CN112106444A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

有机EL显示装置包括设置在平坦化膜(19a)上的有机EL元件(30)以及设置为覆盖有机EL元件(30)的密封膜(28),显示区域(D)与边框区域(F)被规定,所述边框区域(F)被规定在显示区域(D)的周围,在边框区域(F)设置有多个掩膜间隔物(37),在显示区域(D)与显示区域(D)侧的掩膜间隔物(37)之间,在平坦化膜(19a)形成有凹部(S),有机膜(26)填充在凹部(S)。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明是关于显示装置及其制造方法。
背景技术
近年以来,作为代替液晶显示装置的显示装置,使用有机EL(electroluminescence)元件的自发光型有机EL显示装置引起关注。在此,在有机EL显示装置中,为了抑制水分、氧等的混入导致的有机EL元件的劣化,而提案了将覆盖有机EL元件的密封膜由无机膜与有机膜的层叠膜来构成的密封结构。
作为可以适用在上述密封膜的有机膜的材料,例如,专利文献1公开了有机EL显示元件用密封剂,其是能够通过喷墨法来容易涂布,而且固化性、固化物的透明性以及阻挡性优异。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-225380号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而,由于由喷墨法形成的有机膜的成膜性容易受到被成膜表面的状态的影响,从而难以高精度地形成其有机膜的周端部(边缘)。因此,在设置在上述周端部的平坦化膜上,与显示区域相比,有机树脂材料(涂布墨)的扩散方式不同,因此墨的膜厚变小,结果,存在了容易产生有机膜的膜缺损的问题。
因此,本发明是鉴于上述问题点完成的,其目的在于提供显示装置及其制造方法,能够提高涂布膜的润湿扩散而且抑制有机膜的膜缺损的发生。
解决问题的手段
为了达成上述目的,本发明所述涉及的显示装置包括:衬底基板;多个开关元件,设置在衬底基板上;平坦化膜,设置在多个开关元件上;发光元件,设置在平坦化膜上;密封膜,设置为覆盖发光元件,且依次层叠有第一无机膜、有机膜以及第二无机膜,显示区域与边框区域被规定,所述边框区域被规定在显示区域的周围,所述显示装置的特征在于,在边框区域设置有多个掩膜间隔物,在显示区域与显示区域侧的掩膜间隔物之间,在平坦化膜形成有凹部,有机膜填充在凹部。
发明效果
根据本发明,当通过喷墨法来形成有机膜时,提高构成有机膜的有机树脂材料的润湿扩散,因此能够抑制有机膜的膜缺损的发生。
附图说明
图1是第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的俯视图。图2是第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。
图3是第一实施方式所涉及的显示构成有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图4是有机EL显示装置与边框区域的边界部分的剖视图。
图5是第一实施方式所涉及的显示构成有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。
图6是第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的边框区域(堰堤部)的剖视图。
图7是第一实施方式中的喷墨法中的显示有机树脂材料的喷出时机的时序图。
图8是第一实施方式中的喷墨法中的显示有机树脂材料的喷出时机的时序图。
图9是用于说明第一实施方式中的喷墨法中的有机树脂材料的滴落位置。
图10是显示有机EL显示装置的凹部的变形例的剖视图。
图11是显示有机EL显示装置的凹部的变形例的俯视图。
具体实施方式
以下,基于附图详细说明本发明的实施方式。此外,本发明不限于以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1至图6是显示本发明所涉及的显示装置的第一实施方式。此外,在以下各实施方式中,作为包括发光元件的显示装置,例示包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此,图1是本实施方式的有机EL显示装置50a的俯视图,图2是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图。另外,图3是显示构成有机EL显示装置50a的TFT层20a的等效电路图,图4是有机EL显示装置50a的显示区域D与边框区域F的边界部分的剖视图。另外,图5是显示构成有机EL显示装置50a的有机EL层23的剖视图,图6是有机EL显示装置50a的边框区域(堰堤部)的剖视图。
如图1所示,有机EL显示装置50a包括矩形状的显示区域D、和边框区域F,所述显示区域D进行显示图像,所述边框区域F规定在显示区域D的周围。另外,如图1所示,在边框区域F的图中右端部中设置有端子部T。
如图2所示,在此,在有机EL显示装置50a的显示区域D中,多个子像素P按矩阵状排列。另外,如图2所示,在有机EL显示装置50a的显示区域D中,例如包括用于进行红色显示的红色发光区域Lr的子像素P、包括用于进行绿色显示的绿色发光区域Lg的子像素P以及包括用于进行蓝色显示的蓝色发光区域Lb的子像素P设置成互相相邻。
此外,在有机EL显示装置50a的显示区域D中,由包括红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg以及蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P来构成一个像素。
如图4所示,有机EL显示装置50a包括衬底基板10以及有机EL元件30,所述有机EL元件30构成在衬底基板10上经由TFT(thin film transistor)层20a设置的显示区域D。
衬底基板10例如由聚酰亚胺树脂等构成,作为树脂基板设置。
如图4所示,TFT层20a包括:设置在衬底基板10上的底涂膜11;设置在底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b以及多个电容器9c;设置在各第一TFT9a、各第二TFT9b以及各电容器9c上的平坦化膜19a。
在此,如图2以及图3所示,在TFT层20a中设置有多个栅极线14,以使在图中横向互相平行地延伸。另外,如图2以及图3所示,在TFT层20a中设置有多个源极线18f,多个源极线18f在图中纵向互相平行地延伸。另外,如图2以及图3所示,在TFT层20a中设置有多个电源线18g,多个电源线18g与各源极线18f相邻,且在图中纵向互相平行地延伸。另外,如图3所示,在TFT层20a中,在各子像素P分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b以及电容器9c。
底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅以及氧氮化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示,第一TFT9a在各子像素P中,连接在对应的栅极线14以及源极线18f。在此,如图4所示,第一TFT9a包括:在底涂膜11上设置为岛状的半导体层12a;设置成覆盖半导体层12a的栅极绝缘膜13;设置成在栅极绝缘膜13上与半导体层12a的一部分重叠的栅极电极14a;依次设置成覆盖栅极电极14a的第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17;设置在第二层间绝缘膜17上,且配置成互相离开的源极电极18a与漏极电极18b。
此外,栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17例如由氮化硅、氧化硅以及氧氮化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图3所示,第二TFT9b在各子像素P中,连接在对应的第一TFT9a以及电源线18g。在此,如图4所示,第二TFT9b包括:在底涂膜11上设置成岛状的半导体层12b;设置成覆盖半导体层12b的栅极绝缘膜13;设置成在栅极绝缘膜13上与半导体层12b的一部分重叠的栅极电极14b;依次设置成覆盖栅极电极14b的第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17;设置在层间绝缘膜17上,且配置成互相离开的源极电极18c与漏极电极18d。
此外,在本实施方式中,例示了顶栅型的第一TFT9a以及第二TFT9b,但是第一TFT9a以及第二TFT9b也可以是底栅型的TFT。
如图3所示,电容器9c在各子像素P中,连接在对应的第一TFT9a以及电源线18g。在此,如图4所示,电容器9c包括:下部导电层14c,其在与栅极电极同一层上由相同材料来形成;第一层间绝缘膜15,其设置成覆盖下部导电层14c;上部导电层16,其设置成在第一层间绝缘膜15上与下部导电层14c重叠。
另外,在本实施方式中,平坦化膜19a由丙烯酸树脂、环氧树脂等的廉价的有机树脂材料形成。
如图4所示,有机EL元件30包括:在平坦化膜19a上依次设置的多个第一电极(反射电极)21、多个有机EL层23以及第二电极(透明电极)24。
如图4所示,多个第一电极21以与多个子像素P对应的方式,作为反射电极在平坦化膜19a上设置成矩阵状。在此,如图4所示,第一电极21经由形成在平坦化膜19a的接触孔,与各第二TFT9b的漏极电极18d连接。另外,第一电极21具有将孔(空穴)注入在有机EL层23的功能。另外,第一电极21为了提高向有机EL层23的空穴注入效率,更优选由功函数大的材料来形成。在此,作为构成第一电极21的材料,例如举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)以及氟化锂(LiF)等的金属材料。另外,构成第一电极21的材料可以是例如镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al),或也可以是氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金。进一步,构成第一电极21的材料也可以是像氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)以及铟锌氧化物(IZO)之类的导电性氧化物等。另外,第一电极21也可以将由上述材料构成的层层叠多层而形成。此外,作为功函数大的材料,例如举出铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图4所示,边缘罩22以覆盖各第一电极21的周缘部的方式设置成格子状。该边缘罩22设置在各发光区域Lr、Lg、Lb之间,而且作为用于区划各发光区域Lr、Lg、Lb的隔壁发挥功能。
在此,作为构成边缘罩22的材料,例如举出聚酰亚胺树脂、SOG(旋制氧化硅)树脂等的有机树脂材料等。另外,作为构成边缘罩22的材料,可以使用脱出气(out gas)少的材料。
此外,在此说的“脱出气”是指制作树脂后被放出的气体量,“脱出气少”是指脱出气是5ppm以下。
如图4所示,多个有机EL层23配置在各第一电极21上,且以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。在此,如图5所示,各有机EL层23包括:在第一电极21上依次设置的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5。
空穴注入层1也称为阳极缓冲层,包含如下功能:使第一电极21与有机EL层23的能级接近,且改善从第一电极21向有机EL层23的空穴注入效率。在此,作为构成空穴注入层1的材料,例如举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物以及茋衍生物等。
空穴输送层2具有提高从第一电极21向有机EL层23的空穴的输送效率的功能。在此,作为构成空穴输送层2的材料,例如举出卟啉衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基(poly-p-phenylene vinylene)、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、氢氧化非晶硅、氢化非晶硅碳、硫化锌以及硒化锌等。
发光层3是如下区域:当通过第一电极21以及第二电极24来施加电压时,孔穴与电子分别从第一电极21与第二电极24注入,并且孔穴与电子再结合。在此,发光层3由发光效率高的材料形成。而且,作为构成发光层3的材料,例如举出金属羟基喹啉酮(オキシノイド,oxinoid)化合物(8-羟基喹啉金属络合物)、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基亚乙基衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、若丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基(poly-p-phenylene vinylene)以及聚硅烷等。
电子输送层4包括将电子有效地移动至发光层3的功能。在此,作为构成电子输送层4的材料,例如作为有机化合物,举出恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物以及金属羟基喹啉酮(oxinoid)化合物等。
电子注入层5包括如下功能:使第二电极24与有机EL层23的能级接近,且提高电子从第二电极24向有机EL层23注入的效率,通过该功能来能够降低有机EL元件30的驱动电压。此外,电子注入层5也称为阴极缓冲层。在此,作为构成电子注入层5的材料,例如举出像氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)以及氟化钡(BaF2)之类的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)以及氧化锶(SrO)等。
如图4所示,第二电极24设置为覆盖各有机EL层23以及边缘罩22。另外,第二电极24具有将电子注入在有机EL层23的功能。另外,为了提高向有机EL层23的电子注入效率,优选第二电极24由功函数小的材料构成。在此,作为构成第二电极24的材料,例如举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)以及氟化锂(LiF)等。另外,第二电极24也可以由例如镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)以及氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金形成。另外,第二电极24也可以例如由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)以及铟锌氧化物(IZO)等的导电性氧化物形成。另外,第二电极24也可以将由上述材料构成的层层叠多层而形成。此外,作为功函数小的材料,例如举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)以及氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
