CN111822869A - 基板切割台及包括基板切割台的基板切割设备 - Google Patents

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Abstract

公开了基板切割台及包括基板切割台的基板切割设备,所述基板切割台包括:第一台,包括下表面、上表面及连接下表面和上表面的侧表面,并且包括第一通孔及第一开口和第二开口,第一通孔限定在第一台中以与基板的切割区域重叠并穿透上表面和下表面,第一开口和第二开口从侧表面暴露以连接外部空间和第一通孔的空间;以及第二台,支承第一台,并且包括限定在第二台中以与第一通孔重叠的第二通孔。

Description

基板切割台及包括基板切割台的基板切割设备
相关申请的交叉引用
本专利申请要求于2019年4月18日提交的第10-2019-0045476号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本公开涉及基板切割设备。更具体地,本公开涉及基板切割台及包括基板切割台的基板切割设备。
背景技术
通常,显示设备包括有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器(ED)、表面传导电子发射显示器(SED)或真空荧光显示器(VFD)。
显示设备被应用于诸如智能电话、平板个人计算机、膝上型计算机、数字相机、摄像机和便携式信息终端的移动设备或诸如纤薄TV、显示标志和广告牌的电子产品。
近年来,正在进行制造更纤薄的显示设备的研究。在显示设备中,由于柔性显示设备易于携带并且能够应用于各种形状的设备,因此柔性显示设备作为下一代显示设备备受关注。
另外,显示设备根据各种预定设计而经受切割处理。
发明内容
本公开提供了能够在对基板的切割区域进行切割之后容易地去除切割区域的基板切割台以及包括该基板切割台的基板切割设备。
本发明构思的实施方式提供了基板切割台,基板切割台包括:第一台,包括下表面、上表面及连接下表面和上表面的侧表面,并且包括第一通孔以及第一开口和第二开口,第一通孔限定在第一台中以与基板的切割区域重叠并穿透上表面和下表面,第一开口和第二开口从侧表面暴露以连接外部空间和第一通孔的空间;以及第二台,支承第一台,并且包括限定在第二台中以与第一通孔重叠的第二通孔。
侧表面包括第一侧表面、第三侧表面、在第一方向上面对第一侧表面的第二侧表面和在与第一方向垂直的第二方向上面对第三侧表面的第四侧表面,第一开口从第一侧表面暴露,并且第二开口从与第一侧表面相邻的第四侧表面暴露。
第一开口在第一方向上延伸,并且第二开口在第二方向上延伸。
基板切割台还包括限定在第一台中的第三开口,且第三开口从第一侧表面暴露,并且当在第一台的平面图中观察时,第三开口将外部空间连接到第一通孔的空间。
基板切割台还包括限定在第一台中的第四开口,且第四开口从第四侧表面暴露,并且当在第一台的平面图中观察时,第四开口将外部空间连接到第一通孔的空间。
当在平面图中观察时,第一开口、第二开口、第三开口和第四开口彼此间隔开。
第三开口和第四开口中的每一个包括在第一方向上延伸的第一开口区域和在第二方向上延伸的第二开口区域。
从第一台的由第一通孔限定的内侧表面暴露的第一开口和第四开口彼此面对,并且从内侧表面暴露的第二开口和第三开口彼此面对。
当在平面图中观察时,第三开口和第四开口中的每一个具有比第一开口和第二开口中的每一个的宽度大的宽度。
第一台的下表面包括第一下表面和第二下表面,第一下表面被第二台支承,第二下表面从第一下表面向上表面向上凹陷,并且第一通孔、第一开口和第二开口中的每一个与第一下表面重叠。
第二台与第二下表面之间限定有内部空间,并且第二台中进一步限定有真空孔以与第二下表面重叠。
第一台还包括至少一个第一抽吸孔,第一抽吸孔限定在第一台中、穿透上表面和第二下表面并通过内部空间连接到真空孔。
第一台还包括至少一个第二抽吸孔,第二抽吸孔限定在第一台中、与第一下表面重叠并通过上表面暴露,并且第二抽吸孔通过内部空间连接到真空孔。
第一台还包括抽吸连接孔,抽吸连接孔限定在第一台中以连接第二抽吸孔和内部空间,并且抽吸连接孔在纵向方向上不与第一开口重叠,其中,抽吸连接孔在纵向方向上延伸。
本发明构思的实施方式提供了基板切割设备,基板切割设备包括:第一台,包括下表面、上表面及连接下表面和上表面的侧表面,并且包括第一通孔以及第一开口和第二开口,第一通孔限定在第一台中以与基板的切割区域重叠并穿透上表面和下表面,第一开口和第二开口限定在第一台中并从侧表面暴露以连接外部空间和第一通孔的空间;第二台,支承第一台,并且包括限定在第二台中以与第一通孔重叠的第二通孔;激光模块,将激光束照射到切割区域上;容纳构件,容纳构件中限定有第二孔和与第二通孔重叠的第一孔,第一孔与第二孔连接;以及第一抽吸构件,覆盖第二孔、连接到容纳构件并经由第二孔抽吸第一通孔和第二通孔中的空气。
第一台还包括:第三开口,限定在第一台中,当在第一台的平面图中观察时,第三开口与第一开口间隔开,并且第三开口将外部空间连接到第一通孔的空间;以及第四开口,限定在第一台中,当在平面图中观察时,第四开口与第二开口间隔开,并且第四开口将外部空间连接到第一通孔的空间。
侧表面包括第一侧表面、第三侧表面、在第一方向上面对第一侧表面的第二侧表面和在与第一方向垂直的第二方向上面对第三侧表面的第四侧表面,第一开口和第三开口彼此间隔开并从第一侧表面暴露,并且第二开口和第四开口彼此间隔开并从与第一侧表面相邻的第四侧表面暴露。
第一台的下表面包括第一下表面和第二下表面,第一下表面被第二台支承并与第一通孔、第一开口和第二开口中的每一个重叠,第二下表面具有从第一下表面向上表面向上凹陷的形状,并且第一台还包括第一抽吸孔和第二抽吸孔,第一抽吸孔限定在第一台中并穿透上表面和第二下表面,第二抽吸孔限定在第一台中、与第一下表面重叠并通过上表面暴露。
基板切割设备还包括第二抽吸构件。第二台还包括真空孔和连接孔,当在第二台的平面图中观察时,真空孔限定在第二台中以与第二下表面重叠,连接孔限定在第二台中以将外部空间连接到真空孔的空间,并且第二抽吸构件连接到第二台,以通过真空孔和连接孔抽吸第一抽吸孔和第二抽吸孔中的空气。
在第一台的厚度方向上,与第一下表面重叠的第一台具有比与第二下表面重叠的第一台的厚度大的厚度。
根据以上,可以通过抽吸构件的抽吸操作将外部空气经由通过第一台的侧表面限定的第一开口至第四开口引入到第一台的第一通孔中。通过第一开口至第四开口引入的空气可将压力施加到基板的落入到容纳构件中的切割部分。
因此,通过第一开口至第四开口引入的外部空气可以更容易地将基板的切割部分移动至容纳构件。
附图说明
当结合附图考虑时,通过参考以下详细描述,本公开的以上和其它优点将变得显而易见,在附图中:
图1是示出根据本公开的示例性实施方式的基板切割设备的立体图;
图2是示出根据本公开的示例性实施方式的基板切割设备的分解立体图;
图3A是示出根据本公开的示例性实施方式的第一台的平面图;
图3B是示出根据本公开的示例性实施方式的第一台的立体图;
图4A是根据本公开的示例性实施方式的沿图3A的线I-I’截取的剖视图;
图4B是根据本公开的示例性实施方式的沿图3B的线II-II’截取的剖视图;
图5A是示出根据本公开的示例性实施方式的第一台的部分的放大平面图;
图5B是示出根据本公开的示例性实施方式的第一台的部分的放大立体图;
图6A是根据本公开的示例性实施方式的沿图5A的线A-A’截取的剖视图;
图6B是根据本公开的示例性实施方式的沿图5A的线B-B’截取的剖视图;
图7是示出根据本公开的示例性实施方式的限定有穿过其的开口的第一台的平面图;
图8A和图8B是示出根据本公开的示例性实施方式的对基板进行切割的过程的视图;以及
图9是示出根据本公开的另一示例性实施方式的第一台的平面图。
具体实施方式
在本公开中,将理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时,其可直接在所述另一元件或层上、直接连接到或联接到所述另一元件或层,或者可存在介于中间的元件或层。
在全文中,相同的标号表示相同的元件。在附图中,为了有效地描述技术内容,夸大了部件的厚度、比例和尺寸。
如本文中所使用,术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。
将理解,虽然在本文中可使用术语第一、第二等来描述各种元件、部件、区域、层和/或区段,但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段区分开。因此,在不背离本公开的教导的情况下,以下所讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段可以被称作第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。如本文中所使用的,单数形式“一”、“一个”和“所述”旨在还包括复数形式,除非上下文另有明确表示。
为易于说明,可在本文中使用诸如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。
除非另有定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应当理解的是,诸如在常用字典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且不应以理想化或过于形式化的含义进行解释,除非在本文中明确地如此定义。
将进一步理解,当在本说明书中使用时,术语“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
在下文中,将参考附图详细解释本公开。
图1是示出根据本公开的示例性实施方式的基板切割设备SCD的立体图。图2是示出根据本公开的示例性实施方式的基板切割设备SCD的分解立体图。图3A是示出根据本公开的示例性实施方式的第一台WT的平面图。图3B是示出根据本公开的示例性实施方式的第一台WT的立体图。
参考图1,基板切割设备SCD包括基板切割台SCT、激光模块LR和控制器CT。
基板切割台SCT包括第一台WT和第二台ST。第一台WT和第二台ST中的每一个与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本上平行。第三方向DR3表示第一台WT和第二台ST中的每一个的法线方向。第三方向DR3表示基板PS的厚度方向。
在以下描述中,表述“当在平面图中观察时”或“在平面图中”可以意指在第三方向DR3上观察的情况。在下文中,每个层或每个单元的前(或上)表面和后(或下)表面通过第三方向DR3彼此区分开。然而,由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3表示的方向彼此相关,并且因此由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3表示的方向可以改变成其它方向,例如,相反的方向。
第一台WT可支承基板PS。当在平面图中观察时,基板PS可以与第一台WT完全重叠,并且可以被第一台WT支承。图1中所示的基板PS可以在通过基板切割设备SCD对切割区域CA进行切割之前具有基板形状。
第二台ST可支承第一台WT。当在平面图中观察时,第一台WT可以与第二台ST完全重叠,并且可以被第二台ST支承。
根据本公开的示例性实施方式,第一台WT和第二台ST中的每一个可设置有通孔,所述通孔被限定成穿过第一台WT和第二台ST,并与限定在基板PS中的切割区域CA重叠。在本公开中,术语“通孔”意指穿透部件的上表面和下表面并通过所述上表面和所述下表面暴露的孔。
基板PS可包括第一部分和围绕第一部分的第二部分。第一部分可以与切割区域CA对应并且可以是稍后被激光模块LR切割的切割部分。作为示例,根据本公开的基板PS可表示显示模块。显示模块可包括显示图像的显示面板和感测外部输入的输入感测单元中的至少一个。作为另一示例,基板PS可表示包括在显示模块中的单个基底基板。
激光模块LR可包括发射激光束的激光束发生器(未示出)和安装在激光束的路径上的光学系统(未示出)。激光束发生器可包括固态激光器(诸如,红宝石激光器、玻璃激光器、钇铝石榴石(YAG)激光器和氟化钇锂(YLF)激光器)、气态激光器(诸如,准分子激光器和氦-氖(He-Ne)激光器)或者脉冲激光器。
光学系统可安装在由激光束发生器产生的激光束的路径上。光学系统可包括均化激光束的形状的均化器或对焦激光束的聚光透镜。另外,光学系统可包括安装在激光束的路径上的至少一个镜子(未示出),以改变激光束的角度。镜子可包括电流计镜或可以根据输入电压的改变而线性地改变其角度的反射镜。
控制器CT可以控制激光模块LR的位置或者可以控制所发射的激光束的强度和尺寸。控制器CT可以移动激光模块LR的位置,使得激光束沿着基板PS的切割区域CA照射在基板PS上。激光模块LR可以在第一方向DR1和第二方向DR2上移动。
另外,控制器CT可以调整激光束的强度,以允许激光束具有足以切割基板PS的强度。控制器CT可以根据激光束的预定强度或尺寸或者由操作者输入的激光束的强度或尺寸来控制由激光束发生器产生的激光束的强度或尺寸。
在下文中,将参考图2详细描述基板切割设备SCD。图2中所示出的基板切割设备SCD还包括容纳构件HD、第一抽吸构件VD、第二抽吸构件SD和抽吸线SL。
参考图2,第一台WT包括上表面WT-U、下表面WT-B和连接上表面WT-U和下表面WT-B的侧表面WT-S。基板PS设置在第一台WT的上表面WT-U上。
根据本公开的示例性实施方式,多个抽吸孔SH和与基板PS的切割区域CA重叠的第一通孔WO限定成穿过第一台WT。第一通孔WO可以是穿透第一台WT的上表面WT-U和下表面WT-B的孔。因此,第一通孔WO可以通过第一台WT的上表面WT-U和下表面WT-B中的每一个暴露。
抽吸孔SH可以通过第一台WT的上表面WT-U暴露。在基板PS设置在第一台WT的上表面WT-U上的情况下,抽吸孔SH可以被基板PS覆盖。抽吸孔SH可以通过稍后描述的第二台ST的真空孔VH抽吸基板PS。当基板PS通过抽吸孔SH被抽吸时,基板PS可以被固定到第一台WT的上表面WT-U。
在下文中,将参考图3A和图3B更详细地描述第一台WT。图3A示出了第一台WT的上表面WT-U,以及图3B示出了第一台WT的下表面WT-B。
参考图3A,第一台WT包括第一侧表面WT-S1、第二侧表面WT-S2、第三侧表面WT-S3和第四侧表面WT-S4。第一侧表面WT-S1和第二侧表面WT-S2在第一方向DR1上彼此面对,并且第三侧表面WT-S3和第四侧表面WT-S4在第二方向DR2上彼此面对。
抽吸孔SH包括第一抽吸孔SH-1和第二抽吸孔SH-2。第一台WT的上表面WT-U包括第一孔区域SA1和第二孔区域SA2,第一抽吸孔SH-1限定成穿过第一孔区域SA1,第二抽吸孔SH-2限定成穿过第二孔区域SA2。第一通孔WO被限定在第二孔区域SA2中。
第一抽吸孔SH-1可以通过第一台WT的上表面WT-U暴露于外部。特别地,当在第一台WT的平面图中观察时,第一孔区域SA1的尺寸可以大于第二孔区域SA2的尺寸。限定在第一孔区域SA1中的第一抽吸孔SH-1的数量可以大于限定在第二孔区域SA2中的第二抽吸孔SH-2的数量。因此,基板PS可以通过第一孔区域SA1完全固定到第一台WT的上表面WT-U。
当在平面图中观察时,第二抽吸孔SH-2可以被限定在第二孔区域SA2中以与第一通孔WO间隔开。第二抽吸孔SH-2可以通过第一台WT的上表面WT-U暴露于外部。
参考图3B,第一台WT的下表面WT-B包括第一下表面WT-B1和第二下表面WT-B2。第一台WT的下表面WT-B被划分成第一下表面WT-B1和不与第一下表面WT-B1重叠的第二下表面WT-B2。
第一下表面WT-B1可以被第二台ST支承。第二下表面WT-B2可以是从第一下表面WT-B1向第一台WT的上表面WT-U凹陷的表面。因此,如图3B中所示,第一下表面WT-B1与第二下表面WT-B2之间可以限定有台阶差。
根据本公开,与第一下表面WT-B1重叠的第一台WT在第三方向DR3上的厚度可以大于与第二下表面WT-B2重叠的第一台WT在第三方向DR3上的厚度。即,第一抽吸孔SH-1在第三方向DR3上的长度可以短于第二抽吸孔SH-2在第三方向DR3上的长度。
第一抽吸孔SH-1可以通过第二下表面WT-B2暴露。第一抽吸孔SH-1中的每一个可以是穿透第一台WT的上表面WT-U和第二下表面WT-B2的通孔。
第二抽吸孔SH-2可以不通过第一下表面WT-B1暴露。第二抽吸孔SH-2可以通过限定在第一下表面WT-B1与第二下表面WT-B2之间的台阶差开口(也称为“抽吸连接孔”)连接到真空孔VH。这将参考图4B更详细地描述。
根据本公开的示例性实施方式,连接与第一下表面WT-B1重叠的第一通孔WO和外部空间的开口WA可以被限定在第一台WT的侧表面WT-S中。在本示例性实施方式中,术语“外部空间”是指基板切割设备SCD的外部。同时,为了便于解释,将在第一台WT的侧表面WT-S中限定的四个开口WA描述为代表性示例,然而,本公开不应限于此或受此限制,并且可以在第一台WT的侧表面WT-S中限定至少两个开口WA。
同时,开口WA可以不被第一台WT的下表面WT-B暴露,并且可以被限定在第一台WT中。例如,开口WA可以通过第一台WT的由第一通孔WO限定的内侧表面和第一台WT的侧表面WT-S中的每一个暴露。
具体地,通过第一抽吸构件VD的抽吸操作,外部空气可以通过开口WA被引入到第一通孔WO中。当外部空气通过开口WA被引入到第一通孔WO中时,装载在第一通孔WO中的材料的自由下落可以容易地发生。这里,装载的材料可以与以上描述的基板PS的切割部分对应。
再次参考图2,第二台ST可以设置在第一台WT下方,并且可以支承第一台WT的第一下表面WT-B1。
第二台ST可以包括第二通孔SO,第二通孔SO限定成穿过第二台ST以与第一通孔WO重叠。第二通孔SO可以是穿透第二台ST的上表面和下表面的通孔。虽然附图中未示出,但是第二台ST的上表面可以面对第一台WT,并且第二台ST的下表面可以面对第一抽吸构件VD。
容纳构件HD可覆盖第二通孔SO,并且可设置在第二台ST的下表面上。容纳构件HD可包括限定在容纳构件HD中的第一孔HO1和第二孔HO2,且第一孔HO1和第二孔HO2彼此连接。第一孔HO1可以与第二通孔SO重叠。即,第一通孔WO、第二通孔SO和第一孔HO1可以形成为一个开口,并且可以被称为“切割孔”。
另外,容纳构件HD可以提供限定在容纳构件HD中的内部空间,并且可以连接到切割孔。例如,基板PS的切割部分可以通过切割孔累积在容纳构件HD中。第一抽吸构件VD可以覆盖第二孔HO2并且可以连接到容纳构件HD。通过第一抽吸构件VD的抽吸操作,基板PS的切割部分可以容易地从切割孔移动到容纳构件HD。
另外,第二台ST包括真空孔VH。真空孔VH可以具有从第二台ST的上表面向下凹陷的形状。根据本公开,真空孔VH可以经由限定在第二台ST中的连接孔CO连接到第二抽吸构件SD。即,连接孔CO可以通过第二台ST的由真空孔VH限定的内侧表面和第二台ST的侧表面中的每一个暴露。抽吸线SL可以插入到连接孔CO中并且可以从第二台ST的侧表面突出。
在第二抽吸构件SD的抽吸操作期间,基板PS可以通过真空孔VH和抽吸孔SH更牢固地固定到第一台WT的上表面WT-U。
图4A是根据本公开的示例性实施方式的沿图3A的线I-I’截取的剖视图。图4B是根据本公开的示例性实施方式的沿图3B的线II-II’截取的剖视图。
参考图4A,与第一下表面WT-B1重叠的第一台WT的厚度可以大于与第二下表面WT-B2重叠的第一台WT的厚度。换言之,与第一孔区域SA1重叠的第一台WT的第一厚度DS1可以小于与第二孔区域SA2重叠的第一台WT的第二厚度DS2。
