CN115985897A - 透明显示器 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
本发明提供一种透明显示器,包括一封装集成电路,其中该封装集成电路的一正面以及一背面均包括有多个电极,以及一发光组件,位于该封装集成电路的一正面上,从一垂直方向来看,该发光组件与该封装集成电路部分重叠,并且与该封装集成电路的该正面上的该电极电性连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种透明显示器,尤其是涉及一种将发光组件与封装集成电路叠合的透明显示器,具有较小组件面积的优点。
背景技术
随着显示技术的进步,除了一般的显示器之外,业界也开始研发将发光组件制作于透明的基板(例如玻璃)上的显示器,又可称为透明显示器,其同时具有透光以及显示器的功能。当发光组件不启动时,可以当作普通的透光玻璃使用,而当发光组件启动时,则能在透明的玻璃上产生图案,以显示例如商标或是广告等。
图1绘示一种现有的透明显示器的剖面结构图,如图1所示,封装集成电路IC作为控制器连接发光组件10(例如发光二极管),两者之间通过多条导线12相连。其中上述组件位于一不透明载板14(例如为PCB板)上,然后不透明载板14再位于一透明基板16(例如玻璃)上。上述结构中,增加发光组件10的数量时,不透明载板14的面积也会随之变大以容纳更多个发光组件10。但不透明载板14的面积增大,由于透明基板16(例如玻璃或窗户)的面积不变,将会导致透明基板16的透光面积变少,进而影响到总透光率(也就是透明基板可透光的面积/透明基板的总面积)。
因此,需要一种新的结构,在提高透明显示器的发光效率的同时,也能维持良好的透光率。
发明内容
本发明提供一种透明显示器,包括一封装集成电路,其中该封装集成电路的一正面以及一背面均包括有多个电极,以及一发光组件,位于该封装集成电路的正面上,从一垂直方向来看,该发光组件与该封装集成电路部分重叠,并且与该封装集成电路的该正面上的该电极电性连接。
本发明的特征在于,将封装集成电路(IC)的引脚设计至封装集成电路结构的顶面以及底面,且发光组件(例如发光二极管)堆栈在封装集成电路上,而不需要占用其他空间。在多数的情况下,发光组件可以直接电性连接封装集成电路的引脚,因此也不需要再额外形成导线。本发明可以直接将封装集成电路与发光组件的堆栈结构设置在透明基板上,因此省略了不透明载板,可以大幅度减少组件的占用面积,并且明显提高透明显示器的总透光率。
附图说明
图1绘示一种现有的透明显示器的剖面结构图。
图2绘示根据本发明第一较佳实施例的一种透明显示器的剖面结构图。
图3绘示根据本发明第二较佳实施例的一种透明显示器的剖面结构图。
图4绘示根据本发明第三较佳实施例的一种透明显示器的剖面结构图。
附图标记
IC:封装集成电路
10:发光组件
12:导线
14:不透明载板
16:透明基板
18:透明导线
20:封装集成电路
20A:顶面
20B:底面
20C:电极
20D:电极
22:导线
30:发光组件
30A:引脚
32:导线
40:保护层
50:透明显示器
具体实施方式
为使本发明所属技术领域的技术人员能更进一步了解本发明,下文特列举本发明之较佳实施例,并配合所附图式,详细说明本发明的构成内容及所欲达成之功效。
为了方便说明,本发明之各图式仅为示意以更容易了解本发明,其详细的比例可依照设计的需求进行调整。在文中所描述对于图形中相对组件之上下关系,在本领域之人皆应能理解其指对象之相对位置而言,因此皆可以翻转而呈现相同之构件,此皆应同属本说明书所揭露之范围,在此容先叙明。
请参考图2,其绘示根据本发明第一较佳实施例的一种透明显示器的剖面结构图。如图2所示,首先提供一透明基板16,透明基板16例如为玻璃,在透明基板16上可镀上以透明导电材质(例如铟锡氧化物,ITO)等构成的透明导线18,其中透明基板16可以作为透明显示器的基板,例如于窗户上产生发光显示效果时所用的透明玻璃,但本发明不限于此。
接下来,在透明基板16上形成一封装集成电路(IC)20,其中值得注意的是,本实施例中封装集成电路20的内部结构大致上与现有的封装集成电路类似,包括许多例如开关组件等逻辑组件,可以作为控制器使用。然而本实施例中封装集成电路20的引脚并非如同一般现有的封装集成电路位于两侧,而是位于封装集成电路20的顶面20A以及底面20B。也就是说,通过设计将封装集成电路20的引脚从顶面20A以及底面20B延伸,在顶面20A以及底面20B分别留下多个可导电的电极20C以及电极20D,以用来连接其他电子组件(例如用来连接发光组件等)。
然后,形成发光组件30,例如为发光二极管,或进一步包括有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED),但不以此为限。其中发光组件30可发出单色或是多色混合光,例如红光、蓝光、绿光或是其他由多种颜色的组合的混合光(白光等),本发明并不以此为限。值得注意的是,本实施例中的发光组件30直接设置并堆栈在封装集成电路20上,较佳而言,发光组件30的引脚30A可以直接接触并且电性连接封装集成电路20顶面20A上方的电极20C。换句话说,可以在设计封装集成电路20的结构时,将封装集成电路20的电极20C设计成符合发光组件30的引脚30A的位置排列。如此一来,发光组件30可以直接安装于封装集成电路20的顶面20A的电极20C上,而且由于其位置相互匹配,也不需要额外设置导线以连接彼此。
在一些实施例中,一个封装集成电路20上可以设置单个或是多个发光组件30,本发明并不限制一个封装集成电路20上所设置的发光组件30的数量。
接下来,形成一保护层40,覆盖住封装集成电路20以及位于其上的发光组件30,其中保护层40包括透明的绝缘材料,例如硅胶或环氧树脂等。保护层40可以用来固定发光组件30的位置,且可以防止外界的灰尘或是水气等接触发光组件30以及封装集成电路20,达到保护组件的功效。
在形成保护层40之后,透明基板16、封装集成电路20、发光组件30以及保护层40共同构成一个透明显示器50,其中透明显示器50包括有堆栈于封装集成电路20上的发光组件30,且透明显示器50的封装集成电路20直接安装于包括有透明导线18的透明基板16上(通过封装集成电路20的电极20D电性连接透明导线18),而且不需要额外形成不透明载板来承载封装集成电路20与发光组件30,因此可以省去部分制程时间、节省成本、并且可以减少组件所占用的面积以提高透明显示器的整体透光率。
下文将针对本发明之透明显示器及其制作方法的不同实施样态进行说明,且为简化说明,以下说明主要针对各实施例不同之处进行详述,而不再对相同之处作重复赘述。此外,本发明之各实施例中相同之组件以相同的附图标记进行标示,以利于各实施例间互相对照。
在上述实施例中,由于发光组件30直接接触封装集成电路20的电极20C,因此不需要形成额外的导线来连接封装集成电路20与发光组件30。然而,在本发明的其他实施例中,也可以依照需求配置导线,以连接封装集成电路与发光组件。请参考图3,其绘示根据本发明第二较佳实施例的一种透明显示器的剖面结构图。如图3所示,本实施例中同样包括有透明基板16,其上包括有透明导线18,封装集成电路20位于透明基板16上,封装集成电路20的正面20A包括有电极20C、封装集成电路20的背面20B包括有电极20D并且电性连接透明导线18。值得注意的是,本实施例中发光组件30虽然也是堆栈于封装集成电路20上,但是发光组件30的引脚30A并不是直接位于电极20C,而是另外形成导线32以连接封装集成电路20以及发光组件30。再形成保护层40覆盖于发光组件30与封装集成电路20上。本实施例的优点在于,当封装集成电路20上的电极20C的位置并不匹配发光组件30的引脚30A的位置时,仍可以用导线32以连接封装集成电路20与发光组件30。如此一来,可以提高发光组件30配置的灵活度。
在其他实施例中,请参考图4,其绘示根据本发明第三较佳实施例的一种透明显示器的剖面结构图。如图4所示,本实施例中同样包括有透明基板16,其上包括有透明导线18,封装集成电路20位于透明基板16上,封装集成电路20的正面20A包括有电极20C。值得注意的是,本实施例中封装集成电路20的背面并不包括有电极,而可以通过导线22来电性连接封装集成电路20上的电极20C以及下方透明基板16上的透明导线18。同样地,发光组件30也可以将引脚30A设置于正面,因此发光组件30与封装集成电路20之间也可以通过导线32相互连接。再形成保护层40覆盖于发光组件30与封装集成电路20上。本实施例的优点在于,封装集成电路20仅形成单面的电极20C,因此在制程上会比较容易制作。本实施例由于发光组件30也是堆栈于封装集成电路20上,所以同样可以达到节省面积、增加整体透光率的功效。
综合以上说明书与图式,本发明提供一种透明显示器,包括一封装集成电路20,其中封装集成电路20的一正面20A以及一背面20B均包括有多个电极20C、20D,以及一发光组件302,位于封装集成电路20的正面20A上,从一垂直方向来看,发光组件30与封装集成电路20部分重叠,并且与封装集成电路20的正面20A上的电极20C电性连接。
在本发明的一些实施例中,其中更包括有一保护层40,覆盖于封装集成电路20的正面20A以及发光组件30上。
在本发明的一些实施例中,其中保护层40的材质包括透明的硅胶或环氧树脂。
在本发明的一些实施例中,其中更包括有一透明基板16,且封装集成电路20的背面20B与透明基板16上的多条透明导线18直接接触。
