CN111808606A - 一种复合材料的制备方法及其应用 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种复合材料的制备方法，包括以下步骤：含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物经熔融挤出，得到所述复合材料。本申请提出的挤出法原位制备钙钛矿量子点/聚合物复合材料的方法，实现了在挤出加工过程中钙钛矿量子点在聚合物基质中的原位生成，所得复合材料可有多种形态，且原位生成的钙钛矿量子点具有荧光量子产率高、稳定性好、发光波长可调的特点，可以应用于背光显示等领域。

Description

一种复合材料的制备方法及其应用
技术领域
本申请涉及一种采用熔融挤出法原位制备钙钛矿量子点/聚合物复合材料的方法以及在背光模组中的应用，属于显示领域。
背景技术
随着量子理论的发展和材料生长技术的进步，人们可以制备尺寸接近电子德布罗意波长量级的低维材料。由于量子限制效应的存在，低维纳米材料表现出新奇的力、热、光、电特性。目前主要研究的低维材料包括一维受限的量子阱、二维受限的量子线和三维受限的量子点结构。随着维度的降低，材料的电子态密度逐渐呈现离散化。其中，半导体量子点是一种三维受限的纳米结构，通常包含几千个原子。由于准零维的结构，量子点呈现分立的态密度，具有类似原子的分立能级结构，通常被称为“人造原子”。近年来，钙钛矿量子点因其具有优良的光电性能引起人们关注及研究。相对于传统无机半导体量子点，钙钛矿量子点具有更宽的发射波长可调节范围、优良的光电传输性能、以及合成简单、成本低廉等优点，在光电器件中具有良好的应用前景。但钙钛矿量子点受环境影响巨大，稳定性较差，空气、水等因素均可导致钙钛矿量子点发光效率下降甚至于完全猝灭。另外，在钙钛矿中存在阴离子交换作用，有可能使其在多色发光显示等方面应用受限。
随着社会生产技术的提高，在工业上加工多层量子点扩散板，采用原有的传统的方法如：粘结法，热压法等已经不能够满足人们日常生活的需要，因此需要用共挤出的方法对原料进行加工，多层共挤出复合是采用一台或多台挤出机同种或异种树脂同时挤入一个复合模头中，各层树脂在模头内或外汇合形成一体，挤出复合后经冷却定型即成为复合薄膜。共挤出复合的主要特点是：多层薄膜一次挤出成型，其工艺简单，节省能源，生产效率高，且成本低；手感舒适；因层与层之间无需使用粘合剂，所以不存在残留溶剂问题，薄膜无异味；简化了工艺流程，降低了生产成本；可随时调整螺杆结构和挤出工艺，以适应不同的物料体系，因而具有很大的更换产品的灵活性。所以采用多层共挤的方法制造量子点扩散板既能保证其稳定性、均匀性又能加快生产过程，节约成本。
发明内容
本发明提出了一种挤出法原位制备钙钛矿量子点/聚合物复合材料的方法，将聚合物基质与合成钙钛矿量子点的前驱体原料投入到挤出机中，这些原料在挤出机中被加热、加压，受机械剪切力、摩擦热和外热的作用而塑化熔融并混合均匀，钙钛矿量子点也在加工的过程中生成并均匀分散在聚合物基体中。制备好的材料经过吹塑模头制备成所需的钙钛矿量子点/聚合物复合材料。
相较于湿法原位制备钙钛矿量子点/聚合物复合材料，挤出法不使用溶剂，得到的聚合物复合材料没有微孔，稳定性会得到增强。其次，通过调整吹塑模头可以制备得到钙钛矿量子点/聚合物板材产品，其可以同时替代显示背光源中的扩散板与转光膜，达到简化背光模组结构、较少生产工艺环节、有利于实现生产自动化的目的。第三，使用多层共挤的方法可以一次性将发光层与组隔层复合制备出最终产品，减少了后续生产工艺，进一步降低了成本。最后，不使用溶剂使得制备成本更低、更环保。因此，挤出法原位制备钙钛矿量子点/聚合物复合材料是一项极具应用前景的技术。
根据本申请的一个方面，提供了一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物经熔融挤出，得到所述复合材料。
可选地，所述混合物经熔融挤出，原位形成钙钛矿量子点，得到钙钛矿量子点与聚合物基质的复合材料。
使用该方法制备复合材料时钙钛矿量子点在挤出加工的过程中原位生成，并均匀分散在聚合物基质中。
可选地，所述聚合物基质和钙钛矿前驱体的质量比为100：0.01～30。
可选地，所述聚合物基质和钙钛矿前驱体的质量比为100：0.1～5。
可选地，所述钙钛矿前驱体包括AX和BXt；
其中，A选自NH2CHNH2 +、CH3NH3 +、Cs+中的至少一种；
B选自Pb2+、Cd2+、Mn2+、Zn2+、Sn2+、Ge2+、Bi3+中的至少一种；
X选自羧酸根、卤素阴离子中的至少一种；
t＝2或3。
可选地，所述羧酸根选自C1-C20羧酸根中的至少一种。
可选地，所述羧酸根选自乙酸、硬脂酸、甲酸、碳酸、戊酸、三甲基乙酸、碱式乙酸、酒石酸、月桂酸中的至少一种。
可选地，所述卤素阴离子选自Cl-、Br-、I-中的至少一种。
可选地，AX和BXt的摩尔比为1：0.1～10。
可选地，AX和BXt的摩尔比为1：0.5～2。
可选地，所述钙钛矿前驱体包括AX、CX和BXt；
其中，A选自NH2CHNH2 +、CH3NH3 +、Cs+中的至少一种；
B选自Pb2+、Cd2+、Mn2+、Zn2+、Sn2+、Ge2+、Bi3+中的至少一种；
C选自芳香基或者碳原子数不小于3的烷基有机胺阳离子；
X选自羧酸根、卤素阴离子中的至少一种；
t＝2或3。
可选地，所述(AX+CX)和BXt摩尔比为1：0.1～10；
CX和AX的摩尔比为1：0～100。
可选地，(AX+CX)和BXt摩尔比为1：0.5～5；
CX和AX的摩尔比为1：0～10。
可选地，所述AX选自卤化铯、卤化甲胺、卤化甲脒、乙酸铯、硬脂酸铯、甲酸铯、碳酸铯、戊酸铯、三甲基乙酸铯中的至少一种。
可选地，BX2选自卤化铅、碳酸铅、四乙酸铅、硬脂酸铅、碱式乙酸铅、乙酸铅、酒石酸铅、月桂酸铅中的至少一种。
可选地，CX选自PEAI、TEAI、TEABr、PEABr中的至少一种。
可选地，CX为PEAI。
本申请中，“PEAI”指苯乙基碘化胺。
本申请中，“PEABr”指苯乙基溴化胺。
本申请中，“TEAI”指噻吩乙胺碘。
本申请中，“TEABr”指噻吩乙胺溴。
可选地，所述钙钛矿前驱体还含有添加剂。
可选地，所述添加剂选自卤化碱金属、卤化碱土金属、卤化锌、卤化亚锡、卤化镉、卤化锰、卤化亚铜、卤化铜中的至少一种。
可选地，所述添加剂选自氯化锌、溴化锌、碘化锌、氯化亚锡、溴化亚锡、碘化亚锡、氯化镉、溴化镉、碘化镉、氯化锰、溴化锰、碘化锰、氯化亚铜、溴化亚铜、碘化亚铜、氯化铜、溴化铜、碘化铜、氯化锂、氯化钾、氯化钠、氯化铷、溴化锂、溴化钠、溴化钾、溴化铷、碘化锂、碘化钠、碘化钾、碘化铷中的至少一种。
可选地，AX与添加剂的质量比为1:0.1～10。
可选地，AX与添加剂的质量比为1:0.4～10。
为了控制生成的钙钛矿量子点的物相以及带隙，在合成的过程中使用添加剂。所述添加剂分散在所述基质中。首先，添加剂中的二价阳离子在挤出过程中可以掺入到钙钛矿量子点的B位，该掺杂可以改变钙钛矿量子点的电子结构，达到调控量子点发光性能的目的。其次，添加剂中的二价阳离子掺入钙钛矿量子点的B位，可以改变晶体中的内应力，使一些只有在高温存在的物相得以在室温保持，得到发光性能更好物相的钙钛矿量子点。第三，添加剂中的卤素可以填补钙钛矿量子点表面的卤素缺陷，增强复合材料的发光性能。
可选地，所述混合物还包括表面配体、扩散粒子中的至少一种。
可选地，聚合物基质与表面配体的质量比为1:0.001～1。
可选地，聚合物基质与表面配体的质量比为1:0.05～0.5。
可选地，聚合物基质与扩散粒子的质量比为1:0.001～1。
可选地，聚合物基质与扩散粒子的质量比为1:0.05～0.5。
可选地，所述表面配体选自有机酸、有机酸卤代物、C4～C24有机胺、C4～C24有机胺的卤代物中的至少一种。
可选地，所述有机酸包括碳原子数至少为3的饱和烷基酸或不饱和烷基酸。
可选地，所述有机胺为4-24个碳原子的烷基胺或芳香胺。
可选地，所述有机酸或者有机胺的卤化物为所述有机酸或者有机胺对应的卤化物。