另外,如图4A中所示,第二下表面WT-B2和第二台ST可以在第三方向DR3上彼此间隔开。空气可以经由第二下表面WT-B2与第二台ST之间的内部空间从第一抽吸孔SH-1流动到真空孔VH。即,第一抽吸孔SH-1、真空孔VH和连接孔CO可以连接到外部空间。
在第二抽吸构件SD的抽吸操作期间,从第一抽吸孔SH-1流动到真空孔VH的空气可以通过插入到连接孔CO中的抽吸线SL被抽吸到第二抽吸构件SD中。
参考图4B,在第一台WT中可以进一步限定连接第二抽吸孔SH-2和第二下表面WT-B2与第二台ST之间的内部空间的抽吸连接孔CNO。抽吸连接孔CNO可以与第一台WT的第一下表面WT-B1重叠,并且可以在作为纵向方向的第一方向DR1上延伸。抽吸连接孔CNO可以从第一台WT的由第一下表面WT-B1与第二下表面WT-B2之间的台阶差限定的内侧表面WT-OS暴露。通过第二抽吸孔SH-2引入的空气可以经由抽吸连接孔CNO和第二下表面WT-B2与第二台ST之间的内部空间移动到第二台ST的真空孔VH。
根据本公开的示例性实施方式,抽吸连接孔CNO在第一方向DR1上不与连接到第一通孔WO的开口WA重叠,其中,抽吸连接孔CNO在第一方向DR1上延伸。
同时,图4B示出连接到两个第二抽吸孔SH-2的一个抽吸连接孔CNO,然而,本公开不应限于此或受此限制。即,抽吸连接孔CNO可以设置成多个,并且抽吸连接孔CNO中的每一个可以连接到至少一个第二抽吸孔SH-2。
图5A是示出根据本公开的示例性实施方式的第一台WT的部分的放大平面图。图5B是示出根据本公开的示例性实施方式的第一台WT的部分的放大立体图。图6A是根据本公开的示例性实施方式的沿图5A的线A-A’截取的剖视图。图6B是根据本公开的示例性实施方式的沿图5A的线B-B’截取的剖视图。图7是示出根据本公开的示例性实施方式的限定有穿过其的开口WA的第一台WT的平面图。
参考图5A和图5B,连接与第一台WT的第一下表面WT-B1重叠的第一通孔WO和外部空间的开口WA可以被限定在第一台WT的侧表面WT-S中。
根据本公开,开口WA包括第一开口WA1、第二开口WA2、第三开口WA3和第四开口WA4。第一开口WA1、第二开口WA2、第三开口WA3和第四开口WA4中的每一个可以不被第一台WT的上表面WT-U和第一下表面WT-B1暴露,并且可以从第一台WT的第一侧表面WT-S1和与第一侧表面WT-S1相邻的第四侧表面WT-S4暴露。
第一开口WA1可以在第一方向DR1上延伸,并且可以通过第一台WT的第一侧表面WT-S1和第一台WT的由第一通孔WO限定的内侧表面中的每一个暴露。下文中,在本公开中,第一台WT的由第一通孔WO限定的内侧表面被称为“第一内侧表面”。第一通孔WO可以经由第一开口WA1连接到外部空间。因此,外部空气可以经由第一开口WA1移动到第一通孔WO。
第二开口WA2可以在第二方向DR2上延伸,并且可以通过第一台WT的第四侧表面WT-S4和第一内侧表面中的每一个暴露。第一通孔WO可以经由第二开口WA2连接到外部空间。因此,外部空气可以经由第二开口WA2移动到第一通孔WO。
第三开口WA3包括在第一方向DR1上延伸的第一开口区域和在第二方向DR2上延伸的第二开口区域。当在平面图中观察时,第三开口WA3与第一开口WA1间隔开。第三开口WA3可以通过第一台WT的第一侧表面WT-S1和第一内侧表面中的每一个暴露。第一通孔WO可以经由第三开口WA3连接到外部空间。因此,外部空气可以经由第三开口WA3移动到第一通孔WO。
根据本公开,从第一台WT的第一内侧表面暴露的第二开口WA2和第三开口WA3可以在第二方向DR2上彼此面对。即,第二开口WA2和第三开口WA3可以彼此间隔开,且第一通孔WO插置在第二开口WA2与第三开口WA3之间。
第四开口WA4包括在第二方向DR2上延伸的第一开口区域和在第一方向DR1上延伸的第二开口区域。当在平面图中观察时,第四开口WA4与第二开口WA2间隔开。第四开口WA4可以通过第一台WT的第四侧表面WT-S4和第一内侧表面中的每一个暴露。第一通孔WO可以经由第四开口WA4连接到外部空间。因此,外部空气可以经由第四开口WA4移动到第一通孔WO。
根据本公开,从第一台WT的第一内侧表面暴露的第一开口WA1和第四开口WA4可以在第一方向DR1上彼此面对。即,第一开口WA1和第四开口WA4可以彼此间隔开,且第一通孔WO插置在第一开口WA1与第四开口WA4之间。
根据以上,当在平面图中观察时,在第一台WT的第一侧表面WT-S1和第四侧表面WT-S4中限定的第一开口WA1至第四开口WA4可以在彼此间隔开的同时连接到第一通孔WO。
同时,在通过激光模块LR对基板PS的切割区域CA进行切割之后,基板PS的切割部分可以经由第一通孔WO和第二通孔SO移动到容纳构件HD。然而,基板PS的切割部分可以被第一台WT的第一内侧表面或者第二台ST的由第二通孔SO限定的内侧表面捕获,并且可以不移动到容纳构件HD。在下文中,第二台ST的由第二通孔SO限定的内侧表面将被称作“第二内侧表面”。
根据本公开,由于图2中所示的第一抽吸构件VD的抽吸操作,外部空气可以经由第一开口WA1至第四开口WA4被引入到第一通孔WO中。通过第一开口WA1至第四开口WA4引入的空气可以沿第三方向DR3向基板PS的切割部分施加压力,其中,容纳构件HD设置在第三方向DR3上。即,基板PS的切割部分可以通过经由第一开口WA1至第四开口WA4引入的外部空气更容易地移动到容纳构件HD。
参考图6A,当通过连接到容纳构件HD的第一抽吸构件VD执行抽吸操作时,外部空气可以通过第一开口WA1和第二开口WA2被引入。通过第一开口WA1和第二开口WA2引入的外部空气可以通过第一通孔WO和第二通孔SO移动到容纳构件HD的内部空间。
参考图6B,当通过连接到容纳构件HD的第一抽吸构件VD执行抽吸操作时,外部空气可以通过第三开口WA3和第四开口WA4被引入。通过第三开口WA3和第四开口WA4引入的外部空气可以通过第一通孔WO和第二通孔SO移动到容纳构件HD的内部空间。
如上所述,第一台WT的第一内侧表面和第二台ST的第二内侧表面可接收由于从第一开口WA1至第四开口WA4引入的外部空气而引起的压力。
参考图7,由于从第一开口WA1至第四开口WA4引入的外部空气,在第一台WT的第一通孔WO和第二台ST的第二通孔SO中可以发生空气循环。作为示例,图7示出了在逆时针方向上的空气循环,然而,根据实施方式,空气可以在顺时针方向上循环。
具体地,从第一开口WA1至第四开口WA4引入的外部空气可以在逆时针方向上循环并且可以沿第三方向DR3移动。因此,第一台WT的第一内侧表面和第二台ST的第二内侧表面的整个区域可以受到外部空气的影响。即,在逆时针方向上循环的同时进行移动的外部空气可以向第一台WT的第一内侧表面和第二台ST的第二内侧表面的整个区域施加压力。因此,基板PS的切割部分可以更容易地移动到容纳构件HD。
图8A和图8B是示出根据本公开的示例性实施方式的对基板PS进行切割的过程的视图。
参考图8A,基板PS可设置在第一台WT上。如图1中所示,根据本公开的基板PS的切割区域CA可具有圆形形状。例如,基板PS的切割区域CA可以与包括在显示设备中的相机模块的形状对应。然而,基板PS的切割区域CA不应限于此或受此限制,并且基板PS的切割区域CA可具有各种形状。
激光模块LR在控制器CT的控制下将激光束照射到基板PS的切割区域CA上。控制器CT可以移动激光模块LR,使得激光束沿基板PS的切割区域CA照射到基板PS上。激光模块LR可以在第一方向DR1和第二方向DR2上移动。
当通过激光模块LR对基板PS的切割区域CA进行切割时,切割部分PS-R可以与基板PS分离。除了从基板PS切割的切割部分PS-R之外,在激光照射期间源自基板PS的残余物可以沉积在第一台WT的第一内侧表面和第二台ST的第二内侧表面上。
参考图8B,切割部分PS-R可以通过第一台WT的第一通孔WO和第二台ST的第二通孔SO自由下落到容纳构件HD中。特别地,切割部分PS-R可以通过从第一开口WA1至第四开口WA4引入的外部空气更容易地自由下落到容纳构件HD中。另外,沉积在第一台WT的第一内侧表面和第二台ST的第二内侧表面上的残余物可以通过从第一开口WA1至第四开口WA4引入的外部空气而移动到容纳构件HD。
图9是示出根据本公开的另一示例性实施方式的第一台WTa的平面图。
与图5A中所示出的第一台WT相比,除了第三开口WA3a和第四开口WA4a的结构特征之外,图9中所示出的第一台WTa可具有与图5A中所示出的第一台WT基本上相同的结构,并且图9中所示出的第一台WTa的其它部件可以与图5A中所示出的那些部件基本上相同。因此,为了便于解释,将省略对其它部件的详细描述。
参考图9,开口WA包括第一开口WA1、第二开口WA2、第三开口WA3a和第四开口WA4a。第一开口WA1、第二开口WA2、第三开口WA3a和第四开口WA4a中的每一个可以不被第一台WTa的上表面WT-U和第一下表面WT-B1暴露,并且可以通过第一台WTa的彼此相邻的第一侧表面WT-S1和第四侧表面WT-S4暴露。
根据示例性实施方式,第三开口WA3a和第四开口WA4a中的每一个的宽度D2可以大于第一开口WA1和第二开口WA2的宽度D1。
第一开口WA1在第一方向DR1上延伸并连接到第一通孔WO,并且第二开口WA2在第二方向DR2上延伸并连接到第一通孔WO。另一方面,第三开口WA3a经由在第一方向DR1上延伸的第一开口区域和在第二方向DR2上延伸的第二开口区域连接到第一通孔WO。第四开口WA4a经由在第二方向DR2上延伸的第一开口区域和在第一方向DR1上延伸的第二开口区域连接到第一通孔WO。
例如,第三开口WA3a和第四开口WA4a中的每一个可具有不是直的而是弯曲一次的形状。因此,当假定第一开口至第四开口具有彼此相同的宽度时,通过第三开口或第四开口引入的外部空气的流动可以比通过第一开口或第二开口引入的外部空气的流动慢。另外,通过第三开口或第四开口引入的空气的流入量可以少于通过第一开口或第二开口引入的空气的流入量。
然而,根据本公开的第三开口WA3a和第四开口WA4a中的每一个的宽度D2可以大于第一开口WA1和第二开口WA2的宽度D1。因此,通过第三开口WA3a或第四开口WA4a引入的外部空气的流入量可以比通过第一开口WA1或第二开口WA2引入的外部空气的流入量大得多。
虽然已经描述了本公开的示例性实施方式,但是应当理解,本公开不应限于这些示例性实施方式,而是限于在如所附权利要求所要求保护的本公开的精神和范围内由本领域普通技术人员可以作出的各种改变和修改。因此,所公开的主题不应限于在本文中描述的任何单个实施方式,并且本发明构思的范围应根据所附权利要求来确定。

Claims (20)

1.基板切割台,包括:
第一台,包括下表面、上表面及连接所述下表面和所述上表面的侧表面,并且包括第一通孔及第一开口和第二开口,所述第一通孔限定在所述第一台中以与基板的切割区域重叠并穿透所述上表面和所述下表面,所述第一开口和所述第二开口从所述侧表面暴露以连接外部空间和所述第一通孔的空间;以及
第二台,支承所述第一台,并且包括限定在所述第二台中以与所述第一通孔重叠的第二通孔。
2.根据权利要求1所述的基板切割台,其中,所述侧表面包括第一侧表面、第三侧表面、在第一方向上面对所述第一侧表面的第二侧表面和在与所述第一方向垂直的第二方向上面对所述第三侧表面的第四侧表面,所述第一开口从所述第一侧表面暴露,以及所述第二开口从与所述第一侧表面相邻的所述第四侧表面暴露。
3.根据权利要求2所述的基板切割台,其中,所述第一开口在所述第一方向上延伸,以及所述第二开口在所述第二方向上延伸。
4.根据权利要求2所述的基板切割台,还包括限定在所述第一台中的第三开口,其中,所述第三开口从所述第一侧表面暴露,并且当在所述第一台的平面图中观察时,所述第三开口将所述外部空间连接到所述第一通孔的所述空间。
5.根据权利要求4所述的基板切割台,还包括限定在所述第一台中的第四开口,其中,所述第四开口从所述第四侧表面暴露,并且当在所述第一台的所述平面图中观察时,所述第四开口将所述外部空间连接到所述第一通孔的所述空间。
6.根据权利要求5所述的基板切割台,其中,当在所述平面图中观察时,所述第一开口、所述第二开口、所述第三开口和所述第四开口彼此间隔开。
7.根据权利要求5所述的基板切割台,其中,所述第三开口和所述第四开口中的每一个包括在所述第一方向上延伸的第一开口区域和在所述第二方向上延伸的第二开口区域。
8.根据权利要求5所述的基板切割台,其中,从所述第一台的由所述第一通孔限定的内侧表面暴露的所述第一开口和所述第四开口彼此面对,以及从所述内侧表面暴露的所述第二开口和所述第三开口彼此面对。
9.根据权利要求5所述的基板切割台,其中,当在所述平面图中观察时,所述第三开口和所述第四开口中的每一个具有比所述第一开口和所述第二开口中的每一个的宽度大的宽度。
10.根据权利要求1所述的基板切割台,其中,所述第一台的所述下表面包括第一下表面和第二下表面,所述第一下表面被所述第二台支承,所述第二下表面从所述第一下表面向所述上表面向上凹陷,以及所述第一通孔、所述第一开口和所述第二开口中的每一个与所述第一下表面重叠。
11.根据权利要求10所述的基板切割台,其中,所述第二台与所述第二下表面之间限定有内部空间,以及所述第二台中进一步限定有真空孔以与所述第二下表面重叠。
12.根据权利要求11所述的基板切割台,其中,所述第一台还包括至少一个第一抽吸孔,所述第一抽吸孔限定在所述第一台中、穿透所述上表面和所述第二下表面并通过所述内部空间连接到所述真空孔。
13.根据权利要求11所述的基板切割台,其中,所述第一台还包括至少一个第二抽吸孔,所述第二抽吸孔限定在所述第一台中、与所述第一下表面重叠并通过所述上表面暴露,以及所述第二抽吸孔通过所述内部空间连接到所述真空孔。
14.根据权利要求13所述的基板切割台,其中,所述第一台还包括抽吸连接孔,所述抽吸连接孔限定在所述第一台中以连接所述第二抽吸孔和所述内部空间,以及所述抽吸连接孔在纵向方向上不与所述第一开口重叠,其中,所述抽吸连接孔在所述纵向方向上延伸。
15.基板切割设备,包括:
第一台,包括下表面、上表面及连接所述下表面和所述上表面的侧表面,并且包括第一通孔及第一开口和第二开口,所述第一通孔限定在所述第一台中以与基板的切割区域重叠并穿透所述上表面和所述下表面,所述第一开口和所述第二开口限定在所述第一台中并从所述侧表面暴露以连接外部空间和所述第一通孔的空间;
第二台,支承所述第一台,并且包括限定在所述第二台中以与所述第一通孔重叠的第二通孔;
激光模块,将激光束照射到所述切割区域上;
容纳构件,所述容纳构件中限定有第二孔和与所述第二通孔重叠的第一孔,所述第一孔与所述第二孔连接;以及
第一抽吸构件,覆盖所述第二孔、连接到所述容纳构件并经由所述第二孔抽吸所述第一通孔和所述第二通孔中的空气。
16.根据权利要求15所述的基板切割设备,其中,所述第一台还包括:
第三开口,限定在所述第一台中,当在所述第一台的平面图中观察时,所述第三开口与所述第一开口间隔开,并且所述第三开口将所述外部空间连接到所述第一通孔的所述空间;以及
第四开口,限定在所述第一台中,当在所述平面图中观察时,所述第四开口与所述第二开口间隔开,并且所述第四开口将所述外部空间连接到所述第一通孔的所述空间。
17.根据权利要求16所述的基板切割设备,其中,所述侧表面包括第一侧表面、第三侧表面、在第一方向上面对所述第一侧表面的第二侧表面和在与所述第一方向垂直的第二方向上面对所述第三侧表面的第四侧表面,所述第一开口和所述第三开口彼此间隔开并且从所述第一侧表面暴露,以及所述第二开口和所述第四开口彼此间隔开并且从与所述第一侧表面相邻的所述第四侧表面暴露。
18.根据权利要求15所述的基板切割设备,其中,所述第一台的所述下表面包括第一下表面和第二下表面,所述第一下表面被所述第二台支承并与所述第一通孔、所述第一开口和所述第二开口中的每一个重叠,所述第二下表面具有从所述第一下表面向所述上表面向上凹陷的形状,以及所述第一台还包括第一抽吸孔和第二抽吸孔,所述第一抽吸孔限定在所述第一台中并穿透所述上表面和所述第二下表面,所述第二抽吸孔限定在所述第一台中、与所述第一下表面重叠并通过所述上表面暴露。
19.根据权利要求18所述的基板切割设备,还包括第二抽吸构件,其中,所述第二台还包括真空孔和连接孔,当在所述第二台的平面图中观察时,所述真空孔限定在所述第二台中以与所述第二下表面重叠,所述连接孔限定在所述第二台中以将所述外部空间连接到所述真空孔的空间,以及所述第二抽吸构件连接到所述第二台以通过所述真空孔和所述连接孔抽吸所述第一抽吸孔和所述第二抽吸孔中的空气。
20.根据权利要求18所述的基板切割设备,其中,在所述第一台的厚度方向上,与所述第一下表面重叠的所述第一台具有比与所述第二下表面重叠的所述第一台的厚度大的厚度。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008137016A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
WO2013100149A1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-04 古河電気工業株式会社 基板切断用治具、加工装置および基板切断方法
KR101323662B1 (ko) * 2013-05-24 2013-10-30 주식회사 고려반도체시스템 기판 처리 장치용 서포트 플레이트
US20170120379A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Stage for cutting substrate and substrate-cutting apparatus
US20180154485A1 (en) * 2016-12-05 2018-06-07 Samsung Display Co., Ltd. Work table for laser processing and method of operating the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008137016A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
WO2013100149A1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-04 古河電気工業株式会社 基板切断用治具、加工装置および基板切断方法
JP6082702B2 (ja) * 2011-12-28 2017-02-15 古河電気工業株式会社 基板切断用治具、加工装置および基板切断方法
KR101323662B1 (ko) * 2013-05-24 2013-10-30 주식회사 고려반도체시스템 기판 처리 장치용 서포트 플레이트
US20170120379A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Stage for cutting substrate and substrate-cutting apparatus
US20180154485A1 (en) * 2016-12-05 2018-06-07 Samsung Display Co., Ltd. Work table for laser processing and method of operating the same

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