CN105655366A - 显示屏以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示屏以及显示装置，其中显示屏为直下式纳米线发光二极管显示屏，包括像素单元，像素单元包括：基板；金属层，金属层位于基板上；抗反射层，抗反射层位于金属层背离基板的一侧，且在第一方向上覆盖金属层，第一方向垂直于基板；发光区，发光区包括纳米线发光元件。本发明实施例提供的显示屏，能够有效地减弱甚至消除显示屏像素单元的金属层对于外部光线的反射作用，改善显示屏在强光照射下的显示效果，提升显示屏的显示性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示屏以及包含该显示屏的显示装置。
背景技术
近年来，随着显示技术的日益发展，各类显示屏不断涌现，其中，具有代表性的液晶显示屏以及有机发光显示屏等，均得到了广泛的应用，成为时下显示行业的主流产品。随着人们对于显示屏的要求日益提升，具有自主发光功能的显示屏，因其具有轻薄、省电等特性，逐渐受到了业界的青睐，也成为未来显示屏发展的趋势。目前，具有自主发光功能的显示屏中，除利用有机发光二极管作为发光单元外，纳米线发光二极管以及量子点发光二极管等因其具有尺寸小、发光效率高、光色纯度高、稳定性好等一系列优点，而成为研究的热点，具有广泛的发展前景。
然而，在上述显示屏中，其内部通常具有金属走线，金属在光线照射下易反射光线，而使得人眼在灯光或者阳光照射下较难辨识显示画面，影响用户的使用。目前，通常采用在基板外侧贴附圆偏光片等方式来降低金属层对光线的反射作用，但是，圆偏光片对光线具有一定的吸收作用，一定程度上降低了显示屏的出光率。因此，改善上述显示屏在光线照射下的显示效果，同时提升显示屏的出光率，是显示领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种显示屏，以及包含该显示屏的显示装置，用以解决上述问题，减弱甚至消除显示屏中金属走线对光线的反射作用，改善显示屏在强光照射下的显示效果。
本发明实施例的一方面提供一种显示屏，其中，显示屏为直下式纳米线发光二极管显示屏，包括像素单元，像素单元包括：
基板；
金属层，金属层位于基板上；
抗反射层，抗反射层位于金属层背离基板的一侧，且在第一方向上覆盖金属层，第一方向垂直于基板；
发光区，发光区包括纳米线发光元件。
本发明实施例的另一方面提供一种显示装置，包括上述的显示屏。
通过上述描述可知，本发明实施例提供的显示屏以及显示装置，其中，显示屏包括覆盖其内部金属层的抗反射层，抗反射层能够减弱金属层对光线的反射作用，改善显示屏在光线照射下的显示效果，提升显示屏的显示性能。同时，本发明实施例提供的显示屏为直下式纳米线发光二极管显示屏，显示屏的发光区由复数个纳米线发光二极管单元组成，基于纳米线材料的量子效应，纳米线发光二极管相较于传统的有机发光二极管，具有更高的发光效率，以及更佳的稳定性和可靠性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种像素单元的俯视示意图；
图2是图1中像素单元沿A-Aˊ方向的截面示意图；
图3是本发明实施例提供的一种纳米线发光二极管单元的示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种像素单元的截面示意图；
图5是本发明实施例提供的一种像素单元金属层的截面示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
本发明实施例提供一种直下式纳米线发光二极管显示屏，包括像素单元，像素单元为显示屏中的一个像素区域。参考图1和图2，图1是本发明实施例提供的一种像素单元的俯视示意图，其中，像素单元包括扫描线10，数据线20，以及由扫描线10和数据线20所分割形成的像素电极区域30，发光区40位于像素电极区域30内。图2是图1中像素单元沿A-Aˊ方向的截面示意图，其中，像素单元包括基板100；金属层200，金属层200位于基板100上；抗反射层300，抗反射层300位于金属层200背离基板100的一侧，且在第一方向X上覆盖金属层200，第一方向X垂直于基板100。像素单元还包括发光区40，发光区40包括纳米线发光元件。此外，如图1所示，像素单元还包括缓冲层110，绝缘层120和绝缘层130，以及有机膜层140等，在此不作赘述。
通过上述描述可知，本实施例提供的显示屏，在其内部金属层背离基板的一侧设置有抗反射层，抗反射层能够减弱甚至消除金属层对外部光线的反射作用，从而增强灯光或者阳光照射下人眼对于显示画面的辨识度，改善显示屏的显示效果。
进一步地，本实施例所提供的显示屏为直下式纳米线发光二极管显示屏，显示屏的发光区包括纳米线发光元件，纳米线发光元件包括纳米线发光二极管单元，参考图3，图3是本发明实施例提供的一种纳米线发光二极管单元的示意图，其中，纳米线发光二极管单元包括衬底401，形成于衬底401上的纳米线阵列层402，沉积于纳米线阵列层402表面的第一电极403，和沉积于衬底401另一表面的第二电极404。纳米线发光二极管可以为氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、硒化锌(ZnSe)、硅(Si)等半导体材料，也可以为其他材料，在此不作特殊限定，衬底401可以为与上述材料相同的同质衬底，如氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、硒化锌(ZnSe)、硅(Si)等衬底，也可以为其他材料的衬底，如氧化铝(Al2O3)等，在此亦不作特殊限定。纳米线阵列层402包括复数个纳米线发光二极管，复数个纳米线发光二极管垂直于衬底401表面生长，构成纳米线发光二极管单元。形成于衬底402上后，纳米线发光二极管单元再被转印至显示屏的发光区40，作为显示屏的发光单元。
上述纳米线发光二极管的长度可以为5um～30um，直径为数纳米，使得纳米线发光二极管单元的尺寸可为5um～30um，例如，纳米线发光二极管单元的尺寸可以为20×20um、10×10um等。因纳米线发光二极管的尺寸为纳米级别，基于纳米线材料的量子局域效应，纳米线材料具有比宏观体材料更高的激子束缚能和更好的发光性能，能够提供更高的发光效率。
继续参考图2，在本实施例中，可选的，像素单元还包括平坦层500，平坦层500覆盖像素单元的金属层200，抗反射层300位于平坦层500上，且在第一方向X上全面覆盖金属层200，从而，抗反射层300对金属层200起到遮光的作用，减弱金属层200对于外部光线的反射作用。
在本实施例的一些可选的实施方式中，如图1所示，发光区40位于抗反射层300上。抗反射层300在第一方向X上全面覆盖金属层200。当金属层200的分布较为密集，发光区40与金属层200在第一方向X上有交叠时，则将发光区40设置于抗反射层300上，抗反射层300对照射到金属层200的光线起到阻隔作用，减弱甚至消除金属层200对于光线的反射作用。
在本实施例的一些其他可选的实施方式中，发光区还可位于平坦层上。参考图4，图4是本发明实施例提供的另一种像素单元的截面示意图，其中，与前述实施方式类似的，像素单元包括基板100；金属层200，金属层200位于基板100上；抗反射层300，抗反射层300位于金属层200背离基板100的一侧，且在第一方向X上覆盖金属层200，第一方向X垂直于基板100所在平面。像素单元还包括发光区40，发光区40包括纳米线发光元件。此外，如图4所示，像素单元还包括缓冲层110，绝缘层120和绝缘层130，以及有机膜层140等。此外，像素单元还包括平坦层500，平坦层500覆盖像素单元的金属层200，抗反射层300位于平坦层500上，且在第一方向X上全面覆盖金属层200，从而，抗反射层300对金属层200起到遮光的作用，减弱金属层200对于外部光线的反射作用。
进一步地，如图4所示，发光区40位于平坦层500上，且金属层200与发光区40在第一方向X上无交叠，即如图中虚线所示，抗反射层300全面覆盖金属层200，且发光区40在第一方向X上不与金属层相交叠。在本实施方式中，金属层200的分布较为稀疏，使得发光区40可以设置于在第一方向X上无金属层的区域，因抗反射层300的作用为遮挡照射到金属层200的光线，因此，此时，可以在第一方向X上无金属层的区域不设置抗反射层，而将发光区40设置于在第一方向X上无金属层的区域的平坦层上，如此，可以简化像素单元的结构，同时，避免抗反射层材料的损失。
由上述描述可知，在本实施例中，抗反射层全面覆盖像素单元的金属层，遮挡照射到金属层的外部光线，减弱金属层对于外部光线的反射作用，从而改善显示屏在灯光或者阳光照射下的显示效果。
本实施例中，为对照射到金属层的光线起到良好的遮蔽作用，抗反射层的材料为具有遮光性能的材料，抗反射层对于可见光的吸收率为A，且A≥90％，当A≥90％时，照射到金属层的外部光线大部分被抗反射层所吸收，从而减弱甚至消除了金属层对于外部光线的反射作用。可选的，抗反射层的材料可以为呈黑色的非感光性树脂基材料，如分布有纳米钛系黑色颜料的非感光性聚酰亚胺材料等，本实施例对此不作特殊限定。
进一步地，本实施例中，结合图1所示，像素单元包括薄膜晶体管，以及由薄膜晶体管的栅极延伸的扫描线10，和由所述薄膜晶体管的源极/漏极延伸的数据线20，其中，薄膜晶体管可以为非晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管以及低温多晶硅薄膜晶体管等，下面以低温多晶硅薄膜晶体管为例，对本实施例中的金属层进行进一步说明。
参考图5，图5是本发明实施例提供的一种像素单元金属层的截面示意图，其中，金属层包括第一金属层210和第二金属层220，第一金属层210为上述薄膜晶体管的栅极以及由薄膜晶体管的栅极延伸的扫描线，第二金属层220为上述薄膜晶体管的源极/漏极以及由薄膜晶体管的源极/漏极延伸的数据线。薄膜晶体管还包括低温多晶硅层50，低温多晶硅层50为薄膜晶体管的有源层。
另外地，金属层还包括第三金属层230，结合图1，第三金属层230位于图1中扫描线10和数据线20所分割形成的像素电极区域30，第三金属层230主要用于形成存储电容，用以保持电压。
基于此，在本实施例的一些可选的实施方式中，第三金属层230可以与一第四金属层240形成一存储电容，如图5中所示，同时参考图1，第四金属层240同样位于图1中扫描线10和数据线20所分割形成的像素电极区域30，第三金属层230与第四金属层240构成一存储电容。
在本实施例的一些其他可选的实施方式中，第三金属层230可以与一掺杂后的低温多晶硅层形成一存储电容，即上述实施方式中的第四金属层240也可以为低温多晶硅层，如此，可以减少像素单元的金属层的数量，同时可在形成薄膜晶体管的低温多晶硅层50的同时形成用于存储电容的低温多晶硅层，减少制作过程中使用光掩膜的数量，简化工序。
本发明实施例的另一方面还提供一种显示装置，包括上述任一实施方式中的显示屏。
通过上述描述可知，本发明实施例提供的显示屏以及显示装置，其中显示屏的像素单元中，包含有构成薄膜晶体管的栅极、源极/漏极、扫描线和数据线的金属层，以及构成存储电容的金属层，本发明实施例在像素单元设置有一层具有遮光性能的抗反射层，用以覆盖像素单元中的金属层，阻隔照射到金属层的外部光线，减弱甚至消除金属层对于外部光线的反射作用，有利于提升灯光或者阳光照射下人眼对于显示画面的辨识度，改善了显示屏在强光照射下的显示效果。同时，本发明实施例提供的显示屏为直下式纳米线发光二极管显示屏，包括由纳米线发光二极管形成的纳米线发光单元，因纳米线材料的量子效应，其具有相较于宏观体材料更高的出光效率，同时具有更高的稳定性和可靠性。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种显示屏，所述显示屏为直下式纳米线发光二极管显示屏，包括像素单元，其特征在于，所述像素单元包括：
基板；
金属层，所述金属层位于所述基板上；
抗反射层，所述抗反射层位于所述金属层背离所述基板的一侧，且在第一方向上覆盖所述金属层，所述第一方向垂直于所述基板；
发光区，所述发光区包括纳米线发光元件。
2.根据权利要求1所述的显示屏，其特征在于，所述纳米线发光元件包括纳米线发光二极管单元，所述纳米线发光二极管单元包括复数个纳米线发光二极管，所述纳米线发光二极管单元的尺寸为5um～30um。
3.根据权利要求1所述的显示屏，其特征在于，所述像素单元还包括平坦层，所述平坦层覆盖所述像素单元的所述金属层，所述抗反射层位于所述平坦层上，且在所述第一方向上全面覆盖所述金属层。
4.根据权利要求3所述的显示屏，其特征在于，所述发光区位于所述抗反射层上。
5.根据权利要求3所述的显示屏，其特征在于，所述发光区位于所述平坦层上，所述金属层与所述发光区在所述第一方向上无交叠。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的显示屏，其特征在于，所述抗反射层为具有遮光性能的材料，所述抗反射层对可见光的吸收率为A,且A≥90％。
7.根据权利要求4或5任意一项所述的显示屏，其特征在于，所述像素单元包括薄膜晶体管，以及由所述薄膜晶体管的栅极延伸的扫描线，和由所述薄膜晶体管的源极/漏极延伸的数据线，且
所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层为所述薄膜晶体管的栅极以及由所述薄膜晶体管的栅极延伸的扫描线，所述第二金属层为所述薄膜晶体管的源极/漏极以及由所述薄膜晶体管的源极/漏极延伸的数据线。
8.根据权利要求6所述的显示屏，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
9.根据权利要求6所述的显示屏，其特征在于，所述金属层包括第三金属层，所述第三金属层位于所述扫描线和所述数据线所分割形成的区域。
10.根据权利要求8所述的显示屏，其特征在于，所述金属层还包括第四金属层，所述第四金属层位于所述扫描线和所述数据线所分割形成的区域，且所述第三金属层和所述第四金属层构成一存储电容。
11.一种显示装置，包括权利要求1-10任意一项所述的显示屏。
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