CN111968981B - 一种fcob存储器件的制造方法及其电容器 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 166
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 title description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 99
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 4
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910004201 TaSiNx Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N silicon tantalum Chemical compound [Si].[Ta] HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004156 TaNx Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910008485 TiSiNx Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 claims 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 231
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002347 SrOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010421 TiNx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B53/20—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
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Abstract
本发明公开了一种存储器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一介质层，在第一介质层形成导电柱，在第一介质层上形成第二介质层，在第二介质层形成导电互连和金属位线，在第二介质层上形成第三介质层，在第三介质层形成电容器接触盘，在第三介质层上形成第四介质层，在第四介质层形成铁电电容器，在第四介质层上形成第五介质层，在第五介质层形成于电容器上电极连接的金属板线。
Description
技术领域
本发明涉及存储器的制造领域。具体而言，本发明涉及一种FCOB(铁电电容在位线的上方Ferroelectric Capacitor Over Bitline)存储器件的制造方法及其电容器。
背景技术
铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器。当电场被施加到铁晶体管时，中心原子顺着电场停在第一低能量状态位置，而当电场反转被施加到同一铁晶体管时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动并停在第二低能量状态。大量中心原子在晶体单胞中移动耦合形成铁电畴，铁电畴在电场作用下形成极化电荷。铁电畴在电场下反转所形成的极化电荷较高，铁电畴在电场下无反转所形成的极化电荷较低，这种铁电材料的二元稳定状态使得铁电可以作为存储器。
当移去电场后，中心原子处于低能量状态保持不动，存储器的状态也得以保存不会消失，因此可利用铁电畴在电场下反转形成高极化电荷，或无反转形成低极化电荷来判别存储单元是在“1”或“0”状态。铁电畴的反转不需要高电场，仅用一般的工作电压就可以改变存储单元是在“1”或“0”的状态；也不需要电荷泵来产生高电压数据擦除，因而没有擦写延迟的现象。这种特性使铁电存储器在掉电后仍能够继续保存数据，写入速度快且具有无限次写入寿命，不容易写坏。并且，与现有的非易失性内存技术比较，铁电存储器具有更高的写入速度和更长的读写寿命。
图1示出了示例性铁电存储单元100的电路示意图。铁电存储单元100是铁电存储器件的存储元件，并且可以包括各种设计和配置。如图1所示，铁电存储单元100是“1T-1C”单元，其包括电容器102和晶体管104。晶体管104为NMOS晶体管。晶体管104的源极S电连接到位线BL。晶体管104的栅极电连接到字线WL。晶体管104的漏极D电连接到电容器102的下电极112。电容器102的上电极110连接到板线PL。
图2示出了示例性铁电存储单元100的立体示意图。为保证铁电存储单元100的铁电电容极化发生变化时能得到较强的信号，需要铁电电容的面积足够大。如图2所示，现有的平面铁电电容器102占据的面积较大，限制了该铁电存储单元的集成度。
发明内容
本发明的目的是提供一种存储器件的制造方法及其电容器，通过根据本发明的存储器件的制造方法及其电容器，提高铁电存储器的集成度，较低铁电存储器芯片成本。
根据本发明的一个实施例，提高平一种存储器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括铁电存储单元区，所述铁电存储单元区具有源区、漏区、栅极区、隔离区以及各个功能区上方的电极及互连金属线；
形成第一互连结构，所述第一互连结构包括电容器导电柱、位线导电柱以、电容器导电柱顶部的电容器导电互连、位线导电柱顶部的金属位线，及它们之间的第一介质层；
形成电容器接触盘，所述电容器接触盘包括与所述电容器导电柱电连接的金属导电柱、金属导电柱顶部的接触盘、以及它们之间的第二介质层；
依次形成第三介质层和硬掩模层；
通过光刻和刻蚀工艺使硬掩模层图案化，并以图案化后的硬掩模层作为掩模进行刻蚀，在第三介质层中形成深孔，然后去除硬掩模层，所述深孔的底部暴露出所述电容器接触盘；
形成第一电极层；
形成高K铁电氧化物层和第二电极层；
形成金属互连及板线。
在本发明的一个实施例中，形成第一电极层包括：依次沉积保护层和第一电极层；
去除第三介质层顶面的保护层和第一电极层，仅保留深孔底部和侧面的保护层和第一电极层。
在本发明的一个实施例中，存储器件的制造方法还包括：在形成高K铁电氧化物层和第二电极层之后，沉积保护层和填充金属，然后通过化学器械研磨去除第三介质层顶面的导电金属、高K铁电氧化物层和第二电极层，仅保留深孔中的保护层、导电金属、高K铁电氧化物层和第二电极层。
在本发明的一个实施例中，形成金属互连及板线包括：在第三介质层的顶面形成第四介质层；在第四介质层上钻孔并形成金属互连，所述金属互连与第二电极层电连接；在所述金属互连上方形成板线。
在本发明的一个实施例中，存储器件的制造方法还包括：在形成高K铁电氧化物层和第二电极层之后，通过光刻、刻蚀等工艺去除顶面的部分第一电极层、高K铁电氧化物层和第二电极层，仅保留深孔侧壁、底部及顶部四周的第一电极层、高K铁电氧化物层和第二电极层，从而使得每个电容器相互分离开。
在本发明的一个实施例中，形成金属互连及板线包括：在第三介质层的顶面形成第四介质层；在第四介质层上钻孔并形成金属互连，所述金属互连与第二电极层电连接，其中所述金属互连从深孔底部的第二电极层延伸到第四介质层顶部，或者所述金属互连从深孔顶部四周的第二电极层延伸到第四介质层顶部；在所述金属互连上方形成板线。
在本发明的一个实施例中，存储器件的制造方法还包括：在形成第一电极层之后，对深孔顶部进行扩孔，形成扩孔结构，所述扩孔结构处于深孔的顶部且截面面积大于深孔的截面面积。
在本发明的一个实施例中，第三介质层由至少两种不同的绝缘材料层叠形成，
所述方法还包括在形成深孔并去除硬掩模层之后，通过湿法刻蚀对深孔的侧壁进行处理，所述湿法刻蚀对至少两种不同的绝缘材料的刻蚀速率不同，从而在深孔侧壁上形成一个或多个凸起。
根据本发明的另一个实施例，提供一种存储器件的电容器，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括铁电存储单元区，所述铁电存储单元区具有源区、漏区、栅极区、隔离区以及各个功能区上方的电极及互连金属线；
第一互连结构，所述第一互连结构包括电容器导电柱、位线导电柱、电容器导电柱顶部的电容器导电互连、位线导电柱顶部的金属位线及它们之间的第一介质层；
电容器接触盘，所述电容器接触盘包括与所述电容器导电柱电连接的金属导电柱、金属导电柱顶部的接触盘、以及它们之间的第二介质层；
层叠在第二介质层上的第三介质层；
形成在第三介质层中的深孔，所述深孔的底部暴露出所述电容器接触盘；
依次沉积在深孔的侧壁和底部的第一电极层、高K铁电氧化物层和第二电极层；
板线，所述板线通过金属互连连接到所述第二电极层。
在本发明的另一个实施例中，所述第三介质层至少两种不同的绝缘材料层叠形成，所述深孔的侧壁具有一个或多个凸起。
在本发明的另一个实施例中，存储器件的电容器还包括通过对深孔顶部进行刻蚀形成的扩孔结构，所述扩孔结构处于深孔的顶部且截面面积大于深孔结构的截面面积，所述第一电极层仅设置在扩孔结构下方的深孔底部和侧面，所述高K铁电氧化物层和第二电极层形成在深孔和扩孔结构的侧壁和底部。
在本发明提供的铁电电容器及其制造方法中，形成位线，在位线上形成多个深孔结构，在所述深孔结构中依次形成电容器的下电极、铁电材料层及上电极，实现了三维铁电电容器结构，因此，本发明的这种结构也称为FCOB(铁电电容在位线的上方FerroelectricCapacitor Over Bitline)。采用深孔型结构的下电极和上电极，可以在同等正对平面面积下，显著提高铁电电容的等效剩余极化强度，使得铁电存储器可以继续等比缩小而依然提供足够大的电压窗口，在130nm工艺节点以下可以实现铁电电容三维化，存储密度大。
本发明的三维铁电电容器件的制备方法完全与CMOS工艺兼容，便于集成，降低制造成本。
附图说明
为了进一步阐明本发明的各实施例的以上和其它优点和特征，将参考附图来呈现本发明的各实施例的更具体的描述。可以理解，这些附图只描绘本发明的典型实施例，因此将不被认为是对其范围的限制。在附图中，为了清楚明了，相同或相应的部件将用相同或类似的标记表示。
图1示出了示例性铁电存储单元100的电路示意图。
图2示出了示例性铁电存储单元100的立体示意图。
图3A至图3K示出根据本发明的一个实施例的形成铁电存储单元的电容器的过程的截面图。
图4示出根据本发明的一个实施例的形成铁电存储单元的电容器的流程图。
图5示出根据本发明的一个实施例的对电容器进行平坦化工艺的截面示意图。
图6示出根据本发明的一个实施例的形成铁电存储单元的电容器的流程图。
图7A至图7E示出根据本发明的一个实施例的形成铁电存储单元的电容器的过程的截面图。
图8示出根据本发明的一个实施例的分隔开的电容器单元的立体示意图。
图9示出根据本发明的一个实施例的形成铁电存储单元的电容器的流程图。
图10示出根据本发明的一个实施例的形成铁电存储单元的电容器的截面图。
图11A示出了根据本发明的一个实施例的通过刻蚀工艺形成电容器深孔并去除碳层和氮氧化硅层后的电容器深孔部分的截面示意图。
图11B示出了根据本发明的一个实施例的侧壁具有凸起的电容器深孔部分的截面示意图。
具体实施方式
