CN111834513A - 基板、显示面板及其组装检测方法 - Google Patents

基板、显示面板及其组装检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111834513A
CN111834513A CN202010619724.XA CN202010619724A CN111834513A CN 111834513 A CN111834513 A CN 111834513A CN 202010619724 A CN202010619724 A CN 202010619724A CN 111834513 A CN111834513 A CN 111834513A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive pad
light emitting
pad unit
substrate
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010619724.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN111834513B (zh
Inventor
蔡雨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd
Original Assignee
Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd filed Critical Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd
Priority to CN202010619724.XA priority Critical patent/CN111834513B/zh
Priority to US17/009,950 priority patent/US11527690B2/en
Publication of CN111834513A publication Critical patent/CN111834513A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111834513B publication Critical patent/CN111834513B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基板、显示面板及其组装检测方法,涉及显示技术领域,基板包括若干阵列排布的子像素区域,每个子像素区域包括设置在衬底上的主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元,衬底靠近主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元的一侧设有抗反射层,抗反射层在衬底上的正投影至少覆盖备用导电衬垫单元在衬底上的正投影。本申请利用抗反射层至少将备用导电衬垫单元覆盖,避免了备用导电衬垫单元的引入导致的基板和显示面板反射率增加的问题,因而有利于降低基板和显示面板的反射率,改善显示面板的显示效果。

Description

基板、显示面板及其组装检测方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种基板、显示面板及其组装检测方法。
背景技术
现有的Micro LED或Mini LED产品在巨量转移过程中,在完成Micro LED或MiniLED与基板的绑定后,若检测到部分Micro LED或Mini LED不发光,往往不能在原来绑定的位置进行修补,而是在正常绑定的位置设置一个候补绑定位置,若检测到有不能发光的Micro LED或Mini LED,在候补绑定的位置重新补Micro LED或Mini LED即可。当在基板上引入候补绑定位置后,候补绑定位置会增加基板的反射率,考虑到Micro LED或Mini LED产品通常不引入偏光片,因而不能通过偏光片来降低基板的反射率。因此,如何降低候补绑定位置的引入而导致基板反射率提升成为现阶段亟待解决的技术问题之一。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种基板、显示面板及其组装检测方法,利用抗反射层至少将备用导电衬垫单元覆盖,避免了备用导电衬垫单元的引入导致的基板和显示面板反射率增加的问题。。
第一方面,本申请提供一种基板,包括衬底,所述基板包括若干阵列排布的子像素区域,每个所述子像素区域包括设置在所述衬底上的主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元,所述衬底靠近所述主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元的一侧设有抗反射层,所述抗反射层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述备用导电衬垫单元在所述衬底上的正投影。
第二方面,本申请提供一种显示面板,包括多个发光元件和本申请所提供的基板;
所述发光元件与所述子像素区域一一对应设置,所述发光元件位于所述抗反射层远离所述衬底的一侧,所述发光元件与所述子像素区域中的主导电衬垫单元或备用导电衬垫单元电连接。
第三方面,本申请提供一种显示面板的组装检测方法,应用于本申请所提供的显示面板,同一所述子像素区域中的主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元与同一驱动电路电连接,所述组装检测方法包括:
在所述备用导电衬垫单元朝向所述显示面板的衬底的一侧制作抗反射层,使所述抗反射层在所述衬底的正投影至少覆盖所述备用导电衬垫单元在所述衬底的正投影;
将所述发光元件均与所述主导电衬垫单元电连接;
检测各所述发光元件的发光情况,若存在至少一个子像素区域中的发光元件不发光,则移除不发光的发光元件,或者,断开驱动电路与该子像素区域中的主导电衬垫单元之间的电连接;将备用的发光元件与该子像素区域中的备用导电衬垫单元电连接。
与现有技术相比,本发明提供的基板、显示面板及其组装检测方法,至少实现了如下的有益效果:
本发明所提供的基板、显示面板及其组装检测方法中,基板包括若干阵列排布的子像素区域,每个子像素区域均包括主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元,特别是,本申请中的基板还包括抗反射层,该抗反射层在衬底上的正投影至少覆盖备用导电衬垫单元在衬底上的正投影,如此有效避免了备用导电衬垫单元的引入而导致基板反射率升高的问题。在显示面板中,即使部分备用导电衬垫单元与发光元件电连接后,其余未与发光元件电连接的备用导电衬垫单元在靠近显示面板的出光面的一侧也由抗反射层覆盖,因此同样有利于降低显示面板的反射率,避免显示面板的反射率高对显示面板的正常显示造成影响,因而还有利于改善显示面板的显示效果。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1所示为本发明所提供的基板的一种俯视图;
图2所示为图1中基板的一种AA’截面图;
图3所示为图1中基板的另一种AA’截面图;
图4所示为图1中基板的另一种AA’截面图;
图5所示为图1中基板的另一种AA’截面图;
