱动电流的范围的增量增大。此外，采用如这里描述的驱动晶体管，尽管在高分辨率显示装置中，随着显示面板10的每单位面积的像素PX的数量可以增加，像素中的每个的驱动电流可能减小，但是能够防止或减小驱动晶体管的驱动电压范围的减小。
第一晶体管TR1的第一有源层350还可以包括锡(Sn)。相对于包括在氧化物半导体中的阳离子的量，铟(In)和锡(Sn)的总量可以大于或等于约95at％，例如大于或等于约96at％、大于或等于约97at％、大于或等于约98at％或大于或等于约99at％。包含在氧化物半导体中的锡(Sn)的量基于包括在氧化物半导体中的阳离子的量可以在约5at％至约20at％的范围内。因此，第一晶体管TR1可以包括高量的铟(In)，并且除了铟(In)之外还可以包括锡(Sn)，从而可以确保作为驱动晶体管的优异性能。
再次参照图5至图8，第一栅极绝缘层130可以设置在第一有源层350和第二有源层450上。第一栅极绝缘层130可以包括无机材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或它们的堆叠结构。
第一栅电极310和第二栅电极410可以设置在第一栅极绝缘层130上。第一栅电极310可以与第一有源层350叠置或面对第一有源层350，并且第一栅极绝缘层130插置在第一栅电极310与第一有源层350之间。第二栅电极410可以与第二有源层450叠置或面对第二有源层450，并且第一栅极绝缘层130插置在第二栅电极410与第二有源层450之间。例如，第一栅电极310可以与第一有源层350的沟道区域350c叠置或面对第一有源层350的沟道区域350c，第二栅电极410可以与第二有源层450的沟道区域450c叠置或面对第二有源层450的沟道区域450c。第一栅电极310和第二栅电极410可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或它们的合金制成的单层或多层。
第一有源层350与第一栅电极310之间的叠置或面对区域可以具有在给定的方向上测量的约2μm至约10μm的范围内的长度。如以上描述的，第一晶体管TR1的包含高量的铟(In)的第一有源层350可以具有良好的操作特性。因此，即使显示面板10的每单位面积的像素PX的数量可以增加，从而导致有源层的沟道区域的长度可能缩短，也仍然可以获得宽范围的驱动电压。在这方面，其处第一有源层350与第一栅电极310彼此叠置或面对的区域的在给定方向(例如，与第五方向DR5垂直的第三方向DR3)上测量的长度W310可以在约2μm至约10μm、约2.5μm至约4.5μm或约3μm至约4μm的范围内。然而，约2μm至约10μm的范围内的其他范围也可以适用。
尽管图6和图8示出第一栅极绝缘层130可以设置在第一栅电极310与第一有源层350之间以及第二栅电极410与第二有源层450之间，但是这里的实施例可以不限于此。例如，第一栅极绝缘层130可以形成在第一有源层350和第二有源层450中的每个的上表面和侧表面上。
第一层间绝缘层160可以设置在第一栅电极310和第二栅电极410上。第一层间绝缘层160可以包括无机材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或它们的堆叠结构。
第一层间绝缘层160可以包括穿过第一层间绝缘层160以使第一有源层350的上表面的一部分暴露的第一接触孔CT1和穿过第一层间绝缘层160以使第一有源层350的上表面的另一部分暴露的第二接触孔CT2。例如，第一接触孔CT1可以形成为使第一有源层350的第一导体区域350a暴露，第二接触孔CT2可以形成为使第一有源层350的第二导体区域350b暴露。此外，第三接触孔CT3可以形成在第一层间绝缘层160和缓冲层120中以穿过第一层间绝缘层160和缓冲层120，从而使第一遮光层360暴露。
第一层间绝缘层160可以包括穿过第一层间绝缘层160以使第二有源层450的上表面的一部分暴露的第四接触孔CT4和穿过第一层间绝缘层160以使第二有源层450的上表面的另一部分暴露的第五接触孔CT5。即，第四接触孔CT4可以形成为使第二有源层450的第一导体区域450a暴露，第五接触孔CT5可以形成为使第二有源层450的第二导体区域450b暴露。
第一晶体管TR1的第一源电极330和第一漏电极340以及第二晶体管TR2的第二源电极430和第二漏电极440可以设置在第一层间绝缘层160上。
第一源电极330可以通过第一接触孔CT1与形成在第一有源层350的一侧上的第一导体区域350a接触。第一漏电极340可以通过第二接触孔CT2与形成在第一有源层350的另一侧上的第二导体区域350b接触。
第二源电极430可以通过第四接触孔CT4与形成在第二有源层450的一侧上的第一导体区域450a接触。第二漏电极440可以通过第五接触孔CT5与形成在第二有源层450的另一侧上的第二导体区域450b接触。
第一钝化层170可以设置在第一晶体管TR1和第二晶体管TR2的源电极330和430以及漏电极340和440上。第一钝化层170可以包括无机材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或它们的堆叠结构。
第一平坦化层180可以设置在第一钝化层170上。第一平坦化层180可以使由于薄膜晶体管(诸如第一晶体管TR1和第二晶体管TR2)的形成而可能发生的台阶平坦化。第一平坦化层180可以包括有机层，诸如丙烯酰(acryl)树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等。
包括第一电极191、有机发光层192和第二电极193的发光元件EL以及像素限定层195可以形成在第一平坦化层180上。
第一电极191可以形成在第一平坦化层180上。第一电极191可以通过穿过第一钝化层170和第一平坦化层180的接触孔CNT连接到第一晶体管TR1的第一源电极330。
像素限定层195可以形成为在第一平坦化层180上覆盖第一电极191的边缘以对像素进行划分。例如，像素限定层195可以限定像素。像素中的每个可以表示其处第一电极191、有机发光层192和第二电极193可以顺序地堆叠的区域，并且来自第一电极191的空穴和来自第二电极193的电子可以在有机发光层192中彼此结合以发光。
有机发光层192可以设置在第一电极191和像素限定层195上。有机发光层192可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。有机发光层192可以以两个或更多个堆叠体的串联构造来形成，在这种情况下，电荷产生层可以形成在堆叠体之间。
第二电极193可以形成在有机发光层192上。第二电极193可以是在像素之间可以公共地形成的公共层。
发光元件EL可以形成为顶发射型以在向上方向上发光。第一电极191可以由具有高反射率的金属材料(诸如铝(Al)和钛(Ti)的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)等)形成。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。第二电极193可以包括可以透射光的透明导电材料(TCO)(诸如ITO或IZO)或半透射导电材料(诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金)。在第二电极193可以包括半透射导电材料的情况下，发光效率可以由于微腔效应而被改善。
封装层196可以形成在第二电极193上以防止氧或湿气的渗透。封装层196可以包括至少一个无机层。无机层可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛形成。此外，封装层196可以包括至少一个有机层以防止颗粒透过封装层196并进入有机发光层192和第二电极193。有机层可以由环氧树脂、丙烯酸酯或氨酯丙烯酸酯形成。
下面将描述制造包括第一晶体管TR1和第二晶体管TR2的显示装置1的方法。
图10示出流程图，该流程图示出根据实施例的制造显示装置的方法。图11至图15示出根据实施例的制造显示装置的方法的沿着图5和图7的线I-I'和II-II'截取的示意性剖视图。
参照图10至图15，如图11中所示，可以在第一基底110上形成第一遮光层360(图10的步骤S101)，并可以在第一遮光层360上形成缓冲层120(图10的步骤S102)。可以通过借由使用光致抗蚀剂图案的蚀刻工艺对可以通过溅射方法形成在第一基底110上的遮光金属层进行图案化来形成第一遮光层360。可以通过化学气相沉积来形成缓冲层120。然而，公开可以不限于此。
尽管以上已经描述了第一遮光层360，但是将理解的是，在第一基底110上可以设置以与第一遮光层360相同的方式形成的另一遮光层。
如图12中所示，可以在缓冲层120上形成第一有源层350和第二有源层450(图10的步骤S103)。一旦可以通过溅射方法形成一层，就可以通过使用光致抗蚀剂的图案化工艺来形成第一有源层350和第二有源层450。然而，公开可以不限于此，并且在一些情况下，可以通过原子层沉积来形成第一有源层350和第二有源层450。
如图13中所示，可以在第一有源层350和第二有源层450上形成第一栅极绝缘层130(图10的步骤S104)，并且可以在第一栅极绝缘层130上形成第一栅电极310和第二栅电极410(图10的步骤S105)。
可以通过化学气相沉积来形成第一栅极绝缘层130。一旦通过溅射方法在第一栅极绝缘层130上形成栅极金属层，就可以通过对栅极金属层执行使用光致抗蚀剂的图案化工艺来形成第一栅电极310和第二栅电极410。