为了进一步提高本申请所述钙钛矿量子点/聚合物复合材料的发光性能，该复合材料进一步包括：表面配体。所述表面配体形成在所述钙钛矿量子点内核的表面。所述表面配体含有有机酸、长链有机胺以及它们的卤化物中的至少一种。首先，表面配体可以为该复合材料中的钙钛矿量子点提供有机杂化基团，进而消除钙钛矿量子的表面缺陷，从而提高该复合材料的性能。其次，由于挤出加工时温度较高，使得钙钛矿量子点原料的反应速率过高。有机配体的加入会降低钙钛矿量子点原料的反应速率，从而控制钙钛矿量子点的尺寸，得到所需发光性能的钙钛矿量子点/聚合物复合材料。
有机配体的加入能够消除生成的钙钛矿量子点表面的缺陷，使非辐射复合减少，增强钙钛矿量子点的荧光量子产率。此外，有机配体可以降低钙钛矿量子点原料的反应速率，不至于生成大颗粒钙钛矿材料，进而增强钙钛矿量子点的发光性能。
可选地，所述扩散粒子选自有机光扩散粒子、无机光扩散粒子中的至少一种。
可选地，所述有机光扩散粒子选自丙烯酸型、有机硅型、聚乙烯型中的至少一种。
可选地，所述无机光扩散粒子选自纳米硫酸钡、二氧化硅、碳酸钙中的至少一种。
所述扩散粒子均匀分散在聚合物基质中，起到调整光线、使光线发生不同方向的折射、反射、与散射，从而改变光的行进路线，实现入射光充分散色以此产生光学扩散的效果。
可选地，含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物的混合方式选自球磨混合、搅拌混合、溶剂辅助混合中的至少一种。
可选地，所述聚合物基质包括聚偏氟乙烯(PVDF)、聚偏氟乙烯和三氟乙烯共聚物(P(VDF-TrFE))、聚丙烯腈(PAN)、聚醋酸乙烯酯(PVAc)、醋酸纤维素(CA)、氰基纤维素(CNEC)、聚砜(PSF)、芳香聚酰胺(MPIA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)中的至少一种。
可选地，所述熔融挤出工艺包括进料段、熔融段、混炼段和成型段。
可选地，所述进料段的温度为70～290℃。
可选地，所述进料段的温度为140～220℃。
可选地，所述熔融段的温度为80～300℃；所述熔融段的时间为0.1～48小时。
可选地，所述熔融段的温度为160～240℃；所述熔融段的时间为0.25～12小时。
可选地，所述混炼段的温度为80～300℃；所述混炼段的时间为0.1～48小时。
可选地，所述混炼段的温度为160～240℃；所述混炼段的时间为0.25～12小时。
可选地，所述成型段为模具成型；所述模具的温度为70～290℃。
可选地，所述模具的温度为140～200℃。
可选地，所述熔融挤出的螺杆转速为100～2000rpm。
可选地，所述熔融挤出的螺杆转速为600～1500rpm。
可选地，所述熔融挤出的工艺条件为：进料口段温度70～290℃，熔融段温度80～300℃，熔融段时间0.1～48小时，混炼段温度80～300℃，混炼段时间0.1～48小时，模具成型段温度70～290℃，转速100～2000转下挤出。
熔融挤出的工艺条件根据具体的物料进行相应的调整，进料口温度只要能熔化物料即可，熔融段温度和时间根据聚合物的熔融温度，混炼段温度和时间根据聚合物的熔融温度和混匀速度，模具成型段温度根据聚合物的软化温度，通过转速调节整个工艺过程的时间。
可选地，所述复合材料含有钙钛矿量子点和聚合物基质；所述钙钛矿量子点分散在所述聚合物基质中；
所述钙钛矿量子点具有结构式ABX3、A3B2X9、A2BX6、C2Am-1BmX3m+1中的至少一种；
其中，A选自NH2CHNH2 +、CH3NH3 +、Cs+中的至少一种；B选自Pb2+、Cd2+、Mn2+、Zn2+、Sn2+、Ge2+、Bi3+中的至少一种；C选自芳香基或者碳原子数不小于3的烷基有机胺阳离子；X选自卤素阴离子；m为1到100之间的任意数值。
可选地，m为1到10之间的任意数值。
可选地，m为1到5之间的任意数值。
可选地，m为2。
可选地，所述羧酸根选自C1-C20羧酸根中的至少一种。
可选地，所述羧酸根选自乙酸、硬脂酸、甲酸、碳酸、戊酸、三甲基乙酸、碱式乙酸、酒石酸、月桂酸中的至少一种。
可选地，所述卤素阴离子选自Cl-、Br-、I-中的至少一种。
可选地，所述钙钛矿量子点在至少一个维度上的尺寸为2～50nm。
可选地，所述钙钛矿量子点的发光峰在400～800nm之间。
可选地，所述复合材料为复合薄膜、复合板材或复合管材。
可选地，所述复合薄膜的厚度为0.001-0.5mm。
可选地，所述复合板材的厚度为0.5-10mm。
可选地，所述复合管材的直径为0.001-10mm。
可选地，所述方法还包括：
所述含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物包括第一混合物、第二混合物、…第n混合物；
所述第一混合物含有第一聚合物基质和第一钙钛矿前驱体；
所述第二混合物含有第二聚合物基质和第二钙钛矿前驱体；
…
所述第n混合物含有第n聚合物基质和第n钙钛矿前驱体；
所述第一混合物、第二混合物、…第n混合物经过多模头熔融挤出，得到多层的复合材料；
所述第一混合物、第二混合物、…第n混合物分别形成所述第一钙钛矿层、第二钙钛矿层、…第n钙钛矿层。
可选地，所述含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物还包括第n+1混合物、第n+2混合物、…第n+n混合物；
所述第n+1混合物、第n+2混合物、…第n+n混合物包括隔离层材料、光扩散材料中至少一种；
所述第一混合物、第二混合物、…第n混合物、第n+1混合物、第n+2混合物、…第n+n混合物经过多模头熔融挤出，得到多层的复合材料；
所述第n+1混合物、第n+2混合物、…第n+n混合物分别形成第一隔离层、第二隔离层、…第n隔离层；
所述第一隔离层、第二隔离层、…第n隔离层设置在所述第一钙钛矿层、第二钙钛矿层、…第n钙钛矿层中的至少两层之间。
可选地，n为2，3，4或5。
可选地，所述多层的复合材料为绿色钙钛矿层和红色钙钛矿层层叠的复合材料。
可选地，所述方法还包括：
所述含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物包括第一混合物、第二混合物和第三混合物；
所述第一混合物含有第一聚合物基质和第一钙钛矿前驱体；
所述第二混合物含有第二聚合物基质和第二钙钛矿前驱体；
所述第三混合物含有隔离层材料、扩散粒子中的至少一种；
所述第一混合物、第二混合物和第三混合物经过多模头熔融挤出，得到多层的复合材料。
可选地，所述隔离层材料由聚合物构成，所述聚合物含有聚偏氟乙烯(PVDF)、聚偏氟乙烯和三氟乙烯共聚物(P(VDF-TrFE))、聚丙烯腈(PAN)、聚醋酸乙烯酯(PVAc)、醋酸纤维素(CA)、氰基纤维素(CNEC)、聚砜(PSF)、芳香聚酰胺(MPIA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)中的至少一种。
可选地，所述多层的复合材料为绿色钙钛矿层、隔离层和红色钙钛矿层依次层叠的复合材料。
隔离层是为了使各钙钛矿层彼此分离，从而避免了其之间的离子交换作用。钙钛矿之间的离子交换会降低量子点的发光效率，并且会改变量子点的发射光谱，恶化显示效果。
根据本申请的又一个方面，提供了一种复合材料的封装方法，其特征在于，采用多层共挤的方法，将两层水氧阻隔层与发光层经过不同的模头共同挤出，使发光层位于两层水氧阻隔层之间；
所述发光层含有上述所述的制备方法制备的复合材料中的至少一种。
可选地，所述方法还包括：
将不同颜色的发光层与所述水氧阻隔层一同熔融挤出；
所述不同颜色的发光层包括红色钙钛矿层、绿色钙钛矿层中的至少一层。
可选地，所述水氧阻隔层材料由聚合物构成，所述聚合物含有聚偏氟乙烯(PVDF)、聚偏氟乙烯和三氟乙烯共聚物(P(VDF-TrFE))、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚偏氯乙烯(PVDC)中的至少一种。
将两层阻隔层材料与发光层经过不同的模头共同挤出，使发光层位于两层组隔层之间，形成三明治结构再复合，实现对发光层的封装。
可选地，将水氧阻隔层材料使用胶贴合或者涂布的方法置于发光层表面，使发光层位于两层水氧阻隔层之间；
所述发光层含有上述所述的制备方法制备的复合材料中的至少一种。
可选地，采用多层共挤的方法，将不同发光层以及其他功能层的材料经过不同的模头挤出，复合后得到所述多色复合材料。