图6所示为图1中基板的另一种AA’截面图;
图7所示为图1中基板的另一种AA’截面图;
图8所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种俯视图;
图9所示为图8中显示面板的一种BB’截面图;
图10所示为图8中显示面板的一种CC’截面图;
图11所示为图8中显示面板的另一种CC’截面图;
图12所示为图8中显示面板的另一种BB’截面图;
图13所示为本申请实施例所提供的显示面板中发光元件的一种结构示意图;
图14所示为本申请实施例所提供的显示面板中发光元件的另一种结构示意图;
图15所示为图14中发光元件与主导电衬垫单元电连接的一种示意图;
图16所示为利用封装层将发光元件进行封装的一种示意图;
图17所示为利用封装层将发光元件进行封装的另一种示意图;
图18所示为本申请实施例所提供的显示面板的组装检测方法的一种流程图;
图19所示为在备用导电衬垫单元远离衬底的一侧形成抗反射层的一种示意图;
图20所示为将发光元件与主导电衬垫单元电连接的一种示意图;
图21所示为将备用的发光元件与备用导电衬垫单元电连接的一种示意图;
图22所示为发光元件与主导电衬垫单元绑定时的一种连接关系图;
图23所示为当检测到发光元件不发光时切断主导电衬垫单元与驱动电路之间电连接的一种示意图;
图24所示为在备用导电衬垫单元上绑定备用发光元件的一种示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
图1所示为本发明所提供的基板的一种俯视图,图2所示为图1中基板的一种AA’截面图,请参见图1和图2,本申请所提供的一种基板100,包括若干阵列排布的子像素区域10,每个子像素区域10包括设置在衬底P上的主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12,衬底P靠近主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12的一侧设有抗反射层20,抗反射层20在衬底P上的正投影至少覆盖备用导电衬垫单元12在衬底P上的正投影。
需要说明的是,图1仅示出了基板100上的部分子像素区域10,并不代表基板100上所包含的子像素区域10的实际数量。另外,每个子像素区域10中所包含的主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12也仅为示意,并不代表主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12的实际尺寸。图2仅以主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12中分别包括两个导电衬垫为例进行说明,此种结构的主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12对应的发光元件为倒装结构的发光元件,即发光元件中的两个电极位于发光元件的同一侧,当将发光元件与此种结构的主导电衬垫单元11或备用导电衬垫单元12电连接时,发光元件的两个电极分别与主导电衬垫单元11中的两个导电衬垫电连接,或发光元件的两个电极分别与备用导电衬垫单元12中的两个导电衬垫电连接。在本申请的一些其他实施例中,主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12所包含的导电衬垫的数量还可为1个,本申请将在后续的实施例中对此进行说明。
具体地,请结合图1和图2,本申请所提供的基板100中,包括若干阵列排布的子像素区域10,每个子像素区域10均包括一个主导电衬垫单元11和一个备用导电衬垫单元12,该基板100中的主导电衬垫单元11用于与发光元件30绑定而形成显示面板,当与主导电衬垫单元11绑定的发光元件无法正常发光时,可在对应的备用导电衬垫单元12上绑定新的发光元件,从而实现对显示面板的修复。需要说明的是,本申请所提及的基板100可以指尚未绑定发光元件中间产品。通常,基板100上的主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12为金属衬垫,金属衬垫均具备一定的反射率,当在基板100中引入大量备用导电衬垫单元12时,必然会增加基板100的反射率。而本申请所提供的基板100中,在备用导电衬垫单元12远离衬底P的一侧设置有抗反射层20,该抗反射层20在衬底P上的正投影至少覆盖备用导电衬垫单元12在衬底P上的正投影,也就是说,至少部分抗反射层20是设置在备用导电衬垫单元12远离衬底P一侧的表面的,如此有效避免了在基板100上引入备用导电衬垫单元12后所导致的基板100反射率提高的现象,因而有利于减小基板100整体的反射率,提升在基板100上绑定发光元件后的显示效果。
在本发明的一种可选实施例中,图3所示为图1中基板的另一种AA’截面图,图3示出了抗反射层20与主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12的另一种相对位置关系,抗反射层20在衬底P上的正投影还覆盖主导电衬垫单元11在衬底P上的正投影。
具体地,请参见图3,抗反射层20除覆盖备用导电衬垫单元12远离衬底P的表面外,还覆盖主导电衬垫单元11远离衬底P的表面,如此,抗反射层20还能够将主导电衬垫单元11可能发生光线反射的表面进行遮挡,从而有利于降低主导电衬垫单元11对基板100造成的反射率升高的问题,在主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12远离衬底P的一侧均设置抗反射层20,更加有利于减小基板100的反射率,因而更加有利于提升将该基板100应用于显示面板时显示面板的显示效果。
需要说明的是,请继续参见图3,该实施例示出了抗反射层20仅设置于主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12远离衬底P的表面,而主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12之间的区域并未设置抗反射层,二者之间形成一缝隙,该缝隙对二者表面的抗反射层20起到隔离的作用。当主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12远离衬底P的表面设置不同材料的抗反射层时,例如一者为光解材料,另一者为热解材料;在对其中一者进行处理时,例如对光解材料进行处理时,由于缝隙的隔离作用,能够减小光解的过程对热解材料造成影响。
在本发明的一种可选实施例中,图4所示为图1中基板的另一种AA’截面图,图4示出了基板100中抗反射层20与主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12的另一种相对位置关系,抗反射层20在衬底P上的正投影覆盖整个衬底P。
请参见图4,本申请中的抗反射层20除覆盖主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12远离衬底P一侧的表面外,还覆盖衬底P上除主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12之外的其他区域,增大了抗反射层20的覆盖面积,从而能够从最大程度上减小基板100在应用于显示面板中后发生反射的可能,更加有利于提升基板100应用于显示面板中后显示面板200的显示效果。
