CN112074524A - 化合物、化合物的制造方法及使用了该化合物的发光材料的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的课题在于，提供能够合成显示出高亮度、高效率、低电压驱动、长寿命的有机EL材料的高纯度原料及其提纯方法、使用该高纯度原料合成的发光材料的制造方法。课题的解决方法是一种化合物，是作为合成有机EL材料的原料的化合物，具有比该化合物的分子量大的分子量的杂质的含量为0.15％以下，该杂质的含量是在基于有机溶剂系尺寸排阻色谱法的色谱图中与鉴定为该化合物的峰相比保留时间短的峰的面积之和相对于全部峰面积之和的百分率。

Description

化合物、化合物的制造方法及使用了该化合物的发光材料的 制造方法

技术领域

本发明涉及化合物、化合物的制造方法及使用了该化合物的发光材料的制造方法。

背景技术

在显示有机EL现象的材料(以下称作“有机EL材料”。)中，有发光材料及电荷传输材料等。它们均具有连结有芳香族环的化学结构。作为用于制造有机EL材料的原料，例如使用以下的式(1)或式(2)所示的亚芳基化合物。

一般而言，为了提高有机EL元件的效率、寿命，有机EL材料需要为高纯度，为此所用的原料(1)或(2)也期望为高纯度。

为了确认原料(1)或原料(2)的纯度，通常使用基于气相色谱法、或高效液相色谱法(以下设为HPLC法)的分析。其中的气相色谱法需要具有使成为对象的物质不分解的温度的程度的蒸汽压，蒸汽压低的物质的分析变得困难。HPLC法中，即使是蒸汽压低的物质也能够进行分析，在有机EL发光材料的原料的分析中经常使用。例如，在日本特表2002－536492号中合成了在基于HPLC的分析中为99％以上的纯度的具有含硼官能团的芳香族单体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2002－536492号公报

发明内容

发明所要解决的问题

作为有机EL材料所必需的特性，可以举出在有机EL元件中使用时该元件为高亮度、高效率、低电压驱动、长寿命，然而在利用HPLC法确认原料(1)或(2)的纯度后合成有机EL材料、并使用该有机EL材料制成的元件中，在这些性能的提高方面存在有极限。本发明的目的在于，提供高纯度原料(1)或(2)及其提纯方法、使用该原料合成出的发光材料的制造方法。

用于解决问题的方法

对于有机EL元件的性能而言，该元件中使用的有机EL材料的电荷传输性有影响。即，有机EL元件通常具有发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层等多个层，以作为整体达到高亮度、高效率、低电压驱动、长寿命的方式取得各个层的电荷传输性的平衡地进行设计。对于各层的电荷传输性，依赖于发光层中使用的化合物的化学结构中的芳香族环连结的样式。尤其是在发光层中显著。若在各层中使用的化合物中存在具有不同的连结样式的芳香族环，则电荷传输性发生变化，所设计出的平衡崩溃，有机EL元件的性能降低。本发明的发明人发现，在有机EL材料的原料(1)或(2)中作为杂质包含具有不同的芳香族环的连结样式的化合物。

该杂质的化学结构是原料(1)或(2)的芳香族环随机地连结而得的化学结构，认为其分子量大于式(1)或(2)所示的化合物的分子量。因而，作为解决上述问题的方法，将具有比式(1)或(2)所示的化合物的分子量大的分子量的杂质的含量限制为特定量以下。作为确认具有比式(1)或(2)所示的化合物的分子量大的分子量的杂质的含量的方法，采用了有机溶剂系尺寸排阻色谱的峰面积法。

本发明提供一种化合物，是以下的式(1)或(2)所示的化合物，具有比式(1)或(2)所示的化合物的分子量大的分子量的杂质的含量为0.15％以下，该杂质的含量是在基于有机溶剂系尺寸排阻色谱的色谱图中与鉴定为式(1)或(2)的峰相比保留时间短的峰的面积之和相对于全部峰面积之和的百分率。

[化1]

Z¹-Ar^Y1-Z¹ (1)

[式中，Ar^Y1表示亚芳基、2价杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，这些基团任选具有取代基。Z¹表示离去基团。]

[化2]

[式中，a¹及a²各自独立地表示0以上的整数。Ar^X1及Ar^X3各自独立地表示亚芳基或2价杂环基，这些基团任选具有取代基。Ar^X2及Ar^X4各自独立地表示亚芳基、2价杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，这些基团任选具有取代基。R^X1、R^X2及R^X3各自独立地表示氢原子、烷基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。Z²表示离去基团。]

在某一个方式中，上述任意化合物在基于利用反相色谱柱的高效液相色谱的色谱图中，基于面积百分率法的纯度大于99％。

在某一个方式中，Z¹、Z²所示的离去基团为选自下面的取代基A组、或B组中的基团。

此处，取代基A组是氯原子、溴原子、碘原子、以及－O－S(＝O)₂R^C1(式中，R^C1表示烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。)所示的基团；

取代基B组是－B(OR^C2)₂(式中，R^C2表示氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。存在有多个的R^C2任选相同或不同，任选彼此连结并与各自所键合的氧原子一起形成环结构。)所示的基团；

－BF₃Q’(式中，Q’表示Li、Na、K、Rb或Cs。)所示的基团；

－MgY’(式中，Y’表示氯原子、溴原子或碘原子。)所示的基团；

－ZnY”(式中，Y”表示氯原子、溴原子或碘原子。)所示的基团；以及

－Sn(R^C3)₃(式中，R^C3表示氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。存在有多个的R^C3任选相同或不同，任选彼此连结并与各自所键合的锡原子一起形成环结构。)所示的基团。

在某一个方式中，Z¹、Z²所示的离去基团为溴原子、或－B(OR^C2)₂(式中，R^C2表示氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。存在有多个的R^C2任选相同或不同，任选彼此连结并与各自所键合的氧原子一起形成环结构。)所示的基团。

在某一个方式中，上述任意化合物在基于缩合反应的化合物的合成中使用。

在某一个方式中，上述所合成的化合物为有机EL材料。

在某一个方式中，上述所合成的化合物为高分子化合物。

另外，本发明提供一种化合物的制造方法，所述制造方法包含使用上述任意式(1)所示的化合物、以及上述任意式(2)所示的化合物进行缩合反应的工序。

另外，本发明提供一种化合物的制造方法，所述制造方法包含使用上述任意式(1)所示的化合物、上述任意式(2)所示的化合物、以及以下的式(3)所示的化合物进行缩合反应的工序。

[化3]

R^X4-Z³ (3)

式中，R^X4表示芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。Z³表示离去基团。

在某一个方式中，上述所制造的化合物为有机EL材料。

在某一个方式中，所制造的化合物为高分子化合物。

另外，本发明提供一种提纯方法，是包含如下工序的式(1)或(2)所示的化合物的提纯方法，即，将式(1)或(2)所示的化合物溶解于溶剂中后，使之与活性炭接触，由此将具有比式(1)或(2)所示的化合物的分子量大的分子量的杂质的含量降低为0.15％以下，该杂质的含量是在基于有机溶剂系尺寸排阻色谱的色谱图中与鉴定为式(1)或(2)的峰相比保留时间短的峰的面积之和相对于全部峰面积之和的百分率，

[化4]

Z¹-Ar^Y1-Z¹ (1)

[式中，Ar^Y1表示亚芳基、2价杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，这些基团任选具有取代基。Z¹表示离去基团。]

[化5]

[式中，a¹及a²各自独立地表示0以上的整数。Ar^X1及Ar^X3各自独立地表示亚芳基或2价杂环基，这些基团任选具有取代基。Ar^X2及Ar^X4各自独立地表示亚芳基、2价杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，这些基团任选具有取代基。R^X1、R^X2及R^X3各自独立地表示氢原子、烷基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。Z²表示离去基团。]。

另外，本发明提供一种有机EL材料，其包含使上述任意式(1)所示的化合物、以及上述任意式(2)所示的化合物缩聚而成的聚合物。

另外，本发明提供一种有机EL材料，其包含使上述任意式(1)所示的化合物、上述任意式(2)所示的化合物、以及上述式(3)所示的化合物缩聚而成的聚合物。

另外，本发明提供包含上述任意有机EL材料和有机溶剂的组合物。

另外，本发明提供包含上述任意有机EL材料的薄膜。

另外，本发明提供具有上述薄膜的有机EL元件。

发明效果

根据本发明，可以提供制造显示出高亮度、高效率、低电压驱动、长寿命的有机EL材料的原料及该原料的提纯方法。另外，可以提供显示出高亮度、高效率、低电压驱动、长寿命的有机EL材料的制造方法。

具体实施方式

＜共同的术语的说明＞

以下，本说明书中共用的术语只要没有特别指出，就是以下的含义。

Me表示甲基，Et表示乙基，i－Pr表示异丙基，n－Bu表示正丁基，t－Bu表示叔丁基。

所谓“高分子化合物”，是指具有分子量分布、且聚苯乙烯换算的数均分子量为1×10³～1×10⁸的聚合物。高分子化合物中含有的构成单元合计为100摩尔％。

所谓“低分子化合物”，是指不具有分子量分布、且分子量为1×10⁴以下的化合物。

所谓“构成单元”，是指在高分子化合物中存在1个以上的单元。

“烷基”可以是直链、支链及环状的任意者。直链的烷基的碳原子数不包含取代基的碳原子数在内，通常为1～50，优选为3～30，更优选为4～20。支链及环状的烷基的碳原子数不包含取代基的碳原子数在内，通常为3～50，优选为3～30，更优选为4～20。

烷基任选具有取代基，例如可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、2－乙基丁基、正己基、环己基、正庚基、环己基甲基、环己基乙基、正辛基、2－乙基己基、3－正丙基庚基、正癸基、3，7－二甲基辛基、2－乙基辛基、2－正己基－癸基、正十二烷基等非取代烷基；三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3－苯基丙基、3－(4－甲基苯基)丙基、3－(3，5－二正己基苯基)丙基、6－乙氧基己基等取代烷基。

“芳基”是指从芳香族烃中去掉1个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后剩下的原子团。芳基的碳原子数不包含取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为6～20，更优选为6～10。

芳基任选具有取代基，例如可以举出苯基、1－萘基、2－萘基、1－蒽基、2－蒽基、9－蒽基、1－芘基、2－芘基、4－芘基、2－芴基、3－芴基、4－芴基、2－苯基苯基、3－苯基苯基、4－苯基苯基、以及这些基团中的氢原子由烷基、烷氧基、芳基、氟原子等取代了的基团。

“烷氧基”可以是直链、支链及环状的任意者。直链的烷氧基的碳原子数不包含取代基的碳原子数在内，通常为1～40，优选为4～10。支链及环状的烷氧基的碳原子数不包含取代基的碳原子数在内，通常为3～40，优选为4～10。

烷氧基任选具有取代基，例如可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、正辛氧基、2－乙基己氧基、正壬氧基、正癸氧基、3，7－二甲基辛氧基、月桂氧基。

“芳氧基”的碳原子数不包含取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为7～48。

芳氧基任选具有取代基，例如可以举出苯氧基、1－萘氧基、2－萘氧基、1－蒽氧基、9－蒽氧基、1－芘氧基、以及这些基团中的氢原子由烷基、烷氧基、氟原子等取代了的基团。

所谓“p价杂环基”(p表示1以上的整数。)，是指从杂环式化合物中去掉与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子中的p个氢原子后剩下的原子团。在p价杂环基当中，优选“p价芳香族杂环基”，即从芳香族杂环式化合物中去掉与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子中的p个氢原子后剩下的原子团。

“芳香族杂环式化合物”是指噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷杂环戊二烯、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、哒嗪、喹啉、异喹啉、咔唑、二苯并硅杂环戊二烯、二苯并磷杂环戊二烯等杂环自身显示出芳香族性的化合物、以及吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼杂环戊二烯、二苯并硅杂环戊二烯、苯并吡喃等尽管杂环自身不显示出芳香族性也在杂环稠合有芳香环的化合物。

1价杂环基的碳原子数不包含取代基的碳原子数在内，通常为2～60，优选为4～20。

1价杂环基任选具有取代基，例如可以举出噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基、嘧啶基、三嗪基、以及这些基团中的氢原子由烷基、烷氧基等取代了的基团。

所谓“卤素原子”，表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

“氨基”任选具有取代基，优选取代氨基。作为氨基所具有的取代基，优选烷基、芳基或1价杂环基。

作为取代氨基，例如可以举出二烷基氨基及二芳基氨基。

作为氨基，例如可以举出二甲基氨基、二乙基氨基、二苯基氨基、双(4－甲基苯基)氨基、双(4－叔丁基苯基)氨基、双(3，5－二叔丁基苯基)氨基。

“亚芳基”是指从芳香族烃中去掉2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后剩下的原子团。亚芳基的碳原子数不包含取代基的碳原子数在内，通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。

亚芳基任选具有取代基，例如可以举出亚苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氢菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、

二基、以及这些基团具有取代基的基团，优选为式(A－1)～式(A－20)所示的基团。亚芳基包含键合有多个这些基团的基团。

[化6]

[化7]

式中，R及R^a各自独立地表示氢原子、烷基或芳基。存在有多个的R及R^a分别任选相同或不同。相邻的R^a之间任选彼此键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。

2价杂环基的碳原子数不包含取代基的碳原子数在内，通常为2～60，优选为3～20，更优选为4～15。

2价杂环基任选具有取代基，例如可以举出从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硅杂环戊二烯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氢吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑中去掉与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子中的2个氢原子而得的2价基团，优选为式(A－21)～式(A－52)所示的基团。2价杂环基包含键合有多个这些基团的基团。

[化8]

[化9]

[化10]

式中，R及R^a表示与前文相同的含义。

所谓“取代基”，是指卤素原子、氰基、烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、氨基或取代氨基。

所谓“交联基”，是指式(B－1)、(B－2)、(B－3)、(B－4)、(B－5)、(B－6)、(B－7)、(B－8)、(B－9)、(B－10)、(B－11)、(B－12)、(B－13)、(B－14)、(B－15)、(B－16)或(B－17)所示的基团。

[化11]

式中，这些基团任选具有取代基。

＜高分子化合物＞

由于使空穴传输性优异，高分子化合物优选包含下述式(X)所示的构成单元。

[化12]

式中，a^X1及a^X2各自独立地表示0以上的整数。Ar^X1及Ar^X3各自独立地表示亚芳基或2价杂环基，这些基团任选具有取代基。Ar^X2及Ar^X4各自独立地表示亚芳基、2价杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，这些基团任选具有取代基。R^X1、R^X2及R^X3各自独立地表示氢原子、烷基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。

由于使使用了高分子化合物的发光元件的亮度寿命优异，a^X1优选为2以下，更优选为1。

由于使使用了高分子化合物的发光元件的亮度寿命优异，a^X2优选为2以下，更优选为0。

R^X1、R^X2及R^X3优选为烷基、芳基或1价杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。

作为Ar^X1及Ar^X3所示的亚芳基，特别优选为式(A－1)或式(A－9)所示的基团，尤其优选为式(A－1)所示的基团，这些基团任选具有取代基。

作为Ar^X1及Ar^X3所示的2价杂环基，特别优选为式(A－21)、式(A－22)或式(A－27)～式(A－46)所示的基团，这些基团任选具有取代基。

Ar^X1及Ar^X3优选为任选具有取代基的亚芳基。

作为Ar^X2及Ar^X4所示的亚芳基，特别优选为式(A－1)、式(A－6)、式(A－7)、式(A－9)～式(A－11)或式(A－19)所示的基团，这些基团任选具有取代基。

Ar^X2及Ar^X4所示的2价杂环基的特别优选的范围与Ar^X1及Ar^X3所示的2价杂环基的特别优选的范围相同。

Ar^X2及Ar^X4所示的至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团中的亚芳基及2价杂环基的特别优选的范围、尤其优选的范围各自与Ar^X1及Ar^X3所示的亚芳基及2价杂环基的特别优选的范围、尤其优选的范围相同。

作为Ar^X2及Ar^X4所示的至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，例如可以举出下式所示的基团，它们任选具有取代基。

[化13]

式中，R^XX表示氢原子、烷基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。

R^XX优选为烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。

Ar^X2及Ar^X4优选为任选具有取代基的亚芳基。

作为Ar^X1～Ar^X4及R^X1～R^X3所示的基团任选具有的取代基，优选为烷基或芳基，这些基团任选进一步具有取代基。

作为式(X)所示的构成单元，优选为式(X－1)～(X－7)所示的构成单元，更优选为式(X－3)～(X－7)所示的构成单元，进一步优选为式(X－3)～(X－6)所示的构成单元。

[化14]

[化15]

式中，R^X4及R^X5各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、卤素原子、1价杂环基或氰基，这些基团任选具有取代基。存在有多个的R^X4任选相同或不同。存在有多个的R^X5任选相同或不同，相邻的R^X5之间任选彼此键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。

由于使空穴传输性优异，式(X)所示的构成单元相对于高分子化合物中含有的构成单元的合计量优选为0.1～50摩尔％，更优选为1～40摩尔％，进一步优选为5～30摩尔％。

作为式(X)所示的构成单元，例如可以举出式(X1－1)～(X1－19)所示的构成单元，优选为式(X1－6)～(X1－14)所示的构成单元。

[化16]

[化17]

[化18]

[化19]

在高分子化合物中，式(X)所示的构成单元可以仅包含1种，也可以包含2种以上。

由于使空穴传输性优异，高分子化合物优选还包含式(Y)所示的构成单元。

从用于发光元件的制作时的发光效率的观点出发，高分子化合物优选包含式(X)所示的构成单元或式(Y)所示的构成单元。

[化20]

式中，Ar^Y1表示亚芳基、2价杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，这些基团任选具有取代基。

作为Ar^Y1所示的亚芳基，特别优选为式(A－1)、式(A－6)、式(A－7)、式(A－9)～式(A－11)、式(A－13)或式(A－19)所示的基团，尤其优选为式(A－1)、式(A－7)、式(A－9)或式(A－19)所示的基团，这些基团任选具有取代基。

作为Ar^Y1所示的2价杂环基，特别优选为式(A－24)、式(A－30)、式(A－33)、式(A－35)、式(A－38)或式(A－40)所示的基团，尤其优选为式(A－24)、式(A－30)、式(A－38)或式(A－40)所示的基团，这些基团任选具有取代基。

Ar^Y1所示的至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团中的亚芳基及2价杂环基的特别优选的范围、尤其优选的范围各自与前述的Ar^Y1所示的亚芳基及2价杂环基的特别优选的范围、尤其优选的范围相同。

作为Ar^Y1所示的基团任选具有的取代基，优选为烷基或芳基，这些基团任选进一步具有取代基。

作为式(Y)所示的构成单元，例如可以举出式(Y－1)～(Y－7)所示的构成单元，从使用了高分子化合物的发光元件的亮度寿命的观点出发，优选为式(Y－1)或(Y－2)所示的构成单元，从电子传输性的观点出发，优选为式(Y－3)或(Y－4)所示的构成单元，从空穴传输性的观点出发，优选为式(Y－5)～(Y－7)所示的构成单元。

[化21]

式中，R^Y1表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。存在有多个的R^Y1任选相同或不同，相邻的R^Y1之间任选彼此键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。

R^Y1优选为氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。

[化22]

式中，R^Y1表示与前文相同的含义。X^Y1表示－C(R^Y2)₂－、－C(R^Y2)＝C(R^Y2)－或－C(R^Y2)₂－C(R^Y2)₂－所示的基团。R^Y2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。存在有多个的R^Y2任选相同或不同，R^Y2之间任选彼此键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。

R^Y2优选为烷基、芳基或1价杂环基，更优选为烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。

在X^Y1中，－C(R^Y2)₂－所示的基团中的2个R^Y2的组合优选双方为烷基、双方为芳基、双方为1价杂环基、或一方为烷基且另一方为芳基或1价杂环基，更优选一方为烷基且另一方为芳基，这些基团任选具有取代基。存在有2个的R^Y2任选彼此键合并与各自所键合的原子一起形成环，在R^Y2形成环的情况下，作为－C(R^Y2)₂－所示的基团，优选为式(Y－A1)～(Y－A5)所示的基团，更优选为式(Y－A4)所示的基团，这些基团任选具有取代基。

[化23]

在X^Y1中，－C(R^Y2)＝C(R^Y2)－所示的基团中的2个R^Y2的组合优选双方为烷基、或一方为烷基且另一方为芳基，这些基团任选具有取代基。

在X^Y1中，－C(R^Y2)₂－C(R^Y2)₂－所示的基团中的4个R^Y2优选为任选具有取代基的烷基。存在有多个的R^Y2任选彼此键合并与各自所键合的原子一起形成环，在R^Y2形成环的情况下，－C(R^Y2)₂－C(R^Y2)₂－所示的基团优选为式(Y－B1)～(Y－B5)所示的基团，更优选为式(Y－B3)所示的基团，这些基团任选具有取代基。

[化24]

式中，R^Y2表示与前文相同的含义。

[化25]

式中，R^Y1表示与前文相同的含义。R^Y3表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。

R^Y3优选为烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。

[化26]

式中，R^Y1表示与前文相同的含义。R^Y4表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。

R^Y4优选为烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。

作为式(Y)所示的构成单元，例如可以举出式(Y－11)～(Y－55)所示的构成单元。

[化27]

[化28]

[化29]

[化30]

[化31]

[化32]

[化33]

对于作为式(Y)所示的构成单元、且Ar^Y1为亚芳基的构成单元而言，由于使使用了高分子化合物的发光元件的亮度寿命优异，相对于高分子化合物中含有的构成单元的合计量优选为0.5～80摩尔％，更优选为30～60摩尔％。

对于作为式(Y)所示的构成单元、且Ar^Y1为2价杂环基、或为至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团的构成单元而言，由于使使用了高分子化合物的发光元件的电荷传输性优异，相对于高分子化合物中含有的构成单元的合计量优选为0.5～30摩尔％，更优选为3～40摩尔％。

式(Y)所示的构成单元在高分子化合物中可以仅包含1种，也可以包含2种以上。

＜原料中的高分子量杂质＞

本说明书中所说的所谓原料，是指成为合成有机EL材料的原料的化合物。所谓高分子量杂质，是指具有比作为原料的化合物的分子量大的分子量的杂质。高分子量杂质具有来自于原料的芳香族环随机地连结而得的化学结构，在存在于有机EL材料中的情况下，破坏有机EL元件中的各层的电荷传输性的平衡，使制成有机EL元件时的性能降低。为了提高有机EL元件的性能，需要将高分子量杂质从原料中除去。

原料中的高分子量杂质的含量为0.15％以下，优选为0.10％以下，更优选为0.05％以下。

高分子量杂质是在对作为原料的化合物利用有机溶剂系尺寸排阻色谱进行分析时、与该化合物相比洗脱时间短的成分。作为有机溶剂系尺寸排阻色谱中使用的色谱柱，没有特别限定，然而优选在使用了标准聚苯乙烯的校准曲线中能够良好地分离聚苯乙烯换算分子量500～10000的色谱柱。作为优选的色谱柱，例如可以举出TSK gel G1000～G4000H系列、GMH-L系列、Super HZ1000～4000、Super HZM(Tosoh)等、KF-801～803、803L系列、KF-401～403系列(Shoudex)等、PLGEL MIXED-A～E(Agilent)等。另外，为了提高分离能力，可以串联使用2根以上相同或不同的色谱柱。作为有机溶剂系尺寸排阻色谱中的流动相，只要是色谱柱厂家保证性能、并且可以溶解原料单体的溶剂，就没有特别限定，通常使用四氢呋喃、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、DMF、DMSO、二噁烷、己烷、环己烷、NMP、甲乙酮、丙酮、甲醇、乙醇、或它们的混合溶剂，优选四氢呋喃、氯仿、DMF、丙酮，更优选的是四氢呋喃。作为色谱法的检测器，没有特别限定，通常使用UV－vis检测器、差示折射率检测器，优选使用UV－vis检测器。

原料中的高分子量杂质的含量根据有机溶剂系尺寸排阻色谱中得到的色谱图利用下式求出。

原料中的高分子量杂质含量(％)＝与原料单体相比洗脱时间短的成分的面积值总和/全部洗脱成分的面积值总和

其中，对于在空白分析中也检测出的峰，要排除在外后进行计算。

对于作为原料的化合物的合成方法，例如有日本特表2002－536492中所示的方法。根据公开，该原料在高效液相色谱中显示出99％以上的含量，然而关于原料中的高分子量杂质，有无法利用高效液相色谱检测到的杂质，没有充分地除去。需要将原料提纯至充分地除去高分子量杂质为止。

本发明的原料优选基于高效液相色谱的纯度高。基于高效液相色谱的纯度基于使用反相色谱柱的高效液相色谱图的峰面积百分率来确定。本发明的原料的基于高效液相色谱的纯度大于99％，优选为99.5％以上，更优选为99.8％以上。

对于反相色谱柱的种类而言，只要是能够以高分离能力分析作为原料的化合物的反相色谱柱，就没有特别限定，通常优选键合有十八烷基(C18)、辛基(C8)、丁基(C4)、三甲基(C3)、苯基、氰基丙基等的硅胶柱。作为优选的色谱柱，可以举出L-column系列(化学物质评价研究机构)、C18M、C18P、5C8、5CN系列(Shoudex)、ZORBAX RP系列(Aglient)。

作为使用反相色谱柱的高效液相色谱中使用的流动相，使用水、甲醇、乙腈、四氢呋喃等，可以将它们混合使用，也可以使用随时间推移改变混合比的梯度法。可以添加抗氧化剂、pH调节剂。

作为原料的提纯方法，优选利用吸附剂的吸附、重结晶、以及吸附与重结晶的组合。

利用吸附剂的吸附是将原料单体溶解于有机溶剂中，加入吸附剂，根据需要进行加热搅拌后，进行过滤。作为有机溶剂，可以举出苯、甲苯、乙苯、二甲苯、均三甲苯、1，2，4－三甲基苯等芳香族烃、氯苯、邻二氯苯、间二氯苯、溴苯等卤代芳香族烃、二乙基醚、二异丙基醚、茴香醚等醚类、四氢呋喃、二噁烷等环状醚类、戊烷、己烷、庚烷、辛烷等脂肪族烃、二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿等卤代烃、甲醇、乙醇、2－丙醇等醇类、丙酮、甲乙酮等酮类、乙腈、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、N－甲基吡咯烷酮等，根据需要可以将这些溶剂混合使用。其中优选甲苯、己烷、二氯甲烷、氯仿。

作为有机溶剂的使用量，相对于原料单体通常为0.5～100重量倍，优选为1～50重量倍。

作为吸附剂，可以举出活性炭、硅胶、活性氧化铝、沸石、活性白土、或它们的混合物，其中优选活性炭。

作为吸附剂量，相对于原料单体通常为0.05～5重量倍，优选为0.1～1重量倍。

作为搅拌时的温度，通常为从－20℃到溶剂的沸点，优选为从20℃到溶剂的沸点。

作为搅拌时间，通常为5分钟到48小时，优选为30分钟到3小时。

吸附剂通常利用过滤进行分离，此时也可以并用过滤助剂。

利用吸附剂的吸附可以使用吸附剂的填充塔，在该填充塔中流通原料单体的溶液，该情况下根据需要也可以使之循环。

进行了吸附剂处理的原料单体的溶液可以在通过浓缩或稀释调整为适当的浓度后，供于反应，也可以继续进行重结晶操作而取出原料单体的晶体。

利用重结晶的提纯有如下的方法，即，将原料单体用可溶性有机溶剂加热溶解后，进行冷却，过滤析出的晶体；将原料单体用可溶性有机溶剂溶解后，滴加原料单体的不良溶剂，过滤析出的晶体；以及将冷却与不良溶剂滴加组合。

作为可溶性有机溶剂，可以举出苯、甲苯、乙苯、二甲苯、均三甲苯、1，2，4－三甲基苯等芳香族烃、氯苯、邻二氯苯、间二氯苯、溴苯等卤代芳香族烃、二乙基醚、二异丙基醚、茴香醚等醚类、四氢呋喃、二噁烷等环状醚类、戊烷、己烷、庚烷、辛烷等脂肪族烃、二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿等卤代烃等，根据需要可以将这些溶剂混合使用。其中，优选甲苯、己烷、二氯甲烷、氯仿。

可溶性有机溶剂的使用量通常相对于原料单体为0.5～100重量倍，优选为1～50重量倍。

作为不良溶剂，优选极性较高的有机溶剂，可以举出甲醇、乙醇、2－丙醇等醇类、丙酮、甲乙酮等酮类、乙腈、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、N－甲基吡咯烷酮等，根据需要可以将这些溶剂混合使用。其中优选甲醇、乙醇、2－丙醇、丙酮、乙腈。

不良溶剂的使用量通常相对于原料单体为0.05～100重量倍，优选为0.1～50重量倍。

在进行加热溶解的情况下，也可以使用预先混合了可溶性有机溶剂和不良溶剂的溶剂。

作为进行加热溶解时的溶解温度，通常为室温～溶剂的沸点，优选为30℃～溶剂的沸点。在确认单体已经溶解后，进行冷却。作为冷却速度，通常为2～50℃/hr，优选为5～30℃/hr。

为了提高提纯效果、统一晶体形状，可以在冷却中加入晶种，也可以在晶体析出的阶段中，升温2～15℃左右，保温5分钟～5小时左右后，再次进行冷却。

对于冷却而言，通常冷却到－50℃～80℃，优选冷却到－20～30℃。在最终的冷却温度通常保温0～24小时、优选保温0.5～8小时后，进行过滤，使用可溶性有机溶剂、或不良溶剂、或它们的混合溶剂清洗晶体后，进行干燥。

在溶解于可溶性有机溶剂中、并滴加不良溶剂的方法中，通常用0.5～24小时、优选用1～8小时滴加不良溶剂。不良溶剂滴加时的温度通常为－50℃～溶剂的沸点，优选为－20℃～溶剂的沸点。

在将加热溶解/冷却操作与不良溶剂滴加组合的情况下，不良溶剂滴加可以在冷却操作前进行，也可以在冷却操作中、冷却操作后进行。

在实施这些提纯操作后，分析原料中的高分子量杂质，在原料中的高分子量杂质含量为0.15％以上的情况下，可以再次重复进行这些提纯操作。

＜高分子化合物的制造方法＞

下面，对本发明的高分子化合物的制造方法进行说明。

本说明书中，有时将本发明的高分子化合物的制造中使用的化合物总称为“原料单体”。

化合物(1)或(2)在高分子化合物的制造中均为原料单体，Z1、Z2各自独立地表示选自取代基A组及取代基B组中的基团。]

＜取代基A组＞

氯原子、溴原子、碘原子、－O－S(＝O)₂R^C1(式中，R^C1表示烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。)所示的基团。

＜取代基B组＞

－B(OR^C2)₂(式中，R^C2表示氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。存在有多个的R^C2任选相同或不同，任选彼此连结并与各自所键合的氧原子一起形成环结构。)所示的基团；

－BF₃Q’(式中，Q’表示Li、Na、K、Rb或Cs。)所示的基团；

－MgY’(式中，Y’表示氯原子、溴原子或碘原子。)所示的基团；

－ZnY”(式中，Y”表示氯原子、溴原子或碘原子。)所示的基团；以及

－Sn(R^C3)₃(式中，R^C3表示氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。存在有多个的R^C3任选相同或不同，任选彼此连结并与各自所键合的锡原子一起形成环结构。)所示的基团。

作为－B(OR^C2)₂所示的基团，可以例示出下述式所示的基团。

[化34]

具有选自取代基A组中的基团的化合物与具有选自取代基B组中的基团的化合物利用公知的偶联反应发生缩聚，与选自取代基A组中的基团及选自取代基B组中的基团键合的碳原子之间进行键合。由此，若将具有2个选自取代基A组中的基团的化合物与具有2个选自取代基B组中的基团的化合物供于公知的偶联反应，则可以利用缩聚获得这些化合物的缩聚物。

缩聚通常在催化剂、碱及溶剂的存在下进行，根据需要也可以使相转移催化剂共存地进行。

作为催化剂，例如可以举出双(三苯基膦)二氯化钯、双(三邻甲氧基苯基膦)二氯化钯、[四(三苯基膦)]钯、[三(二亚苄基丙酮)]二钯、乙酸钯等钯络合物、[四(三苯基膦)]镍、[1，3－双(二苯基膦基)丙烷]二氯化镍、[双(1，4－环辛二烯)]镍等镍络合物等过渡金属络合物；这些过渡金属络合物还具有三苯基膦、三邻甲苯基膦、三叔丁基膦、三环己基膦、二苯基膦基丙烷、联吡啶等配体的络合物。催化剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

对于催化剂的使用量而言，作为相对于原料单体的摩尔数的合计而言的过渡金属的量，通常为0.00001～3摩尔当量。

作为碱及相转移催化剂，例如可以举出碳酸钠、碳酸钾、碳酸铯、氟化钾、氟化铯、磷酸三钾等无机碱；四丁基氟化铵、四丁基氢氧化铵等有机碱；四丁基氯化铵、四丁基溴化铵、三辛基甲基氯化铵(Aliquat336)等相转移催化剂。碱及相转移催化剂各自可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

碱及相转移催化剂的使用量分别相对于原料单体的合计摩尔数通常为0.001～100摩尔当量。

作为溶剂，例如可以举出甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢呋喃、1，4－二噁烷、二甲氧基乙烷、N，N－二甲基乙酰胺、N，N－二甲基甲酰胺等有机溶剂、水。溶剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

关于溶剂的使用量，通常相对于原料单体的合计100重量份为10～100000重量份。

缩聚的反应温度通常为－100～200℃。缩聚的反应时间通常为1小时以上。

对于聚合反应的后处理而言，单独、或组合地实行公知的方法，例如通过分液除去水溶性杂质的方法；向甲醇等低级醇中加入聚合反应后的反应液并过滤析出的沉淀后、使之干燥的方法等。在高分子化合物的纯度低的情况下，例如可以通过重结晶、再沉淀、利用索氏萃取器的连续萃取、柱层析等通常的方法进行提纯。

＜组合物＞

组合物含有选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料、抗氧化剂及溶剂中的至少1种材料、和高分子化合物。

含有高分子化合物及溶剂的组合物(以下有时称作“墨液”。)适于使用了喷墨打印法、喷嘴打印法等印刷法的发光元件的制作。

墨液的粘度只要根据印刷法的种类来调整即可，在应用于喷墨打印法等溶液经由喷出装置的印刷法的情况下，为了防止喷出时的堵塞和飞行弯曲，优选在25℃为1～20mPa·s。

墨液中含有的溶剂优选能够溶解或均匀地分散该墨液中的固体成分的溶剂。作为溶剂，例如可以举出1，2－二氯乙烷、1，1，2－三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷、茴香醚、4－甲基茴香醚等醚系溶剂；甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙基苯、正己基苯、环己基苯等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正癸烷、联环己烷等脂肪族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮、环己酮、二苯甲酮、苯乙酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶剂；乙二醇、丙三醇、1，2－己二醇等多元醇系溶剂；异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲亚砜等亚砜系溶剂；N－甲基－2－吡咯烷酮、N，N－二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。溶剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

在墨液中，溶剂的配合量相对于高分子化合物100重量份通常为1000～100000重量份，优选为2000～20000重量份。

＜空穴传输材料＞

空穴传输材料分类为低分子化合物和高分子化合物，优选高分子化合物，更优选具有交联基的高分子化合物。

作为高分子化合物，例如可以举出聚乙烯基咔唑及其衍生物；在侧链或主链具有芳香族胺结构的聚芳撑及其衍生物。高分子化合物也可以是键合有电子接受性部位的化合物。作为电子接受性部位，例如可以举出富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基芴酮等，优选为富勒烯。

在组合物中，空穴传输材料的配合量相对于高分子化合物100重量份通常为1～400重量份，优选为5～150重量份。

空穴传输材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

＜电子传输材料＞

电子传输材料分类为低分子化合物和高分子化合物。电子传输材料任选具有交联基。

作为低分子化合物，例如可以举出以8－羟基喹啉作为配体的金属络合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二苯基二氰基乙烯、及联苯醌以及它们的衍生物。

作为高分子化合物，例如可以举出聚苯撑、聚芴、以及它们的衍生物。高分子化合物任选由金属掺杂。

在组合物中，电子传输材料的配合量相对于高分子化合物100重量份通常为1～400重量份，优选为5～150重量份。

电子传输材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

＜空穴注入材料及电子注入材料＞

空穴注入材料及电子注入材料各自分类为低分子化合物和高分子化合物。空穴注入材料及电子注入材料任选具有交联基。

作为低分子化合物，例如可以举出铜酞菁等金属酞菁；碳；钼、钨等的金属氧化物；氟化锂、氟化钠、氟化铯、氟化钾等金属氟化物。

作为高分子化合物，例如可以举出聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯撑乙烯撑、聚噻吩乙烯撑、聚喹啉、及聚喹喔啉以及它们的衍生物；在主链或侧链包含式(X)所示的基团的聚合物等导电性高分子。

在组合物中，空穴注入材料及电子注入材料的配合量各自相对于高分子化合物100重量份通常为1～400重量份，优选为5～150重量份。

空穴注入材料及电子注入材料各自可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

＜离子掺杂＞

在空穴注入材料或电子注入材料包含导电性高分子的情况下，导电性高分子的电导率优选为1×10^－5S/cm～1×10³S/cm。为了将导电性高分子的电导率设为该范围，可以向导电性高分子中掺杂适量的离子。

对于所掺杂的离子的种类而言，若为空穴注入材料，则为阴离子，若为电子注入材料，则为阳离子。作为阴离子，例如可以举出聚苯乙烯磺酸根离子、烷基苯磺酸根离子、樟脑磺酸根离子。作为阳离子，例如可以举出锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子。

所掺杂的离子可以仅为一种，也可以为两种以上。

＜发光材料＞

利用使用了本发明的原料化合物的缩合反应得到的高分子化合物可以作为发光材料使用。可以并用该高分子化合物以外的发光材料。发光材料分类为低分子化合物和高分子化合物。发光材料任选具有交联基。

作为低分子化合物，例如可以举出萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、以及以铱、铂或铕作为中心金属的三重态发光络合物。

作为高分子化合物，例如可以举出包含亚苯基、萘二基、蒽二基、芴二基、菲二基、二氢菲二基、式(X)所示的基团、咔唑二基、吩噁嗪二基、吩噻嗪二基、蒽二基、芘二基等的高分子化合物。

发光材料可以包含低分子化合物及高分子化合物，优选包含三重态发光络合物及高分子化合物。

作为三重态发光络合物，优选式Ir－1～Ir－3所示的金属络合物等铱络合物。

[化35]

式中，R^D1～R^D8及R^D11～R^D20各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1价杂环基或卤素原子，这些基团任选具有取代基。－A^D1－－－A^D2－表示阴离子性的2齿配体，A^D1及A^D2各自独立地表示与铱原子键合的碳原子、氧原子或氮原子。n_D1表示1、2或3，n_D2表示1或2。

在式Ir－1所示的三重态发光络合物中，R^D1～R^D8的至少1个优选为式(Dend－A)所示的基团。

[化36]

式中，m^DA1、m^DA2及m^DA3各自独立地表示0以上的整数。G^DA1表示氮原子、芳香族烃基或杂环基，这些基团任选具有取代基。Ar^DA1、Ar^DA2及Ar^DA3各自独立地表示亚芳基或2价杂环基，这些基团任选具有取代基。在存在多个Ar^DA1、Ar^DA2及Ar^DA3的情况下，它们任选相同或不同。T^DA2及T^DA3各自独立地表示芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。

m^DA1、m^DA2及m^DA3通常为10以下。m^DA1、m^DA2及m^DA3优选相同。

G^DA1优选为式(GDA－11)～(GDA－15)所示的基团，这些基团任选具有取代基。

[化37]

式中，*1、*2及*3各自表示与Ar^DA1、Ar^DA2及Ar^DA3的键。R^DA表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或1价杂环基，这些基团任选进一步具有取代基。在存在多个R^DA的情况下，它们任选相同或不同。

R^DA优选为氢原子、烷基或烷氧基，更优选为氢原子或烷基，这些基团任选具有取代基。

Ar^DA1、Ar^DA2及Ar^DA3优选为式(ArDA－1)～(ArDA－3)所示的基团。

[化38]

式中，R^DA表示与前文相同的含义。R^DB表示氢原子、烷基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。在存在多个R^DB的情况下，它们任选相同或不同。

T^DA2及T^DA3优选为式(TDA－1)～(TDA－3)所示的基团。

[化39]

式中，R^DA及R^DB表示与前文相同的含义。

在式Ir－2中，优选R^D11～R^D20的至少1个为式(Dend－A)所示的基团。

在式Ir－3中，优选R^D1～R^D8及R^D11～R^D20的至少1个为式(Dend－A)所示的基团。

式(Dend－A)所示的基团优选为式(Dend－A1)～(Dend－A3)所示的基团。

[化40]

式中，R^p1、R^p2及R^p3各自独立地表示烷基、烷氧基或卤素原子。在存在多个R^p1及R^p2的情况下，它们任选相同或不同。np1表示0～5的整数，np2表示0～3的整数，np3表示0或1。存在有多个的np1任选相同或不同。

np1优选为0或1，更优选为1。np2优选为0或1，更优选为0。np3优选为0。

作为－A^D1－－－A^D2－所示的阴离子性的2齿配体，例如可以举出下述式所示的配体。

[化41]

式中，*表示与Ir键合的部位。

作为式Ir－1所示的金属络合物，优选为式Ir－11～Ir－13所示的金属络合物。作为式Ir－2所示的金属络合物，优选为式Ir－21所示的金属络合物。作为式Ir－3所示的金属络合物，优选为式Ir－31～Ir－33所示的金属络合物。

[化42]

[化43]

式中，Dend表示式(Dend－A)所示的基团。n_D2表示1或2。

作为三重态发光络合物，例如可以举出以下所示的金属络合物。

[化44]

在组合物中，发光材料的含量相对于高分子化合物100重量份通常为0.1～400重量份。

＜抗氧化剂＞

抗氧化剂只要是可溶于与高分子化合物相同的溶剂中、且不妨碍发光及电荷传输的化合物即可，例如可以举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂。

在组合物中，抗氧化剂的配合量相对于高分子化合物100重量份通常为0.001～10重量份。

抗氧化剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

＜膜＞

膜含有高分子化合物。

膜中还包含通过交联而使高分子化合物对于溶剂不溶的不溶化膜。不溶化膜是通过加热、光照射等外部刺激使高分子化合物交联而得的膜。不溶化膜实质上不溶于溶剂中，因此可以合适地用于发光元件的层叠化。

用于使膜交联的加热的温度通常为25～300℃，由于发光效率变得良好，因此优选为50～250℃，更优选为150～200℃。

用于使膜交联的光照射中使用的光的种类例如为紫外光、近紫外光、可见光。

膜适于作为发光元件中的空穴传输层或空穴注入层。

膜可以使用墨液利用例如旋涂法、流延法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、毛细管涂布法、喷嘴涂布法来制作。

膜的厚度通常为1nm～10μm。

＜发光元件＞

发光元件是使用高分子化合物得到的有机电致发光等发光元件，该发光元件中，例如有包含高分子化合物的发光元件、高分子化合物在分子内、分子间、或它们双方发生了交联的发光元件。

作为发光元件的构成，例如具有由阳极及阴极形成的电极、和设于该电极间的使用高分子化合物得到的层。

＜层构成＞

使用高分子化合物得到的层通常为发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层的1种以上的层，优选为发光层。这些层分别包含发光材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料。关于这些层，可以分别使发光材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料溶解于上述的溶剂中，制备墨液后使用，并使用与上述的膜的制作相同的方法形成。

发光元件在阳极与阴极之间具有发光层。对于发光元件而言，从空穴注入性及空穴传输性的观点出发，优选在阳极与发光层之间具有空穴注入层及空穴传输层的至少1层，从电子注入性及电子传输性的观点出发，优选在阴极与发光层之间具有电子注入层及电子传输层的至少1层。

作为空穴传输层、电子传输层、发光层、空穴注入层、以及电子注入层的材料，除了可以举出高分子化合物以外，还可以分别举出上述的空穴传输材料、电子传输材料、发光材料、空穴注入材料、以及电子注入材料。

在空穴传输层的材料、电子传输层的材料、以及发光层的材料在发光元件的制作中分别溶解于与空穴传输层、电子传输层、以及发光层相邻的层的形成时使用的溶剂中的情况下，为了避免该材料溶解于该溶剂中，优选该材料具有交联基。在使用具有交联基的材料形成各层后，使该交联基交联，由此可以使该层不溶。

在发光元件中，作为发光层、空穴传输层、电子传输层、空穴注入层、电子注入层等各层的形成方法，在使用低分子化合物的情况下，例如可以举出利用粉末的真空蒸镀法、基于利用溶液或熔融状态的成膜的方法，在使用高分子化合物的情况下，例如可以举出基于利用溶液或熔融状态的成膜的方法。

所层叠的层的顺序、个数以及厚度只要考虑发光效率及元件寿命来调整即可。

＜基板/电极＞

发光元件的基板只要是能够形成电极、并且在形成有机层时不发生化学变化的基板即可，例如为由玻璃、塑料、硅等材料形成的基板。在不透明的基板的情况下，优选相对于基板而言处于最远处的电极为透明或半透明的。

作为阳极的材料，例如可以举出导电性的金属氧化物、半透明的金属，优选为氧化铟、氧化锌、氧化锡；铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物等导电性化合物；银与钯与铜的复合体(APC)；NESA、金、铂、银、铜。

作为阴极的材料，例如可以举出锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、锌、铟等金属；它们当中的2种以上的合金；它们当中的1种以上与银、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡当中的1种以上的合金；以及石墨及石墨层间化合物。作为合金，例如可以举出镁－银合金、镁－铟合金、镁－铝合金、铟－银合金、锂－铝合金、锂－镁合金、锂－铟合金、钙－铝合金。

阳极及阴极各自可以设为2层以上的层叠结构。

＜用途＞

为了使用发光元件获得面状的发光，只要将面状的阳极与阴极以重叠的方式配置即可。为了获得图案状的发光，有在面状的发光元件的表面设置设有图案状的窗的掩模的方法；极厚地形成意欲制成不发光部的层而实质上设为不发光的方法；以图案状形成阳极或阴极、或双方的电极的方法。利用这些中的任意方法形成图案，以能够独立地开/关(ON/OFF)的方式配置若干电极，由此得到能够显示数字、文字等的分段型的显示装置。为了制成点矩阵显示装置，只要将阳极和阴极均以条纹状形成并正交地配置即可。利用分别涂布多个种类的发光色不同的高分子化合物的方法、使用滤色片或荧光变换滤色片的方法，能够实现部分彩色显示、多色显示。点矩阵显示装置可以进行无源驱动，也可以与TFT等组合而进行有源驱动。这些显示装置可以在计算机、电视、便携终端等的显示器中使用。面状的发光元件可以作为液晶显示装置的背光灯用的面状光源、或面状的照明用光源合适地使用。若使用柔性的基板，则也可以作为曲面状的光源、以及显示装置使用。

[实施例]

＜合成例1＞

依照日本特表2002－536492的实施例合成出2，7－双(1，3，2－二氧硼戊环－2－基)－9，9－二辛基芴(以下简称为F8BE)。

使用高效液相色谱及有机溶剂系尺寸排阻色谱分析所合成的F8BE。将分析条件表示如下。

高效液相色谱：

设备：岛津制作所LC-10AT(LC-Solution数据处理)

色谱柱：Zorbax XDB-C8(Agilent制)

流动相：水：乙腈(20：80)恒定、1.0mL/分钟

检测器：UV－Vis(280nm)

有机溶剂系尺寸排阻色谱

设备：岛津制作所LC-10AT(LC-Solution数据处理)

色谱柱：TSKgel G2000H_HR(Tosoh制)

流动相：THF 1.0mL/分钟

检测器：VU-Vis 228nm

基于高效液相色谱的F8BE的含量为99.8％，在有机溶剂系尺寸排阻色谱中保留时间比F8BE的保留时间短的杂质含量为0.16％。

＜实施例1＞

高纯度F8BE

向装有温度计、搅拌叶片、冷凝管的1L可分离烧瓶中加入合成例1中得到的F8BE200g、二氯甲烷800g，在40℃溶解。向该溶液中加入活性炭(关东化学、粉末)20g，在回流条件下搅拌2小时。冷却到30℃后，用预涂有Celite 545(关东化学)的过滤器过滤活性炭，用二氯甲烷50g清洗。将滤液用旋转蒸发仪浓缩至400g。向装有温度计、搅拌叶片、冷凝管的3L可分离烧瓶中加入浓缩物及乙腈1100g，升温至50℃并确认晶体溶解后，用3小时冷却至20℃。在20℃保温1小时后过滤提纯了的晶体，用乙腈清洗后，在50℃的真空干燥机中干燥而得到高纯度F8BE 160g。

基于高效液相色谱的F8BE的含量为100％，在有机溶剂系尺寸排阻色谱中保留时间比F8BE的保留时间短的杂质含量为0.09％。

＜实施例2＞

高纯度F8BE

向装有温度计、3片后掠搅拌叶片、指状挡板、冷凝管的1L配有夹套的可分离烧瓶中加入合成例1中得到的F8BE 200g、己烷750g。使用具备程控温度调节器的温水循环装置使温水在可分离烧瓶的夹套中循环。将夹套温度设定为60℃进行升温，确认晶体溶解后，将搅拌转速设为500rpm，以10℃/hr的冷却速度冷却至40℃。加入实施例1中得到的高纯度F8BE 0.05g作为晶种，在40℃保温1小时。以10℃/hr的冷却速度冷却至0℃，在0℃保温1小时。过滤析出的晶体，用冷却至5℃的己烷100g清洗后，在50℃的真空干燥机中干燥，得到高纯度F8BE 180g。

基于高效液相色谱的F8BE的含量为99.9％，在有机溶剂系尺寸排阻色谱中保留时间比F8BE的保留时间短的杂质含量为0.06％。

＜合成例2＞

依照日本特表2002－536492的实施例合成出2，7－双(1，3，2－二氧硼戊环－2－基)－9，9－二己基芴(以下简称为F6BE)。

基于高效液相色谱的F6BE的含量为99.9％，在有机溶剂系尺寸排阻色谱中保留时间比F6BE的保留时间短的杂质含量为0.23％。

＜实施例3＞

高纯度F6BE

向装有温度计、3片后掠搅拌叶片、指状挡板、冷凝管的1L配有夹套的可分离烧瓶中加入合成例2中得到的F6BE 300g、甲苯450g。使用具备程控温度调节器的温水循环装置使温水在可分离烧瓶的夹套中循环。将夹套温度设定为80℃进行升温，确认晶体溶解后，将搅拌转速设为450rpm，以10℃/hr的冷却速度冷却至60℃。加入合成例2中得到的F6BE0.15g作为晶种，在60℃保温1小时。以10℃/hr的冷却速度冷却至0℃，在0℃保温1小时。过滤析出的晶体，用冷却至5℃的甲苯30g及己烷150g清洗后，在50℃的真空干燥机中干燥，得到高纯度F6BE 240g。

基于高效液相色谱的F6BE的含量为99.9％，在有机溶剂系尺寸排阻色谱中保留时间比F6BE的保留时间短的杂质含量为0.04％。

＜实施例4＞

向装有搅拌叶片、挡板、冷凝管、温度计的可分离烧瓶中加入实施例1中得到的F8BE 3.30g、2，7－二溴－2，1，3－苯并噻二唑1.68g、4，7－双(5－溴－2－噻吩基)－2，1，3－苯并噻二唑0.56g、三辛基甲基氯化铵(Aliquat336)1.1g、甲苯48.6g，在搅拌下升温至90℃。加入双(三苯基膦)二氯化钯(II)0.005g，滴加17.5％碳酸钠水溶液13g。滴加结束后在回流条件下保温3小时后，冷却至室温。

向该反应溶液中加入实施例3中得到的F6BE 7.88g、2，7－二溴－9，9－二己基芴4.49g、双(4－溴苯基)－4－(1－甲基丙基)－苯胺3.05g、3，7－二溴－10－(4－丁基苯基)－10H－吩噁嗪0.108g、三辛基甲基氯化铵(Aliquat336)2.0g、甲苯78.1g，在搅拌下升温至90℃。加入双(三苯基膦)二氯化钯(II)0.005g，滴加17.5％碳酸钠水溶液39g。滴加结束后在回流条件下保温3小时后加入苯基硼酸0.28g，在回流条件下保温14小时后，冷却至室温。

将反应液转移至配有无底旋塞的可分离烧瓶，用甲苯稀释并静置，除去水层。用3％乙酸水溶液及离子交换水清洗甲苯溶液，加入N，N－二乙基二硫代氨基甲酸钠三水合物2.3g，搅拌5小时。

在预先混合有硅胶142g、活性氧化铝142g的色谱柱中，流通甲苯溶液后，滴加到甲醇1600g中。过滤所生成的红色沉淀，用甲醇清洗，在减压下干燥，得到红色聚合物10g。

所得的红色聚合物的基于有机溶剂系尺寸排阻色谱分析法的聚苯乙烯换算重均分子量为469000。

＜比较例1＞

除了在实施例4中取代实施例1中得到的F8BE而使用合成例1中得到的F8BE、取代实施例3中得到的F6BE而使用合成例2中得到的F6BE以外，与实施例4同样地实施，得到聚合物10g。

所得的红色聚合物的基于有机溶剂系尺寸排阻色谱分析法的聚苯乙烯换算重均分子量为511000。

＜合成例3＞

向装有搅拌叶片、挡板、冷凝管、温度计的可分离烧瓶中加入合成例1中得到的F8BE 10.49g、双(4－溴苯基)－4－(1－甲基丙基)－苯胺9.07g，加入三辛基甲基氯化铵(Aliquat336)1.8g、甲苯120g，在搅拌下加热到90℃。加入乙酸钯(II)0.0044g、三(邻甲苯基)膦0.030g后，用1小时滴加17.5％碳酸钠水溶液36.3g。滴加结束后，在回流条件下保温3小时后加入苯基硼酸0.28g，在回流条件下保温14小时后，冷却至室温。

与实施例4同样地实施以后的操作。所得的聚合物的基于有机溶剂系尺寸排阻色谱分析法的聚苯乙烯换算重均分子量为289000。

＜实施例5＞

在利用溅射法以150nm的厚度附加了ITO膜的玻璃基板上，将聚(3，4)亚乙基二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制)的悬浮液利用旋涂法以达到约65nm的厚度的方式制膜，在热板上在200℃干燥15分钟。然后，将合成例3中得到的聚合物以0.5重量％的浓度溶解于混合二甲苯中，使用所得的二甲苯溶液利用旋涂法以约10nm左右制膜后，在氧浓度、以及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气氛下，在180℃干燥15分钟。然后，将实施例4中得到的聚合物以1.6重量％的浓度溶解于混合二甲苯中，使用所得的二甲苯溶液利用旋涂法以约100nm制膜。此后，在氧浓度、以及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气氛下，在130℃干燥30分钟。在减压至1.0×10^－4Pa以下后，作为阴极蒸镀约5nm的钡，然后蒸镀约80nm的铝。蒸镀后，使用玻璃基板进行密封，由此制作出高分子发光元件。元件构成如下所示。

ITO/BaytronP(约65nm)/合成例3的聚合物(10nm)/实施例4的聚合物(约100nm)/Ba/Al

对所得的高分子发光元件施加6.0V的电压时，发出发光波长的峰顶为645nm的荧光，此时的亮度为1261cd/m²。另外，发光效率在4.2V处显示出最大值，为2.05cd/A。此外，初始亮度3000cd/m²条件下的亮度减少至50％的时间(寿命)为187.8小时。另外，初始驱动电压为6.6V。

＜比较例2＞

在利用溅射法以150nm的厚度附加了ITO膜的玻璃基板上，将聚(3，4)亚乙基二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制)的悬浮液利用旋涂法以达到约65nm的厚度的方式制膜，在热板上在200℃干燥15分钟。然后，将合成例3中得到的聚合物以0.5重量％的浓度溶解于混合二甲苯中，使用所得的二甲苯溶液利用旋涂法以约10nm左右制膜后，在氧浓度、以及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气氛下，在180℃干燥15分钟。然后，将比较例1中得到的聚合物以1.6重量％的浓度溶解于混合二甲苯中，使用所得的二甲苯溶液利用旋涂法以约100nm制膜。此后，在氧浓度、以及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气氛下，在130℃干燥30分钟。在减压至1.0×10^－4Pa以下后，作为阴极，蒸镀约5nm的钡，然后蒸镀约80nm的铝。蒸镀后，使用玻璃基板进行密封，由此制作出高分子发光元件。元件构成如下所示。

ITO/BaytronP(约65nm)/合成例3的聚合物(10nm)/比较例1的聚合物(约100nm)/Ba/Al

对所得的高分子发光元件施加6.0V的电压时，发出发光波长的峰顶为645nm的荧光，此时的亮度为995cd/m²。另外，发光效率在5.0V处显示出最大值，为1.94cd/A。此外，初始亮度3000cd/m²条件下的亮度减少至50％的时间(寿命)为133.6小时。另外，初始驱动电压为7.2V。

对实施例5及比较例2中得到的元件的比较进行总结，如下所示。

[表1]

Claims (17)

1.一种化合物，

是以下的式(1)或(2)所示的化合物，具有比式(1)或(2)所示的化合物的分子量大的分子量的杂质的含量为0.15％以下，该杂质的含量是在基于有机溶剂系尺寸排阻色谱法的色谱图中与鉴定为式(1)或(2)的峰相比保留时间短的峰的面积之和相对于全部峰面积之和的百分率；

Z¹-Ar^Y1-Z¹ (1)

式中，Ar^Y1表示亚芳基、2价杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，这些基团任选具有取代基；Z¹表示离去基团；

式中，a¹及a²各自独立地表示0以上的整数；Ar^X1及Ar^X3各自独立地表示亚芳基或2价杂环基，这些基团任选具有取代基；Ar^X2及Ar^X4各自独立地表示亚芳基、2价杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，这些基团任选具有取代基；R^X1、R^X2及R^X3各自独立地表示氢原子、烷基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基；Z²表示离去基团。

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，

在基于使用反相色谱柱的高效液相色谱的色谱图中，基于面积百分率法的纯度大于99％。

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中，

Z¹、Z²所示的离去基团为选自下面的取代基A组、或B组中的基团：

此处，取代基A组为氯原子、溴原子、碘原子、以及－O－S(＝O)₂R^C1所示的基团，式中，R^C1表示烷基或芳基，这些基团任选具有取代基；

取代基B组为：

－B(OR^C2)₂所示的基团，式中，R^C2表示氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基；存在有多个的R^C2任选相同或不同，任选彼此连结并与各自所键合的氧原子一起形成环结构；

－BF₃Q’所示的基团，式中，Q’表示Li、Na、K、Rb或Cs；

－MgY’所示的基团，式中，Y’表示氯原子、溴原子或碘原子；

－ZnY”所示的基团，式中，Y”表示氯原子、溴原子或碘原子；以及

－Sn(R^C3)₃所示的基团，式中，R^C3表示氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基；存在有多个的R^C3任选相同或不同，任选彼此连结并与各自所键合的锡原子一起形成环结构。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物，其中，

Z¹、Z²所示的离去基团为溴原子、或－B(OR^C2)₂所示的基团，式中，R^C2表示氢原子、烷基或芳基，这些基团任选具有取代基；存在有多个的R^C2任选相同或不同，任选彼此连结并与各自所键合的氧原子一起形成环结构。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物，其在基于缩合反应的化合物的合成中使用。

6.根据权利要求5所述的化合物，其中，

所合成的化合物为有机EL材料。

7.根据权利要求5或6所述的化合物，其中，

所合成的化合物为高分子化合物。

8.一种化合物的制造方法，其包含使用权利要求1～4中任一项所述的式(1)所示的化合物、以及权利要求1～4中任一项所述的式(2)所示的化合物进行缩合反应的工序。

9.一种化合物的制造方法，其包含使用权利要求1～4中任一项所述的式(1)所示的化合物、权利要求1～4中任一项所述的式(2)所示的化合物、以及以下的式(3)所示的化合物进行缩合反应的工序；

R^X4-Z³ (3)

式中，R^X4表示芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基；Z³表示离去基团。

10.根据权利要求8或9所述的化合物的制造方法，其中，

所制造的化合物为有机EL材料。

11.根据权利要求8～10中任一项所述的化合物的制造方法，其中，

所制造的化合物为高分子化合物。

12.一种提纯方法，是包含如下工序的式(1)或(2)所示的化合物的提纯方法，即，

将式(1)或(2)所示的化合物溶解于溶剂中后，使之与活性炭接触，由此将具有比式(1)或(2)所示的化合物的分子量大的分子量的杂质的含量降低为0.15％以下，

该杂质的含量是在基于有机溶剂系尺寸排阻色谱的色谱图中与鉴定为式(1)或(2)的峰相比保留时间短的峰的面积之和相对于全部峰面积之和的百分率，

Z¹-Ar^Y1-Z¹ (1)

式中，Ar^Y1表示亚芳基、2价杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，这些基团任选具有取代基；Z¹表示离去基团；

式中，a¹及a²各自独立地表示0以上的整数；Ar^X1及Ar^X3各自独立地表示亚芳基或2价杂环基，这些基团任选具有取代基；Ar^X2及Ar^X4各自独立地表示亚芳基、2价杂环基、或至少1种亚芳基与至少1种2价杂环基直接键合而得的2价基团，这些基团任选具有取代基；R^X1、R^X2及R^X3各自独立地表示氢原子、烷基、芳基或1价杂环基，这些基团任选具有取代基；Z²表示离去基团。

13.一种有机EL材料，其包含使权利要求1～4中任一项所述的式(1)所示的化合物、以及权利要求1～4中任一项所述的式(2)所示的化合物缩聚而成的聚合物。

14.一种有机EL材料，其包含使权利要求1～4中任一项所述的式(1)所示的化合物、权利要求1～4中任一项所述的式(2)所示的化合物、以及上述式(3)所示的化合物缩聚而成的聚合物。

15.一种组合物，其包含权利要求13或14所述的有机EL材料和有机溶剂。

16.一种薄膜，其包含权利要求13或14所述的有机EL材料。

17.一种有机EL元件，其具有权利要求16所述的薄膜。