可选地，所述不同发光层之间直接复合，得到所述多色复合材料。
可选地，所述不同发光层之间还可以插入隔离层后再复合；所述隔离层由聚合物构成，所述聚合物含有聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯和三氟乙烯共聚物、聚丙烯腈、聚醋酸乙烯酯、醋酸纤维素、氰基纤维素、聚砜、芳香聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、高抗冲聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯中的至少一种。
可选地，所述其他功能层位于发光层的中间。
可选地，所述其他功能层位于位于发光层的两侧。
根据本申请的又一个方面，提供了一种半导体器件，其特征在于，含有根据上述所述的制备方法制备的复合材料、上述所述的复合材料的封装方法制备的复合材料中的至少一种。
可选地，所述半导体器件包括电致发光器件、太阳能电池、显示器件、传感器件、压电器件、非线性光学器件中的至少一种。
根据本申请的又一个方面，提供了一种背光模组，其特征在于，含有根据上述所述的制备方法制备的复合材料、上述所述复合材料的封装方法制备的复合材料中的至少一种。
根据本申请的又一个方面，提供了一种LCD显示器，其特征在于，含有根据上述所述的制备方法制备的复合材料、上述所述的复合材料的封装方法制备的复合材料中的至少一种。
根据本申请的又一个方面，提供了一种光致发光器件，其特征在于，包括蓝光芯片驱动模组、蓝光芯片散热模组和双色复合发光材料；
所述双色复合发光材料选自含有上述所述的制备方法制备的复合材料中的至少一种。
本申请提出挤出法原位制备钙钛矿量子点/聚合物复合材料的方法，实现在挤出加工过程中钙钛矿量子点在聚合物基质中的原位生成，所得复合材料为可有多种形态，如薄膜、板材、管材等。此外原位生成的钙钛矿量子点具有荧光量子产率高、稳定性好、发光波长可调的特点，可以应用于背光显示等领域。
本申请提出的复合材料制备方法非常简单，可大批量、连续化制备，适用于工业生产，制备的钙钛矿量子点/聚合物复合材料不仅具有钙钛矿量子点的高荧光量子产率，发光纯度高，波长可随颗粒尺寸、成分调节等优点，还具有聚合物组分的易加工、力学强度高、柔性好等特点。同时由于聚合物基质包裹住了钙钛矿量子点颗粒，隔绝了外界环境如氧气、水汽等的影响，使得该复合材料荧光稳定性显著增强，在广色域LED背光源显示、柔性显示中有广阔的市场应用前景。
本申请能产生的有益效果包括：
1)挤出法不使用溶剂，得到的复合材料没有微孔，稳定性会得到增强。
2)通过调整吹塑模头可以制备得到钙钛矿量子点/聚合物复合材料板材产品，其可以同时替代显示背光源中的扩散板与转光膜，达到简化背光模组结构、较少生产工艺环节、有利于实现生产自动化的目的。
3)使用多层共挤的方法可以一次性将发光层与阻隔层复合制备出最终产品，减少了后续生产工艺，进一步降低了成本。
4)不使用溶剂使得制备成本更低、更环保。因此，挤出法原位制备钙钛矿量子点/聚合物复合发光材料是一项极具应用前景的技术。
附图说明
图1为实施例1中样品的荧光发射光谱图。
图2为实施例2中样品的荧光发射光谱图。
图3为实施例3中样品的荧光发射光谱图。
图4为实施例20中红、绿双色发光钙钛矿量子点/PS复合发光扩散板的结构示意图。
图5为实施例21中红、绿双色发光钙钛矿量子点/PC复合发光扩散板的结构示意图。
图6为实施例24中红、绿双色发光钙钛矿量子点/PMMA/PVDC复合发光扩散板的结构示意图。
图7为实施例25中绿色发光钙钛矿量子点/PMMA/PVDC复合发光扩散板的结构示意图。
图8为实施例26中红、绿双色发光钙钛矿量子点/PMMA/PVDC复合发光扩散板的结构示意图。
图9为实施例26中复合扩散板的荧光发射光谱图。
图10为实施例32中封装后的钙钛矿量子点/聚合物复合薄膜应用于直下式背光模组的结构示意图。
图11为实施例33提供的直下式背光模组结构示意图。
图12为实施例33提供的直下式背光模组点亮后的发射光谱。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。
如无特别说明，本申请的实施例中的原料均通过商业途径购买。
本申请的荧光发射光谱测试采用爱丁堡FLSP920荧光光谱仪，测试条件为常温常压大气环境。
实施例中，聚合物用量统一为100g。
实施例1
将聚合物聚苯乙烯(PS)与PbBr2粉末和MABr(MA指甲基胺)粉末混合，控制质量比为：聚合物：(PbBr2+MABr)＝100：5，控制药品MABr：PbBr2摩尔比为：1：1。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间6min，混炼段温度220℃，时间30min，模具成型段温度190℃挤出，转速1000转下挤出。获得MAPbBr3量子点/PS复合扩散板。该样品的厚度1.5mm。该样品的荧光发射光谱如图1所示，从图1可以看出发光波长位于516nm，半峰宽22nm。
实施例2
将聚合物聚苯乙烯(PS)与实验药品PbCl2粉末和CsCl粉末混合，控制质量比为：聚合物：(PbCl2+CsCl)＝100：1，控制药品CsCl：PbCl2摩尔比为：1：1.1。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间8min，混炼段温度220℃，时间40min，模具成型段温度190℃挤出，转速1000转下挤出。获得CsPbCl3量子点/PS复合扩散板。该样品的厚度1.25mm。该样品的荧光发射光谱如图2所示，从图2可以看出发光波长位于405nm，半峰宽19nm。
实施例3
将聚合物聚苯乙烯(PS)与实验药品PbI2粉末和MAI粉末混合，控制质量比为：聚合物：(PbI2+MAI)＝100：0.1，控制药品MAI：PbI2摩尔比为：1：1.2。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度195℃，熔融段温度210℃，时间10min，混炼段温度220℃，时间20min，模具成型段温度190℃挤出，转速1000转下挤出。获得CsPbI3量子点/PS复合扩散板。该样品的厚度0.5mm。该样品的荧光发射光谱如图3所示，从图3可以看出发光波长位于675nm，半峰宽32nm。
实施例4
将聚合物聚碳酸酯(PC)与FABr(FA指甲脒)、PbBr2和KBr的粉末混合；控制质量比为：聚合物：(FABr+PbBr2+KBr)＝100：10，控制药品FABr：PbBr2：KBr摩尔质量比为：1：1.2：10。机械搅拌将粉末混合均匀0.1h。然后在进料口段温度150℃，熔融段温度180℃，时间6min，混炼段温度180℃，时间15min，模具成型段温度150℃挤出，转速1500转下挤出。获得FAPbBr3量子点/PC复合扩散板。该样品的厚度0.75mm。
实施例5
将聚合物聚碳酸酯(PC)与醋酸铯、PbBr2和ZnBr2的粉末混合；控制质量比为：聚合物：(醋酸铯+PbBr2+ZnBr2)＝100:1，控制药品醋酸铯：PbBr2：ZnBr2摩尔质量比为：1：0.1：0.5。机械搅拌将粉末混合均匀48h。然后在进料口段温度150℃，熔融段温度180℃，时间6min，混炼段温度180℃，时间15min，模具成型段温度150℃挤出，转速2000转下挤出。获得CsPbBr3量子点/PC复合扩散板。
实施例6
将聚合物聚碳酸酯(PC)与醋酸铯、PbI2和ZnI2的粉末混合；添加有机配体溴化十二胺，聚合物：(醋酸铯+PbI2+ZnI2)：溴化十二胺的质量比为100：2：0.4。控制药品醋酸铯：PbI2：ZnI2摩尔质量比为：1：1：0.6。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度170℃，熔融段温度190℃，时间7min，混炼段温度190℃，时间30min，模具成型段温度170℃挤出，转速600转下挤出。获得CsPbI3量子点/PC复合扩散板。
实施例7
将聚合物聚碳酸酯(PC)与MACl、PbBr2和CuBr2的粉末混合；控制质量比为聚合物：(MACl+PbBr2+CuBr2)＝100：1.5，控制药品MACl：PbBr2：CuBr2摩尔质量比为：1.2：1：0.6。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度150℃，熔融段温度170℃，时间15min，混炼段温度170℃，时间1h，模具成型段温度150℃挤出，转速300转下挤出。获得MAPbCl1.4Br1.6量子点/PC复合扩散板。
实施例8
将聚合物聚碳酸酯(PC)与MACl(MA指甲胺离子)、PbBr2和NaCl的粉末混合；添加有机配体四丁基氯化铵，聚合物：(MACl+PbBr2+NaCl)：四丁基氯化铵的质量比为1：0.2：0.04。控制药品MACl：PbBr2：NaCl摩尔量比为：1.2：1：5。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度150℃，熔融段温度170℃，时间10min，混炼段温度170℃，时间30min，模具成型段温度150℃挤出，转速1200转下挤出。获得MAPbCl2.1Br0.9量子点/PC复合扩散板。
实施例9
将聚合物聚砜(PSF)与硬脂酸铯、PbBr2和LiBr的粉末混合；添加剂为LiBr。控制质量比聚合物：(硬脂酸铯+PbBr2+LiBr)＝100：2，控制摩尔量比硬脂酸铯：PbBr2：LiBr＝1：1.2：0.5。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度200℃，熔融段温度220℃，时间20min，混炼段温度220℃，时间1h，模具成型段温度200℃挤出，转速500转下挤出。获得CsPbBr3量子点/PSF复合扩散板。
实施例10
将聚偏氯乙烯(PVDF)与MACl、PbBr2的粉末混合；控制质量比聚合物：(MACl+PbBr2)＝100：20，控制摩尔量比MACl：PbBr2＝1：1.5。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度200℃，熔融段温度220℃，时间6min，混炼段温度220℃，时间25min，模具成型段温度200℃挤出，转速1800转下挤出。获得MAPbCl1.3Br1.7量子点/PVDF复合扩散板。
实施例11
将聚甲基丙烯酸甲酯与CsI、PbBr2和RbI的粉末混合；控制质量比聚合物：(CsI+PbBr2+RbI)＝100：5，控制摩尔量比CsI：PbBr2：RbI＝1：2：1。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间10min，混炼段温度210℃，时间40min，模具成型段温度190℃挤出，转速800转下挤出。获得CsPbBr0.8I2.2量子点/PMMA复合扩散板。
实施例12
将聚苯乙烯(PS)与酒石酸铯、PbI2和CdBr2的粉末混合；控制质量比聚合物：(酒石酸铯+PbI2+CdBr2)＝100：30，控制摩尔量比酒石酸铯：PbI2：CdBr2＝1：10：8。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间15min，混炼段温度220℃，时间1.5h，模具成型段温度200℃挤出，转速800转下挤出。获得CsPb0.8Cd0.2Br2I1量子点/PS复合扩散板。
实施例13
将聚乙烯(PE)与FACl、PbCl2和MnCl2的粉末混合；控制质量比聚合物：(FACl+PbCl2+MnCl2)＝100：1，控制摩尔量比FACl：PbCl2：MnCl2＝1：5：3。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度120℃，熔融段温度150℃，时间8min，混炼段温度140℃，时间20min，模具成型段温度120℃挤出，转速2000转下挤出。获得FAPbCl3量子点/PE复合扩散板。
实施例14
将聚乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物(EVA)与CsBr、PbCl2和CuCl的粉末混合；控制质量比聚合物：(CsBr+PbCl2+CuCl)＝100：0.1，控制摩尔量比CsBr：PbCl2：CuCl＝1：1：2。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度70℃，熔融段温度100℃，时间10min，混炼段温度110℃，时间25min，模具成型段温度90℃挤出，转速1500转下挤出。获得CsPbCl2Br1量子点/EVA复合扩散板。
实施例15
将聚苯乙烯(PS)与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的混合物与PEAI(PEAI指苯乙基碘化胺)、PbI2的粉末混合；控制质量比聚合物：(PEAI+PbI2)＝100：2，控制摩尔量比PEAI：PbI2＝1：0.5。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间15min，混炼段温度210℃，时间30min，模具成型段温度190℃挤出，转速700转下挤出。获得PEA2PbI4二维钙钛矿/PS/PMMA复合扩散板。
实施例16
将聚苯乙烯(PS)与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的混合物与PEAI、PbI2的粉末混合；控制质量比聚合物：(CsBr+BiBr3+RbBr)＝100：5，控制摩尔量比CsBr：BiBr3：RbBr＝1：1：0.5。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间10min，混炼段温度210℃，时间35min，模具成型段温度190℃挤出，转速1000转下挤出。获得Cs3Bi2Br9量子点/PMMA复合扩散板。
实施例17
将聚苯乙烯(PS)与CsBr、PbCl2和CuCl的粉末混合；在混料中加入扩散粒子，扩散粒子为二氧化硅。控制质量比聚合物：(CsBr+PbCl2+CuCl)＝100：0.1，控制摩尔量比CsBr：PbCl2：CuCl＝1：1：2。聚合物与扩散粒子的质量比为：100：5。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度70℃，熔融段温度100℃，时间15min，混炼段温度110℃，时间30min，模具成型段温度90℃挤出，转速1500转下挤出。获得CsPbCl2Br1量子点/EVA复合扩散板。
实施例18
将聚偏氯乙烯(PVDC)与碳酸铯、PbI2和SnI2的粉末混合；在混料中加入扩散粒子，扩散粒子为丙烯酸型扩散粒子。控制质量比聚合物：(碳酸铯+PbI2+SnI2)＝100：3，控制摩尔量比碳酸铯：PbI2：SnI2＝1：2：1。聚合物与扩散粒子的质量比为：100：5。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间8min，混炼段温度220℃，时间50min，模具成型段温度200℃挤出，转速800转下挤出。获得CsPbI3子点/PVDC复合扩散板。
实施例19
将聚酰亚胺(PI)与碳酸铯、PbI2和SnI2的粉末混合；在混料中加入扩散粒子，扩散粒子为碳酸钙扩散粒子。控制质量比聚合物：(碳酸铯+PbI2+SnI2)＝100：3，控制摩尔量比碳酸铯：PbI2：SnI2＝1：2：1。聚合物与扩散粒子的质量比为：100：5。机械搅拌将粉末混合均匀。然后在进料口段温度290℃，熔融段温度300℃，时间6min，混炼段温度300℃，时间15min，模具成型段温度290℃挤出，转速100转下挤出。获得CsPb0.5Sn0.5I3子点/PI复合扩散板。
实施例20
使用多层共挤设备可以制备得到多层不同功能的复合钙钛矿量子点扩散板。
第一层中第一混合物为聚合物PS、MABr、PbBr2、ZnBr2、溴化十二胺，控制质量比聚合物：(MABr+PbBr2+ZnBr2)＝100：3。控制摩尔量比MABr：PbBr2：ZnBr2＝1：1.1：0.4。控制质量比聚合物PS：溴化十二胺＝100：0.5。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度190℃，熔融段温度200℃，时间10min，混炼段温度200℃，时间35min，模具成型段温度190℃挤出，转速1000转下挤出。
第二层中第二混合物为聚合物PS、MAI、PbI2、ZnI2、溴化十二胺，控制质量比聚合物：(MAI+PbI2+ZnI2)＝100：2。控制摩尔量比MAI：PbI2：ZnI2＝1：1.2：0.5。机械搅拌将粉末混合均匀。控制质量比聚合物PS：溴化十二胺＝100：0.1。进料口段温度190℃，熔融段温度200℃，时间8min，混炼段温度200℃，时间30min，模具成型段温度190℃挤出，转速1000转下挤出。
两层扩散板从模头挤出后直接复合，得到红、绿双色发光钙钛矿量子点/PS复合发光扩散板。该复合扩散板的结构如图4所示。
实施例21
第一层中第一混合物为聚合物PC、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：0.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：0.9：1。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间15min，混炼段温度200℃，时间20min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第二层中为聚合物PC。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间8min，混炼段温度200℃，时间1h，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第三层中第三混合物为聚合物PC、CsI、PbBr2、SnI2，控制质量比聚合物：(CsI+PbBr2+SnI2)＝100：1。控制摩尔量比CsI：PbBr2：SnI2＝1：1：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间10min，混炼段温度200℃，时间30min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
三层扩散板从模头挤出后直接复合，得到红、绿双色发光钙钛矿量子点/PC复合发光扩散板。该复合扩散板的结构如图5所示。
实施例22
第一层中第一混合物为聚合物PC、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：0.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：0.9：1。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间6min，混炼段温度200℃，时间15min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第二层中为聚合物PC。在进料前首先将PC与碳酸钙扩散颗粒混合，PC：碳酸钙质量比＝100：10。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间20min，混炼段温度200℃，时间40min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第三层中第三混合物为聚合物PC、CsI、PbBr2、SnI2，控制质量比聚合物：(CsI+PbBr2+SnI2)＝100：1。控制摩尔量比CsI：PbBr2：SnI2＝1：1：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间8min，混炼段温度200℃，时间20min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
三层扩散板从模头挤出后直接复合，得到红、绿双色发光钙钛矿量子点/PC复合发光扩散板。
实施例23
第一层中第一混合物为聚合物PMMA、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：2.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：1.5：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间8min，混炼段温度210℃，时间40min，模具成型段温度200℃挤出，转速1000转下挤出。
第二层为隔离层，聚合物PC。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间15min，混炼段温度200℃，时间1.5h，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第三层中第三混合物为聚合物PMMA、CsI、PbI2、SnI2，控制质量比聚合物：(CsI+PbI2+SnI2)＝100：3。控制摩尔量比CsI：PbI2：SnI2＝1：1.3：0.6。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间10min，混炼段温度200℃，时间30min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
三层扩散板从模头挤出后直接复合，得到双色发光钙钛矿量子点/PMMA/PC复合发光扩散板。
实施例24
第一层为水氧阻隔层，水氧阻隔聚合物为聚偏氯乙烯(PVDC)。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间10min，混炼段温度200℃，时间40min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第二层中第二混合物为聚合物PC、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：2.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：1.5：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间7min，混炼段温度210℃，时间20min，模具成型段温度200℃挤出，转速1000转下挤出。
第三层中第三混合物为聚合物PC、CsI、PbBr2、SnI2，控制质量比聚合物：(CsI+PbBr2+SnI2)＝100：3。控制摩尔量比CsI：PbBr2：SnI2＝1：1.3：0.6。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间6min，混炼段温度200℃，时间25min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第四层为水氧阻隔层，水氧阻隔聚合物为聚偏氯乙烯(PVDC)。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间10min，混炼段温度200℃，时间40min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
四层扩散板从模头挤出后直接复合，得到红、绿双色发光钙钛矿量子点/PMMA/PVDC复合发光扩散板。该复合扩散板的结构如图6所示。
实施例25
第一层为水氧阻隔层，水氧阻隔聚合物为聚偏氯乙烯(PVDC)。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间15min，混炼段温度200℃，时间1h，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第二层中第二混合物为聚合物PC、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：2.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：1.5：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间10min，混炼段温度210℃，时间15min，模具成型段温度200℃挤出，转速1000转下挤出。
第三层为水氧阻隔层，水氧阻隔聚合物为聚偏氯乙烯(PVDC)。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间15min，混炼段温度200℃，时间1h，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
三层扩散板从模头挤出后直接复合，得到绿色发光钙钛矿量子点/PMMA/PVDC复合发光扩散板。该复合扩散板的结构如图7所示。
实施例26
第一层为水氧阻隔层，水氧阻隔聚合物为聚偏氯乙烯(PVDC)。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间15min，混炼段温度200℃，时间30min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第二层中第二混合物为聚合物PMMA、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：2.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：1.5：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间8min，混炼段温度210℃，时间15min，模具成型段温度200℃挤出，转速1000转下挤出。
第三层中为聚合物PMMA。进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间10min，混炼段温度210℃，时间30min，模具成型段温度190℃挤出，转速1000转下挤出。
第四层中第四混合物为聚合物PMMA、CsI、PbBr2、SnI2，控制质量比聚合物：(CsI+PbBr2+SnI2)＝100：3。控制摩尔量比CsI：PbBr2：SnI2＝1：1.3：0.6。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间6min，混炼段温度200℃，时间30min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第五层为水氧阻隔层，水氧阻隔聚合物为聚偏氯乙烯(PVDC)。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间15min，混炼段温度200℃，时间30min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
五层扩散板从模头挤出后直接复合，得到双色发光钙钛矿量子点/PMMA/PVDC复合发光扩散板。该复合扩散板的结构如图8所示，发射光谱如图9所示，绿光的发射峰位于528nm，红光的发光峰位于630nm，适合背光显示应用。
实施例27
第一层为水氧阻隔层，水氧阻隔聚合物为聚偏氯乙烯(PVDC)。在进料前首先将PVDC与二氧化硅扩散颗粒混合，PVDC：二氧化硅质量比＝100：5。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间12min，混炼段温度200℃，时间1h，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。控制挤出厚度为50μm。
第二层中第二混合物为聚合物PMMA、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：2.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：1.5：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间8min，混炼段温度210℃，时间15min，模具成型段温度200℃挤出，转速1000转下挤出。控制挤出厚度为10μm。
第三层中为聚合物PMMA。进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间15min，混炼段温度210℃，时间30min，模具成型段温度190℃挤出，转速1000转下挤出。控制挤出厚度为5μm。
第四层中第四混合物为聚合物PMMA、CsI、PbBr2、SnI2，控制质量比聚合物：(CsI+PbBr2+SnI2)＝100：3。控制摩尔量比CsI：PbBr2：SnI2＝1：1.3：0.6。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间8min，混炼段温度200℃，时间15min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。控制挤出厚度为10μm。
第五层为水氧阻隔层，水氧阻隔聚合物为聚偏氯乙烯(PVDC)。在进料前首先将PVDC与二氧化硅扩散颗粒混合，PVDC：二氧化硅质量比＝100：5。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间12min，混炼段温度200℃，时间1h，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。控制挤出厚度为50μm。
五层扩散板从模头挤出后直接复合，得到双色发光钙钛矿量子点/PMMA/PVDC复合发光扩散膜。
实施例28
第一层为水氧阻隔层，水氧阻隔聚合物为聚偏氯乙烯(PVDC)。在进料前首先将PVDC与二氧化硅扩散颗粒混合，PVDC：二氧化硅质量比＝100：5。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间28min，混炼段温度200℃，时间32min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。控制挤出厚度为400μm。
第二层中第二混合物为聚合物PMMA、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：2.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：1.5：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间6min，混炼段温度210℃，时间24min，模具成型段温度200℃挤出，转速1000转下挤出。控制挤出厚度为100μm。
第三层中为聚合物PMMA。进料口段温度190℃，熔融段温度210℃，时间15min，混炼段温度210℃，时间45min，模具成型段温度190℃挤出，转速1000转下挤出。控制挤出厚度为10μm。
第四层中第四混合物为聚合物PMMA、CsI、PbBr2、SnI2，控制质量比聚合物：(CsI+PbBr2+SnI2)＝100：3。控制摩尔量比CsI：PbBr2：SnI2＝1：1.3：0.6。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间8min，混炼段温度200℃，时间22min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。控制挤出厚度为100μm。
第五层为水氧阻隔层，水氧阻隔聚合物为聚偏氯乙烯(PVDC)。在进料前首先将PVDC与二氧化硅扩散颗粒混合，PVDC：二氧化硅质量比＝100：5。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间28min，混炼段温度200℃，时间32min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。控制挤出厚度为400μm。
五层扩散板从模头挤出后直接复合，得到双色发光钙钛矿量子点/PMMA/PVDC复合发光扩散板。
实施例29
第一层中第一混合物为聚合物PC、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：0.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：0.9：1。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间10min，混炼段温度200℃，时间30min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第二层中为聚合物PC。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，混炼段温度200℃，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第三层中第三混合物为聚合物PC、CsI、PbI2、SnI2，控制质量比聚合物：(CsI+PbI2+SnI2)＝100：1。控制摩尔量比CsI：PbI2：SnI2＝1：1：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间12min，混炼段温度200℃，时间28min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
三层扩散板从模头挤出后直接复合，得到双色发光钙钛矿量子点/PC复合发光扩散板。
将水氧阻隔材料PVDC乳液涂覆在得到的该扩散板表面，每平方涂布的PVDC乳液质量40g，得到封装好的量子点扩散板。
实施例30
第一层中第一混合物为聚合物PC、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：0.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：0.9：1。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间7min，混炼段温度200℃，时间23min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第二层中为聚合物PC。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，混炼段温度200℃，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第三层中第三混合物为聚合物PC、CsI、PbI2、SnI2，控制质量比聚合物：(CsI+PbI2+SnI2)＝100：1。控制摩尔量比CsI：PbI2：SnI2＝1：1：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间9min，混炼段温度200℃，时间21min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
三层扩散板从模头挤出后直接复合，得到双色发光钙钛矿量子点/PC复合发光扩散板。
将PET上无机氧化物镀膜水氧阻隔材料使用胶粘的方法贴到得到的该扩散板表面，得到封装好的量子点扩散板。
实施例31
第一层中第一混合物为聚合物PC、CsBr、PbBr2、SnBr2，控制质量比聚合物：(CsBr+PbBr2+SnBr2)＝100：0.5。控制摩尔量比CsBr：PbBr2：SnBr2＝1：0.9：1。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间15min，混炼段温度200℃，时间20min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第二层中为聚合物PC。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，混炼段温度200℃，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
第三层中第三混合物为聚合物PC、CsI、PbI2、SnI2，控制质量比聚合物：(CsI+PbI2+SnI2)＝100：1。控制摩尔量比CsI：PbI2：SnI2＝1：1：0.8。机械搅拌将粉末混合均匀。进料口段温度180℃，熔融段温度200℃，时间10min，混炼段温度200℃，时间25min，模具成型段温度180℃挤出，转速1000转下挤出。
三层扩散板从模头挤出后直接复合，得到双色发光钙钛矿量子点/PC复合发光扩散板。
将PVDC水氧阻隔膜通过热压贴合的方法贴到得到的该扩散板表面，得到封装好的量子点扩散板。
实施例32
将实施例24中得到的封装好的红、绿双光色发光量子点扩散膜装入侧入式LCD显示器背光模组中。
图10为本实施例提供的侧入式背光模组结构示意图，下面结合图10对本实施例进行说明。
具体地，将封装后的红光和绿光双光色发射的钙钛矿量子点/聚合物复合薄膜装配到显示背光模组中，形成侧入式背光模组。如图10所示，显示背光模组还包括导光板、反射和LED灯珠，封装后的基于钙钛矿量子点的复合薄膜层位于所述导光板的上表面，反射片位于导光板的下表面，LED灯珠位于导光板的侧面。
实施例33
将实施例26中得到的封装好的红、绿双光色发光量子点扩散板装入直下式LCD显示器背光模组中。
图11为本实施例提供的直下式背光模组结构示意图，下面结合图11对本实施例进行说明。
如图11所示，显示背光模组还包括扩散板和LED灯珠，封装后的基于钙钛矿量子点的复合薄膜层位于扩散板的上方，所述LED灯珠位于扩散板的下方。
封装后的双光发射的钙钛矿量子点/聚合物复合薄膜应用于直下式背光模组，该封装薄膜位于扩散板之上，LED灯珠位于扩散板之下。如图12为该背光模组点亮后的发射光谱，从图中看出蓝光发光峰位于450nm，绿光发射峰位于528nm，红光发射峰位于630nm，复合显示需求。
以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。

Claims (10)

1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物经熔融挤出，得到所述复合材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合物经熔融挤出，原位形成钙钛矿量子点，得到钙钛矿量子点与聚合物基质的复合材料；
优选地，所述聚合物基质和钙钛矿前驱体的质量比为100：0.01～30；
优选地，所述聚合物基质和钙钛矿前驱体的质量比为100：0.1～5；
优选地，所述钙钛矿前驱体包括AX和BXt；
其中，A选自NH2CHNH2 +、CH3NH3 +、Cs+中的至少一种；
B选自Pb2+、Cd2+、Mn2+、Zn2+、Sn2+、Ge2+、Bi3+中的至少一种；
X选自羧酸根、卤素阴离子中的至少一种；
t＝2或3；
优选地，AX和BXt的摩尔比为1：0.1～10；
优选地，AX和BXt的的摩尔比为1：0.5～2；
优选地，所述钙钛矿前驱体包括AX、CX和BXt；
其中，A选自NH2CHNH2 +、CH3NH3 +、Cs+中的至少一种；
B选自Pb2+、Cd2+、Mn2+、Zn2+、Sn2+、Ge2+、Bi3+中的至少一种；
C选自芳香基或者碳原子数不小于3的烷基有机胺阳离子；
X选自羧酸根、卤素阴离子中的至少一种；
t＝2或3；
优选地，其特征在于，所述(AX+CX)和BXt摩尔比为1：0.1～10；
CX和AX的摩尔比为1：0～100；
优选地，(AX+CX)和BXt摩尔比为1：0.5～5；
CX和AX的摩尔比为1：0～10；
优选地，所述AX选自卤化铯、卤化甲胺、卤化甲脒、乙酸铯、硬脂酸铯、甲酸铯、碳酸铯、戊酸铯、三甲基乙酸铯中的至少一种；
BX2选自卤化铅、碳酸铅、四乙酸铅、硬脂酸铅、碱式乙酸铅、乙酸铅、酒石酸铅、月桂酸铅中的至少一种；
优选地，所述钙钛矿前驱体还含有添加剂；
优选地，所述添加剂选自卤化碱金属、卤化碱土金属、卤化锌、卤化亚锡、卤化镉、卤化锰、卤化亚铜、卤化铜中的至少一种；
优选地，所述添加剂选自氯化锌、溴化锌、碘化锌、氯化亚锡、溴化亚锡、碘化亚锡、氯化镉、溴化镉、碘化镉、氯化锰、溴化锰、碘化锰、氯化亚铜、溴化亚铜、碘化亚铜、氯化铜、溴化铜、碘化铜、氯化锂、氯化钾、氯化钠、氯化铷、溴化锂、溴化钠、溴化钾、溴化铷、碘化锂、碘化钠、碘化钾、碘化铷中的至少一种；
