CN111933674A - 显示基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板和显示装置，显示基板包括：显示区和非显示区，非显示区包括扇出区和弯折区，弯折区位于扇出区远离显示区的一侧；多个子像素；多条第一数据信号线，位于显示区且与多个子像素电连接，被配置为向多个子像素提供数据信号；多条扇出走线，位于扇出区且沿第一方向依次排列，多条扇出走线与多条第一数据信号线电连接；多条第二数据信号线，位于弯折区且沿第一方向依次排列，多条第二数据信号线与多条扇出走线电连接；多条转接线，位于扇出区且位于多条扇出走线和多条第二数据信号线之间，多条转接线电连接多条扇出走线和多条第二数据信号线；多条转接线中的至少部分转接线的宽度与多条扇出走线宽度的比值为0.5～5.5。

Description

显示基板和显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，特别涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，显示基板已广泛应用于各种显示技术领域，而且也在朝着高分辨率不断发展。显示基板包括显示区和非显示区，非显示区设置有驱动电路，以输出信号，显示区内设置有显示结构层，以显示画面；非非显示区内设置有用于向显示区传输相应信号的导线。
位于非显示区的导线被设计为向非显示区中的驱动电路集中，从而使得导线汇集成类似于扇形的结构，该区域为通常所称的扇出区。显示基板的屏幕分辨率越高，位于扇出区的导线的数量就越多。
发明内容
本公开提供了一种显示基板和显示装置，可以提高显示产品的良品率。
第一方面，本公开提供了一种显示基板包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区包括扇出区和弯折区，所述弯折区位于所述扇出区远离所述显示区的一侧；
多个子像素，位于所述显示区；
多条第一数据信号线，位于所述显示区且与所述多个子像素电连接，被配置为向所述多个子像素提供数据信号；
多条扇出走线，位于所述扇出区且沿第一方向依次排列，所述多条扇出走线与所述多条第一数据信号线电连接；
多条第二数据信号线，位于所述弯折区且沿第一方向依次排列，所述多条第二数据信号线与所述多条扇出走线电连接；
多条转接线，位于所述扇出区且位于所述多条扇出走线和所述多条第二数据信号线之间，所述多条转接线电连接所述多条扇出走线和所述多条第二数据信号线；
其中，所述多条转接线中的至少部分所述转接线的宽度与所述多条扇出走线宽度的比值为0.5～5.5。
在一些可能的实现方式中，所述多条扇出走线中至少一条包括：
沿第二方向排布的第一连接部、第二连接部和第三连接部，所述第二连接部位于所述第一连接部和所述第三连接部之间且连接所述第一连接部和第三连接部，所述第一连接部与所述第二连接部之间的夹角大于90度，且小于或等于180度，所述第二连接部和所述第三连接部之间的夹角大于90度，且小于或者等于180度；
所述第三连接部的宽度和所述至少部分转接线的宽度比值为1～2；所述第一方向与所述第二方向相交。
在一些可能的实现方式中，所述至少部分转接线的宽度和所述至少部分第二连接部宽度的比值为2～5.5。
在一些可能的实现方式中，所述至少部分转接线的宽度等于所述第三连接部的宽度。
在一些可能的实现方式中，所述显示区的形状为圆角多边形，所述显示区被划分为直边区和拐角区，所述拐角区的显示区的边界为圆弧状，靠近所述拐角区的扇出走线的第一连接部的宽度与第二连接部的宽度的比值为2～5.5。
在一些可能的实现方式中，靠近所述拐角区的扇出走线的第一连接部的宽度与第一数据信号线的宽度的比值为2～3。
在一些可能的实现方式中，第i个扇出走线和第i+1个扇出走线异层设置，1≤i≤N，N为扇出走线的数量；
所述转接线与所述转接线连接的扇出走线同层设置。
在一些可能的实现方式中，第奇数条扇出走线同层设置，第偶数条扇出走线同层设置。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括：位于所述显示区的多个第一连接电极，所述多个第一连接电极分别与所述多条第一数据信号线和所述多条所述扇出走线连接；
所述第一连接电极与所述第一连接电极连接的扇出走线同层设置，且与所述第一连接电极连接的第一数据信号线异层设置。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括：位于所述弯折区的多个第二连接电极，所述多个第二连接电极分别与所述多条转接线和所述多条第二数据信号线连接；
所述第二连接电极与所述第二连接电极连接的转接线同层设置，且与所述第二连接电极连接的第二数据信号线异层设置；
所述第二连接电极的宽度与所述第二连接电极连接的转接线的宽度的比值为0.8～1；所述第二数据信号线的宽度与所述第二数据信号线连接的第二连接电极的宽度的比值为1:1.2。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括：衬底基板，所述多个子像素设置在所述衬底基板上，所述多个子像素中的至少一个包含驱动薄膜晶体管和存储电容；
所述驱动薄膜晶体管包含位于所述衬底基板上的驱动有源层，位于所述驱动有源层远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的驱动栅极，位于所述驱动栅极远离所述衬底基板一侧的第二绝缘层，位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板一侧的第三绝缘层，以及位于所述第三绝缘层远离所述衬底基板一侧的驱动源极和驱动漏极；
所述存储电容包括第一极板和第二极板；所述第一极板与所述驱动栅极同层设置，所述第二极板位于所述第二绝缘层和所述第三绝缘层之间，所述第一极板在所述衬底基板上的正投影与所述第二极板在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
在一些可能的实现方式中，所述第奇数条扇出走线与所述第一极板同层设置，所述第偶数条扇出走线与所述第二极板同层设置；
或者，所述第奇数条扇出走线与所述第二极板同层设置，所述第偶数条扇出走线与所述第一极板同层设置；
第i个扇出走线在所述衬底基板上的正投影与第i+1个扇出走线在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域。
在一些可能的实现方式中，所述第一数据信号线和所述第二数据信号线与所述驱动源极同层设置。
在一些可能的实现方式中，多条第二数据信号线设置有多个通孔；
所述多个通过为圆孔或者椭圆孔。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括：位于所述弯折区远离所述扇出区一侧的驱动芯片和多条第三数据信号线；
所述驱动芯片通过所述多条第三数据信号线与所述多条第二数据信号线连接。
第二方面，本公开还提供了一种显示装置，包括：上述显示基板。
本公开提供了一种显示基板和显示装置，其中，显示基板包括：显示区和围绕显示区的非显示区，非显示区包括扇出区和弯折区，弯折区位于扇出区远离显示区的一侧；多个子像素，位于显示区；多条第一数据信号线，位于显示区且与多个子像素电连接，被配置为向多个子像素提供数据信号；多条扇出走线，位于扇出区且沿第一方向依次排列，多条扇出走线与多条第一数据信号线电连接；多条第二数据信号线，位于弯折区且沿第一方向依次排列，多条第二数据信号线与多条扇出走线电连接；多条转接线，位于扇出区且位于多条扇出走线和多条第二数据信号线之间，多条转接线电连接多条扇出走线和多条第二数据信号线；多条转接线中的至少部分转接线的宽度与多条扇出走线宽度的比值为0.5～5.5。本公开通过设置多条转接线中的至少部分转接线的宽度与多条扇出走线宽度的比值为0.5～5.5，可以提高扇出走线的可靠性，避免了扇出走线在制程时易断裂的技术问题，提高了显示产品的良品率。
本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为本公开实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2为本公开实施例提供的扇出走线的结构示意图；
图3为一种示例性实施例提供的显示基板中F1区域的结构示意图；
图4为另一示例性实施例提供的显示基板中F1区域的结构示意图；
图5为一种示例性实施例提供的显示基板中F2区域的结构示意图；
图6为另一示例性实施例提供的显示基板中F2区域的结构示意图；
图7为一种示例性实施例提供的显示基板的部分显示区的剖视图；
图8为形成有源层的示意图；
图9为形成第一金属层的示意图；
图10为形成第二金属层的示意图；
图11为形成第三金属层的示意图；
图12为形成第四金属层的示意图。
具体实施方式
本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的技术方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它技术方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的技术方案。因此，应当理解，在本公开中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
除非另外定义，本公开公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在显示产品中，扇出区的导线包括向显示区的数据信号线提供数据信号的导线。扇出区中向显示区的数据信号线提供数据信号的导线在竖直方向排列较稀疏，水平方向布线较密集。
在一种显示产品中，扇出区中向显示区的数据信号线提供数据信号的导线易断裂，造成显示异常，降低了显示产品的产品良率。
图1为本公开实施例提供的显示基板的结构示意图。如图1所示，本公开实施例提供的显示基板包括：显示区AA和围绕显示区AA的非显示区，非显示区包括：扇出区F和弯折区BB，弯折区BB位于扇出区F远离显示区AA的一侧。显示基板包括：多个子像素11、多条第一数据信号线12、多条扇出走线20、多条第二数据信号线30和多条转接线40。
多个子像素11，位于显示区AA。多条第一数据信号线12，位于显示区AA且与多个子像素11电连接，被配置为向多个子像素11提供数据信号。多条扇出走线20，位于扇出区F且沿第一方向依次排列，多条扇出走线20与多条第一数据信号线12电连接。多条第二数据信号线30，位于弯折区BB且沿第一方向依次排列，多条第二数据信号线30与多条扇出走线20电连接。多条转接线40，位于扇出区F且位于多条扇出走线20和多条第二数据信号线30之间，多条转接线40电连接多条扇出走线20和多条第二数据信号线30。
在一种示例性实施例中，多条转接线中的至少部分转接线的宽度与多条扇出走线宽度的比值为0.5～5.5。
在一种示例性实施例中，显示区可以包括：扫描信号线、发光控制线和复位信号线。其中，多个子像素由扫描信号线和第一数据信号线交叉限定的。每个子像素包括多个晶体管，多个晶体管可以成像素电路，像素电路与扫描信号线、第一数据信号线、发光控制线和复位信号线连接。
在一种示例性实施例中，像素电路中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件。
在一种示例性实施例中，显示基板可以为OLED显示基板或者液晶显示基板。
在一种示例性实施例中，当显示基板为OLED显示基板时，显示基板还可以包括：发光元件。发光元件包括：第一电极、第二电极和有机发光层；第一电极位于有机发光层靠近基底的一侧，第二电极位于有机发光层远离基底的一侧。
当显示基板为液晶显示基板时，显示装置还包括：与显示基板对盒设置的对盒基板。当显示基板为阵列基板时，对盒基板可以为彩膜基板。当显示基板为COA阵列基板时，对盒基板可以为玻璃盖板。在一种示例性实施例中，显示基板中的显示区可以为圆角多边形，本公开实施例对此不作任何限定。图1是以显示基板中的显示区为圆角四边形为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，扇形走线可以为直线型或者折线形。直线型位于扇形区的中间区域，直线型的扇形走线的数量至少为一条，根据显示基板的扇形区的布线方式确定。折线形的扇形走线位于扇形区的中间区域的两侧区域。
在一种示例性实施例中，显示基板可以为阵列基板、或者可以为COA型的阵列基板(即Color Filter onArray，彩膜设置在阵列基板上)、或可以为形成有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)器件层的阵列基板。
在一种示例性实施例中，至少部分转接线的宽度可以为4微米至8微米。
本公开实施例提供的显示基板包括：显示区和围绕显示区的非显示区，非显示区包括扇出区和弯折区，弯折区位于扇出区远离显示区的一侧；多个子像素，位于显示区；多条第一数据信号线，位于显示区且与多个子像素电连接，被配置为向多个子像素提供数据信号；多条扇出走线，位于扇出区且沿第一方向依次排列，多条扇出走线与多条第一数据信号线电连接；多条第二数据信号线，位于弯折区且沿第一方向依次排列，多条第二数据信号线与多条扇出走线电连接；多条转接线，位于扇出区且位于多条扇出走线和多条第二数据信号线之间，多条转接线电连接多条扇出走线和多条第二数据信号线；多条转接线中的至少部分转接线的宽度与多条扇出走线宽度的比值为0.5～5.5。本公开通过设置多条转接线中的至少部分转接线的宽度与多条扇出走线宽度的比值为0.5～5.5，可以提高扇出走线的可靠性，避免了扇出走线在制程时易断裂的技术问题，提高了显示产品的良品率。
在一种示例性实施例中，如图1所示，显示基板还可以包括：驱动芯片50和多条第三数据信号线51。驱动芯片50通过多条第三数据信号线51与多条第二数据信号线30连接。
驱动电路包括：向扫描信号线、发光控制线和复位信号线提供信号的栅极驱动电路和向第三数据信号线提供信号的源极驱动电路。
在一种示例性实施例中，扫描信号线、复位信号线和发光控制线同层设置。
图2为一种示例性实施例提供的扇出走线的结构示意图。如图2所示，多条扇出走线中至少一条扇出走线20包括：沿第二方向排布的第一连接部20A、第二连接部20B和第三连接部20C。第二连接部20B位于第一连接部20A和第三连接部20C之间，且连接第一连接部20A和第三连接部20C。第一连接部20A与第二连接部20B之间的夹角大于90度，且小于或者等于180度；第二连接部20B与第三连接部20C之间的夹角大于90度，且小于或者等于180度。
第一连接部20A分别与第一数据信号线和第二连接部20B电连接，第三连接部20C分别与第二连接部20B和转接线40电连接。第三连接部的宽度W3和至少部分转接线的宽度比值为1～2，第一方向与第二方向相交。
在一种示例性实施例中，第一方向与第二方向相交指的是第一方向与第二方向之间的夹角可以约为70度至90度。例如，第一方向与第二方向之间的夹角可以为90度，即第一方向可以与第二方向垂直。
在一种示例性实施例中，第一连接部20A和第三连接部20C沿第二方向延伸。
在一种示例性实施例中，第一连接部20A的宽度W1可以约为4微米至6微米。
在一种示例性实施例中，第二连接部20B的宽度W2可以约为1.5微米至2微米。
在一种示例性实施例中，第三连接部20C的宽度W3可以大于或者等于8微米。在一种示例性实施例中，如图2所示，第三连接部20C的宽度W3大于或者等于第二连接部20B的宽度W2，可以进一步提高扇出走线的可靠性，避免了扇出走线在制程时易断裂的技术问题，可以提升显示产品的显示效果，提高了显示产品的良品率。
在一种示例性实施例中，至少部分转接线的宽度等于第三连接部的宽度。
由于第三连接部的宽度和所述至少部分转接线的宽度比值为1～2，因此，一种示例性实施例中，至少部分转接线的宽度大于第三连接部的宽度W3的一半，增大了部分转接线的宽度，提高了显示产品的良品率。在一种示例性实施例中，至少部分转接线的宽度等于第三连接部的宽度。
在一种示例性实施例中，至少部分转接线的宽度和至少部分第二连接部W2宽度的比值为2～5.5。
在一种示例性实施例中，显示区的形状为圆角多边形，显示区被划分为直边区和拐角区，拐角区的显示区的边界为圆弧状，靠近拐角区的扇出走线的第一连接部的宽度与第二连接部的宽度的比值为2～5.5。
在一种示例性实施例中，靠近拐角区的扇出走线的第一连接部的宽度与第一数据信号线的宽度的比值为2～3。
在一种示例性实施例中，位于扇出区F的N个沿第一方向依次排列的扇出走线20，第i个扇出走线和第i+1个扇出走线异层设置，1≤i≤N。转接线与转接线连接的扇出走线同层设置
在一种示例性实施例中，第奇数条扇出走线同层设置，第偶数条扇出走线同层设置。
在一种示例性实施例中，图3为一种示例性实施例提供的显示基板中F1区域的结构版图。如图3所示，显示基板还包括：位于显示区AA的多条第一数据信号线12。多条第一数据信号线12与扇出走线20一一对应。
第一数据信号线12与对应的扇出走线20电连接，且与连接的扇出走线20异层设置。
在一种示例性实施例中，图4为另一示例性实施例提供的显示基板中F1区域的结构版图。如图4所示，显示基板还包括：位于显示区AA的多个第一连接电极60，多个第一连接电极60分别与多条第一数据信号线12和所述多条扇出走线20连接。第一连接电极60与第一连接电极60连接的扇出走线20同层设置，且第一连接电极60连接的第一数据信号线异层设置。
在一种示例性实施例中，图5为一种示例性实施例提供的显示基板中F2区域的结构版图。如图5所示，一种示例性实施例提供的显示基板还包括：位于弯折区BB的第二数据信号线30。多条第二数据信号线30与转接线40电连接。
在一种示例性实施例中，第二数据信号线30与转接线40异层设置，且与第一数据信号线同层设置。
在一种示例性实施例中，图6为另一示例性实施例提供的显示基板中F2区域的结构版图。如图6所示，一种示例性实施例提供的显示基板还包括：位于弯折区的多个第二连接电极70，多个第二连接电极70分别与多条转接线40和多条第二数据信号线30连接。第二连接电极70与第二连接电极70连接的转接线40同层设置，且与第二连接电极70连接的第二数据信号线30异层设置。
在一种示例性实施例中，第二连接电极70的宽度与第二连接电极70连接的转接线40的宽度的比值为0.8～1。
在一种示例性实施例中，第二数据信号线30的宽度与第二数据信号线30连接的第二连接电极70的宽度的比值为1:1.2。
