CN112087897B - 壳体组件及其制备方法和电子设备 - Google Patents
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- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
Abstract
本申请提供了一种壳体组件,包括壳体、UV胶层和镀膜层,镀膜层包括SiOx层,0<x<2,SiOx层设置在UV胶层的表面,根据ASTM D3359标准,镀膜层与UV胶层之间的附着力大于4B。通过设置镀膜层,改善了壳体组件的外观,丰富了壳体组件的视觉效果;同时镀膜层与UV胶层之间的附着力优异,避免了镀膜层的脱离,保证了壳体组件外观效果的长期稳定性,更有利于其应用;该壳体组件的制备方法简单,易于操作,可实现工业化生产;具有该壳体组件的电子设备外观竞争力、产品稳定性增强,更能够满足使用需求。
Description
技术领域
本申请属于电子产品技术领域,具体涉及壳体组件及其制备方法和电子设备。
背景技术
随着电子设备的不断发展,用户对壳体外观效果的要求也越来越高,单调的外观已经无法满足用户需求。因此,越来越多的壳体的外观效果朝向多样化发展。
发明内容
鉴于此,本申请提供了一种壳体组件、壳体组件的制备方法及电子设备,通过设置镀膜层,提升壳体组件的外观效果,同时镀膜层与UV胶层之间的附着力优异,避免了镀膜层的脱离,保证了壳体组件外观效果的长期稳定性,更有利于其应用。
第一方面,本申请提供了一种壳体组件,包括壳体、UV胶层和镀膜层,所述镀膜层包括SiOx层,0<x<2,所述SiOx层设置在所述UV胶层的表面,根据ASTM D3359标准,所述镀膜层与所述UV胶层之间的附着力大于4B。
第二方面,本申请提供了一种壳体组件的制备方法,包括:
在壳体上成型UV胶层和镀膜层,所述镀膜层包括SiOx层,其中,0<x<2,所述SiOx层成型在所述UV胶层的表面,根据ASTM D3359标准,所述镀膜层与所述UV胶层之间的附着力大于4B。
第三方面,本申请提供了一种电子设备,包括壳体组件和主板,所述壳体组件包括壳体、UV胶层和镀膜层,所述镀膜层包括SiOx层,0<x<2,所述SiOx层设置在所述UV胶层的表面,根据ASTM D3359标准,所述镀膜层与所述UV胶层之间的附着力大于4B。
本申请提供了一种壳体组件和壳体组件的制备方法,通过设置镀膜层,改善了壳体组件的外观,丰富了壳体组件的视觉效果;同时镀膜层与UV胶层之间的附着力优异,避免了镀膜层的脱离,保证了壳体组件外观效果的长期稳定性,更有利于其应用;该壳体组件的制备方法简单,易于操作,可实现工业化生产;具有该壳体组件的电子设备外观竞争力、产品稳定性增强,更能够满足使用需求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案,下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。
图1为本申请一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
图2为本申请另一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
图3为本申请另一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
图4为本申请另一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
图5为本申请另一实施方式提供的壳体组件的结构示意图。
图6为本申请一实施方式提供的壳体组件的制备方法的流程示意图。
图7为实验组2中硅元素的分布示意图。
图8中实验组2中铟元素的分布示意图。
图9中实验组2中锑元素的分布示意图。
标号说明:
壳体-10,UV胶层-20,镀膜层-30,颜色层-40,盖底层-50,壳体组件-100。
具体实施方式
以下是本申请的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参考图1,为本申请一实施方式提供的壳体组件的结构示意图,壳体组件100包括壳体10、UV胶层20和镀膜层30,镀膜层30包括SiOx层,0<x<2,SiOx层设置在UV胶层20的表面,根据ASTM D3359标准,镀膜层30与UV胶层20之间的附着力大于4B。在本申请中,通过设置镀膜层30,进而可以提升壳体组件100的外观效果,提升产品竞争力;与此同时,镀膜层30中包括了设置在UV胶层20的SiOx层,SiOx层中硅原子较为活泼,能够与UV胶层20表面的基团之间形成化学键,提升两层之间的附着力,并且SiOx层与UV胶层20的热膨胀系数相差不大,避免热膨胀系数失配产生的内应力,保证SiOx层与UV胶层20之间长期稳定的结合,使SiOx层与UV胶层20之间具有优异的附着力,提高了壳体组件100的结构稳定性和可靠性。
在本申请中,形成壳体10的材质不受特别限制,可以但不限于为任何已知的可以用于电子设备壳体10的材料。在本申请一实施方式中,壳体10的材质为有机高分子化合物。在本申请一实施例中,壳体10的材质包括聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和热塑性聚氨酯(TPU)中的至少一种。具体的,壳体10可以但不限于为聚合物板材或聚合物复合板材。在本申请另一实施方式中,壳体10为玻璃壳体10。在本申请又一实施方式中,壳体10为陶瓷壳体10。
在本申请一实施方式中,壳体10具有一定的透光性。可选的,壳体10的光学透过率大于90%。其中,光学透过率为在380nm-780nm波段下光线的透过率。通过设置具有透光性质的壳体10,进而在壳体10的内表面和/或外表面设置镀膜层30,均可以呈现出镀膜层30的视觉效果。可以理解的,壳体10也可以不透光,进而需要将镀膜层30设置在壳体10的外表面,以呈现镀膜层30效果。
在本申请中,壳体10的厚度不受特别限制,例如壳体10的厚度为0.1mm-1mm,具体的可以但不限于为0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、等,以满足抗冲击的要求,并且不至于过厚,符合轻薄化的需求。在本申请一实施方式中,壳体10可以为等厚度,或渐变厚度,从而实现不同的外观效果。
在本申请中,对壳体10具体形状和尺寸不作限定,可以根据实际需要进行选择和设计,例如壳体10的形状可以为2D形状、2.5D形状或3D形状。在本申请一实施方式中,壳体10可以但不限于为电子设备的后壳和/或中框。在另本申请一实施方式中,可以在壳体10的表面丝印图案、文字等,具体的,可以丝印商标图案等,提高壳体组件100的视觉效果。
在本申请中,UV胶层20为涂覆UV胶固化而成的。在本申请一实施方式中,UV胶的材质包括预聚体、活性稀释剂、光引发剂和助剂。预聚体是UV胶的主要成分,构成了UV胶层20的基体骨架,预聚体具有光固化基团。具体的,预聚体可以但不限于包括环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、纯丙烯酸酯混合有机硅低聚物中的至少一种。活性稀释剂参与交联固化过程,极少挥发到空气中,能够降低体系粘度,改善UV胶性能。具体的,活性稀释剂可以包括单官能团活性稀释剂、双官能团活性稀释剂和多官能团活性稀释剂中的至少一种。光引发剂是一种能吸收辐射能,经激发发生化学变化,产生具有引发聚合能力的活性中间体物质。具体的,光引发剂包括自由机型光引发剂和阳离子型光引发剂中的至少一种。
在本申请一实施方式中,可以通过涂覆UV胶,经固化形成UV胶层20。在本申请一实施例中,可以通过LED灯和/或汞灯进行固化。在本申请另一实施例中,通过LED灯进行初步固化,汞灯进行二次固化,以确保紫外光固化胶水固化完全。在一具体实施例中,LED灯固化能量可以为1000mJ/cm2-2500mJ/cm2,汞灯固化能量可以为800mJ/cm2-1500mJ/cm2。在本申请一实施例中,UV纹理层的光学透过率大于85%。进一步的,UV胶层20的光学透过率大于90%,以满足应用需要。
在本申请实施方式中,UV胶层20为纹理层。也就是说,UV胶层20具有纹理,此时,UV胶层20可以使壳体组件100的外观呈现纹理效果,产生光影流动变化,提升外观表现力。在本申请一实施方式中,可以通过涂覆UV胶,经转印和固化形成纹理层。在一实施例中,提供一具有目标纹理的转印模具;在转印模具上涂覆UV胶;将膜片置于紫外光固化胶上,并压制转印模具,经固化后形成纹理层。可选的,UV胶的厚度为5μm-20μm。可选的,纹理层的厚度可以为4μm-18μm,具体的可以但不限于为5μm、7μm、8μm、10μm、15μm、17μm等,在此厚度范围内,可以形成良好的纹理效果,厚度过大可能导致纹理层的抗冲击效果差,容易开裂,厚度过小可能导致形成的纹理不明显,同时制备工艺控制难度加大。