如图14中所示，可以形成第一层间绝缘层160、第一源电极330和第二源电极430以及第一漏电极340和第二漏电极440，以被包括在第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中(图10的步骤S106)。可以通过借由使用光致抗蚀剂图案的蚀刻工艺对通过溅射方法形成在第一层间绝缘层160上的金属层进行图案化来形成第一源电极330和第二源电极430以及第一漏电极340和第二漏电极440。
如图15中所示，可以形成第一钝化层170、第一平坦化层180、第一电极191、有机发光层192、像素限定层195、第二电极193和封装层196(图10的步骤S107)。
在下文中，根据另一实施例的第一晶体管TR1和第二晶体管TR2的描述如下。
第一晶体管TR1的第一有源层350还可以包括其中氧原子O的浓度可以比其他区域的氧原子O的浓度高的区域。
图16示出示意性剖视图，该示意性剖视图示出根据另一实施例的第一晶体管。图17是部分地示出制造图16的第一晶体管的方法的示意性剖视图。图18是示出根据图16的第一晶体管的栅极电压的驱动电流的曲线图。
参照图16至图18，第一晶体管TR1_1还可以包括第一区域和具有比第一区域的氧原子浓度高的氧原子浓度的第二区域OL_1。图16的第一晶体管TR1_1与图6的实施例的不同之处在于：图16的第一晶体管TR1_1还包括具有更高的氧原子浓度的第二区域OL_1。
图16的第一晶体管TR1_1可以包括形成在第一有源层350_1的至少上表面和至少一个侧表面上的第二区域OL_1(如由提供的阴影所指示)。第二区域OL_1也可以部分地形成在与第一有源层350_1的上表面相邻的区域(例如，第一有源层350_1的上表面与至少一个侧表面之间的角部)中。第二区域OL_1可以形成在可以在其上设置第一有源层350_1的缓冲层120的底部上方，即，在缓冲层120的顶部处。
第二区域OL_1可以具有比第一有源层350_1的第一区域的氧原子O的浓度高的氧原子O的浓度。第一有源层350_1的第一区域可以是第一有源层350_1的与上表面相对的区域(即，第一有源层350_1的下表面)。因此，第一有源层350_1的上表面的氧原子浓度可以比第一有源层350_1的下表面的氧原子浓度大。一旦可以形成第一有源层350_1，就可以通过在第一有源层350_1上照射包含氧原子的等离子体来形成第二区域OL_1。
如图17中所示，在可将包含氧原子的等离子体(例如，N2O等离子体)照射到形成在缓冲层120上的第一有源层350_1上的情况下，可具有比第一有源层350_1的其他区域的氧原子浓度高的氧原子浓度的第二区域OL_1可以形成在第一有源层350_1的上表面上。尽管可以仅在第一有源层350_1上照射等离子体(如由向下箭头所指示的)，但是也可以在第二晶体管TR2的第二有源层450上照射等离子体。当照射等离子体时，其处氧原子浓度比其他区域的氧原子浓度高的第二区域OL_1可以形成在与第一有源层350_1的被暴露的上表面和两个侧表面相邻的区域中。因此，第一有源层350_1的上表面的氧原子浓度可以比第一有源层350_1的下表面的氧原子浓度大。
在第一有源层350_1可以包括具有比其他区域的氧原子浓度高的氧原子浓度的第二区域OL_1的情况下，可以使第一晶体管TR1_1的性能进一步最大化。如图18中所示，如以上描述的，第一晶体管TR1_1的第一有源层350_1可以包含相对高量的铟(In)并包括第二区域OL_1，第二区域OL_1具有高的氧原子浓度。因此，低于阈值电压的摆幅值可以增大。
在图18中，虚线表示包括通过在具有52at％的铟(In)量的氧化物半导体上照射N2O等离子体而形成的有源层的驱动晶体管。实线可以表示可以包括通过在具有约75at％的铟(In)量的氧化物半导体上照射N2O等离子体而形成的有源层的驱动晶体管。在由图18的虚线表示的曲线中，可以观察到低于阈值电压的摆幅值为约0.26，并且可以观察到栅极电压(V)的驱动范围为约1.28V。然而，在由图18的实线表示的曲线(即，如图16中所示的包括包含第二区域OL_1的氧化物半导体有源层的驱动晶体管)中，可以观察到低于阈值电压的摆幅值为约0.58，并且可以观察到栅极电压(V)的驱动范围为约3.24V。与图9相比，可以看到的是，在可以将N2O等离子体照射到包含约75at％的铟(In)的氧化物半导体以形成具有高的氧原子浓度的区域的情况下，可以进一步增大栅极电压(V)的驱动范围。因此，第一有源层350_1可以包括第二区域OL_1(是经由照射N2O等离子体而具有高的氧原子浓度的区域)，根据实施例的第一晶体管TR1_1在相同范围的驱动电流(A)内可以具有栅极电压(V)的更宽的驱动范围。换句话说，根据实施例的第一晶体管TR1_1可以具有可以超过驱动电流(A)的范围的增量增大的驱动电压(V)的范围的增量增大。
此外，与第一晶体管TR1相似，第二晶体管TR2可以包括遮光层。
图19示出根据另一实施例的第二晶体管的平面图。图20示出沿图19的线III-III'截取的示意性剖视图。
参照图19和图20，根据实施例的第二晶体管TR2_2还可以包括第二遮光层460_2。第二栅电极410_2可以连接到第二遮光层460_2。图19和图20的第二晶体管TR2_2与图7和图8的第二晶体管TR2的不同之处可以在于：第二栅电极410_2可以连接到第二遮光层460_2。
图19和图20的第二晶体管TR2_2可以包括第二栅电极410_2、第二有源层450_2、第二源电极430_2、第二漏电极440_2和第二遮光层460_2。
第二遮光层460_2可以设置在第一基底110上。第二遮光层460_2可以防止来自外部的光穿过第一基底110入射在第二有源层450_2上。第二遮光层460_2在第三方向DR3上的长度和第二遮光层460_2在第四方向DR4上的长度可以比第二有源层450_2在第三方向DR3上的长度和第二有源层450_2在第四方向DR4上的长度长。第二遮光层460_2可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或它们的合金制成的单层或多层。缓冲层120可以形成在第二遮光层460_2上。
第二栅电极410_2可以通过第六接触孔CT6与第二遮光层460_2接触。第六接触孔CT6可以形成为穿过第一栅极绝缘层130和缓冲层120以使第二遮光层460_2暴露。第二栅电极410_2和设置在第二有源层450_2下方的第二遮光层460_2可以具有相同的电压。例如，第二栅电极410_2可以用作上栅电极，第二遮光层460_2可以用作下栅电极。因此，由于可以作为开关晶体管的第二晶体管TR2_2可以以双栅方式被驱动，所以在第二晶体管TR2_2可以截止的情况下，可以防止或减少漏电流流到第二晶体管TR2_2的第二有源层450_2的沟道区域450c_2中。
尽管未示出，但是扫描驱动器30可以包括多个级(stage)，并且所述多个级可以将扫描信号S顺序地输出到每个像素PX的扫描线SL1至SLk。所述级可以包括上拉晶体管、下拉晶体管和节点控制器。上拉晶体管和下拉晶体管可以以与第二晶体管TR2或TR2_2基本上相同的方式形成。尽管未示出，但是显示装置1还可以包括数据电压分压器电路，数据电压分压器电路可以包括分压器晶体管。分压器晶体管也可以以与第二晶体管TR2或TR2_2基本上相同的方式形成。上拉晶体管、下拉晶体管和分压器晶体管也可以包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，其中的每个可以与以上描述的第二晶体管TR2或TR2_2基本上相同地形成。
图21示出根据实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图。
参照图21，根据实施例的显示装置1可以包括晶体管层TFTL1和TFTL2。晶体管层TFTL1和TFTL2可以包括分别具有不同晶体管的第一晶体管层TFTL1和第二晶体管层TFTL2。第三晶体管TR3_3(例如，以上描述的扫描驱动器30的上拉晶体管的第三有源层550_3)可以包括多晶硅。可以分别作为每个像素PX的驱动晶体管和开关晶体管的第一晶体管TR1_3和第二晶体管(例如，前述的TR2或TR2_2)可以位于第三晶体管TR3_3上方。尽管仅示出了第一晶体管TR1_3，但第二晶体管(例如，前述的TR2或TR2_2)也可以设置在与第一晶体管TR1_3相同的层上。第一晶体管TR1_3可以包括有源区域350_3以及遮光层360_3，有源区域350_3包括导体区域350a_3和350b_3以及沟道区域350c_3。图21的实施例与这里的其他实施例的不同之处可以在于：包括在显示装置1中的多个晶体管可以设置在不同的晶体管层TFTL1和TFTL2中。
如图21中所示，第一晶体管层TFTL1可以包括第三晶体管TR3_3，第三晶体管TR3_3可以包括第三栅电极510_3、第三有源层550_3以及第三源电极530_3和第三漏电极540_3。
第三有源层550_3可以设置在缓冲层120上。第三有源层550_3可以包括多晶硅，并且可以包括第一掺杂区域550a_3、第二掺杂区域550b_3和沟道区域550c_3。沟道区域550c_3可以由可以未掺杂有杂质的多晶硅制成，第一掺杂区域550a_3和第二掺杂区域550b_3可以由掺杂有杂质的多晶硅制成。然而，公开可以不限于此，第三有源层550_3也可以以与有源区域350_3相同的方式由氧化物半导体形成。
第二栅极绝缘层230可以设置在第三有源层550_3上。第二栅极绝缘层230可以由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或它们的堆叠构造形成。
第三栅电极510_3可以设置在第二栅极绝缘层230上。第三栅电极510_3可以与第三有源层550_3叠置或面对第三有源层550_3，并且第二栅极绝缘层230插置在第三栅电极510_3与第三有源层550_3之间。第三栅电极510_3可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或它们的合金制成的单层或多层。
尽管第二栅极绝缘层230可以设置在第三有源层550_3与第三栅电极510_3之间，但是第二栅极绝缘层230也可以形成在第三有源层550_3的上表面和侧表面上。
第二层间绝缘层260可以设置在第三栅电极510_3上。第二层间绝缘层260可以由无机材料(诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或它们的堆叠构造)形成。
第二层间绝缘层260可以包括穿过第二层间绝缘层260以使第三有源层550_3的上表面的一部分暴露的第七接触孔CT7和穿过第二层间绝缘层260以使第三有源层550_3的上表面的另一部分暴露的第八接触孔CT8。例如，第七接触孔CT7可以形成为使第三有源层550_3的第一掺杂区域550a_3暴露，第八接触孔CT8可以形成为使第三有源层550_3的第二掺杂区域550b_3暴露。
第三晶体管TR3_3的第三源电极530_3和第三漏电极540_3可以设置在第二层间绝缘层260上。
第三源电极530_3可以通过第七接触孔CT7与形成在第三有源层550_3的一侧上的第一掺杂区域550a_3接触。第三漏电极540_3可以通过第八接触孔CT8与形成在第三有源层550_3的另一侧上的第二掺杂区域550b_3接触。
第二钝化层270可以形成在第三源电极530_3和第三漏电极540_3上。第二钝化层270可以由无机层(例如，氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或它们的多层构造)形成。
第二平坦化层280可以设置在第二钝化层270上。第二平坦化层280可以使由于薄膜晶体管(诸如第三晶体管TR3_3)的形成而引起的台阶平坦化。第二平坦化层280可以由有机层(诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等)形成。
绝缘层121可以设置在第二平坦化层280上。此外，以上参照图5至图8描述的第一层间绝缘层160、第一钝化层170和第一平坦化层180可以形成在绝缘层121上。例如，在图21中示出的实施例中，包括第三晶体管TR3_3的第一晶体管层TFTL1可以设置在第一基底110上，第三晶体管TR3_3可以是分压器晶体管以及扫描驱动器30中包括的上拉晶体管和下拉晶体管。包括第一晶体管TR1_3和第二晶体管(例如，前述的TR2或TR2_2)(分别作为每个像素PX的驱动晶体管和开关晶体管)的第二晶体管层TFTL2可以设置在第一晶体管层TFTL1上。包括第一电极191、有机发光层192和第二电极193的发光元件EL可以形成在第二晶体管层TFTL2上。
然而，公开可以不限于此。在图21的实施例中，第三晶体管TR3_3可以具有不同的构造。例如，第三晶体管TR3_3还可以包括遮光层。此外，第一晶体管TR1_3和第二晶体管(例如，前述的TR2或TR2_2)可以分别设置在不同的晶体管层TFTL1和TFTL2中。
尽管已经描述了公开的实施例，但是可以理解的是，公开可以不限于这些实施例，并且在如要求保护的公开的精神和范围内，本领域的普通技术人员可做出各种改变和修改。因此，公开的主题可以不限于这里描述的任何单个实施例，并且公开的范围可以根据权利要求来确定。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素，连接到扫描线和与所述扫描线交叉的数据线，
其中，所述多个像素中的每个包括发光元件和第一晶体管，所述第一晶体管被配置为根据从所述数据线施加的数据电压来控制供应到所述发光元件的驱动电流，其中，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括包含铟的氧化物半导体，并且其中，所述第一有源层的所述氧化物半导体中的所述铟的含量为70at％或更大。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体包括氧化铟锡或氧化铟锡镓。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体中的所述铟的量和锡的量的总和大于或等于95at％。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体中的所述锡的所述量在5at％至20at％的范围内。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一有源层包括第一区域和第二区域，所述第二区域具有比所述第一区域的氧原子浓度高的氧原子浓度。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二区域位于所述第一有源层的上表面和所述第一有源层的至少一个侧表面上。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有源层包括第一导体区域、第二导体区域以及设置在所述第一导体区域与所述第二导体区域之间的沟道区域。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一晶体管还包括：
第一遮光层，设置在所述第一有源层下方；
第一栅电极，设置在所述第一有源层上；
第一源电极，通过穿过第一绝缘层的第一接触孔与所述第一导体区域接触，所述第一绝缘层设置在所述第一栅电极上；以及
第一漏电极，通过穿过所述第一绝缘层的第二接触孔与所述第二导体区域接触。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一栅电极以2μm至10μm的叠置量与所述第一有源层叠置。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一源电极通过穿过所述第一绝缘层和缓冲层的第三接触孔与所述第一遮光层接触，所述缓冲层设置在所述第一有源层与所述第一遮光层之间。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素还包括第二晶体管，所述第二晶体管被配置为根据施加到所述扫描线的扫描信号将所述数据线的所述数据电压施加到所述第一晶体管，并且所述第二晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括包含铟的氧化物半导体。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二晶体管还包括：
第二遮光层，设置在所述第二有源层下方；以及
第二栅电极，设置在所述第二有源层上。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二栅电极通过穿过第一栅极绝缘层和缓冲层的第六接触孔与所述第二遮光层接触，所述第一栅极绝缘层设置在所述第二有源层与所述第二栅电极之间，所述缓冲层设置在所述第二有源层与所述第二遮光层之间。
14.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
扫描驱动器，被配置为将扫描信号输出到所述扫描线，
其中，所述扫描驱动器包括第三晶体管，所述第三晶体管包括第三有源层。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一晶体管的所述第一有源层设置在所述第三晶体管的所述第三有源层上方。
16.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素，连接到扫描线和与所述扫描线交叉的数据线，
其中，所述多个像素中的每个包括发光元件、驱动晶体管和开关晶体管，所述驱动晶体管被配置为根据从所述数据线施加的数据电压来控制供应到所述发光元件的驱动电流，所述开关晶体管被配置为根据施加到所述扫描线的扫描信号将所述数据线的所述数据电压施加到所述驱动晶体管，
其中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管均包括有源层，所述有源层包括包含铟的氧化物半导体，并且
其中，所述有源层的所述氧化物半导体中的所述铟的含量为70at％或更大。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体包括氧化铟锡或氧化铟锡镓。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体中的所述铟的量和锡的量的总和大于或等于95at％。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管的所述有源层的上表面的氧原子浓度高于所述驱动晶体管的所述有源层的下表面的氧原子浓度。
20.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管还包括设置在所述有源层上的栅电极，并且所述栅电极和所述有源层的叠置区域具有2μm至10μm的范围内的长度。
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