在一种示例性实施例中，如图3所示，显示基板还可以包括：向显示区内的扫描信号线Gate、复位信号线和发光控制线传输信号的走线80。
在一种示例性实施例中，如图3所示，显示基板还包括：持续提供高电平信号的电源线VDD。
图7为一种示例性实施例提供的显示基板的部分显示区的剖视图。如图3和7所示，显示基板还包括：衬底基板10。多个子像素11设置在衬底基板10上，多个子像素中的至少一个包含驱动薄膜晶体管和存储电容。图7是以显示基板为OLED显示基板为例进行说明的。
驱动薄膜晶体管包含位于衬底基板10上的驱动有源层111，位于驱动有源层111远离衬底基板10一侧的第一绝缘层115、位于第一绝缘层115远离衬底基板10一侧的驱动栅极112，位于驱动栅极112远离衬底基板10一侧的第二绝缘层116，位于第二绝缘层116远离衬底基板10一侧的第三绝缘层117，以及位于第三绝缘层117远离衬底基板10一侧的驱动源极113和驱动漏极114。
存储电容包括第一极板C1和第二极板C2；第一极板C1与驱动栅极112同层设置，第二极板C2位于第二绝缘层116和第三绝缘层117之间，第一极板C1在衬底基板10上的正投影与第二极板C2在衬底基板10上的正投影至少部分重叠。
在一种示例性实施例中，显示基板还包括：设置在第三绝缘层上，且依次层叠设置的第四绝缘层118、平坦层119、第一电极120、像素定义层121、隔垫物层122、有机发光层123、第二电极124、第一封装层125、第二封装层126和第三封装层127。
在一种示例性实施例中，衬底基板可以为刚性衬底基板或柔性衬底基板，其中，刚性衬底基板可以为但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；柔性衬底基板可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。
在一种示例性实施例中，驱动有源层可以采用半导体材料，例如，多晶硅(例如低温多晶硅或高温多晶硅)、非晶硅、氧化铟镓锡(IGZO)。
在一种示例性实施例中，栅极、源极和漏极采用金属材料，例如金属铝或铝合金。这里采用的晶体管的源极和漏记在结构上可以是对称的，所以其源极和漏极在结构上可以是没有区别的。
在一种示例性实施例中，第一电极可以采用氧化铟锡或者氧化锌锡。
在一种示例性实施例中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
在一种示例性实施例中，第二电极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或更多种，或可以采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
在一种示例性实施例中，显示基板还可以包括：偏光片。
在一种示例性实施例中，第奇数条扇出走线与第一极板同层设置，第偶数条扇出走线与第二极板同层设置。
在一种示例性实施例中，第奇数条扇出走线与第二极板同层设置，所述第偶数条扇出走线与所述第一极板同层设置。
在一种示例性实施例中，第i个扇出走线在衬底基板上的正投影与第i+1个扇出走线在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域，可以避免相邻的扇出走线之间信号的串扰，可以提升显示基板的显示效果。
在一种示例性实施例中，第一数据信号线和第二数据信号线与驱动源极同层设置。
在一种示例性实施例中，如图1和图5所示，多条第二数据信号线30设置有多个通孔。
在一种示例性实施例中，多个通孔为圆孔或者椭圆孔。
在一种示例性实施例中，如图4和图6所示，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层设置有暴露出驱动有源层的第一过孔V1；第二绝缘层和第三绝缘层设置有暴露出与第P个扇出走线连接的第一连接电极的第二过孔V2和暴露出与第P个扇出走线连接的第二连接电极的第三过孔V3。
驱动源极和驱动漏极通过第一过孔与驱动有源层111连接；与第P个扇出走线连接的第一数据信号线通过第二过孔V2与第P个扇出走线连接的第一连接电极60连接；与第P个扇出走线连接的第二数据信号线通过第三过孔V3与第P个扇出走线连接的第二连接电极连接。
在一种示例性实施例中，第二过孔V2的数量为至少一个。当第二过孔V2的数量为多个时，多个第二过孔沿第一方向排布。图4是以两个第二过孔V2为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，第三过孔V3的数量为至少一个。当第三过孔V3的数量为多个时，多个第三过孔沿第二方向排布。图6是以七个第三过孔V2为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，如图4和图6所示，第三绝缘层设置有暴露出与第Q个扇出走线连接的第一连接电极的第四过孔V4和暴露出与第Q个扇出走线连接的第二连接电极的第五过孔V5。
与第Q个扇出走线连接的第一数据信号线通过第四过孔和与第Q个扇出走线连接的第一连接电极连接；与第Q个扇出走线连接的第二数据信号线通过第五过孔和与第Q个扇出走线连接的第二连接电极连接。
在一种示例性实施例中，第四过孔V4的数量为至少一个。当第四过孔的数量为多个时，多个第四过孔沿第一方向排布。图4是以两个第四过孔V4为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，第五过孔V5的数量为至少一个；当第五过孔V5的数量为多个时，多个第五过孔沿第二方向排布。图6是以七个第五过孔V4为例进行说明的。
P为小于或者等于N的奇数，Q为小于等于N的偶数，或者，P为小于等于N的偶数，Q为小于或者等于N的偶数。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为第一栅绝缘层、第二绝缘层成为第二栅绝缘层、第三绝缘层称为层间绝缘层、第四绝缘层称为钝化层。
下面结合图4、图8至图12通过显示基板的制备过程说明一种示例性实施例提供的OLED显示基板的结构。“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶处理。沉积可以采用溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在衬底基板上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程中该“薄膜”需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。
(1)在衬底基板形成有源层，包括：在衬底基板上沉积半导体薄膜，通过构图工艺对半导体薄膜进行构图，形成驱动有源层111。图8所示。
(2)形成第一金属层，包括：在形成有有源层的衬底基板上沉积第一绝缘薄膜，通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图，形成位于第一绝缘层。在第一绝缘层上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成第一金属层。第一金属层包括：位于显示区的扫描信号线Gate、发光控制线、复位信号线、驱动栅极112、第一极板以及位于扇出区第P个扇出走线20以及与第P个扇出走线连接的位于显示区的第一连接电极60和位于弯折区第二连接电极(图中未示出)，如图9所示。
在一种示例性实施例中，本次工艺还包括导体化处理。导体化处理是在形成第一金属层后，利用驱动栅极作为遮挡对驱动有源层进行等离子体处理，被驱动栅极遮挡区域的驱动有源层作为沟道区域，未被第一金属层遮挡区域的驱动有源层被处理成导体化层，形成导体化的源漏区域。
(3)形成第二金属层，包括：在形成有第一金属层的衬底基板上，沉积第二绝缘薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图，形成第二绝缘层。在形成有第二绝缘层的衬底基板上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成第二金属层。第二金属层包括：第二极板、位于扇出区的第Q个扇出走线以及与第Q个扇出走线连接的位于显示区的第一连接电极和位于弯折区的第二连接电极，如图10所示。
(4)形成第三绝缘层，包括：在形成有第二金属层的衬底基板上，沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成第三绝缘层。形成第三绝缘层开设有多个过孔。多个过孔包括：贯通第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的第一过孔V1，贯通第二绝缘层和第三绝缘层的第二过孔V2和第三过孔V3以及仅贯通第三绝缘层的第五过孔和第六过孔，如图4所示。
在一种示例性实施例中，第一过孔暴露出驱动有源层，第二过孔暴露出与第P个扇出走线连接的第一连接电极，暴露出与第P个扇出走线连接的第二连接电极的第三过孔，第四过孔暴露出与第Q个扇出走线连接的第一连接电极，第五过孔暴露出与第Q个扇出走线连接的第二连接电极。
(5)形成第三金属层，包括：在形成有第三绝缘层的衬底基板上，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成第三金属层。第三金属层包括：位于显示区AA的多个驱动源极113和驱动漏极114、位于显示区AA的第一数据信号线12、位于弯折区的第二数据信号线(图中未示出)和第一电源线VDD，如图11所示。
驱动源极113和驱动漏极114通过第一过孔与驱动有源层连接；与第P个扇出走线连接的第一数据信号线通过第二过孔和与第P个扇出走线连接的第一连接电极连接；与第P个扇出走线连接的第二数据信号线通过第三过孔和与第P个扇出走线连接的第二连接电极连接。与第Q个扇出走线连接的第一数据信号线通过第四过孔和与第Q个扇出走线连接的第一连接电极连接；与第Q个扇出走线连接的第二数据信号线通过第五过孔和与第Q个扇出走线连接的第二连接电极连接。
(6)形成第四金属层，包括：在形成有第三金属层的衬底基板上，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成第四绝缘层。在形成有第四绝缘层的衬底基板上沉积第四金属薄膜，通过构图工艺对第四金属薄膜进行构图，形成第四金属层。第四金属层包括：向显示区内的扫描信号线Gate、复位信号线和发光控制线传输信号的走线80，如图12所示。
(7)形成平坦层，包括：在形成有第四金属层的衬底基板上涂覆平坦薄膜，通过平坦薄膜的掩膜、曝光和显影，形成平坦层。
(8)形成发光结构层和封装层包括：在形成有平坦层的衬底基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成第一电极，在形成有第一电极的衬底基板上涂覆像素定义薄膜和隔垫物薄膜，通过像素定义薄膜和隔垫物薄膜的掩膜、曝光和显影，形成像素定义层和隔垫物层，在形成有隔垫物的衬底基板上涂覆有机薄膜，通过有机薄膜的掩膜、曝光和显影，形成有机发光层，在形成有有机发光层的衬底基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行构图，形成第二电极，在形成第二电极的衬底基板上沉积第一封装薄膜，通过构图工艺对第一封装薄膜进行构图，形成第一封装层，在形成第一封装层的衬底基板上涂覆第二封装薄膜，通过第二封装薄膜的掩膜、曝光和显影，形成第二封装层，在形成第二封装层的衬底基板上涂覆第三封装薄膜，通过第三封装薄膜的掩膜、曝光和显影，形成第三封装层。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括：显示基板。
在一种示例性实施例中，显示装置可以为显示器、电视、手机、平板电脑、导航仪、数码相框、可穿戴显示产品具有任何显示功能的产品或者部件。
在一种示例性实施例中，当显示基板为液晶显示基板时，显示装置还可以包括用于提供背光的背光模组。
显示基板为前述任一个实施例提供的显示基板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
本公开中的附图只涉及本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (16)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区包括扇出区和弯折区，所述弯折区位于所述扇出区远离所述显示区的一侧；
多个子像素，位于所述显示区；
多条第一数据信号线，位于所述显示区且与所述多个子像素电连接，被配置为向所述多个子像素提供数据信号；
多条扇出走线，位于所述扇出区且沿第一方向依次排列，所述多条扇出走线与所述多条第一数据信号线电连接；
多条第二数据信号线，位于所述弯折区且沿第一方向依次排列，所述多条第二数据信号线与所述多条扇出走线电连接；
多条转接线，位于所述扇出区且位于所述多条扇出走线和所述多条第二数据信号线之间，所述多条转接线电连接所述多条扇出走线和所述多条第二数据信号线；
其中，所述多条转接线中的至少部分所述转接线的宽度与所述多条扇出走线宽度的比值为0.5～5.5。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多条扇出走线中至少一条包括：
沿第二方向排布的第一连接部、第二连接部和第三连接部，所述第二连接部位于所述第一连接部和所述第三连接部之间且连接所述第一连接部和第三连接部，所述第一连接部与所述第二连接部之间的夹角大于90度，且小于或等于180度，所述第二连接部和所述第三连接部之间的夹角大于90度，且小于或者等于180度；