在本申请中,纹理层包括多个纹理结构。在本申请一实施方式中,纹理层包括第一纹理区和第二纹理区,第一纹理区的纹理结构的深度大于第二纹理区的纹理结构的深度。设置具有深度差的纹理结构区域,产生了明显的光影流动变化,进一步提升壳体组件100的外观效果。在本申请另一实施方式中,纹理层包括多个阵列排布的纹理结构。具体的,纹理结构可以但不限于为直线形、曲线形、多边形、圆形、椭圆形等。从而使得壳体组件100具有整齐规律的纹理效果。
在本申请中,镀膜层30包括SiOx层,其中0<x<2,SiOx层设置在UV胶层20的表面,SiOx层中硅原子较为活泼,与UV胶层20表面的基团之间形成化学键,例如共价键等,提升镀膜层30与UV胶层20之间的附着力;两层之间如热膨胀系数相差较大,则会出现热膨胀系数失配,进而产生内应力,从而造成两层之间的相互脱落和分离,不利于整体结构的稳定性和可靠性,在本申请中SiOx层与UV胶层20的热膨胀系数相差不大,避免热膨胀系数失配产生的内应力,保证SiOx层与UV胶层20之间长期稳定的结合,使SiOx层与UV胶层20之间具有优异的附着力。
在本申请中,根据ASTM D3359标准,镀膜层30与UV胶层20之间的附着力大于4B。在本申请中,采用划格法(ASTM D3359 Method B Cross-cut tape test)对镀膜层30与UV胶层20之间的附着力进行检查,检测结果有六个等级,分别为5B(切口的边缘完全光滑、无一脱落)、4B(在切口的交叉处有少许脱落,但交叉切割面积受影响不能大于5%)、3B(在切口交叉处和/沿切口边缘有脱落,受影响的交叉切割面积大于5%,但不大于15%)、2B(沿切割边缘有部分或全部以大碎片剥落,和/或在格子不同部分上部分或全部剥落,受影响的交叉切割面积大于15%,但不大于35%)、1B(沿切割边缘大碎片剥落,和/或一些格子部分或全部剥落,受影响的交叉切割面积大于35%,但不大于65%)、0B(剥落程度超过1B)。在本申请中,通过设置SiOx层,使得镀膜层30与UV胶层20之间具有优异的结合强度,其之间的附着力大于4B,提升了壳体组件100的结构稳定性和可靠性。
在本申请一实施方式中,SiOx层的厚度大于或等于5nm。通过设置厚度不小于5nm的SiOx层,进一步提升镀膜层30与UV胶层20之间的附着力。在一实施例中,当SiOx层的厚度大于或等于5nm时,镀膜层30与UV胶层20之间的附着力至少为5B。具体的,SiOx层的厚度为5nm、8nm、10nm、15nm、20nm、25nm或30nm。在另一实施例中,当SiOx层的厚度大于或等于5nm时,在经过高温高湿处理、紫外老化实验、或紫外老化实验和水煮处理后,镀膜层30与UV胶层20之间的附着力至少为5B。在一具体实施例中,设置厚度大于或等于5nm的SiOx层,将壳体组件100置于高温高湿(湿度85%、温度65℃)处理168h、紫外老化实验机照射48h、以及紫外老化实验机照射48h后,再在100℃水煮处理1h,经检测镀膜层30与UV胶层20之间的附着力为5B。在本申请另一实施方式中,SiOx层的厚度为5nm-10nm。此时,镀膜层30与UV胶层20之间具有优异的附着力,同时,相较于厚度大于10nm的SiOx层,厚度为5nm-10nm的SiOx层的颜色更加透亮,不发生偏黄现象,从而不会影响整体镀膜层30视觉效果的呈现。本申请发明人发现相较于厚度小于或等于10nm的SiOx层的Lab颜色模型中的b1值,厚度大于10nm的SiOx层的Lab颜色模型中的b2值更大,进而导致厚度大于10nm的SiOx层的颜色偏黄。在一实施例中,厚度为25nm的SiOx层的Lab颜色模型中的b值为b2,厚度为7nm的SiOx层的Lab颜色模型中的b值为b1,经检测,b2与b1的差值大于10,厚度为25nm的SiOx层偏黄。因此,为了避免SiOx层的颜色对整体镀膜层30色泽产生过多的影响,可以采用厚度为5nm-10nm的SiOx层。具体的,SiOx层的厚度可以但不限于为5nm、6nm、6.5nm、7nm、7.5nm、8nm、9nm或9.5nm。
在本申请中,SiOx层的材质为硅的氧化物。相较于二氧化硅,SiOx形成的层结构能够与UV胶层20之间产生化学键结合以及物理结合。本申请发明人发现,当SiOx层中氧元素含量逐渐增加时,即x逐渐增大,硅氧比逐渐减小,SiOx层与UV胶层20之间的附着力逐渐降低,但SiOx层的透过率会逐渐增加。在本申请一实施方式中,沿UV胶层20至SiOx层的方向,SiOx层中氧元素含量逐渐增加。也就是说,靠近UV胶层20的SiOx层中硅氧比较高,远离UV胶层20的SiOx层中硅氧比较低。通过设置具有氧元素含量逐渐变化的SiOx层,使得镀膜层30与UV胶层20的结合力更大,在经过长时间高温高湿实验以及紫外老化实验后,镀膜层30与UV胶层20之间的附着力大于4B,同时SiOx层的力学性能较好。在一实施例中,沿UV胶层20至SiOx层的方向,SiOx层中氧元素含量呈梯度增加。在一具体实施例中,靠近UV胶层20的SiOx层的一侧表面的硅氧比为1:(0.1-1),远离UV胶层20的SiOx层的一侧表面的硅氧比为1:(1-1.9)。在另一实施例中,沿UV胶层20至SiOx层的方向,SiOx层中氧元素含量呈线性增加。在一具体实施例中,沿UV胶层20至SiOx层的方向,SiOx层中硅氧比由1:(0.1-1)线性增加至1:(1-1.9)。在本申请中,0<x<2。在一实施例中,0.8≤x≤1.5,从而使得SiOx层既具有良好的透过率,同时还能够保证镀膜层30与UV胶层20之间强的附着力,更有利于壳体组件100的应用。具体的,x可以但不限于为0.9、1、1.1、1.2、1.35、1.4或1.5。
在本申请中,SiOx层呈层状生长模式,制得的SiOx层较为致密,从而提升了镀膜层30的透湿系数。透湿系数(Water Vapor Transmission Rate,WVTR)反映了镀膜层30透过水蒸气的能力,单位为毫克每平方米每天。透湿系数越低,镀膜层30对水蒸气的阻隔性能越好,进而有利于提升壳体组件100对水蒸气的阻隔性能。在本申请中,采用ASTM E96-05标准测定透湿系数。在本申请一实施方式中,设置有SiOx层的镀膜层30的透湿系数小于2000mg/(m2·d)。在一实施例中,当SiOx层的厚度大于或等于5nm时,镀膜层30的透湿系数小于1600mg/(m2·d)。通过设置提升SiOx层的厚度,进一步提升SiOx层的致密性,从而增强镀膜层30对水蒸气的阻隔性能,降低透湿系数。
在本申请中,镀膜层30使得壳体组件100在不同角度具有光泽变化,带来不同的质感,提升外观表现力。在本申请实施方式中,镀膜层30包括光学膜层和金属质感层中的至少一种。光学膜层在不同角度下呈现不同的光泽质感,带来光线颜色变化,金属质感层可以带来金属光泽质感。可以理解的,壳体组件100中可以具有一层镀膜层30,也可以具有多层镀膜层30,多层镀膜层30的可以层叠设置在一起,也可以分开设置,对此不作限定。
可以理解的,光学膜层是一种通过其界面传播光线的光学介质材料层,可以改变穿过光学膜层的光线的反射、折射等,使得壳体组件100呈现一定的光泽变化,如在不同角度下呈现出不同颜色光泽的视觉效果。通过改变光学膜层的材质、厚度和层数等改变光学膜层的反射率、折射率和透光率,实现不同的视觉效果,满足不同场景下的需求。在本申请中,光学膜层的光学透过率大于50%、60%、70%、80%或90%。在一实施例中,光学膜层的厚度为120nm-600nm,具体的可以但不限于为130nm、150nm、180nm、200nm、300nm、500nm、550nm等,过薄会导致光学膜层呈现的光泽质感效果太弱,过厚会导致的膜层内的应力过大,容易脱落,该厚度范围有利于呈现光学膜层的视觉效果,同时保证光学膜层的使用寿命。
在本申请实施方式中,光学膜层的材质可以为无机物,也可以为有机物。可选的,有机物包括聚醚、聚酯、氟代聚合物和含硅聚合物中的至少一种。当光学膜层的材质为有机物时,光学膜层柔性好,可弯曲性好,能够进行剪裁得到所需尺寸的光学膜层。可选的,无机物包括无机氧化物和无机氟化物中的至少一种。进一步的,光学膜层的材质包括SiOx、TiO2、Ti3O5、NbO2、Nb2O3、NbO、Nb2O5、SiO2和ZrO2中的至少一种。在本申请一实施例中,光学膜层可以但不限于包括SiOx层,以及TiO2层、Ti3O5层、NbO2层、Nb2O3层、NbO层、Nb2O5层、SiO2层和ZrO2层中至少一层。在本申请中,靠近UV胶层20的一侧为SiOx层,远离UV胶层20的一侧为TiO2层、Ti3O5层、NbO2层、Nb2O3层、NbO层、Nb2O5层、SiO2层和ZrO2层中的至少一层,以使得壳体组件100外观呈现彩色光泽质感的效果。此时,SiOx层不仅能够作为镀膜层30与UV胶层20之间的打底层,还能够与镀膜层30中的其他层结构结合实现更加丰富多样的外观效果。
在本申请中,光学膜层可以为单层膜结构,也可以为多层膜结构。当光学膜层为多层膜结构时,可以通过控制每一层的材质和厚度,以及各层之间的配合,以达到所需的功能。可选的,光学膜层由至少两种具有不同折射率的光学薄膜交替层叠形成。也就是说,光学膜层由多个光学薄膜组成时,相邻的光学薄膜的折射率不同。进一步的,光学膜层由至少两种具有不同折射率的薄膜周期性地交替层叠形成。多个光学薄膜的材质、厚度可以相同,可以不同。多个光学薄膜的光学性质不同,光线通过多个光学薄膜后,每个光线薄膜表面均会发生反射和折射,产生更加丰富的外观效果。具体的,光学膜层可以但不限于包括2层、3层、4层、5层、6层、7层或8层光学薄膜。在一具体实施例中,光学膜层由SiOx层、Nb2O5层、SiO2层和Nb2O5层依次层叠形成。
在本申请实施方式中,可以但不限于通过物理气相沉积或化学气相沉积的方法成型光学膜层,如低压化学气相沉积、常压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、蒸镀、溅射、离子镀等。在具体一实施例中,可以在镀膜机中挂架,随后抽真空并对材料预处理,经溅射工艺形成光学膜层。在本申请中,通过沉积的方式成型SiOx层,从而使得SiOx层成层状生长模式,SiOx能够均匀且致密的分布在UV胶层20的表面,形成具有优异附着力和阻隔水蒸气的能力,提高壳体组件100的整体性能。
在本申请中,金属质感层使壳体组件100具有金属光泽,提高金属质感。金属质感层由金属材质构成,可以但不限于包括铟、锡或铟锡合金。在一实施方式中,可以采用物理气相沉积制备金属质感层,厚度均匀性好、致密性高,提高壳体组件100的金属质感,且用于电子设备时不影响无线通讯传输效果。在一实施例中,可以采用电子枪蒸发镀纯铟制得金属质感层。在另一实施例中,可以磁控溅射镀铟锡合金制得金属质感层。具体的,可以根据所需外观效果调整镀膜时间,时间越长,金属质感层越厚,金属光泽效果越亮。可选的,金属质感层的厚度为5nm-50nm,有利于制得不导电膜层。在本申请实施方式中,当镀膜层30包括光学膜层和金属质感层时,由于金属质感层透光性相对较低,因此,将光学膜层设置在更加靠近壳体10外表面的位置,以使得每层结构的外观效果均可以呈现出来。在本申请中,镀膜层30可以完全覆盖UV胶层20,从而在制备过程中无需遮蔽或刻蚀,更易制备性能优异的镀膜层30。
在本申请一实施方式中,请参阅图1,壳体组件100包括依次层叠设置的壳体10、UV胶层20和镀膜层30,此时,SiOx层设置在UV胶层20远离壳体10的一侧表面。可以理解的,壳体10包括相对设置的内表面和外表面,此时,UV胶层20和镀膜层30可以设置在壳体10的内表面,也可以设置在壳体10的外表面。当UV胶层20和镀膜层30设置在壳体10的内表面时,壳体10具有一定的透光性,从而能够呈现UV胶层20和镀膜层30的外观效果;当UV胶层20和镀膜层30设置在壳体10的外表面时,且UV胶层20为纹理层时,镀膜层30具有一定的透光性,从而在呈现镀膜层30外观效果的同时,还可以呈现纹理层的效果。在本申请另一实施例中,壳体组件100中包括了多个UV胶层20,此时UV胶层20为纹理层,多个UV胶层20的纹理结构不同。请参阅图2,为本申请另一实施方式提供的壳体组件100的结构示意图,其中壳体组件100包括依次层叠设置的壳体10、UV胶层20、镀膜层30和UV胶层20。此时,通过设置具有不同纹理结构的UV胶层20,使得壳体组件100的外观能够呈现具有叠加效果的纹理,从而提升其外观表现力。在本申请又一实施方式中,请参阅图3,壳体组件100包括依次层叠设置的壳体10、镀膜层30和UV胶层20,此时,SiOx层设置在UV胶层20靠近壳体10的一侧表面。在一实施例中,镀膜层30在靠近壳体10的一侧表面还设置有SiOx层,从而增强镀膜层30与壳体10之间的附着力,提高壳体组件100的稳定性和可靠性。