优选地，AX与添加剂的质量比为1:0.1～10；
优选地，AX与添加剂的质量比为1:0.4～10；
优选地，所述混合物还包括表面配体、扩散粒子中的至少一种；
优选地，聚合物基质与表面配体的质量比为1:0.001～1；
优选地，聚合物基质与表面配体的质量比为1:0.05～0.5；
优选地，聚合物基质与扩散粒子的质量比为1:0.001～1；
优选地，聚合物基质与扩散粒子的质量比为1:0.05～0.5；
优选地，所述表面配体选自有机酸、有机酸卤代物、C4～C24有机胺、C4～C24有机胺的卤代物中的至少一种；
优选地，所述扩散粒子选自有机光扩散粒子、无机光扩散粒子中的至少一种；
优选地，所述有机光扩散粒子选自丙烯酸型、有机硅型、聚乙烯型中的至少一种；
优选地，所述无机光扩散粒子选自纳米硫酸钡、二氧化硅、碳酸钙中的至少一种；
优选地，含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物的混合方式选自球磨混合、搅拌混合、溶剂辅助混合中的至少一种；
优选地，所述聚合物基质包括聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯和三氟乙烯共聚物、聚丙烯腈、聚醋酸乙烯酯、醋酸纤维素、氰基纤维素、聚砜、芳香聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的至少一种；
优选地，所述熔融挤出工艺包括进料段、熔融段、混炼段和成型段；
优选地，所述进料段的温度为70～290℃；
优选地，所述进料段的温度为140～220℃；
优选地，所述熔融段的温度为80～300℃；所述熔融段的时间为0.1～48小时；
优选地，所述熔融段的温度为160～240℃；所述熔融段的时间为0.25～12小时；
优选地，所述混炼段的温度为80～300℃；所述混炼段的时间为0.1～48小时；
优选地，所述混炼段的温度为160～240℃；所述混炼段的时间为0.25～12小时；
优选地，所述成型段为模具成型；
所述模具的温度为70～290℃；
优选地，所述模具的温度为140～200℃；
优选地，所述熔融挤出的螺杆转速为100～2000rpm；
优选地，所述熔融挤出的螺杆转速为600～1500rpm；
优选地，所述熔融挤出的工艺条件为：进料口段温度70～290℃，熔融段温度80～300℃，熔融段时间0.1～48小时，混炼段温度80～300℃，混炼段时间0.1～48小时，模具成型段温度70～290℃，转速100～2000转下挤出。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合材料含有钙钛矿量子点和聚合物基质；所述钙钛矿量子点分散在所述聚合物基质中；
所述钙钛矿量子点具有结构式ABX3、A3B2X9、A2BX6、C2Am-1BmX3m+1中的至少一种；
其中，A选自NH2CHNH2 +、CH3NH3 +、Cs+中的至少一种；B选自Pb2+、Cd2+、Mn2+、Zn2+、Sn2+、Ge2+、Bi3+中的至少一种；X选自卤素阴离子；C选自芳香基或者碳原子数不小于3的烷基有机胺阳离子；
m为1到100之间的任意数值；
优选地，所述钙钛矿量子点在至少一个维度上的尺寸为2～50nm；
优选地，所述钙钛矿量子点的发光峰在400～800nm之间；
优选地，所述复合材料为复合薄膜、复合板材或复合管材；
优选地，所述复合薄膜的厚度为0.001-0.5mm；
优选地，所述复合板材的厚度为0.5-10mm；
优选地，所述复合管材的直径为0.001-10mm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物包括第一混合物、第二混合物、…第n混合物；
所述第一混合物含有第一聚合物基质和第一钙钛矿前驱体；
所述第二混合物含有第二聚合物基质和第二钙钛矿前驱体；
…
所述第n混合物含有第n聚合物基质和第n钙钛矿前驱体；
所述第一混合物、第二混合物、…第n混合物经过多模头熔融挤出，得到多层的复合材料；
所述第一混合物、第二混合物、…第n混合物分别形成所述第一钙钛矿层、第二钙钛矿层、…第n钙钛矿层；
优选地，所述含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物还包括第n+1混合物、第n+2混合物、…第n+n混合物；
所述第n+1混合物、第n+2混合物、…第n+n混合物包括隔离层材料、光扩散材料中至少一种；
所述第一混合物、第二混合物、…第n混合物、第n+1混合物、第n+2混合物、…第n+n混合物经过多模头熔融挤出，得到多层的复合材料；
所述第n+1混合物、第n+2混合物、…第n+n混合物分别形成第一隔离层、第二隔离层、…第n隔离层；
所述第一隔离层、第二隔离层、…第n隔离层设置在所述第一钙钛矿层、第二钙钛矿层、…第n钙钛矿层中的至少两层之间；
优选地，其特征在于，所述多层的复合材料为绿色钙钛矿层和红色钙钛矿层层叠的复合材料；
优选地，所述方法还包括：
所述含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物包括第一混合物、第二混合物和第三混合物；
所述第一混合物含有第一聚合物基质和第一钙钛矿前驱体；
所述第二混合物含有第二聚合物基质和第二钙钛矿前驱体；
所述第三混合物含有隔离层材料、光扩散材料的至少一种；
所述第一混合物、第二混合物和第三混合物经过多模头熔融挤出，得到多层的复合材料；
优选地，所述多层的复合材料为绿色钙钛矿层、隔离层和红色钙钛矿层依次层叠的复合材料；
优选地，所述隔离层材料由聚合物构成，所述聚合物含有聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯和三氟乙烯共聚物、聚丙烯腈、聚醋酸乙烯酯、醋酸纤维素、氰基纤维素、聚砜、芳香聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的至少一种。
5.一种复合材料的封装方法，其特征在于，采用多层共挤的方法，将两层水氧阻隔层与发光层经过不同的模头共同熔融挤出，使发光层位于两层水氧阻隔层之间；
所述发光层含有根据权利要求1至3任一项所述的制备方法制备的复合材料中的至少一种；
优选地，所述方法还包括：
将不同颜色的发光层与所述水氧阻隔层一同熔融挤出；
所述不同颜色的发光层包括红色钙钛矿层、绿色钙钛矿层中的至少一层；
优选地，所述水氧阻隔层材料由聚合物构成，所述聚合物含有聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯和三氟乙烯共聚物、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-乙烯醇共聚物、聚偏氯乙烯中的至少一种。
6.一种复合材料的封装方法，其特征在于，将水氧阻隔层材料使用胶贴合或者涂布的方法置于发光层表面，使发光层位于两层水氧阻隔层之间；
所述发光层含有根据权利要求1至3任一项所述的制备方法制备的复合材料中的至少一种。
7.一种半导体器件，其特征在于，含有根据权利要求1至4任一项所述的制备方法制备的复合材料、根据权利要求5至6任一项所述的复合材料的封装方法制备的复合材料中的至少一种；
优选地，所述半导体器件包括电致发光器件、太阳能电池、显示器件、传感器件、压电器件、非线性光学器件中的至少一种。
8.一种背光模组，其特征在于，含有根据权利要求1至4任一项所述的制备方法制备的复合材料、根据权利要求5至6任一项所述的复合材料的封装方法制备的复合材料中的至少一种。
9.一种LCD显示器，其特征在于，含有根据权利要求1至4任一项所述的制备方法制备的复合材料、根据权利要求5至6任一项所述的复合材料的封装方法制备的复合材料中的至少一种。
10.一种光致发光器件，其特征在于，包括蓝光芯片驱动模组、蓝光芯片散热模组和双色复合发光材料；
所述双色复合发光材料选自含有根据权利要求4所述的制备方法制备的复合材料中的至少一种。
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