所述第三连接部的宽度和所述至少部分转接线的宽度比值为1～2；所述第一方向与所述第二方向相交。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，至少部分转接线的宽度和至少部分第二连接部宽度的比值为2～5.5。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，至少部分转接线的宽度等于所述第三连接部的宽度。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示区的形状为圆角多边形，所述显示区被划分为直边区和拐角区，所述拐角区的显示区的边界为圆弧状，靠近所述拐角区的扇出走线的第一连接部的宽度与第二连接部的宽度的比值为2～5.5。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，靠近所述拐角区的扇出走线的第一连接部的宽度与第一数据信号线的宽度的比值为2～3。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，第i个扇出走线和第i+1个扇出走线异层设置，1≤i≤N，N为扇出走线的数量；
所述转接线与所述转接线连接的扇出走线同层设置。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，第奇数条扇出走线同层设置，第偶数条扇出走线同层设置。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述显示区的多个第一连接电极，所述多个第一连接电极分别与所述多条第一数据信号线和所述多条所述扇出走线连接；
所述第一连接电极与所述第一连接电极连接的扇出走线同层设置，且与所述第一连接电极连接的第一数据信号线异层设置。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述弯折区的多个第二连接电极，所述多个第二连接电极分别与所述多条转接线和所述多条第二数据信号线连接；
所述第二连接电极与所述第二连接电极连接的转接线同层设置，且与所述第二连接电极连接的第二数据信号线异层设置；
所述第二连接电极的宽度与所述第二连接电极连接的转接线的宽度的比值为0.8～1；所述第二数据信号线的宽度与所述第二数据信号线连接的第二连接电极的宽度的比值为1:1.2。
11.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：衬底基板，所述多个子像素设置在所述衬底基板上，所述多个子像素中的至少一个包含驱动薄膜晶体管和存储电容；
所述驱动薄膜晶体管包含位于所述衬底基板上的驱动有源层，位于所述驱动有源层远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的驱动栅极，位于所述驱动栅极远离所述衬底基板一侧的第二绝缘层，位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板一侧的第三绝缘层，以及位于所述第三绝缘层远离所述衬底基板一侧的驱动源极和驱动漏极；
所述存储电容包括第一极板和第二极板；所述第一极板与所述驱动栅极同层设置，所述第二极板位于所述第二绝缘层和所述第三绝缘层之间，所述第一极板在所述衬底基板上的正投影与所述第二极板在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第奇数条扇出走线与所述第一极板同层设置，所述第偶数条扇出走线与所述第二极板同层设置；
或者，所述第奇数条扇出走线与所述第二极板同层设置，所述第偶数条扇出走线与所述第一极板同层设置；
第i个扇出走线在所述衬底基板上的正投影与第i+1个扇出走线在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域。
13.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第一数据信号线和所述第二数据信号线与所述驱动源极同层设置。
14.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，多条第二数据信号线设置有多个通孔；
所述多个通孔为圆孔或者椭圆孔。
15.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述弯折区远离所述扇出区一侧的驱动芯片和多条第三数据信号线；
所述驱动芯片通过所述多条第三数据信号线与所述多条第二数据信号线连接。
16.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至15任一项所述的显示基板。
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