另外,如图4所示,有机EL显示装置50a包括覆盖有机EL元件30的密封膜28。该密封膜28包括:设置成覆盖第二电极24的第一无机膜25;设置成覆盖第一无机膜25的有机膜26;设置成覆盖有机膜26的第二无机膜27,且具有将有机EL层23从水分或氧保护的功能。
第一无机膜25以及第二无机膜27例如由氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、像四氮化三硅(Si3N4)之类的氮化硅(SiNx(x为正数))、碳氮化硅(SiCN)等的无机材料构成。另外,有机膜26例如由丙烯酸脂、聚脲、聚对二甲苯(Parylene)、聚酰亚胺以及聚酰胺等的有机材料构成。
在此,如图4所示,在本实施方式中,在边框区域F设置有多个掩膜间隔物37。该掩膜间隔物37由与上述的边缘罩22相同的材料形成,经由在与第一电极21同一层且与第一电极21相同材料形成的金属层21’设置在平坦化膜19a上。
另外,如图4所示,在本实施方式中,在显示区域D与显示区域D侧的掩膜间隔物37(即,图4所示的多个掩膜间隔物37中,是图中左端的掩膜间隔物)之间,在平坦化膜19a形成有凹部(狭缝)S,有机膜(即,有机树脂材料)26填充在该凹部S中。
如图4所示,该凹部S的截面是大致矩形状,且如图1所示,在俯视时以包围显示区域D的方式形成为直线状,凹部S形成到显示区域D的整个周向。
然后,通过设置这样的凹部S,从而由喷墨法来喷出并且成为有机膜26的有机树脂材料(涂布墨)容易被积存,在凹部S的显示区域D侧的方向容易扩散。
另外,通过设置掩膜间隔物37,从而由喷墨法来喷出并且成为有机膜26的有机树脂材料留在设置有掩膜间隔物37的区域,因此有机树脂材料经由有机膜26被填充的凹部S,在凹部S的显示区域D侧的方向容易扩散。
即,在本实施方式中设为如下构成:在边框区域F设置有多个掩膜间隔物37,并且在显示区域D与显示区域D侧的掩膜间隔物37之间,在平坦化膜19a形成有凹部S,在凹部S填充有机膜26,因此当由喷墨法形成有机膜26时,提高有机树脂材料的润湿扩散,结果,能够抑制有机膜26的膜缺损的发生。
另外,如图4所示,在边框区域F设置有单片型栅极驱动器区域(GDM区域)38,所述单片型栅极驱动器区域38设置有驱动器用的TFT(未图示),凹部S设置在显示区域D与单片型栅极驱动器区域38之间。
另外,如图4所示,在凹部S的与显示区域D侧相反的一侧中,在平坦化膜19a形成有沟槽40,在该沟槽40与凹部S之间设置有掩膜间隔物37。另外,如图1所示,在与端子部T相对的部分没有设置沟槽40,沟槽40形成为日文“コ”字形。
然后,如图4所示,第二电极24与上述金属层21’在沟槽40中设为互相接触且电连接的构成。
另外,如图4所示,在将凹部S的宽度为W1、将沟槽40的宽度为W2的情况下,设为凹部S的宽度W1比沟槽40的宽度W2大(即,设为W1>W2)。具体地,凹部S的宽度W1例如是30μm,沟槽40的宽度W2例如为5μm。这样,将凹部S的宽度W1设定为较大的值,因此容易能够将上述有机树脂材料(涂布墨)积存在该凹部S,提高该有机树脂材料的润湿扩散,抑制有机膜26的膜缺损的发生。
另外,如图6所示,在本实施方式的有机EL显示装置50a的边框区域F(堰堤区域C)设置有第一堰堤壁Wa与第二堰堤Wb。第一堰堤壁Wa被设为包围显示区域D,第二堰堤壁Wb被设为包围第一堰堤壁Wa。
另外,如图6所示,第一堰堤壁Wa经由构成密封膜28的第一无机膜25与构成密封膜28的有机膜26的周端部接触,且设置成与有机膜26的周端部重叠。另外,第一堰堤壁Wa由与上述的边缘罩22的相同材料形成。
另外,如图6所示,第二堰堤壁Wb经由第一无机膜25与有机膜26的周端部接触,且设置成与有机膜26的周端部的边缘重叠。另外,第二堰堤壁Wb由与上述的边缘罩22的相同材料形成。
接下来,对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法进行说明。此外,本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法包括有机EL元件形成工序以及密封膜形成工序。
<有机EL元件形成工序>
例如,使用已知的方法在聚酰亚胺树脂制的衬底基板10的表面上形成包括底涂膜11的TFT层20a、有机EL元件30(第一电极21、有机EL层23(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)、第二电极24)、边缘罩22、第一堰堤壁Wa以及第二堰堤壁Wb。
在此,当以覆盖设置在衬底基板10上的多个开关元件(第一TFT9a、第二TFT9b)的方式形成平坦化膜19a时,在该平坦化膜19a形成凹部S与沟槽40。
更具体来说,例如使用旋涂法将感光性丙烯酸树脂涂布在形成有第一TFT9a以及第二TFT9b的衬底基板10上,并且使用具有规定的曝光图案的曝光掩膜,由规定的曝光量(例如,150mJ/cm2)来进行曝光,由使用碱性显影液来进行显影,从而具有凹部S和沟槽40,例如形成厚度2μm的平坦化膜19a。此外,显影后,作为后烘培在规定的条件下(例如,在220度的温度下60分种)进行烧结。
另外,如图4所示,在沟槽40的表面形成有金属层21’与第二电极24,在沟槽40中金属层21’与第二电极24电连接。
另外,如上述那样,掩膜间隔物37由与边缘罩22相同的材料形成,在形成第一电极21后,以覆盖该第一电极21的周缘部的方式形成边缘罩22时,如图4所示,同时掩膜间隔物37也形成在金属层21’的表面上。此外,如图4所示,该掩膜间隔物37在凹部S的与显示区域D侧相反的一侧的边框区域F中,形成在平坦化膜19a上。
<密封膜形成工序>
首先,以覆盖在上述有机EL元件形成工序形成的有机EL元件30的方式,通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition)法来例如将氮化硅膜等的无机绝缘膜成膜为厚度大致几10nm至几μm,从而形成第一无机膜25。此时,如图4所示,在凹部S的表面、形成在沟槽40的表面的第二电极24的表面、掩膜间隔物37的表面上形成有第一无机膜25。
接下来,通过喷墨法在形成有第一无机膜25的基板的表面全体将例如丙烯酸酯等的有机树脂材料喷出为厚度大致几μm至几10μm而将有机膜26形成在第一无机膜25的表面上。
此时,若设定喷墨的喷嘴间距为p、每一滴的喷出体积为V、喷墨的扫描速度为v、喷墨的扫描次数(对涂布区域的滴下次数)为n、有机膜26的期望的膜厚为t,则给涂布频率f的公式是如下所示公式(1)。
[数1]
f=pvd/(nV) (1)
例如,若设定p=70μm、V=10pl、v=1[m/s]、n=4次、t=10μm,则涂布频率成为17.5kHz,通过该频率喷出有机树脂材料即可。
在本发明中,当一边扫描喷墨,一边喷出有机树脂材料时,为了防止有机膜26的膜缺损,设为将有机树脂材料滴落在凹部S。例如,在上述的例子中,如图7所示,在凹部S以外的一般的区域中,通过1/f=57μs的规定的喷出时机来喷出有机树脂材料。另外,当喷墨通过凹部S时,以有机树脂材料滴落到凹部S的方式喷出时机变化为比所述1/f较短的时机,例如,如图8所示,凹部S的区域中的喷出时机变为1/f’(1/f>1/f’),然后,再回到一般的喷出时机1/f。通过一边使喷墨扫描,一边读取设置在喷墨装置的编码器来生成喷出时机,且正确地控制滴落位置。
另外,如图9所示,有机树脂材料的落滴位置以将液滴设置在凹部S的内部的方式喷出即可(例1),或者将滴落位置设置在从凹部S至半径R1以内即可(例2)。另外,如果是液滴的半径10pl的喷出体积,则液滴的半径大致是13μm,在此情况下,将从凹部S的滴落位置设为13μm以内即可,或者最大也将滴落位置设为从凹部S至液滴的滴落半径R2以内即可(例3)。在上述中的任何例子也有机树脂材料滴落在凹部S,凹部S作为液滴的钉扎发挥功能而能够防止有机膜26的膜缺损。
另外,此时,在本实施方式中,一开始不是向凹部S喷出,而是向显示区域D、边框区域F的双方喷出有机树脂材料从而形成有机膜26。
进一步,对形成有有机膜26的基板,例如通过由等离子体CVD法来将氮化硅膜等的无机绝缘膜成膜为厚度大致几10nm至几μm从而形成第二无机膜27,进而形成由第一无机膜25、有机膜26以及第二无机膜27构成的密封膜28。
以上那样,能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
《其他实施方式》
如图10所示,也可以将形成在平坦化膜19a的表面的凹坑(凹陷)为凹部S,也可以将该凹部S的截面形状为大致半圆形状(凹坑形状)。另外,如图11所示,在俯视下,也可以将凹部S形成为波纹状,以使包围显示区域D。在这样的构成中也可以产生与上述的实施方式相同的效果。
另外,当通过喷墨法喷出有机树脂材料时,也可以一开始对凹部S喷出有机树脂材料,在凹部S填充有机树脂材料(即,有机膜26)。
在上述实施方式中的有机EL显示装置50a中例示了有机EL层,所述有机EL层是空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层的5层层叠结构,但是有机EL层也可以是例如空穴注入层兼空穴输送层、发光层以及电子输送层兼电子注入层的3层层叠结构。
另外,在上述各实施方式中例示了有机EL显示装置,所述有机EL显示装置将第一电极为阳极,将第二电极为阴极,但是本发明也可以适用在使有机EL层的层叠结构反转,将第一电极为阴极,将第二电极为阳极的有机EL显示装置。
另外,在各实施方式中例示了有机EL显示装置,所述有机EL显示装置将与第一电极连接的TFT的电极为源极电极,本发明也可以适用在将与第一电极连接的TFT的电极称为漏极电极的有机EL显示装置。
另外,在上述各实施方式中,作为显示装置例示了有机EL显示装置,但是本发明可以适用在包括由电流来驱动的多个发光元件的显示装置,例如可以适用在包含使用含量子点的层的发光元件即QLED(Quantum-dot light emitting diode)的显示装置。
工业实用性
如以上那样,本发明对有机EL显示装置等的显示装置有用的。
附图标记说明
9a 第一TFT(开关元件)
9b 第二TFT(开关元件)
19a 平坦化膜
21 第一电极
22 边缘罩
23 有机EL层
24 第二电极
25 第一无机膜
26 有机膜
27 第二无机膜
28 密封膜
30 有机EL元件(发光元件)
37 掩膜间隔物
38 单片型栅极驱动器区域
40 沟槽
50a 有机EL显示装置
C 堰堤区域
D 显示区域
F 边框区域
S 凹部
T 端子部
W1 凹部的宽度
W2沟槽的宽度

Claims (14)

1.一种显示装置,其包括:
衬底基板;
多个开关元件,设置在所述衬底基板上;
平坦化膜,设置在所述多个开关元件上;
发光元件,设置在所述平坦化膜上;
密封膜,设置为覆盖所述发光元件,且依次层叠有第一无机膜、有机膜以及第二无机膜,
显示区域与边框区域被规定,所述边框区域被规定在所述显示区域的周围,所述显示装置的特征在于,
在所述边框区域设置有多个掩膜间隔物,
在所述显示区域与所述显示区域侧的所述掩膜间隔物之间,在所述平坦化膜形成有凹部,所述有机膜填充在所述凹部。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
在所述边框区域设置有单片型栅极驱动器区域,所述凹部设置在所述显示区域与所述单片型栅极驱动器区域之间。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,
所述凹部是形成在所述平坦化膜的表面的凹坑。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述发光元件包括第一电极与第二电极,
在所述凹部的与所述显示区域侧相反的一侧中,在所述平坦化膜形成有沟槽,在所述沟槽中,所述第二电极与金属层互相连接,所述金属层在与所述第一电极同一层上由相同材料来形成。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,
在所述沟槽与所述凹部之间形成有所述掩膜间隔物。
6.根据权利要求4或5所述的显示装置,其特征在于,
所述凹部的宽度比所述沟槽的宽度大。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述凹部设置为框状,以包围所述显示区域。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述发光元件是有机EL元件。
9.一种显示装置的制造方法,所述显示装置包括:
衬底基板;
多个开关元件,设置在所述衬底基板上;
平坦化膜,设置在所述多个开关元件上;
发光元件,设置在所述平坦化膜上;
密封膜,设置为覆盖所述发光元件,且依次层叠有第一无机膜、有机膜以及第二无机膜,
显示区域与边框区域被规定,所述边框区域被规定在所述显示区域的周围,所述显示装置的制造方法的特征在于,其至少包括:
当以覆盖设置在所述衬底基板上的所述多个开关元件的方式形成所述平坦化膜时,在所述平坦化膜形成凹部的工序;
在所述凹部的与所述显示区域侧相反的一侧的边框区域中,在所述平坦化膜上形成多个掩膜间隔物的工序;
在所述凹部的表面以及所述掩膜间隔物的表面上形成所述第一无机膜的工序;
通过喷墨法在形成有所述第一无机膜的基板的表面全体喷出有机树脂材料,在所述第一无机膜的表面上形成所述有机膜,并且所述有机树脂材料填充在所述凹部的工序。
10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述有机树脂材料填充在所述凹部的工序中,当喷墨通过所述凹部时变更喷出时机,以使所述有机树脂材料滴落到所述凹部。
11.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
所述喷出时机由在以下公式(1)显示的涂布频率f来规定,
在所述凹部以外的一般的区域中,所述喷出时机是1/f,在所述凹部的区域中,所述喷出时机比所述1/f较短,
[数1]
f=pvd/(nV) (1),
在此,p是喷墨的喷嘴间距,V是每一滴的喷出体积,v是喷墨的扫描速度,n是喷墨的扫描次数,t是有机膜的期望的膜厚,所述扫描次数是对涂布区域的滴下次数。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述喷墨通过所述凹部后,所述喷出时机返回到所述1/f。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在形成所述有机膜的工序中,一开始对所述凹部喷出所述有机树脂材料,从而所述有机树脂材料填充所述凹部。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
所述发光元件是有机EL元件。
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