在本发明的一些实施例中,其中封装集成电路20与透明基板16之间不包括有其他不透明载板。
在本发明的一些实施例中,其中从垂直方向来看,发光组件30与封装集成电路20的正面20A上的电极20C重叠。
在本发明的一些实施例中,其中从垂直方向来看,发光组件30与封装集成电路20的正面20A上的电极20C不重叠,并且更包括有一导线32电性连接发光组件30以及封装集成电路20的正面20A上的电极20C。
在本发明的一些实施例中,其中发光组件30包括有发光二极管。
本发明的特征在于,将封装集成电路(IC)的引脚设计至封装集成电路结构的顶面以及底面,且发光组件(例如发光二极管)堆栈在封装集成电路上,而不需要占用其他空间。在多数的情况下,发光组件可以直接电性连接封装集成电路的引脚,因此也不需要再额外形成导线。本发明可以直接将封装集成电路与发光组件的堆栈结构设置在透明基板上,因此省略了不透明载板,可以大幅度减少组件的占用面积,并且明显提高透明显示器的总透光率。
以上所述仅为本发明之较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做之均等变化与修饰,皆应属本发明之涵盖范围。
Claims (9)
1.一种透明显示器,其特征在于,包括:
一封装集成电路,其中所述封装集成电路的一正面以及一背面均包括有多个电极;以及
一发光组件,位于所述封装集成电路的所述正面上,从一垂直方向来看,所述发光组件与所述封装集成电路部分重叠,并且与所述封装集成电路的所述正面上的所述电极电性连接。
2.如权利要求1所述的透明显示器,其特征在于,还包括有一保护层,覆盖于所述封装集成电路的所述正面以及所述发光组件上。
3.如权利要求2所述的透明显示器,其特征在于,所述保护层的材质包括透明的硅胶或环氧树脂。
4.如权利要求1所述的透明显示器,其特征在于,还包括有一透明基板,且所述封装集成电路的所述背面与所述透明基板上的多条透明导线直接接触。
5.如权利要求4所述的透明显示器,其特征在于,所述多条透明导线的材质包括铟锡氧化物。
6.如权利要求4所述的透明显示器,其特征在于,所述封装集成电路与所述透明基板之间不包括有其他不透明载板。
7.如权利要求1所述的透明显示器,其特征在于,从所述垂直方向来看,所述发光组件与所述封装集成电路的所述正面上的所述电极重叠。
8.如权利要求1所述的透明显示器,其特征在于,从所述垂直方向来看,所述发光组件与所述封装集成电路的所述正面上的所述电极不重叠,并且所述透明显示器还包括有一导线电性连接所述发光组件以及所述封装集成电路的所述正面上的所述电极。
9.如权利要求1所述的透明显示器,其特征在于,所述发光组件包括有发光二极管。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW110137990A TW202316656A (zh) | 2021-10-13 | 2021-10-13 | 透明顯示器 |
TW110137990 | 2021-10-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115985897A true CN115985897A (zh) | 2023-04-18 |
Family
ID=85797994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111328780.9A Pending CN115985897A (zh) | 2021-10-13 | 2021-11-10 | 透明显示器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230112703A1 (zh) |
CN (1) | CN115985897A (zh) |
TW (1) | TW202316656A (zh) |
-
2021
- 2021-10-13 TW TW110137990A patent/TW202316656A/zh unknown
- 2021-11-10 CN CN202111328780.9A patent/CN115985897A/zh active Pending
- 2021-12-27 US US17/562,018 patent/US20230112703A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230112703A1 (en) | 2023-04-13 |
TW202316656A (zh) | 2023-04-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |