CN112083522A - 偏光薄膜的制造方法和制造装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够减少因对保护薄膜实施的拼接处理而产生的偏光薄膜的浪费的偏光薄膜的制造方法等。在本发明中,对于贴合于偏振片(F1)的双面的保护薄膜(F2a、F2b),将它们分别自卷绕于放出辊(60)的放出位置输送至贴合位置,并利用拼接处理装置(40)对它们分别实施拼接处理。本发明包含:剩余长度计算工序,在该工序中,利用剩余长度计算部件(20)分别计算卷绕于放出辊的保护薄膜的剩余长度;以及拼接处理工序,在该工序中,在保护薄膜的剩余长度中的至少任意一者为预定的阈值以下时,利用控制部件(30)来控制实施时刻而使贴合位置处的保护薄膜的拼接部(Sa、Sb)的位置偏移(L)处于规定范围内,实施针对保护薄膜的拼接处理。
Description
技术领域
本发明涉及偏光薄膜的制造方法和制造装置。特别是,本发明涉及能够减少因对构成偏光薄膜的两个薄膜实施的拼接处理而产生的偏光薄膜的浪费的偏光薄膜的制造方法和制造装置。
背景技术
以往,作为液晶显示装置、偏光太阳镜等的构成材料,使用包含偏振片的偏光薄膜。偏光薄膜例如由被碘等二色性物质染色后的偏振片和保护该偏振片的保护薄膜构成。长条带状的偏光薄膜通常是将长条带状的保护薄膜以卷对卷方式贴合于长条带状的偏振片的至少单面而制造出来的(例如参照专利文献1)。制得的长条带状的偏光薄膜被切断成与用途相对应的尺寸、形状,并使用于液晶显示装置等。
在此,有时对构成偏光薄膜的保护薄膜实施拼接处理。拼接处理是指利用粘合带、热熔接在先行的长条带状的薄膜的后端部接合新的长条带状的薄膜的前端部的处理。
在专利文献2中,公开一种连续供给装置,该连续供给装置对光学薄膜实施拼接处理并进行输送,并连续地供给光学薄膜。
具体而言,在专利文献2记载的装置中,如专利文献2的图7所述那样,利用第1吸附部件103和第1固定构件102、以及输送侧吸附部件303和输送侧固定构件302对自第1放出辊(第1卷R1)放出的第1光学薄膜进行吸附固定。利用第1切断部件101切断两个固定构件之间的第1光学薄膜。另一方面,利用第2吸附部件203和第2固定构件202将自第2放出辊(第2卷R2)放出的第2光学薄膜的前端部固定。在使被输送侧吸附部件303和输送侧固定构件302固定的第1光学薄膜的后端部移动至被第2吸附部件203和第2固定构件202固定的第2光学薄膜的前端部之后,利用带将第1光学薄膜的后端部和第2光学薄膜的前端部接合起来。
专利文献2记载的连续供给装置能够如上述那样将第1光学薄膜和第2光学薄膜接合(拼接处理)并连续地供给光学薄膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-365432号公报
专利文献2:日本特许第6390848号公报
发明内容
发明要解决的问题
在制造对偏振片的双面贴合保护薄膜而成的偏光薄膜的情况下,应用专利文献2记载那样的连续供给装置,当对两侧的保护薄膜实施拼接处理并将保护薄膜向贴合位置供给时,存在一侧的保护薄膜的拼接部(接合部)的位置和另一侧的保护薄膜的拼接部的位置在偏光薄膜的长度方向上偏移的情况。
作为各保护薄膜的拼接部的位置发生偏移的原因,主要想到以下的两个原因。
(1)由于在一侧的保护薄膜和另一侧的保护薄膜中,自放出辊放出的放出位置到贴合位置的距离(路径长度)彼此不同,因此即使将对两侧的保护薄膜实施的拼接处理的实施时刻设定为相同,各保护薄膜的拼接部贴合于偏振片的位置也会偏移。
(2)由于在一侧的保护薄膜和另一侧的保护薄膜中,在开始放出前卷绕于放出辊的薄膜全长(卷长度)彼此不同,因此各保护薄膜的剩余长度(未被放出而是以卷绕于放出辊的状态剩下的薄膜长度)达到相等的时刻彼此不同。因此,即使在各保护薄膜的剩余长度达到了预先决定的相同值的时刻分别单独地实施拼接处理,各保护薄膜的拼接部贴合于偏振片的位置也会偏移。
制得的长条带状的偏光薄膜中的、各保护薄膜的拼接部和其附近无法作为产品使用,因此被切断而废弃。在各保护薄膜的拼接部的位置相同或接近的情况下,切断/废弃的部位较少而没问题,但在各保护薄膜的拼接部的位置分离的情况下,需要对遍及大范围的部位进行切断/废弃,偏光薄膜的成品率降低。
此外,在上述例子中,以制造对偏振片的双面贴合保护薄膜而成的偏光薄膜并对两侧的保护薄膜实施拼接处理的情况为例进行了说明,但在制造对偏振片的单面贴合保护薄膜而成的偏光薄膜并对偏振片和保护薄膜实施拼接处理的情况下,也会产生相同的问题。
本发明的课题在于,提供能够减少因对构成偏光薄膜的两个薄膜实施的拼接处理而产生的偏光薄膜的浪费的偏光薄膜的制造方法和制造装置。
用于解决问题的方案
为了解决所述课题,本发明提供一种偏光薄膜的制造方法,在该偏光薄膜的制造方法中,利用卷对卷方式将保护薄膜贴合于偏振片的至少单面来制造偏光薄膜,其中,对于所述偏振片和贴合于所述偏振片的单面的保护薄膜这两个薄膜、或者贴合于所述偏振片的双面的保护薄膜这两个薄膜,将它们分别自卷绕于放出辊的放出位置输送至贴合位置,并对它们分别实施拼接处理,该偏光薄膜的制造方法包含以下工序:剩余长度计算工序,在该剩余长度计算工序中,对卷绕于所述放出辊的所述两个薄膜的剩余长度分别进行计算;以及拼接处理工序,在该拼接处理工序中,在由所述剩余长度计算工序计算出的所述两个薄膜的剩余长度中的至少任意一者为预定的阈值以下时,控制实施时刻而使所述贴合位置处的所述两个薄膜的拼接部的位置偏移处于规定范围内,实施针对所述两个薄膜的拼接处理。
采用本发明,在剩余长度计算工序中,分别计算两个薄膜(偏振片和保护薄膜或者两个保护薄膜)的剩余长度。然后,在拼接处理工序中,在两个薄膜的剩余长度中的至少任意一者为预定的阈值以下时,控制实施时刻而使贴合位置处的两个薄膜的拼接部的位置偏移(涉及薄膜的长度方向(输送方向)的位置偏移)处于规定范围内,实施针对两个薄膜的拼接处理。
如上述那样,采用本发明,并不是根据各薄膜的剩余长度等而单独地决定针对两个薄膜的拼接处理的实施时刻,而是以使贴合位置处的两个薄膜的拼接部的位置偏移处于规定范围内的方式来对针对两个薄膜的拼接处理的实施时刻进行控制,因此能够使拼接部的位置偏移处于规定范围内,能够减少偏光薄膜的浪费。
在本发明中,在作为两个薄膜的放出位置与贴合位置之间的距离的路径长度相同的情况下,在拼接处理工序中,若使针对两个薄膜的拼接处理的实施时刻相同,则能够使贴合位置处的两个薄膜的拼接部的位置相同。
然而,实际上,两个薄膜的路径长度不同的情况较多。
因此,优选的是,在所述拼接处理工序中,考虑到所述两个薄膜的所述放出位置与所述贴合位置之间的距离即路径长度的差来控制拼接处理的实施时刻。
此外,在上述优选的方法中,“所述两个薄膜的所述放出位置与所述贴合位置之间的距离”是指,放出位置与贴合位置之间的两个薄膜的输送路径的长度。
采用上述优选的方法,即使在两个薄膜的路径长度不同的情况下,也能够使拼接部的位置偏移处于规定范围内。
此外,两个薄膜的路径长度的差只要根据实施拼接处理工序的连续供给装置的设计图来预先计算出来或者预先进行实测即可。
在本发明中,作为在剩余长度计算工序中分别计算两个薄膜的剩余长度的方法,考虑各种方法,但在能够比较容易计算这点上,优选根据两个薄膜的卷径和厚度来计算剩余长度的方法。
具体而言,优选的是,所述剩余长度计算工序包含以下步骤:第1步骤,在该第1步骤中,根据所述放出辊的转速和自所述放出辊放出的所述两个薄膜的输送速度,计算卷绕于所述放出辊的所述两个薄膜的卷径;第2步骤,在该第2步骤中,根据所述两个薄膜的卷径的随时间的变化,计算所述两个薄膜的厚度;以及第3步骤,在该第3步骤中,根据所述两个薄膜的卷径和所述两个薄膜的厚度,计算所述两个薄膜的剩余长度。
采用上述优选的方法,例如,通过将编码器安装于放出辊的旋转轴来仅测量放出辊的转速(或者,除此以外仅测量两个薄膜的输送速度),从而能够容易地计算两个薄膜的剩余长度。
此外,在上述优选的方法中,“卷径”是指卷绕于放出辊的薄膜的最外缘的直径。
另外,为了解决所述课题,本发明还提供一种偏光薄膜的制造装置,其利用卷对卷方式将保护薄膜贴合于偏振片的至少单面来制造偏光薄膜,其中,该偏光薄膜的制造装置具备:连续供给装置,其构成为,对于所述偏振片和贴合于所述偏振片的单面的所述保护薄膜这两个薄膜、或者贴合于所述偏振片的双面的所述保护薄膜这两个薄膜,将它们分别自卷绕于放出辊的放出位置输送至贴合位置,并对它们分别实施拼接处理;剩余长度计算部件,其对卷绕于所述放出辊的所述两个薄膜的剩余长度分别进行计算;以及控制部件,在由所述剩余长度计算部件计算出的所述两个薄膜的剩余长度中的至少任意一者为预定的阈值以下时,该控制部件控制实施时刻而使所述贴合位置处的所述两个薄膜的拼接部的位置偏移处于规定范围内,使所述连续供给装置实施针对所述两个薄膜的拼接处理。
发明的效果
采用本发明,能够减少因针对构成偏光薄膜的两个薄膜实施的拼接处理而产生的偏光薄膜的浪费。
附图说明
图1(a)、图1(b)是表示本发明的一个实施方式的偏光薄膜的制造装置的概略结构例的示意图。
图2是对本发明的一个实施方式的偏光薄膜的制造方法(拼接处理的实施方法)的概略步骤进行说明的流程图。
附图标记说明
1、60、放出辊;2、处理槽;3、干燥装置;4、卷取辊;10、10a、10b、连续供给装置;20、剩余长度计算部件;21a、21a’、21b、21b’、编码器;22、计算部件;30、控制部件;40、40a、40b、拼接处理装置;50、50a、50b、贴合辊;R、输送辊;F0、原卷薄膜;F1、偏振片;F2a、F2b、保护薄膜;F、偏光薄膜;Sa、Sb、拼接部;100、制造装置。
具体实施方式
以下,在适当参照附图的同时,对于本发明的一个实施方式的偏光薄膜的制造方法和制造装置,以将保护薄膜贴合于偏振片的双面来制造偏光薄膜的情况为例进行说明。
此外,应注意各附图是为了参考而给出的,各附图所示的构件等的尺寸、比例尺和形状有时会与实际的不同。
图1(a)、图1(b)是表示本实施方式的偏光薄膜的制造装置(以下,适当简称作“制造装置”)的概略结构例的示意图。图1(a)是制造装置的整体结构图,图1(b)是放出辊附近的放大图。此外,图1(a)、图1(b)所示的粗线的箭头表示各薄膜的输送方向。
如图1(a)、图1(b)所示,本实施方式的制造装置100是利用卷对卷方式将保护薄膜F2a、F2b贴合于偏振片F1来制造偏光薄膜F的装置,其具备放出辊1、处理槽2、干燥装置3、连续供给装置10、剩余长度计算部件20、控制部件30、输送辊R、以及卷取辊4。此外,实际的制造装置100还具备在偏振片F1和/或保护薄膜F2a、F2b涂布粘接剂的凹版涂布机、在使偏振片F1和保护薄膜F2a、F2b贴合之后使粘接剂固化的活性能量射线照射装置等省略了图示的公知结构。
在使用图1(a)、图1(b)所示的制造装置100来制造偏光薄膜F时,首先,放出卷绕于放出辊1的原卷薄膜F0,将原卷薄膜F0浸渍于处理槽2内的处理液中实施各种处理。
作为原卷薄膜F0,使用包含亲水性聚合物薄膜(例如聚乙烯醇系薄膜等)的薄膜,优选使用亲水性聚合物薄膜。作为包含亲水性聚合物薄膜的薄膜,可列举出由亲水性聚合物薄膜和非亲水性聚合物薄膜(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯系薄膜等)层叠而成的薄膜。
处理槽2例如自原卷薄膜F0的输送方向上游侧起依次具备对原卷薄膜F0实施溶胀处理的溶胀处理槽、利用碘等二色性色素对被实施了溶胀处理的原卷薄膜F0实施染色处理的染色处理槽、对被实施了染色处理的原卷薄膜F0实施交联处理的交联处理槽、对被实施了交联处理的原卷薄膜F0实施拉伸处理的拉伸处理槽、以及对被实施了拉伸处理的原卷薄膜F0实施清洗处理的清洗处理槽,对此省略图示。对于各处理槽中的具体的处理内容,由于能够应用公知的处理内容,因此在此省略其详细说明。
通过利用干燥装置3使在处理槽2中被实施了处理的原卷薄膜F0干燥,从而得到偏振片F1。此外,偏振片F1的厚度并不特别限定,通常为1μm~80μm左右,优选为1μm~20μm。
接着,利用构成连续供给装置10的贴合辊50将自构成连续供给装置10的放出辊60放出并输送的保护薄膜F2a、F2b贴合于偏振片F1的双面。一侧的保护薄膜F2a由连续供给装置10a供给,另一侧的保护薄膜F2b由连续供给装置10b供给。通过将保护薄膜F2a、F2b贴合于偏振片F1的双面,从而得到偏光薄膜F,得到的偏光薄膜F被卷取辊4卷取。
作为保护薄膜F2a、F2b,例如能够使用三乙酰纤维素系薄膜。另外,作为保护薄膜F2a、F2b,还能够使用丙烯酸系薄膜、环烯烃薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯系薄膜等。作为保护薄膜F2a、F2b,既可以使用彼此相同的薄膜,也可以使用彼此不同的薄膜。保护薄膜F2a、F2b的厚度并不特别限定,通常为1μm~500μm左右,优选为5μm~200μm。
以下,依次说明本实施方式的制造装置100所具备的连续供给装置10、剩余长度计算部件20和控制部件30的具体结构。
连续供给装置10是构成为将保护薄膜F2a、F2b自卷绕于放出辊60的放出位置输送至贴合位置(通过贴合辊50贴合于偏振片F1的位置)且能够对保护薄膜F2a、F2b实施拼接处理的装置。
供给保护薄膜F2a的连续供给装置10a具备卷绕有保护薄膜F2a的放出辊60(60a、60a’)、拼接处理装置40(40a)、贴合辊50(50a)、以及输送辊R。例如,在自放出辊60a放出的保护薄膜F2a先行而被输送辊R输送的情况下,通过利用拼接处理装置40a对该保护薄膜F2a的后端部和自放出辊60a’放出的保护薄膜F2a的前端部进行拼接处理(接合),从而向贴合辊50a连续地供给保护薄膜F2a。
同样地,供给保护薄膜F2b的连续供给装置10b具备卷绕有保护薄膜F2b的放出辊60(60b、60b’)、拼接处理装置40(40b)、贴合辊50(50b)、以及输送辊R。例如,在自放出辊60b放出的保护薄膜F2b先行而被输送辊R输送的情况下,通过利用拼接处理装置40b对该保护薄膜F2b的后端部和自放出辊60b’放出的保护薄膜F2b的前端部进行拼接处理(接合),从而向贴合辊50b连续地供给保护薄膜F2b。
此外,作为拼接处理装置40,与专利文献2记载的装置同样地,能够使用具备吸附部件、固定构件以及切断部件等构成要素、且各构成要素进行动作使两个薄膜相接合的装置。由于拼接处理装置40的更具体的结构与专利文献2所述那样的公知的装置相同,因此在此省略其详细说明。
剩余长度计算部件20是对卷绕于放出辊60的保护薄膜F2a、F2b的剩余长度分别进行计算的部件。
本实施方式的剩余长度计算部件20具备:编码器21a、21a’、21b、21b’;以及计算部件22,其由与编码器21a、21a’、21b、21b’电连接的计算机构成。编码器21a安装于放出辊60a的旋转轴,用于测量放出辊60a的转速。编码器21a’安装于放出辊60a’的旋转轴,用于测量放出辊60a’的转速。编码器21b安装于放出辊60b的旋转轴,用于测量放出辊60b的转速。编码器21b’安装于放出辊60b’的旋转轴,用于测量放出辊60b’的转速。由编码器21a、21a’、21b、21b’分别测得的放出辊60a、60a’、60b、60b’的转速被输入计算部件22。计算部件22使用被输入的转速分别计算保护薄膜F2a、F2b的剩余长度。在后面叙述计算剩余长度的具体步骤。
控制部件30是使连续供给装置10实施针对保护薄膜F2a、F2b的拼接处理的部件。
本实施方式的控制部件30由与连续供给装置10的拼接处理装置40电连接的计算机构成。本实施方式的控制部件30还具有作为剩余长度计算部件20的计算部件22的功能(将同一计算机用作计算部件22和控制部件30),但本发明并不限于此,也能够由与计算部件22不同的计算机来构成控制部件30。另外,还能够由同一或不同的可编程逻辑控制器(programmable logic controller)来构成控制部件30和计算部件22。
控制部件30使用由剩余长度计算部件20计算出的保护薄膜F2a、F2b的剩余长度来对连续供给装置10的拼接处理装置40针对保护薄膜F2a、F2b实施拼接处理的实施时刻进行控制。在后面叙述实施时刻的具体的控制内容。
以下,具体地说明使用本实施方式的制造装置100的偏光薄膜F的制造方法(拼接处理的实施方法)。
图2是对本实施方式的偏光薄膜F的制造方法(拼接处理的实施方法)的概略步骤进行说明的流程图。
如图2所示,本实施方式的制造方法包含剩余长度计算工序S1和拼接处理工序S2。剩余长度计算工序S1包含第1步骤S11、第2步骤S12、以及第3步骤S13。
<剩余长度计算工序S1>
在剩余长度计算工序S1中,利用剩余长度计算部件20来分别计算卷绕于放出辊60的保护薄膜F2a、F2b的剩余长度。例如,对于保护薄膜F2a,若当前卷绕于放出辊60a的保护薄膜F2a正在被放出,则计算部件22使用由编码器21a测得的放出辊60a的转速来计算卷绕于放出辊60a的保护薄膜F2a的剩余长度。若当前卷绕于放出辊60a’的保护薄膜F2a正在被放出,则计算部件22使用由编码器21a’测得的放出辊60a’的转速来计算卷绕于放出辊60a’的保护薄膜F2a的剩余长度。
同样地,例如,对于保护薄膜F2b,若当前卷绕于放出辊60b的保护薄膜F2b正在被放出,则计算部件22使用由编码器21b测得的放出辊60b的转速来计算卷绕于放出辊60b的保护薄膜F2b的剩余长度。若当前卷绕于放出辊60b’的保护薄膜F2b正在被放出,则计算部件22使用由编码器21b’测得的放出辊60b’的转速来计算卷绕于放出辊60b’的保护薄膜F2a的剩余长度。
[第1步骤S11]
具体而言,在当前卷绕于放出辊60a的保护薄膜F2a正在被放出的情况下,在第1步骤S11中,若如图1(b)所示那样将放出辊60a的转速设为N(t),将自放出辊60a放出的保护薄膜F2a的输送速度设为V,则剩余长度计算部件20的计算部件22根据以下的式(1)来计算卷绕于放出辊60a的保护薄膜F2a的卷径D(t)。
数学式1
D(t)=V/(N(t)×π)···(1)
在上述式(1)中,t是时间,π是圆周率。
若放出辊60a的转速N(t)和保护薄膜F2a的卷径D(t)随时间而变化(是时间t的函数)、且保护薄膜F2a的输送速度V在时间上一定,则两者成为反比例的关系。
此外,对于上述式(1)中的保护薄膜F2a的输送速度V,可以将设定值预先存储于计算部件22并将该设定值用作保护薄膜F2a的输送速度V,例如,也可以是,在输送辊R的旋转轴也安装编码器,计算部件22根据由该编码器测得的输送辊R的转速来计算保护薄膜F2a的输送速度V。
对于当前卷绕于放出辊60a’的保护薄膜F2a正在被放出的情况也是同样的,若将放出辊60a’的转速设为N(t)、将自放出辊60a’放出的保护薄膜F2a的输送速度设为V,则计算部件22根据上述式(1)来计算卷绕于放出辊60a’的保护薄膜F2a的卷径D(t)。对于保护薄膜F2b也是同样的。
[第2步骤S12]
接下来,在当前卷绕于放出辊60a的保护薄膜F2a正在被放出的情况下,在第2步骤S12中,剩余长度计算部件20的计算部件22根据保护薄膜F2a的卷径D(t)的随时间的变化来计算保护薄膜F2a的厚度T。具体而言,计算部件22根据以下的式(2)来计算保护薄膜F2a的厚度T。
数学式2
T=π×(D(t-δt)2-D(t)2)/(4×V)···(2)
在上述式(2)中,D(t-δt)是比当前向前追溯时间δt时的保护薄膜F2a的卷径,π是圆周率,V是保护薄膜F2a的输送速度。
计算部件22能够通过预先存储逐次(以预定的时间间隔)计算出的卷径D(t)来进行基于上述式(2)的计算。
此外,作为δt,例如,能够例示1秒~60秒的范围内的任意时间。
对于当前卷绕于放出辊60a’的保护薄膜F2a正在被放出的情况也是同样的,计算部件22根据上述式(2)来计算保护薄膜F2a的厚度T。对于保护薄膜F2b也是同样的。
[第3步骤S13]
最后,在当前卷绕于放出辊60a的保护薄膜F2a正在被放出的情况下,在第3步骤S13中,剩余长度计算部件20的计算部件22根据由第1步骤S11计算出的保护薄膜F2a的卷径D(t)和由第2步骤S12计算出的保护薄膜F2a的厚度T,计算保护薄膜F2a的剩余长度RL。具体而言,计算部件22根据以下的式(3)来计算保护薄膜F2a的剩余长度RL。
数学式3
RL=π×(D(t)2-DO2)/(4xT)...(3)
在上述式(3)中,D0是放出辊60a的直径(参照图1(b))。对于放出辊60a的直径D0,只要将设计值、测量值预先存储于计算部件22并将该设计值、测量值用作放出辊60a的直径D0即可。
对于当前卷绕于放出辊60a’的保护薄膜F2a正在被放出的情况也是同样的,计算部件22根据上述式(3)来计算保护薄膜F2a的剩余长度RL。对于保护薄膜F2b也是同样的。
剩余长度计算部件20实施以上说明的剩余长度计算工序S1,由此计算当前正在被放出的卷绕于放出辊60的保护薄膜F2a、F2b的剩余长度RL。
<拼接处理工序S2>
在拼接处理工序S2中,利用控制部件30使连续供给装置10的拼接处理装置40实施针对保护薄膜F2a、F2b的拼接处理。
具体而言,在控制部件30中预先存储有预定的阈值Th。并且,控制部件30判断由剩余长度计算工序S1计算出的保护薄膜F2a、F2b的剩余长度RL中的至少任意一者是否成为阈值Th以下(图2的S21)。此外,作为阈值Th,例如,能够例示0.1m~10m的范围内的任意长度。
在上述判断的结果是保护薄膜F2a、F2b这两者的剩余长度RL均超过阈值Th的情况(在图2的S21中为“否”的情况)下,再次利用剩余长度计算部件20来实施剩余长度计算工序S1。在再次实施的剩余长度计算工序S1的结果也是保护薄膜F2a、F2b这两者的剩余长度RL均超过阈值Th的情况下,重复实施相同的动作。
另一方面,在上述判断的结果是保护薄膜F2a、F2b的剩余长度RL中的至少任意一者为阈值Th以下的情况(在图2的S21中为“是”的情况)下,控制部件30对实施时刻进行控制而使贴合位置处的保护薄膜F2a的拼接部Sa(参照图1(a))和保护薄膜F2b的拼接部Sb(参照图1(a))的位置偏移L(参照图1(a))处于规定范围内,使拼接处理装置40实施针对保护薄膜F2a、F2b的拼接处理(图2的S22)。即,控制部件30在位置偏移L处于规定范围内的时刻向实施针对保护薄膜F2a的拼接处理的拼接处理装置40a发送控制信号,并且向实施针对保护薄膜F2b的拼接处理的拼接处理装置40b发送控制信号,使各拼接处理装置40a、40b实施拼接处理。
具体而言,本实施方式的控制部件30考虑到图1(a)所示的保护薄膜F2a的放出位置与贴合位置之间的距离即路径长度PL1同保护薄膜F2b的放出位置与贴合位置之间的距离即路径长度PL2这两者的差,控制拼接处理的实施时刻。此外,在图1(a)中,为了方便起见,作为路径长度PL1、PL2而图示保护薄膜F2a、F2b的放出位置与贴合位置之间的直线距离,但实际上,放出位置与贴合位置之间的保护薄膜F2a、F2b的输送路径的长度是路径长度PL1、PL2。
例如,考虑PL1-PL2=ΔPL、保护薄膜F2a、F2b的输送速度为V、保护薄膜F2a、F2b的剩余长度RL中的至少任意一者为阈值Th以下的情况。在该情况下,若以使位置偏移L=0的方式对拼接处理的实施时刻进行控制,则控制部件30在向实施针对保护薄膜F2a的拼接处理的拼接处理装置40a发送控制信号之后,延迟时间ΔPL/V地向实施针对保护薄膜F2b的拼接处理的拼接处理装置40b发送控制信号。由此,能够使贴合位置处的拼接部Sa、Sb的位置偏移L=0。
此外,控制部件30优选以使位置偏移L成为0mm≤L≤500mm的方式来对拼接处理的实施时刻进行控制。更优选的是,以使位置偏移L成为0mm≤L≤100mm的方式进行控制。在L=0mm的情况下,拼接部Sa、Sb同时夹在贴合辊50a、50b之间,因此,根据情况,有可能对偏光薄膜F的输送产生障碍或使偏光薄膜F产生损伤。因此,最优选的是,以使位置偏移L成为50mm≤L≤100mm的方式进行控制。
在路径长度PL1与PL2之差如上述那样为ΔPL且以使拼接部Sa、Sb的位置偏移L成为L’的方式对拼接处理的实施时刻进行控制的情况下,控制部件30在向拼接处理装置40a发送控制信号之后,只要延迟时间(ΔPL+L’)/V地或者延迟时间(ΔPL-L’)/V地向拼接处理装置40b发送控制信号即可。只要期望的位置偏移L的值L’预先设定并存储于控制部件30即可。
根据以上说明的本实施方式的制造装置100和使用该制造装置100的偏光薄膜F的制造方法,在剩余长度计算工序S1中,利用剩余长度计算部件20分别计算保护薄膜F2a、F2b的剩余长度RL。然后,在拼接处理工序S2中,通过控制部件30和拼接处理装置40,在保护薄膜F2a、F2b的剩余长度RL中的至少任意一者成为预定的阈值Th以下时,控制实施时刻而使贴合位置处的保护薄膜F2a、F2b的拼接部Sa、Sb的位置偏移L处于规定范围内,并实施针对保护薄膜F2a、F2b的拼接处理。
即,并不是根据各保护薄膜F2a、F2b的剩余长度等而单独地决定针对保护薄膜F2a、F2b的拼接处理的实施时刻,而是以使贴合位置处的保护薄膜F2a、F2b的拼接部Sa、Sb的位置偏移L处于规定范围内的方式来控制针对保护薄膜F2a、F2b的拼接处理的实施时刻,因此能够使拼接部Sa、Sb的位置偏移L处于规定范围内,能够减少偏光薄膜F的浪费。
此外,在本实施方式中,以作为剩余长度计算部件20而使用具备安装于放出辊60的旋转轴的编码器21a~21b’的结构并根据式(1)~式(3)来计算保护薄膜F2a、F2b的剩余长度RL的情况为例进行了说明,但本发明并不限于此。
例如,也可以是,若在开始放出前准确地知道卷绕于放出辊60的保护薄膜F2a、F2b的全长(卷长),则利用计时器对自开始放出起的经过时间进行计测,自保护薄膜F2a、F2b的全长中减去将该测得的经过时间乘以保护薄膜F2a、F2b的输送速度V所得的值,由此计算出保护薄膜F2a、F2b的剩余长度RL。
另外,也可以是,替代根据式(1)来计算卷径D(t)的方法,而使用接触式或非接触式的位移计来对直到卷绕于放出辊60的保护薄膜F2a、F2b的最外缘的距离进行测量,由此计算卷径D(t),使用该计算出的卷径D(t)来计算保护薄膜F2a、F2b的剩余长度RL。
另外,在本实施方式中,以将保护薄膜F2a、F2b贴合于偏振片F1的双面来制造偏光薄膜F的情况为例进行了说明,但本发明并不限于此,本发明也能够应用于将保护薄膜贴合于偏振片F1的单面来制造偏光薄膜的情况。在该情况下,对保护薄膜实施拼接处理,且对偏振片F1(更具体而言为偏振片F1的原卷薄膜F0)实施拼接处理。即,将图1(a)、图1(b)所示的放出辊1替换为放出辊60b、60b’那样的一对放出辊,在该替换了的一对放出辊与处理槽2之间配置拼接处理装置40b那样的拼接处理装置。
在偏振片F1的原卷薄膜F0是如由聚乙烯醇系薄膜等亲水性聚合物薄膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯系薄膜等非亲水性聚合物薄膜层叠而成的薄膜那样容易实施拼接处理的薄膜的情况下,上述例子特别有效。
Claims (4)
1.一种偏光薄膜的制造方法,在该偏光薄膜的制造方法中,利用卷对卷方式将保护薄膜贴合于偏振片的至少单面来制造偏光薄膜,其中,
对于所述偏振片和贴合于所述偏振片的单面的所述保护薄膜这两个薄膜、或者贴合于所述偏振片的双面的所述保护薄膜这两个薄膜,将它们分别自卷绕于放出辊的放出位置输送至贴合位置,并对它们分别实施拼接处理,
该偏光薄膜的制造方法包含以下工序:
剩余长度计算工序,在该剩余长度计算工序中,对卷绕于所述放出辊的所述两个薄膜的剩余长度分别进行计算;以及
拼接处理工序,在该拼接处理工序中,在由所述剩余长度计算工序计算出的所述两个薄膜的剩余长度中的至少任意一者为预定的阈值以下时,控制实施时刻而使所述贴合位置处的所述两个薄膜的拼接部的位置偏移处于规定范围内,实施针对所述两个薄膜的拼接处理。
2.根据权利要求1所述的偏光薄膜的制造方法,其中,
在所述拼接处理工序中,考虑到所述两个薄膜的所述放出位置与所述贴合位置之间的距离即路径长度的差来控制拼接处理的实施时刻。
3.根据权利要求1或2所述的偏光薄膜的制造方法,其中,
所述剩余长度计算工序包含以下步骤:
第1步骤,在该第1步骤中,根据所述放出辊的转速和自所述放出辊放出的所述两个薄膜的输送速度,计算卷绕于所述放出辊的所述两个薄膜的卷径;
第2步骤,在该第2步骤中,根据所述两个薄膜的卷径的随时间的变化,计算所述两个薄膜的厚度;以及
第3步骤,在该第3步骤中,根据所述两个薄膜的卷径和所述两个薄膜的厚度,计算所述两个薄膜的剩余长度。
4.一种偏光薄膜的制造装置,其利用卷对卷方式将保护薄膜贴合于偏振片的至少单面来制造偏光薄膜,其中,
该偏光薄膜的制造装置具备:
连续供给装置,其构成为,对于所述偏振片和贴合于所述偏振片的单面的所述保护薄膜这两个薄膜、或者贴合于所述偏振片的双面的所述保护薄膜这两个薄膜,将它们分别自卷绕于放出辊的放出位置输送至贴合位置,并对它们分别实施拼接处理;
剩余长度计算部件,其对卷绕于所述放出辊的所述两个薄膜的剩余长度分别进行计算;以及
控制部件,在由所述剩余长度计算部件计算出的所述两个薄膜的剩余长度中的至少任意一者为预定的阈值以下时,该控制部件控制实施时刻而使所述贴合位置处的所述两个薄膜的拼接部的位置偏移处于规定范围内,使所述连续供给装置实施针对所述两个薄膜的拼接处理。
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