在本发明的一种可选实施例中,图5所示为图1中基板的另一种AA’截面图,图5示出了抗反射层20与主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12的另一种相对位置关系图,子像素区域10还包括位于主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12之间的第一区域13,位于第一区域13中的抗反射层20与位于备用导电衬垫单元12远离衬底P一侧的抗反射层20不连接。
具体地,请参见图5,本申请所提供的显示面板200中,衬底P基板100上的子像素区域10中,除设置主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12的区域外,还包括位于主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12之间的第一区域13,当子像素区域10和第一区域13中均设置抗反射层20时,将设置于第一区域13中的抗反射层20与设置于备用导电衬垫单元12远离衬底P一侧的抗反射层20断开,例如图5中第一区域13的抗反射层20和与备用导电衬垫单元12对应的抗反射层20之间形成一缝隙,如此,第一区域13和备用导电衬垫单元12远离衬底P一侧的抗反射层20可根据实际需求采用不同的材料制作,而且当需要通过光分解或热分解的方式去除位于备用导电衬垫单元12远离衬底P一侧的抗反射层20时,将二者断开设置有利于确保光分解或热分解的过程不会对第一区域13中的抗反射层20造成影响,此时,第一区域13中的抗反射层20可作为隔离层,由于第一区域13中的抗反射层20不需要被热解或光解,所以第一区域13中的抗反射层20可采用非热解材料或非光解材料,即采用与备用导电衬垫单元12和主导电衬垫单元11对应的抗反射层不同的材料,如此,由于第一区域13中抗反射层20的隔离作用,当需要对备用导电衬垫单元12对应的抗反射层20或主导电衬垫单元11对应的抗反射层20中的一者进行热解或光解时,将不会影响到另外一者对应的抗反射层。
需要说明的是,衬底P基板100中除了子像素区域10外,还包括非子像素区域,当非子像素区域中也设置有抗反射层20时,非子像素区域中的抗反射层20可与第一区域13中的抗反射层20相连且采用相同的材料制作,一方面可以简化抗反射层20的生产过程,另一方面还能够使得位于第一区域13和非子像素区域中的抗反射层20可靠发挥抗反射的作用。需要说明的是,本申请可通过曝光工艺、打印或者丝印的方式使得第一区域的抗反射层与备用导电衬垫单元对应的抗反射层断开。
在本发明的一种可选实施例中,请参见图2至图5,本申请实施例所提供的基板100中,在垂直于衬底P的方向,抗反射层20的厚度至少大于备用导电衬垫单元12的厚度,如此,有利于确保抗反射层20能够将备用导电衬垫单元12远离衬底P的表面可靠覆盖,以使得抗反射层20有效发挥抗反射的功能。
在本发明的一种可选实施例中,抗反射层20为黑色的光解或热解材料。其中,黑色的光解或热解材料包括掺杂碳黑的有机树脂或胶体、黑色光阻或黑矩阵等具备抗反射性能的材料。对于光解材料,在采用一定能量的光照射时将发生分解;对于热解材料,在对其进行一定温度的加热时将发生分解。
在本发明的一种可选实施例中,请参见图6和图7,其中,图6所示为图1中基板100的另一种AA’截面图,图7所示为图1中基板100的另一种AA’截面图,一个主导电衬垫单元11包括一个或两个导电衬垫,一个备用导电衬垫单元12,包括一个或两个导电衬垫。
具体地,本申请实施例所提供的基板100中,例如请参见图6,主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12可分别仅包括一个导电衬垫,此种结构的基板100对应的发光元件为垂直结构的发光元件,即发光元件30中的两个电极分别位于发光元件的不同侧,当将发光元件与此种结构的基板100中的主导电衬垫单元11或备用导电衬垫单元12电连接时,发光元件30中的一个电极与主导电衬垫单元11或备用导电衬垫单元12中的一个导电衬垫电连接。在本申请的一些其他实施例中,主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12所包含的导电衬垫的数量还可不同,其中一者可包括一个导电衬垫,另一者可包括两个导电衬垫,例如请参见图7,该实施例示出了主导电衬垫单元11中包括两个导电衬垫、备用导电衬垫单元12中包括一个导电衬垫的情形,当然,在本申请的一些其他实施例中,本申请的基板100还可体现为主导电衬垫单元11包括一个导电衬垫、备用导电衬垫单元12包括两个导电衬垫,在此不再进行图示。
基于同一发明构思,本申请还提供一种显示面板200,图8所示为本申请实施例所提供的显示面板200的一种俯视图,图9所示为图8中显示面板200的一种BB’截面图,该显示面板200包括多个发光元件30和上述任一实施例所提供的基板100;
发光元件30与子像素区域10一一对应设置,发光元件30位于抗反射层20远离衬底P的一侧,发光元件30与子像素区域10中的主导电衬垫单元11或备用导电衬垫单元12电连接。
具体地,请参见图8和图9,本申请实施例所提供的显示面板200在上述实施例所提供的基板100的基础上引入了发光元件30,发光元件30与基板100上的主导电衬垫单元11或备用导电衬垫单元12电连接。需要说明的是,通常,发光元件30是通过巨量转移的方式转移到基板100上,然后再与基板100上的各主导电衬垫单元11之间形成电连接。电连接完成后,检测发光元件30的发光情况,当某一或某些发光元件30未发光时,会在与不能发光的发光元件30对应的备用导电衬垫单元12上重新绑定新的发光元件30,替代不能发光的发光元件30进行发光,因此,当与主导电衬垫单元11电连接的发光元件30均能正常发光时,显示面板200上的发光元件30均是与主导电衬垫单元11电连接的;当部分与主导电衬垫单元11电连接的发光元件30不能发光时,显示面板200上会出现部分与备用导电衬垫单元12电连接的发光元件30,图8和图9所示实施例以发光元件30与部分备用导电衬垫单元12电连接的显示面板200为例进行说明。需要说明的是,本申请所提供的显示面板200中,在未与发光元件30电连接的备用导电衬垫单元12远离衬底P的一侧设置有抗反射层20,利用抗反射层20对此部分备用导电衬垫单元12进行覆盖,避免备用导电衬垫单元12的引入而导致显示面板200的反射率升高影响正常显示,因而有利于提高显示面板200在引入备用导电衬垫单元12后的显示效果。
在本发明的一种可选实施例中,图10所示为图8中显示面板200的一种CC’截面图,当发光元件30与备用导电衬垫单元12电连接时,与发光元件30电连接的备用导电衬垫单元12在衬底P的正投影与抗反射层在衬底P的正投影不交叠。
具体地,请参见图10,当发光元件30需要与备用导电衬垫单元12电连接时,可去除原本覆盖在备用导电衬垫单元12上的抗反射层,将备用导电衬垫单元12暴露,然后再实现发光元件30与该备用导电衬垫单元12之间的电连接,此时,发光元件30与备用导电衬垫单元12之间是没有抗反射层的,也就是说,与发光元件30电连接的备用导电衬垫单元12在衬底P的正投影与抗反射层在衬底P的正投影不交叠,此种设计有利于提升发光元件30与备用导电衬垫单元12之间电连接的可靠性,从而有利于提升发光元件的发光可靠性。
在本发明的一种可选实施例中,图11所示为图8中显示面板200的另一种CC’截面图,当发光元件30与备用导电衬垫单元12电连接时,在垂直于衬底P的方向,发光元件30与备用导电衬垫单元12之间包括抗反射层20,发光元件30与备用导电衬垫单元12通过键合的方式电连接。
具体地,图11示出了当发光元件30与备用导电衬垫单元12电连接时,未去除原本覆盖在备用导电衬垫单元12上的抗反射层20的情形,此时,发光元件30与备用导电衬垫单元12之间通过键合的方式电连接,发光元件30中的电极贯穿位于发光元件30与备用导电衬垫单元12之间的抗反射层20,通过压接的方式与备用导电衬垫单元12接触而形成电连接。需要说明的是,当发光元件30与备用导电衬垫单元12之间设置有抗反射层20时,位于备用导电衬垫单元12远离衬底P一侧表面上的抗反射层20的厚度优选小于发光元件30的电极的长度,以确保发光元件30的电极能够与备用导电衬垫单元12可靠接触而形成可靠电连接。当不去除备用导电衬垫单元12远离衬底P一侧的抗反射层20而实现发光元件30与备用导电衬垫单元12之间的电连接时,抗反射层20仍将备用导电衬垫单元12覆盖,因而有利于减小显示面板200的反射率,提高显示面板200的显示效果。
在本发明的一种可选实施例中,图12所示为图8中显示面板200的另一种BB’截面图,抗反射层20在衬底P上的正投影覆盖主导电衬垫单元11在衬底P上的正投影;当发光元件30与主导电衬垫单元11电连接时,在垂直于衬底P的方向,发光元件30与主导电衬垫单元11之间包括抗反射层20,发光元件30与主导电衬垫单元11通过键合的方式电连接。
具体地,图12示出了抗反射层20同时覆盖子像素区域10中的主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12的情形。当主导电衬垫单元11由抗反射层20覆盖时,发光元件30与主导电衬垫单元11之间设置有抗反射层20,在发光元件30与主导电衬垫单元11之间形成电连接时,二者通过键合的方式形成电连接,此时发光元件30的电极贯穿发光元件30与主导电衬垫单元11之间的抗反射层20而与主导电衬垫单元11接触,进而形成电连接。需要说明的是,当发光元件30与主导电衬垫单元11之间设置有抗反射层20时,位于主导电衬垫单元11远离衬底P一侧表面上的抗反射层20的厚度优选小于发光元件30的电极的长度,以确保发光元件30的电极能够与主导电衬垫单元11可靠接触而形成可靠电连接。当不去除主导电衬垫单元11远离衬底P一侧的抗反射层20而实现发光元件30与主导电衬垫单元11之间的电连接时,抗反射层20仍将主导电衬垫单元11覆盖,因而同样有利于减小显示面板200的反射率,提高显示面板200的显示效果。
还需说明的是,当发光元件30与备用导电衬垫单元12或主导电衬垫单元11之间设置有抗反射层20时,例如请参见图12,该抗反射层20优选为掺杂碳黑的有机树脂或胶体,树脂或胶体具备一定的弹性,有利于发光元件30的电极可靠贯穿该抗反射层20而与备用导电衬垫单元12或主导电衬垫单元11形成电连接。
在本发明的一种可选实施例中,图13所示为本申请实施例所提供的显示面板200中发光元件30的一种结构示意图,请结合图12和图13,发光元件30包括发光本体33以及分别与发光本体33电连接的第一电极31和第二电极32,第一电极31和第二电极32位于发光本体33的同一侧;
主导电衬垫单元11/备用导电衬垫单元12包括第一导电衬垫41和第二导电衬垫42,当发光元件30与主导电衬垫单元11/备用导电衬垫单元12电连接时,第一导电衬垫41与第一电极31电连接,第二导电衬垫42与第二电极32电连接。
具体地,本申请中主导电衬垫单元11或备用导电衬垫单元12中所包含的导电衬垫的数量与发光元件30的类型相关,图13示出了倒装结构的发光元件30的一种结构示意图,倒装结构的发光元件30中的第一电极31和第二电极32位于发光本体33的同一侧,此种结构对应的主导电衬垫单元11/备用导电衬垫单元12中包括两个导电衬垫,例如请参见图12,当发光元件30与主导电衬垫单元11/备用导电衬垫单元12形成电连接时,发光元件30的第一电极31与第一导电衬垫41形成电连接,第二电极32与第二导电衬垫42形成电连接,而且第一电极31与第一导电衬垫41之间的电连接过程以及第二电极32与第二导电衬垫42之间的电连接过程是可以同时完成的,因此倒装结构的发光元件30有利于简化显示面板200中发光元件30与基板100之间电连接的过程,有利于提升显示面板200的生产效率。
在本发明的一种可选实施例中,图14所示为本申请实施例所提供的显示面板200中发光元件30的另一种结构示意图,图15所示为图14中发光元件30与主导电衬垫单元11电连接的一种示意图,发光元件30包括发光本体33以及分别与发光本体33电连接的第一电极31和第二电极32,第一电极31和第二电极32分别位于发光本体33相对设置的两侧;
主导电衬垫单元11/备用导电衬垫单元12包括一个第三导电衬垫43,当发光元件30与主导电衬垫单元11/备用导电衬垫单元12电连接时,第三导电衬垫43与第一电极31和第二电极32中的一者电连接。
具体地,图14示出了垂直结构的发光元件30的一种结构示意图,垂直结构的发光元件30中,第一电极31和第二电极32分别位于发光本体33的两侧,当垂直结构的发光元件30与主导电衬垫单元11电连接时,主导电衬垫单元11仅包括一个第三导电衬垫43,发光元件30中的第一电极31与该第三导电衬垫43单元电连接。当向发光元件30的第一电极31和第二电极32分别提供不同的电信号时,方能驱动发光元件30发光,当将发光元件30的第一电极31和第二电极32中的一者与第三导电衬垫43电连接时,还需将第一电极31和第二电极32中的另一者与信号走线70电连接,从而通过信号走线70和第三导电衬垫43分别向第一电极31和第二电极32提供不同的信号,驱动发光元件30发光。
在本发明的一种可选实施例中,图16所示为利用封装层50将发光元件30进行封装的一种示意图,显示面板200还包括封装层50,封装层50位于发光元件30远离主导电衬垫单元11或备用导电衬垫单元12的一侧,且封装层50在衬底P的正投影覆盖衬底P。
具体地,请参见图16,本申请所提供的显示面板200中,利用封装层50对发光元件30进行封装,且封装层50在衬底P的正投影覆盖衬底P,封装层50能够有效阻挡外界的水分和氧气进入发光元件30,避免外界水分和氧气对发光元件30的正常发光造成影响,从而有利于提升显示面板200中发光元件30的发光可靠性。
在本发明的一种可选实施例中,请参见图17,图17所示为利用封装层50将发光元件30进行封装的另一种示意图,当发光元件30与备用导电衬垫单元12电连接时,封装层50上包括第一凹槽51,第一凹槽51暴露备用导电衬垫单元12或暴露与备用导电衬垫单元12对应的抗反射层20,发光元件30的至少部分设置于第一凹槽51中。
具体地,图17示出了垂直结构的发光元件30与基板100电连接时,封装层50将发光元件30封装的一种结构示意图,该实施例中,岛状结构的发光元件30与备用导电衬垫单元12电连接,需要说明的是,当发光元件30未与备用导电衬垫单元12电连接时,备用导电衬垫远离衬底P的一侧是由封装层50覆盖的,当需要将发光元件30与备用导电衬垫电连接时,需要将备用导电衬垫单元12远离衬底P的表面的至少部分封装层50去除,例如形成如图17所示的第一凹槽51,该第一凹槽51暴露备用导电衬垫单元12或暴露与备用导电衬垫单元12对应的抗反射层20,图17示出了第一凹槽51直接暴露与备用导电衬垫单元12对应的抗反射层20的情形,发光元件30设置于该第一凹槽51中通过压接键合的方式实现与备用导电衬垫单元12的电连接。还需说明的是,当发光元件30为垂直结构的发光元件30时,请继续参见图17,当垂直结构的发光元件30与主导电衬垫单元11电连接时,发光元件30中的一个电极(此处为第一电极31)与主导电衬垫单元11中的导电衬垫电连接,同时需要在封装层50上形成另一凹槽(此处为第二凹槽52),暴露发光元件30中未与主导电衬垫单元11电连接的电极(即第二电极32),从而使得该电极得以与外部的信号走线70电连接,从而使得主导电衬垫单元11和外部的信号走线70一起实现对发光元件30的驱动。需要说明的是,本申请可采用激光打孔的方式对封装层进行处理,从而在封装层上形成第一凹槽51和第二凹槽52。
在本发明的一种可选实施例中,发光元件30为Mini LED或Micro LED。具体地,本申请所提供的显示面板200中,将Mini LED或Micro LED应用为发光元件30,使显示面板200具备了高亮度、低功耗、耐高低温和寿命更长的优势。
基于同一发明构思,本申请还提供一种显示面板200的组装检测方法,图18所示为本申请实施例所提供的显示面板200的组装检测方法的一种流程图,该组装检测方法应用于上述任一实施例所提供的显示面板200,同一子像素区域10中的主导电衬垫单元11和备用导电衬垫单元12与同一驱动电路60电连接,请结合图8-9、图18,组装检测方法包括:
步骤101:在备用导电衬垫单元12朝向显示面板200的衬底P的一侧制作抗反射层20,使抗反射层20在衬底P的正投影至少覆盖备用导电衬垫单元12在衬底P的正投影,请参见图19,图19所示为在备用导电衬垫单元远离衬底的一侧形成抗反射层的一种示意图;
步骤102:将发光元件30均与主导电衬垫单元11电连接,请参见图20,图20所示为将发光元件与主导电衬垫单元电连接的一种示意图;
步骤103:检测各发光元件30的发光情况,若存在至少一个子像素区域10中的发光元件30不发光,则移除不发光的发光元件30,或者,断开驱动电路60与该子像素区域10中的主导电衬垫单元11之间的电连接;将备用的发光元件30与该子像素区域10中的备用导电衬垫单元12电连接,请参见图21,图21所示为将备用的发光元件与备用导电衬垫单元电连接的一种示意图,图21示出了将原本与主导电衬垫单元电连接的发光元件去除,并在对应的备用导电衬垫单元上绑定备用的发光元件的方案。
具体地,以下将结合图22-图24对显示面板200的检测过程进行说明,其中,图22所示为发光元件30与主导电衬垫单元11绑定时的一种连接关系图,图23所示为当检测到发光元件30不发光时切断主导电衬垫单元11与驱动电路60之间电连接的一种示意图,图24所示为在备用导电衬垫单元12上绑定备用发光元件30的一种示意图,驱动电路包括两个输出端子,分别为第一输出端61和第二输出端62,主导电衬垫单元11中的第一导电衬垫和备用导电衬垫单元12中的第一导电衬垫分别与第一输出端61电连接,主导电衬垫单元11中的第二导电衬垫和备用导电衬垫单元12中的第二导电衬垫分别与第二输出端62电连接。在完成基板100的生产后,通常会通过巨量转移的方式将发光元件30转移到基板100上方,然后将各发光元件30分别与基板100上的主导电衬垫单元11电连接,如图22所示。然后对各发光元件30的发光情况进行检测,当检测到某一发光元件30不发光时,可通过激光切断的方式断开该不发光的发光元件30对应的主导电衬垫单元11与驱动电路60之间的电连接,例如请参见图23。最后,在备用导电衬垫单元12上绑定备用的发光元件30,从而实现对显示面板200的修复。需要说明的是,位于主导电衬垫单元11上的不发光的发光元件30,可将其移除,或者也可保留在原来位置,本申请对此不进行具体限定,图24中示出了将不发光的发光元件移除的方案。
本申请中在完成组装检测的显示面板200中,在未与发光元件30电连接的备用导电衬垫单元12远离衬底P的一侧设置有抗反射层20,利用抗反射层20对此部分备用导电衬垫单元12进行覆盖,避免备用导电衬垫单元12的引入而导致显示面板200的反射率升高影响正常显示,因而有利于提高显示面板200在引入备用导电衬垫单元12后的显示效果。
在本发明的一种可选实施例中,备用的发光元件30与子像素区域10中的备用导电衬垫单元12通过键合的方式形成电连接。
具体地,请结合图11,图11示出了当发光元件30与备用导电衬垫单元12电连接时,并未去除原本覆盖在备用导电衬垫单元12上的抗反射层20的情形,此时,发光元件30与备用导电衬垫单元12之间通过键合的方式电连接,发光元件30中的电极贯穿位于发光元件30与备用导电衬垫单元12之间的抗反射层20,与备用导电衬垫单元12接触而形成电连接。需要说明的是,当发光元件30与备用导电衬垫单元12之间设置有抗反射层20时,位于备用导电衬垫单元12远离衬底P一侧表面上的抗反射层20的厚度优选小于发光元件30的电极的长度,以确保发光元件30的电极能够与备用导电衬垫单元12可靠接触而形成可靠电连接。当不去除备用导电衬垫单元12远离衬底P一侧的抗反射层20而实现发光元件30与备用导电衬垫单元12之间的电连接时,抗反射层20仍将备用导电衬垫单元12覆盖,因而同样有利于减小显示面板200的反射率,提高显示面板200的显示效果。
在本发明的一种可选实施例中,上述步骤103中,在将备用的发光元件30与该子像素区域10中的备用导电衬垫单元12电连接之前,还包括:对与该子像素区域10中备用导电衬垫单元12对应的抗反射层20进行光照或加热,使该子像素区域10中备用导电衬垫单元12对应的抗反射层20分解,暴露备用导电衬垫单元12。
具体地,请结合图10,当发光元件30需要与备用导电衬垫单元12电连接时,可去除原本覆盖在备用导电衬垫单元12上的抗反射层,将备用导电衬垫单元12暴露,然后再实现发光元件30与该备用导电衬垫单元12之间的电连接,此时,发光元件30与备用导电衬垫单元12之间是没有抗反射层的,也就是说,与发光元件30电连接的备用导电衬垫单元12在衬底P的正投影与抗反射层20在衬底P的正投影不交叠,此种设计有利于提升发光元件30与备用导电衬垫单元12之间电连接的可靠性。需要说明的是,由于抗反射层是光解或热解材料,因此,可通过光照或加热的方式来处理对应备用导电衬垫单元12上的抗反射层,使此部分抗反射层20分解而将备用导电衬垫单元12暴露。
在本发明的一种可选实施例中,请参见图16,发光元件30包括发光本体33以及分别与发光本体33电连接的第一电极31和第二电极32,第一电极31和第二电极32位于发光本体33的同一侧;在检测各发光元件30的发光情况之后,还包括:在发光元件30远离主导电衬垫单元11或备用导电衬垫单元12的一侧制作封装层50,使封装层50在衬底P的正投影覆盖衬底P。
具体地,请参见图16,本申请所提供的显示面板200中,利用封装层50对发光元件30进行封装,且封装层50在衬底P的正投影覆盖衬底P,封装层50能够有效阻挡外界的水分和氧气进入发光元件30,避免外界水分和氧气对发光元件30的正常发光造成影响,从而有利于提升显示面板200中发光元件30的发光可靠性。需要说明的是,当发光元件30为倒装结构的发光元件30时,即发光元件30的第一电极31和第二电极32均位于发光本体33的同一侧时,在检测完发光情况后,如有发光元件30不发光,则在备用导电衬垫上绑定备用发光元件30,然后再在各发光元件30远离衬底P的一侧对发光元件30进行封装,也就是说,对于倒装结构的发光元件30,可完成检测后再进行统一封装,此种结构有利于简化显示面板200的检测及封装的过程,提高显示面板200的生产效率。