在以下的描述中，参考各实施例对本发明进行描述。然而，本领域的技术人员将认识到可在没有一个或多个特定细节的情况下或者与其它替换和/或附加方法、材料或组件一起实施各实施例。在其它情形中，未示出或未详细描述公知的结构、材料或操作以免使本发明的各实施例的诸方面晦涩。类似地，为了解释的目的，阐述了特定数量、材料和配置，以便提供对本发明的实施例的全面理解。然而，本发明可在没有特定细节的情况下实施。此外，应理解附图中示出的各实施例是说明性表示且不一定按比例绘制。
在本说明书中，对“一个实施例”或“该实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在本说明书各处中出现的短语“在一个实施例中”并不一定全部指代同一实施例。
一般来说，术语可以至少部分地根据上下文中的使用来理解。例如，在此使用的术语“一个或多个”，至少部分地根据上下文，可用于以单数形式来描述任何特征、结构或特性，或以复数形式来描述特征、结构或特性的组合。类似地，诸如“一个”、“一”、或“该”之类的术语又可以至少部分地根据上下文被理解为表达单数用法或表达复数用法。
能容易地理解的是，“在……上”、“在……之上”、以及“在……上方”在本发明中的含义应该以最宽泛方式来解释，使得“在……上”不仅指直接处于某物上，而且还可以包括在有中间特征或中间层位于二者之间的情况下处于某物上，并且“在……之上”、或“在……上方”不仅指处于某物之上或上方，而且还可以包括在二者之间没有中间特征或中间层的情况下处于在某物之上或上方(即直接处于某物上)。
此外空间相关术语，如“在……下面”、“在……之下”、“下部”、“在……之上”、“上部”等等可以在此用于方便描述一个元素或特征相对于另一元素或特征在附图中示出的关系。空间相关术语旨在除了涵盖器件在附图中描述的取向以外还涵盖该器件在使用或操作时的其它取向。装置可以以其它方式被定向(旋转90°或处于其它取向)，并且这里所用的空间相关描述相应地也可同样地来解释。
这里所用的术语“衬底”是指后续材料层所添加到的材料。衬底本身可以被图案化。添加到衬底之上的材料可以被图案化，或者可保持未经图案化。此外，衬底可包括多种多样的半导体材料，如硅、锗、砷化镓、磷化铟等。可替代地，衬底也可由电学非导电材料，如玻璃、塑料、或蓝宝石晶片制成。
这里所用的术语“层”是指包括具有厚度的某一区域的材料部位。层可以延伸到下方或上方结构的全部之上，或可以具有小于下方或上方结构的伸展。此外，层可以是同质或异质的连续结构的一个区域，该区域的厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可位于任何一对水平平面之间，或位于该连续结构的顶面或底面处。层可水平地、垂直地、和/或沿锥形表面延伸。衬底可以是层，可包括一个或多个层在其中，和/或可以具有一个或多个层在其上，和/或一个或多个层在其下。一层可包括多层。例如，互连层可包括一个或多个导体和接触层(其中形成接触部、互连线和/或通孔)和一个或多个介电层。
图3A至图3K示出根据本发明的一个实施例的形成铁电存储单元的电容器的过程的截面图。图4示出根据本发明的一个实施例的形成铁电存储单元的电容器的流程图。结合图3A至图3K以及图4描述形成铁电存储单元的电容器的过程。
首先，在步骤410，提供半导体衬底310，如图3A所示。衬底310可以已经完成功能区的制造工艺。例如，衬底310包括电路区311和铁电存储单元区312。电路区311和铁电存储单元区312已经形成有器件的源区、漏区(图中未示出)、栅极区313、器件间隔离区314以及各个功能区上方的电极及互连金属线(图中未示出)。为了清楚并简化本发明的描述，在图3A中，仅示出了部分电路区311和铁电存储单元区312。电路区311可用于对铁电存储单元区312进行控制。
接下来，在步骤420，在衬底310上形成第一互连结构。在本发明的一个实施例中，形成第一互连结构可包括：在衬底表面形成介质层321；通过通孔光刻和刻蚀等工艺在介质层321中形成通孔，该通孔暴露出衬底310上各功能区的外接电极；依次沉积粘合层和钨金属层填充该通孔；进行化学机械研磨工艺去除多余的介质层321、粘合层和钨金属层，形成从衬底310表面电极延伸到介质层321顶面的多个钨导电柱323、324、325，如图3B所示，然后在多个钨导电柱上形成介质层329和第一金属层，如图3C所示。在本发明的其他实施例中，可以采用其他金属作为形成导电柱的材料。在图3B所示的具体实施例中，在钨导电柱与衬底310表面电极之间以及钨导电柱与介质层之间可以形成氮化钛作为粘合层(图中未示出)。多个钨导电柱可包括电路导电柱323、电容器导电柱324、位线导电柱325等等。电路导电柱323与电路区311表面电极连接，电容器导电柱324用于将铁电存储单元区312的晶体管的掺杂区(源极或漏极)与电容器形成电连接，位线导电柱325用于将铁电存储单元区312的晶体管的另一掺杂区(源极或漏极)与位线形成电连接。在图3C所示的具体实施例中，第一金属层为金属铜层，其可包括电路线路326、电容器导电互连327、金属位线328。电路线路326与电路导电柱323电连接，电容器导电互连327与电容器导电柱324电连接，金属位线328与位线导电柱325电连接。其中电容器导电互连327从顶面俯视为一个方块，金属位线328为垂直纸面的一条金属线。
本领域的技术人员应该理解，第一互连结构的形成方法不限于上述具体示例。此外，还可以在第一互连结构形成之前或之后进行其他工艺，例如，形成一层或多个其他导电互连结构。
然后，在步骤430，形成电容器接触盘330，如图3D所示。在本发明的一个实施例中，形成电容器接触盘可包括在第一金属层表面形成介质层331；通过光刻和刻蚀等工艺在介质层331中形成通孔，该窗口暴露出电容器导电互连327的部分顶面；沉积金属层填充通孔，在该实施例中该金属层为金属铜；去除多余金属层，形成从电容器导电互连327的顶面延伸到介质层331顶面的导电柱334；在导电柱334的顶面形成介质层333和电容器接触盘330。在上述电容器接触盘330的形成过程的同时，可以在电路区311上方形成与电路线路326电连接的导电柱335和电路线路332，从而使电路导电柱323延伸到介质层的顶面。在该实施例中导电柱335和电路线路332均为铜金属，在该实施例中导电柱和电路线路为分两步分别进行通孔刻蚀和填充，在其他实施例中也可以是先统一刻蚀导电柱和电路线路的通孔然后一次性填充金属同时形成导电柱和电路线路，同样的在该实施例中在存储单元区导电柱334和电容器接触盘330是分两步分别进行通孔刻蚀和填充，在其他实施例中也可以是先统一刻蚀导电柱和电容器接触盘的通孔然后一次性填充金属同时形成导电柱和电容器接触盘。电容器接触盘330的面积大于后续形成的深孔的底部面积，因此该电容器接触盘330可以用作深孔刻蚀的刻蚀停止层。
在本发明的实施例中，介质层331、333可以是与介质层321、329相同的材料，也可以是与介质层321、329不同的材料。
在实际操作中，可以在电路区域多次重复形成电路导电柱和电路线路的步骤，如图3E所示，从而形成具有所需高度的电路导电柱和电路线路结构。在图3E所示的示例中，电路导电柱和电路线路具有五层电路导电柱和电路线路结构，然而本领域的技术人员应该理解，在本发明的其他实施例，电路区可以具有更多或更少的导电柱和电路线路结构。每一层导电柱和电路线路结构中所采用的介质材料和金属材料可以相同也可以不同。
在上述步骤以及后续步骤中，可根据实际工艺要求为导电柱和线路选择合适的金属，例如导电柱可以是钨金属导电柱，线路可以是铜。同样，导电柱和线路之间的多个介质层(例如，介质层331、333等)单独或组合起来可以是单一材料层，也可以是多层材料层叠形成的复合材料层。在本发明的实施例中，介质层可以为氧化硅、氮氧硅、硼硅酸盐玻璃、硅酸磷玻璃(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、氟化玻璃硅酸盐玻璃(FSG)、low-K介质等无机材料；也可以为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB(双苯环丁烯树脂)或者PBO(苯基苯并二恶唑树脂)等有机材料。介质层可以通过化学气相沉积、滚压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡、压力贴合等方式制作介质层。
接下来，在步骤440，形成多层介质层336、337，并通过刻蚀工艺在介质层336、337形成电容器深孔361，如图3F所示。与前述介质层331、333类似，在本实施例中，介质层336、337可以是多层结构，也可以是单一材料层。在本发明的实施例中，通过刻蚀工艺形成电容器深孔361可包括形成掩模层，通过光刻刻蚀工艺在掩模层中形成窗口露出下方介质层，刻蚀介质层直到暴露出电容器接触盘的顶端，最后去除掩模层。电容器接触盘可以作为深孔刻蚀工艺的刻蚀停止层。电容器接触盘的面积大于深孔361的底面积。
在步骤450，在深孔361的底部和侧壁上形成第一电极层371，如图3G所示。第一电极层371是电容器的一个电极层，例如，可以是以下材料中的一种或多种：TiNx、TaNx、TiAlNx、TiCNx、TaAlNx、TaCNx、AlNx、Ru、RuOx、Ir、IrOx、W、WCNx、Wsix、Pt、Au、Ni、Mo或这些材料的复合。可通过原子层沉积ALD、化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD、电子束Ebeam蒸发沉积、分子束外延MBE沉积、脉冲激光沉积PLD以及类似沉积工艺中的一种或多种工艺来沉积第一电极层371，然后去除介质层顶面的材料层，仅保留深孔361底部和侧面的材料层。在本发明的具体实施例中，如果电容器接触盘是铜焊盘，为了防止铜迁移，在沉积第一电极层371之前，先沉积保护层372；如果电容器接触盘是钨焊盘，则可以省略保护层372的沉积步骤。保护层372可以是氮化钽(TaN)或者氮化钨(WNx)等。
在步骤460，形成铁电材料层和第二电极层382，在该实施例中铁电材料层为高K铁电氧化物层381，如图3H所示。高K铁电氧化物层381是电容器的介质层，例如，可以是以下材料中的一种或多种：HfOx、AlOx、ZrOx、LaOx、TaOx、NbOx、GdOx、YOx、SiOx、SrOx或这些材料的复合。可通过原子层沉积ALD、化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD、电子束Ebeam蒸发沉积、分子束外延MBE沉积、脉冲激光沉积PLD以及类似沉积工艺中的一种或多种工艺来沉积高K铁电氧化物层。第二电极层382是电容器的另一个电极层，例如，可以是以下材料中的一种或多种：钛(Ti)、氮化钛(TiN)、氮化钛硅(TiSiNx)、氮化钛铝(TiAlNx)、碳氮化钛(TiCNx)、氮化钽(TaNx)、氮化钽硅(TaSiNx)、氮化钽铝(TaAlNx)、氮化钨(WNx)、硅化钨(WSix)、碳氮化钨(WCNx)、钌(Ru)、氧化钌(RuOx)、铱(Ir)、掺杂多晶硅、透明导电氧化物(TCO)或氧化铱(IrOx)或这些材料的复合。可通过原子层沉积ALD、化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD、电子束Ebeam蒸发沉积、分子束外延MBE沉积、脉冲激光沉积PLD以及类似沉积工艺中的一种或多种工艺来沉积第二电极层382。
在步骤470，形成保护层391和填充金属392，如图3I所示，然后通过化学器械研磨去除介质层顶面的保护层391和填充金属392、高K铁电氧化物层381和第二电极层382，如图3J所示，仅保留深孔361中的保护层391和接触层392、高K铁电氧化物层381和第二电极层382。在本发明的一个实施例中，保护层391与保护层372类似，可以是但不限于TaN或者氮化钨等。填充金属392与接触盘类似，可以是但不限于铜。
接下来，在步骤480，形成金属互连及板线。在本发明的一个实施例中，形成金属互连及板线可包括：首先形成一层介质层393；在介质层393上钻孔并在孔内沉积金属，其中沉积的金属层在电路区形成与下方的导电线路及导电柱连接的导电柱395，然后在导电柱上形成电路线路397，在存储单元区形成与电容上电极上沉积的填充金属392连接的导电柱396，然后在导电柱396上形成金属板线394如图3K所示，其中金属板线394为垂直纸面延伸的一条金属线。在该实施例中导电柱和电路线路为分两步分别进行通孔刻蚀和填充，在其他实施例中也可以是先统一刻蚀导电柱和电路线路的通孔然后一次性填充金属同时形成导电柱和电路线路，在该实施例中导电柱和金属板线为分两步分别进行通孔刻蚀和填充，在其他实施例中也可以是先统一刻蚀导电柱和金属板线的通孔然后一次性填充金属同时形成导电柱和金属板线。至此形成了存储器的铁电电容和板线，然后在板线的上方再形成介质层、金属互连和其他金属层等结构以形成对外的连接，此处不再一一详细说明。
介质层392可以是与介质层321相同的材料，也可以是与介质层321不同的材料。在前述实施例中采用铜金属作为导电柱以及金属线路的时候均可以在铜金属层外先沉积一层氮化钽或者氮化钨以防止金属铜扩散的保护层。
在前述实施例中，形成第一互连结构的介质层321可以称为第一介质层，形成金属位线的介质层329可以称为第二介质层，形成电容器接触盘的介质层331、333可以称为第三介质层，形成铁电电容的介质层336、337可以统称为第四介质层，覆盖铁电电容的介质层393可以称为第五介质层。
在上述实施例中，将外围电路区域311的金属互连工艺与铁电存储单元区312的电容器及金属互连工艺结合在一起，从而在电容器形成的同时完成外围电路区域311与铁电存储单元区312金属互连及引出，有利于简化工艺步骤并降低制造成本。
在本发明的实施例中，电容器单元的结构为电容器接触盘-保护层-第一电极层-高K铁电氧化物层-第二电极层-保护层-填充金属的层叠结构。在形成电容器单元之前形成位线并在位线上形成接触盘，电容器单元在金属位线之上形成，因此本发明的这种结构也称为FCOB(铁电电容在位线的上方Ferroelectric Capacitor Over Bitline)。采用深孔型结构的下电极和上电极，可以在同等正对平面面积下，显著提高铁电电容的等效剩余极化强度，使得铁电存储器可以继续等比缩小而依然提供足够大的电压窗口，在130nm工艺节点以下可以实现铁电电容三维化，存储密度大。
本发明的三维铁电电容器件的制备方法完全与CMOS工艺兼容，便于集成，降低制造成本
在铁电电容器的MIM结构薄膜沉积后，会通过化学机械抛光工艺进行平坦化，将深孔结构外的MIM薄膜磨去而形成独立的铁电电容器结构，如图5所示，通过平坦化工艺，容易在图5的圆圈标记处出现金属离子残留，导致上下电极的漏电，若上电极4发生光刻对准偏差，容易造成上下电极的直接短路；因此图6至图8的实施例针对上述问题，提出了一种新的方案。
图6示出根据本发明的一个实施例的形成铁电存储单元的电容器的流程图。在图6所示的实施例中，步骤610至步骤640与上面图4所示步骤410至440类似，为了简化说明，省略步骤610至步骤640的详细描述。
在步骤650，依次形成第一电极层711、高K铁电氧化物层712和第二电极层713，如图7A所示。第一电极层711、高K铁电氧化物层712和第二电极层713材料和形成工艺与上述第一电极层、高K铁电氧化物层和第二电极层的材料和形成工艺类似，同样的，在铜金属接触盘与铁电电容的下电极711之间形成有一层防止铜扩散的保护层(图中未标号)，此处不再详细描述。
在步骤660，填充介质层，然后通过光刻、刻蚀等工艺去除顶面的部分第一电极层711、高K铁电氧化物层712和第二电极层713，仅保留深孔714侧壁、底部及四周的第一电极层711、高K铁电氧化物层712和第二电极层713，从而使得每个电容器相互分离开，如图7B所示。图8示出根据本发明的一个实施例的采用步骤660进行光刻和刻蚀后分隔开的电容器单元的立体示意图，其中省略了保护层的示意图，如图所示与传统的平面电容不同，所述电容器为三维立体结构。
接下来，在步骤670，形成金属互连及板线。在本发明的实施例中，形成金属互连及板线可包括形成介质层715，在介质层715中钻孔，并形成多个导电柱731、732，导电柱731、732分别连接到第二电极层713、电路导电柱716，接下来，在电容导电柱731上方形成介质层然后开孔沉积金属形成与导电柱731连通的金属板线733，而在电路区开孔沉积金属形成与电路导电柱716连通的金属线路734，如图7C所示。在图7C所示的实施例中，导电柱731从电容器深孔底部延伸到介质层715的顶部。在本发明的另一个实施例中，导电柱731可以设置在电容器深孔顶部边缘，如图7D所示。在本发明的又一个实施例中，在深孔中填充导电金属，然后在导电金属顶部形成导电柱731，如图7E所示。
图9示出根据本发明的一个实施例的形成铁电存储单元的电容器的流程图。在图9所示的实施例中，步骤910至步骤940与上面图4所示步骤410至440类似，为了简化说明，省略步骤910至步骤940的详细描述。
与前述实施例不同，在步骤940形成电容器深孔后，在步骤951，对深孔结构101顶部进行扩孔，如图10A所示。具体而言，可通过干法刻蚀在深孔顶部进行扩孔，形成扩孔结构102，扩孔结构102处于深孔的顶部且截面面积大于深孔结构的截面面积。
在步骤950，形成第一电极层103，如图10B所示。第一电极层103是电容器的底部电极层。然后去除介质层顶面、扩孔结构侧壁和底部的材料层，仅保留扩孔结构下方的深孔101底部和侧面的材料层，如图10C所示。
在步骤960，形成高K铁电氧化物层104和第二电极层105，其中高K铁电氧化物层104完全覆盖深孔的第一电极层以及扩孔结构的内表面，如图10D所示。第二电极层105完全填充深孔101和扩孔结构102。
在步骤970，通过化学机械研磨的方式将晶衬底表面多余的高K铁电氧化物层104和第二电极层105磨掉形成铁电电容结构，如图10E。
在步骤980，在铁电电容的上方形成一层介质层106，在介质层106上形成通孔，在通孔内形成与铁电电容上电极相连的导电柱107。然后再在介质层106上方形成形成金属互连、板线和位线，如图10F所示。形成金属互连、板线和位线的具体步骤可以参考图3K并结合前述实施例的步骤480的描述来形成金属互连及板线、位线。
图11A和图11B显示本发明的另一个实施例，其提供一种形成铁电存储单元的电容器的方法。在该实施例中，形成铁电存储单元的电容器的方法可以与上面图4、图6和图9所示流程类似。该实施例主要区别在于：前述图3K所示实施例中，一层或多层介质层336、337统称为第四介质层，其中介质层336、337由至少两种不同的绝缘材料层叠形成，并且在步骤440、640和940之后增加通过湿法刻蚀对电容器深孔的侧壁进行处理，在深孔侧壁上形成一个或多个凸起。图11A示出了根据本发明的一个实施例的通过刻蚀工艺形成电容器深孔并去除碳层和氮氧化硅层后的电容器深孔部分的截面示意图。如图11A所示，第四介质层可包括三层第一绝缘材料111和二层第二绝缘112材料，每一层第一绝缘材料与第二绝缘材料依次交替层叠。在形成铁电电容的深孔结构时，先形成如图11A所示的侧壁平齐的深孔结构113，在刻蚀形成图11A的结构之后，对图11A形成的结构再进行湿法刻蚀，通过该湿法刻蚀工艺对介质层中不同绝缘材料的刻蚀速率不同形成不同的刻蚀深度，从而形成不同层之间的侧壁凹陷程度不同，形成不同层之间的凸出结构114。例如，第一绝缘材料层111的刻蚀速率低于第二绝缘材料层112的刻蚀速率，经过特定时间，第一绝缘材料层111相对于第二绝缘材料层112凸出，如图11B所示，从而可以在相同的孔径下增加电容的面积，实现铁电性能的提升。然后，在具有不同层的凸出结构的深孔114内沉积形成铁电电容的底电极层、铁电材料层和顶电极层，具体的步骤可以参考前述的460-480、660-670和960-980步骤的描述。本领域的技术人员应该理解，用于形成铁电电容深孔结构的第四介质层不限于图11A所示的三层第一绝缘材料111和二层第二绝缘材料112交替层叠结构，用于形成铁电电容深孔结构的第四介质层可以包括三种或更多种绝缘材料的层叠结构，并且可以根据实际需要设置每层绝缘材料的厚度和位置。
用于形成铁电电容深孔结构的第二介质层的材料可以选自：氧化硅、氮氧硅、硼硅酸盐玻璃、硅酸磷玻璃(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、氟化玻璃硅酸盐玻璃(FSG)、low-K介质等无机材料；也可以为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB(双苯环丁烯树脂)或者PBO(苯基苯并二恶唑树脂)等有机材料或它们的组合。湿法刻蚀工艺可以是盐酸、磷酸、氢氟酸等酸性溶液进行刻蚀。
前述实施例虽然分别介绍了几种实施例的步骤，但前述不同实施例所介绍的步骤并非完全不可拆分的，各个实施例的具体步骤及结构也可以相互替换或结合，此处不再一一举例说明。
在本发明提供的铁电电容器及其制造方法中，形成位线，在位线上形成多个深孔结构，在所述深孔结构中依次形成电容器的下电极、铁电材料层及上电极，实现了三维铁电电容器结构，因此，本发明的这种结构也称为FCOB(铁电电容在位线的上方FerroelectricCapacitor Over Bitline)。采用深孔型结构的下电极和上电极，可以在同等正对平面面积下，显著提高铁电电容的等效剩余极化强度，使得铁电存储器可以继续等比缩小而依然提供足够大的电压窗口，在130nm工艺节点以下可以实现铁电电容三维化，存储密度大。
本发明的三维铁电电容器件的制备方法完全与CMOS工艺兼容，便于集成，降低制造成本。
尽管上文描述了本发明的各实施例，但是，应该理解，它们只是作为示例来呈现的，而不作为限制。对于相关领域的技术人员显而易见的是，可以对其做出各种组合、变型和改变而不背离本发明的精神和范围。因此，此处所公开的本发明的宽度和范围不应被上述所公开的示例性实施例所限制，而应当仅根据所附权利要求书及其等同替换来定义。
Claims (12)
1.一种存储器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括铁电存储单元区，所述铁电存储单元区具有源区、漏区、栅极区、隔离区以及各个功能区上方的电极及互连金属线；
形成第一互连结构，所述第一互连结构包括电容器导电柱、位线导电柱、电容器导电柱顶部的电容器导电互连、位线导电柱顶部的金属位线，及它们之间的第一介质层；
形成电容器接触盘，所述电容器接触盘包括与所述电容器导电柱电连接的金属导电柱、金属导电柱顶部的接触盘、以及它们之间的第二介质层；
依次形成第三介质层和硬掩模层；
通过光刻和刻蚀工艺使硬掩模层图案化，并以图案化后的硬掩模层作为掩模进行刻蚀，在第三介质层中形成深孔，然后去除硬掩模层，所述深孔的底部暴露出所述电容器接触盘；
形成第一电极层；
形成高K铁电氧化物层和第二电极层；
形成金属互连及板线，
其中所述方法还包括：在形成第一电极层之前，对深孔顶部进行扩孔，形成扩孔结构，所述扩孔结构处于深孔的顶部且截面面积大于深孔的截面面积，
其中形成第一电极层包括：在深孔结构和扩孔结构内形成电容的底部电极层的第一电极层，然后去除介质层顶面、扩孔结构侧壁和底部的底部电极层，仅保留扩孔结构下方的深孔底部和侧面的第一电极层；在底部电极层上形成铁电材料层和铁电材料层上的第二电极层，其中铁电材料层完全覆盖深孔的第一电极层以及扩孔结构的内表面，第二电极层完全填充深孔和扩孔结构；通过化学机械研磨的方式将第三介质层顶面的铁电材料层和第二电极层磨掉形成铁电电容结构。
2.如权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，形成金属互连及板线包括：在第三介质层的顶面形成第四介质层；在第四介质层上钻孔并形成金属互连，所述金属互连与第二电极层电连接；在所述金属互连上方形成板线。
3.如权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，第三介质层由至少两种不同的绝缘材料层叠形成，
所述方法还包括在形成深孔并去除硬掩模层之后，通过湿法刻蚀对深孔的侧壁进行处理，所述湿法刻蚀对至少两种不同的绝缘材料的刻蚀速率不同，从而在深孔侧壁上形成一个或多个凸起。
4.一种存储器件的电容器，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括铁电存储单元区，所述铁电存储单元区具有源区、漏区、栅极区、隔离区以及各个功能区上方的电极及互连金属线；
第一互连结构，所述第一互连结构包括电容器导电柱、位线导电柱、电容器导电柱顶部的电容器导电互连、位线导电柱顶部的金属位线及它们之间的第一介质层；
电容器接触盘，所述电容器接触盘包括与所述电容器导电柱电连接的金属导电柱、金属导电柱顶部的接触盘、以及它们之间的第二介质层；
层叠在第二介质层上的第三介质层；
形成在第三介质层中的深孔，所述深孔的底部暴露出所述电容器接触盘；
依次沉积在深孔的侧壁和底部的第一电极层、高K铁电氧化物层和第二电极层；
板线，所述板线通过金属互连连接到所述第二电极层；
通过对深孔顶部进行刻蚀形成的扩孔结构，所述扩孔结构处于深孔的顶部且截面面积大于深孔结构的截面面积，所述第一电极层仅设置在扩孔结构下方的深孔底部和侧面，所述高K铁电氧化物层和第二电极层形成在深孔和扩孔结构的侧壁和底部。
5.如权利要求4所述的存储器件的电容器，其特征在于，所述第三介质层由至少两种不同的绝缘材料层叠形成，所述深孔的侧壁具有一个或多个凸起。
6.一种存储器件的制造方法，其包括：
在半导体衬底上形成存储单元区和外围电路区，其中在存储单元区的衬底上形成晶体管，所述晶体管包括源极、漏极和栅极；
在存储单元区及外围电路区衬底的晶体管层上沉积第一介质层，在第一介质层内形成与晶体管源极或漏极对应的通孔，在通孔内形成位线导电柱和电容导电柱；
在第一介质层上形成第二介质层，在第二介质层形成与电容导电柱连接的电容器导电互连，在第二介质层形成与位线导电柱连接的金属位线；
在第二介质层上形成第三介质层，在第三介质层形成与电容器导电互连相连的电容器接触盘；
在第三介质层上形成第四介质层，在第四介质层与前述电容器接触盘对应的位置刻蚀形成深孔暴露出电容器接触盘，在深孔内依次沉积下电极层、铁电材料层和上电极层形成铁电电容结构；
在铁电电容上方形成第五介质层，在第五介质层形成与铁电电容上电极相连的金属板线，
其中形成深孔的步骤进一步包括先刻蚀形成具有第一截面尺寸的深孔，然后在深孔上方刻蚀形成扩孔结构的步骤，扩孔结构处于深孔的顶部且截面面积大于深孔结构的截面面积，
其中形成铁电电容的步骤进一步包括：在深孔结构和扩孔结构内形成电容的底部电极层的第一电极层，然后去除介质层顶面、扩孔结构侧壁和底部的底部电极层，仅保留扩孔结构下方的深孔底部和侧面的第一电极层；在底部电极层上形成铁电材料层和铁电材料层上的第二电极层，其中铁电材料层完全覆盖深孔的第一电极层以及扩孔结构的内表面，第二电极层完全填充深孔和扩孔结构；通过化学机械研磨的方式将第四介质层顶面的铁电材料层和第二电极层磨掉形成铁电电容结构。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述电容器导电互连、金属位线、金属板线为铜金属。
8.如权利要求6所述的方法，其中所述铁电电容结构还包括形成于下电极与电容器接触盘之间的铜扩散保护层，在上电极上形成有一层铜扩散保护层。
9.如权利要求6所述的方法，其中所述铁电电容的底面积小于电容器接触盘的面积，刻蚀形成深孔时，电容器接触盘构成深孔刻蚀阻挡层。
10.如权利要求6所述的方法，其中形成与电容器上电极相连的金属板线的步骤包括，在电容器结构上形成介质层，在介质层的电容器结构的中心位置形成通孔，在通孔内形成导电柱连接电容器的上电极，在导电柱上形成介质层，在介质层形成开孔，在开孔内沉积金属形成金属板线。
11.如权利要求6所述的方法，其中第四介质层包括多层结构，刻蚀形成深孔的步骤进一步包括先对多层结构进行刻蚀，形成平齐的深孔内壁，然后再经过湿法刻蚀形成不同层之间的凸出结构。
12.如权利要求6所述的方法，其中所述铁电电容的上电极层和下电极层的材料包括下列各项至少之一：氮化钛TiN、氮化钛硅TiSiNx、氮化钛铝TiAlNx、碳氮化钛TiCNx、氮化钽TaNx、氮化钽硅TaSiNx、氮化钽铝TaAlNx、氮化钨WNx、硅化钨WSix、碳氮化钨WCNx、钌Ru、氧化钌RuOx、铱Ir、掺杂多晶硅、透明导电氧化物TCO或氧化铱IrOx；所述铁电材料层的材料包括氧和一种或多种铁电金属，所述铁电金属包括锆Zr、铪Hf、钛Ti、铝Al、镍Ni和/或铁Fe，并且铁电材料可以掺杂第II族元素钙Ca、锶Sr或钡Ba或第III族元素钪Sc、钇Y、铝Al、镓Ga以及铟In或者镧系元素镧La、铈Ce、镨Pr、钕Nd、钷Pm、钐Sm、铕Eu、钆Gd、铽Tb、镝Dy、钬Ho、铒Er、铥Tm、镱Yb、镥Lu。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010871391.XA CN111968981B (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 一种fcob存储器件的制造方法及其电容器 |
| PCT/CN2021/113445 WO2022042411A1 (zh) | 2020-08-26 | 2021-08-19 | 一种fcob存储器件的制造方法及其电容器 |
| TW110131528A TWI858284B (zh) | 2020-08-26 | 2021-08-25 | 記憶體裝置的製造方法及電容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010871391.XA CN111968981B (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 一种fcob存储器件的制造方法及其电容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111968981A CN111968981A (zh) | 2020-11-20 |
| CN111968981B true CN111968981B (zh) | 2021-12-24 |
Family
ID=73390485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010871391.XA Active CN111968981B (zh) | 2020-08-26 | 2020-08-26 | 一种fcob存储器件的制造方法及其电容器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111968981B (zh) |
| WO (1) | WO2022042411A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108780823B (zh) | 2016-01-07 | 2022-04-19 | 纽约州立大学研究基金会 | 多井硒器件及其制造方法 |
| CN111968981B (zh) * | 2020-08-26 | 2021-12-24 | 无锡拍字节科技有限公司 | 一种fcob存储器件的制造方法及其电容器 |
| CN117981490A (zh) * | 2021-09-08 | 2024-05-03 | 无锡舜铭存储科技有限公司 | 铁电存储器件及其制造方法 |
| CN116963505A (zh) * | 2022-04-11 | 2023-10-27 | 华为技术有限公司 | 存储器及其制作方法、电子设备 |
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| CN104934423A (zh) * | 2014-03-19 | 2015-09-23 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体集成电路器件及其制作方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5731341B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2015-06-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置、半導体装置及び半導体記憶装置の製造方法 |
| US10115784B2 (en) * | 2016-03-17 | 2018-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor device, MIM capacitor and associated fabricating method |
| CN111968981B (zh) * | 2020-08-26 | 2021-12-24 | 无锡拍字节科技有限公司 | 一种fcob存储器件的制造方法及其电容器 |
-
2020
- 2020-08-26 CN CN202010871391.XA patent/CN111968981B/zh active Active
-
2021
- 2021-08-19 WO PCT/CN2021/113445 patent/WO2022042411A1/zh active Application Filing
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| CN104934423A (zh) * | 2014-03-19 | 2015-09-23 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体集成电路器件及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022042411A1 (zh) | 2022-03-03 |
| TW202209639A (zh) | 2022-03-01 |
| CN111968981A (zh) | 2020-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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|
| TR01 | Transfer of patent right |