在本申请一实施方式中,壳体组件100还包括颜色层40。颜色层40用于着色,为壳体组件100提供了色彩外观效果。颜色层40的颜色可以但不限于为黄色、红色、蓝色、绿色、紫色等;也可以为多种颜色拼接,以形成撞色视觉效果;还可以为渐变色层等。在本申请中,颜色层40可以为实色层,也可以为透明颜色层40。在本申请实施方式中,可以通过一次或多次的涂覆、打印、流延、压延等工艺成型颜色层40。在本申请中,颜色层40的厚度不受特别限制,例如颜色层40的厚度可以为5μm-20μm,具体的可以但不限于为6μm、8μm、10μm、15μm、17μm、18μm等。在此范围的颜色层40既能够使壳体组件100具有较好的色彩外观,同时又不会过多增加壳体组件100的厚度,有利于整体结构的轻薄化。在一具体实施例中,第一道印刷陶瓷白底色进行80℃、30min预烘烤;第二道印刷陶瓷白进行80℃、30min预烘烤,使得壳体组件100100呈现陶瓷白的外观,同时带有闪光效果。请参阅图4,为本申请一实施方式提供壳体组件100的结构示意图,其中,壳体组件100包括依次层叠设置的壳体10、颜色层40、UV胶层20和镀膜层30。在另一实施方式中,颜色层40设置在壳体10远离UV胶层20的一侧表面。在又一实施方式中,颜色层40设置在镀膜层30远离壳体10的一侧表面。
在本申请一实施方式中,壳体组件100还可以包括盖底层50,盖底层50的光学透过率小于或等于1%。壳体组件100用于电子设备时,盖底层50可以遮挡电子设备内部的元件,并保护内部层结构,还可以作为粘接面使用。请参阅图5,为本申请另一实施方式提供的壳体组件100的结构示意图,壳体组件100包括依次层叠设置的壳体10、UV胶层20、镀膜层30和盖底层50。具体的,可以在镀膜层30上多次印刷盖底油墨,例如黑色油墨、灰色油墨、白色油墨等,并进行烘烤固化形成盖底层50。在一实施例中,盖底油墨包括带色油墨、固化剂、稀释剂和助剂;烘烤温度可以为65℃-85℃,烘烤时间可以为40min-80min,烘烤后形成的盖底层50的厚度为6μm-10μm。可以通过多次涂覆,进一步防止盖底层50漏光。
本申请中通过在UV胶层20上设置具有SiOx层的镀膜层30,提高了两者之间的结合力,提升了壳体组件100整体结构的可靠性和稳定性,有利于其在电子设备中的应用。
本申请还提供了壳体组件的制备方法,该制备方法制备上述任一实施例的壳体组件100,包括:在壳体10上成型UV胶层20和镀膜层30,镀膜层30包括SiOx层,其中,0<x<2,SiOx层成型在UV胶层20的表面,根据ASTM D3359标准,镀膜层30与UV胶层20之间的附着力大于4B。
请参阅图6,为本申请一实施方式提供的壳体组件的制备方法流程图,该制备方法制备上述任一实施例的壳体组件100,包括:
操作101:在壳体表面涂覆UV胶,经固化后形成UV胶层。
操作102:在UV胶层远离壳体的表面成型镀膜层,镀膜层包括SiOx层,其中,0<x<2,SiOx层成型在UV胶层的表面。
在本申请实施方式中,当UV胶层20为纹理层时,可以通过UV转印技术形成纹理层。在本申请另一实施方式中,还可以先成型纹理层,再将纹理层与壳体10之间贴合设置,具体的可以但不限于通过光学胶进行连接。
在本申请实施方式中,可以但不限于通过物理气相沉积或化学气相沉积的方法成型光学膜层,如低压化学气相沉积、常压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、蒸镀、溅射、离子镀等。
在本申请一实施方式中,通过物理气相沉积或化学气相沉积在UV胶层20的表面成型SiOx层,其中氧气的流量小于或等于25sccm。通过控制较小流量的氧气,从而成型SiOx层,以使得SiOx层与UV胶层20之间产生较强的附着力。在本申请一实施例中,可以通过溅射工艺在UV胶层20的表面成型SiOx层,其中氧气的流量为20sccm-25sccm。在本申请另一实施例中,可以将UV胶层20置于磁控溅射装置中,抽真空并通入氩气,对UV胶层20的表面进行清洗;开启硅靶溅射电源,并通入20sccm-25sccm的氧气,靶电压为610V-630V,在UV胶层20表面制备SiOx层。在溅射工艺过程中,控制20sccm-25sccm的氧气通入量,从而控制得到的氧化硅刚好越过了金属态,到达了过渡态的起始位置,从而制得具有优异隔绝水蒸气以及具备与硅相近的韧性和低应力,增强与UV胶层20之间的附着力。具体的,氧气通入量可以但不限于为20sccm、20.5sccm、21sccm、22sccm、23.5sccm、24sccm或24.5sccm。在此过程中,可以通过控制线速度和功率来调整SiOx层成型速率和厚度,具体的,溅射过程中线速度可以但不限于为1ml/min-2ml/min,功率可以但不限于为3KW-6KW,例如,溅射过程中采用1ml/min的线速度以及3KW的功率,还可以采用2ml/min的线速度以及6KW的功率等。
在本申请提供的壳体组件100的制备方法操作简单,易于大规模生产,可以制得具有丰富外观效果的壳体组件100,有利于其应用。
本申请还提供了一种电子设备,包括上述任一实施例的壳体组件100。可以理解的,电子设备可以但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、手表、MP3、MP4、GPS导航仪、数码相机等。在本申请一实施方式中,电子设备包括壳体组件100和主板,壳体组件100包括上述任一实施例的壳体组件100。该壳体组件100可以赋予电子设备多种外观效果,同时壳体组件100的可靠性和稳定性强,使用寿命长,提升了电子设备的外观效果和产品可靠性,更符合使用需求。
实施例
实验组1:在UV胶层上依次制备5nm的SiOx层(0<x<2)、20nm的Nb2O5层、15nm的SiO2层和20nm的Nb2O5层的镀膜层。
实验组2:在UV胶层上依次制备SiOx层(0<x<2)、5nm的InSn层、20nm的Nb2O5层和15nm的TiO2层的镀膜层。
实验组3:在UV胶层上依次制备5nm的SiOx层(0.8≤x≤1.5)、20nm的Nb2O5层、SiO2层和Nb2O5层的镀膜层。
实验组4:在UV胶层上依次制备10nm的SiO层、20nm的Nb2O5层、SiO2层和20nm的Nb2O5层的镀膜层。
实验组5:在UV胶层上依次制备3nm的SiOx层(0<x<2)、20nm的Nb2O5层、SiO2层和20nm的Nb2O5层的镀膜层。
实验组6:在UV胶层上依次制备20nm的SiOx层(0.8≤x≤1.5)、20nm的Nb2O5层、SiO2层和20nm的Nb2O5层的镀膜层。
对照组1:在UV胶层上依次制备20nm的ZrO2层、5nm的SiOx层(0<x<2)、5nm的InSn层、20nm的Nb2O5层和10nm的TiO2层的镀膜层。
对照组2:在UV胶层上依次制备10nm的ZrO2层、5nm的InSn层、20nm的Nb2O5层和10nm的TiO2层的镀膜层。
采用ASTM E96-05标准测定上述各实验组以及对照组中镀膜层的透湿系数,其中,从实验组1至实验组6中镀膜层的透湿系数依次为1416.8mg/(m2·d)、1530mg/(m2·d)、1380mg/(m2·d)、1310mg/(m2·d)、1605mg/(m2·d)、1225mg/(m2·d);对照组1中镀膜层的透湿系数依次为3050mg/(m2·d)、对照组2中镀膜层的透湿系数依次为10152.4mg/(m2·d)。在本申请中,通过透射电镜对实验组2中各元素的分布进行检测。其中,标尺均为60nm;图7为硅元素的分布示意图,在黑色半椭圆形下方成白色颗粒状的为分布的硅元素,SiOx层的厚度在4.9nm-6.1nm。可以看出,SiOx层是连续致密的层状结构,类似于层状生长模式,与UV胶层的润湿性好,透湿系数小,阻水性高,大大提升了壳体组件的可靠性;图8为铟元素的分布示意图,图9为锑元素的分布示意图,可以看出InSn层成型方式类似与岛状生长模式,进而与UV胶层润湿性差,层结构较为疏松,阻水效果不佳。同时,对对照1中的ZrO2层进行检测,结果如图8所示,其中锆元素分别较为松散,ZrO2层成型方式类似于钉扎效应成膜,提高了与UV胶层之间的物理铆合,但由于分布的不够致密和连续,阻水效果不佳。同时,单独制备并观察实验组3以及实验组6中的SiOx层,相较于实验组3中的SiOx层,实验组6中的SiOx层偏黄。
将上述层结构置于高温高湿(湿度85%、温度65℃)环境中处理168h(处理方式I)、在紫外老化实验机照射48h(处理方式II)、以及紫外老化实验机照射48h后,再在100℃水煮处理1h(处理方式III);上述层结构通过上述处理后采用划格法(ASTM D3359 Method BCross-cut tape test)对镀膜层与UV胶层之间的附着力进行检测,结果如表1所示;同时对未进行任何处理的实验组中镀膜层与UV胶层之间的附着力进行检测,结果均为5B,其中,上述各组中的UV胶层采用同一中UV胶经过相同的工艺,制得相同厚度的UV胶层。
表1附着力检测结果
对照组中没有在UV胶层表面设置具有SiOx层的镀膜层,从而镀膜层与UV胶层之间的附着力不佳,并且随着长时间的处理后,附着力大幅度降低,壳体组件的可靠性不佳。在本申请中,通过在UV胶层表面设置具有SiOx层的镀膜层,大大提升了镀膜层的水蒸气阻隔效果,进而提升了壳体组件的整体可靠性能;同时,SiOx层也提高了UV胶层与SiOx层之间的附着力,并且在经过长时间高温高湿、紫外线照射、甚至是水煮处理后,两者之间仍然具有较强的附着力,本申请提供的结构能够在较为苛刻的环境中处理后依然保持整体结构优异的稳定性,更有利于其应用。
以上对本申请实施方式所提供的内容进行了详细介绍,本文对本申请的原理及实施方式进行了阐述与说明,以上说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (8)
1.一种用于电子设备的壳体组件,其特征在于,包括壳体、UV胶层和镀膜层,所述镀膜层包括SiOx层,0<x<2,所述SiOx层设置在所述UV胶层的表面,沿所述UV胶层至所述SiOx层的方向,所述SiOx层中氧元素含量逐渐增加,靠近所述UV胶层的所述SiOx层的一侧表面的硅氧比为1:(0.1-1),远离所述UV胶层的所述SiOx层的一侧表面的硅氧比为1:(1-1.9),所述SiOx层的厚度为5nm-10nm,根据ASTM D3359标准,所述镀膜层与所述UV胶层之间的附着力大于4B。
2.如权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述镀膜层的透湿系数小于2000mg/(m2·d)。
3.如权利要求1所述的壳体组件,其特征在于,所述镀膜层包括光学膜层和金属质感层中的至少一种,所述光学膜层由至少两种具有不同折射率的光学薄膜交替层叠形成。
4.一种用于电子设备的壳体组件的制备方法,其特征在于,包括:
在壳体上成型UV胶层和镀膜层,所述镀膜层包括SiOx层,其中,0<x<2,所述SiOx层成型在所述UV胶层的表面,沿所述UV胶层至所述SiOx层的方向,所述SiOx层中氧元素含量逐渐增加,靠近所述UV胶层的所述SiOx层的一侧表面的硅氧比为1:(0.1-1),远离所述UV胶层的所述SiOx层的一侧表面的硅氧比为1:(1-1.9),所述SiOx层的厚度为5nm-10nm,根据ASTMD3359标准,所述镀膜层与所述UV胶层之间的附着力大于4B。
5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,成型所述SiOx层包括:
通过物理气相沉积或化学气相沉积在所述UV胶层的表面成型所述SiOx层,其中氧气的流量小于或等于25sccm。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,成型所述SiOx层包括:
通过溅射工艺在所述UV胶层的表面成型所述SiOx层,其中氧气的流量为20sccm-25sccm。
7.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述在壳体上成型UV胶层和镀膜层包括:
在所述壳体表面涂覆UV胶,经固化后形成所述UV胶层;
在所述UV胶层远离所述壳体的表面成型所述镀膜层。
8.一种电子设备,其特征在于,包括壳体组件和主板,所述壳体组件包括壳体、UV胶层和镀膜层,所述镀膜层包括SiOx层,0<x<2,所述SiOx层设置在所述UV胶层的表面,沿所述UV胶层至所述SiOx层的方向,所述SiOx层中氧元素含量逐渐增加,靠近所述UV胶层的所述SiOx层的一侧表面的硅氧比为1:(0.1-1),远离所述UV胶层的所述SiOx层的一侧表面的硅氧比为1:(1-1.9),所述SiOx层的厚度为5nm-10nm,根据ASTM D3359标准,所述镀膜层与所述UV胶层之间的附着力大于4B。
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