在本发明的一种可选实施例中,请结合图17,发光元件30包括发光本体33以及分别与发光本体33电连接的第一电极31和第二电极32,第一电极31和第二电极32分别位于发光本体33相对设置的两侧;
上述步骤102中,将发光元件30均与主导电衬垫单元11电连接,具体为:将发光元件30的第一电极31与主导电衬垫单元11电连接;
在检测各发光元件30的发光情况之前,还包括:
在发光元件30远离主导电衬垫单元11或备用导电衬垫单元12的一侧制作封装层50,使封装层50在衬底P的正投影覆盖衬底P;
在封装层50上形成第一凹槽51和第二凹槽52,第一凹槽51暴露备用导电衬垫单元12或暴露与备用导电衬垫单元12对应的抗反射层20,第二凹槽52暴露发光元件30的第二电极32。
具体地,请结合图17,当发光元件30为垂直结构时,也就是说,发光元件30的第一电极31和第二电极32分别位于发光本体33的两侧时,对发光元件30的进行的封装操作是在检测操作之前进行的,在将发光元件30的第一电极31与主导电衬垫单元11电连接后,利用封装层50对发光元件30进行封装,在封装层50上形成第二凹槽52,以暴露发光元件30的第二电极32,从而实现第二电极32与外部信号走线70之间的电连接,如此可通过主导电衬垫单元11和外部信号走线70向发光元件30提供驱动信号,控制发光元件30发光。在检测发光元件30的发光情况时,若发现某一发光元件30不发光,则在对应的备用导电衬垫单元12之上的封装层50上形成第一凹槽51,该第一凹槽51暴露备用导电衬垫单元12或暴露与备用导电衬垫单元12对应的抗反射层20,然后再将发光元件30置于该第一凹槽51中,实现发光元件30与备用导电衬垫单元12的电连接。
综上,本发明提供的基板、显示面板及其组装检测方法,至少实现了如下的有益效果:
本发明所提供的基板、显示面板及其组装检测方法中,基板包括若干阵列排布的子像素区域,每个子像素区域均包括主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元,特别是,本申请中的基板还包括抗反射层,该抗反射层在衬底上的正投影至少覆盖备用导电衬垫单元在衬底上的正投影,如此有效避免了备用导电衬垫单元的引入而导致基板反射率升高的问题。在显示面板中,即使部分备用导电衬垫单元与发光元件电连接后,其余未与发光元件电连接的备用导电衬垫单元在靠近显示面板的出光面的一侧也由抗反射层覆盖,因此同样有利于降低显示面板的反射率,避免显示面板的反射率高对显示面板的正常显示造成影响,因而还有利于改善显示面板的显示效果。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本发明的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (21)

1.一种基板,其特征在于,包括衬底,所述基板包括若干阵列排布的子像素区域,每个所述子像素区域包括设置在所述衬底上的主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元,所述衬底靠近所述主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元的一侧设有抗反射层,所述抗反射层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述备用导电衬垫单元在所述衬底上的正投影。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述抗反射层在所述衬底上的正投影还覆盖所述主导电衬垫单元在所述衬底上的正投影。
3.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述抗反射层在所述衬底上的正投影覆盖整个衬底。
4.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,所述子像素区域还包括位于所述主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元之间的第一区域,位于所述第一区域中的抗反射层与位于所述备用导电衬垫单元远离所述衬底一侧的抗反射层不连接。
5.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,在垂直于所述衬底的方向,所述抗反射层的厚度至少大于所述备用导电衬垫单元的厚度。
6.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述抗反射层为黑色的光解或热解材料。
7.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,一个所述主导电衬垫单元包括一个或两个导电衬垫,一个所述备用导电衬垫单元,包括一个或两个导电衬垫。
8.一种显示面板,其特征在于,包括多个发光元件和权利要求1至7中任一所述的基板;
所述发光元件与所述子像素区域一一对应设置,所述发光元件位于所述抗反射层远离所述衬底的一侧,所述发光元件与所述子像素区域中的主导电衬垫单元或备用导电衬垫单元电连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,当所述发光元件与所述备用导电衬垫单元电连接时,与所述发光元件电连接的所述备用导电衬垫单元在所述衬底的正投影与所述抗反射层在所述衬底的正投影不交叠。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,当所述发光元件与所述备用导电衬垫单元电连接时,在垂直于所述衬底的方向,所述发光元件与所述备用导电衬垫单元之间包括所述抗反射层,所述发光元件与所述备用导电衬垫单元通过键合的方式电连接。
11.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述抗反射层在所述衬底上的正投影覆盖所述主导电衬垫单元在所述衬底上的正投影;
当所述发光元件与所述主导电衬垫单元电连接时,在垂直于所述衬底的方向,所述发光元件与所述主导电衬垫单元之间包括所述抗反射层,所述发光元件与所述主导电衬垫单元通过键合的方式电连接。
12.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述发光元件包括发光本体以及分别与发光本体电连接的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极位于所述发光本体的同一侧;
所述主导电衬垫单元/备用导电衬垫单元包括第一导电衬垫和第二导电衬垫,当所述发光元件与所述主导电衬垫单元/备用导电衬垫单元电连接时,所述第一导电衬垫与所述第一电极电连接,所述第二导电衬垫与所述第二电极电连接。
13.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述发光元件包括发光本体以及分别与发光本体电连接的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别位于所述发光本体相对设置的两侧;
所述主导电衬垫单元/备用导电衬垫单元包括一个第三导电衬垫,当所述发光元件与所述主导电衬垫单元/备用导电衬垫单元电连接时,所述第三导电衬垫与所述第一电极和所述第二电极中的一者电连接。
14.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,还包括封装层,所述封装层位于所述发光元件远离所述主导电衬垫单元或备用导电衬垫单元的一侧,且所述封装层在所述衬底的正投影覆盖所述衬底。
15.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,当所述发光元件与所述备用导电衬垫单元电连接时,所述封装层上包括第一凹槽,所述第一凹槽暴露所述备用导电衬垫单元或暴露与备用导电衬垫单元对应的抗反射层,所述发光元件的至少部分设置于所述第一凹槽中。
16.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述发光元件为MiniLED或MicroLED。
17.一种显示面板的组装检测方法,其特征在于,应用于权利要求8-16任一项所述的显示面板,同一所述子像素区域中的主导电衬垫单元和备用导电衬垫单元与同一驱动电路电连接,所述组装检测方法包括:
在所述备用导电衬垫单元朝向所述显示面板的衬底的一侧制作抗反射层,使所述抗反射层在所述衬底的正投影至少覆盖所述备用导电衬垫单元在所述衬底的正投影;
将所述发光元件均与所述主导电衬垫单元电连接;
检测各所述发光元件的发光情况,若存在至少一个子像素区域中的发光元件不发光,则移除不发光的发光元件,或者,断开驱动电路与该子像素区域中的主导电衬垫单元之间的电连接;将备用的发光元件与该子像素区域中的备用导电衬垫单元电连接。
18.根据权利要求17所述的组装检测方法,其特征在于,备用的发光元件与所述子像素区域中的备用导电衬垫单元通过键合的方式形成电连接。
19.根据权利要求17所述的组装检测方法,其特征在于,在所述将备用的发光元件与该子像素区域中的备用导电衬垫单元电连接之前,还包括:对与该子像素区域中备用导电衬垫单元对应的抗反射层进行光照或加热,使该子像素区域中备用导电衬垫单元对应的抗反射层分解,暴露所述备用导电衬垫单元。
20.根据权利要求17所述的组装检测方法,其特征在于,所述发光元件包括发光本体以及分别与发光本体电连接的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极位于所述发光本体的同一侧;
在所述检测各所述发光元件的发光情况之后,还包括:在所述发光元件远离所述主导电衬垫单元或备用导电衬垫单元的一侧制作封装层,使所述封装层在所述衬底的正投影覆盖所述衬底。
21.根据权利要求17所述的组装检测方法,其特征在于,所述发光元件包括发光本体以及分别与发光本体电连接的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别位于所述发光本体相对设置的两侧;
所述将所述发光元件均与所述主导电衬垫单元电连接,具体为:将所述发光元件的第一电极与所述主导电衬垫单元电连接;
在所述检测各所述发光元件的发光情况之前,还包括:
在所述发光元件远离所述主导电衬垫单元或备用导电衬垫单元的一侧制作封装层,使所述封装层在所述衬底的正投影覆盖所述衬底;
在封装层上形成第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽暴露所述备用导电衬垫单元或暴露与备用导电衬垫单元对应的抗反射层,所述第二凹槽暴露所述发光元件的第二电极。
CN202010619724.XA 2020-06-30 2020-06-30 基板、显示面板及其组装检测方法 Active CN111834513B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010619724.XA CN111834513B (zh) 2020-06-30 2020-06-30 基板、显示面板及其组装检测方法
US17/009,950 US11527690B2 (en) 2020-06-30 2020-09-02 Substrate, display panel and assembly detection method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010619724.XA CN111834513B (zh) 2020-06-30 2020-06-30 基板、显示面板及其组装检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111834513A true CN111834513A (zh) 2020-10-27
CN111834513B CN111834513B (zh) 2021-12-28

Family

ID=72899939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010619724.XA Active CN111834513B (zh) 2020-06-30 2020-06-30 基板、显示面板及其组装检测方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11527690B2 (zh)
CN (1) CN111834513B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331689A (zh) * 2020-10-30 2021-02-05 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置
CN112786641A (zh) * 2021-01-29 2021-05-11 錼创显示科技股份有限公司 可选择性修补的微型发光二极管显示器及其修补方法
US12094999B2 (en) 2021-01-29 2024-09-17 PlayNitride Display Co., Ltd. Selectable-repairing micro light emitting diode display and repairing method thereof

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220140192A1 (en) * 2020-11-04 2022-05-05 Excellence Opto. Inc. Light-emitting diode chip structure
TWI798845B (zh) * 2021-09-28 2023-04-11 友達光電股份有限公司 發光面板

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1519618A (zh) * 2003-01-22 2004-08-11 统宝光电股份有限公司 降低反射的液晶显示器
CN103064134A (zh) * 2011-10-20 2013-04-24 佳能化成株式会社 光学器件用内面抗反射黑色涂料
CN103715231A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板、显示装置
CN104659056A (zh) * 2013-11-19 2015-05-27 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN105023522A (zh) * 2015-06-01 2015-11-04 友达光电股份有限公司 显示面板及其修补方法
CN105655366A (zh) * 2016-02-23 2016-06-08 上海天马微电子有限公司 显示屏以及显示装置
CN106206651A (zh) * 2015-05-28 2016-12-07 美科米尚技术有限公司 发光二极管显示装置及其制造方法
CN107316948A (zh) * 2017-06-29 2017-11-03 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
US20180019280A1 (en) * 2016-07-13 2018-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing image sensors

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8791474B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US10700120B2 (en) * 2015-01-23 2020-06-30 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
CN108591974A (zh) 2018-04-24 2018-09-28 武汉华星光电技术有限公司 驱动基板、制备方法及微型led阵列发光背光模组
KR102674764B1 (ko) * 2019-04-10 2024-06-14 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1519618A (zh) * 2003-01-22 2004-08-11 统宝光电股份有限公司 降低反射的液晶显示器
CN103064134A (zh) * 2011-10-20 2013-04-24 佳能化成株式会社 光学器件用内面抗反射黑色涂料
CN104659056A (zh) * 2013-11-19 2015-05-27 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN103715231A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板、显示装置
CN106206651A (zh) * 2015-05-28 2016-12-07 美科米尚技术有限公司 发光二极管显示装置及其制造方法
CN105023522A (zh) * 2015-06-01 2015-11-04 友达光电股份有限公司 显示面板及其修补方法
CN105655366A (zh) * 2016-02-23 2016-06-08 上海天马微电子有限公司 显示屏以及显示装置
US20180019280A1 (en) * 2016-07-13 2018-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing image sensors
CN107316948A (zh) * 2017-06-29 2017-11-03 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331689A (zh) * 2020-10-30 2021-02-05 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置
CN112786641A (zh) * 2021-01-29 2021-05-11 錼创显示科技股份有限公司 可选择性修补的微型发光二极管显示器及其修补方法
US12094999B2 (en) 2021-01-29 2024-09-17 PlayNitride Display Co., Ltd. Selectable-repairing micro light emitting diode display and repairing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US20210408349A1 (en) 2021-12-30
CN111834513B (zh) 2021-12-28
US11527690B2 (en) 2022-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111834513B (zh) 基板、显示面板及其组装检测方法
US10763302B2 (en) Display panel and repairing method therefor
US8530924B2 (en) Organic photoelectric device
JP4679922B2 (ja) El光源体
US8344389B2 (en) Optoelectronic device array
CN102347404A (zh) 发光装置的检查方法及发光装置的检查之后的处理方法
JP2019149547A (ja) Rgb−ledパッケージモジュール及びそのディスプレイ
CN111341792A (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示面板的制作方法
CN113948626A (zh) 显示装置、显示屏和显示装置的制作方法
CN113394327A (zh) 一种led显示屏的封装方法及封装结构、led显示屏
CN101894892A (zh) 发光二极管晶元封装体及其制造方法
CN116598400A (zh) 发光器件、显示面板及其修复方法、显示装置
US20220375407A1 (en) Pixel structure having repairing light emitting diode die and extending conductor and display having pixel structure
KR101448165B1 (ko) 금속 본딩 회로 패턴을 독립적으로 구성하고,어레이가 형성되어 직병렬 연결 구조가 가능하게 한 cob 또는 com 형태의 led 모듈
CN112952022B (zh) 电子设备、显示屏及其制备方法
JP3894068B2 (ja) 多数個取り基板及びその製造方法
KR20120116945A (ko) 발광 장치
US11411149B2 (en) Array substrate, display panel, and manufacturing method of display panel
CN101783341B (zh) 具有散热结构的发光二极管光源模块
CN109640511B (zh) 柔性电路板及其制作方法与oled显示装置
CN221150066U (zh) Mip芯片结构、显示面板及显示装置
CN112928104A (zh) 一种显示面板以及显示装置
CN118303149A (zh) 显示基板及透明显示装置
CN117438437A (zh) 电路基板与具有电路基板的发光面板
CN115985897A (zh) 透明显示器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant